KR101066102B1 - Micro speaker and method for forming thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 압전형 마이크로 스피커에 대한 것으로서 이 장치는 기판, 상기 기판 상에 형성되어 있는 압전층, 상기 압전층 상에 형성되어 있는 상부 전극, 그리고 상기 압전층과 상기 상부 전극을 관통하며 하나의 캔틸레버 영역을 정의하는 홀을 매립하며 상기 상부 전극 상에 형성되어 있는 폴리머 다이아프램을 포함한다.따라서, 압전형 캔틸레버 또는 이와 유사한 구조를 이용한 폴리머 다이아프램 마이크로 스피커는 음악 및 소리의 발생을 위해 공진 주파수를 낮추고, 음압 발생을 높이기 위해 영률이 작은 재료 즉, 폴리머 등을 사용하여 저주파 영역까지 음압을 발생할 수 있다.The present invention relates to a piezoelectric micro speaker, comprising: a cantilever passing through a substrate, a piezoelectric layer formed on the substrate, an upper electrode formed on the piezoelectric layer, and the piezoelectric layer and the upper electrode. A polymer diaphragm using a piezoelectric cantilever or a similar structure is embedded in the polymer diaphragm, which fills a hole defining an area. In order to lower the pressure and increase the generation of sound pressure, a material having a small Young's modulus, that is, a polymer, may be used to generate sound pressure up to the low frequency region.

압전형 마이크로스피커, 캔틸레버, Parylene-C, 전극. Piezoelectric microspeakers, cantilevers, Parylene-C, electrodes.

Description

마이크로 스피커 및 그의 제조 방법{Micro speaker and method for forming thereof}Micro speaker and manufacturing method thereof

본 발명은 마이크로 스피커 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 압전형의 마이크로 스피커 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a micro speaker and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a piezoelectric micro speaker and a method of manufacturing the same.

본 발명은 지식경제부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-006-03, 과제명: 유비쿼터스 단말용 부품/모듈].The present invention is derived from the research conducted as part of the IT source technology development project of the Ministry of Knowledge Economy and the Ministry of Information and Telecommunications Research and Development [Task Management No .: 2006-S-006-03, Task name: Parts / modules for ubiquitous terminals].

본 발명은 압전 박막을 이용한 마이크로스피커 제작에 있어서 라우드스피커에서 적용된 콘지와 콘지를 구동하는 보이스 코일과 유사한 구조를 채용하여 음압(sound pressure)을 높일 수 있는 다이아프램을 가지는 마이크로 스피커에 대한 것이다.The present invention relates to a micro speaker having a diaphragm capable of increasing sound pressure by adopting a structure similar to a voice coil driving a cone and a cone applied in a loudspeaker in manufacturing a micro speaker using a piezoelectric thin film.

마이크로 시스템 (Micro Electro Mechanical Systems; MEMS) 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 마이크폰과 마이크로스피커를 소형화하는 기술이 종래에 개시되어 있다. 실리콘 웨이퍼에 음향 변환기(acoustic transducer)를 제조하는 이러한 방법은 일괄 프로세싱에 의해 제조가 가능하므로 비용을 절감할 수 있으며, 단일 칩 내에 다수의 변환기와 증폭기들을 집적할 수가 있으므로 소형화가 가능하여 종래의 방법과 비교하여 많은 이점이 있게 된다.Background Art A technique for miniaturizing a microphone and a microspeaker on a silicon wafer using a Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) technique has been disclosed. This method of manufacturing an acoustic transducer on a silicon wafer can be manufactured by batch processing, thereby reducing costs, and miniaturization is possible because multiple transducers and amplifiers can be integrated in a single chip. There are many advantages compared to.

일반적으로는 압전형의 마이크로 시스템(MEMS)을 이용한 변환기보다 콘덴서 타입의 마이크로 시스템(MEMS)을 이용한 변환기가 많이 사용되지만, 압전형의 마이크로 시스템(MEMS)을 이용한 변환기는 콘덴서 타입보다는 제작이 보다 용이하며, 분극 전압이 필요없으며, 보다 넓은 동작 범위를 갖는 장점이 있다.Generally, a transducer using a condenser type micro system (MEMS) is used more than a transducer using a piezoelectric type micro system (MEMS), but a converter using a piezoelectric micro system (MEMS) is easier to manufacture than a condenser type. It does not require a polarization voltage and has a wider operating range.

그러나, 마이크로 시스템(MEMS)에 의해 제작된 압전형 변환기는 변환기 다이어프램에 있어 인장 잔류 응력 때문에 상대적으로 마이크로폰에서 낮은 감도를 가지며, 마이크로 스피커에서는 낮은 출력을 보여주는 문제점이 있다.However, piezoelectric transducers manufactured by MEMS have relatively low sensitivity in the microphone due to tensile residual stress in the transducer diaphragm, and show low output in the micro speaker.

다이어프램의 압축성 응력을 이용하여 이러한 문제점을 해결할 수가 있으나, 다이어프램에 주름이 형성되는 문제가 발생하며, 이러한 다이어프램의 주름은 스피커 동작의 반복정도(repeatability)의 제어를 어렵게 만들며, 조화 왜곡(harmonic distortion)을 최소화하기 어려운 문제점이 있게 된다.This problem can be solved by using the compressive stress of the diaphragm, but there is a problem that wrinkles are formed in the diaphragm. Such wrinkles of the diaphragm make it difficult to control the repeatability of the speaker operation, and harmonic distortion. There is a problem that is difficult to minimize.

일반적으로 이러한 인장 응력을 최소화하는 방법으로 압축성 다이아프램을 이용하는 방법 이외에 가장 널리 사용되는 방법으로 주름 또는 힌지 구조를 이용하는 방법을 들 수 있다. 그러나 반도체 공정을 이용한 마이크로 시스템에서 주름 또는 힌지 구조를 제작하기 위해서는 추가적인 비용이 발생하게 된다.In general, a method of minimizing such tensile stress, in addition to the use of a compressible diaphragm, the most widely used method includes a method of using a wrinkle or hinge structure. However, there is an additional cost to fabricate wrinkles or hinge structures in microsystems using semiconductor processes.

마이크로 시스템 구조체를 이루는 다이아프램의 경우 캔틸레버, 브릿지, 그리고 멤브레인으로 대별할 수 있는데 변위를 크게 하기 위해 캔틸레버를 사용하거나, 다이아프램의 재료를 변경하는 방법이 주로 사용된다.Diaphragms that make up a microsystem structure can be roughly divided into cantilevers, bridges, and membranes. The cantilever is used to increase the displacement, or the diaphragm material is mainly changed.

캔틸레버 구조의 경우 세가지 다이아프램 중에서 가장 큰 변위를 낼 수 있는 반면에 음향변환기에 사용할 때 저주파 영역의 음압이 생성되지 않는 단점이 있다.In the case of the cantilever structure, the largest displacement among the three diaphragms can be obtained, but the sound pressure in the low frequency region is not generated when used in the acoustic transducer.

본 발명의 목적은 제작이 용이하며, 마이크로 스피커의 출력 음압을 높일 수 있는 폴리머 다이아프램과 이 다이아프램을 구동하기 위한 압전 캔틸레버를 가지는 압전형 마이크로 스피커를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a piezoelectric micro speaker having a polymer diaphragm which is easy to manufacture and can increase the output sound pressure of the micro speaker and a piezoelectric cantilever for driving the diaphragm.

본 발명에 따른 압전형 마이크로 스피커는 기판, 상기 기판 상에 형성되어 있는 압전층, 상기 압전층 상에 형성되어 있는 상부 전극, 그리고 상기 압전층과 상기 상부 전극을 관통하며 하나의 캔틸레버 영역을 정의하는 홀을 매립하며 상기 상부 전극 상에 형성되어 있는 폴리머 다이아프램을 포함한다.The piezoelectric micro speaker according to the present invention defines a cantilever region through a substrate, a piezoelectric layer formed on the substrate, an upper electrode formed on the piezoelectric layer, and passing through the piezoelectric layer and the upper electrode. It includes a polymer diaphragm which is buried in the hole and formed on the upper electrode.

상기 압전층은 ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT 또는 PIN-PT를 포함할 수 있다.The piezoelectric layer may include ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT or PIN-PT.

상기 기판은 상기 압전층의 홀부터 기판의 하부면까지 개방부를 가질 수 있다.The substrate may have an opening from the hole of the piezoelectric layer to the lower surface of the substrate.

상기 압전형 마이크로 스피커는, 상기 기판 상하면에 형성되어 있는 절연막, 그리고 기판 상면의 절연막과 상기 압전층 사이에 형성되어 있는 하부 전극을 더 포함하며, 상기 하부 전극, 압전층 및 상부 전극이 IDE 전극을 형성할 수 있다.The piezoelectric micro speaker further includes an insulating film formed on the upper and lower surfaces of the substrate, and a lower electrode formed between the insulating film on the upper surface of the substrate and the piezoelectric layer, wherein the lower electrode, the piezoelectric layer, and the upper electrode form an IDE electrode. Can be formed.

상기 기판의 개방부는 상기 압전층의 변위를 최대로 하기 위하여 세로 방향 의 단면이 사각형 또는 사다리꼴 구조를 가질 수 있다.The open portion of the substrate may have a rectangular or trapezoidal structure in the longitudinal direction in order to maximize the displacement of the piezoelectric layer.

상기 기판의 개방부는 상기 압전층의 변위를 최대로 하기 위하여 가로 방향의 단면이 원형 또는 사각형을 가지며, 상기 IDE 전극은 상기 폴리머 다이아프램에 대하여 50 ~ 70%의 면적을 차지할 수 있다.The opening of the substrate may have a circular or rectangular cross section in the horizontal direction to maximize the displacement of the piezoelectric layer, and the IDE electrode may occupy an area of 50 to 70% with respect to the polymer diaphragm.

본 발명에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법은 기판의 상하면에 절연막을 형성하는 단계, 상기 기판 상면의 상기 절연막 위에 압전층을 형성하는 단계, 상기 압전층 위에 상부 전극을 형성하는 단계, 상기 기판의 상면이 노출되도록 상기 상부 전극 및 압전층을 식각하여 홀을형성하는 단계, 그리고 상기 홀을 매립하며 상기 상부 전극 위에 폴리머 다이아프램을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a piezoelectric micro-speaker according to the present invention comprises the steps of forming an insulating film on the upper and lower surfaces of the substrate, forming a piezoelectric layer on the insulating film on the upper surface of the substrate, forming an upper electrode on the piezoelectric layer, Etching the upper electrode and the piezoelectric layer to expose a top surface, and forming a hole, and filling the hole and forming a polymer diaphragm on the upper electrode.

상기 압전층 하부에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a lower electrode under the piezoelectric layer.

상기 압전층은 ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT 또는 PIN-PT을 적층하여 형성할 수 있다.The piezoelectric layer may be formed by stacking ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT or PIN-PT.

상기 기판을 식각하여 상면이 노출되는 홀부터 하면까지 개방부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an opening from the hole to which the upper surface is exposed by etching the substrate.

상기 개방부는 세로 방향의 단면이 사각형 또는 사다리꼴을 갖도록 식각할 수 있다.The opening may be etched such that the longitudinal section has a square or trapezoid.

상기 개방부는 가로 방향의 단면이 원형 또는 사각형을 갖도록 식각할 수 있다.The opening may be etched such that the cross section in the horizontal direction has a circle or a rectangle.

본 발명의 압전형 캔틸레버 또는 이와 유사한 구조를 이용한 폴리머 다이아 프램 마이크로 스피커는 음악 및 소리의 발생을 위해 공진 주파수를 낮추고, 음압 발생을 높이기 위해 영률이 작은 재료 즉, 폴리머 등을 사용하여 저주파 영역까지 음압을 발생할 수 있다.The polymer diaphragm micro speaker using the piezoelectric cantilever or the like structure of the present invention lowers the resonance frequency for the generation of music and sound, and uses a material having a small Young's modulus, that is, a polymer or the like, to increase the sound pressure to the low frequency region. May occur.

또한 최대 음압의 발생을 가능하기 위해 마이크로 시스템 구조체 중 동일 치수에서 가장 변위가 큰 캔틸레버 구조 또는 이와 유사한 구조를 채택함으로써 압전 재료의 변위를 높이기 위해 d33 압전 상수를 이용하기 위한 IDE 구조를 채택하였다.In order to enable the generation of the maximum sound pressure, the IDE system is adopted to use the d33 piezoelectric constant to increase the displacement of the piezoelectric material by adopting the cantilever structure having the largest displacement in the same dimension or the similar structure among the micro system structures.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. .

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

도 1은 본 발명에 따른 마이크로 스피커의 평면도이고, 도 2는 도 1의 마이크로 스피커의 단면도이다.1 is a plan view of a micro speaker according to the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view of the micro speaker of FIG.

도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 마이크로 스피커(100)는 라우드 스피커와 유사하게 콘지와 대응되는 폴리머 다이아프램을 포함하고, 콘지를 구동하는 보이스 코일에 대응하는 복수의 압전 캔틸레버(110) 및 압전 캔틸레버(110)에 전압을 전달하기 위한 전극(130)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the micro speaker 100 according to the present invention includes a polymer diaphragm corresponding to a cone, similar to a loudspeaker, and includes a plurality of piezoelectric cantilevers 110 and piezoelectric elements corresponding to a voice coil for driving the cone. It includes an electrode 130 for transmitting a voltage to the cantilever 110.

즉, 마이크로 스피커(100)는 4개의 캔틸레버(110)로 구성되며, 전압을 인가하기 위한 캔틸레버(110) 위의 전극 (130), 캔틸레버(110)와 캔틸레버(110) 사이의 공간, 그리고 전극(130) 위를 폴리머 다이아프램이 덮고 있는 구조를 볼 수 있다. 실제 전극의 경우 매우 얇기 때문에 (수 um 이하의 두께를 가짐) 캔틸레버(110)와 마이크로 스피커(100)를 구성하는 중간의 공간 전체를 폴리머 다이아프램이 덮여 있다.That is, the micro speaker 100 is composed of four cantilever 110, the electrode 130 on the cantilever 110 for applying a voltage, the space between the cantilever 110 and the cantilever 110, and the electrode ( 130) The structure covered by the polymer diaphragm can be seen above. Since the actual electrode is very thin (having a thickness of a few um or less), the polymer diaphragm is covered in the entire space between the cantilever 110 and the micro speaker 100.

도 2를 참고하면, 캔틸레버(110)와 폴리머 다이아프램으로 구성된 마이크로 스피커는 실리콘 기판(200)과 실리콘 기판(200)의 일부가 두께 방향으로 식각되고, 이 식각된 실리콘 기판(200) 위에 압전층(500)이 형성되어 압전 캔틸레버를 이루며, 압전 캔틸레버 위에 폴리머(700)가 증착되고, 전압을 인가하기 위해 폴리머(700)의 일부분을 식각하여 전극과 연결한다.Referring to FIG. 2, in the micro speaker including the cantilever 110 and the polymer diaphragm, the silicon substrate 200 and a portion of the silicon substrate 200 are etched in the thickness direction, and the piezoelectric layer is formed on the etched silicon substrate 200. A 500 is formed to form a piezoelectric cantilever, and a polymer 700 is deposited on the piezoelectric cantilever, and a portion of the polymer 700 is etched to connect with an electrode to apply a voltage.

구체적으로, 실리콘 등의 기판(200)의 상부면에 복수의 절연막(300), 제1전극(400), 압전층(500) 및 제2 전극(600)이 적층되어 있다. 제2 전극(600)의 일부는 압전층으로부터의 변화량 (압전상수 d33을 이용함, d33 > d31)을 극대화하기 위해 패터닝되어 있으며, 절연막(300), 제1전극(400), 압전층(500) 및 제2 전극(600)에 형성되어 있는 홀(650)을 매우며 폴리머 다이아프램(700)이 제2 전극(600) 상에 형성되어 있다. In detail, the plurality of insulating layers 300, the first electrode 400, the piezoelectric layer 500, and the second electrode 600 are stacked on the upper surface of the substrate 200 such as silicon. A portion of the second electrode 600 is patterned to maximize the amount of change from the piezoelectric layer (using the piezoelectric constant d33, d33> d31), and the insulating film 300, the first electrode 400, and the piezoelectric layer 500. And a hole 650 formed in the second electrode 600, and a polymer diaphragm 700 is formed on the second electrode 600.

또한, 폴리머 다이아프램(700) 상에 패드 절연막(800)이 형성되어 있으며, 제2 전극(600)을 노출하는 컨택홀(850)이 패드 절연막(800)과 폴리머 다이아프램(700)을 관통하여 형성되어 있다.In addition, a pad insulating film 800 is formed on the polymer diaphragm 700, and a contact hole 850 exposing the second electrode 600 penetrates the pad insulating film 800 and the polymer diaphragm 700. Formed.

한편, 기판(200)의 하부면에는 복수의 절연막(220) 및 패드 절연막(820)이 형성되어 있으며, 복수의 절연막(220) 및 패드 절연막(820)은 기판(200) 상부면을 노출하는 홀(650)보다 큰 직경의 홀을 갖는다.Meanwhile, a plurality of insulating films 220 and a pad insulating film 820 are formed on the lower surface of the substrate 200, and the plurality of insulating films 220 and the pad insulating film 820 expose holes on the upper surface of the substrate 200. Has a diameter of greater than 650.

기판(200)은 하부 절연막(220)의 홀부터 상부 절연막(300)까지 경사지며 식각되어 사다리꼴 모양의 단면을 가지는 개방부(250)를 포함한다. 그러나, 기판(200)의 개방부(250)의 단면은 직사각형일 수도 있다.The substrate 200 includes an opening 250 inclined from the hole of the lower insulating film 220 to the upper insulating film 300 and etched to have a trapezoidal cross section. However, the cross section of the opening 250 of the substrate 200 may be rectangular.

이러한, 마이크로 스피커에 사용되는 다이아프램(700)은 다우드 스피커의 콘지로 사용되는 재료로서, 재료의 탄성 계수가 음향변환기에 사용하기에 가장 적합하고, 음성 주파수 영역에서 금속 재료에서 나오는 고주파 하모닉 성분이 상대적으로 작아 청음 인식도가 큰 재료를 사용한다. 이러한 다이아프램(700)으로서, Parylene-C와 같은 낮은 영률을 갖는 탄성 재료를 사용한다.The diaphragm 700 used in the micro-speaker is a material used as the cone of the loudspeaker, and the elastic modulus of the material is most suitable for use in the acoustic transducer. Use materials that are relatively small and have high hearing recognition. As the diaphragm 700, an elastic material having a low Young's modulus such as Parylene-C is used.

또한, 본 발명의 마이크로 스피커는 다이아프램(700)을 구동하기 위해 구동 변위를 최대로 할 수 있는 캔틸레버 또는 이와 유사한 구조로서 미세 캔틸레버를 가진다.In addition, the micro speaker of the present invention has a fine cantilever as a cantilever or a similar structure capable of maximizing driving displacement for driving the diaphragm 700.

또한 현재 나와있는 일반적인 마이크로 스피커의 직경은 10mm 이상인데, 이는 출력 음압이 방출되는 면적에 비례하고, 구조체가 낼 수 있는 변위와 주파수에 따라 변하기 때문이다. 따라서 본 발명에서는 음압의 방출 면적과 변위를 조절하여 마이크로 스피커의 초소형화가 가능하다.In addition, the current diameter of a typical micro speaker is more than 10mm because it is proportional to the area of the output sound pressure is emitted, and changes depending on the displacement and frequency that the structure can produce. Therefore, in the present invention, the micro speaker can be miniaturized by adjusting the emission area and displacement of the sound pressure.

또한, 압전층(500)의 경우 전압-스트레인 관계에 의해 d31 계수와 d33 계수가 존재하는 데 일반적으로 d33 > 2*d31 관계식이 성립된다. 이때, 최대 변위를 내기 위해서는 d33 계수를 이용하는 것이 바람직하므로 이를 위해 본 발명에서는 IDE 전극 구조, 즉 압전층(500)을 유전체로 제1 전극(400) 및 제2 전극(600)이 커패시터를 형성하는 구조를 가진다.In addition, in the piezoelectric layer 500, a d31 coefficient and a d33 coefficient exist due to a voltage-strain relationship, and generally a d33> 2 * d31 relation is established. In this case, in order to achieve the maximum displacement, it is preferable to use the d33 coefficient. Therefore, in the present invention, the first electrode 400 and the second electrode 600 form a capacitor using the IDE electrode structure, that is, the piezoelectric layer 500 as a dielectric. It has a structure.

이하에서는 도 3 내지 도 10을 참고하여, 도 2의 마이크로 스피커의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the micro speaker of FIG. 2 will be described with reference to FIGS. 3 to 10.

도 3 내지 도 10은 본 발명에 따른 마이크로 스피커의 제조 단계를 나타내는단면도이다.3 to 10 are cross-sectional views showing the manufacturing steps of the micro-speaker according to the present invention.

먼저, 도 3과 같이, 실리콘 기판(200)을 열 산화하여 기판(200)의 상하부에 실리콘 산화막(300, 220)을 형성하고, 상하부의 실리콘 산화막(300, 220) 위에 실리콘 질화막(300)을 LPCVD(Low pressure chemical vapor deposition)법에 의해 기상증착한다. 이때, 기판(200) 상부의 실리콘 질화막(300) 상에 PECVD를 통하여 산화막(300)을 더 형성할 수 있다.First, as shown in FIG. 3, the silicon substrate 200 is thermally oxidized to form silicon oxide films 300 and 220 on upper and lower portions of the substrate 200, and the silicon nitride film 300 is disposed on the upper and lower silicon oxide films 300 and 220. Vapor deposition is performed by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). In this case, the oxide film 300 may be further formed on the silicon nitride film 300 on the substrate 200 through PECVD.

기판(200) 상부의 실리콘 질화막(300) 위에 금속 층, 예를 들어 플로늄과 티타늄을 적층하거나 또는 ZrO2 (또는 Al2O3) 유전체 층을 증착하여 제1 전극(400)을 형성하고, 제1 전극(400) 상에 ZnO, AlN, PZT(PbZrO3와 PbTiO3 의 완전 고용체), PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT 또는 PIN-PT 등의 압전층(500)을 형성한다.The first electrode 400 may be formed by stacking a metal layer, for example, fluorium and titanium, or depositing a ZrO 2 (or Al 2 O 3) dielectric layer on the silicon nitride layer 300 on the substrate 200. A piezoelectric layer 500 such as ZnO, AlN, PZT (completely solid solution of PbZrO3 and PbTiO3), PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT, or PIN-PT is formed on 400).

다음으로, 도 4와 같이 압전층(500) 상에 제1 전극(400) 및 압전층(500)과 IDE 전극을 형성하기 위하여 제2 전극(600)을 증착한다. 제2 전극(600)은 금과 크롬을 적층하여 형성할 수 있으며, 제1 전극(400), 압전층(500) 및 제2 전극(600)의 커패시터 구조가 IDE 전극을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4, the second electrode 600 is deposited to form the first electrode 400, the piezoelectric layer 500, and the IDE electrode on the piezoelectric layer 500. The second electrode 600 may be formed by stacking gold and chromium, and a capacitor structure of the first electrode 400, the piezoelectric layer 500, and the second electrode 600 forms an IDE electrode.

이때, 제1 전극(400) 및 제2 전극(600)은 약 150nm 정도이며, 압전층(500)은 약 500 nm정도의 두께를 가진다.In this case, the first electrode 400 and the second electrode 600 are about 150 nm, and the piezoelectric layer 500 has a thickness of about 500 nm.

다음으로, 도 5와 같이, 양성 포토 레지스트를 도포하고, 식각하여 제2 전극(600)을 패터닝하고, 도 6과 같이 양성 포토 레지스트를 도포하고 미세 캔틸레버 형상을 갖도록 기판(200)이 노출될 때까지 제2 전극(600), 압전층(500), 제1 전극(400) 및 산화막, 질화막(300)을 식각하여 홀(650)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5, when the positive electrode photoresist is applied and etched to pattern the second electrode 600, as shown in FIG. 6, the positive electrode photoresist is applied and the substrate 200 is exposed to have a fine cantilever shape. The hole 650 is formed by etching the second electrode 600, the piezoelectric layer 500, the first electrode 400, the oxide film, and the nitride film 300.

이때, 식각은 RIE(Reactive ion etching)로 수행할 수 있다.In this case, etching may be performed by reactive ion etching (RIE).

다음으로, 도 7과 같이 홀(650)을 매립하며 제2 전극(600) 상부를 덮도록 폴리머(700)를 증착하며, 이때 폴리머(700)는 Parylene-C를 사용할 수 있으며, 제2 전극(600) 위로 약 1um정도의 두께를 갖도록 증착된다.Next, as shown in FIG. 7, the polymer 700 is deposited to fill the hole 650 and cover the upper portion of the second electrode 600. In this case, the polymer 700 may use Parylene-C, and the second electrode ( 600) is deposited to have a thickness of about 1um.

다음으로, 도 8과 같이 기판(200)의 상하부에 포토 레지스트(800,820)를 도포하고, 기판(200) 하부가 노출되도록 식각하여 홀을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8, photoresist 800 and 820 are applied to upper and lower portions of the substrate 200, and the holes are formed by etching the substrate 200 to expose the lower portion of the substrate 200.

또한, 도 9와 같이 기판(200) 상부에서, 압전층(500)에 전압을 인가하기 위한 전극 패드를 제2 전극(600)과 연결하기 위하여 폴리머(700)를 식각하여 제2 전 극(600)을 노출하는 홀(850)을 형성한다.In addition, as illustrated in FIG. 9, the polymer 700 is etched to connect an electrode pad for applying a voltage to the piezoelectric layer 500 with the second electrode 600, as shown in FIG. 9, to the second electrode 600. To form a hole 850.

마지막으로, 도 10과 같이, 실리콘 기판(200)을 이방성 식각하여, 상부 절연막(300)의 홀(650)부터 하부 절연막(220)까지 연결하는 개방부(250)를 형성한다. 이때, 이방성 식각으로는 KOH용액을 사용하여 수행할 수 있다.Finally, as shown in FIG. 10, the silicon substrate 200 is anisotropically etched to form an opening 250 that connects the hole 650 of the upper insulating layer 300 to the lower insulating layer 220. At this time, the anisotropic etching may be performed using a KOH solution.

이러한 개방부(250)는 압전층(500)의 변위를 최대로 하기 위하여 세로 방향의 단면이 사각형 또는 사다리꼴 구조를 가질 수 있으며, 가로 방향의 단면이 원형 또는 사각형을 가질 수 있다. In order to maximize the displacement of the piezoelectric layer 500, the opening part 250 may have a quadrangular or trapezoidal structure in the longitudinal direction, and may have a circular or rectangular cross section in the horizontal direction.

이러한 압전 캔틸레버의 IDE 전극(400, 500, 600)은 폴리머 다이아프램(700)에 대하여 50 ~ 70% 정도의 면적을 차지할 수 있다.The IDE electrodes 400, 500, and 600 of the piezoelectric cantilever may occupy about 50 to 70% of the area of the polymer diaphragm 700.

일반적인 압전 마이크로 스피커에서, 음압 레벨은 저주파 영역으로 낮아짐에 따라 감소한다. 이는 메탈 등을 사용한 진동판의 경우, 최소 공진주파수에 영향을 미칠 뿐 아니라, 동일 치수를 갖는 다이아프램의 경우 막 형태가 가장 높은 공진 주파수를 갖기 때문이다.In a typical piezoelectric micro speaker, the sound pressure level decreases as it is lowered into the low frequency region. This is because, in the case of a diaphragm using a metal or the like, not only the minimum resonant frequency is influenced, but also the diaphragm having the same dimension has the highest resonant frequency.

따라서 저주파 영역의 음압을 높이기 위해서는 최소 공진 주파수를 낮추어야 하는데, 캔틸레버를 사용하는 경우 캔틸레버를 제작하기 위해 필수적으로 요구되는 갭에 의해 음이 누설되어 진동판의 각각의 측면에서 발생된 역전된 위상의 음파가 서로 간섭하여 저주파 특성이 현저하게 열화되어 저주파 영역의 음압의 감소가 발생한다.Therefore, in order to increase the sound pressure in the low frequency region, the minimum resonant frequency should be lowered. In the case of using the cantilever, the sound leaks due to the gap required for the fabrication of the cantilever, and the inverted phase sound waves generated on each side of the diaphragm Interfering with each other, the low frequency characteristics are significantly degraded, resulting in a decrease in sound pressure in the low frequency region.

그러나, 본 발명에서와 같이 폴리머 다이아프램(700)을 형성하여 캔틸레버 또는 이와 유사한 구조의 갭을 메움으로써 진동판 양측을 격리할 수 있어 음파의 간섭을 방지할 수 있다.However, by forming the polymer diaphragm 700 to fill the gap of the cantilever or similar structure as in the present invention, it is possible to isolate both sides of the diaphragm to prevent the interference of sound waves.

또한, 폴리머 다이아프램(700)의 경우 실리콘 또는 실리콘 질화막/산화막의 다이아프램보다 훨씬 더 낮은 영률, 예컨데 약 100배 정도가 낮은 영률을 갖는다. In addition, the polymer diaphragm 700 has a Young's modulus that is much lower than the diaphragm of silicon or silicon nitride / oxide, for example, about 100 times lower.

낮은 영률을 갖는 다이아프램은 잔류 응력(residual stress)을 거의 갖지 않으며, 움직이는 변위를 크게 할 수 있다.Diaphragms with low Young's modulus have little residual stress and can increase the displacement of movement.

또한, IDE 전극을 이용하며, 압전층(500)을 식각한 후에 폴리머를 증착함으로써 종래의 평행판 타입의 구조에 비하여 추가적인 제작 공정이 필요하지 않는다. In addition, by using an IDE electrode and depositing a polymer after etching the piezoelectric layer 500, an additional manufacturing process is not required as compared with a conventional parallel plate type structure.

또한, 다이아프램을 금속막으로 형성함으로써 금속막에서 높은 공진 피크 값이 발생하며, 이를 감소하기 위한 부가적인 절연막 등의 추가로 주파수 재생이 평탄하지 않고, 강한 고조파 왜곡이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.In addition, by forming the diaphragm as a metal film, a high resonance peak value is generated in the metal film, and an additional insulating film or the like to reduce the frequency is not flattened, and a problem of generating strong harmonic distortion can be prevented. have.

즉, 음향 진동을 감쇄시키는 재료, 합성 재료나 폴리머로 이루어진 멤브레인 상에 압전 세라믹 디스크를 접착하여 압전 재생 소자를 형성하여 평탄한 주파수를 가지며, 100Hz와 20kHz 사이에서 평균 3%의 낮은 고조파 왜곡을 가짐으로써 산업적 응용을 위한 음악 및 소리 재생에 충분한 품질을 갖는 압전 재생 소자를 구현할 수 있다.That is, piezoelectric ceramic elements are formed by adhering a piezoelectric ceramic disk on a membrane made of a material, a synthetic material, or a polymer that dampens acoustic vibration, and has a flat frequency, and has a low harmonic distortion of 3% on average between 100 Hz and 20 kHz. Piezoelectric reproducing elements having a quality sufficient for music and sound reproduction for industrial applications can be implemented.

이러한 마이크로 스피커의 공진 주파수는 다음과 같은 수학식으로 나타낼 수있다.The resonance frequency of such a micro speaker can be represented by the following equation.

[수학식][Equation]

위 식에서 t=폴리머막 두께, S=멤브레인의 표면, y=영률, r=Poisson's ratio, K=어셈블리 요소, b=캔틸레버의 길이, D4=폴리머 다이아프램의 직경, S1=자유이동하는 부분의 표면, D1=폴리머 다이아프램의 이동 부분과 벽 사이의 거리를 나타낸다.Where t = polymer film thickness, S = surface of membrane, y = Young's modulus, r = Poisson's ratio, K = assembly element, b = length of cantilever, D4 = diameter of polymer diaphragm, S1 = surface of free moving part , D1 = distance between the moving part of the polymer diaphragm and the wall.

S1과 D1은 마이크로 스피커 소자의 패키징에 의해 결정된다.S1 and D1 are determined by the packaging of the micro speaker element.

결과적으로 본 발명에서는 캔틸레버의 길이와 패키징에 의해 마이크로 스피커의 최소 공진주파수가 결정되어짐을 알 수 있다. 압전 구동형 캔틸레버의 경우 박막으로 이루어지기 때문에 잔류 응력이 존재한다. 이러한 잔류 응력에 의해 공진주파가 증가하며 이를 보상하기 위해 캔틸레버의 구조를 사다리꼴의 형태로 제작을 하면 움직이는 변위는 거의 영향을 받지 않으며, 공진 주파수를 더 내릴 수 있는 구조를 적용하는 것이 또한 가능하다.As a result, in the present invention, it can be seen that the minimum resonant frequency of the micro speaker is determined by the length and packaging of the cantilever. In the case of the piezoelectric driven cantilever, since it is made of a thin film, residual stress exists. Resonant frequency is increased by this residual stress, and if the cantilever structure is made in trapezoid shape to compensate for this, the moving displacement is hardly affected, and it is also possible to apply a structure that can further reduce the resonance frequency.

위의 공진 주파수 식에서 보면 낮은 영률을 갖는 다이아프램 재료를 사용하여 공진 주파수가 더 낮아짐을 알 수 있다.In the above resonance frequency equation, it can be seen that the resonance frequency is lowered by using a diaphragm material having a low Young's modulus.

본 발명에서는 이를 위해 라우드 스피커에서 사용된 콘지의 영률과 유사한 폴리머 재료를 사용한다.The present invention uses a polymeric material similar to the Young's modulus of the cone used in loudspeakers for this purpose.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하는 프로그램 또는 그 프로그램이 기록된 기록 매체를 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다.The embodiments of the present invention described above are not only implemented by the apparatus and method but may be implemented through a program for realizing the function corresponding to the configuration of the embodiment of the present invention or a recording medium on which the program is recorded, The embodiments can be easily implemented by those skilled in the art from the description of the embodiments described above.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

도 1은 본 발명에 따른 압전형 마이크로 스피커의 평면도이다.1 is a plan view of a piezoelectric micro speaker according to the present invention.

도 2는 도 1의 압전형 마이크로 스피커의 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the piezoelectric micro speaker of FIG. 1.

도 3 내지 도 10은 도 2의 압전형 마이크로 스피커의 제조 단계를 나타내는 단면도이다.3 to 10 are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing the piezoelectric micro speaker of FIG. 2.

Claims (12)

기판,Board, 상기 기판 상에 형성된 압전층,A piezoelectric layer formed on the substrate, 상기 압전층 상에 형성된 상부 전극,An upper electrode formed on the piezoelectric layer, 상기 압전층 및 상기 상부 전극이 캔틸레버 형상을 갖도록 상기 압전층 및 상기 상부 전극을 식각하여 형성된 홀, 그리고Holes formed by etching the piezoelectric layer and the upper electrode such that the piezoelectric layer and the upper electrode have a cantilever shape, and 상기 압전층 및 상기 상부 전극을 관통하는 상기 홀을 매립하면서 상기 상부 전극 상에 형성된 폴리머 다이아프램A polymer diaphragm formed on the upper electrode while filling the hole passing through the piezoelectric layer and the upper electrode 을 포함하는 압전형 마이크로 스피커.Piezoelectric micro speaker comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압전층은 ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT 또는 PIN-PT를 포함하는The piezoelectric layer includes ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT or PIN-PT 압전형 마이크로 스피커.Piezoelectric micro speaker. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판은 상기 압전층의 홀부터 기판의 하부면까지 개방부를 가지는The substrate has an opening from the hole of the piezoelectric layer to the lower surface of the substrate. 압전형 마이크로 스피커.Piezoelectric micro speaker. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압전형 마이크로 스피커는,The piezoelectric micro speaker, 상기 기판 상하면에 형성되어 있는 절연막, 그리고An insulating film formed on the upper and lower surfaces of the substrate, and 기판 상면의 절연막과 상기 압전층 사이에 형성되어 있는 하부 전극A lower electrode formed between the insulating film on the upper surface of the substrate and the piezoelectric layer 을 더 포함하며,More, 상기 하부 전극, 압전층 및 상부 전극이 IDE 전극을 형성하는The lower electrode, the piezoelectric layer and the upper electrode to form an IDE electrode 압전형 마이크로 스피커.Piezoelectric micro speaker. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 기판의 개방부는 상기 압전층의 변위를 최대로 하기 위하여 세로 방향의 단면이 사각형 또는 사다리꼴 구조를 가지는The opening of the substrate has a square or trapezoidal structure in the longitudinal section in order to maximize the displacement of the piezoelectric layer. 압전형 마이크로 스피커.Piezoelectric micro speaker. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 기판의 개방부는 상기 압전층의 변위를 최대로 하기 위하여 가로 방향의 단면이 원형 또는 사각형을 가지며, 상기 IDE 전극은 상기 폴리머 다이아프램에 대하여 50 ~ 70%의 면적을 차지하는 The opening of the substrate has a circular or rectangular cross section in the horizontal direction to maximize the displacement of the piezoelectric layer, and the IDE electrode occupies an area of 50 to 70% with respect to the polymer diaphragm. 압전형 마이크로 스피커.Piezoelectric micro speaker. 기판의 상하면에 절연막을 형성하는 단계,Forming an insulating film on the upper and lower surfaces of the substrate, 상기 기판 상면의 상기 절연막 위에 압전층을 형성하는 단계,Forming a piezoelectric layer on the insulating film on the upper surface of the substrate, 상기 압전층 위에 상부 전극을 형성하는 단계,Forming an upper electrode on the piezoelectric layer, 상기 기판의 상면이 노출되도록 상기 상부 전극 및 압전층을 식각하여 홀을형성하는 단계, 그리고Etching the upper electrode and the piezoelectric layer to expose the top surface of the substrate to form holes; and 상기 홀을 매립하며 상기 상부 전극 위에 폴리머 다이아프램을 형성하는 단계Filling the hole and forming a polymer diaphragm on the upper electrode 를 포함하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.Method of manufacturing a piezoelectric micro speaker comprising a. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 압전층 하부에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는The method may further include forming a lower electrode under the piezoelectric layer. 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.Method of manufacturing piezoelectric micro speakers. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 압전층은 ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT 또는 PIN-PT을 적층하여 형성하는The piezoelectric layer is formed by stacking ZnO, AlN, PZT, PMN-PT, PVDF, PZN-PT, PYN-PT or PIN-PT. 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.Method of manufacturing piezoelectric micro speakers. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판을 식각하여 상면이 노출되는 홀부터 하면까지 개방부를 형성하는 단계를 더 포함하는Etching the substrate to form an opening from a hole through which a top surface is exposed to a bottom surface; 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.Method of manufacturing piezoelectric micro speakers. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 개방부는 세로 방향의 단면이 사각형 또는 사다리꼴을 갖도록 식각하는The opening may be etched so that the longitudinal cross section has a square or trapezoid. 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.Method of manufacturing piezoelectric micro speakers. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 개방부는 가로 방향의 단면이 원형 또는 사각형을 갖도록 식각하는 The opening portion may be etched so that the cross section in the horizontal direction has a circular or square shape. 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.Method of manufacturing piezoelectric micro speakers.
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