KR20140094388A - Apparatus for multilayer electrically conductive anti-reflective coating - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스퍼터링 방식으로 고굴절 박막 및 투명 전도성 박막을 증착하면서 스퍼터링 방식과 조합이 가능한 플라즈마 화학기상 증착 방식으로 저굴절 박막을 증착할 수 있는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
유리나 PET등의 필름과 같은 투명기재에 굴절율이 다른 박막을 다층으로 증착하여 광학적인 특성을 개선하는 반사 방지 박막 코팅 기술은 광학렌즈, 디스플레이, 터치센서 등의 전자소자를 포함하여, 건물이나 자동차에 사용되는 창유리 및 태양전지의 패널 등의 광범위한 분야에 널리 응용되고 있다. An antireflection thin film coating technique for improving optical characteristics by depositing a thin film having a different refractive index on a transparent substrate such as glass or PET is multilayered, and includes an electronic device such as an optical lens, a display, and a touch sensor, And is widely applied to a wide range of fields such as window glass used and solar cell panel.
이 중 디스플레이나 터치센서 등의 전자소자 제조분야에 응용되는 다층 반사 방지 박막 코팅 기술은 일반적으로 투명기재에 고굴절 박막과 저굴절 박막을 교대로 증착하여 기판의 투과도를 증대시키면서 상부에 패터닝된 투명 전도성 박막에 대한 시인성을 확보하게 된다. Among them, the multilayer antireflection thin film coating technology applied to the manufacture of electronic devices such as a display or a touch sensor generally includes a method of alternately depositing a high refractive index thin film and a low refractive thin film on a transparent substrate to increase the transmittance of the substrate, The visibility of the thin film is secured.
이때, 통상적인 다층 반사 방지 박막의 재료로는 고굴절 박막의 재료로 ITO, SnO2, ZrO2, TiO2, Nb2O5, Y2O3 등이 이용되며, 저굴절 박막 재료로는 SiO2, MgF2 등이 이용된다. 그리고 최종적으로 투명 전도성 박막의 재료로는 투과도 및 전도성이 우수한 ITO가 주로 이용된다. At this time, as the material for the conventional multi-layer anti-reflection films such as ITO, SnO 2, ZrO 2,
이러한 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판의 종래 제조 기술은 스퍼터링 증착법을 이용하고 있으며, 스퍼터링 증착법에 의한 대량 연속식 생산 방식으로서, 기판이 유리 등과 같은 경질 재료일 경우 인라인 스퍼터링 방식으로 대량 생산되고, 기판이 PET등의 필름과 같은 연질 재료일 경우 롤투롤 스퍼터링 방식으로 대량 생산된다.
Conventional manufacturing techniques of a transparent conductive substrate including such a multi-layered antireflection thin film use a sputtering deposition method, and a mass continuous production method by a sputtering deposition method is used. In the case where the substrate is a hard material such as glass, the mass production is performed by an inline sputtering method , And when the substrate is a soft material such as PET or the like, it is mass-produced by a roll-to-roll sputtering method.
한편, 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판의 제조에서 저굴절 박막으로 가장 많이 사용되는 SiO2 박막의 경우 스퍼터링 법으로 증착하는 방법은 크게 두 가지 방법으로 구분된다. On the other hand, in the case of a SiO 2 thin film most commonly used as a low refractive film in the production of a transparent conductive substrate including a multilayer antireflection thin film, there are two methods of depositing by sputtering.
그 첫번째는 SiO2 타겟에 RF(Radio Frequency : 13.56 MHz 주파수의 교류)전원을 인가하는 RF 스퍼터링 방식이며, 두 번째는 Si 타겟을 사용하고 공정가스로 Ar 과 함께 O2 를 공급하는 반응성 스퍼터링 방식이다.The first is an RF sputtering method in which an RF (Radio Frequency: AC with a frequency of 13.56 MHz) is applied to a SiO 2 target, and the second is a reactive sputtering method using an Si target and supplying
그런데 RF 스퍼터링 방식의 경우 증착속도가 아주 낮아서 상당수의 타겟을 사용해야 하므로 장비가 커지고 비용이 증가하게 되는 문제점이 있다. However, in the case of the RF sputtering method, since the deposition rate is very low, a large number of targets must be used, which increases the equipment and increases the cost.
또한 반응성 스퍼터링 방식의 경우 빠른 증착속도와 고품질의 박막 증착을 위해 공급되는 O2 가스의 양이나 플라즈마 전원장치를 매우 정밀하게 제어해야 하므로 부가적인 제어수단과 노력이 필요하며, Si 타겟의 경우 미세 아크 발생에 파손될 우려가 있어 공정에 대단한 주의가 필요한 문제점이 있다. In addition, the reactive sputtering method requires additional control means and efforts to control the amount of O 2 gas supplied for rapid deposition rate and high-quality thin film deposition or the plasma power source device, There is a fear that the process may be damaged, and there is a problem that a great deal of attention needs to be paid to the process.
뿐만 아니라 대부분의 다층 반사 방지 박막은 저굴절 박막을 다른 재료에 비해 두껍게 증착하므로 증착 속도가 빠른 반응성 스퍼터링 방식을 적용 하더라도 다수의 타겟을 사용해야 하기 때문에 생산비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.
In addition, since most of the multilayer antireflection thin films are deposited thicker than other materials, the use of a large number of targets is required to increase the production cost even if a reactive sputtering method with a high deposition rate is used.
한편, 스퍼터링에 비해 증착속도가 매우 빠른 고품질의 SiO2 박막 증착방식으로 플라즈마 화학기상 증착법이 있으나 일반적인 플라즈마 화학기상 증착법의 경우 고속 증착을 위해서 수백mtorr ~ 수torr의 가스 압력 분위기에서 증착이 이루어지는 것으로서, 스퍼터링 방식에 비해 매우 높은 가스 압력 분위기를 유지해야 한다. The plasma CVD method is a high quality SiO 2 thin film deposition method which has a much higher deposition rate than that of sputtering. In general plasma CVD, deposition is performed in a gas pressure atmosphere of several hundreds of mtorr to several torr for rapid deposition. A very high gas pressure atmosphere must be maintained compared to the sputtering method.
이에 따라, 1~15 mtorr 영역에서 증착이 이루어지는 스퍼터링 장비와, 수백mtorr ~ 수torr 영역에서 증착이 이루어지는 플라즈마 화학기상 증착 장비와 조합이 불가능하여 대량생산을 위한 인라인 또는 롤투롤 설비로 구성할 수 없는 문제점이 있다. As a result, it is impossible to combine the sputtering equipment with the deposition in the range of 1 to 15 mtorr and the plasma chemical vapor deposition equipment with the deposition in the range of several hundreds of mtorr to several torr, so that it can not be configured as an inline or roll- There is a problem.
따라서 본 발명의 목적은 스퍼터링 방식으로 고굴절 박막 및 투명 전도성 박막을 증착하면서 스퍼터링 방식과 조합이 가능한 플라즈마 화학기상 증착 방식으로 저굴절 박막을 증착할 수 있는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a transparent conductive substrate manufacturing apparatus including a multilayer antireflection thin film capable of depositing a low refractive film by a plasma chemical vapor deposition method capable of being combined with a sputtering method while depositing a high- .
또한, 고속 생산 및 생산 비용 절감이 이루어짐과 동시에, 장비의 크기와 제작 비용을 최소화하고, 안정적이면서 고품질의 박막 증착이 이루어지는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a transparent conductive substrate manufacturing apparatus including a multilayer antireflection thin film which can achieve high-speed production and reduction in production cost, minimizes the size and manufacturing cost of the apparatus, and stably and high-quality thin film deposition.
상기 목적은 본 발명에 따라, 투명기재에 적어도 한 층씩의 고굴절 박막 및 저굴절 박막과 투명 전도성 박막을 증착하는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치에 있어서, 고굴절 박막 재료 타겟을 이용하여 고굴절 박막을 스퍼터링 증착하는 적어도 하나의 고굴절 박막 증착부; 저굴절 박막 재료 가스 및 적어도 하나의 원통형 플라즈마 캐소드를 이용하여 저굴절 박막을 플라즈마 화학기상 증착하는 적어도 하나의 저굴절 박막 증착부; 투명 전도성 재료 타겟을 이용하여 투명 전도성 박막을 스퍼터링 증착하는 투명 전도성 박막 증착부;를 갖는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치에 의해 달성된다. The above object is achieved by a transparent conductive substrate manufacturing apparatus comprising a multilayer antireflection thin film for depositing at least one high refractive index thin film, a low refractive index thin film and a transparent conductive thin film on a transparent substrate using a high refractive index thin film material target At least one high refractive index thin film deposition unit for sputter depositing a high refractive index thin film; At least one low refractive film deposition unit for plasma-chemical vapor depositing a low refractive film using a low refractive film material gas and at least one cylindrical plasma cathode; And a transparent conductive thin film deposition section for sputter depositing a transparent conductive thin film using a transparent conductive material target.
여기서, 상기 원통형 플라즈마 캐소드는 상기 투명기재에 인접하게 이격 배치되어 회전하며 고주파 전원을 공급받는 원통형 전극과, 상기 원통형 전극 내에 마련되며, 상기 원통형 전극의 외측 일영역에 플라즈마를 발생시키기 위한 자기장 발생 부재를 갖는 것이 바람직하다. Here, the cylindrical plasma cathode may include a cylindrical electrode disposed adjacent to the transparent substrate and rotated and supplied with a high frequency power, a magnetic field generating member provided in the cylindrical electrode, for generating a plasma in an outer region of the cylindrical electrode, .
이때, 상기 원통형 플라즈마 캐소드에 공급되는 고주파 전원은 HF(High Frequency : 3~30 MHz 주파수의 교류)전원이거나 VHF(Very High Frequency : 30~300 MHz 주파수의 교류)전원인 것이 효과적이다. At this time, it is effective that the RF power supplied to the cylindrical plasma cathode is a HF (High Frequency: AC power of 3 to 30 MHz frequency) or VHF (Very High Frequency: AC power of 30 to 300 MHz).
그리고 상기 고굴절 박막 증착부와 상기 저굴절 박막 증착부와 상기 투명 전도성 박막 증착부는 인라인 방식으로 구비될 수 있다. The high-refractive-index thin-film deposition unit, the low-refractive-index thin-film deposition unit, and the transparent conductive thin-film deposition unit may be provided in an in-line manner.
이때, 상기 고굴절 박막 증착부와 상기 저굴절 박막 증착부 사이 영역과, 상기 저굴절 박막 증착부와 상기 투명 전도성 박막 증착부 사이 영역에는 상호 상이한 가스 압력 분위기를 독립시키는 버퍼부가 구비되는 것이 바람직하다. In this case, it is preferable that a buffer unit for isolating gas pressure atmospheres which are different from each other is provided at a region between the high refraction thin film deposition unit and the low refraction film deposition unit, and between the low refraction film deposition unit and the transparent conductive film deposition unit.
또는, 상기 고굴절 박막 증착부와 상기 저굴절 박막 증착부와 상기 투명 전도성 박막 증착부는 롤투롤 방식으로 구비될 수 있다. Alternatively, the high refraction thin film deposition unit, the low refractive film deposition unit, and the transparent conductive thin film deposition unit may be provided in a roll-to-roll manner.
본 발명에 따르면, 스퍼터링 방식으로 고굴절 박막 및 투명 전도성 박막을 증착하면서 스퍼터링 방식과 조합이 가능한 플라즈마 화학기상 증착 방식으로 저굴절 박막을 증착할 수 있는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치가 제공된다. According to the present invention, there is provided a transparent conductive substrate manufacturing apparatus comprising a multilayer antireflection thin film capable of depositing a low refractive film by a plasma chemical vapor deposition method capable of being combined with a sputtering method while depositing a high refractive index thin film and a transparent conductive thin film by a sputtering method / RTI >
또한, 고속 생산 및 생산 비용 절감이 이루어짐과 동시에, 장비의 크기와 제작 비용을 최소화하고, 안정적이면서 고품질의 박막 증착이 이루어지는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치가 제공된다. There is also provided a transparent conductive substrate manufacturing apparatus including a multilayer antireflection thin film which is capable of achieving high-speed production and reduction of production costs, minimizing the size and manufacturing cost of the apparatus, and stably and high-quality thin film deposition.
도 1은 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판의 일예를 도시한 도면,
도 2는 본 발명에 따른 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치의 기본 구성도,
도 3은 도 2의 저굴절 박막 증착부의 일예를 도시한 도면,
도 4는 도 3의 저굴절 박막 증착부를 포함하는 인라인 방식의 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치의 간략도,
도 5는 도 2의 저굴절 박막 증착부의 다른 예를 도시한 도면,
도 6은 도 5의 저굴절 박막 증착부를 포함하는 롤투롤 방식의 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치의 간략도.1 is a view showing an example of a transparent conductive substrate including a multilayer antireflection thin film,
2 is a basic structural view of a transparent conductive substrate manufacturing apparatus including a multilayer antireflection thin film according to the present invention,
FIG. 3 is a view showing an example of a low refractive film deposition unit of FIG. 2,
FIG. 4 is a schematic view of a transparent conductive substrate manufacturing apparatus including an in-line multilayer antireflection thin film including a low refractive film vapor deposition unit of FIG. 3;
FIG. 5 is a view showing another example of the low refractive film deposition unit of FIG. 2,
FIG. 6 is a schematic view of a transparent conductive substrate manufacturing apparatus including a roll-to-roll type multilayer antireflection thin film including the low refractive film vapor deposition portion of FIG. 5;
도 1은 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판의 일예를 도시한 도면으로서, 터치센서용 투명 전도성 기판의 단면을 간략하게 도시한 도면이다. 이하 설명의 편의상 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판을 터치센서용 투명 전도성 기판을 예로 하여 설명한다. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a view showing an example of a transparent conductive substrate including a multilayer antireflection thin film, and is a view showing a cross section of a transparent conductive substrate for a touch sensor. For convenience of explanation, a transparent conductive substrate including a multi-layered antireflection thin film will be described as an example of a transparent conductive substrate for a touch sensor.
도 1에 도시한 바와 같이, 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판(101)은 유리나 아크릴 등의 경질 기재 또는 PET 필름 등의 연질 기재로 마련되는 광투과성 투명기재(120)와, 투명기재(120) 상에 차례로 증착되는 Nb2O5의 고굴절 박막(130)과, SiO2의 저굴절 박막(140), 그리고 ITO의 투명 전도성 박막(150)으로 구성될 수 있다. 1, the transparent
여기서, 투명 전도성 기판(101)은 전술한 바와 같이, 터치센서용을 예로 한 것으로서, 터치센서용 외에 다른 용도의 투명 전도성 기판(101)에서 고굴절 박막(130)의 재료로 ITO, SnO2, ZrO2, TiO2, Nb2O5, Y2O3 등이 이용될 수 있으며, 저굴절 박막 재료로는 SiO2, MgF2 등이 이용될 수 있다. 그리고 투명 전도성 박막(150)의 재료로는 투과도 및 전도성이 우수한 ITO가 주로 이용되지만 경우에 따라 다른 투명 전도성 박막 재료가 이용될 수도 있다.
As described above, the transparent
도 2는 본 발명에 따른 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치의 기본 구성도이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 전도성 기판 제조장치(1)는 투명기재(120)에 고굴절 박막(130)을 스퍼터링 방식으로 증착하는 적어도 하나의 고굴절 박막 증착부(10)와, 고굴절 박막(130) 상에 플라즈마 화학기상 증착 방식으로 저굴절 박막(140)을 증착하는 적어도 하나의 저굴절 박막 증착부(20)와, 최상부에 최종적으로 투명 전도성 박막(150)을 스퍼터링 방식으로 증착하는 투명 전도성 박막 증착부(30)를 포함한다.
2 is a basic structural view of a transparent conductive substrate manufacturing apparatus including a multilayered antireflection thin film according to the present invention. The transparent conductive
고굴절 박막 증착부(10)는 고굴절 박막 재료 타겟(11)을 갖는 스퍼터링 캐소드를 이용하여 일반적인 스퍼터링 방식으로 투명기재(120) 상에 고굴절 박막(130)을 증착하는 부분으로서, 고굴절 박막 재료 타겟(11)은 전술한 바와 같이, 터치센서용 투명 전도성 기판(101)의 경우 Nb2O5타겟을 이용하게 되며, 투명 전도성 기판(101) 용도에 따라 ITO, SnO2, ZrO2, TiO2, Y2O3 등의 타겟을 이용할 수 있다. 이러한 고굴절 박막 증착부(10)의 스퍼터링 증착을 구현하는 구성 및 구조 등은 전술한 바와 같이, 일반적인 고굴절 박막 재료 타겟(11)을 갖는 스퍼터링 캐소드를 이용하는 스퍼터링 방식을 참고할 수 있는 것으로서, 그 자세한 설명은 생략한다.
The high refractive index thin
한편, 저굴절 박막 증착부(20)는 진공챔버 내부에서 투명기재(120)와 인접하게 이격되어 회전하는 원통형 플라즈마 캐소드(21)와 진공챔버 내부로 공급되는 저굴절 박막 재료 가스 간의 플라즈마 화학기상 증착 작용에 의해 고굴절 박막(130) 상에 저굴절 박막(140)을 증착한다. Meanwhile, the low refraction
이때, 저굴절 박막 재료 가스는 전술한 바와 같이, 터치센서용 투명 전도성 기판(101)의 경우 SiO2 박막을 증착하기 위한 가스로 Si을 함유하는 HMDSO, TEOS, SiH4, 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, HMDS, TMOS 등과 산화물 형성용으로 산소, 오존, 아산화질소 등의 가스를 사용할 수 있다. At this time, as described above, in the case of the transparent
여기서 원통형 플라즈마 캐소드(21)는 투명기재(120)에 인접하게 이격 배치되어 회전하며 고주파 전원을 공급받는 원통형 전극(23)과, 원통형 전극(23) 내에 마련되어 플라즈마발생을 위한 자기장을 형성하는 자기장 발생부재(25)로 구성된다. The
이 원통형 플라즈마 캐소드(21)는 회전 가능한 원통형 전극(23) 내부에 자기장 발생부재(25)에 의해 레이스 트랙 형상의 플라즈마 트랙이 발생되는 것으로서, 플라즈마에 의한 원통형 전극(23)의 온도 상승을 억제하기 위해 원통형 전극(23) 내부에 냉각매체가 관류할 수 있다. The
이러한 원통형 플라즈마 캐소드(21)는 표면자기장의 강도가 우수하고 좁은 면적에 자기장을 집중시켜 HF(High Frequency : 3~30 MHz 주파수의 교류) 전원이나 VHF(Very High Frequency : 30~300 MHz 주파수의 교류) 전원의 공급을 통해 고품질의 고밀도 플라즈마를 형성할 수 있으므로 일반적인 스퍼터링의 공정 압력 영역인 1~15 mtorr에서 플라즈마 화학기상 증착공정에 의한 저굴절 박막(140)인 SiO2 박막의 증착을 수행해도 고품질 박막의 고속증착이 가능하다. The
이에 의해, 전술한 스퍼터링 증착 방식의 고굴절 박막 증착부(10) 및 후술할 투명 전도성 박막 증착부(30)와 조합하여 도 4 및 도 6과 같은 대량 생산을 위한 인라인 또는 롤투롤 방식의 투명 전도성 기판 제조 장치를 구성할 수 있다. Thus, in combination with the sputtering deposition type high-refractive-index thin
도 3은 인라인 방식의 투명 전도성 기판 제조 장치에 적용될 수 있는 저굴절 박막 증착부(20)의 일예를 도시한 도면으로서, 경질의 투명기재(120)는 이송수단에 의해 전공정(예컨대, 고굴절 박막 증착부(10))에서 후공정(예컨대, 투명 전도성 박막 증착부(30)으로 이송될 수 있다. 3 is a view showing an example of a low refractive
그리고, 도 5는 롤투롤 방식의 투명 전도성 기판 제조 장치에 적용될 수 있는 저굴절 박막 증착부(20)의 일예를 도시한 도면으로서, 연질의 투명기재(120)는 이송롤에 의해 전공정(예컨대, 고굴절 박막 증착부(10))에서 후공정(예컨대, 투명 전도성 박막 증착부(30)으로 이송될 수 있다.
5 shows an example of a low refraction
투명 전도성 박막 증착부(30)는 고굴절 박막 증착부(10)와 마찬가지로, 투명 전도성 박막 재료 타겟(31)을 갖는 스퍼터링 캐소드를 이용하여 일반적인 스퍼터링 방식으로 저굴절 박막(140) 또는 고굴절 박막(130) 상에 투명 전도성 박막 재료를 증착한다. The transparent conductive thin
투명 전도성 박막 재료 타겟(31)은 전술한 바와 같이, 터치센서용 투명 전도성 기판(101)의 경우 투과도 및 전도성이 우수한 ITO 타겟이 주로 이용되지만 경우에 따라 다른 투명 전도성 박막 재료 타겟(31)이 이용될 수도 있다. 이러한 투명 전도성 박막 증착부(30)의 스퍼터링 증착을 구현하는 구성 및 구조 등 역시, 일반적인 고굴절 박막 재료 타겟(11)을 갖는 스퍼터링 캐소드를 이용하는 스퍼터링 방식을 참고할 수 있는 것으로서, 그 자세한 설명은 생략한다.
As described above, in the case of the transparent
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치(1)가 대량 생산을 위한 인라인 방식 및 롤투롤 방식으로 구현된 예가 각각 도 4에 및 도 6에 도시되어 있다. An example in which the transparent conductive
도 4에 도시된 바와 같이, 인라인 방식의 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치(1')는 경질의 투명기재(120)를 연속적으로 공급하기 위한 로딩스테이지(2)와, 로딩스테이지(2)로부터 투명기재(120)를 공급받아 진공배기한 후 다음 공정으로 이송하기 위한 로딩부(3), 그리고 전술한 바와 같은 고굴절 박막 증착부(10) 및 저굴절 박막 증착부(20)와 투명 전도성 박막 증착부(30)를 구비하며, 증착 공정이 끝난 투명기재(120)를 받아 진공 파기 후 배출하기 위한 언로딩부(4)와, 언로딩부(4)에서 배출되는 투명기재(120)를 받는 언로딩스테이지(5)로 구성될 수 있다. As shown in FIG. 4, a transparent conductive substrate manufacturing apparatus 1 'including an in-line multilayer antireflection thin film comprises a
이때, 로딩부(3)와 각 증착부 및 언로딩부(4) 사이 구간에는 서로 다른 가스 분위기를 독립시키기 위한 버퍼부(6)와, 각 구간에서 투명기재(120)의 이송속도를 조절하는 트랜스퍼부(7)가 포함되는 것이 바람직하다.At this time, a
여기서, 증착부 등의 각 부분은 투명 전도성 기판(101)의 용도 및 목적에 따라서, 각 부분이 한 개 부분 또는 복수의 부분으로 구비될 수 있으며, 또한, 각 부분이 교호적으로 또는 연속적으로 복수개씩 다양한 형태로 배치될 수 있음은 물론이다.
Here, the respective portions such as the evaporation portion and the like may be provided as one portion or a plurality of portions, respectively, depending on the use and purpose of the transparent
한편, 롤투롤 방식의 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치(1")는 도 6에 도시된 바와 같이, 연질의 투명기재(120)를 권출하는 권출부(2')와, 전술한 바와 같은 고굴절 박막 증착부(10) 및 저굴절 박막 증착부(20)와 투명 전도성 박막 증착부(30)를 구비하며, 공정이 완료된 투명기재(120)를 권취하는 권취부(3')로 구성될 수 있다. 6, the transparent conductive
이때, 각 부분 사이 영역 및 각 부분 내부에는 투명기재(120)의 원활한 이송을 위한 가이드롤들이 구비된다. 이 롤투롤 방식 역시, 각 증착부는 투명 전도성 기판(101)의 용도 및 목적에 따라서, 각 부분이 한 개 부분 또는 복수의 부분으로 구비될 수 있으며, 또한, 각 부분이 교호적으로 또는 연속적으로 복수개씩 다양한 형태로 배치될 수 있음은 물론이다.
At this time, guide rolls for smooth transfer of the
이와 같이, 본 발명에 따른 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치는 스퍼터링 방식으로 고굴절 박막 및 투명 전도성 박막을 증착하면서 스퍼터링 방식과 조합이 가능한 원통형 플라즈마 캐소드를 이용하는 플라즈마 화학기상 증착 방식으로 저굴절 박막을 증착할 수 있다. As described above, the transparent conductive substrate manufacturing apparatus including the multilayered antireflection thin film according to the present invention is a plasma chemical vapor deposition (CVD) method using a cylindrical plasma cathode capable of being combined with a sputtering method while depositing a high refractive index thin film and a transparent conductive thin film by a sputtering method. A refractory thin film can be deposited.
그리고 고속 및 고품질의 증착이 가능한 원통형 플라즈마 캐소드를 이용하는 플라즈마 화학 기상 증착 방식으로 저굴절 박막을 증착함으로서 증착 공정의 고속화 및 고품질화를 구현할 수 있다. 또한, 추가의 타겟이나 불안정한 공정 요소 보완을 위한 추가 구성을 배재하여 장비의 크기와 제작비용을 최소화하고, 안정적이면서 고품질의 박막 증착이 이루어진다. Also, by depositing a low refractive film by a plasma chemical vapor deposition (CVD) method using a cylindrical plasma cathode capable of high-speed and high-quality deposition, a high-speed and high-quality deposition process can be realized. In addition, additional configurations for supplementing additional targets or unstable process elements are dispensed with, minimizing equipment size and manufacturing costs, and achieving stable, high-quality thin film deposition.
10 : 고굴절 박막 증착부 20 : 저굴절 박막 증착부
21 : 원통형 플라즈마 캐소드 30 : 투명 전도성 박막 증착부10: high refractive index thin film deposition unit 20: low refractive index film deposition unit
21: Cylindrical plasma cathode 30: Transparent conductive thin film deposition unit
Claims (6)
고굴절 박막 재료 타겟을 이용하여 고굴절 박막을 스퍼터링 증착하는 적어도 하나의 고굴절 박막 증착부;
저굴절 박막 재료 가스 및 적어도 하나의 원통형 플라즈마 캐소드를 이용하여 저굴절 박막을 플라즈마 화학기상 증착하는 적어도 하나의 저굴절 박막 증착부;
투명 전도성 재료 타겟을 이용하여 투명 전도성 박막을 스퍼터링 증착하는 투명 전도성 박막 증착부;
를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치. 1. A transparent conductive substrate manufacturing apparatus comprising a multilayer antireflection thin film for depositing at least one high refractive index thin film and a low refractive index thin film and a transparent conductive thin film on a transparent substrate,
At least one high refractive index thin film deposition unit for sputter depositing a high refractive index thin film using a high refractive index thin film material target;
At least one low refractive film deposition unit for plasma-chemical vapor depositing a low refractive film using a low refractive film material gas and at least one cylindrical plasma cathode;
A transparent conductive thin film deposition unit for sputter depositing a transparent conductive thin film using a transparent conductive material target;
And a multilayer antireflection thin film formed on the transparent conductive substrate.
상기 원통형 플라즈마 캐소드는
상기 투명기재에 인접하게 이격 배치되어 회전하며 고주파 전원을 공급받는 원통형 전극과,
상기 원통형 전극 내에 마련되며, 상기 원통형 전극의 외측 일영역에 플라즈마를 발생시키기 위한 자기장 발생 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치. The method according to claim 1,
The cylindrical plasma cathode
A cylindrical electrode disposed adjacent to the transparent substrate and rotated and supplied with a high frequency power,
And a magnetic field generating member which is provided in the cylindrical electrode and generates a plasma in an outer side region of the cylindrical electrode.
상기 원통형 플라즈마 캐소드에 공급되는 고주파 전원은 HF(High Frequency : 3~30 MHz 주파수의 교류)전원이거나 VHF(Very High Frequency : 30~300 MHz 주파수의 교류)전원인 것을 특징으로 하는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치. 3. The method of claim 2,
Wherein the high frequency power supplied to the cylindrical plasma cathode is a HF (High Frequency: AC power of 3 to 30 MHz frequency) or a VHF (Very High Frequency: AC power of 30 to 300 MHz) Wherein the transparent conductive substrate is a transparent conductive substrate.
상기 고굴절 박막 증착부와 상기 저굴절 박막 증착부와 상기 투명 전도성 박막 증착부는 인라인 방식으로 구비되는 것을 특징으로 하는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the high refractive index thin film deposition unit, the low refractive index film deposition unit, and the transparent conductive thin film deposition unit are provided in an inline manner.
상기 고굴절 박막 증착부와 상기 저굴절 박막 증착부 사이 영역과, 상기 저굴절 박막 증착부와 상기 투명 전도성 박막 증착부 사이 영역에는 상호 상이한 가스 압력 분위기를 독립시키는 버퍼부가 구비되는 것을 특징으로 하는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치. 5. The method of claim 4,
Wherein a buffer space is provided between the high refraction thin film deposition unit and the low refraction film deposition unit and between the low refraction film deposition unit and the transparent conductive film deposition unit to separate gas pressure atmospheres different from each other. And a protective film formed on the transparent conductive substrate.
상기 고굴절 박막 증착부와 상기 저굴절 박막 증착부와 상기 투명 전도성 박막 증착부는 롤투롤 방식으로 구비되는 것을 특징으로 하는 다층 반사 방지 박막을 포함하는 투명 전도성 기판 제조장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the high refraction thin film deposition unit, the low refractive film deposition unit, and the transparent conductive thin film deposition unit are provided in a roll-to-roll manner.
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