KR20150040839A - Piezoelectric acoustic transducer and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to piezoelectric acoustic transducer and method for fabricating the same. The piezoelectric acoustic transducer has a piezoelectric portion formed in a portion of a diaphragm, and a deformation layer formed in a remaining area of the diaphragm. A piezoelectric deformation force of the piezoelectric portion acts as a force bending the piezoelectric portion to the deformation layer without directly bending the piezoelectric portion, to improve vibration characteristics of the diaphragm.

Description

압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법{Piezoelectric acoustic transducer and method for fabricating the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a piezoelectric acoustic transducer and a method of fabricating the piezoelectric transducer,

본 발명은 압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a piezoelectric acoustic transducer and a method of manufacturing the same.

압전형 음향 변환기는 압전 현상을 이용하여 음향 에너지와 전기적 에너지를 상호 변환시켜주는 장치이다. 압전형 음향 변환기로는 전기적 에너지를 음향 에너지로 바꿔주는 마이크로 스피커와 음향 에너지를 전기적으로 바꿔주는 마이크로 폰이 있다. Piezoelectric acoustic transducers are devices that convert acoustic energy and electrical energy using piezoelectric phenomena. Piezoelectric acoustic transducers include a micro speaker that converts electrical energy into acoustic energy, and a microphone that electrically converts acoustic energy.

예를 들어, 종래의 압전형 음향 변환기는 다이어프램에 1차 전극, 압전막, 2차 전극을 적층한 진동판을 가지며, 제1 및 제2 전극에 전압을 인가함으로써 압전막을 팽창 또는 수축시켜 진동판을 진동시킨다. 이러한 압전형 음향 변환기는 별도의 자석이나 구동코일 없이 진동판을 진동시킬 수 있으므로, 일렉트로 다이나믹형 스피커(electro-dynamic speaker)과 같은 음성 코일 방식에 비해 그 구조가 간단하다. For example, a conventional piezoelectric transducer has a diaphragm in which a primary electrode, a piezoelectric film, and a secondary electrode are laminated on a diaphragm. By applying a voltage to the first and second electrodes, the piezoelectric film is expanded or contracted, . Such a piezoelectric type acoustic transducer can vibrate the diaphragm without a separate magnet or a driving coil, so that its structure is simpler than a voice coil type such as an electro-dynamic speaker.

휴대폰이나 피디에이(PDA: Personal Digital Assistant)와 같은 소형화된 전자기기의 발달에 따라, 이에 사용되는 음향 변환기를 소형화하는 기술들이 개발되고 있다. 이러한 점에서 그 구조가 간단한 압전형 음향 변환기는 소형화하기에 유리하다. 특히 미세가공기술(Micro-Electro-Mechanical Systems; MEMS)을 이용하여, 실리콘 웨이퍼 상에서 압전형 음향 변환기를 소형화하는 기술은 반도체 일괄 공정에 의해 제조가 가능하다는 점에서 제조비용을 절감할 수 있으며, 단일 칩 내에 다수의 회로소자들을 포함시킬 수가 있어 음향기기 자체를 소형화시킬 수 있다.BACKGROUND ART [0002] As miniaturized electronic devices such as a cellular phone and a personal digital assistant (PDA) have been developed, techniques for miniaturizing an acoustic transducer used therein have been developed. In this respect, a simple piezoelectric type acoustic transducer is advantageous in downsizing. In particular, the technology of miniaturizing a piezoelectric type acoustic transducer on a silicon wafer by using micro-electro-mechanical systems (MEMS) can reduce manufacturing cost in that it can be manufactured by a semiconductor batch process, It is possible to include a plurality of circuit elements in the chip, thereby miniaturizing the acoustic apparatus itself.

현재 제안되고 있는 압전형 음향 변환기는 제조공정이 비교적 간단하고 소형화시키기에 유리하기는 하나, 음성 코일 방식의 음향 변환기에 비하여 음향 출력이나 감도가 낮다는 문제점이 있다. The piezo-electric acoustic transducer currently proposed has a problem in that the manufacturing process is relatively simple and is advantageous for miniaturization, but the acoustic output or sensitivity is lower than that of a voice coil type acoustic transducer.

이에 본 발명의 실시예들은 크기도 작으면서 음향 출력도 높은 압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a piezoelectric acoustic transducer having a small size and high acoustic output and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 음향 변환기는 관통영역이 형성된 기판; 상기 관통영역의 중앙쪽 일부 영역에 위치하며, 압전막과 상기 압전막의 양면에 마련된 제1 및 제2 전극을 구비한 압전부; 및 상기 압전부의 외곽과 상기 기판을 연결하며 탄성 변형되는 것으로, 상기 압전부의 평면 방향의 변형이 자신에게 전달되거나 자신의 변형이 상기 압전부에 전달되어 상기 압전부와 함께 진동하는 변형막;을 포함한다. 여기서, 제1 전극은 상기 압전막의 하부면에 상기 압전막의 영역보다 작은 영역에 걸쳐 형성되며, 제2 전극은 상기 압전막의 상부면에 상기 압전막의 영역보다 작은 영역에 걸쳐 형성되고, 상기 변형막은 상기 제2 전극의 외측 경계 영역에서 상기 관통영역 외곽의 기판 상부면에 걸쳐 형성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric acoustic transducer comprising: a substrate having a through region; A piezoelectric portion which is located in a central region of the through region and has first and second electrodes provided on both surfaces of the piezoelectric film and the piezoelectric film; And a deformation layer which is elastically deformed by connecting the outer periphery of the piezoelectric part and the substrate and is deformed in the plane direction of the piezoelectric part itself or a deformation thereof is transmitted to the piezoelectric part to vibrate together with the piezoelectric part do. Here, the first electrode is formed on a lower surface of the piezoelectric film over a region smaller than the region of the piezoelectric film, and the second electrode is formed on an upper surface of the piezoelectric film over a region smaller than the region of the piezoelectric film, And may extend from the outer boundary region of the second electrode to the upper surface of the substrate outside the through region.

본 발명의 다른 실시예에 따른 압전형 음향 변환기는 관통영역이 형성된 기판; 상기 관통영역의 중앙쪽 일부 영역에 위치하며 탄성 변형되는 변형막; 및 상기 변형막의 외곽과 상기 기판을 연결하며, 자신의 평면 방향의 변형이 상기 변형막에 전달되거나 상기 변형막의 변형이 자신에게 전달되어, 상기 변형막과 함께 진동하는 것으로, 압전막과 상기 압전막의 양면에 마련된 제1 및 제2 전극을 구비한 압전부;를 포함한다. 여기서, 제1 전극은 상기 관통영역 외곽의 기판 상부면에서 상기 압전막의 하부면에 형성되며, 제2 전극은 상기 압전막의 상부면에 상기 압전막의 영역보다 작은 영역에 걸쳐 형성되고, 상기 압전부는 상기 변형막의 외측 경계 영역에서 상기 관통영역 외곽의 기판 상부면에 걸쳐 형성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric acoustic transducer comprising: a substrate having a through-hole formed therein; A deformation film which is elastically deformed and is located in a part of the central region of the through region; And deforming the deformable film to transmit the deformation of the deformable film to itself and vibrating together with the deformable film so as to connect the outer surface of the deformable film and the substrate, And a piezoelectric unit having first and second electrodes provided on both sides thereof. Here, the first electrode is formed on the lower surface of the piezoelectric film on the upper surface of the substrate outside the through region, the second electrode is formed on the upper surface of the piezoelectric film over a region smaller than the region of the piezoelectric film, And may extend from the outer boundary region of the strained film to the upper surface of the substrate outside the penetration region.

상기 압전부의 중심평면이 상기 변형막의 기하학적 중심평면과 다른 면상에 놓일 수 있다.The central plane of the piezoelectric portion may be on a plane different from the geometrical center plane of the deformable film.

본 발명의 실시예들에 따른 압전형 음향 변환기는 압전막과 제1 전극의 사이 및 압전막과 제2 전극의 사이 중 적어도 어느 한 쪽에 개재되는 압전부 절연막을 더 포함할 수 있다.The piezoelectric acoustic transducer according to embodiments of the present invention may further include a piezoelectric portion insulating film interposed between the piezoelectric film and the first electrode and between the piezoelectric film and the second electrode.

본 발명의 실시예들에 따른 압전형 음향 변환기는, 제1 및 제2 전극에 각각 구동 전압을 인가하기 위한 것으로 기판 상부면에 마련되는 제1 및 제2 전극단자; 및 상기 제1 및 제2 전극과 제1 및 제2 전극단자를 각각 연결하기 위한 제1 및 제2 리드선;을 더 포함할 수 있다. The piezoelectric transducer according to the embodiments of the present invention includes first and second electrode terminals provided on an upper surface of a substrate for applying a driving voltage to the first and second electrodes, respectively; And first and second lead wires for connecting the first and second electrodes to the first and second electrode terminals, respectively.

본 발명의 실시예들에 따른 압전형 음향 변환기는 상기 관통영역 외곽의 기판 상부면과 상기 제1 및 제2 전극단자 사이에 개재된 외곽 절연막을 더 포함할 수 있다.The piezoelectric transducer according to embodiments of the present invention may further include an outer insulating film interposed between the upper surface of the substrate outside the penetration area and the first and second electrode terminals.

상기 변형막은 파릴렌막 또는 실리콘 질화막일 수 있다.The deformed film may be a parylene film or a silicon nitride film.

상기 압전막은 ZnO, AlN, PZT, PbTiO3, 또는 PLT로 형성될 수 있다.The piezoelectric film may be formed of ZnO, AlN, PZT, PbTiO 3 , or PLT.

상기 제1 및 제2 전극은 Cr, Au, Cu, Al, Mo, Ti, Pt으로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나의 금속으로 형성될 수 있다.The first and second electrodes may be formed of at least one metal selected from the group consisting of Cr, Au, Cu, Al, Mo, Ti and Pt.

본 발명의 실시예들에 따른 압전형 음향 변환기는 마이크로 스피커 또는 마이크로 폰일 수 있다.The piezoelectric acoustic transducer according to embodiments of the present invention may be a micro speaker or a microphone.

본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 제조방법은, 기판 위에 제1 전극, 제1 리드선 및 제1 전극단자를 포함하는 제1 전극부를 형성하는 단계; 상기 제1 전극 위에 압전막을 형성하는 단계; 상기 압전막 위에 제2 전극 형성하고, 상기 기판 위에 제2 리드선 및 제2 전극단자를 포함하는 제2 전극부를 형성하는 단계; 상기 기판의 압전막이 형성되지 않은 영역에 변형막을 형성하는 단계; 및 상기 압전막과 상기 변형막이 놓인 상기 기판의 하부를 식각하여, 다이어프램을 형성하는 단계;를 포함한다.A method of manufacturing a piezoelectric acoustic transducer according to an embodiment of the present invention includes: forming a first electrode portion including a first electrode, a first lead line, and a first electrode terminal on a substrate; Forming a piezoelectric film on the first electrode; Forming a second electrode on the piezoelectric film, and forming a second electrode portion including a second lead line and a second electrode terminal on the substrate; Forming a deformation film on a region of the substrate where the piezoelectric film is not formed; And forming a diaphragm by etching the piezoelectric film and the lower portion of the substrate on which the deformable film is placed.

상기 압전막은 상기 기판의 일 영역에 형성하며, 상기 변형막은 상기 기판의 상기 압전막이 형성된 영역의 외곽 영역에 형성할 수 있다.The piezoelectric film may be formed in one region of the substrate, and the deformable film may be formed in an outer region of the substrate in which the piezoelectric film is formed.

상기 변형막은 상기 기판의 일 영역에 형성하며, 상기 압전막은 상기 기판의 상기 변형막이 형성된 영역의 외곽 영역에 형성할 수 있다.The deformation film is formed in one region of the substrate, and the piezoelectric film can be formed in an outer region of the region where the deformation film is formed on the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 제조방법은 상기 제1 전극부를 형성하기 전에 상기 기판 위에 절연막을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a piezoelectric acoustic transducer according to an embodiment of the present invention may further include forming an insulating film on the substrate before forming the first electrode unit.

상기 압전부의 중심편면이 상기 변형막의 기하학적 중심평면과 다른 면상에 놓이도록 할 수 있다.The center single face of the piezoelectric portion may be on a plane different from the geometrical center plane of the deformable film.

본 발명의 실시예들에 따르면,　낮은 잔류 응력을 갖는 파릴렌 또는 저응력 비화학양론적 실리콘 질화막을 다이어프램의 외곽부에만 사용함으로써 구조 강성이 작아 저전압 구동에서도 큰 변형량을 기대할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, since parylene or low-stress non-stoichiometric silicon nitride film having low residual stress is used only at the outer periphery of the diaphragm, the structural rigidity is small and a large deformation amount can be expected even in low-

본 발명의 실시예들에 따르면, 크기도 작으면서 음향 출력이 높은 압전형 음향 변환기를 제공할 수 있다. 또한, 저전압 구동형 압전형 음향 변환기의 구현이 가능해지며, 저주파 음성 대역에서 충분한 음압을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a piezoelectric type acoustic transducer having a small size and high acoustic output. Further, it becomes possible to implement a low-voltage-drive type piezoelectric acoustic transducer, and sufficient sound pressure can be provided in a low-frequency voice band.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 개략적인 상면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 A-B선, C-D선, C-O-A선을 따라 본 압전형 음향 변환기의 측단면도이다.
도 3a 내지 도 4b는 도 1의 압전형 음향 변환기의 동작을 설명하는 도면이다.
도 5는 도 1의 압전형 음향 변환기의 변형례를 도시한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 개략적인 측면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 제조 방법을 설명하는 순서도이다. 1 is a schematic top view of a piezoelectric acoustic transducer according to an embodiment of the present invention.
2A to 2C are side cross-sectional views of the piezoelectric type acoustic transducer viewed along the AB line, the CD line and the COA line in Fig.
3A to 4B are views for explaining the operation of the piezoelectric type acoustic transducer of FIG.
Fig. 5 shows a modification of the piezoelectric acoustic transducer of Fig.
6 is a schematic side view of a piezoelectric acoustic transducer according to another embodiment of the present invention.
7A to 7D are flowcharts illustrating a method of manufacturing a piezoelectric acoustic transducer according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments illustrated below are not intended to limit the scope of the invention, but rather to provide a thorough understanding of the invention to those skilled in the art. In the following drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size of each element in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 개략적인 상면도이며, 도 2a 내지 도 2c는 도 1의 A-B선, C-D선, C-O-A선을 따라 본 압전형 음향 변환기의 측단면도이다.FIG. 1 is a schematic top view of a piezoelectric acoustic transducer according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A to 2C are side cross-sectional views of a piezoelectric transducer along an AB line, a CD line, and a COA line in FIG. 1 .

도 1 및 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 본 실시예의 압전형 음향 변환기(100)는, 관통영역(110a)이 형성된 기판(110)과, 상기 관통영역(110a)의 중앙쪽 일부 영역에 위치하는 압전부와, 상기 압전부의 외곽과 상기 기판(110)을 연결하는 변형막(130)을 포함한다.1 and 2A to 2C, the piezoelectric acoustic transducer 100 of the present embodiment includes a substrate 110 on which a through region 110a is formed, And a deformation film 130 connecting the outer periphery of the piezoelectric portion and the substrate 110. [

기판(110)은 통상 사용되는 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 실리콘, 유리 등으로 형성될 수 있다. 기판(110)은 관통영역(110a)을 구비한다. 상기 관통영역(110a)은 후술하는 바와 같이 압전부와 변형막(130)을 릴리즈(release)시켜 다이어프램 영역(D)을 정의한다. 관통영역(110a)은 예를 들어 원형으로 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 참조번호 100-1은 이러한 다이어프램 영역(D)의 경계를 나타낸다.The substrate 110 may be formed of a generally used material, for example, silicon, glass, or the like. The substrate 110 has a through region 110a. The penetration area 110a defines the diaphragm area D by releasing the piezoelectric part and the piezoelectric film 130 as described later. The through region 110a may be formed, for example, in a circular shape. Reference numeral 100-1 shown in Fig. 1 represents the boundary of such a diaphragm region D. Fig.

압전부는 관통영역(110a)의 중앙쪽 일부 영역에 위치한다. 도 1에 도시된 참조번호 100-3은 이러한 압전부의 외곽 경계를 나타낸다. The piezoelectric portion is located in a part of the central region of the through region 110a. Reference numeral 100-3 shown in Fig. 1 represents the outer boundary of such a piezoelectric portion.

압전부는 압전막(150)과, 압전막(150)의 양면에 마련된 제1 및 제2 전극(171, 181)을 포함하는 압전 커패시턴스 구조를 가진다.The piezoelectric portion has a piezoelectric film structure including a piezoelectric film 150 and first and second electrodes 171 and 181 provided on both surfaces of the piezoelectric film 150. [

상기 제1 전극(171)은 제1 리드선(172) 및 제1 전극단자(173)와 함께 제1 전극부(170)를 이룬다. 상기 제1 전극단자(173)는 압전부의 외곽에 배치되며, 제1 리드선(172)는 제1 전극(171)과 제1 전극단자(173)를 전기적으로 연결한다. 상기 제1 전극(170)은 Cr, Au, Cu, Al, Mo, Ti, Pt으로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나의 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(170)은 Cr/Au, Au/Cu, Al, Mo, Ti/Pt와 같은 단층 내지 다층의 금속막으로 형성될 수 있다.The first electrode 171 forms the first electrode unit 170 together with the first lead 172 and the first electrode terminal 173. The first electrode terminal 173 is disposed on the outer periphery of the piezoelectric portion and the first lead line 172 electrically connects the first electrode 171 and the first electrode terminal 173. The first electrode 170 may be formed of at least one metal selected from the group consisting of Cr, Au, Cu, Al, Mo, Ti, and Pt. For example, the first electrode 170 may be formed of a single-layered or multi-layered metal film such as Cr / Au, Au / Cu, Al, Mo, and Ti / Pt.

상기 압전막(150)은 상기 제1 전극(171)을 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 압전막(150)은 상기 제1 전극(171)의 영역보다 약간 넓게 상기 제1 전극(171) 위에 형성하여, 제1 전극(171)과 제2 전극(181)이 절연될 수 있도록 할 수 있다. 상기 압전막(150)은 통상의 압전형 음향 변환기에 사용되는 ZnO, AlN, PZT, PbTiO3, 또는 PLT와 같은 압전 물질로 형성될 수 있다. The piezoelectric layer 150 may be formed to cover the first electrode 171. That is, the piezoelectric film 150 is formed on the first electrode 171 slightly wider than the area of the first electrode 171 so that the first electrode 171 and the second electrode 181 can be insulated from each other. can do. The piezoelectric layer 150 may be formed of a piezoelectric material such as ZnO, AlN, PZT, PbTiO3, or PLT used in a conventional piezoelectric transducer.

상기 제2 전극(181)은 제2 리드선(182) 및 제2 전극단자(183)와 함께 제2 전극부(180)를 이룬다. 상기 제2 전극단자(183)는 압전부의 외곽에 배치되며, 제2 리드선(182)는 제2 전극(181)과 제2 전극단자(183)를 전기적으로 연결한다. 상기 제2 전극부(180)는 예를 들어, Cr/Au, Au/Cu, Al, Mo, Ti/Pt와 같은 단층 내지 다층의 금속막으로 형성될 수 있다. 제2 전극(181)은 압전막(150)의 영역보다 약간 작게 형성할 수 있다. 제1 및 제2 전극(171, 181)은 압전막(150)을 사이에 두고 대칭되게 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 압전부의 외곽 경계(100-3)는 압전막(150)의 외곽경계가 되며, 참조번호 100-4는 제1 및 제2 전극(171, 181)의 외곽 경계가 된다.The second electrode 181 forms the second electrode portion 180 together with the second lead 182 and the second electrode terminal 183. The second electrode terminal 183 is disposed at the outer periphery of the piezoelectric portion and the second lead wire 182 electrically connects the second electrode 181 and the second electrode terminal 183. The second electrode unit 180 may be formed of a single layer or multilayer metal film such as Cr / Au, Au / Cu, Al, Mo, and Ti / Pt. The second electrode 181 may be formed to be slightly smaller than the area of the piezoelectric film 150. The first and second electrodes 171 and 181 may be formed symmetrically with the piezoelectric film 150 therebetween. The outer boundary 100-3 of the piezoelectric portion shown in Fig. 1 becomes the outer boundary of the piezoelectric film 150, and the reference numeral 100-4 becomes the outer boundary of the first and second electrodes 171 and 181. Fig.

변형막(130)은 압전부의 외곽과 기판(110)을 연결하며 탄성 변형되는 막이다. 변형막(130)은, 예를 들어 파릴렌(parylene)이나 저응력 비화학양론적(non-stoichiometric) 실리콘 질화막(SixNy)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 변형막(130)의 재료로 탄성 계수가 작고 잔류 응력이 작은 물질을 사용함으로써 저주파 음성 대역에서의 특성을 향상시킬 수 있다.The deformation film 130 is a film that is elastically deformed by connecting the outer periphery of the piezoelectric portion and the substrate 110. The deformation film 130 may be formed of, for example, a material such as parylene or a low-stress non-stoichiometric silicon nitride film (Si x N y ). By using a material having a small elastic modulus and a small residual stress as a material of the deformation film 130, the characteristics in the low frequency sound band can be improved.

변형막(130)은 기판 접합부(131), 변형부(132), 및 압전부 접합부(133)를 포함한다. 상기 기판 접합부(131)는 기판(110)의 상면에 마련된다. 도 1에서 다이어프램의 경계(100-1)는 기판 접합부(131)의 내측 경계가 된다. 기판 접합부(131)의 제1 및 제2 전극단자(173, 183)가 위치한 영역은 외부와의 전기적 접촉을 위해 오픈된다. 상기 변형부(132), 및 압전부 접합부(133)는 기판(110)의 관통영역(110a)에 마련된다. 압전부 접합부(133)는 압전막(150) 및 제2 전극(181)의 외곽에 맞닿으며, 릴리즈된 압전부를 지지한다. 도 1에 도시된 참조번호 100-5는 압전부 접합부(133)의 내측 경계가 된다. 전술한 바와 같이 제2 전극(181)을 압전막(150)의 영역보다 약간 작게 형성하여, 압전막(150) 및 제2 전극(181)의 외곽이 단차지게 함으로써, 압전부 접합부(133)와 압전막(150)/제2 전극(181)의 결합력을 높일 수 있다. 변형부(132)는 기판 접합부(131)와 압전부 접합부(133)를 연결하며, 자유롭게 탄성 변형될 수 있다. 압전부 접합부(133)의 내측 경계(100-5) 안쪽에 변형부(132)가 연장되지 않도록 되어 있으므로, 제2 전극(181)은 외부로 노출될 수 있다.The deformation film 130 includes a substrate bonding portion 131, a deformation portion 132, and a piezoelectric bonding portion 133. The substrate bonding portion 131 is provided on the upper surface of the substrate 110. 1, the diaphragm boundary 100-1 is the inner boundary of the substrate joint portion 131. [ The region where the first and second electrode terminals 173 and 183 of the substrate bonding portion 131 are located is opened for electrical contact with the outside. The deforming portion 132 and the piezoelectric portion bonding portion 133 are provided in the through region 110a of the substrate 110. [ The piezoelectric part 133 abuts on the outer edges of the piezoelectric film 150 and the second electrode 181 and supports the released piezoelectric part. Reference numeral 100-5 shown in Fig. 1 is an inner boundary of the piezoelectric part 133. [ The second electrode 181 is formed to be slightly smaller than the area of the piezoelectric film 150 and the outer edges of the piezoelectric film 150 and the second electrode 181 are stepped, The bonding force between the piezoelectric film 150 and the second electrode 181 can be increased. The deforming portion 132 connects the substrate joining portion 131 and the piezoelectric joining portion 133 and can be elastically deformed freely. Since the deformed portion 132 is not extended inside the inner boundary 100-5 of the piezoelectric portion 133, the second electrode 181 can be exposed to the outside.

변형막(130)은 압전막(150)과 소정의 높이차(H)를 갖도록 형성된다. 이때, 높이차(H)는 변형막(130)의 기하학적 중심평면(P1)과 압전막(150)의 중심평면(P2)과의 거리에 해당된다. 즉, 상기 압전막(150)의 평면 방향 변형력의 중심선(도 3a의 F1 또는 도 4a의 F2 참조)이 상기 변형막의 기하학적 중심평면(P1)과 다른 면상에 놓이도록 한다. 변형막(130)에 있어서 동적 측면에서 볼 때 기판 접합부(131)와 압전부 접합부(133)는 무시될 수 있으므로, 변형부(132)의 기하학적 중심평면을 변형막(130)의 기하학적 중심평면(P1)으로 정의할 수 있다. 한편, 압전막(150)에는 제1 및 제2 전극단자(173, 183) 이외에 다른 막이 적층되어 있지 않다. 제1 및 제2 전극(171, 181)이 압전막(150)을 사이에 두고 대칭되게 형성된다면, 압전막(150)은 팽창 내지 수축할 뿐이고 자체적으로 휨이 발생되지는 않는다. 또한, 압전막(150)의 두께 방향의 크기에 비해 넓이 방향의 크기가 매우 크므로, 압전막(150)의 압전 변형은 평면 방향의 팽창/수축이 주되게 된다. 즉, 제1 및 제2 전극(171, 181)에 전압이 인가되면, 압전막(150)에는 패창/수축하는 평면 방향 변형력이 발생된다. 이와 같은 압전막(150)의 평면 방향 변형력의 중심선이 놓이는 평면을 압전막(150)의 중심평면(P2)으로 정의한다. 상기와 같이 변형막(130)은 압전막(150)과 소정의 높이차(H)를 갖도록 형성하기 위하여, 예를 들어 제1 전극(171)을 변형막(130)의 두께에 대해 무시할 수 없을 정도의 두께로 형성할 수 있을 것이다.The deformable film 130 is formed to have a predetermined height difference H from the piezoelectric film 150. The height difference H corresponds to the distance between the geometrical center plane P1 of the deformation film 130 and the center plane P2 of the piezoelectric film 150. [ That is, the center line (refer to F1 in FIG. 3A or F2 in FIG. 4A) of the planar direction deformation force of the piezoelectric film 150 is placed on the plane different from the geometrical center plane P1 of the deformation film. The substrate joint portion 131 and the piezoelectric joint portion 133 can be neglected from the dynamic viewpoint in the deformation film 130 so that the geometric center plane of the deformation portion 132 can be set to the geometric center plane of the deformation film 130 P1). On the other hand, in the piezoelectric film 150, films other than the first and second electrode terminals 173 and 183 are not laminated. If the first and second electrodes 171 and 181 are symmetrically formed with the piezoelectric film 150 interposed therebetween, the piezoelectric film 150 merely expands or shrinks and does not undergo self-deflection. In addition, since the size of the piezoelectric film 150 in the width direction is much larger than the size in the thickness direction of the piezoelectric film 150, the piezoelectric strain of the piezoelectric film 150 is mainly caused to expand / shrink in the planar direction. That is, when a voltage is applied to the first and second electrodes 171 and 181, a planar direction deformation force is generated in the piezoelectric film 150. The plane on which the center line of the planar deformation force of the piezoelectric film 150 is placed is defined as the center plane P2 of the piezoelectric film 150. [ The deformable film 130 can be formed so that the first electrode 171 can not be neglected with respect to the thickness of the deformable film 130 in order to form the deformable film 130 to have a predetermined height difference H from the piezoelectric film 150 As shown in FIG.

상기 제1 및 제2 전극단자(173, 183)와 기판(110) 사이에는 기판 절연막(120)이 개재될 수 있다. 가령, 기판(100)이 실리콘과 같은 전도성이 있는 물질로 형성된 경우, 기판 절연막(120)은 기판(110)과 제1 및 제2 전극단자(173, 183) 사이를 전기적으로 절연시킨다. 도 1에 도시된 참조번호 100-2는 기판 절연막(120)의 내측 경계를 나타낸다. 만일 기판(110)이 절연성이 있다면, 기판 절연막(120)은 생략될 수 있다.A substrate insulating layer 120 may be interposed between the first and second electrode terminals 173 and 183 and the substrate 110. For example, when the substrate 100 is formed of a conductive material such as silicon, the substrate insulating layer 120 electrically insulates the substrate 110 from the first and second electrode terminals 173 and 183. Reference numeral 100-2 shown in Fig. 1 represents an inner boundary of the substrate insulating film 120. [ If the substrate 110 is insulating, the substrate insulating film 120 may be omitted.

다음으로, 도 3a 내지 도 4b를 참조하여, 본 실시예의 압전형 음향 변환기의 동작을 설명하기로 한다. Next, the operation of the piezoelectric transducer of this embodiment will be described with reference to Figs. 3A to 4B.

도 3a 및 도 3b는, 압전막(150)에 소정의 전압이 인가되어 압전막(150)이 팽창한다고 할 때, 압전막(150)의 평면 방향의 팽창에 따른 다이어프램의 움직임을 보여준다. 3A and 3B show the movement of the diaphragm in accordance with the expansion of the piezoelectric film 150 in the planar direction when a predetermined voltage is applied to the piezoelectric film 150 to expand the piezoelectric film 150. FIG.

전술한 바와 같이 변형막(130)의 기하학적 중심평면(P1)과 압전막(150)의 중심평면(P2)은 일치하지 않으므로, 압전막(150)에서 발생되는 팽창 변형력(F1)은 변형막(130)의 반력(reaction force)(F2)이 동일 선상에 놓이지 않게 된다. 이와 같이 팽창 변형력(F1)은 변형막(130)의 반력(F2)이 동일 선상에 놓이지 않으므로, 팽창 변형력(F1)은 중심점(C)를 중심으로 변형부(132)를 반시계 방향(R1)으로 비트는 토크로 작용하게 된다. 결과적으로, 압전부는 도 3b에 도시되듯이 하방을 움직이게 된다. The geometric center plane P1 of the deformation film 130 and the center plane P2 of the piezoelectric film 150 do not coincide with each other as described above so that the expansion deformation force F1 generated in the piezoelectric film 150 is the deformation film 130 do not co-exist in the same line. Since the reaction force F2 of the deformation film 130 does not coincide with the expansion deformation force F1 in this way, the expansion deformation force F1 is generated in the counterclockwise direction R1 about the center point C, The bit acts as a torque. As a result, the piezoelectric portion moves downward as shown in FIG. 3B.

도 4a 및 도 4b는, 압전막(150)에 소정의 전압이 인가되어 압전막(150)이 수축한다고 할 때, 압전막(150)의 평면 방향의 수축에 따른 다이어프램의 움직임을 보여준다.4A and 4B show the movement of the diaphragm in accordance with the shrinkage of the piezoelectric film 150 in the planar direction when a predetermined voltage is applied to the piezoelectric film 150 and the piezoelectric film 150 contracts.

전술한 바와 같이 변형막(130)의 기하학적 중심평면(P1)과 압전막(150)의 중심평면(P2)은 일치하지 않으므로, 압전막(150)에서 발생되는 수축 변형력(F3)은 변형막(130)의 반력(F4)이 동일 면상에 놓이지 않게 된다. 이에 따라, 수축 변형력(F3)은 중심점(C)를 중심으로 변형부(132)를 시계 방향(R2)으로 비트는 토크로 작용하게 되며, 압전부는 도 4b에 도시되듯이 상방을 움직이게 된다. Since the geometrical center plane P1 of the deformation film 130 and the center plane P2 of the piezoelectric film 150 do not coincide with each other as described above, the shrinking deformation force F3 generated in the piezoelectric film 150 is the deformation film 130 do not lie on the same plane. Accordingly, the shrinking deformation force F3 acts as a torque bitwise in the clockwise direction R2 about the center point C, and the piezoelectric portion moves upward as shown in FIG. 4B.

상기와 같이, 압전막(150)의 팽창/수축에 따라 변형부(132)가 휘게 됨으로써 압전부를 포함한 다이어프램은 상하로 진동하게 된다. 이와 같은 진동 메커니즘은, 변형막(130)을 다이어프램의 외곽에만 사용함으로써 구조 강성을 작게 하며, 따라서 저전압 구동에서도 큰 상하 진동을 기대할 수 있다. 즉, 본 실시예의 압전형 음향 변환기에서, 압전부의 압전변형력은 압전부를 직접적으로 휘게 하지 않고 변형막에 비트는 힘으로 작용하여 다이어프램의 진동 특성을 향상시킨다.As described above, the deformed portion 132 is bent as the piezoelectric film 150 is expanded / contracted, so that the diaphragm including the piezoelectric portion vibrates vertically. Such a vibration mechanism reduces the structural rigidity by using the deformation film 130 only at the outer periphery of the diaphragm, and therefore, a large up-and-down vibration can be expected even in the low-voltage drive. That is, in the piezoelectric type acoustic transducer of this embodiment, the piezoelectric deformation force of the piezoelectric portion acts on the deformation film as a beating force without directly bending the piezoelectric portion, thereby improving the vibration characteristics of the diaphragm.

전술한 실시예에서는 변형막(130)의 기하학적 중심평면(P1)과 압전막(150)의 중심평면(P2)은 일치하지 않은 경우를 예로 들었으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 변형막(130)의 기하학적 중심평면(P1)과 압전막(150)의 중심평면(P2)은 일치하더라도, 압전막(150)의 잔류응력과 변형막(130)의 잔류응력이 동일 면상에 놓이지 않게 되면, 휨축(bending axis)가 일치하지 않아 편심된 압축력 또는 인장력이 작용하게 되어 변형막(150), 특히 변형부(132)의 휨이 발생될 수 있다.Although the geometric center plane P1 of the deformation layer 130 and the center plane P2 of the piezoelectric layer 150 do not coincide with each other in the above-described embodiment, the embodiments of the present invention are not limited thereto . The residual stress of the piezoelectric film 150 and the residual stress of the deformation film 130 are equal to each other even if the geometrical center plane P1 of the deformation film 130 coincides with the center plane P2 of the piezoelectric film 150 If they are not on the same plane, the bending axes do not coincide and an eccentric compressive force or a tensile force is applied, so that the deformation film 150, particularly the deformation portion 132, may be warped.

전술한 실시예의 압전형 음향 변환기의 동작은 제1 및 제2 전극(171,181)에 전압을 인가하는 경우, 즉 마이크로 스피커인 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 압전막(150)에서의 전기적 에너지와 압전 변형 에너지의 변환은 서로 뒤바뀔 수 있으므로, 본 실시예의 압전형 음향 변환기는 외부의 진동을 전기적 에너지로 바꾸는 마이크로 폰에도 적용할 수 있음은 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 충분히 이해할 수 있을 것이다.The operation of the piezoelectric transducer of the above-described embodiment has been described by taking the case where a voltage is applied to the first and second electrodes 171 and 181, that is, a micro speaker. However, since the conversion of the electrical energy and the piezoelectric strain energy in the piezoelectric film 150 can be reversed, the piezoelectric type acoustic transducer of the present embodiment can be applied to a microphone which converts external vibration into electrical energy. Those of ordinary skill in the art will understand it fully.

도 5는 도 1의 압전형 음향 변환기의 변형례를 도시한다. 본 변형례의 압전형 음향 변환기는, 압전막(150)과 제2 전극(181) 사이에 압전부 절연막(190)을 더 포함한다. 이와 같이 압전부 절연막(190)을 더 구비함으로써, 파워가 큰 압전형 음향 변환기에 있어서 발생될 수 있는 압전막(150)에서의 절연파괴를 방지할 수 있다. Fig. 5 shows a modification of the piezoelectric acoustic transducer of Fig. The piezoelectric acoustic transducer according to the present modification further includes a piezoelectric insulating film 190 between the piezoelectric film 150 and the second electrode 181. By further including the piezoelectric insulating film 190 in this way, it is possible to prevent dielectric breakdown in the piezoelectric film 150 that may be generated in the piezoelectric type acoustic transducer having a large power.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전형 음향 변환기를 도시한다.6 shows a piezoelectric acoustic transducer according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예의 압전형 음향 변환기(200)는, 관통영역(210a)이 형성된 기판(210)과, 상기 관통영역(210a)의 중앙쪽 일부 영역에 위치하는 변형막(230)과, 상기 변형막(230)의 외곽과 상기 기판(210)을 연결하는 압전부를 포함한다.6, the piezoelectric acoustic transducer 200 according to the present embodiment includes a substrate 210 having a through region 210a formed thereon, a deformation film 230 located in a central region of the through region 210a, And a piezoelectric portion connecting the outer edge of the deformable film 230 and the substrate 210. [

기판(210)의 관통영역(210a)은 다이어프램을 정의하는 영역으로, 예를 들어 원형으로 형성될 수 있다.The penetration area 210a of the substrate 210 is an area defining the diaphragm, and may be formed, for example, in a circular shape.

변형막(230)은 관통영역(210a)의 중앙쪽 일부 영역에 위치한다. 변형막(230)은 변형부(231)와 압전부 접합부(233)을 포함한다. 변형부(231)는 압전부의 팽창/수축에 따라 휨이 발생되는 영역이다. 압전부 접합부(233)는 변형부(231)와 압전부를 결합시킨다. The deformation film 230 is located in a part of the center side of the penetration area 210a. The deformation film 230 includes a deformation portion 231 and a piezoelectric portion joint portion 233. The deformed portion 231 is a region in which warpage occurs due to expansion / contraction of the piezoelectric portion. The piezoelectric part 233 engages the deformation part 231 and the piezoelectric part.

압전부는 변형막(230)의 외곽으로 관통영역(210a) 내측 둘레를 따라 형성된다. 압전부는 압전막(250)과 압전막(250)의 양면에 마련된 제1 및 제2 전극(271, 281)을 포함하는 압전 커패시턴스 구조를 가진다. 변형막(230)의 기하학적 중심평면(P1′)과 압전막(250)의 중심평면(P2′)은 높이차 H′을 가진다. 제1 전극(271)은 제1 리드선(미도시) 및 제1 전극단자(273)와 함께 제1 전극부(270)를 이루며, 제2 전극(281)은 제2 리드선(282) 및 제2 전극단자(283)와 함께 제2 전극부(280)를 이룬다. 기판(210)과 제1 및 제2 전극단자(273,283) 사이에는 기판 절연막(220)이 마련될 수 있다.The piezoelectric portion is formed along the inner periphery of the through region 210a to the outer periphery of the deformation film 230. [ The piezoelectric portion has a piezoelectric film structure including a piezoelectric film 250 and first and second electrodes 271 and 281 provided on both surfaces of the piezoelectric film 250. [ The geometric center plane P1 'of the strain film 230 and the center plane P2' of the piezoelectric film 250 have a height difference H '. The first electrode 271 forms a first electrode portion 270 together with a first lead line (not shown) and a first electrode terminal 273 while the second electrode 281 forms a second lead line 282 and a second electrode And forms the second electrode part 280 together with the electrode terminal 283. A substrate insulating layer 220 may be provided between the substrate 210 and the first and second electrode terminals 273 and 283.

본 실시예의 압전형 음향 변환기(200)의 진동 메커니즘은 전술한 실시예와 실질적으로 동일하다. 즉, 압전막(250)에는 전술한 실시예에서와 마찬가지로 전압이 인가됨에 따라 평면방향으로 팽창/수축하는 변형력이 발생될 수 있다. 변형막(230)의 기하학적 중심평면(P1′)과 압전막(250)의 중심평면(P2′) 사이의 높이차 H′에 의해 압전막(250)에서 발생되는 팽창/수축하는 변형력은 변형부(231)을 비트는 토크로 작용하게 되며, 이에 따라 다이어프램을 이루는 변형막(230) 및 압전부는 상하로 진동하게 된다. The vibration mechanism of the piezoelectric acoustic transducer 200 of this embodiment is substantially the same as the above-described embodiment. That is, in the piezoelectric film 250, a deforming force that expands / contracts in the planar direction can be generated as the voltage is applied, as in the above-described embodiment. The expansion / contraction force generated in the piezoelectric film 250 by the height difference H 'between the geometric center plane P1' of the deformation film 230 and the center plane P2 'of the piezoelectric film 250, And the diaphragm 230 and the piezoelectric portion oscillate up and down.

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 제조 방법을 설명하기로 한다. 도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 음향 변환기의 제조 공정을 간략하게 보여주는 순서도이다. Next, a method of manufacturing the piezoelectric transducer according to an embodiment of the present invention will be described. 7A to 7D are flowcharts illustrating a manufacturing process of the piezoelectric transducer according to an embodiment of the present invention.

도 7a를 참조하면, 먼저 기판(110)을 준비한다. 기판(110)의 <100>면의 소정의 영역에 기판 절연막(120)을 형성한다. 기판(110)으로 실리콘 기판을 사용하는 경우, 기판(110)의 일면 전체에 실리콘 산화막(silicon oxide; SiO2)을 형성한 뒤 이를 패터닝하여 소정 영역에 절연막(120)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7A, first, a substrate 110 is prepared. A substrate insulating film 120 is formed on a predetermined region of a <100> plane of the substrate 110. In the case of using a silicon substrate as the substrate 110, a silicon oxide (SiO 2 ) may be formed on the entire surface of the substrate 110 and patterned to form the insulating film 120 in a predetermined region.

다음으로, 도 7b를 참조하면, 스퍼터링(sputtering)이나 진공증착(evaporation)등의 증착공정을 이용하여 Cr/Au, Au/Cu, Al, Mo, Ti/Pt와 같은 단층 내지 다층으로 금속박막을 형성하고 제1 전극(171), 제1 리드선(172), 및 제1 전극단자(173)로 패터닝하여 제1 전극부(170)를 형성한다. 다음으로, 압전막(150)을 제1 전극(171) 위에 적층한다. 압전막(150)은 제1 전극(171)보다 넓게 형성하여 제1 전극(171)을 덮도록 한다. 압전막(150)은 ZnO, AlN, PZT, PbTiO3, 또는 PLT 등으로 스퍼터링 또는 스핀-코팅(spin-coating) 등의 방법으로 증착한 후 부분 식각하여 형성할 수 있다. 다음으로, Cr/Au, Au/Cu, Al, Mo, Ti/Pt와 같은 단층 내지 다층으로 금속박막으로 제2 전극(181), 제2 리드선(도 2b의 182 참조) 및 제2 전극단자(도 2b의 183 참조)를 포함하는 제2 전극부(180)를 형성한다. 제2 전극부(180)는 증착 및 식각 공정이나 리프트-오프(lift-off) 방법 등을 통해 형성할 수 있다. 제2 전극(181)은 압전막(150)보다 작게 형성한다. Next, referring to FIG. 7B, a metal thin film such as Cr / Au, Au / Cu, Al, Mo and Ti / Pt is formed as a single layer or multilayer by using a deposition process such as sputtering or vacuum evaporation And the first electrode part 170 is formed by patterning with the first electrode 171, the first lead line 172, and the first electrode terminal 173. Next, the piezoelectric film 150 is laminated on the first electrode 171. The piezoelectric film 150 is formed to be wider than the first electrode 171 to cover the first electrode 171. The piezoelectric film 150 may be formed by partial etching after sputtering or spin-coating with ZnO, AlN, PZT, PbTiO3, PLT, or the like. Next, a second electrode 181, a second lead (see 182 in FIG. 2B), and a second electrode terminal (see FIG. 2B) are formed in a single layer or multilayered metal film such as Cr / Au, Au / Cu, Al, Mo and Ti / (See 183 in FIG. 2B). The second electrode unit 180 may be formed through a deposition and etching process or a lift-off process. The second electrode 181 is formed to be smaller than the piezoelectric film 150.

다음으로, 도 7c를 참조하면, 압전막(150) 및 제1 및 제2 전극부(170, 180) 위에 파릴렌이나 실리콘 질화물 등을 적층하고 일부 영역(130a,130b)을 선택적으로 식각하여 변형막(130)을 형성한다. 예를 들어, 파릴렌 박막의 선택적인 식각은 포토 레지스트를 식각 마스크로 사용한 O2 플라즈마 식각법을 이용할 수 있다. 변형막(130)은 압전막(150)과 소정의 높이차(H)를 갖도록 형성하기 위하여, 예를 들어 제1 전극(171)을 변형막(130)의 두께에 대해 무시할 수 없을 정도의 두께로 형성할 수 있다.7C, parylene or silicon nitride is deposited on the piezoelectric layer 150 and the first and second electrode units 170 and 180, and the partial regions 130a and 130b are selectively etched to form a deformation A film 130 is formed. For example, the selective etching of the parylene film can use an O 2 plasma etching method using a photoresist as an etching mask. The deformable film 130 may be formed to have a thickness such that the first electrode 171 can not be neglected with respect to the thickness of the deformable film 130 in order to form the deformable film 130 with a predetermined height difference H from the piezoelectric film 150, .

다음으로, 도 7d를 참조하면, 기판(110)의 후면의 다이어프램 영역을 변형막의 일부 및 압전부의 저면이 노출될 때까지 식각하여 기판(110)에 관통영역(110a)을 형성한다. 기판(110)의 후면의 식각은 예를 들어, 실리콘 기판에 대해 실리콘 딥 식각법(Si Deep ICP RIE)을 이용할 수 있다. 이와 같이 변형막의 및 압전부를 릴리즈시킴으로써 다이어프램을 완성한다.7D, the diaphragm region on the rear surface of the substrate 110 is etched until a portion of the deformation film and a bottom surface of the piezoelectric portion are exposed, thereby forming a penetration region 110a in the substrate 110. Next, as shown in FIG. The back surface of the substrate 110 may be etched using, for example, a silicon deep etching (Si Deep ICP RIE) method for the silicon substrate. Thus, the diaphragm is completed by releasing the deformable film and the piezoelectric portion.

이러한 본 발명인 압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.The piezoelectric transducer and the method of manufacturing the piezoelectric transducer of the present invention have been described with reference to the embodiments shown in the drawings for the sake of understanding. However, those skilled in the art will appreciate that various modifications, It will be appreciated that other embodiments are possible. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the appended claims.

100, 101, 200...압전형 음향 변환기
110, 210...기판 120, 185, 220...절연막
130, 230...변형막 150, 250...압전막
170, 270...제1전극부 180, 280...제2전극부100, 101, 200 ... Piezoelectric acoustic transducer
110 and 210, a substrate 120, 185 and 220,
130, 230 ... strain film 150, 250 ... piezoelectric film
170, 270 ... First electrode unit 180, 280 ... Second electrode unit

Claims (15)

관통영역이 형성된 기판;
상기 관통영역의 중앙쪽 일부 영역에 위치하며 탄성 변형되는 변형막; 및
상기 변형막의 외곽과 상기 기판을 연결하며, 자신의 평면 방향의 변형이 상기 변형막에 전달되거나 상기 변형막의 변형이 자신에게 전달되어, 상기 변형막과 함께 진동하는 것으로, 압전막과 상기 압전막의 양면에 마련된 제1 및 제2 전극을 구비한 압전부;를 포함하는 압전형 음향 변환기.A substrate on which a through region is formed;
A deformation film which is elastically deformed and is located in a part of the central region of the through region; And
Wherein a deformation of the deformation film in its planar direction is transmitted to the deformation film or a deformation of the deformation film is transmitted to the deformation film and vibrates together with the deformation film to connect the outer periphery of the deformation film and the substrate, And a piezoelectric unit having first and second electrodes provided on the piezoelectric substrate. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 관통영역 외곽의 기판 상부면에서 상기 압전막의 하부면에 형성되며,
상기 제2 전극은 상기 압전막의 상부면에 상기 압전막의 영역보다 작은 영역에 걸쳐 형성되고,
상기 압전부는 상기 변형막의 외측 경계 영역에서 상기 관통영역 외곽의 기판 상부면에 걸쳐 형성된 압전형 음향 변환기.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode is formed on the lower surface of the piezoelectric film on the upper surface of the substrate outside the through region,
The second electrode is formed on the upper surface of the piezoelectric film over a region smaller than the region of the piezoelectric film,
Wherein the piezoelectric portion is formed to extend from an outer boundary region of the deformable film to an upper surface of the substrate outside the through region. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 압전부의 중심평면이 상기 변형막의 기하학적 중심평면과 다른 면상에 놓이는 압전형 음향 변환기. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the center plane of the piezoelectric portion lies on a surface different from the geometric center plane of the deformation film. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 압전막과 제1 전극의 사이 및 상기 압전막과 제2 전극의 사이 중 적어도 어느 한 쪽에 개재되는 압전부 절연막을 더 포함하는 압전형 음향 변환기.3. The method according to claim 1 or 2,
And a piezoelectric portion insulating film interposed between the piezoelectric film and the first electrode and between the piezoelectric film and the second electrode. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극에 각각 구동 전압을 인가하기 위한 것으로 상기 기판 상부면에 마련되는 제1 및 제2 전극단자; 및
상기 제1 및 제2 전극과 제1 및 제2 전극단자를 각각 연결하기 위한 제1 및 제2 리드선;을 더 포함하는 압전형 음향 변환기. 3. The method according to claim 1 or 2,
First and second electrode terminals provided on a top surface of the substrate for applying a driving voltage to the first and second electrodes, respectively; And
And first and second leads for connecting the first and second electrodes to the first and second electrode terminals, respectively. 제5 항에 있어서,
상기 관통영역 외곽의 기판 상부면과 상기 제1 및 제2 전극단자 사이에 개재된 외곽 절연막을 더 포함하는 압전형 음향 변환기.6. The method of claim 5,
Further comprising an outer insulating film interposed between the upper surface of the substrate outside the through region and the first and second electrode terminals. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 변형막은 파릴렌막 또는 실리콘 질화막인 압전형 음향 변환기.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the deforming film is a parylene film or a silicon nitride film. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 압전막은 ZnO, AlN, PZT, PbTiO3, 또는 PLT로 형성된 압전형 음향 변환기.3. The method according to claim 1 or 2,
The piezoelectric film piezoelectric transducer formed of ZnO, AlN, PZT, PbTiO 3 , or PLT. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극은 Cr, Au, Cu, Al, Mo, Ti, Pt으로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나의 금속으로 형성된 압전형 음향 변환기.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first and second electrodes are made of at least one metal selected from the group consisting of Cr, Au, Cu, Al, Mo, Ti and Pt. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
마이크로 스피커 또는 마이크로 폰인 압전형 음향 변환기.3. The method according to claim 1 or 2,
Piezoelectric sound transducers that are micro-speakers or microphones. 기판 위에 제1 전극, 제1 리드선 및 제1 전극단자를 포함하는 제1 전극부를 형성하는 단계;
상기 제1 전극 위에 압전막을 형성하는 단계;
상기 압전막 위에 제2 전극 형성하고, 상기 기판 위에 제2 리드선 및 제2 전극단자를 포함하는 제2 전극부를 형성하는 단계;
상기 기판의 압전막이 형성되지 않은 영역에 변형막을 형성하는 단계; 및
상기 압전막과 상기 변형막이 놓인 상기 기판의 하부를 식각하여, 다이어프램을 형성하는 단계;를 포함하는 압전형 음향 변환기의 제조방법.Forming a first electrode portion including a first electrode, a first lead line, and a first electrode terminal on a substrate;
Forming a piezoelectric film on the first electrode;
Forming a second electrode on the piezoelectric film, and forming a second electrode portion including a second lead line and a second electrode terminal on the substrate;
Forming a deformation film on a region of the substrate where the piezoelectric film is not formed; And
And etching the lower surface of the substrate on which the piezoelectric film and the deformation film are placed to form a diaphragm. 제11 항에 있어서,
상기 압전막은 상기 기판의 일 영역에 형성하며, 상기 변형막은 상기 기판의 상기 압전막이 형성된 영역의 외곽 영역에 형성하는 압전형 음향 변환기의 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the piezoelectric film is formed in one region of the substrate, and the deformed film is formed in an outer region of the substrate in which the piezoelectric film is formed. 제11 항에 있어서,
상기 변형막은 상기 기판의 일 영역에 형성하며, 상기 압전막은 상기 기판의 상기 변형막이 형성된 영역의 외곽 영역에 형성하는 압전형 음향 변환기의 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the deformation film is formed in one area of the substrate and the piezoelectric film is formed in an outer area of an area where the deformation film is formed on the substrate. 제11 항에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하기 전에 상기 기판 위에 절연막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 압전형 음향 변환기의 제조방법.12. The method of claim 11,
And forming an insulating film on the substrate before forming the first electrode part. 제11 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압전막의 중심편면이 상기 변형막의 기하학적 중심평면과 다른 면상에 놓이도록 하는 압전형 음향 변환기의 제조방법.15. The method according to any one of claims 11 to 14,
Wherein the central plane of the piezoelectric film is located on a plane different from the geometrical center plane of the deformable film.
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