KR20140120387A - Silver paste composition and electrode using the same - Google Patents
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- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 15
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 5
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 3
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 12-hydroxyoctadecanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC(O)=O ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N (2r,3r,4s)-2-[(1r)-1,2-dihydroxyethyl]oxolane-3,4-diol Chemical class OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940114072 12-hydroxystearic acid Drugs 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical class CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002314 glycerols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000651 laser trapping Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
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Abstract
Description
본 발명은 소성 과정에서 은 전극이 에미터를 관통하는 것을 방지하고 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있는 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극에 관한 것이다.
The present invention relates to a silver paste composition capable of preventing a silver electrode from penetrating through an emitter in a firing process and increasing the efficiency of a solar cell, and an electrode using the silver paste composition.
최근 들어 급속하게 보급되고 있는 태양전지는 차세대 에너지원으로서 클린 에너지인 태양 에너지를 직접 전기로 변환하는 전자 소자이다.Solar cells, which are rapidly spreading in recent years, are next-generation energy sources, and are electronic devices that convert solar energy, which is clean energy, directly to electricity.
p-타입형 태양전지 소자는, 도 1에 나타낸 바와 같이, p- 타입 실리콘 웨이퍼 기판(10)의 전면, 즉 수광면측에 n- 타입 확산층(20), 질화규소막(30), 전면 은 전극(40)이 형성되어 있다. 또한, 기판(10)의 후면측에 p+층(후면전계필드, 51), n+층(52)이 형성되고, 후면전극으로 은 전극(61)과 알루미늄 전극(62)이 형성된 구조를 갖는다. n-타입형 태양전지 소자는 p- 타입 확산층(20), 기판(10)의 후면측에 n+층(51), 수광면 측에 p+층(52)이 형성되는 것을 제외하고는 p-타입형 태양전지 소자와 동일한 구조를 갖는다.1, the p-type solar cell element has an n-
이 중 후면 은 전극(61)은 알루미늄 전극(62)을 납땜하는 것이 불가능하기 때문에 구리 리본 등에 의해 태양전지들을 상호 연결하기 위한 전극으로서 기판(10)의 후면측의 일부 상에 형성되며, 예컨대 5 내지 6㎜ 폭의 버스바(bus bar) 형태로 형성된다.The rear surface of the
전면 및 후면의 은 전극은 은 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하는 은 페이스트 조성물을 실리콘 기판 위에 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 건조한 후 소성함으로써 형성된다. 은 페이스트 조성물은 단시간의 소성 공정 조건, 예컨대 600 내지 950℃, 10 내지 30초 정도에서 은 분말의 소성이 가능해야 한다. Silver electrodes on the front and rear surfaces are formed by applying a silver paste composition containing silver powder, glass frit and an organic vehicle onto a silicon substrate by screen printing or the like, drying and baking. The silver paste composition must be capable of firing silver powder at a firing process condition of, for example, 600 to 950 DEG C for about 10 to 30 seconds for a short time.
하지만, 과-소성(over firing)이 발생하는 경우, 은 페이스트 조성물이 접촉하고 있는 에미터층(n+층 또는 p+층)이 관통되거나, 태양전지의 효율이 저하되는 단점이 있다.
However, when over-firing occurs, there is a disadvantage that the emitter layer (n + layer or p + layer) in contact with the silver paste composition is penetrated or the efficiency of the solar cell is lowered.
본 발명은 과-소성(over firing)이 발생하는 경우 에미터층의 관통을방지할 수 있는 은 페이스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a silver paste composition capable of preventing penetration of an emitter layer when over firing occurs.
또한, 본 발명은 태양전지의 효율을 개선할 수 있는 은 페이스트 조성물을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a silver paste composition capable of improving the efficiency of a solar cell.
또한, 본 발명은 상기 은 페이스트 조성물로부터 형성된 전극을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide an electrode formed from the silver paste composition.
또한, 본 발명은 상기 전극이 구비된 태양전지 소자를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
It is another object of the present invention to provide a solar cell element having the electrode.
1. 은 분말; PbO 50 내지 80중량%, B2O3 5 내지 15중량%, SiO2 0.1 내지 10중량%, Al2O3 2 내지 10중량%, 및 ZnO와 MgO 중 적어도 1종 5 내지 20중량%를 포함하는 유리 프릿; 및 유기 비히클;을 포함하는 은 페이스트 조성물.1. Silver powder; 50 to 80 wt% of PbO, 5 to 15 wt% of B 2 O 3 , 0.1 to 10 wt% of SiO 2 , 2 to 10 wt% of Al 2 O 3 , and 5 to 20 wt% of at least one of ZnO and MgO Glass frit; And an organic vehicle.
2. 위 1에 있어서, 상기 유리 프릿은 CaO, SrO 및 BaO로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 0.1 내지 10중량% 더 포함하는 것인 은 페이스트 조성물.2. The silver paste composition according to 1 above, wherein the glass frit further comprises 0.1 to 10% by weight of at least one member selected from the group consisting of CaO, SrO and BaO.
3. 위 1에 있어서, 상기 유리 프릿은 Na2O, K2O 및 Li2O로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 0.1 내지 20중량% 더 포함하는 것인 은 페이스트 조성물.3. The silver paste composition according to 1 above, wherein the glass frit further comprises 0.1 to 20% by weight of at least one selected from the group consisting of Na 2 O, K 2 O and Li 2 O.
4. 위 1에 있어서, 상기 은 분말은 제1 은 분말과 상기 제1 은 분말의 공극 사이에 충진될 수 있는 평균입경을 갖는 제2 은 분말을 포함하는 은 페이스트 조성물.4. The silver paste composition of claim 1, wherein the silver powder comprises a second silver powder having an average particle size that can be filled between the first silver powder and the first silver powder.
5. 위 1에 있어서, 상기 유기 비히클은 고분자 수지 1 내지 25중량%와 유기 용매 75 내지 99중량%가 혼합된 것인 은 페이스트 조성물.5. The silver paste composition according to 1 above, wherein the organic vehicle is a mixture of 1 to 25% by weight of a polymer resin and 75 to 99% by weight of an organic solvent.
6. 위 1 내지 5 중 어느 한 항의 은 페이스트 조성물로 형성된 전극.6. The electrode of any of claims 1 to 5, wherein the electrode is formed from a paste composition.
7. 위 6의 전극이 구비된 태양전지 소자.
7. A solar cell element comprising the above six electrodes.
본 발명에 따른 은 페이스트 조성물은 과-소성 시 유기 프릿에 의한 에미터층의 관통을 방지하고, 에미터층과의 접촉 특성이 우수하여 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다.The silver paste composition according to the present invention can prevent the penetration of the emitter layer by the organic frit during over-baking and can improve the efficiency of the solar cell because of the excellent contact property with the emitter layer.
또한, 본 발명의 은 페이스트 조성물은 태양전지 모듈 제작 시 리본과의 납땜 특성이 우수하여 불량률을 감소시키고 생산성과 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
In addition, the silver paste composition of the present invention is excellent in soldering characteristics with a ribbon when manufacturing a solar cell module, thereby reducing the defective rate and improving the productivity and the reliability of the product.
도 1은 태양전지 소자의 단면도를 모식적으로 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram schematically showing a sectional view of a solar cell element. FIG.
본 발명은 은 분말; PbO 50 내지 80중량%, B2O3 5 내지 15중량%, SiO2 0.1 내지 10중량%, Al2O3 2 내지 10중량%, 및 ZnO와 MgO 중 적어도 1종 5 내지 20중량%를 포함하는 유리 프릿; 및 유기 비히클;을 포함함으로써, 과-소성 시 유기 프릿에 의한 에미터층의 관통을 방지하고, 태양전지의 효율을 개선하는 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극에 관한 것이다.
The present invention relates to silver powder; 50 to 80 wt% of PbO, 5 to 15 wt% of B 2 O 3 , 0.1 to 10 wt% of SiO 2 , 2 to 10 wt% of Al 2 O 3 , and 5 to 20 wt% of at least one of ZnO and MgO Glass frit; And an organic vehicle to prevent the penetration of the emitter layer by the organic frit during over-baking and to improve the efficiency of the solar cell, and an electrode using the silver paste composition.
이하 본 발명을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명의 은 페이스트 조성물은 은 분말, 유기 프릿 및 유기 비히클을 포함한다.The silver paste compositions of the present invention include silver powder, organic frit, and organic vehicle.
<은 분말><Silver powder>
은 분말은 전극의 형성에 사용되는 도전성 금속 분말이다. 본 발명에서 사용되는 은 분말은 당 분야에서 사용되는 은 분말이 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.Silver powder is a conductive metal powder used for forming electrodes. The silver powder to be used in the present invention may be silver powder used in the art without any particular limitation.
본 발명의 일 측면에서, 서로 다른 평균 입경(D50)을 갖는 2종의 분말의 혼합물일 수도 있다. 바람직하게는, 제1 은 분말과 상기 제1 은 분말의 공극 사이에 충진될 수 있는 평균입경을 갖는 제2 은 분말을 포함할 수 있다. 이와 같이 제1 분말의 공극 사이에 제2 분말이 충진되게 되면, 소성 후 은 전극의 공극이 감소하여 면저항을 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.In one aspect of the present invention, it may be a mixture of two powders having different average particle sizes (D 50 ). Preferably, the second silver powder may have a mean particle size that can be filled between the first silver powder and the pores of the first silver powder. When the second powder is filled between the pores of the first powder, the pores of the silver electrode after firing are reduced to reduce the sheet resistance, thereby improving the efficiency of the solar cell.
은 분말이 평균 입경(D50)이 서로 다른 2종의 분말을 사용하는 경우의 구체적인 예를 들면 D50=0.5 내지 5㎛인 제1 분말 60 내지 95중량%와 D50=10 내지 500nm인 제2 분말 5 내지 40중량%를 포함하는 은 분말일 수 있다.Specific examples of the case where silver powder having two different average particle diameters (D 50 ) are used include 60 to 95% by weight of a first powder having D 50 = 0.5 to 5 μm and a powder having a
은 분말의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 구형, 비구형 또는 판상형을 들 수 있다. 이들 중에서 판상형이 공극률을 낮춰 전기가 효율적으로 흐르게 하여 저항을 낮출 수 있다는 점에서 바람직하다. 본 발명의 다른 측면에서, 서로 다른 2종의 평균 입경을 갖는 분말을 사용하는 경우에는 상기 제1 분말은 제2 분말이 충진되는 공극을 구비하는 측면에서, 구형인 것이 바람직하다.The shape of the silver powder is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a non-spherical shape, and a plate shape. Of these, a plate-like type is preferable in that the porosity is lowered so that electricity can flow efficiently and the resistance can be lowered. In another aspect of the present invention, in the case of using powders having two different average particle sizes, it is preferable that the first powder has a spherical shape on the side having the void filled with the second powder.
은 분말은 은 페이스트 조성물 총 함량 100중량% 중에 60 내지 90중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 함량이 60중량% 미만인 경우 소성 후 인쇄된 은 페이스트층이 얇아져 후면 배선 저항이 증가하고 납땜 특성이 저하될 수 있다. 또한, 함량이 90중량% 초과인 경우 인쇄 두께가 너무 두꺼워지고, 이로 인하여 실리콘 웨이퍼 기판의 휨 현상을 초래할 수 있다.
The silver powder is preferably included in an amount of 60 to 90% by weight based on 100% by weight of the total amount of the silver paste composition. When the content is less than 60% by weight, the silver paste layer printed after firing becomes thin, the back wiring resistance may increase, and the soldering characteristics may be deteriorated. When the content exceeds 90% by weight, the printing thickness becomes too thick, which may lead to warping of the silicon wafer substrate.
<유리 <Glass 프릿Frit >>
유리 프릿은 은 배선층과 실리콘 웨이퍼 기판 사이에 밀착성을 부여하는 성분으로서, 본 발명에서는 PbO-Bi2O3-SiO2-Al2O3-ZnO/MgO계 유리 프릿을 사용한다. 바람직하게는 본 발명에 따른 유리 프릿은 PbO 50 내지 80중량%, B2O3 5 내지 15중량%, SiO2 0.1 내지 10중량%, Al2O3 2 내지 10중량%, 및 ZnO와 MgO 중 적어도 1종 5 내지 20중량%를 포함한다.The glass frit is a component that imparts adhesion between the silver wiring layer and the silicon wafer substrate. In the present invention, PbO-Bi 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 -ZnO / MgO glass frit is used. Preferably, the glass frit according to the invention comprises 50 to 80% by weight of PbO, 5 to 15% by weight of B 2 O 3 , 0.1 to 10% by weight of SiO 2 , 2 to 10% by weight of Al 2 O 3 , At least one kind and 5 to 20% by weight.
본 발명의 유리 프릿은 PbO계 유리 프릿으로서, 융점 제어가 용이하고 열팽창계수가 낮으며, 태양전지 모듈 제작 시 리본과의 납땜 특성이 우수하다. 특히 본 발명의 유리 프릿은 ZnO 및 MgO 중 적어도 1종을 5 내지 20중량% 포함함으로써 과-소성(over firing) 시 유리 프릿이 에미터층을 관통하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 태양전지 제조 시에 보다 안정적인 공정 수행을 가능하게 한다. 뿐만 아니라 형성되는 전극을 안정적으로 형성시킴으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다. The glass frit of the present invention is a PbO-based glass frit which is easy to control the melting point, has a low thermal expansion coefficient, and is excellent in soldering characteristics with a ribbon when a solar cell module is manufactured. In particular, the glass frit of the present invention contains 5 to 20% by weight of at least one of ZnO and MgO, thereby preventing the glass frit from passing through the emitter layer during over-firing. Accordingly, it is possible to perform a more stable process at the time of manufacturing the solar cell. In addition, the efficiency of the solar cell can be improved by stably forming the electrode to be formed.
유리 프릿은 연화점이 300~600℃인 것이 바람직하다. 600℃를 초과하는 경우에는 글라스 프릿이 용융되어 은 배선 층과 실리콘 웨이퍼 층 사이에서 밀착성을 부여해야 되는데 소성과정에서 글라스 프릿이 충분히 용융되지 않아 밀착성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 또한 연화점이 300℃ 미만일 경우 너무 낮은 온도에서 용융을 시작하여 Silver 전극이 실리콘 웨이퍼의 Emitter층을 관통하여 누설전류가 커져 효율 저하를 발생할 수 있다.The glass frit preferably has a softening point of 300 to 600 ° C. When the temperature is higher than 600 ° C, the glass frit is melted to provide adhesion between the silver wiring layer and the silicon wafer layer. However, the glass frit may not be melted sufficiently during the firing process, resulting in a problem of poor adhesion. When the softening point is less than 300 ° C, melting starts at a too low temperature, and the silver electrode penetrates the emitter layer of the silicon wafer, resulting in an increase in leakage current, resulting in a reduction in efficiency.
유리 프릿은 은 페이스트 조성물 총 함량 100중량% 중에 0.1 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 7중량%, 가장 바람직하게는 1 내지 5중량%인 것이 좋다. 함량이 0.1중량% 미만인 경우 소성 공정 후 은 배선층과 실리콘 웨이퍼 기판 간의 밀착력이 떨어질 수 있으며, 10중량% 초과인 경우 저항이 높아져 태양전지 소자의 효율이 저하될 수 있다.
The glass frit is preferably contained in an amount of 0.1 to 10% by weight, more preferably 0.5 to 7% by weight, and most preferably 1 to 5% by weight, based on 100% by weight of the total amount of the silver paste composition. If the content is less than 0.1 wt%, adhesion between the wiring layer and the silicon wafer substrate may be lowered after the firing process, and if the content exceeds 10 wt%, the resistance may increase and the efficiency of the solar cell device may be lowered.
<유기 <Organic 비히클Vehicle >>
유기 비히클은 은 페이스트 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여하기 위한 성분으로서, 유기 용매에 고분자 수지와 필요에 따라 각종 첨가제를 용해시킨 용액일 수 있다.The organic vehicle is a component for imparting viscosity and rheological properties suitable for printing on the silver paste composition, and may be a solution in which a polymer resin and various additives are dissolved in an organic solvent.
유기 비히클은 유기 용매 75 내지 99중량%와 고분자 수지 1 내지 25중량%가 혼합된 것일 수 있으며, 여기에 첨가제 1 내지 10중량%가 더 혼합된 것일 수도 있다.The organic vehicle may be a mixture of 75 to 99% by weight of an organic solvent and 1 to 25% by weight of a polymer resin, and 1 to 10% by weight of an additive may be further mixed therewith.
유기 용매로는 공지된 것을 사용할 수 있으며, 인쇄 공정 중 페이스트 조성물의 건조를 방지하고 유동성을 조절할 수 있도록 끓는점이 150 내지 300℃인 용매를 사용할 수 있다. 구체적으로, 트리프로필렌글리콜메틸에테르, 트리프로필렌글리콜n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜n-부틸에테르, 프로필렌글리콜페닐에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜헥실에테르, 에틸렌글리콜헥실에테르, 트리에틸렌글리콜메틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸에테르, 트리에틸렌글리콜n-부틸에테르, 에틸렌글리콜페닐에테르, 에틸렌글리콜, 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨아세테이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부티레이트(texanol) 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the organic solvent, a known solvent may be used, and a solvent having a boiling point of 150 to 300 DEG C may be used so as to prevent drying of the paste composition in the printing process and to control fluidity. Specific examples thereof include tripropylene glycol methyl ether, tripropylene glycol n-butyl ether, dipropylene glycol n-propyl ether, dipropylene glycol n-butyl ether, propylene glycol phenyl ether, diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol n- Ether, diethylene glycol hexyl ether, ethylene glycol hexyl ether, triethylene glycol methyl ether, triethylene glycol ethyl ether, triethylene glycol n-butyl ether, ethylene glycol phenyl ether, ethylene glycol, terpineol, butyl carbitol, Carbitol acetate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate (texanol), etc. These may be used alone or in admixture of two or more.
유기 용매는 유기 비히클 총 함량 100중량%에 대하여 75 내지 99중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 이 함량 범위에서는 페이스트 조성물에 최적의 유동성을 부여할 수 있다.The organic solvent is preferably contained in an amount of 75 to 99% by weight based on 100% by weight of the total amount of the organic vehicle. In this content range, an optimum fluidity can be imparted to the paste composition.
고분자 수지로는 당분야에 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예컨대 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 페놀, 아크릴, 로진, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐부티랄, 우레아, 자일렌, 알키드, 불포화 폴리에스테르, 폴리이미드, 퓨란, 우레탄, 이소시아네이트, 시아네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌(ABS), 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐아세테에트, 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리술폰, 폴리이미드, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 실리콘 등의 수지를 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the polymer resin, those well known in the art can be used, and examples thereof include ethylcellulose, nitrocellulose, hydroxypropylcellulose, phenol, acrylic, rosin, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, polyethylene glycol, polyvinylbutyral, Butadiene-styrene (ABS), poly (methyl methacrylate), polyvinyl chloride, polyvinyl chloride, polyvinyl chloride, polyvinyl chloride, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, , Polyvinylidene chloride, polyvinyl acetalte, polyacetal, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene oxide, polysulfone, polyimide, polyether sulfone, polyarylate, polyether ether Ketone, and silicone. These may be used alone or in combination of two or more.
고분자 수지는 유기 비히클 총 함량 100중량%에 대하여 1 내지 25중량%, 바람직하게 5 내지 25중량%로 포함되는 것이 좋다. 함량이 1중량% 미만인 경우 페이스트 조성물의 인쇄성과 분산 안정성이 저하될 수 있고, 25중량% 초과인 경우 페이스트 조성물이 인쇄되지 않을 수 있다.The polymer resin is preferably contained in an amount of 1 to 25% by weight, preferably 5 to 25% by weight, based on 100% by weight of the total amount of the organic vehicle. If the content is less than 1% by weight, the printing property and dispersion stability of the paste composition may be deteriorated, and if more than 25% by weight, the paste composition may not be printed.
유기 비히클은 상기 성분들과 함께 첨가제로 분산제를 더 포함할 수 있다.The organic vehicle may further comprise a dispersant as an additive with the above components.
분산제로는 공지된 계면활성제를 사용할 수 있으며, 예컨대 알킬기의 탄소수가 6-30인 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 알킬기의 탄소수가 6-30인 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르, 알킬기의 탄소수가 6-30인 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 알킬에테르 등의 에테르계; 글리세린에스테르 부가형 폴리옥시에틸렌에테르, 소르비탄에스테르 부가형 폴리옥시에틸렌에테르, 소르비톨에스테르 부가형 폴리옥시에틸렌에테르 등의 에스테르에테르계; 폴리에틸렌글리콜지방산에스테르, 글리세린에스테르, 소르비탄에스테르, 프로필렌글리콜에스테르, 슈가에스테르, 알킬폴리글루코시드 등의 에스테르계; 지방산알카놀아미드, 폴리옥시에틸렌지방산아미드, 알킬기의 탄소수가 6-30인 폴리옥시에틸렌알킬아민, 아민옥사이드 등의 질소함유계; 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산-말레인산 공중합체, 폴리12-히드록시스테아린산 등의 고분자계 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되고 있는 제품으로서 하이퍼머(hypermer) KD(Uniqema), AKM 0531(일본유지㈜), KP(신에쯔 가가꾸 고교㈜), 폴리플로우(POLYFLOW)(교에이샤 가가꾸㈜), 에프톱(EFTOP)(토켐 프로덕츠사), 아사히가드(Asahi guard)(아사히 글라스㈜), 서플론(Surflon)(아사히 글라스㈜), 솔스퍼스(SOLSPERSE)(제네까㈜), EFKA(EFKA 케미칼스사), PB 821(아지노모또㈜), BYK-184, BYK-185, BYK-2160, Anti-Terra U(BYK사 제조) 등을 사용할 수도 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the dispersing agent, known surfactants can be used. Examples thereof include polyoxyethylene alkyl ethers having 6 to 30 carbon atoms in the alkyl group, polyoxyethylene alkylaryl ethers having 6 to 30 carbon atoms in the alkyl group, Ether type such as polyoxyethylene-polyoxypropylene alkyl ether; Ester ethers such as glycerin ester addition type polyoxyethylene ether, sorbitan ester addition type polyoxyethylene ether and sorbitol ester addition type polyoxyethylene ether; Esters such as polyethylene glycol fatty acid esters, glycerin esters, sorbitan esters, propylene glycol esters, sugar esters and alkylpolyglucosides; Nitrogen-containing systems such as fatty acid alkanolamide, polyoxyethylene fatty acid amide, polyoxyethylene alkylamine having 6 to 30 carbon atoms in the alkyl group, and amine oxide; And polymeric compounds such as polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyacrylic acid, polyacrylic acid-maleic acid copolymer, and poly 12-hydroxystearic acid. Also, commercially available products such as hypermer KD (Uniqema), AKM 0531 (Nippon Kayaku Co., Ltd.), KP (Shinetsugaku Kagaku Co., Ltd.), POLYFLOW (Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) Asahi guard (Asahi Glass Co.), Surflon (Asahi Glass Co., Ltd.), SOLSPERSE (Geneka Co., Ltd.), EFKA (EFKA Chemical Co., Ltd.) ), PB 821 (Ajinomoto Co., Ltd.), BYK-184, BYK-185, BYK-2160 and Anti-Terra U (manufactured by BYK). These may be used alone or in combination of two or more.
분산제는 유기 비히클 총 함량 100중량%에 대하여 1 내지 10중량%, 바람직하게 1 내지 5중량%로 포함되는 것이 좋다.The dispersing agent is preferably contained in an amount of 1 to 10% by weight, preferably 1 to 5% by weight based on 100% by weight of the total amount of the organic vehicle.
유기 비히클은 분산제 이외에도 요변성제, 습윤제, 산화방지제, 부식억제제, 소포제, 증점제, 분산제, 점착부여제, 커플링제, 대전방지제, 중합금지제, 침강방지제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The organic vehicle may further contain additives such as a thixotropic agent, a wetting agent, an antioxidant, a corrosion inhibitor, a defoaming agent, a thickener, a dispersant, a tackifier, a coupling agent, an antistatic agent, a polymerization inhibitor and an anti-
유기 비히클은 은 페이스트 조성물 총 함량 100중량%에 대하여 5 내지 30중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 함량이 5중량% 미만인 경우 은 페이스트 조성물의 점도가 너무 높아져 유동성이 저하되고 인쇄성이 떨어질 수 있으며, 30중량% 초과인 경우 은 분말의 함유량이 상대적으로 적어져 충분한 은 배선층의 두께를 확보하기 어렵다.The organic vehicle is preferably contained in an amount of 5 to 30% by weight based on 100% by weight of the total amount of the silver paste composition. When the content is less than 5% by weight, the viscosity of the paste composition becomes too high to lower the fluidity and printability. When the content exceeds 30% by weight, the content of the powder is relatively small, .
상기한 바와 같은 성분을 포함하는 은 페이스트 조성물은 과-소성 시 유기 프릿에 의한 에미터층의 관통을 방지할 뿐만 아니라, 에미터층과의 접촉 특성이 우수하여 태양전지 제조 시 효율이 향상된다.
The silver paste composition containing the above-mentioned components not only prevents the penetration of the emitter layer by the organic frit during over-baking but also has an excellent contact property with the emitter layer, thereby improving the efficiency in manufacturing the solar cell.
또한, 본 발명은 상기 은 페이스트 조성물로부터 형성된 전극을 제공한다.The present invention also provides an electrode formed from the silver paste composition.
전극은 은 페이스트 조성물을 기재, 예컨대 실리콘 웨이퍼 기판 상에 인쇄하고 건조 및 소성하는 공정을 통하여 형성된다. 인쇄방법은 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 오프셋 인쇄 등의 방법을 이용할 수 있다. 건조는 60 내지 300℃에서 수초 내지 수분 동안 수행되며, 소성은 600 내지 950℃에서 수초 내지 수십초 동안 수행될 수 있다.The electrode is formed through a process of printing and drying and baking the silver paste composition on a substrate, such as a silicon wafer substrate. The printing method is not particularly limited, and for example, screen printing, gravure printing, offset printing, and the like can be used. Drying is performed at 60 to 300 ° C for several seconds to several minutes, and firing can be performed at 600 to 950 ° C for several seconds to several tens of seconds.
이와 같이 형성된 전극은 태양전지 소자의 전면전극 및(또는) 후면전극으로 적용되어, 저항을 낮추고 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있으며 과소성 시 유리 프릿의 에미터층의 관통을 방지하여 안정적인 제조를 보장할 수 있다.The electrode thus formed can be applied as a front electrode and / or a rear electrode of a solar cell element, thereby lowering the resistance and increasing the efficiency of the solar cell and preventing the penetration of the emitter layer of the glass frit in the under- can do.
본 발명은 상기 은 페이스트 조성물로부터 형성된 전극이 구비된 태양전지 소자를 제공한다. 이하에서는, 본 발명에 따른 태양전지의 제조 방법의 일 구현예를 설명하도록 한다.The present invention provides a solar cell element provided with an electrode formed from the silver paste composition. Hereinafter, an embodiment of a method of manufacturing a solar cell according to the present invention will be described.
본 발명의 태양전지의 제조 방법에 의하면, 먼저 상기 결정성 실리콘 웨이퍼 기판의 텍스쳐 에칭 방법으로 기판의 일면에 요철을 형성한다.According to the method for manufacturing a solar cell of the present invention, the irregularities are formed on one surface of the substrate by the texture etching method of the crystalline silicon wafer substrate.
기판은 단결정 또는 다결정 실리콘 웨이퍼 기판으로, p형 불순물로서 3족 원소인 B, Ga, In 등이 도핑된 것일 수 있거나, n형 불순물로서 5족 원소인 P, As, Sb 등으로 도핑될 수 있다.The substrate may be a monocrystalline or polycrystalline silicon wafer substrate and may be doped with Group 3 element B, Ga, In or the like as a p-type impurity, or may be doped with a Group 5 element P, As, Sb or the like as an n-type impurity .
기판을 에칭액 조성물에 침지하거나 에칭액 조성물을 기판에 분무하면 에칭이 진행되어 기판의 표면에 요철이 형성된다.When the substrate is immersed in the etching liquid composition or when the etching liquid composition is sprayed onto the substrate, etching proceeds to form irregularities on the surface of the substrate.
요철 형성에 의해 기판의 표면이 거칠어지면 입사되는 광의 반사율이 감소하여 광 포획량이 증가하므로 광학적 손실이 감소된다.If the surface of the substrate is roughened by the unevenness formation, the reflectance of the incident light decreases, and the optical trapping amount increases, thereby reducing the optical loss.
요철의 크기(가로폭) 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 20㎛의 크기로 형성될 수 있다. 요철의 높이는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 15㎛일 수 있다. 요철의 높이가 상기 범위에 해당하는 경우, 180㎛ 이하의 두께를 가지는 기판에 적용할 수 있으며, 이후에 요철 상에 형성될 수 있는 에미터층이 균일한 도핑 프로필을 가지고 형성되어 기판과 에미터 층의 계면의 p-n접합의 균일도가 향상될 수 있으며, 이후에 전면 전극 형성용 페이스트가 요철의 형상에 따라 형성된 오목한 부분까지 충진되어 도포될 수 있어 반사방지막과의 사이에서 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 전면 전극의 저항이 감소할 수 있다.The width (width) of the irregularities is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 20 탆 in size. The height of the concavities and convexities is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 15 占 퐉. When the height of the concave and convex corresponds to the above range, it can be applied to a substrate having a thickness of 180 탆 or less. An emitter layer, which can be formed on the concave and convex portions, is then formed with a uniform doping profile, Uniformity of the pn junction at the interface between the antireflection film and the antireflection film can be improved and then the front electrode forming paste can be filled up to the concave portion formed according to the shape of the concave and convex portion to be coated, The resistance of the front electrode can be reduced.
요철의 형태는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 피라미드형, 정사각형, 삼각형 등을 들 수 있다.The shape of the concavities and convexities is not particularly limited, and examples thereof include a pyramidal shape, a square shape, and a triangular shape.
요철 형성 이후에는, 요철 상에 에미터층을 형성하는 단계; 에미터층 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 반사방지막을 관통하여 에미터층과 접속하는 전면 전극을 형성하는 단계; 및 기판 후면에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하여 제조할 수 있다.After the formation of the unevenness, a step of forming an emitter layer on the unevenness; Forming an antireflection film on the emitter layer; Forming a front electrode through the antireflection film to connect to the emitter layer; And forming a rear electrode on the rear surface of the substrate.
에미터층은 기판 상에 기판과 반대 도전형을 가지고 형성될 수 있다. 일 예로 기판에 p형 불순물이 도핑되었다면, 에미터층은 n형 불순물로서 5족 원소인 P, As, Sb 등으로 도핑될 수 있으며, 기판에 n형 불순물이 도핑되었다면 에미터층은 p형 불순물이 도핑될 수 있다. 이와 같이, 기판과 에미터층에 반대 도전형의 불순물이 도핑 되면, 기판과 에미터층의 계면에는 p-n접합(junction)이 형성되고, p-n접합에 광이 조사되면 광전효과에 의해 광기전력이 발생할 수 있다.The emitter layer may be formed on the substrate with the opposite conductivity type to the substrate. For example, if the substrate is doped with a p-type impurity, the emitter layer may be doped with a Group 5 element P, As, Sb or the like as an n-type impurity. If the substrate is doped with an n-type impurity, . When the substrate and the emitter layer are doped with an impurity of the opposite conduction type, a pn junction is formed at the interface between the substrate and the emitter layer. When light is irradiated to the pn junction, photovoltaic power can be generated due to the photoelectric effect .
에미터층은 확산법, 스프레이법, 주입법, 프린팅 공정법 등에 의한 방법에 의해 형성될 수 있다. 일 예로, 에미터층은 p형 반도체 기판에 n형 불순물을 주입함으로써 형성될 수 있다.The emitter layer may be formed by a method such as a diffusion method, a spray method, an injection method, a printing method, or the like. In one example, the emitter layer can be formed by implanting an n-type impurity into the p-type semiconductor substrate.
이후, 에미터층 상에 반사방지막을 형성한다.Thereafter, an antireflection film is formed on the emitter layer.
반사방지막은 에미터층의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화하고 기판의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시킨다. 에미터층에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지의 개방전압(Voc)이 증가하고, 태양광의 반사율이 감소되면 p-n접합까지 도달되는 광량이 증대되어 태양전지의 단락전류(Isc)가 증가하므로 태양전지의 변환효율이 개선된다.Antireflection coatings passivate defects present in the surface or bulk of the emitter layer and reduce the reflectivity of sunlight incident on the front side of the substrate. When defects present in the emitter layer are passivated, the recombination sites of the minority carriers are removed to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell. When the reflectance of the sunlight decreases, the amount of light reaching the pn junction increases, Isc) is increased, so that the conversion efficiency of the solar cell is improved.
반사방지막은 예를 들면, 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다.The antireflection film may be formed of any one single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 , or a combination of two or more films It may have a multilayer structure.
반사방지막은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The antireflection film may be formed by vacuum deposition, chemical vapor deposition, spin coating, screen printing or spray coating, but is not limited thereto.
이후에, 반사방지막 상에 전면 전극을 형성한다.Thereafter, a front electrode is formed on the antireflection film.
전면 전극은 반사방지막을 관통하여 에미터층과 접하며, 광전효과에 의해 발생하는 캐리어의 이동통로로 사용된다.The front electrode is in contact with the emitter layer through the antireflection film, and is used as a carrier pathway of the carrier generated by the photoelectric effect.
전면 전극은 전면 전극 형성용 은 페이스트 조성물을 반사방지막 상에 바 형태로 도포하여 형성할 수 있다. 상기 은 페이스트 조성물은 본 발명의 은 페이스트 조성물을 사용할 수 있다.The front electrode can be formed by applying a paste composition for forming the front electrode onto the antireflection film in the form of a bar. The above silver paste composition can use the silver paste composition of the present invention.
전면 전극 형성용 페이스트 조성물은 전술한 본 발명의 은 페이스트 조성물을 사용할 수 있다.As the paste composition for forming the front electrode, the above-described silver paste composition of the present invention can be used.
도포 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 노즐 프린팅법 등을 들 수 있다.The coating method is not particularly limited and includes, for example, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, an immersion coating method, A flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, a nozzle printing method, and the like.
도포 이후에 통상적인 열처리 과정을 거칠 수 있다. 열처리에 의해 은 분말이 고온에서 액상이 되었다가, 다시 고상으로 재결정되면서, 유리 프릿을 매개로 하여 반사방지막을 관통하는 파이어 스루(fire through) 현상에 의해 전면 전극이 에미터층과 접속하게 된다.After the application, a conventional heat treatment process may be performed. The silver powder becomes a liquid phase at a high temperature by the heat treatment, and is again recrystallized into a solid phase, and the front electrode is connected to the emitter layer by a fire through phenomenon penetrating the antireflection film through the glass frit.
다음으로, 기판 후면에 후면 전극을 형성한다.Next, a rear electrode is formed on the rear surface of the substrate.
후면 전극은 광전효과에 의해 발생하는 또다른 캐리어의 이동통로로 작용한다. 한편, 후면 전극과 기판의 경계면에는 후면 전계(Back Surfacefield)층이 형성될 수 있다. 후면 전계층은 캐리어가 기판의 배면으로 이동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있으며, 캐리어의 재결합이 방지되면 개방전압이 상승하여 태양전지의 효율이 향상될 수 있다.The backside electrode acts as another carrier's path of travel caused by the photoelectric effect. On the other hand, a back surface field layer may be formed on the interface between the rear electrode and the substrate. The backside layer can prevent the carrier from moving to the backside of the substrate and recombining. If the recombination of the carriers is prevented, the open voltage can be increased and the efficiency of the solar cell can be improved.
후면 전극은 후면 전극 형성용 페이스트 조성물을 기판 후면에 도포하여 형성할 수 있다. 후면 전극은 은 전극과 알루미늄 전극이 형성된 구조를 가질 수 있으며, 이 때 은 전극은 본 발명의 은 페이스트 조성물을 사용하여 제조될 수 있다.The rear electrode can be formed by applying a paste composition for forming the rear electrode on the rear surface of the substrate. The back electrode may have a structure in which a silver electrode and an aluminum electrode are formed. In this case, the electrode may be manufactured using the silver paste composition of the present invention.
도포 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 노즐 프린팅법 등을 들 수 있다.The coating method is not particularly limited and includes, for example, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, an immersion coating method, A flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, a nozzle printing method, and the like.
도포 이후에 통상적인 열처리 과정을 거칠 수 있다. 열처리에 의해, 후면 전극 형성용 페이스트 조성물 도포부에 포함된 알루미늄이 기판의 후면을 통해 확산함으로써, 후면 전극과 기판의 경계면에서 후면전계층을 형성한다. 후면전계층은 태양광에 의해 생성된 전자의 후면 재결합을 최소화하여 태양전지의 효율 향상에 기여한다.
After the application, a conventional heat treatment process may be performed. By the heat treatment, aluminum contained in the paste composition applying portion for forming the rear electrode is diffused through the rear surface of the substrate, thereby forming a rear whole layer at the interface between the rear electrode and the substrate. The backside layer minimizes the rear recombination of the electrons generated by the sunlight, thereby contributing to the improvement of the efficiency of the solar cell.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art that such variations and modifications are within the scope of the appended claims.
실시예Example
제조예Manufacturing example 1 내지 6: 유리 1 to 6: glass 프릿Frit I 내지 I- VIVI 의 제조Manufacturing
하기 표 1에 나타낸 바와 같은 성분 및 함량으로 유리 프릿을 제조하였다.Glass frit was prepared with the components and contents shown in Table 1 below.
실시예Example 1 One
D50=0.5~5um인 구형 Silver 분말 75중량%와 D50=10~500nm인 Silver 분말 10중량%를 넣고(Silver 분말 총량 = 85중량%), 상기 표 1의 프릿 I의 조성 4.5 중량%, 에틸셀룰로오스를 글리콜 에테르에 녹여 용해시킨 유기 비히클 용액 10.5 중량%를 순차적으로 첨가 한 후, 자전 및 공전을 동시에 수행하는 믹서를 이용하여 1,000rpm에서 3분간 교반을 실시하여 은 페이스트 조성물을 제조하였다.75 wt% of spherical silver powder having D 50 = 0.5 to 5 um and 10 wt% of silver powder having D 50 = 10 to 500 nm (total amount of silver powder = 85 wt%) were added and the composition of frit I of 4.5 wt% And 10.5% by weight of an organic vehicle solution in which ethyl cellulose was dissolved by dissolving in glycol ether were sequentially added, followed by stirring at 1,000 rpm for 3 minutes using a mixer that performs both rotation and revolutions simultaneously to prepare a silver paste composition.
실시 예2Example 2
유리 프릿을 상기 표 1의 프릿 II로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다. A silver paste was prepared in the same manner as in Example 1, except that the glass frit was changed to the frit II in Table 1.
실시 예3Example 3
유리 프릿을 상기 표 1의 프릿 III로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다.
A silver paste was prepared in the same manner as in Example 1, except that the glass frit was changed to the frit III in Table 1 above.
비교 예1Comparative Example 1
유리 프릿을 상기 표 1의 프릿 IV로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다. A silver paste was prepared in the same manner as in Example 1, except that the glass frit was changed to the frit IV in Table 1 above.
비교 예2Comparative Example 2
유리 프릿을 상기 표 1의 프릿 V로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다.A silver paste was prepared in the same manner as in Example 1, except that the glass frit was replaced with the frit V shown in Table 1. [
비교 예3Comparative Example 3
유리 프릿을 상기 표 1의 프릿 VI로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다.
A silver paste was prepared in the same manner as in Example 1, except that the glass frit was changed to the frit VI in Table 1.
시험예Test Example
156X156mm, 200μm 두께의 n-type 단결정 웨이퍼에 표면 텍스쳐링 공정을 수행하여 피라미드 높이가 약 2-6μm로 형성한 후 전면을 BBr3를 이용하여 CVD로 증착시켜 Boron Emitter(p+ Emitter)를 형성하고 후면은 POCl3 를 이용하여 동일하게 CVD로 증착시켜 n+ 층을 형성하였다. 이렇게 형성된 p+층과 n+층 위에 PECVD를 이용하여 SiNx층을 도포하여 반사방지막을 형성하였다. 제조된 Wafer의 n+층이 형성된 전면의 전면 은 전극 위치에 각각 상기 실시예 및 비교예에 의해 제조된 은 페이스트 조성물을 인쇄하였다. 이때 인쇄 mask는 290-20mesh /finger = 90um 규격으로 인쇄하였다. 또한, 후면 전극은 동우화인켐 n+에미터용 은 페이스트인 AMP-NBS5001을 사용하여 전극을 형성하였다.156X156mm, a 200μm thick n-type by performing a surface texturing process, the single crystal wafer to form a vapor-deposited to the front CVD using BBr 3 Boron Emitter (p + Emitter ) after the height of the pyramid is formed to be about 2-6μm rear POCl 3 was similarly deposited by CVD to form an n + layer. The SiNx layer was formed on the p + layer and the n + layer by PECVD to form an antireflection film. The front surface of the front surface of the wafer, on which the n + layer was formed, was printed with silver paste compositions prepared by the above Examples and Comparative Examples at the electrode positions. At this time, the print mask was printed with a size of 290-20mesh / finger = 90um. In addition, the rear electrode was formed by using AMP-NBS5001, a silver paste for Dongwoo Fine-Chem n + emitter.
이렇게 인쇄된 Wafer를 NIR Dryer를 이용하여 건조한 후 적외선 연속 소성로에서 소성영역의 온도가 720 - 900℃가 되도록 하여 소성하여 태양전지를 제조하였다.The printed wafers were dried using NIR Dryer and then fired in an infrared continuous firing furnace at a temperature of 720 - 900 ° C to produce solar cells.
상기 소성공정은 상기 실리콘 웨이퍼를 벨트 로(Belt Furnace) 내로 통과 시키면서 수행하였으며, 이때, 벨트 로(Belt Furnace)는 약 600℃의 Burn-out 구간과 800~950℃ 부근의 Firing 구간을 포함하며, 페이스트 내 유기물을 태워 없앤 후, 전후면 전극을 용융시켜서 전극이 형성되게 하였다.The firing process is performed while passing the silicon wafer through a belt furnace. The belt furnace includes a burn-out period of about 600 ° C. and a firing period of about 800 to 950 ° C., After organic matter in the paste was burned off, the front and rear electrodes were melted to form an electrode.
이렇게 제조된 태양전지는 DENKEN사 Solar simulator를 이용하여 Cell효율을 측정하였다.The cell efficiency was measured using a DENKEN solar simulator.
위 표 2와 같이, 본 발명에 따른 유리 프릿을 포함하는 실시예 1 내지 3의 은 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 전극과 태양전지 소자는 에미터층과의 접촉 특성이 개선되어 태양전지의 효율이 증가된 것을 확인할 수 있었다.
As shown in Table 2, the contact properties between the electrodes formed using the silver paste compositions of Examples 1 to 3 including the glass frit according to the present invention and the emitter layer of the solar cell device were improved, .
10: P- 타입 실리콘 웨이퍼 기판 20: N- 타입 확산층
30: 질화규소막 40: 전면 은 전극
51: P+층(후면전계) 52: N+층
61: 후면 은 전극 62: 후면 알루미늄 전극10: P-type silicon wafer substrate 20: N-type diffusion layer
30: Silicon nitride film 40:
51: P + layer (rear surface electric field) 52: N + layer
61: rear electrode 62: rear aluminum electrode
Claims (7)
PbO 50 내지 80중량%, B2O3 5 내지 15중량%, SiO2 0.1 내지 10중량%, Al2O3 2 내지 10중량%, 및 ZnO와 MgO 중 적어도 1종 5 내지 20중량%를 포함하는 유리 프릿; 및
유기 비히클;
을 포함하는 은 페이스트 조성물.
Silver powder;
50 to 80 wt% of PbO, 5 to 15 wt% of B 2 O 3 , 0.1 to 10 wt% of SiO 2 , 2 to 10 wt% of Al 2 O 3 , and 5 to 20 wt% of at least one of ZnO and MgO Glass frit; And
Organic vehicle;
≪ / RTI >
The silver paste composition according to claim 1, wherein the glass frit further comprises 0.1 to 10% by weight of at least one member selected from the group consisting of CaO, SrO, and BaO.
The silver paste composition according to claim 1, wherein the glass frit further comprises 0.1 to 20% by weight of at least one selected from the group consisting of Na 2 O, K 2 O and Li 2 O.
The silver paste composition of claim 1, wherein the silver powder comprises a second silver powder having an average particle size that can be filled between the first silver powder and the first silver powder.
The silver paste composition according to claim 1, wherein the organic vehicle is a mixture of 1 to 25% by weight of a polymer resin and 75 to 99% by weight of an organic solvent.
An electrode formed from the paste composition of any one of claims 1 to 5.
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