KR20140092123A - Wavelength-selective light sensor and sensing method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
실시예들은 파장 선택적 광 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 실시예들은 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton)의 여기를 이용하여 특정 파장대에서 광흡수를 증폭하기 위한 회절격자형태의 인터디지테이티드(interdigitated) 전극을 포함하는 광 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 방법에 대한 것이다. Embodiments relate to a wavelength selective light sensing sensor and a sensing method using the same. More particularly, embodiments provide a light sensing sensor comprising an interdigitated electrode in the form of a diffraction grating for amplifying light absorption at a specific wavelength band using excitation of a surface plasmon polariton, and And a sensing method using the same.
적외선 감지 센서는 여러 가지 분야에 적용될 수 있다. 파장 대역 약 3 ㎛ 내지 약 5 ㎛ 대역의 중적외선 감지 기술은 실내외의 대기에서 CO, CO2, NO2, SO2와 같은 기체의 정량 분석에 유용하여, 다양한 종류의 관련 센서가 활용되고 있다. 이들 기체의 정량화를 위해서는, 특정 파장대에서 민감하게 반응하는 파장 선택성 및 광흡수 특성이 우수해야 한다. 그 중 PbSe, PbS 광전도층을 이용하는 적외선 센서가 약 3 ㎛ 내지 약 5 ㎛의 중적외선의 감지에 많이 활용되고 있다. 그러나, 이러한 적외선 센서는 파장 선택성이 우수하지 않아 좁은 대역(narrow band)의 적외선(IR) 필터를 반드시 이용해야 하며, 이 파장대역에서 적외선의 충분한 흡수를 위해 적외선 흡수층의 두께가 약 1 ㎛ 이상으로 두껍다. Infrared detection sensors can be applied to various fields. The mid-infrared detection technology in the wavelength band of about 3 탆 to about 5 탆 is useful for the quantitative analysis of gases such as CO, CO 2 , NO 2 , and SO 2 in indoor and outdoor air, and various kinds of related sensors are utilized. In order to quantify these gases, wavelength selectivity and light absorption characteristics that are sensitive to specific wavelength ranges should be excellent. Among them, infrared sensors using PbSe and PbS photoconductive layers are widely used for detection of middle infrared rays of about 3 탆 to about 5 탆. However, such an infrared sensor is not excellent in wavelength selectivity and a narrow band infrared (IR) filter must be used. In order to sufficiently absorb infrared rays in this wavelength band, the thickness of the infrared absorbing layer should be about 1 탆 or more thick.
만약 광전도층의 파장 선택성을 우수하게 할 수 있다면, 좁은 대역의 IR 필터를 사용할 필요가 없거나 보다 저가인 광대역 IR 필터를 사용할 수 있게 된다. 또한, 파장 선택성이 우수할 경우 온도 변화에 의한 노이즈가 줄어들 수 있어 적외선 감지 성능이 우수해진다. 나아가, 수십 nm에서 수백 nm의 광전도층을 사용하게 되는 경우 광전도층 재료의 소비량이 종래보다 크게 적어지게 되어, 재료 사용량 및 공정 시간의 저감으로 광 센서 제조 비용을 낮출 수 있는 방법이 될 수 있다. If the wavelength selectivity of the photoconductive layer can be made excellent, it is not necessary to use a narrow band IR filter or a lower cost wide band IR filter can be used. Further, when the wavelength selectivity is excellent, the noise due to the temperature change can be reduced, and the infrared ray detection performance is excellent. Furthermore, when a photoconductive layer of several tens nm to several hundreds of nm is used, the consumption amount of the photoconductive layer material is greatly reduced compared with the conventional one, and the cost of manufacturing the optical sensor can be reduced by reducing the amount of materials used and the process time have.
한편, 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상은 적당한 조건하에서 유전체 내 나노미터 크기의 금속입자 또는 유전체와 금속박막의 경계면에서 발생될 수 있으며, 금속입자 또는 금속박막 근처의 광학장을 증폭시킨다. 유전체와 금속박막의 계면에서 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton)을 여기시키기 위한 방법으로는 나노 회절격자를 이용하는 방법이 있다. 나노 회절격자의 배열 주기의 조절을 통하여, 표면 플라즈몬 폴라리톤을 여기시킬 수 있는 입사빔의 파장을 변조할 수 있다. Surface plasmon resonance phenomena, on the other hand, can occur at the interface between nanometer-sized metal particles or dielectrics and metal thin films in a dielectric under appropriate conditions, and amplify optical fields near metal particles or thin metal films. As a method for exciting the surface plasmon polariton at the interface between the dielectric and the metal thin film, there is a method using a nano diffraction grating. Through the adjustment of the arrangement period of the nano-diffraction grating, the wavelength of the incident beam which can excite the surface plasmon polariton can be modulated.
본 발명의 일 측면에 따르면, 중적외선 대역에서 우수한 파장 선택성을 가지며 박형의 광전도층을 이용하여 특정 파장 대역에서 높은 광흡수 특성을 갖는 광 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a light sensing sensor having a high wavelength selectivity in a mid-infrared band and a high light absorption characteristic in a specific wavelength band using a thin photoconductive layer, and a sensing method using the same.
일 실시예에 따른 광 감지 센서는, 제1 인터디지테이티드(interdigitated) 전극; 제2 인터디지테이티드 전극; 및 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층을 포함하되, 상기 광전도층에 입사된 입사광에 의해, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 플라리톤이 여기되도록 구성될 수 있다. According to one embodiment, a photo-sensing sensor comprises: a first interdigitated electrode; A second interdigitated electrode; And a photoconductive layer in contact with each of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode, wherein the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode are separated by incident light incident on the photoconductive layer, And the surface plasmon platelet is excited at the interface of the photoconductive layer and at the interface of the second interdigitated electrode and the photoconductive layer.
일 실시예에 따른 센싱 방법은, 제1 인터디지테이티드 전극 및 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층에 입사광을 입사시키는 단계; 상기 입사광이 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시키는 경우, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 폴라리톤을 여기시키는 단계; 및 상기 광전도층에 의한 상기 입사광의 광흡수를 측정하는 단계를 포함할 수 있다. A sensing method according to an embodiment includes the steps of: injecting incident light into a photoconductive layer in contact with a first interdigitated electrode and a second interdigitated electrode, respectively; The surface plasmon polariton is excited at the interface between the first interdigitated electrode and the photoconductive layer and at the interface between the second interdigitated electrode and the photoconductive layer when the incident light satisfies the surface plasmon resonance condition ; And measuring light absorption of the incident light by the photoconductive layer.
본 발명의 일 측면에 따른 광 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 방법에 의하면, 종래에 비해 훨씬 얇은 광전도층을 이용하여 중적외선 약 3 ㎛ 내지 약 5 ㎛ 대역 파장대의 빛을 선택적으로 흡수함으로써, 상기 대역에서 광흡수를 보이는 기체를 민감하게 감지할 수 있다. 이러한 파장 선택적 광 감지 기술은 대기 환경 모니터링을 위한 오염 기체 감지 기술 등에 적용될 수도 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a light sensing sensor and a sensing method using the light sensing sensor. The light sensing sensor selectively absorbs light of a wavelength range of about 3 탆 to about 5 탆, Can be sensitive to gases that absorb light. Such a wavelength selective light sensing technique may be applied to a polluted gas sensing technology for atmospheric environment monitoring.
도 1은 일 실시예에 따른 광 감지 센서의 평면도이다.
도 2는 도 1에서 도시된 광 감지 센서의 인터디지테이티드(interdigitated) 전극을 도시하는 사시도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 광 감지 센서에서 광학계산영역을 도시하는 단면도이다.
도 5 및 도 6은 광학계산을 통해 구한 광전도층의 광흡수 스펙트럼을 도시하는 그래프이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 평면도이다. 1 is a plan view of a photodetector sensor according to an embodiment.
2 is a perspective view showing an interdigitated electrode of the photo-sensing sensor shown in Fig. 1. Fig.
3 is a cross-sectional view of a photo-sensing sensor according to another embodiment.
4 is a sectional view showing an optical calculation region in the light sensing sensor shown in Fig.
5 and 6 are graphs showing the light absorption spectra of the photoconductive layer obtained through optical calculations.
7 is a cross-sectional view of a photo-sensing sensor according to another embodiment.
8 is a cross-sectional view of a photo-sensing sensor according to another embodiment.
9 is a plan view of a photo-sensing sensor according to another embodiment.
이하에서, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 상세히 살펴본다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 일 실시예에 따른 광 감지 센서의 평면도이다.1 is a plan view of a photodetector sensor according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 광 감지 센서는 제1 인터디지테이티드(interdigitated; IDT) 전극(10), 제2 IDT 전극(20) 및 광전도층(30)을 포함할 수 있다. 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20)은 기판(50)상에 위치할 수 있다. 일 실시예에서 기판(50)은 실리콘(silicon)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20)은 각각 빗살 형태의 전극 부분을 포함하여 서로 맞물릴 수 있다. 광전도층(30)은 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20)이 빗살 형태로 맞물린 영역상에 위치할 수 있다. 1, a photo-sensing sensor according to an embodiment may include a first interdigitated (IDT)
일 실시예에서, 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20) 각각은 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20) 각각은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 등의 귀금속, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 천이 금속, 또는 다른 적당한 금속으로 이루어질 수 있으며, 이들 중 2 이상의 물질의 조합으로 이루어질 수도 있다. 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)은 적외선에 대한 회절격자의 역할을 하여 특정 파장에서 광전도층(30)의 광흡수를 증폭시키며, 이는 상세히 후술한다. In one embodiment, each of the
일 실시예에서, 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20) 각각은 UV 노광기를 이용한 리소그래피(lithography) 방법, 나노 임프린팅(nano-imprinting) 또는 나노 간섭 리소그래피(nano-interference lithography) 등의 나노 리소그래피 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 그러나, 이는 예시적인 것으로서, 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)은 다른 상이한 금속 가공 기술에 의하여 형성될 수도 있다. In one embodiment, each of the
일 실시예에서, 광전도층(30)은 유전체로 이루어질 수 있다. 예컨대, 광전도층(30)은 황화납(PbS) 또는 셀레늄화납(PbSe)으로 이루어질 수 있다. 또한 일 실시예에서, 광전도층(30)은 박먁 형태로 구성될 수 있다. 예컨대, 광전도층(30)의 두께는 약 100 nm 이상 약 1 ㎛ 이하일 수 있다. In one embodiment, the
이상과 같이 구성된 광전도층(30)을 통하여 입사광이 입사될 수 있다. 입사광은 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20)의 길이 방향에 수직한 편광을 가질 수도 있다. 본 명세서에서 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20)의 길이 방향이란, 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20)에서 서로 맞물린 빗살 형태의 전극의 길이 방향을 지칭하는 것으로서, 도 1에서 D1으로 도시된다. 입사광은 약 3 ㎛ 내지 약 5 ㎛의 파장 대역을 포함하는 중적외선일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 광전도층(30)에 의하여 입사광의 흡수가 일어난다. The incident light can be incident through the
제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)에서 빗살 형태의 전극의 배열 주기, 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)의 구성 원소, 광전도층(30)의 두께 등이 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 조건을 만족하는 경우, 공명 파장에서 광전도층(30)에 의한 입사광의 흡수가 선택적으로 증폭될 수 있다. 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)에서 빗살 형태의 전극의 배열 주기, 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)의 구성 원소, 광전도층(30)의 두께가 공명 조건을 만족하는 경우 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20) 각각과 광전도층(30)의 계면에서 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton)이 여기된다. 표면 플라즈몬 폴라리톤은 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20) 표면 근처의 광학장을 증폭시켜, 광전도층(30)에 의한 광흡수를 증가시킨다. The arrangement period of the comb-shaped electrodes in the first and
광전도층(30)에 흡수된 빛은 광전도층(30) 내의 전하 농도를 증가시키고, 이로 인해 광전도층(30)의 저항이 감소한다. 일 실시예에서, 광 감지 장치는 광전도층(30)의 이러한 저항 감소를 측정하기 위한 전기 장치(40)를 포함할 수도 있다. 전기 장치(40)는 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)에 전기적으로 연결될 수 있다. 광흡수에 의해 변화된 광전도층(30)의 저항이 전기 장치(40)에 의해 측정되며, 측정된 저항 변화를 통해 중적외선을 감지할 수 있다. 전기 장치(40)에 의해 측정된 저항 변화는 신호 전달 및 처리부(미도시)에 의하여 처리되어 감지 결과로 출력될 수 있다. Light absorbed in the
따라서, 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)에서 빗살 형태의 전극의 배열 주기, 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)의 구성 원소, 광전도층(30)의 두께 중 하나 이상을 조절함으로써 표면 플라즈몬 공명이 여기되는 입사광의 파장을 제어할 수 있다. 에컨대, 광전도층(30)의 두께를 적절히 조절함으로써 약 3 ㎛ 내지 약 5 ㎛ 파장 대역의 중적외선에 대한 광전도층(30)의 광흡수를 선택적으로 증폭시켜, 파장 선택적 적외선 센서를 구현할 수 있다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 실시예들에 따른 광 감지 센서에서 광흡수를 증폭시키는 파장 대역은 전술한 것에 한정되는 것은 아니다. Therefore, at least one of the arranging period of the comb-shaped electrodes in the first and
도 2는 일 실시예에 따른 광 감지 센서에서 제1 IDT 전극 및 제2 IDT 전극을 도시하는 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a first IDT electrode and a second IDT electrode in the photo-sensing sensor according to one embodiment.
도 2를 참조하면, 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)은 각각 서로 맞물린 빗살 형태의 전극(100, 200)을 포함할 수 있다. 빗살 형태의 전극(100, 200)은 일 방향(D1)으로 연장되며, 각각 복수 개가 상기 일 방향(D1)과 수직한 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 일 실시예에서, 빗살 형태의 전극(100, 200) 각각의 폭(W)은 약 100 nm이상 약 1 ㎛ 이하일 수 있다. 또한, 빗살 형태의 전극(100, 200) 각각의 두께(t)는 약 50 nm일 수 있다. 또한, 복수 개의 빗살 형태의 전극(100) 또는 복수 개의 빗살 형태의 전극(200)의 배열 주기(T)는 약 0.5 ㎛ 이상 약 5 ㎛ 미만일 수 있다. Referring to FIG. 2, the first and
그러나 이는 예시적인 것으로서, 다른 실시예에서 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)의 형태 및 크기는 도 2에 도시된 것과 상이할 수도 있으며, 입사광에서 광흡수를 증폭하고자 하는 파장 대역 또는 광흡수를 통하여 감지하고자 하는 물질의 특성에 따라 적절히 결정될 수 있다. However, in an alternative embodiment, the shape and size of the first and
도 3은 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 단면도이다. 이하에서 도 3 또는 다른 도면을 참조하여 기재되는 실시예들의 설명에 있어서, 도 1에 도시된 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 설명의 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 3 is a cross-sectional view of a photo-sensing sensor according to another embodiment. In the following description of the embodiments described with reference to FIG. 3 or other drawings, the same elements as those of the embodiment shown in FIG. 1 will not be described in order to avoid duplication of description.
도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 광 감지 센서는 광전도층(30)상에 위치하는 패시베이션(passivation)층(31)을 포함할 수 있다. 패시베이션층(31)은 광전도층(30)을 외부로부터 보호하기 위한 층으로서, 입사광이 광전도층(30)에 전달될 수 있도록 패시베이션층(31)은 적외선 영역에서 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 패시베이션층(31)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(Si3N4) 또는 다른 적당한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 파장 선택성을 높이기 위하여 패시베이션층(31)의 상부 또는 하부에 좁은 대역의 IR 필터(미도시)가 더 포함될 수도 있다. Referring to FIG. 3, a photodetector sensor according to an exemplary embodiment may include a
또한, 일 실시예에 따른 광 감지 센서는 기판(50)과 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20) 사이에 위치하는 절연층(32)을 더 포함할 수 있다. 절연층(32)은 SiO2, Si3N4 또는 다른 적당한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 절연층(32)은 기판(50)상에 약 300 nm의 두께로 형성될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the photo-sensing sensor according to an embodiment may further include an
도 4는 도 3에 도시된 광 감지 센서에서 광학계산영역을 도시하는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 적외선 영역에서 투명한 패시베이션층(31)을 통하여 광전도층(30)에 입사광을 조사하면서, 영역(A)에 대하여 유한차분시간영역(Finite-Difference Time-Domain; FDTD) 방법을 이용하여 광흡수를 계산할 수 있다. FDTD 계산이 수행된 영역(A)에서 좌우 경계조건은 대칭 조건이고, 상하부의 조건은 완전흡수 조건(perfectly matched layer)이다.4 is a sectional view showing an optical calculation region in the light sensing sensor shown in Fig. Referring to FIG. 4, a finite-difference time-domain (FDTD) method is applied to the region A while irradiating incident light on the
도 5 및 도 6은 전술한 FDTD 광학계산을 통해 구한 광전도층의 광흡수 스펙트럼을 도시한다. Figs. 5 and 6 show the light absorption spectra of the photoconductive layer obtained through the above-described FDTD optical calculation.
도 6의 그래프는, 일 실시예에 따라, 실리콘 기판위에 약 300 nm의 SiO2 절연층, 금(Au)으로 이루어진 한 쌍의 IDT 전극, PbSe 광전도층 및 SiO2 패시베이션층이 순차적으로 적층된 구조체를 이용하여 얻어졌다. IDT 전극에서 빗살 형태의 전극의 폭은 약 500 nm, 두께는 약 50 nm, 배열 주기는 약 2 ㎛가 되도록 하였다. 입사광의 전기장은 IDT 전극의 길이 방향에 대해 수직한 편광을 갖도록 하으며, PbSe 광전도층의 두께를 약 150 nm, 약 200 nm, 약 250 nm 및 약 300 nm로 각각 설정하여 광흡수 스펙트럼을 산출하였다. 한편, 도 5의 그래프는 비교를 위하여 상기 구조체에서 IDT 전극만을 제거한 구조에서 동일한 조건을 이용하여 얻어졌다.The graph of FIG. 6 is a graph showing the relationship between the thickness of the SiO 2 insulating layer, the thickness of the IDT electrode, and the thickness of the PbSe photoconductive layer and the SiO 2 passivation layer, which are sequentially stacked on the silicon substrate, Structure. In the IDT electrode, the width of the comb-shaped electrode was about 500 nm, the thickness was about 50 nm, and the arrangement period was about 2 μm. The electric field of the incident light has a polarization perpendicular to the longitudinal direction of the IDT electrode. The thickness of the PbSe photoconductive layer is set to about 150 nm, about 200 nm, about 250 nm, and about 300 nm, Respectively. Meanwhile, the graph of FIG. 5 was obtained by using the same conditions in a structure in which only the IDT electrode was removed from the structure for comparison.
도 6에 도시되는 바와 같이, IDT 전극과 접촉하고 있는 광전도층의 광흡수는 표면 플라즈몬 공명으로 인하여 특정 파장대에서 강한 흡수 피크를 보인다. 또한, 광전도층의 두께가 두꺼워질수록 흡수 피크의 파장이 장파장으로 이동하는 것을 확인할 수 있다. 이는 IDT 전극 표면에서 여기되는 표면 플라즈몬 공명 파장이 광전도층의 두께에 따라 민감하게 변화하며, 유효 광학 상수가 증가할수록 표면 플라즈몬 폴라리톤의 공명 주파수가 감소하기 때문이다. 따라서, 광전도층의 두께를 조절함으로써 흡수 피크가 나타나는 파장 대역을 조절할 수 있다.As shown in Fig. 6, the light absorption of the photo conductive layer in contact with the IDT electrode shows a strong absorption peak at a specific wavelength band due to surface plasmon resonance. In addition, it can be confirmed that as the thickness of the photoconductive layer increases, the wavelength of the absorption peak shifts to a longer wavelength. This is because the resonance wavelength of the surface plasmon excited at the surface of the IDT electrode changes sensitively according to the thickness of the photoconductive layer, and the resonance frequency of the surface plasmon polariton decreases as the effective optical constant increases. Therefore, by adjusting the thickness of the photoconductive layer, the wavelength band at which the absorption peak appears can be adjusted.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 단면도이다. 도 7을 참조하면, 광 감지 센서에서 IDT 전극(10, 20) 및 광전도층(30) 등을 지지하는 기판(60)은 투명한 유리 기판으로 이루어질 수도 있다. 7 is a cross-sectional view of a photo-sensing sensor according to another embodiment. Referring to FIG. 7, the
도 8은 또 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 단면도이다. 도 8을 참조하면, 제1 IDT 전극(10) 및 제2 IDT 전극(20)은 서로 상이한 평면상에 위치할 수도 있다. 예컨대, 제1 IDT 전극(10)은 광전도층(30)의 상부에 위치하고, 제2 IDT 전극(20)은 광전도층(30)의 하부, 즉, 절연층(32) 상에 위치할 수 있다. 도 8에 도시된 실시예에서, 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)은 각각의 빗살 형태의 전극 부분이 서로 평행하게 배열되도록 위치되나, 이에 한정되는 것은 아니다. 8 is a cross-sectional view of a photo-sensing sensor according to another embodiment. Referring to FIG. 8, the
도 9는 또 다른 실시예에 따른 광 감지 센서의 평면도이다. 도 9에 도시된 실시예는 도 8에 도시된 실시예에서 제1 및 제2 IDT 전극(10, 20)의 배열 형태를 변화시킨 것이다. 즉, 제1 IDT 전극(10)은 광전도층(30)의 상부에 위치하고, 제2 IDT 전극(20)은 광전도층(30)의 하부에 위치하되, 제1 IDT 전극(10)과 제2 IDT 전극(20) 각각의 빗살 형태의 전극은 서로 수직한 방향으로 연장되어 서로 교차할 수 있다. 9 is a plan view of a photo-sensing sensor according to another embodiment. In the embodiment shown in FIG. 9, the arrangement of the first and
이상에서 설명한 실시예들에 따른 광 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 방법에 의하면, 종래에 비해 훨씬 얇은 광전도층을 이용하여 중적외선 약 3 ㎛ 내지 약 5 ㎛ 대역 파장대의 빛을 선택적으로 흡수함으로써, 상기 대역에서 광흡수를 보이는 기체를 민감하게 감지할 수 있다. 이러한 파장 선택적 광 감지 기술은 대기 환경 모니터링을 위한 오염 기체 감지 기술 등에 적용될 수도 있다. According to the photodetection sensor and the sensing method using the photodetector according to the embodiments described above, light of a wavelength band of about 3 탆 to about 5 탆 in the middle infrared ray is selectively absorbed by using a much thinner photoconductive layer than in the prior art, It can sensitively detect gases that absorb light in the band. Such a wavelength selective light sensing technique may be applied to a polluted gas sensing technology for atmospheric environment monitoring.
이상에서 살펴본 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러나, 이와 같은 변형은 본 발명의 기술적 보호범위 내에 있다고 보아야 한다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. However, it should be understood that such modifications are within the technical scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
Claims (17)
제2 인터디지테이티드 전극; 및
상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층을 포함하되,
상기 광전도층에 입사된 입사광에 의해, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 플라리톤이 여기되도록 구성된 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
A first interdigitated electrode;
A second interdigitated electrode; And
And a photoconductive layer in contact with each of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode,
The surface of the first interdigitated electrode and the photoconductive layer is excited by the incident light incident on the photoconductive layer and the surface plasmon plastone is excited at the interface between the second interdigitated electrode and the photoconductive layer Wherein the light-sensing sensor comprises:
상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극이 빗살 형태로 맞물린 영역을 더 포함하되,
상기 광전도층은 상기 영역상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
The first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode are further provided with an interdigitated area,
Wherein the photoconductive layer is located on the region.
상기 제1 인터디지테이티드 전극은 상기 광전도층의 제1 면과 접촉하며,
상기 제2 인터디지테이티드 전극은 상기 광전도층에서 상기 제1 면과 상이한 제2 면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first interdigitated electrode is in contact with a first side of the photoconductive layer,
And the second interdigitated electrode is in contact with a second surface different from the first surface in the photoconductive layer.
상기 제1 인터디지테이티드 전극, 상기 제2 인터디지테이티드 전극 및 상기 광전도층을 지지하는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
Further comprising a substrate supporting the first interdigitated electrode, the second interdigitated electrode, and the photoconductive layer.
상기 기판은 실리콘 또는 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
5. The method of claim 4,
Wherein the substrate is made of silicon or glass.
상기 기판과 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 사이에 위치하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
5. The method of claim 4,
Further comprising an insulating layer positioned between the substrate and the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode.
상기 광전도층상에 위치하는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
And a passivation layer disposed on the photoconductive layer.
상기 광전도층의 두께는 100 nm 이상 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the photoconductive layer is 100 nm or more and 1 占 퐉 or less.
상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각은, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein each of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode is selected from the group consisting of gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), aluminum (Al), and copper Or a combination of two or more thereof.
상기 광전도층은 황화납(PbS) 또는 셀레늄화납(PbSe)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the photoconductive layer is made of lead sulfide (PbS) or selenium telluride (PbSe).
상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각은 복수 개의 빗살 형태의 전극을 포함하며,
상기 복수 개의 빗살 형태의 전극의 배열 주기는 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein each of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode includes a plurality of comb-shaped electrodes,
Wherein the arrangement period of the plurality of comb-shaped electrodes is in the range of 0.5 탆 or more and less than 5 탆.
상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각은 복수 개의 빗살 형태의 전극을 포함하며,
상기 복수 개의 빗살 형태의 전극 각각의 폭은 100 nm 이상 1 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method of claim 1, wherein
Wherein each of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode includes a plurality of comb-shaped electrodes,
Wherein the width of each of the plurality of comb-shaped electrodes is 100 nm or more and less than 1 占 퐉.
상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극에 전기적으로 연결되어, 상기 광전도층을 통한 전기 저항을 측정하는 전기 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서.
The method according to claim 1,
Further comprising an electrical device electrically connected to the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode for measuring electrical resistance through the photoconductive layer.
상기 입사광이 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시키는 경우, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 폴라리톤을 여기시키는 단계; 및
상기 광전도층에 의한 상기 입사광의 광흡수를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법.
Introducing incident light into the photoconductive layer in contact with each of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode;
The surface plasmon polariton is excited at the interface between the first interdigitated electrode and the photoconductive layer and at the interface between the second interdigitated electrode and the photoconductive layer when the incident light satisfies the surface plasmon resonance condition ; And
And measuring the light absorption of the incident light by the photoconductive layer.
상기 광전도층에 의한 상기 입사광의 광흡수를 측정하는 단계는, 상기 광전도층을 통한 전기 저항을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein measuring the optical absorption of the incident light by the photoconductive layer comprises measuring electrical resistance through the photoconductive layer.
상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극의 형상, 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극의 구성 물질, 및 상기 광전도층의 두께 중 하나 이상을 조절함으로써 상기 광전도층의 광흡수 피크가 나타나는 파장 대역을 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the shape of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode, the constituent material of the first interdigitated electrode and the second interdigitated electrode, and the thickness of the photoconductive layer And controlling a wavelength band at which a light absorption peak of the photoconductive layer appears.
상기 광전도층의 광흡수 피크가 나타나는 파장 대역은 3 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 센싱 방법.17. The method of claim 16,
Wherein a wavelength band in which a light absorption peak of the photoconductive layer appears is 3 占 퐉 or more and 5 占 퐉 or less.
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021146467A1 (en) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | Hoon Kim | Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor using light absorbing layer having split conduction band and valence band |
| US11777042B2 (en) | 2020-01-14 | 2023-10-03 | Hoon Kim | Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor |
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