KR20140135932A - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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조용욱
김경민
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Abstract

Provided is a light emitting diode package including light emitting diode chip groups which are independently driven in a single package. According to an embodiment of the present invention, the light emitting diode package comprises: a metal substrate; first and second anode electrode pads which are located on the metal substrate to be insulated from the metal substrate; first and second cathode electrode pads which are located on the metal substrate to be insulated from the metal substrate; a first light emitting diode chip group which is located on the metal substrate, includes multiple light emitting diode chips, and is electrically connected to the first anode electrode pad and the first cathode electrode pad; a second light emitting diode chip group which is located on the metal substrate, includes multiple light emitting diode chips, and is electrically connected to the second anode electrode pad and the second cathode electrode pad; and a phosphor member which is located on the metal substrate to cover the first and second light emitting diode chip groups.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조 방법{Light emitting device and method of manufacturing the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device package,

본 발명의 기술적 사상은 발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 발광소자 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.Technical aspects of the present invention relate to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device package and a manufacturing method thereof.

일반적으로 발광소자는 전자장치, 예를 들어 디스플레이장치에서 백라이트 모듈의 광원으로 사용되거나 또는 조명기기의 광원으로 사용되고 있다. 이러한 발광소자는 백라이트 모듈에 결합되기 위해 또는 조명기기에 장착되기 위해서 다양한 형태로 패키징될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지에 있어서 발광되는 광에 따라서 발광효율을 높이기 위한 연구가 진행되고 있다.Generally, a light emitting device is used as a light source of a backlight module in an electronic device, for example, a display device, or as a light source of a lighting device. Such a light emitting device can be packaged in various forms to be coupled to a backlight module or mounted on a lighting device. Research has been conducted to increase the luminous efficiency of the light emitting device package in accordance with the emitted light.

최근에는, 일반 조명 등에 적용하기 위하여 발광소자의 출력이 증가된 고출력 발광 소자가 제안되고 있다. 이러한 고출력 발광 소자를 구현하기 위하여는 보드 상에 발광 소자 칩들이 실장된 COB(Chip-on-board) 방식을 많이 사용하고 있다. 이러한 COB 방식에서는, COB에 따라 구동 전류와 구동 전압이 고정되므로, 구동 전류와 구동 전압을 다양하게 변화시키기 어려운 한계가 있고, 디밍 기능을 수행하기 어려운 한계가 있다.In recent years, a high output light emitting device in which the output of the light emitting device has been increased for application to general illumination has been proposed. In order to realize such a high output light emitting device, a chip-on-board (COB) method in which light emitting device chips are mounted on a board is widely used. In such a COB system, since the driving current and the driving voltage are fixed according to the COB, there is a limit in which it is difficult to vary the driving current and the driving voltage in various ways, and there is a limitation that it is difficult to perform the dimming function.

본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 하나의 패키지 내에서 독립적으로 구동하는 발광 소자 칩 그룹들을 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including light emitting device chip groups independently driven in one package.

본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 발광소자 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package.

그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.However, these problems are illustrative, and the technical idea of the present invention is not limited thereto.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광소자 패키지는, 금속 기판; 상기 금속 기판 상에 상기 금속 기판과 절연되어 위치하는 제1 및 제2 양극 전극 패드들; 상기 금속 기판 상에 상기 금속 기판과 절연되어 위치하는 제1 및 제2 음극 전극 패드들; 상기 금속 기판 상에 위치하고, 복수의 발광 소자 칩들을 포함하고, 상기 제1 양극 전극 패드와 상기 제1 음극 전극 패드에 전기적으로 연결된 제1 발광 소자 칩 그룹; 상기 금속 기판 상에 위치하고, 복수의 발광 소자 칩들을 포함하고, 상기 제2 양극 전극 패드와 상기 제2 음극 전극 패드에 전기적으로 연결된 제2 발광 소자 칩 그룹; 및 상기 금속 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제2 발광 소자 칩 그룹을 덮는 형광체 부재;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a metal substrate; First and second anode electrode pads disposed on the metal substrate and insulated from the metal substrate; First and second cathode electrode pads disposed on the metal substrate and insulated from the metal substrate; A first light emitting device chip group located on the metal substrate and including a plurality of light emitting device chips, and electrically connected to the first anode electrode pad and the first cathode electrode pad; A second light emitting device chip group disposed on the metal substrate and including a plurality of light emitting device chips, and electrically connected to the second anode electrode pad and the second cathode electrode pad; And a phosphor member disposed on the metal substrate and covering the first light emitting device chip group and the second light emitting device chip group.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제1 발광 소자 칩 그룹은 서로 독립적으로 구동될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first light emitting device chip group and the first light emitting device chip group may be independently driven.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제2 발광 소자 칩 그룹은 직렬 연결될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first light emitting device chip group and the second light emitting device chip group may be connected in series.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제2 발광 소자 칩 그룹은 병렬 연결될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first light emitting device chip group and the second light emitting device chip group may be connected in parallel.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 양극 전극 패드들 및 상기 제1 및 제2 음극 전극 패드들은 교번하여 배치될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first and second anode electrode pads and the first and second cathode electrode pads may be alternately arranged.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 양극 전극 패드들 및 상기 제1 및 제2 음극 전극 패드들은, 상기 금속 기판의 에지 부분에 배치될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first and second anode electrode pads and the first and second cathode electrode pads may be disposed at an edge portion of the metal substrate.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 형광체 부재를 상기 금속 기판 상에 수용하도록, 상기 금속 기판의 외각을 둘러싸는 외벽 부재;를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, it may further comprise an outer wall member surrounding the outer periphery of the metal substrate to receive the phosphor member on the metal substrate.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 형광체 부재는, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹을 덮는 제1 형광체 부재; 및 상기 제2 발광 소자 칩 그룹을 덮고, 상기 제1 형광체 부재와는 다른 색상을 나타내는 제2 형광체 부재;를 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the phosphor member includes: a first phosphor member covering the first group of light emitting device chips; And a second phosphor member covering the second light emitting device chip group and exhibiting a color different from that of the first phosphor member.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 형광체 부재와 상기 제2 형광체 부재를 분리하도록, 상기 금속 기판 상에 제1 발광 소자 칩 그룹과 제2 발광 소자 칩 그룹 사이에 위치하는 격벽 부재;를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, a partition member positioned between the first light emitting device chip group and the second light emitting device chip group on the metal substrate to separate the first phosphor member and the second phosphor member from each other; As shown in FIG.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 금속 기판은, 상면에 상기 발광 소자 칩들이 실장되고 상기 발광 소자 칩들로부터 발생된 열을 방출하는 내부 방열층; 상기 내부 방열층의 일부 영역을 덮는 절연층; 및 상기 내부 방열층의 하면에 위치하는 하부 방열 패드;를 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the metal substrate may include: an inner heat dissipation layer on which the light emitting device chips are mounted and emit heat generated from the light emitting device chips; An insulating layer covering a part of the inner heat dissipation layer; And a lower heat dissipation pad located on a lower surface of the internal heat dissipation layer.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 금속 기판 상에 상기 금속 기판과 절연되어 위치하는 관통 비아들; 및 상기 금속 기판 상에 위치하고, 복수의 발광 소자 칩들을 포함하고, 상기 관통 비아들과 전기적으로 연결된 제3 발광 소자 칩 그룹;을 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, through vias are disposed on the metal substrate and are insulated from the metal substrate; And a third light emitting device group disposed on the metal substrate and including a plurality of light emitting device chips and electrically connected to the through vias.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법은, 제1 및 제2 양극 전극 패드들 및 제1 및 제2 음극 전극 패드들이 위치하는 금속 기판을 준비하는 단계; 상기 금속 기판 상에 복수의 발광 소자 칩들을 실장하는 단계; 상기 발광 소자 칩들을 제1 및 제2 양극 전극 패드들 및 제1 및 제2 음극 전극 패드들에 전기적으로 연결하여, 상기 제1 양극 전극 패드와 상기 제1 음극 전극 패드에 전기적으로 연결된 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제2 양극 전극 패드와 상기 제2 음극 전극 패드에 전기적으로 연결된 제2 발광 소자 칩 그룹을 형성하는 단계; 상기 금속 기판 상에 상기 금속 기판의 외각을 둘러싸는 외벽 부재를 형성하는 단계; 및 상기 외벽 부재에 의하여 수용되고, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제2 발광 소자 칩 그룹을 덮는 형광체 부재를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. 상기 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제1 발광 소자 칩 그룹은 서로 독립적으로 구동될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package, including: preparing a metal substrate on which first and second anode electrode pads and first and second cathode electrode pads are located; Mounting a plurality of light emitting device chips on the metal substrate; The light emitting device chips are electrically connected to the first and second anode electrode pads and the first and second cathode electrode pads to form first light emitting pads electrically connected to the first anode pads and the first cathode pads Forming a second light emitting device chip group electrically connected to the device chip group, the second anode electrode pad, and the second cathode electrode pad; Forming an outer wall member surrounding the outer periphery of the metal substrate on the metal substrate; And forming a phosphor member accommodated by the outer wall member and covering the first light emitting device chip group and the second light emitting device chip group. The first light emitting device chip group and the first light emitting device chip group may be independently driven.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 외벽 부재를 형성하는 단계를 수행한 후에, 상기 금속 기판 상에 제1 발광 소자 칩 그룹과 제2 발광 소자 칩 그룹 사이에 위치하는 격벽 부재를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, after forming the outer wall member, forming a partition member located between the first and second light emitting device chip groups on the metal substrate ; ≪ / RTI >

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 형광체 부재를 형성하는 단계는, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹을 덮는 제1 형광체 부재를 형성하는 단계; 및 상기 격벽 부재에 의하여 상기 제1 형광체 부재로부터 분리되고, 상기 제2 발광 소자 칩 그룹을 덮고, 상기 제1 형광체 부재와는 다른 색상을 나타내는 제2 형광체 부재를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the step of forming the phosphor member includes the steps of: forming a first phosphor member covering the first group of light emitting device chips; And forming a second phosphor member separated from the first phosphor member by the partition member to cover the second light emitting device chip group and exhibiting a color different from that of the first phosphor member, .

본 발명의 기술적 사상에 따른 발광소자 패키지는, 발광 소자 칩들이 복수의 발광 소자 칩 그룹들로 구분되고, 상기 발광 소자 칩 그룹에 개별적으로 전원을 공급함에 따라, 상기 발광 소자 칩 그룹이 독립적으로 구동될 수 있다.The light emitting device package according to the technical idea of the present invention is characterized in that the light emitting device chips are divided into a plurality of light emitting device chip groups and power is supplied individually to the light emitting device chip groups, .

또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광소자 패키지는, 독립적으로 구동되는 발광 소자 칩 그룹 상에 서로 다른 형광체 부재를 덮음으로써, 다양한 색온도 디밍 및 다양한 색상 디밍을 구현할 수 있다.Also, the light emitting device package according to the technical idea of the present invention can realize various color temperature dimming and various color dimming by covering different phosphor members on a light emitting device chip group which is independently driven.

또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 단위로 형성됨으로써, 필요에 따라 인쇄회로기판 상에서 구동 전압과 전류를 선택할 수 있다.Further, the light emitting device package according to the technical idea of the present invention is formed in a package unit, so that a driving voltage and a current can be selected on a printed circuit board if necessary.

상술한 본 발명의 효과들은 예시적으로 기재되었고, 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The effects of the present invention described above are exemplarily described, and the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 도시하는 외관 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 발광소자 패키지를 선 II-II를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 발광소자 패키지에서 형광체 부재를 제거한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 발광소자 패키지를 도시하는 상면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 발광소자 패키지의 전기적 연결 방법을 도시하는 개략도이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 발광소자 패키지의 제조 방법을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 도시하는 사시도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 도시하는 평면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 13의 발광소자 패키지의 단면도이다.1 is an external perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view illustrating a state in which the phosphor member is removed from the light emitting device package of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.
4 is a top view illustrating the light emitting device package of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention.
5 and 6 are schematic views illustrating an electrical connection method of the light emitting device package of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention.
7 to 10 are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing the light emitting device package of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.
11 and 12 are perspective views illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
13 is a plan view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 13 according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. The scope of technical thought is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items. The same reference numerals denote the same elements at all times. Further, various elements and regions in the drawings are schematically drawn. Accordingly, the technical spirit of the present invention is not limited by the relative size or spacing depicted in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 도시하는 외관 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 발광소자 패키지(100)를 선 II-II를 따라 절단한 단면도이다.1 is an external perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of the light emitting device package 100 of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 금속 기판(110), 양극 전극 패드(120), 음극 전극 패드(130), 발광소자 칩들(140), 전기적 연결 부재(150), 외벽 부재(160), 및 형광체 부재(170)를 포함한다.1 and 2, the light emitting device package 100 includes a metal substrate 110, an anode electrode pad 120, a cathode electrode pad 130, light emitting device chips 140, an electrical connecting member 150, An outer wall member 160, and a phosphor member 170.

금속 기판(110)의 상에 발광소자 칩들(140)이 실장된다. 금속 기판(110)은, 내부 방열층(112), 절연층(114), 및 하부 방열 패드(116)를 포함하여 구성될 수 있다.The light emitting device chips 140 are mounted on the metal substrate 110. The metal substrate 110 may include an internal heat dissipation layer 112, an insulation layer 114, and a lower heat dissipation pad 116.

내부 방열층(112)은 상면(117) 상에 발광소자 칩들(140)이 접촉하도록 실장될 수 있고, 발광소자 칩들(140)로부터 발생된 열을 외부로 방출할 수 있다. 내부 방열층(112)은 열 전달 특성 및 방열 특성이 우수한 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The internal heat-dissipating layer 112 may be mounted on the top surface 117 so that the light-emitting device chips 140 are in contact with each other and may externally dissipate the heat generated from the light-emitting device chips 140. The internal heat-dissipating layer 112 may include a material having excellent heat transfer characteristics and heat dissipation characteristics, and may include, for example, a metal, and may include aluminum, copper, or an alloy thereof, for example.

절연층(114)은 내부 방열층(112)의 일부 영역을 덮도록 위치할 수 있다. 절연층(114)은 내부 방열층(112)과 양극 전극 패드(120)의 사이 및 내부 방열층(112)과 음극 전극 패드(130) 사이에 개재될 수 있고, 이에 따라 이들을 서로 절연시킬 수 있다. 절연층(114)은 산화물과 같은 절연물을 포함할 수 있고, 예를 들어 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다. 절연층(114)은 내부 방열층(112)을 양그 산화(아노다이징)시켜 형성하거나 또는 절연 물질층을 증착, 도포, 접착 등의 방법으로 형성될 수 있다. 절연층(114)은 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)의 형상에 따라 다양한 형상을 가질 수 있고, 예를 들어 내부 방열층(112)의 상면(117), 측면(119), 및 하면(118)의 일부들을 덮도록 형성될 수 있다. The insulating layer 114 may be positioned to cover a part of the inner heat-releasing layer 112. The insulating layer 114 may be interposed between the internal heat dissipation layer 112 and the anode electrode pad 120 and between the internal heat dissipation layer 112 and the cathode electrode pad 130 so as to insulate them from each other . The insulating layer 114 may comprise an insulator such as an oxide, and may include, for example, aluminum oxide. The insulating layer 114 may be formed by oxidation (anodizing) the internal heat-dissipating layer 112 or by a method of depositing, applying, or bonding an insulating material layer. The insulating layer 114 may have various shapes depending on the shapes of the anode electrode pads 120 and the cathode electrode pads 130. For example, the insulating layer 114 may include an upper surface 117, a side surface 119, And the bottom surface 118 of the substrate.

하부 방열 패드(116)는 내부 방열층(112)의 하면(118)에 접촉하도록 위치할 수 있다. 하부 방열 패드(116)는 하부 방열 패드(116)로부터 전달된 열을 외부, 예를 들어 외부 인쇄회로기판 등을 통하여 전달시킬 수 있고, 이에 따라 발광소자 패키지(100)로부터 열을 방출시킬 수 있다. 하부 방열 패드(116)는 열 전달 특성 및 방열 특성이 우수한 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 하부 방열 패드(116)는 내부 방열층(112)과 동일한 물질을 포함하거나 다른 물질을 포함할 수 있다. 하부 방열 패드(116)는 선택적이며(optionally), 생략될 수 있다.The lower heat-radiating pad 116 may be positioned to contact the lower surface 118 of the internal heat- The lower heat-dissipating pad 116 can transmit the heat transmitted from the lower heat-dissipating pad 116 through an external part, for example, an external printed circuit board or the like, thereby emitting heat from the light-emitting device package 100 . The lower heat-dissipating pad 116 may include a material having excellent heat transfer characteristics and heat radiation characteristics, and may include, for example, a metal, and may include, for example, aluminum, copper, or an alloy thereof. The lower heat-radiating pad 116 may include the same material as the internal heat-radiating layer 112 or may include another material. The underlying heat sink pad 116 may be optional and may be omitted.

양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 금속 기판(110) 상에 금속 기판(110)과 절연되어 위치할 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 내부 방열층(112) 상에 위치한 절연층(114) 상에 위치할 수 있고, 이에 따라 내부 방열층(112)과 절연될 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 금속 기판(110)의 에지 부분에 배치될 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 내부 방열층(112)의 상면(117), 측면(119), 및 하면(118) 상에 위치한 절연층(114) 상에 연장되어 위치할 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 발광소자 칩들(140)이 전기적으로 연결될 수 있고, 외부 인쇄회로기판(미도시)에 전기적으로 연결될 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 도전성을 가지는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 구리, 알루미늄, 금, 은, 팔라듐, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 각각 복수로서 구성되어 금속 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)는 입출력 패드, 전극 패드, 칩패드, 다이 패드, 패키지 전극, 기판 전극 등 다양한 방식으로 지칭될 수 있다. 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)의 갯수 및 배치 등에 대하여는 도 3 및 도 4를 참조하여 하기에 상세하게 설명하기로 한다.The anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may be disposed on the metal substrate 110 and isolated from the metal substrate 110. The anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may be positioned on the insulating layer 114 located on the internal heat dissipating layer 112 and thus may be insulated from the internal heat dissipating layer 112. The anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may be disposed at an edge portion of the metal substrate 110. The anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 are extended and positioned on the insulating layer 114 located on the upper surface 117, the side surface 119 and the lower surface 118 of the inner heat releasing layer 112 . The anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may be electrically connected to the light emitting device chips 140 and may be electrically connected to an external printed circuit board (not shown). The anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may include a conductive material and may include, for example, a metal such as copper, aluminum, gold, silver, palladium, Alloys. Each of the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may be formed as a plurality of electrodes and disposed on the metal substrate 110. The anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may be referred to in various manners, such as an input / output pad, an electrode pad, a chip pad, a die pad, a package electrode, and a substrate electrode. The number and arrangement of the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 will be described in detail below with reference to FIGS. 3 and 4. FIG.

발광소자 칩들(140)은 금속 기판(110) 상에 위치할 수 있고, 예를 들어 내부 방열층(112) 상에 접촉하도록 위치할 수 있다. 발광소자 칩들(140)은 전기적 연결 부재(150)에 의하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자 칩들(140)은 전기적 연결 부재(150)에 의하여 양극 전극 패드(120)와 음극 전극 패드(130)에 전기적으로 연결될 수 있고, 이에 따라 전원(미도시)로부터 전력을 공급받아 발광할 수 있다. 발광소자 칩들(140)은, 예를 들어 LED(light emitting diode) 칩들일 수 있고, 평면형 LED 또는 수직형 LED 등일 수 있다. 그러나 이러한 발광소자 칩들(140)은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 발광소자 칩들(140)은 다양한 형태로서 배열될 수 있고, 또한 복수의 그룹으로 그룹핑될 수 있다. 그룹핑되어 구분된 발광소자 칩들(140)은 서로 독립적으로 구동 전압/전류를 공급받을 수 있고, 이에 따라 서로 독립적으로 구동할 수 있다. 이러한 발광소자 칩들(140)의 갯수, 배치, 그룹핑, 전기적 연결관계 및 구동 방식 등에 대하여는 도 3 및 도 4를 참조하여 하기에 상세하게 설명하기로 한다.The light emitting device chips 140 may be located on the metal substrate 110 and may be positioned to contact, for example, on the inner heat releasing layer 112. The light emitting device chips 140 may be electrically connected to each other by an electrical connecting member 150. The light emitting device chips 140 may be electrically connected to the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 through the electrical connecting member 150. The light emitting device chips 140 may be electrically connected to the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130, can do. The light emitting device chips 140 may be, for example, LED (light emitting diode) chips, and may be a planar LED or a vertical LED. However, the light emitting device chips 140 are illustrative, and the technical idea of the present invention is not limited thereto. The light emitting device chips 140 may be arranged in various forms, and may also be grouped into a plurality of groups. The grouped light emitting device chips 140 can receive driving voltage / current independently of each other, and thus can be driven independently of each other. The number, arrangement, grouping, electrical connection relationship, and driving method of the light emitting device chips 140 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. FIG.

전기적 연결 부재(150)는 발광소자 칩들(140)을 전기적으로 연결하거나, 발광소자 칩들(140)을 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130)에 전기적으로 연결할 수 있다. 전기적 연결 부재(150)는 도전물을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 금, 은, 구리, 납, 주석, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 전기적 연결 부재(150)는, 본딩 와이어, 플립칩 본딩 부재, 도전 패턴, 등 다양하게 변화될 수 있다.The electrical connection member 150 may electrically connect the light emitting device chips 140 or electrically connect the light emitting device chips 140 to the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130. The electrical connection member 150 may include a conductive material and may include, for example, a metal and may include, for example, gold, silver, copper, lead, tin, aluminum, or alloys thereof. The electrical connecting member 150 may be variously changed, such as a bonding wire, a flip chip bonding member, a conductive pattern, and the like.

외벽 부재(160)는 금속 기판(110) 상에 위치할 수 있고, 금속 기판(110)의 외각을 둘러쌀 수 있다. 외벽 부재(160)는 양극 전극 패드(120) 및 음극 전극 패드(130) 상에 위치하거나 내부 방열층(112) 상에 위치할 수 있다. 외벽 부재(160)는 형광체 부재(170)를 금속 기판(110) 상에 수용함으로써, 형광체 부재(170)가 발광소자 칩들(140)을 덮도록 형성되는 기능을 수행할 수 있다. 외벽 부재(160)는 기계적 강도를 제공할 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속이나 절연물을 포함할 수 있다. 외벽 부재(160)는 선택적이며(optionally), 생략될 수 있다.The outer wall member 160 may be positioned on the metal substrate 110 and surround the outer periphery of the metal substrate 110. The outer wall member 160 may be positioned on the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 or on the inner heat dissipation layer 112. The outer wall member 160 can perform the function of forming the phosphor member 170 to cover the light emitting device chips 140 by accommodating the phosphor member 170 on the metal substrate 110. The outer wall member 160 can include a variety of materials that can provide mechanical strength, and can include, for example, metals or insulators. The outer wall member 160 is optional and may be omitted.

형광체 부재(170)는 발광소자 칩들(140)을 덮도록 금속 기판(110) 상에 위치할 수 있다. 형광체 부재(170)는 외벽 부재(160)에 의하여 제한되어 금속 기판(110) 상에 수용될 수 있다. 형광체 부재(170)는 다양한 색상을 가질 수 있고, 발광소자 칩들(140)로부터 발광되는 색상을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 발광소자 칩들(140)이 청색을 발광하고, 형광체 부재(170)가 황색 형광체를 수용하면, 최종 발광은 백색을 가지게 된다. 또한, 형광체 부재(170)는 발광소자 칩들(140)을 덮어 외부로부터 밀봉하는 기능을 함께 수행할 수 있다.The phosphor member 170 may be positioned on the metal substrate 110 so as to cover the light emitting device chips 140. The phosphor member 170 may be limited by the outer wall member 160 and be received on the metal substrate 110. The phosphor member 170 may have various colors and change the color emitted from the light emitting device chips 140. For example, when the light emitting device chips 140 emit blue light and the phosphor member 170 receives the yellow phosphor, the final light emission has a white color. In addition, the phosphor member 170 may cover the light emitting device chips 140 to seal from the outside.

이러한 발광소자 패키지(100)는 패키지 단위로서 형성되는 기술적 특징이 있고, 발광소자 패키지(100)가 인쇄회로기판 등에 탑재되어 모듈을 구성할 수 있다.The light emitting device package 100 has a technical feature formed as a package unit, and the light emitting device package 100 can be mounted on a printed circuit board or the like to form a module.

이하에서는, 양극 전극 패드(120), 음극 전극 패드(130), 및 발광소자 칩들(140)의 배치 등에 대하여 상세하게 설명하기로 한다. 이하에서는, 발광소자 칩들(140)이 6개의 그룹으로 분리되고, 양극 전극 패드(120)와 음극 전극 패드(130)가 각 그룹에 독립적으로 연결되도록 각각 6개로 구성된 경우는 예시적으로 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 갯수의 발광 소자 칩들의 그룹 및 다양한 갯수의 양극 전극 패드(120)와 음극 전극 패드(130)를 포함하는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.Hereinafter, the arrangement of the anode electrode pad 120, the cathode electrode pad 130, and the light emitting device chips 140 will be described in detail. Hereinafter, the case where the light emitting device chips 140 are divided into six groups and the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 are respectively connected to the respective groups independently is six do. However, the technical idea of the present invention is not limited to this, and the case of including a plurality of groups of light emitting device chips and various numbers of anode electrode pads 120 and cathode electrode pads 130 is also included in the technical idea of the present invention .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 발광소자 패키지(100)에서 형광체 부재를 제거한 상태를 도시하는 사시도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 발광소자 패키지(100)를 도시하는 상면도이다.FIG. 3 is a perspective view illustrating a state in which the phosphor member is removed from the light emitting device package 100 of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention. 4 is a top view illustrating the light emitting device package 100 of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention.

도 3과 도 4를 참조하면, 금속 기판(110)의 절연층(114) 상에 복수의 양극 전극 패드(120)들 및 복수의 음극 전극 패드(130)들이 위치할 수 있고, 예를 들어 금속 기판(110)의 에지 부분에 양극 전극 패드(120)들 및 음극 전극 패드(130)들이 배치될 수 있다. 양극 전극 패드(120)들은 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126)을 포함할 수 있다. 음극 전극 패드(130)들은 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126)과 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136)은 서로 교번하여 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 음극 전극 패드(131)로부터 시계 방향으로, 제1 양극 전극 패드(121), 제2 음극 전극 패드(132), 제2 양극 전극 패드(122), 제3 음극 전극 패드(133), 제3 양극 전극 패드(123), 제4 음극 전극 패드(134), 제4 양극 전극 패드(124), 제5 음극 전극 패드(135), 제5 양극 전극 패드(125), 제6 음극 전극 패드(136), 및 제6 양극 전극 패드(126)가 배치될 수 있다. 그러나 이러한 배치는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 배치가 가능하다. 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126) 및 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136)은 발광소자 칩들(140) 및 외부와의 전기적 연결을 위하여 다양한 형상을 가질 수 있다.3 and 4, a plurality of anode electrode pads 120 and a plurality of cathode electrode pads 130 may be positioned on the insulating layer 114 of the metal substrate 110, The anode electrode pads 120 and the cathode electrode pads 130 may be disposed at an edge portion of the substrate 110. [ The anode electrode pads 120 may include first to sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125, and 126. The cathode electrode pads 130 may include first to sixth cathode electrode pads 131, 132, 133, 134, 135, 136. The first through sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125 and 126 and the first through sixth cathode electrode pads 131, 132, 133, 134, 135, can do. 3, the first anode electrode pad 121, the second anode electrode pad 132, and the second anode electrode pad 122 (see FIG. 3) are formed in a clockwise direction from the first cathode electrode pad 131, A third anode electrode pad 133, a third anode electrode pad 123, a fourth cathode electrode pad 134, a fourth anode electrode pad 124, a fifth cathode electrode pad 135, An electrode pad 125, a sixth cathode electrode pad 136, and a sixth anode electrode pad 126 may be disposed. However, such an arrangement is exemplary, and the technical idea of the present invention is not limited thereto, and various arrangements are possible. The first through sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125 and 126 and the first through sixth cathode electrode pads 131, 132, 133, 134, 140 and the exterior.

발광소자 칩들(140)은 금속 기판(110)의 내부 방열층(112) 상에 위치할 수 있다. 발광소자 칩들(140)은 복수의 칩들이 그룹핑될 수 있고, 예를 들어 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)로 그룹핑될 수 있다. 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 각각 복수의 발광 소자 칩들을 포함할 수 있고, 예를 들어 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 각각 4개의 발광 소자 칩들을 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)이 다른 갯수의 발광 소자 칩들을 포함하거나, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)이 각각 동일한 갯수의 발광 소자 칩들을 포함하거나, 서로 다른 갯수의 발광 소자 칩들을 포함하는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.The light emitting device chips 140 may be positioned on the inner heat dissipation layer 112 of the metal substrate 110. The light emitting device chips 140 may be grouped into a plurality of chips and may be grouped into first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146, for example. Each of the first through sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 may include a plurality of light emitting device chips. For example, as shown in FIGS. 3 and 4 And may include four light emitting device chips. However, the technical idea of the present invention is not limited to this, and the first through sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 may include other number of light emitting device chips Or the first to sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 include the same number of light emitting device chips or different numbers of light emitting device chips And are included in the technical idea of the invention.

제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146) 내에 각각 포함된 발광 소자 칩들은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 서로 직렬로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 하나의 그룹 내에 포함되는 상기 발광 소자 칩들이 병렬로 전기적으로 연결되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146) 내에 각각 포함된 발광 소자 칩들은 본딩 와이어와 같은 전기적 연결 부재(150)를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146) 내에 각각 포함된 발광 소자 칩들은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 일렬로 배열될 수 있고, 이는 예시적이며 다양한 방식으로 배열될 수 있다.The light emitting device chips included in each of the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 may be electrically connected to each other in series as shown in FIG. 3 and FIG. Also, the case where the light emitting device chips included in one group are electrically connected in parallel is included in the technical idea of the present invention. The light emitting device chips included in each of the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 may be electrically connected to each other through an electrical connecting member 150 such as a bonding wire. The light emitting device chips included in each of the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 may be arranged in a line, as shown in FIGS. 3 and 4, This is illustrative and may be arranged in various ways.

제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 각각 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126) 및 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136)에 독립적인 방식으로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전기적 연결은 본딩 와이어와 같은 전기적 연결 부재(150)를 통하여 구현될 수 있다.The first through sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 are connected to the first through sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125, To the sixth cathode electrode pads 131, 132, 133, 134, 135, 136 in an independent manner. The electrical connection may be implemented through an electrical connection member 150, such as a bonding wire.

구체적으로, 제1 발광 소자 칩 그룹(141)은 제1 양극 전극 패드(121)와 제1 음극 전극 패드(131)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 발광 소자 칩 그룹(142)은 제2 양극 전극 패드(122)와 제2 음극 전극 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 발광 소자 칩 그룹(143)은 제3 양극 전극 패드(123)와 제3 음극 전극 패드(133)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 발광 소자 칩 그룹(144)은 제4 양극 전극 패드(124)와 제4 음극 전극 패드(134)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 발광 소자 칩 그룹(145)은 제5 양극 전극 패드(125)와 제5 음극 전극 패드(135)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제6 발광 소자 칩 그룹(146)은 제6 양극 전극 패드(126)와 제6 음극 전극 패드(136)에 전기적으로 연결될 수 있다.Specifically, the first light emitting device chip group 141 may be electrically connected to the first anode electrode pad 121 and the first cathode electrode pad 131. The second light emitting device group 142 may be electrically connected to the second anode electrode pad 122 and the second cathode electrode pad 132. The third light emitting device group 143 may be electrically connected to the third anode electrode pad 123 and the third anode electrode pad 133. The fourth light emitting device chip group 144 may be electrically connected to the fourth anode electrode pad 124 and the fourth cathode electrode pad 134. The fifth light emitting device chip group 145 may be electrically connected to the fifth anode electrode pad 125 and the fifth anode electrode pad 135. The sixth light emitting device chip group 146 may be electrically connected to the sixth anode electrode pad 126 and the sixth anode electrode pad 136.

상술한 바와 같이, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 별도의 양극 전극 패드(120)와 음극 전극 패드(130)에 전기적으로 연결됨으로써, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 소자 칩 그룹(141)에 제1 전압 또는 제1 전류가 제공되고, 제2 발광 소자 칩 그룹(142)에 상기 제1 전압 또는 제1 전류와는 다른 제2 전압 또는 제2 전류가 인가될 수 있다. 이에 따라, 제1 발광 소자 칩 그룹(141)에 의한 발광과 제2 발광 소자 칩 그룹(142)에 의한 발광이 상이하게 구현할 수 있다. 즉, 발광의 온/오프를 다르게 구현하거나, 색온도 디밍(dimming) 또는 색상 디밍을 수행할 수 있다.As described above, the first to sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 are electrically connected to the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130, respectively, The first to sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 may be independently driven. For example, when the first voltage or the first current is supplied to the first light emitting device chip group 141 and the second voltage or the second current different from the first voltage or the first current is supplied to the second light emitting device chip group 142 A second current may be applied. Accordingly, light emission by the first light emitting device chip group 141 and light emission by the second light emitting device chip group 142 can be implemented differently. That is, the on / off of light emission can be implemented differently, or color temperature dimming or color dimming can be performed.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 형광체 부재(170)는 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)을 덮을 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the phosphor member 170 may cover the first to sixth LED chip groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146.

이하에서는, 도 3의 발광소자 패키지(100)의 전기적 연결 방법을 설명하기로 한다. 발광소자 패키지(100)는 인쇄회로기판(미도시) 상에 실장될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 상기 인쇄회로기판의 구분된 전원 부재 또는 전원 회로들로부터 전력을 독립적으로 공급받을 수 있다. 또한, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 하기와 같은 방식으로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.Hereinafter, an electrical connection method of the light emitting device package 100 of FIG. 3 will be described. The light emitting device package 100 may be mounted on a printed circuit board (not shown). As described above, the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 are independently supplied with power from the separated power supply members or power supply circuits of the printed circuit board have. In addition, the first to sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 may be connected in series or in parallel in the following manner.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 발광소자 패키지(100)의 전기적 연결 방법을 도시하는 개략도이다.5 and 6 are schematic views showing an electrical connection method of the light emitting device package 100 of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(100)의 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 직렬 연결될 수 있다. 상기 직렬 연결은 인쇄회로 기판 상에 형성된 외부 배선(180)을 통하여 구현될 수 있다. 또한, 외부 배선(180)을 대신하여, 발광소자 패키지(100) 내에 형성된 내부 배선을 통하여 상기 직렬 연결이 구현되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 구체적으로, 제1 양극 전극 패드(121)는 상기 인쇄회로기판에 위치하는 양극에 연결될 수 있고, 제1 양극 전극 패드(121)는 제1 발광 소자 칩 그룹(141)의 발광 소자 칩들을 통하여 제1 음극 전극 패드(131)에 직렬 연결 연결될 수 있다. 이어서, 제1 음극 전극 패드(131)는 외부 배선(180)을 통하여 제6 양극 전극 패드(126)에 직렬 연결될 수 있다. 이러한 방식으로 직렬 연결되어, 제2 양극 전극 패드(122)는 제2 음극 전극 패드(132)에 직렬 연결될 수 있고, 제2 음극 전극 패드(132)는 상기 인쇄회로기판에 위치하는 음극에 연결될 수 있다. 이러한 전기적 연결은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126) 중 하나가 상기 인쇄회로기판에 위치하는 양극에 연결될 수 있고, 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136) 중 하나가 상기 인쇄회로기판에 위치하는 음극에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 5, the first to sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 of the light emitting device package 100 may be connected in series. The series connection may be implemented through external wiring 180 formed on the printed circuit board. It is also included in the technical idea of the present invention that the series connection is realized through the internal wiring formed in the light emitting device package 100 instead of the external wiring 180. Specifically, the first anode electrode pad 121 may be connected to the anode located on the printed circuit board, and the first anode electrode pad 121 may be connected to the first light emitting device group 141 through the light emitting device chips of the first light emitting device chip group 141 And may be connected in series to one negative electrode pad 131. The first cathode electrode pad 131 may be connected in series to the sixth anode electrode pad 126 through the external wiring 180. The second anode electrode pad 122 may be connected in series with the second cathode electrode pad 132 and the second cathode electrode pad 132 may be connected to the cathode located on the printed circuit board have. Such electrical connection is exemplary, and the technical idea of the present invention is not limited thereto. For example, one of the first to sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125, 126 may be connected to the anode located on the printed circuit board, One of the electrodes 131, 132, 133, 134, 135, 136 may be connected to a cathode located on the printed circuit board.

제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146) 하나에 인가되는 구동 전압이 12V이고, 구동 전류가 300 mA인 경우에는, 상기 직렬 연결에 의하여 발광소자 패키지(100)의 전체 구동 전압은 72V 이고, 구동 전류는 300mA가 될 수 있다.When the drive voltage applied to one of the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 is 12 V and the drive current is 300 mA, The total driving voltage of the plasma display panel 100 is 72 V, and the driving current can be 300 mA.

도 6을 참조하면, 발광소자 패키지(100)의 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 병렬 연결될 수 있다. 상기 병렬 연결은 인쇄회로 기판 상에 형성된 외부 배선(190) 및 발광소자 패키지(100) 내에 형성된 내부 배선(192)을 통하여 구현될 수 있다. 또한, 인쇄회로 기판 상에 형성된 외부 배선만을 통하여 상기 병렬 연결이 구현되거나, 발광소자 패키지(100) 내에 형성된 내부 배선만을 통하여 상기 병렬 연결이 구현되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 구체적으로, 제1 양극 전극 패드(121)는 상기 인쇄회로기판에 위치하는 양극에 연결될 수 있다. 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126)은 외부 배선(190)을 통하여 병렬로 연결될 수 있다. 제2 음극 전극 패드(132)는 상기 인쇄회로기판에 위치하는 음극에 연결될 수 있다. 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136)은 내부 배선(192)을 통하여 병렬로 연결될 수 있다. 이러한 전기적 연결은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126) 중 하나가 상기 인쇄회로기판에 위치하는 양극에 연결될 수 있고, 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136) 중 하나가 상기 인쇄회로기판에 위치하는 음극에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 6, the first to sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 of the light emitting device package 100 may be connected in parallel. The parallel connection may be implemented through an external wiring 190 formed on the printed circuit board and an internal wiring 192 formed in the light emitting device package 100. Also, the parallel connection may be realized through only the external wiring formed on the printed circuit board, or the parallel connection may be realized only through the internal wiring formed in the light emitting device package 100. Specifically, the first anode electrode pad 121 may be connected to the anode located on the printed circuit board. The first to sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125 and 126 may be connected in parallel through the external wiring 190. The second cathode electrode pad 132 may be connected to a cathode located on the printed circuit board. The first to sixth cathode electrode pads 131, 132, 133, 134, 135, and 136 may be connected in parallel through the internal wiring 192. Such electrical connection is exemplary, and the technical idea of the present invention is not limited thereto. For example, one of the first to sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125, 126 may be connected to the anode located on the printed circuit board, One of the electrodes 131, 132, 133, 134, 135, 136 may be connected to a cathode located on the printed circuit board.

제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146) 하나에 인가되는 구동 전압이 12V이고, 구동 전류가 300 mA인 경우에는, 상기 병렬 연결에 의하여 발광소자 패키지(100)의 전체 구동 전압은 12V 이고, 구동 전류는 1800mA가 될 수 있다.When the driving voltage applied to one of the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 is 12 V and the driving current is 300 mA, The total driving voltage of the plasma display panel 100 is 12 V, and the driving current can be 1800 mA.

도 5 및 도 6의 직렬 연결 및 병렬 연결이 조합되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 즉, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146) 중 일부가 직렬 연결되거나, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)의 일부가 병렬 연결되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 발광소자 패키지(100)의 경우에는, 12 가지의 구동 드라이브 모드가 가능할 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지(100)는 다양한 구동 방식을 구현할 수 있다.The combination of the serial connection and the parallel connection of Figs. 5 and 6 is also included in the technical idea of the present invention. That is, some of the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 may be connected in series or the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, , 145, and 146 are connected in parallel are also included in the technical idea of the present invention. In the case of the light emitting device package 100, twelve drive drive modes may be possible. Accordingly, the light emitting device package 100 can implement various driving methods.

도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 발광소자 패키지(100)의 제조 방법을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 도 7 내지 도 10을 참조하여 설명된 제조 공정 단계들의 순서는 예시적이며, 다른 순서로 수행되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.7 to 10 are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing the light emitting device package 100 of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention. The order of the manufacturing process steps described with reference to Figs. 7 to 10 is illustrative, and the case of being performed in a different order is also included in the technical idea of the present invention.

도 7을 참조하면, 금속 기판(110)을 준비한다. 금속 기판(110)은, 내부 방열층(112), 절연층(114), 및 하부 방열 패드(116, 도 2 참조)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, a metal substrate 110 is prepared. The metal substrate 110 may include an internal heat-dissipating layer 112, an insulating layer 114, and a lower heat-dissipating pad 116 (see FIG. 2).

금속 기판(110) 상에는 양극 전극 패드(120)와 음극 전극 패드(130)가 위치할 수 있다. 양극 전극 패드(120)는 복수의 양극 전극 패드들로 구성될 수 있고, 예를 들어 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126)을 포함할 수 있다. 음극 전극 패드(130)는 복수의 음극 전극 패드들로 구성될 수 있고, 예를 들어 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136)을 포함할 수 있다.On the metal substrate 110, the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 may be positioned. The anode electrode pad 120 may include a plurality of anode electrode pads and may include first to sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, 125, and 126, for example. The cathode electrode pad 130 may include a plurality of cathode electrode pads and may include, for example, first through sixth cathode electrode pads 131, 132, 133, 134, 135, and 136.

도 8을 참조하면, 금속 기판(110) 상에 발광소자 칩들(140)을 실장한다. 발광소자 칩들(140)은 복수일 수 있다. 발광소자 칩들(140)은 복수의 발광소자 칩들로 각각 구성된 복수의 발광 소자칩 그룹으로 구분될 수 있고, 예를 들어 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146, 도 3 참조)로 구분될 수 있다.Referring to FIG. 8, the light emitting device chips 140 are mounted on the metal substrate 110. The light emitting device chips 140 may be plural. The light emitting device chips 140 may be divided into a plurality of light emitting device chip groups each composed of a plurality of light emitting device chips. For example, the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, and 145 , 146, see Fig. 3).

도 9를 참조하면, 발광소자 칩들(140)을 전기적 연결 부재(150)를 이용하여 양극 전극 패드(120)와 음극 전극 패드(130)에 전기적으로 연결한다. 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146, 도 3 참조) 각각은 제1 내지 제6 양극 전극 패드들(121, 122, 123, 124, 125, 126, 도 3 참조) 및 제1 내지 제6 음극 전극 패드들(131, 132, 133, 134, 135, 136, 도 3 참조)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146, 도 3 참조)은 상술한 바와 같이, 독립적으로 구동될 수 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting device chips 140 are electrically connected to the anode electrode pad 120 and the cathode electrode pad 130 using an electrical connecting member 150. Each of the first through sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, 146 and FIG. 3 includes first through sixth anode electrode pads 121, 122, 123, 124, (See FIG. 3) and the first to sixth cathode electrode pads 131, 132, 133, 134, 135, 136 (see FIG. 3). The first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, 146 (see FIG. 3) can be independently driven as described above.

도 10을 참조하면, 금속 기판(110) 상에 금속 기판(110)의 외각을 둘러싸는 외벽 부재(160)를 형성한다. 외벽 부재(160)는 기계적 강도를 제공할 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속이나 절연물을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, an outer wall member 160 surrounding the outer periphery of the metal substrate 110 is formed on the metal substrate 110. The outer wall member 160 can include a variety of materials that can provide mechanical strength, and can include, for example, metals or insulators.

이어서, 외벽 부재(160)에 의하여 수용되고, 발광소자 칩들(140), 즉 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)을 덮는 형광체 부재(170)를 형성하여, 도 1의 발광소자 패키지(100)를 완성한다.The phosphor member 170 accommodated by the outer wall member 160 and covering the light emitting device chips 140, that is, the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146, To complete the light emitting device package 100 of FIG.

도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)를 도시하는 사시도이다.11 and 12 are perspective views illustrating a light emitting device package 200 according to an embodiment of the present invention.

도 11 및 도 12를 참조하면, 발광소자 패키지(200)는, 금속 기판(110), 양극 전극 패드(120), 음극 전극 패드(130), 발광소자 칩들(140), 전기적 연결 부재(150), 외벽 부재(160), 격벽 부재(165) 및 제1 내지 제 6 형광체 부재(171, 172, 173, 174, 175, 176)를 포함한다.11 and 12, the light emitting device package 200 includes a metal substrate 110, an anode electrode pad 120, a cathode electrode pad 130, light emitting device chips 140, an electrical connecting member 150, An outer wall member 160, a partition member 165 and first to sixth phosphor members 171, 172, 173, 174, 175,

도 10을 참조하여 설명한 외벽 부재(160)를 형성하는 단계를 수행한 후에 격벽 부재(165)를 형성할 수 있다.The partition member 165 may be formed after the step of forming the outer wall member 160 described with reference to FIG.

격벽 부재(165)는 금속 기판(110) 상에 위치할 수 있고, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)을 사이에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)은 격벽 부재(165)에 의하여 구분될 수 있다.The barrier rib member 165 may be positioned on the metal substrate 110 and may be positioned between the first to sixth LED chip groups 141, 142, 143, 144, 145, Accordingly, the first to sixth light emitting device groups 141, 142, 143, 144, 145, and 146 may be separated by the partition member 165.

격벽 부재(165)는 기계적 강도를 제공할 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금속이나 절연물을 포함할 수 있다. 격벽 부재(165)는 외벽 부재(160)와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 또는 다른 물질을 포함할 수 있다. 격벽 부재(165)는 외벽 부재(160)와 동일한 공정에서 형성될 수 있고, 또는 다른 공정에서 형성될 수 있다.The septum member 165 may include various materials capable of providing mechanical strength, and may include, for example, metals or insulators. The partition member 165 may include the same material as the outer wall member 160, or may include other materials. The partition member 165 may be formed in the same process as the outer wall member 160, or may be formed in another process.

도 12을 참조하면, 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)을 각각 덮는 제1 내지 제 6 형광체 부재(171, 172, 173, 174, 175, 176)를 형성한다. 제1 내지 제 6 형광체 부재(171, 172, 173, 174, 175, 176)는 격벽 부재(165)에 의하여 분리될 수 있다.Referring to FIG. 12, the first to sixth phosphor members 171, 172, 173, 174, 175, and 175 covering the first to sixth light emitting device chip groups 141, 142, 143, 144, 145, 176). The first to sixth phosphor members 171, 172, 173, 174, 175, and 176 may be separated by the partition member 165.

예를 들어, 제1 발광 소자 칩 그룹(141)을 덮는 제1 형광체 부재(171)를 형성할 수 있다. 이어서, 제2 발광 소자 칩 그룹(142)을 덮는 제2 형광체 부재(172)를 형성할 수 있다. 제2 형광체 부재(172)는 격벽 부재(165)에 의하여 제1 형광체 부재(171)로부터 분리될 수 있고, 제1 형광체 부재(171)와는 다른 색상을 나타낼 수 있다. 이러한 방법을 반복하여, 제1 내지 제 6 형광체 부재(171, 172, 173, 174, 175, 176)를 형성할 수 있다. 제1 내지 제 6 형광체 부재(171, 172, 173, 174, 175, 176)는 서로 다른 색상을 나타내는 형광체를 포함할 수 있다. 또는 제1 내지 제 6 형광체 부재(171, 172, 173, 174, 175, 176)의 일부는 동일한 색상을 나타내는 형광체를 포함할 수 있다. 이와 같이, 제1 내지 제 6 형광체 부재(171, 172, 173, 174, 175, 176)를 사용함으로써, 다양한 색온도 디밍 및 다양한 색상 디밍을 구현할 수 있다.For example, the first phosphor member 171 covering the first luminous element chip group 141 can be formed. Subsequently, the second phosphor member 172 covering the second luminous element chip group 142 can be formed. The second phosphor member 172 can be separated from the first phosphor member 171 by the partition member 165 and can exhibit a color different from that of the first phosphor member 171. [ By repeating this method, the first to sixth phosphor members 171, 172, 173, 174, 175, and 176 can be formed. The first to sixth phosphor members 171, 172, 173, 174, 175, and 176 may include phosphors having different colors. Or a part of the first to sixth phosphor members 171, 172, 173, 174, 175, and 176 may include phosphors that exhibit the same hue. By using the first to sixth phosphor members 171, 172, 173, 174, 175, and 176, various color temperature dimming and various color dimming can be realized.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)를 도시하는 평면도이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 13의 발광소자 패키지(300)의 단면도이다.13 is a plan view showing a light emitting device package 300 according to an embodiment of the present invention. 14 is a cross-sectional view of the light emitting device package 300 of FIG. 13 according to an embodiment of the present invention.

도 13 및 도 14를 참조하면, 발광소자 패키지(300)는, 금속 기판(310), 양극 전극 패드(320), 음극 전극 패드(330), 발광소자 칩들(340), 전기적 연결 부재(350), 외벽 부재(360), 및 형광체 부재(370)를 포함한다.13 and 14, the light emitting device package 300 includes a metal substrate 310, an anode electrode pad 320, a cathode electrode pad 330, light emitting device chips 340, an electrical connecting member 350, An outer wall member 360, and a phosphor member 370.

금속 기판(310), 양극 전극 패드(320), 음극 전극 패드(330), 발광소자 칩들(340), 전기적 연결 부재(350), 외벽 부재(360), 및 형광체 부재(370)는 상술한 금속 기판(110), 양극 전극 패드(120), 음극 전극 패드(130), 발광소자 칩들(140), 전기적 연결 부재(150), 외벽 부재(160), 및 형광체 부재(170)에 각각 상응할 수 있다.The metal substrate 310, the anode electrode pad 320, the cathode electrode pad 330, the light emitting device chips 340, the electrical connecting member 350, the outer wall member 360, and the phosphor member 370 are formed of the above- And may correspond to the substrate 110, the anode electrode pad 120, the cathode electrode pad 130, the light emitting device chips 140, the electrical connecting member 150, the outer wall member 160, and the phosphor member 170, have.

또한, 발광소자 패키지(300)는, 금속 기판(310)을 관통하여 위치하는 제1 및 제2 양극 관통 비아(381, 383)와 제1 및 제2 음극 관통 비아(382, 384)를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package 300 further includes first and second cathode through vias 381 and 383 and first and second cathode through vias 382 and 384 located through the metal substrate 310 can do.

제1 및 제2 양극 관통 비아(381, 383)와 제1 및 제2 음극 관통 비아(382, 384)는 금속 기판(310)의 내부 방열층(312)을 관통하여 위치하고, 금속 기판(310)과 절연된다. 절연층(314)은 내부 방열층(312)과 제1 및 제2 양극 관통 비아(381, 383)와 제1 및 제2 음극 관통 비아(382, 384) 사이에 개재되어 이들을 서로 전기적으로 절연한다.The first and second cathode through vias 381 and 383 and the first and second cathode through vias 382 and 384 are located through the inner heat dissipation layer 312 of the metal substrate 310, . The insulating layer 314 is interposed between the inner heat dissipation layer 312, the first and second anode through vias 381 and 383 and the first and second cathode through vias 382 and 384 to electrically isolate them from each other .

금속 기판(310)은, 내부 방열층(312) 및 절연층(314)을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았지만, 금속 기판(310)은 상술한 하부 방열 패드를 더 포함할 수 있다.The metal substrate 310 may include an internal heat-dissipating layer 312 and an insulating layer 314. Further, although not shown, the metal substrate 310 may further include the above-described lower heat-radiating pad.

양극 전극 패드(320) 및 음극 전극 패드(330)는 금속 기판(310) 상에 금속 기판(310)과 절연되어 위치할 수 있다. 양극 전극 패드(320)는 금속 기판(310)에서의 위치와 전기적 연결 관계에 따라 제7 내지 제10 양극 전극 패드(321, 322, 323, 324)를 포함할 수 있다. 음극 전극 패드(330)는 금속 기판(310)에서의 위치와 전기적 연결 관계에 따라 제7 내지 제10 음극 전극 패드(331, 332, 333, 334)를 포함할 수 있다.The anode electrode pad 320 and the cathode electrode pad 330 may be disposed on the metal substrate 310 and isolated from the metal substrate 310. The anode electrode pads 320 may include seventh to tenth anode electrode pads 321, 322, 323, and 324 depending on their positions on the metal substrate 310 and their electrical connection relationship. The cathode electrode pads 330 may include seventh to tenth cathode electrode pads 331, 332, 333, and 334 depending on their positions on the metal substrate 310 and their electrical connection.

발광소자 칩들(340)은 금속 기판(310) 상에 위치할 수 있고, 예를 들어 내부 방열층(312) 상에 접촉하도록 위치할 수 있다. 발광소자 칩들(340)은 다양한 형태로서 배열될 수 있고, 또한 복수의 그룹으로 그룹핑될 수 있다. 예를 들어 제7 내지 제 12 발광 소자 칩 그룹들(341, 342, 343, 344, 345, 346)로 그룹핑될 수 있다. 제7 내지 제 12 발광 소자 칩 그룹들(341, 342, 343, 344, 345, 346)은 각각 복수의 발광 소자 칩들을 포함할 수 있다. 제7 내지 제 12 발광 소자 칩 그룹들(341, 342, 343, 344, 345, 346)은 상술한 제1 내지 제 6 발광 소자 칩 그룹들(141, 142, 143, 144, 145, 146)에 각각 상응할 수 있고, 다만 외부로의 전기적 연결관계가 상이할 수 있다.The light emitting device chips 340 may be positioned on the metal substrate 310, for example, in contact with the internal heat-dissipating layer 312. The light emitting device chips 340 may be arranged in various forms, and may also be grouped into a plurality of groups. For example, the seventh to twelfth light emitting device chip groups 341, 342, 343, 344, 345, and 346. Each of the seventh to twelfth light emitting device chip groups 341, 342, 343, 344, 345, and 346 may include a plurality of light emitting device chips. The seventh to twelfth light emitting element chip groups 341, 342, 343, 344, 345 and 346 are connected to the first to sixth light emitting element chip groups 141, 142, 143, 144, 145 and 146 Respectively, but the electrical connection relationship to the outside may be different.

구체적으로, 제7 발광 소자 칩 그룹(341)은 제7 양극 전극 패드(321)와 제7 음극 전극 패드(331)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제8 발광 소자 칩 그룹(342)은 제8 양극 전극 패드(322)와 제8 음극 전극 패드(332)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제9 발광 소자 칩 그룹(343)은 제9 양극 전극 패드(323)와 제9 음극 전극 패드(333)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제10 발광 소자 칩 그룹(344)은 제10 양극 전극 패드(324)와 제10 음극 전극 패드(334)에 전기적으로 연결될 수 있다.Specifically, the seventh light emitting device chip group 341 may be electrically connected to the seventh anode electrode pad 321 and the seventh cathode electrode pad 331. The eighth light emitting device chip group 342 may be electrically connected to the eighth anode electrode pad 322 and the eighth cathode electrode pad 332. The ninth light emitting device group 343 may be electrically connected to the ninth positive electrode pad 323 and the ninth negative electrode pad 333. The tenth light emitting device group 344 may be electrically connected to the tenth anode electrode pad 324 and the tenth cathode electrode pad 334.

제7 내지 제10 양극 전극 패드(321, 322, 323, 324) 및 제7 내지 제10 음극 전극 패드(331, 332, 333, 334)는 금속 기판(310)의 에지 부분에 배치될 수 있고, 서로 교번하여 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 제7 양극 전극 패드(21)로부터 시계 방향으로, 제7 음극 전극 패드(331), 제8 양극 전극 패드(322), 제8 음극 전극 패드(332), 제9 양극 전극 패드(323), 제9 음극 전극 패드(333), 제10 양극 전극 패드(324), 및 제10 음극 전극 패드(334)가 배치될 수 있다. 그러나 이러한 배치는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 배치가 가능하다.The seventh to tenth anode electrode pads 321, 322, 323 and 324 and the seventh to tenth cathode electrode pads 331, 332, 333 and 334 may be disposed at the edge portion of the metal substrate 310, They can be located alternately. 13, the seventh anode electrode pad 331, the eighth anode electrode pad 322, the eighth cathode electrode pad 332, and the eighth cathode electrode pad 332 are formed in a clockwise direction from the seventh anode electrode pad 21, A ninth positive electrode pad 323, a ninth negative electrode pad 333, a tenth positive electrode pad 324, and a tenth negative electrode pad 334 may be disposed. However, such an arrangement is exemplary, and the technical idea of the present invention is not limited thereto, and various arrangements are possible.

반면, 제11 발광 소자 칩 그룹(345)은 금속 기판(310)을 관통하는 제1 양극 관통 비아(381)와 제1 음극 관통 비아(382)에 전기적 연결 부재(350)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제12 발광 소자 칩 그룹(346)는 금속 기판(310)을 관통하는 제2 양극 관통 비아(383)와 제2 음극 관통 비아(384)에 전기적 연결 부재(350)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.On the other hand, the eleventh light emitting device chip group 345 can be electrically connected to the first anode through vias 381 passing through the metal substrate 310 and the first cathode through vias 382 through the electrical connecting member 350 have. The twelfth light emitting device chip group 346 may be electrically connected to the second anode through vias 383 through the metal substrate 310 and the second cathode through vias 384 through the electrical connecting member 350 have.

제11 발광 소자 칩 그룹(345)과 제12 발광 소자 칩 그룹(346)이 중앙에 배치되도록 도시되어 있으나, 이는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 및 제2 양극 관통 비아(381, 383)와 제1 및 제2 음극 관통 비아(382, 384)의 배치는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.The eleventh light emitting device chip group 345 and the twelfth light emitting device chip group 346 are arranged at the center, but this is merely an example, and the technical idea of the present invention is not limited thereto. The arrangement of the first and second cathode through vias 381 and 383 and the first and second cathode through vias 382 and 384 is illustrative and the technical idea of the present invention is not limited thereto.

상술한 발광소자 패키지는 평면형을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 캐비티형에도 적용되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. Although the planar light emitting device package has been described as an example, the present invention is not limited thereto, and the present invention may also be applied to a cavity type light emitting device package.

이상에서 설명한 본 발명의 기술적 사상이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명의 기술적 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.

100: 발광소자 패키지, 110: 금속 기판, 112: 내부 방열층,
114: 절연층, 116: 하부 방열 패드, 117: 상면, 118: 하면, 119: 측면,
120, 121, 122, 123, 124, 125, 126: 양극 전극 패드,
130, 131, 132, 133, 134, 135, 136: 음극 전극 패드,
140, 141, 142, 143, 144, 145, 146: 발광소자 칩들,
150: 전기적 연결 부재, 160: 외벽 부재, 165: 격벽 부재,
170, 171, 172, 173, 174, 175, 176: 형광체 부재,
180: 외부 배선, 190: 외부 배선, 192: 내부 배선,
200: 발광소자 패키지,
300: 발광소자 패키지, 310: 금속 기판, 312: 내부 방열층, 314: 절연층,
320, 321, 322, 323, 324: 양극 전극 패드,
330, 331, 332, 333, 334: 음극 전극 패드,
340, 341, 342, 343, 344, 345, 346: 발광소자 칩들,
350: 전기적 연결 부재, 360: 외벽 부재, 370: 형광체 부재,
381, 383: 양극 관통 비아, 382, 384: 음극 관통 비아,100: light emitting device package, 110: metal substrate, 112: internal heat radiation layer,
114: insulating layer, 116: lower heat sink pad, 117: upper surface, 118: lower surface, 119:
120, 121, 122, 123, 124, 125, 126: anode electrode pad,
130, 131, 132, 133, 134, 135, 136: cathode electrode pads,
140, 141, 142, 143, 144, 145, 146: light emitting device chips,
150: electrical connecting member, 160: outer wall member, 165: partition wall member,
170, 171, 172, 173, 174, 175, 176: phosphor member,
180: external wiring, 190: external wiring, 192: internal wiring,
200: light emitting device package,
300: light emitting device package, 310: metal substrate, 312: internal heat dissipation layer, 314: insulating layer,
320, 321, 322, 323, 324: anode electrode pad,
330, 331, 332, 333, 334: cathode electrode pads,
340, 341, 342, 343, 344, 345, 346: light emitting device chips,
350: electrical connecting member, 360: outer wall member, 370: phosphor member,
381, 383: anode through vias, 382, 384: cathode through vias,

Claims (2)

금속 기판 상에 위치하고, 복수의 발광 소자 칩들을 포함하는 제1 발광 소자 칩 그룹;
상기 금속 기판 상에 위치하고, 복수의 발광 소자 칩들을 포함하는 제2 발광 소자 칩 그룹; 및
상기 금속 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광 소자 칩 그룹과 상기 제2 발광 소자 칩 그룹을 덮는 형광체 부재;
를 포함하는, 발광소자 패키지.A first light emitting device chip group located on a metal substrate and including a plurality of light emitting device chips;
A second light emitting device chip group located on the metal substrate and including a plurality of light emitting device chips; And
A phosphor member disposed on the metal substrate and covering the first light emitting device chip group and the second light emitting device chip group;
Emitting device package. 제 1 항의 발광소자 패키지의 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting device package according to claim 1.
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