KR20150033535A - Scrubber for treating processing waste gas - Google Patents

Scrubber for treating processing waste gas Download PDF

Info

Publication number
KR20150033535A
KR20150033535A KR20140116406A KR20140116406A KR20150033535A KR 20150033535 A KR20150033535 A KR 20150033535A KR 20140116406 A KR20140116406 A KR 20140116406A KR 20140116406 A KR20140116406 A KR 20140116406A KR 20150033535 A KR20150033535 A KR 20150033535A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waste gas
process waste
cooling
reaction
trap
Prior art date
Application number
KR20140116406A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101635388B1 (en
Inventor
박상순
정종문
Original Assignee
주식회사 지앤비에스엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 지앤비에스엔지니어링 filed Critical 주식회사 지앤비에스엔지니어링
Publication of KR20150033535A publication Critical patent/KR20150033535A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101635388B1 publication Critical patent/KR101635388B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/68—Halogens or halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

The present disclosure relates to a process of fabricating a flat display device such as a semiconductor fabricating process, a liquid crystal display (LCD) or an organic light emitting display (OLED) or a scrubber for treating a processing waste gas which treats a processing waste gas which is discharged from a process of fabricating a solar cell, an LED or the like. According to one aspect of the present disclosure, provided is a scrubber for treating a processing waste gas which includes a reaction part which removes a water-soluble gas which includes halogenation hydrogen compound included in the processing waste gas by allowing the processing waste gas to touch an amine material in the treating flow path of the processing waste gas, by acid-base reaction. Also, it may include: a heat source part which is formed in the upper stream of the reaction part in the treating flow path of the processing waste gas and heats the processing waste gas by using a set heat source; and a cooling part which decomposes and cools the processing waste gas.

Description

공정 폐가스 처리용 스크러버{Scrubber for treating processing waste gas}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a scrubber for treating waste gas,

본 개시(Disclosure)는, 반도체 제조 공정, LCD(Liquid Crystal Display) 또는 OLED(Organic Light Emitting Display)와 같은 평판 표시 장치의 제조 공정 또는 태양전지 제조 공정 또는 LED 제조 공정 등에서 배출되는 공정 폐 가스를 처리하는 공정 폐가스 처리용 스크러버에 관한 것이다.Disclosure of the present invention is directed to a process for manufacturing a flat panel display device such as a semiconductor manufacturing process, a liquid crystal display (LCD) or an OLED (Organic Light Emitting Display), or a process waste gas discharged from a solar cell manufacturing process or an LED manufacturing process The present invention relates to a scrubber for treating waste gas.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

반도체 제조 공정, LCD 또는 OLED와 같은 평판표시 장치의 제조공정, 태양전지와 LED 제조 공정과 같이 특수가스를 사용하는 공정에서는 인체와 환경에 유해한 폐가스 (이하 "공정 폐가스"라 한다)가 발생하게 된다. (Hereinafter referred to as "process waste gas") which is harmful to the human body and the environment is generated in a process of manufacturing a flat panel display such as a semiconductor manufacturing process, a LCD or an OLED, a process using a special gas such as a solar cell and an LED manufacturing process .

공정 폐가스에 의한 환경 오염을 방지하기 위하여, 공정 폐가스는 외부로 방출되기 전에 먼저 정화 처리되어야 한다.In order to prevent environmental pollution caused by process waste gas, process waste gas must be purified before it is discharged to the outside.

이를 위해, 공정 폐가스는 공정 폐가스 처리용 스크러버에 의하여 정화되어 외부로 배출된다. To this end, the process waste gas is purified by the scrubber for process waste gas treatment and discharged to the outside.

일반적으로, 공정 폐가스 처리용 스크러버는 공정 폐가스 내의 유해 물질들을 분해하거나 화학 반응을 촉진하기 위해 고온의 열원을 제공하는 반응 챔버와, 반응 챔버를 통과한 폐가스에서 고체상 파우더를 필터링하기 위한 수처리 타워로 이루어진다. Generally, the scrubber for process waste gas treatment comprises a reaction chamber for providing a high-temperature heat source for decomposing harmful substances in the process waste gas or promoting a chemical reaction, and a water treatment tower for filtering solid phase powder in waste gas passing through the reaction chamber .

한편, 공정 폐가스는 PFCs, CFCs가 플라즈마 처리되는 과정에서 발생 되는 HF, HCl과 같은 할로겐화 수소화합물을 다량으로 포함하게 된다. On the other hand, the process waste gas contains a large amount of halogenated hydrogen compounds such as HF and HCl generated during the plasma treatment of PFCs and CFCs.

할로겐화 수소화합물과 같은 수용성 가스는 주로 물을 통과시키거나, 물을 분사하는 습식 공정을 통하여 포집 되어 처리되므로, 폐수가 발생 되어 추가로 폐수를 수집하고 처리해야 하는 번거로움이 있다. The water-soluble gas such as a hydrogen halide compound is collected and treated through a wet process of passing water or spraying water, so that waste water is generated, and further the waste water must be collected and treated.

또한, 습식 공정을 사용하는 경우, 할로겐화 수소화합물을 포함하는 수용성 가스의 처리 효율이 낮아 문제가 된다.Further, in the case of using a wet process, the treatment efficiency of the water-soluble gas containing a hydrogen halide compound is low, which is a problem.

(특허문헌 1) KR10-2007-0080004 A (Patent Document 1) KR10-2007-0080004A

본 개시는 아민계 물질을 이용하여 수용성 가스를 처리할 수 있는 공정 폐가스 처리용 스크러버의 제공을 일 목적으로 한다. It is an object of the present disclosure to provide a scrubber for processing waste gas which is capable of treating a water-soluble gas using an amine-based material.

또한, 본 개시는 촉매 반응을 이용하여 공정 폐가스에 대한 높은 제거 효율을 갖는 고효율의 공정 폐가스 처리용 스크러버의 제공을 일 목적으로 한다.It is another object of the present disclosure to provide a highly efficient scrubber for process waste gas treatment having a high removal efficiency with respect to a process waste gas using a catalytic reaction.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시의 일 태양에 따르면(According to one aspect of the present disclosure), 공정 폐가스의 처리 유동 경로에 공정 폐가스를 아민계 물질과 접촉시켜 상기 공정 폐가스에 포함되어 있는 할로겐화 수소화합물을 포함하는 수용성 가스를 산염기 반응에 의하여 제거하는 반응부;를 포함하는 공정 폐가스 처리용 스크러버가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, a process gas stream is contacted with an amine-based material in a process flow path of the process waste gas to form a water-soluble gas containing a hydrogen halide compound contained in the process waste gas And a reaction part which is removed by an acid base reaction.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 공정 폐가스의 처리 유동 경로 중, 상기 반응부의 상류에 구비되며, 상기 공정 폐가스를 설정된 열원에 의해 가열하는 열원부; 및 상기 공정 폐가스를 분해 및 냉각시켜 반응 부산물을 포집하는 냉각부;를 포함할 수 있다.A scrubber for processing a waste gas according to one aspect of the present disclosure, comprising: a heat source unit disposed upstream of the reaction unit in a process flow path of the process waste gas, the heat source unit heating the process waste gas by a set heat source; And a cooling unit for decomposing and cooling the process waste gas to collect reaction byproducts.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 열원부는, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치; 유입되는 상기 공정 폐가스를 상기 플라즈마와 접촉시키는 주입 챔버; 및 상기 플라즈마와 상기 공정 폐가스가 접촉되어 반응하여 상기 공정 폐가스가 분해되는 반응 챔버;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present disclosure, there is provided a scrub for a process waste gas treatment, comprising: a plasma torch for generating plasma; An injection chamber for bringing the process waste gas into contact with the plasma; And a reaction chamber in which the plasma and the process waste gas are in contact with each other to react and decompose the process waste gas.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 냉각부는, 상기 열원부에서 유출되는 상기 공정 폐가스가 유입되는 냉각 하우징; 유입된 상기 공정 폐가스를 1차로 냉각하여 공정 폐가스의 반응 부산물을 포집하는 제1 냉각판; 및 상기 제1 냉각판을 통과한 상기 공정 폐가스를 2차로 냉각하여 상기 공정 폐가스의 반응 부산물을 포집하는 제2 냉각판;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present disclosure, there is provided a scrubber for processing a waste gas, wherein the cooling unit includes: a cooling housing through which the process waste gas flowing out from the heat source unit flows; A first cooling plate for primarily cooling the introduced process waste gas to collect reaction by-products of the process waste gas; And a second cooling plate that secondarily cools the process waste gas that has passed through the first cooling plate and collects reaction byproducts of the process waste gas.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 제1 냉각판의 일단과 상기 제2 냉각판의 일 단은 서로 직교하도록 구비될 수 있다.In the scrubber for processing exhaust gas according to an aspect of the present disclosure, one end of the first cooling plate and one end of the second cooling plate may be provided so as to be perpendicular to each other.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 제1,2 냉각판은, 각각 복수 개가 설정된 간격을 가지며 적층되어 구비되고, 상기 공정 폐가스는, 상기 제1 냉각판을 모두 지난 후 상기 제2 냉각판을 지나도록 구비될 수 있다.In the scrubber for processing waste gas according to an aspect of the present disclosure, the first and second cooling plates are each provided in a stacked manner with a plurality of predetermined intervals, and the process waste gas passes through all of the first cooling plates And may pass through the second cooling plate.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 냉각부와 상기 반응부 사이에 구비되며, 상기 냉각부에서 유출되는 상기 공정 폐가스를 냉각시켜 반응 부산물을 포집한 후 상기 반응부로 전달하는 트랩부;를 더 포함할 수 있다.In the scrubber for processing exhaust gas according to an aspect of the present disclosure, a scrubber disposed between the cooling unit and the reaction unit, the process waste gas flowing out of the cooling unit is cooled to collect reaction byproducts, And a trap portion.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 반응부는, 내부가 중공이며, 상기 공정 폐가스가 유입되는 반응 유입구 및 상기 공정 폐가스가 외부로 유출되는 반응 유출구를 포함하는 반응 하우징; 판상이며, 상면에서 하면으로 관통되는 다수의 지지홀을 가지며, 상기 반응 하우징 내부에 수직 방향으로 이격되어 형성되는 지지판; 및 상기 지지판의 상면에 구비되는 상기 아민계 물질층;으로서 상기 다수의 지지홀을 통하여 공급되는 상기 공정 폐가스가 통과할 수 있는 다공질로 구비되는 아민계 물질층;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a scrubber for processing a waste gas, the reaction unit including: a reaction housing having a hollow interior, a reaction inlet through which the process waste gas flows, and a reaction outlet through which the process waste gas flows out; A support plate having a plurality of support holes penetrating from the upper surface to the lower surface and being vertically spaced inside the reaction housing; And an amine-based material layer provided on the upper surface of the support plate, the amine-based material layer being provided as a porous material through which the process waste gas supplied through the plurality of support holes can pass.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 아민계 물질은, Carbamide(urea), Aminobutyric acid, Diphenyl amine, (N,N-Diamino benzoic acid), Glutamic acid, Lauryl amine(N-dodecylamine), Methylhexan amine, Nicotine Putrescine Stearyl amine(octadecyl amine) 및 Tallow amine 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The amine-based material may be selected from the group consisting of Carbamide (urea), Aminobutyric acid, Diphenyl amine, N-Diamino benzoic acid, Glutamic acid, Lauryl amine (N- dodecylamine, methylhexanamine, nicotine putrescine stearyl amine, and tallow amine.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 공정 폐가스는 할로겐족 원소를 포함하고, 상기 주입 챔버 또는 상기 반응 챔버의 내부에 상기 공정 폐가스의 반응성을 증가시키는 촉매 가스로서, NH3가 공급될 수 있다.In the scrubber for the process waste gas treatment according to an aspect of the present disclosure, the process waste gas includes a halogen group element, and NH 3 as a catalyst gas for increasing the reactivity of the process waste gas in the injection chamber or the reaction chamber Can be supplied.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 트랩부의 내부에 상기 공정 폐가스의 반응성을 증가시키는 촉매 가스로서, NH3가 공급될 수 있다.In the scrubber for the process waste gas treatment according to an aspect of the present disclosure, NH 3 may be supplied as a catalyst gas for increasing the reactivity of the process waste gas inside the trap portion.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 냉각부와 상기 반응부 사이에 구비되며, 상기 냉각부에서 유출되는 상기 공정 폐가스의 파우더 부산물을 필터링하는 필터부;를 더 포함할 수 있다.The scrubber for processing exhaust gas according to one aspect of the present invention may further include a filter part provided between the cooling part and the reaction part and filtering the powder byproduct of the process waste gas flowing out from the cooling part have.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버에 있어서, 상기 트랩부 및 상기 필터부 중 어느 하나와 상기 냉각부는 둘 이상으로 구비될 수 있다.In the scrubber for processing exhaust gas according to an aspect of the present disclosure, any one of the trap portion and the filter portion and the cooling portion may be provided in two or more.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는, 아민계 물질과 공정 폐가스의 산염기 반응에 의하여 수용성 가스를 처리하므로, 순환하는 냉각수 이외에 별도의 물을 사용할 필요가 없어 폐수의 배출이 없으며, 별도의 수처리 시설이 필요하지 않은 이점을 가진다.The scrubber for the process waste gas treatment according to an aspect of the present invention processes the water-soluble gas by the acid base reaction of the amine-based material and the process waste gas so that there is no need to use water other than the circulating cooling water, It has an advantage that no separate water treatment facility is required.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는, 먼저 공정 폐가스를 냉각시키면서 공정 폐가스의 반응 부산물을 제거한 후에 아민계 물질과 공정 폐가스를 접촉시켜 효율적인 산염기 반응이 진행되도록 함으로써 수용성 가스의 처리 효율을 증가시킬 수 있는 이점을 가진다. The scrubber for the process waste gas treatment according to an aspect of the present invention is a scrubber for treating the exhaust gas of the present invention by first cooling the process waste gas and removing reaction by-products of the process waste gas and then contacting the process gas with the amine- Can be increased.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는, 전기만을 사용하고 물을 사용하지 않아 폐수가 발생하지 않으므로 장비의 부식을 방지하고 관리가 용이하며 운영비를 절감할 수 있는 이점을 가진다.The scrubber for the process waste gas treatment according to an aspect of the present invention has an advantage that it can prevent corrosion of the equipment because it uses only electricity and does not use water and does not generate wastewater, it is easy to manage and the operation cost can be reduced.

본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는, 플라즈마를 이용하여 폐가스를 완전히 해리시키고, 해리된 폐가스를 촉매 가스와 화학적으로 반응시켜 분말 상의 물질로 변환시킴으로써, 폐가스 성분의 배출 농도를 더욱 낮출 수 있는 이점을 가진다.The scrubber for process waste gas treatment according to an aspect of the present invention is a scrubber for treating exhaust gas of the present invention by completely dissolving waste gas using plasma and chemically reacting the dissociated waste gas with a catalyst gas to convert it into a powdery substance, .

도 1은 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버의 정면도,
도 2는 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버의 평면도,
도 3은 도 1의 A-A에 대한 수평 단면도,
도 4는 도 3의 B-B에 대한 수직 단면도,
도 5는 도 1의 제 1 냉각부의 부분 절개 사시도,
도 6은 도 2의 C-C에 대한 수직 단면도,
도 7은 본 개시의 다른 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버를 보인 도면,
도 8은 본 개시의 또 다른 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버를 보인 도면 및
도 9는 도 8의 공정 폐가스 처리용 스크러버를 다른 방향에서 보인 도면이다.1 is a front view of a scrubber for processing waste gas according to an embodiment of the present disclosure;
2 is a plan view of a scrubber for process waste gas treatment according to an embodiment of the present disclosure;
3 is a horizontal cross-sectional view of AA of FIG. 1,
Figure 4 is a vertical cross-sectional view of BB of Figure 3,
Fig. 5 is a partially cutaway perspective view of the first cooling section of Fig. 1,
Figure 6 is a vertical section through CC of Figure 2,
7 is a view showing a scrubber for processing waste gas according to another embodiment of the present disclosure;
FIG. 8 is a view showing a scrubber for a process waste gas treatment according to still another embodiment of the present disclosure; and FIG.
Fig. 9 is a view showing the scrubber for the process waste gas treatment of Fig. 8 in another direction. Fig.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 이하에서 개시되는 기술적 사상의 명료한 이해를 위해 제한된 실시형태를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되지는 아니하고 특허청구범위에 개시된 기술적 사상으로부터 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 도출할 수 있는 실시형태도 본 명세서에 개시된 실시형태로 이해되어야 함을 밝혀둔다.However, the present invention is not limited to these embodiments. For example, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention. It should be understood that the embodiments described herein are to be understood as the embodiments disclosed herein.

또한, 본 명세서 및 특허청구범위에서 사용된 용어는 본 발명자가 설명의 편의를 위하여 선택한 개념으로, 그 의미를 파악함에 있어서 사전적 의미에 한정되지 않고 본 개시의 기술적 사상에 부합되도록 적절히 해석되어야 할 것이다. The terms used in this specification and claims are to be understood by the inventor as a concept selected for the convenience of explanation and should not be construed in a linguistic sense in understanding the meaning thereof but should be appropriately interpreted in accordance with the technical idea of the present disclosure will be.

또한, 본 명세서에 첨부된 도면에 표현된 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는" 는 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.In addition, the thickness and the size of each layer shown in the drawings attached hereto are exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of any of the listed items.

먼저, 본 개시에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버의 구조에 대하여 설명한다.First, the structure of the scrubber for process waste gas treatment according to the present disclosure will be described.

도 1은 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버의 정면도, 도 2는 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버의 평면도, 도 3은 도 1의 A-A에 대한 수평 단면도, 도 4는 도 2의 B-B에 대한 수직 단면도, 도 5는 도 제 1 냉각부의 부분 절개 사시도, 도 6은 도 2의 C-C에 대한 수직 단면도이다.Fig. 1 is a front view of a scrubber for processing waste gas according to an embodiment of the present disclosure, Fig. 2 is a plan view of a scrubber for processing waste gas treatment according to an embodiment of the present disclosure, Fig. 3 is a horizontal cross- Fig. 4 is a vertical sectional view of Fig. 2B, Fig. 5 is a partial cutaway perspective view of the first cooling portion, and Fig. 6 is a vertical sectional view of CC of Fig.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는, 플라즈마 처리부(100), 냉각부(200), 트랩부(300) 및 반응부(400)를 포함하여 형성된다. 1 to 6, a scrubber for processing a waste gas according to the present embodiment includes a plasma processing unit 100, a cooling unit 200, a trap unit 300, and a reaction unit 400.

공정 폐가스 처리용 스크러버는 염소(Cl), 불소(F)와 같은 할로겐족 원소를 포함하는 공정 폐가스를 처리한다. The scrubber for processing waste gas treats a process waste gas containing a halogen group element such as chlorine (Cl) and fluorine (F).

플라즈마 처리부(100)는, 공정 폐가스를 분해 및 해리시킨다.The plasma processing unit 100 decomposes and dissociates the process waste gas.

플라즈마 처리부(100)에서 분해된 공정 폐가스 및 공정 중 발생한 부산물은 냉각부(200)에서 냉각시켜 분말로 포집한다. The process waste gas decomposed in the plasma processing unit 100 and the byproducts generated during the process are cooled in the cooling unit 200 and collected into powder.

트랩부(300)는, 추가로 반응 부산물(분말 부산물)을 포집한다.The trap portion 300 further collects reaction by-products (powder by-product).

반응부(400)는, 아민계 물질과 공정 폐가스의 산염기 반응을 통하여 수용성 가스를 제거하게 된다. The reaction part 400 removes the water-soluble gas through the acid base reaction of the amine-based material and the process waste gas.

이에 의해, 공정 폐가스 처리용 스크러버는 물을 사용하지 않고 공정 폐가스에 포함되어 있는 할로겐화 수소화합물과 같은 수용성 가스를 포집하여 제거하게 된다. As a result, the scrubber for process waste gas treatment collects and removes a water-soluble gas such as a hydrogen halide compound contained in the process waste gas without using water.

할로겐화 수소화합물은 HX(X=F, Cl)와 같은 수용성 가스를 예로 들 수 있다.The hydrogen halide compound may be a water-soluble gas such as HX (X = F, Cl).

플라즈마 처리부(100)는 플라즈마 토치(110)와 주입 챔버(130) 및 반응 챔버(150)를 포함하여 형성되며, 연결관(170)을 더 포함하여 형성될 수 있다.
The plasma processing unit 100 includes a plasma torch 110, an injection chamber 130, and a reaction chamber 150, and may further include a connection pipe 170.

플라즈마 처리부(100)는 플라즈마 토치(110)에서 발생되는 플라즈마 화염과 공정 폐가스를 주입 챔버(130)에서 접촉시키고 반응 챔버(150)에서 반응시켜 공정 폐가스를 분해 및 해리하고, 활성화 에너지를 공급한다. The plasma processing unit 100 contacts the plasma flame generated in the plasma torch 110 with the process waste gas in the injection chamber 130 and reacts in the reaction chamber 150 to decompose and dissociate the process waste gas and supply the activation energy.

플라즈마 토치(110)는 플라즈마 처리부(100)의 상단에 위치하며, 플라즈마를 생성한다. The plasma torch 110 is positioned at the top of the plasma processing unit 100 and generates a plasma.

플라즈마 토치(110)는 공정 폐가스의 처리를 위한 스크러버에 사용되는 통상적인 플라즈마 토치로 형성될 수 있으며, 다양한 구조로 형성될 수 있다. The plasma torch 110 may be formed of a conventional plasma torch used in a scrubber for processing waste gas, and may be formed in various structures.

플라즈마 토치(110)에서 형성되는 플라즈마는 중심부 온도가 대략 10,000℃까지 상승한다. The plasma formed at the plasma torch 110 has a central portion temperature rising to about 10,000 占 폚.

플라즈마 토치(110)는 염소(Cl2)를 포함하는 공정 폐가스를 고온에서 분해 및 해리시키며, 활성화 에너지를 제공한다. The plasma torch 110 decomposes and dissociates process waste gas containing chlorine (Cl2) at high temperature and provides activation energy.

플라즈마 토치(110)는, 가스 토치, 전기 히터 및 이의 등가물 중에서 선택된 어느 하나로 대체될 수 있다.The plasma torch 110 may be replaced by any one selected from a gas torch, an electric heater, and equivalents thereof.

주입 챔버(130)는 상부와 하부가 개방된 대략 원통 형상이며, 플라즈마 토치(110)의 하단에 연결된다. The injection chamber 130 has a substantially cylindrical shape with upper and lower openings, and is connected to the lower end of the plasma torch 110.

주입 챔버(130)는 원주 방향을 따라 이격 되면서 내부로 관통되는 복수 개의 공정 폐가스 주입관(131)을 포함한다. The injection chamber 130 includes a plurality of process waste gas injection pipes 131 penetrating therethrough while being spaced apart in the circumferential direction.

주입 챔버(130)는 공정 폐가스 주입관(131)을 통하여 공정 폐가스가 내부로 주입된다. The process chamber waste gas is injected into the injection chamber 130 through the process waste gas injection pipe 131.

또한, 주입 챔버(130)는 상부의 플라즈마 토치(110)로부터 플라즈마 화염이 유입된다. Further, the plasma chamber 130 is filled with the plasma flame from the upper plasma torch 110.

따라서, 주입 챔버(130)는 플라즈마 화염과 공정 폐가스가 일차로 접촉되는 공간으로 제공된다. Thus, the injection chamber 130 is provided with a space in which the plasma flame and the process waste gas are firstly contacted.

주입 챔버(130)는 플라즈마 화염과 접촉되는 공정 폐가스가 하부로 유입되도록 한다.The injection chamber 130 allows the process waste gas in contact with the plasma flame to flow downward.

공정 폐가스 주입관(131)은 공정 장비(미도시)에 연결되는 공정 폐가스 배관(미도시)에 연결되며, 공정 폐가스가 주입 챔버(130)의 내부 공간으로 유입되도록 안내한다.The process waste gas injection pipe 131 is connected to a process waste gas pipe (not shown) connected to the process equipment (not shown), and guides the process waste gas into the inner space of the injection chamber 130.

한편, 본 실시형태에 있어서, 주입 챔버(130)에는 촉매 가스가 주입되도록 다수의 촉매 가스 주입관(132)이 더 연결될 수도 있다. Meanwhile, in the present embodiment, a plurality of catalyst gas injection pipes 132 may be further connected to the injection chamber 130 so as to inject the catalyst gas.

촉매 가스는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다.Catalytic gas may include ammonia (NH 3).

일반적으로 촉매는 화학반응 유도하도록 활성 에너지를 증가시키는 기능을 하는데, 본 실시형태에 있어서, 촉매 가스는 할로겐화 수소화합물은 HX(X=F, Cl)와 같은 수용성 가스를 포함하는 공정 폐가스의 화학적인 활성 에너지를 증가시키게 된다. 따라서 주입 챔버(130) 내에서 플라즈마 화염에 의한 공정 폐가스의 분해 및 해리의 정도를 증가시킬 수 있게 된다.Generally, the catalyst functions to increase the activation energy so as to induce a chemical reaction. In this embodiment, the catalytic gas is a chemical gas of a process waste gas containing a water-soluble gas such as HX (X = F, Cl) Thereby increasing the activation energy. Accordingly, it is possible to increase the degree of decomposition and dissociation of the process waste gas by the plasma flame in the injection chamber 130.

반응 챔버(150)는 상부와 하부가 개방된 대략 원통 형태이며, 주입 챔버(130)의 하단에 연결된다. The reaction chamber 150 has a substantially cylindrical shape having upper and lower openings, and is connected to the lower end of the injection chamber 130.

반응 챔버(150)는 공정 폐가스가 플라즈마 화염과 접촉하면서 유입되어 분해되는 공간을 제공한다. The reaction chamber 150 provides a space in which the process waste gas flows in contact with the plasma flame to decompose.

공정 폐가스는 플라즈마 화염의 열 에너지에 의하여 분해 및 해리된다. The process waste gas is decomposed and dissociated by the thermal energy of the plasma flame.

반응 챔버(150)는 처리되는 공정 폐가스에 활성화 에너지를 공급하여, 냉각부(200)에서 반응 부산물의 생성 효율을 증가시키게 된다.The reaction chamber 150 supplies activation energy to the process waste gas to be treated, thereby increasing the production efficiency of reaction by-products in the cooling unit 200.

한편, 본 실시형태에 있어서, 반응 챔버(150)에는 앞서 설명한 주입 챔버(130)와 같이, 촉매 가스가 주입되도록 다수의 촉매 가스 주입관(151)이 더 연결될 수도 있다. Meanwhile, in the present embodiment, a plurality of catalyst gas injection pipes 151 may be further connected to the reaction chamber 150 to inject the catalyst gas, as in the injection chamber 130 described above.

촉매 가스는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다.Catalytic gas may include ammonia (NH 3).

이에 의해, 반응 챔버(150) 내에서 플라즈마 화염에 의한 공정 폐가스의 분해 및 해리의 정도를 증가시킬 수 있게 된다.This makes it possible to increase the degree of decomposition and dissociation of the process waste gas by the plasma flame in the reaction chamber 150.

연결관(170)은 상부와 하부가 개방된 대략 원통 형태이며, 반응 챔버(150)의 하단에 연결된다. The connection pipe 170 is in a substantially cylindrical shape having upper and lower openings, and is connected to the lower end of the reaction chamber 150.

연결관(170)은 필요에 따라 복수 개로 분리되어 형성될 수 있다. The connection pipe 170 may be formed separately as a plurality of pipes as required.

연결관(170)은 반응 챔버(150)를 냉각부(200)와 연결시키며, 반응 챔버(150)에서 처리된 공정 폐가스가 냉각부(200)로 유입되는 통로로 제공된다.The connection pipe 170 connects the reaction chamber 150 with the cooling unit 200 and is provided as a passage through which the process waste gas processed in the reaction chamber 150 flows into the cooling unit 200.

연결관(170)은 반응 챔버(150)가 냉각부(200)와 바로 연결되는 경우에 생략될 수 있다.The connection pipe 170 may be omitted when the reaction chamber 150 is directly connected to the cooling unit 200.

연결관(170)은 외주면을 따라 냉각수 통로(미도시)가 형성될 수 있으며, 냉각수에 의하여 처리된 공정 폐가스를 냉각시키면서 냉각부(200)로 유입되도록 한다. A cooling water passage (not shown) may be formed along the outer circumferential surface of the connection pipe 170 to allow the process waste gas treated by the cooling water to flow into the cooling unit 200 while cooling the waste gas.

이러한 경우, 연결관(170)은 공정 폐가스의 온도를 급격히 냉각시켜 반응 부산물의 포집 효율을 향상시키는 기능을 한다.In this case, the connection pipe 170 functions to rapidly cool the temperature of the process waste gas to improve the collection efficiency of reaction by-products.

냉각부(200)는 냉각 하우징(210)과 제1 냉각판(230) 및 제2 냉각판(250)을 포함하여 형성된다. The cooling unit 200 includes a cooling housing 210, a first cooling plate 230, and a second cooling plate 250.

냉각부(200)는 플라즈마 처리부(100)에서 분해 및 해리되어 냉각 하우징(210)의 내부로 유입되는 공정 폐가스를 1차로 제1 냉각판(230)에서 냉각시켜 반을 부산물을 포집하고, 2차로 제2 냉각판(250)에서 냉각시켜 반응 부산물을 분말 형태로 포집한다. The cooling unit 200 is disassembled and dissociated in the plasma processing unit 100 so that the process waste gas flowing into the cooling housing 210 is first cooled by the first cooling plate 230 to collect the by-products, And cooled in the second cooling plate 250 to collect the reaction by-products in powder form.

냉각 하우징(210)은 하우징 본체(211)와 폐가스 유입구(213)와 폐가스 유출구(215)와 제1 격벽(217) 및 제2 격벽(219)을 포함하여 형성된다.The cooling housing 210 includes a housing body 211, a waste gas inlet 213, a waste gas outlet 215, a first partition 217, and a second partition 219.

하우징 본체(211)는 내부가 중공인 대략 박스 형상으로 형성되며, 사각 박스 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 하우징 본체(211)는 일 측벽(211a)과 타 측벽(211b)과 전 측벽(211c)과 후 측벽(211d)과 본체 상판(211e) 및 본체 하판(211f)을 포함하여 형성될 수 있다. The housing main body 211 is formed in a substantially box shape having a hollow interior, and may be formed in a rectangular box shape. For example, the housing main body 211 is formed to include one side wall 211a, another side wall 211b, a front wall 211c, a rear wall 211d, a main body upper plate 211e, and a lower main body plate 211f .

하우징 본체(211)는 제1 냉각판(230)과 제2 냉각판(250)을 내부에 수용하며 공정 폐가스가 흐르는 공간을 제공한다. The housing body 211 accommodates the first cooling plate 230 and the second cooling plate 250 and provides a space through which the process waste gas flows.

폐가스 유입구(213)는 하우징 본체(211)의 본체 상판(211e)의 일측에 형성되며, 반응 챔버(150) 또는 연결관(170)이 연결된다. The waste gas inlet 213 is formed at one side of the main body upper plate 211e of the housing main body 211 and the reaction chamber 150 or the connection pipe 170 is connected.

폐가스 유입구(213)는 반응 챔버(150)에서 처리된 공정 폐가스가 냉각 하우징(210)의 내부로 유입되는 경로를 제공한다.The waste gas inlet 213 provides a path through which process waste gas treated in the reaction chamber 150 flows into the interior of the cooling housing 210.

폐가스 유출구(215)는 하우징 본체(211)의 본체 상판(211e)의 타측에 형성되며, 트랩부(300)가 연결된다. The waste gas outlet 215 is formed on the other side of the main body upper plate 211e of the housing main body 211, and the trap portion 300 is connected.

폐가스 유출구(215)는 반응 부산물이 제거된 공정 폐가스가 트랩부(300)로 유출되는 경로를 제공한다. The waste gas outlet 215 provides a path through which the process waste gas from which reaction byproducts are removed flows out to the trap unit 300.

제1 격벽(217)은 판상이며, 하우징 본체(211)의 일 측벽(211a)보다 작은 폭(w)을 가지도록 형성된다. The first partition 217 is formed in a plate shape and has a smaller width w than the one side wall 211a of the housing main body 211.

제1 격벽(217)은 폐가스 유입구(213)를 중심으로 반대 측에서 하우징 본체(211)의 일 측벽(211a)과 대향하는 위치에 형성된다. 즉, 제1 격벽(217)과 하우징 본체(211)의 일 측벽(211a) 사이에 폐가스 유입구(213)가 위치한다. The first partition 217 is formed at a position opposite to the one side wall 211a of the housing body 211 on the opposite side with respect to the waste gas inlet 213. [ In other words, a waste gas inlet 213 is located between the first partition 217 and the one side wall 211a of the housing body 211.

또한, 제1 격벽(217)은 일 측단이 하우징 본체(211)의 전 측벽(211c)에 접촉되고, 타 측단이 하우징 본체(211)의 후 측벽(211d)으로부터 이격되도록 형성된다.The first partition 217 is formed so that one side end is in contact with the front wall 211c of the housing main body 211 and the other side end is spaced from the rear side wall 211d of the housing main body 211.

따라서, 제1 격벽(217)은 하우징 본체(211)의 일 측의 공간을 두 개로 분리한다. 또한, 제1 격벽(217)은 하우징 본체(211)의 후 측벽(211d)과의 사이에 공정 폐가스가 흐르는 제1 격벽홀(217a)을 형성한다. Accordingly, the first partition 217 separates the space on one side of the housing body 211 into two spaces. The first partition wall 217 forms a first partition wall hole 217a through which the process waste gas flows between the first partition wall 217 and the rear wall 211d of the housing main body 211. [

제1 격벽홀(217a)은 폐가스 유입구(213)로부터 유입된 공정 폐가스가 제1 냉각판(230)으로 흐르는 통로로 제공된다. The first partition wall hole 217a is provided as a passage through which the process waste gas introduced from the waste gas inlet 213 flows to the first cooling plate 230.

제2 격벽(219)은 판상이며, 하우징 본체(211)의 일 측벽(211a)과 동일한 폭을 가지도록 형성된다. The second partition 219 is in the form of a plate and is formed to have the same width as the one side wall 211a of the housing body 211. [

제2 격벽(219)은 하우징 본체(211)의 타 측벽(211b)과 제1 격벽(217) 사이에 위치하며, 폐가스 유출구(215)를 중심으로 반대 측에서 하우징 본체(211)의 타 측벽(211b)과 대향하는 위치에 형성된다. 즉, 제2 격벽(219)과 하우징 본체(211)의 타 측벽(211b) 사이에 폐가스 유출구(215)가 위치한다. The second partition 219 is located between the other side wall 211b of the housing main body 211 and the first partition wall 217 and extends from the opposite side of the waste gas outlet 215 to the other side wall of the housing body 211 211b. That is, the waste gas outlet 215 is located between the second partition 219 and the other side wall 211b of the housing body 211. [

제2 격벽(219)은 일 측단이 하우징 본체(211)의 전 측벽(211c)에 접촉되고, 타 측단이 하우징 본체(211)의 후 측벽(211d)으로부터 접촉되도록 형성된다.The second partition 219 is formed such that one end of the second partition 219 is in contact with the front wall 211c of the housing body 211 and the other end of the second partition 219 is in contact with the rear wall 211d of the housing body 211.

또한, 제2 격벽(219)은 전 측벽(211c)에 접촉되는 전 측단의 하부 모서리에 형성되는 제2 격벽홀(219a)을 포함하여 형성된다.The second barrier rib 219 includes a second barrier rib 219a formed at a lower edge of a front end thereof contacting the front wall 211c.

제2 격벽홀(219a)은 제1 냉각판(230)을 통과한 공정 폐가스가 제2 냉각판(250)으로 흐르는 통로로 제공된다.The second partition wall hole 219a is provided as a passage through which the process waste gas that has passed through the first cooling plate 230 flows to the second cooling plate 250.

여기서, 제1 격벽(217)과 제2 격벽(219)의 배치는, 제1 격벽홀(217a)과 제2 격벽홀(219a)이 서로 어긋나게 배치되는 한 다양하게 변형될 수 있다.The first barrier ribs 217 and the second barrier ribs 219 may be variously modified as long as the first barrier ribs 217a and the second barrier ribs 219a are disposed to be offset from each other.

또한 제2 격벽홀(219a)이, 제1 격벽홀(217a)과 같은 원리로 제2 격벽(219)과 전 측벽(211c) 사이의 간격에 의해 형성되는 것이 배제되지 않는다. It is not excluded that the second partition wall hole 219a is formed by the interval between the second partition wall 219 and the front wall 211c on the same principle as the first partition wall hole 217a.

제1 냉각판(230)은 플라즈마 처리부(100)에서 분해되어 흐르는 공정 폐가스를 냉각시켜 반응 부산물을 분말 형태로 포집한다.The first cooling plate 230 cools the process waste gas that is decomposed and flows in the plasma processing unit 100 to collect the reaction by-products in powder form.

제1 냉각판(230)은 내부가 중공인 육면체 판상이며, 일 측면에서 타측면으로 관통되는 복수 개의 가스 관통관(231)을 구비하여 형성된다. The first cooling plate 230 is formed in a hexagonal plate shape having a hollow interior and includes a plurality of gas pipe tubes 231 penetrating from one side to the other side.

제1 냉각판(230)은 상판과 하판 및 측판이 결합되어 형성될 수 있다. The first cooling plate 230 may be formed by coupling the upper plate, the lower plate, and the side plate.

또한, 제1 냉각판(230)은 상부에 제1 냉각수 유입구(233)와 제1 냉각수 유출구(235)를 포함하여 형성된다. The first cooling plate 230 includes a first cooling water inlet 233 and a first cooling water outlet 235 at an upper portion thereof.

제1 냉각판(230)은, 제1 격벽(217)과 제2 격벽(219) 사이의 폭과 높이에 대응되는 면적을 가지며, 제1 격벽(217) 및 제2 격벽(219)과 직교하도록 위치된다.The first cooling plate 230 has an area corresponding to the width and the height between the first partition 217 and the second partition 219 and is perpendicular to the first partition 217 and the second partition 219 .

또한, 제1 냉각판(230)은, 하우징 본체(211)의 전 측벽(211c)과 후 측벽(211d) 사이에 복수 개가 평행하게 이격되어 배치되며, 모두 전 측벽(211c)과 평행하게 배치된다. A plurality of first cooling plates 230 are disposed between the front wall 211c and the rear wall 211d of the housing body 211 in parallel to each other and are disposed in parallel with the front wall 211c .

가스 관통관(231)은 중심축이 전 측벽(211c)과 후 측벽(211d)을 향하도록 구비되며, 중심축이 수평이 되도록 구비될 수 있다.The gas pipe 231 is provided so that its central axis faces the front wall 211c and the rear wall 211d, and may be provided so that the central axis thereof is horizontal.

가스 관통관(231)은 인접하는 다른 제1 냉각판(230)의 가스 관통관(231)과 서로 관통되지 않도록 형성된다. 즉 인접하는 두 개의 제1 냉각판(230)에 형성되는 가스 관통관(231)은 전 측벽(211c)과 후 측벽(211d)을 향하는 방향으로 어긋나게 배치된다. 이에 의하면 공정 폐가스의 이동 경로가 늘어나게 되므로 냉각효율을 향상시킬 수 있게 된다.The gas pipe 231 is formed so as not to penetrate the gas pipe 231 of the adjacent first cooling plate 230. That is, the gas pipe tube 231 formed in the two adjacent first cooling plates 230 is disposed to be shifted in the direction toward the front wall 211c and the rear wall 211d. According to this, since the moving path of the process waste gas is increased, the cooling efficiency can be improved.

부언하면, 공정 폐가스는 제1 냉각판(230) 사이를 지그재그로 흐르면서 가스 관통관(231)을 통과하게 되므로, 제1 냉각판(230)과 접촉 면적이 증가하게 된다.In other words, since the process waste gas passes through the gas pipe 231 while zigzagging between the first cooling plates 230, the contact area with the first cooling plate 230 is increased.

한편, 제1 냉각판(230)은 내부를 흐르는 냉각수에 의하여 냉각되면서 가스 관통관(231)을 통과하며 흐르는 공정 폐가스를 냉각시켜 포집되도록 한다.On the other hand, the first cooling plate 230 is cooled by cooling water flowing through the inside of the first cooling plate 230, and is cooled and collected by passing the process waste gas passing through the gas pipe 231.

냉각수는 제1 냉각수 유입구(233)로 유입되어 제1 냉각판(230)의 내부를 흐른 후에 제1 냉각수 유출구(235)로 유출된다. The cooling water flows into the first cooling water inlet 233, flows through the first cooling plate 230, and then flows out to the first cooling water outlet 235.

제1 냉각수 유입구(233)와 제1 냉각수 유출구(235)는 각각 제1 냉각판(230)의 상판, 하판 또는 측판의 어느 하나의 위치에 형성될 수 있다. The first cooling water inlet 233 and the first cooling water outlet 235 may be formed at any one of the upper plate, the lower plate, and the side plate of the first cooling plate 230.

제2 냉각판(250)은, 제1 냉각판(230)을 지나서 유입되는 공정 폐가스가 냉각관(255)을 흐르는 냉각수에 의하여 냉각되는 메쉬망(251)을 지나면서 냉각되어 반응 부산물로 포집되도록 한다. The second cooling plate 250 is cooled by passing through the mesh net 251 cooled by the cooling water flowing through the cooling pipe 255 so that the process waste gas flowing through the first cooling plate 230 is cooled and collected as reaction byproduct do.

제2 냉각판(250)은 제2 격벽(219)과 냉각 하우징(210)의 타 측벽(211b) 사이에서 수평을 이루도록 위치하며, 복수 개가 상하 방향으로 이격되어 배치된다.The second cooling plate 250 is positioned to be horizontal between the second partition 219 and the other side wall 211b of the cooling housing 210, and a plurality of the cooling plates 250 are spaced apart from each other in the vertical direction.

또한, 제2 냉각판(250)은 타 측벽(211b)과 제2 격벽(219) 사이의 거리보다 작은 폭과 하우징 본체(211)의 전측벽(211c)과 후측벽(211d) 사이의 거리에 대응되는 길이를 가지도록 형성된다. 여기서 제2 냉각판(250)의 크기는 메쉬망(251)의 크기를 의미한다.The second cooling plate 250 has a width smaller than the distance between the other wall 211b and the second partition 219 and a distance between the front wall 211c and the rear wall 211d of the housing body 211 And have a corresponding length. Here, the size of the second cooling plate 250 means the size of the mesh network 251.

이에 의하면, 제2 냉각판(250)은 타 측벽(211b) 또는 제2 격벽(219)과의 사이에 간격을 형성하게 된다. 이 간격은, 공정 폐가스가 흐르는 제2 냉각홀(250a)로 제공된다. In this case, the second cooling plate 250 is spaced from the other side wall 211b or the second partition 219. This gap is provided in the second cooling hole 250a through which the process waste gas flows.

따라서, 냉각효율의 향상을 위해, 제2 냉각홀(250a)은 지그재그 형태로 배치되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 복수 개의 제2 냉각판(250)은 냉각 하우징(210)의 타 측벽(211b)과 제2 격벽(219)에 교대로 접하도록 형성된다. Therefore, in order to improve the cooling efficiency, it is preferable that the second cooling holes 250a are arranged in a zigzag form. To this end, the plurality of second cooling plates 250 are formed so as to be alternately in contact with the other side wall 211b of the cooling housing 210 and the second partition wall 219.

제2 냉각판(250)은 메쉬망(251)과 지지바(253)와 냉각관(255)을 포함하여 형성된다.The second cooling plate 250 includes a mesh net 251, a support bar 253, and a cooling pipe 255.

공정 폐가스는 일부가 메쉬망(251) 사이를 통과하면서 상부로 흐르고, 나머지 일부는 제2 냉각홀(250a)을 통과하면서 지그재그로 흐르게 된다. Part of the process waste gas flows through the mesh nets 251 while flowing upward, while the remaining part flows in a zigzag manner while passing through the second cooling holes 250a.

따라서, 제2 냉각홀(250a)은 공정 폐가스가 메쉬망(251)과 접촉하는 시간을 증가시키고, 메쉬망(251)에 많은 반응 부산물이 쌓인 경우에도 공정 폐가스의 흐름을 원활하게 한다. Accordingly, the second cooling holes 250a increase the time for the process waste gas to contact the mesh net 251 and smooth the flow of the process waste gas even when many reaction by-products are accumulated in the mesh net 251.

여기서, 메쉬망(251)은 와이어가 격자 형상으로 결합되어 상하로 관통하는 복수개의 홀이 형성되는 일반적인 메쉬망 또는 평판 형상이며 상하로 관통하는 복수 개의 홀이 형성되는 타공판으로 이루어질 수 있다. Here, the mesh network 251 may be a general mesh network in which wires are coupled in a lattice shape and a plurality of holes passing through the mesh network, or a perforated plate having a flat plate shape and having a plurality of holes penetrating vertically.

메쉬망(251)은 상부 메쉬망(251a)과 하부 메쉬망(251b)을 포함하며, 수직 방향으로 서로 이격되어 형성될 수 있다. The mesh network 251 includes an upper mesh network 251a and a lower mesh network 251b and may be spaced apart from each other in the vertical direction.

이와 달리, 메쉬망(251)은 상부 메쉬망(251a) 또는 하부 메쉬망(251b)만으로 형성될 수 있음은 물론이다. Alternatively, the mesh network 251 may be formed of only the upper mesh network 251a or the lower mesh network 251b.

공정 폐가스는 메쉬망(251)의 다수의 홀을 상하로 관통하여 지나면서 냉각된다. The process waste gas passes through the plurality of holes of the mesh net 251 so as to pass therethrough.

지지바(253)는 바 형상으로 형성되며, 상부 메쉬망(251a)과 하부 메쉬망(251b)의 양측을 각각 지지한다. The support bar 253 is formed in a bar shape and supports both sides of the upper mesh net 251a and the lower mesh net 251b.

지지바(253)는 제2 격벽(219)과 타측벽(211b)에 양단이 결합되어 메쉬망(251)을 지지한다. The supporting bar 253 is connected to the second partition 219 and the other side wall 211b at both ends thereof to support the mesh net 251.

냉각관(255)은 내부가 중공인 파이프로 형성된다. The cooling pipe 255 is formed by a hollow pipe.

냉각관(255)은 다수 회 절곡된 형상(지그재그 형상)으로 구비되며, 양측 단은 냉각 하우징(210)의 타 측벽(211b)의 외부로 연장되도록 형성된다.The cooling pipes 255 are formed in a bent shape (zigzag shape) many times and both side ends are formed so as to extend outside the other side wall 211b of the cooling housing 210.

냉각관(255)은 상부 메쉬망(251a)과 하부 메쉬망(251b) 사이에 위치한다. The cooling pipe 255 is located between the upper mesh net 251a and the lower mesh net 251b.

메쉬망(251)이 상부 메쉬망(251a) 또는 하부 메쉬망(251b)만으로 형성되는 경우, 메쉬망(251)의 상면 또는 하면에 결합되어 구비된다. When the mesh network 251 is formed of only the upper mesh network 251a or the lower mesh network 251b, the mesh network 251 is coupled to the upper or lower surface of the mesh network 251.

냉각관(255)은 외부의 냉각수 공급관(미도시)과 연결되며, 냉각수를 공급받도록 구비된다.The cooling pipe 255 is connected to an external cooling water supply pipe (not shown) and is provided to receive cooling water.

이에 의해, 냉각관(255)에 접촉되는 상부 메쉬망(251a)과 하부 메쉬망(251b)이 냉각된다.Thereby, the upper mesh net 251a and the lower mesh net 251b which are in contact with the cooling pipe 255 are cooled.

공정 폐가스는 냉각관(255)과 메쉬망(251)을 지나면서 냉각되므로, 냉각수와 직접적인 접촉 없이 효율적인 반응 부산물 포집이 이루어지게 된다. Since the process waste gas is cooled by passing through the cooling pipe 255 and the mesh net 251, efficient reaction by-product collection is achieved without direct contact with the cooling water.

트랩부(300)는 트랩 하우징(310) 및 트랩판(330)을 포함하여 형성된다. The trap portion 300 is formed to include the trap housing 310 and the trap plate 330.

트랩부(300)는 냉각부(200)를 통과하여 상승하는 공정 폐가스에 포함되어 있는 반응 부산물을 냉각시켜 추가로 포집한다. The trap part 300 further cools and collects the reaction by-products contained in the process waste gas rising through the cooling part 200.

트랩부(300)는 제2 냉각판(250)을 통과하는 공정 폐가스에 반응 부산물의 양이 적은 경우에 생략될 수 있다. The trap portion 300 may be omitted when the amount of reaction by-products in the process waste gas passing through the second cooling plate 250 is small.

트랩 하우징(310)은 내부가 중공인 통 형상으로 형성되며 원통 형상으로 형성될 수 있다. The trap housing 310 is formed in a hollow cylindrical shape and may be formed in a cylindrical shape.

트랩 하우징(310)은 트랩 유입구(311)와 트랩 유출구(313)를 구비하여 형성된다. The trap housing 310 is formed with a trap inlet 311 and a trap outlet 313.

트랩 하우징(310)의 트랩 유입구(311)는 트랩 하우징(310)의 하부에 형성되며, 하우징 본체(211)의 폐가스 유출구(215)와 결합된다. The trap inlet 311 of the trap housing 310 is formed at the bottom of the trap housing 310 and is coupled to the waste gas outlet 215 of the housing body 211.

트랩 유입구(311)는 폐가스 유출구(215)에서 유출되는 공정 폐가스가 트랩 하우징(310)의 내부로 유입되도록 한다. The trap inlet 311 allows the process waste gas flowing out from the waste gas outlet 215 to flow into the trap housing 310.

트랩 유출구(313)는 트랩 하우징(310)의 상부에 형성되며, 반응부(400)와 결합된다. The trap outlet 313 is formed on the upper part of the trap housing 310 and is engaged with the reaction part 400.

트랩 하우징(310)의 내부를 통과한 공정 폐가스는 트랩 유출구(313)를 통해 유출되어 반응부(400)로 유입된다. The process waste gas that has passed through the interior of the trap housing 310 flows out through the trap outlet 313 and flows into the reactor 400.

트랩판(330)은 제1 트랩판(331)과 제2 트랩판(333)을 포함하여 형성된다. The trap plate 330 is formed to include a first trap plate 331 and a second trap plate 333.

트랩판(330)은 제1 트랩판(331)과 제2 트랩판(333)이 트랩 하우징(310)의 내부에서 수직 방향으로 서로 이격되도록 교대로 적층되어 형성된다.The trap plate 330 is formed by alternately laminating the first trap plate 331 and the second trap plate 333 so as to be spaced apart from each other in the vertical direction within the trap housing 310.

제1 트랩판(331)과 제2 트랩판(333)은 별도의 트랩 지지봉(335)에 의하여 지지되며 이격된다. The first trap plate 331 and the second trap plate 333 are supported and spaced apart by a separate trap support rod 335.

트랩판(330)은 하부에서 상부로 흐르면서 접촉되는 공정 폐가스에 포함되어 있는 반응 부산물을 포집한다. The trap plate 330 collects reaction by-products contained in the process waste gas flowing from the lower part to the upper part.

제1 트랩판(331)은 트랩 하우징(310)의 내부 수평 단면에 대응되는 형상으로 형성되며, 외주면이 트랩 하우징의 내주면과 인접하거나 접촉하도록 형성된다. The first trap plate 331 is formed in a shape corresponding to the inner horizontal section of the trap housing 310 and the outer circumferential surface thereof is formed so as to be adjacent to or in contact with the inner circumferential surface of the trap housing.

또한, 제1 트랩판(331)은 중앙 부분에 형성되는 제1 트랩홀(331a)을 포함하여 형성된다. The first trap plate 331 is formed to include a first trap hole 331a formed in a central portion thereof.

제1 트랩홀(331a)은 트랩 유입구(311)를 통과하여 유입되는 공정 폐가스가 상부로 흐르는 통로로 제공된다.The first trap hole 331a is provided as a passage through which the process waste gas flowing through the trap inlet 311 flows upward.

공정 폐가스는 트랩 유입구(311)를 통하여 유입된 후에 제1 트랩판(331)의 하면과 접촉한 후에 또는 직접 제1 트랩홀(331a)을 통과하여 상승한다. The process waste gas flows through the trap inlet 311 and then rises after coming into contact with the lower surface of the first trap plate 331 or directly through the first trap hole 331a.

제2 트랩판(333)은 트랩 하우징(310)의 내부 수평 단면에 대응되는 형상으로 형성되며, 제1 트랩판(331)보다 작은 직경을 갖도록 형성된다. The second trap plate 333 is formed in a shape corresponding to the inner horizontal section of the trap housing 310 and is formed to have a smaller diameter than the first trap plate 331.

따라서, 제2 트랩판(333)은 외주면이 트랩 하우징(310)의 내주면과 이격되며, 트랩 하우징(310)의 내주면과의 사이에 제2 트랩홀(333a)를 형성한다. The second trap plate 333 is spaced apart from the inner circumferential surface of the trap housing 310 and forms a second trap hole 333a between the outer circumferential surface of the second trap plate 333 and the inner circumferential surface of the trap housing 310. [

제2 트랩홀(333a)은 제1 트랩홀(331a)을 통과하여 유입되는 공정 폐가스가 상부로 흐르는 통로로 제공된다.The second trap hole 333a is provided as a passage through which the process waste gas flowing through the first trap hole 331a flows upward.

공정 폐가스는 제1 트랩홀(331a)을 통하여 상승한 제2 트랩판(333)의 하면과 접촉한 후에 제2 트랩홀(333a)을 통과하여 상승한다. The process waste gas rises through the second trap hole 333a after coming into contact with the lower surface of the second trap plate 333 raised through the first trap hole 331a.

제1 트랩판(331)과 제2 트랩판(333)이 교대로 적층되어 형성되므로, 공정 폐가스는 제1 트랩홀(331a)과 제2 트랩홀(333a)을 순차적으로 통과하면서 지그재그로 제1 트랩판(331)과 제2 트랩판(333) 사이를 흐르게 된다. Since the first trap plate 331 and the second trap plate 333 are alternately stacked and formed so that the process waste gas passes sequentially through the first trap hole 331a and the second trap hole 333a, And flows between the trap plate 331 and the second trap plate 333.

한편, 본 실시형태에 있어서, 트랩부(300)에는 앞서 설명한 주입 챔버(130), 반응 챔버(150)와 같이, 촉매 가스가 주입되도록 다수의 제3 촉매 가스 주입관(331)이 더 연결될 수도 있다. In the present embodiment, a plurality of third catalytic gas injection pipes 331 may be further connected to the trap unit 300 to inject the catalytic gas, such as the injection chamber 130 and the reaction chamber 150, have.

촉매 가스는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다.Catalytic gas may include ammonia (NH 3).

이에 의해, 트랩부(300) 내에서 미반응 공정 폐가스의 처리 효율을 향상시킬 수 있게 된다. As a result, the treatment efficiency of the unreacted process waste gas can be improved in the trap portion 300.

반응부(400)는 반응 하우징(410)과 지지판(430) 및 아민계 물질층(450)을 포함하여 형성된다. The reaction unit 400 includes a reaction housing 410, a support plate 430, and an amine-based material layer 450.

반응부(400)는 냉각부(200) 또는 트랩부(300)의 상부에 위치하며, 냉각부(200) 또는 트랩부(300)를 지나온 공정 폐가스가 유입된다.The reaction part 400 is positioned above the cooling part 200 or the trap part 300 and flows into the cooling part 200 or the trap part 300.

반응부(400)는 공정 폐가스에 포함되어 있는 수용성 가스를 산염기 반응에 의하여 아민계 물질층(450)에 고정하여 제거한다. The reaction unit 400 fixes and removes the water-soluble gas contained in the process waste gas to the amine-based material layer 450 by an acid-base reaction.

반응 하우징(410)은 내부가 중공인 통 형상으로 형성되며, 원통 형상으로 형성될 수 있다. The reaction housing 410 is formed in a hollow cylindrical shape and may be formed into a cylindrical shape.

반응 하우징(410)은 반응 유입구(411)와 반응 유출구(413)를 구비한다.The reaction housing 410 has a reaction inlet 411 and a reaction outlet 413.

반응 하우징(410)의 반응 유입구(411)는 반응 하우징(410)의 하부에 형성되며, 트랩 하우징(310)의 트랩 유출구(313)와 연통되어, 트랩 유출구(313)에서 유출되는 공정 폐가스가 반응 하우징(410)의 내부로 유입되도록 한다.The reaction inlet 411 of the reaction housing 410 is formed at the bottom of the reaction housing 410 and communicates with the trap outlet 313 of the trap housing 310 so that the process waste gas flowing out from the trap outlet 313 is reacted So that it flows into the inside of the housing 410.

반응 유출구(413)는 반응 하우징(410)의 내부를 지나온 공정 폐가스를 외부 로 배출시키는 통로로 제공된다. The reaction outlet 413 is provided as a passage for discharging the process waste gas passing through the inside of the reaction housing 410 to the outside.

반응 유출구(413)는 반응 하우징(410)의 일 측에 구비되며, 아민계 물질층(450)의 최상층의 위쪽이라면 어디라도 그 위치는 무방하다.The reaction outlet 413 is provided on one side of the reaction housing 410 and may be located anywhere on the uppermost layer of the amine-based material layer 450.

한편, 반응 하우징(410)은 상부가 개구되어 구비될 수 있으며, 이 경우 상부 개구를 밀봉하는 반응 상부판(415)을 더 포함하여 형성될 수 있다. Meanwhile, the reaction housing 410 may be provided with an upper opening, and in this case, it may further include a reaction top plate 415 sealing the upper opening.

이때, 반응 유출구(413)가 반응 상부판(415)에 형성될 수 있음은 물론이다.At this time, it is needless to say that the reaction outlet 413 may be formed in the reaction top plate 415.

반응 상부판(415)은 반응 하우징(410)의 상부 개구를 개폐할 수 있도록 구비된다. The reaction top plate 415 is provided to open and close the upper opening of the reaction housing 410.

반응 상부판(415)은 반응 하우징(410) 내에 위치하는 아민계 물질층(450)의 교체가 필요한 경우, 반응 하우징(410)으로부터 일시적으로 분리하여 반응 하우징(410)의 상부를 개방할 수 있도록 한다. The reaction top plate 415 may be configured to temporarily release the reaction housing 410 and to open the upper portion of the reaction housing 410 when the amine based material layer 450 located in the reaction housing 410 needs to be replaced. do.

지지판(430)은 판상으로 형성되며, 상면에서 하면으로 관통되는 다수의 지지홀(431)을 구비하여 형성된다. The support plate 430 is formed in a plate shape and includes a plurality of support holes 431 penetrating from the upper surface to the lower surface.

지지판(430)은 외주면을 따라 형성되는 수직판(433)을 더 구비하여 형성될 수 있다. The support plate 430 may further include a vertical plate 433 formed along the outer circumferential surface.

지지판(430)은 복수 개로 형성되며, 수직 방향으로 서로 이격되어 위치한다.The support plates 430 are formed in a plurality of locations and are spaced apart from each other in the vertical direction.

지지판(430)은 상부에 아민계 물질층(450)이 배치되며, 지지홀(431)을 통과하여 상승하는 공정 폐가스가 아민계 물질층(450)과 접촉되도록 한다. An amine-based material layer 450 is disposed on the upper portion of the support plate 430 and a process waste gas passing through the support hole 431 is brought into contact with the amine-based material layer 450.

수직판(433)은 지지판(430)의 외주에서 하방으로 연장되어 형성되며, 아민계 물질층(450)의 외주에 의해 지지 된다. The vertical plate 433 extends downward from the outer periphery of the support plate 430 and is supported by the outer periphery of the amine-based material layer 450.

아민계 물질층(450)은 아민계 물질의 분말 또는 덩어리가 적층 되며, 내부에 다수의 기공을 포함하여 형성된다. The amine-based material layer 450 is formed by laminating powders or agglomerates of an amine-based material and including a plurality of pores therein.

아민계 물질층은, 아민계 물질 자체로 형성되거나, 아민계 물질 및 그것이 일정한 형태를 유지할 수 있도록 지지하는 다른 물질이 혼합되어 형성될 수 있다. The amine-based material layer may be formed of an amine-based material itself, or may be formed by mixing an amine-based material and other materials that support the amine-based material to maintain a uniform shape.

아민계 물질은, Carbamide(urea), Aminobutyric acid, Diphenyl amine, (N,N-Diamino benzoic acid), Glutamic acid, Lauryl amine(N-dodecylamine), Methylhexan amine, Nicotine Putrescine Stearyl amine(octadecyl amine) 및 Tallow amine 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. Amine-based materials include, but are not limited to, Carbamide (urea), Aminobutyric acid, Diphenyl amine, N-Diamino benzoic acid, Glutamic acid, Lauryl amine, Methylhexan amine, Nicotine putrescine Stearyl amine, amine, and the like.

아민계 물질층(450)은 하부에 유입되어 상부로 흐르는 공정 폐가스에 포함되어 있는 수용성 가스를 포집한다. The amine-based material layer 450 collects the water-soluble gas contained in the process waste gas flowing into the lower portion and flowing to the upper portion.

아민계 물질은 공정 폐가스 내에 포함되어 있는 할로겐화 수소화합물과 같은 수용성 가스와 산염기 반응을 일으키며, 수용성 가스를 포집한다. The amine-based material reacts with a water-soluble gas, such as a hydrogen halide compound contained in the process waste gas, to form an acid-base reaction and collects the water-soluble gas.

예를 들어, 아민계 물질로 carbamide가 사용되는 경우, carbamide는 하기의 주 반응식 또는 부 반응식에 의하여 할로겐화 수소화합물과 반응을 하여 할로겐화 수소화합물을 포집한다. For example, when carbamide is used as an amine-based material, carbamide reacts with a halogenated hydrogen compound to capture a hydrogen halide compound by the main reaction or the reaction formula shown below.

주 반응식에 따르면, 할로겐화 수소화합물은 carbamide의 amine group의 수소 원자와 결합하게 되며, 할로겐족 원소에 의한 치환은 발생하지 않는다. According to the main reaction scheme, a hydrogen halide compound is bound to a hydrogen atom of an amine group of carbamide, and substitution by a halogen group element does not occur.

carbamide는 할로겐화 수소화합물과 반응하여 결합함에 따라 분말 상태가 에멀전 상태로 변화된다. 또한, 부 반응식에 따르면, carbamide는 열이 있는 경우에 carbonyl기와 amine기로 분해되며, carbonyl기는 CO2로 전환되고 amine기는 할로겐화 수소화합물과 반응하여 NH4X로 형성된다. As the carbamide reacts with and reacts with the hydrogen halide compound, the powder state changes to the emulsion state. According to an adverse reaction, the carbamide decomposes into carbonyl and amine groups when heat is present, the carbonyl group converts to CO 2 , and the amine group reacts with a halogenated hydrogen compound to form NH 4 X.

(주 반응식)(Main reaction formula)

Figure pat00001
Figure pat00001

(부 반응식)(Sub-reaction formula)

Figure pat00002
Figure pat00002

다음은 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버의 작용에 대하여 설명한다.Next, the operation of the scrubber for process waste gas treatment according to one embodiment of the present disclosure will be described.

반도체 공정 등에서 발생하는 공정 폐가스는, 공정 폐가스 주입관(131)을 통하여 주입 챔버(130)의 내부로 유입된다. The process waste gas generated in the semiconductor process or the like flows into the injection chamber 130 through the process waste gas injection pipe 131.

플라즈마 토치(110)는 플라즈마 화염을 형성하여 주입 챔버(130)로 제공한다. The plasma torch 110 forms a plasma flame and provides it to the injection chamber 130.

공정 폐가스는 주입 챔버(130)의 내부에서 플라즈마 화염과 접촉하며, 반응 챔버(150)로 유입된다.The process waste gas contacts the plasma flame inside the injection chamber 130 and flows into the reaction chamber 150.

공정 폐가스는 플라즈마 화염과 접촉하면서 반응하여 분해 및 해리된다. The process waste gas reacts and decomposes and dissociates in contact with the plasma flame.

공정 폐가스는 연결관(170)을 통하여 냉각되면서 일부가 반응 부산물로 형성되며, 냉각부(200)로 유입된다. The process waste gas is partially formed as a reaction by-product while being cooled through the connection pipe 170, and then flows into the cooling unit 200.

공정 폐가스는 냉각 하우징(210)의 일측에 형성되는 폐가스 유입구(213)를 통하여 하우징 본체(211)의 일 측벽(211a)과 제1 격벽(217) 사이로 유입된다. The process waste gas flows into the space between the one side wall 211a of the housing main body 211 and the first partition wall 217 through the waste gas inlet 213 formed on one side of the cooling housing 210.

공정 폐가스는 다시 제1 격벽(217)의 제1 격벽홀(217a)을 통하여 제1 격벽(217)과 제2 격벽(219) 사이의 공간으로 흘러가면서 제1 냉각판(230)과 접촉하게 된다. The process waste gas flows into the space between the first partition 217 and the second partition 219 through the first partition 217a of the first partition 217 and comes into contact with the first cooling plate 230 .

제1 냉각판(230)은 유입되는 공정 폐가스와 접촉하면서 공정 폐가스를 냉각시켜 반응 부산물을 포집한다.The first cooling plate 230 cools the process waste gas in contact with the incoming process waste gas and collects reaction by-products.

제1 냉각판(230)은 제1 냉각수 유입구(233)로 유입되어 내부를 흐르는 냉각수에 의하여 냉각되면서, 지속적으로 공정 폐가스를 냉각시키면서 반응 부산물을 포집한다. The first cooling plate 230 flows into the first cooling water inlet 233 and is cooled by the cooling water flowing in the interior of the first cooling plate 230 to continuously collect the reaction by-products while cooling the process waste gas.

공정 폐가스는, 제1 냉각판(230)에 형성되는 가스 관통관(231)을 통과하면서 흐르게 된다. The process waste gas flows while passing through the gas pipe 231 formed in the first cooling plate 230.

공정 폐가스는 제1 냉각판(230)을 모두 통과한 후에 제2 격벽(219)에 형성되는 제2 격벽홀(219a)을 통하여 제2 격벽(219)과 하우징 본체(211)의 타 측벽(211b) 사이의 공간으로 유입된다. The process waste gas passes through the first cooling plate 230 and then passes through the second partition wall hole 219a formed in the second partition wall 219 and the second partition wall 219 and the other side wall 211b of the housing main body 211 In the space between them.

제2 냉각판(250)은 공정 폐가스가 메쉬망(251)과 냉각관(255)과 접촉하여 통과하도록 하면서 냉각시켜 반응 부산물을 포집한다. The second cooling plate 250 is cooled while allowing the process waste gas to pass through the mesh net 251 and the cooling pipe 255 to collect reaction byproducts.

제2 냉각판(250)은 일 측과 타 측에 제2 냉각홀(250a)을 형성하여, 공정 폐가스가 제2 냉각판(250) 사이를 지그재그로 흐르게 하면서 메쉬망(251)과 접촉하는 시간을 증가시킨다. The second cooling plate 250 is provided with a second cooling hole 250a at one side and the other side so that the time at which the process waste gas contacts the mesh net 251 while flowing zigzag between the second cooling plates 250 .

공정 폐가스는 제2 냉각판(250)을 모두 통과한 후에 폐가스 유출구(215)를 통하여 유출되어 트랩 유입구(311)를 통하여 트랩 하우징(310)의 내부로 유입된다.The process waste gas passes through the second cooling plate 250 and then flows out through the waste gas outlet 215 and flows into the trap housing 310 through the trap inlet 311.

트랩부(300)는 트랩 유입구(311)를 통하여 유입되는 공정 폐가스를 트랩판(330)과 접촉하면서 상부로 흐르도록 한다.The trap unit 300 allows the process waste gas flowing through the trap inlet 311 to flow upward while contacting the trap plate 330.

트랩판(330)은 공정 폐가스가 제1 트랩판(331) 및 제2 트랩판(333)과 접촉하면서 냉각되도록 하여 반응 부산물을 추가로 포집한다. The trap plate 330 allows the process waste gas to cool while contacting the first trap plate 331 and the second trap plate 333 to further collect reaction byproducts.

공정 폐가스는 제1 트랩판(331)의 제1 트랩홀(331a)과 제2 트랩판(333)의 제2 트랩홀(333a)을 교대로 통과하면서 지그재그로 흐르게 된다.The process waste gas flows zigzag while alternately passing through the first trap hole 331a of the first trap plate 331 and the second trap hole 333a of the second trap plate 333. [

공정 폐가스는 트랩판(330)을 모두 통과한 후에 트랩 하우징(310)의 트랩 유출구(313)를 통하여 유출되며, 반응 하우징(410)의 반응 유입구(411)를 통하여 반응 하우징(410)의 내부로 유입된다. The process waste gas flows out through the trap outlet 330 of the trap housing 310 after passing through the trap plate 330 and flows into the reaction housing 410 through the reaction inlet 411 of the reaction housing 410 ≪ / RTI >

반응부(400)의 아민계 물질층(450)은 공정 폐가스와 접촉하면서 앞서 기술한 주 반응식과 부 반응식에 의하여 공정 폐가스에 포함되어 있는 할로겐화 수소화합물과 같은 수용성 가스와 산염기 반응을 진행하며 수용성 가스를 포집하여 고정한다. The amine-based material layer 450 of the reaction part 400 reacts with a water-soluble gas such as a halogenated hydrogen compound contained in the process waste gas by the main reaction formula and the reaction formula described above while contacting the process waste gas, Collect and fix the gas.

공정 폐가스는 아민계 물질층(450)을 통과한 후에 반응 하우징(410)의 반응 유출구(413)를 통하여 외부로 유출된다. The process waste gas passes through the amine-based material layer 450 and then flows out to the outside through the reaction outlet 413 of the reaction housing 410.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는 냉각부(200)의 제1 냉각판(230)과 제2 냉각판(250)에 공급되면서 순환되는 냉각수 이외에 별도의 물을 사용하지 않으며, 공정 폐가스와 직접 접촉이 없으므로 폐수 배출이 전혀 없고, 폐수를 처리하기 위한 수처리 시설을 필요로 하지 않는다. As described above, the scrubber for the process waste gas treatment according to one embodiment of the present invention is provided with the cooling water circulating in addition to the cooling water circulated while being supplied to the first cooling plate 230 and the second cooling plate 250 of the cooling unit 200 No water is used, no direct contact with the process waste gas, so there is no waste water discharge and no water treatment facility is required to treat waste water.

따라서, 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는 친환경적인 방법으로 폐가스를 처리한다. Accordingly, the scrubber for process waste gas treatment according to an embodiment of the present disclosure processes the waste gas in an environmentally friendly manner.

더욱이, 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는 플라즈마와 같은 열 에너지를 이용하여 폐가스를 완전히 분해, 해리시키고, 분해, 해리된 폐가스를 냉각시켜 분말 상의 반응 부산물(파우더 부산물)로 변환시킴으로써, 폐가스의 배출 농도를 더욱 낮출 수 있게 된다. Furthermore, the scrubber for the process waste gas treatment according to an embodiment of the present disclosure completely decomposes and dissociates the waste gas using thermal energy such as plasma, and decomposes and dissociates the dissociated waste gas to convert it into a reaction by-product (powder byproduct) It is possible to further reduce the discharge concentration of the waste gas.

또한, 본 개시의 일 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는 대체로 전기만을 사용하기 때문에 관리가 쉽고, 운용 비용을 감소시킬 수 있게 된다.Further, since the scrubber for the process waste gas treatment according to the embodiment of the present disclosure generally uses electricity only, the scrubber can be easily managed and the operation cost can be reduced.

도 7은 본 개시의 다른 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버를 보인 도면이다.7 is a view showing a scrubber for processing waste gas according to another embodiment of the present disclosure.

본 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는, 다른 구성에 있어서, 앞선 도 1 내지 도 6의 것과 대동소이하나, 트랩부의 구성에 있어서 차이가 있다. 이하에서는 그 차이점에 대해서 설명하고 나머지 구성에 대한 설명은 앞서 설명한 것으로 갈음하고 이하에서는 생략하기로 한다.The scrubber for the process waste gas treatment according to the present embodiment differs from the scrubbers for the prior art 1 to 6 in the configuration of the prior art and the trap portion in the other configurations. Hereinafter, the difference will be described, and the rest of the configuration will be described in the foregoing and will be omitted hereafter.

도 7을 참조하면, 본 실시형태에 있어서, 트랩부는, 필터부로 대체된다.Referring to Fig. 7, in this embodiment, the trap portion is replaced with a filter portion.

필터부(310)는 대략 원통 형태이며, 수평 단면 형상이 원형을 이루도록 형성된다. The filter unit 310 is formed in a substantially cylindrical shape and has a circular cross-sectional shape.

필터부(310)는 냉각부(200)의 하류에 설치되어, 파우더 부산물을 필터링한다. 즉, 필터부(310)는 파우더 부산물을 제외한 나머지 유체만을 통과시킨다. The filter unit 310 is installed downstream of the cooling unit 200 to filter powder byproducts. That is, the filter unit 310 passes only the fluid other than the powder by-product.

또한, 제2 냉각판(251)을 지나는 냉각관(250a)을 필터부(310)에 연결함으로써, 필터부(310)의 온도를 일정 온도로 유지시킬 수 있게 된다.In addition, by connecting the cooling pipe 250a passing through the second cooling plate 251 to the filter unit 310, the temperature of the filter unit 310 can be maintained at a constant temperature.

구체적으로, 필터부(310)는 원통형 몸체(151)와, 몸체(151)의 내측에 설치된 필터(152)를 포함한다. Specifically, the filter unit 310 includes a cylindrical body 151 and a filter 152 disposed inside the body 151.

원통형 몸체(151)는 이중 격벽 형태로 형성되어, 이중 격벽의 내측에 냉각 유체가 일정 시간 체류 가능하게 되어 있다. The cylindrical body 151 is formed in the form of a double partition wall so that the cooling fluid can stay inside the double partition wall for a predetermined time.

냉각관(250a)은 이중 격벽에 연결되어 구비된다. The cooling pipe 250a is connected to the double partition wall.

필터(152)는 내부에 중공부(153)가 형성된 형태를 하며, 파우더 부산물을 제외한 나머지 유체가 필터(152)를 통과하여 중공부(153)로 안내되도록 구비된다.The filter 152 has a hollow portion 153 formed therein and is provided so that the fluid other than the powder by-product passes through the filter 152 and is guided to the hollow portion 153.

필터(152)의 중공부(153)는 배출관(168)과 연결되어 구비된다.The hollow portion 153 of the filter 152 is connected to the discharge pipe 168.

도 8은 본 개시의 또 다른 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버를 보인 도면 및 도 9는 도 8의 공정 폐가스 처리용 스크러버를 다른 방향에서 보인 도면이다.FIG. 8 is a view showing a scrubber for a process waste gas treatment according to another embodiment of the present disclosure, and FIG. 9 is a view showing the process waste gas treatment scrubber of FIG. 8 from another direction.

본 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버는, 다른 구성에 있어서, 앞선 도 1 내지 도 6의 것과 대동소이하나, 반응 챔버(130)에 Y자 연결관(138)을 통하여 두 개의 냉각부(200)가 연결되고, 각각의 냉각부(200)에 필터부(310) 또는 트랩부(300)가 연결되는 점에서 차이가 있다. The scrubber for process waste gas treatment according to the present embodiment is different from the scrubbers of the prior arts 1 to 6 in that the scrubber for treatment of waste gas is provided with two cooling units 200 And the filter unit 310 or the trap unit 300 is connected to each of the cooling units 200.

즉, 냉각부(200) 및 필터부(310)(또는 트랩부(300))가 한 쌍씩 구비되며, 이들은 하나의 반응부/에 연결된다. That is, a pair of the cooling unit 200 and the filter unit 310 (or the trap unit 300) are provided, and they are connected to one reaction unit.

따라서, 일 측의 냉각부(200) 및 필터부(310)(또는 트랩부(300))가 유지 보수될 경우에도, 타 측의 냉각부(200) 및 필터부(310)(또는 트랩부(300))가 동작 가능함으로써, 본 실시형태에 따른 공정 폐가스 처리용 스크러버의 가동 정지 상태가 발생하지 않게 된다.
Therefore, even when the cooling unit 200 and the filter unit 310 (or the trap unit 300) on one side are maintained, the cooling unit 200 and the filter unit 310 (or the trap unit 300) 300) can be operated, so that the operation stop state of the scrubber for process exhaust gas treatment according to the present embodiment does not occur.

Claims (13)

공정 폐가스의 처리 유동 경로에 공정 폐가스를 아민계 물질과 접촉시켜 상기 공정 폐가스에 포함되어 있는 할로겐화 수소화합물을 포함하는 수용성 가스를 산염기 반응에 의하여 제거하는 반응부;를 포함하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.And a reaction part for contacting the process waste gas with the amine-based material in the process flow path of the process waste gas to remove the water-soluble gas containing the hydrogen halide compound contained in the process waste gas by an acid base reaction. . 청구항 1에 있어서,
상기 공정 폐가스의 처리 유동 경로 중, 상기 반응부의 상류에 구비되며,
상기 공정 폐가스를 설정된 열원에 의해 가열하는 열원부; 및
상기 공정 폐가스를 분해 및 냉각시켜 반응 부산물을 포집하는 냉각부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method according to claim 1,
And a control unit that is provided upstream of the reaction unit in the processing flow path of the process waste gas,
A heat source unit for heating the process waste gas by a set heat source; And
And a cooling unit for decomposing and cooling the process waste gas to collect reaction byproducts. 청구항 2에 있어서,
상기 열원부는,
플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치;
유입되는 상기 공정 폐가스를 상기 플라즈마와 접촉시키는 주입 챔버; 및
상기 플라즈마와 상기 공정 폐가스가 접촉되어 반응하여 상기 공정 폐가스가 분해되는 반응 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method of claim 2,
The heat source unit includes:
A plasma torch for generating plasma;
An injection chamber for bringing the process waste gas into contact with the plasma; And
And a reaction chamber in which the plasma and the process waste gas react with each other to decompose the process waste gas. 청구항 2에 있어서,
상기 냉각부는,
상기 열원부에서 유출되는 상기 공정 폐가스가 유입되는 냉각 하우징;
유입된 상기 공정 폐가스를 1차로 냉각하여 공정 폐가스의 반응 부산물을 포집하는 제1 냉각판; 및
상기 제1 냉각판을 통과한 상기 공정 폐가스를 2차로 냉각하여 상기 공정 폐가스의 반응 부산물을 포집하는 제2 냉각판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method of claim 2,
The cooling unit includes:
A cooling housing through which the process waste gas flowing out from the heat source unit flows;
A first cooling plate for primarily cooling the introduced process waste gas to collect reaction by-products of the process waste gas; And
And a second cooling plate that cools the process waste gas that has passed through the first cooling plate to secondarily cool and collect reaction byproducts of the process waste gas. 청구항 4에 있어서,
상기 제1 냉각판의 일단과 상기 제2 냉각판의 일 단은 서로 직교하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method of claim 4,
Wherein one end of the first cooling plate and one end of the second cooling plate are arranged to be perpendicular to each other. 청구항 5에 있어서,
상기 제1,2 냉각판은, 각각 복수 개가 설정된 간격을 가지며 적층되어 구비되고,
상기 공정 폐가스는, 상기 제1 냉각판을 모두 지난 후 상기 제2 냉각판을 지나도록 구비되는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method of claim 5,
Wherein the first and second cooling plates are stacked with a plurality of predetermined intervals,
Wherein the process waste gas passes through the first cooling plate and then passes through the second cooling plate. 청구항 1에 있어서,
상기 냉각부와 상기 반응부 사이에 구비되며,
상기 냉각부에서 유출되는 상기 공정 폐가스를 냉각시켜 반응 부산물을 포집한 후 상기 반응부로 전달하는 트랩부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method according to claim 1,
A cooling unit provided between the cooling unit and the reaction unit,
And a trap part for cooling the process waste gas flowing out of the cooling part to collect reaction by-products and transferring the by-product to the reaction part. 청구항 1에 있어서,
상기 반응부는,
내부가 중공이며, 상기 공정 폐가스가 유입되는 반응 유입구 및 상기 공정 폐가스가 외부로 유출되는 반응 유출구를 포함하는 반응 하우징;
판상이며, 상면에서 하면으로 관통되는 다수의 지지홀을 가지며, 상기 반응 하우징 내부에 수직 방향으로 이격되어 형성되는 지지판; 및
상기 지지판의 상면에 구비되는 상기 아민계 물질층;으로서 상기 다수의 지지홀을 통하여 공급되는 상기 공정 폐가스가 통과할 수 있는 다공질로 구비되는 아민계 물질층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method according to claim 1,
The reaction unit includes:
A reaction housing having a hollow interior and including a reaction inlet through which the process waste gas flows and a reaction outlet through which the process waste gas flows out;
A support plate having a plurality of support holes penetrating from the upper surface to the lower surface and being vertically spaced inside the reaction housing; And
An amine-based material layer provided on an upper surface of the support plate, the amine-based material layer being provided as a porous material through which the process waste gas supplied through the plurality of support holes can pass; For scrubbing. 청구항 1에 있어서,
상기 아민계 물질은,
Carbamide(urea), Aminobutyric acid, Diphenyl amine, (N,N-Diamino benzoic acid), Glutamic acid, Lauryl amine(N-dodecylamine), Methylhexan amine, Nicotine Putrescine Stearyl amine(octadecyl amine) 및 Tallow amine 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method according to claim 1,
The amine-
At least one selected from the group consisting of carbamide (urea), aminobutyric acid, diphenyl amine, glutamic acid, N-dodecylamine, methylhexanamine, nicotine putrescine stearyl amine, A scrubber for processing waste gas, characterized in that it comprises one substance. 청구항 3에 있어서,
상기 공정 폐가스는 할로겐족 원소를 포함하고,
상기 주입 챔버 또는 상기 반응 챔버의 내부에 상기 공정 폐가스의 반응성을 증가시키는 촉매 가스로서, NH3가 공급되는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method of claim 3,
Wherein said process waste gas comprises a halogen group element,
Wherein NH 3 is supplied as a catalyst gas for increasing the reactivity of the process waste gas in the injection chamber or the reaction chamber. 청구항 7에 있어서,
상기 트랩부의 내부에 상기 공정 폐가스의 반응성을 증가시키는 촉매 가스로서, NH3가 공급되는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method of claim 7,
And NH 3 is supplied as a catalyst gas for increasing the reactivity of the process waste gas in the trap portion. 청구항 1에 있어서,
상기 냉각부와 상기 반응부 사이에 구비되며,
상기 냉각부에서 유출되는 상기 공정 폐가스의 파우더 부산물을 필터링하는 필터부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.The method according to claim 1,
A cooling unit provided between the cooling unit and the reaction unit,
And a filter unit for filtering the powder by-products of the process waste gas flowing out from the cooling unit. 청구항 7 또는 청구항 12에 있어서,
상기 트랩부 및 상기 필터부 중 어느 하나와 상기 냉각부는 둘 이상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 공정 폐가스 처리용 스크러버.

The method according to claim 7 or 12,
Wherein one of the trap portion and the filter portion and the cooling portion are provided in at least two of them.

KR1020140116406A 2013-09-23 2014-09-02 Scrubber for treating processing waste gas KR101635388B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130112805 2013-09-23
KR1020130112805 2013-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150033535A true KR20150033535A (en) 2015-04-01
KR101635388B1 KR101635388B1 (en) 2016-07-08

Family

ID=52821286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140116406A KR101635388B1 (en) 2013-09-23 2014-09-02 Scrubber for treating processing waste gas

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5878965B2 (en)
KR (1) KR101635388B1 (en)
CN (1) CN104437029B (en)
TW (1) TWI568489B (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101855511B1 (en) * 2017-09-04 2018-06-11 (주)쏠츠 Exhaust gas purification apparatus for semiconductor production process
KR20180082129A (en) * 2017-01-10 2018-07-18 한국기계연구원 Fast heat control reactor using plasma
KR20190109214A (en) * 2018-03-16 2019-09-25 (주)인트로스 Hybrid scrubber having a plurality of scrubber chambers and a heating chamber and method for operating the hybrid scrubber
KR102127952B1 (en) * 2019-12-06 2020-06-29 (주)제이솔루션 Cooling water circulation system integrated by-product collection device
CN114200080A (en) * 2021-11-30 2022-03-18 刘杰 Boiler waste gas detection device
KR102523983B1 (en) * 2022-12-28 2023-04-21 영진아이엔디(주) Catalytic plasma scrubber having thermal accumulator and method for treating waste gas using the same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107243245B (en) * 2017-07-31 2023-07-04 赣州市恒源科技股份有限公司 Neodymium iron boron waste recycling tail gas treatment device and control method thereof
CN108176671A (en) * 2017-12-28 2018-06-19 徐工集团工程机械有限公司 Salt bath cleaning equipment
KR101959165B1 (en) * 2018-04-27 2019-03-15 (주)엔노피아 Plasma waste gas processing apparatus and system
KR102188604B1 (en) * 2019-04-02 2020-12-09 주식회사 미래보 Apparatus for collecting by-product of semiconductor manufacturing process
CN111359401A (en) * 2020-03-18 2020-07-03 江西汇和化工有限公司 Method for co-producing amine salt by utilizing prochloraz acylated acidic tail gas
CN112604383B (en) * 2020-11-13 2022-06-17 北京北方华创微电子装备有限公司 By-product treatment device of semiconductor process equipment and semiconductor process equipment
KR102258142B1 (en) 2021-01-21 2021-05-31 주식회사 에이치티아이티 Apparatus for treating hazardous gas
KR102330326B1 (en) * 2021-05-25 2021-11-24 주식회사 원익홀딩스 Cooling assembly for wet tower
CN113993264B (en) * 2021-11-05 2023-11-14 北京环境特性研究所 Plasma torch and cooling method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037662U (en) * 1989-06-07 1991-01-24
JP2005013866A (en) * 2003-06-25 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd Trap device, treatment system and impurity removal method
WO2009125457A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 カンケンテクノ株式会社 Process for treatment of exhaust gas containing both silane gas and fluorine gas and exhasut gas treatment facility for the process
JP2010179249A (en) * 2009-02-06 2010-08-19 Hitachi Ltd Apparatus and method for decomposing perfluoro compound

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5351671U (en) * 1976-10-05 1978-05-02
JPH0625364B2 (en) * 1986-04-30 1994-04-06 株式会社日立製作所 Ultrafine particle manufacturing equipment
JP3007662B2 (en) * 1990-08-23 2000-02-07 株式会社神戸製鋼所 Manufacturing method of hot rolled mild steel sheet with excellent longitudinal crack resistance
JP3007662U (en) * 1994-08-10 1995-02-21 株式会社赤松電機製作所 Louver of dust remover
JP3546108B2 (en) * 1996-03-13 2004-07-21 株式会社タクマ Exhaust gas treatment method and apparatus in ash melting furnace
JP3073196B1 (en) * 1999-03-26 2000-08-07 株式会社ヒロベ Thermal conductive activated carbon material and gas treatment equipment
JP3737082B2 (en) * 2001-12-04 2006-01-18 株式会社荏原製作所 Exhaust gas treatment method and apparatus
JP2003265916A (en) * 2002-03-15 2003-09-24 Ichiro Yanaka Dust collecting vessel
JP4304020B2 (en) * 2003-07-25 2009-07-29 関東電化工業株式会社 Treatment agent and treatment method for exhaust gas containing acid gas and / or hydrocarbon
JP2005205330A (en) * 2004-01-23 2005-08-04 Kanken Techno Co Ltd Plasma decomposition method of perfluoro compound exhaust gas, plasma decomposition apparatus using the method, and exhaust gas treating system mounted with the apparatus
US7846407B2 (en) * 2006-04-07 2010-12-07 Liang Hu Self-concentrating absorbent for acid gas separation
JP4223534B2 (en) * 2007-02-28 2009-02-12 安積濾紙株式会社 Deodorizing sheet and honeycomb filter
CN101279187A (en) * 2007-04-06 2008-10-08 严桓燮 Device and method for eliminating fluorinated gases
JP2009082893A (en) * 2007-10-03 2009-04-23 Kanken Techno Co Ltd Exhaust gas treating apparatus
WO2010092671A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-19 ズードケミー触媒株式会社 Agent and method for detoxifying metal hydride-containing exhaust gas
JP2010240595A (en) * 2009-04-07 2010-10-28 Kanken Techno Co Ltd Waste gas detoxification apparatus
JP2012121018A (en) * 2010-11-16 2012-06-28 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Method for removing and recovering gaseous halide and removing/recovering agent of gaseous halide
CN202751933U (en) * 2012-08-27 2013-02-27 浙江大学 Four-section type sludge drying off-gas treatment system
CN202823131U (en) * 2012-10-25 2013-03-27 无锡宇吉科技有限公司 Waste gas purification and recovery device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037662U (en) * 1989-06-07 1991-01-24
JP2005013866A (en) * 2003-06-25 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd Trap device, treatment system and impurity removal method
WO2009125457A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 カンケンテクノ株式会社 Process for treatment of exhaust gas containing both silane gas and fluorine gas and exhasut gas treatment facility for the process
JP2010179249A (en) * 2009-02-06 2010-08-19 Hitachi Ltd Apparatus and method for decomposing perfluoro compound

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180082129A (en) * 2017-01-10 2018-07-18 한국기계연구원 Fast heat control reactor using plasma
KR101855511B1 (en) * 2017-09-04 2018-06-11 (주)쏠츠 Exhaust gas purification apparatus for semiconductor production process
KR20190109214A (en) * 2018-03-16 2019-09-25 (주)인트로스 Hybrid scrubber having a plurality of scrubber chambers and a heating chamber and method for operating the hybrid scrubber
KR102127952B1 (en) * 2019-12-06 2020-06-29 (주)제이솔루션 Cooling water circulation system integrated by-product collection device
WO2021112569A1 (en) * 2019-12-06 2021-06-10 (주)제이솔루션 Byproduct collection device integrated with cooling water circulation system
CN113227683A (en) * 2019-12-06 2021-08-06 赞解株式会社 Cooling water circulation system integral type accessory substance entrapment device
US11955351B2 (en) 2019-12-06 2024-04-09 J-Solution Co., Ltd. Cooling water circulation system-integrated by-product collection apparatus
CN114200080A (en) * 2021-11-30 2022-03-18 刘杰 Boiler waste gas detection device
KR102523983B1 (en) * 2022-12-28 2023-04-21 영진아이엔디(주) Catalytic plasma scrubber having thermal accumulator and method for treating waste gas using the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN104437029A (en) 2015-03-25
CN104437029B (en) 2016-11-30
KR101635388B1 (en) 2016-07-08
JP2015061725A (en) 2015-04-02
TW201511820A (en) 2015-04-01
TWI568489B (en) 2017-02-01
JP5878965B2 (en) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101635388B1 (en) Scrubber for treating processing waste gas
KR101564580B1 (en) Scrubber for waste gases removing by combination of gas-liquid contact device with multi function
CN109979849A (en) Semiconductor technology by-product capturing device
KR101376238B1 (en) Scrubber for processing waste gas
JP2014000500A (en) Exhaust gas treatment system
KR20100139040A (en) A system and method for enhanced removal of co2 from a mixed gas stream via use of a catalyst
KR101387611B1 (en) Apparatus and method of treating perfluoro compounds
KR101783373B1 (en) Scrubber for removing waste gas discharged from a semiconductor process
AU2012356048A1 (en) Preparation of an aqueous reagent for the absorption or destruction of pollutants
KR101522890B1 (en) Air purifier or air pollution control system using composite metal oxide low temperature catalyst
KR101641855B1 (en) Scrubber for treating processing waste gas
KR101210931B1 (en) Waste gas scrubber
US20240165558A1 (en) Photochemical method and device for volatile organic compound pollution control
KR20070010725A (en) Development for removal of dust and nitrogen oxides, sulfur oxides using dust collect system
KR101206796B1 (en) Manufacturing method of hydrophobic silica aerogel and manufacturing apparatus of hydrophobic silica aerogel
KR20180013000A (en) Horizontal Type Scrubber to remove waste gases by combination of gas-liquid contact device with multi function
KR101564579B1 (en) Scrubber for waste gases removing by combination of gas-liquid contact device with multi function
CN106039913B (en) A kind of flue gas purification system
KR102192344B1 (en) Gas-liquid contact device for Waste gas removal scrub and Waste gas removal scrub using the same
KR101798027B1 (en) A powder generator for treating exhaust gas
CN210584409U (en) Light-assisted chemical filtration adsorption device
KR100527277B1 (en) Ion exchange filter for removing harmful gases
JP2011177691A (en) Air cleaner
KR101564578B1 (en) Scrubber for waste gases removing by combination of gas-liquid contact device with multi function
KR101652312B1 (en) Horizontal Type Scrubber for waste gases removing by combination of gas-liquid contact device with multi function

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190708

Year of fee payment: 4