KR20150002959A - 가요성 표시장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 베이스기판 상부에 금속산화물 또는 금속질화물로 이루어지는 희생층을 형성하는 단계와; 상기 희생층 상부에 가요성기판을 형성하는 단계와; 상기 가요성기판 상부에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 열처리 또는 레이저빔 조사에 의하여 상기 희생층을 금속층으로 환원시키는 단계와; 상기 가요성기판을 상기 금속층 및 베이스기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법을 제공한다.

Description

가요성 표시장치의 제조방법{method of manufacturing Flexible display device}
본 발명은 가요성 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반송기판에서 가요성기판을 분리할 때 가요성기판의 불량을 방지할 수 있는 가요성 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마표시장치(plasma display panel: PDP), 유기발광표시장치(organic light emitting diode: OLED)와 같은 여러 가지 평판표시장치(flat panel display: FPD)가 활용되고 있다.
그리고 최근, 플라스틱과 같이 휘어지는 연성을 갖는 가요성 기판에 박막트랜지스터 등의 어레이소자를 형성하는 가요성 표시장치가 각광받고 있다.
이와 같은 가요성기판은 잘 휘어지는 특징 때문에 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용되기 어려우며, 일례로 트랙(track) 장비나 로봇(robot)에 의한 이송 또는 카세트(cassette)로의 수납이 불가능한 제약이 나타난다.
이를 해결하기 위한 방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 종래의 가요성기판을 도시한 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 베이스기판(10) 상부에 실리콘층(20)이 형성되고, 실리콘층(20) 상부에 가요성기판(30)이 형성된다.
이때, 베이스기판(10)은 유리 또는 석영 재질로 이루어지고, 실리콘층(20)은 비정질실리콘으로 이루어진다.
그리고, 가요성기판(30)은 폴리이미드로 이루어지며, 도시하지 않았지만 가요성기판(30)의 상부에는 박막트랜지스터 등의 소자가 형성된다.
이와 같이 가요성기판(30)을 형성하면, 하부의 베이스기판(10)으로 인해 기존에 사용하던 표시장치용 제조장비를 이용하여 가요성기판(30)에 박막트랜지스터, 화소전극 등의 화상표시를 위한 소자를 형성할 수 있다.
이후, 베이스기판(10)과 가요성기판(30)을 분리하는데, 베이스기판(10)과 가요성기판(30)의 사이에 형성되어 있는 실리콘층(20) 에 레이저빔을 조사하여 실리콘층(20)으로부터 수소를 방출시켜 실리콘층(20)과 가요성기판(30)을 분리한다.
이때, 실리콘층(20)의 일부가 완전히 분리되지 않고 남아 가요성기판(30)에 잔존할 수 있다.
이하 도 2를 참조하여 분리 후 가요성기판(30)에 잔존하는 실리콘층(20)의 일부를 설명한다.
도 2는 베이스 기판으로부터 분리된 가요성기판의 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이 분리 후 가요성기판(30)의 하부에는 실리콘층의 일부인 실리콘잔여막(23)이 제거되지 않고 잔존한다.
이와 같이 실리콘잔여막(23)이 잔존하는 것은 레이저빔에 대한 실리콘층의 광흡수율이 부분적으로 떨어지기 때문에 발생한다.
즉, 상대적으로 낮은 광흡수율을 갖는 일부 실리콘층은 레이저빔을 충분히 흡수하지 못하므로, 이러한 실리콘층으로부터는 수소가 충분히 방출되지 못하고, 그 결과 일부 실리콘층이 가요성 기판에 잔존하게 된다.
이러한 실리콘잔여막(23)은 가요성기판(30) 상부에 형성되는 박막트랜지스터(미도시)에 영향을 미칠 수 있다.
예를들어, 실리콘잔여막(23)이 플로팅게이트(floating gate)로 작용하여 가요성기판(30) 상부에 형성되는 박막트랜지스터에 전기적 간섭을 일으켜 오작동을 일으킬 수 있다.
이와 같이 실리콘잔여막(23)이 가요성기판(30)의 배면에 잔존하면, 실리콘잔여막(23)으로 인한 불량이 유발되어 신뢰성이 떨어지는 문제가 발생한다.
본 발명은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로,
가요성기판의 배면에 잔여막이 없는 가요성표시장치와 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 베이스기판 상부에 금속산화물 또는 금속질화물로 이루어지는 희생층을 형성하는 단계와; 상기 희생층 상부에 가요성기판을 형성하는 단계와; 상기 가요성기판 상부에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 열처리 또는 레이저빔 조사에 의하여 상기 희생층을 금속층으로 환원시키는 단계와; 상기 가요성기판을 상기 금속층 및 베이스기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법을 제공한다.
이때, 상기 열처리 또는 레이저빔 조사는, 수소분위기에서 진행되는 것을 포함한다.
그리고, 상기 희생층 상부 및 하부 중 적어도 하나에 수소를 함유하는 수소공급층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
이때, 상기 수소공급층은, 수소가 함유된 규소(Si)계열의 박막이나, 산화막 또는 질화막으로 이루어진다.
그리고, 상기 수소공급층을 형성하는 단계는, 수소 가스를 반응가스 중 하나로공급하여 상기 수소공급층을 증착하는 단계를 포함한다.
그리고, 상기 수소공급층을 형성하는 단계는, 상기 수소공급층을 증착하는 단계와; 상기 수소공급층에 수소 플라즈마 처리하는 단계를 포함한다.
그리고, 상기 희생층은, 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 아연(ZN), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 탄탈럼(Ta), 몰디브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 중 하나를 포함하는 산화금속물 또는 질화금속물로 이루어진다.
그리고, 상기 박막트랜지스터에 연결되는 유기발광 다이오드 또는 액정캐패시터를 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명은 가요성표시장치에 있어서, 베이스기판과 가요성기판 사이에 희생층을 형성함으로써 가요성기판의 배면에 잔여물질 없이 베이스기판과 가요성기판을 분리할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 가요성기판을 도시한 단면도이다.
도 2는 베이스 기판으로부터 분리된 가요성기판의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4a는 산화구리막을 환원시키는 것을 보여주는 도면이다.
도 4b는 구리로 환원된 구리막을 산화구리막으로부터 분리한 것을 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a에 도시한 바와 같이 베이스기판(100) 상부에 희생층(250)을 형성한다.
이때, 베이스기판(100)은 유리 또는 석영으로 이루어질 수 있고, 희생층(250)은 예를들어 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 아연(ZN), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 탄탈럼(Ta), 몰디브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca)중 하나를 포함하는 산화금속물 또는 질화금속물로 형성할 수 있다.
여기서, 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 아연(ZN), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 탄탈럼(Ta), 몰디브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 중 하나와 결합한 산화금속물은 비정질 실리콘(Si)보다 광흡수율이 좋아 레이저빔을 조사하였을 때, 실리콘보다 더 많은 광원을 흡수하므로 환원이 쉽게 이루어진다.
그리고, 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 아연(ZN), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 탄탈럼(Ta), 몰디브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 중 하나와 결합한 질화금속물은 열을 흡수하여 탈질소작용이 일어나 질소를 방출한다.
산화금속물과 질화금속물이 두 개 이상의 층으로 적층된 다중층으로 형성할 수 있다.
그리고, 도 3b를 참조하면, 희생층(250) 상부에 가요성기판(300)을 형성한다.
이때, 가요성기판(300)은 예를들어 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR) 및 섬유 강화 플라스틱(fiber reinforced plastic: FRP) 등으로 이루어진 군 중에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다.
그리고, 도 3c를 참조하면 베이스기판(100)에 형성된 가요성기판(300) 상부에 박막트랜지스터(T)를 형성한다.
이때, 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(310), 게이트절연막(320), 반도체층(330), 소스전극(340), 드레인전극(350) 및 보호층(360)을 포함할 수 있다.
그리고 도시하지 않았지만, 가요성기판(300) 상부에는, 박막트랜지스터(T)에 연결되는 게이트배선 및 데이터 배선과, 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(350)에 연결되는 화소전극을 형성할 수 있으며, 화소전극에는 발광다이오드 또는 액정커패시터가 연결될 수 있다.
그리고, 도 3d를 참조하면, 수소(H2) 분위기에서 희생층(250)을 열처리하거나 희생층(250)에 레이저빔을 조사한 후, 베이스기판(100)과, 베이스기판(100) 상부의 금속층(250)으로부터 가요성기판(300)을 분리한다.
여기서, 희생층(250)을 산화구리(CU20)로 형성한 경우를 예로들어 설명한다.
열처리 또는 레이저빔 조사에 의한 에너지를 이용하여 희생층(250)을 이루는 산화구리(Cu2O)가 수소분위기에서 수소와 결합해 환원되어 구리(Cu)와 물(H2O)로 변환된다.
Figure pat00001
구리(Cu)는 산화구리(Cu2O)보다 가요성기판(300)에 대한 접착력이 약하므로, 희생층(250)은 열처리 또는 레이저빔 조사에 의해 에너지를 받아 금속층(260)으로 환원되고, 가요성기판(300)이 금속층(260)으로부터 쉽게 분리되며, 가요성기판(300)의 배면에 이 잔여 희생층(250)이 잔존하지 않는다.
한편, 희생층(250)은 수소분위기에서의 열처리 또는 레이저빔조사에 의하여 금속층(260)으로 환원되므로, 식각에 의하여 베이스기판(100)으로부터 금속층(260)을 쉽게 제거할 수 있으며, 따라서 베이스기판(100)의 손상없이 금속층(260)을 제거하여 베이스기판(100)을 재활용할 수 있다.
이와 같이 수소분위기에서 희생층(250)에 열처리나 레이저빔을 조사하면, 희생층(250)이 수소와 반응하여 금속층(260)으로 환원된다. 따라서, 가요성기판(300)을 베이스기판(100)으로부터 쉽게 분리할 수 있으며, 가요성기판(300)에 잔여물을 남기지 않고, 베이스기판(100)도 손상없이 재활용할 수 있다.
이하 도 4a와 도 4b는 희생층이 수소와 반응하여 분리되는 것을 설명하기 위한 단면 주자전자현미경(SEM) 사진이다.
도 4a는 희생층이 수소와 반응하여 금속층으로 환원되는 것을 보여주는 단면도로서, 희생층을 산화구리막(CuxOy)으로 형성한 경우이다.
도 4a를 참조하면, 수소를 포함하는 실리콘질화막(SiNx)을 희생층인 산화구리막(CuxOy) 상부에 형성한 후, 산화구리막(CuxOy)을 열처리하거나 레이저빔을 조사하면, 실리콘질화막(SiNx)의 수소가 분출되어 산화구리막(CuxOy)으로 확산된다. 확산된 수소는 산화구리막(CuxOy)의 산소와 결합하여 산화구리막(CuxOy)의 상층부가 구리막(Cu)으로 환원된다.
이때, 실리콘질화막(SiNx)은 예를들어 수소가 함유된 규소(Si)계열의 박막이나, 산화막 또는 질화막일 수 있으며, 산화구리막(CuxOy)은 예를들어 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 아연(ZN), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 탄탈럼(Ta), 몰디브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca)중 하나를 포함하는 산화금속물 또는 질화금속물일 수 있다.
구리는 산화구리에 비하여 접착력이 약하므로, 환원된 구리막(Cu)은 쉽게 분리된다.
도 4b는 환원된 구리막을 산화구리막(CuxOy)으로부터 분리한 이후의 단면도이다.
도 4b를 참조하면, 산화구리막(CuxOy) 중 도 4a에서 실리콘질화막(SiNx)의 수소와 반응하여 환원된 구리막은 산화구리막(CuxOx)으로부터 잔여물을 남기지 않고 분리된다.
이때, 수소와 반응하는 정도를 조절하여 산화구리막(CuxOy)이 모두 환원되도록 조절하면, 산화구리막(CuxOy)의 잔여물 없이 구리막이 분리될 수 있다.
이와 같이 수소와 반응하여 환원된 금속막은 잔여물이 남지 않고 분리된다.
이때, 도 4a와 도 4b에서처럼 가요성기판과 베이스기판 사이에 산화금속층과 수소를 함유하는 수소공급층을 형성하면, 수소공급층의 수소와 산화금속층이 결합하므로, 열처리나 레이저빔 조사를 수소 분위기 대신 일반 대기 분위기에서 진행하여 가요성기판(300)을 베이스기판(100)으로부터 분리할 수 있다.
이하 도 5를 참조하여 수소공급층을 형성하여 대기분위기에서 가요성기판과 산화금속층을 분리하는 것을 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 베이스기판(100) 상부에 수소를 함유하는 수소공급층(240)을 형성하고, 수소공급층(240) 상부에 희생층(미도시)을 형성한다.
이때, 희생층(미도시) 상부에 가요성기판(300)을 형성하며, 가요성기판(300) 상부에 박막트랜지스터(T)를 형성한다.
이때, 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(310), 게이트절연막(320), 반도체층(330), 소스전극(340), 드레인전극(350) 및 보호층(360)을 포함할 수 있다.
그리고, 도시하지 않았지만, 가요성기판(300) 상부에는, 박막트랜지스터(T)에 연결되는 게이트배선 및 데이터 배선과, 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(350)에 연결되는 화소전극을 형성할 수 있으며, 화소전극에는 발광다이오드 또는 액정커패시터가 연결될 수 있다.
한편, 가요성기판(300)은 희생층(미도시)을 열처리하거나 희생층(미도시)에 레이저빔을 조사한 후, 베이스기판(100)과, 베이스기판(100) 상부의 금속층(260)으로부터 가요성기판(300)을 분리한다.
이때, 레이저빔을 조사하거나 열처리하면, 수소공급층(240)의 수소가 분출되어 희생층(미도시)으로 확산된다.
예를들어 희생층(미도시)을 이루는 산화금속물 또는 질화금속물이 수소공급층(240)의 수소와 결합해 환원되어, 금속층(260)와 물(H2O)로 변환된다.
금속층(260)은 산화금속물 또는 질화금속물로 이루어진 희생층보다 접착력이 약하다.
따라서, 희생층이 열처리 또는 레이저빔 조사에 의해 에너지를 받아 금속층(260)으로 환원되면, 가요성기판(300)이 환원된 금속층(260)에서 쉽게 분리되며 때문에 가요성기판(300)의 배면에 잔여 희생층이 잔존하지 않는다.
이와 같이 수소를 함유하는 수소공급층(240)을 형성하면, 대기분위기에서 열처리 또는 제이저 빔 조사를 진행하여 가요성기판(300)과 베이스기판(100)을 분리할 수 있다.
한편, 베이스기판(100)으로부터 금속층(260)을 쉽게 제거할 수 있으며, 따라서 베이스기판(100)의 손상없이 금속층(260)을 제거하여 베이스기판(100)을 재활용할 수 있다.
그리고, 도 5에서는 수소공급층(240)이 희생층(250) 하부에 형성되어 있지만, 희생층(250)의 상부 또는 상부와 하부 양면에 수소공급층(240)이 형성될 수 있다.
이와 같은 수소공급층(240)은 수소를 포함하는 실리콘(Si)계열의 박막과, 산화막, 질화막으로 이루어질 수 있다. 그리고, 실리콘(Si)계열의 박막과 산화막 및 질화막 각각은 형성하는 방법에 따라 수소의 함량을 조절할 수 있다.
예를들어, CVD등과 같은 장치를 이용하여, 수소공급층(240)을 증착하는 도중에 수소 기체(gas)를 반응가스 중 하나로 공급하여 수소의 함량을 조절할 수 있다.
또한, 수소공급층(240)을 형성한 후, 수소 플라즈마처리에 의하여 수소공급층(240)의 수소함량을 조절할 수도 있다.
이때, 수소공급층(240)의 수소 함량이 희생층을 모두 금속층(260)으로 환원시킬 수 있도록 조절하면, 희생층에 열처리 또는 레이저빔 조사를 할 때 수소공급층(240)의 수소로 인해 희생층이 모두 금속층(260)으로 환원된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 베이스기판 240 : 수소공급층
250 : 희생층 300 : 가요성기판
310 : 게이트 전극 320 : 게이트 절연막
330 : 반도체층 340 : 소스전극
350 : 드레인 전극 360 : 보호층
T : 박막트랜지스터

Claims (8)

  1. 베이스기판 상부에 금속산화물 또는 금속질화물로 이루어지는 희생층을 형성하는 단계와;
    상기 희생층 상부에 가요성기판을 형성하는 단계와;
    상기 가요성기판 상부에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    열처리 또는 레이저빔 조사에 의하여 상기 희생층을 금속층으로 환원시키는 단계와;
    상기 가요성기판을 상기 금속층 및 베이스기판으로부터 분리하는 단계
    를 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 열처리 또는 레이저빔 조사는, 수소분위기에서 진행되는 것을 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 희생층 상부 및 하부 중 적어도 하나에 수소를 함유하는 수소공급층을 형성하는 단계를 더 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수소공급층은, 수소가 함유된 규소(Si)계열의 박막이나, 산화막 또는 질화막으로 이루어지는 가요성 표시장치의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 수소공급층을 형성하는 단계는, 수소 가스를 반응가스 중 하나로공급하여 상기 수소공급층을 증착하는 단계를 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 수소공급층을 형성하는 단계는, 수소 가스를 반응가스 중 하나로공급하여 상기 수소공급층을 증착하는 단계를 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 희생층은, 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 아연(ZN), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 탄탈럼(Ta), 몰디브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 중 하나를 포함하는 산화금속물 또는 질화금속물로 이루어지는 가요성 표시장치의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터에 연결되는 유기발광 다이오드 또는 액정캐패시터를 형성하는 단계를 더 포함하는 가요성 표시장치의 제조방법.

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160372703A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic luminescence display device and method of manufacturing the same
CN106711348A (zh) * 2016-12-29 2017-05-24 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
US9941311B2 (en) 2015-10-29 2018-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481994B1 (ko) * 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
KR20080100120A (ko) * 2007-05-11 2008-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481994B1 (ko) * 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
KR20080100120A (ko) * 2007-05-11 2008-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160372703A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic luminescence display device and method of manufacturing the same
KR20160150236A (ko) * 2015-06-19 2016-12-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9893313B2 (en) * 2015-06-19 2018-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic luminescence display device and method of manufacturing the same
US20180130976A1 (en) * 2015-06-19 2018-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic luminescence display device and method of manufacturing the same
US10673015B2 (en) 2015-06-19 2020-06-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic luminescence display device and method of manufacturing the same
US9941311B2 (en) 2015-10-29 2018-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
CN106711348A (zh) * 2016-12-29 2017-05-24 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN106711348B (zh) * 2016-12-29 2020-05-12 上海天马微电子有限公司 一种柔性有机发光显示面板的制备方法及显示装置

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