KR20140110147A - Thin film solar cell and Method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박막형 태양전지에 적용되는 후면 전극층의 면저항값을 제어하여 에너지 효율이 향상된 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film solar cell and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a thin film solar cell having improved energy efficiency by controlling sheet resistance values of a back electrode layer applied to a thin film solar cell and a manufacturing method thereof.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목되고 있다. 태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 발전과, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(Photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있으며, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하, '태양전지'라 한다)를 일컫는다.With the recent depletion of existing energy resources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting particular attention because they have abundant energy resources and there is no problem about environmental pollution. Solar cells include solar power generation that generates the steam needed to rotate the turbine using solar heat and solar cells that convert sunlight (photons) into electrical energy using the properties of semiconductors. (Hereinafter referred to as a "photovoltaic cell").
이러한 태양전지는 원료 물질에 따라 크게 다결정(poly crystal) 및 단결정(single crystal) 실리콘 태양전지 또는 비정질 실리콘 태양전지와 같은 실리콘계 태양전지와 화합물 반도체 태양전지 등으로 분류된다. Such solar cells are classified into silicon-based solar cells and compound semiconductor solar cells, such as poly-crystal and single-crystal silicon solar cells or amorphous silicon solar cells, depending on raw materials.
이 중 화합물 반도체 태양전지의 하나로서 CIGS계 태양전지는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 등의 원소로 이루어지는 광흡수 계수가 높은 광흡수층을 유리(glass) 등의 기판상에 증착하여 전기에너지를 생산하게 되는 태양전지로서, 두께가 얇은 박막으로도 고효율의 태양전지 제조가 가능하며, 또한 전기, 광학적 안정성이 우수하여 매우 이상적인 광흡수층을 형성할 수 있어 저가, 고효율의 태양전지 재료로 많은 연구가 이루어지고 있다.As one of the compound semiconductor solar cells, the CIGS solar cell has a structure in which a light absorption layer having a high light absorption coefficient, which is made of an element such as copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), selenium (Se) The present invention relates to a solar cell capable of producing a high efficiency solar cell even with a thin film and capable of forming an ideal optical absorption layer with excellent electrical and optical stability, , And many studies have been made with high efficiency solar cell materials.
이러한 화합물 반도체 태양전지는 각각의 층의 전기적인 특성이 전체 태양전지의 효율에 영향을 미칠 수 있으며, 이에 각 층의 전기적 특성을 개선하여 전체 태양전지의 에너지 효율을 증가시키고자 하는 노력을 지속하고 있다.In such a compound semiconductor solar cell, the electrical characteristics of each layer may affect the efficiency of the entire solar cell, and thus, efforts to increase the energy efficiency of the entire solar cell by improving the electrical characteristics of each layer are continued have.
본 발명은 상술한 바와 같이 태양전지의 에너지 효율 향상을 위한 노력으로서, 박막형 태양전지에 적용되는 후면 전극층의 면저항값을 제어하여 태양전지의 에너지 효율을 향상시킬 수 있는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention relates to a thin film solar cell capable of improving the energy efficiency of a solar cell by controlling a sheet resistance value of a back electrode layer applied to a thin film solar cell as an effort to improve the energy efficiency of the solar cell as described above, The purpose is to provide.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막형 태양전지는, 기판 및 상기 기판 상에 형성된 후면 전극층; 및 상기 후면 전극층 상에 형성된 광 흡수층;을 포함하되, 상기 후면 전극층은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 가지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thin film solar cell comprising: a substrate; a rear electrode layer formed on the substrate; And a light absorbing layer formed on the rear electrode layer, wherein the rear electrode layer has a sheet resistance in a range of 0.4 to 1.0 OMEGA / sq.
바람직하게, 상기 후면 전극층은 두께가 0.4 ~ 1.0㎛이다.Preferably, the back electrode layer has a thickness of 0.4 to 1.0 mu m.
바람직하게, 상기 후면 전극층은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.Preferably, the rear electrode layer is made of molybdenum (Mo).
바람직하게, 상기 후면 전극층은 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 형성된다.Preferably, the rear electrode layer is formed using a sputtering method.
바람직하게, 상기 후면 전극층은 8 ~ 12kW의 전력 및 2 ~ 5mTorr의 압력이 인가되는 조건으로 스퍼터링되어 형성된다.Preferably, the rear electrode layer is formed by sputtering under conditions of a power of 8 to 12 kW and a pressure of 2 to 5 mTorr.
바람직하게, 상기 광 흡수층은, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 함유하는 CIGS계 화합물층을 포함한다.Preferably, the light absorbing layer includes a CIGS compound layer containing copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se).
바람직하게, 상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 더 포함한다.Preferably, the light emitting device further includes a buffer layer, a window layer, and a front electrode layer formed on the light absorbing layer.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은, (a) 기판의 상부에 후면 전극층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 후면 전극층은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a thin film solar cell, including: (a) forming a rear electrode layer on a substrate; And (b) forming a light absorption layer on the rear electrode layer, wherein the rear electrode layer is formed to have a sheet resistance in a range of 0.4 to 1.0 OMEGA / sq.
바람직하게, 상기 후면 전극층은 두께가 0.4 ~ 1.0㎛이다.Preferably, the back electrode layer has a thickness of 0.4 to 1.0 mu m.
바람직하게, 상기 후면 전극층은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.Preferably, the rear electrode layer is made of molybdenum (Mo).
바람직하게, 상기 (a) 단계는, 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 상기 후면 전극층을 형성한다.Preferably, in the step (a), the rear electrode layer is formed by a sputtering method.
바람직하게, 상기 (a) 단계는, 8 ~ 12kW의 전력 및 2 ~ 5mTorr의 압력이 인가되는 조건으로 스퍼터링되어 상기 후면 전극층을 형성한다.Preferably, in the step (a), the rear electrode layer is formed by sputtering under a condition of a power of 8 to 12 kW and a pressure of 2 to 5 mTorr.
바람직하게, 상기 광 흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 함유하는 CIGS계 화합물층을 포함한다.Preferably, the light absorbing layer includes a CIGS-based compound layer containing copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se).
바람직하게, 상기 광 흡수층 상에 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 형성하는 단계를 더 포함한다.Preferably, the method further comprises forming a buffer layer, a window layer, and a front electrode layer on the light absorption layer.
본 발명에 따르면, 박막형 태양전지의 후면 전극층의 면저항값을 최적의 값이 되도록 제어함으로써, 태양전지의 에너지 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the energy efficiency of the solar cell can be improved by controlling the sheet resistance value of the rear electrode layer of the thin film solar cell to be an optimal value.
본 명세서에 첨부되는 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 후술되는 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 및 3은 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도들이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this application, illustrate preferred embodiments of the invention and, together with the description, And shall not be interpreted.
1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a thin film solar cell according to the present invention.
FIGS. 2 and 3 are process sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a thin film solar cell according to the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately It should be interpreted in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be defined. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.
도 1은 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a thin film solar cell according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 태양전지는, 기판(100), 후면 전극층(200) 및 광 흡수층(300)을 포함한다. 또한, 상기 박막형 태양전지는 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400), 윈도우층(500) 및 전면 전극층(600)을 더 포함할 수 있다.1, a thin film solar cell according to the present invention includes a
상기 기판(100)은 플랙시블한 특성을 갖도록 폴리이미드(polyimide)를 이용한 폴리머 기판이 이용될 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 폴리머 기판 이외에도 태양전지의 적층 구조의 기초가 될 수 있는 다양한 재질이 사용될 수 있음은 자명하다. 예컨대, 절연성을 갖는 유리 기판으로 소다라임(sodalime) 유리를 이용한 기판이 이용될 수 있다.A polymer substrate using polyimide may be used as the
상기 후면 전극층(200)은 도전성을 갖는 금속층으로서 높은 전기전도성과 광 흡수층(300)과의 오믹 접촉(ohmic contact) 및 셀레늄(Se) 분위기 하에서의 고온 안정성을 갖는 몰리브덴(Mo)이 사용될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 형성될 수 있다.The
본 발명에서, 상기 후면 전극층(200)은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 가지도록 형성된다. 이를 위해, 후면 전극층(200)은 두께가 0.4 ~ 1.0㎛인 것이 바람직하다. 이는 후면 전극층(200)의 두께가 0.4㎛ 미만일 경우 후면 전극층(200)의 면저항이 증가되기 때문에 바람직하지 못하고, 또한, 후면 전극층(200)의 두께가 증가할 경우 면저항이 낮아질 수는 있으나, 1.0㎛를 초과하게 될 경우 태양전지의 유연성이 저하되며 제품의 단가 상승 및 생산성이 악화되기 때문에 바람직하지 못하다. 이와 같이, 후면 전극층(200)의 면저항을 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위를 가질 수 있도록 형성함에 따라 태양전지 내부에서 발생되는 전류의 흐름이 원활하게 되어 박막형 태양전지의 에너지 효율을 10% 이상으로 향상시킬 수 있다.In the present invention, the
또한, 상기 후면 전극층(200)은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 가질 수 있도록 8 ~ 12kW의 전력 및 2 ~ 5mTorr의 압력이 인가되는 조건으로 스퍼터링되어 형성되게 된다. 이는 스퍼터링에 인가되는 전력을 8 ~ 12kW의 고전력으로, 압력을 2 ~ 5mTorr의 낮은 압력으로 인가함으로써, 후면 전극층(200)을 이루는 입자의 크기를 증가시켜 비저항을 낮출 수 있게 되어 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 갖는 후면 전극층(200)을 형성할 수 있게 된다.In addition, the
상기 광 흡수층(300)은 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키기 위한 것으로서, CIGS계의 재질로 형성된다. CIGS는 구리(Cu), 인듐(In), 셀레늄(Se)으로 이루어진 CuInSe2(CIS)의 3원소 반도체에 갈륨(Ga) 원소를 도핑하여 효율을 증가시킨 것이다.The
상기 버퍼층(400)은 p형 반도체 층인 상기 광 흡수층(300)과 pn접합되는 n형의 반도체 층으로서, 황화 카드뮴(Cds)로 형성된다.The
상기 윈도우층(500)은 투명한 전극층으로서, ITO, ZnO 또는 i-ZnO 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이때, 상기 윈도우층(500)의 상면에는 전하를 효과적으로 포집하기 위해서 알루미늄(Al)이나 니켈(Ni)과 같은 금속 재질로 이루어진 금속층인 전면 전극층(600)이 형성된다.The
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막형 태양전지는 후면 전극층(200)이 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 가지도록 형성됨으로써, 태양전지 내부에서 발생되는 전류의 흐름이 원활하게 되어 박막형 태양전지의 에너지 효율을 10% 이상으로 향상시킬 수 있는 장점을 갖게 된다.As described above, in the thin film solar cell according to the present invention, the
도 2 및 3은 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도들이다.FIGS. 2 and 3 are process sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a thin film solar cell according to the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은, 기판(100) 상에 후면 전극층(200)을 형성하는 단계와, 상기 후면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300)을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 박막형 태양전지의 제조방법은 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400), 윈도우층(500) 및 전면 전극층(600)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.2 and 3, a method of fabricating a thin film solar cell according to the present invention includes forming a
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(100)을 준비하고, 상기 기판(100) 상에 후면 전극층(200)을 형성한다. 이는 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 형성된다.First, as shown in FIG. 2, a
구체적으로, DC 파워가 인가되는 스퍼터링 챔버(미도시)의 일단에 상기 기판(100)을 준비하고, 타단에 몰리브덴(Mo) 타겟을 배치시킨다. 기판(100)의 준비가 완료되면, 스퍼터링 챔버의 내부에는 불활성 가스를 주입하고, 공정 압력은 2 ~ 5mTorr로, 공정 온도는 25 ~ 70℃로 하고, 8 ~ 12kW의 DC 파워를 인가하여 후면 전극층(200)을 형성한다. 이때, 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어지게 된다.Specifically, the
본 발명에서, 상기 후면 전극층(200)은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 가지도록 형성된다. 이를 위해, 후면 전극층(200)은 두께가 0.4 ~ 1.0㎛인 것이 바람직하다. 이는 후면 전극층(200)의 두께가 0.4㎛ 미만일 경우 후면 전극층(200)의 면저항이 증가되기 때문에 바람직하지 못하고, 또한, 후면 전극층(200)의 두께가 증가할 경우 면저항이 낮아질 수는 있으나, 1.0㎛를 초과하게 될 경우 태양전지의 유연성이 저하되며 제품의 단가 상승 및 생산성이 악화되기 때문에 바람직하지 못하다.In the present invention, the
또한, 상기 후면 전극층(200)은 8 ~ 12kW의 전력 및 2 ~ 5mTorr의 압력이 인가되는 조건으로 스퍼터링 공정을 진행하고, 스퍼터링에 인가되는 전력을 8 ~ 12kW의 고전력으로, 압력을 2 ~ 5mTorr의 낮은 압력으로 인가함으로써, 후면 전극층(200)을 이루는 입자의 크기를 증가시켜 비저항을 낮출 수 있게 되어 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 갖는 후면 전극층(200)을 형성할 수 있게 한다.The
그런 다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 후면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300)을 형성한다. 또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400), 윈도우층(500) 및 전면 전극층(600)을 순차적으로 적층시켜 박막형 태양전지를 완성하게 된다.Then, as shown in FIG. 3, a
이와 같이, 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에 의해 형성된 후면 전극층(200)은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 가지도록 형성됨으로써, 태양전지 내부에서 발생되는 전류의 흐름이 원활하게 되어 박막형 태양전지의 에너지 효율을 10% 이상으로 향상시킬 수 있는 장점을 갖게 된다.As described above, the
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be understood that various modifications and changes may be made without departing from the scope of the appended claims.
100 : 기판 200 : 후면 전극층
300 : 광 흡수층 400 : 버퍼층
500 : 윈도우층 600 : 전면 전극층100: substrate 200: rear electrode layer
300: light absorbing layer 400: buffer layer
500: window layer 600: front electrode layer
Claims (14)
상기 후면 전극층 상에 형성된 광 흡수층;을 포함하되,
상기 후면 전극층은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 가지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.A back electrode layer formed on the substrate; And
And a light absorbing layer formed on the rear electrode layer,
Wherein the back electrode layer has a sheet resistance in the range of 0.4 to 1.0 OMEGA / sq.
상기 후면 전극층은 두께가 0.4 ~ 1.0㎛인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the back electrode layer has a thickness of 0.4 to 1.0 占 퐉.
상기 후면 전극층은 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the back electrode layer is made of molybdenum (Mo).
상기 후면 전극층은 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the back electrode layer is formed using a sputtering method.
상기 후면 전극층은 8 ~ 12kW의 전력 및 2 ~ 5mTorr의 압력이 인가되는 조건으로 스퍼터링되어 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.5. The method of claim 4,
Wherein the back electrode layer is formed by sputtering under a condition of a power of 8 to 12 kW and a pressure of 2 to 5 mTorr.
상기 광 흡수층은, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 함유하는 CIGS계 화합물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the light absorbing layer comprises a CIGS compound layer containing copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se).
상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.The method according to claim 1,
And a buffer layer, a window layer, and a front electrode layer formed on the light absorption layer.
(b) 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하되,
상기 후면 전극층은 0.4 ~ 1.0Ω/sq 범위의 면저항을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.(a) forming a rear electrode layer on a substrate; And
(b) forming a light absorption layer on the rear electrode layer,
Wherein the back electrode layer is formed to have a sheet resistance in the range of 0.4 to 1.0 OMEGA / sq.
상기 후면 전극층은 두께가 0.4 ~ 1.0㎛인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the back electrode layer has a thickness of 0.4 to 1.0 占 퐉.
상기 후면 전극층은 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the back electrode layer is made of molybdenum (Mo).
상기 (a) 단계는, 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 상기 후면 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the step (a) comprises forming the rear electrode layer using a sputtering method.
상기 (a) 단계는, 8 ~ 12kW의 전력 및 2 ~ 5mTorr의 압력이 인가되는 조건으로 스퍼터링되어 상기 후면 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the step (a) comprises sputtering under the conditions of a power of 8 to 12 kW and a pressure of 2 to 5 mTorr to form the rear electrode layer.
상기 광 흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 함유하는 CIGS계 화합물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the light absorption layer comprises a CIGS compound layer containing copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se).
상기 광 흡수층 상에 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.9. The method of claim 8,
And forming a buffer layer, a window layer, and a front electrode layer on the light absorption layer.
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