KR20150030470A - High frequency module - Google Patents

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Abstract

A high frequency module according to the embodiment of the present invention includes a module substrate, a first component which is formed on the upper side of the module substrate, a second component which is formed on the lower side of the module substrate, and a cover substrate which is arranged on the lower side of the module substrate. The cover substrate includes a component region and a terminal region. A cavity is formed on the component region.

Description

고주파 모듈{HIGH FREQUENCY MODULE}HIGH FREQUENCY MODULE

실시예는 양면 모듈이 가능한 고주파 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to a high frequency module capable of a double sided module.

최근 휴대폰, PDA(Personal Digital Assistant), 스마트폰 등의 이동통신단말기, 각종 미디어용 단말기(예: MP3 기기)에 대한 다기능화 및 소형화 추세에 따라서, 단말기에 내장되는 각종 부품이 소형화 추세로 개발되고 있다. 또한 소형화를 위해 RF(Radio Frequency) 소자, IC 칩 등의 부품을 하나의 패키지로 구현하는 모듈(이하 고주파 모듈이라 함)화가 시도되고 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, various components incorporated in mobile terminals have been developed in a trend of miniaturization in accordance with the tendency toward multi-function and miniaturization of mobile communication terminals such as mobile phones, PDAs (personal digital assistants), smart phones, have. In addition, for miniaturization, a module (hereinafter, referred to as a high frequency module) in which components such as an RF (Radio Frequency) element and an IC chip are implemented in one package has been attempted.

종래의 고주파 모듈은 모듈 기판, 모듈 기판 상에 실장되는 다수 개의 전자 부품들, 상기 전자 부품들을 보호하기 위해, 상기 전자 부품을 감싸는 몰드 부재를 포함하였다.The conventional high frequency module includes a module substrate, a plurality of electronic components mounted on the module substrate, and a mold member surrounding the electronic component to protect the electronic components.

그러나, 종래의 고주파 모듈은 모듈 기판의 상면 또는 하면 중 하나의 면에만 부품들을 실장하였다. 이에 따라, 종래의 고주파 모듈은 하나의 면에만 부품을 실장함에 따라, 부품을 지지하는 모듈 기판의 크기가 커지는 문제점이 있었다.However, in the conventional high frequency module, the components are mounted on only one side of the upper surface or the lower surface of the module substrate. Accordingly, the conventional high-frequency module has a problem that the size of the module substrate supporting the component becomes large because the component is mounted on only one surface.

이에 따라, 상기 모듈 기판의 크기를 감소시키면서, 동일한 수의 부품을 실장할 수 있는 새로운 구조의 고주파 모듈이 요구된다.Accordingly, a high-frequency module having a new structure capable of mounting the same number of parts while reducing the size of the module substrate is required.

실시에는 모듈 기판의 사이즈를 줄이기 위해 양면 모듈이 가능한 고주파 모듈을 제공하고자 한다.In order to reduce the size of the module substrate, a high-frequency module capable of providing a double-sided module is provided.

실시예에 따른 고주파 모듈은, 모듈 기판; 상기 모듈 기판의 상면에 형성되는 제 1 부품; 상기 모듈 기판의 하면에 형성되는 제 2 부품; 및 상기 모듈 기판의 하면에 배치되는 커버 기판을 포함하고, 상기 커버 기판은 부품 영역 및 단자 영역을 포함하고, 상기 부품 영역에는 캐비티(cavity)가 형성된다.A high frequency module according to an embodiment includes: a module substrate; A first component formed on an upper surface of the module substrate; A second component formed on a lower surface of the module substrate; And a cover substrate disposed on a lower surface of the module substrate, wherein the cover substrate includes a component region and a terminal region, and a cavity is formed in the component region.

실시예에 따른 고주파 모듈은, 모듈 기판의 상면 및 하면에 모두 부품을 실장한다. 또한, 상기 상면에는 몰드 부재를 배치하여, 상면에 형성된 부품들을 포함하고, 상기 하면에는, 커버 기판을 배치하여 후면에 형성된 부품들을 보호하는 것과 동시에, 하면에 형성된 부품들을 커버 기판에 형성된 패드부를 통해 외부 단자와 연결할 수 있다.In the high-frequency module according to the embodiment, components are mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate. In addition, a mold member is disposed on the upper surface, and parts formed on the upper surface are included. On the lower surface, a cover substrate is disposed to protect parts formed on the rear surface, and parts formed on the lower surface are connected to a pad portion Can be connected with external terminal.

종래에는, 모듈 기판의 상면 및 하면에 모두 부품들을 실장하는 경우, 상기 모듈 기판의 하면에 실장된 부품들은 외부로부터 보호되지 못하고, 또한 외부의 단자와 연결이 되지 못하는 문제점이 있었다.Conventionally, when components are mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate, the components mounted on the lower surface of the module substrate are not protected from outside and can not be connected to external terminals.

이에 따라, 실시예에 따른 고주파 모듈은 캐비티가 형성된 커버 기판을 상기 모듈 기판의 하면에 배치하여 모듈 기판의 하면에 형성된 부품들을 보호하는 것과 동시에 하면에 형성된 부품들을 커버 기판에 형성된 패드부를 통해 외부 단자와 연결할 수 있다.Accordingly, in the high-frequency module according to the embodiment, the cover substrate on which the cavity is formed is disposed on the lower surface of the module substrate to protect the components formed on the lower surface of the module substrate, Lt; / RTI >

따라서, 실시예에 따른 고주파 모듈은 상기 모듈 기판의 상면 및 하면에 모두 부품을 실장할 수 있으므로, 모듈 기판을 원하는 크기로 조절할 수 있다. 즉, 상기 모듈 기판의 상면에만 실장되던 부품을 일부 모듈 기판의 하면에도 실장하므로, 종래 모듈 기판의 크기보다 작은 크기의 모듈 기판으로 동일한 수의 부품을 실장할 수 있다. 따라서, 최종적으로 제조되는 고주파 모듈의 크기를 감소할 수 있는 효과가 있다.Therefore, in the high-frequency module according to the embodiment, the components can be mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate, so that the module substrate can be adjusted to a desired size. That is, the components mounted on only the upper surface of the module substrate are also mounted on the lower surface of the module substrate, so that the same number of components can be mounted on the module substrate smaller than the size of the conventional module substrate. Therefore, there is an effect that the size of the high-frequency module finally manufactured can be reduced.

도 1은 실시예에 따른 고주파 모듈의 단면도를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 모듈 기판의 하면도를 도시한 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 커버 기판의 상면도를 도시한 도면이다.
도 4는 내지 도 7은 실시예에 따른 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a sectional view of a high frequency module according to an embodiment.
2 is a bottom view of the module substrate according to the embodiment.
3 is a top view of a cover substrate according to an embodiment.
FIG. 4 through FIG. 7 are views for explaining a method of manufacturing a high frequency module according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시예에 따른 고주파 모듈을 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 고주파 모듈의 단면도를 도시한 도면이고, 도 2는 실시예에 따른 고주파 모듈의 하면도를 도시한 도면이며, 도 3은 실시예에 따른 단자 구조물을 확대하여 도시한 도면이고, 도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.Hereinafter, a high frequency module according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of a high-frequency module according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of a high-frequency module according to an embodiment, FIG. 3 is an enlarged view of a terminal structure according to an embodiment And FIGS. 4 to 7 are views for explaining a method of manufacturing the high frequency module according to the embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 고주파 모듈은 모듈 기판(100), 상기 모듈 기판(100)의 상면에 형성되는 제 1 부품(210), 상기 모듈 기판(100)의 하면에 형성되는 제 2 부품(220) 및 상기 모듈 기판의 하면에 배치되는 커버 기판(400)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a high frequency module according to an embodiment includes a module substrate 100, a first component 210 formed on the upper surface of the module substrate 100, a second component 210 formed on the lower surface of the module substrate 100, A component 220 and a cover substrate 400 disposed on the lower surface of the module substrate.

상기 모듈 기판(100)은 HTCC(High temperature cofired ceramic) 또는 LTCC(Low temperature cofired ceramic)과 같은 세라믹 기판이나 실리콘 기판, MCPCB(Metal Core PCB) 또는 일반 PCB 기판 등을 포함할 수 있다. 상기 모듈 기판(100) 상에는 사전에 설계된 배선 패턴이 상면 및 하면에 형성되고, 다수의 칩 부품들이 실장된다.The module substrate 100 may include a ceramic substrate such as a high temperature cofired ceramic (HTCC) or a low temperature cofired ceramic (LTCC), a silicon substrate, a metal core PCB (MCPCB), or a general PCB substrate. On the module substrate 100, pre-designed wiring patterns are formed on the upper and lower surfaces, and a plurality of chip components are mounted.

상기 칩 부품들은 상기 모듈 기판(100) 상에 형성된 상기 배선 패턴에 표면실장기술(SMT)을 이용하여 솔더 본딩되며, 상기 칩 부품들은 하나 이상의 적층 세라믹 캐패시터, 칩 인덕터, 칩 스위치 등이 포함될 수 있다.The chip components are solder bonded to the wiring pattern formed on the module substrate 100 using Surface Mount Technology (SMT), and the chip components may include one or more laminated ceramic capacitors, chip inductors, chip switches, and the like .

상기 칩 부품들은 복수 개의 전자 부품일 수 있다. 일례로, 상기 칩 부품들은 능동 부품, 수동 부품 및 보조 부품들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The chip components may be a plurality of electronic components. In one example, the chip components may include at least one of an active component, a passive component, and auxiliary components.

상기 칩 부품들은 상기 모듈 기판(100)의 상면 및 하면에 탑재될 수 있다. 자세하게, 상기 모듈 기판(100)의 상면에는 제 1 전자 부품(210)이 실장될 수 있다. 또한, 상기 모듈 기판(100)의 하면에는 제 2 전자 부품(220)이 실장될 수 있다. 즉, 상기 모듈 기판(100)의 상면 및 하면에는 모두 전자 부품들이 실장될 수 있다.The chip components may be mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate 100. In detail, the first electronic component 210 may be mounted on the upper surface of the module substrate 100. The second electronic component 220 may be mounted on the lower surface of the module substrate 100. That is, electronic components may be mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate 100.

상기 모듈 기판의(100)의 하면에는 패드부들이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 모듈 기판(100)의 하면에는 제 1 패드부(310)들이 형성될 수 있다.Pad portions may be formed on the lower surface of the module substrate 100. The first pad portions 310 may be formed on the lower surface of the module substrate 100 in detail.

상기 제 1 패드부(310)는 상기 모듈 기판(100) 하면의 가장자리 상에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패드부(310)는 상기 모듈 기판(100) 상면의 가장자리를 따라 연장하며 형성될 수 있다.The first pad unit 310 may be formed on an edge of the lower surface of the module substrate 100. That is, the first pad unit 310 may extend along the edge of the upper surface of the module substrate 100.

상기 제 1 패드부(310)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패드부(310)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 제 1 패드부(310)는 구리, 알루미늄, 은 및 금 중 적어도 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다.The first pad portion 310 may include a conductive material. In detail, the first pad unit 310 may include a metal material. For example, the first pad portion 310 may include at least one metal material selected from copper, aluminum, silver, and gold.

상기 커버 기판(400)은 상기 모듈 기판(100)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 커버 기판(400)은 상기 모듈 기판(100)과 동일하게 세라믹 기판이나 실리콘 기판, MCPCB(Metal Core PCB) 또는 일반 PCB 기판 등을 포함할 수 있다.The cover substrate 400 may be disposed on the lower surface of the module substrate 100. The cover substrate 400 may include a ceramic substrate, a silicon substrate, a metal core PCB (MCPCB), or a general PCB substrate in the same manner as the module substrate 100.

상기 커버 기판(400)은 상기 모듈 기판(100)의 하면 상에 배치되어, 상기 모듈 기판(100)의 하면에 실장되는 부품 즉, 제 2 부품(220)들을 감싸면서 배치될 수 있다.The cover substrate 400 may be disposed on the lower surface of the module substrate 100 and may surround the components mounted on the lower surface of the module substrate 100, that is, the second components 220.

상기 커버 기판(400)은 상기 모듈 기판(100)의 하면을 덮을 수 있도록, 상기 모듈 기판(100)과 동일하거나 또는 더 큰 크기를 가질 수 있다. 상기 커버 기판(400)은 부품 영역(410) 및 단자 영역(420)을 포함할 수 있다. The cover substrate 400 may have a size equal to or larger than that of the module substrate 100 so as to cover the lower surface of the module substrate 100. The cover substrate 400 may include a component region 410 and a terminal region 420.

상기 부품 영역(410)은 상기 모듈 기판(100)의 하면에 실장되는 제 2 부품(220)을 감싸는 영역을 의미한다. 상기 커버 기판(400)의 상기 부품 영역(410)에는 일정한 깊이로 캐비티(cavity)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 캐비티(C)는 상기 제 2 부품(220)들의 높이 이상의 깊이를 가지도록 형성될 수 있다. The component region 410 refers to a region surrounding the second component 220 mounted on the lower surface of the module substrate 100. A cavity may be formed in the component region 410 of the cover substrate 400 to a predetermined depth. At this time, the cavity C may be formed to have a depth greater than the height of the second parts 220.

상기 단자 영역(420)에는 제 2 패드부(320)들이 형성되는 영역을 의미한다. 상기 단자 영역(420)은 상기 커버 기판(400)의 가장자리에 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 단자 영역(420)은 상기 커버 기판(400)의 가장자리를 따라 연장하며 형성될 수 있다.And the second pad portions 320 are formed in the terminal region 420. The terminal region 420 may be formed at an edge of the cover substrate 400. In detail, the terminal region 420 may extend along the edge of the cover substrate 400.

상기 단자 영역(420)에는 제 2 패드부(320)들이 형성될 수 있다. 상기 제 2 패드부(320)들은 상기 커버 기판(400)의 가장자리 즉, 상기 단자 영역(420)을 따라 연장하며 형성될 수 있다.The second pad portions 320 may be formed in the terminal region 420. The second pad portions 320 may extend along the edge of the cover substrate 400, that is, the terminal region 420.

상기 제 2 패드부(320)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 패드부(320)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 제 2 패드부(320)는 구리, 알루미늄, 은 및 금 중 적어도 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다.The second pad portion 320 may include a conductive material. In detail, the second pad portion 320 may include a metal material. For example, the second pad portion 320 may include at least one metal material selected from copper, aluminum, silver, and gold.

상기 제 2 패드부(320)는 상기 제 1 패드부(310)와 서로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패드부(310)와 상기 제 2 패드부(320)는 서로 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 즉, 상기 모듈 기판(100)의 하면에 상기 커버 기판(400)을 배치하였을 때, 상기 제 1 패드부(310)과 상기 제 2 패드부(320)는 동일한 위치 상에 배치될 수 있다.The second pad portion 320 may be formed to overlap with the first pad portion 310. In detail, the first pad portion 310 and the second pad portion 320 may be formed at positions corresponding to each other. That is, when the cover substrate 400 is disposed on the lower surface of the module substrate 100, the first pad unit 310 and the second pad unit 320 may be disposed at the same position.

상기 모듈 기판(100)과 상기 커버 기판(400)은 상기 제 1 패드부(310)와 상기 제 2 패드부(320)가 서로 접합 됨으로써 결합할 수 있다. 즉, 상기 제 1 패드부(310)와 상기 제 2 패드부(320)에 솔더 페이스트를 도포하여 상기 모듈 기판(100)과 상기 커버 기판(400)을 결합할 수 있다.The module substrate 100 and the cover substrate 400 may be coupled to each other by bonding the first pad unit 310 and the second pad unit 320 together. That is, the module substrate 100 and the cover substrate 400 can be joined by applying solder paste to the first pad portion 310 and the second pad portion 320.

상기 모듈 기판(100)과 상기 커버 기판(400)을 결합한 후, 상기 커버 기판(400)의 캐비티(C) 내에 수지 물질을 충진할 수 있다. 즉, 언더필(underfill) 공정을 통해 상기 커버 기판(400)의 캐비티(C) 내에 에폭시 등의 수지 물질을 충진할 수 있다.After the module substrate 100 and the cover substrate 400 are coupled to each other, the resin material may be filled in the cavity C of the cover substrate 400. That is, resin material such as epoxy may be filled in the cavity C of the cover substrate 400 through an underfill process.

상기 모듈 기판(100)의 상면에는 몰드 부재(500)가 배치될 수 있다. 즉, 상기 모듈 기판(100)의 상면에 배치된 부품들을 보호하기 위해 일정 높이로 몰드 부재(500)가 몰딩된다. 여기서, 상기 몰드 부재(500)는 에폭시 몰딩 컴파운드, 폴리페닐렌옥사이드(Poly Phenylene Oxide), 에폭시 시트 몰딩(ESM), 실리콘 등 중에서 하나로 구현될 수 있다. 상기 몰드 부재(500)는 상기 모듈 기판(100) 상에 배치된 칩 부품들 즉, 제 1 부품(210)의 두께 이상 또는 와이어가 있는 경우에는 와이어 높이 이상으로 몰딩될 수 있다. A mold member 500 may be disposed on the upper surface of the module substrate 100. That is, the mold member 500 is molded at a predetermined height to protect the components disposed on the upper surface of the module substrate 100. The mold member 500 may be formed of one of an epoxy molding compound, a polyphenylene oxide, an epoxy sheet molding (ESM), and a silicone. The mold member 500 may be molded over the thickness of the chip components disposed on the module substrate 100, that is, the first component 210, or more than the wire height if there is a wire.

또한 상기 몰드 부재(500)의 표면에는 전자 차폐용 표면 도금층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이러한 도금층은 내부로 유입되거나 외부로 방출되는 유해한 전자파를 차단해 줄 수 있다.
A surface plating layer (not shown) for electromagnetic shielding may be formed on the surface of the mold member 500. Such a plating layer can block harmful electromagnetic waves that enter the inside or are emitted to the outside.

실시예에 따른 고주파 모듈은, 모듈 기판의 상면 및 하면에 모두 부품을 실장한다. 또한, 상기 상면에는 몰드 부재를 배치하여, 상면에 형성된 부품들을 포함하고, 상기 하면에는, 커버 기판을 배치하여 후면에 형성된 부품들을 보호하는 것과 동시에, 하면에 형성된 부품들을 커버 기판에 형성된 패드부를 통해 외부 단자와 연결할 수 있다.In the high-frequency module according to the embodiment, components are mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate. In addition, a mold member is disposed on the upper surface, and parts formed on the upper surface are included. On the lower surface, a cover substrate is disposed to protect parts formed on the rear surface, and parts formed on the lower surface are connected to a pad portion Can be connected with external terminal.

종래에는, 모듈 기판의 상면 및 하면에 모두 부품들을 실장하는 경우, 상기 모듈 기판의 하면에 실장된 부품들은 외부로부터 보호되지 못하고, 또한 외부의 단자와 연결이 되지 못하는 문제점이 있었다.Conventionally, when components are mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate, the components mounted on the lower surface of the module substrate are not protected from outside and can not be connected to external terminals.

이에 따라, 실시예에 따른 고주파 모듈은 캐비티가 형성된 커버 기판을 상기 모듈 기판의 하면에 배치하여 모듈 기판의 하면에 형성된 부품들을 보호하는 것과 동시에 하면에 형성된 부품들을 커버 기판에 형성된 패드부를 통해 외부 단자와 연결할 수 있다.Accordingly, in the high-frequency module according to the embodiment, the cover substrate on which the cavity is formed is disposed on the lower surface of the module substrate to protect the components formed on the lower surface of the module substrate, Lt; / RTI >

따라서, 실시예에 따른 고주파 모듈은 상기 모듈 기판의 상면 및 하면에 모두 부품을 실장할 수 있으므로, 모듈 기판을 원하는 크기로 조절할 수 있다. 즉, 상기 모듈 기판의 상면에만 실장되던 부품을 일부 모듈 기판의 하면에도 실장하므로, 종래 모듈 기판의 크기보다 작은 크기의 모듈 기판으로 동일한 수의 부품을 실장할 수 있다. 따라서, 최종적으로 제조되는 고주파 모듈의 크기를 감소할 수 있는 효과가 있다.
Therefore, in the high-frequency module according to the embodiment, the components can be mounted on the upper and lower surfaces of the module substrate, so that the module substrate can be adjusted to a desired size. That is, since the components mounted on only the upper surface of the module substrate are mounted on the lower surface of the module substrate, the same number of components can be mounted on the module substrate smaller than the size of the conventional module substrate. Therefore, there is an effect that the size of the high-frequency module finally manufactured can be reduced.

이하, 도 4 내지 도 7을 참조하여, 실시예에 따른 고주파 모듈의 제조방법을 설명한다. 도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.Hereinafter, a method of manufacturing a high frequency module according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 7 are views for explaining a method of manufacturing the high frequency module according to the embodiment.

도 4를 참조하면, 모듈 기판(100)의 상면에 전자 부품들을 실장한다. 자세하게, 상기 모듈 기판(100)의 상면에 제 1 부품(210)을 실장한다. 상기 제 1 전자 부품(210)들은 표면실장기술(SMT)을 이용하여 솔더 본딩함으로써 상기 모듈 기판(100)에 실장될 수 있다.Referring to FIG. 4, the electronic components are mounted on the upper surface of the module substrate 100. In detail, the first component 210 is mounted on the upper surface of the module substrate 100. The first electronic components 210 may be mounted on the module substrate 100 by solder bonding using Surface Mount Technology (SMT).

이어서, 도 5를 참조하면, 모듈 기판(100)의 하면에 전자 부품들을 실장한다. 자세하게, 상기 모듈 기판(100)의 하면에 제 2 부품(220)을 실장한다. 상기 제 2 전자 부품(220)들은 표면실장기술(SMT)을 이용하여 솔더 본딩함으로써 상기 모듈 기판(100)에 실장될 수 있다.Next, referring to FIG. 5, electronic components are mounted on the lower surface of the module substrate 100. The second component 220 is mounted on the lower surface of the module substrate 100 in detail. The second electronic components 220 may be mounted on the module substrate 100 by solder bonding using Surface Mount Technology (SMT).

이어서, 도 7을 참조하면, 상기 모듈 기판(100)의 하면에 커버 기판(400)을 배치한다. 상기 커버 기판(400)은 앞서 설명하였듯이, 부품 영역과 단자 영역을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the cover substrate 400 is disposed on the lower surface of the module substrate 100. As described above, the cover substrate 400 may include a component region and a terminal region.

상기 커버 기판(400)의 부품 영역은 상기 모듈 기판(100)의 제 2 부품을 감쌀 수 있다. 또한, 상기 커버 기판(400)의 단자 영역에는 상기 모듈 기판(100)의 하면에 형성된 제 1 패드부(310)와 중첩되는 위치에 제 2 패드부(320)가 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 패드부(310)와 상기 제 2 패드부(320)가 접착되어 상기 모듈 기판(100)과 상기 커버 기판(400)이 결합될 수 있다.The component region of the cover substrate 400 may cover the second component of the module substrate 100. The second pad portion 320 may be formed at a position overlapping the first pad portion 310 formed on the lower surface of the module substrate 100 in the terminal region of the cover substrate 400. Accordingly, the first pad portion 310 and the second pad portion 320 are bonded to each other so that the module substrate 100 and the cover substrate 400 can be coupled to each other.

또한, 상기 모듈 기판(100)의 상면에 몰드 부재(500)를 형성한다. 즉, 상기 모듈 기판(100)의 상면에 실장된 제 1 부품(210)들을 보호하기 위해 몰드 부재(500)를 형성한다.Further, the mold member 500 is formed on the upper surface of the module substrate 100. That is, the mold member 500 is formed to protect the first parts 210 mounted on the upper surface of the module substrate 100.

상기 몰드 부재(500)를 형성하는 방법으로는 EMC를 이용한 트랜스퍼 몰딩(Transfer molding), 에폭시 시트를 열 압착하여 몰딩하는 방법, 액상 형태의 몰딩 재료를 토출하여 열 처리하는 방법 및 주입 성형하는 방법 중 적어도 하나의 방법이 이용될 수 있다. 여기서 트랜스퍼 몰딩 방식을 사용하는 경우 칩 부품 영역 또는 모듈기판 전체에 대해 형성될 수 있다. As the method for forming the mold member 500, there are a transfer molding method using EMC, a method of thermo-compression molding an epoxy sheet, a method of discharging a liquid molding material for heat treatment, and a method of injection molding At least one method may be used. Here, if a transfer molding method is used, it may be formed in the chip component area or the entire module substrate.

그리고 상기 몰드 부재(500)를 몰딩한 후, 상기 몰드 부재(500)의 표면에 스퍼터링(sputtering) 방식, 증착(evaporating)하는 방식, 전해 또는 무 전해 도금 등을 선택적으로 이용하여 도금층(미도시)을 형성해 줄 수 있다. After the mold member 500 is molded, a plating layer (not shown) is selectively formed on the surface of the mold member 500 using a sputtering method, an evaporating method, electrolytic or electroless plating, Can be formed.

이어서, 다른 모듈과의 결합이 용이하도록 상기 커버 기판(400)의 하면을 마스크(mask) 공법에 의해 솔더 페이스트(330)를 이용하여 프린팅 할 수 있다.Subsequently, the lower surface of the cover substrate 400 may be printed using a solder paste 330 by a mask method so as to facilitate coupling with other modules.

실시예에 따른 고주파 모듈은 수동 소자 등의 칩 부품과 더불어, 고주파 필터 칩을 패키지로 구비한 SIP(System In Package) 제품으로 만들어진다. 여기서, 본 발명은 고주파 모듈 단위로 커팅 하기 위해 다이싱 공정을 수행할 수도 있다.The high frequency module according to the embodiment is made of a SIP (System In Package) product having a high frequency filter chip as a package, in addition to a chip component such as a passive element. Here, the present invention can also perform a dicing process to cut in units of high frequency modules.

본 발명은 휴대폰 또는 핸드셋 등의 기기에 적용되는 반도체 모듈 패키지를 초 박형화로 구현할 수 있고, 또한 멀티 칩 패키지(MCP : Multi chip package), 시스템 인 패키지(SIP : System In Package) 등 다양한 패키지 유형들에 적용될 수 있다.
The present invention can realize a semiconductor module package which is applied to a device such as a mobile phone or a handset with ultra thinness and also can be applied to various package types such as a multi chip package (MCP) and a system in package (SIP) Lt; / RTI >

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (7)

모듈 기판;
상기 모듈 기판의 상면에 형성되는 제 1 부품;
상기 모듈 기판의 하면에 형성되는 제 2 부품; 및
상기 모듈 기판의 하면에 배치되는 커버 기판을 포함하고,
상기 커버 기판은 부품 영역 및 단자 영역을 포함하고,
상기 부품 영역에는 캐비티(cavity)가 형성되는 고주파 모듈.Module substrate;
A first component formed on an upper surface of the module substrate;
A second component formed on a lower surface of the module substrate; And
And a cover substrate disposed on a lower surface of the module substrate,
Wherein the cover substrate includes a component region and a terminal region,
And a cavity is formed in the component region. 제 1항에 있어서,
상기 모듈 기판의 하면에 형성되는 제 1 패드부; 및
상기 커버 기판의 단자 영역에 형성되는 제 2 패드부를 포함하고,
상기 제 1 패드부 및 상기 제 2 패드부는 서로 중첩되는 위치에 형성되는 고주파 모듈.The method according to claim 1,
A first pad portion formed on a lower surface of the module substrate; And
And a second pad portion formed in a terminal region of the cover substrate,
Wherein the first pad portion and the second pad portion are formed at positions overlapping each other. 제 2항에 있어서,
상기 제 1 패드부와 상기 제 2 패드부는 서로 접합되는 고주파 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the first pad portion and the second pad portion are bonded to each other. 제 1항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 제 2 부품을 감싸는 고주파 모듈.The method according to claim 1,
And the cavity surrounds the second component. 제 1항에 있어서,
상기 캐비티 내부에는 에폭시가 충진되는 고주파 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the cavity is filled with epoxy. 제 1항에 있어서,
상기 모듈 기판의 상면에는 몰드 부재가 배치되는 고주파 모듈.The method according to claim 1,
And a mold member is disposed on an upper surface of the module substrate. 제 1항에 있어서,
상기 캐비티의 깊이는 상기 제 2 부품의 높이보다 더 큰 고주파 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a depth of the cavity is greater than a height of the second component.
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