KR20140117494A - 전압 조정기 과전압 검출 시스템, 방법 및 장치 - Google Patents

전압 조정기 과전압 검출 시스템, 방법 및 장치 Download PDF

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마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
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    • G06F1/30—Means for acting in the event of power-supply failure or interruption, e.g. power-supply fluctuations

Abstract

코어 로직 내부 전압 조정기 출력의 모니터링은 코어 로직의 전압이 안전 동작 전압 값을 상회할 때, 집적 회로 디바이스를 감지하고, 집적 회로 디바이스에 경보를 보내어 안전 모드에 진입시키도록 수행된다. 이에 의해 집적 회로 디바이스를 예측가능하고 검출가능한 안전 모드에 진입시킬 수 있고, 시스템 모니터에 과전압 조건을 경보해서 고장 및 이후의 고장 처리에 관해 경고한다.

Description

전압 조정기 과전압 검출 시스템, 방법 및 장치{VOLTAGE REGULATOR OVER-VOLTAGE DETECTION SYSTEM, METHOD AND APPARATUS}
본 개시는 제3자 안전 보증을 필요로 할 수 있는 소비자 전자 제품, 기업 전자 제품 및 산업 전자 제품에 사용되는 집적 회로 디바이스들, 특히 과전압 검출 및 고장 보호부를 갖는 집적 회로 디바이스들에 관한 것이다.
소비자 전자 제품, 기업 전자 제품 및 산업 전자 제품은 제3자 안전 보증 예를 들어, UL: Underwriters Laboratories Inc., CSA: Canadian Standards Association, ETL: Intertek Testing Services, 및/또는 CE: Conformance European(Communaut Europ enne or Conformit Europ enne) 등을 필요로 한다. 제품 보증 프로그램들은 United States Occupational Safety and Health Administration (OSHA), American National Standards Institute (ANSI), 및 Standards Council of Canada (SCC)에 의해 공인된다. 보증은 고장 조건들이 검출되어 안전하고 예측가능한 방식으로 처리되는 것을 필요로 한다. 외부 필터 커패시터를 갖는 내부 전압 조정기를 이용하는 디지털 디바이스, 예를 들어, 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러 등에 있어서, 외부 필터 커패시터에 연결된 집적 회로 패키지 핀은 더 높은 전압이 걸리는 또 하나의 인접 패키지 핀과 접촉될 수 있는 예를 들어, 이 또 하나의 인접 패키지 핀과 단락될 수 있는 가능성이 있으며, 이에 의해 집적 회로 디바이스의 기능성이 위험에 놓일 수 있다. 이는 집적 회로 디바이스에 의해 제어되는 전자 제품의 동작의 극단적인 결과를 가져올 수 있다.
외부 필터 커패시터 연결부, Vcap/Vddcore 핀은 더 높은 전압 Vcc 핀(일반적으로, 3 내지 3.6 볼트)와 그라운드 Vss 핀 사이에 위치할 수 있다. Vcap/Vddcore 핀이 그라운드 Vss 핀으로 단락된다면, 브라운-아웃-리셋(brown-out-reset; BOR) 및/또는 파워-온-리셋(power-on-reset; POR) 회로들은 저전압 조건을 검출할 것이고, 또한 강제적으로 집적 회로 디바이스를 잘 정의되어 있는 리셋 상태로 되게 할 것이다. 그러나 Vcap/Vddcore 핀이 Vcc 핀으로 단락되는 경우, 집적 회로 디바이스의 내부 로직 회로들은 너무 높은 전압이 인가됨(불안전 조건)으로 인해 미지의 상태들로 열화될 수 있다. 내부 로직 회로들은 일반적으로, 약 1.8볼트에서 약 2.5볼트의 동작 전압을 위해 설계된다.
따라서, 집적 회로 디바이스의 Vcap/Vddcore 핀에서의 과전압 조건의 과전압 검출(over voltage detection; OVD)이 필요하다. 여기서, 과전압 상태가 검출될 때, OVD 회로의 출력은 집적 회로 디바이스를 예측가능한 안전한 동작 모드로 진입시키는데 사용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 내부 전압 조정기 과전압 검출 회로를 갖는 집적 회로 디바이스는, 필터 커패시터 및 공급 전압을 위해 외부 연결부들에 결합되는 내부 전압 조정기; 상기 내부 전압 조정기의 조정된 전압 출력에 결합되는 입력단을 갖는 과전압 검출 회로; 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력으로부터 동작 전압을 수신하는 코어 로직 회로들; 및 적어도 하나의 출력 드라이버를 안전 동작 조건에 유지하기 위한 안전장치(failsafe) 회로를 갖는 상기 적어도 하나의 출력 드라이버를 포함할 수 있고; 여기서, 상기 과전압 검출 회로가 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 고전압을 검출할 때, 상기 코어 로직 회로들 및 상기 적어도 하나의 출력 드라이버는 안전 동작 모드에 놓여진다.
또 다른 실시예에 따르면, 과전압 알람은 상기 과전압 검출 회로에 결합되고, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 고전압 조건의 검출이 발생할 때 고전압 알람을 제공한다. 또 다른 실시예에 따르면, 키퍼 셀(keeper cell)은 상기 적어도 하나의 출력 드라이버의 동작을 제어하고, 여기서 상기 과전압 검출 회로가 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 고전압을 검출할 때, 상기 적어도 하나의 출력 드라이버의 로직 상태는 상기 키퍼 셀에 의해 그의 최종 로직 상태로 유지된다.
또 다른 실시예에 따르면, 파워 차단 스위치는 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력과 상기 코어 로직 회로들 사이에 결합되며, 여기서, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 상기 고전압이 검출될 때, 상기 코어 로직 회로들은 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력으로부터 연결해제된다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 파워 차단 스위치는 파워 전계 효과 트랜지스터이다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 코어 로직 회로들은 디지털 프로세서 및 메모리를 포함한다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 디지털 프로세서는 마이크로컨트롤러이다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 디지털 프로세서는 마이크로프로세서, 디지털 신호 처리기(DSP), 프로그램가능 로직 어레이(PLA) 및 주문형 반도체(ASIC)로 이루어지는 그룹에서 선택된다.
또 다른 실시예에 따르면, 브라운-아웃(brown-out) 리셋 회로는 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에 결합되고, 여기서, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력으로부터의 전압이 특정 최소 동작 전압보다 작을 때, 상기 코어 로직 회로들 및 상기 적어도 하나의 출력 드라이버는 상기 안전 동작 모드에 놓여진다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 과전압 검출 회로는, 전압 비교기; 상기 전압 비교기의 음의 입력에 결합되는 전압 기준 회로; 및 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력과 상기 전압 비교기의 양의 입력 사이에 결합되는 분압기를 포함하고, 여기서, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력이 상기 전압 기준 회로의 전압보다 클 때, 상기 전압 비교기의 출력이 제1 로직 레벨에 있고, 그렇지 않으면, 상기 전압 비교기의 출력은 제2 로직 레벨에 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 전압 기준 회로는 밴드갭 전압 기준 회로이다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 로직 레벨은 로직 하이(high)이고, 상기 제2 로직 레벨은 로직 로우(low)이다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 로직 레벨은 로직 로우이고, 상기 제2 로직 레벨은 로직 하이이다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 내부 전압 조정기에 상기 공급 전압을 제공하는 외부 전원; 및 상기 전원의 금지 입력단에 결합되고 상기 고전압 알람을 모니터링하는 입력단을 갖는 외부 시스템 슈퍼바이저를 더 포함하고; 여기서, 상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건은 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에 존재한다는 것을 나타내는 경우에, 상기 시스템 슈퍼바이저는 상기 전원이 상기 내부 전압 조정기로 공급되는 상기 공급 전압을 감소시키게 한다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 공급 전압은 실질적으로 제로(zero) 볼트로 감소된다. 또 다른 실시예에 따르면, 전원 차단 스위치가 상기 전원과 상기 내부 전압 조정기 사이에 결합되고, 여기서 상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건이 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에 존재한다는 것을 나타내는 경우에, 상기 시스템 슈퍼바이저는 상기 전원 차단 스위치를 개방함으로써, 상기 내부 전압 조정기로부터 상기 공급 전압을 연결해제한다.
또 하나의 실시예에 따르면, 집적 회로 디바이스에서 내부 전압 조정기 과전압 조건을 검출하는 방법은, 내부 전압 조정기에 결합된 집적 회로 디바이스의 외부 연결부에서 전압을 측정하는 단계; 상기 외부 연결부에서 측정된 상기 전압이 기준 전압보다 큰지의 여부를 결정하는 단계; 및 상기 외부 연결부에서 측정된 상기 전압이 상기 기준 전압보다 클 때, 상기 집적 회로 디바이스의 코어 로직 및 적어도 하나의 출력 드라이버를 안전 모드에 놓이게 하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 방법의 또 다른 실시예에 따르면, 각각의 키퍼 셀을 활성화할 때, 상기 적어도 하나의 출력 드라이버는 상기 안전 모드에 있을 때 가장 최근의 로직 레벨로 유지된다. 상기 방법의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 외부 연결부가 상기 내부 전압 조정기에 결합되기 때문에 고전압 조건이 발생할 때, 고전압 알람을 생성시키는 단계가 발생한다. 상기 방법의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 집적 회로 디바이스의 코어 로직을 상기 내부 전압 조정기의 출력 전압으로부터 연결해제하는 단계는 상기 집적 회로 디바이스의 코어 로직이 상기 안전 모드에 있을 때 발생한다.
상기 방법의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 내부 전압 조정기로의 공급 전압이 전원으로부터 제공되고; 상기 고전압 알람이 시스템 슈퍼바이저에 의해 모니터링되고; 그리고 상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건의 발생을 표시할 때, 상기 전원으로부터 상기 내부 전압 조정기로 공급되는 상기 공급 전압이 억제된다. 상기 방법의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 공급 전압은 실질적으로 제로 볼트로 억제된다. 상기 방법의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건의 발생을 표시할 때, 상기 공급 전압은 상기 내부 전압 조정기로부터 연결해제된다.
본 발명에 따르면, 집적 회로 디바이스의 Vcap/Vddcore 핀에서의 과전압 조건의 과전압 검출(OVD)이 제공되고, 여기서 과전압 상태가 검출될 때, OVD 회로의 출력은 집적 회로 디바이스를 예측가능한 안전한 동작 모드로 진입시키는데 사용될 수 있다.
본 개시는 첨부 도면들과 연계하여 쓰여진 이하의 설명을 참조하면 보다 완전하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 개시의 특정 일례의 실시예에 따른, 전압 조정기 과전압 검출 및 보호부를 갖는 집적 회로 디바이스의 개략 블록도를 도시한다.
도 2는 도 1에 도시한 과전압 검출 회로의 보다 상세한 실시예의 개략도를 도시한다.
도 3은 본 개시의 교시에 따른, 도 1에 도시한 집적 회로 디바이스를 위한 과전압 검출 및 보호 동작의 개략 흐름도를 도시한다.
도 4는 본 개시의 또 하나의 특정 일례의 실시예에 따른, 도 1에 도시한 집적 회로 디바이스와 이 집적 회로 디바이스에 결합되는 시스템 슈퍼바이저 및 전원 공급 장치의 개략 블록도를 도시한다.
본 개시는 다양한 변형들 및 대안의 형태들을 허용하지만, 그의 특정 예시의 실시예들이 도면들에 도시되었고 본 명세서에서 상세히 설명된다. 하지만, 그 특정 예시의 실시예들에 대한 설명은 본 개시를 여기에서 개시된 특정 형태들로 한정하고자 하는 것이 아니고, 오히려, 본 개시는 부속 특허청구범위에 정의된 바와 같은 모든 변형들 및 균등물들을 포괄해야 하는 것으로 이해해야 할 것이다.
도면들을 보면, 특정 예시의 실시예들에 대한 세부들이 개략적으로 도시되어 있다. 도면들에 있어서, 동일한 요소들에 대해서는 동일한 번호들로 나타내고, 또한 유사한 요소들은 동일한 번호들에 다른 소문자 첨자를 붙여서 나타낸다.
도 1을 보면, 본 개시의 특정 일례의 실시예에 따른, 전압 조정기 과전압 검출 및 보호부를 갖는 집적 회로 디바이스의 개략 블록도가 도시되어 있다. 집적 회로 디바이스(102)는 내부 전압 조정기(104), 과전압 검출(OVD) 회로(106), 브라운아웃-온(brownout-on) 리셋 (BOR) 회로(108), 파워 온 리셋(POR) 회로(110), OR 게이트(112), 디지털 프로세서(114), 메모리(116), 키퍼 셀들(118) 및 출력 드라이버들(120)을 포함할 수 있다. 집적 회로 디바이스(102)의 외부 연결부들은 연결부들(122)의 드라이버 출력부들과, Vcc(전원, 예를 들어 배터리로부터의 전압), Vdd(코어 로직 회로들 예를 들어, 디지털 프로세서(114) 및 메모리(116)를 위한, Vcc보다 낮은 조정된 전압) 및 Vss(전원 및 코어 로직 그라운드)의 연결부들에 제공된다. 입력부들과 같은 기타 연결부들이 제공될 수 있지만 도시치는 않았다. 디지털 프로세서(114)는 예를 들어, 마이크로컨트롤러, 마이크로프로세서, 디지털 신호 처리기(DSP), 프로그램가능 로직 어레이(PLA) 또는 주문형 반도체(ASIC)일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
Vcc, Vdd, 및 Vss 연결부들은 도시한 것처럼 서로 인접하여 위치할 수 있는데, 여기서 Vdd 연결부는 부주의에 의해 Vss와 Vcc 연결부 중 어느 하나에 단락될 수 있으며, 이에 의해 집적 회로 디바이스(102)의 오기능 및/또는 고장을 유발할 수 있다. Vdd 및 Vss 연결부들이 함께 단락되면, BOR 및/또는 POR 회로들(108 및 110) 중 어느 하나 또는 둘 다가 각기 OR 게이트(112)의 출력을 로직 하이("1")로 진입하게 할 것이고, 또한 집적 회로 디바이스(102)를 대기 "안전 모드" 조건에 진입하게 할 것이고, 여기서 출력 드라이버들(120)은 각각의 키퍼 셀들(118)에 의해 가장 최근의 로직 레벨로 유지되고, 디지털 프로세서(114) 및 메모리(116)는 대기, 무동작 모드로 진입하고, 또한, 선택적으로는, Vdd 조정기 출력(104)은 스위치(126) 예를 들어, 고체상태 전계 효과 트랜지스터 스위치를 개방하여 코어 로직 회로들(예를 들어, 디지털 프로세서(114) 및 메모리(116))로부터 분리된다.
Vdd 및 Vcc 연결부들이 함께 단락되는 경우, 전술한 바와 같이, OVD 회로(106)는 OR 게이트(112)의 출력을 로직 하이("1")로 진입하게 할 것이고, 또한 집적 회로 디바이스(102)를 대기 "안전 모드" 조건으로 진입하게 할 것이다. 고(high) Vdd 알람 회로(128)는 고 Vdd 알람 출력 연결부(129)의 고 Vdd 조건을 나타낼 수 있어서, 시스템 록 아웃(lock-out), 셧다운 또는 회복 동작이 취해질 수 있다. 집적 회로 디바이스(102)는 예를 들어, 마이크로컨트롤러, 마이크로프로세서, 디지털 신호 처리기(DSP), 프로그램가능 로직 어레이(PLA), 주문형 반도체(ASIC) 등일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2를 보면, 도 1에 도시한 과전압 검출 회로의 보다 상세한 실시예의 개략도가 도시되어 있다. OVD 회로(106)는 전압 비교기(236), 저항들(230 및 232)을 포함하는 분압기 네트워크, 및 전압 기준부(234)를 포함할 수 있다. 저항들(230 및 232) 사이의 접합부는 전압 비교기(236)의 양(+)의 입력에 연결되어 있고, 전압 기준 회로(234)는 전압 비교기(236)의 음(-)의 입력에 연결되어 있다. 저항들(230 및 232) 사이의 접합부에서의 전압이 전압 기준부(234)로부터의 전압보다 작거나 또는 같은 경우, 전압 비교기(236)의 출력은 로직 로우("0")이고, 또한 OR 게이트(112) 출력도 (BOR 및 POR 회로들(108 및 110) 중 어느 하나로부터 로직 하이 신호가 없는 경우) 로직 로우이다. 저항들(230 및 232) 사이의 접합부에서의 전압이 전압 기준 회로(234)로부터의 전압보다 큰 경우, 전압 비교기(236)의 출력은 로직 하이("1")가 되고, 또한 OR 게이트(112) 출력도 로직 하이("1")일 것이다. 전압 기준 회로(234)는 밴드갭 전압 기준 회로 등일 수 있다.
도 3을 보면, 본 개시의 교시에 따른, 도 1에 도시한 집적 회로 디바이스를 위한 과전압 검출 및 보호 동작의 개략 흐름도가 도시되어 있다. Vdd는 단계 340에서 샘플화 또는 측정된다. 단계 342에서, 샘플화된 또는 측정된 Vdd는 기준 전압과 비교되고 이 기준 전압보다 큰 경우, 단계 344에서, 집적 회로 디바이스(102)는 안전 모드에 놓여지고 예를 들어, 셧다운으로 진입하고 및/또는 Vdd로부터 분리된다. 단계 346에서, 키퍼 셀들(118)은 고 Vdd 전압 이벤트 동안 시스템 완전성을 유지하기 위해, 현재의 로직 레벨들을 출력 드바이버들(120)에 유지하도록 활성화될 수 있다. 단계 348에서, Vdd로부터 전력을 공급받는 코어 로직 예를 들어, 디지털 프로세서(114) 및 메모리(116)는 그의 과전압 전원으로부터 분리될 수 있다. 단계 350에서, 고 Vdd 알람은 시스템에 고 Vdd 전압 고장이 발생되었다는 것을 경보하도록 생성될 수 있다.
도 4를 보면, 본 개시의 또 하나의 특정 일례의 실시예에 따른, 도 1에 도시한 집적 회로 디바이스와 이 집적 회로 디바이스에 결합되는 시스템 슈퍼바이저 및 전원 공급 장치의 개략 블록도가 도시되어 있다. 전원 공급 장치(442) 예를 들어, Vcc 조정기, 및 시스템 슈퍼바이저(444)는 전원에 연결되어 있다. 시스템 슈퍼바이저(444)는 집적 회로 디바이스(102)로부터 상태 신호들 예를 들어, 고 Vdd 알람(128)을 수신한다. 전원 공급 장치(442)는 집적 회로 디바이스(102)에 Vcc 전압을 공급한다. 파워 스위치(440) 예를 들어, 파워 트랜지스터는 집적 회로 디바이스(102)로부터 Vcc 전압을 차단하도록 구성될 수 있다. 시스템 슈퍼바이저(444)는 집적 회로 디바이스(102)의 노드(129)로부터 고 Vdd 알람 신호를 수신할 수 있고, 이후 파워 스위치(440)가 개방되게 하거나, 또는 전원 공급 장치(442)의 금지 제어 입력을 통해 전원 공급 장치(442)를 셧다운시킬(또는 안전 전압 레벨로 감소시킬) 수 있다.
본 개시의 실시예들은 본 개시의 예시적인 실시예들을 참조하여 특별히 도시되고 설명되고 정의되었지만, 이러한 참조는 본 개시의 한정을 의미하지 않고 이러한 한정이 추정되지도 않는다. 개시된 본 발명은 이 기술분야에 통상의 기술을 가지고 본 개시의 혜택을 갖는 사람들에게는 형태와 기능에 있어서 상당한 수정, 대체, 및 균등물들이 가능하다. 본 개시의 도시되고 설명된 실시예들은 단지 예로서, 본 개시의 범위를 한정하지 않는다.

Claims (23)

  1. 내부 전압 조정기 과전압 검출 회로를 갖는 집적 회로 디바이스로서,
    필터 커패시터 및 공급 전압을 위해 외부 연결부들에 결합되는 내부 전압 조정기;
    상기 내부 전압 조정기의 조정된 전압 출력에 결합되는 입력단을 갖는 과전압 검출 회로;
    상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력으로부터 동작 전압을 수신하는 코어 로직 회로들; 및
    적어도 하나의 출력 드라이버를 안전 동작 조건에 유지하기 위한 안전장치(failsafe) 회로를 갖는 상기 적어도 하나의 출력 드라이버를 포함하고,
    상기 과전압 검출 회로가 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 고전압을 검출할 때, 상기 코어 로직 회로들 및 상기 적어도 하나의 출력 드라이버는 안전 동작 모드에 놓여지는, 집적 회로 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 과전압 검출 회로에 결합되고, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 고전압 조건의 검출이 발생할 때 고전압 알람을 제공하는 과전압 알람을 더 포함하는, 집적 회로 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 출력 드라이버의 동작을 제어하는 키퍼 셀(keeper cell)을 더 포함하고, 상기 과전압 검출 회로가 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 고전압을 검출할 때, 상기 적어도 하나의 출력 드라이버의 로직 상태는 상기 키퍼 셀에 의해 그의 최종 로직 상태로 유지되는, 집적 회로 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력과 상기 코어 로직 회로들 사이에 결합되는 파워 차단 스위치를 더 포함하고, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에서 상기 고전압이 검출될 때, 상기 코어 로직 회로들은 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력으로부터 연결해제되는, 집적 회로 디바이스.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 파워 차단 스위치는 파워 전계 효과 트랜지스터인, 집적 회로 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 코어 로직 회로들은 디지털 프로세서 및 메모리를 포함하는, 집적 회로 디바이스.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 디지털 프로세서는 마이크로컨트롤러인, 집적 회로 디바이스.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 디지털 프로세서는 마이크로프로세서, 디지털 신호 처리기(DSP), 프로그램가능 로직 어레이(PLA) 및 주문형 반도체(ASIC)로 이루어지는 그룹에서 선택되는, 집적 회로 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에 결합되는 브라운-아웃(brown-out) 리셋 회로를 더 포함하고, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력으로부터의 전압이 특정 최소 동작 전압보다 작을 때, 상기 코어 로직 회로들 및 상기 적어도 하나의 출력 드라이버는 상기 안전 동작 모드에 놓여지는, 집적 회로 디바이스.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 과전압 검출 회로는,
    전압 비교기;
    상기 전압 비교기의 음의 입력에 결합되는 전압 기준 회로; 및
    상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력과 상기 전압 비교기의 양의 입력 사이에 결합되는 분압기를 포함하고, 여기서, 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력이 상기 전압 기준 회로의 전압보다 클 때, 상기 전압 비교기의 출력이 제1 로직 레벨에 있고, 그렇지 않으면, 상기 전압 비교기의 출력은 제2 로직 레벨에 있는, 집적 회로 디바이스.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전압 기준 회로는 밴드갭 전압 기준 회로인, 집적 회로 디바이스.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 로직 레벨은 로직 하이(high)이고, 상기 제2 로직 레벨은 로직 로우(low)인, 집적 회로 디바이스.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 로직 레벨은 로직 로우이고, 상기 제2 로직 레벨은 로직 하이인, 집적 회로 디바이스.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 내부 전압 조정기에 상기 공급 전압을 제공하는 외부 전원; 및
    상기 전원의 금지 입력단에 결합되고 상기 고전압 알람을 모니터링하는 입력단을 갖는 외부 시스템 슈퍼바이저를 더 포함하고,
    상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건은 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에 존재한다는 것을 나타내는 경우에, 상기 시스템 슈퍼바이저는 상기 전원이 상기 내부 전압 조정기로 공급되는 상기 공급 전압을 감소시키게 하는, 집적 회로 디바이스.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 공급 전압은 제로(zero) 볼트로 감소되는, 집적 회로 디바이스.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 전원과 상기 내부 전압 조정기 사이의 전원 차단 스위치를 더 포함하고, 상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건이 상기 내부 전압 조정기의 상기 조정된 전압 출력에 존재한다는 것을 나타내는 경우에, 상기 시스템 슈퍼바이저는 상기 전원 차단 스위치를 개방함으로써, 상기 내부 전압 조정기로부터 상기 공급 전압을 연결해제하는, 집적 회로 디바이스.
  17. 집적 회로 디바이스에서 내부 전압 조정기 과전압 조건을 검출하는 방법으로서,
    내부 전압 조정기에 결합된 집적 회로 디바이스의 외부 연결부에서 전압을 측정하는 단계;
    상기 외부 연결부에서 측정된 상기 전압이 기준 전압보다 큰지의 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 외부 연결부에서 측정된 상기 전압이 상기 기준 전압보다 클 때, 상기 집적 회로 디바이스의 코어 로직 및 적어도 하나의 출력 드라이버를 안전 모드에 놓이게 하는 단계를 포함하는, 내부 전압 조정기 과전압 조건 검출 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 출력 드라이버가 상기 안전 모드에 있을 때, 상기 적어도 하나의 출력 드라이버를 가장 최근의 로직 레벨로 유지하기 위해 각각의 키퍼 셀을 활성화시키는 단계를 더 포함하는, 내부 전압 조정기 과전압 조건 검출 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 내부 전압 조정기에 결합된 상기 외부 연결부에서 고전압 조건이 발생할 때, 고전압 알람을 생성시키는 단계를 더 포함하는, 내부 전압 조정기 과전압 조건 검출 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 집적 회로 디바이스의 코어 로직이 상기 안전 모드에 있을 때, 상기 집적 회로 디바이스의 코어 로직을 상기 내부 전압 조정기의 출력 전압으로부터 연결해제하는 단계를 더 포함하는, 내부 전압 조정기 과전압 조건 검출 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    전원으로부터 상기 내부 전압 조정기에 공급 전압을 제공하는 단계;
    상기 고전압 알람을 시스템 슈퍼바이저로 모니터링하는 단계; 및
    상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건의 발생을 표시할 때, 상기 전원으로부터 상기 내부 전압 조정기로 공급되는 상기 공급 전압을 억제하는 단계를 더 포함하는, 내부 전압 조정기 과전압 조건 검출 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 공급 전압은 제로 볼트로 억제되는, 내부 전압 조정기 과전압 조건 검출 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 고전압 알람이 상기 고전압 조건의 발생을 표시할 때, 상기 공급 전압을 상기 내부 전압 조정기로부터 연결해제하는 단계를 더 포함하는, 내부 전압 조정기 과전압 조건 검출 방법.
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