KR102066092B1 - Organic light emitting display and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고해상도와 공정 능력의 향상을 얻을 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 구비하며, 상기 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 발광층과; 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층과; 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 전자 수송층을 구비하며, 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며, 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.The present invention provides an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can achieve high resolution and improved process capability.
The organic light emitting diode display according to the present invention includes first to third sub-pixels for implementing different colors, and each of the first to third sub-pixels includes: first and second electrodes facing each other on a substrate; A light emitting layer formed between the first and second electrodes; A hole transport layer formed between the first electrode and the light emitting layer; An electron transport layer is formed between the second electrode and the light emitting layer, and the first light emitting layer that implements the color of the first sub pixel is commonly formed in the first to third sub pixels. A second light emitting layer that implements color is formed between the first light emitting layer and the hole transport layer positioned in the second sub pixel, and a third light emitting layer that implements the color of the third sub pixel is located in the third sub pixel. It is characterized in that formed between the first light emitting layer and the electron transport layer.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Organic light-emitting display device and manufacturing method therefor {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 고해상도와 공정 능력의 향상을 얻을 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can achieve high resolution and improved process capability.

최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되고 있다.In recent years, as the information age enters, the display field for visually expressing electrical information signals has been rapidly developed. In response, various flat display devices having excellent performance of thinning, light weight, and low power consumption have been developed. Device) is being developed.

이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a flat panel display include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), and an organic light emitting display device. (Organic Light Emitting Device: OLED) and the like.

특히, 유기 발광 표시 장치는 자발광소자로서 다른 평판 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. In particular, the organic light emitting diode display is a self-luminous element and has advantages such as a faster response speed and a larger luminous efficiency, luminance, and viewing angle than other flat panel displays.

이러한 유기 발광 표시 장치는 발광층을 사이에 두고 서로 마주보는 애노드 전극과 캐소드 전극으로 이루어진 서브 화소를 구비하며, 애노드 전극으로부터 주입된 정공과, 캐소드 전극으로부터 주입된 전자가 발광층 내에서 재결합하여 정공-전자쌍인 여기자를 형성하고, 다시 여기자가 바닥 상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다. The organic light emitting diode display includes a subpixel including an anode electrode and a cathode electrode facing each other with the light emitting layer interposed therebetween, and holes injected from the anode electrode and electrons injected from the cathode electrode are recombined in the light emitting layer to form a hole-electron pair. Phosphorus excitons are formed, and the excitons are emitted by the energy generated as they return to the ground state.

종래 유기 발광 표시 장치는 적색, 녹색 및 청색 서브 화소별 적색, 녹색 및 청색 발광층을 형성하기 위해 새도우 마스크를 이용한다. 즉, 새도우 마스크의 개구부를 통과한 적색 발광물질이 기판 상에 증착되어 적색 발광층이 형성되며, 새도우 마스크의 개구부를 통과한 녹색 발광 물질이 기판 상에 증착되어 녹색 발광층이 형성되며, 새도우 마스크의 개구부를 통과한 청색 발광 물질이 기판 상에 증착되어 청색 발광층이 형성된다. 이 경우, 서로 다른 색을 구현하는 발광층들은 소정 간격으로 이격되게 형성되므로 고해상도 구현이 불가능하다. 또한, 적색, 녹색 및 청색 발광층 중 적어도 어느 하나를 형성시 이용되는 새도우 마스크는 유기 발광 표시 장치가 고해상도로 갈수록 마스크의 개구부들 사이에 위치하는 차단부의 폭이 작아져 차단부들끼리 서로 붙는 문제점이 발생된다.Conventional organic light emitting display devices use shadow masks to form red, green, and blue light emitting layers for red, green, and blue subpixels. That is, a red light emitting material passing through the opening of the shadow mask is deposited on the substrate to form a red light emitting layer, and a green light emitting material passing through the opening of the shadow mask is deposited on the substrate to form a green light emitting layer, and an opening of the shadow mask. The blue light emitting material having passed through is deposited on the substrate to form a blue light emitting layer. In this case, the light emitting layers that implement different colors are formed to be spaced apart at predetermined intervals, and thus high resolution is not possible. In addition, the shadow mask used when forming at least one of the red, green, and blue light emitting layers has a problem in that the blocking portions between the openings of the mask become smaller as the organic light emitting diode display becomes higher in resolution, thereby causing the blocking portions to stick together. do.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 고해상도와 공정 능력의 향상을 얻을 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can obtain a high resolution and improved process capability.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 구비하며, 상기 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 발광층과; 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층과; 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 전자 수송층을 구비하며, 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며, 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the organic light emitting diode display according to the present invention includes first to third subpixels that implement different colors, and each of the first to third subpixels faces each other on a substrate. First and second electrodes; A light emitting layer formed between the first and second electrodes; A hole transport layer formed between the first electrode and the light emitting layer; An electron transport layer is formed between the second electrode and the light emitting layer, and the first light emitting layer that implements the color of the first sub pixel is commonly formed in the first to third sub pixels. A second light emitting layer that implements color is formed between the first light emitting layer and the hole transport layer positioned in the second sub pixel, and a third light emitting layer that implements the color of the third sub pixel is located in the third sub pixel. It is characterized in that formed between the first light emitting layer and the electron transport layer.

상기 제1 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리는 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 길고, 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 짧은 것을 특징으로 한다.The distance between the first and second electrodes positioned in the first sub-pixel is longer than the distance between the first and second electrodes positioned in the third sub-pixel and the first and second positions located in the second sub-pixel. It is characterized in that the shorter than the distance between the electrodes.

상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이와, 상기 제2 서브 화소의 제2 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되는 광학 조절층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께는 상기 제2 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode display further includes an optical control layer formed between the first emission layer and the hole transport layer of the first sub pixel and between the second emission layer and the hole transport layer of the second sub pixel. It is done. The thickness of the optical control layer formed on the first sub-pixel is thicker than the thickness of the optical control layer formed on the second sub-pixel.

상기 제2 서브 화소에 위치하는 제2 발광층의 두께는 상기 제3 서브 화소에 위치하는 제3 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.The thickness of the second light emitting layer positioned in the second sub pixel is thicker than the thickness of the third light emitting layer positioned in the third sub pixel.

상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이 및 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이 중 적어도 어느 하나에 형성되는 전하 제어층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode display further includes a charge control layer formed on at least one of the first and second light emitting layers of the second sub pixel and between the first and third light emitting layers of the third sub pixel. It is done.

상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 정공 수송을 차단하며, 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 전자 수송을 차단하는 것을 특징으로 한다.The charge control layer formed between the first and second light emitting layers of the second sub pixel blocks hole transport transferred to the first light emitting layer, and the charge is formed between the first and third light emitting layers of the third sub pixel. The control layer blocks the transport of electrons to the first light emitting layer.

상기 제1 내지 제3 서브 화소에는 상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 제1 발광층이 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소에는 적색을 구현하는 상기 제2 발광층과, 상기 제1 발광층이 적층되어 형성되며, 상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.In the first to third sub-pixels, a first light emitting layer for implementing the green color of the first sub-pixel is commonly formed, and the second light-emitting layer for implementing the red color and the first light-emitting layer are stacked in the second sub-pixel. And the first light emitting layer, the charge control layer, and the third light emitting layer implementing blue color are stacked on the third sub-pixel.

상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 상기 제3 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되도록 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 위치하는 제1 발광층 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.The third light emitting layer that implements the color of the third sub pixel may be formed on the first light emitting layer positioned in the first to third sub pixels so as to be commonly formed in the first to third sub pixels. .

상기 제1 서브 화소에는 상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 제1 발광층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되며, 상기 제2 서브 화소에는 상기 제2 서브 화소의 적색을 구현하는 상기 제2 발광층과, 상기 제1 발광층과, 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되며, 상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 상기 제3 서브 화소의 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.The first sub-pixel is formed by stacking a first light emitting layer that implements the green color of the first sub pixel and the third light emitting layer that implements the blue color, and the second sub pixel implements a red color of the second sub pixel. The second light emitting layer, the first light emitting layer, and the third light emitting layer are formed by stacking, and the third sub pixel implements the first light emitting layer, the charge control layer, and the blue color of the third sub pixel. The third light emitting layer is characterized in that the laminated is formed.

상기 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭은 상기 적색을 구현하는 상기 제2 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 크고 상기 청색을 구현하는 상기 제3 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 작으며, 상기 각 서브 화소에서 상기 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층은 상기 제1 전극에 가깝게 위치하며, 상기 발광 도펀트의 밴드갭은 큰 발광층은 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 한다.The bandgap of the light emitting dopant included in the first light emitting layer that implements the green color is greater than the bandgap of the light emitting dopant included in the second light emitting layer that implements the red color and the light emission included in the third light emitting layer that implements the blue color. A light emitting layer smaller than the bandgap of a dopant and having a smaller bandgap of the light emitting dopant in each of the sub-pixels is located close to the first electrode, and a bandgap of the light emitting dopant is located closer to the second electrode. It is characterized by.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 가지는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 내지 제3 서브 화소의 제1 전극을 기판 상에 형성하는 단계와; 상기 제1 전극이 형성된 기판 상에 정공 수송층을 형성하는 단계와; 상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층이 형성된 기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계와; 상기 전자 수송층이 형성된 기판 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며, 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention having first to third subpixels that implements different colors may include forming a first electrode of the first to third subpixels on a substrate. Forming on; Forming a hole transport layer on the substrate on which the first electrode is formed; Forming a light emitting layer on the substrate on which the hole transport layer is formed; Forming an electron transporting layer on the substrate on which the light emitting layer is formed; And forming a second electrode on the substrate on which the electron transport layer is formed, wherein the first light emitting layer that implements the color of the first sub pixel is formed in common with the first to third sub pixels, and the second sub A second light emitting layer for implementing the color of the pixel is formed between the first light emitting layer and the hole transporting layer positioned in the second sub pixel, and the third light emitting layer for implementing the color of the third sub pixel is the third sub pixel. It is formed between the first light emitting layer and the electron transport layer located in the.

상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는 상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 제1 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와; 상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와; 상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 상기 제3 서브 화소에 제2 새도우 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the light emitting layer on the substrate on which the hole transport layer is formed may include forming the second light emitting layer using a first shadow mask on the second sub pixel on the substrate on which the hole transport layer is formed; Forming the first emission layer in common by using an open mask in the first to third sub-pixels on the substrate on which the second emission layer is formed; And forming the third light emitting layer by using a second shadow mask on the third sub pixel on the substrate on which the first light emitting layer is formed.

상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는 상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와; 상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와; 상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 상기 오픈 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 공통으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming the light emitting layer on the substrate on which the hole transport layer is formed may include forming the second light emitting layer using a shadow mask on the second sub-pixel on the substrate on which the hole transport layer is formed; Forming the first emission layer in common by using an open mask in the first to third sub-pixels on the substrate on which the second emission layer is formed; And forming the third light emitting layer in common using the open mask in the first to third sub-pixels on the substrate on which the first light emitting layer is formed.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소 각각이 1개 또는 2개의 발광층을 공통으로 구비하므로 제1 내지 제3 발광층들 간의 이격마진을 종래보다 줄일 수 있어 고해상도 구현이 가능해진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 1개 또는 2개의 발광층을 오픈 마스크를 사용하여 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성하므로 새도우 마스크의 차단부들 간의 붙는 불량을 방지할 수 있어 새도우 마스크의 교체 주기를 개선할 수 있다. In the organic light emitting diode display according to the present invention, since each of the first to third subpixels implementing different colors includes one or two light emitting layers in common, the separation margin between the first and third light emitting layers may be reduced. This enables high resolution implementation. In addition, the organic light emitting diode display according to the present invention forms one or two light emitting layers in common in the first to third sub-pixels using an open mask, thereby preventing adhesion between blocking portions of the shadow mask. Can improve the replacement cycle.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 제1 발광층을 녹색 발광층으로 형성한 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 제1 발광층을 청색 발광층으로 형성한 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1에 도시된 제1 발광층을 적색 발광층으로 형성한 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7f는 도 5에 도시된 유기 발광 표시 장치의 구체적인 실시 예를 나타내는 단면도들이다.
도 8은 광학 조절층을 구비하는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면들이다.
도 10a 내지 도 10g는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 12a 내지 도 12g는 도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
2A to 2C are diagrams illustrating an organic light emitting display device in which the first light emitting layer illustrated in FIG. 1 is formed as a green light emitting layer.
3A to 3C are diagrams illustrating an organic light emitting display device in which the first light emitting layer illustrated in FIG. 1 is formed as a blue light emitting layer.
4A through 4C are diagrams illustrating an organic light emitting display device in which the first light emitting layer illustrated in FIG. 1 is formed as a red light emitting layer.
5A to 5G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
7A to 7F are cross-sectional views illustrating specific embodiments of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 5.
8 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention including an optical control layer.
9A to 9C are diagrams illustrating emission spectra of the organic light emitting diode display according to the present invention.
10A through 10G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the OLED display illustrated in FIG. 8.
11 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.
12A through 12G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the OLED display illustrated in FIG. 11.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 구비한다.The organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 includes first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 for implementing different colors.

제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각은 제1 및 제2 전극(102,104)과, 제1 전극(102) 상에 순차적으로 형성되는 정공 수송층(112,114), 발광층(110), 전자 수송층(116) 및 캐핑층(120)을 구비한다.Each of the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 includes the first and second electrodes 102 and 104, the hole transport layers 112 and 114, the light emitting layer 110, and the like sequentially formed on the first electrode 102. And an electron transporting layer 116 and a capping layer 120.

제1 및 제2 전극(102,104) 중 어느 하나는 반투과 전극으로 형성되고 제1 및 제2 전극(102,104) 중 나머지 하나는 반사 전극으로 형성된다. 제1 전극(102)이 반투과 전극이고, 제2 전극(104)이 반사 전극인 경우, 하부로 광을 출사하는 배면 발광 구조이다. 제2 전극(104)이 반투과 전극이고, 제1 전극(102)이 반사 전극인 경우, 상부로 광을 출사하는 전면 발광 구조이다. 본 발명에서는 제1 전극(102)이 애노드로서 반사 전극으로 형성되고, 제2 전극(104)이 캐소드로서 반투과 전극으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.One of the first and second electrodes 102 and 104 is formed as a transflective electrode and the other of the first and second electrodes 102 and 104 is formed as a reflective electrode. When the first electrode 102 is a semi-transmissive electrode and the second electrode 104 is a reflective electrode, it has a back light emitting structure that emits light downward. When the second electrode 104 is a transflective electrode and the first electrode 102 is a reflective electrode, it has a top emission structure that emits light upward. In the present invention, the first electrode 102 is formed as a reflective electrode as an anode, and the second electrode 104 will be described as an example as a semi-transmissive electrode as a cathode.

제1 전극(102)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어진 금속층과, ITO(Indium Tin Oxide; ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; IZO) 등으로 이루어진 투명층을 포함하는 복층 구조로 형성되어 반사 전극의 역할을 한다.The first electrode 102 is formed in a multilayer structure including a metal layer made of aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd), and a transparent layer made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. And serves as a reflective electrode.

제2 전극(104)은 단층 또는 복층으로 이루어지며, 제2 전극(104)을 이루는 각 층은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성된다. 이 때, 각 층이 금속과 무기물의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성되며, 각 층이 금속과 금속의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성된다. 제2 전극(104)을 이루는 금속은 Ag, Mg, Yb, Li 또는 Ca로 형성되며, 무기물은 Li2O, CaO, LiF 또는 MgF2로 형성되며, 전자 이동을 도와 발광층(110)으로 전자들이 많이 공급할 수 있도록 한다. The second electrode 104 is composed of a single layer or a plurality of layers, and each layer constituting the second electrode 104 is formed of a metal, an inorganic material, a metal mixed layer or a mixture of a metal and an inorganic material or a mixture thereof. At this time, when each layer is a mixed layer of metal and inorganic material, the ratio is formed from 10: 1 to 1:10, and when each layer is a mixed layer of metal and metal, the ratio is 10: 1 to 1:10. Is formed. The metal constituting the second electrode 104 is formed of Ag, Mg, Yb, Li, or Ca, and the inorganic material is formed of Li 2 O, CaO, LiF, or MgF 2 , and helps electrons move to the emission layer 110. Make sure you supply a lot.

제1 및 제2 정공 수송층(112,114)은 제1 전극(102)으로부터의 정공을 각 발광셀의 발광층(110)에 공급한다.The first and second hole transport layers 112 and 114 supply holes from the first electrode 102 to the light emitting layer 110 of each light emitting cell.

전자 수송층(116)은 제2 전극(104)으로부터의 전자를 각 발광셀의 발광층(110)에 공급한다. The electron transport layer 116 supplies electrons from the second electrode 104 to the light emitting layer 110 of each light emitting cell.

캐핑층(120)은 외부로부터 유입되는 수분이나 산소의 침투를 차단함으로써 신뢰성을 향상시키는 역할을 한다. 이를 위해, 캐핑층(120)은 유기층과 무기층이 수회 교번적으로 형성된 구조이다. 무기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 1차적으로 차단하도록 알루미늄 옥사이드(AlxOx), 산화실리콘(SiOx), SiNx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 유기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 2차적으로 차단한다. 또한, 유기층은 유기 발광표시장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이러한 유기층은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 또는 폴리에틸렌 등의 폴리머 재질로 형성된다.The capping layer 120 serves to improve reliability by blocking the penetration of moisture or oxygen introduced from the outside. To this end, the capping layer 120 has a structure in which the organic layer and the inorganic layer are alternately formed several times. The inorganic layer is formed of at least one of aluminum oxide (AlxOx), silicon oxide (SiOx), SiNx, SiON, and LiF to primarily block the penetration of external moisture or oxygen. The organic layer secondarily blocks the penetration of external moisture or oxygen. In addition, the organic layer serves as a buffer for alleviating stress between layers due to the bending of the organic light emitting diode display and enhances planarization performance. The organic layer is formed of a polymer material such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide, or polyethylene.

제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각의 발광층(110)에서는 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)을 통해 공급된 정공과 전자 수송층(116)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다. In the light emitting layer 110 of each of the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3, holes supplied through the first and second hole transport layers 112 and 114 and electrons supplied through the electron transport layer 116 are recombined. Light is generated.

이 때, 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)의 전체 두께는 가장 얇고, 제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)의 전체 두께는 가장 두껍고, 제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)의 전체 두께는 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)의 전체 두께와 제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)의 전체 두께의 사이의 두께를 가지도록 형성된다. 이러한 각 서브 화소마다 발광층(110)의 두께를 조절하여 출사광을 보강간섭함으로써 각 서브 화소에서의 수직 방향 효율을 최적화할 수 있다. At this time, the total thickness of the light emitting layer 110 of the first sub-pixel SP1 is the thinnest, and the total thickness of the light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 is thickest, and the light emitting layer of the third sub-pixel SP3 is thin. The total thickness of 110 is formed to have a thickness between the total thickness of the light emitting layer 110 of the first sub-pixel SP1 and the total thickness of the light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2. By adjusting the thickness of the light emitting layer 110 for each sub pixel, the emission light may be reinforced to optimize vertical efficiency in each sub pixel.

구체적으로, 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 제1 색을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성된다. In detail, the light emitting layer 110 of the first sub-pixel SP1 is formed of the first light emitting layer 110a implementing the first color.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114)과 전자 수송층(116) 사이에 순차적으로 형성되는 제2 발광층(110b)과 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 제1 발광층(110a)은 제2 발광층(110b)과 전자 수송층(116) 사이에 형성되어 제2 서브 화소(SP2)에서 생성되는 광의 공진주기를 조절하며, 제2 발광층(110b)은 정공 수송층(114)과 제1 발광층(110a) 사이에 형성되어 제2 서브 화소에서 구현되는 색의 광을 생성한다. 제2 발광층(110b)은 제1 발광층(110a)보다 얇은 두께로 형성된다.The emission layer 110 of the second sub-pixel SP2 includes a second emission layer 110b and a first emission layer 110a sequentially formed between the hole transport layer 114 and the electron transport layer 116. The first light emitting layer 110a is formed between the second light emitting layer 110b and the electron transporting layer 116 to adjust the resonance period of light generated in the second sub-pixel SP2, and the second light emitting layer 110b may be a hole transporting layer ( 114 is formed between the first emission layer 110a and generates light of a color implemented in the second sub-pixel. The second light emitting layer 110b is formed to be thinner than the first light emitting layer 110a.

제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114)과 전자 수송층(116) 사이에 순차적으로 형성되는 제1 발광층(110a)과 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 제1 발광층(110a)은 제3 발광층(110c)과 정공 수송층(114) 사이에 형성되어 제3 서브 화소(SP3)에서 생성되는 광의 공진주기를 조절하며, 제3 발광층(110c)은 전자 수송층(116)과 제1 발광층(110a) 사이에 형성되어 제3 서브 화소(SP3)에서 구현되는 색의 광을 생성한다. 제3 발광층(110c)은 제1 및 제2 발광층(110a,110b)보다 얇은 두께로 형성된다.The emission layer 110 of the third sub-pixel SP3 includes the first emission layer 110a and the third emission layer 110c sequentially formed between the hole transport layer 114 and the electron transport layer 116. The first light emitting layer 110a is formed between the third light emitting layer 110c and the hole transport layer 114 to adjust a resonance period of light generated in the third sub-pixel SP3, and the third light emitting layer 110c may be an electron transport layer ( It is formed between the 116 and the first light emitting layer (110a) to generate light of the color implemented in the third sub-pixel (SP3). The third light emitting layer 110c is formed to be thinner than the first and second light emitting layers 110a and 110b.

예를 들어, 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각의 발광층(110)은 도 2a 내지 도 4c 중 어느 한 구조로 형성된다. For example, the light emitting layer 110 of each of the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 has a structure of any one of FIGS. 2A to 4C.

도 2a에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비한다. As shown in FIG. 2A, the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 have a first emission layer 110a that implements green (G) in common.

구체적으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)는 녹색을 구현한다. In detail, as illustrated in FIG. 2B, the light emitting layer 110 of the first sub pixel SP1 is formed of the first light emitting layer 110a implementing green G, and thus the first sub pixel SP1 is green. do.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 녹색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 녹색광의 혼색없이 적색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 is formed on the hole transport layer 114 and realizes red, and is formed on the second light emitting layer 110b and implements green (G). It consists of a first light emitting layer (110a). In this case, since the short wavelength green light generated in the first light emitting layer 110a is absorbed by the long wavelength red light generated in the second light emitting layer 110b, the second sub-pixel SP2 realizes red light without mixing green light.

제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며, 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 청색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다. 이외에도 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the third sub-pixel SP3 is formed on the hole transport layer 114, and is formed on the first light emitting layer 110a that implements green (G), and is formed on the first light emitting layer 110a and is blue ( And a third light emitting layer 110c implementing B). In this case, the electron transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating green light is lower than the electron transport speed of the host included in the third light emitting layer 110c generating blue light. Accordingly, the coupling force between the electrons and the holes in the third emission layer 110c is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, so that the third sub-pixel SP3 implements blue light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements green color is formed of a phosphor material and the third light emitting layer 110c that implements blue color is formed of a phosphor material, a third light emitting layer formed of a phosphor material due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110c selectively emits light so that the third sub-pixel SP3 implements blue light.

도 2c에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)은 녹색을 구현한다.As illustrated in FIG. 2C, the light emitting layer 110 of the first sub pixel SP1 is formed of the first light emitting layer 110a implementing green G, and the first sub pixel SP1 implements green color.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도를 청색광을 생성하는 제2 발광층(110b)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제2 발광층(110b)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다. 이외에도 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제2 발광층(110b)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제2 발광층(110b)이 선택적으로 발광하여 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the second light emitting layer 110b that implements blue (B), and is formed on the second light emitting layer 110b and is green (G). Is a first light emitting layer 110a. In this case, the hole transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating green light is lower than the hole transport speed of the host included in the second light emitting layer 110b generating blue light. Accordingly, the bonding force between the electrons and the holes in the second emission layer 110b is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, and thus the second sub-pixel SP2 implements blue light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements green color is formed of a phosphor material and the second light emitting layer 110b that implements blue color is formed of a phosphor material, a second light emitting layer formed of a phosphor material due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110b) selectively emits light so that the second sub-pixel SP2 implements blue light.

제3 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 적색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다. 이외에도 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 적색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the third sub-pixel SP1 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the first light emitting layer 110a that implements green (G), and is formed on the first light emitting layer 110a and red (R). ) Is formed of a third light emitting layer 110c. In this case, the electron transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating green light is lower than the electron transport speed of the host included in the third light emitting layer 110c generating red light. Accordingly, the bonding force between the electrons and the holes in the third emission layer 110c is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, and thus the third sub-pixel SP3 implements red light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements green color is formed of a phosphor material and the third light emitting layer 110c that implements red color is formed of a phosphor material, a third light emitting layer formed of a phosphor material due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110c selectively emits light so that the third sub-pixel SP3 implements red light.

도 3a에 도시된 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)는 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비한다. The first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 illustrated in FIG. 3A have a first emission layer 110a that implements blue (B) in common.

구체적으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)는 청색광을 구현한다.Specifically, as shown in FIG. 3B, the light emitting layer 110 of the first sub pixel SP1 is formed of the first light emitting layer 110a that implements blue B, and the first sub pixel SP1 implements blue light. do.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 적색광을 구현한다. The light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the second light emitting layer 110b implementing red (R), and is formed on the second light emitting layer 110b and is blue (B). Is a first light emitting layer 110a. In this case, since the short wavelength blue light generated in the first light emitting layer 110a is absorbed by the long wavelength red light generated in the second light emitting layer 110b, the second sub-pixel SP2 implements red light without mixing blue light.

제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며, 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 녹색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성되므로 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다. 이외에도 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 녹색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the third sub-pixel SP3 is formed on the hole transport layer 114, and is formed on the first light emitting layer 110a that implements blue (B), on the first light emitting layer 110a, and is green ( And a third light emitting layer 110c implementing G). In this case, since the electron transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a for generating blue light is lower than the electron transport speed of the host included in the third light emitting layer 110c for generating green light, the first light emitting layer 110a is formed. In the third light emitting layer 110c, the bonding force between the electron and the hole is higher than that between the electron and the hole, so that the third sub-pixel SP3 implements green light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements blue is formed of a fluorescent material and the third light emitting layer 110c that implements green is formed of a phosphor, a third light emitting layer formed of a phosphor due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110c selectively emits light so that the third sub-pixel SP3 implements green light.

도 3c에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소는 청색광을 구현한다.As shown in FIG. 3C, the light emitting layer 110 of the first sub pixel SP1 is formed of the first light emitting layer 110a that implements blue B, and the first sub pixel implements blue light.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 녹색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 녹색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the second light emitting layer 110b that implements green (G), and is formed on the second light emitting layer 110b and is blue (B). Is a first light emitting layer 110a. In this case, since the short wavelength blue light generated in the first light emitting layer 110a is absorbed by the long wavelength green light generated in the second light emitting layer 110b, the second sub-pixel SP2 implements green light without mixing blue light.

제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 적색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다. 이외에도 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 적색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the third sub-pixel SP3 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the first light emitting layer 110a that implements blue (B), and is formed on the first light emitting layer 110a and red (R). ) Is formed of a third light emitting layer 110c. In this case, the electron transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating blue light is lower than the electron transport speed of the host included in the third light emitting layer 110c generating red light. Accordingly, the bonding force between the electrons and the holes in the third emission layer 110c is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, and thus the third sub-pixel SP3 implements red light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements blue is formed of a fluorescent material and the third light emitting layer 110c that implements red is formed of a phosphor, a third light emitting layer formed of a phosphor due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110c selectively emits light so that the third sub-pixel SP3 implements red light.

도 4a에 도시된 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)는 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비한다. The first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 illustrated in FIG. 4A have a first emission layer 110a that implements red R in common.

구체적으로, 도 4b에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)는 적색광을 구현한다.In detail, as illustrated in FIG. 4B, the light emitting layer 110 of the first sub pixel SP1 is formed of the first light emitting layer 110a that implements red R, and thus the first sub pixel SP1 implements red light. do.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도를 청색광을 생성하는 제2 발광층(110b)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제2 발광층(110b)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제2 발광층(110b)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제2 발광층(110b)이 선택적으로 발광하여 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the second light emitting layer 110b that implements blue (B), and is formed on the second light emitting layer 110b and red (R). Is a first light emitting layer 110a. In this case, the hole transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating red light is lower than the hole transport speed of the host included in the second light emitting layer 110b generating blue light. Accordingly, the bonding force between the electrons and the holes in the second emission layer 110b is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, and thus the second sub-pixel SP2 implements blue light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements red is formed of a fluorescent material and the second light emitting layer 110b that implements blue is formed of a phosphor, a second light emitting layer formed of a phosphor due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110b) selectively emits light so that the second sub-pixel SP2 implements blue light.

제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 녹색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 녹색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the third sub-pixel SP3 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the first light emitting layer 110a implementing red (R), and is formed on the first light emitting layer 110a and is green (G). ) Is formed of a third light emitting layer 110c. In this case, the electron transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating red light is lower than the electron transport speed of the host included in the third light emitting layer 110c generating green light. Accordingly, the bonding force between the electrons and the holes in the third emission layer 110c is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, so that the third sub-pixel SP3 implements green light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements red is formed of a fluorescent material and the third light emitting layer 110c that implements green is formed of a phosphor, a third light emitting layer formed of a phosphor due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110c selectively emits light so that the third sub-pixel SP3 implements green light.

도 4c에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)은 적색광을 구현한다.As shown in FIG. 4C, the light emitting layer 110 of the first sub pixel SP1 is formed of the first light emitting layer 110a that implements red R, and the first sub pixel SP1 implements red light.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도를 녹색광을 생성하는 제2 발광층(110b)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제2 발광층(110b)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제2 서브 화소(SP2)는 녹색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 녹색을 구현하는 제2 발광층(110b)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제2 발광층(110b)이 선택적으로 발광하여 제2 서브 화소(SP2)는 녹색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the second light emitting layer 110b that implements green (G), and is formed on the second light emitting layer 110b and red (R). Is a first light emitting layer 110a. In this case, the hole transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating red light is lower than the hole transport speed of the host included in the second light emitting layer 110b generating green light. Accordingly, the bonding force between the electrons and the holes in the second emission layer 110b is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, so that the second sub-pixel SP2 implements green light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements red is formed of a fluorescent material and the second light emitting layer 110b that implements green is formed of a phosphor, a second light emitting layer formed of a phosphor due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110b) selectively emits light so that the second sub-pixel SP2 implements green light.

제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 청색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다.The light emitting layer 110 of the third sub-pixel SP3 is formed on the hole transport layer 114 and is formed on the first light emitting layer 110a implementing red (R), and is formed on the first light emitting layer 110a and is blue (B). ) Is formed of a third light emitting layer 110c. In this case, the electron transport speed of the host included in the first light emitting layer 110a generating red light is lower than the electron transport speed of the host included in the third light emitting layer 110c generating blue light. Accordingly, the coupling force between the electrons and the holes in the third emission layer 110c is higher than that between the electrons and the holes in the first emission layer 110a, so that the third sub-pixel SP3 implements blue light. In addition, when the first light emitting layer 110a that implements red is formed of a fluorescent material and the third light emitting layer 110c that implements blue is formed of a phosphor, a third light emitting layer formed of a phosphor due to a difference in fluorescence and phosphorescence characteristics ( 110c selectively emits light so that the third sub-pixel SP3 implements blue light.

이와 같이, 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3) 각각은 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비하므로 제1 내지 제3 발광층들(110a,110b,110c) 간의 이격마진을 종래보다 줄일 수 있어 고해상도 구현이 가능해진다. 또한, 제1 발광층(110a)은 서브 화소들 사이의 영역과 대응하는 영역에 차단부가 없는 오픈 마스크를 사용하여 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에 공통으로 형성하므로 새도우 마스크의 차단부들 간의 붙는 불량을 방지할 수 있다. As such, since each of the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 includes the first light emitting layer 110a in common, a separation margin between the first to third light emitting layers 110a, 110b, and 110c may be greater than that of the prior art. It can be reduced, enabling high resolution. In addition, since the first emission layer 110a is formed in common with the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 by using an open mask having no blocking portion in an area between the sub-pixels and a region corresponding to the sub-pixels, the shadow mask may be formed. It is possible to prevent adhesion failure between the blocking portions.

도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서는 도 2b에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다.5A through 5G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an OLED display according to the present invention. Here, a method of manufacturing the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 2B will be described as an example.

도 5a를 참조하면, 기판(101) 상에 금속층과 투명층이 순차적으로 증착된 후 포토리소그래피 공정과 식각 공정에 의해 그 금속층과 투명층이 패터닝됨으로써 제1 전극(102)이 형성된다. 제1 전극(102)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어진 금속층과, ITO(Indium Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등으로 이루어진 투명층을 포함하는 복층 구조로 형성된다.Referring to FIG. 5A, after the metal layer and the transparent layer are sequentially deposited on the substrate 101, the first electrode 102 is formed by patterning the metal layer and the transparent layer by a photolithography process and an etching process. The first electrode 102 includes a metal layer made of aluminum (Al) or an aluminum alloy (AlNd), and a transparent layer made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. It is formed in a multilayer structure.

도 5b를 참조하면, 제1 전극(102)이 형성된 기판(101) 상에 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)이 순차적으로 형성된다.Referring to FIG. 5B, first and second hole transport layers 112 and 114 are sequentially formed on the substrate 101 on which the first electrode 102 is formed.

도 5c를 참조하면, 정공 수송층(112,114)이 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제1 새도우 마스크(132)가 정렬된다. 제1 새도우 마스크(132)를 통과한 적색 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 형성된다.Referring to FIG. 5C, the first shadow mask 132 having an opening corresponding to the second subpixel SP2 is aligned on the substrate 101 on which the hole transport layers 112 and 114 are formed. Since the red light emitting material passing through the first shadow mask 132 is deposited on the substrate 101, the second light emitting layer 110b for implementing red R is formed in the second sub-pixel SP2.

도 5d를 참조하면, 제2 발광층(110b)이 형성된 기판(101) 상에 오픈 마스크(134)가 정렬된다. 이 오픈 마스크(134)를 통과한 녹색(G) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 형성된다.Referring to FIG. 5D, the open mask 134 is aligned on the substrate 101 on which the second emission layer 110b is formed. Since the green (G) light emitting material having passed through the open mask 134 is deposited on the substrate 101, the first light emitting layer for implementing green G in the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 ( 110a) is formed.

도 5e를 참조하면, 제1 발광층(110a)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제2 새도우 마스크(136)가 정렬된다. 제2 새도우 마스크(136)를 통과한 청색(B) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 형성된다.Referring to FIG. 5E, the second shadow mask 136 having an opening corresponding to the third sub pixel SP3 is aligned on the substrate 101 on which the first emission layer 110a is formed. Since the blue (B) light emitting material having passed through the second shadow mask 136 is deposited on the substrate 101, the third light emitting layer 110c that implements blue B is formed in the third sub-pixel SP3.

도 5f에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 발광층(110a,110b,110c)이 형성된 기판(101) 상에 전자 수송층(116)이 형성된다. As illustrated in FIG. 5F, the electron transport layer 116 is formed on the substrate 101 on which the first to third light emitting layers 110a, 110b, and 110c are formed.

도 5g를 참조하면, 전자 수송층(116)이 형성된 기판(101) 상에 제2 전극(104)과 캐핑층(120)이 순차적으로 형성된다. 여기서, 제2 전극(104)은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되어 반투과 전극으로 형성된다. Referring to FIG. 5G, the second electrode 104 and the capping layer 120 are sequentially formed on the substrate 101 on which the electron transport layer 116 is formed. Here, the second electrode 104 is formed of a metal, an inorganic material, a metal mixed layer or a mixture of a metal and an inorganic material, or a mixture thereof and is formed as a semi-transmissive electrode.

도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 전하 제어층(130)을 추가로 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting diode display illustrated in FIG. 6 includes the same components except for further including a charge control layer 130 as compared to the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

전하 제어층(130)은 제2 및 제3 서브 화소(SP2,SP3) 중 적어도 어느 하나에 형성된다. 즉, 전하 제어층(130)은 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에 형성 또는/및 제3 서브 화소(SP3)의 제1 및 제3 발광층(110a,110c) 사이에 형성된다. 예를 들어, 제2 서브 화소(SP2)의 색을 구현하는 제2 발광층(110b)은 제1 발광층(110a)과 정공 수송층(114) 사이에 형성되므로 제2 서브 화소(SP2)에 형성되는 전하 제어층(130)은 제1 발광층(110a)으로 정공이 수송되는 것을 차단한다. 이 경우, 전하 제어층(130)은 Balq, BCP, TPBI등의 정공 차단 재질로 형성된다.The charge control layer 130 is formed on at least one of the second and third sub-pixels SP2 and SP3. That is, the charge control layer 130 is formed between the first and second light emitting layers 110a and 110b of the second sub pixel SP2 and / or the first and third light emitting layers 110a of the third sub pixel SP3. , Between 110c). For example, the second light emitting layer 110b, which implements the color of the second subpixel SP2, is formed between the first light emitting layer 110a and the hole transport layer 114, and thus is formed in the second subpixel SP2. The control layer 130 blocks the transport of holes to the first light emitting layer 110a. In this case, the charge control layer 130 is formed of a hole blocking material such as Balq, BCP, TPBI.

그리고, 제3 서브 화소(SP3)의 색을 구현하는 제3 발광층(110c)은 제1 발광층(110a)과 전자 수송층(116) 사이에 형성되므로 제3 서브 화소(SP3)에 형성된 전하 제어층(130)은 제1 발광층(110a)으로 전자가 수송되는 것을 차단한다. 이 경우, 전하 제어층(130)은 rubrene, NPB, TBP, TAPC, TCTA 및 2-TMATA 중 적어도 어느 하나의 전자 차단 재질로 형성된다.In addition, since the third light emitting layer 110c that implements the color of the third subpixel SP3 is formed between the first light emitting layer 110a and the electron transport layer 116, the charge control layer formed on the third subpixel SP3 ( 130 blocks electrons from being transported to the first light emitting layer 110a. In this case, the charge control layer 130 is formed of at least one electron blocking material of rubrene, NPB, TBP, TAPC, TCTA, and 2-TMATA.

이러한 전하 제어층(130)에 의해 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광층(110b)에서 생성된 광은 혼색 없이 방출되고 제3 서브 화소(SP3)의 제3 발광층(110c)에서 생성된 광은 혼색 없이 방출되도록 한다.Light generated in the second light emitting layer 110b of the second sub-pixel SP2 is emitted without mixing by the charge control layer 130, and light generated in the third light emitting layer 110c of the third sub-pixel SP3. Allows for emission without color mixing.

구체적으로, 전하 제어층(130)은 도 7a 내지 도 7f에 도시된 구조 중 어느 하나에 적용된다.Specifically, the charge control layer 130 is applied to any one of the structures shown in FIGS. 7A to 7F.

도 7a에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제3 서브 화소(SP3)의 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 청색을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 청색광이 출사된다. 한편, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 전하 제어층(130)이 형성되지 않지만, 단파장인 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)이 녹색광보다 장파장인 적색광을 생성하는 제2 발광층(110b) 상에 형성되므로 혼색을 방지할 수 있다. 즉, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 녹색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 녹색광의 혼색없이 적색광이 출사된다.In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 7A, a charge having an electron blocking function is formed between the first light emitting layer 110a implementing green (G) of the third sub-pixel SP3 and the third light emitting layer 110c implementing blue. The control layer 130 is formed. Accordingly, since electrons are not supplied to the first light emitting layer 110a of the third subpixel SP3 and thus green light is not generated in the first light emitting layer 110a, the third light emitting layer 110c is disposed in the third subpixel SP3. Blue light is emitted. On the other hand, although the charge control layer 130 is not formed between the first and second light emitting layers 110a and 110b of the second sub-pixel SP2, the first light emitting layer 110a generating shorter green light has a longer wavelength than green light. Since it is formed on the second light emitting layer 110b that generates phosphorus red light, color mixing may be prevented. That is, since the short wavelength green light generated in the first light emitting layer 110a is absorbed by the long wavelength red light generated in the second light emitting layer 110b, the red light is emitted from the second sub-pixel SP2 without mixing the green light.

도 7b에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 정공 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광층(110a)으로 정공이 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 제2 발광층(110b)의 청색광이 출사된다. 제3 서브 화소(SP3)의 제1 및 제3 발광층(110a,110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 적색광이 출사된다. In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 7B, a charge control layer 130 having a hole blocking function is formed between the first and second light emitting layers 110a and 110b of the second sub-pixel SP2. Accordingly, since holes are not supplied to the first light emitting layer 110a of the second sub-pixel SP2, and green light is not generated in the first light emitting layer 110a, the second light emitting layer 110b of the second sub-pixel SP2 is not provided. Blue light is emitted. The charge control layer 130 having an electron blocking function is formed between the first and third light emitting layers 110a and 110c of the third sub-pixel SP3. Accordingly, since electrons are not supplied to the first light emitting layer 110a of the third subpixel SP3 and thus green light is not generated in the first light emitting layer 110a, the third light emitting layer 110c is disposed in the third subpixel SP3. Red light is emitted.

도 7c에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제3 서브 화소(SP3)의 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)과 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 청색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 녹색광이 출사된다. 한편, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 전하 제어층(130)이 형성되지 않지만, 단파장인 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)이 청색광보다 장파장인 적색광을 생성하는 제2 발광층(110b) 상에 형성되므로 혼색을 방지할 수 있다. 즉, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 적색광이 출사된다.In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 7C, a charge having an electron blocking function is formed between the first light emitting layer 110a that implements blue of the third sub-pixel SP3 and the third light emitting layer 110c that implements green (G). The control layer 130 is formed. Accordingly, since electrons are not supplied to the first light emitting layer 110a of the third sub pixel SP3, and blue light is not generated in the first light emitting layer 110a, so that the third light emitting layer 110c is disposed in the third sub pixel SP3. Green light is emitted. On the other hand, although the charge control layer 130 is not formed between the first and second light emitting layers 110a and 110b of the second sub-pixel SP2, the first light emitting layer 110a which generates short blue light has a longer wavelength than the blue light. Since it is formed on the second light emitting layer 110b that generates phosphorus red light, color mixing may be prevented. That is, since the short wavelength blue light generated in the first light emitting layer 110a is absorbed by the long wavelength red light generated in the second light emitting layer 110b, the red light is emitted from the second sub-pixel SP2 without mixing blue light.

도 7d에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제3 서브 화소(SP3)의 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)과 적색(R)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 정공 차단 기능 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 청색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 적색광이 출사된다. 한편, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 전하 제어층(130)이 형성되지 않지만, 단파장인 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)이 청색광보다 장파장인 녹색광을 생성하는 제2 발광층(110b) 상에 형성되므로 혼색을 방지할 수 있다. 즉, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 녹색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 녹색광이 출사된다.In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 7D, a hole blocking function is provided between the first light emitting layer 110a that implements blue of the third sub-pixel SP3 and the third light emitting layer 110c that implements red (R). The charge control layer 130 is formed. Accordingly, since electrons are not supplied to the first light emitting layer 110a of the third sub pixel SP3, and blue light is not generated in the first light emitting layer 110a, so that the third light emitting layer 110c is disposed in the third sub pixel SP3. Red light is emitted. On the other hand, although the charge control layer 130 is not formed between the first and second light emitting layers 110a and 110b of the second sub-pixel SP2, the first light emitting layer 110a which generates short blue light has a longer wavelength than the blue light. Since it is formed on the second light emitting layer 110b that generates phosphorus green light, color mixing may be prevented. That is, since the short wavelength blue light generated in the first light emitting layer 110a is absorbed by the long wavelength green light generated in the second light emitting layer 110b, the green light is emitted from the second sub-pixel SP2 without mixing the blue light.

도 7e에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제2 서브 화소(SP2)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 청색(B)을 구현하는 제2 발광층(110b) 사이에는 정공 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광층(110a)으로 정공이 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 제2 발광층(110b)의 청색광이 출사된다. 제3 서브 화소(SP3)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 녹색광이 출사된다. In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 7E, a hole blocking function is formed between the first light emitting layer 110a that implements red (R) of the second sub-pixel SP2 and the second light emitting layer 110b that implements blue (B). The charge control layer 130 is formed. Accordingly, since holes are not supplied to the first light emitting layer 110a of the second subpixel SP2, and red light is not generated in the first light emitting layer 110a, the second light emitting layer 110b of the second subpixel SP2. Blue light is emitted. A charge control layer 130 having an electron blocking function is formed between the first light emitting layer 110a that implements the red R of the third sub-pixel SP3 and the third light emitting layer 110c that implements the green G. do. Accordingly, since electrons are not supplied to the first light emitting layer 110a of the third subpixel SP3 and thus red light is not generated in the first light emitting layer 110a, the third light emitting layer 110c of the third subpixel SP3. Green light is emitted.

도 7f에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제2 서브 화소(SP2)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 녹색(G)을 구현하는 제2 발광층(110b) 사이에는 정공 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 정공이 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 제2 발광층(110b)의 녹색광이 출사된다. 제3 서브 화소(SP3)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 청색광이 출사된다. In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 7F, a hole blocking function is formed between the first light emitting layer 110a that implements the red R of the second sub-pixel SP2 and the second light emitting layer 110b that implements the green G. The charge control layer 130 is formed. Accordingly, since holes are not supplied to the first light emitting layer 110a of the second subpixel SP3, and red light is not generated in the first light emitting layer 110a, the second light emitting layer 110b of the second subpixel SP2. Green light is emitted. A charge control layer 130 having an electron blocking function is formed between the first light emitting layer 110a that implements the red R of the third sub-pixel SP3 and the third light emitting layer 110c that implements the blue (B). do. Accordingly, since electrons are not supplied to the first light emitting layer 110a of the third subpixel SP3 and thus red light is not generated in the first light emitting layer 110a, the third light emitting layer 110c of the third subpixel SP3. Blue light is emitted.

한편, 제1 및 제2 서브 화소(SP1,SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 발광층(110) 사이에는 도 8에 도시된 바와 같이 광학 조절층(150,152)이 형성될 수도 있다. 녹색을 구현하는 제1 서브 화소(SP1)의 제2 정공 수송층(114)과 제1 발광층(110a) 사이에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성되며, 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 제2 발광층(110b) 사이에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다. 녹색용 광학 조절층(152)은 적색용 광학 조절층(150)보다 두껍게 형성된다. 이러한 광학 조절층(150,152)에 의해 청색(B)을 구현하는 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 가깝고, 적색(R) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 멀고, 녹색(G) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 중간 거리를 가지도록 형성된다. 이에 따라, 각 서브 화소마다 출사광을 보강간섭함으로써 각 서브 화소에서의 수직 방향 효율을 더욱 최적화할 수 있다. Meanwhile, optical control layers 150 and 152 may be formed between the second hole transport layer 114 and the light emitting layer 110 of the first and second sub-pixels SP1 and SP2, as shown in FIG. 8. A green optical control layer 152 is formed between the second hole transport layer 114 and the first emission layer 110a of the first sub-pixel SP1 that implements green, and the second sub-pixel SP2 that implements red. The optical control layer 150 for red is formed between the second hole transport layer 114 and the second light emitting layer 110b of FIG. The green optical control layer 152 is formed thicker than the red optical control layer 150. The distance between the first and second electrodes 102 and 104 of the sub pixel implementing blue (B) is the closest by the optical control layers 150 and 152, and the first and second electrodes 102 and 104 of the red sub pixel. The distance between them is the longest, and the distance between the first and second electrodes 102 and 104 of the green (G) sub-pixel is formed to have an intermediate distance. As a result, the vertical efficiency in each sub-pixel can be further optimized by constructively interfering the emitted light for each sub-pixel.

이러한, 광학 조절층(150,152)은 제1 및 제2 정공 수송층(112,114) 중 어느 하나와 동일한 정공 수송 물질로 형성된다. 예를 들어, 광학 조절층(150,152)은 정공 호스트에 p형 도펀트가 1~10%의 농도로 도핑되어 형성된 제1 정공 수송층(112)과 동일 재질로 형성된다. 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 NPB, PPD, TPAC, BFA-1T 또는 TBDB 등의 재질로 형성되며, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. p형 도펀트는 [F4-TCNQ], [1,4-TCAQ], [6,3-TCPQ], [TCAQ], [TCNTHPQ] 또는 [TCNPQ] 등의 재질로 형성된다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트의 도핑 농도는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 이 때, 전체 두께가 가장 두꺼운 적색(R)을 구현하는 서브 화소(SP2)의 적색용 광학 조절층(150)의 p형 도펀트의 도핑 농도는 녹색(G)을 구현하는 서브 화소(SP1)의 녹색용 광학 조절층(150)의 p형 도펀트의 도핑 농도보다 높게 형성하면, 적색(R) 서브 화소의 구동 전압을 낮출 수 있어 소비전력을 낮출 수 있다.The optical control layers 150 and 152 are formed of the same hole transport material as any one of the first and second hole transport layers 112 and 114. For example, the optical control layers 150 and 152 are formed of the same material as the first hole transport layer 112 formed by doping the p-type dopant to a hole host at a concentration of 1 to 10%. The host used in each of the first and second hole transport layers 112 and 114 and the optical control layers 150 and 152 is formed of a material such as NPB, PPD, TPAC, BFA-1T or TBDB, and the first and second hole transport layers 112 and 114. ) And the host used in each of the optical control layers 150 and 152 may be the same or different from each other. The p-type dopant is formed of a material such as [F4-TCNQ], [1,4-TCAQ], [6,3-TCPQ], [TCAQ], [TCNTHPQ], or [TCNPQ]. The p-type dopants used in the optical control layers 150 and 152 and the first hole transport layer 112 may be the same or different from each other. Doping concentrations of the p-type dopant used in the optical control layers 150 and 152 and the first hole transport layer 112 may be the same or different. At this time, the doping concentration of the p-type dopant of the red optical control layer 150 of the sub-pixel SP2 implementing the red (R) having the highest overall thickness is determined by the sub-pixel SP1 of the green (G). If the green optical control layer 150 is formed to have a higher doping concentration than the p-type dopant, the driving voltage of the red (R) sub pixel may be lowered, thereby lowering power consumption.

표 1은 본 발명의 제2 실시 예와 비교예에 따른 전광 특성을 설명하기 위한 표이다.Table 1 is a table for explaining the electro-optical characteristics according to the second embodiment and comparative example of the present invention.

Cd/ACd / A CIExCIEx CIEyCIEy 비교예(R)Comparative Example (R) 45.945.9 0.6620.662 0.3360.336 실시예(R)Example (R) 45.345.3 0.6610.661 0.3370.337 비교예(G)Comparative Example (G) 111.4111.4 0.2900.290 0.6850.685 실시예(G)Example (G) 112.7112.7 0.3060.306 0.6710.671 비교예(B)Comparative Example (B) 5.85.8 0.1390.139 0.0550.055 실시예(B)Example (B) 5.85.8 0.1400.140 0.0540.054

표 1에서 비교예(R)은 적색 발광층만으로 이루어진 적색 서브 화소이며, 비교예(G)은 녹색 발광층만으로 이루어진 녹색 서브 화소이며, 비교예(B)은 청색 발광층만으로 이루어진 청색 서브 화소이며, 실시예(R), 실시예(G) 및 실시예(B)는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2), 녹색을 구현하는 제1 서브화소(SP1) 및 청색을 구현하는 제3 서브 화소(SP3)이다. In Table 1, Comparative Example (R) is a red subpixel consisting of only a red light emitting layer, Comparative Example (G) is a green subpixel consisting only of a green light emitting layer, and Comparative Example (B) is a blue subpixel consisting of only a blue light emitting layer. (R), Embodiments (G), and (B) include a second subpixel SP2 for implementing red color of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 8, a first subpixel SP1 for implementing green color, and The third sub pixel SP3 implements blue.

표 1에 기재된 바와 같이 본 발명의 실시 예는 비교예와 대비하여 효율(cd/A), 색좌표(CIEx, CIEy) 등의 전광 특성이 서로 유사함을 알 수 있다. 또한, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 바와 같이 파장별 EL세기는 실시예와 비교예가 유사한 특성을 가짐을 알 수 있다.As shown in Table 1, it can be seen that the embodiment of the present invention is similar to the electroluminescent properties such as efficiency (cd / A), color coordinates (CIEx, CIEy) and the like compared to the comparative example. In addition, as shown in FIGS. 9A to 9C, the EL intensity for each wavelength can be seen that the Example and the Comparative Example have similar characteristics.

도 10a 내지 도 10g는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다.10A through 10G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention. Herein, a method of manufacturing the OLED display illustrated in FIG. 8 will be described as an example.

도 10a를 참조하면, 제1 전극(102)과, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)이 순차적으로 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제1 새도우 마스크(160)가 정렬된다. 제1 새도우 마스크(160)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다.Referring to FIG. 10A, a first shadow having an opening corresponding to a second sub-pixel SP2 is formed on a substrate 101 on which a first electrode 102 and first and second hole transport layers 112 and 114 are sequentially formed. Mask 160 is aligned. Since the hole transport material having passed through the first shadow mask 160 is deposited on the substrate 101, the red optical control layer 150 is formed in the second sub pixel SP2.

도 10b를 참조하면, 적색용 광학 조절층(150)이 형성된 기판(101) 상에 제1 서브 화소(SP1)와 대응되는 개구부를 가지는 제2 새도우 마스크(162)가 정렬된다. 이 제2 새도우 마스크(162)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 서브 화소(SP1)에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된다.Referring to FIG. 10B, the second shadow mask 162 having an opening corresponding to the first sub pixel SP1 is aligned on the substrate 101 on which the red optical control layer 150 is formed. Since the hole transport material having passed through the second shadow mask 162 is deposited on the substrate 101, the green optical control layer 152 is formed in the first sub pixel SP1.

도 10c를 참조하면, 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제3 새도우 마스크(164)가 정렬된다. 제3 새도우 마스크(164)를 통과한 적색 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 형성된다.Referring to FIG. 10C, the third shadow mask 164 having an opening corresponding to the second subpixel SP2 is aligned on the substrate 101 on which the green optical control layer 152 is formed. Since the red light emitting material passing through the third shadow mask 164 is deposited on the substrate 101, the second light emitting layer 110b for implementing red R is formed in the second sub-pixel SP2.

도 10d를 참조하면, 제2 발광층(110b)이 형성된 기판(101) 상에 오픈 마스크(170)가 정렬된다. 이 오픈 마스크(170)를 통과한 녹색(G) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 형성된다.Referring to FIG. 10D, the open mask 170 is aligned on the substrate 101 on which the second emission layer 110b is formed. Since the green (G) light emitting material having passed through the open mask 170 is deposited on the substrate 101, the first light emitting layer for implementing green (G) in the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 ( 110a) is formed.

도 10e를 참조하면, 제1 발광층(110a)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제4 새도우 마스크(166)가 정렬된다. 제4 새도우 마스크(166)를 통과한 전하 제어 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에는 전하 제어층(130)이 형성된다.Referring to FIG. 10E, the fourth shadow mask 166 having an opening corresponding to the third sub pixel SP3 is aligned on the substrate 101 on which the first emission layer 110a is formed. Since the charge control material passing through the fourth shadow mask 166 is deposited on the substrate 101, the charge control layer 130 is formed in the third sub pixel SP3.

도 10f를 참조하면, 전하 제어층(130)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제5 새도우 마스크(168)가 정렬된다. 제5 새도우 마스크(168)를 통과한 청색(B) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에는 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 형성된다.Referring to FIG. 10F, a fifth shadow mask 168 having an opening corresponding to the third sub pixel SP3 is aligned on the substrate 101 on which the charge control layer 130 is formed. Since the blue (B) light emitting material passing through the fifth shadow mask 168 is deposited on the substrate 101, a third light emitting layer 110c that implements blue B is formed in the third sub-pixel SP3.

도 10g를 참조하면, 제3 발광층(110c)이 형성된 기판(101) 상에 전자 수송층(116)과, 제2 전극(104)과 캐핑층(120)이 순차적으로 형성된다. 여기서, 제2 전극(104)은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되어 반투과 전극으로 형성된다. Referring to FIG. 10G, the electron transport layer 116, the second electrode 104, and the capping layer 120 are sequentially formed on the substrate 101 on which the third light emitting layer 110c is formed. Here, the second electrode 104 is formed of a metal, an inorganic material, a metal mixed layer or a mixture of a metal and an inorganic material, or a mixture thereof and is formed as a semi-transmissive electrode.

도 11은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치는 제1 내지 제3 발광층(110a,110b,110c) 중 2개의 발광층이 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 공통으로 구비되는 것을 제외하고는 제1 및 제2 실시 예와 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 11, two light emitting layers among the first to third light emitting layers 110a, 110b, and 110c are commonly provided in the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3. Has the same components as the first and second embodiments. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비한다.The first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 have a first emission layer 110a that implements green (G) and a third emission layer 110c that implements blue (B) in common.

구체적으로, 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 순차적으로 적층되므로 제1 서브 화소(SP1)는 녹색광을 구현한다. 즉, 제1 서브 화소(SP1)의 최하부에 위치하는 제1 발광층(110a)에서 생성된 장파장 녹색광은 제3 발광층(110c)에서 생성된 단파장 청색광을 흡수하므로 제1 서브 화소(SP1)에서는 청색광의 혼색없이 녹색광이 출사된다.In detail, the light emitting layer 110 of the first sub-pixel SP1 is formed by sequentially stacking the first light emitting layer 110a implementing green (G) and the third light emitting layer 110c implementing blue (B). One sub-pixel SP1 implements green light. That is, the long wavelength green light generated in the first light emitting layer 110a positioned at the lowermost portion of the first sub pixel SP1 absorbs the short wavelength blue light generated in the third light emitting layer 110c. Green light is emitted without mixing.

제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 순차적으로 적층되므로 제2 서브 화소(SP2)는 적색광을 구현한다. 즉, 제2 서브 화소(SP2)의 최하부에 위치하는 제2 발광층(110b)에서 생성된 적색광은 제1 및 제3 발광층(110a,110c)에서 생성된 녹색 및 청색광보다 장파장이므로 제1 및 제3 발광층(110a,110c)에서 생성된 단파장 녹색광 및 청색광을 흡수한다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP2)에서는 녹색광 및 청색광의 혼색없이 적색광이 출사된다.The light emitting layer 110 of the second sub-pixel SP2 includes a second light emitting layer 110b implementing red (R), a first light emitting layer 110a implementing green (G), and a blue (B). Since the third emission layer 110c is sequentially stacked, the second sub-pixel SP2 implements red light. That is, the red light generated in the second light emitting layer 110b positioned at the lowermost portion of the second sub-pixel SP2 is longer in wavelength than the green and blue light generated in the first and third light emitting layers 110a and 110c. Absorbs short wavelength green light and blue light generated in the light emitting layers 110a and 110c. Accordingly, the red light is emitted from the second sub-pixel SP2 without mixing the green light and the blue light.

제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 순차적으로 적층되고, 제1 및 제3 발광층(110a,110c) 사이에 전하 제어층(130)이 형성되므로 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다. 즉, 전하 제어층(130)은 제1 발광층(110a)으로 전자가 수송되는 것을 차단하도록 rubrene, NPB, TBP, TAPC, TCTA 및 2-TMATA 중 적어도 어느 하나의 전자 차단 재질로 형성된다.In the light emitting layer 110 of the third sub-pixel SP3, the first light emitting layer 110a that implements green (G) and the third light emitting layer 110c that implements blue (B) are sequentially stacked. Since the charge control layer 130 is formed between the third emission layers 110a and 110c, the third sub-pixel SP3 implements blue light. That is, the charge control layer 130 is formed of at least one electron blocking material of rubrene, NPB, TBP, TAPC, TCTA, and 2-TMATA to block electrons from being transported to the first light emitting layer 110a.

이러한 전하 제어층(130)에 의해 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 청색광이 출사된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)에서는 녹색광의 혼색없이 청색광이 출사된다.Since the electrons are not supplied to the first light emitting layer 110a of the third sub pixel SP3 by the charge control layer 130, green light is not generated in the first light emitting layer 110a. The blue light of the third light emitting layer 110c is emitted. Accordingly, blue light is emitted from the third sub-pixel SP3 without mixing green light.

이와 같이, 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비하게 되면, 발광 도펀트의 밴드갭이 큰 발광층이 제2 전극(104)에 가깝게 위치하게 되고, 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층이 제1 전극(102)에 가깝게 위치하게 된다. 여기서, 제1 발광층(110a)의 녹색 도펀트는 제3 발광층(110c)의 청색 도펀트보다는 밴드갭이 작고, 제3 발광층(110c)의 적색 도펀트보다는 밴드갭이 크다. 예를 들어, 적색을 구현하는 제2 발광층(110b)의 적색 도펀트는 약 1.9eV~2.2eV미만이며, 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)의 녹색 도펀트는 약 2.2eV~2.6eV미만이며, 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)의 청색 도펀트는 약 2.6eV~3.0eV미만이다.As described above, the first light emitting layer 110a implementing green (G) and the third light emitting layer 110c implementing blue (B) are commonly provided in the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3. As a result, the light emitting layer having a large band gap of the light emitting dopant is positioned close to the second electrode 104, and the light emitting layer having a small band gap of the light emitting dopant is positioned close to the first electrode 102. Here, the green dopant of the first light emitting layer 110a has a smaller bandgap than the blue dopant of the third light emitting layer 110c and has a larger bandgap than the red dopant of the third light emitting layer 110c. For example, the red dopant of the second light emitting layer 110b that implements red is less than about 1.9 eV to 2.2 eV, and the green dopant of the first light emitting layer 110a that implements green is less than about 2.2 eV to 2.6 eV. The blue dopant of the third emission layer 110c that implements blue is less than about 2.6 eV to 3.0 eV.

즉, 제1 및 제3 서브 화소(SP1,SP3)에서는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)보다 제1 전극(102)에 가깝게 위치하고, 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)이 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)보다는 제2 전극(104)에 가깝게 위치한다.That is, in the first and third sub-pixels SP1 and SP3, the first light emitting layer 110a that implements the green (G) is closer to the first electrode 102 than the third light emitting layer 110c that implements the blue (B). The third light emitting layer 110c that is located close to each other and implements blue is located closer to the second electrode 104 than the first light emitting layer 110a that implements green (G).

제2 서브 화소(SP2)에서는 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 녹색(R) 및 청색(B)을 구현하는 제1 및 제3 발광층(110a,110c)보다 제1 전극(102)에 가깝게 위치하고, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a) 및 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)보다 제2 전극(104)에 가깝게 위치한다.In the second sub-pixel SP2, the second light emitting layer 110b that implements the red R may have a first electrode (rather than the first and third light emitting layers 110a and 110c that implement the green R and blue B). The third light emitting layer 110c which is located closer to 102 and implements blue (B) is the second light emitting layer 110a that implements green (G) and the second light emitting layer 110b that implements red (R). It is located close to the electrode 104.

제1 및 제2 서브 화소(SP1,SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 발광층(110) 사이에는 광학 조절층(150,152)이 형성된다. 녹색을 구현하는 제1 서브 화소(SP1)의 제2 정공 수송층(114)과 제1 발광층(110a) 사이에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성되며, 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 제2 발광층(110b) 사이에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다. 녹색용 광학 조절층(152)은 적색용 광학 조절층(150)보다 두껍게 형성된다. 이러한 광학 조절층(150,152)에 의해 청색(B)을 구현하는 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 가깝고, 적색(R) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 멀고, 녹색(G) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 중간 거리를 가지도록 형성된다. 이에 따라, 각 서브 화소마다 출사광을 보강간섭함으로써 각 서브 화소에서의 수직 방향 효율을 더욱 최적화할 수 있다. 한편, 본 발명의 제3 실시 예에서는 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비하게 되므로, 도 8에 도시된 구조대비 제3 발광층(110c)으로 인해 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리를 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광학 조절층(150,152)은 도 8에 도시된 광학 조절층에 비해 약 200~400Å정도로 두께를 줄일 수 있어 재료비 감소 및 새도우 마스크의 교체 주기를 개선할 수 있다.Optical control layers 150 and 152 are formed between the second hole transport layer 114 and the light emitting layer 110 of the first and second sub-pixels SP1 and SP2. A green optical control layer 152 is formed between the second hole transport layer 114 and the first emission layer 110a of the first sub-pixel SP1 that implements green, and the second sub-pixel SP2 that implements red. The optical control layer 150 for red is formed between the second hole transport layer 114 and the second light emitting layer 110b of FIG. The green optical control layer 152 is formed thicker than the red optical control layer 150. The distance between the first and second electrodes 102 and 104 of the sub pixel implementing blue (B) is the closest by the optical control layers 150 and 152, and the first and second electrodes 102 and 104 of the red sub pixel. The distance between them is the longest, and the distance between the first and second electrodes 102 and 104 of the green (G) sub-pixel is formed to have an intermediate distance. As a result, the vertical efficiency in each sub-pixel can be further optimized by constructively interfering the emitted light for each sub-pixel. Meanwhile, in the third embodiment of the present invention, the first light emitting layer 110a implementing green (G) and the third light emitting layer 110c implementing blue (B) are formed in each of the sub-pixels SP1, SP2, and SP3. Since it is provided in common, the distance between the first and second electrodes (102, 104) can be maintained due to the third light emitting layer (110c) compared to the structure shown in FIG. Therefore, the optical control layers 150 and 152 according to the second embodiment of the present invention can reduce the thickness by about 200 ~ 400150 compared to the optical control layer shown in Figure 8 can reduce the material cost and improve the replacement period of the shadow mask have.

이러한, 광학 조절층(150,152)은 제1 및 제2 정공 수송층(112,114) 중 어느 하나와 동일한 정공 수송 물질로 형성된다. 예를 들어, 광학 조절층(150,152)은 정공 호스트에 p형 도펀트가 1~10%의 농도로 도핑되어 형성된 제1 정공 수송층(112)과 동일 재질로 형성된다. 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 NPB, PPD, TPAC, BFA-1T 또는 TBDB 등의 재질로 형성되며, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. p형 도펀트는 [F4-TCNQ], [1,4-TCAQ], [6,3-TCPQ], [TCAQ], [TCNTHPQ] 또는 [TCNPQ] 등의 재질로 형성된다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트의 도핑 농도는 서로 동일하거나 다를 수 있다. The optical control layers 150 and 152 are formed of the same hole transport material as any one of the first and second hole transport layers 112 and 114. For example, the optical control layers 150 and 152 are formed of the same material as the first hole transport layer 112 formed by doping the p-type dopant to a hole host at a concentration of 1 to 10%. The host used in each of the first and second hole transport layers 112 and 114 and the optical control layers 150 and 152 is formed of a material such as NPB, PPD, TPAC, BFA-1T or TBDB, and the first and second hole transport layers 112 and 114. ) And the host used in each of the optical control layers 150 and 152 may be the same or different from each other. The p-type dopant is formed of a material such as [F4-TCNQ], [1,4-TCAQ], [6,3-TCPQ], [TCAQ], [TCNTHPQ], or [TCNPQ]. The p-type dopants used in the optical control layers 150 and 152 and the first hole transport layer 112 may be the same or different from each other. Doping concentrations of the p-type dopant used in the optical control layers 150 and 152 and the first hole transport layer 112 may be the same or different.

표 2는 본 발명의 실시 예들과 비교예에 따른 전광 특성을 설명하기 위한 표이다.Table 2 is a table for explaining the electro-optical characteristics according to the embodiments and comparative examples of the present invention.

조건Condition cd/Acd / A 비교예(R)Comparative Example (R) 51.551.5 실시예2(R)Example 2 (R) 52.852.8 실시예3(R)Example 3 (R) 51.651.6 비교예(G)Comparative Example (G) 114.0114.0 실시예2(G)Example 2 (G) 113.3113.3 실시예3(G)Example 3 (G) 115.0115.0 비교예(B)Comparative Example (B) 5.65.6 실시예2(B)Example 2 (B) 5.55.5 실시예3(B)Example 3 (B) 5.55.5

표 2에서 비교예(R)은 적색 발광층만으로 이루어진 적색 서브 화소이며, 비교예(G)은 녹색 발광층만으로 이루어진 녹색 서브 화소이며, 비교예(B)은 청색 발광층만으로 이루어진 청색 서브 화소이며, 실시예2(R), 실시예2(G) 및 실시예2(B)는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 적색을 구현하는 제2 서브 화소, 녹색을 구현하는 제1 서브화소 및 청색을 구현하는 제3 서브 화소이며, 실시예3(R), 실시예3(G) 및 실시예3(B)는 도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치의 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2), 녹색을 구현하는 제1 서브화소(SP1) 및 청색을 구현하는 제3 서브 화소(SP3)이다. 표 2에 기재된 바와 같이 본 발명의 실시 예들과, 비교예는 효율(cd/A) 등의 전광 특성이 서로 유사함을 알 수 있다. In Table 2, Comparative Example (R) is a red subpixel consisting of only a red light emitting layer, Comparative Example (G) is a green subpixel consisting only of a green light emitting layer, and Comparative Example (B) is a blue subpixel consisting of only a blue light emitting layer. 2 (R), Embodiment 2 (G), and Embodiment 2 (B) may include a second sub pixel implementing red, a first sub pixel implementing green, and blue of the OLED display illustrated in FIG. 8. The third sub-pixels of Embodiment 3 (R), the third embodiment (G) and the third embodiment (B) are the second sub-pixel (SP2), which implements the red color of the organic light emitting display shown in FIG. The first subpixel SP1 implements green and the third subpixel SP3 implements blue. As shown in Table 2, it can be seen that the embodiments of the present invention and the comparative example have similar electrical light characteristics such as efficiency (cd / A).

한편, 각 서브 화소마다 두 개의 발광층을 공통으로 구비하는 본 발명의 제3 실시 예는 한 개의 발광층을 공통으로 구비하는 본 발명의 다른 실시 예에 비해 구동 전압이 상승할 수 있다. 그러나, 적색 및 녹색을 구현하는 서브 화소에서는 전자 이동도가 높은 호스트를 이용하고, 청색을 구현하는 서브 화소에서는 정공 이동동가 높은 호스트를 이용한다면, 구동 전압 상승을 방지할 수 있다.On the other hand, the third embodiment of the present invention having two light emitting layers in common for each sub pixel may have a higher driving voltage than other embodiments of the present invention having one light emitting layer in common. However, if a host having a high electron mobility is used in a sub pixel that implements red and green, and a host having a hole hole mobility that is used in a sub pixel that implements blue, driving voltage increase can be prevented.

도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서는 도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다.12A to 12G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention. Here, a method of manufacturing the OLED display illustrated in FIG. 11 will be described as an example.

도 12a를 참조하면, 제1 전극(102)과, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)이 순차적으로 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제1 새도우 마스크(160)가 정렬된다. 제1 새도우 마스크(160)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다.Referring to FIG. 12A, a first shadow having an opening corresponding to a second sub-pixel SP2 is formed on a substrate 101 on which a first electrode 102 and first and second hole transport layers 112 and 114 are sequentially formed. Mask 160 is aligned. Since the hole transport material having passed through the first shadow mask 160 is deposited on the substrate 101, the red optical control layer 150 is formed in the second sub pixel SP2.

도 12b를 참조하면, 적색용 광학 조절층(150)이 형성된 기판(101) 상에 제1 서브 화소(SP1)와 대응되는 개구부를 가지는 제2 새도우 마스크(162)가 정렬된다. 이 제2 새도우 마스크(162)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 서브 화소(SP1)에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된다.Referring to FIG. 12B, the second shadow mask 162 having an opening corresponding to the first sub pixel SP1 is aligned on the substrate 101 on which the red optical control layer 150 is formed. Since the hole transport material having passed through the second shadow mask 162 is deposited on the substrate 101, the green optical control layer 152 is formed in the first sub pixel SP1.

도 12c를 참조하면, 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제3 새도우 마스크(164)가 정렬된다. 제3 새도우 마스크(164)를 통과한 적색 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 형성된다.Referring to FIG. 12C, the third shadow mask 164 having an opening corresponding to the second subpixel SP2 is aligned on the substrate 101 on which the green optical control layer 152 is formed. Since the red light emitting material passing through the third shadow mask 164 is deposited on the substrate 101, the second light emitting layer 110b for implementing red R is formed in the second sub-pixel SP2.

도 12d를 참조하면, 제2 발광층(110b)이 형성된 기판(101) 상에 제1 오픈 마스크(170)가 정렬된다. 이 제1 오픈 마스크(170)를 통과한 녹색(G) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 형성된다.Referring to FIG. 12D, the first open mask 170 is aligned on the substrate 101 on which the second emission layer 110b is formed. Since the green (G) light emitting material passing through the first open mask 170 is deposited on the substrate 101, the first to third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 implement green (G). The light emitting layer 110a is formed.

도 12e를 참조하면, 제1 발광층(110a)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제4 새도우 마스크(166)가 정렬된다. 제4 새도우 마스크(1660를 통과한 전하 제어 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에는 전하 제어층(130)이 형성된다.Referring to FIG. 12E, the fourth shadow mask 166 having an opening corresponding to the third sub pixel SP3 is aligned on the substrate 101 on which the first emission layer 110a is formed. Since the charge control material passing through the fourth shadow mask 1660 is deposited on the substrate 101, the charge control layer 130 is formed in the third sub pixel SP3.

도 12f를 참조하면, 전하 제어층(130)이 형성된 기판(101) 상에 제2 오픈 마스크(172)가 정렬된다. 제2 오픈 마스크(172)를 통과한 청색(B) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2SP3)에는 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 형성된다.Referring to FIG. 12F, the second open mask 172 is aligned on the substrate 101 on which the charge control layer 130 is formed. Since the blue (B) light emitting material passing through the second open mask 172 is deposited on the substrate 101, the third light emitting layer 110c for implementing blue (B) in the first to third sub-pixels SP1 and SP2SP3. ) Is formed.

도 12g를 참조하면, 제3 발광층(110c)이 형성된 기판(101) 상에 전자 수송층(116)과, 제2 전극(104)과 캐핑층(120)이 순차적으로 형성된다. 여기서, 제2 전극(104)은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되어 반투과 전극으로 형성된다.Referring to FIG. 12G, the electron transport layer 116, the second electrode 104, and the capping layer 120 are sequentially formed on the substrate 101 on which the third emission layer 110c is formed. Here, the second electrode 104 is formed of a metal, an inorganic material, a metal mixed layer or a mixture of a metal and an inorganic material, or a mixture thereof and is formed as a semi-transmissive electrode.

한편, 본 발명의 제3 실시 예와 같이 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비하게 되면, 최대 1개의 전하 제어층(130)을 통해 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서는 적색, 녹색 및 청색광을 구현할 수 있다. 반면에, 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 적색을 구현하는 발광층과, 녹색 또는 청색을 구현하는 발광층을 공통으로 구비하게 되면, 적어도 2개의 전하 제어층이 필요하므로 본 발명의 제3 실시 예에 비해 새도우 마스크 수가 증가해 공정이 복잡해진다.Meanwhile, as in the third exemplary embodiment, the first light emitting layer 110a implementing green (G) and the third light emitting layer 110c implementing blue (B) in each of the sub-pixels SP1, SP2, and SP3. In common, red, green, and blue light may be implemented in each of the sub-pixels SP1, SP2, and SP3 through at most one charge control layer 130. On the other hand, when each of the sub-pixels SP1, SP2, and SP3 includes a light emitting layer that implements red and a light emitting layer that implements green or blue in common, at least two charge control layers are required. Compared to the example, the number of shadow masks increases, which complicates the process.

한편, 본 발명의 제1 내지 제3 실시 예와 같이, 각 서브 화소마다 제1 및 제2 전극 간의 거리는 상이할 수 있다. On the other hand, as in the first to third embodiments of the present invention, the distance between the first and second electrodes may be different for each sub-pixel.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

102 : 제1 전극 104 : 제2 전극
110 : 발광층 116 : 전자 수송층
130 : 전하 제어층102: first electrode 104: second electrode
110: light emitting layer 116: electron transport layer
130: charge control layer

Claims (22)

서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 구비하며,
상기 제1 내지 제3 서브 화소 각각은
기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과;
상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는제1 발광층과, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층 및 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층을 포함하는 발광층과;
상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층과;
상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 배치되는 전자 수송층과;
상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이 및 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 전하 제어층을 구비하며,
상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 배치되며,
상기 제2 서브 화소에는 상기 정공 수송층과, 적색을 구현하는 상기 제2 발광층 및 상기 제1 발광층이 적층되며,
상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층 및 상기 전자 수송층이 적층되는 유기 발광 표시 장치.First to third sub-pixels that implement different colors,
Each of the first to third sub pixels
First and second electrodes facing each other on the substrate;
A first emission layer disposed between the first and second electrodes and implementing colors of the first sub-pixel, a second emission layer implementing the color of the second sub-pixel, and a color of the third sub-pixel; A light emitting layer including a third light emitting layer;
A hole transport layer disposed between the first electrode and the light emitting layer;
An electron transport layer disposed between the second electrode and the light emitting layer;
And a charge control layer disposed between at least one of the first and second light emitting layers of the second sub pixel and between the first and third light emitting layers of the third sub pixel.
The first emission layer embodying the green color of the first sub pixel is commonly disposed in the first to third sub pixels.
The hole transport layer, the second light emitting layer and the first light emitting layer implementing red color are stacked on the second sub pixel.
And a first light emitting layer, a charge control layer, a third light emitting layer for implementing blue color, and an electron transporting layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리는 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 길고, 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 짧은 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The distance between the first and second electrodes positioned in the first sub-pixel is longer than the distance between the first and second electrodes positioned in the third sub-pixel and the first and second positions located in the second sub-pixel. An organic light emitting display device having a shorter distance between electrodes. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이와, 상기 제2 서브 화소의 상기 제2 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 배치되는 광학 조절층을 추가로 구비하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 2,
And an optical control layer disposed between the first light emitting layer and the hole transport layer of the first sub pixel and between the second light emitting layer and the hole transport layer of the second sub pixel. 제 3 항에 있어서,
상기 제1 서브 화소에 배치되는 상기 광학 조절층의 두께는 상기 제2 서브 화소에 배치되는 상기 광학 조절층의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치.The method of claim 3, wherein
The thickness of the optical control layer disposed in the first sub-pixel is thicker than the thickness of the optical control layer disposed in the second sub-pixel. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 서브 화소에 위치하는 제2 발광층의 두께는 상기 제3 서브 화소에 위치하는 제3 발광층의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The thickness of the second light emitting layer positioned in the second sub pixel is thicker than the thickness of the third light emitting layer positioned in the third sub pixel. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이에 배치되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 정공 수송을 차단하며,
상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이에 배치되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 전자 수송을 차단하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The charge control layer disposed between the first and second light emitting layers of the second sub-pixel blocks hole transport transferred to the first light emitting layer,
And a charge control layer disposed between the first and third light emitting layers of the third sub-pixel to block electron transport from being transferred to the first light emitting layer. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 상기 제3 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 배치되도록 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층 상에 배치되는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
An organic light emitting display disposed on the first emission layer positioned in the first to third subpixels so that the third emission layer that implements the color of the third subpixel is disposed in common with the first to third subpixels. Device. 제 9 항에 있어서,
상기 제1 서브 화소에는 상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되며,
상기 제2 서브 화소에는 상기 제2 서브 화소의 적색을 구현하는 상기 제2 발광층과, 상기 제1 발광층과, 상기 제3 발광층이 적층되며,
상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 상기 제3 서브 화소의 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 9,
The first light emitting layer for implementing the green color of the first sub pixel and the third light emitting layer for implementing the blue color are stacked on the first sub pixel.
The second light emitting layer, the first light emitting layer, and the third light emitting layer, which implements the red color of the second sub pixel, are stacked on the second sub pixel.
And the third light emitting layer, the first light emitting layer, the charge control layer, and the third light emitting layer that implements blue of the third subpixel are stacked on the third subpixel. 제 1 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭은 상기 적색을 구현하는 상기 제2 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 크고 상기 청색을 구현하는 상기 제3 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 작으며,
상기 각 서브 화소에서 상기 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층은 상기 제1 전극에 가깝게 위치하며, 상기 발광 도펀트의 밴드갭은 큰 발광층은 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1 or 10,
The bandgap of the light emitting dopant included in the first light emitting layer that implements the green color is greater than the bandgap of the light emitting dopant included in the second light emitting layer that implements the red color and the light emission included in the third light emitting layer that implements the blue color. Less than the bandgap of the dopant,
And a light emitting layer having a small band gap of the light emitting dopant in each of the sub-pixels is positioned close to the first electrode, and a light emitting layer having a large band gap of the light emitting dopant is located in the vicinity of the second electrode. 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 제1 내지 제3 서브 화소의 제1 전극을 기판 상에 형성하는 단계와;
상기 제1 전극이 형성된 기판 상에 정공 수송층을 형성하는 단계와;
상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는제1 발광층과, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층 및 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층을 포함하는 발광층을 형성하는 단계와;
상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이 및 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이 중 적어도 어느 하나에 전하 제어층을 형성하는 단계와;
상기 발광층이 형성된 기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계와;
상기 전자 수송층이 형성된 기판 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 배치되며,
상기 제2 서브 화소에는 상기 정공 수송층과, 적색을 구현하는 상기 제2 발광층 및 상기 제1 발광층이 적층되며,
상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층 및 상기 전자 수송층이 적층되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device having first to third subpixels that implement different colors.
Forming first electrodes of the first to third sub-pixels on a substrate;
Forming a hole transport layer on the substrate on which the first electrode is formed;
A first emission layer that implements the color of the first sub-pixel, a second emission layer that implements the color of the second sub-pixel, and a third emission layer that implements the color of the third sub-pixel, on the substrate on which the hole transport layer is formed Forming a light emitting layer comprising a;
Forming a charge control layer on at least one of the first and second light emitting layers of the second sub pixel and between the first and third light emitting layers of the third sub pixel;
Forming an electron transporting layer on the substrate on which the light emitting layer is formed;
Forming a second electrode on the substrate on which the electron transport layer is formed;
The first emission layer embodying the green color of the first sub pixel is commonly disposed in the first to third sub pixels.
The hole transport layer, the second light emitting layer and the first light emitting layer implementing red color are stacked on the second sub pixel.
And manufacturing the first light emitting layer, the charge control layer, the third light emitting layer implementing the blue color, and the electron transporting layer on the third sub pixel. 제 12 항에 있어서,
상기 제1 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리는 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 길고, 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 짧은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The distance between the first and second electrodes positioned in the first sub-pixel is longer than the distance between the first and second electrodes positioned in the third sub-pixel and the first and second positions located in the second sub-pixel. A method of manufacturing an organic light emitting display device that is shorter than a distance between electrodes. 제 13 항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이와, 상기 제2 서브 화소의 제2 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 광학 조절층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 13,
And forming an optical control layer between the first emission layer and the hole transport layer of the first sub pixel and between the second emission layer and the hole transport layer of the second sub pixel. Way. 제 14 항에 있어서,
상기 제1 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께는 상기 제2 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 14,
The thickness of the optical control layer formed on the first sub-pixel is greater than the thickness of the optical control layer formed on the second sub-pixel. 제 12 항에 있어서,
상기 제2 서브 화소에 위치하는 제2 발광층의 두께는 상기 제3 서브 화소에 위치하는 제3 발광층의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The thickness of the second light emitting layer positioned in the second sub pixel is greater than the thickness of the third light emitting layer positioned in the third sub pixel. 삭제delete 제 12 항에 있어서,
상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 정공 수송을 차단하며,
상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 전자 수송을 차단하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The charge control layer formed between the first and second light emitting layers of the second sub-pixel blocks hole transport transferred to the first light emitting layer,
And a charge control layer formed between the first and third light emitting layers of the third sub pixel to block electron transport from being transferred to the first light emitting layer. 제 12 항에 있어서,
상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는
상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 제1 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와;
상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와;
상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 상기 제3 서브 화소에 제2 새도우 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
Forming the light emitting layer on the substrate on which the hole transport layer is formed
Forming the second light emitting layer by using a first shadow mask on the second sub pixel on the substrate on which the hole transport layer is formed;
Forming the first emission layer in common by using an open mask in the first to third sub-pixels on the substrate on which the second emission layer is formed;
And forming the third light emitting layer on the third sub-pixel on the substrate on which the first light emitting layer is formed by using a second shadow mask. 제 12 항에 있어서,
상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 상기 제3 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되도록 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 위치하는 제1 발광층 상에 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The third light emitting layer for implementing the color of the third subpixel is formed on the first light emitting layer positioned in the first to third subpixels so as to be formed in common with the first to third subpixels. Method of preparation. 제 20 항에 있어서,
상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는
상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와;
상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와;
상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 상기 오픈 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 공통으로 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 20,
Forming the light emitting layer on the substrate on which the hole transport layer is formed
Forming the second light emitting layer using a shadow mask on the second sub pixel on the substrate on which the hole transport layer is formed;
Forming the first emission layer in common by using an open mask in the first to third sub-pixels on the substrate on which the second emission layer is formed;
And forming the third light emitting layer in common in the first to third sub-pixels on the substrate on which the first light emitting layer is formed by using the open mask. 제 19 항 또는 제 21 항에 있어서,
상기 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭은 상기 적색을 구현하는 상기 제2 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 크고 상기 청색을 구현하는 상기 제3 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 작으며,
상기 각 서브 화소에서 상기 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층은 상기 제1 전극에 가깝게 위치하며, 상기 발광 도펀트의 밴드갭은 큰 발광층은 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 19 or 21,
The bandgap of the light emitting dopant included in the first light emitting layer that implements the green color is greater than the bandgap of the light emitting dopant included in the second light emitting layer that implements the red color and the light emission included in the third light emitting layer that implements the blue color. Less than the bandgap of the dopant,
And a light emitting layer having a small band gap of the light emitting dopant in each of the sub-pixels is located close to the first electrode, and a light emitting layer having a large band gap of the light emitting dopant is located in the vicinity of the second electrode.
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