KR20150019796A - 공통 전극을 갖는 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

공통 전극을 갖는 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는, 복수개의 발광셀들; 및 발광셀들을 서로 연결하는 배선들을 포함한다. 배선들 중 적어도 하나는 두 개의 발광셀들에 공통으로 전기적으로 접속하는 공통 캐소드 전극을 포함한다. 공통 캐소드 전극을 채택함으로써, 발광셀에서 방출된 광을 차단하는 광 차단 영역을 줄일 수 있다.

Description

공통 전극을 갖는 발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE HAVING COMMON ELECTRODE}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 공통 전극을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다.
단일의 칩 내에서 복수의 발광셀들을 직렬 연결하여 고전압 하에서 구동가능한 발광 다이오드가 예컨대, 국제공개번호 WO 2004/023LEC8(Al)호에 "발광 성분들을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다.
최근에는, 정해진 칩 크기 내에 복수의 발광셀들을 직렬 연결한 칩들을 패키지 내에서 직렬 연결되도록 실장하고 이 패키지를 브리지 정류기와 함께 사용하여 110V 또는 220V의 가정용 교류 전원에서 구동할 수 있는 발광 소자가 상용화되고 있다. 통상 5개 내지 20개의 발광셀들을 단일 기판 상에서 직렬 연결한 발광 다이오드 칩들을 패키지 내에서 2개 또는 4개 직렬 연결함으로써 상대적으로 높은 전압하에서 구동할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 고전압 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 기판(21), 발광셀들(LEC), 투명 전극층(15), 배선들(17), 제1 전극 패드(19a) 및 제2 전극 패드(19b)를 포함한다.
상기 발광셀들(LEC)은 기판(21) 상에 서로 이격되어 배치되며, 제1 도전형 반도체층(13), 활성층(도시 안됨) 및 제2 도전형 반도체층(14)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 도전형 반도체층(13)은 n형이고, 제2 도전형 반도체층(14)은 p형인 것으로 설명한다. 각 발광셀들(LEC)의 제1 도전형 반도체층들(13)은 서로 이격된다.
투명 전극층(15)은 제2 도전형 반도체층(27) 상에 위치하며, 제2 도전형 반도체층(14)에 오믹 콘택한다.
한편, 배선(17)은 이웃하는 발광셀들(LECs)을 서로 전기적으로 연결한다. 배선(17)은 제1 도전형 반도체층(13)에 접속하는 제1 접속부(17a; 애노드 전극), 제2 도전형 반도체층(14)에 접속하는 제2 접속부(17b; 캐소드 전극) 및 제1 접속부와 제2 접속부를 상호 연결하는 상호 접속부를 포함한다. 제2 접속부(17b)는 투명 전극층(15) 상에서 투명 전극층(15)에 접속할 수 있다.
제1 접속부(17a) 및 제2 접속부(17b)는 각 발광셀(LEC) 내에서 전류의 분산을 돕기 위해 기다란 형상을 가질 수 있다. 한편, 제1 전극 패드(19a) 및 제2 전극 패드(19b)가 각각 직렬 연결된 발광셀들(LEC)의 양단에 배치된다.
종래 기술에 따르면, 복수의 발광셀들(LEC)을 반도체 제조 공정을 이용하여 직렬 연결함으로써 단일 칩으로 고전압하에서 구동할 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 기다란 형상의 제1 접속부(17a) 및 제2 접속부(17b)를 사용하여 발광셀(LEC) 내에서 전류를 분산시킨다.
그러나, 제1 접속부(17a) 및 제2 접속부(17b)를 채택하더라도, 전류는 발광셀(LEC) 내의 특정 영역에서 집중되며, 발광셀(LEC)의 전면에 고르게 분산되지 않는다. 이를 위해서는 제1 접속부(17a) 및 제2 접속부(17b)를 더 많이 형성할 필요가 있다. 그러나, 제1 접속부(17a) 면적이 증가함에 따라 발광 면적이 감소하고, 또한, 제2 접속부(17b)가 증가함에 따라 발광셀(LEC)에서 방출된 광을 더욱 차단하여 발광 효율이 감소한다.
도 2는 종래 기술에 따른 또 다른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 발광 다이오드는, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 기판(21), 발광셀들(LEC), 투명 전극층(15), 배선들(17), 제1 전극 패드(19a) 및 제2 전극 패드(19b)를 포함한다. 다만, 발광셀들(LEC)은 도 1의 발광셀들(LEC)보다 작은 크기를 가진다. 또한, 발광셀들(LEC)이 두 개의 열로 나뉘어져서 직렬 연결된 어레이를 형성함과 아울러, 제1 및 제2 전극 패드들(19a, 19b) 사이에서 두 개의 어레이들이 서로 병렬 연결된다. 상대적으로 작은 발광셀들(LEC)을 서로 병렬 연결함으로써, 전류가 각 발광셀들(LEC)에 고르게 분산될 수 있다.
그러나, 특정 어레이의 저항이 낮은 경우, 저항이 낮은 어레이에 전류가 집중될 수 있다. 또한, 각 발광셀(LEC)에 제1 접속부(17a) 및 제2 접속부(17b)를 형성하기 때문에, 발광 면적이 감소하며, 또한, 광 차단 영역이 증가한다.
국제공개공보 WO 2004/023LEC8(Al)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광셀들 내에 고르게 전류를 분산시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 광 차단 영역을 줄일 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 발광 면적을 증가시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 복수개의 발광셀들; 및 상기 발광셀들을 서로 연결하는 배선들을 포함한다. 또한, 상기 배선들 중 적어도 하나는 두 개의 발광셀들에 공통으로 전기적으로 접속하는 공통 캐소드 전극을 포함한다. 상기 공통 캐소드 전극을 채택함으로써, 발광셀에서 방출된 광을 차단하는 광 차단 영역을 줄일 수 있다.
상기 발광셀들은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 두 개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있다. 이에 따라, 상기 두 개의 발광셀들 사이의 영역은 제1 도전형 반도체층을 분리한 경우에 비해 상대적으로 얕은 깊이를 가지므로, 이들 사이의 영역에 후속 층들을 형성하는 것이 상대적으로 쉬워진다.
상기 발광 다이오드는, 상기 두 개의 발광셀들 상에 연속적으로 위치하는 투명 전극층을 더 포함할 수 있다. 상기 공통 캐소드 전극은 상기 투명 전극층을 통해 상기 두 개의 발광셀들에 전기적으로 접속할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드는, 상기 공통 캐소드 전극 하부에 위치하여 상기 투명 전극층을 상기 두 개의 발광셀들의 측면으로부터 절연시키는 전류 차단층을 더 포함할 수 있다. 전류 차단층은 공통 캐소드 전극 하부뿐만 아니라 다른 캐소드 전극 하부에도 위치하여 전류가 캐소드 전극 아래로 집중되는 것을 방지할 수 있다. 이를 위해, 상기 전류 차단층은 캐소드 전극보다 더 넓은 폭을 가질 수 있다.
전류 차단층은 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있으며, 따라서, 캐소드 전극으로 입사하는 광을 반사시킬 수 있다.
한편, 상기 전류 차단층은 상기 공유된 제1 도전형 반도체층 외부로 연장할 수 있다. 나아가, 상기 투명 전극층은 상기 전류 차단층의 연장부를 덮을 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 배선들 중 적어도 하나는 두 개의 발광셀들에 공통으로 접속하는 공통 애노드 전극을 포함할 수 있다. 공통 애노드 전극을 채택함으로써 발광셀들에 각각 애노드 전극을 형성하는 종래 기술에 비해 발광 면적을 증가시킬 수 있다.
나아가, 상기 배선들 중 적어도 하나는 상기 공통 캐소드 전극, 상기 공통 애노드 전극 및 상기 공통 캐소드 전극 및 상기 공통 애노드 전극을 서로 연결하는 상호 접속부를 포함할 수 있다.
한편, 상기 배선들에 의해 적어도 두 개의 직렬 연결된 발광셀들의 어레이가 형성되고, 상기 적어도 두 개의 직렬 연결된 발광셀들의 어레이가 서로 병렬 연결될 수 있다. 발광셀들을 병렬 연결함으로써, 전류를 분산시킬 수 있다. 나아가, 병렬 연결된 어레이들이 공통 캐소드 전극에 의해 서로 연결됨으로써, 하나의 직렬 어레이에 전류가 집중되는 것을 완화할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는, 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 복수의 발광셀들; 및 상기 복수의 발광셀들 중 두 개의 발광셀들 상에 연속적으로 위치하는 투명 전극층을 포함한다. 이에 따라, 상기 투명 전극층을 이용하여 두 개의 발광셀들에 공통 접속하는 공통 캐소드 전극을 형성할 수 있다.
또한, 상기 두 개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드는, 상기 두 개의 발광셀들 사이에 위치하여 상기 투명 전극층을 상기 두 개의 발광셀들의 측면으로부터 이격시키는 전류 차단층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 공통 캐소드 전극을 채택함으로써 광 차단 영역을 줄일 수 있다. 나아가, 발광셀들의 직렬 어레이들이 서로 병렬 연결된 구조를 갖는 발광 다이오드에 있어서, 상기 공통 캐소드 전극을 채택함으로써, 직렬 어레이들에 전류를 분산시킬 수 있다. 또한, 두 개의 발광셀들 상에 연속적인 투명 전극층을 형성함으로써, 투명 전극층의 접속 면적을 증가시킬 수 있으며, 따라서, 유효 발광 면적을 더욱 증가시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 또 다른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4a 및 4b는 각각 도 3의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 개략적인 단면도들이다.
도 5는 도 3의 발광 다이오드의 개략적인 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 회로도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 4a 및 도 4b는 각각 도 3의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 단면도들이고, 도 5는 도 3의 개략적인 등가회로도이다.
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 발광 다이오드는, 기판(21), 복수의 발광셀들(LEC), 전류 차단층(29), 투명 전극층(31), 절연 보호층(33), 제1 배선들(35), 제2 배선들(37), 제1 전극 패드(39a) 및 제2 전극 패드(39a, 39b)를 포함한다.
기판(21)은 발광셀들(LEC)을 지지하는 기판으로서, 사파이어 기판, 실리콘 기판, GaN 기판 등 질화물 반도체층을 성장시키기 위한 성장기판일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 기판(21)은 통상적으로 발광 다이오드 칩 내의 기판을 의미한다.
상기 기판(21) 상에 복수의 발광셀들(LEC)이 정렬된다. 각 발광셀(LEC)은 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 이하에서, 상기 제1 도전형 반도체층(23)이 n형이고, 제2 도전형 반도체층(27)이 p형인 것으로 설명하지만, 그 반대일 수도 있다. 상기 활성층(25)은 제1 도전형 반도체층(23)과 제2 도전형 반도체층(27) 사이에 위치하며, 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 상기 활성층(25)은 요구되는 발광 파장에 따라 그 물질 및 조성이 선택된다. 예컨대, 상기 활성층(25)은 AlInGaN 계열의 화합물 반도체, 예컨대 InGaN로 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(23, 27)은 상기 활성층(25)에 비해 밴드갭이 큰 AlInGaN 계열의 화합물 반도체, 예컨대 GaN를 포함한다. 한편, 상기 제1 도전형 반도체층(23)과 상기 기판(21) 사이에 버퍼층(도시하지 않음)이 개재될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)은 금속 유기화학 기상 성장법을 이용하여 기판(21) 상에서 성장될 수 있으며, 그 후 사진 및 식각 공정을 이용하여 패터닝될 수 있다.
도 3 및 도 4a에 도시한 바와 같이, 하나의 제1 도전형 반도체층(23) 상에서 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)이 분리될 수 있다. 즉, 두 개의 발광셀들(LEC)이 제1 도전형 반도체층(23)을 공유할 수 있다.
배선들, 제1 배선들(35) 및 제2 배선들(37)이 발광셀들(LEC)을 전기적으로 연결한다. 제1 및 제2 배선들(35)은 서로 다른 제1 도전형 반도체층들(23) 상에 위치하는 발광셀들(LEC)을 서로 직렬 연결한다. 제1 배선들(35)은 하나의 발광셀의 제1 도전형 반도체층(23)을 이웃하는 발광셀(LEC)의 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 연결한다.
제1 배선(35)은 제1 도전형 반도체층(23)에 접속하는 제1 접속부(35a; 애노드 전극), 제2 도전형 반도체층(27) 상에서 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 접속하는 제2 접속부(35b; 캐소드 전극) 및 이들 제1 접속부(35a)와 제2 접속부(35b)를 상호 연결하는 상호 접속부(35c)를 포함한다.
한편, 제2 배선(37)은 제1 도전형 반도체층(23)에 접속하는 제1 접속부(37a; 공통 애노드 전극), 제2 도전현 반도체층(27) 상에서 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 접속하는 제2 접속부(37b; 공통 캐소드 전극) 및 이들 제1 접속부(37a)와 제2 접속부(37b)를 상호 연결하는 상호 접속부(37c)를 포함한다.
공통 애노드 전극(37a)은 두 개의 발광셀들(LEC)에 공통 접속한 애노드 전극으로, 예컨대, 두 개의 발광셀들(LEC)에 공유된 제1 도전형 반도체층에 접속한다. 한편, 공통 캐소드 전극(37b)은 두 개의 발광셀들(LEC)에 공통 접속한 캐소드 전극으로, 예컨대, 공유된 제1 도전형 반도체층(23) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층들(27)에 공통으로 전기적으로 접속한다. 공통 캐소드 전극(37b)은 두 개의 발광셀들(LEC) 사이의 영역 상에 위치한다.
제1 배선(35) 및 제2 배선(37)에 대해 설명하였지만, 이외에도 다양한 배선이 발광셀들(LEC)을 서로 연결할 수 있다. 예를 들면, 도 3에서 첫번째 발광셀과 그것에 이웃하는 두개의 발광셀들을 연결하는 배선과 같이, 하나의 발광셀(LEC)에 접속된 제1 접속부(35a)와 두 개의 발광셀들(LEC)에 공통 접속된 공통 캐소드 전극(37b)이 상호 접속부에 의해 연결될 수 있다. 또한, 공통 애노드 전극(35b)이 두개의 제2 접속부(37b)로 연결될 수도 있으며, 두 개의 제1 접속부들(35a)이 공통 캐소드 전극(37b)으로 연결될 수도 있다.
상기 배선들(35, 37)에 의해 복수의 직렬 어레이들이 형성되며, 이들 어레이들이 서로 병렬 연결된다.
한편, 투명 전극층들(31)은 발광셀들(LEC)의 제2 도전형 반도체층(27)에 접속한다. 일부 투명 전극층들(31)은 각각의 발광셀들 상에 한정되어 위치하나, 다른 일부 투명 전극층들(31)은 두 개의 발광셀들(LEC) 상에 연속적으로 위치할 수 있다.
캐소드 전극들(35b, 37b)은 투명 전극층(31)을 통해 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 접속할 수 있다. 특히, 공통 캐소드 전극(37b)은 두 개의 발광셀들에 연속적으로 위치하는 투명 전극층(31)을 통해 두 개의 발광셀들(LEC)에 동시에 전기적으로 접속할 수 있다.
한편, 전류 차단층(29)은 공통 캐소드 전극(37b) 하부에 위치한다. 전류 차단층(29)은 특히, 투명 전극층(31) 아래에 위치하여 투명 전극층(31)을 발광셀들(LEC)의 측면, 특히 제1 도전형 반도체층(23)으로부터 이격시킨다. 나아가, 전류 차단층(290은 발광셀들(LEC)의 상부 영역 일부를 덮을 수 있다. 또한, 캐소드 전극(35b) 하부에도 전류 차단층(도시하지 않음)이 위치할 수 있다.
전류 차단층(29)은 절연층으로 형성되어 전류가 캐소드 전극들(35b, 37b) 아래에서 집중되는 것을 방지한다. 나아가, 전류 차단층(29)은 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있다. 굴절률이 서로 다른 층들, 예컨대, TiO2/SiO2를 반복 적층함으로써 활성층(25)에서 방출되는 광을 반사시키는 분포 브래그 반사기를 형성할 수 있다. 전류 차단층(29)이 분포 브래그 반사기를 포함함으로써, 활성층(23)에서 생성된 광이 배선들(35, 37)에 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 전류 차단층(29)의 일부는 제1 도전형 반도체층(23) 외부로 연장할 수 있다. 전류 차단층(29)의 연장부 상에 상호 접속부(37c)의 일부가 위치할 수 있으며, 따라서, 상기 연장부는 상호 접속부(37c)로 진행하는 광을 반사시킬 것이다. 한편, 투명 전극층(31)은 연장하여 상기 전류 차단층(29)의 연장부를 덮을 수 있다. 또한, 투명 전극층(31)은 더 연장하여 이웃하는 제1 도전형 반도체층(23)의 일부를 덮을 수도 있다.
한편, 제1 전극 패드(39a) 및 제2 전극 패드(39b)가 직렬 어레이들의 양 단부에 위치한다. 제1 및 제2 전극 패드(39a, 39b) 각각은 직렬 어레이의 양단에 위치하는 발광셀들(LEC) 상에 위치할 수 있다.
한편, 절연 보호층(33)은 상기 배선들(35, 37), 전극 패드들(39a, 39b)이 형성될 영역을 제외하고, 발광 다이오드의 거의 전면을 덮을 수 있다. 절연 보호층(33)은 외부의 습기나 외력으로부터 발광 다이오드를 보호하기 위해 채택될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 전극 패드(39a)와 제2 전극 패드(39b) 사이에 발광셀들(LEC)의 두 개의 직렬 어레이가 형성된다. 도 5에는 제2 전극 패드(39b)가 위치하는 일 단에 하나의 발광셀이 위치하고, 제1 전극 패드(39a)가 위치하는 일 단에 두 개의 발광셀이 위치한다. 그러나, 발광셀들(LEC)의 배열은 이것에 한정되는 것은 아니며, 이들 어레이의 양단에 각각 하나의 발광셀이 위치하거나 두 개의 발광셀들이 위치할 수도 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 도 5에 점선으로 표시한 부분과 같이, 공통 캐소드 전극(37a), 또는 공통 캐소드 전극(37a)을 포함하는 배선(37)이 배치되어 병렬 연결된 어레이를 상호 접속한다. 이에 따라, 공통 캐소드 전극에 접속된 발광셀들은 서로 등전위를 가지며, 따라서, 어느 하나의 어레이에 전류가 집중되는 것을 완화할 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 직렬 어레이 내에 4개의 발광셀들이 정렬된 것을 도시하였으나, 직렬 어레이 내의 발광셀들의 개수는 1개 이상이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들 발광셀들의 개수는 필요에 따라 또는 사용 전압을 고려하여 다양하게 선택될 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 기판(21) 상에 배선들에 의해 두 개의 직렬 어레이들이 형성되고, 이들 두 개의 어레이들이 병렬 연결된 직병렬 구조에 대해 도시 및 설명하였다. 그러나, 기판(21) 상에 형성되는 직렬 어레이들의 개수는 두 개에 한정되지 않으며, 더 많은 직렬 어레이들을 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 회로도로서, 4개의 직렬 어레이들이 형성된 예를 보여준다.
도 6을 참조하면, 발광셀들(LEC)이 배선들에 의해 연결되어 4개의 직렬 어레이들이 형성되며, 이들 어레이들이 제1 전극 패드(39a)와 제2 전극 패드(39b) 사이에서 병렬 연결된다. 직렬 어레이들의 양단에는 직렬 어레이 내의 발광셀들보다 상대적으로 넓은 면적을 갖는 발광셀이 배치될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 제1 전극 패드(19a) 측에는 두개의 발광셀들이 배치되고, 제2 전극 패드(19b) 측에는 하나의 발광셀이 배치되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 개수의 발광셀들이 양측에 배치될 수 있다.
한편, 이웃하는 직렬 어레이들 내의 발광셀들(LEC) 중 일부는 공통 캐소드 전극(37b)에 의해 서로 연결되고, 일부는 공통 애노드 전극(37a)에 의해 서로 연결된다. 또한, 공통 캐소드 전극(37b)과 공통 애노드 전극(37a)을 포함하는 배선(37)이 이웃하는 발광셀들을 서로 연결할 수 있다. 공통 캐소드 전극(37b) 및 공통 애노드 전극(37a)의 위치를 점선으로 표시하였다. 공통 캐소드 전극(37b) 또는 공통 애노드 전극(37b)을 갖는 발광셀들(LEC)은, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(23)을 공유할 수 있다. 나아가, 각 직렬 어레이들 사이에서 서로 이웃하는 발광셀들은 모두 제1 도전형 반도체층(23)을 공유할 수 있다. 예컨대, 본 실시예에 있어서, 각 직렬 어레이 내의 첫째 발광셀들, 둘째 발광셀들 및 셋째 발광셀들이 각각 제1 도전형 반도체층(23)을 공유할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 각 직렬 어레이 내에 3개의 발광셀들이 정렬된 것으로 도시하였으나, 1개 이상이면, 특별히 한정되지 않는다.
앞서 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명하였지만, 이들 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공된 것으로, 본 발명이 이들 실시예들에 한정되도록 하려는 것은 아니다.

Claims (15)

  1. 복수개의 발광셀들; 및
    상기 발광셀들을 서로 연결하는 배선들을 포함하고,
    상기 배선들 중 적어도 하나는 두 개의 발광셀들에 공통으로 전기적으로 접속하는 공통 캐소드 전극을 포함하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 발광셀들은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고,
    상기 두 개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 두 개의 발광셀들 상에 연속적으로 위치하는 투명 전극층을 더 포함하되,
    상기 공통 캐소드 전극은 상기 투명 전극층을 통해 상기 두 개의 발광셀들에 전기적으로 접속하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 공통 캐소드 전극 하부에 위치하여 상기 투명 전극층을 상기 두 개의 발광셀들의 측면으로부터 절연시키는 전류 차단층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 전류 차단층은 상기 공통 캐소드 전극보다 더 넓은 폭을 갖는 발광 다이오드.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 전류 차단층은 분포 브래그 반사기를 포함하는 발광 다이오드.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 전류 차단층은 상기 공유된 제1 도전형 반도체층 외부로 연장하는 발광 다이오드.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 투명 전극층은 상기 전류 차단층의 연장부를 덮는 발광 다이오드.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 배선들 중 적어도 하나는 두 개의 발광셀들에 공통으로 접속하는 공통 애노드 전극을 포함하는 발광 다이오드.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 배선들 중 적어도 하나는 상기 공통 캐소드 전극, 상기 공통 애노드 전극 및 상기 공통 캐소드 전극 및 상기 공통 애노드 전극을 서로 연결하는 상호 접속부를 포함하는 발광 다이오드.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 배선들에 의해 적어도 두 개의 직렬 연결된 발광셀들의 어레이가 형성되고,
    상기 적어도 두 개의 직렬 연결된 발광셀들의 어레이가 서로 병렬 연결된 발광 다이오드.
  12. 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 복수의 발광셀들; 및
    상기 복수의 발광셀들 중 두 개의 발광셀들 상에 연속적으로 위치하는 투명 전극층을 포함하는 발광 다이오드.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 두 개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유하는 발광 다이오드.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 두 개의 발광셀들 사이에 위치하여 상기 투명 전극층을 상기 두 개의 발광셀들의 측면으로부터 이격시키는 전류 차단층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 투명 전극층 상에 위치하는 공통 캐소드 전극을 더 포함하는 발광 다이오드.
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