KR20150046598A - 가스센서패키지 - Google Patents

가스센서패키지 Download PDF

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KR20150046598A
KR20150046598A KR20130126035A KR20130126035A KR20150046598A KR 20150046598 A KR20150046598 A KR 20150046598A KR 20130126035 A KR20130126035 A KR 20130126035A KR 20130126035 A KR20130126035 A KR 20130126035A KR 20150046598 A KR20150046598 A KR 20150046598A
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gas
substrate
gas sensing
sensing
conductive pattern
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KR20130126035A
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백지흠
배윤미
황고은
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예들은, 가스센싱소자가 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 실장되어 기판에 형성된 가스인입홀을 통해 센싱할 수 있도록 함과 동시에, 가스센싱소자 내부에 가스체류영역을 마련하여 센싱효율을 높이도록 해, 매우 박형화(Slim)한 구조의 가스센서를 형성할 수 있도록 한다.

Description

가스센서패키지{PACKAGE FOR GAS SENSOR}
본 발명의 실시예 들은 가스센서패키지에 관한 것이다.
가스센서가 가져야 하는 조건으로는 얼마나 빨리 반응을 할 수 있는지를 보여주는 신속성, 얼마나 미세한 양이 검출이 되어도 반응할 수 있는지를 보여주는 민감성, 얼마나 오랫동안 동작을 할 수 있는지를 보여주는 내구성, 그리고 소비자가 얼마나 부담 없이 센서를 사용할 수 있는지를 보여주는 경제성 등의 특성을 요구하고 있다. 또 기존의 반도체 공정 기술과 결합하기 위해서는 집적화, 나열화 하기 쉬운 특성을 갖고 있어야 한다. 실용적인 가스센서로는 산화주석(SnO2)을 재료로 해서 만들어진 가정용 가스 누출 경보기 등이 폭넓게 보급되어 있다. 동작원리로는 가스양의 변화에 따라서 저항 값이 변화하는 것을 이용한 반도체형과 일정 주파수를 갖고 진동하고 있는 진동자에 가스가 흡착되면 진동수가 바뀌는 것을 이용한 진동자형이 있다. 대부분의 가스센서는 회로가 간단하고 상온에서 안정적인 열 적인 특성을 보이는 반도체형을 이용하고 있다.
일반적으로 가스센서는 가스센싱물질이나 센싱칩을 실장하는 구조의 패키지 구조를 가지고 있으며, 종래에는 가스센싱물질이나 센싱칩의 상면 보호를 위한 별도의 캡부재를 구비하여야 하며, 이러한 캡부재 상면에는 미세한 망으로 형성되어 있는 메쉬형상의 부재를 마련하여 가스통기가 가능하도록 형성하고 있다.
이러한 가스센싱을 위한 센싱패키지는 이러한 캡부재 및 메쉬형부재로 인해 상부 구조의 높이가 커지고, 센서칩과 전극부와의 연결에 있어서, 와이어본딩을 사용하게 되어 센서칩보다 전체 패키지 사이즈가 수배~수십배 커지게 되며, 이러한 문제로 가스센서의 소형화가 구현되지 못하는 한계로 작용하고 있다.
본 발명의 실시예 들은 상술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 가스센싱소자가 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 실장되어 기판에 형성된 가스인입홀을 통해 센싱할 수 있도록 함과 동시에, 가스센싱소자 내부에 가스체류영역을 마련하여 센싱효율을 높이도록 해, 매우 박형화(Slim)한 구조의 가스센서를 형성할 수 있는 가스센서패키지를 제공할 수 있도록 한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 실시예에서는, 도전패턴 및 개방영역을 포함하는 제1기판; 상기 도전패턴에 실장되는 가스센싱소자;를 포함하며, 상기 가스센싱소자의 가스센싱부가 상기 개방영역과 대응되도록 배치되는 가스센서패키지를 제공한다. 특히 이 경우 본 발명의 실시예에 따른 상기 가스센싱소자는, 하면 및 측벽부를 포함하여 가스체류영역을 마련하는 소자몸체; 상기 가스체류영역 또는 상기 개방영역을 경유하는 가스를 감지하는 가스감지부;를 포함하여 구성된다.
본 발명의 실시예예 따르면, 가스센싱소자가 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 실장되어 기판에 형성된 가스인입홀을 통해 센싱할 수 있도록 함과 동시에, 가스센싱소자 내부에 가스체류영역을 마련하여 센싱효율을 높이도록 해, 매우 박형화(Slim)한 구조의 가스센서를 형성할 수 있는 효과가 있다.
특히, 가스센싱소자가 기판의 금속전극에 직접 실장되는 바 와이어 본딩이 불필요하여 패키지 면적이 줄어들며, 패키지 전체 높이를 줄일 수 있는 장점이 구현된다.
또한, 기존 가스센싱패키지에 필수적인 센서칩 상부의 센싱부를 보호하기 위한 별도의 캡이 불필요하여 제조원가를 더욱 절감하는 한편, 패키지를 더욱 소형화할 수 있게 된다.
아울러, 센싱을 위한 가스의 통로를 기판의 가스인입홀을 통한 1차 가스유입외에도 칩의 측면의 이격부를 통해 가스유입이 이루어져 효율적인 센싱이 구현될 수 있는 장점도 있다.
본 발명의 다양한 실시예의 가스센서패키지는 상술한 슬림화와 다기능화를 통해 전제 패키지의 사이즈의 축소 및 원가절감이 반영된 IT 기기 전반에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지의 단면 개념도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1의 가스센서패키지에 실장되는 본 발명의 실시예에 따른 가스센싱소자의 구조를 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 실시예에 따른 가스센서패키지의 결합개념도이며, 도 4는 도 3의 결합 후 가스센서패키지의 상부평면도를 도시한 것이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지와 인쇄회로기판인 제2기판을 실제로 결합한 구조를 예시한 작용상태도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)" 에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접 (directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지의 단면 개념도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1의 가스센서패키지에 실장되는 본 발명의 실시예에 따른 가스센싱소자의 구조를 도시한 것이다.
도시된 도 1 및 도 2를 참조하면, 도전패턴(211, 212) 및 개방영역(220)을 포함하는 제1기판(210)과 상기 도전패턴(211, 212)에 실장되는 가스센싱소자(100)를 포함하며, 상기 가스센싱소자(100)의 가스센싱부(110)가 상기 개방영역(220)과 대응되도록 배치된다. 상기 개방영역(220)은 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지를 플립칩본딩 방식으로 구현할 수 있도록 하는 기본 구성이 되며, 가스센싱소자(100) 내부의 가스체류영역(140)과 함께 가스 감지 효율을 높일 수 있도록 한다.
상기 가스센싱소자(100)은 기본적으로 가스를 감지하는 기능을 수행하는 것으로, 가스센싱이 가능한 센싱물질을 포함하는 기능부로, 통상 상용화된 모든 가스센싱방식의 구조물을 통칭하여 적용할 수 있는 것으로, 산화물반도체를 이용한 센싱소자, 탄소나노튜브를 이용한 센싱소자, 기타 다양한 센싱반도체 칩 등을 모두 적용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 특징적으로 이러한 가스센싱소자(100)를 실장되는 제1기판(100)의 표면에 마주하도록 실장한다. 즉, 상기 가스센싱소자(100)의 패드부와 상기 제1기판의 금속패턴(211, 212)이 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 직접 결착하도록 하여, 본딩 와이어를 제거할 수 있도록 함으로써, 패키지 면적이 줄어들고, 별도의 가스센싱부 상부에 캡부재나 메쉬부재등의 기구물이 불필요한바, 패키지를 더욱 소형화할 수 있으며 제조원가를 절감할 수 있게 된다. 구체적으로는, 본 발명의 실시예에 따른 가스센싱소자(100)은 도 2에 도시된 것과 같이, 하면(121) 및 측벽부(122)를 포함하여 가스체류영역(140)을 마련하는 소자몸체(120)와 상기 가스체류영역(140) 또는 상기 제1기판(210)의 개방영역(220)을 경유하는 가스를 감지하는 가스감지부(110)를 포함하여 구성될 수 있다.
특히, 상기 소자몸체(120)은 하면(121)의 대향하는 상면이 개구되는 구조로 상기 하면(121)의 내부표면의 반대면에 상기 가스감지부(110)가 배치되는 구조로 구현될 수 있다. 상기 가스감지부(110)의 효율을 높이기 위해 상기 하면(121)에는 다수의 연통홀이 형성될 수 있으며, 도 1의 구조에서 제1기판의 개방영역(220)을 통과한 가스나 가스센싱소자의 전체를 커버하여 보호하는 보호부(150)의 측면을 통해 인입되는 가스가 가스체류영역에 체류하여 가스감지 효율을 높일 수 있게 된다(도 3 참조).
상기 제1기판(210)은 절연성을 가지는 물질로 형성되는 것이면 모두 적용이 가능하며, 예를 들어 PI, PET, PPG 등이 적용될 수 있다. 또한, 상기 제1기판(210)은 상기 개방영역(220) 외에 상기 제1기판(210)과 외부의 기판이나 대상물과의 결합을 위한 관통홀(231)이 다수 구비되며, 특히 상기 관통홀(231)은 도 1에 도시된 것과 같이 금속물질로 충진(이하, 금속충진부(230))되며, 상기 금속충진부(230)는 도시된 것과 같이 일정부분 상기 제1기판(210)의 하부로 돌출되는 구조로 형성된다. 이렇게 돌출되는 구조는 상기 제1기판(210)의 하부에 인쇄회로기판과 같은 구조의 제2기판이 추가로 결합하는 경우, 제1기판(210)과 결합되는 부위는 금속충진부(230)의 돌출되는 말단부가 되게 되며, 돌출되는 길이로 인해 상기 제1기판과 제2기판은 자연스럽게 이격부를 형성하게 된다. 상기 이격부는 제1 및 제2기판의 사이에 자연스러운 가스이동통로를 구현하게 되며, 따라서 가스의 자유로운 이동을 보장하여 가스 센싱 효율을 더욱 높일 수 있게 한다.
또한, 상기 제1기판(210)의 상부면의 도전패턴(211, 212)은 상기 가스센싱소자(100)의 접합패드부(130) 또는 금속전극과 직접 접합되게 되며, 일반적으로 Cu 층에 Ag, Au, Sn 등의 표면처리 도금층을 포함하는 구조로 형성되어 상기 금속전극과 접합성을 향상시킬 수 있도록 함이 바람직하다.
특히, 상기 금속패턴(211, 212)의 두께를 조절하여 1㎛~수백㎛의 범위로 형성하여 가스센싱소자(100)의 측면부로 가스의 통기가 가능하도록 하는 역할을 수행하도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지는 도 1에 도시된 것과 같이, 가스센싱부(110)는 외부의 가스가 이동하여 가스와 접촉할 수 있는 제1기판(100)의 개방영역(220)과 대응되도록 어라인 됨이 바람직하다. 이는 가스와 접촉효율을 높일 수 있도록 가스인입홀을 통해 상기 가스센싱부(110)가 노출되는 구조, 즉 가스센싱부(110)와 개방영역(220)의 중심부가 어라인되도록 배치하는 것이 센싱효율면에서 가장 효율적이다. 물론, 이에 한정되는 것은 아니며, 어라인 구성이 일정 범위에서 어긋나도록 배치하는 것도 가능하며, 이 경우 본 발명이 실시예에서 가스센싱소자의 측면에서 가스이동이격부 등을 통해 가스검출을 보완할 수 있는바, 센싱효율의 향상의 효과를 동일하게 구현될 수 있게 된다. 아울러, 상기 제1기판상에 실장되는 고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자를 더 포함할 수 있다. 이러한 고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자의 경우 저항방식을 전압방식 출력으로 전환하며, 특히 NTC의 경우 온도에 따른 초기 센싱물질에 저항변화값을 보상하여 일정한 초기 전압값을 가질 수 있도록 할 수도 있다.
도 3은 도 1의 실시예에 따른 가스센서패키지의 결합개념도이며, 도 4는 도 3의 결합 후 가스센서패키지의 상부평면도를 도시한 것이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명이 실시예에 따른 가스센서패키지의 경우, 제1기판(210)에 마련되는 개방영역(220)을 통해서 통기가 이루어져 하부에서 가스가 인입될 수 있도록 한다. 또한, 제1기판(210) 표면에 마련된 다수의 도전패턴(211, 212)과는 가스센싱소자의 접합패드부(또는 금속전극)(130)이 결합할 수 있도록해, 가스센싱소자와 제1기판(210)간에 플립칩 본딩 방식의 결합이 이루어질 수 있도록 한다.
상기 가스센싱소자(100)은 내부에 소자몸체(120)의 측벽부로 구현되는 가스체류영역(140)이 마련되며, 상부는 개구된 구조로 구현되며, 상기 가스센싱소자(100)의 소자몸체 상부에는 도시된 것과 같이 몰딩재를 이용한 보호부(150)이 결합하게 된다. 상기 보호부(150)은 다양한 몰딩재를 적용할 수 있으며, 일예로 에폭시 등의 고점도 몰딩재를 이용하여 가스센싱소자(100)을 둘러싸는 형식으로 형성된다. 이 경우 특히 상기 보호부(150)의 형상을 도 3에 도시된 것과 같이, 측면의 일부, 또는 전부를 개방된 구조(151)로 형성하여 측면에서 자유로운 가스이동이 이루어질 수 있도록 한다(도 4의 측면통기 구조X1, X2 참조).
도시되지는 않았으나, 본 발명에 따른 가스센서패키지는 고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자 등을 더 포함할 수 있으며, 이 경우에도 몰딩재를 통해 보호부를 구현할 수 있다.
상기 보호부(150)를 구현하는 몰딩재의 경우 고점도 몰딩재를 적용하는 경우 뿐 아니라 점도가 낮은 저점도 몰딩재를 적용하는 경우에는, 가스센싱소자(100)나 고정저항 또는 NTC(negative temperature coefficient thermistor) 소자의 상부면을 제외한 주변부만을 몰딩 고정하여 가스센싱소자(100)의 내부의 가스체류영역을 유지하도록 하여 센싱효율을 향상할 수 있다. 상기 보호부(150)은 종래의 센싱부 상부의 캡부재나 메쉬부재와는 달리, 가스센싱소자 자체를 고정하기 위한 고정물질인바, 그 크기의 증가는 매우 작아 크기 증가에 영향이 크지 않다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지와 인쇄회로기판인 제2기판(500)을 실제로 결합한 구조를 예시한 작용상태도이다. 특히, 도 5는 고점도 몰딩재를 적용하여 가스센싱소자(100) 전체를 둘러싸고, 정면으로 보이는 부분의 측면부는 개구된 구조로 구현한 제1보호부(300)를 예시한 것이다. 또한, 도 6은 가스센싱소자(100)의 측면부만을 제2보호부(300)로 몰딩하는 구조로 구현한 것이다. 또한, 가스센싱소자와 인접하여 고정저항(400) 등의 소자가 추가된 구조로 예시한 것이다.
도시된 구조에서, 본 발명의 실시예에 따른 가스센서패키지(100)이 실장되는 제1기판(210)과 인쇄회로기판인 제2기판(500) 사이에는 금속충진부(230)의 돌출영역(240)과 제2기판(500)의 표면이 결합하여 이격부(510)를 형성하며, 이 이격부를 통해 가스가 이동할 경로(X, Y)가 마련될 수 있다. 특히, 제1기판(210)의 개방영역(220)을 통해 가스센싱부(110)으로 가스가 이동되어 접촉 감지가 이루어지는 한편, 상술한 것과 같이, 도전패턴(210)의 두께를 조절하여 가스이동통로를 확보하는 한편, 상술한 보호부(300: 도 1에서 150)의 측면을 개방하여 가스센싱소자의 측면에서도 가스체류영역(140)으로 가스가 이동할 수 있도록 할 수 있다.
종래의 가스센서들이 기판의 상부면을 바라보도록 가스센싱부를 배치하는 방식으로 구현되는 데에는 가스와의 접촉효율을 확보하기 위함이었으며, 이에 필연적으로 가스센싱부를 상부를 바라보도록 하는 동시에 메쉬구조의 보호망 등을 필요로 하여 패키지의 크기가 커질수 밖에 없었으나, 본 발명의 실시예에 따른 패키지의 경우에는 가스센싱부가 마련된 부분이 제1기판의 표면에 접하도록 실장을 구현하여 별도의 캡을 설치하지 않아 패키지를 소형화할 수 있음은 물론, 제조원가를 절감할 수 있게 하며, 개방영역, 가스체류영역 및 결합하는 기판과 기판 사이의 이격부로 부터 가스센싱부로 가스를 유도하여 센싱효율 더욱 높일 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 가스센싱소자
110: 가스센싱부
120: 소자몸체
130: 접합패드부(금속전극)
140: 가스체류영역
150: 보호부
210: 제1기판
220: 개방영역
230: 관통홀
240: 금속충진부
300: 제1보호부, 제2보호부
400: 고정저항 또는 NTC
500: 제2기판(인쇄회로기판)
510: 이격부

Claims (11)

  1. 도전패턴 및 개방영역을 포함하는 제1기판;
    상기 도전패턴에 실장되는 가스센싱소자;를 포함하며,
    상기 가스센싱소자의 가스센싱부가 상기 개방영역과 대응되도록 배치되는 가스센서패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스센싱소자는,
    하면 및 측벽부를 포함하여 가스체류영역을 마련하는 소자몸체;
    상기 가스체류영역 또는 상기 개방영역을 경유하는 가스를 감지하는 가스감지부;
    를 포함하는 가스센서패키지.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 소자몸체는,
    상부가 개구되며, 상기 가스감지부가 상기 하면의 반대면에 배치되는 가스센서패키지.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 가스센싱소자는,
    상기 소자몸체 상의 보호부를 더 포함하는 가스센서패키지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 보호부는,
    상기 소자몸체의 측면 및 상부면을 몰딩하며,
    상기 측면 중 일 영역이 오픈(open)되는 개구부를 포함하는 가스센서패키지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 소자몸체의 하면에 상기 도전패턴과 접합하는 접합패턴부를 더 포함하는 가스센서패키지.
  7. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스센서패키지는,
    상기 제1기판의 상기 개방영역이 상기 도전패턴의 존재하지 않는 영역에 구현되는 가스센서패키지.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 상기 가스센서패키지는,
    상기 접합패드부와 상기 도전패턴이 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 직접 결착하는 가스센서패키지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 도전패턴 하부에 상기 제1기판을 관통하는 적어도 1 이상의 관통홀을 더 포함하는 가스센서패키지.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 관통홀에 충진되는 금속충진부를 더 포함하는 가스센서패키지.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 금속충진부는,
    상기 제1기판의 하부 표면 보다 돌출되는 가스센서패키지.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106853956A (zh) * 2015-12-08 2017-06-16 罗伯特·博世有限公司 用于有针对性地匹配空腔内部压力的反应封闭气体
WO2019059636A1 (ko) * 2017-09-25 2019-03-28 주식회사 센텍코리아 가스 센서 패키지
WO2019240413A1 (ko) * 2018-06-11 2019-12-19 하나마이크론(주) 가스 센서 패키지, 가스 센서 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106853956A (zh) * 2015-12-08 2017-06-16 罗伯特·博世有限公司 用于有针对性地匹配空腔内部压力的反应封闭气体
CN106853956B (zh) * 2015-12-08 2022-01-11 罗伯特·博世有限公司 用于制造微机械结构元件的方法和微机械结构元件
WO2019059636A1 (ko) * 2017-09-25 2019-03-28 주식회사 센텍코리아 가스 센서 패키지
WO2019240413A1 (ko) * 2018-06-11 2019-12-19 하나마이크론(주) 가스 센서 패키지, 가스 센서 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법
KR20190140258A (ko) * 2018-06-11 2019-12-19 하나 마이크론(주) 가스 센서 패키지, 가스 센서 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법

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