KR20150047794A - Organic light emitting display panel and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to: an organic electroluminescence display panel which efficiently extracts light, generated in an organic light emitting layer, and thus can increase light efficiency; and a method for manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the organic electroluminescence display panel includes: a first electrode formed on a substrate; the organic light emitting layer which is formed on each red, green, and blue subpixel on the first electrode; a second electrode formed on the organic light emitting layer; a front side sealing layer formed on the second electrode layer to have an inorganic barrier layer and an organic barrier layer which are alternately arranged at least once; and at least one capping layer that is formed between the lowest layer, the closest to the second electrode, among a plurality of thin films included in the front side sealing layer and the second electrode. A capping layer of one among the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel has the number of layers different from those of the rest of the subpixels. The top layer of a capping layer of one among the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel contacts the lowest layer of the front side sealing layer and has a refractive index different from that of the lowest layer of the front side sealing layer.

Description

유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent display panel,

본 발명은 유기 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display panel capable of efficiently extracting light generated in an organic light emitting layer to improve light efficiency and a method of manufacturing the same.

최근 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 대두되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 유기 전계 발광 표시 장치(Electro-Luminescence : EL) 등이 있다. 이 중 유기 전계 발광 표시 장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 백라이트가 불필요하므로 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정이 단순하며, 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트비(contrast ratio) 등의 뛰어난 특징이 있어 차세대 평면 디스플레이로서 적합하다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), are emerging. Examples of the flat panel display include a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an electro-luminescence (EL) display. Among these organic electroluminescent display devices, since self-luminous devices which emit light by themselves do not require a backlight, they are lightweight and thin, and have a simple process, a wide viewing angle, a high speed response and a high contrast ratio It is suitable as a next generation flat panel display.

특히, 유기 전계 발광 표시 장치는 애노드 전극으로부터의 정공과 캐소드 전극으로부터의 전자가 발광층 내에서 결합되어 생성된 여기자가 다시 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.In particular, an organic light emitting display device emits light by energy generated when holes from the anode electrode and electrons from the cathode electrode are combined in the light emitting layer to generate excitons that return to the ground state again.

이러한 유기 전계 발광 표시 장치의 유기 발광층에서 생성한 광이 외부로 모두 추출되지 못하고 대부분의 광이 내부 전반사에 의해 손실되어 유기 발광층에서 생성된 광의 약 1/4 정도만 외부로 방출되므로 광효율이 낮은 문제점이 있다.Light generated in the organic light emitting layer of such an organic light emitting display can not be extracted to the outside and most of the light is lost due to total internal reflection and only about 1/4 of the light generated in the organic light emitting layer is emitted to the outside, have.

따라서, 최근에는 유기 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 다양한 방법이 요구되고 있다.Therefore, in recent years, various methods for efficiently extracting the light generated in the organic light emitting layer and improving the light efficiency have been demanded.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 유기 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention provides an organic light emitting display panel capable of efficiently extracting light generated in an organic light emitting layer to improve light efficiency and a method of manufacturing the same.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널은 기판 상에 형성되는 제1 전극과; 상기 제1 전극 상에 형성되며 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 각각에 형성되는 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극과; 상기 제2 전극 상에 무기 배리어층과 유기 배리어층이 적어도 1 회 교번되게 형성되는 전면 실링층과; 상기 전면 실링층에 포함된 다수의 박막 중 제2 전극과 가장 인접한 최하부 층과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 1층의 캡핑층을 구비하며, 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 캡핑층은 상기 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 나머지 서브 화소의 캡핑층과 층수가 다르며, 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 상기 캡핑층의 최상부층은 상기 전면 실링층의 최하부층과 접촉하며, 상기 전면 실링층의 최하부층과 다른 굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent panel comprising: a first electrode formed on a substrate; An organic light emitting layer formed on the first electrode and formed on each of the red, green, and blue sub-pixels; A second electrode formed on the organic light emitting layer; A front sealing layer formed on the second electrode such that the inorganic barrier layer and the organic barrier layer are alternated at least once; And a capping layer formed between the second electrode and the lowermost layer closest to the second electrode among the plurality of thin films included in the front sealing layer, and wherein at least one of the red, green, and blue sub- The capping layer of the pixel is different in the number of layers from the capping layer of the remaining sub-pixels of the red, green and blue sub-pixels, and the top layer of the capping layer of any one of the red, Layer, and has a refractive index different from that of the lowermost layer of the front sealing layer.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법은 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제1 전극 상의 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 각각에 유기 발광층을 ㅎ형성하는 단계와; 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제2 전극 상에 형성되는 적어도 1층의 캡핑층을 구비하며, 상기 캡핑층 상에 무기 배리어층과 유기 배리어층이 적어도 1 회 교번되게 전면 실링층을 형성하는 단계와; 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 캡핑층은 상기 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 나머지 서브 화소의 캡핑층과 층수가 다르며, 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 상기 캡핑층의 최상부층은 상기 전면 실링층의 최하부층과 접촉하며, 상기 전면 실링층의 최하부층과 다른 굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display panel, including: forming a first electrode on a substrate; Forming an organic light emitting layer on each of the red, green, and blue sub-pixels on the first electrode; Forming a second electrode on the organic light emitting layer; Forming at least one capping layer on the second electrode, wherein the capping layer has at least one of an inorganic barrier layer and an organic barrier layer alternating with the capping layer; The capping layer of any of the red, green, and blue sub-pixels has a different layer number from the capping layer of the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel, The top layer of the capping layer of the pixel is in contact with the bottom layer of the front sealing layer and has a refractive index different from the bottom layer of the front sealing layer.

상기 녹색 및 청색 서브 화소의 캡핑층은 제1 캡핑층과, 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 사이에 형성되는 제2 캡핑층을 구비하며, 상기 적색 서브 화소의 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 또는 상기 제2 캡핑층을 구비하며, 상기 제2 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 보다 낮은 굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.The capping layer of the green and blue sub-pixels includes a first capping layer and a second capping layer formed between the first capping layer and the lowermost layer of the front sealing layer, The first capping layer or the second capping layer, and the second capping layer has a refractive index lower than that of the lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer.

상기 최하부층은 상기 전면 실링층에 포함된 다수의 박막 중 상기 제2 전극과 가장 인접한 무기 배리어층이며, 1.3~3.1의 굴절율을 가지며, 상기 제1 캡핑층은 1.3~3.1의 굴절율을 가지며, 상기 제2 캡핑층은 1.2~3의 굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.Wherein the lowermost layer is an inorganic barrier layer closest to the second electrode among the plurality of thin films included in the front sealing layer, has a refractive index of 1.3 to 3.1, the first capping layer has a refractive index of 1.3 to 3.1, And the second capping layer has a refractive index of 1.2 to 3.

상기 제2 캡핑층의 두께는 40~100nm인 것을 특징으로 한다.And the thickness of the second capping layer is 40 to 100 nm.

상기 제1 캡핑층 및 전면 실링층의 최하부층은 폴리머, SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2,WO3, V2O5,AlxOx, ZnSe, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 알루미나퀴논(Alq3)로 형성되며, 상기 제2 캡핑층은 SiNx, SiOx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.The lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer may be formed of a material selected from the group consisting of polymers, SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2, WO3, V2O5, AlxOx, ZnSe, triamine derivatives, arylene diamine derivatives, CBP or alumina quinone (Alq3), and the second capping layer is formed of at least one of SiNx, SiOx, SiON, and LiF.

상기 적색 서브 화소의 적색 발광층과, 상기 녹색 서브 화소의 녹색 발광층과, 상기 청색 서브 화소의 청색 발광층이 적층되어 형성되는 백색 서브 화소를 더 구비하며, 상기 백색 서브 화소의 캡핑층은 상기 제1 캡핑층과, 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 사이에 형성되는 상기 제2 캡핑층을 구비하며, 상기 제2 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 보다 낮은 굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.And a white sub-pixel formed by stacking a red light emitting layer of the red sub-pixel, a green light emitting layer of the green sub-pixel, and a blue light emitting layer of the blue sub-pixel, wherein the capping layer of the white sub- And a second capping layer formed between the first capping layer and the lowermost layer of the front sealing layer, wherein the second capping layer is lower than the lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer And has a refractive index.

본 발명은 서로 다른 색을 구현하는 서브 화소별로 다른 층수를 가지며, 전면 실링층의 최하부층과 다른 굴절율을 가지는 캡핑층을 구비한다. 이러한 캡핑층과 전면 실링층의 최하부층 간의 굴절율 차이로 인해 이들의 계면 사이에서, 유기 발광층에서 생성된 광이 광학적 공진을 일으키게 됨으로써 유기 발광층에서 생성된 광이 외부로 쉽게 방출될 수 있어 광효율 및 색재현율이 향상된다. The present invention provides a capping layer having different numbers of sub-pixels for different colors and having a refractive index different from that of the lowermost layer of the front sealing layer. Due to the difference in refractive index between the capping layer and the lowermost layer of the front sealing layer, light generated in the organic light emitting layer causes optical resonance between these interfaces, so that light generated in the organic light emitting layer can be easily emitted to the outside, The recall rate is improved.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 캐핍층을 상세히 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널의 효율을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면들이다.
1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display panel according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the cap layer shown in FIG. 1 in detail.
3 is a view for explaining the efficiency of the organic light emitting display panel shown in FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display panel according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display panel according to a third embodiment of the present invention.
6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display panel according to the present invention.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display panel according to the present invention.

도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널은 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터와 접속된 발광셀과, 발광셀을 보호하도록 형성된 캡핑층(130) 및 전면 실링층(140)을 구비한다.The organic light emitting display panel shown in FIG. 1 includes a thin film transistor, a light emitting cell connected to the thin film transistor, a capping layer 130 formed to protect the light emitting cell, and a front sealing layer 140.

박막 트랜지스터는 게이트 전극(106), 발광셀의 제1 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 드레인 전극(110)과 마주하는 소스 전극(108), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(106)과 중첩되게 형성되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(114) 사이에 형성된 오믹접촉층(116)을 구비한다. The thin film transistor includes a gate electrode 106, a drain electrode 110 connected to the first electrode 122 of the light emitting cell, a source electrode 108 facing the drain electrode 110, and a gate insulating film 112 interposed therebetween The source electrode 108 and the drain electrode 110 overlap the gate electrode 106 to form an ohmic contact with the active layer 114, the source electrode 108 and the drain electrode 110 which form a channel between the source electrode 108 and the drain electrode 110, And an ohmic contact layer (116) formed between the active layers (114).

이러한 박막트랜지스터 상에는 무기 절연 물질의 무기 보호막(118)과, 유기 절연물질의 유기 보호막(128)이 순차적으로 형성된다. 유기 보호막(128)은 박막트랜지스터가 형성된 기판(101)을 평탄화시키기 위해 형성되며, 무기 보호막(118)은 게이트 절연막(112), 소스 및 드레인 전극(108,110) 각각과 유기 보호막(128)과의 계면 안정성을 향상시키기 위해 형성된다.On this thin film transistor, an inorganic protective film 118 of an inorganic insulating material and an organic protective film 128 of an organic insulating material are sequentially formed. The organic protective film 128 is formed to planarize the substrate 101 on which the thin film transistor is formed and the inorganic protective film 118 is formed on the interface between the gate insulating film 112 and the source and drain electrodes 108 and 110 and the organic protective film 128 Is formed to improve stability.

발광셀은 유기 보호막(128) 위에 형성된 제1 전극(122)과, 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기 발광층(150)과, 유기 발광층(150) 위에 형성된 제2 전극(126)으로 구성된다. The light emitting cell includes a first electrode 122 formed on the organic protective layer 128, an organic light emitting layer 150 including a light emitting layer formed on the first electrode 122, a second electrode 126 formed on the organic light emitting layer 150, .

유기 발광층(150)은 각 서브 화소를 구분하도록 형성된 뱅크 절연막(102)에 의해 마련된 뱅크홀(104) 내에 형성된다. 이러한 유기 발광층(150)은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 전극(122) 위에 적층된 제1 정공 수송층(152; HTL1), 제2 정공 수송층(154; HTL2), 발광층(156), 전자 수송층(158; ETL) 순으로 또는 역순으로 구성된다. The organic light emitting layer 150 is formed in the bank hole 104 formed by the bank insulating film 102 formed so as to divide each sub-pixel. 2, the organic light emitting layer 150 includes a first hole transport layer 152 (HTL1), a second hole transport layer 154 (HTL2), a light emitting layer 156, an electron transport layer (ETL) 158 in order or in reverse order.

제1 및 제2 정공 수송층(152,154)은 제1 전극(122)으로부터의 정공을 각 서브 화소의 발광층(156)에 공급한다. 제1 정공 수송층(152)은 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R_SP, G_SP, B_SP)에 공통으로 형성된다. 제2 정공 수송층(154)은 청색 서브 화소(B_SP)를 제외한 적색 및 녹색 서브 화소(R_SP, G_SP)에만 형성되며, 녹색 서브 화소(G_SP)보다 적색 서브 화소(R_SP)에서 더 두껍게 형성된다. 이에 따라, 청색 서브 화소(B_SP)의 제1 전극(122)과 청색(B) 발광층(156) 사이의 거리는 가장 가깝고, 적색 서브 화소(R_SP)의 제1 전극(122)과 적색(R) 발광층(156) 사이의 거리는 가장 멀고, 녹색 서브 화소(G_SP)의 제1 전극(122)과 녹색(G) 발광층(156) 사이의 거리는 중간 거리를 가지도록 형성된다. 이러한 각 서브 화소마다 출사광을 보강간섭함으로써 각 서브 화소에서의 수직 방향 효율을 최적화할 수 있다. The first and second hole transporting layers 152 and 154 supply holes from the first electrode 122 to the light emitting layer 156 of each sub pixel. The first hole transporting layer 152 is formed in common to the red, green, and blue sub-pixels R_SP, G_SP, and B_SP. The second hole transport layer 154 is formed only on the red and green subpixels R_SP and G_SP except for the blue subpixel B_SP and thicker on the red subpixel R_SP than the green subpixel G_SP. Accordingly, the distance between the first electrode 122 of the blue sub-pixel B_SP and the blue (B) light emitting layer 156 is closest to the distance between the first electrode 122 of the red sub-pixel R_SP and the red The distance between the first electrode 122 of the green sub-pixel G_SP and the green (G) emission layer 156 is formed to have a medium distance. It is possible to optimize the vertical efficiency in each sub-pixel by constructively interfering the outgoing light for each of the sub-pixels.

발광층(156)에서는 제1 및 제2 정공 수송층(152,154)을 통해 공급된 정공과 전자 수송층(158)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다.In the light emitting layer 156, light is generated because the holes supplied through the first and second hole transporting layers 152 and 154 and the electrons supplied through the electron transporting layer 158 are recombined.

전자 수송층(158)은 제2 전극(104)으로부터의 전자를 각 서브 화소의 발광층(156)에 공급한다. The electron transporting layer 158 supplies electrons from the second electrode 104 to the light emitting layer 156 of each sub-pixel.

제1 전극(122)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하는 화소 컨택홀(120)을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(110)과 전기적으로 접속된다. 이러한 제1 전극(122)은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명한 도전층 및 인듐 틴 옥사이드(ITO) 등과 같은 투명한 도전층이 적층된 구조로 형성된다. 여기서, 제1 전극(122)에 포함된 불투명한 도전층은 유기 발광층(150)에서 생성되어 기판(101) 쪽으로 진행하는 광을 제2 전극(126) 쪽으로 반사시키는 반사 전극의 역할을 한다.The first electrode 122 is electrically connected to the drain electrode 110 of the thin film transistor through the inorganic contact layer 118 and the pixel contact hole 120 passing through the organic passivation layer 128. The first electrode 122 is formed in a structure in which an opaque conductive layer such as aluminum (Al) and a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO) are stacked. The opaque conductive layer included in the first electrode 122 serves as a reflective electrode that is generated in the organic light emitting layer 150 and reflects light traveling toward the substrate 101 toward the second electrode 126.

제2 전극(126)은 유기 발광층(150) 상에 반투과 전극으로 형성된다. 이러한 제2 전극(126)은 유기 발광층(150)에서 생성된 광이 제2 전극(126)을 통해 상부로 방출되도록 한다. 이 제2 전극(104)은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되어 단층 또는 복층으로 이루어진다. 이 때, 각 층이 금속과, 무기물 또는 금속의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성된다. 제2 전극(104)을 이루는 금속은 Ag, Mg, Yb, Li 또는 Ca로 형성되며, 무기물은 Li2O, CaO, LiF 또는 MgF2로 형성되며, 전자 이동을 도와 발광층(110)으로 전자들이 많이 공급할 수 있도록 한다.The second electrode 126 is formed as a transflective electrode on the organic light emitting layer 150. The second electrode 126 allows the light generated in the organic light emitting layer 150 to be emitted upward through the second electrode 126. The second electrode 104 is formed of a metal, an inorganic material, a metal mixed layer, or a mixed metal or inorganic material, or a mixture thereof, and is formed as a single layer or a multilayer. At this time, when each layer is a mixed layer of a metal, an inorganic material, or a metal, the ratio thereof is 10: 1 to 1:10. The metal forming the second electrode 104 is formed of Ag, Mg, Yb, Li, or Ca, and the inorganic material is formed of Li 2 O, CaO, LiF, or MgF 2 , We can supply a lot.

전면 실링층(140)은 외부로부터 유입되는 수분이나 산소의 침투를 차단함으로써 신뢰성을 향상시키는 역할을 한다. 이를 위해, 전면 실링층(140)은 적어도 한 층의 무기 배리어층(142)과, 적어도 한 층의 유기 배리어층(144)과, 접착필름(146) 및 배리어 필름(148)이 적층된 구조로 형성된다.The front sealing layer 140 serves to improve the reliability by blocking the infiltration of moisture or oxygen introduced from the outside. The front sealing layer 140 is formed by stacking at least one inorganic barrier layer 142, at least one organic barrier layer 144, an adhesive film 146, and a barrier film 148 .

적어도 한 층의 무기 배리어층(142)은 유기 배리어층(144)과 적어도 1 회 교번적으로 형성되어 외부의 수분이나 산소의 침투를 1차적으로 차단한다. 이러한 적어도 한 층의 무기 배리어층(142)은 알루미늄 옥사이드(AlxOx), 산화실리콘(SiOx), SiNx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. At least one layer of the inorganic barrier layer 142 is formed at least once with the organic barrier layer 144 to primarily block external moisture or oxygen penetration. The at least one inorganic barrier layer 142 is formed of at least one of aluminum oxide (AlxOx), silicon oxide (SiOx), SiNx, SiON, and LiF.

적어도 한 층의 유기 배리어층(144)은 외부의 수분이나 산소의 침투를 2차적으로 차단한다. 또한, 유기 배리어층(144)은 유기 발광표시장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이러한 유기 배리어층(144)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 또는 폴리에틸렌 등의 폴리머 재질로 형성된다.At least one layer of the organic barrier layer 144 secondarily blocks the penetration of moisture or oxygen outside. In addition, the organic barrier layer 144 serves as a buffer to mitigate the stress between the respective layers due to warping of the organic light emitting display device, and enhances the planarization performance. The organic barrier layer 144 is formed of a polymer material such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide, or polyethylene.

배리어 필름(148)은 그 배리어 필름(148)의 배면에 형성되는 접착 필름(146)을 통해 박막트랜지스터, 발광셀을 구비하는 기판(101)과 합착되어 발광셀을 밀봉한다. The barrier film 148 is bonded to the substrate 101 having the thin film transistor and the light emitting cell through the adhesive film 146 formed on the back surface of the barrier film 148 to seal the light emitting cell.

이러한 전면 실링층(140)에 포함된 다수의 박막층들(142,144,146,148)은 캡핑층(130)보다 두꺼운 수~수백 ㎛로 형성됨으로써 광의 간섭에 의한 공진 현상에 영향을 미치지 않는다.The plurality of thin film layers 142, 144, 146, and 148 contained in the front sealing layer 140 are formed to be thicker to several hundreds of 탆 thick than the capping layer 130, thereby not affecting the resonance phenomenon due to light interference.

캡핑층(130)은 유기 발광층(150)에서 생성된 광의 파장마다 최대 보강 간섭이 발생하도록 하여 유기 발광층(150)에서 생성된 광이 효율적으로 외부를 향해 방출할 수 있도록 한다. 즉, 캡핑층(130)은 유기 발광층(150)에서 생성된 광 중에서 캡핑층(130)을 투과하지 못하는 일정 세기 이하의 광을 반사시킨다. 이 때, 캡핑층(130)을 투과하지 못하는 광은 캡핑층(130)과 전면 실링층(140)의 최하부층 사이의 계면에서 반사되고, 공진효과에 의해 그 계면에서 반복하여 반사되어 다른 반사광 또는 유기 발광층(124)에서 발생된 광과 보강 간섭이 일어나는 경우 그 세기가 증가하여 다시 캡핑층(130)을 투과하게 된다. The capping layer 130 generates maximum constructive interference for each wavelength of light generated in the organic light emitting layer 150, thereby efficiently emitting light generated in the organic light emitting layer 150 toward the outside. That is, the capping layer 130 reflects light of a certain intensity or less that can not transmit the capping layer 130 out of the light generated in the organic light emitting layer 150. At this time, the light that can not pass through the capping layer 130 is reflected at the interface between the capping layer 130 and the lowermost layer of the front sealing layer 140, is repeatedly reflected at the interface by the resonance effect, When a constructive interference with the light generated in the organic light emitting layer 124 occurs, the intensity of the light increases and then passes through the capping layer 130 again.

이러한 캡핑층(130)은 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R_SP,G_SP,B_SP)에 공통으로 형성되는 제1 캡핑층(132)과, 적색 서브 화소(R_SP)를 제외한 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에 형성되는 제2 캡핑층(134)을 구비한다. The capping layer 130 includes a first capping layer 132 formed in common to the red, green, and blue sub-pixels R_SP, G_SP, and B_SP, a green and blue sub-pixel G_SP except for the red sub- , And B_SP).

이 때, 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에 형성된 제2 캡핑층(134)은 공진 효과를 얻기 위해, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)과 다른 굴절율을 가지도록 형성된다. At this time, the second capping layer 134 formed on the green and blue sub-pixels G_SP and B_SP is formed to have a different refractive index from the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 in order to obtain a resonance effect. do.

구체적으로, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140) 사이에 위치하는 제2 캡핑층(134)은 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)보다 굴절율이 낮게 형성된다. 이 때, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)의 최하부에 위치하는 무기 배리어층(142)의 굴절율은 서로 같거나 다를 수 있다. 즉, 제2 캡핑층(134)은 1.2~3이며, 최하부 무기 배리어층(142) 및 제1 캡핑층(132)의 굴절율은 1.3~3.1이다. 제 1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)의 최하부 무기 배리어층(142)은 SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2,WO3, V2O5,AlxOx, ZnSe, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 알루미나퀴논(Alq3)로 형성되며, 제2 캡핑층(134)은 SiNx, SiOx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 예를 들어, 제1 캡핑층(132)은 1.8의 굴절율을 가지며, 최하부 무기 배리어층(142)은 SiNx로 형성되어 1.8의 굴절율을 가지며, 제2 캡핑층(134)은 LiF로 형성되어 1.4의 굴절율을 가지게 된다.Specifically, the second capping layer 134 located between the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 is formed to have a lower refractive index than the first capping layer 132 and the front sealing layer 140. At this time, the refractive indexes of the inorganic barrier layer 142 positioned at the lowermost portions of the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 may be equal to or different from each other. That is, the second capping layer 134 is 1.2 to 3, and the refractive index of the lowermost inorganic barrier layer 142 and the first capping layer 132 is 1.3 to 3.1. The lowermost inorganic barrier layer 142 of the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 may be formed of a material selected from the group consisting of SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2, WO3, V2O5, AlxOx, ZnSe, CBP or alumina quinone (Alq3), and the second capping layer 134 is formed of at least one of SiNx, SiOx, SiON, and LiF. For example, the first capping layer 132 has a refractive index of 1.8, the lowermost inorganic barrier layer 142 is formed of SiNx to have a refractive index of 1.8, and the second capping layer 134 is formed of LiF, Refractive index.

이에 따라, 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에서는 고굴절율의 제1 캡핑층(132)과 저굴절율의 제2 캡핑층(134)의 계면 사이와, 저굴절율의 제2 캡핑층(134)과 고굴절율의 최하부 무기 배리어층(142)의 계면 사이에서 유기 발광층(150)에서 생성된 광이 광학적 공진을 일으키게 된다. 이러한 광학적 공진에 의해 유기 발광층(150)에서 생성된 빛이 외부로 쉽게 방출될 수 있어 광효율이 향상된다.Accordingly, in the green and blue sub-pixels G_SP and B_SP, the interface between the first capping layer 132 having a high refractive index and the second capping layer 134 having a low refractive index and the second capping layer 134 having a low refractive index, And the interface of the lowermost inorganic barrier layer 142 having a high refractive index, optical resonance occurs in the light generated in the organic light emitting layer 150. Due to the optical resonance, the light generated in the organic light emitting layer 150 can be easily emitted to the outside, thereby improving the light efficiency.

도 3과 표 1 내지 표 3은 도 2에 도시된 유기 발광 표시 패널의 효율 향상 효과를 설명하기 위한 시뮬레이션결과이다. 도 3과 표 1 내지 표 3은 제1 캡핑층(132)이 1.8의 굴절율을 가지며, 최하부 무기 배리어층(142)이 SiNx로 형성되어 1.8의 굴절율을 가지며, 제2 캡핑층(134)이 LiF로 형성되어 1.4의 굴절율을 가지는 구조의 결과이다. 3 and Tables 1 to 3 show simulation results for explaining the efficiency improvement effect of the organic light emitting display panel shown in FIG. 3 and Tables 1 through 3 show that the first capping layer 132 has a refractive index of 1.8 and the lowermost inorganic barrier layer 142 is formed of SiNx to have a refractive index of 1.8 and the second capping layer 134 has a refractive index of LiF Resulting in a structure having a refractive index of 1.4.

Red Rx=0.665기준Red Rx = 0.665 standard LiF(nm)LiF (nm) LumLum CIE_xCIE_x CIE_yCIE_y 효율 증감율(%)Efficiency increase rate (%) 00 65.865.8 0.6650.665 0.3340.334 Ref.Ref. 2020 61.261.2 0.6650.665 0.3340.334 9393 4040 57.2557.25 0.6650.665 0.3340.334 8787 6060 54.3554.35 0.6650.665 0.3350.335 8383 8080 55.655.6 0.6650.665 0.3340.334 8484 100100 58.958.9 0.6640.664 0.3350.335 9090

Green Gx=0.24기준Based on Green Gx = 0.24 LiF(nm)LiF (nm) LumLum CIE_xCIE_x CIE_yCIE_y 효율 증감율(%)Efficiency increase rate (%) 00 109.7109.7 0.240.24 0.710.71 Ref.Ref. 2020 104.5104.5 0.240.24 0.7050.705 9595 4040 104.9104.9 0.240.24 0.70.7 9696 6060 111.4111.4 0.240.24 0.70.7 103103 8080 121.4121.4 0.240.24 0.70.7 111111 100100 127.7127.7 0.240.24 0.70.7 116116

Blue By=0.055기준By Blue By = 0.055 LiF(nm)LiF (nm) LumLum CIE_xCIE_x CIE_yCIE_y 효율 증감율(%)Efficiency increase rate (%) 00 8.218.21 0.1360.136 0.0550.055 Ref.Ref. 2020 8.358.35 0.1370.137 0.0550.055 102102 4040 8.968.96 0.1370.137 0.0550.055 109109 6060 9.269.26 0.1360.136 0.0550.055 113113 8080 9.229.22 0.1350.135 0.0550.055 112112 100100 8.968.96 0.1340.134 0.0550.055 109109

도 3과 표 1 내지 표 3과 같이, 녹색 서브 화소(G_SP)에서 제2 캡핑층(134)의 두께가 증가할수록 효율(Cd/A)은 증가하게 된다. 청색 서브 화소(B_SP)에서는 제2 캡핑층(134)이 없는 구조보다 제1 및 제2 제2 캡핑층(132)을 구비하는 구조에서 효율(Cd/A)이 증가하게 된다. 즉, 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에서는 제1 및 제2 캡핑층(132,134)을 구비하고, 제2 캡핑층(134)을 40~100nm로 형성하는 경우, 제1 캡핑층(132)만을 구비하는 구조(LiF 0nm)에 비해 효율(Cd/A)이 향상됨을 알 수 있다. As shown in FIG. 3 and Tables 1 to 3, the efficiency (Cd / A) increases as the thickness of the second capping layer 134 in the green sub-pixel G_SP increases. The efficiency Cd / A in the structure including the first and second second capping layers 132 is increased in the blue sub-pixel B_SP than in the structure in which the second capping layer 134 is not provided. That is, the first and second capping layers 132 and 134 are formed in the green and blue sub-pixels G_SP and B_SP, and the first capping layer 132 is formed in the case where the second capping layer 134 is formed in the range of 40 to 100 nm. The efficiency (Cd / A) is improved as compared with the structure (LiF 0 nm) having only the active layer (LiF 0 nm).

한편, 적색 서브 화소(R_SP)에서는 제1 및 제2 캡핑층(132,134)을 구비하는 경우, 제1 캡핑층(132)만을 구비하는 구조(LiF 0nm)에 비해 효율이 감소됨을 알 수 있다. On the other hand, in the red sub-pixel R_SP, when the first and second capping layers 132 and 134 are provided, the efficiency is reduced compared to the structure including only the first capping layer 132 (LiF 0 nm).

이에 따라, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 패널은 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에서 제1 캡핑층(132)과, 40~100nm의 두께로 형성되는 제2 캡핑층(132,134)이 형성되고, 적색 서브 화소(G_SP)에서 제1 캡핑층(132)만이형성되는 경우 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)의 효율이 3~13% 향상됨을 알 수 있다.Accordingly, the organic light emitting display panel according to the first embodiment of the present invention includes a first capping layer 132 and a second capping layer 140 formed in a thickness of 40 to 100 nm in the green and blue sub-pixels G_SP and B_SP, The efficiency of the green and blue sub-pixels G_SP and B_SP is improved by 3 to 13% when only the first capping layer 132 is formed in the red sub-pixel G_SP.

한편, 본 발명에서는 공정의 편의를 위해 녹색 서브 화소(G_SP)의 제2 캡핑층(134)과 청색 서브 화소(B_SP)의 제2 캡핑층(134)의 두께를 동일하게 형성한다. 이외에도, 표 2에 도시된 바와 같이 녹색 서브 화소(G_SP)의 제2 캡핑층(134)은 100nm에서, 청색 서브 화소(B_SP)의 제2 캡핑층(134)은 60nm에서 최대 효율을 얻을 수 있다. 따라서, 녹색 서브 화소(G_SP)의 제2 캡핑층(134)은 청색 서브 화소(B_SP)의 제2 캡핑층(134)보다 두껍게 형성될 수도 있다. In the present invention, the second capping layer 134 of the green sub-pixel G_SP and the second capping layer 134 of the blue sub-pixel B_SP are formed to have the same thickness for convenience of the process. In addition, as shown in Table 2, the second capping layer 134 of the green sub-pixel G_SP can achieve maximum efficiency at 100 nm and the second capping layer 134 of the blue sub-pixel B_SP can achieve maximum efficiency at 60 nm . Accordingly, the second capping layer 134 of the green sub-pixel G_SP may be formed thicker than the second capping layer 134 of the blue sub-pixel B_SP.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display panel according to a second embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 유기 발광 표시 패널은 도 2에 도시된 유기 발광 표시 패널과 대비하여 제1 캡핑층(132) 대신에 제2 캡핑층(134)이 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R_SP,G_SP,B_SP)에 공통으로 형성되는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting display panel shown in FIG. 4 is different from the organic light emitting display panel shown in FIG. 2 in that a second capping layer 134 instead of the first capping layer 132 includes red, green, and blue sub-pixels R_SP, , And B_SP). Accordingly, detailed description of the same constituent elements will be omitted.

도 4에 도시된 캡핑층(130)은 적색 서브 화소(R_SP)를 제외한 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에 형성되는 제1 캡핑층(132)과, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R_SP,G_SP,B_SP)에 공통으로 형성되는 제2 캡핑층(134)을 구비한다. The capping layer 130 shown in FIG. 4 includes a first capping layer 132 formed on green and blue sub-pixels G_SP and B_SP except for a red sub-pixel R_SP, , G_SP, and B_SP).

이 때, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R_SP,G_SP,B_SP)에 공통으로 형성되는 제2 캡핑층(134)은 공진 효과를 얻기 위해, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)과 다른 굴절율을 가지도록 형성된다. 구체적으로, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140) 사이에 위치하는 제2 캡핑층(134)은 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)보다 굴절율이 낮게 형성된다. 이 때, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)의 최하부 무기 배리어층(142)의 굴절율은 서로 같거나 다를 수 있다. 즉, 제2 캡핑층(134)은 1.2~3이며, 최하부 무기 배리어층(142) 및 제1 캡핑층(132)의 굴절율은 1.3~3.1이다. 제 1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)의 최하부 무기 배리어층(142)은 SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2,WO3, V2O5,AlxOx, ZnSe, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 알루미나퀴논(Alq3)로 형성되며, 제2 캡핑층(134)은 SiNx, SiOx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 예를 들어, 제1 캡핑층(132)은 1.8의 굴절율을 가지며, 최하부 무기 배리어층(142)은 SiNx로 형성되어 1.8의 굴절율을 가지며, 제2 캡핑층(134)은 LiF로 형성되어 1.4의 굴절율을 가지게 된다.At this time, the second capping layer 134 formed in common to the red, green and blue sub-pixels R_SP, G_SP and B_SP has a first capping layer 132 and a front sealing layer 140, As shown in FIG. Specifically, the second capping layer 134 located between the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 is formed to have a lower refractive index than the first capping layer 132 and the front sealing layer 140. In this case, the refractive indexes of the lowermost inorganic barrier layer 142 of the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 may be equal to or different from each other. That is, the second capping layer 134 is 1.2 to 3, and the refractive index of the lowermost inorganic barrier layer 142 and the first capping layer 132 is 1.3 to 3.1. The lowermost inorganic barrier layer 142 of the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 may be formed of a material selected from the group consisting of SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2, WO3, V2O5, AlxOx, ZnSe, CBP or alumina quinone (Alq3), and the second capping layer 134 is formed of at least one of SiNx, SiOx, SiON, and LiF. For example, the first capping layer 132 has a refractive index of 1.8, the lowermost inorganic barrier layer 142 is formed of SiNx to have a refractive index of 1.8, and the second capping layer 134 is formed of LiF, Refractive index.

이에 따라, 적색 서브 화소(R_SP)에서는 저굴절율의 제2 캡핑층(134)과 고굴절율의 최하부 무기 배리어층(142)의 계면 사이에서 적색(G) 발광층(15R)에서 생성된 광이 광학적 공진을 일으키게 된다. 그리고, 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에서는 고굴절율의 제1 캡핑층(132)과 저굴절율의 제2 캡핑층(134)의 계면 사이와, 저굴절율의 제2 캡핑층(134)과 고굴절율의 최하부 무기 배리어층(142)의 계면 사이에서 녹색(G) 및 청색(B) 발광층(156)에서 생성된 광이 광학적 공진을 일으키게 된다. Accordingly, in the red sub-pixel R_SP, light generated in the red (G) light-emitting layer 15R between the interface of the second capping layer 134 having a low refractive index and the lowermost inorganic barrier layer 142 having a high refractive index is optically resonated . In the green and blue sub-pixels G_SP and B_SP, the interface between the first capping layer 132 having a high refractive index and the second capping layer 134 having a low refractive index and the second capping layer 134 having a low refractive index, The light generated in the green (G) and blue (B) light emitting layers 156 between the interfaces of the lowermost inorganic barrier layer 142 of high refractive index causes optical resonance.

이러한 광학적 공진에 의해 유기 발광층(150)에서 생성된 빛이 외부로 쉽게 방출될 수 있어 광효율이 향상된다.Due to the optical resonance, the light generated in the organic light emitting layer 150 can be easily emitted to the outside, thereby improving the light efficiency.

도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display panel according to a third embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 유기 발광 표시 패널은 도 4에 도시된 유기 발광 표시 패널과 대비하여 백색 서브 화소(W_SP)를 더 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting display panel shown in FIG. 5 has the same components as those of the organic light emitting display panel shown in FIG. 4, except that the white subpixel W_SP is further included. Accordingly, detailed description of the same constituent elements will be omitted.

도 5에 도시된 백색 서브 화소(W_SP)에는 적색 서브 화소(R_SP)의 적색(R) 발광층(156)과, 녹색(G) 서브 화소의 녹색 발광층(156)과, 청색 서브 화소(B_SP)의 청색(B) 발광층(156)이 적층되어 형성된다.5, the red (R) emission layer 156 of the red subpixel R_SP, the green emission layer 156 of the green (G) subpixel, and the green subpixel 156 of the blue subpixel B_SP And a blue (B) light emitting layer 156 are stacked and formed.

이러한 백색 서브 화소의 캡핑층(130)은 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)와 마찬가지로 제1 및 제2 캡핑층(132,134)을 구비한다. The capping layer 130 of such a white sub-pixel includes first and second capping layers 132 and 134 as well as green and blue sub-pixels G_SP and B_SP.

이 때, 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소(R_SP,G_SP,B_SP, W_SP)에 공통으로 형성되는 제2 캡핑층(134)은 공진 효과를 얻기 위해, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)과 다른 굴절율을 가지도록 형성된다. 구체적으로, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140) 사이에 위치하는 제2 캡핑층(134)은 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)보다 굴절율이 낮게 형성된다. 이 때, 제1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)의 최하부 무기 배리어층(142)의 굴절율은 서로 같거나 다를 수 있다. 즉, 제2 캡핑층(134)은 1.2~3이며, 최하부 무기 배리어층(142) 및 제1 캡핑층(132)의 굴절율은 1.3~3.1이다. 제 1 캡핑층(132) 및 전면 실링층(140)의 최하부 무기 배리어층(142)은 SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2,WO3, V2O5,AlxOx, ZnSe, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 알루미나퀴논(Alq3)로 형성되며, 제2 캡핑층(134)은 SiNx, SiOx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 예를 들어, 제1 캡핑층(132)은 1.8의 굴절율을 가지며, 최하부 무기 배리어층(142)은 SiNx로 형성되어 1.8의 굴절율을 가지며, 제2 캡핑층(134)은 LiF로 형성되어 1.4의 굴절율을 가지게 된다.At this time, the second capping layer 134 formed in common to the red, green, blue and white sub-pixels R_SP, G_SP, B_SP and W_SP has a first capping layer 132 and a front sealing Layer 140 is formed to have a different refractive index. Specifically, the second capping layer 134 located between the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 is formed to have a lower refractive index than the first capping layer 132 and the front sealing layer 140. In this case, the refractive indexes of the lowermost inorganic barrier layer 142 of the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 may be equal to or different from each other. That is, the second capping layer 134 is 1.2 to 3, and the refractive index of the lowermost inorganic barrier layer 142 and the first capping layer 132 is 1.3 to 3.1. The lowermost inorganic barrier layer 142 of the first capping layer 132 and the front sealing layer 140 may be formed of a material selected from the group consisting of SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2, WO3, V2O5, AlxOx, ZnSe, CBP or alumina quinone (Alq3), and the second capping layer 134 is formed of at least one of SiNx, SiOx, SiON, and LiF. For example, the first capping layer 132 has a refractive index of 1.8, the lowermost inorganic barrier layer 142 is formed of SiNx to have a refractive index of 1.8, and the second capping layer 134 is formed of LiF, Refractive index.

이에 따라, 적색 서브 화소(R_SP)에서는 저굴절율의 제2 캡핑층(134)과 고굴절율의 최하부 무기 배리어층(142)의 계면 사이에서 적색(G) 발광층(15R)에서 생성된 광이 광학적 공진을 일으키게 된다. 그리고, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소(G_SP,B_SP, W_SP)에서는 고굴절율의 제1 캡핑층(132)과 저굴절율의 제2 캡핑층(134)의 계면 사이와, 저굴절율의 제2 캡핑층(134)과 고굴절율의 최하부 무기 배리어층(142)의 계면 사이에서 녹색(G), 청색(B) 및 백색(R+G+B=W) 발광층(156)에서 생성된 광이 광학적 공진을 일으키게 된다. Accordingly, in the red sub-pixel R_SP, light generated in the red (G) light-emitting layer 15R between the interface of the second capping layer 134 having a low refractive index and the lowermost inorganic barrier layer 142 having a high refractive index is optically resonated . In the green, blue, and white sub-pixels G_SP, B_SP, and W_SP, the interface between the first capping layer 132 having a high refractive index and the second capping layer 134 having a low refractive index, Light generated in the green (G), blue (B), and white (R + G + B = W) light emitting layers 156 between the interface of the light blocking layer 134 and the lowermost inorganic barrier layer 142 of high refractive index acts as an optical resonance .

이러한 광학적 공진에 의해 유기 발광층(150)에서 생성된 빛이 외부로 쉽게 방출될 수 있어 광효율이 향상된다.Due to the optical resonance, the light generated in the organic light emitting layer 150 can be easily emitted to the outside, thereby improving the light efficiency.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 여기에서는 도 4에 도시된 유기 발광 표시 패널을 예로 들어 설명하기로 한다.6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display panel according to the present invention. Here, the organic light emitting display panel shown in FIG. 4 will be described as an example.

도 6a에 도시된 바와 같이 기판(101) 상에 제1 전극(122), 제1 및 제2 정공 수송층(152,154)이, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광층(156), 전자 수송층(158) 및 제2 전극(126)이 순차적으로 형성된다.6A, the first electrode 122 and the first and second hole transporting layers 152 and 154 are formed on the substrate 101 in such a manner that the red (R), green (G), and blue (B) The electron transport layer 158, and the second electrode 126 are sequentially formed.

그런 다음, 제2 전극(126)이 형성된 기판(101) 상에 도 6b에 도시된 바와 같이 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)와 대응하는 개구부를 가지는 새도우 마스크(136)가 정렬된다. 새도우 마스크(136)를 통과한 제1 캐핑물질이 기판(101) 상에 증착되므로, 녹색 및 청색 서브 화소(G_SP,B_SP)에 제1 캡핑층(132)이 형성된다.Then, the shadow mask 136 having the openings corresponding to the green and blue sub-pixels G_SP, B_SP as shown in Fig. 6B is aligned on the substrate 101 on which the second electrode 126 is formed. A first capping layer 132 is formed on the green and blue sub-pixels G_SP and B_SP since the first capping material that has passed through the shadow mask 136 is deposited on the substrate 101. [

그런 다음, 제1 캡핑층(132)이 형성된 기판(101) 상에 도 6c에 도시된 바와 같이 오픈 마스크(138)가 정렬된다. 오픈 마스크(138)를 통과한 제2 캐핑물질이 기판(101) 상에 증착되므로, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R_SP, G_SP,B_SP) 전면에 제2 캡핑층(134)이 형성된다.Then, the open mask 138 is aligned on the substrate 101 on which the first capping layer 132 is formed, as shown in FIG. 6C. A second capping layer 134 is formed over the red, green, and blue sub-pixels R_SP, G_SP, and B_SP since the second capping material that has passed through the open mask 138 is deposited on the substrate 101.

그런 다음, 제2 캡핑층(134)이 형성된 기판(101) 상에 도 6d에 도시된 바와 같이 전면 실링층(140)이 형성된다. 이 때, 전면 실링층(140)은 적어도 한 층의 무기 배리어층(142)과, 적어도 한 층의 유기 배리어층(144)과, 접착필름(146) 및 배리어 필름(148)이 적층된 구조로 형성된다.Then, a front sealing layer 140 is formed on the substrate 101 on which the second capping layer 134 is formed, as shown in FIG. 6D. At this time, the front sealing layer 140 has a structure in which at least one inorganic barrier layer 142, at least one organic barrier layer 144, an adhesive film 146, and a barrier film 148 are stacked .

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

122 : 제1 전극 156 : 유기 발광층
126 : 제2 전극 132,134 : 캡핑층
140 : 전면실링층
122: first electrode 156: organic light emitting layer
126: second electrode 132,134: capping layer
140: front sealing layer

Claims (11)

기판 상에 형성되는 제1 전극과;
상기 제1 전극 상에 형성되며 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 각각에 형성되는 유기 발광층과;
상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극과;
상기 제2 전극 상에 무기 배리어층과 유기 배리어층이 적어도 1 회 교번되게 형성되는 전면 실링층과;
상기 전면 실링층에 포함된 다수의 박막 중 제2 전극과 가장 인접한 최하부 층과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 1층의 캡핑층을 구비하며,
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 캡핑층은 상기 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 나머지 서브 화소의 캡핑층과 층수가 다르며,
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 상기 캡핑층의 최상부층은 상기 전면 실링층의 최하부층과 접촉하며, 상기 전면 실링층의 최하부층과 다른 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
A first electrode formed on the substrate;
An organic light emitting layer formed on the first electrode and formed on each of the red, green, and blue sub-pixels;
A second electrode formed on the organic light emitting layer;
A front sealing layer formed on the second electrode such that the inorganic barrier layer and the organic barrier layer are alternated at least once;
And a capping layer formed between the second electrode and the lowermost layer closest to the second electrode among the plurality of thin films included in the front sealing layer,
The capping layer of any one of the red, green, and blue sub-pixels is different from the capping layer of the remaining sub-pixels of the red, green, and blue sub-pixels,
Wherein an uppermost layer of the capping layer of one of the red, green, and blue sub-pixels is in contact with a lowermost layer of the front sealing layer and has a refractive index different from that of the lowermost layer of the front sealing layer. Emitting display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 녹색 및 청색 서브 화소의 캡핑층은 제1 캡핑층과, 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 사이에 형성되는 제2 캡핑층을 구비하며,
상기 적색 서브 화소의 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 또는 상기 제2 캡핑층을 구비하며,
상기 제2 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 보다 낮은 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method according to claim 1,
The capping layer of the green and blue sub-pixels includes a first capping layer and a second capping layer formed between the first capping layer and the lowermost layer of the front sealing layer,
The capping layer of the red sub-pixel includes the first capping layer or the second capping layer,
Wherein the second capping layer has a lower refractive index than the lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer.
제 2 항에 있어서,
상기 최하부층은 상기 전면 실링층에 포함된 다수의 박막 중 상기 제2 전극과 가장 인접한 무기 배리어층이며, 1.3~3.1의 굴절율을 가지며,
상기 제1 캡핑층은 1.3~3.1의 굴절율을 가지며,
상기 제2 캡핑층은 1.2~3의 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
3. The method of claim 2,
Wherein the lowermost layer is an inorganic barrier layer closest to the second electrode among the plurality of thin films included in the front sealing layer and has a refractive index of 1.3 to 3.1,
Wherein the first capping layer has a refractive index of 1.3 to 3.1,
Wherein the second capping layer has a refractive index of 1.2 to 3. < RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제 3 항에 있어서,
상기 제2 캡핑층의 두께는 40~100nm인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method of claim 3,
Wherein the thickness of the second capping layer is 40 to 100 nm.
제 3 항에 있어서,
상기 제1 캡핑층 및 전면 실링층의 최하부층은 폴리머, SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2,WO3, V2O5,AlxOx, ZnSe, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 알루미나퀴논(Alq3)로 형성되며,
상기 제2 캡핑층은 SiNx, SiOx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method of claim 3,
The lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer may be formed of a material selected from the group consisting of polymers, SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2, WO3, V2O5, AlxOx, ZnSe, triamine derivatives, arylene diamine derivatives, CBP or alumina quinone (Alq3), < / RTI >
Wherein the second capping layer is formed of at least one of SiNx, SiOx, SiON, and LiF.
제 2 항에 있어서,
상기 적색 서브 화소의 적색 발광층과, 상기 녹색 서브 화소의 녹색 발광층과, 상기 청색 서브 화소의 청색 발광층이 적층되어 형성되는 백색 서브 화소를 더 구비하며,
상기 백색 서브 화소의 캡핑층은 상기 제1 캡핑층과, 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 사이에 형성되는 상기 제2 캡핑층을 구비하며,
상기 제2 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 보다 낮은 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
3. The method of claim 2,
And a white sub-pixel formed by stacking a red light emitting layer of the red sub-pixel, a green light emitting layer of the green sub-pixel, and a blue light emitting layer of the blue sub-
The capping layer of the white sub-pixel has the first capping layer and the second capping layer formed between the first capping layer and the lowermost layer of the front sealing layer,
Wherein the second capping layer has a lower refractive index than the lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer.
제 6 항에 있어서,
상기 최하부층은 상기 전면 실링층에 포함된 다수의 박막 중 상기 제2 전극과 가장 인접한 무기 배리어층이며, 1.3~3.1의 굴절율을 가지며,
상기 제1 캡핑층은 1.3~3.1의 굴절율을 가지며,
상기 제2 캡핑층은 1.2~3의 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method according to claim 6,
Wherein the lowermost layer is an inorganic barrier layer closest to the second electrode among the plurality of thin films included in the front sealing layer and has a refractive index of 1.3 to 3.1,
Wherein the first capping layer has a refractive index of 1.3 to 3.1,
Wherein the second capping layer has a refractive index of 1.2 to 3. < RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제 6 항에 있어서,
상기 제1 캡핑층 및 전면 실링층의 최하부층은 SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2,WO3, V2O5,AlxOx, ZnSe, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 알루미나퀴논(Alq3)로 형성되며,
상기 제2 캡핑층은 SiNx, SiOx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method according to claim 6,
The lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer may comprise at least one of SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2, WO3, V2O5, AlxOx, ZnSe, triamine derivatives, arylene diamine derivatives, CBP or alumina quinone ),
Wherein the second capping layer is formed of at least one of SiNx, SiOx, SiON, and LiF.
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계와;
상기 제1 전극 상의 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 각각에 유기 발광층을 ㅎ형성하는 단계와;
상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계와;
상기 제2 전극 상에 형성되는 적어도 1층의 캡핑층을 구비하며,
상기 캡핑층 상에 무기 배리어층과 유기 배리어층이 적어도 1 회 교번되게 전면 실링층을 형성하는 단계와;
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 캡핑층은 상기 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 나머지 서브 화소의 캡핑층과 층수가 다르며,
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 중 어느 한 서브 화소의 상기 캡핑층의 최상부층은 상기 전면 실링층의 최하부층과 접촉하며, 상기 전면 실링층의 최하부층과 다른 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
Forming a first electrode on a substrate;
Forming an organic light emitting layer on each of the red, green, and blue sub-pixels on the first electrode;
Forming a second electrode on the organic light emitting layer;
And at least one capping layer formed on the second electrode,
Forming a front sealing layer on the capping layer such that the inorganic barrier layer and the organic barrier layer alternate at least once;
The capping layer of any one of the red, green, and blue sub-pixels is different from the capping layer of the remaining sub-pixels of the red, green, and blue sub-pixels,
Wherein an uppermost layer of the capping layer of one of the red, green, and blue sub-pixels is in contact with a lowermost layer of the front sealing layer and has a refractive index different from that of the lowermost layer of the front sealing layer. A method of manufacturing a light emitting display panel.
제 9 항에 있어서,
상기 녹색 및 청색 서브 화소의 캡핑층은 제1 캡핑층과, 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 사이에 형성되는 제2 캡핑층을 구비하며,
상기 적색 서브 화소의 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 또는 상기 제2 캡핑층을 구비하며,
상기 제2 캡핑층은 상기 제1 캡핑층 및 상기 전면 실링층의 최하부층 보다 낮은 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The capping layer of the green and blue sub-pixels includes a first capping layer and a second capping layer formed between the first capping layer and the lowermost layer of the front sealing layer,
The capping layer of the red sub-pixel includes the first capping layer or the second capping layer,
Wherein the second capping layer has a refractive index lower than that of the lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer.
제 10 항에 있어서,
상기 제1 캡핑층 및 전면 실링층의 최하부층은 폴리머, SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2,WO3, V2O5,AlxOx, ZnSe, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 알루미나퀴논(Alq3)로 형성되며,
상기 제2 캡핑층은 SiNx, SiOx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The lowermost layer of the first capping layer and the front sealing layer may be formed of a material selected from the group consisting of polymers, SiO2, SiNx, ZnS, LiF, PA, PI, TeO2, WO3, V2O5, AlxOx, ZnSe, triamine derivatives, arylene diamine derivatives, CBP or alumina quinone (Alq3), < / RTI >
Wherein the second capping layer is formed of at least one of SiNx, SiOx, SiON, and LiF.
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