KR20150000214U - 반도체 공정용 칠러 - Google Patents

반도체 공정용 칠러 Download PDF

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Abstract

본 고안은 열교환기를 지나 공급되는 차가운 브라인과 열교환기를 우회하여 공급되는 뜨거운 브라인 각각의 유량을 제어 및 혼합하여 브라인의 온도를 제어할 수 있는 반도체 공정용 칠러를 개시한다. 본 고안은 브라인 공급 파이프라인, 열교환기, 브라인 바이패스 파이프라인, 삼방전동밸브, 온도센서와 컨트롤러로 구성되어 있다. 브라인 공급 파이프라인은 리저버로부터 반도체 공정 설비에 브라인을 공급하도록 연결되어 있다. 열교환기는 냉각수와의 열교환에 의하여 브라인을 냉각할 수 있도록 브라인 공급 파이프라인에 장착되어 있다. 브라인 바이패스 파이프라인은 브라인 공급 파이프라인을 통하여 흐르는 브라인의 흐름이 열교환기를 우회하도록 열교환기의 상류와 하류에 위치하는 브라인 공급 파이프라인에 연결되어 있다. 열교환기는 브라인의 흐름을 제어하는 것으로 열교환기와 브라인 공급 파이프라인에 의하여 연결되는 제1 포트와, 브라인 바이패스 파이프라인이 연결되는 제2 포트와, 반도체 공정 설비와 브라인 공급 파이프라인에 의하여 연결되는 제3 포트를 구비한다. 온도센서는 반도체 공정 설비와 삼방전동밸브 사이에 위치하는 브라인 공급 파이프라인에 브라인의 온도를 검출하도록 장착되어 있다. 컨트롤러는 온도센서로부터 입력되는 브라인의 온도값에 따라 삼방전동밸브의 작동을 제어하도록 온도센서와 삼방전동밸브 각각에 연결되어 있다.

Description

반도체 공정용 칠러{CHILLER FOR SEMICONDUCTOR PROCESS}
본 고안은 반도체 공정용 칠러에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열교환기(Heat exchanger)를 지나 공급되는 차가운 브라인과 열교환기를 우회하여 공급되는 뜨거운 브라인 각각의 유량을 제어 및 혼합하여 브라인의 온도를 제어할 수 있는 반도체 공정용 칠러에 관한 것이다.
반도체 소자는 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer)의 표면에 개별 소자(Discrete device), 집적회로(Integrated circuit, IC)의 패턴(Pattern)이 포토리소그래피(Photolithography), 증착(Deposition), 플라즈마 에칭(Plasma etching) 등과 같은 일련의 반도체 공정(Semiconductor process)에 의하여 형성되어 제조된다. 반도체 소자의 품질은 웨이퍼의 품질과 공정 제어의 정밀도에 의하여 결정된다. 반도체 공정의 제어 변수 중에 중요한 변수의 하나로 웨이퍼 표면의 온도가 있다.
반도체 공정용 칠러는 웨이퍼의 표면을 화학적 또는 물리적으로 반응시키는 과정에서 발생하는 체임버(Chamber) 및 웨이퍼 척(Wafer chuck)의 온도 상승을 제어하여 안정된 공정 진행을 통한 양질의 웨이퍼를 생산하기 위한 장비이다. 이러한 칠러는 반도체 제조뿐만 아니라, 액정디스플레이(Liquid crystal display, LCD), 발광다이오드(Light emitting diode, LED)의 제조 공정에도 많이 사용되고 있다.
반도체 공정용 칠러는 압축, 응축, 팽창, 증발의 과정을 거치는 냉동 사이클(Refrigerating cycle), 오토 케스케이드(Auto cascade) 방식을 이용한 냉동 사이클, 그리고 냉각수(Process cooling water)를 활용한 냉각 사이클을 이용한다. 일반적으로 칠러는 온도 영역에 따라 냉매(Refrigerant)를 이용하는 냉동 사이클과 냉각수를 이용하는 냉각 사이클을 구비하는 하이브리드 방식(Hybrid form)으로 구성된다. 칠러는 체임버 벽면(Chamber wall)을 30~80℃, 체임버 바닥면(Chamber bottom)을 -10~40℃ 정도의 범위에서 정밀하게 제어한다.
한국 특허등록 제10-1268055호 "산업용 칠러"는 설비, 예를 들면 반도체 공정 설비를 순환하는 냉매, 즉 브라인(Brine)의 온도를 냉동 사이클에 의하여 제어하고 있다. 냉동 사이클은 기본적으로 증발기(Evaporator), 압축기(Compressor), 응축기(Condenser)와 팽창밸브(Expansion valve)를 구비하고 있다. 브라인의 온도는 증발기에서 냉매와의 열교환에 의하여 제어된다. 히터(Heater)가 브라인을 저장하는 저장조에 설치되어 있다. 히터는 저장조에 저장되는 브라인을 가열하여 브라인의 온도를 일정하게 유지한다.
상기한 바와 같은 종래의 칠러는, 증발기에서 냉매와 브라인의 열교환에 의하여 브라인을 냉각시키는 1차 온도 제어를 실시하고, 히터의 작동에 의하여 브라인을 가열하는 2차 온도 제어를 실시하고 있다. 따라서 히터의 작동이 필수적이고, 히터의 작동에 따른 소비전력량이 증가되는 단점이 있다. 반도체 공정용 칠러는 일반적인 산업용 칠러와 달리 24시간 연중 지속적으로 운전되기 때문에 소비전력량이 매우 크므로, 최적 운전 제어를 통하여 소비전력량을 낮출 필요성이 대두되고 있다. 또한, 저장조 내의 브라인에 대한 설정 온도의 편차를 제어하기 위해서 히터의 열에 의하여 저장조 내의 브라인 온도를 올려주고 있기 때문에 반응 속도에 한계가 있다.
본 고안은 상기와 같은 종래 반도체 공정용 칠러의 여러 가지 문제점들을 해결하기 위한 것이다. 본 고안의 목적은, 열교환기를 지나 공급되는 차가운 브라인과 브라인 바이패스 파이프라인을 통하여 열교환기를 우회하여 공급되는 뜨거운 브라인 각각의 유량을 제어하여 혼합시킴으로써, 브라인의 온도를 제어할 수 있는 새로운 반도체 공정용 칠러를 제공하는 것이다.
본 고안의 다른 목적은, 차가운 브라인과 뜨거운 브라인의 혼합에 의하여 브라인의 온도를 신속하게 제어할 수 있는 반도체 공정용 칠러를 제공하는 것이다.
본 고안의 또 따른 목적은, 회수되는 브라인의 온도가 브라인의 목표온도값보다 높은 경우, 히터의 작동이 불필요하여 히터의 소비전력량을 감소시킬 수 있는 반도체 공정용 칠러를 제공하는 것이다.
본 고안의 일 측면에 따르면, 반도체 공정용 칠러가 제공된다. 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러는, 리저버로부터 반도체 공정 설비에 브라인을 공급하도록 연결되어 있는 브라인 공급 파이프라인과; 냉각수와의 열교환에 의하여 브라인을 냉각할 수 있도록 브라인 공급 파이프라인에 장착되어 있는 열교환기와; 브라인 공급 파이프라인을 통하여 흐르는 브라인의 흐름이 열교환기를 우회하도록 열교환기의 상류와 하류에 위치하는 브라인 공급 파이프라인에 연결되어 있는 브라인 바이패스 파이프라인과; 브라인의 흐름을 제어하는 것으로 열교환기와 브라인 공급 파이프라인에 의하여 연결되는 제1 포트와, 브라인 바이패스 파이프라인이 연결되는 제2 포트와, 반도체 공정 설비와 브라인 공급 파이프라인에 의하여 연결되는 제3 포트를 구비하는 삼방전동밸브와; 반도체 공정 설비와 삼방전동밸브 사이에 위치하는 브라인 공급 파이프라인에 브라인의 온도를 검출하도록 장착되어 있는 온도센서와; 온도센서로부터 입력되는 브라인의 온도값에 따라 삼방전동밸브의 작동을 제어하도록 온도센서와 삼방전동밸브 각각에 연결되어 있는 컨트롤러를 포함한다.
또한, 컨트롤러는, 온도센서로부터 입력되는 브라인의 온도값이 목표온도값보다 높으면 제1 포트를 통하여 공급되는 차가운 브라인의 유량이 제2 포트를 통하여 공급되는 뜨거운 브라인의 유량보다 많게 삼방전동밸브의 작동을 제어하도록 구성되어 있고, 온도센서로부터 입력되는 브라인의 온도값이 목표온도값보다 낮으면 제2 포트를 통하여 공급되는 뜨거운 브라인의 유량이 제1 포트를 통하여 공급되는 차가운 브라인의 유량보다 작게 삼방전동밸브의 작동을 제어하도록 구성되어 있다.
본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러는, 열교환기를 지나 공급되는 차가운 브라인과 브라인 바이패스 파이프라인을 통하여 열교환기를 우회하여 공급되는 뜨거운 브라인 각각의 유량을 제어하여 혼합시킴으로써, 브라인의 온도를 신속하게 제어하여 반응 속도를 향상시킬 수 있는 유용한 효과가 있다. 또한, 회수되는 브라인의 온도가 브라인의 목표온도값보다 높은 경우, 히터의 작동이 불필요하여 히터의 소비전력량을 감소시킬 수 있으므로, 반도체 공정용 칠러를 경제적으로 운전할 수 있는 유용한 효과가 있다.
도 1은 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러의 구성을 나타낸 계통도이다.
도 2는 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러의 제어를 설명하기 위하여 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러의 작동을 설명하기 위하여 나타낸 흐름도이다.
본 고안의 그 밖의 목적, 특정한 장점들과 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 분명해질 것이다.
이하, 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러에 대한 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러(10)는 냉매로 브라인을 이용하는 냉동 사이클과 냉각수를 이용하는 냉각 사이클을 구비하는 하이브리드 방식으로 구성되어 있다. 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러(10)는 반도체 공정 설비(20)의 체임버(22)에 공급되는 브라인의 온도를 냉각수와의 열교환에 의하여 제어하기 위한 열교환기(30)를 구비한다. 냉각수 공급 파이프라인(40)이 열교환기(30)에 냉각수를 공급하도록 열교환기(30)에 연결되어 있다. 냉각수 회수 파이프라인(42)이 열교환기(30)로부터 배출되는 냉각수를 회수하도록 열교환기(30)에 연결되어 있다. 감압밸브(Pressure reducing valve: 50)와 제어밸브(Control valve: 52) 각각이 냉각수 공급 파이프라인(40)에 장착되어 있다. 감압밸브(50)는 냉각수의 압력을 감압하여 열교환기(30)로 보낸다. 제어밸브(52)는 냉각수 공급 파이프라인(40)을 따라 흐르는 냉매의 흐름을 제어한다.
본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러(10)는 반도체 공정 설비(20)의 체임버(22)에 브라인을 공급하는 브라인 공급 파이프라인(60)과 체임버(22)로부터 브라인을 회수하는 브라인 회수 파이프라인(62)을 구비한다. 브라인 공급 파이프라인(60)과 브라인 회수 파이프라인(62) 각각은 브라인을 저장하는 리저버(Reservoir: 70)에 연결되어 있다.
브라인 공급 파이프라인(60)은 브라인의 열교환을 위하여 리저버(70)로부터 열교환기(30)를 지나서 체임버(22)에 연결되어 있다. 펌프(80)가 리저버(70)에 저장되어 있는 브라인을 펌핑(Pumping)하여 체임버(22)로 보내도록 브라인 공급 파이프라인(60)에 장착되어 있다. 히터(90)가 리저버(70)에 저장되어 있는 브라인을 가열하도록 리저버(70)에 설치되어 있다.
브라인 바이패스 파이프라인(Brine bypass pipeline: 100)이 열교환기(30)의 상류와 하류에 위치하는 브라인 공급 파이프라인(60)에 연결되어 있다. 브라인 바이패스 파이프라인(100)은 열교환기(30)의 상류에 위치하는 브라인 공급 파이프라인(60)으로부터 분기되어 있고, 열교환기(30)의 하류에 위치하는 브라인 공급 파이프라인(60)에 다시 합류되어 있다. 브라인 공급 파이프라인(60)을 따라 흐르는 브라인의 흐름은 브라인 바이패스 파이프라인(100)을 통하여 열교환기(30)를 우회하게 된다.
삼방전동밸브(Three way motorised valve: 110)가 브라인의 흐름을 제어하도록 브라인 공급 파이프라인(60)과 브라인 바이패스 파이프라인(100)이 합류되는 지점에 장착되어 있다. 삼방전동밸브(110)는 제1 내지 제3 포트(Port: 112a, 112b, 112c), 제1 내지 제3 포트(112a, 112b, 112c)을 여닫을 수 있는 밸브체(114)와 밸브체(114)를 작동시키기 위하여 밸브체(114)와 연결되어 있는 액추에이터(Actuator: 116)를 갖는다. 제1 포트(112a)는 브라인 공급 파이프라인(60)을 통하여 열교환기(30)와 연결되어 있다. 제2 포트(112b)는 브라인 바이패스 파이프라인(100)과 연결되어 있다. 제3 포트(112c)는 브라인 공급 파이프라인(60)을 통하여 반도체 공정 설비(20)의 체임버(22)와 연결되어 있다.
도 1과 도 2를 참조하면, 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러(10)는 브라인의 온도 제어를 위하여 브라인의 온도를 검출하는 복수의 온도센서(120, 122, 124, 126)들을 구비한다. 제1 온도센서(120)는 펌프(80)와 열교환기(30) 사이의 브라인 공급 파이프라인(60)에 장착되어 있다. 제2 온도센서(122)는 열교환기(30)와 삼방전동밸브(110) 사이의 브라인 공급 파이프라인(60)에 장착되어 있다. 제3 온도센서(124)는 체임버(22)와 삼방전동밸브(110) 사이의 브라인 공급 파이프라인(60)에 장착되어 있다. 제4 온도센서(126)는 체임버(22)와 리저버(70) 사이의 브라인 회수 파이프라인(62)에 장착되어 있다.
브라인의 압력을 검출하기 위한 압력계(130)가 제3 온도센서(124)와 이웃하도록 체임버(22)와 삼방전동밸브(110) 사이의 브라인 공급 파이프라인(60)에 장착되어 있다. 브라인의 유량을 검출하기 위한 유량계(132)가 제4 온도센서(126)와 이웃하도록 체임버(22)와 리저버(70) 사이의 브라인 회수 파이프라인(62)에 장착되어 있다.
도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러(10)는 컨트롤러(Controller: 140)를 구비한다. 컨트롤러(140)는 제어밸브(52), 펌프(80), 히터(90), 삼방전동밸브(110)의 액추에이터(116), 온도센서(120, 122, 124, 126)들, 압력계(130), 유량계(132) 각각에 연결되어 있다. 컨트롤러(140)는 온도센서(120, 122, 124, 126)들 각각으로부터 입력되는 온도값에 따라 삼방전동밸브(110)의 작동을 제어한다. 컨트롤러(140)는 삼방전동밸브(110)의 작동을 비례-적분-미분 제어(Proportional Integral Differential control, PID control)하는 마이크로컴퓨터(Microcomputer)로 구성되어 있다.
지금부터는, 이와 같은 구성을 갖는 본 고안에 따른 반도체 공정용 칠러에 대한 작용을 설명한다.
도 1과 도 3을 참조하면, 펌프(80)의 작동에 의하여 리저버(70)로부터 펌핑되는 브라인은 반도체 공정 설비(20)의 체임버(22)에 공급되어 체임버(22)의 온도를 제어한다(S100). 제4 온도센서(126)는 반도체 공정 설비(20)의 체임버(22)로부터 배출되는 브라인의 온도를 검출하여 컨트롤러(140)에 입력한다(S102). 컨트롤러(140)는 제4 온도센서(126)로부터 입력되는 온도값에 따라 반도체 공정 설비(20)의 냉각 정도를 산출할 수 있다. 브라인은 제4 온도센서(126)를 지나 리저버(70)로 보내져 저장된다(S104).
다음으로, 펌프(80)의 작동에 의하여 리저버(70)로부터 펌핑되는 브라인은 제1 온도센서(120)를 지나 브라인 공급 파이프라인(60)을 따라 열교환기(30)에 보내진다. 제1 온도센서(120)는 브라인의 제1 온도값을 검출하여 컨트롤러(140)에 입력한다(S106). 컨트롤러(140)는 제1 온도센서(120)의 작동에 의하여 검출되는 제1 온도값(T1)이 미리 설정되어 있는 제1 제어값(Process variable: PV1)과 일치하는가를 판단한다(T1 = PV1)(S108). 제1 제어값(PV1)은 목표온도값(Setting value: SV)과 제1 잔류편차(Offset, Offset1)의 합이다(PV1 = SV + Offset1). 제1 온도값(T1)이 제1 제어값(PV1)보다 작으면(T1 〈 SV + Offset1), 컨트롤러(140)의 제어에 의하여 히터(90)가 작동되어 브라인을 가열한다(S110). 제1 온도값(T1)이 제1 제어값(PV1)보다 크면(T1 〉 SV + Offset1), 컨트롤러(140)의 제어에 의하여 히터(90)의 작동이 정지된다(S112). 즉, 회수되는 브라인의 온도가 브라인의 목표온도값보다 높은 경우, 히터(90)의 작동이 불필요하여 히터(90)의 소비전력량을 감소시킬 수 있다.
열교환기(30)에서 브라인과 냉각수의 열교환에 의하여 브라인의 온도가 낮춰지게 된다. 제2 온도센서(122)는 열교환기(30)를 지난 브라인의 제2 온도값을 검출하여 컨트롤러(140)에 입력한다(S114). 컨트롤러(140)는 제2 온도센서(122)의 작동에 의하여 검출되는 제2 온도값(T2)이 미리 설정되어 있는 제2 제어값(PV2)과 일치하는가를 판단한다(T2 = PV2)(S116). 제2 제어값(PV2)은 목표온도값(SV)에서 제2 잔류편차(Offset2)를 뺀 값이다(PV2 = SV - Offset2). 제2 온도값(T2)이 제2 제어값(PV2)보다 크면(T2 〉 SV + Offset2), 컨트롤러(140)의 제어에 의하여 제어밸브(52)가 작동되어 냉각수의 유량을 증가시킴으로써, 브라인의 냉각량을 증가시킨다(S118). 제2 온도값(T2)이 제2 제어값(PV2)보다 작으면(T2 〈 SV + Offset2), 컨트롤러(140)의 제어에 의하여 제어밸브(52)가 작동되어 냉각수의 유량을 감소시킴으로써, 브라인의 냉각량을 감소시킨다(S120).
한편, 브라인은 열교환기(30)와 제2 온도센서(122)를 지나 삼방전동밸브(110)의 제1 포트(112a)로 보내진다. 브라인 공급 파이프라인(60)을 따라 흐르던 브라인 중 일부는 브라인 바이패스 파이프라인(100)을 통하여 삼방전동밸브(110)의 제2 포트(112b)로 보내진다. 브라인은 삼방전동밸브(110)의 제3 포트(112c)를 통하여 삼방전동밸브(110)로부터 배출된 후, 제3 온도센서(124)와 압력계(130)를 지나 체임버(22)에 보내진다.
제3 온도센서(124)는 브라인의 제3 온도값(T3)을 검출하여 컨트롤러(140)에 입력한다(S122). 컨트롤러(140)는 제3 온도센서(124)의 작동에 의하여 검출되는 제3 온도값(T3)이 미리 설정되어 있는 목표온도값(SV)과 일치하는가를 판단한다(T3 = SV)(S124). 제3 온도값(T3)이 목표온도값(SV)보다 크면(T3 〉 SV), 컨트롤러(140)는 삼방전동밸브(110)의 작동을 제어하여 제1 포트(112a)를 통하여 공급되는 브라인의 유량을 증가시키고, 제2 포트(112b)를 통하여 공급되는 브라인의 유량을 감소시킴으로써, 제3 온도값(T3)과 목표온도값(SV)이 일치되도록 한다(S126). 즉, 제3 온도값(T3)이 높으면, 열교환기(30)를 지나 브라인 공급 파이프라인(60)을 통하여 삼방전동밸브(110)로 공급되는 차가운 브라인의 유량이 브라인 바이패스 파이프라인(100)을 통하여 삼방전동밸브(110)로 공급되는 뜨거운 브라인의 유량보다 크게 한다. 많은 유량의 차가운 브라인과 적은 유량의 뜨거운 브라인이 삼방전동밸브(110)에서 혼합되어 반도체 공정 설비(20)의 체임버(22)에 공급되는 브라인의 온도가 미리 설정되어 있는 온도로 공급된다.
제3 온도값(T3)이 목표온도값(SV)보다 작으면(T3 〈 SV), 컨트롤러(140)는 삼방전동밸브(110)의 작동을 제어하여 제1 포트(112a)를 통하여 공급되는 브라인의 유량을 감소시키고, 제2 포트(112b)를 통하여 공급되는 브라인의 유량을 증가시킴으로써, 제3 온도값(T3)과 목표온도값(SV)이 일치되도록 한다(S128). 즉, 제3 온도값(T3)이 낮으면, 브라인 바이패스 파이프라인(100)을 통하여 삼방전동밸브(110)로 공급되는 뜨거운 브라인의 유량이 브라인 공급 파이프라인(60)을 통하여 삼방전동밸브(110)로 공급되는 차가운 브라인의 유량보다 크게 한다. 많은 유량의 뜨거운 브라인과 적은 유량의 차가운 브라인이 삼방전동밸브(110)에서 혼합되어 반도체 공정 설비(20)의 체임버(22)에 공급되는 브라인의 온도가 미리 설정되어 있는 온도로 공급된다. 이와 같이 차가운 브라인과 뜨거운 브라인의 유량을 제어하여 삼방전동밸브(110)에서 혼합시킴으로써, 브라인의 온도를 신속하게 제어할 수 있고, 히터(90)의 소비전력량을 감소시킬 수 있다.
이상에서 설명된 실시예는 본 고안의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 고안의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 고안의 기술적 사상과 실용신안등록청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 고안의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
10: 반도체 공정용 칠러 20: 반도체 공정 설비
22: 체임버 30: 열교환기
40: 냉각수 공급 파이프라인 42: 냉각수 회수 파이프라인
60: 브라인 공급 파이프라인 62: 브라인 회수 파이프라인
70: 리저버 80: 펌프
90: 히터 100: 브라인 바이패스 파이프라인
110: 삼방전동밸브 120: 제1 온도센서
122; 제2 온도센서 124: 제3 온도센서
126: 제4 온도센서 140: 컨트롤러

Claims (2)

  1. 리저버로부터 반도체 공정 설비에 브라인을 공급하도록 연결되어 있는 브라인 공급 파이프라인과,
    냉각수와의 열교환에 의하여 상기 브라인을 냉각할 수 있도록 상기 브라인 공급 파이프라인에 장착되어 있는 열교환기와,
    상기 브라인 공급 파이프라인을 통하여 흐르는 상기 브라인의 흐름이 상기 열교환기를 우회하도록 상기 열교환기의 상류와 하류에 위치하는 브라인 공급 파이프라인에 연결되어 있는 브라인 바이패스 파이프라인과,
    상기 브라인의 흐름을 제어하는 것으로 상기 열교환기와 상기 브라인 공급 파이프라인에 의하여 연결되는 제1 포트와, 상기 브라인 바이패스 파이프라인이 연결되는 제2 포트와, 상기 반도체 공정 설비와 상기 브라인 공급 파이프라인에 의하여 연결되는 제3 포트를 구비하는 삼방전동밸브와,
    상기 리저버와 상기 열교환기 사이에 위치하는 상기 브라인 공급 파이프라인에 장착되며, 상기 브라인의 온도를 검출하도록 구성된 제1온도센서와,
    상기 열교환기와 상기 삼방전동밸브 사이에 위치하는 상기 브라인 공급 파이프라인에 장착되며, 상기 브라인의 온도를 검출하도록 구성된 제2온도센서와,
    상기 반도체 공정 설비와 상기 삼방전동밸브 사이에 위치하는 상기 브라인 공급 파이프라인에 장착되며, 상기 브라인의 온도를 검출하도록 구성된 제3온도센서와,
    상기 리저버에 장착되어 상기 브라인을 가열하는 히터와,
    상기 제1온도센서로부터 입력되는 온도값과 상기 브라인의 목표온도값과 비교하여 상기 히터의 작동을 제어하고, 상기 제2온도센서로부터 입력되는 온도값과 상기 브라인의 목표온도값과 비교하여 상기 열교환기에 공급되는 냉각수의 유량을 제어하고, 상기 제3온도센서로부터 입력되는 상기 브라인의 온도값에 따라 상기 삼방전동밸브의 작동을 제어하도록, 상기 제1온도센서, 제2온도센서, 제3온도센서 및 상기 삼방전동밸브 각각에 연결되어 있는 컨트롤러를 포함하는 반도체 공정용 칠러.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 제3온도센서로부터 입력되는 상기 브라인의 온도값이 목표온도값보다 높으면 상기 제1 포트를 통하여 냉각된 브라인의 유량이 상기 제2 포트를 통하여 공급되는 브라인의 유량보다 많게 상기 삼방전동밸브의 작동을 제어하도록 구성되어 있고, 상기 온도센서로부터 입력되는 상기 브라인의 온도값이 목표온도값보다 낮으면 상기 제2 포트를 통하여 공급되는 브라인의 유량이 상기 제1 포트를 통하여 공급되는 냉각된 브라인의 유량보다 작게 상기 삼방전동밸브의 작동을 제어하도록 구성되어 있는 반도체 공정용 칠러.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20230119986A (ko) * 2022-02-08 2023-08-16 유니셈(주) 피크 컷 모듈을 적용한 칠러장치

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