KR20140142846A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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이태림
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Abstract

실시예의 발광 소자 패키지는 패키지 몸체와, 패키지 몸체 위에 배치되며, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 및 제2 물질층이 교번하여 적어도 1회 적층된 구조를 갖는 반사층과, 반사층 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층과, 투광성 기판과, 투광성 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 제1 금속층과 제1 도전형 반도체층 사이에 배치되어, 제1 금속층과 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부 및 제2 금속층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되어, 제2 금속층과 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지{Light Emitting Device Package}
실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
질화갈륨(GaN)의 금속 유기화학기상 증착법 및 분자선 성장법 등의 발달을 바탕으로 고휘도 및 백색광 구현이 가능한 적색, 녹색 및 청색 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)가 개발되었다.
이러한 LED는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다. 이러한 LED 소자의 핵심 경쟁 요소는 고효율 및 고출력 칩 및 패키징 기술에 의한 고휘도의 구현이다.
고휘도를 구현하기 위해서 광 추출 효율을 높이는 것이 중요하다. 광 추출 효율을 높이기 위하여 플립 칩(flip-chip) 구조, 표면 요철 형성(surface texturing), 요철이 형성된 사파이어 기판(PSS:Patterned Sapphire Substrate), 광 결정(photonic crystal) 기술 및 반사 방지막(anti-reflection layer) 구조 등을 이용한 다양한 방법들이 연구되고 있다.
플립 칩 구조를 갖는 발광 소자 패키지의 경우, 발광 구조물에서 발광된 광은 발광 구조물 아래에 배치된 서브 마운트에서 흡수되므로 광 추출 효율이 감소하는 문제점이 있다.
실시예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예의 발광 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치되며, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 및 제2 물질층이 교번하여 적어도 1회 적층된 구조를 갖는 반사층; 상기 반사층 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층; 투광성 기판; 상기 투광성 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 금속층과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 배치되어, 상기 제1 금속층과 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부; 및 상기 제2 금속층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되어, 상기 제2 금속층과 상기 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함한다.
상기 제1 및 제2 물질층은 AlLGa1 - LN 및 AlMGa1 -MN(여기서, 0.5 < L ≤ 1, M < L, 0.5 ≤ M < 1)에 각각 해당할 수 있다. 상기 AlLGa1 - LN 및 AlMGa1 - MN이 교번하여 적층된 횟수는 6 내지 30일 수 있다. 상기 AlLGa1 - LN는 20 ㎚ 내지 30 ㎚의 두께를 갖고, 상기 AlMGa1 - MN는 20 ㎚ 내지 40 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 물질층은 AlGaN 및 AlN에 각각 해당할 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 활성층으로부터 방출된 광이 서브 마운트에서 흡수되는 등 서브 마운트의 반사율이 낮아 광 손실을 야기하는 기존의 발광 소자와 달리, 활성층으로부터 방출된 후 서브 마운트를 투과한 광을 반사층에 의해 반사시켜 발광 효율을 개선시킬 수 있고, 서브 마운트와 반사층 대신에 분산 브래그 반사층을 사용하기 때문에 분산 브래그 반사층에서 광을 반사시키는 반사면의 거칠기가 감소하여 광의 반사도를 향상시켜 발광 효율을 더욱 개선시킬 수 있고 제조 공정을 간단하게 하고 열적 응력이 양호해지고 방열 특성을 개선시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 2는 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 3은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4f는 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 6은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도이다.
도 7은 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 실시예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도 1은 실시예에 의한 발광 소자(100A)의 단면도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 발광소자(100A)는 투광성 기판(110), 버퍼층(112), 발광 구조물(120), 제1 및 제2 전극(132, 134), 제1 및 제2 범프부(142, 144), 제1 및 제2 금속층(또는, 전극 패드)(152, 154), 절연층(160), 서브 마운트(submount)(170A) 및 반사층(180A)을 포함한다.
발광소자(100A)는 복수의 화합물 반도체층을 이용한 LED를 포함하며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED, 자외선(UV:UltraViolet) LED, 심자외선 LED 또는 무분극 LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
투광성 기판(110)은 활성층(124)에서 방출된 광이 기판(110)을 통해 출사되도록 투광성을 갖는다. 예를 들어, 투광성 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 투광성 기판(110)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.
버퍼층(112)은 투광성 기판(110)과 발광 구조물(120)의 사이에 배치되어 투광성 기판(110)과 발광 구조물(120) 사이의 격자 정합을 개선시키는 역할을 한다. 예를 들어, 버퍼층(112)은 AlN을 포함하거나 언도프드(undoped) 질화물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 버퍼층(112)은 투광성 기판(110)의 종류와 발광 구조물(120)의 종류에 따라 생략될 수도 있다.
발광 구조물(120)은 버퍼층(112)의 하부에 배치된다. 버퍼층(112)이 생략될 경우, 발광 구조물(120)은 투광성 기판(110)의 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 투광성 기판(110)과 활성층(124) 사이에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 도 1에 예시된 발광 소자(100A)는 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제1 도전형 반도체층(122)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 AlGaN으로 이루어질 경우 Al의 함량은 50 %일 수 있지만 실시예는 이에 국한되지 않는다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 특히, 실시예에 의한 활성층(124)은 자외선 또는 심자외선 파장의 빛을 생성할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124)의 하부에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 도 1에 예시된 발광 소자(100A)가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제2 도전형 반도체층(126)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만 실시예는 이에 국한되지 않는다.
또한, 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 전자 차단층(EBL:Electron Blocking Layer)(미도시)이 선택적으로 더 배치될 수도 있다. 전자 차단층은 제2 도전형 반도체층(126)보다 더 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 전자 차단층(EBL)이 제2 도전형 반도체층(126)보다 더 큰 에너지 밴드 갭을 가질 경우, 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 제공되는 전자가 MQW 구조의 활성층(124)에서 재결합되지 않고 제2 도전형 반도체층(126)으로 오버플로우되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 전자 차단층은 활성층(124)의 장벽층보다 높은 함량을 갖는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 제1 전극(132)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 범프부(142) 사이에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(122)은 제1 전극(132)과 제1 범프부(142)를 통해 제1 금속층(152)과 연결된다. 제2 전극(134)은 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 범프부(144) 사이에 배치되며, 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 전극(134)과 제2 범프부(144)를 통해 제2 금속층(154)에 연결된다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(122, 126)에 각각 접한 제1 및 제2 전극(132, 134)은 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제1 및 제2 전극(132, 134)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(122, 126)과 각각 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제1 및 제2 전극(132, 134)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.
도 1에 예시된 플립 본딩(flip bonding) 구조를 갖는 발광 소자(100A)의 제1 및 제2 전극(132, 134)은 플립 방식으로 서브 마운트(170A) 상에 위치한다.
예를 들어, 서브 마운트(170A)는 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열적 특성을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 또는, 서브 마운트(170A)는 Al2O3, Ga2O3 등으로 구현될 수도 있고, 예를 들어 350 ㎛ 내지 400 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
만일, 서브 마운트(170A)가 Si으로 이루어지는 경우, 도 1에 예시된 바와 같이 제1 및 제2 금속층(152, 154)과 서브 마운트(170A) 사이에 절연층(160)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 절연층(160)은 SiO2와 같은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
제1 및 제2 금속층(152, 154)은 서브 마운트(170A) 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1 및 제2 금속층(152, 154) 각각은 금속성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 금속층(152, 154) 각각은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ti, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 조합을 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 및 제2 금속층(152, 154) 각각은 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등으로 적층될 수 있다.
한편, 제1 범프부(142)는 제1 금속층(152)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이에 배치되어, 이들(152, 122)을 전기적으로 연결하며, 제2 범프부(144)는 제2 금속층(154)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되어 이들(154, 126)을 전기적으로 연결한다.
비록 도시되지는 않았지만, 제1 전극(132)과 제1 범프부(142) 사이에 제1 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제1 금속층(152)과 제1 범프부(142) 사이에 제1 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 상부 범프 금속층과 제1 하부 범프 금속층은 제1 범프부(142)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다. 이와 비슷하게 제2 전극(134)과 제2 범프부(144) 사이에 제2 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제2 금속층(154)와 제2 범프부(144) 사이에 제2 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제2 상부 범프 금속층과 제2 하부 범프 금속층은 제2 범프부(144)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다.
실시예에 의하면, 도 1에 예시된 발광 소자(100A)는 서브 마운트(170A) 아래에 배치된 반사층(180A)을 포함할 수 있다. 반사층(180A)은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 백금(Pt), 금(Au), 하프늄(Hf) 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.
기존의 발광 소자의 경우, 활성층(124)으로부터 방출된 광은 서브 마운트(170A)에서 흡수되는 등 서브 마운트(170A)의 반사율이 낮아 광 손실을 야기할 수 있다. 반면에, 본 실시예에 의하면, 활성층(124)으로부터 방출된 광은 서브 마운트(170A)를 투과한 후 반사층(180A)에 의해 반사될 수 있어, 발광 효율이 개선될 수 있다.
도 2는 다른 실시예에 의한 발광 소자(100B)의 단면도를 나타낸다.
도 2에 도시된 발광 소자(100B)는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)와 달리 절연층(160)을 갖지 않는다. 이를 제외하면, 도 2에 도시된 발광 소자(100B)는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)와 동일하다. 즉, 도 1 및 도 2에 도시된 투광성 기판(110), 버퍼층(112), 발광 구조물(120), 제1 및 제2 전극(132, 134), 제1 및 제2 범프부(142, 144) 및 제1 및 제2 금속층(152, 154)은 서로 동일하므로 동일한 참조부호를 사용하며 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 2의 발광 소자(100B)의 제1 및 제2 금속층(152, 154)은 절연층(160)이 아니라 서브 마운트(170B) 위에 배치된다. 도 1에 도시된 발광 소자(100A)의 경우, 절연층(160)이 존재하기 때문에 서브 마운트(170A)는 전기적인 전도성을 가질 수 있다. 그러나, 도 2에 도시된 발광 소자(100B)의 경우, 절연층(160)이 존재하지 않기 때문에 서브 마운트(170B)는 전기적으로 절연성을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 서브 마운트(170B)는 Al2O3, Ga2O3 등으로 구현될 수도 있다.
도 1에 도시된 발광 소자(100A)와 달리, 도 2에 도시된 발광 소자(100B)는 절연층(160)을 포함하지 않으므로 절연층(160)에서 빛이 흡수되는 손실을 방지할 수 있다. 또한, 서브 마운트(170B)를 투과한 빛은 반사층(180B)에서 반사되므로, 발광 효율이 더욱 개선될 수 있다. 반사층(180B)을 구현하는 물질은 반사층(180A)을 구현하는 물질과 동일할 수 있다. 즉, 서브 마운트(170B) 아래에 배치된 반사층(180B)은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 백금(Pt), 금(Au), 하프늄(Hf) 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.
실시예에 의하면, 활성층(124)으로부터 방출된 광은 서브 마운트(170B)를 투과한 후 반사층(180B)에 의해 반사될 수 있어, 발광 효율이 개선될 수 있다.
도 3은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100C)의 단면도를 나타낸다.
도 3에 도시된 발광 소자(100C)는 투광성 기판(110), 버퍼층(112), 발광 구조물(120), 제1 및 제2 전극(132, 134), 제1 및 제2 범프부(142, 144), 제1 및 제2 금속층(152, 154) 및 분산 브래그 반사층(DBR:Distributed Bragg Reflector)(170C)을 포함한다. 여기서, 분산 브래그 반사층(170C)을 제외한 다른 층들은 도 1 및 도 2에 도시된 층들과 동일하므로 동일한 참조부호를 사용하였으며, 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3에 도시된 제1 및 제2 금속층(152, 154)은 분산 브래그 반사층(170C) 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1 및 제2 금속층(152, 154) 각각은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ti, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 조합을 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 및 제2 금속층(152, 154) 각각은 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등으로 적층될 수 있다.
도 3에 도시된 분산 브래그 반사층(170C)은 도 1에 도시된 절연층(160), 서브 마운트(170A) 및 반사층(180A)의 역할을 모두 수행할 수 있다. 또는, 도 3에 도시된 분산 브래그 반사층(170C)은 도 2에 도시된 서브 마운트(170B) 및 반사층(180B)의 역할을 모두 수행할 수도 있다.
분산 브래그 반사층(170C)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 및 제2 물질층이 교대로 적층된 구조를 갖는다. 여기서, 제1 및 제2 물질층의 굴절률 차가 크면 클수록 반사율이 커져 활성층(124)에서 방출되어 아래로 향하는 빛을 더욱 많이 반사시켜 발광 효율이 증대될 수 있다.
이를 위해, 실시예에 의한 분산 브래그 반사층(170C)은 제1 내지 제k 페어(pair)(170-1, ..., 170-k)를 포함할 수 있다. 여기서, k는 제1 및 제2 물질층이 교번하여 적층된 횟수를 나타내며, 1 이상의 양의 정수일 수 있다. 제1 페어(170-1)는 제1 및 제2 물질층(170-1A, 170-1B)을 포함하고, 제k 페어(170-k)는 제1 및 제2 물질층(170-kA, 170-kB)을 포함할 수 있다. 도 3의 경우, 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)이 상부층이고, 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)이 하부층인 것으로 도시되어 있지만 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시예에 의하면, 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)이 하부층이고, 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)이 상부층일 수 있다.
예를 들어, 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 AlLGa1 - LN이고, 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 AlMGa1 - MN일 수 있다. 또는, 이와 반대로 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 AlMGa1 - MN이고, 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 AlLGa1-LN일 수 있다. 여기서, 0.5 < L ≤ 1이고 예를 들어 L=0.95일 수 있고, M < L이고 0.5 ≤ M < 1이며, 예를 들어, M=0.6일 수 있다.
또는, 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 AlGaN이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 AlN일 수 있다. 또는, 이와 반대로 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 AlN이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 AlGaN일 수 있다.
또는, 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 GaAs이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 AlAs일 수 있다. 또는, 이와 반대로 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 AlAs이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 GaAs일 수 있다.
또는, 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 AlGaN이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 GaN일 수 있다. 또는, 이와 반대로 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 GaN이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 AlGaN일 수 있다.
또는, 제1 물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 InGaN이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 In일 수 있다. 또는, 이와 반대로 제1물질층(170-1A, ..., 170-kA)은 In이고 제2 물질층(170-1B, ..., 170-kB)은 InGaN일 수 있다.
이와 같이, 분산 브래그 반사층(170C)은 서로 다른 굴절률을 갖는 페어 즉, AlLGa1-LN/AlMGa1-MN, AlGaN/AlN, AlN/AlGaN, GaAs/AlAs, AlGaN/GaN 또는 InGaN/In이 교번하여 다수층으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 만일, 페어의 개수(k)가 6보다 작거나 30보다 클 경우, 분산 브래그 반사층(170C)의 반사도는 저하될 수도 있다. 따라서, 페어의 개수(k) 즉, 제1 및 제2 물질층이 교번하여 적층된 횟수(k)는 6 내지 30일 수 있다.
여기서, 페어의 두께(t1+t2)는 다음 수학식 1과 같을 수 있다.
Figure pat00001
여기서, m은 홀수이고, λ는 활성층(124)에서 방출된 광의 파장을 나타내고, n은 분산 브래그 반사층(170C)을 이루는 매질의 굴절율을 나타낸다.
예를 들어, 분산 브래그 반사층(170C)이 서로 다른 굴절률을 갖는 AlLGa1 - LN과 AlMGa1 - MN이 교번하여 복수 횟수만큼 적층된 구조를 가질 때, AlLGa1 - LN는 20 ㎚ 내지 30 ㎚의 두께(t1)를 갖고, AlMGa1 - MN는 20 ㎚ 내지 40 ㎚의 두께(t2)를 가질 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자(100A, 100B)에서 반사층(180A, 180B)이 금속으로 구현될 경우, 열팽창과 수축에 의해 반사층(180A, 180B)인 금속의 거칠기가 증가할 수 있다. 만일, 반사층(180A, 180B)이 2.3E-05의 선팽창율을 갖는 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 구현될 경우, 열에 의한 Al의 수축과 팽창에 의해 반사층(180A, 180B)의 RMS가 크게 변할 뿐만 아니라 금속의 특성으로 인해 외부 물질과의 반응으로 인해 RMS가 더욱 악화될 수 있다. 게다가, 금속 간의 수축 팽창 계수의 차이로 인해 공정 윈도우가 정해진다. 이와 같이, 광이 반사되는 반사층(180A, 180B) 표면의 거칠기인 RMS가 심해질수록 난반사에 의해 반사층(180A, 180B)의 반사도가 낮아질 수 있다.
그러나, 도 3에 도시된 바와 같이 서브 마운트(170A, 170B)와 반사층(180A, 180B) 대신에 분산 브래그 반사층(170C)을 사용할 경우 전술한 문제가 개선될 수 있다. 왜냐하면, 분산 브래그 반사층(170C)을 구현하는 AlGaN의 선팽창율은 5E-06으로서 알루미늄에 비하여 1/4이하이므로, 분산 브래그 반사층(170C)의 거칠기가 금속인 Al의 거칠기보다 작아져서 광의 반사도가 향상될 수 있기 때문이다. 게다가, 금속 간의 결합을 고려할 필요가 없으므로 공정 윈도우 측면에서 넓어진다. 즉, 공정이 간단해질 수 있다.
또한, 서브 마운트(170A, 170B)와 반사층(180A, 180B) 대신에 도 3에 도시된 바와 같이 분산 브래그 반사층(170C)이 배치될 경우, 열적 응력(strain)이 양호해지고, 방열 특성이 좋아질 수 있다.
이하, 도 3에 예시된 발광 소자(100C)의 실시예에 따른 제조 방법에 대해 다음과 같이 살펴본다. 그러나, 다른 발광 소자(100A, 100B)의 경우도 도 4a 내지 도 4f에 도시된 제조 방법과 유사한 방법으로 제조될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 3에 예시된 발광 소자(100C)는 도 4a 내지 도 4f에 도시된 제조 방법에 의해 제조될 수 있으나 실시예는 이에 국한되지 않으며 다양한 다른 제조 방법에 의해 제조될 수도 있다.
도 4a 내지 도 4f는 실시예에 따른 발광소자(100C)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 투광성 기판(110) 상에 버퍼층(112)을 형성한다.
투광성 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이때, 투광성 기판(110)과 버퍼층(112) 각각은 투광성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 AlN으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이후, 계속해서 도 4a를 참조하면, 버퍼층(112) 상에 발광 구조물(120)을 성장시킨다. 발광 구조물(120)은 버퍼층(112) 상에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 순차적으로 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이후, 도 4b를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 메사 식각(Mesa etching)하여, 제1 도전형 반도체층(122)을 노출시킨다.
이후, 도 4c를 참조하면, 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 상부와 제2 도전형 반도체층(126)의 상부에 제1 및 제2 전극(132, 134)을 각각 형성한다.
도 4a 내지 도 4c에 도시된 제조 방법은 도 3에 예시된 발광 소자(100C)의 상부 구조물(110, 112, 122, 124, 126, 132, 134)의 제조 방법을 나타내고, 도 4d 내지 도 4f에 도시된 제조 방법은 도 3에 예시된 발광 소자(100C)의 하부 구조물(142, 144, 152, 154, 170C)의 제조 방법을 나타낸다.
도 4d를 참조하면, 도 4a 내지 도 4c에 도시된 공정이 진행되는 동안 별개의 공정으로 분산 브래그 반사층(170C)을 형성한다. 여기서, 분산 브래그 반사층(170A)은 전술한 바와 같이 굴절률이 서로 다른 제1 및 제2 물질층을 복수 횟수만큼 적층하여 형성될 수 있다.
이후, 도 4e를 참조하면, 분산 브래그 반사층(170C)의 상부에 제1 및 제2 금속층(152, 154)을 각각 형성한다.
이후, 도 4f를 참조하면, 제1 및 제2 금속층(152, 154)의 상부에 제1 및 제2 범프부(142, 144)를 각각 형성한다.
이후, 도 4c에 도시된 투광성 기판(110)이 탑 측으로 배치되도록 회전시킨 후 도 4f에 도시된 결과물과 결합시킨다. 이때, 제1 범프부(142)에 의해 제1 전극(132)과 제1 금속층(152)이 결합되고, 제2 범프부(144)에 의해 제2 전극(134)과 제2 금속층(154)이 결합된다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200A, 200B)의 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200A)는 발광 소자(100C), 패키지 몸체(210), 접착부(220), 한 쌍의 리드(lead)선(232, 234), 제1 및 제2 와이어(242, 244), 측벽부(250) 및 몰딩 부재(260)를 포함한다. 발광 소자(100C)는 도 3에 예시된 발광 소자로서, 동일한 참조부호를 사용하여 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 도 3에 예시된 발광 소자(100C) 이외에 도 1 또는 도 2에 예시된 발광 소자(100A, 100B) 중 어느 하나가 도 5a에 예시된 바와 같이 발광 소자 패키지(200A)로 구현될 수 있음은 물론이다.
분산 브래그 반사층(170C)은 패키지 몸체(210) 위에 배치되며, 접착부(220)에 의해 패키지 몸체(210)와 연결된다. 접착부(220)는 솔더 또는 페이스트 형태일 수 있다. 발광 소자(100C)의 제1 및 제2 금속층(152, 154)은 제1 및 제2 와이어(242, 244)에 의해 한 쌍의 리드선(232, 234)과 각각 연결된다. 서로 전기적으로 분리되는 한 쌍의 리드선(232, 234)을 통해 발광 소자(100C)에 전원이 제공된다.
몰딩 부재(260)는 측벽부(250)에 의해 형성된 발광 소자 패키지(200A)의 캐비티에 채워져 발광 소자(100C)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(260)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(100C)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
도 5b를 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200B)는 발광 소자(100C), 기판(270), 절연물(272), 제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B), 몰딩 부재(276), 제1 및 제2 와이어(282, 284)를 포함한다. 발광 소자(100C)는 도 3에 예시된 발광 소자로서, 동일한 참조부호를 사용하여 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 도 3에 예시된 발광 소자(100C) 이외에 도 1 또는 도 2에 예시된 발광 소자(100A, 100B) 중 어느 하나가 도 5b에 예시된 바와 같이 발광 소자 패키지(200B)로 구현될 수 있음은 물론이다.
제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B)는 기판(270) 위에 배치된다. 여기서, 기판(270)은 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)일 수 있으나 이에 국한되지 않는다. 발광 소자(100C)가 자외선(ultraviolet) 광 특히, 심자외선(deep ultraviolet) 광을 방출할 경우 방열 특성을 향상시키기 위해, 제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B)는 알루미늄 재질로 구현될 수 있으나 이에 국한되지 않는다. 이하, 제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B)는 알루미늄 재질로 구현된 것으로 가정하여 설명한다.
분산 브래그 반사층(170C)은 제1 또는 제2 패키지 몸체(274A, 274B) 위에 배치될 수 있다. 도 5b의 경우, 분산 브래그 반사층(170C)이 제2 패키지 몸체(274B) 위에 배치된 것으로 도시되어 있지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 분산 브래그 반사층(170C)은 제1 패키지 몸체(274A) 위에 배치될 수도 있다. 발광 소자(100C)의 제1 및 제2 금속층(152, 154)은 제1 및 제2 와이어(282, 284)에 의해 제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B)에 각각 연결된다. 제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B)가 전기적 전도성을 갖는 알루미늄 재질로 구현될 경우, 절연물(272)은 제1 패키지 몸체(274A)와 제2 패키지 몸체(274B)를 전기적으로 서로 분리시키는 역할을 한다.
제1 도전형 반도체층(122)은 제1 전극(132), 제1 범프부(142), 제1 금속층(152), 제1 와이어(282) 및 제1 패키지 몸체(274A)를 통해 기판(270)과 전기적으로 연결된다. 또한, 제2 도전형 반도체층(134)은 제2 전극(134), 제2 범프부(144), 제2 금속층(154), 제2 와이어(284) 및 제2 패키지 몸체(274B)를 통해 기판(270)과 전기적으로 연결된다. 절연물(272)에 의해 서로 전기적으로 분리되는 제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B)를 통해 기판(270)으로부터 발광 소자(100C)로 전원이 제공될 수 있다.
몰딩 부재(276)는 제1 및 제2 패키지 몸체(274A, 274B)에 의해 형성된 캐비티에 채워져 발광 소자(100C)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(276)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(100C)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 6은 실시예에 따른 조명 유닛(300)의 사시도이다. 다만, 도 6의 조명 유닛(300)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 조명 유닛(300)은 케이스 몸체(310)와, 케이스 몸체(310)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(320)와, 케이스 몸체(310)에 설치된 발광 모듈부(330)를 포함할 수 있다.
케이스 몸체(310)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되며, 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.
발광 모듈부(330)는 기판(332)과, 기판(332)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자 패키지(200)는 도 5a 또는 도 5b에 예시된 발광 소자 패키지(200A, 200B)일 수 있으므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.
기판(332)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(metal Core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 기판(332)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
기판(332) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 발광 소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 소자 예를 들면 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자는 도 3에 예시된 발광 소자(100C)이지만 이에 국한되지 않으며, 도 1 또는 도 2에 도시된 발광 소자(100A, 100B)일 수도 있다.
발광 모듈부(330)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.
연결 단자(320)는 발광 모듈부(330)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 실시예에서 연결 단자(320)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(320)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있다.
도 7은 실시예에 따른 백라이트 유닛(400)의 분해 사시도이다. 다만, 도 7의 백라이트 유닛(400)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에 따른 백라이트 유닛(400)은 도광판(410)과, 도광판(410) 아래의 반사 부재(420)와, 바텀 커버(430)와, 도광판(410)에 빛을 제공하는 발광 모듈부(440)를 포함한다. 바텀 커버(430)는 도광판(410), 반사 부재(420) 및 발광모듈부(440)를 수납한다.
도광판(410)은 빛을 확산시켜 면 광원화시키는 역할을 한다. 도광판(410)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
발광 모듈부(440)는 도광판(410)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
발광 모듈부(440)는 도광판(410)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 발광 모듈부(440)는 기판(442)과, 기판(442)에 탑재된 다수의 발광 소자 패키지(200)를 포함한다. 여기서, 발광 소자 패키지(200)는 도 5a 또는 도 5b에 예시된 발광 소자 패키지(200A, 200B)일 수 있으므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 기판(442)은 도광판(410)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
기판(442)은 회로 패턴(미도시)을 포함하는 PCB일 수 있다. 다만, 기판(442)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
그리고, 다수의 발광 소자 패키지(200)는 기판(442) 상에 빛이 방출되는 발광면이 도광판(410)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.
도광판(410) 아래에는 반사 부재(420)가 형성될 수 있다. 반사 부재(420)는 도광판(410)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 반사 부재(420)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
바텀 커버(430)는 도광판(410), 발광 모듈부(440) 및 반사 부재(420) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 바텀 커버(430)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
바텀 커버(430)는 금속 또는 수지로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100A, 100B, 100C: 발광 소자 110: 투광성 기판
112: 버퍼층 120: 발광 구조물
132, 134: 제1 및 제2 전극 142, 144: 제1 및 제2 범프부
152, 154: 제1 및 제2 금속층 160: 절연층
170A, 170B: 서브 마운트 180A, 180B: 반사층
170C: 분산 브래그 반사층 170-1 ~ 170-k: 페어
200, 200A, 200B: 발광 소자 패키지 210, 274A, 274B: 패키지 몸체
220: 접착부 232, 234: 리드(lead)선
242, 244, 282, 284: 와이어 250: 측벽부
260, 276: 몰딩 부재 270: 기판
272: 절연물 300: 조명 유닛
310: 케이스 몸체 320: 연결 단자
330, 440: 발광 모듈부 400: 백라이트 유닛
410: 도광판 420: 반사 부재
430: 바텀 커버

Claims (5)

  1. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 위에 배치되며, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 및 제2 물질층이 교번하여 적어도 1회 적층된 구조를 갖는 반사층;
    상기 반사층 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층;
    투광성 기판;
    상기 투광성 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제1 금속층과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 배치되어, 상기 제1 금속층과 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부; 및
    상기 제2 금속층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되어, 상기 제2 금속층과 상기 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 물질층은 AlLGa1 - LN 및 AlMGa1 - MN(여기서, 0.5 < L ≤ 1, M < L, 0.5 ≤ M < 1)에 각각 해당하는 발광 소자 패키지.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 AlLGa1 - LN 및 AlMGa1 - MN이 교번하여 적층된 횟수는 6 내지 30인 발광 소자 패키지.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 AlLGa1 - LN는 20 ㎚ 내지 30 ㎚의 두께를 갖고, 상기 AlMGa1-MN는 20 ㎚ 내지 40 ㎚의 두께를 갖는 발광 소자 패키지.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 물질층은 AlGaN 및 AlN에 각각 해당하는 발광 소자 패키지.
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