KR20140128714A - method for strengthening the joint strength of the solder bump and wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 점착층과 베이스층으로 이루어진 보호필름을 이용함으로써, 솔더범프와 웨이퍼의 결합력을 향상시킬 수 있고, 베이스층으로서 UV 필름, 발포 필름 등을 사용하기 때문에 백그라인딩 후 UV 필름, 발포 필름만을 선택적으로 제거할 수 있으며, 추가적인 공정 없이 웨이퍼 표면을 보호할 수 있는 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a solder bump-wafer bonding method and, more particularly, to a solder bump-wafer bonding method using a protective film made of an adhesive layer and a base layer, The present invention relates to a solder bump capable of selectively removing only a UV film and a foaming film after back grinding and a wafer bonding method using the solder bump.
최근 전자 제품의 소형화 및 경량화 등이 급격히 진행되고 있으며, 이에 따라 반도체 패키지의 리드레스(leadless)화, 박형화 및 칩의 고집적화에 대한 요구도 증가하고 있다. 이러한 요구에 대응하여, 상기 반도체 패키지에 포함되는 웨이퍼의 대구경화 및 박형화에 대한 연구의 진행도 활발하다.Recently, miniaturization and lightening of electronic products are rapidly proceeding, and there is an increasing demand for leadless, thinned, and highly integrated chips in semiconductor packages. In response to such a demand, researches on enlargement of the wafer and thinning of wafers included in the semiconductor package are actively conducted.
반도체 웨이퍼의 대구경화 및 초박형화 추세에 효과적으로 대응하기 위해서는, 웨이퍼 연마공정인 백그라인딩(back grinding) 공정 및 다이싱(dicing) 공정의 정밀한 제어가 중요하며, 이를 위해서는 상기 공정들을 제어할 수 있는 고성능 기술이 필요하다. 상기 중 백그라인딩 공정은 고집적 배선회로를 갖는 웨이퍼의 표면을 기계적 또는 화학적으로 연마하여 얇게 하는 공정이다. 통상적으로, 백그라인딩 공정시에는 웨이퍼 보호를 위한 보호 필름을 사용하고, 예를 들어 두께가 약 750 ㎛인 8 인치 웨이퍼의 경우 백그라인딩 공정을 통하여 공정 전의 절반 가량인 약 200 내지 400 ㎛ 정도까지 연마를 수행하는 것이 일반적이었다.In order to effectively cope with the large-scale curing and ultra thinness of semiconductor wafers, it is important to precisely control the back grinding process and the dicing process, which are wafer polishing processes, Technology is needed. The above-mentioned back grinding step is a step of mechanically or chemically polishing the surface of a wafer having a highly integrated wiring circuit to thin it. Generally, a protective film for wafer protection is used in the back grinding process. For example, in the case of an 8-inch wafer having a thickness of about 750 탆, a back grinding process is used to polish the wafer to about 200 to 400 탆 .
그러나, 전술한 박형화의 요구에 따라 현재는 웨이퍼를 200 ㎛ 이하로 연마하는 것이 요구되고, 이에 따라 연마시에 웨이퍼의 보호에 추가로 박형 웨이퍼를 핸들링하기 위한 보강 용도로도 보호 필름을 사용하는 경우가 발생하고 있다. 게다가, 대구경화의 진행에 따라 백그라인딩 공정 중 웨이퍼 오염 및 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 이에 따라 웨이퍼 가공용 보호 필름의 역할이 더욱 중요시되고 있다.However, in accordance with the demand for thinning described above, it is required to polish the wafer to 200 탆 or less at present, and accordingly, when a protective film is also used for the purpose of handling a thin wafer in addition to the protection of the wafer during polishing . In addition, due to the progress of thickening of the die, wafer damage such as wafer contamination and crack generation frequently occurs during back grinding, and thus the role of protective film for wafer processing becomes more important.
상기와 같은 보호 필름에 포함되는 점착층은 웨이퍼 표면을 잘 적셔주고, 수분의 침투에 대한 저항성이 높아 들뜸 현상이 발생하지 않아야 하며, 박형화에 따른 휨이나 균열을 방지할 수 있어야 한다. 즉, 백그라인딩 공정시 필름의 점착층이 웨이퍼 표면을 잘 적셔주지 못하고, 내수성이 떨어지면 계면간 들뜸이 발생하고, 연마시 뿌려지는 냉각수에 의한 웨이퍼 오염 및 균열 발생으로 웨이퍼 파손이 초래된다.The adhesive layer included in the protective film should wet the surface of the wafer, resist moisture penetration to a high degree, and prevent buckling, and prevent warping or cracking due to thinning. That is, during the back grinding process, the adhesive layer of the film does not wet the surface of the wafer well. If the water resistance is poor, interfacial peeling occurs, and wafer contamination and cracking due to cooling water sprayed during polishing causes wafer breakage.
한편, 도 3은 종래 웨이퍼 표면에 형성된 솔더범프의 결합력을 강화시키기 위해 수행되는 공정을 도시하는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a process performed to enhance the bonding force of the solder bumps formed on the surface of the conventional wafer.
도 3을 참조하면, 종래에는 웨이퍼 표면에 형성된 솔더범프의 결합력을 향상시키기 솔더범프가 형성된 웨이퍼 상에 보호층(Encapsulation)을 형성한 후, 솔더범프의 일부를 포함하여 절단하는 공정을 수행한다. 그리고 절단된 솔더범프 상에 솔더 패이스트(solder paste)를 프린팅한 후 리플로우(reflow)하여 한다. 이와 같이 종래에는 솔더범프의 결합력을 향상시키기 위해 솔더범프 상부까지 보호층을 형성한 후 솔더범프를 절단한 후 솔더 패이스트를 프린팅하는 복잡한 공정을 수행해야 하는 문제가 있다.Referring to FIG. 3, a process of forming a protective layer (encapsulation) on a wafer on which solder bumps are formed to improve the bonding force of the solder bumps formed on the wafer surface, and then cutting the wafer including a part of the solder bumps is performed. Then, a solder paste is printed on the cut solder bumps and then reflowed. Thus, in order to improve the bonding force of the solder bumps, there is a problem that a complicated process of forming a protective layer up to the top of the solder bump and then cutting the solder bump and then printing the solder paste is required.
대한민국 등록특허 제10-0806839호'반도체 패키지 제조방법'(공고일 : 2008.02.22.)Korean Patent No. 10-0806839 'Semiconductor Package Manufacturing Method' (Notification Date: Feb. 22, 2008)
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 점착층과 베이스층으로 이루어진 보호필름을 이용함으로써, 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for enhancing the bonding strength between a solder bump and a wafer by using a protective film comprising an adhesive layer and a base layer.
또한, 본 발명의 목적은 베이스층으로서 UV 필름, 발포 필름 등을 사용하기 때문에 백그라인딩 후 UV 필름, 발포 필름만을 선택적으로 제거할 수 있으며, 추가적인 공정 없이 웨이퍼 표면을 보호할 수 있는 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법을 제공하는 것이다.
It is another object of the present invention to provide a solder bump capable of selectively removing only a UV film and a foam film after back grinding and capable of protecting the surface of a wafer without further processing because a UV film, To provide a method of enhancing the bonding strength of the substrate.
이를 위해 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법은 전면에 솔더범프가 형성된 웨이퍼를 마련하는 S1단계와; 점착층과 베이스층으로 이루어진 보호필름을 상기 웨이퍼의 전면 상에 부착하는 S2단계와; 상기 웨이퍼의 후면을 백그라인딩(backgrinding)하는 S3단계와; 상기 베이스층을 제거하여 상기 솔더범프를 노출시키는 S4단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.For this purpose, a method for enhancing the bonding strength between a solder bump and a wafer according to the present invention includes: a step S1 of providing a wafer having solder bumps formed on its front surface; Attaching a protective film composed of an adhesive layer and a base layer on the front surface of the wafer; A step S3 of backgrinding the back surface of the wafer; And removing the base layer to expose the solder bumps.
또한, 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법의 점착층은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the adhesive layer of the solder bump-wafer bonding strength enhancement method according to the present invention is characterized in that it comprises any one of acrylic resin, epoxy resin and silicone resin.
또한, 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법의 베이스층은 아크릴 수지 필름, 에폭시 수지 필름, 실리콘 수지 필름, UV(Ultra Violet) 필름, 발포 필름 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the base layer of the solder bump-wafer bonding strengthening method according to the present invention is characterized in that it comprises any one of an acrylic resin film, an epoxy resin film, a silicone resin film, an UV (Ultra Violet) film and a foam film.
또한, 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법의 S4단계는 상기 베이스층이 UV(Ultra Violet) 필름인 경우, 상기 보호필름이 부착된 웨이퍼의 전면에 자외선을 조사한 후, 상기 UV 필름을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.In the step S4 of the method for enhancing the bonding strength between the solder bump and the wafer according to the present invention, when the base layer is a UV (ultraviolet) film, after irradiating ultraviolet rays on the entire surface of the wafer having the protective film, Is removed.
또한, 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법의 S4단계는 상기 베이스층이 상기 발포 필름인 경우, 상기 보호필름이 부착된 웨이퍼의 전면에 열을 가하여 상기 발포 필름을 발포시켜 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.In the step S4 of the method for enhancing the bonding strength between the solder bump and the wafer according to the present invention, when the base layer is the foam film, heat is applied to the entire surface of the wafer to which the protective film is attached, .
또한, 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법은 4단계 후 상기 웨이퍼의 후면에 쏘잉필름(sawing film)을 부착하고 다수의 반도체 칩으로 쏘잉하는 S5단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method for enhancing the bonding strength between a solder bump and a wafer, comprising the steps of: attaching a sawing film to a back surface of the wafer after the fourth step and cutting the wafer into a plurality of semiconductor chips; .
이상과 같은 구성의 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법에 의하면, 점착층과 베이스층으로 이루어진 보호필름을 이용함으로써, 솔더범프와 웨이퍼의 결합력을 증대시키는 효과가 있다.According to the method for strengthening the bonding force between the solder bump and the wafer having the above-described structure, the bonding force between the solder bump and the wafer is increased by using the protective film composed of the adhesive layer and the base layer.
또한, 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법에 의하면, 베이스층으로서 UV 필름, 발포 필름 등을 사용하기 때문에 백그라인딩 후 UV 필름, 발포 필름만을 선택적으로 제거할 수 있으며, 추가적인 공정 없이 웨이퍼 표면을 보호할 수 있는 효과가 있다.
In addition, according to the method of reinforcing the bonding strength between the solder bump and the wafer according to the present invention, since a UV film, a foam film and the like are used as a base layer, only the UV film and the foam film can be selectively removed after back grinding, The surface can be protected.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법의 각 공정을 도시하는 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 S4단계를 도시하는 단면도이다.
도 3은 종래 웨이퍼 표면에 형성된 솔더범프의 결합력을 강화시키기 위해 수행되는 공정을 도시하는 단면도이다.FIGS. 1A to 1F are cross-sectional views illustrating respective steps of a solder bump-wafer bonding strength enhancing method according to the present invention.
2 is a cross-sectional view showing step S4 according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a process performed to enhance the bonding force of a solder bump formed on a conventional wafer surface.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, and these may vary depending on the intention of the user, the operator, or the precedent. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.
본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법은 웨이퍼의 표면과 솔더범프의 결합력을 향상시키기 위한 방법을 제공하는 것으로서, 웨이퍼 가공 공정 중에서 플립칩(flip-chip)의 백그라운딩 공정에서 점착층과 베이스층으로 이루어지는 보호필름을 사용하게 된다.The method for enhancing the bonding strength between the solder bump and the wafer according to the present invention provides a method for improving the bonding force between the surface of the wafer and the solder bump. In the back grounding process of the flip chip, A protective film made of a base layer is used.
본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법은 솔더범프가 형성된 웨이퍼를 마련하는 S1단계와, 보호필름을 상기 웨이퍼의 전면 상에 부착하는 S2단계와, 백그라인딩(backgrinding)하는 S3단계와, 상기 베이스층을 제거하여 상기 솔더범프를 노출시키는 S4단계 및 상기 웨이퍼의 후면에 쏘잉필름(sawing film)을 부착하고 다수의 반도체 칩으로 쏘잉하는 S5단계를 포함할 수 있다.The method of enhancing the bonding strength between the solder bump and the wafer according to the present invention includes a step S1 of providing a wafer on which solder bumps are formed, a step S2 of attaching a protective film on the front surface of the wafer, a step S3 of backgrinding, Removing the base layer to expose the solder bumps; and attaching a sawing film to the rear surface of the wafer and forming a plurality of semiconductor chips.
도 1a 내지 도 1f는 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법의 각 공정을 도시하는 단면도들이다.FIGS. 1A to 1F are cross-sectional views showing respective steps of a solder bump-wafer bonding strength enhancing method.
도 1a를 참조하면, 본 발명에 따른 S1단계의 웨이퍼(100)는 전면에 패턴(101)이 형성되고, 상기 패턴(101) 상에는 솔더범프(103)가 형성된다.1A, a
도 1b를 참조하면, 본 발명에 따른 S2단계는 상기 솔더범프(103)가 형성된 웨이퍼(100)의 전면에 보호필름(110)을 부착하는 것이다. Referring to FIG. 1B, step S2 according to the present invention is to attach the
상기 보호필름(110)은 백그라인딩시 발생하는 이물질 또는 세척수 등에 의해 웨이퍼의 전면을 보호하는 역할을 하는 것으로서, 크게 점착층(111)과 베이스층(112)을 포함할 수 있다. The
상기 점착층(111)은 상기 솔더범프와 상기 웨이퍼 표면을 견고하게 결합시키는 역할을 하는 것으로서, 베이스층(112)이 제거되는 경우 솔더범프(103)의 일부가 외부에 노출될 수 있는 높이로 형성되는 것이 바람직하다.The
상기 점착층(111)은 점착성 수지, 구체적으로 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등으로 이루어지는 것을 예시할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 베이스층(112)은 상기 점착층(111) 상부에 형성되는 것으로서, 백그라인딩이 이루어진 후에는 제거된다.The
상기 베이스층(112)은 UV필름(112)으로 이루어지는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 UV필름(112)에 자외선을 조사하면 점착성 내지 점착성이 낮아져 손쉽게 제거할 수 있기 때문이다.The
도 1c를 참조하면, 본 발명에 따른 S3단계는 상기 보호필름(110)이 부착된 상태에서 웨이퍼(100)의 후면을 백그라인딩 하는 것이다. 상기 웨이퍼(100)의 후면 백그라인딩시, 상기 보호필름(110)은 상기 웨이퍼(100)의 전면 및 솔더범프를 보호한다. 백그라인딩은 도시된 바와 같이 그라인드 휠(grind wheel)로 수행할 수 있고, 그 외 레이저 또는 식각으로 수행할 수도 있다. Referring to FIG. 1C, step S3 according to the present invention is to back-grind the backside of the
도 1d를 참조하면, 본 발명에 따른 S4단계는 웨이퍼(100) 후면의 백그라인딩을 완료한 후 웨이퍼(100)의 전면에 자외선을 조사하고, 상기 자외선에 의해 점착성 내지 점착성이 떨어진 UV 필름(112)을 제거하는 것이다. 상기 UV 필름(112)이 제거되면 상기 솔더범프(103)의 상측 일부가 외부로 노출된다.Referring to FIG. 1D, step S4 according to the present invention includes the steps of irradiating ultraviolet rays onto the entire surface of the
도 1e 및 도 1f를 참조하면, 본 발명에 따른 S5단계는 그라인딩된 웨이퍼(100)의 후면에 쏘잉필름(sawing film)(130)을 부착한 후 블레이드 등을 이용하여 쏘잉(sawing)하여 다수의 반도체 칩(100a,100b,..)들로 분할하는 것이다. 여기서 상기 쏘잉필름(sawing film)(130)은 유연성 및 점착성을 가지는 합성수지 소재로 이루어질 수 있고, 반도체 칩을 분할 내지 쏘잉한 후 제거된다.
Referring to FIGS. 1E and 1F, step S5 according to the present invention includes attaching a
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 S4단계를 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing step S4 according to another embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼와 솔더범프의 결합력을 향상시키는 방법은 상기 베이스층이 발포 필름으로 이루어질 수 있으며, S4단계는 상기 보호필름이 부착된 웨이퍼의 전면(구체적으로 발포 필름)에 열을 가하여 상기 발포 필름을 발포시켜 제거하는 것이다.Referring to FIG. 2, a method of improving bonding force between a wafer and a solder bump according to the present invention may include forming a base film on the front surface (specifically, a foamed film) of the wafer to which the protective film is attached, Heat is applied to the foamed film to foam the foamed film.
여기서, 발포 필름이란 열에너지를 이용하여 점착층 내지 솔더 범프와의 박리가 쉽게 이루어지도록 구성된 것으로서, 발포 필름과 점착층의 계면에는 발포제가 첨가되어 있어 일정 온도로 가열되면 계면에서 발포가 이루어지게 되어 손쉽게 박리되는 특성이 있다.Here, the foamed film is configured to easily peel off from the pressure-sensitive adhesive layer or the solder bump by using heat energy. The foaming agent is added to the interface between the foamed film and the pressure-sensitive adhesive layer. When heated to a certain temperature, foaming occurs at the interface, There is a property to peel off.
즉, 도 1d에 도시된 S4단계에서는 자외선을 조사한 후, UV 필름을 제거하는 것인 반면에, 도 2에 도시된 본 실시예의 S4단계에서는 발포 필름에 열을 가하여 점착력을 약화시킨 상태에서 이를 제거할 수 있다.That is, in the step S4 shown in FIG. 1D, the ultraviolet rays are irradiated and then the UV film is removed. On the other hand, in the step S4 of the present embodiment shown in FIG. 2, heat is applied to the foamed film, can do.
도시하지 않았으나, 상기 베이스층은 아크릴 수지 필름, 에폭시 수지 필름, 실리콘 수지 필름 등으로 이루어지는 것을 예시할 수 있다.
Although not shown, the base layer may be formed of an acrylic resin film, an epoxy resin film, a silicone resin film, or the like.
결론적으로 본 발명에 따른 솔더범프와 웨이퍼의 결합력 강화방법에 의하면 점착층과 베이스층으로 이루어진 보호필름을 이용함으로써, 솔더범프와 웨이퍼의 결합력을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 그리고 베이스층으로서 UV 필름을 사용하기 때문에 백그라인딩 후 UV 필름만을 선택적으로 제거할 수 있으며, 추가적인 공정 없이 웨이퍼 표면을 보호할 수 있는 장점이 있다.
As a result, according to the solder bump-wafer bonding strength enhancement method of the present invention, the bonding strength between the solder bump and the wafer can be improved by using the protective film composed of the adhesive layer and the base layer. Since the UV film is used as the base layer, only the UV film can be selectively removed after back grinding, and the wafer surface can be protected without further processing.
한편, 본 발명의 상세한 설명 및 첨부도면에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들을 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and similarities. Accordingly, the scope of the present invention should be construed as being limited to the embodiments described, and it is intended that the scope of the present invention encompasses not only the following claims, but also equivalents thereto.
100 : 웨이퍼
101 : 패턴
103 : 솔더범프
110 : 보호필름
111 : 점착층
112 : 베이스층, UV 필름100: wafer
101: Pattern
103: Solder bump
110: protective film
111: Adhesive layer
112: base layer, UV film
Claims (6)
점착층과 베이스층으로 이루어진 보호필름을 상기 웨이퍼의 전면 상에 부착하는 S2단계와;
상기 웨이퍼의 후면을 백그라인딩(backgrinding)하는 S3단계와;
상기 베이스층을 제거하여 상기 솔더범프를 노출시키는 S4단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼와 솔더범프의 결합력을 향상시키는 방법.Providing a wafer having solder bumps formed on its front surface;
Attaching a protective film composed of an adhesive layer and a base layer on the front surface of the wafer;
A step S3 of backgrinding the back surface of the wafer;
Removing the base layer to expose the solder bumps;
And a solder bump formed on the substrate.
상기 점착층은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼와 솔더범프의 결합력을 향상시키는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer comprises any one of acrylic resin, epoxy resin, and silicone resin.
상기 베이스층은 아크릴 수지 필름, 에폭시 수지 필름, 실리콘 수지 필름, UV(Ultra Violet) 필름, 발포 필름 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼와 솔더범프의 결합력을 향상시키는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the base layer comprises any one of an acrylic resin film, an epoxy resin film, a silicone resin film, an UV (Ultra Violet) film and a foam film.
상기 S4단계는 상기 베이스층이 UV(Ultra Violet) 필름인 경우,
상기 보호필름이 부착된 웨이퍼의 전면에 자외선을 조사한 후, 상기 UV 필름을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼와 솔더범프의 결합력을 향상시키는 방법.The method of claim 3,
In step S4, when the base layer is a UV (Ultra Violet) film,
Wherein the step of irradiating ultraviolet light to the entire surface of the wafer having the protective film is followed by removing the UV film.
상기 S4단계는 상기 베이스층이 상기 발포 필름인 경우,
상기 보호필름이 부착된 웨이퍼의 전면에 열을 가하여 상기 발포 필름을 발포시켜 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼와 솔더범프의 결합력을 향상시키는 방법.The method of claim 3,
In the step S4, when the base layer is the foamed film,
And applying heat to the entire surface of the wafer to which the protective film is attached, thereby foaming and removing the foamed film.
상기 S4단계 후 상기 웨이퍼의 후면에 쏘잉필름(sawing film)을 부착하고 다수의 반도체 칩으로 쏘잉하는 S5단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼와 솔더범프의 결합력을 향상시키는 방법.The method according to claim 1,
Further comprising the step of attaching a sawing film to the rear surface of the wafer after step S4 and cutting the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130047481A KR20140128714A (en) | 2013-04-29 | 2013-04-29 | method for strengthening the joint strength of the solder bump and wafer |
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| KR20140128714A true KR20140128714A (en) | 2014-11-06 |
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| KR (1) | KR20140128714A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106920769A (en) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 瑞萨电子株式会社 | Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor wafer |
| KR20220117607A (en) * | 2021-02-17 | 2022-08-24 | 하나 마이크론(주) | Semiconductor device and method for grinding and singulating semiconductor chips |
-
2013
- 2013-04-29 KR KR1020130047481A patent/KR20140128714A/en not_active Application Discontinuation
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