KR20150024143A - Reflective semiconductor optical amplifier package - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a reflective semiconductor optical amplifier package capable of amplifying an optical signal in a passive optical network. The reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention can be used in various situations of the passive optical network and has advantages of a small size, easy installation, and a low price. The reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention comprises: a base substrate having an upper surface and a lower surface opposite to the upper surface; a radiating TEC element formed on the upper surface of the base substrate; a reflective semiconductor optical amplifier coupled to the top of the TEC element; a TO-can coupled to the upper surface of the base substrate to receive the TEC element and the reflective semiconductor optical amplifier and having an opening formed on the upper surface thereof to input and output an optical signal; a shielding layer to shield the opening and pass the optical signal amplified in an amplification region; and a plurality of lead wires coupled to the other surface of the base substrate, wherein the semiconductor optical amplifier consists of a plurality of material layers and includes the amplification region to amplify the inputted optical signal, a non-reflective coating surface formed on one end of the amplification region to transmit the optical signal to the amplification region, and a reflective coating surface formed on the other end of the amplification region to reflect the optical signal passing through the amplification region.

Description

반사형 반도체 광 증폭기 패키지{REFLECTIVE SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER PACKAGE}REFLECTIVE SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER PACKAGE

본 발명은 반사형 반도체 광 증폭기 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수동형 광 네트워크에서 광 신호를 증폭할 수 있는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective semiconductor optical amplifier package, and more particularly, to a reflective semiconductor optical amplifier package capable of amplifying an optical signal in a passive optical network.

광 증폭기(optical amplifier)는 동작 방식에 따라 광섬유 광 증폭기(otical fiber amplifier)와 반도체 광 증폭기(SOA ; Semiconductor Optical Amplifier)로 나눌 수 있다. 반도체 광 증폭기는 광섬유 광폭기에 비해 증폭 이득 또는 잡음 특성이 좋지 않다는 단점이 있지만, 상대적으로 가격이 저렴하고 설치 등이 쉽다는 장점이 있다.An optical amplifier can be divided into an optical fiber amplifier and a semiconductor optical amplifier (SOA) according to the operating method. Semiconductor optical amplifiers have a disadvantage in that they have less amplification gain or noise characteristics than optical fiber amplifiers, but they are relatively inexpensive and easy to install.

반사형 반도체 광 증폭기(RSOA ; Reflective SOA)는 반도체 광 증폭기의 증폭 영역의 일단에 무반사 코팅면을 형성하고, 타면에 반사 코팅면을 형성하여, 입력된 신호가 증폭된 후 반사 코팅면에서 반사되어 출력되는 구조이다. 이러한 반사형 반도체 광 증폭기는 종래에 독립적인 씨드(seed) 광원이 필요없는 WDM-PON(Seedless RSOA-based WDM-PON)을 구성하는 것에 주로 응용되었다. 그러나 반사형 반도체 광 증폭기는 소형화가 가능하고, 다른 형태의 광 증폭기보다 가격이 저렴하다는 장점으로 인해 다른 용도로 응용될 수 있다는 의견이 제기되고 있다.Reflective SOA (Reflective SOA) has a structure in which an anti-reflection coated surface is formed on one end of an amplification region of a semiconductor optical amplifier, a reflection coated surface is formed on the other surface, the input signal is amplified, Output structure. This reflection type semiconductor optical amplifier has been mainly applied to construct a WDM-PON (Seedless RSOA-based WDM-PON) which does not require an independent seed light source. However, it is suggested that a reflective semiconductor optical amplifier can be used for other purposes because it can be miniaturized and is less expensive than other types of optical amplifiers.

수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network) 시스템에서는 광 신호의 전송 손실에 따라 광 신호의 증폭이 필요하다. 이에 따라 수동형 광 네트워크에서는 다양한 방식의 광 증폭기가 설치될 수 있다. 종래에 사용되는 광 증폭기는 주로 EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier) 또는 라만 광 증폭기(Raman Fiber Amplifier)의 광섬유 광 증폭기가 사용되었다.In a passive optical network (PON) system, it is necessary to amplify an optical signal according to the transmission loss of the optical signal. Accordingly, various types of optical amplifiers can be installed in a passive optical network. In the conventional optical amplifiers, an EDFA (Erbium-Doped Fiber Amplifier) or a Raman Fiber Amplifier optical fiber optical amplifier was used.

그러나 최근들어 수동형 광 네트워크가 널리 보급됨에 따라 다양한 환경에서 사용될 뿐만 아니라, GE PON이외에도 10GE PON 및 비디오 오버레이를 위한 다양한 파장 대역의 신호 등도 전송됨에 따라 상황에 따라 용이하게 설치할 수 있는 소형 광 증폭기가 필요하게 되었다. 그러나 종래의 광섬유 광 증폭기는 상대적으로 가격이 비싸고 크기가 클 뿐만아니라 설치가 복잡하다는 문제가 있었다. 이에 이러한 문제를 해결할 수 있는 광 증폭기에 대한 요구가 있어 왔다.
However, as the passive optical network has been popularized recently, it is used not only in a variety of environments, but also in a 10GE PON in addition to the GE PON, and signals of various wavelength bands for video overlay are transmitted. Therefore, a compact optical amplifier . However, the conventional optical fiber optical amplifier is relatively expensive, has a large size, and is complicated in installation. Accordingly, there has been a demand for an optical amplifier capable of solving such a problem.

본 발명의 목적은 수동형 광 네트워크의 다양한 상황에서 사용될 수 있고, 소형이고 설치가 용이하며 가격이 저렴한 반사형 반도체 광 증폭기 패키지를 제공하는 것에 있다.It is an object of the present invention to provide a reflection type semiconductor optical amplifier package that can be used in various situations in a passive optical network, and is small, easy to install, and inexpensive.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 과제 해결 수단으로서, 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지는 상면과 상기 상면에 대향하는 하면을 가지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상면 상에 형성되는 방열용 TEC소자, 상기 TEC소자의 상부측에 결합되는 반사형 반도체 광 증폭기, 상기 베이스 기판의 상면 상에 결합되어 상기 TEC소자 및 상기 반사형 반도체 광 증폭기를 수용하고, 상부면에 광 신호의 입출력을 위한 개구부를 구비하는 TO-캔, 상기 개구부를 차폐하고 상기 증폭 영역에서 증폭되는 광 신호를 통과시키는 차폐층 및 상기 베이스 기판의 타면에 결합된 다수 개의 리드선을 포함하되, 상기 반도체 광 증폭기는 다수의 물질층으로 형성되어 입력된 광 신호를 증폭시키는 증폭 영역, 상기 증폭 영역의 일단에 형성되고 상기 증폭 영역으로 광 신호를 투과시키는 무반사 코팅면 및 상기 증폭 영역의 타단에 형성되고 상기 증폭 영역을 통과한 광 신호를 반사시키는 반사 코팅면을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a reflective semiconductor optical amplifier package comprising: a base substrate having an upper surface and a lower surface facing the upper surface; a heat dissipation TEC formed on the upper surface of the base substrate; A reflective semiconductor optical amplifier coupled to an upper side of the TEC device, a second semiconductor optical amplifier coupled to an upper surface of the base substrate to receive the TEC device and the reflective semiconductor optical amplifier, And a plurality of lead wires coupled to the other surface of the base substrate, wherein the semiconductor optical amplifier includes a plurality of material layers, An amplification region formed at one end of the amplification region to amplify the inputted optical signal, An anti-reflective coating surface for transmitting the optical signal, and a reflection coating surface formed on the other end of the amplification area and reflecting the optical signal passing through the amplification area.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 TO-캔은, 상기 베이스 기판의 상면에 수직으로 형성되는 측벽부 및 상기 측벽부의 하단으로부터 연장되어 상기 베이스 기판의 상면에 평행한 방향으로 절곡되며 연장되며, 하면이 상기 베이스 기판의 상면과 맞닿으며 결합하는 결합부를 포함할 수 있다.The TO-can includes a side wall portion formed perpendicularly to the upper surface of the base substrate, and a bent portion extending from the lower end of the side wall portion and parallel to the upper surface of the base substrate, And an engaging portion that engages with and engages with an upper surface of the base substrate.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 결합부의 종단부는 상기 베이스 기판의 상면의 종단부와 0.2mm 내지 0.4mm의 간격을 가지고 상기 베이스 기판의 상면과 결합하는 것을 특징으로 할 수 있다.The end portion of the coupling portion may be coupled to the upper surface of the base substrate with an interval of 0.2 mm to 0.4 mm from the terminating portion of the upper surface of the base substrate as one side of the reflective semiconductor optical amplifier package.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 결합부의 종단부 및 상기 베이스 기판의 상면은 레이저 웰딩 방식으로 결합되는 것을 특징으로 할 수 있다.In one aspect of the reflective semiconductor optical amplifier package, the end portion of the coupling portion and the upper surface of the base substrate are coupled by a laser welding method.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 베이스 기판은 상기 베이스 기판의 상면과 하면을 관통하는 비아홀을 더 구비하고, 상기 비아홀의 일단은 상기 TEC소자와 연통하는 것을 특징으로 할 수 있다.In one aspect of the reflective semiconductor optical amplifier package, the base substrate further includes a via hole penetrating the upper surface and the lower surface of the base substrate, and one end of the via hole communicates with the TEC element.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 베이스 기판의 하면에 결합되고, 상기 비아홀의 타단과 연통되는 방열부재를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.The reflective semiconductor optical amplifier package may further include a radiation member coupled to a lower surface of the base substrate and communicating with the other end of the via hole.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서,상기 차폐층은 1260nm 내지 1360nm의 파장 대역, 1480nm 내지 1500nmm의 파장 대역, 1540nm 내지 1560nm의 파장 대역 또는 1575nm 내지 1580nm의 파장 대역 중 선택된 하나 또는 둘의 파장 대역의 광 신호를 선택적으로 통과시키는 WDM 광학 필터인 것을 특징으로 할 수 있다.Wherein the shielding layer has a wavelength band of 1260 nm to 1360 nm, a wavelength band of 1480 nm to 1500 nm, a wavelength band of 1540 nm to 1560 nm, or a wavelength band of 1575 nm to 1580 nm, Band optical signal to be transmitted through the WDM optical filter.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 TO-캔 내부에 수용되고, 상기 증폭 영역으로 입력되는 광 신호 및 상기 증폭 영역에서 증폭되어 출력되는 광 신호의 일부를 분배하는 2x2 탭 커플러 및 상기 TO-캔 내부에 수용되고, 상기 2x2 탭 커플러에 의해 분배되는 상기 증폭 영역으로 입력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있는 제1 포토다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.A 2x2 tap coupler accommodated in the TO-can, for distributing a part of an optical signal input to the amplification region and an optical signal amplified and output in the amplification region, And a first photodiode which is accommodated in the TO-can and is capable of measuring the optical power of an optical signal input to the amplification region divided by the 2x2 tap coupler.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 TO-캔 내부에 수용되고, 상기 2x2 탭 커플러에 의해 분배되는 상기 증폭 영역에서 출력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있는 제2 포토다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.A second photodiode accommodated in the TO-can and capable of measuring optical power of an optical signal output from the amplification region divided by the 2x2 tap coupler, And further comprising

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 상기 TO-캔 내부에 수용되고, 1260nm 내지 1360nm의 파장 대역, 1480nm 내지 1500nmm의 파장 대역, 1540nm 내지 1560nm의 파장 대역 또는 1575nm 내지 1580nm의 파장 대역 중 선택된 하나 또는 둘의 파장 대역의 광 신호를 선택적으로 통과시키는 WDM 광학 필터를 더 포함할 수 있다.The semiconductor optical amplifier package according to the present invention is a semiconductor optical amplifier package including a reflective semiconductor optical amplifier package and a reflective semiconductor optical amplifier package. And may further include a WDM optical filter that selectively passes optical signals of one or two wavelength bands.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 3개의 단자를 구비하고, 상기 3개의 단자 중 2개의 단자는 수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network)의 OLT(Optical Line Termination)측 및 ONU(Optical Netword Unit)측에 각각 연결되고, 상기 3개의 단자 중 나머지 1개의 단자는 상기 증폭 영역에 상기 수동형 광 네트워크의 상향 또는 하향 중 선택된 일 방향의 광 신호를 전달하고, 상기 증폭 영역으로부터 증폭되어 출력된 광 신호를 상기 일 방향의 광 신호로 상기 수동형 광 네트워크에 전달하는 것을 특징으로 하는 광 서큘레이터를 더 포함할 수 있다.Wherein one of the three terminals is connected to an optical line termination (OLT) side of a passive optical network (PON) and an optical line termination (ONU) side of a passive optical network And the other one of the three terminals transmits an optical signal in one direction selected from the up or down direction of the passive optical network to the amplification region, And transmits the optical signal to the passive optical network as the one-directional optical signal.

상기 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 측면으로서, 4개의 단자를 구비하고, 상기 4개의 단자 중 2개의 단자는 수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network)의 OLT(Optical Line Termination)측 및 ONU(Optical Netword Unit)측에 각각 연결되고, 상기 4개의 단자 중 나머지 2개의 단자 중 하나는 상기 증폭 영역에 상기 수동형 광 네트워크의 상향 또는 하향 중 선택된 일 방향의 광 신호를 전달하고, 상기 증폭 영역으로부터 증폭되어 출력된 광 신호를 상기 일 방향의 광 신호로 상기 수동형 광 네트워크에 전달하는 것을 특징으로 하는 광 서큘레이터를 더 포함할 수 있다.Wherein one of the four terminals is connected to an optical line termination (OLT) side of a passive optical network (PON) and an optical line termination (ONU) side of a passive optical network (PON) And one of the two terminals of the four terminals transmits an optical signal in one direction selected from the up or down direction of the passive optical network to the amplification region and is amplified from the amplification region, And transmits the output optical signal to the passive optical network as the one-direction optical signal.

본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지는 수동형 광 네트워크의 다양한 상황에서 사용될 수 있고, 소형이고 설치가 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다.The reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention can be used in various situations of a passive optical network, and is small, easy to install, and low in cost.

도 1은 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 단면도.
도 2는 상기 도 1의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 투시 사시도.
도 3은 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 실시예의 동작 상태를 설명하기 위한 블록도.
도 4는 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 다른 일 실시예의 동작 상태를 설명하기 위한 블록도.1 is a cross-sectional view of a reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention;
FIG. 2 is a perspective view of the reflective semiconductor optical amplifier package of FIG. 1; FIG.
3 is a block diagram for explaining an operation state of an embodiment of a reflection type semiconductor optical amplifier package according to the present invention;
4 is a block diagram for explaining an operation state of another embodiment of the reflection type semiconductor optical amplifier package of the present invention.

본 발명은 반사형 반도체 광 증폭기 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective semiconductor optical amplifier package.

더욱 구체적으로, 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지는 반사형 반도체 광 증폭기와 상기 광 증폭기가 실장되고 수용되는 패키지에 관한 것이다.More specifically, the reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention relates to a reflective semiconductor optical amplifier and a package in which the optical amplifier is mounted and accommodated.

이하, 첨부한 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 바람직한 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the reflection type semiconductor optical amplifier package of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 attached hereto.

도 1은 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 단면도이고, 도 2는 상기 도 1의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 투시 사시도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of the reflective semiconductor optical amplifier package of FIG. 1.

본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지는 베이스 기판, TEC소자, 반사형 반도체 광 증폭기, TO-캔, 차폐층, 리드선, 탭 커플러 및 포토다이오드를 포함한다.The reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention includes a base substrate, a TEC element, a reflective semiconductor optical amplifier, a TO-can, a shield layer, a lead wire, a tap coupler, and a photodiode.

베이스 기판은 상면과 상기 상면에 대향하는 하면을 가진다. 베이스 기판의 상면에는 후술할 TEC소자 또는 반사형 반도체 광 증폭기 등이 실장될 수 있도록 도전성 패턴 단자가 형성될 수 있다. 베이스 기판의 하면에는 후술할 방열 부재 또는 리드선 등이 결합할 수 있도록 단자 등이 형성될 수 있다.The base substrate has an upper surface and a lower surface opposed to the upper surface. A conductive pattern terminal may be formed on the upper surface of the base substrate so that a TEC element or a reflective semiconductor optical amplifier to be described later can be mounted. A terminal or the like may be formed on a lower surface of the base substrate so that a heat dissipating member or a lead wire to be described later can be coupled.

베이스 기판은 베이스 기판의 상면과 하면을 관통하는 비아홀을 구비할 수 있다. 비아홀은 일단은 베이스 기판의 상면에 형성된 개구부이고, 타단은 베이스 기판의 하면에 형성된 개구부니다. 비아홀은 베이스 기판의 내부에서 베이스 기판의 상면 또는 하면과 수직인 방향으로 형성될 수도 있고, 비스듬한 방향 또는 절곡된 형태로 형성될 수도 있다. 비아홀의 일단은 후술할 베이스 기판의 상면에 형성되는 TEC소자와 연통된다. 비아홀의 타다은 후술할 베이스 기판의 하면에 형성되는 방열 부재와 연통된다. 비아홀의 내측면은 열 전도성이 높은 금속성의 재질로 코팅될 수 있다. 비아홀을 통해 베이스 기판 상면과 TO-캔에 의해 정의되는 TO-캔 내부의 열이 외부로 효과적으로 방열될 수 있다. The base substrate may include a via hole penetrating the upper surface and the lower surface of the base substrate. One end of the via hole is an opening formed in the upper surface of the base substrate, and the other end is an opening formed in the lower surface of the base substrate. The via hole may be formed in a direction perpendicular to the upper surface or the lower surface of the base substrate in the base substrate, or may be formed in an oblique direction or a bent shape. One end of the via hole is in communication with a TEC element formed on the upper surface of the base substrate to be described later. The via hole is in communication with the heat radiation member formed on the lower surface of the base substrate to be described later. The inner surface of the via hole can be coated with a metal material having high thermal conductivity. Through the via hole, heat inside the TO-can defined by the top surface of the base substrate and the TO-can can be effectively dissipated to the outside.

베이스 기판의 하면에는 방열을 위한 방열 부재가 형성될 수 있다. 방열 부재는 상술할 비아홀을 통해 TEC소자와 연통될 수 있다. 또한 방열 부재는 후술할 리드선의 일단과 결합되어 본 발명의 패키지가 실장되는 기판으로 열을 방출할 수도 있다.
A heat dissipating member for dissipating heat may be formed on a lower surface of the base substrate. The heat dissipating member can communicate with the TEC element via the above-described via hole. The heat dissipating member may be coupled to one end of a lead wire to be described later to discharge heat to the substrate on which the package of the present invention is mounted.

TO-캔은 베이스 기판의 상면 상에 결합되어 내부 공간을 형성된다. 상기 내부 공간에 TEC소자 및 반사형 반도체 광 증폭기가 수용된다. TO-캔은 베이스 기판의 상면과 대향되는 상부면, 상기 상부면으로부터 연장되어 베이스 기판의 상면에 수직으로 형성되는 측벽부 및 상기 상기 측벽부의 하단으로부터 연장되어 베이스 기판의 상면에 평행한 방향으로 절곡되며 연장되는 결합부를 포함한다.The TO-can is joined on the upper surface of the base substrate to form an inner space. And a TEC element and a reflection type semiconductor optical amplifier are accommodated in the inner space. The TO-can includes an upper surface opposed to an upper surface of the base substrate, a side wall portion extending from the upper surface and formed vertically to the upper surface of the base substrate, and a bent portion extending from the lower end of the side wall portion in a direction parallel to the upper surface of the base substrate And a coupling portion extending from the coupling portion.

TO-캔의 상부면에는 광 신호의 입출력을 위한 개구부가 구비된다. 개구부는 상부면의 중앙부에 형성되는 것이 바람직하다. 개구부를 통해서 후술할 반사형 반도체 광 증폭기의 증폭 영역에 광 신호가 입력되거나, 증폭 영역에서 증폭된 출력 신호가 출력된다.An opening for inputting and outputting an optical signal is provided on the top surface of the TO-can. The opening is preferably formed at the center of the upper surface. An optical signal is inputted to an amplification region of a reflection type semiconductor optical amplifier to be described later through an opening or an amplified output signal is outputted from an amplification region.

차폐층은 개구부를 차폐한다. 차폐층은 TO-캔의 상부면의 내측에 결합될 수 있다. 다른 형태로, 차폐층이 TO-캔의 상부면의 개구부 내측에 삽입되거나, 상부면의 외측에 결합되는 것도 가능하다. 차폐층은 증폭 영역에서 증폭되는 광 신호를 통과시킨다. The shielding layer shields the opening. The shielding layer may be coupled to the inside of the top surface of the TO-can. Alternatively, the shielding layer may be inserted inside the opening of the upper surface of the TO-can, or may be coupled to the outside of the upper surface. The shielding layer passes the amplified optical signal in the amplification region.

차폐층은 광 신호를 파장에 따라 선택적으로 통과시키는 광학 필터일 수 있다. 더욱 구체적으로 차폐층은 1260nm 내지 1360nm의 파장 대역, 1480nm 내지 1500nmm의 파장 대역, 1540nm 내지 1560nm의 파장 대역 또는 1575nm 내지 1580nm의 파장 대역 중 선택된 하나 또는 둘의 파장 대역의 광 신호를 선택적으로 통과시키는 WDM 광학 필터일 수 있다. 통과 대역의 파장을 가진 광 신호는 차폐층을 통과하여 증폭 영역으로 입력되고, 차단 대역의 파장을 가진 광 신호는 차폐층에서 반사된다.The shielding layer may be an optical filter that selectively passes the optical signal according to the wavelength. More specifically, the shielding layer is made of a WDM material which selectively passes an optical signal of one or two wavelength bands selected from a wavelength band of 1260 nm to 1360 nm, a wavelength band of 1480 nm to 1500 nm, a wavelength band of 1540 nm to 1560 nm or a wavelength band of 1575 nm to 1580 nm Optical filter. An optical signal having the wavelength of the pass band is input to the amplification region through the shielding layer, and the optical signal having the wavelength of the cutoff band is reflected from the shielding layer.

TO-캔의 결합부는 하면이 베이스 기판의 상면과 맞닿으며 결합한다. 결합부의 종단부는 베이스 기판의 상면의 종단부와 일정한 간격을 가지고 상기 베이스 기판의 상면과 결합한다. 0.2mm 내지 0.4mm의 간격을 가지고 결합하는 것이 바람직하다. 결합부의 종단부 및 베이스 기판의 상면은 레이저 웰딩 방식으로 결합될 수 있다. 레이저 웨딩 방식의 결합은 작은 소자의 결합에 용이하고, 정밀도가 높아 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 패키지 공정에 적절하다.
The engaging portion of the TO-can engages with the upper surface of the base substrate. The terminating portion of the coupling portion is spaced apart from the terminating portion of the upper surface of the base substrate and engages with the upper surface of the base substrate. It is preferable that they are bonded with an interval of 0.2 mm to 0.4 mm. The termination of the coupling portion and the upper surface of the base substrate may be coupled by laser welding. The combination of the laser wedding method is easy to combine the small elements and has high precision, and is suitable for the packaging process of the reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention.

TO-캔과 베이스 기판에 의해 형성되는 내부 공간에 TEC소자 및 반사형 반도체 광 증폭기가 수용된다.A TEC element and a reflection type semiconductor optical amplifier are accommodated in an inner space formed by the TO-can and the base substrate.

TEC소자는 베이스 기판의 상면 상에 형성된다. TEC소자는 방열성이 높아 TEC소자의 상부측에 결합되는 반사형 반도체 광 증폭기에서 발생하는 열을 수용되어 상술한 비아홀을 통해 외부로 방열한다.A TEC element is formed on the upper surface of the base substrate. The TEC element has high heat dissipation capability and receives heat generated from the reflection type semiconductor optical amplifier coupled to the upper side of the TEC element and radiates heat to the outside through the above-described via hole.

반사형 반도체 광 증폭기는 TEC소자의 상부측에 결합된다. 반사형 반도체 광 증폭기는 증폭 영역, 무반사 코팅면 및 반사 코팅면을 포함한다.The reflective semiconductor optical amplifier is coupled to the upper side of the TEC element. The reflective semiconductor optical amplifier includes an amplification region, an anti-reflection coating surface, and a reflection coating surface.

증폭 영역은 다수의 물질층으로 형성되어 입력된 광 신호를 증폭시킨다. 증폭 영역은 증폭시키려는 광 신호의 파장 대역에 따라 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 증폭 영역은 인듐갈륨아세나이드포스파이드(InGaAsP), 인듐알루미늄아세나이드(InAlAs), 알루미늄아세나이드포스파이드(AlAsP), 인듐갈륨알루미늄아세나이드(InGaAlAs), 인듐알루미늄아세나이드포스파이드(InAlAsP) 및 인듐갈륨나이트라이드아세나이드(InGaNAs) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 반사형 반도체 광 증폭기는 증폭 영역에 전류를 공급하는 전류 공급부를 추가적으로 포함할 수 있다.The amplification region is formed of a plurality of material layers to amplify the input optical signal. The amplification region may be formed of different materials depending on the wavelength band of the optical signal to be amplified. The amplification region is composed of indium gallium arsenide phosphide (InGaAsP), indium aluminum arsenide (InAlAs), aluminum arsenide phosphide (AlAsP), indium gallium aluminum arsenide (InGaAlAs), indium aluminum arsenide phosphide (InAlAsP) Gallium arsenide gallium arsenide (InGaNAs) may be formed. The reflection type semiconductor optical amplifier may further include a current supply part for supplying current to the amplification area.

무반사 코팅면은 증폭 영역의 일단에 형성된다. 더욱 구체적으로 무반사 코팅면은 증폭 영역의 상면, 즉, TO-캔의 개구부에 가까운 방향에 형성된다. 무반사 코팅면은 증폭 영역으로 광 신호를 투과시킨다.The non-reflective coating surface is formed at one end of the amplification area. More specifically, the anti-reflective coating surface is formed on the upper surface of the amplification area, that is, in the direction close to the opening of the TO-can. The non-reflective coated surface transmits the optical signal to the amplification area.

반사 코팅면은 증폭 영역의 타단에 형성된다. 반사 코팅면은 증폭 영역을 통과한 광 신호를 반사시킨다.
The reflection coated surface is formed at the other end of the amplification area. The reflective coated surface reflects the optical signal passing through the amplification area.

리드선은 베이스 기판의 타면에 결합된다. 리드선은 상기 반사형 반도체 광 증폭기를 제어하기 위한 신호를 제어부에 전송하거나 반사형 반도체 광 증폭기에 입력할 수 있다. 또한 리드선은 상술한 방열 부재와 결합되어 본 발명의 패키지가 실장되는 기판으로 열을 방출할 수 있다.
The lead wire is coupled to the other surface of the base substrate. The lead wire can transmit a signal for controlling the reflection type semiconductor optical amplifier to the control unit or input to the reflection type semiconductor optical amplifier. Further, the lead wire may be coupled to the heat dissipating member described above to discharge heat to the substrate on which the package of the present invention is mounted.

탭 커플러는 TO-캔 내부에 실장된다. 더욱 구체적으로 탭 커플러는 TO-캔의 개구부와 반사형 반도체 광 증폭기의 무반사 코팅면 사이에 배치되는 것이 바람직하다. 탭 커플러는 증폭 영역에 입력되는 신호 또는 증폭 영역에서 증폭된 출력 신호 중 하나 또는 둘 모두를 일정 비율로 분배할 수 있다.The tap coupler is mounted inside the TO-can. More specifically, the tap coupler is preferably disposed between the opening of the TO-can and the non-reflective coating surface of the reflective semiconductor optical amplifier. The tap coupler can distribute one or both of the signal input to the amplification region or the amplified output signal in the amplification region at a predetermined ratio.

본 발명의 바람직한 실시예로서, 탭 커플러는 입력 신호 및 출력 신호를 둘 다 증폭할 수 있는 2x2 탭 커플러일 수 있다. 상기 2x2 탭 커플러는 1% 내지 10%의 분배 비율을 가질 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, the tap coupler may be a 2x2 tap coupler capable of amplifying both the input signal and the output signal. The 2x2 tap coupler may have a distribution ratio of 1% to 10%.

포토다이오드는 TO-캔에 수용되어, 상기 탭 커플러에서 분배한 광 신호의 광 파워를 측정한다. 제1 포토다이오드는 2x2 탭 커플러에 의해 분배되는 증폭 영역으로 입력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있다. 제2 포토다이오드는 상기 2x2 탭 커플러에 의해 분배되는 증폭 영역에서 출력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있다. 제1 포토다이오드 및 제2 포토다이오드에서 측정한 광 파워는 리드선을 통해 제어부에서 시간 지연(time transient)를 위해 사용될 수 있다. 또한, 반도체 광 증폭기의 이득 등을 제어하는데 사용될 수 있다.
The photodiode is housed in the TO-can, and measures the optical power of the optical signal distributed in the tap coupler. The first photodiode can measure the optical power of the optical signal input to the amplification region divided by the 2x2 tap coupler. And the second photodiode can measure the optical power of the optical signal output from the amplification region divided by the 2x2 tap coupler. The optical power measured in the first photodiode and the second photodiode can be used for time transient in the control unit through the lead wire. It can also be used to control the gain and the like of the semiconductor optical amplifier.

본 발명의 추가적인 실시예는 상술한 차폐층과는 별도로 WDM 광학 필터를 더 포함한다. WDM 광학 필터는 TO-캔 내부에 수용되고, 1260nm 내지 1360nm의 파장 대역, 1480nm 내지 1500nmm의 파장 대역, 1540nm 내지 1560nm의 파장 대역 또는 1575nm 내지 1580nm의 파장 대역 중 선택된 하나 또는 둘의 파장 대역의 광 신호를 선택적으로 통과시키다.
A further embodiment of the invention further comprises a WDM optical filter separate from the shielding layer described above. The WDM optical filter is accommodated in the TO-can and has a wavelength band of 1260 nm to 1360 nm, a wavelength band of 1480 nm to 1500 nm, a wavelength band of 1540 nm to 1560 nm, or a wavelength band of 1575 nm to 1580 nm Lt; / RTI >

이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 추가적인 실시예에 대해서 설명하도록 한다. 본 발명의 다른 추가적인 실시예는 광 서큘레이터를 더 포함한다. 광 서큘레이터는 수동형 광 네트워크의 OLT(Optical Line Termination)측 및 ONU(Optical Netword Unit)측에 각각 연결되어, 수동형 광 네트워크의 전송 신호를 반사형 반도체 광 증폭기에 입력하도록 전달하고, 증폭된 광 신호를 다시 수동형 광 네트워크의 전송 선로로 전달한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Another further embodiment of the present invention further comprises an optical circulator. The optical circulator is connected to the OLT (Optical Line Termination) side and the ONU (Optical Network Unit) side of the passive optical network, and transmits the transmission signal of the passive optical network to the reflection type semiconductor optical amplifier, To the transmission line of the passive optical network.

도 3은 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 일 실시예의 동작 상태를 설명하기 위한 블록도이다.3 is a block diagram for explaining an operational state of an embodiment of the reflective semiconductor optical amplifier package of the present invention.

더욱 구체적으로, 본 발명의 일 실시예의 광 서큘레이터는 3개의 단자를 구비한다. 3개의 단자 중 2개의 단자는 수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network)의 OLT(Optical Line Termination)측 및 ONU(Optical Netword Unit)측에 각각 연결된다. 통상적으로 OLT는 중앙 국사(CO ; Central Office)에 위치하고, ONU는 가입자단의 댁내에 위치한다. 상기 3개의 단자 중 나머지 1개의 단자는 증폭 영역에 수동형 광 네트워크의 상향 또는 하향 중 선택된 일 방향의 광 신호를 전달하고, 증폭 영역으로부터 증폭되어 출력된 광 신호를 상기 일 방향의 광 신호로 수동형 광 네트워크에 전달한다.More specifically, the optical circulator of one embodiment of the present invention has three terminals. Two of the three terminals are connected to the OLT (Optical Line Termination) side and the ONU (Optical Network Unit) side of a passive optical network (PON). Typically, the OLT is located in a central office (CO) and the ONU is located at the premises of a subscriber. The other one of the three terminals transmits an optical signal in one direction selected from the upstream or the downstream direction of the passive optical network to the amplification region and outputs the optical signal amplified and outputted from the amplification region to the passive optical signal To the network.

이하, 첨부한 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 일 실시예에 대해서 설명한다. 본 발명의 다른 일 실시예의 광 서큘레이터는 4개의 단자를 구비한다. 도 4는 본 발명의 반사형 반도체 광 증폭기 패키지의 다른 일 실시예의 동작 상태를 설명하기 위한 블록도이다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 attached hereto. The optical circulator of another embodiment of the present invention has four terminals. 4 is a block diagram for explaining an operation state of another embodiment of the reflection type semiconductor optical amplifier package of the present invention.

4개의 단자를 구비하고, 상기 4개의 단자 중 2개의 단자는 수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network)의 OLT(Optical Line Termination)측 및 ONU(Optical Netword Unit)측에 각각 연결된다. 상기 4개의 단자 중 나머지 2개의 단자 중 하나는 증폭 영역에 상기 수동형 광 네트워크의 상향 또는 하향 중 선택된 일 방향의 광 신호를 전달하고, 증폭 영역으로부터 증폭되어 출력된 광 신호를 상기 일 방향의 광 신호로 상기 수동형 광 네트워크에 전달한다. 나머지 2개의 단자 중 남은 하나의 단자는 다른 반사형 반도체 광 증폭기 패키지에 연결된다. 반사형 반도체 광 증폭기 패키지는 상기 상향 또는 하향 중 다른 타 방향의 광 신호를 전달받아 증폭한다.
And four of the four terminals are connected to an OLT (Optical Line Termination) side and an ONU (Optical Network Unit) side of a passive optical network (PON), respectively. One of the two terminals of the four terminals transmits an optical signal in one direction selected from the upward or downward direction of the passive optical network to the amplification region and outputs the amplified optical signal from the amplification region to the one- To the passive optical network. The remaining one of the remaining two terminals is connected to another reflective semiconductor optical amplifier package. The reflection type semiconductor optical amplifier package receives and amplifies optical signals in the other direction of the upward or downward direction.

100 : 베이스 기판 150 : 비아홀
170 : 방열 부재 200 : TEC 소자
310 : 증폭 영역 330 : 무반사 코팅면
350 : 반사 코팅면 400 : TO-캔
410 : 상부면 411 : 개구부
430 : 측벽부 450 : 결합부
451 : 결합부의 하면 500 : 차폐층
600 : 리드선 700 : 탭 커플러
710 : 제1 포토다이오드 800 : 광 서큘레이터 100: base substrate 150: via hole
170: Heat dissipating member 200: TEC element
310: Amplification area 330: Non-reflective coating surface
350: reflective coated surface 400: TO-can
410: upper surface 411: opening
430: side wall part 450:
451: lower surface of the coupling portion 500: shielding layer
600: lead wire 700: tap coupler
710: first photodiode 800: optical circulator

Claims (12)

상면과 상기 상면에 대향하는 하면을 가지는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 상면 상에 형성되는 방열용 TEC소자;
상기 TEC소자의 상부측에 결합되는 반사형 반도체 광 증폭기;
상기 베이스 기판의 상면 상에 결합되어 상기 TEC소자 및 상기 반사형 반도체 광 증폭기를 수용하고, 상부면에 광 신호의 입출력을 위한 개구부를 구비하는 TO-캔;
상기 개구부를 차폐하고 상기 증폭 영역에서 증폭되는 광 신호를 통과시키는 차폐층; 및
상기 베이스 기판의 타면에 결합된 다수 개의 리드선을 포함하되,
상기 반도체 광 증폭기는 다수의 물질층으로 형성되어 입력된 광 신호를 증폭시키는 증폭 영역, 상기 증폭 영역의 일단에 형성되고 상기 증폭 영역으로 광 신호를 투과시키는 무반사 코팅면 및 상기 증폭 영역의 타단에 형성되고 상기 증폭 영역을 통과한 광 신호를 반사시키는 반사 코팅면을 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
A base substrate having an upper surface and a lower surface facing the upper surface;
A heat dissipation TEC element formed on an upper surface of the base substrate;
A reflective semiconductor optical amplifier coupled to an upper side of the TEC element;
A TO-can coupled to an upper surface of the base substrate to receive the TEC element and the reflective semiconductor optical amplifier, and having an opening for inputting / outputting an optical signal on an upper surface thereof;
A shielding layer shielding the opening and allowing an optical signal amplified in the amplification region to pass therethrough; And
And a plurality of lead wires coupled to the other surface of the base substrate,
The semiconductor optical amplifier includes an amplification region formed of a plurality of material layers to amplify an input optical signal, an anti-reflection coating formed at one end of the amplification region and transmitting an optical signal to the amplification region, And a reflective coated surface that reflects the optical signal passing through the amplification region.
제1 항에 있어서,
상기 TO-캔은,
상기 베이스 기판의 상면에 수직으로 형성되는 측벽부; 및
상기 측벽부의 하단으로부터 연장되어 상기 베이스 기판의 상면에 평행한 방향으로 절곡되며 연장되며, 하면이 상기 베이스 기판의 상면과 맞닿으며 결합하는 결합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
The method according to claim 1,
The TO-
A sidewall portion formed perpendicularly to an upper surface of the base substrate; And
And a coupling portion extending from a lower end of the side wall portion and bent and extending in a direction parallel to an upper surface of the base substrate, the lower surface of the coupling portion contacting and contacting the upper surface of the base substrate.
제2 항에 있어서,
상기 결합부의 종단부는 상기 베이스 기판의 상면의 종단부와 0.2mm 내지 0.4mm의 간격을 가지고 상기 베이스 기판의 상면과 결합하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
3. The method of claim 2,
And the terminating portion of the coupling portion is engaged with the upper surface of the base substrate with an interval of 0.2 mm to 0.4 mm from the terminating portion of the upper surface of the base substrate.
제2 항에 있어서,
상기 결합부의 종단부 및 상기 베이스 기판의 상면은 레이저 웰딩 방식으로 결합되는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
3. The method of claim 2,
And a terminating portion of the coupling portion and an upper surface of the base substrate are coupled by a laser welding method.
제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 상기 베이스 기판의 상면과 하면을 관통하는 비아홀을 더 구비하고,
상기 비아홀의 일단은 상기 TEC소자와 연통하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
The method according to claim 1,
The base substrate may further include a via hole penetrating the upper surface and the lower surface of the base substrate,
And one end of the via hole communicates with the TEC element.
제5 항에 있어서,
상기 베이스 기판의 하면에 결합되고, 상기 비아홀의 타단과 연통되는 방열부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
6. The method of claim 5,
Further comprising a heat dissipating member coupled to a lower surface of the base substrate and communicating with the other end of the via hole.
제1 항에 있어서,
상기 차폐층은 1260nm 내지 1360nm의 파장 대역, 1480nm 내지 1500nmm의 파장 대역, 1540nm 내지 1560nm의 파장 대역 또는 1575nm 내지 1580nm의 파장 대역 중 선택된 하나 또는 둘의 파장 대역의 광 신호를 선택적으로 통과시키는 WDM 광학 필터인 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
The method according to claim 1,
The shielding layer is a WDM optical filter for selectively passing an optical signal in one or two wavelength bands selected from a wavelength band of 1260 nm to 1360 nm, a wavelength band of 1480 nm to 1500 nm, a wavelength band of 1540 nm to 1560 nm or a wavelength band of 1575 nm to 1580 nm And the reflection type semiconductor optical amplifier package.
제1 항에 있어서,
상기 TO-캔 내부에 수용되고, 상기 증폭 영역으로 입력되는 광 신호 및 상기 증폭 영역에서 증폭되어 출력되는 광 신호의 일부를 분배하는 2x2 탭 커플러; 및
상기 TO-캔 내부에 수용되고, 상기 2x2 탭 커플러에 의해 분배되는 상기 증폭 영역으로 입력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있는 제1 포토다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
The method according to claim 1,
A 2x2 tap coupler accommodated in the TO-can, for distributing a part of the optical signal input to the amplification region and the optical signal amplified and output in the amplification region; And
And a first photodiode which is accommodated in the TO-can and is capable of measuring optical power of an optical signal input to the amplification region divided by the 2x2 tap coupler, package.
제8 항에 있어서,
상기 TO-캔 내부에 수용되고, 상기 2x2 탭 커플러에 의해 분배되는 상기 증폭 영역에서 출력되는 광 신호의 광 파워를 측정할 수 있는 제2 포토다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
9. The method of claim 8,
And a second photodiode which is accommodated in the TO-can and is capable of measuring the optical power of an optical signal output from the amplification region divided by the 2x2 tap coupler, package.
제1 항에 있어서,
상기 TO-캔 내부에 수용되고, 1260nm 내지 1360nm의 파장 대역, 1480nm 내지 1500nmm의 파장 대역, 1540nm 내지 1560nm의 파장 대역 또는 1575nm 내지 1580nm의 파장 대역 중 선택된 하나 또는 둘의 파장 대역의 광 신호를 선택적으로 통과시키는 WDM 광학 필터를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
The method according to claim 1,
The optical signal received in the TO-can and having a wavelength band of 1260 nm to 1360 nm, a wavelength band of 1480 nm to 1500 nm, a wavelength band of 1540 nm to 1560 nm, or a wavelength band of 1575 nm to 1580 nm, And a WDM optical filter for passing the WDM optical filter therethrough.
제1 항에 있어서,
3개의 단자를 구비하고, 상기 3개의 단자 중 2개의 단자는 수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network)의 OLT(Optical Line Termination)측 및 ONU(Optical Netword Unit)측에 각각 연결되고, 상기 3개의 단자 중 나머지 1개의 단자는 상기 증폭 영역에 상기 수동형 광 네트워크의 상향 또는 하향 중 선택된 일 방향의 광 신호를 전달하고, 상기 증폭 영역으로부터 증폭되어 출력된 광 신호를 상기 일 방향의 광 신호로 상기 수동형 광 네트워크에 전달하는 것을 특징으로 하는 광 서큘레이터를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.
The method according to claim 1,
Two of the three terminals are connected to an optical line termination (OLT) side and an optical network unit (ONU) side of a passive optical network (PON), respectively, and the three terminals One of the terminals transmits an optical signal in one direction selected from the upstream or downstream direction of the passive optical network to the amplification region and outputs the amplified optical signal from the amplification region to the one- And transmitting the optical signal to an optical network.
제1 항에 있어서,
4개의 단자를 구비하고, 상기 4개의 단자 중 2개의 단자는 수동형 광 네트워크(PON ; Passive Optical Network)의 OLT(Optical Line Termination)측 및 ONU(Optical Netword Unit)측에 각각 연결되고, 상기 4개의 단자 중 나머지 2개의 단자 중 하나는 상기 증폭 영역에 상기 수동형 광 네트워크의 상향 또는 하향 중 선택된 일 방향의 광 신호를 전달하고, 상기 증폭 영역으로부터 증폭되어 출력된 광 신호를 상기 일 방향의 광 신호로 상기 수동형 광 네트워크에 전달하는 것을 특징으로 하는 광 서큘레이터를 더 포함하는 반사형 반도체 광 증폭기 패키지.


The method according to claim 1,
Two of the four terminals are connected to an optical line termination (OLT) side and an optical network unit (ONU) side of a passive optical network (PON), respectively, One of the remaining two terminals transmits an optical signal in one direction selected from the up or down direction of the passive optical network to the amplification region and outputs the amplified optical signal from the amplification region to the one direction optical signal And transmits the optical signal to the passive optical network.


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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240030529A (en) 2022-08-31 2024-03-07 한국로봇융합연구원 Robot-based foreign material sorting and panning automated process equipment for frozen oyster production

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050013384A (en) * 2003-07-28 2005-02-04 삼성전자주식회사 Wavelength_division_multiplexed passive optical network using multi_wavelength lasing source and reflective optical amplifier
KR100783753B1 (en) * 2005-06-01 2007-12-10 주식회사 피엔에스 Optical bi-directional transceiver module
KR100958661B1 (en) * 2006-12-05 2010-05-20 한국전자통신연구원 Planar lightwave circuit(PLC) device, wavelength tunable light source comprising the same device and wavelength division multiplexing-passive optical network(WDM-PON) using the same light source
KR20130041835A (en) * 2010-06-30 2013-04-25 알까뗄 루슨트 Reflective semiconductor optical amplifier for optical networks

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050013384A (en) * 2003-07-28 2005-02-04 삼성전자주식회사 Wavelength_division_multiplexed passive optical network using multi_wavelength lasing source and reflective optical amplifier
KR100783753B1 (en) * 2005-06-01 2007-12-10 주식회사 피엔에스 Optical bi-directional transceiver module
KR100958661B1 (en) * 2006-12-05 2010-05-20 한국전자통신연구원 Planar lightwave circuit(PLC) device, wavelength tunable light source comprising the same device and wavelength division multiplexing-passive optical network(WDM-PON) using the same light source
KR20130041835A (en) * 2010-06-30 2013-04-25 알까뗄 루슨트 Reflective semiconductor optical amplifier for optical networks

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240030529A (en) 2022-08-31 2024-03-07 한국로봇융합연구원 Robot-based foreign material sorting and panning automated process equipment for frozen oyster production

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