KR20150025137A - Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom - Google Patents

Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom Download PDF

Info

Publication number
KR20150025137A
KR20150025137A KR20130102378A KR20130102378A KR20150025137A KR 20150025137 A KR20150025137 A KR 20150025137A KR 20130102378 A KR20130102378 A KR 20130102378A KR 20130102378 A KR20130102378 A KR 20130102378A KR 20150025137 A KR20150025137 A KR 20150025137A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
unsaturated monomer
group
compound
weight
Prior art date
Application number
KR20130102378A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102239543B1 (en
Inventor
김연옥
최경식
박석봉
조오형
권오영
Original Assignee
롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 filed Critical 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority to KR1020130102378A priority Critical patent/KR102239543B1/en
Publication of KR20150025137A publication Critical patent/KR20150025137A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102239543B1 publication Critical patent/KR102239543B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D277/00Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings
    • C07D277/60Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D277/62Benzothiazoles
    • C07D277/64Benzothiazoles with only hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals attached in position 2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

The present invention relates to a positive type photosensitive resin and a hardening film manufactured therefrom. In the present invention, provided are a positive type photosensitive resin, which comprises (1) at least one copolymer, including at least one configuration unit selected from a group of consisting of (1-1) a configuration unit derived from an unsaturated monomer containing a carboxyl group, (1-2) a configuration unit derived from an unsaturated monomer including at least one epoxy group and (1-3) a configuration unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, and having (1-4) a configuration unit derived from an unsaturated monomer different from each configuration unit of (1-1) and (1-3); (2) a photosensitizer; and (3) a compound of chemical formula 1, thereby having a high sensitivity film and an outstanding pattern forming property without scum and being used for manufacturing a hardening film used as an insulation film for a liquid crystal display device.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 {POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND CURED FILM PREPARED THEREFROM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a positive-working photosensitive resin composition and a cured film prepared therefrom. BACKGROUND OF THE INVENTION < RTI ID =

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정표시장치(liquid crystal display; LCD)의 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT) 어레이의 층간 절연막 재료로서 유용하게 사용될 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것이다.
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a cured film prepared therefrom, and more particularly, to a positive photosensitive resin composition useful as an interlayer insulating film material of a thin film transistor (TFT) array of a liquid crystal display And a cured film prepared from the positive photosensitive resin composition.

액정표시장치에 사용되는 TFT 기판은, TFT 소자와 화소 전극을 형성하는 투명 도전막 사이에, TFT 어레이 소자를 보호하기 위한 층간 절연막을 가지며, 절연막에는 TFT 어레이의 드레인 전극과 투명 도전막에 의해 형성되는 배선을 접속하기 위한 컨택 홀(contact hole)이 형성되는데, 이를 위해 절연막은 높은 광투과도, 화학적 안정성 및 우수한 층간 부착력을 가질 것이 요구된다.A TFT substrate used for a liquid crystal display device has an interlayer insulating film for protecting TFT array elements between a TFT element and a transparent conductive film forming a pixel electrode and is formed by a drain electrode of a TFT array and a transparent conductive film A contact hole for connecting the wiring to be formed is formed. For this purpose, the insulating film is required to have high light transmittance, chemical stability, and excellent interlayer adhesion.

이러한 층간 절연막의 소재로 포지티브(positive)형과 네가티브(negative)형 감광성 수지 조성물이 사용된다.Positive type and negative type photosensitive resin compositions are used as the material of the interlayer insulating film.

알칼리 가용성 수지와 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하는 종래의 포지티브형 감광성 조성물의 노광, 현상후의 후경화(hard bake)시, 그리고 자외선과 같은 단파장 흡수시 열분해되어 착색현상을 일으키거나 불순물을 발생시켜 액정표시장치에서 잔상이 유발되는 문제가 있었다. When a conventional positive photosensitive composition comprising an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound is subjected to hard bake after exposure, development, and short wavelength absorption such as ultraviolet rays, it is thermally decomposed to cause a coloring phenomenon, There is a problem that a residual image is generated in the liquid crystal display device.

이에 따라, 보다 개선된 물성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 대한 연구가 다양하게 수행된 바 있다(한국공개특허 제10-2004-0078554호, 한국특허 제10-0758867호, 및 일본공개특허 제2004-286968호 참조). 그러나, 이러한 감광성 수지 조성물은 비교적 높은 투명성을 달성하였지만, 감도면에 있어서 만족스러운 것은 아니었다. 또한 감광성 수지 조성물로부터 코팅, 노광 및 현상을 통해 원하는 패턴을 갖는 경화막 형성시, 형성된 패턴에 대해 스컴(scum)이 자주 발생하여 액정표시장치용 절연막으로 사용할 경우 광학특성을 저하시키는 문제가 있었다.
Accordingly, various studies have been made on a positive photosensitive resin composition having improved physical properties (Korean Patent Laid-Open Nos. 10-2004-0078554, Korean Patent 10-0758867, and Japanese Laid-Open Patent Application No. 2004 -286968). However, such a photosensitive resin composition achieves relatively high transparency, but is not satisfactory in terms of sensitivity. Further, when a cured film having a desired pattern is formed from a photosensitive resin composition through coating, exposure, and development, scum is frequently generated on the formed pattern, which causes a problem of deteriorating optical characteristics when used as an insulating film for a liquid crystal display device.

한국공개특허 제10-2004-0078554호Korean Patent Publication No. 10-2004-0078554 한국특허 제10-0758867호Korean Patent No. 10-0758867 일본공개특허 제2004-286968호Japanese Patent Laid-Open No. 2004-286968

따라서, 본 발명의 목적은 고감도를 확보할 뿐만 아니라 우수한 패턴 형성성을 나타내고 스컴(scum) 발생이 없는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이로부터 제조된 경화막을 제공하는 것이다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition that not only secures high sensitivity but also exhibits excellent pattern forming property and does not cause scum, and a cured film produced therefrom.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 In order to achieve the above object,

(1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체 1종 이상;(1) A resin composition comprising (1) (1-1) a structural unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group, (1) at least one constituent unit selected from the group consisting of constitutional units derived from an unsaturated monomer containing a hydroxyl group, and (1-4) a constituent unit derived from an unsaturated monomer different from the constituent units (1-1) to At least one copolymer comprising units;

(2) 감광제(photoactive compound); 및(2) a photoactive compound; And

(3) 하기 화학식 1의 화합물(3) a compound represented by the following formula

을 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다:The present invention provides a photosensitive resin composition comprising:

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 식에서, In this formula,

X는 할로겐이고;X is halogen;

n은 0 내지 4의 정수이고;n is an integer from 0 to 4;

Y는 OH, SH 또는 NH2이고;Y is OH, SH or NH 2, and;

R은 C1-C6 알킬렌 또는 카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌이고;R is C 1 -C 6 C 1 is interrupted by an alkylene group, or -C 6 alkylene;

상기 알킬렌 중의 수소는 페놀기로 치환될 수 있다.
The hydrogen in the alkylene may be substituted with a phenol group.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 고감도를 확보할 뿐만 아니라 우수한 패턴 형성성을 나타내고 스컴(scum) 발생을 가져오지 않아 액정표시장치용 절연막으로 사용될 수 있는 경화막의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
The positive photosensitive resin composition of the present invention can be used for manufacturing a cured film that can be used as an insulating film for a liquid crystal display device because it not only ensures high sensitivity but also exhibits excellent pattern forming property and does not cause scum generation.

본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체 1종 이상; (2) 감광제(photoactive compound); 및 (3) 상기 화학식 1의 화합물을 포함하며, 필요에 따라, (4) 에폭시계 화합물; (5) 용매; 및 (6) 기타 성분으로서 (6-1) 계면활성제 및/또는 (6-2) 실란 커플링제를 추가로 포함할 수 있다.
The positive photosensitive resin composition according to the present invention comprises (1) a composition comprising (1-1) a constituent unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) a composition derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group And (1-3) at least one structural unit selected from the group consisting of structural units derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, and (1-4) structural units (1-1) to (1- 3) at least one copolymer comprising a constituent unit derived from an unsaturated monomer; (2) a photoactive compound; And (3) the compound of Formula 1, and if necessary, (4) an epoxy compound; (5) a solvent; And (6) as further components, (6-1) a surfactant and / or (6-2) a silane coupling agent.

이하, 본 발명의 구성 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, the constituent components of the present invention will be described in detail.

(1) 공중합체(1) Copolymer

본 발명에서는 공중합체가 1종 이상 사용되며, 본 발명에 사용되는 공중합체는 (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함한다.
In the present invention, at least one copolymer is used, and the copolymer used in the present invention includes (1-1) a constituent unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) at least one epoxy group (1) at least one structural unit selected from the group consisting of structural units derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, and (1-4) structural units derived from the structural unit (1) -1) to (1-3).

(1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-1) a structural unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer

상기 카복실기 함유 불포화 단량체는 불포화 모노카복실산, 불포화 디카복실산 및 불포화 트리카복실산 등과 같이 분자 중에 1개 이상의 카복실기를 갖는 불포화 다가 카복실산 등의 불포화 카복실산을 예시할 수 있다. 상기 불포화 모노카복실산으로서는, 예컨대 (메트)아크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다. 이중에서 현상성의 면에서 (메트)아크릴산이 바람직하고, 메타크릴산이 중합적인 측면에서 보다 바람직하다.The carboxyl group-containing unsaturated monomer may be an unsaturated carboxylic acid such as an unsaturated polycarboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, and an unsaturated tricarboxylic acid. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include (meth) acrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid and the like. Of these, (meth) acrylic acid is preferable in terms of developability, and methacrylic acid is more preferable in terms of polymerization.

상기 (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 3 내지 45 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 노광 감도가 향상되며 양호한 현상성을 유지할 수 있다.
The content of the constituent unit derived from the (1-1) carboxyl group-containing unsaturated monomer may be 1 to 50% by weight, preferably 3 to 45% by weight based on the total weight of the copolymer. Within this range, the exposure sensitivity is improved and good developability can be maintained.

(1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-2) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group

본 발명에서 구성단위 (1-2)는 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되며, 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체의 구체적인 예로는 글리시딜(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 3,4-에폭시부틸(메트)아크릴레이트, 4,5-에폭시펜틸(메트)아크릴레이트, 5,6-에폭시헥실(메트)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, 2,3-에폭시시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실(메트)아크릴레이트, α-에틸글리시딜아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜아크릴레이트, N-(4-(2,3-에폭시프로폭시)-3,5-디메틸벤질)아크릴아미드, N-(4-2,3-에폭시프로폭시)-3,5-디메틸페닐프로필)아크릴아미드, 알릴글리시딜에테르, 2-메틸알릴글리시딜에테르 및 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 바람직하게는 상온 보관안정성 및 용해성의 면에서 글리시딜(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. In the present invention, the constituent unit (1-2) is derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group, and specific examples of the unsaturated monomer containing at least one epoxy group include glycidyl (meth) acrylate, 4-hydroxy Butyl (meth) acrylate glycidyl ether, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 4,5-epoxypentyl (meth) acrylate, 5,6-epoxyhexyl -Epoxy cyclohexyl (meth) acrylate,? -Ethyl glycidyl acrylate,? -N-propyl glycidyl (meth) acrylate, N-butylglycidyl acrylate, N- (4- (2,3-epoxypropoxy) -3,5-dimethylbenzyl) acrylamide, N- (4-2,3- Epoxypropoxy) -3,5-dimethylphenylpropyl) acrylamide, allyl glycidyl ether, 2-methylallyl glycidyl ether, and mixtures thereof. And, preferably it may be mentioned the glycidyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate glycidyl ethers, and mixtures thereof from the viewpoint of room temperature storage stability and solubility.

상기 (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 5 내지 45 중량%, 바람직하게는 10 내지 40 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 조성물의 저장안정성이 유지되고, 후경화후 잔막률 향상에 유리하다.
The content of the constituent unit derived from the (1-2) unsaturated monomer containing at least one epoxy group may be 5 to 45% by weight, preferably 10 to 40% by weight based on the total weight of the copolymer. Within this range, the storage stability of the composition is maintained and it is advantageous to improve the residual film ratio after the post-curing.

(1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-3) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group

상기 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위는 하기 화학식 2로 나타낼 수 있다:The constituent unit derived from the unsaturated monomer containing the phenolic hydroxyl group may be represented by the following general formula (2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 식에서, In this formula,

R1은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;R 1 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;

R2는 C1-C6 알킬이고, a는 0 내지 4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;R 2 is C 1 -C 6 alkyl, a is an integer of 0 to 4, and when a is an integer of 2 or more, a plurality of R 2 s may be the same or different;

b는 1 내지 5의 정수이고, a와 b의 합은 1 내지 5의 정수이며;b is an integer from 1 to 5, the sum of a and b is an integer from 1 to 5;

Y는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;Y is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;

상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다. The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl.

페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체의 구체적인 예로는 p-히드록시페닐(메트)아크릴레이트, m-히드록시페닐(메트)아크릴레이트, p-히드록시페닐메틸(메트)아크릴레이트, p-히드록시페닐메틸-α-클로로아크릴레이트, m-히드록시페닐메틸(메트)아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-트리플루오로메틸아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-클로로아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-브로모아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-시아노아크릴레이트, 2-(m-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(3,5-디히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 1-(p-히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트, 1-(m-히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트, 1-(3,5-디히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. Specific examples of the unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group include p-hydroxyphenyl (meth) acrylate, m-hydroxyphenyl (meth) acrylate, p-hydroxyphenylmethyl (meth) (Meth) acrylate, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl- (meth) acrylate, 2- 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl- alpha -chloroacrylate, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl- alpha -bromoacrylate, 2- 2- (3-hydroxyphenyl) ethyl (meth) acrylate, 2- (3,5-dihydroxyphenyl) ethyl (meth) acrylate, 2- (Meth) acrylate, 1- (m-hydroxyphenyl) ethyl (meth) acrylate, 1- Ethyl (meth) acrylate, 1- ( 3,5-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl (meth) acrylate, and mixtures thereof.

상기 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 5 내지 70 중량%, 바람직하게는 15 내지 65 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 높은 패턴 형성성과 고감도를 구현할 수 있다.
The content of the constituent unit derived from the (1-3) unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group may be 5 to 70% by weight, preferably 15 to 65% by weight based on the total weight of the copolymer. Within this range, high pattern formation and high sensitivity can be realized.

(1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-4) Structural units derived from unsaturated monomers different from the above-mentioned constituent units (1-1) to (1-3)

상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체의 구체적인 예로는 N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-t-부틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, N-클로로페닐말레이미드, N-메틸페닐말레이미드, N-브로모페닐말레이미드, N-메톡시페닐말레이미드, N-카복시페닐말레이미드, N-니트로페닐말레이미드, N-나프틸말레이미드와 같은 N-치환 말레이미드; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 테트라히드로퍼프릴(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-클로로프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 메틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 에틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 프로필 α-히드록시메틸아크릴레이트, 부틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜)메틸에테르(메트)아크릴레이트, 테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로이소프로필(메트)아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸(메트)아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실(메트)아크릴레이트, 이소보닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트 및 부티로락톤(메트)아크릴레이트를 포함하는 불포화 카복실산 에스테르류; N-비닐피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-비닐모폴린과 같은 N-비닐을 포함하는 N-비닐 삼차아민류; 비닐메틸에테르 및 비닐에틸에테르를 포함하는 불포화 에테르류를 들 수 있다. 상기 예시된 화합물로부터 유도되는 구성단위는 단독으로 또는 2종 이상 조합되어 공중합체에 포함될 수 있다.Specific examples of the unsaturated monomer different from the above constituent units (1-1) to (1-3) include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, Maleimide, N-isobutyl maleimide, Nt-butyl maleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-chlorophenylmaleimide, N- N-substituted maleimides such as bromophenylmaleimide, N-methoxyphenylmaleimide, N-carboxyphenylmaleimide, N-nitrophenylmaleimide, and N-naphthylmaleimide; Acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, Hydroxypropyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, tetrahydroperfuryl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, 2- (Meth) acrylate, methyl α-hydroxymethylacrylate, ethyl α-hydroxymethyl (meth) acrylate, ethyl acrylate, (Meth) acrylate, propyl [alpha] -hydroxymethyl acrylate, butyl [alpha] -hydroxymethyl acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 3- acryl (Meth) acrylate, tetrafluoropropyl (meth) acrylate, 1,1,1-trimethylolpropane tri (meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (Meth) acrylate, heptadecafluorodecyl (meth) acrylate, isobonyl (meth) acrylate, dicyclopentyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, and butyrolactone (meth) Unsaturated carboxylic acid esters including; N-vinyl tertiary amines including N-vinyl, such as N-vinylpyrrolidone, N-vinylcarbazole and N-vinylmorpholine; And unsaturated ethers including vinyl methyl ether and vinyl ethyl ether. The constituent units derived from the above exemplified compounds may be included in the copolymer alone or in combination of two or more.

상기 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-4)의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 10 내지 70 중량%, 바람직하게는 15 내지 65 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 패턴 형성성이 우수하다.
The content of the constituent unit (1-4) derived from the unsaturated monomer different from the above (1-1) to (1-3) is 10 to 70% by weight, preferably 15 to 65% by weight, . Within this range, the pattern forming property is excellent.

본 발명에서, (메트)아크릴이란 아크릴 및/또는 메타크릴을, (메트)아크릴레이트란 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 말한다. In the present invention, (meth) acryl is acrylic and / or methacrylic, and (meth) acrylate is acrylate and / or methacrylate.

또한, 본 발명에 사용되는 공중합체는 500 내지 50,000, 바람직하게는 1,000 내지 50,000, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 30,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우 기판에의 부착성이 향상되며, 우수한 물리적 성질 및 내화학성을 가진다. 상기 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography; GPC, 테트라히드로퓨란을 용출용매로 함)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 말한다.In addition, the copolymer used in the present invention may have a weight average molecular weight of 500 to 50,000, preferably 1,000 to 50,000, more preferably 3,000 to 30,000. When the weight average molecular weight is in the above range, adhesion to a substrate is improved, and excellent physical properties and chemical resistance are obtained. The weight average molecular weight refers to the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC, tetrahydrofuran as an elution solvent).

본 발명에 사용되는 공중합체는 공지의 방법으로 합성될 수 있다.The copolymer used in the present invention can be synthesized by a known method.

상기 공중합체 또는 공중합체 혼합물의 함량은 잔부량의 용매를 제외한 감광성 수지 조성물 전체 중량에 대하여 50 내지 95 중량%, 바람직하게는 60 내지 85 중량%일 수 있다. 상기의 범위이면 현상후의 패턴 현상이 양호하고, 잔막률 및 내화학성 등의 특성이 향상된다.
The content of the copolymer or copolymer mixture may be 50 to 95% by weight, preferably 60 to 85% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition excluding the remaining amount of the solvent. Within the above range, pattern development after development is favorable, and characteristics such as residual film ratio and chemical resistance are improved.

(2) 감광제(2) Photosensitizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 감광제로서 g, h, i-선(ray)에 감응하는 퀴논디아지드계 감광제를 포함할 수 있으며, 상기 퀴논디아지드계 감광제는 방사선의 조사에 의해 카복실산을 발생하는 1,2-퀴논디아지드 화합물이고, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라 함)과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 축합물을 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a quinonediazide-based photosensitizer sensitive to g, h, i-ray as the photosensitizer, and the quinonediazide-based photosensitizer may be a compound which generates a carboxylic acid A condensation product of a 1,2-quinonediazide compound and a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as " parent compound ") and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 펜타히드록시벤조페논, 헥사히드록시벤조페논 또는 (폴리히드록시페닐)알칸 등일 수 있다.Examples of the above-mentioned mother nucleus may be trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, or (polyhydroxyphenyl) alkane.

이들의 구체적인 예로는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논으로서 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논 등; 테트라히드록시벤조페논으로서, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논 등; 펜타히드록시벤조페논으로서, 2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논 등; 헥사히드록시벤조페논으로서 2,4,6,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논 등; (폴리히드록시페닐)알칸으로서, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(p-히드록시페닐)메탄, 트리(p-히드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시프로판 등; 그 밖의 모핵으로서, 2-메틸-2-(2,4-디히드록시페닐)-4-(4-히드록시페닐)-7-히드록시크로멘, 2-[비스{(5-이소프로필-4-히드록시-2-메틸)페닐}메틸]벤젠, 1-[1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디히드록시벤젠일 수 있다. Specific examples thereof include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone and the like as trihydroxybenzophenone; Examples of the tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone and the like; As the pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone and the like; 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone and the like as hexahydroxybenzophenone; (P-hydroxyphenyl) methane, tri (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) methane, (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] pyrimidin- Bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1' spirobindene- , 5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxypropane and the like; (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychromene, 2- [bis { Methyl] benzene, 1- [1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1- methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) - 1-methylethyl) benzene, 4, 6-dihydroxyphenyl) -1- Bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene.

또한, 상기 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산아미드 등도 바람직하게 사용된다. In addition, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the above-mentioned mother nucleus is changed to an amide bond, for example, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone Diazide-4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used.

또한, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드로는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산클로라이드가 바람직하고, 그 구체적인 예로는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 들 수 있다. 이 중, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 사용하는 것이 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride is preferable, and specific examples thereof include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2- 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride. Among them, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferably used.

축합 반응에 사용하는 모핵과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 사용량은 모핵 1 몰에 대하여 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드 1.0 내지 6.0 몰, 바람직하게는 1.0 내지 5.0 몰일 수 있다. 축합 반응은 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다.The amount of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide used in the condensation reaction and the amount of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide used may be 1.0 to 6.0 moles, preferably 1.0 to 5.0 moles, of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide per mole of the mother nucleus have. The condensation reaction can be carried out by a known method.

상기 퀴논디아지드계 감광제는 고감도, 높은 잔막률 측면에서, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다:The quinone diazide-based photosensitive agent may be a compound represented by the following formula (3) in terms of high sensitivity and high residual film ratio:

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 식에서, In this formula,

R은 각각 독립적으로 수소, 또는 하기 화학식 3a 또는 3b의 화합물이고, 이중에서 적어도 하나는 화학식 3a 또는 3b의 화합물이다.Each R is independently hydrogen or a compound of formula 3a or 3b wherein at least one is a compound of formula 3a or 3b.

[화학식 3a][Chemical Formula 3]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 3b](3b)

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 감광제는 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.5 내지 40 중량부, 바람직하게는 10 내지 30 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 우수한 현상후 잔막율, 감도 및 현상성을 발휘할 수 있다.
The photosensitive agent may be used in an amount of 0.5 to 40 parts by weight, preferably 10 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer. It is possible to exhibit the residual film ratio, sensitivity and developability after the development in the above range.

(3) 화학식 1의 화합물(3) Compound of Chemical Formula 1

본 발명에 사용되는 화학식 1의 화합물은 하기 구조를 가지며, 바람직하게는 4-히드록시페닐아세트산 또는 3-(4-히드록시페닐)프로피온산일 수 있다.The compound of formula (I) used in the present invention has the following structure, preferably 4-hydroxyphenylacetic acid or 3- (4-hydroxyphenyl) propionic acid.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 식에서, In this formula,

X는 할로겐이고;X is halogen;

n은 0 내지 4의 정수이고;n is an integer from 0 to 4;

Y는 OH, SH 또는 NH2이고;Y is OH, SH or NH 2, and;

R은 C1-C6 알킬렌 또는 카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌이고;R is C 1 -C 6 C 1 is interrupted by an alkylene group, or -C 6 alkylene;

상기 알킬렌 중의 수소는 페놀기로 치환될 수 있다.The hydrogen in the alkylene may be substituted with a phenol group.

R의 정의 중 "카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌"은 주쇄에 카르보닐기를 갖는(카르보닐기가 개재된) C1-C6 알킬렌을 의미한다.Definition of the R "C 1 -C 6 alkylene which is interrupted by a carbonyl group" are (with a carbonyl group interposed therebetween) with a carbonyl group in the main chain and C 1 -C 6 alkylene means.

상기 화학식 1의 화합물은 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 1 내지 35 중량부, 바람직하게는 2 내지 15 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 우수한 감도 및 스컴 개선을 발휘할 수 있다. The compound of Formula 1 may be used in an amount of 1 to 35 parts by weight, preferably 2 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer. Excellent sensitivity and scum improvement can be exhibited in the above range.

화학식 1의 화합물로서는 4-히드록시페닐아세트산 또는 3-(4-히드록시페닐)프로피온산이 감도면에서 바람직하다.
As the compound of the formula (1), 4-hydroxyphenylacetic acid or 3- (4-hydroxyphenyl) propionic acid is preferable in terms of sensitivity.

(4) 에폭시계 화합물(4) Epoxy compound

본 발명에 사용되는 에폭시계 화합물은 하기 화학식 4의 반복단위를 포함하는 화합물이다:The epoxy-based compound used in the present invention is a compound containing a repeating unit represented by the following formula (4)

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식에서, In this formula,

R5는 수소 또는 C1-C4 알킬이고; R 5 is hydrogen or C 1 -C 4 alkyl;

R6는 C1-C10 알킬렌, 페닐렌, C3-C10 시클로알킬렌, C3-C10 헤테로시클로알킬렌 또는 C2-C10 헤테로알킬렌이며, 상기 R6는 하나 이상의 히드록시기로 치환될 수 있다.R 6 is C 1 -C 10 alkylene, phenylene, C 3 -C 10 cycloalkylene, C 3 -C 10 heterocycloalkylene, or C 2 -C 10 heteroalkylene, wherein R 6 is at least one hydroxy group . ≪ / RTI >

본 발명에서 사용되는 "헤테로알킬렌"이라는 용어는 다른 언급이 없으면 사슬 내에 O, S, N 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 알킬렌을 의미한다. The term "heteroalkylene" as used herein, unless otherwise indicated, means an alkylene containing one or more heteroatoms selected from O, S, and N in the chain.

상기 화학식 4에서 R5의 구체적인 예로는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, n-부틸, 이소부틸 및 tert-부틸 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 수소 또는 메틸일 수 있다.Specific examples of R 5 in the above formula (4) include hydrogen, methyl, ethyl, propyl, n-butyl, isobutyl and tert-butyl, preferably hydrogen or methyl.

R6의 구체적인 예로는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 노닐렌, 데실렌, -C2H4-O-C2H4-, -C4H8-O-C4H8-, -C4H8-O-CH3-, -C4H8-O-C2H4-, -C2H4-O-CH3-, -C2H4-COO-C2H4-, -C4H8-COO-C4H8-, -C4H8-COO-CH3-, -C4H8-COO-C2H4-, -C2H4-COO-CH3-, -C2H4-OCONH-C2H4-, 및 -C2H4-CH(OH)-C2H4- 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 메틸렌 또는 -C4H8-O-CH3-일 수 있다. Specific examples of R 6 include methylene, ethylene, propylene, butylene, pentylene, hexylene, heptylene, octylene, nonylene, decylene, -C 2 H 4 -OC 2 H 4 -, -C 4 H 8 -OC 4 H 8 -, -C 4 H 8 -O-CH 3 -, -C 4 H 8 -OC 2 H 4 -, -C 2 H 4 -O-CH 3 -, -C 2 H 4 -COO -C 2 H 4 -, -C 4 H 8 -COO-C 4 H 8 -, -C 4 H 8 -COO-CH 3 -, -C 4 H 8 -COO-C 2 H 4 -, -C 2 H 4 -COO-CH 3 -, -C 2 H 4 -OCONH-C 2 H 4 -, and -C 2 H 4 -CH (OH) -C 2 H 4 - and the like, preferably methylene Or -C 4 H 8 -O-CH 3 -.

본 발명에 사용되는 화학식 4의 반복단위를 포함하는 에폭시계 화합물의 중량평균분자량은 1,000 내지 9,000, 바람직하게는 1,000 내지 7,000, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 5,000일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우 부착성이 향상되며, 우수한 내화학성을 가진다. 상기 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography; GPC, 테트라히드로퓨란을 용출용매로 함)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 말한다.The weight average molecular weight of the epoxy compound containing the repeating unit represented by the formula (4) used in the present invention may be 1,000 to 9,000, preferably 1,000 to 7,000, more preferably 2,000 to 5,000. When the weight average molecular weight is in the above range, the adhesion is improved and excellent chemical resistance is obtained. The weight average molecular weight refers to the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC, tetrahydrofuran as an elution solvent).

상기 에폭시계 화합물은 알려져 있는 방법으로 합성될 수 있다. 또한, 화학식 4의 반복단위에 대해서 불포화 카르복실산 에스테르 화합물 또는 이미드 화합물로부터 유도되는 반복단위를 0.9 내지 0.3 대 0.1 내지 0.7의 몰비로 갖는 에폭시계 화합물일 수도 있다. 이들 불포화 카르복실산 에스테르 화합물 또는 이미드 화합물은 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트류, 스티렌류, N-위치 치환말레이드류 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The epoxy compound can be synthesized by a known method. Further, it may be an epoxy compound having a repeating unit derived from an unsaturated carboxylic acid ester compound or an imide compound in a molar ratio of 0.9 to 0.3 to 0.1 to 0.7 with respect to the repeating unit represented by the formula (4). These unsaturated carboxylic acid ester compounds or imide compounds include alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, styrenes, And drew.

상기 에폭시계 화합물은 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.5 내지 30 중량부, 바람직하게는 2 내지 25 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위이면 우수한 잔막율 및 내화학성을 구현할 수 있다.
The epoxy compound may be used in an amount of 0.5 to 30 parts by weight, preferably 2 to 25 parts by weight, based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer. Within this range, excellent residual film ratios and chemical resistance can be realized.

(5) 용매(5) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 통상적인 방법에 의해 제조될 수 있으며, 바람직하게는 상기한 성분들을 용매와 혼합한 액상 조성물로 제조될 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 얻어지는 감광성 수지 조성물의 도포성, 안정성 등의 관점에서, 조성물 총 중량을 기준으로 고형분 함량이 5 내지 70 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%가 되도록 용매를 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition of the present invention may be prepared by a conventional method, and preferably, a liquid composition in which the above-mentioned components are mixed with a solvent. In the photosensitive resin composition according to the present invention, the content of the solvent is not particularly limited, but from the viewpoint of coatability and stability of the resulting photosensitive resin composition, the solid content is preferably 5 to 70% by weight based on the total weight of the composition, May be from 10 to 50% by weight.

상기에서 고형분이란 본 발명의 조성물에서 용매를 제거한 것을 의미한다.In the above, the solid content means that the solvent is removed from the composition of the present invention.

이러한 용매의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 셀로솔브류; 부틸카르비톨 등의 카르비톨류; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 이소프로필 등의 락트산 에스테르류; 아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산 이소아밀, 프로피온산 이소프로필, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 이소부틸 등의 지방족 카복실산 에스테르류; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류; N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류; 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이 중에서도 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로피온산 메틸이 도막성이 양호하고 안정성이 높다는 관점에서 보다 바람직하다.
Specific examples of such a solvent include ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether; Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether and propylene glycol dibutyl ether; Dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether; Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate; Cellosolve such as ethyl cellosolve and butyl cellosolve; Carbitols such as butyl carbitol; Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate and isopropyl lactate; Aliphatic carboxylic acid esters such as ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, n-butyl propionate and isobutyl propionate; Esters such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate and ethyl pyruvate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, and cyclohexanone; Amides such as N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; lactones such as? -butyrolactone; And mixtures thereof. Of these, dipropylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate and methyl 3-methoxypropionate are more preferable in view of good film stability and high stability.

(6) 기타 성분(6) Other ingredients

본 발명은 감광성 수지 조성물의 특성을 개선하기 위하여 기타 성분들을 추가로 포함할 수 있다. 상기 기타 성분들로는 예컨대, (6-1) 계면활성제 및/또는 (6-2) 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
The present invention may further include other components for improving the properties of the photosensitive resin composition. Examples of the other components include (6-1) surfactants and / or (6-2) silane coupling agents.

(6-1) 계면활성제(6-1) Surfactant

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 필요에 따라, 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 위해 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 및 그 밖의 계면활성제를 들 수 있다. 상기 계면활성제의 예로는 BM-1000, BM-1100(BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142 D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183, F-470, F-471, F-475, F-482, F-489(다이닛뽄잉크 가가꾸고교(주)제조), 플로라드 FC-135, 플로라드 FC-170C, 플로라드 FC-430, 플로라드 FC-431(스미또모 스리엠(주) 제조), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145, 서프론 S-382, 서프론 SC-101, 서프론 SC-102, 서프론 SC-103, 서프론 SC-104, 서프론 SC-105, 서프론 SC-106(아사히 가라스(주) 제조), 에프톱 EF301, 에프톱 303, 에프톱 352(신아끼따 가세이(주) 제조), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190(도레 실리콘(주) 제조), DC 3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH8400, GE, FZ-2100, FZ-2110, FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233(다우코닝도레이 실리콘사(주)제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(도시바 실리콘사(주)제조), 및 BYK-333(BYK사(주) 제조) 등의 불소계 및 실리콘계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시 에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 및 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제; 및 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에쓰 가가꾸고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No. 57, 95(교에이샤유지 가가꾸고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The positive-working photosensitive resin composition of the present invention may further contain a surfactant, if necessary, for the purpose of improving coatability and preventing defect formation. The kind of the surfactant is not particularly limited, but a fluorine surfactant, a silicone surfactant, a nonionic surfactant and other surfactants are preferable. Examples of the surfactant include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megafac F142D, Megafac F172, Megafac F173, Megafac F183, F- 470, F- 471, F- F-482 and F-489 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Florad FC-135, Florad FC-170C, Florad FC-430 and Florad FC- Surflon S-112, Surflon SC-101, Surflon SC-101, Surflon S-145, Surflon S-382, , Surfron SC-103, Surfron SC-104, Surfron SC-105, Surfron SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Efstop EF301, SF-8428, DC-57, DC-190 (manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.), DC 3PA, DC7PA, SH11PA, SH- FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233 (manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF -4446, TSF-4460, TSF-4452 (manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.), and BYK-333 (Manufactured by BYK Co., Ltd.), and the like; Polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether , And nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; And an organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth) acrylic acid-based copolymer polyflow No. 1. 57, and 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.). These may be used alone or in combination of two or more.

상기 계면활성제는 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.001 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 조성물의 코팅이 원활해진다.
The surfactant may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight (based on the solids content) of the copolymer. In this range, the coating of the composition is smooth.

(6-2) 실란 커플링제(6-2) Silane coupling agent

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 도막과 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해 실란 커플링제를 접착조제로서 추가로 포함할 수 있다. 이러한 실란 커플링제는 예를 들면, 카복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기, 이미다졸기, 티올기, 아민기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. 실란 커플링제의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention may further include a silane coupling agent as an adhesion aid in order to improve the adhesion between the coating film and the substrate. Such a silane coupling agent may have a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group, an imidazole group, a thiol group, or an amine group. Specific examples of the silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatopropyltriethoxysilane,? - Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? - (glycidoxypropyltriethoxysilane),? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, N-phenyl- And mixtures thereof.

상기 실란 커플링제는 공중합체 혼합물 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.001 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 기판과의 접착력이 양호해진다.The silane coupling agent may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer mixture. The adhesion with the substrate is improved in the above range.

이 외에도, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 물성을 해하지 않는 범위 내에서, 용해촉진제, 증감제, 산화방지제, 광 안정제(자외선 흡수제) 등의 기타의 첨가제를 포함할 수 있다.
In addition, the photosensitive resin composition of the present invention may contain other additives such as a dissolution accelerator, a sensitizer, an antioxidant, and a light stabilizer (ultraviolet absorber) within a range that does not impair physical properties.

또한, 본 발명은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막을 제공한다.The present invention also provides a cured film produced using the positive photosensitive resin composition.

상기 경화막은 당 기술분야에 알려져 있는 방법, 예컨대 기재 위에 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 도포한 후 경화하는 과정을 거쳐 제조할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 경화는 기재 위에 도포된 조성물을 예컨대, 60 내지 130℃에서 60 내지 130초간 예비 경화(pre-bake)하여 용매를 제거한 후, 원하는 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 노광하고 현상액(예: 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 용액(TMAH))으로 현상함으로써 코팅층에 패턴을 형성할 수 있다. 이후, 패턴화된 코팅층을 필요에 따라 예컨대 10분 내지 5시간 동안 150 내지 300℃에서 후경화(post-bake)하여 목적하는 경화막을 제조할 수 있다. 상기 노광은 200 내지 450 nm의 파장대에서 20 내지 200 mJ/㎠의 노광량으로 수행할 수 있다.The cured film may be manufactured by a method known in the art, for example, a method of applying the positive photosensitive resin composition onto a substrate and then curing. More specifically, the curing is performed by pre-bake the composition coated on the substrate, for example, at 60 to 130 ° C for 60 to 130 seconds to remove the solvent, expose using a photomask having a desired pattern, For example, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution, to form a pattern on the coating layer. Thereafter, the patterned coating layer may be post-baked at 150 to 300 ° C for 10 minutes to 5 hours, for example, if necessary, to produce a desired cured film. The exposure can be performed at an exposure amount of 20 to 200 mJ / cm 2 at a wavelength range of 200 to 450 nm.

이와 같이, 본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 경화막을 형성하면, 우수한 패턴 형성성을 나타내고 스컴(scum) 발생을 갖지 않는 경화막을 고감도로 달성할 수 있다.As described above, when a cured film is formed using the positive photosensitive resin composition according to the present invention, a cured film which exhibits excellent pattern forming property and does not have scum can be obtained with high sensitivity.

본 발명에 따라 제조된 경화막은 우수한 물성에 기인하여 액정표시장치의 층간 절연막으로서 유용하게 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 경화막으로 이루어진 절연막을 포함하는 전자부품을 제공한다.
The cured film produced according to the present invention can be usefully used as an interlayer insulating film of a liquid crystal display device due to its excellent physical properties. Accordingly, the present invention provides an electronic component including an insulating film made of the cured film.

이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 좀 더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, but the scope of the present invention is not limited thereto.

하기 제조예에 기재된 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산값이다.
The weight average molecular weight described in the following Production Examples is a polystyrene reduced value measured by gel permeation chromatography (GPC).

제조예 1: 공중합체 A-1의 제조Production Example 1: Preparation of Copolymer A-1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200 중량부를 넣고 천천히 교반하면서 용매의 온도를 70℃로 상승시킨 후, 여기에 메타크릴산 13.5 중량부, 글리시딜메타크릴레이트 31.0 중량부, 스티렌 13.6 중량부, 메틸메타크릴레이트 32.3 중량부 및 이소보닐메타크릴레이트 9.7 중량부를 첨가하고, 이어서 라디칼 중합개시제로서의 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 5시간에 걸쳐 적가하여 중합반응을 수행하였다. 얻어진 공중합체 A-1(고형분 농도 = 30 중량%)의 중량평균분자량은 9,800이었다.
In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 200 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent was added, and the temperature of the solvent was raised to 70 ° C while stirring slowly. Then, 13.5 parts by weight of methacrylic acid, 31.0 parts by weight of styrene, 13.6 parts by weight of styrene, 32.3 parts by weight of methyl methacrylate and 9.7 parts by weight of isobonyl methacrylate were added, and then 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) 3 parts by weight were added dropwise over 5 hours to carry out the polymerization reaction. The weight average molecular weight of the obtained copolymer A-1 (solid concentration = 30% by weight) was 9,800.

제조예 2: 공중합체 A-2의 제조Production Example 2: Preparation of Copolymer A-2

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200 중량부를 넣고 천천히 교반하면서 용매의 온도를 70℃로 상승시킨 후, 여기에 메타크릴산 4.4 중량부, p-히드록시페닐메틸메타크릴레이트 52.2 중량부, 메틸메타크릴레이트 35.2 중량부 및 이소보닐메타크릴레이트 8.1 중량부를 첨가하고, 이어서 라디칼 중합개시제로서의 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 5시간에 걸쳐 적가하여 중합반응을 수행하였다. 얻어진 공중합체 A-2(고형분 농도 = 30 중량%)의 중량평균분자량은 12,700이었다.
In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 200 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent was added, and the temperature of the solvent was gradually elevated to 70 ° C with stirring. Then, 4.4 parts by weight of methacrylic acid, 52.2 parts by weight of methacrylate, 35.2 parts by weight of methyl methacrylate and 8.1 parts by weight of isobornyl methacrylate were added and then 3 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator And the polymerization reaction was carried out by dropwise addition over 5 hours. The weight average molecular weight of the obtained copolymer A-2 (solid concentration = 30% by weight) was 12,700.

제조예 3: 공중합체 A-3의 제조Production Example 3: Preparation of Copolymer A-3

메타크릴산 14.9 중량부, 글리시딜메타크릴레이트 25.7 중량부, p-히드록시페닐메틸메타크릴레이트 18.6 중량부, 스티렌 31.8 중량부 및 감마부티로락톤메타크릴레이트 8.9 중량부를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 공중합체 A-3(고형분 농도: 30 중량%, 중량평균분자량: 10,400)를 제조하였다.
Except that 14.9 parts by weight of methacrylic acid, 25.7 parts by weight of glycidyl methacrylate, 18.6 parts by weight of p-hydroxyphenylmethyl methacrylate, 31.8 parts by weight of styrene and 8.9 parts by weight of gamma-butyrolactone methacrylate were used , A copolymer A-3 (solid concentration: 30% by weight, weight average molecular weight: 10,400) was prepared in the same manner as in Preparation Example 1,

제조예 4: 에폭시계 화합물 C-1의 제조Production Example 4: Preparation of epoxy compound C-1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 글리시딜메타크릴레이트 100 중량부와 용매로서 3-메톡시프로피온산 메틸 195 중량부를 넣고 질소를 투입한 후 천천히 교반하면서 용매의 온도를 60℃로 상승시켰다. 광중합 개시제로서의 아조비스이소부티로니트릴을 3 중량부 첨가한 후 온도를 유지하며 2시간에 걸쳐 중합 반응을 수행하여 중량평균분자량이 3,500이고, 고형분 함량이 34.5 중량%인 하기 화학식 5의 반복단위를 갖는 화합물 C-1을 얻었다.Cooling tube and stirrer, glycidyl methacrylate (100 parts by weight) and methyl 3-methoxypropionate (195 parts by weight) as a solvent were added to the flask. Nitrogen was added thereto, and the temperature of the solvent was raised to 60 ° C with gentle stirring. 3 parts by weight of azobisisobutyronitrile as a photopolymerization initiator was added, and polymerization reaction was carried out for 2 hours while maintaining the temperature. Thus, a repeating unit represented by the following formula (5) having a weight average molecular weight of 3,500 and a solid content of 34.5% by weight was obtained To obtain Compound C-1.

Figure pat00008
Figure pat00008

실시예 1Example 1

(1) 제조예 1에서 제조한 공중합체 A-1 70중량부(고형분 함량)와 제조예 2에서 제조한 공중합체 A-2 30중량부(고형분 함량)의 혼합물, (2) 퀴논디아지드계 감광제(MIPHOTO TPA523, 미원상사제) 18.6중량부(고형분 함량), (3) 화학식 1의 화합물(a: 4-히드록시페닐아세트산) 3중량부(고형분 함량), (4) 제조예 4에서 제조한 에폭시계 화합물 C-1 13중량부(고형분 함량), (5) 계면활성제(FZ-2122, 다우코닝도레이사 실리콘사제) 0.15중량부(고형분 함량), 및 (6) 실란 커플링제(KBE-9007, 신에츠 실리콘사제) 0.22중량부(고형분 함량)를 용매인 3-메톡시프로피온산 메틸(MMP) 340중량부와 2시간 동안 혼합하여 액상 형태인 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
(1) a mixture of 70 parts by weight (solids content) of the copolymer A-1 prepared in Preparation Example 1 and 30 parts by weight (solids content) of the copolymer A-2 prepared in Preparation Example 2, (2) (Solids content), (3) a compound of formula (1) (a: 4-hydroxyphenylacetic acid) 3 parts by weight (solid content), (4) (Solid content), (5) 0.15 part (solid content) of a surfactant (FZ-2122, manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.), and (6) a silane coupling agent (KBE- 9007, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) (solid content) was mixed with 340 parts by weight of methyl 3-methoxypropionate (MMP) as a solvent for 2 hours to prepare a liquid photosensitive resin composition.

실시예 2 내지 7 및 비교예 1 내지 4Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 to 4

하기 표 1과 같이 각각의 성분의 종류 및 함량(중량부)을 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kinds and contents (parts by weight) of the respective components were changed as shown in Table 1 below.

공중합체Copolymer 감광제Photosensitive agent 화학식1및 기타 화합물Formula 1 and other compounds 에폭시계 화합물Epoxy compound 계면활성제Surfactants 실란 커플링제Silane coupling agent 실시예 1Example 1 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 33 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 2Example 2 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 3Example 3 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 88 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 4Example 4 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 5.55.5 -- 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 5Example 5 A-1A-1 6060 18.618.6 aa 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 4040 실시예 6Example 6 A-1A-1 7070 18.618.6 bb 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 7Example 7 A-3A-3 100100 18.618.6 aa 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 비교예 1Comparative Example 1 A-1A-1 7070 18.618.6 cc 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 비교예 2Comparative Example 2 A-1A-1 7070 18.618.6 dd 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 비교예 3Comparative Example 3 A-1A-1 7070 18.618.6 -- -- 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 비교예 4Comparative Example 4 A-3A-3 100100 18.618.6 -- -- 1313 0.150.15 0.220.22

a : 4-히드록시페닐아세트산a: 4-hydroxyphenylacetic acid

b : 3-(4-히드록시페닐)프로피온산b: 3- (4-hydroxyphenyl) propionic acid

c : 아세트산c: acetic acid

d : 3-메톡시페놀
d: 3-methoxyphenol

상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 감광성 수지 조성물로부터 막을 제조하여 그 경화막 제조시의 감도, 패턴 형성성 및 스컴 발생여부를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
A film was prepared from the photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4, and the sensitivity, pattern formation property, and occurrence of scum during the production of the cured film were measured, and the results are shown in Table 2 below.

1. 감도 측정1. Sensitivity measurement

[시편의 제조][Preparation of specimen]

감광성 수지 조성물을 실리콘 나이트라이드 기판에 스핀 코팅한 후에 100℃를 유지한 고온플레이트 위에서 90초간 예비경화(pre-bake)하여 두께 4 ㎛의 건조막을 형성하였다. 이 막 상부에 1 내지 15 ㎛까지의 1 ㎛ 크기 차이의 정사각형 홀 패턴을 갖는 마스크를 적용한 후, 200 내지 450 nm의 파장을 내는 어라이너(aligner, 모델명 MA6)를 이용하여, 노광기준으로서 마스크와 기판사이의 간격을 25 ㎛으로 하고, 365 nm 기준으로 하여 15 mW/cm2인 자외선을 0 내지 200 mJ/㎠이 되도록 일정시간 노광하고, 2.38 중량% 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 수용성 현상액으로 23 ℃에서 스프레이 노즐을 통해 현상하여 각각의 시편을 제조하였다.The photosensitive resin composition was spin-coated on a silicon nitride substrate and then pre-baked on a hot plate maintained at 100 캜 for 90 seconds to form a dry film having a thickness of 4 탆. A mask having a square hole pattern with a size difference of 1 mu m from 1 to 15 mu m is applied to the upper portion of this film, and then an aligner (model name MA6) having a wavelength of 200 to 450 nm is used, the spacing between the substrate to 25 ㎛ with and, 365 nm reference to the 15 mW / cm 2 a predetermined time exposure such that the ultraviolet 0 to 200 mJ / ㎠, and 2.38% by weight tetramethyl ammonium hydroxide aqueous developer solution in 23 ℃ Each specimen was prepared by spraying through a spray nozzle.

[감도 측정] [Sensitivity measurement]

상기 과정에 의해 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴(hole pattern)의 CD(critical dimension: 선폭, 단위: ㎛) 10 ㎛를 구현하는 노광 에너지를 구하였다. 수치가 작을수록 우수하다고 할 수 있다.
By the above procedure, the exposure energy for realizing a CD (critical dimension: line width, unit: 탆) of 10 탆 of a patterned hole pattern was determined for a mask size of 10 탆. The smaller the number, the better.

2. 패턴 형성성 측정(노광량: 90 mJ/㎠, 마스크 크기: 10 ㎛)2. Measurement of pattern formation property (exposure dose: 90 mJ / cm 2, mask size: 10 탆)

상기 감도 측정을 위한 경화막 제조 과정에서 90 mJ/㎠의 노광량을 적용하고 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴의 CD를 측정하여, 하기 식으로부터 패턴 형성성(%) 값을 구하였다. 패턴 형성성 값이 작을수록 우수하다고 할 수 있다.In the process of manufacturing the cured film for the sensitivity measurement, an exposure amount of 90 mJ / cm 2 was applied, and CD of a patterned hole pattern was measured for a mask size of 10 탆. The smaller the value of the pattern formability, the better.

패턴 형성성(%)=[(마스크 크기-홀 패턴의 CD)/(마스크 크기)]×100
Pattern formation property (%) = [(mask size - CD of hole pattern) / (mask size)] × 100

3. 스컴 확인3. Scam confirmation

상기 감도 측정을 위한 경화막 제조 과정에서 90 mJ/㎠의 노광량을 적용하고 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴을 단면 주사전자현미경(SEM)으로 관찰하여 스컴 존재유무를 확인하였다. 스컴이 없어야만 우수하다고 할 수 있다.In the process of manufacturing the cured film for the sensitivity measurement, an exposure amount of 90 mJ / cm 2 was applied, and a patterned hole pattern was observed with a scanning electron microscope (SEM) for a mask size of 10 탆 to confirm whether scum existed. If there is no scum, it can be said to be excellent.

감도[mJ/cm2]Sensitivity [mJ / cm 2 ] 패턴 형성성[%]Pattern Formability [%] 스컴 발생Scum occurrence 실시예 1Example 1 7676 -4.1-4.1 XX 실시예 2Example 2 7070 -5.6-5.6 XX 실시예 3Example 3 6161 -8.7-8.7 XX 실시예 4Example 4 6767 -5-5 XX 실시예 5Example 5 8080 -3-3 XX 실시예 6Example 6 6565 -6.6-6.6 XX 실시예 7Example 7 8282 -2.8-2.8 XX 비교예 1Comparative Example 1 120120 5.85.8 OO 비교예 2Comparative Example 2 115115 3.93.9 OO 비교예 3Comparative Example 3 133133 12.712.7 OO 비교예 4Comparative Example 4 140140 17.817.8 OO

상기 표 2의 실험결과로부터, 화학식 1의 화합물을 사용하는 본 발명에 따른 실시예 1 내지 7의 감광성 수지 조성물을 사용하여 경화막을 제조하는 경우, 고감도 및 우수한 패턴 형성성을 나타낼 뿐만 아니라 스컴도 발생하지 않았다.From the experimental results shown in Table 2, when the cured film was prepared using the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 7 according to the present invention using the compound of Chemical Formula 1, not only high sensitivity and excellent pattern forming property but also scum Did not do it.

반면, 화학식 1의 화합물을 사용하지 않은 비교예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물은 감도 및 패턴 형성성 측면에서 본 발명의 경우에 비해 확실히 뒤떨어지고, 스컴도 발생시킴을 알 수 있다.On the other hand, the photosensitive resin compositions of Comparative Examples 1 to 4, which did not use the compound of Chemical Formula 1, were inferior to the present invention in terms of sensitivity and pattern formation, and scum was also generated.

Claims (5)

(1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체 1종 이상;
(2) 감광제(photoactive compound); 및
(3) 하기 화학식 1의 화합물
을 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00009

상기 식에서,
X는 할로겐이고;
n은 0 내지 4의 정수이고;
Y는 OH, SH 또는 NH2이고;
R은 C1-C6 알킬렌 또는 카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌이고;
상기 알킬렌 중의 수소는 페놀기로 치환될 수 있다.
(1) A resin composition comprising (1) (1-1) a structural unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group, (1) at least one constituent unit selected from the group consisting of constitutional units derived from an unsaturated monomer containing a hydroxyl group, and (1-4) a constituent unit derived from an unsaturated monomer different from the constituent units (1-1) to At least one copolymer comprising units;
(2) a photoactive compound; And
(3) a compound represented by the following formula
: ≪ EMI ID =
[Chemical Formula 1]
Figure pat00009

In this formula,
X is halogen;
n is an integer from 0 to 4;
Y is OH, SH or NH 2, and;
R is C 1 -C 6 C 1 is interrupted by an alkylene group, or -C 6 alkylene;
The hydrogen in the alkylene may be substituted with a phenol group.
제 1 항에 있어서,
상기 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위가 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00010

상기 식에서,
R1은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;
R2는 C1-C6 알킬이고, a는 0 내지 4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
b는 1 내지 5의 정수이고, a와 b의 합은 1 내지 5의 정수이며;
Y는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;
상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다.
The method according to claim 1,
The photosensitive resin composition according to any one of (1) to (3), wherein the constituent unit derived from the unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group is represented by the following formula (2)
(2)
Figure pat00010

In this formula,
R 1 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;
R 2 is C 1 -C 6 alkyl, a is an integer of 0 to 4, and when a is an integer of 2 or more, a plurality of R 2 s may be the same or different;
b is an integer from 1 to 5, the sum of a and b is an integer from 1 to 5;
Y is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;
The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl.
제 1 항에 있어서,
상기 감광제가 하기 화학식 3의 구조를 갖는 퀴논디아지드계 감광제인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure pat00011

상기 식에서,
R은 각각 독립적으로 수소, 또는 하기 화학식 3a 또는 3b의 화합물이고, 이중에서 적어도 하나는 화학식 3a 또는 3b의 화합물이다.
[화학식 3a]
Figure pat00012

[화학식 3b]
Figure pat00013
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive agent is a quinonediazide photosensitive agent having a structure represented by the following formula (3): < EMI ID =
(3)
Figure pat00011

In this formula,
Each R is independently hydrogen or a compound of formula 3a or 3b wherein at least one is a compound of formula 3a or 3b.
[Chemical Formula 3]
Figure pat00012

(3b)
Figure pat00013
제 1 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 하기 화학식 4의 반복단위를 포함하는 에폭시계 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 4]
Figure pat00014

상기 식에서,
R5는 수소 또는 C1-C4 알킬이고;
R6는 C1-C10 알킬렌, 페닐렌, C3-C10 시클로알킬렌, C3-C10 헤테로시클로알킬렌 또는 C2-C10 헤테로알킬렌이며, 상기 R6는 하나 이상의 히드록시기로 치환될 수 있다.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive resin composition further comprises an epoxy compound containing a repeating unit represented by the following formula (4): < EMI ID =
[Chemical Formula 4]
Figure pat00014

In this formula,
R 5 is hydrogen or C 1 -C 4 alkyl;
R 6 is C 1 -C 10 alkylene, phenylene, C 3 -C 10 cycloalkylene, C 3 -C 10 heterocycloalkylene, or C 2 -C 10 heteroalkylene, wherein R 6 is at least one hydroxy group . ≪ / RTI >
제 1 항에 있어서
상기 화학식 1의 화합물이 4-히드록시페닐아세트산 또는 3-(4-히드록시페닐)프로피온산인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1, wherein
Wherein the compound of Formula 1 is 4-hydroxyphenylacetic acid or 3- (4-hydroxyphenyl) propionic acid.
KR1020130102378A 2013-08-28 2013-08-28 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom KR102239543B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130102378A KR102239543B1 (en) 2013-08-28 2013-08-28 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130102378A KR102239543B1 (en) 2013-08-28 2013-08-28 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150025137A true KR20150025137A (en) 2015-03-10
KR102239543B1 KR102239543B1 (en) 2021-04-13

Family

ID=53021437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130102378A KR102239543B1 (en) 2013-08-28 2013-08-28 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102239543B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190000819A (en) * 2017-06-23 2019-01-03 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Photoresist composition and process for producing photoresist pattern

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040078554A (en) 2003-03-03 2004-09-10 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation Sensitive Resin Composition, Insulating Interlayer and Microlens, and Process for Preparing the Same
JP2004286968A (en) 2003-03-20 2004-10-14 Toray Ind Inc Positive radiation-sensitive composition
JP2007171572A (en) * 2005-12-22 2007-07-05 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and method for manufacturing them
KR100758867B1 (en) 2005-03-16 2007-09-14 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Photosensitive resin composition for interplayer insulating film
KR20120056938A (en) * 2010-11-12 2012-06-05 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photo-sensitivity resin composition its Dielectric insulating film and Electronic device
KR20120077464A (en) * 2010-12-30 2012-07-10 제일모직주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and display device including the photosensitive resin layer
KR20130077589A (en) * 2011-12-29 2013-07-09 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photosensitive resin composition and dielectric layer using same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040078554A (en) 2003-03-03 2004-09-10 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation Sensitive Resin Composition, Insulating Interlayer and Microlens, and Process for Preparing the Same
JP2004286968A (en) 2003-03-20 2004-10-14 Toray Ind Inc Positive radiation-sensitive composition
KR100758867B1 (en) 2005-03-16 2007-09-14 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Photosensitive resin composition for interplayer insulating film
JP2007171572A (en) * 2005-12-22 2007-07-05 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and method for manufacturing them
KR20120056938A (en) * 2010-11-12 2012-06-05 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photo-sensitivity resin composition its Dielectric insulating film and Electronic device
KR20120077464A (en) * 2010-12-30 2012-07-10 제일모직주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and display device including the photosensitive resin layer
KR20130077589A (en) * 2011-12-29 2013-07-09 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photosensitive resin composition and dielectric layer using same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190000819A (en) * 2017-06-23 2019-01-03 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Photoresist composition and process for producing photoresist pattern
JP2019008287A (en) * 2017-06-23 2019-01-17 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern

Also Published As

Publication number Publication date
KR102239543B1 (en) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6941416B2 (en) Positive type photosensitive resin composition and cured film prepared from it
JP7058214B2 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared from it
JP7240847B2 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP2021009361A (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP2021009359A (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP2019120932A (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
CN109478017B (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared from same
JP7010093B2 (en) Radiation-sensitive composition
US20230109843A1 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
TWI773690B (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
US10942449B2 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP6913679B2 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared from it
KR102239543B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102674721B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film using same
KR102172818B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102183741B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102057338B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102069746B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102016443B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR20230102745A (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP2020109508A (en) Positive photosensitive composition and cured film using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant