KR20150025576A - 광학 플레이트, 이의 제조 방법, 및 이를 구비하는 백라이트 어셈블리 - Google Patents

광학 플레이트, 이의 제조 방법, 및 이를 구비하는 백라이트 어셈블리 Download PDF

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Abstract

광학 플레이트, 이의 제조 방법, 및 이를 구비하는 백라이트 어셈블리가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트는 기판, 및 기판 상에 위치하는 광학 패턴층을 포함하되, 광학 패턴층은, 기판 상에 위치하는 평탄층, 평탄층 상에 위치하고, 단부에 형성된 오목부를 포함하는 복수의 돌출 패턴, 및 오목부 상에 위치하는 복수의 확산 패턴을 포함한다.

Description

광학 플레이트, 이의 제조 방법, 및 이를 구비하는 백라이트 어셈블리 {OPTICAL PLATE, MATHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND BACKLIGHT ASSEMBLY HAVING THE SAME}
본 발명은 광학 플레이트, 이의 제조 방법, 및 이를 구비하는 백라이트 어셈블리에 관한 것이다.
산업 사회가 고도의 정보화 시대로 발전함에 따라 다양한 정보를 표시 및 전달하기 위한 매체로서 전자 디스플레이 장치의 중요성은 나날이 증대되고 있다. 종래에 널리 사용되어 오던 CRT(Cathode Ray Tube)는 설치 공간상의 제약이 커서 대형화가 힘들다는 한계 때문에, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 전계방사 디스플레이(FED) 및 유기EL과 같은 다양한 평판 디스플레이 장치로 대치되고 있다. 이러한 평판 디스플레이 장치 중에서, 액정 디스플레이 장치(LCD)의 경우, 액정과 반도체 기술이 복합된 기술 집약적 장치로서 얇고, 가벼우며 소비 전력이 낮은 장점으로 인해, 그 구조 및 제조 기술이 연구 개발되어 왔고, 현재 노트북 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터의 모니터, 휴대용 개인 통신 장치(PDA 및 휴대폰) 등 기존에 액정 디스플레이가 널리 사용되었던 영역뿐만 아니라, 대형화 기술도 점점 그 한계를 뛰어넘고 있어, 고화질의 대형 TV에까지 응용되고 있다.
이러한 액정 디스플레이(LCD) 장치는 액정 자체가 발광을 할 수 없기 때문에 장치의 배면에 별도의 광원부를 설치하여, 각 화소(pixel)에 설치된 액정을 통해 통과광의 세기를 조절하여 계조(contrast)를 구현한다. 이를 보다 구체적으로 살펴보면, 액정 디스플레이 장치는 액정 물질의 전기적 특성을 이용하여 광의 투과율을 조절하는 장치로, 장치 배면의 광원부에서 발생하여 각종 광학 플레이트를 통과하여 균일도와 방향성이 제어된 광을 컬러 필터에 통과시켜 적, 청, 녹(R, G, B)의 색상을 구현하도록 하고, 전기적인 방법으로 각 화소의 계조(contrast)를 제어하여 화상을 구현하는 간접 발광 방식의 디스플레이 장치이다. 여기에서, 광원부를 포함하는 백라이트 어셈블리는 액정 디스플레이 장치의 휘도 및 균일도 등 화질을 결정하는 중요한 부품이다.
상기 백라이트 어셈블리는 일반적으로 광원부, 반사판, 도광판, 및 다양한 광학 플레이트 등을 포함한다. 여기에서, 광학 플레이트는 광원부에서 발생된 광을 확산시켜, 광이 액정에 최대한 많이 도달되도록 할 수 있다. 또한, 광학 플레이트는 광원부에서 발생된 광을 확산시켜, 광이 액정 전체에 균일하게 전달되도록 할 수 있다.
이와 같이, 광학 플레이트는 광의 확산 기능을 수행할 수 있다. 이러한 기능을 수행하기 위하여, 기판 상에 광의 확산 특성을 가지는 물질(이하, 확산 물질)을 인쇄하여 확산 패턴을 형성할 수 있다. 특히, 확산 물질을 기판 상에 전면 인쇄하는 것이 아니라, 패턴 인쇄하여, 원하는 광학적 특징을 얻을 수 있다.
그러나, 이러한 인쇄 공정으로는 확산 패턴의 두께를 두껍게 하기 어렵다. 일반적으로, 단일 인쇄 공정을 통하여 형성할 수 있는 확산 패턴의 두께는 6㎛ 내지 10㎛이다. 특히, 확산 물질이 저점도라면, 확산 패턴의 두께는 6㎛ 이하가 될 수도 있다. 인쇄 공정을 여러 번 반복하여 확산 패턴의 두께를 증가시킬 수 있으나, 이는 공정상 번거로울 뿐만 아니라, 비용도 많이 들고, 먼저 인쇄된 확산 물질 상에 다음에 인쇄될 확산 물질을 정확하게 얼라인시키는 것도 쉽지 않다. 또한, 얇은 두께의 확산 패턴은 광을 제대로 확산 또는 반사시키지 못한다. 특히, 6㎛ 내지 10㎛ 두께의 확산 패턴은 평균 반사율이 약 75% 수준에 불과하고, 확산 패턴으로 입사되는 광의 파장이 증가할수록 반사율이 떨어질 수 있다. 이와 같이, 장파장의 광에 대한 확산 패턴의 반사율이 떨어진다면, 광원부에서 발생한 장파장의 광은 광학 플레이트의 확산 패턴에서 제대로 확산되지 못하고 외부로 출사되어, 디스플레이 장치의 화면에 누르스름한(yellowish) 색이 시인될 수 있다. 이러한 현상은 디스플레이 장치의 표시 품질에 직접적인 영향을 미치게 된다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 두꺼운 두께를 가지는 패터닝된 확산 패턴을 포함하는 광학 플레이트를 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 두꺼운 두께를 가지는 패터닝된 확산 패턴을 포함하는 광학 플레이트의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 두꺼운 두께를 가지는 패터닝된 확산 패턴을 포함하는 광학 플레이트를 포함하는 백라이트 어셈블리를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트는 기판, 및 기판 상에 위치하는 광학 패턴층을 포함하되, 광학 패턴층은, 기판 상에 위치하는 평탄층, 평탄층 상에 위치하고, 단부에 형성된 오목부를 포함하는 복수의 돌출 패턴, 및 오목부 상에 위치하는 복수의 확산 패턴을 포함한다.
상기 돌출 패턴의 최소 두께는 평탄층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
여기에서, 상기 돌출 패턴의 최소 두께는 20㎛ 이상일 수 있다.
상기 확산 패턴의 최대 두께는 돌출 패턴의 최소 두께보다 두꺼울 수 있다.
여기에서, 상기 확산 패턴의 최대 두께는 20㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
상기 평탄층 및 돌출 패턴은 일체로 형성될 수 있다.
상기 확산 패턴은 베이스 부재, 및 베이스 부재에 포함된 확산 입자를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 평탄층 및 돌출 패턴은 제1 레진으로 이루어지고, 베이스 부재는 제2 레진으로 이루어지며, 제1 레진 및 제2 레진은 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가질 수 있다.
상기 기판은 적어도 하나의 단위 영역을 포함하고, 광학 패턴층에서 확산 패턴이 차지하는 비율은 단위 영역의 중심으로 갈수록 높아질 수 있다.
여기에서, 인접한 상기 확산 패턴의 간격은 단위 영역의 중심으로 갈수록 좁아질 수 있다.
또한, 상기 확산 패턴의 크기는 단위 영역의 중심으로 갈수록 커질 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트의 제조 방법은 기판 상에 평탄층 및 평탄층으로부터 돌출되고 단부에 형성된 오목부를 포함하는 복수의 돌출 패턴을 형성하는 단계, 및 오목부 상에 복수의 확산 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 평탄층 및 돌출 패턴을 형성하는 단계는, 기판 상에 예비 패턴층을 형성하는 단계, 및 예비 패턴층을 평탄층 및 돌출 패턴의 형상과 대응하는 형상을 가지는 스탬프로 압착하는 단계를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 예비 패턴층은 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가지는 제1 레진으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 예비 패턴층을 스탬프로 압착하는 단계 후에, 스탬프를 통하여 예비 패턴층에 광을 조사하거나 열을 전달하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 확산 패턴을 형성하는 단계는, 그라비아 코팅 장치를 이용하여 확산 입자 및 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가지는 제2 레진의 혼합물을 오목부에 충전시키는 단계를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 혼합물을 오목부에 충전시키는 단계 후에, 혼합물에 광을 조사하거나 열을 전달하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 어셈블리는 기판 및 기판 상에 위치하는 광학 패턴층을 포함하는 광학 플레이트, 및 광학 플레이트의 광학 패턴층과 대향하는 광원부를 포함하되, 광학 패턴층은, 기판 상에 위치하는 평탄층, 평탄층 상에 위치하고, 단부에 형성된 오목부를 포함하는 복수의 돌출 패턴, 및 오목부 상에 위치하는 복수의 확산 패턴을 포함한다.
상기 기판은 적어도 하나의 단위 영역을 포함하고, 광학 패턴층에서 확산 패턴이 차지하는 비율은 단위 영역의 중심으로 갈수록 높아질 수 있다.
여기에서, 상기 광원부의 중심은 단위 영역의 중심과 중첩될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 두꺼운 두께를 가지는 패터닝된 확산 패턴에 의하여, 광을 효율적으로 확산시킬 수 있다.
또한, 상기 확산 패턴을 포함하는 광학 플레이트를 저비용으로 대량 생산할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 도 1의 광학 플레이트의 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
도 6은 확산 패턴에 입사되는 광의 파장에 따른 확산 패턴의 반사율을 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 플레이트의 평면도이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 플레이트의 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 어셈블리의 평면도이다.
도 12는 도 11의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 어셈블리의 평면도이다.
도 14는 도 13의 ⅩⅣ-ⅩⅣ'선을 따라 절단한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트(100)의 평면도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트(100)는 기판(110) 및 광학 패턴층(130)을 포함한다.
기판(110)은 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 기판(110)은 형태 변형이 어려운 강체(Rigid) 기판일 수 있다. 이러한 강체 기판은 SiO2를 주성분으로 하는 글라스재로 이루어질 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 기판(110)은 롤링, 폴딩, 벤딩 등으로 형태 변형이 가능한 가요성 기판일 수 있다. 이러한 가요성 기판은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 및 폴리이미드 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱을 소재로 만들어질 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다양한 소재의 기판(110)이 사용될 수 있다.
광학 플레이트(100)에 입사하는 광은 광학 패턴층(130)에 의하여 대부분 제어될 수 있다. 따라서, 상대적으로 기판(110)의 선택폭을 넓어질 수 있다. 즉, 광학 패턴층(130)의 존재에 의하여 기판(110)의 선택폭이 넓어질 수 있다.
기판(110)은 적어도 하나의 단위 영역(R)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 기판(110)은 복수의 단위 영역(R)을 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 예시적인 실시예와 같이, 복수의 단위 영역(R)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각각의 단위 영역(R)은 사각 형상을 가지고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 원 형상 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
광학 패턴층(130)은 기판(110)의 일면 상에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 광학 패턴층(130)은 기판(110)의 일면 상에만 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 기판(110)의 일면과 대향하는 기판(110)의 타면 상에도 형성될 수 있다. 이러한 광학 패턴층(130)은 광학 플레이트(100)에 입사되는 광의 성질을 변화시키는 기능을 수행할 수 있다.
광학 패턴층(130)은 평탄층(130a), 복수의 돌출 패턴(130b), 및 복수의 확산 패턴(130c)을 포함한다.
평탄층(130a)은 기판(110)의 일면 상에 직접적으로 형성될 수 있다. 즉, 평탄층(130a)은 기판(110)의 일면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 평탄층(130a)은 기판(110)의 일면을 모두 커버할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 기판(110)의 일면의 일부만을 커버할 수도 있다. 평탄층(130a)은 기판(110)과 돌출 패턴(130b) 사이에 개재될 수 있다. 평탄층(130a)은 돌출 패턴(130b)이 형성되지 않은 부분에서 외부에 노출될 수 있다. 외부에 노출된 평탄층(130a)의 표면은 실질적으로 평평할 수 있다. 또한, 평면도 상에서, 외부에 노출된 평탄층(130a)은 돌출 패턴(130b)을 둘러쌀 수 있다.
평탄층(130a)은 제1 레진으로 이루어질 수 있다. 여기에서, 제1 레진은 투명할 수 있다. 또한, 제1 레진은 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가질 수 있다. 즉, 제1 레진은 광 경화성 레진 또는 열 경화성 레진일 수 있다. 또한, 제1 레진의 굴절률은 기판(110)의 굴절률과 상이할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 레진의 굴절률은 기판(110)의 굴절률보다 높을 수 있다.
평탄층(130a)의 두께(t1)는 기판(110) 전면 상에서 일정할 수 있다. 이러한 평탄층(130a)의 두께(t1)는 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2) 및 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)보다 얇을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 평탄층(130a)의 두께(t1)는 2 내지 5㎛일 수 있다.
복수의 돌출 패턴(130b)은 평탄층(130a) 상에 위치할 수 있다. 돌출 패턴(130b)은 평탄층(130a)의 일면으로부터 평탄층(130a)의 일면과 수직인 방향으로 돌출될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 돌출 패턴(130b)의 측면은 평탄층(130a)의 표면과 수직할 수 있다.
돌출 패턴(130b)은 단부에 형성된 오목부(C)를 포함할 수 있다. 여기에서, 단부는 돌출 패턴(130b)이 돌출되는 방향의 끝 부분일 수 있다. 오목부(C)는 돌출 패턴(130b)에서 기판(110) 방향으로 함몰된 부분일 수 있다. 도 2에 도시된 예시적인 실시예에서, 오목부(C)의 중심부는 기판(110)의 일면과 평행할 수 있고, 오목부(C)의 측부는 기판(110) 방향으로 경사지어 있을 수 있다. 이에 따라, 돌출 패턴(130b)의 단부의 에지부는 뾰족할 수 있다.
돌출 패턴(130b) 및 평탄층(130a)은 일체형으로 형성될 수 있다. 즉, 돌출 패턴(130b) 및 평탄층(130a)은 서로 이어져 있을 수 있다. 돌출 패턴(130b)은 평탄층(130a)과 마찬가지로 제1 레진으로 이루어질 수 있다. 돌출 패턴(130b) 및 평탄층(130a)은 하나의 공정에 의하여 동시에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 돌출 패턴(130b) 및 평탄층(130a)은 임프린팅 공정에 의하여 동시에 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 핫 프레싱 공정 등 다양한 공정에 의하여 동시에 형성될 수 있다.
돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2)는 평탄층(130a)의 두께(t1)보다 두꺼울 수 있다. 여기에서, 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2)는 돌출 패턴(130b)과 접하는 평탄층(130a)의 일면을 기준으로 측정한 돌출 패턴(130b)의 두께 중 최소가 되는 두께를 의미할 수 있다. 도 2에 도시된 예시적인 실시예에서, 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2)는 돌출 패턴(130b)과 접하는 평탄층(130a)의 일면으로부터 오목부(C)의 중심부까지의 거리일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2)는 20㎛ 이상일 수 있다. 이러한 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2)는 오목부(C) 상에만 확산 패턴(130c)을 형성하기 위하여 그라비아 코팅 공정상 필요한 최소 두께일 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 5에 대한 설명에서 후술하도록 한다.
광학 패턴층(130)에서 돌출 패턴(130b)이 차지하는 비율은 단위 영역(R)의 중심으로 갈수록 높아질 수 있다. 바꾸어 말하면, 광학 패턴층(130)에서 돌출 패턴(130b)이 차지하는 비율은 단위 영역(R)의 경계로 갈수록 낮아질 수 있다. 도 1에 도시된 예시적인 실시예에서, 복수의 돌출 패턴(130b) 각각의 크기는 모두 동일하고, 인접한 돌출 패턴(130b) 사이의 간격은 단위 영역(R)의 중심으로 갈수록 좁아질 수 있다. 바꾸어 말하면, 인접한 돌출 패턴(130b) 사이의 간격은 단위 영역(R)의 경계로 갈수록 멀어질 수 있다. 구체적으로, 단위 영역(R)의 중심 상에 하나의 돌출 패턴(130b)이 위치하고, 상기 하나의 돌출 패턴(130b)을 중심으로 복수의 돌출 패턴(130b)이 방사형으로 배치될 수 있다. 이 경우, 인접한 돌출 패턴(130b) 사이의 간격은 상기 하나의 돌출 패턴(130b) 방향으로 갈수록 좁아질 수 있다. 바꾸어 말하면, 인접한 돌출 패턴(130b) 사이의 간격은 상기 하나의 돌출 패턴(130b)으로부터 멀어질수록 멀어질 수 있다. 즉, 인접한 돌출 패턴(130b) 사이의 간격은 단위 영역(R)의 중심부에서 가장 좁을 수 있으며, 단위 영역(R)의 경계부에서 가장 멀 수 있다.
확산 패턴(130c)은 돌출 패턴(130b) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 확산 패턴(130c)은 돌출 패턴(130b)에 형성된 오목부(C) 상에 형성될 수 있다. 바꾸어 말하면, 확산 패턴(130c)은 오목부(C)를 충전하고 있을 수 있다. 이러한 확산 패턴(130c)은 확산 패턴(130c)에 입사되는 광을 확산 또는 반사시킬 수 있다.
확산 패턴(130c)의 표면은 기판(110)의 일면과 평행할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예시적인 실시예에서, 확산 패턴(130c)의 표면은 기판(110) 방향으로 절곡될 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 확산 패턴(130c)의 표면은 기판(110) 반대 방향으로 절곡될 수 있다. 이와 같이, 확산 패턴(130c)의 표면 형상을 조절함으로써, 확산 패턴(130c)에 입사되는 광의 확산 방향 또는 반사 방향을 제어할 수 있다.
확산 패턴(130c)은 베이스 부재(130c-1) 및 확산 입자(130c-2)를 포함할 수 있다.
베이스 부재(130c-1)는 확산 패턴(130c)의 기반재일 수 있다. 베이스 부재(130c-1)는 확산 입자(130c-2)를 둘러쌀 수 있다. 베이스 부재(130c-1)는 확산 입자(130c-2)를 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 베이스 부재(130c-1)는 제2 레진으로 이루어질 수 있다. 여기에서, 제2 레진은 투명할 수 있다. 또한, 제2 레진은 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가질 수 있다. 즉, 제2 레진은 광 경화성 레진 또는 열 경화성 레진일 수 있다. 또한, 제2 레진의 굴절률은 기판(110) 및/또는 제1 레진의 굴절률과 상이할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 레진의 굴절률은 기판(110) 및 제1 레진의 굴절률보다 높을 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 제2 레진의 굴절률은 기판(110)의 굴절률 및 제1 레진의 굴절률 사이일 수 있다. 이러한 제2 레진은 제1 레진과 상이할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 레진과 동일할 수 있다. 제2 레진이 제1 레진과 동일하다면, 확산 패턴(130c)과 돌출 패턴(130b)의 경계가 눈으로 쉽게 인식되지 않을 수 있다. 즉, 확산 패턴(130c) 및 돌출 패턴(130b)은 서로 다른 공정에 의하여 형성될 수 있으나, 동일한 물질로 이루어짐으로써, 그 경계가 모호해질 수 있다.
확산 입자(130c-2)는 베이스 부재(130c-1)에 포함될 수 있다. 확산 입자(130c-2)는 확산 패턴(130c)에 입사되는 광을 실질적으로 확산 또는 반사시키는 기능을 수행하는 입자일 수 있다. 확산 입자(130c-2)는 나노 파티클일 수 있으며, 베이스 부재(130c-1) 내에 산포되어 있을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 확산 입자(130c-2)는 실리콘, TiO2, SiO2, ZrO2, AlO2, Al, Ag, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 확산 또는 반사 성질을 가지는 다양한 물질로 이루어질 수 있다.
확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)는 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2) 및 평탄층(130a)의 두께(t1)보다 두꺼울 수 있다. 여기에서, 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)는 돌출 패턴(130b)이 돌출된 거리에서 평탄층(130a)의 두께(t1) 및 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2)를 합한 값을 뺀 값일 수 있다. 도 2에 도시된 예시적인 실시예에서, 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)는 오목부(C)의 중심부로부터 확산 패턴(130c)의 표면까지의 거리일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)는 20㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)는 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)가 50㎛인 경우 평균 반사율이 약 90%일 수 있으며, 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)가 100㎛인 경우 확산 패턴(130c)의 평균 반사율이 약 95%일 수 있다. 이러한 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)는 확산 패턴(130c)에 입사되는 광의 파장에 따른 확산 패턴(130c)의 반사율을 최대한 일정하게 하기 위한 두께일 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 6에 대한 설명에서 후술하도록 한다.
광학 패턴층(130)에서 확산 패턴(130c)이 차지하는 비율은 단위 영역(R)의 중심으로 갈수록 높아질 수 있다. 바꾸어 말하면, 광학 패턴층(130)에서 확산 패턴(130c)이 차지하는 비율은 단위 영역(R)의 경계로 갈수록 낮아질 수 있다. 도 1에 도시된 예시적인 실시예에서, 복수의 확산 패턴(130c) 각각의 크기는 모두 동일하고, 인접한 확산 패턴(130c) 사이의 간격은 단위 영역(R)의 중심으로 갈수록 좁아질 수 있다. 바꾸어 말하면, 인접한 확산 패턴(130c) 사이의 간격은 단위 영역(R)의 경계로 갈수록 멀어질 수 있다. 이와 같이, 확산 패턴(130c)은 돌출 패턴(130b) 상에 위치하기 때문에, 확산 패턴(130c)의 배치는 돌출 패턴(130b)의 배치에 대응할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트(100)에 의하면, 두꺼운 두께를 가지는 패터닝된 확산 패턴(130c)에 의하여, 광을 효율적으로 확산시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트(100)의 제조 방법을 설명하기 위하여 먼저 도 3 내지 도 5를 참조한다. 도 3 내지 도 5는 도 1의 광학 플레이트(100)의 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다. 설명의 편의 상, 도 1 및 도 2에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
먼저, 도 3을 참조하면, 기판(110)의 일면 상에 예비 패턴층(120)을 형성한다. 예시적인 실시예에서, 예비 패턴층(120)은 제1 레진으로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 금속 재질 등으로 이루어질 수도 있다. 예비 패턴층(120)의 두께는 평탄층(130a)의 두께(t1), 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2), 및 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)를 합한 값보다 작거나 같을 수 있다.
다음으로, 도 4를 참조하면, 기판(110)의 일면 상에 예비 패턴층(120)을 형성한 후, 스탬프(200)로 예비 패턴층(120)을 압착시킨다. 여기에서, 스탬프(200)는 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 또한, 스탬프(200)는 단단하고 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 스탬프(200)는 열 및/또는 압력에 민감하지 않은 재질로 이루어질 수 있다.
구체적인 공정을 살펴보면, 먼저, 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)의 형상과 대응하는 스탬프(200)의 일면을 예비 패턴층(120)과 대향되도록 배치할 수 있다. 이후, 기판(110) 또는 스탬프(200)를 이동시켜 예비 패턴층(120)의 표면과 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)의 형상과 대응하는 스탬프(200)의 일면을 접촉시킬 수 있다. 이후, 기판(110) 및 스탬프(200) 사이의 거리를 더욱 좁히면, 예비 패턴층(120)의 형상이 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)의 형상으로 변할 수 있다. 이때, 예비 패턴층(120)이 제1 레진으로 이루어진 경우, 스탬프(200)를 통하여 예비 패턴층(120)에 광을 조사하거나 열을 전달하여 제1 레진을 경화시킬 수 있다. 이와 같이, 형상이 변한 후 경화된 제1 레진은 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)이 될 수 있다.
이와 같은 공정을 임프린팅 공정이라고 한다. 임프린팅 공정은 포토리소그래피 공정과 같이 다단계의 복잡한 공정이 아니라, 단순히 스탬프(200)로 찍어내는 공정이기 때문에, 저가의 공정이다. 또한, 대면적의 기판에도 용이하게 적용이 가능하며, 하나의 스탬프(200)로 복수의 기판 상에 동일한 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 대량 생산에도 적합할 수 있다. 이와 같이, 임프린팅 공정을 이용함으로써, 대면적의 기판 상에 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)을 저가로 대량 생산할 수 있다. 또한, 임프린팅 공정을 이용한다면, 두꺼운 두께의 복잡한 패턴 형성이 용이할 수 있다. 즉, 임프린팅 공정을 이용함으로써, 두꺼운 두께를 가지고 단부에 오목부(C)를 포함하는 돌출 패턴(130b)을 용이하게 형성할 수 있다.
다른 실시예에서, 예비 패턴층(120)이 금속 재질로 이루어진 경우, 스탬프(200)로 예비 패턴층(120)을 압착할 때에 스탬프(200)를 통하여 예비 패턴층(120)에 열을 전달하여 예비 패턴층(120)이 변형되기 쉽도록 할 수 있다. 예비 패턴층(120)의 형상이 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)의 형상으로 변하게 되면, 예비 패턴층(120)을 냉각시켜 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)을 형성할 수 있다.
이와 같은 공정을 핫 프레싱 공정이라고 한다. 핫 프레싱 공정을 열 및 압력을 이용하여 금속 등을 변형시키는 것으로서, 다양한 분야에 이용되고 있다. 핫 프레싱 공정 역시 임프린팅 공정과 마찬가지로 스탬프(200)를 이용하는 공정이기 때문에, 저가의 공정이고, 대면적의 기판에도 적용 가능하며, 대량 생산에 적합하다. 이와 같이, 핫 프레싱 공정을 이용함으로써, 대면적의 기판 상에 평탄층(130a) 및 돌출 패턴(130b)을 저가로 대량 생산할 수 있다. 또한, 핫 프레싱 공정도 두꺼운 두께의 복잡한 패턴 형성에 유리할 수 있다. 즉, 핫 프레싱 공정을 이용함으로써, 두꺼운 두께를 가지고 단부에 오목부(C)를 포함하는 돌출 패턴(130b)을 용이하게 형성할 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 스탬프(200)로 예비 패턴층(120)을 압착시킨 후, 돌출 패턴(130b)의 오목부(C) 상에 확산 패턴(130c)을 형성한다. 여기에서, 확산 패턴(130c)은 그라비아 코팅 장치(300)를 이용한 그라비아 코팅 공정을 통하여 형성될 수 있다.
구체적으로, 그라비아 코팅 장치(300)는 배스(310), 롤러(320), 및 확산 패턴 형성용 용액(330)을 포함할 수 있다. 여기에서, 확산 패턴 형성용 용액(330)은 확산 입자(130c-2) 및 제2 레진의 혼합물일 수 있다. 배스(310)의 내부에 롤러(320) 및 확산 패턴 형성용 용액(330)이 위치할 수 있다. 그라비아 코팅 장치(300)는 롤러(320)의 표면에 형성된 홈을 이용하여 확산 패턴 형성용 용액(330)을 배스(310) 상부로 이동시켜 이를 오목부(C) 상에 코팅할 수 있다.
도면에는 도시되지 않았지만, 확산 패턴 형성용 용액(330)이 오목부(C) 상에 코팅된 후, 확산 패턴 형성용 용액(330)에 광을 조사하거나 열을 전달하여 확산 패턴 형성용 용액(330)을 경화시켜 확산 패턴(130c)을 형성할 수 있다. 여기에서, 제2 레진이 경화된 것이 베이스 부재(130c-1)가 될 수 있다.
이러한 그라비아 코팅 공정을 이용하여 원하는 부분에만 코팅하기 위해서는 코팅되는 부분이 돌출되어야 한다. 특히, 공정의 안정성을 위하여 코팅되는 부분이 최소한 20㎛ 이상 돌출되어야 한다. 즉, 광학 플레이트(100)에서 코팅되어야하는 돌출 패턴(130b)의 최소 두께(t2)가 20㎛ 이상이어야 한다.
또한, 돌출 패턴(130b)과 중첩되지 않는 평탄층(130a)은 임프린팅 공정 또는 핫 프레싱 공정에 의하여 필수적으로 형성되는 부분으로써, 재료 사용량을 감소시키기 위하여 그 두께를 최소화하는 것이 필요하다. 즉, 평탄층(130a)의 두께(t1)는 상술한 바와 같이 2㎛ 내지 5㎛일 수 있지만, 이보다 더 얇을 수도 있다.
이와 같이, 그라비아 코팅 공정을 이용하여 돌출 패턴(130b)의 오목부(C) 상에만 선택적으로 두꺼운 두께의 확산 패턴(130c)을 형성할 수 있다. 즉, 그라비아 코팅 공정에 의하여 자연스럽게 오목부(C) 내부로 확산 패턴 형성용 용액(330)이 충전되고, 차후에 이를 경화시킴으로써, 두꺼운 두께, 예를 들어, 20㎛ 내지 100㎛의 확산 패턴(130c)이 형성될 수 있다.
이하, 확산 패턴(130c)의 두께에 대한 반사율을 설명하기 위하여 도 6을 참조한다. 도 6은 확산 패턴에 입사되는 광의 파장에 따른 확산 패턴의 반사율을 도시한 그래프이다.
도 6에서 A는 본 발명의 일 실시예에 따른 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)가 100㎛일 경우 확산 패턴(130c)에 입사되는 광의 파장에 따른 확산 패턴(130c)의 반사율 그래프이다. B는 일반적인 확산 패턴의 최대 두께가 10㎛일 경우 확산 패턴에 입사되는 광의 파장에 따른 확산 패턴의 반사율 그래프이다.
먼저 B를 살펴보면, 확산 패턴의 최대 두께가 10㎛일 경우, 확산 패턴에 입사되는 광의 파장이 증가하면, 확산 패턴의 반사율이 가파르게 감소된다. 즉, 10㎛의 최대 두께를 가지는 확산 패턴은 장파장의 광을 제대로 확산 또는 반사시키지 못한다. 이에 따라, 디스플레이 장치의 표시 영역에서 색편차가 발생할 수 있다.
이에 반하여, A를 살펴보면, 확산 패턴(130c)의 최대 두께(t3)가 100㎛일 경우, 확산 패턴(130c)에 입사되는 광의 파장이 증가하여도, 확산 패턴(130c)의 반사율이 크게 감소되지 않는다. 즉, 100㎛의 최대 두께를 가지는 확산 패턴(130c)은 장파장의 광을 상대적으로 잘 확산시킨다. 이에 따라, 디스플레이 장치의 표시 영역에서 발생할 수 있는 색편차를 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트(100)의 제조 방법에 의하면, 두꺼운 두께의 패터닝된 확산 패턴(130c)을 포함하는 광학 플레이트(100)를 저비용으로 대량 생산할 수 있다. 또한, 제1 레진 및 제2 레진이 모두 광 경화성을 가지고, 상술한 임프린팅 공정(또는 핫 프레싱 공정) 및 그라비아 코팅 공정이 인라인으로 이루어진다면, 공정의 효율성이 더욱 증대될 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(101)를 설명하기 위하여 도 7 및 도 8을 참조한다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(101)의 평면도이다. 도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ'선을 따라 절단한 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 1 및 도 2에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(101) 역시 평탄층(131a), 복수의 돌출 패턴(131b), 및 복수의 확산 패턴(131c)을 포함하는 광학 패턴층(131)을 포함할 수 있다. 여기에서, 서로 인접한 돌출 패턴(131b) 사이의 간격은 모두 일정할 수 있다. 다만, 돌출 패턴(131b)의 크기는 단위 영역(R')의 중심으로 갈수록 커질 수 있다. 구체적으로, 단위 영역(R')의 중심 상에 위치하는 돌출 패턴(131b)의 크기가 가장 클 수 있고, 단위 영역(R')의 경계와 인접한 돌출 패턴(131b)의 크기가 가장 작을 수 있다. 이에 따라, 확산 패턴(131c)의 크기 및 배치도 돌출 패턴(131b)의 크기 및 배치따라 달라질 수 있다. 또한, 평탄층(131a)이 노출된 영역도 달라질 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(102)를 설명하기 위하여 도 9를 참조한다. 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(102)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 2에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(102) 역시 평탄층(132a), 복수의 돌출 패턴(132b), 및 복수의 확산 패턴(132c)을 포함하는 광학 패턴층(132)을 포함할 수 있다. 여기에서, 돌출 패턴(132b)의 단부 상에 형성된 오목부(C)의 형상이 달라질 수 있다. 구체적으로, 오목부(C)의 단면의 형상이 사각 형상일 수 있다. 즉, 오목부(C)의 중심부는 기판(110)의 일면과 평행하고, 오목부(C)의 측부는 기판(110)의 일면에 수직할 수 있다. 이에 따라, 확산 패턴(132c)의 형상도 달라질 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(103)를 설명하기 위하여 도 10을 참조한다. 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(103)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 2에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(103) 역시 평탄층(133a), 복수의 돌출 패턴(133b), 및 복수의 확산 패턴(133c)을 포함하는 광학 패턴층(133)을 포함할 수 있다. 여기에서, 돌출 패턴(133b)의 단부 상에 형성된 오목부(C)의 형상이 달라질 수 있다. 구체적으로, 오목부(C)의 단면의 형상이 반원 형상 또는 반타원 형상일 수 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 오목부(C)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 오목부(C) 내에 충전되는 광학 패턴의 형상도 다양할 수 있다. 이와 같이, 광학 패턴의 형상을 적절히 선택함으로써, 광학 플레이트(102, 103)의 광 확산 특성을 조절할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1000)를 설명하기 위하여 도 11 및 도 12를 참조한다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1000)의 평면도이다. 도 12는 도 11의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선을 따라 절단한 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 1 및 도 2에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1000)는 광학 플레이트(100) 및 광원부(400)를 포함한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1000)는 반사 플레이트(500)를 더 포함할 수 있다.
광학 플레이트(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 플레이트(100)이므로, 중복 설명은 생략한다.
광원부(400)는 광학 플레이트(100) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 광원부(400)는 광학 플레이트(100)의 광학 패턴층(130)과 대향되도록 배치될 수 있다. 또한, 광원부(400)는 광학 플레이트(100)와 일정 거리 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 광원부(400)는 광학 플레이트(100) 및 반사 플레이트(500) 사이에 개재될 수 있다. 또한, 광원부(400)는 단위 영역(R)의 중심 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 광원부(400)의 중심은 단위 영역(R)의 중심과 중첩될 수 있다.
반사 플레이트(500)는 광원부(400) 하부에 위치할 수 있다. 또한, 반사 플레이트(500)의 일면은 광학 플레이트(100)의 광학 패턴층(130)과 대향할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 반사 플레이트(500)는 광학 플레이트(100)와 실질적으로 평행하게 배치될 수 있다.
도면에 도시되지는 않았으나, 백라이트 어셈블리(1000)는 도광판을 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 도광판은 광원부(400) 및 광학 플레이트(100) 사이에 개재될 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 도광판은 광학 플레이트(100) 상부에 위치할 수 있다. 즉, 광학 플레이트(100)가 도광판 및 광원부(400) 사이에 개재될 수 있다.
이와 같이, 광원부(400)에서 발생한 광은 광학 플레이트(100) 및 반사판에 의하여 가이드되어 백라이트 어셈블리(1000)의 외부로 출사될 수 있다. 구체적인 설명을 위하여 도 12를 참조하면, 광원부(400)에서 발생한 광은 바로 확산 패턴(130c)과 중첩되지 않은 평탄층(130a)를 통과하여 백라이트 어셈블리(1000)의 외부로 출사될 수 있다. 또한, 광원부(400)에서 발생한 광은 확산 패턴(130c) 및 반사판에 의하여 확산 또는 반사된 후, 확산 패턴(130c)과 중첩되지 않은 평탄층(130a)를 통과하여 백라이트 어셈블리(1000)의 외부로 출사될 수 있다. 이때, 광원부(400)와 인접한 영역에는 확산 패턴(130c)이 상대적으로 많이 존재함으로써, 광원부(400)에서 발생한 광을 광원부(400)에서 멀리 떨어져 있는 영역까지 전달할 수 있다. 즉, 서로 인접한 확산 패턴(130c) 사이의 간격을 달리함으로써, 광원부(400) 상에 핫 스팟이 발생하는 현상을 방지할 수 있고, 광원부(400)에서 발생한 광을 백라이트 어셈블리(1000) 외부로 균일하게 출사시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1001)를 설명하기 위하여 도 13 및 도 14를 참조한다. 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1001)의 평면도이다. 도 14는 도 13의 ⅩⅣ-ⅩⅣ'선을 따라 절단한 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 7, 도 8, 도 11, 및 도 12에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1001)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 플레이트(101)를 이용할 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 어셈블리(1001)는 확산 패턴(131c)의 크기를 조절함으로써, 광원부(400) 상에 핫 스팟이 발생하는 현상을 방지할 수 있고, 광원부(400)에서 발생한 광을 백라이트 어셈블리(1001) 외부로 균일하게 출사시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 101, 102, 103: 광학 플레이트
110: 기판
120: 예비 패턴층
130, 131, 132, 133: 광학 패턴층
130a, 131a, 132a, 133a: 평탄층
130b, 131b, 132b, 133b: 돌출 패턴
130c, 131c, 132c, 133c: 확산 패턴
130c-1: 베이스 부재
130c-2: 확산 입자
200: 스탬프
300: 그라비아 코팅 장치
310: 배스
320: 롤러
330: 확산 패턴 형성용 용액
400: 광원부
500: 반사 플레이트
1000, 1001: 백라이트 어셈블리
R, R': 단위 영역
t1: 평탄층의 두께
t2: 돌출 패턴의 최소 두께
t3: 확산 패턴의 최대 두께
C: 오목부

Claims (20)

  1. 기판; 및
    상기 기판 상에 위치하는 광학 패턴층을 포함하되,
    상기 광학 패턴층은,
    상기 기판 상에 위치하는 평탄층;
    상기 평탄층 상에 위치하고, 단부에 형성된 오목부를 포함하는 복수의 돌출 패턴; 및
    상기 오목부 상에 위치하는 복수의 확산 패턴을 포함하는 광학 플레이트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 돌출 패턴의 최소 두께는 상기 평탄층의 두께보다 두꺼운 광학 플레이트.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 돌출 패턴의 최소 두께는 20㎛ 이상인 광학 플레이트.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 확산 패턴의 최대 두께는 상기 돌출 패턴의 최소 두께보다 두꺼운 광학 플레이트.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 확산 패턴의 최대 두께는 20㎛ 내지 100㎛인 광학 플레이트.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 평탄층 및 상기 돌출 패턴은 일체로 형성되는 광학 플레이트.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 확산 패턴은 베이스 부재, 및 상기 베이스 부재에 포함된 확산 입자를 포함하는 광학 플레이트.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 평탄층 및 상기 돌출 패턴은 제1 레진으로 이루어지고,
    상기 베이스 부재는 제2 레진으로 이루어지며,
    상기 제1 레진 및 상기 제2 레진은 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가지는 광학 플레이트.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 하나의 단위 영역을 포함하고,
    상기 광학 패턴층에서 상기 확산 패턴이 차지하는 비율은 상기 단위 영역의 중심으로 갈수록 높아지는 광학 플레이트.
  10. 제 9항에 있어서,
    인접한 상기 확산 패턴의 간격은 상기 단위 영역의 중심으로 갈수록 좁아지는 광학 플레이트.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 확산 패턴의 크기는 상기 단위 영역의 중심으로 갈수록 커지는 광학 플레이트.
  12. 기판 상에 평탄층 및 상기 평탄층으로부터 돌출되고 단부에 형성된 오목부를 포함하는 복수의 돌출 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 오목부 상에 복수의 확산 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 광학 플레이트의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 평탄층 및 상기 돌출 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 예비 패턴층을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 패턴층을 상기 평탄층 및 상기 돌출 패턴의 형상과 대응하는 형상을 가지는 스탬프로 압착하는 단계를 포함하는 광학 플레이트의 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 예비 패턴층은 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가지는 제1 레진으로 이루어지는 광학 플레이트의 제조 방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 예비 패턴층을 상기 스탬프로 압착하는 단계 후에,
    상기 스탬프를 통하여 상기 예비 패턴층에 광을 조사하거나 열을 전달하는 단계를 포함하는 광학 플레이트의 제조 방법.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 확산 패턴을 형성하는 단계는,
    그라비아 코팅 장치를 이용하여 확산 입자 및 광 또는 열에 의하여 경화되는 성질을 가지는 제2 레진의 혼합물을 상기 오목부에 충전시키는 단계를 포함하는 광학 플레이트의 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 혼합물을 상기 오목부에 충전시키는 단계 후에,
    상기 혼합물에 광을 조사하거나 열을 전달하는 단계를 포함하는 광학 플레이트의 제조 방법.
  18. 기판 및 상기 기판 상에 위치하는 광학 패턴층을 포함하는 광학 플레이트; 및
    상기 광학 플레이트의 상기 광학 패턴층과 대향하는 광원부를 포함하되,
    상기 광학 패턴층은,
    상기 기판 상에 위치하는 평탄층;
    상기 평탄층 상에 위치하고, 단부에 형성된 오목부를 포함하는 복수의 돌출 패턴; 및
    상기 오목부 상에 위치하는 복수의 확산 패턴을 포함하는 백라이트 어셈블리.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 하나의 단위 영역을 포함하고,
    상기 광학 패턴층에서 상기 확산 패턴이 차지하는 비율은 상기 단위 영역의 중심으로 갈수록 높아지는 백라이트 어셈블리.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 광원부의 중심은 상기 단위 영역의 중심과 중첩되는 백라이트 어셈블리.
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