KR20140137740A - Organec light emitting diode display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Organec light emitting diode display device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20140137740A
KR20140137740A KR1020130058605A KR20130058605A KR20140137740A KR 20140137740 A KR20140137740 A KR 20140137740A KR 1020130058605 A KR1020130058605 A KR 1020130058605A KR 20130058605 A KR20130058605 A KR 20130058605A KR 20140137740 A KR20140137740 A KR 20140137740A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
organic light
emitting diode
pixel regions
color filter
Prior art date
Application number
KR1020130058605A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101957838B1 (en
Inventor
이명호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130058605A priority Critical patent/KR101957838B1/en
Publication of KR20140137740A publication Critical patent/KR20140137740A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101957838B1 publication Critical patent/KR101957838B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Disclosed is a method of manufacturing an organic light emitting diode display device which includes a first step of forming an organic light emitting diode in each pixel region of a substrate where pixel regions are defined; a second step of forming a protection layer by applying an insulating layer to the upper organic light emitting diode; a third step of forming a black matrix by printing phase change ink including a light shielding material in a position corresponding to each peripheral region of the pixel region to the upper part of the protection layer; and a forth step of sequentially forming a red, a green, a blue color filter pattern to each pixel region in a position corresponding to each pixel region surrounded by the black matrix.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법{ORGANEC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 특히 광효율을 향상시키면서 공정을 단순화할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same, which can simplify a process while improving light efficiency.

최근에는 플라즈마표시장치(plasma display panel:PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device:LCD), 유기발광다이오드(organic light emitting diode:OLED) 표시장치와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.2. Description of the Related Art In recent years, flat panel display devices such as a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display device (LCD), and an organic light emitting diode (OLED) display device have been widely studied and used to be.

이러한 평판표시장치 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 자발광소자를 이용함으로써, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능한 특징을 가진다. Of these flat panel display devices, the organic light emitting diode display device uses a self-luminous element, so that a backlight used in a liquid crystal display device which is a non-luminous element is not required, so that it is thin and light.

또한, 액정표시장치에 비해 시야각 및 명암 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가진다. In addition, it has a better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device, is advantageous in terms of power consumption, can be driven by DC low voltage, has a fast response speed, is resistant to external impacts due to its solid internal components, It has wide advantages.

특히, 제조공정이 액정표시장치에 비해 단순하기 때문에 생산원가를 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있다.Particularly, since the manufacturing process is simpler than the liquid crystal display device, the production cost can be saved more than the liquid crystal display device.

이와 같은 유기발광다이오드 표시장치는 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나누어지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온(on) 또는 오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 화소별로 위치하도록 구성한다. Such an organic light emitting diode display device is divided into a passive matrix type and an active matrix type. In the passive matrix type, a device is formed in a matrix form while crossing signal lines. On the other hand, an active matrix type A thin film transistor, which is a switching element for turning on or off pixels, is arranged for each pixel.

이에 따라, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있으나, 이에 비해 액티브 매트릭스 타입은 고해상도나 저소비전력, 대화면을 구현할 수 있는 이점을 가지며 다양한 분야에 이용하기 위한 연구가 활발이 진행되며 주로 이용되고 있다.
Accordingly, although passive matrix type has many limit factors such as resolution, power consumption, and life span, active matrix type has advantages of realizing high resolution, low power consumption, and large screen, and research for use in various fields is active And it is mainly used.

도 1은 종래 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional active matrix type organic light emitting diode display device.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치(10)는 제1기판(1)과, 제1기판(1)과 마주보는 제2기판(2)으로 구성되며, 제1 및 제2기판(1, 2)은 서로 이격되어 이의 가장자리부를 실패턴(seal pattern:20)을 통해 봉지되어 합착된다. 1, the organic light emitting diode display 10 includes a first substrate 1 and a second substrate 2 facing the first substrate 1, and the first and second substrates 1, (1, 2) are spaced apart from each other, and the edge portions thereof are sealed through a seal pattern (20) and attached together.

이를 좀더 상세히 살펴보면, 제1기판(1)의 상부에는 각 화소영역 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제1전극(3)과 제1전극(3)의 상부에 특정한 색의 빛을 발광하는 유기발광층(5)과, 유기발광층(5)의 상부에는 제2전극(7)이 구성된다. In more detail, a driving thin film transistor DTr is formed for each pixel region on the first substrate 1, a first electrode 3 connected to each driving thin film transistor DTr, An organic light emitting layer 5 for emitting light of a specific color and an organic electroluminescent layer 5 for forming a second electrode 7 are formed on top of the organic electroluminescent layer 3.

유기발광층(5)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질(5a, 5b, 5c)을 패턴하여 사용한다. The organic light emitting layer 5 displays red, green, and blue colors. As a general method, separate organic materials 5a, 5b, and 5c emitting red, green, and blue light are patterned for each pixel.

이들 제1 및 제2전극(3, 7)과 그 사이에 형성된 유기발광층(5)은 유기발광다이오드(E)를 이루게 된다. 이러한 구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치(10)는 제1전극(3)을 양극(anode)으로 제2전극(7)을 음극(cathode)으로 구성하게 된다. The first and second electrodes 3 and 7 and the organic light emitting layer 5 formed therebetween form an organic light emitting diode E. In the organic light emitting diode display device 10 having such a structure, the first electrode 3 serves as an anode and the second electrode 7 serves as a cathode.

제2기판(2)의 내부면에는 외부의 수분을 차단하는 흡습제(13)가 형성된다. On the inner surface of the second substrate 2, a moisture absorbent 13 for blocking moisture from the outside is formed.

이러한 유기발광다이오드 표시장치(10)는 유기발광층(5)을 통해 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식과 하부 발광방식으로 나뉘게 되는데, 하부 발광방식은 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있다. The organic light emitting diode display 10 is divided into a top emission type and a bottom emission type according to a transmission direction of light emitted through the organic emission layer 5. The bottom emission type has a high degree of freedom in stability and process, There is a problem that it is difficult to apply to a high-resolution product.

이에, 고개구율 및 고해상도를 구현할 수 있는 상부 발광방식에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. Therefore, studies on an upper light emitting method capable of realizing a high aperture ratio and a high resolution have been actively conducted.

또한, 최근에는 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 유기 발광층을 형성하고, 이에 대해 동일한 색의 안료를 포함하는 컬러필터를 추가 구성하여 외부광을 컬러필터를 통해 흡수시킴으로써 반사도를 감소시켜 외부 명암 대비비(Ambient Contrast Ratio:ACR)를 향상시키고 있다. Recently, an organic light emitting layer emitting red, green, and blue light is formed, and a color filter including a pigment of the same color is additionally provided to absorb external light through a color filter, thereby reducing the reflectance, (Ambient Contrast Ratio: ACR).

이때, 컬러필터는 통상 200℃ 이상의 온도에서 경화되는 공정을 거치기 때문에 열에 취약한 특성을 가지는 유기발광다이오드의 상부에 컬러필터를 형성하지 못하고, 인캡슐레이션을 위한 상부기판에 컬러필터를 형성한 후 유기발광다이오드가 형성된 하부기판과 서로 마주하도록 위치시키고 정렬을 실시한 후에 합착함으로써 유기발광다이오드 표시장치를 제작한다. In this case, since the color filter is usually cured at a temperature of 200 ° C or higher, a color filter can not be formed on the organic light emitting diode having a characteristic of being vulnerable to heat, a color filter is formed on the upper substrate for encapsulation, The organic light emitting diode display device is manufactured by aligning and aligning the organic light emitting diode display device so that the organic light emitting diode display device faces the lower substrate having the light emitting diode formed thereon.

그러나 이때 유기발광다이오드가 형성된 상부기판과 컬러필터가 형성된 하부기판을 정렬하기가 복잡하고 힘든 문제점이 있다. However, it is complicated and difficult to align the upper substrate on which the organic light emitting diode is formed and the lower substrate on which the color filter is formed.

이와 같이 상부기판과 하부기판의 정렬을 위해서는 복잡한 제조공정을 필요로 하고, 이에 따라 공정비용이 상승되는 원인이 되고 있다.
As described above, a complicated manufacturing process is required for aligning the upper substrate and the lower substrate, which causes a rise in the process cost.

따라서 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 온도 조건에 따라 물질의 상태가 변화하는 상변화 잉크(phase change ink)를 적용하여 유기발광다이오드 상부에 블랙매트릭스와 컬러필터를 형성할 수 있도록 함으로써 정렬을 용이하게 하며 공정을 단순화시키고 이에 따른 공정비용을 절감할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of forming a black matrix and a color filter on an organic light emitting diode by applying a phase change ink, An organic light emitting diode (OLED) display device, and a method of manufacturing the same, which can simplify a process, simplify a process, and reduce a process cost accordingly.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 다수의 화소영역이 정의된 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 유기발광다이오드와; 상기 유기발광다이오드의 제2전극 상부로 형성되며, 이물질의 칩입을 방지하는 보호층과; 상기 보호층의 상부에 상기 화소영역 각각의 주변에 대응하여 위치하는 블랙매트릭스 및 상기 블랙매트릭스로 둘러싸인 상기 화소영역별로 적색, 녹색, 청색이 순차 반복하는 형태로 컬러필터 패턴이 형성되고, 상기 블랙매트릭스는 상변화 잉크(phase change ink)를 적용하여 형성된 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: an organic light emitting diode formed in each pixel region on a substrate having a plurality of pixel regions defined therein; A protection layer formed on an upper portion of the second electrode of the organic light emitting diode and preventing intrusion of foreign matter; A color filter pattern is formed on the protection layer in such a manner that red, green, and blue are sequentially repeated for each of the pixel regions surrounded by the black matrix and the black matrix located on the periphery of each of the pixel regions, Is formed by applying a phase change ink.

이때, 상기 블랙매트릭스는 잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것이 특징이다.At this time, the black matrix may be formed by a printing method using an inkjet apparatus, a roll printing method using an offset device or a gravure device, a coating printing method using a nozzle coating device, and an electrohydrodynamic deposition (EHD) And a printing method that uses the ink.

또한, 상기 상변화 잉크를 UV경화 또는 열경화하는 것이 특징이다. It is also characterized in that the phase change ink is UV cured or thermally cured.

그리고, 상기 컬러필터 패턴은 상기 상변화 잉크 또는 100℃ 이하에서 저온경화가 가능한 재료를 이용하여 잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법으로 형성한 후 UV 경화 또는 열경화 를 진행하는 것이 특징이다. The color filter pattern may be formed by a printing method using an inkjet apparatus, a roll printing method using an offset apparatus or a gravure apparatus using the phase change ink or a material capable of being cured at a temperature lower than 100 ° C , A coating method using a nozzle coating apparatus, and a printing method using an electrohydrodynamic deposition (EHD) apparatus, followed by UV curing or thermal curing.

한편, 상기 화소영역은 제1, 2, 3화소영역으로 나뉘며, 상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 적색, 녹색, 청색을 발광하는 발광패턴을 포함한 유기 발광층이 구비된 것이 특징이다. The pixel region is divided into first, second, and third pixel regions, and each of the first, second, and third pixel regions includes an organic light emitting layer including a light emitting pattern emitting red, green, and blue light.

또는, 상기 화소영역은 제1, 2, 3, 4화소영역으로 나뉘며, 상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 상기 적색, 녹색, 청색의 컬러필터 패턴이 형성되고, 상기 제4화소영역에는 화이트색의 컬러필터 패턴이 형성되거나 옐로우색의 컬러필터 패턴이 형성되거나, 또는 마젠타색의 컬러필터 패턴이 형성되는 것이 특징이다. Alternatively, the pixel region is divided into first, second, third, and fourth pixel regions, and the red, green, and blue color filter patterns are formed in the first, second, and third pixel regions, A white color filter pattern is formed, a yellow color filter pattern is formed, or a magenta color filter pattern is formed.

한편, 상기 유기발광층에서 발광하는 빛은 상기 제2전극 상부로 투과하는 상부 발광방식인 것이 특징이다. On the other hand, the light emitted from the organic light emitting layer is an upper light emitting method which is transmitted to an upper portion of the second electrode.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은, 다수의 화소영역이 정의된 기판 상의 상기 각 화소영역에 유기발광다이오드를 형성하는 제1단계와; 상기 유기발광다이오드의 상부로 절연물질을 도포하여 보호층을 형성하는 제2단계와; 상기 보호층의 상부로 상기 화소영역 각각의 주변에 대응하는 위치에 차광제가 포함된 상변화 잉크(phase change ink)를 인쇄하여 블랙매트릭스를 형성하는 제3단계 및 상기 블랙매트릭스로 둘러싸인 상기 화소영역 각각에 대응하는 위치에 상기 각 화소영역 별로 순차 반복하는 적색, 녹색, 청색의 컬러필터 패턴을 형성하는 제4단계를 포함한다. A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention includes: a first step of forming an organic light emitting diode in each pixel region on a substrate on which a plurality of pixel regions are defined; A second step of forming a protective layer by coating an insulating material on the organic light emitting diode; A third step of forming a black matrix by printing a phase change ink including a light shielding agent at a position corresponding to the periphery of each of the pixel regions above the protective layer, And a fourth step of forming color filter patterns of red, green, and blue that are sequentially repeated for each pixel region at positions corresponding to the pixel regions.

여기서, 상기 제4단계는 상기 상변화 잉크가 포함된 컬러잉크 또는 100℃ 이하에서 저온경화가 가능한 잉크를 잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the fourth step, the color ink containing the phase change ink or the ink capable of being cured at a temperature lower than 100 DEG C is applied to a roll using an inkjet apparatus, an offset apparatus or a gravure apparatus ) Printing method, a coating printing method using a nozzle coating apparatus, and a printing method using an electrohydrodynamic deposition (EHD) apparatus.

또한, 상기 제3단계와 제4단계는 광경화 또는 열경화를 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. The third and fourth steps may further include a step of performing photo-curing or thermosetting.

또는, 상기 제4단계 후에 광경화 또는 열경화를 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Alternatively, the method further comprises a step of performing photo-curing or thermosetting after the fourth step.

한편, 상기 다수의 화소영역은 제1, 2, 3화소영역으로 나뉘며, 상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 상기 적색, 녹색, 청색 컬러필터 패턴이 형성되고, 상기 유기발광다이오드를 형성하는 단계는, 상기 제1, 2, 3화소영역에 각각 적색, 녹색, 청색을 발광하는 발광패턴을 포함하는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징이다.The plurality of pixel regions are divided into first, second, and third pixel regions, and the red, green, and blue color filter patterns are formed in the first, second, and third pixel regions, respectively, The organic light emitting device includes a step of forming an organic light emitting layer including a light emitting pattern emitting red, green, and blue light in the first, second, and third pixel regions, respectively.

또는, 상기 다수의 화소영역은 제1, 2, 3, 4화소영역으로 나뉘며, 상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 상기 적색, 녹색, 청색의 컬러필터 패턴이 형성되고, 상기 제4화소영역에는 화이트색, 옐로우색, 마젠타색의 컬러필터 패턴이 형성되는 것이 특징이다.Alternatively, the plurality of pixel regions are divided into first, second, third, and fourth pixel regions, and the red, green, and blue color filter patterns are formed in the first, second, and third pixel regions, Color filter pattern of white color, yellow color, and magenta color is formed in the area.

상기 상변화 잉크의 인쇄는, 잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것이 특징이다.
The printing of the phase change ink may be performed by a printing method using an inkjet apparatus, a roll printing method using an offset device or a gravure device, a coating printing method using a nozzle coating device, an electrohydrodynamic deposition (EHD) And a printing method using an apparatus.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 유기발광다이오드에 열에 의한 손상을 주지 않으면서 이의 상부에 블랙매트릭스와 컬러필터를 함께 형성할 수 있으므로 명암 대비비를 향상시키며, 종래 정렬에 필요한 공정을 단순화하는 동시에 공정비용을 저감시키는 효과가 있다. The organic light emitting diode display according to the present invention can form a black matrix and a color filter on the organic light emitting diode without damaging the organic light emitting diode by heat, thereby improving the contrast ratio and simplifying the processes required for conventional alignment There is an effect of reducing the process cost.

또한 상변화 잉크를 적용한 인쇄기법을 적용하여 블랙매트릭스와 컬러필터를 형성함에 따라 마스크 패턴에 따른 패터닝 공정을 필요로 하는 포토리소그래피 공정과 달리 공정을 단순화하며 이에 따른 비용을 절감시키는 효과가 있다.
In addition, since the black matrix and the color filter are formed by applying the printing technique using the phase change ink, unlike the photolithography process which requires the patterning process according to the mask pattern, the process is simplified and the cost is reduced.

도 1은 종래 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 일반적인 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 한 화소에 대한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 일부를 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하부기판에 박막트랜지스터와 유기발광다이오드를 형성하는 공정 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하부기판에 블랙매트릭스와 컬러필터 패턴을 형성하는 공정 단면도이다1 is a schematic cross-sectional view of a conventional active matrix type organic light emitting diode display device.
2 is a circuit diagram of one pixel of a general active matrix type organic light emitting diode display device.
3 is a cross-sectional view illustrating a part of an organic light emitting diode display device according to a preferred embodiment of the present invention.
4A to 4F are cross-sectional views illustrating a process of forming a thin film transistor and an organic light emitting diode on a lower substrate of an organic light emitting diode display according to a preferred embodiment of the present invention.
5A to 5C are cross-sectional views illustrating a process of forming a black matrix and a color filter pattern on a lower substrate of an organic light emitting diode display device according to a preferred embodiment of the present invention

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

우선, 액티브 매트릭스형 유기발광다이오드 표시장치의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. First, the basic structure and operating characteristics of the active matrix organic light emitting diode display will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 일반적인 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 한 화소에 대한 회로도이다. 2 is a circuit diagram of one pixel of a general active matrix type organic light emitting diode display device.

도 2에 도시한 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기발광다이오드(E)로 이루어진다. As shown in FIG. 2, one pixel of the organic light emitting diode display device includes a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E ).

그리고, 제1방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제1방향과 교차되는 제2방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. A gate line GL is formed in a first direction and a data line DL is formed in a second direction intersecting the first direction to define a pixel region P, DL and a power supply line PL for applying a power supply voltage.

또한, 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. A switching thin film transistor STr is formed at the intersection of the data line DL and the gate line GL and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor STr is formed.

여기서, 유기발광다이오드(E)의 일측 단자인 제1전극은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제2전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. Here, the first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode of the organic light emitting diode E is connected to the power supply line PL.

이때, 전원배선(PL)은 전원전압을 유기발광다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. At this time, the power supply line (PL) transfers the power supply voltage to the organic light emitting diode (E). A storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기발광다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기발광다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 유기발광다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 유기발광다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr, DTr are turned on so that light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is turned on, the level of the electric current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined. Accordingly, the organic light emitting diode E is gray- and the storage capacitor StgC can maintain the gate voltage of the driving thin film transistor DTr constant when the switching thin film transistor STr is turned off so that the switching thin film transistor STr The level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame.

이후에는 전술한 구동에 의해 화상을 표시하는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구성에 대해 설명한다. Hereinafter, a configuration of an organic light emitting diode display device according to a preferred embodiment of the present invention for displaying an image by the above-described driving will be described.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 일부를 도시한 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 구동영역, 스위칭 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 스위칭 영역이라 정의한다.3 is a cross-sectional view illustrating a portion of an organic light emitting diode display device according to a preferred embodiment of the present invention. Here, for convenience of description, the region where the driving thin film transistor DTr is formed is defined as a driving region, and the region where the switching thin film transistor is formed is defined as a switching region.

도 3에 도시한 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치(101)는 구동 박막트랜지스터(DTr), 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 유기발광다이오드(E) 그리고 블랙매트릭스(162)와 컬러필터 패턴(163)이 형성된 제1기판(110)과, 인캡슐레이션을 위한 제2기판(180)으로 구성되며, 제1기판(110) 및 제2기판(180)은 서로 이격되어 이의 가장자리부를 실패턴(seal pattern, 미도시)을 통해 봉지되어 합착되거나 Face seal 등의 전면 합착 등의 방법으로 합착될 수 있다. 이때, 제2기판(180)의 전면에는 보호필름이 더 구비될 수도 있다.3, the organic light emitting diode display device 101 includes a driving thin film transistor DTr, a switching thin film transistor (not shown) and an organic light emitting diode E, a black matrix 162 and a color filter pattern 163 And a second substrate 180 for encapsulation. The first substrate 110 and the second substrate 180 are spaced apart from each other to define an edge of the first substrate 110 and a second substrate 180 pattern, not shown), and they can be bonded together by a method such as a face seal such as a face seal. At this time, a protective film may be further provided on the front surface of the second substrate 180.

여기서, 하부기판이라 불리는 제1기판(110)과 상부기판 또는 인캡슐레이션기판이라 불리는 제2기판(110)은 유리기판, 얇은 플렉시블(flexibility) 기판 또는 플라스틱 기판에 해당될 수 있다. Here, the first substrate 110 called a lower substrate and the second substrate 110 called an upper substrate or an encapsulation substrate may correspond to a glass substrate, a thin flexible substrate, or a plastic substrate.

이때, 플렉시블(flexibility) 기판은 폴리 에테르 술폰(Polyethersulfone :PES), 폴리 에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate : PEN), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate : PET), 폴리 카보네이트(polycarbonate : PC), 스테인레스 스틸(stainless steel), 폴리 이미드(polyimide : PI) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.At this time, the flexible substrate is made of a material such as polyethersulfone (PES), polyethylenenaphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), stainless steel steel, and polyimide (PI).

제1기판(110) 상에는 반도체층(113)이 형성되는데, 반도체층(113)은 구동영역에 대응하여 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 제1영역(113a), 그리고 상기 제1영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2영역(113b)으로 구성된다. A semiconductor layer 113 is formed on the first substrate 110. The semiconductor layer 113 is made of silicon corresponding to a driving region and has a first region 113a and a second region 113b. 113a, and a second region 113b doped with impurities at high concentration on both sides.

한편, 도면에 도시하지는 않았지만 반도체층(113)과 제1기판(110) 사이에는 무기절연물질, 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 반도체층(113)의 결정화시 제1기판(110) 내부로부터 나오는 알카리 이온의 방출에 의한 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하기 위함이다. A buffer layer made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) may be formed between the semiconductor layer 113 and the first substrate 110. The buffer layer (not shown) prevents the deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 113 due to the release of alkali ions from the first substrate 110 when the semiconductor layer 113 is crystallized.

이러한 반도체층(113)의 상부로는 게이트 절연막(116)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 116 is formed on the semiconductor layer 113.

그리고 게이트 절연막(116) 상부로는 반도체층(113)의 제1영역(113a)에 대응하는 게이트 전극(120)과 이(120)와 연결되며 일방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. A gate electrode 120 corresponding to the first region 113a of the semiconductor layer 113 and a gate wiring (not shown) connected to the gate region 120 and extending in one direction are formed on the gate insulating layer 116 have.

그리고 게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시) 위로 전면에 층간절연막(123)이 형성되어 있으며, 이때 층간절연막(123)과 그 하부의 게이트 절연막(116)에는 제1영역(113a) 양측면에 위치한 제2영역(113b) 각각을 노출시키는 제1, 제2반도체층 콘택홀(124, 125)이 형성되어 있다. An interlayer insulating film 123 is formed on the entire surface of the gate electrode 120 and the gate wiring line (not shown). The interlayer insulating film 123 and the gate insulating film 116 under the gate electrode 120 are formed on both sides of the first region 113a The first and second semiconductor layer contact holes 124 and 125 exposing the second regions 113b are formed.

다음으로 제1, 제2반도체층 콘택홀(124, 125)을 포함하는 층간절연막(123) 상부에는 게이트 배선(미도시)과 교차하여 각 화소영역(P1, P2, P3)을 정의하는 데이터 배선(미도시)과, 이와 이격하여 전원배선(미도시)이 형성되어 있다. Next, on the interlayer insulating film 123 including the first and second semiconductor layer contact holes 124 and 125, a data wiring line (not shown) crossing the gate wiring (not shown) and defining the pixel regions P1, P2, (Not shown), and a power supply wiring (not shown) is formed therebetween.

또한, 층간절연막(123) 위로 각 구동영역 및 스위칭 영역에는 서로 이격하며 제1, 제2반도체층 콘택홀(124, 125)을 통해 노출된 제2영역(113b)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. 이때, 소스 및 드레인 전극(133, 136)과, 이들 전극(133, 136)과 접촉하는 제2영역(113b)을 포함하는 반도체층(113)과, 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트 절연막(116) 및 게이트 전극(120)은 각각 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 이룬다. The first and second semiconductor layer contact holes 124 and 125 are electrically connected to the source and drain electrodes 121 and 122 which are in contact with the second region 113b, (133, 136) are formed. At this time, the semiconductor layer 113 including the source and drain electrodes 133 and 136 and the second region 113b contacting the electrodes 133 and 136 and the gate insulating film (not shown) formed on the semiconductor layer 113 116 and the gate electrode 120 constitute a driving thin film transistor DTr and a switching thin film transistor (not shown), respectively.

한편, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 전기적으로 연결되어 있으며, 게이트 배선(미도시)은 게이트 전극과 연결되어 있고, 데이터 배선(미도시)은 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)과 연결되어 있다. A switching thin film transistor (not shown) is electrically connected to the driving thin film transistor DTr, a gate wiring (not shown) and a data wiring (not shown), and a gate wiring (not shown) , And a data line (not shown) is connected to a source electrode (not shown) of a switching thin film transistor (not shown).

그리고, 소스 및 드레인 전극(133,136)과 이들 전극(133, 136) 사이로 노출된 층간절연막(123) 상부로 제1보호층(140)이 형성되어 있다. 이때 제1보호층(140)에는 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 형성되어 있다. The first passivation layer 140 is formed on the interlayer insulating layer 123 exposed between the source and drain electrodes 133 and 136 and the electrodes 133 and 136. At this time, a drain contact hole 143 is formed in the first passivation layer 140 to expose the drain electrode 136 of the driving TFT DTr.

또한, 드레인 콘택홀(143)을 구비한 제1보호층(140) 상부로는 각 화소영역(P1, P2, P3) 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 드레인 콘택홀(143)을 통해 접촉되는 제1전극(147)이 형성되어 있다. The drain electrode 136 and the drain contact hole 143 of the driving thin film transistor DTr are formed on the first passivation layer 140 having the drain contact hole 143 for each pixel region P1, The first electrode 147 is formed to be in contact with the first electrode 147. [

이때, 제1전극(147)은 일함수 값이 비교적 높은 물질로 이루어져 애노드(anode) 전극의 역할을 한다. At this time, the first electrode 147 is made of a material having a relatively high work function value and serves as an anode electrode.

이러한 제1전극(147) 위로 각 화소영역(P1, P2, P3)의 경계에는 각 화소영역(P1, P2, P3)을 둘러싸는 형태로 상기 제1전극(147)의 테두리와 중첩하도록 버퍼패턴(150)이 형성되어 있다. The first electrode 147 and the second electrode 147 are formed so as to overlap the rim of the first electrode 147 in such a manner as to surround the pixel regions P1, P2, and P3 at the boundaries of the pixel regions P1, P2, (Not shown).

이때, 버퍼패턴(150)은 일반적인 투명한 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를 들면 블랙수지로 이루어질 수도 있다. At this time, the buffer pattern 150 may be formed of a general transparent organic insulating material, for example, polyimide, photo acryl, benzocyclobutene (BCB) For example, black resin.

여기서, 버퍼패턴(150)으로 둘러싸인 각 화소영역(P1, P2, P3)에 있어서 제1전극(147) 위로는 적, 녹, 청색을 발광하는 발광패턴을 포함하는 유기 발광층(155)이 형성되어 있다. An organic light emitting layer 155 including a light emitting pattern that emits red, green, and blue light is formed on the first electrode 147 in each of the pixel regions P1, P2, and P3 surrounded by the buffer pattern 150 have.

상기 유기 발광층(155)은 적, 녹, 청색을 발광하는 발광패턴 이외에 화이트를 발광하는 발광패턴으로 형성되어 백색광을 발광하도록 할 수도 있지만, 적, 녹, 청색을 발광하는 발광패턴이 순차적으로 각 화소영역(P1, P2, P3)에 형성되어 있음이 보다 바람직하다. The organic light emitting layer 155 may be formed in a light emitting pattern that emits white light in addition to a light emitting pattern that emits red, green, and blue light, and may emit white light. However, the organic light emitting layer 155 may sequentially emit red, It is more preferable that the light-shielding layer is formed in the regions P1, P2, and P3.

이와 같은 유기발광층(155)은 단일층으로 구성될 수 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.The organic light emitting layer 155 may be a single layer and may include a hole injection layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, an electron transporting layer layer and an electron injection layer.

이때, 유기발광층(155)은 적, 녹, 청색 화소영역(P1, P2, P3)별로 그 두께를 달리 형성할 수 있는데, 일예로 적색을 발광하는 적색 유기발광층의 경우 55nm 내지 65nm 정도의 두께를 가지고, 녹색 유기발광층의 경우 40nm 내지 50nm 정도의 두께를 가지며, 청색 유기발광층의 경우 35nm 내지 45nm 정도의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. In this case, the thickness of the organic light emitting layer 155 may be different depending on the red, green, and blue pixel regions P1, P2, and P3. For example, in the case of a red organic light emitting layer emitting red light, The green organic light emitting layer has a thickness of about 40 nm to 50 nm, and the blue organic light emitting layer has a thickness of about 35 nm to 45 nm.

이러한 유기 발광층(155) 상부로는 전면에 제2전극(158)이 형성되어 있는데, 제2전극(158)은 캐소드(cathode) 전극 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질로 이루어진다. The second electrode 158 is formed on the entire surface of the organic light emitting layer 155 and the second electrode 158 is made of a metal material having a relatively low work function value to serve as a cathode electrode.

전술한 제1, 2전극(147, 158)과 그 사이에 형성된 유기 발광층(155)은 유기발광다이오드(E)를 이루게 된다.The first and second electrodes 147 and 158 and the organic light emitting layer 155 formed therebetween form the organic light emitting diode E.

이때, 유기발광다이오드(E)는 제2전극(158)을 일예로 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같은 광투과성을 가지는 도전성 물질로 형성하므로, 유기발광층(155)에서 발광된 빛은 제2전극(158)을 통해 방출하는 상부 발광방식으로 구동된다. Since the organic light emitting diode E is formed of the conductive material having the light transmitting property such as indium-tin-oxide (ITO) as the second electrode 158, the light emitted from the organic light- And is driven by the upper light emitting method that emits light through the electrode 158.

다음으로 상기 제2전극(158) 상부에는 대기중의 수분, 산소 등의 이물질이 유기발광다이오드(E)로 침투하지 않도록 보호하기 위한 제2보호층(167)이 형성되어 있다. Next, a second passivation layer 167 is formed on the second electrode 158 to protect foreign substances such as moisture and oxygen from permeating the organic light emitting diode E.

여기서, 제2보호층(167)은 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlOx)으로 이루어진다. 이때, 제2보호층(167)은 무기물질로 이루어진 무기막과 유기물질로 이루어진 유기막을 포함하는 다층구조로 형성될 수도 있다. Here, the second protective layer 167 is, for example, inorganic insulating material is made of a silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlOx). At this time, the second passivation layer 167 may have a multi-layer structure including an inorganic film made of an inorganic material and an organic film made of an organic material.

다음으로 제2보호층(167) 상부에는 각 화소영역(P1, P2, P3)의 주변에 대응하여 위치하는 블랙매트릭스(162)와, 각 화소영역(P1, P2, P3)에 대응하여 위치하는 컬러필터 패턴(163)이 상변화 잉크(phase change ink)를 적용한 잉크젯(inkjet)장치의 인쇄(printing)법을 통해 형성된 것이 특징이다. Next, a black matrix 162 corresponding to the periphery of each of the pixel regions P1, P2, and P3 is formed on the second protective layer 167, and a black matrix 162 corresponding to the pixel regions P1, P2, The color filter pattern 163 is formed by a printing method of an inkjet apparatus using a phase change ink.

이때, 적색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성된 화소영역(P1)에 대응하는 위치에는 적색 안료를 포함하는 적색 컬러필터 패턴(163a)이 형성되어 있으며, 녹색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성된 화소영역(P2)에 대응하는 위치에는 녹색 안료를 포함하는 녹색 컬러필터 패턴(163b)이 형성되어 있으며, 청색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성된 화소영역(P3)에 대응하는 위치에는 청색 안료를 포함하는 청색 컬러필터 패턴(163c)이 형성되어 있다.At this time, a red color filter pattern 163a including a red pigment is formed at a position corresponding to the pixel region P1 where the organic light emitting layer 155 emitting red light is formed, and an organic light emitting layer 155 emitting green light is formed A green color filter pattern 163b including a green pigment is formed at a position corresponding to the formed pixel region P2 and a blue color filter pattern 163b is formed at a position corresponding to the pixel region P3 where the organic light- A blue color filter pattern 163c including a pigment is formed.

여기서, 상변화는 온도 조건에 따라 물질의 상태가 바뀌는 것을 의미하는데, 상변화 잉크는 일반적인 상온에서는 점도가 높은 상태를 유지하나 수십도로 가열하게 되면 점도가 낮은 상태로 변화되어 잉크젯장치를 통해 분사될 수 있으며, 기판에 분사된 후에는 수 ms이내에 일정 형태로 응고되어 형상을 이루는 것을 특징으로 한다. The phase change means that the state of the substance changes according to the temperature condition. The phase change ink maintains a high viscosity at a normal room temperature, but when it is heated to several tens of degrees, it changes to a low viscosity state and is sprayed through the ink jet apparatus And is formed into a shape by solidifying in a predetermined form within a few milliseconds after being sprayed onto a substrate.

특히, 본 발명에 따른 상변화 잉크는 포토리소그래피 공정에서 사용되는 솔벤트와 같은 물질이 포함되지 않아 100℃ 이하, 실질적으로 50℃ 내지 70℃의 온도에서 저온경화가 가능하여 저가의 UV경화기를 적용할 수 있으며, 저온경화가 가능하므로 유기발광다이오드(E)의 상부에 블랙매트릭스(162)와 컬러필터 패턴(163)을 형성할 시에 유기발광다이오드(E)가 열에 의해 손상을 입는 것을 방지한다. In particular, since the phase change ink according to the present invention does not contain a solvent-like material used in a photolithography process, it can be cured at a temperature of 100 ° C or lower, substantially 50 ° C to 70 ° C, And can be cured at a low temperature. Therefore, when the black matrix 162 and the color filter pattern 163 are formed on the organic light emitting diode E, the organic light emitting diode E is prevented from being damaged by heat.

다음으로 블랙매트릭스(162)와 컬러필터 패턴(163)이 형성된 제1기판(110)의 전면에는 표면의 단차를 보상하여 평탄한 표면을 형성하기 위한 오버코트층(167)이 형성되어 있다. 여기서, 오버코트층(167)은 생략 가능하다. An overcoat layer 167 is formed on the front surface of the first substrate 110 on which the black matrix 162 and the color filter pattern 163 are formed. Here, the overcoat layer 167 may be omitted.

한편, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치(101)의 실시예로 적, 녹, 청색을 표시하는 3개의 화소영역(P1, P2, P3)을 도시하였지만, 화이트(W), 옐로우(Y), 마젠타(magenta:M) 또는 이외의 색을 추가한 4개의 화소영역으로 구성되도록 구현할 수도 있다. 이와 같이 4개의 화소영역으로 구성될 경우 유기 발광층은 이에 대응하는 4색 발광패턴으로 형성되거나, 또는 화이트를 발광하는 발광패턴으로 형성될 수 있다. Although three pixel regions P1, P2 and P3 for displaying red, green and blue colors are shown in the embodiment of the organic light emitting diode display device 101 according to the present invention, white (W) and yellow (Y) , Magenta (M), or other color. In the case of the four pixel regions, the organic light emitting layer may have a corresponding four-color light emitting pattern or a white light emitting pattern.

또한, 상변화 잉크를 적용함에 있어서 잉크젯장치뿐만 아니라 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 또는 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법을 적용할 수도 있다.In addition, in applying the phase change ink, a roll printing method using an offset or gravure apparatus as well as an ink jet apparatus, a coating printing method using a nozzle coating apparatus, or an electrohydrodynamic deposition (EHD) apparatus The printing method used may be applied.

전술한 바와 같이, 본 발명은 상변화 잉크를 적용한 인쇄법으로 제1기판(110) 상에 형성된 유기발광다이오드(E)의 상부에 블랙매트릭스(162)와 컬러필터 패턴(163)을 형성함으로써 유기발광다이오드(E)에 열에 의한 손상을 주지 않는 것이 특징이다.As described above, according to the present invention, by forming the black matrix 162 and the color filter pattern 163 on the organic light emitting diode E formed on the first substrate 110 by the printing method using the phase change ink, And the light emitting diode E is not damaged by heat.

이때, 컬러필터 패턴(163)은 상변화 잉크가 아닌 100℃ 이하의 저온경화가 가능한 재료를 이용하여 전술한 잉크젯장치나 오프셋장치 등의 인쇄법으로 형성한 후 UV 경화 또는 열경화 등을 통해 경화시킬 수도 있다.At this time, the color filter pattern 163 is formed not by phase change ink but by a printing method such as the above-described ink jet apparatus or offset apparatus using a material capable of being cured at a low temperature of 100 DEG C or less, and then cured .

또한, 제1기판(180)에 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시), 유기발광다이오드(E), 블랙매트릭스(162)와 컬러필터 패턴(163)을 모두 함께 형성하여 제2기판(180)은 단순히 인캡슐레이션의 역할을 하도록 함으로써 제1기판(110)과 제2기판(180)의 정렬을 용이하게 하며 공정을 단순화시키고, 공정비용을 절감할 수 있게 되는 이점이 있다. In addition, a driving and switching thin film transistor (DTr, not shown), an organic light emitting diode (E), a black matrix 162 and a color filter pattern 163 are all formed on the first substrate 180, Is advantageous in facilitating the alignment of the first substrate 110 and the second substrate 180 by simplifying the role of encapsulation, simplifying the process, and reducing the process cost.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(101)는 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 유기 발광층(155)의 적, 녹, 청색을 발광하는 발광패턴과 중첩하여 동일한 색의 안료를 포함하는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(163)을 더욱 형성함으로써 반사도를 감소시켜 외부 명암 대비비를 향상시킬 수 있는 특징이 있다.
In addition, the organic light emitting diode display device 101 according to the preferred embodiment of the present invention overlaps a light emission pattern of red, green, and blue colors of the organic light emitting layer 155 that emits red, green, Green, and blue color filter patterns 163 including a pigment are further formed, thereby reducing the reflectivity and improving the external contrast ratio.

이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1기판을 제조하는 제조방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the first substrate of the organic light emitting diode display device according to the preferred embodiment of the present invention will be described.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하부기판에 박막트랜지스터와 유기발광다이오드를 형성하는 공정 단면도이다. 4A to 4F are cross-sectional views illustrating a process of forming a thin film transistor and an organic light emitting diode on a lower substrate of an organic light emitting diode display according to a preferred embodiment of the present invention.

우선, 도면에 도시하지는 않았지만 기판(110) 상에 서로 교차하여 화소영역(P1, P2, P3)을 정의하는 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과, 전원배선(미도시)을 형성한다. First, a gate wiring (not shown) and a data wiring (not shown) and a power wiring (not shown) are formed on the substrate 110 to define pixel regions P1, P2 and P3, .

그리고 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(110) 예를들면 유리기판, 플렉서블기판 또는 플라스틱기판의 각 화소영역(P1, P2, P3) 내에 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성한다. 4A, a driving thin film transistor DTr is formed in each pixel region P1, P2, and P3 of the substrate 110, for example, a glass substrate, a flexible substrate, or a plastic substrate.

이때, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 반도체층(113)과, 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트 절연막(116), 게이트 전극(120), 게이트 전극(120) 상부에 형성된 층간절연막(123) 그리고 소스 및 드레인 전극(133, 136)으로 이루어진다. 그리고 소스 및 드레인 전극(133, 136) 상부로 제1보호층(140)이 형성되어 있다. The driving thin film transistor DTr includes a semiconductor layer 113, a gate insulating layer 116 formed on the semiconductor layer 113, a gate electrode 120, an interlayer insulating layer 123 formed on the gate electrode 120, Source and drain electrodes 133 and 136, respectively. A first passivation layer 140 is formed on the source and drain electrodes 133 and 136.

여기서 도면상에 도시하지는 않았지만 구동 박막트랜지스터(DTr)의 형성방법에 대해 상세히 살펴보면, 비정질실리콘을 증착한 후 포토레지스트의 도포, 마스크를 통한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상 및 현상후 남아 있는 포토레지스트 외부로 노출된 비정질실리콘층의 식각 및 남아 있는 포토레지스트의 애싱(ashing) 또는 스트립(strip) 등의 마스크 공정을 통한 패터닝을 진행하여 반도체층(113)을 형성한다. Although not shown in the drawings, a method of forming the driving thin film transistor DTr will be described in detail. After the deposition of the amorphous silicon, the photoresist is coated, the exposure is performed through the mask, the development of the exposed photoresist, The semiconductor layer 113 is formed by etching the exposed amorphous silicon layer and patterning through a mask process such as ashing or stripping of the remaining photoresist.

이때, 반도체층(113)의 탈수소 과정을 거쳐 열처리에 의해 폴리실리콘으로 결정화하는 공정을 더욱 포함한다. At this time, the semiconductor layer 113 is further subjected to a dehydrogenation process and then crystallized into polysilicon by heat treatment.

다음으로 반도체층(113)이 형성된 기판(110) 상에 절연물질을 증착하여 게이트 절연막(116)을 형성한 후, 게이트 절연막(116) 상부에 금속층을 증착하고, 앞서 설명한 바와 같은 마스크 공정을 진행하여 반도체층(113)의 중앙부에 금속층으로 게이트 전극(120)을 형성한다. Next, an insulating material is deposited on the substrate 110 on which the semiconductor layer 113 is formed to form a gate insulating film 116. Then, a metal layer is deposited on the gate insulating film 116 and a mask process as described above is performed A gate electrode 120 is formed as a metal layer at a central portion of the semiconductor layer 113.

여기서, 절연물질은 무기절연물질인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘 (SiO₂) 중 하나인 것이 바람직하다. Here, the insulating material is preferably one of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO2) which is an inorganic insulating material.

그리고 금속층은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착하여 단일층 또는 이중층으로 하는 것이 바람직하다. The metal layer is preferably made of a single layer or a double layer by vapor deposition of one or more materials selected from aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), nickel (Ni) and tungsten (W).

다음으로 반도체층(113)이 형성된 기판(110)에 있어서 게이트 전극(120) 및 게이트 배선(미도시) 외부로 노출된 게이트 절연막(116)을 식각하여 제거한 후, 기판(110) 상에 적정 도즈량을 갖는 이온주입에 의해 n+ 또는 p+ 도핑을 실시한다. Next, the gate electrode 120 and the gate insulating film 116 exposed to the outside of the gate wiring (not shown) are etched and removed on the substrate 110 on which the semiconductor layer 113 is formed, Lt; + > or p < + > doping is performed by ion implantation.

이때, 반도체층(113)에 있어서 게이트 전극(120)에 의해 이온주입이 블록킹된 영역은 제1영역(113a)을 형성하게 되고, 그 외의 이온주입된 영역은 제2영역(113b)을 형성하게 된다. At this time, in the semiconductor layer 113, the region where the ion implantation is blocked by the gate electrode 120 forms the first region 113a, and the other ion-implanted region forms the second region 113b do.

이로써 제1영역(113a)과 제2영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)을 완성하게 된다. Thus, the semiconductor layer 113 composed of the first region 113a and the second region 113b is completed.

다음으로 게이트 전극(120)을 포함하여 노출된 제2영역(113b) 상부로 무기절연물질을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써, 게이트 전극(120) 양측의 제2영역(113b) 일부를 각각 노출시키는 제1, 제2반도체층 콘택홀(124, 125)을 갖는 층간절연막(123)을 형성한다. Next, an inorganic insulating material is deposited on the exposed second region 113b including the gate electrode 120, and a mask process is performed to pattern a part of the second region 113b on both sides of the gate electrode 120, An interlayer insulating film 123 having first and second semiconductor layer contact holes 124 and 125 is formed.

그리고, 제1, 제2반도체층 콘택홀(124, 125)을 갖는 층간절연막(123)이 형성된 기판(110) 전면에 금속물질을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써 제1, 2반도체층 콘택홀(124, 125)을 통해 각각 제2영역(113b)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한다. A metal material is deposited on the entire surface of the substrate 110 on which the interlayer insulating film 123 having the first and second semiconductor layer contact holes 124 and 125 is formed and the mask process is performed to pattern the first and second semiconductor layer contacts Source and drain electrodes 133 and 136 are formed through the holes 124 and 125, respectively, in contact with the second region 113b.

이때, 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 게이트 전극(120)을 사이에 두고 서로 이격하게 위치한다. At this time, the source and drain electrodes 133 and 136 are spaced apart from each other with the gate electrode 120 therebetween.

다음으로 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성된 기판(110) 전면에 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 유기절연물질을 도포하여, 기판(110) 전면에 제1보호층(140)을 형성한다. Next, an organic insulating material such as photo-acryl or benzocyclobutene (BCB) is applied to the entire surface of the substrate 110 on which the source and drain electrodes 133 and 136 are formed to form a first protective layer 140 on the entire surface of the substrate 110, .

이때, 제1보호층(140)은 드레인 전극(136)을 노출하는 드레인 콘택홀(143)을 가진다. At this time, the first passivation layer 140 has a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136.

다음으로 도 4b에 도시한 바와 같이, 드레인 콘택홀(143)을 갖는 제1보호층(140) 위로 일함수 값이 비교적 높은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 수천 Å정도의 두께를 갖도록 증착하고 패터닝함으로써 각 화소영역(P1, P2, P3) 별로 드레인 콘택홀(143)을 통해 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제1전극(147)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4B, on the first passivation layer 140 having the drain contact hole 143, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide The drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is contacted through the drain contact hole 143 for each pixel region P1, P2, and P3 by depositing and patterning the thin film transistor IZO having a thickness of several thousand angstroms, One electrode 147 is formed.

다음으로 도 4c에 도시한 바와 같이, 제1전극(147)의 상부에 감광성 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를 들면 블랙수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크(gravure), 블랙 스프레이(black spray), 블랙 에나멜(black enamel) 중 하나를 도포하고 이를 패터닝함으로써 제1전극(147)의 상부로 버퍼패턴(150)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4C, a photosensitive organic insulating material such as polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene (BCB) is formed on the first electrode 147, Or by applying one of black indicating materials, for example, black resin, graphite powder, gravure, black spray or black enamel, and patterning it, A buffer pattern 150 is formed on the electrode 147.

버퍼패턴(150)은 기판(110) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어 각 화소영역(P1, P2, P3) 간을 구분하게 된다. The buffer pattern 150 is formed in a matrix type of a lattice structure as a whole over the substrate 110 to separate the pixel regions P1, P2, and P3.

다음으로 도 4d에 도시한 바와 같이, 기판(110)의 전면에 유기발광물질을 도포 또는 증착하여 유기발광층(155)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4D, an organic light emitting layer 155 is formed by applying or vapor-depositing an organic light emitting material on the entire surface of the substrate 110. [

유기발광층(155)은 노즐(nozzle)코팅장치, 디스펜싱 장치 또는 잉크젯장치를 이용하여 코팅 및 분사함으로써 기판(110)의 전면에 형성할 수 있으며, 또는 진공 열증착 방법을 통해 형성할 수도 있다. 이때, 진공 열증착 방법은 진공챔버 내부에서 유기발광층(155) 형성을 위한 유기발광물질이 분말상태로 담겨져 있는 도가니(미도시)에 열을 가해 유기발광물질을 가열 승화시켜 증착하는 방법이다. The organic light emitting layer 155 may be formed on the entire surface of the substrate 110 by coating or spraying using a nozzle coating apparatus, a dispensing apparatus, or an ink jet apparatus, or may be formed through a vacuum thermal deposition method. At this time, the vacuum thermal deposition method is a method in which heat is applied to a crucible (not shown) in which an organic light emitting material for forming the organic light emitting layer 155 is contained in a powder state in the vacuum chamber to heat and sublimate the organic light emitting material.

이러한 유기발광층(155)은 단일층으로 구성될 수 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.The organic light emitting layer 155 may be a single layer and may include a hole injection layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, and an electron transporting layer ) And an electron injection layer.

또한, 유기발광층(155)은 적, 녹, 청색 화소영역(P1, P2, P3)별로 그 두께를 달리 형성할 수 있는데, 일예로 적색을 발광하는 적색 유기발광층(155)의 경우 55nm 내지 65nm 정도의 두께를 가지고, 녹색 유기발광층(155)의 경우 40nm 내지 50nm 정도의 두께를 가지며, 청색 유기발광층(155)의 경우 35nm 내지 45nm 정도의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. The thickness of the organic light emitting layer 155 may be varied depending on the red, green, and blue pixel regions P1, P2, and P3. For example, in the case of the red organic light emitting layer 155 emitting red light, The green organic light emitting layer 155 may have a thickness of about 40 to 50 nm and the blue organic light emitting layer 155 may have a thickness of about 35 to 45 nm.

다음으로 도 4e에 도시한 바와 같이, 유기발광층(155)이 형성된 기판(110)의 전면에 비교적 일함수 값이 작은 금속물질 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au) 중 하나를 열증착 또는 이온 빔 증착을 실시하여 제2전극(158)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4E, a metal material having a relatively low work function value such as aluminum (Al), an aluminum alloy, silver (Ag), and magnesium (Ag) is formed on the entire surface of the substrate 110 on which the organic light- Mg, or Au is thermally deposited or ion-beam-deposited to form the second electrode 158.

이때, 제2전극(158)은 유기발광층(155)의 손상을 최소화하기 위하여 저온에서 형성하는 것이 바람직하다. At this time, it is preferable that the second electrode 158 is formed at a low temperature to minimize the damage of the organic light emitting layer 155.

이에 따라 제1, 제2전극(147, 158)과 이들 사이에 형성된 유기발광층(155)은 유기발광다이오드(E)를 이룬다. Accordingly, the first and second electrodes 147 and 158 and the organic light emitting layer 155 formed therebetween form an organic light emitting diode (E).

그리고 도 4f에 도시한 바와 같이, 유기발광다이오드(E)의 제2전극(158)이 형성된 기판(110)의 전면에 무기절연물질을 증착 또는 도포하여 투명한 제2보호층(167)을 형성한다. 4F, an inorganic insulating material is deposited or coated on the entire surface of the substrate 110 on which the second electrode 158 of the organic light emitting diode E is formed to form a transparent second protective layer 167 .

여기서, 제2보호층(167)은 유기발광다이오드(E)로 수분이 침투하는 것을 방지하고 보호하기 위한 것으로 무기절연막 및 유기절연막을 포함하여 다층으로 구성될 수도 있다. Here, the second passivation layer 167 may be formed of multiple layers including an inorganic insulating layer and an organic insulating layer for preventing moisture from being penetrated into the organic light emitting diode (E).

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하부기판에 블랙매트릭스와 컬러필터 패턴을 형성하는 공정 단면도이다. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating a process of forming a black matrix and a color filter pattern on a lower substrate of an organic light emitting diode display according to a preferred embodiment of the present invention.

우선 도 5a에 도시한 바와 같이, 제2보호층(167)의 상부로 각 화소영역(P1, P2, P3)의 주변에 대응하는 위치에 잉크젯장치의 헤드부(200)가 차광제를 포함한 상변화 물질로 이루어진 차광 상변화 잉크(160)를 분사하면, 기판(180) 상에 인쇄된 차광 상변화 잉크(160)는 급속히 응고(solidification)된다. 이때, 잉크젯장치는 고체 상태의 차광 상변화 잉크(160)를 융해시킨 후 헤드부(200)를 통해 분사한다.5A, the head portion 200 of the ink-jet apparatus is formed on the upper portion of the second protective layer 167 at a position corresponding to the periphery of each of the pixel regions P1, P2, and P3, When the shielding phase change ink 160 made of a change material is sprayed, the shielding phase change ink 160 printed on the substrate 180 rapidly solidifies. At this time, the ink-jet apparatus fuses the shielding phase change ink 160 in a solid state and then ejects the ink through the head unit 200.

여기서, 도면에 나타나지 않은 잉크젯장치를 보다 상세히 설명하면, 잉크젯장치는 압력 챔버가 형성된 챔버 플레이트와, 노즐이 형성된 헤드부(200)와, 히터와, 헤드부(200)를 제어하는 액츄에이터(actuator)를 포함할 수 있다. 압력 챔버 내에 상온에서 고체 상태를 유지하는 상변화 잉크가 채워지면, 히터가 압력 챔버 내에 있는 고체 상태의 상변화 잉크를 융해점 이상으로 가열하여 융해시킨다. 이렇게 융해된 액체 상태의 상변화 잉크가 헤드부(200)의 노즐을 통해 분사된다. Here, the ink-jet apparatus not shown in the drawing will be described in more detail. The ink-jet apparatus includes a chamber plate having a pressure chamber, a head unit 200 having a nozzle, a heater, an actuator for controlling the head unit 200, . ≪ / RTI > When the phase change ink maintaining the solid state at room temperature is filled in the pressure chamber, the heater heats and melts the solid phase change ink in the pressure chamber to the melting point or higher. The melted liquid state phase change ink is ejected through the nozzles of the head portion 200.

그리고 차광 상변화 잉크(160)가 분사된 기판(110)에 UV 광을 조사하여 차광 상변화 잉크(160)를 경화시킴으로써 블랙매트릭스(도 5b의 162)를 형성한다. The black matrix (162 of FIG. 5B) is formed by irradiating the substrate 110 on which the shielding phase change ink 160 is sprayed with UV light to cure the shielding phase change ink 160.

다음으로 도 5b에 도시한 바와 같이, 블랙매트릭스(162)로 둘러싸인 각각의 화소영역(P1, P2, P3)에 대응하는 위치에 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c)를 잉크젯장치의 헤드부(200)가 분사하면 기판(180) 상에 인쇄된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c)는 급속히 응고(solidification)된다. 이때, 잉크젯장치는 고체 상태의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c) 각각을 융해시킨 후 헤드부(200)를 통해 분사한다.5B, red (R), green (G), and blue (B) phase change colors are arranged at positions corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3 surrounded by the black matrix 162, Green (G), and blue (B) phase change color inks 161a and 161b printed on the substrate 180 when the heads 200a of the inkjet apparatus eject ink 161a, , 161c) are rapidly solidified. At this time, the inkjet apparatus fuses each of the red (R), green (G), and blue (B) phase change color inks 161a, 161b, and 161c in a solid state and then ejects the ink through the head unit 200.

그리고 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c)가 분사된 기판(110)에 UV 광을 조사하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c)를 경화시킴으로써 컬러필터 패턴(도 5c의 163a, 163b, 163c)을 형성한다.Green (G), and blue (B) are formed by irradiating the substrate 110 on which the red (R), green (G), and blue (B) phase change color inks 161a, 161b, (B) The color filter patterns (163a, 163b, and 163c in Fig. 5C) are formed by curing the phase change color inks 161a, 161b, and 161c.

이때, 컬러필터 패턴(도 5c의 163a, 163b, 163c)은 상변화 컬러잉크가 아닌 100℃ 이하의 저온경화가 가능한 잉크재료를 이용하여 전술한 잉크젯장치나 오프셋장치 등의 인쇄법으로 형성한 후 UV 경화 또는 열경화 등을 통해 경화시킬 수도 있다. 이를 위해 블랙매트릭스를 형성하기 위한 차광 상변화 잉크에는 플루오르(fluorine)를 포함시켜 소수성을 가지도록 할 수 있다. At this time, the color filter patterns (163a, 163b, and 163c in Fig. 5C) are formed by a printing method such as the above-described ink jet apparatus or offset apparatus using an ink material capable of low temperature curing at 100 deg. Or may be cured by UV curing or thermal curing. For this purpose, the shielding phase change ink for forming the black matrix may contain fluorine to have hydrophobicity.

이에 따라, 각 화소영역(P1, P2, P3)을 구획하는 격벽으로 기능하며 각 화소영역(P1, P2, P3)을 정의하는 블랙매트릭스(162)로 둘러싸인 각 화소영역(P1, P2, P3) 내에는 적, 녹, 청색의 컬러필터 패턴(163a, 163b, 163c)이 순차적으로 반복 형성된다.Accordingly, each pixel region P1, P2, and P3 surrounded by a black matrix 162 that functions as a partition for partitioning the pixel regions P1, P2, and P3 and defining the pixel regions P1, P2, and P3, Red, green, and blue color filter patterns 163a, 163b, and 163c are sequentially and repeatedly formed.

이때, 적색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성된 화소영역(P1)에 대응하는 위치에는 적색 컬러필터 패턴(163a)이 형성되고, 녹색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성된 화소영역(P2)에 대응하는 위치에는 녹색 컬러필터 패턴(163b)이 형성되며, 청색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성된 화소영역(P3)에 대응하는 위치에는 청색 컬러필터 패턴(163c)이 형성됨으로써 반사도를 감소시켜 외부 명암 대비비(Ambient Contrast Ratio:ACR)를 향상시키는 것이 특징이다. At this time, a red color filter pattern 163a is formed at a position corresponding to the pixel region P1 where the organic light emitting layer 155 emitting red light is formed, and a pixel region P2 where the organic light emitting layer 155 emitting green light is formed. The blue color filter pattern 163c is formed at a position corresponding to the pixel region P3 where the organic light emitting layer 155 emitting blue light is formed, Thereby enhancing the ambient contrast ratio (ACR).

한편, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 표시하는 3개의 화소영역이 아닌 화이트(W), 옐로우(Y), 마젠타(M) 또는 이외의 색이 추가된 4개의 화소영역으로 구성될 수 있으며, 이 경우 유기발광층은 이에 대응하는 4색 발광패턴으로 형성되거나, 또는 화이트를 발광하는 발광패턴으로 형성될 수 있다.On the other hand, four pixel regions to which white (W), yellow (Y), magenta (M), or other colors are added, instead of three pixel regions that display red (R), green In this case, the organic light emitting layer may be formed with a corresponding four-color light emitting pattern or a light emitting pattern that emits white light.

그리고, 잉크젯장치의 헤드부(200)는 도면에 도시된 바와 같이 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c)에 각각에 대응하여 3개로 구비될 수 있으며, 이에 한정되지 않고 하나로 구비되어 적색(R) 상변화 잉크, 녹색(G) 상변화 잉크 및 청색(B) 상변화 잉크(161a, 161b, 161c)를 순차적으로 분사할 수도 있다. The head portion 200 of the ink jet apparatus is provided with three ink colors corresponding to the red (R), green (G) and blue (B) phase change color inks 161a, 161b and 161c, (R) phase change ink, green (G) phase change ink, and blue (B) phase change ink 161a, 161b, 161c may be sequentially injected.

또한, UV 광을 조사하여 차광 상변화 잉크(160)와 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c)를 경화시킴에 있어서 차광 상변화 잉크(160)와 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 컬러잉크(161a, 161b, 161c) 모두를 잉크젯장치의 헤드부(200)를 통해 분사한 후에 UV 광을 조사하여 차광 상변화 잉크(160)와 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 상변화 잉크(161a, 161b, 161c)를 함께 경화시킬 수도 있다. Further, in the curing of the light shielding phase change ink 160 and the red (R), green (G) and blue (B) phase change color inks 161a, 161b and 161c by irradiating UV light, 160b and the phase change ink 161a, 161b, 161c of red (R), green (G), and blue (B) through the head portion 200 of the inkjet apparatus, The changing ink 160 and the red (R), green (G), and blue (B) phase change inks 161a, 161b, and 161c may be cured together.

한편, 본 발명에서 상변화 잉크를 경화시킴에 있어서 UV 광에 의한 광경화에 한정되지 않고, 100℃ 이하의 저온 열경화도 적용할 수 있다.
On the other hand, in curing the phase change ink in the present invention, not only the photo-curing by UV light but also the low-temperature thermal curing at 100 ° C or lower can be applied.

한편, 일반적으로 컬러필터 패턴과 블랙매트릭스를 형성함에 있어서 컬러필터 패턴은 잉크젯장치를 적용하여 형성하기도 하였지만, 블랙매트릭스는 차광제를 포함하는 감광성 유기 조성물을 도포한 후에 노광부와 차광부를 포함하는 노광 마스크를 이용한 포토리소그라피(photolithography) 공정으로 감광성 유기 조성물을 패터닝함으로써 형성하였다. 그러나 본 발명에서는 차광제를 포함하는 상변화 잉크를 기판에 분사한 후 UV경화함으로써 블랙매트릭스도 잉크젯장치를 적용하여 형성하는 것이 가장 주요한 특징이다. 이와 같이 상변화 잉크를 적용하여 블랙매트릭스를 형성함으로써 패터닝을 위한 노광 마스크가 불필요하며, 단순히 블랙매트릭스를 경화시킬 수 있는 저온광이 필요하므로 일반적인 포토리소그라피 공정에 사용되는 고가의 노광기 대신 저가의 UV 경화기를 이용할 수 있다. 이에 따라 유기발광다이오드에 손상을 주지 않으면서 공정을 단순화시키고 공정비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. On the other hand, in general, in forming the color filter pattern and the black matrix, the color filter pattern is formed by applying the inkjet apparatus. However, the black matrix may be formed by applying the photosensitive organic composition containing the light shielding agent and then exposing the exposed portion including the light- And then patterning the photosensitive organic composition by a photolithography process using a mask. However, in the present invention, the most important feature is that a phase change ink containing a light shielding agent is sprayed onto a substrate and then UV-cured to form a black matrix by applying an inkjet apparatus. Since the black matrix is formed by applying the phase change ink as described above, there is no need for an exposure mask for patterning, and low-temperature light capable of simply curing the black matrix is required. Therefore, an expensive UV light- Can be used. Thereby, there is an advantage that the process can be simplified and the process cost can be reduced without damaging the organic light emitting diode.

다음으로 도 5c에 도시한 바와 같이, 블랙매트릭스(162)와 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(163a, 163b, 163c)이 형성된 기판(110)의 전면에 유기절연물질을 코팅하여 표면을 평탄화한 투명 재질의 오버코트층(170)을 형성한다. 5C, an organic insulating material is coated on the entire surface of the substrate 110 on which the black matrix 162 and the red, green, and blue color filter patterns 163a, 163b, and 163c are formed to planarize the surface An overcoat layer 170 made of a transparent material is formed.

이때, 오버코트층(170)은 유기물 증착 장치(미도시)를 통해 유기물질을 증착하여 형성할 수도 있지만, 이에 한정되지 않고 스핀 코팅장치(미도시) 또는 슬릿 코팅장치(미도시) 등을 통해 유기물을 코팅하고 베이킹하는 공정을 진행함으로써 형성할 수도 있다. At this time, the overcoat layer 170 may be formed by depositing an organic material through an organic material deposition apparatus (not shown), but the present invention is not limited thereto, and the organic material may be deposited through a spin coating apparatus (not shown) Followed by a step of coating and baking.

이렇게 함으로써 본 발명에 따라 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와 유기발광다이오드 그리고 블랙매트릭스와 컬러필터 패턴이 형성된 하부기판을 완성한다. According to the present invention, a lower substrate having a driving and switching thin film transistor, an organic light emitting diode, a black matrix and a color filter pattern is completed.

한편, 오버코트층(170)은 블랙매트릭스(162)와 적, 녹, 청색 컬러필터(163a, 163b, 163c)가 형성된 표면을 평탄화시키는 역할을 하는 것으로 생략 될 수도 있다.
Meanwhile, the overcoat layer 170 may be omitted because it functions to flatten the surface on which the black matrix 162 and the red, green, and blue color filters 163a, 163b, and 163c are formed.

여기서, 도면에 나타내지는 않았지만 본 발명에 따른 하부기판으로 유기발광다이오드 표시장치를 제작하는 방법을 설명하도록 한다. Here, although not shown, a method of manufacturing an organic light emitting diode display device as a lower substrate according to the present invention will be described.

유기발광다이오드 표시장치(101)는, 본 발명에 따라 박막트랜지스터, 유기발광다이오드 그리고 블랙매트릭스와 컬러필터 패턴이 형성된 하부기판 즉, 제1기판(110)과 인캡슐레이션을 위한 제2기판(180)을 실패턴(seal pattern) 또는 페이스 씰(face seal)을 이용하여 합착하는 인캡슐레이션 공정을 통하여 완성되는데, 인캡슐레이션 공정에서는 제1기판(110) 및 제2기판(180) 중 하나에 실패턴 또는 페이스 씰을 형성하고 제1기판(110) 및 제2기판(180)을 서로 마주보도록 위치시킨 후 제1기판(110)과 제2기판(180)을 정렬시켜 합착함으로써 유기발광다이오드 표시장치를 완성한다. The organic light emitting diode display device 101 includes a first substrate 110 and a second substrate 110 for encapsulation, each of which includes a thin film transistor, an organic light emitting diode, a black matrix and a color filter pattern, ) Are bonded together using a seal pattern or a face seal. In the encapsulation process, the first substrate 110 and the second substrate 180 are bonded to each other using a seal pattern or a face seal. The first substrate 110 and the second substrate 180 are aligned so that the first substrate 110 and the second substrate 180 face each other and then the first substrate 110 and the second substrate 180 are aligned and joined together, Complete the device.

이때, 인캡슐레이션 공정은 실패턴이 형성된 제1기판(110) 또는 제2기판(180)의 외면에 열을 가해 실패턴이 접착력을 가지도록 하여 제1기판(110) 및 제2기판(180)을 합착함으로써 이루어질 수 있다. At this time, in the encapsulation process, heat is applied to the outer surface of the first substrate 110 or the second substrate 180 on which the seal pattern is formed, and the first and second substrates 110 and 180 ).

또는, 인캡슐레이션 공정은 제1기판(110) 또는 제2기판(180)에 접착 성질을 가지는 레진(resin)으로 페이스 씰을 형성하고, 진공 또는 불활성 기체인 질소 분위기에서 제1기판(110) 및 제2기판(180)을 합착함으로써 이루어질 수도 있다.Alternatively, the encapsulation process may be performed by forming a face seal with a resin having adhesive properties to the first substrate 110 or the second substrate 180, and forming a face seal on the first substrate 110 in a nitrogen or inert gas atmosphere, And the second substrate 180 are bonded together.

한편, 도시하지는 않았지만 제2기판(180)의 전면에는 보호필름이 더 구비될 수 있다.
Although not shown, a protective film may be further provided on the front surface of the second substrate 180.

전술한 바와 같이 제조되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(101)는, 블랙매트릭스와 컬러필터 패턴을 유기발광다이오드가 형성된 제1기판에 함께 형성함으로써 제1기판과 인캡슐레이션을 위한 제2기판의 합착 공정을 용이하게 한다. 이에 따라 공정을 단순화하며 저감된 비용으로 유기발광다이오드 표시장치를 제조할 수 있는 이점이 있다. The organic light emitting diode display device 101 according to the preferred embodiment of the present invention is manufactured by forming the black matrix and the color filter pattern together on the first substrate having the organic light emitting diode, Thereby facilitating the process of attaching the second substrate for the second substrate. Accordingly, there is an advantage that the organic light emitting diode display device can be manufactured at a reduced cost by simplifying the process.

특히, 상변화 잉크를 적용한 인쇄법으로 블랙매트릭스와 컬러필터 패턴을 유기발광다이오드가 형성된 제1기판에 함께 형성함으로써 복잡한 포토리소그라피(photolithography) 공정을 없애며 공정을 단순화하고 이에 따른 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Particularly, by forming the black matrix and the color filter pattern together on the first substrate on which the organic light emitting diode is formed by the printing method using the phase change ink, complicated photolithography process can be eliminated, and the process can be simplified, It is effective.

101 : 유기발광다이오드 표시장치 110 : 제1기판(하부기판)
113 : 반도체층(113a : 제1영역, 113b : 제2영역)
116 : 게이트 절연막
120 : (구동 박막트랜지스터의)게이트 전극
123 : 층간절연막 124, 125 : 제1, 2반도체층 콘택홀
133 : (구동 박막트랜지스터의)소스 전극
136 : (구동 박막트랜지스터의)드레인 전극
140 : 제1보호층 143 : 드레인 콘택홀
147 : 제1전극 150 : 버퍼패턴
155 : 유기 발광층 158 : 제2전극
163 : 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴
167: : 제2보호층
170 : 오버코트층 180 : 제2기판
E : 유기발광다이오드 P1, P2, P3 : 화소영역 101: organic light emitting diode display device 110: first substrate (lower substrate)
113: semiconductor layer (113a: first region, 113b: second region)
116: gate insulating film
120: gate electrode (of the driving thin film transistor)
123: interlayer insulating film 124, 125: first and second semiconductor layer contact holes
133: source electrode (of the driving thin film transistor)
136: drain electrode (of the driving thin film transistor)
140: first protective layer 143: drain contact hole
147: first electrode 150: buffer pattern
155: organic light emitting layer 158: second electrode
163: Red, green, blue color filter pattern
167:: second protective layer
170: overcoat layer 180: second substrate
E: organic light emitting diode P1, P2, P3: pixel region

Claims (14)

다수의 화소영역이 정의된 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 유기발광다이오드와;
상기 유기발광다이오드의 제2전극 상부로 형성되며, 이물질의 칩입을 방지하는 보호층과;
상기 보호층의 상부에 상기 화소영역 각각의 주변에 대응하여 위치하는 블랙매트릭스 및
상기 블랙매트릭스로 둘러싸인 상기 화소영역별로 적색, 녹색, 청색이 순차 반복하는 형태로 컬러필터 패턴이 형성되고,
상기 블랙매트릭스는
상변화 잉크(phase change ink)를 적용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
An organic light emitting diode formed on each of the pixel regions on a substrate on which a plurality of pixel regions are defined;
A protection layer formed on an upper portion of the second electrode of the organic light emitting diode and preventing intrusion of foreign matter;
A black matrix disposed on the protection layer and corresponding to the periphery of each of the pixel regions,
A color filter pattern is formed in such a manner that red, green, and blue are sequentially repeated for each of the pixel regions surrounded by the black matrix,
The black matrix
Wherein the organic light emitting diode is formed by applying a phase change ink.
제 1 항에 있어서,
상기 블랙매트릭스는
잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The black matrix
A printing method using an inkjet apparatus, a roll printing method using an offset apparatus or a gravure apparatus, a coating printing method using a nozzle coating apparatus, and a printing method using an electrohydrodynamic deposition (EHD) apparatus And the organic light emitting diode display device is formed using the organic light emitting diode display device.
제 1 항에 있어서,
상기 상변화 잉크를 UV경화 또는 열경화하는 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the phase change ink is UV cured or thermally cured.
제 1 항에 있어서,
상기 컬러필터 패턴은
상기 상변화 잉크 또는 100℃ 이하에서 저온경화가 가능한 재료를 이용하여 잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법으로 형성한 후 UV 경화 또는 열경화 를 진행하는 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The color filter pattern
A roll printing method using an inkjet apparatus, an offset apparatus or a gravure apparatus using the phase change ink or a material capable of being cured at a temperature lower than 100 ° C, a coating using a nozzle coating apparatus The organic light emitting diode display device is formed by a printing method using a printing method and an electrohydrodynamic deposition (EHD) device, followed by UV curing or thermal curing.
제 1 항에 있어서,
상기 화소영역은 제1, 2, 3화소영역으로 나뉘며,
상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 적색, 녹색, 청색을 발광하는 발광패턴을 포함한 유기 발광층이 구비된 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The pixel region is divided into first, second, and third pixel regions,
Wherein each of the first, second, and third pixel regions includes an organic light emitting layer including a light emitting pattern that emits red, green, and blue light.
제 1 항에 있어서,
상기 화소영역은 제1, 2, 3, 4화소영역으로 나뉘며,
상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 상기 적색, 녹색, 청색의 컬러필터 패턴이 형성되고, 상기 제4화소영역에는 화이트색의 컬러필터 패턴이 형성되거나 옐로우색의 컬러필터 패턴이 형성되거나, 또는 마젠타색의 컬러필터 패턴이 형성되는 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The pixel region is divided into first, second, third, and fourth pixel regions,
The color filter pattern of red, green, and blue is formed in each of the first, second, and third pixel regions, the color filter pattern of white color is formed in the fourth pixel region, the color filter pattern of yellow is formed in the fourth pixel region, Or a magenta color filter pattern is formed on the surface of the organic light emitting diode.
제 5 항에 있어서,
상기 유기발광층에서 발광하는 빛은 상기 제2전극 상부로 투과하는 상부 발광방식인 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치.
6. The method of claim 5,
And the light emitted from the organic light emitting layer passes through the upper portion of the second electrode.
다수의 화소영역이 정의된 기판 상의 상기 각 화소영역에 유기발광다이오드를 형성하는 제1단계와;
상기 유기발광다이오드의 상부로 절연물질을 도포하여 보호층을 형성하는 제2단계와;
상기 보호층의 상부로 상기 화소영역 각각의 주변에 대응하는 위치에 차광제가 포함된 상변화 잉크(phase change ink)를 인쇄하여 블랙매트릭스를 형성하는 제3단계 및
상기 블랙매트릭스로 둘러싸인 상기 화소영역 각각에 대응하는 위치에 상기 각 화소영역 별로 순차 반복하는 적색, 녹색, 청색의 컬러필터 패턴을 형성하는 제4단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
A first step of forming an organic light emitting diode in each pixel region on a substrate on which a plurality of pixel regions are defined;
A second step of forming a protective layer by coating an insulating material on the organic light emitting diode;
A third step of forming a black matrix by printing a phase change ink including a light shielding agent at a position corresponding to the periphery of each of the pixel regions above the protective layer;
And a fourth step of forming color filter patterns of red, green, and blue that are sequentially and repeatedly formed for each pixel region at a position corresponding to each of the pixel regions surrounded by the black matrix.
제 8 항에 있어서,
상기 제4단계는
상기 상변화 잉크가 포함된 컬러잉크 또는 100℃ 이하에서 저온경화가 가능한 잉크를 잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법으로 형성하는 단계를 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The fourth step
A color ink containing the phase change ink or an ink capable of being cured at a temperature lower than 100 DEG C by a printing method using an inkjet apparatus, a roll printing method using an offset apparatus or a gravure apparatus, And a printing method using an electrohydrodynamic deposition (EHD) apparatus. The method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to claim 1,
제 8 항에 있어서,
상기 제3단계와 제4단계는
광경화 또는 열경화를 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The third and fourth steps
Wherein the organic light emitting diode display device further comprises a step of performing photo-curing or thermosetting.
제 8 항에 있어서,
상기 제4단계 후에 광경화 또는 열경화를 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Further comprising the step of curing or thermosetting after the fourth step. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제 8 항에 있어서,
상기 다수의 화소영역은 제1, 2, 3화소영역으로 나뉘며,
상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 상기 적색, 녹색, 청색 컬러필터 패턴이 형성되고,
상기 유기발광다이오드를 형성하는 단계는, 상기 제1, 2, 3화소영역에 각각 적색, 녹색, 청색을 발광하는 발광패턴을 포함하는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The plurality of pixel regions are divided into first, second, and third pixel regions,
The red, green, and blue color filter patterns are formed in the first, second, and third pixel regions, respectively,
The forming of the organic light emitting diode includes forming an organic light emitting layer including a light emitting pattern that emits red, green, and blue light in the first, second, and third pixel regions, respectively. ≪ / RTI >
제 8 항에 있어서,
상기 다수의 화소영역은 제1, 2, 3, 4화소영역으로 나뉘며,
상기 제1, 2, 3화소영역 각각에는 상기 적색, 녹색, 청색의 컬러필터 패턴이 형성되고, 상기 제4화소영역에는 화이트색, 옐로우색, 마젠타색의 컬러필터 패턴이 형성되는 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The plurality of pixel regions are divided into first, second, third, and fourth pixel regions,
Wherein the color filter patterns of red, green, and blue are formed in each of the first, second, and third pixel regions, and color filter patterns of white, yellow, and magenta are formed in the fourth pixel region. A method of manufacturing a light emitting diode display device.
제 8 항에 있어서,
상기 상변화 잉크의 인쇄는, 잉크젯장치를 이용한 인쇄법, 오프셋(offset)장치 또는 그라비어(gravure)장치를 이용한 롤(roll) 인쇄법, 노즐코팅장치를 이용한 코팅인쇄법 및 EHD(electro hydrodynamic deposition)장치를 이용한 인쇄법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것이 특징인 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
The printing of the phase change ink may be performed by a printing method using an inkjet apparatus, a roll printing method using an offset device or a gravure device, a coating printing method using a nozzle coating device, an electrohydrodynamic deposition (EHD) Wherein the organic light emitting diode display device is formed by using any one of a printing method using an organic light emitting diode and a printing method using an organic light emitting diode.
KR1020130058605A 2013-05-23 2013-05-23 Organec light emitting diode display device and method of manufacturing the same KR101957838B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130058605A KR101957838B1 (en) 2013-05-23 2013-05-23 Organec light emitting diode display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130058605A KR101957838B1 (en) 2013-05-23 2013-05-23 Organec light emitting diode display device and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140137740A true KR20140137740A (en) 2014-12-03
KR101957838B1 KR101957838B1 (en) 2019-03-13

Family

ID=52457432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130058605A KR101957838B1 (en) 2013-05-23 2013-05-23 Organec light emitting diode display device and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101957838B1 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576704A (en) * 2015-01-26 2015-04-29 上海和辉光电有限公司 Organic light emitting diode display panel
KR20160143906A (en) * 2015-06-04 2016-12-15 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same
KR20170071019A (en) * 2015-12-15 2017-06-23 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diodes display panel
KR20170079626A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 White light emitting device and hybrid display device using the same
KR20170079635A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 White light emitting device and hybrid display device using the same
CN106960857A (en) * 2016-01-08 2017-07-18 三星显示有限公司 Display device
CN108074953A (en) * 2016-11-15 2018-05-25 三星显示有限公司 Organic light-emitting display device and its manufacturing method
KR20180088379A (en) * 2016-12-23 2018-08-03 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 Display substrate and method of manufacturing the same
US10553622B2 (en) 2017-02-23 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20230095257A1 (en) * 2020-03-31 2023-03-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Display panel and preparation method thereof

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210028296A (en) 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050076663A (en) * 2004-01-19 2005-07-26 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 Fabrication process of color filters, inks, color filters, and image displays using the color filters
KR20120133955A (en) * 2011-06-01 2012-12-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro luminescent device and method of fabricating the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050076663A (en) * 2004-01-19 2005-07-26 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 Fabrication process of color filters, inks, color filters, and image displays using the color filters
KR20120133955A (en) * 2011-06-01 2012-12-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro luminescent device and method of fabricating the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576704A (en) * 2015-01-26 2015-04-29 上海和辉光电有限公司 Organic light emitting diode display panel
US9647042B2 (en) 2015-01-26 2017-05-09 Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Organic light-emitting diode display panel having induction lines on a pixel defining layer
CN104576704B (en) * 2015-01-26 2017-07-07 上海和辉光电有限公司 Organic LED display panel
KR20160143906A (en) * 2015-06-04 2016-12-15 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same
KR20170071019A (en) * 2015-12-15 2017-06-23 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diodes display panel
KR20170079635A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 White light emitting device and hybrid display device using the same
KR20170079626A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 White light emitting device and hybrid display device using the same
CN106960857A (en) * 2016-01-08 2017-07-18 三星显示有限公司 Display device
CN106960857B (en) * 2016-01-08 2022-02-22 三星显示有限公司 Display device
CN108074953A (en) * 2016-11-15 2018-05-25 三星显示有限公司 Organic light-emitting display device and its manufacturing method
CN108074953B (en) * 2016-11-15 2024-03-08 三星显示有限公司 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20180088379A (en) * 2016-12-23 2018-08-03 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 Display substrate and method of manufacturing the same
US10804331B2 (en) 2016-12-23 2020-10-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and fabrication method thereof, display device
US10553622B2 (en) 2017-02-23 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20230095257A1 (en) * 2020-03-31 2023-03-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Display panel and preparation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101957838B1 (en) 2019-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101957838B1 (en) Organec light emitting diode display device and method of manufacturing the same
KR101640803B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same
US9601554B2 (en) Transparent display device and method of manufacturing the same
US8585454B2 (en) Display device, method of manufacturing the same, and manufacturing the same
JP6514679B2 (en) Organic light emitting diode display
US8354285B2 (en) Light emitting panel and manufacturing method of light emitting panel
KR101004874B1 (en) Display panel and manufacturing method of display panel
US20120098414A1 (en) Flat panel display, intermediate manufactured product and method of manufacturing same
US8975811B2 (en) Light emitting display device that effectively prevent fluorine diffusion to the light emitting layer and method for fabricating the same
JP7300813B2 (en) Display device
US9099408B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display
US8865486B2 (en) Organic light emitting display device and method for fabricating the same
US7897975B2 (en) Light emitting display device and method for fabricating the same
JP2007183641A (en) Ink jet printing system and manufacturing method using the same
KR102003269B1 (en) Method of manufacturing an optical filter and method of manufacturing an organic light emitting display device having an optical filter
US10847590B2 (en) Electroluminescent display device and method of manufacturing the same
KR20210071369A (en) Electroluminescent Device
JP5441374B2 (en) Semiconductor element manufacturing method, semiconductor element, light emitting device, display device, and driving substrate
KR20210071368A (en) Electroluminescent Device
KR102294170B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same
KR102044137B1 (en) Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR20210072452A (en) Transparent Display Device
KR20150044451A (en) Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same
KR20210083679A (en) Electroluminescent Display Device
JP2013089401A (en) Electro-optic device manufacturing method, color filter substrate manufacturing method, and electronic equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant