KR20140086125A - 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 - Google Patents

프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 다수의 화소영역을 구비된 표시영역이 정의된 투명한 절연기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 각 화소영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 제 2 보호층을 개재하여 이의 하부 및 상부에 각각 형성되며, 각 화소영역에 대응하여 제 1 방향을 기준으로 대칭성을 갖는 형태의 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극 및 상기 각 화소영역별로 상기 제 1 방향으로 장축을 갖는 다수의 제 2 개구가 일정간격 이격하며 구비된 화소전극을 포함하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.

Description

프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판{Array subsDAte for fringe field switching mode liquid crystal display device}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 화소전극과 공통전극 간의 스토리지 용량 크기를 저감시키는 동시에 공정 오차로 화소전극 또는 공통전극이 쉬프트 되더라도 스토리지 용량의 변화를 억제하며, 나아가 화소전극과 공통전극간의 중첩 부위 차이에 발생에 의해 프린지 필드 자체의 변형을 억제하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
액정표시장치(liqudi crystal display device: LCD)는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 표시소자로, 휴대 전자기기의 표시부나, 컴퓨터의 모니터 또는 텔레비전 등에 널리 사용된다.
액정은 가늘고 긴 분자구조를 가지고 있어, 배향에 방향성을 가지며 전기장 내에 놓일 경우 그 크기 및 방향에 따라 분자배열 방향이 변화된다.
따라서, 액정표시장치는 전계생성전극이 각각 형성된 두 기판 사이에 액정층이 위치하는 액정패널을 포함하며, 두 전극 사이에 생성되는 전기장의 변화를 통해서 액정분자의 배열방향을 인위적으로 조절하고, 이에 따른 광 투과율을 변화시켜 여러 가지 화상을 표시한다.
일반적으로, 액정표시장치는 다수의 배선과 스위칭 소자 및 화소전극이 형성된 어레이 기판과, 컬러필터 및 공통전극이 형성된 컬러필터 기판을 포함하며, 두 기판 사이의 액정분자는 화소전극과 공통전극 사이에 유도되는 전기장, 즉, 기판에 대해 수직한 방향의 수직 전계에 의해 구동된다.
그러나, 수직 전계에 의해 액정을 구동하는 방식은 시야각 특성이 우수하지 못한 문제가 있다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 횡전계형 액정표시장치가 제안되었다. 횡전계형 액정표시장치에서는 화소전극과 공통전극이 동일 기판 상에 엇갈리게 형성되어, 두 전극 사이에 기판에 대해 평행한 방향의 수평 전계가 유도된다. 따라서, 액정분자는 수평 전계에 의해 구동되어, 기판에 대해 평행한 방향으로 움직이며, 이러한 횡전계형 액정표시장치는 향상된 시야각을 가진다.
하지만, 이러한 횡전계형 액정표시장치는 개구율 및 투과율이 낮은 단점이 있다.
따라서, 횡전계형 액정표시장치의 단점을 개선하기 위하여, 프린지 필드(fringe field)에 의해 액정을 구동하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(fringe field switching mode LCD)가 제안되었다.
도 1은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 하나의 화소영역에 대한 평면도이며, 도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(1)은 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 게이트 배선(43)및 데이터 배선(51)이 형성되어 있다.
그리고, 각 화소영역에는 상기 게이트 배선(43) 및 데이터 배선(51)과 연결되는 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있으며, 또한 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극과 연결되는 화소전극(60)이 형성되어 있다.
또한, 상기 화소전극(60)과 절연층을 재재하여 중첩하여 표시영역 전면에 공통전극(75)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극(75)은 화소영역 내에 바(bar) 형태의 다수의 개구(op)를 가진다.
여기서, 중첩 형성된 상기 공통전극(75)과 화소전극(60) 및 이들 두 구성요소 사이에 개재된 제 1 보호층은 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 이룬다.
이러한 구조의 어레이 기판을 포함하는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에서는, 상기 화소전극(60) 및 공통전극(75)에 각각 신호 전압 및 공통 전압이 인가될 경우, 중첩하는 상기 화소전극(60)과 공통전극(75) 사이에 프린지 필드(Fringe field)가 형성된다.
따라서, 전극 위에 위치하는 액정 분자까지도 모두 동작되므로, 횡전계형 액정표시장치에 비해 향상된 투과율 및 개구율을 얻을 수 있다.
그런데, 이러한 구성을 갖는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에서는 상기 화소전극(60)과 공통전극(75) 사이에 형성되는 스토리지 커패시터가 화소영역(P) 전체에 걸쳐 형성되므로, 횡전계형 액정표시장치에 비해 3 내지 5배 정도 큰 용량(capacitance)을 가지게 된다.
한편, 스토리지 커패시터의 용량이 너무 클 경우, 충전 시간이 짧은 고해상도 모델이나, 고주파수 모델에서는 충전을 하기가 어렵다.
따라서, 이러한 문제를 해결하고자 도 3(종래의 또 다른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역 일부에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 서로 중첩 형성되는 화소전극(82)과 공통전극(86)에 각각 동일한 방향으로 장축을 갖는 다수의 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)를 형성하는 것을 특징으로 하는 다른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(80)이 제안되었다.
이러한 구성을 갖는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(10)의 경우, 화소전극(82)과 공통전극(86)에 각각 서로 중첩하는 형태로 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)가 구비됨으로서 화소전극(82)과 공통전극(86)간의 중첩영역을 저감시켜 스토리지 용량을 줄일 수 있으므로 충전 시간이 짧은 고해상도 모델에 적용이 가능하다.
하지만, 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)가 구비된 종래의 또 다른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(80)의 경우 상기 화소전극(82)과 공통전극(86)의 패터닝 오차가 발생되는 경우, 도 4(종래의 또 다른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 화소전극 또는 공통전극이 공정 오차에 의해 쉬프트 되어 형성되었을 시 프린지 필드를 도시한 도면)에 도시한 바와같이, 상기 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)의 위치가 일치하지 않게 됨으로서 프린지 필드가 일측으로 치우친 형태가 되며, 나아가 화소영역별로 화소전극(82)과 공통전극(86)간의 중첩 면적이 달라지게 되어 스토리지 커패시터의 용량차이가 발생됨으로서 얼룩 불량을 야기시키는 문제가 발생되고 있다.
본 발명은 이러한 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 패터닝 오차가 발생되더라도 중첩하는 공통전극과 화소전극의 면적 변화가 없어 균일한 스토리지 커패시터 용량을 유지함으로서 얼룩 불량 발생을 억제하고, 나아가 스토리지 커패시터의 용량을 저감시켜 대면적의 고해상도 모델 및 고주파 모델에 적용할 수 있는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은, 다수의 화소영역을 구비된 표시영역이 정의된 투명한 절연기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 각 화소영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 제 2 보호층을 개재하여 이의 하부 및 상부에 각각 형성되며, 각 화소영역에 대응하여 제 1 방향을 기준으로 대칭성을 갖는 형태의 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극 및 상기 각 화소영역별로 상기 제 1 방향으로 장축을 갖는 다수의 제 2 개구가 일정간격 이격하며 구비된 화소전극을 포함한다.
이때, 상기 제 1 개구는 마름모, 정다각형, 원, 타원 중 어느 하나의 형태인 것이 특징이며, 상기 제 1 개구가 마름모 형태인 경우, 상기 마름모의 대각선 길이는 상기 제 2 개구의 폭과 동일한 것이 특징이며, 상기 마름모 형태의 제 1 개구는 그 대각선이 상기 제 2 개구의 단축 방향과 일치하도록 배치된 것이 특징이다.
그리고, 상기 제 1 방향은 상기 데이터 배선 또는 게이트 배선의 연장 방향인 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 보호층은 평탄한 표면을 가지며 형성된 것이 특징이며, 상기 제 1 보호층 상부에는 상기 공통전극이 구비되며, 상기 제 2 보호층 상부에는 상기 화소전극이 구비된 것이 특징이다.
또한, 상기 공통전극에는 상기 각 박막트랜지스터에 대응하여 제 3 개구가 더욱 구비된 것이 특징이다.
본 발명은 화소전극 및 공통전극에 각각 개구를 형성하여 이들 두 전극 사이에 형성되는 스토리지 커패시터의 용량을 감소시킴으로서 대면적, 고해상도 모델 및 고주파 모델에 적용할 수 있는 장점을 갖는다.
나아가 상기 공통전극에 형성되는 개구의 형태와 화소전극에 구비되는 개구의 형태를 달리함으로서 화소전극과 공통전극 형성 시 패터닝 오차가 발생되어 화소전극 또는 공통전극이 일방향으로 치우쳐 형성된다 하더라도 각 화소영역 내에 화소전극과 공통전극이 중첩하는 면적은 동일하게 유지됨으로서 일정한 스토리지 커패시터 용량을 갖게 되므로 얼룩 불량을 억제하는 효과가 있다.
도 1은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 하나의 화소영역에 대한 평면도.
도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 3은 종래의 또 다른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역 일부에 대한 단면도.
도 4는 종래의 또 다른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 화소전극 또는 공통전극이 공정 오차에 의해 쉬프트 되어 형성되었을 시 프린지 필드를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소 영역에 대한 평면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역에 구비되는 화소전극을 도시한 평면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역에 구비되는 공통전극을 도시한 평면도.
도 8은 도 5를 절단선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역 내의 일부를 확대 도시한 도면으로서 정상적으로 화소전극 및 공통전극이 형성된 상태와 상기 공통전극과 화소전극 중 어느 하나의 전극이 일방향으로 쉬프트되어 형성된 상태를 나타낸 도면.
도 10a 내지 도 10f는 도 5를 절단선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 구성에 대해 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소 영역에 대한 평면도이며, 도 6과 도 7은 각각 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역에 구비되는 화소전극과 공통전극을 각각 도시한 평면도이며, 도 8은 도 5를 절단선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 각 화소영역(P)에 있어 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 부분을 소자영역(DA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)에는 제 1 방향으로 연장하며 저저항 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금(MoTi) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어진 게이트 배선(103)이 형성되고 있다.
그리고 각 화소영역(P) 내의 소자영역에 있어서는 상기 게이트 배선(103)과 연결된 게이트 전극(105)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 게이트 배선(103)과 게이트 전극(105) 위로 게이트 절연막(110)이 기판(101) 전면에 구비되고 있으며, 상기 게이트 절연막(110) 위로 상기 게이트 배선(103)과 교차하며 데이터 배선(130)이 형성되고 있다.
이때, 상기 게이트 배선(103)과 데이터 배선(130)이 교차하여 포획되는 영역이 화소영역(P)이 되고 있다.
그리고, 각 소자영역(DA)에는 상기 게이트 절연막(110) 위로 상기 게이트 전극(105)에 대응하여 반도체층(120)이 구비되고 있으며, 상기 반도체층(120) 위에서 서로 이격하며 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)이 형성되고 있다. 이때, 상기 소스 전극(133)은 상기 데이터 배선(130)과 연결되고 있다.
상기 각 소자영역(DA)에 순차 적층된 게이트 전극(105)과 게이트 절연막(110)과 반도체층(120)과 서로 이격하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
이때, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 도면에 있어서는 게이트 전극(105)과, 게이트 절연막(110)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 구성된 반도체층(120)과, 상기 반도체층(120) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)으로 구성됨을 일례로 보이고 있지만, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 다양하게 변경될 수 있다.
즉, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 순수 및 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 이중층 구조의 반도체층(120)을 대신하여 산화물 반도체 물질로 이루어진 단일층 구조의 산화물 반도체층(미도시)이 구비되어 게이트 전극과, 게이트 절연막과, 산화물 반도체층과, 에치스토퍼와, 상기 에치스토퍼 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극으로 구성될 수도 있다.
한편, 상기 데이터 배선(130)과 박막트랜지스터(Tr) 위로는 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제 1 보호층(140)과 유기절연물질 예를들면 포토아크릴로 이루어진 제 2 보호층(150)이 평탄한 표면을 이루며 구비되고 있다.
그리고, 상기 제 2 보호층(150) 상부에는 투명도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 공통전극(160)이 구비되고 있다.
이때, 상기 공통전극(160)은 표시영역 전면에 구비되며 각 화소영역(P) 내의 소자영역(DA)을 노출시키는 제 1 개구(op1)를 갖는 것이 특징이며, 나아가 각 화소영역(P)에 대응하여 마름모 형태의 다수의 제 2 개구(op2)가 구비되고 있는 것이 특징이다.
즉, 상기 공통전극(160)은 각 화소영역(P) 대응해서는 상기 게이트 배선(103)을 기준으로 +45도 방향으로 연장하는 바(bar) 형태의 다수의 제 1 패턴(103a)이 일정간격 이격하며 배치되고, 이러한 다수의 제 1 패턴(103a)과 수직하게 교차하며 일정간격 배치된 제 2 패턴(103b)이 구비됨으로서 이들 서로 교차하는 제 1 패턴(103a)과 제 2 패턴(103b)에 의해 포획되는 부분이 상기 제 2 개구(op2)가 되는 것이 특징이다.
이때, 상기 제 2 개구(op2)의 대각선의 길이는 화소전극에 상기 데이터 배선의 연장방향과 나란하게 바(bar) 형태를 가지며 구비되는 제 3 개구의 폭과 동일한 크기를 가지며, 상기 제 3 개구의 단축 방향과 일치하도록 배치되는 것이 특징이다.
다음, 상기 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)를 갖는 공통전극(160) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제 3 보호층(163)이 형성되고 있다.
이때, 상기 제 3 보호층(163)과 제 2 및 제 1 보호층(150, 140)에는 상기 각 소자영역(DA)에 대응하여 각 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(165)이 구비되고 있다.
그리고, 상기 드레인 콘택홀(165)이 구비된 상기 제 3 보호층(163) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며 상기 드레인 콘택홀(165)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하는 화소전극(170)이 각 화소영역(P) 내에 구비되고 있다.
이때, 상기 각 화소전극(170)은 각 화소영역(P) 내에서 일정간격 이격하며 상기 데이터 배선(130)과 나란한 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 3 개구(op3)가 구비되고 있다.
한편, 상기 바(bar) 형태의 제 3 개구(op3)는 그 폭이 상기 공통전극(160)에 구비된 마름모 형태의 제 2 개구(op2)의 대각선 길이와 동일한 크기를 갖는 것이 특징이다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 상기 화소전극(170)과 공통전극(160) 각각은 각 화소영역(P)에 대응하여 제 2 개구(op2) 및 제 3 개구(op3)가 각각 구비됨으로서 각 화소영역(P) 내에서 상기 공통전극(160)과 화소전극(170)이 중첩하는 면적을 줄일 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 상기 공통전극(160)과 화소전극(170)이 중첩하는 면적에 비례하는 스토리지 커패시터 용량을 공통전극 또는 화소전극 중 어느 일측에만 개구를 구비한 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 10) 대비 저감시키게 됨으로서 대면적, 고해상도 및 고주파 모델의 액정표시장치에 적용할 수 있는 장점을 갖는다.
나아가, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 제조 공정 진행 시 패터닝 오차가 발생되어 상기 화소전극(170) 또는 공통전극(160)이 일측으로 쉬프트 되어 형성된다 하더라도 공통전극(160)에 구비되는 제 2 개구(op2)와 화소전극(170)에 구비되는 제 3 개구(op3)의 중첩면적은 항상 일정하게 유지됨으로서 각 화소영역(P)별 스토리지 커패시터 변화량은 발생되지 않으므로 얼룩 발생을 억제하는 효과가 있다.
즉, 도 9(본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역 내의 일부를 확대 도시한 도면으로서 정상적으로 화소전극(170) 및 공통전극(160)이 형성된 상태와 상기 공통전극(160)과 화소전극(170) 중 어느 하나의 전극이 일 방향으로 쉬프트되어 형성된 상태를 나타낸 도면)을 참조하면, 일례로 공통전극(160)이 공정 오차에 의해 좌측으로 소정간격 쉬프트 되어 형성된 경우, 상기 공통전극(160)에 구비된 마름모 형태의 제 2 개구(op2) 중 일부는 상기 화소전극(170) 내에 구비된 어떤 하나의 제 3 개구(op3)(이하 기준 제 3 개구(sop3)라 칭함)를 벗어나 화소전극(170)과 중첩되어 그 면적이 작아지게 되지만, 이렇게 기준 제 3 개구(sop3)와 중첩하는 면적이 작아지는 제 2 개구(op2)와 이웃하는 또 다른 제 2 개구(op2)의 일부가 상기 화소전극(170)에 구비된 기준 제 3 개구(sop3)와 새롭게 중첩됨으로서 공통전극(160)이 쉬프트 되어 형성되더라도 상기 기준 제 3 개구(sop3)와 중첩되는 제 2 개구(op2)의 면적은 항상 일정하게 됨을 알 수 있다.
이러한 원리에 입각하면, 상기 제 3 개구(op3) 간에 위치하는 바(bar) 형태의 화소전극 패턴(170a)을 기준으로 한다 하더라도 동일한 현상이 발생됨으로 각 화소영역(P) 내에서 서로 중첩하는 공통전극의 제 1 및 제 2 패턴(160a, 160b)과 화소전극 패턴(170a)의 면적은 공통 오차가 발생하건 하지 않건 항상 동일한 수준이 됨을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 서로 중첩하는 공통전극(160)과 화소전극(170)간의 면적에 비례하는 스토리지 커패시턴스를 작게 하는 동시에 각 화소영역(P) 내에서 공정 오차 발생 시에도 항상 일정한 스토리지 커패시턴스 용량을 갖게 됨으로서 패터닝 오차에 기인한 각 화소영역(P)별 스토리지 커패시턴스 변화 및 이에 따른 얼룩 불량이 발생되는 것을 억제할 수 있는 효과를 갖는다.
한편, 상기 화소전극(170)에 구비되는 제 3 개구(op3)는 그 배치 방향을 달리할 수 있 즉, 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 제 3 개구(op3)는 그 장축이 상기 데이터 배선(130)과 나란하게 배치된 것을 일례로 보이고 있지만 상기 제 3 개구(op3)는 그 장축이 상기 게이트 배선(103)과 나란하게 배치될 수도 있으며, 나아가 상기 게이트 배선(103) 또는 데이터 배선(130)과 소정의 각도를 가지며 비스듬히 배치될 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 상기 공통전극(160)에 구비되는 제 2 개구(op2)가 마름모 형태인 것을 일례로 나타내었지만, 상기 제 2 개구(op2)의 형태 또한 다양하게 변형될 수 있다.
즉, 상기 공통전극(160)에 구비되는 제 2 개구(op2)는 상기 화소전극(170)에 구비되는 제 3 개구(op3)의 길이 방향을 기준으로 대칭성을 갖는 정다각형 형태 또는 원이나 타원 형태를 이룰 수 있으며, 이러한 경우도 상기 마름모 형태의 제 2 개구(op2)가 형성 것과 동일한 효과를 구현할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)의 경우 화소전극(170)이 최상층에 구비된 픽셀 탑 구조를 일례로 보이고 있지만, 또 다른 변형예로서 상기 공통전극(160)과 화소전극(170)은 그 위치가 바뀌어 형성될 수도 있다.
즉, 상기 제 2 보호층(150) 위로 상기 제 3 개구(op3)를 갖는 화소전극(170)이 형성되고, 상기 제 3 보호층(163) 위로 상기 제 1 및 제 2 개구(op2)를 갖는 공통전극(160)이 형성될 수도 있으며, 이 경우 상기 공통전극(160)에 상기 소자영역에 대응하여 구비되는 제 1 개구(op1)는 생략될 수 있다.
이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 10a 내지 도 10f는 도 5를 절단선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 설명의 편의를 위해 각 화소영역(P)에 있어 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 부분을 소자영역(DA)이라 정의한다.
우선, 도 10a에 도시한 바와같이, 투명한 절연기판(101) 상에 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(MoTi) 중 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성한 후, 이에 대해 포토레지스트의 도포, 노광 마스크를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상, 식각 및 스트립 등의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 일 방향으로 연장하며 일정간격 이격하는 다수의 게이트 배선(미도시)을 형성하고, 나아가 상기 소자영역(DA)에 상기 게이트 배선(미도시)과 연결된 게이트 전극(105)을 형성한다.
이후, 상기 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(105) 위로 상기 기판(101) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막(110)을 형성한다.
다음, 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(110) 위로 순수 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)과 제 2 금속층(미도시)을 형성하고, 이들을 회절노광 또는 하프톤 노광을 포함하는 1회의 마스크 공정을 통해 동시에 패터닝함으로써 상기 화소영역(P) 내의 소자영역(DA)에 상기 게이트 전극(105)에 대응하여 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과, 상기 액티브층(120a) 위로 서로 소정간격 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)과, 상기 오믹콘택층(120b) 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한다.
이때, 이 단계에서 상기 소자영역(DA)에 순차 적층된 상기 게이트 전극(105)과, 게이트 절연막(110)과, 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
그리고, 동시에 상기 게이트 절연막(110) 위로 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)을 형성한다.
이때, 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 반도체층(120)을 1회의 마스크 공정을 통해 형성하게 됨으로서 상기 데이터 배선(130)의 하부에도 상기 액티브층(120a) 및 오믹콘택층(120b)을 이루는 동일한 물질로 이루어진 제 1 및 제 2 더미패턴(121a, 121b)이 형성된다.
한편, 변형예로서 상기 반도체층(120)과 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 서로 다른 마스크 공정을 진행하여 각각 형성할 수도 있다.
즉, 상기 게이트 절연막(110) 상에 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 연속 증착하고 마스크 공정을 진행하여 상기 각 소자영역(DA)에 있어 이중층 구조의 반도체 패턴(미도시)을 우선 형성하고, 이의 상부에 제 2 금속층을 증착한 후 이를 마스크 공정을 통해 패터닝함으로서 서로 이격하는 소스 전극 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한 후, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 사이로 노출된 불순물 비정질 실리콘로 이루어진 반도체 패턴(미도시)을 제거함으로서 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)의 이중층 구조의 반도체층(120)을 형성할 수도 있다.
이렇게 반도체층(120)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 2회의 마스크 공정을 진행하여 형성하는 경우, 상기 데이터 배선(130)의 하부에는 더미 반도체 패턴(121a, 121b)이 형성되지 않는다.
또 다른 변형예로서, 상기 이중층 구조의 반도체층(120)을 대신하여, 산화물 반도체 물질로 이루어진 단일층 구조의 산화물 반도체층(미도시)을 형성하고, 이의 상부에 에치스토퍼(미도시)를 형성한 후, 상기 에치스토퍼(미도시) 상부에서 서로 이격하며 상기 산화물 반도체층(미도시)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(미도시)을 형성할 수도 있다.
다음, 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136) 위로 상기 기판(101) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착함으로써 제 1 보호층(140)을 형성한다.
이러한 무기절연물질로 이루어지는 제 1 보호층(140)은 추후 공정에서 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 제 2 보호층(150)을 형성하는 경우 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136) 사이로 노출되는 액티브층(120a)이 유기물질인 포토아크릴과 직접 접촉함으로서 오염될 수 있으므로 이를 방지하고, 나아가 포토아크릴로 이루어진 제 2 보호층(150)을 패터닝하게 되는 과정에서 노출되는 드레인 전극(136) 등이 유기물질에 오염되어 접촉 불량을 발생시키는 것을 방지하기 위함이다.
이후, 상기 제 1 보호층(140) 위로 유기절연물질 예를들면 저 유전율 값을 갖는 포토아크릴(photo acryl)을 기판 전면에 도포하여 평탄한 표면을 갖는 제 2 보호층(150)을 형성하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)에 대응하는 상기 제 1 보호층(140)을 노출시키는 제 1 홀(hl1)을 형성한다.
상기 제 2 보호층(150)에 상기 제 1 홀(hl1)을 형성하기 위한 마스크 공정은 타 마스크 공정 대비 간략히 진행될 수 있다. 상기 포토아크릴은 그 자체로 감광성 특성을 가지므로 별도의 포토레지스트를 도포할 필요가 없으며, 상기 제 2 보호층(150)을 형성한 후 노광 마스크를 이용한 노광과 현상 공정을 진행함으로서 간단히 상기 제 1 홀이 형성될 수 있다.
다음, 도 10d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 보호층(140) 표면을 노출시키는 제 1 홀(hl1)이 구비된 상기 제 2 보호층(150) 위로 전면에 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하여 제 1 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성한다.
이후, 상기 제 1 투명 도전성 물질층(미도시)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 각 소자영역(DA)에 대응해서 제 1 개구(op1)를 가지며, 각 화소영역(P) 내에 추후 형성되는 화소전극(도 10f의 170) 내에 구비되는 바(bar) 형태의 제 3 개구(도 10f의 op3)의 장축 방향을 기준으로 대칭성을 갖는 다수의 마름모 형태(또는 정 다각형, 원, 타원 형태)의 제 2 개구(op2)를 구비한 공통전극(160)을 형성한다.
이러한 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)를 구비한 공통전극(160)의 평면 구조에 대해서는 도 5와 도 6을 통해 이미 설명하였으므로 생략한다.
다음, 도 10e에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)를 구비한 공통전극(160) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 전면에 증착하여 제 3 보호층(163)을 형성한다.
이후, 상기 제 3 보호층(163)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함과 동시에 상기 제 2 보호층(150)에 구비된 제 1 홀(도 10d의 hl1)에 대응해서는 상기 제 3 보호층(163)과 더불어 동일한 무기절연물질로 이루어진 제 1 보호층(140)까지 함께 식각함으로서 상기 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(165)을 형성한다.
다음, 도 10f에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 콘택홀(165)이 구비된 상기 제 3 보호층(163) 상부로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 전면에 증착하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 화소영역(P) 별로 판 형태를 가지며 상기 드레인 콘택홀(165)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하며, 각 화소영역(P) 내에서 상기 데이터 배선(130) 또는 게이트 배선(미도시)과 나란하게 배치되거나 또는 이들 배선(130, 미도시)에 대해 소정의 각도를 가지며 기울어지게 배치며 일정간격 이격하는 바(bar) 형태의 다수의 제 3 개구(op3)를 갖는 화소전극(170)을 형성함으로서 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)을 완성한다.
이러한 방법에 의해 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 총 6회 또는 7 회의 마스크 공정을 통해 제조될 수 있다.
한편, 화소전극(170)과 공통전극(160)은 그 위치가 바뀌어 형성될 수 있으며, 이러한 변형예의 경우 상기 제 2 보호층(150)을 형성하는 단계에서 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(165)을 형성하고, 상기 공통전극(160)을 형성하는 단계에서 상기 드레인 콘택홀(165)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하는 화소전극(170)을 각 화소영역(P)별로 형성하고, 상기 화소전극(170)을 형성하는 단계에서 공통전극(160)을 형성함으로서 완성할 수 있다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
101 : 어레이 기판
103 : 게이트 배선
105 : 게이트 전극
130 : 데이터 배선
133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극
160 : 공통전극
160a, 160b : (공통전극의)제 1 및 제 2 패턴
170 : 화소전극
op1, op2, op3 : 제 1, 2, 3 개구
Tr : 박막트랜지스터

Claims (8)

  1. 다수의 화소영역을 구비된 표시영역이 정의된 투명한 절연기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;
    상기 각 화소영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과;
    상기 제 1 보호층 위로 제 2 보호층을 개재하여 이의 하부 및 상부에 각각 형성되며, 각 화소영역에 대응하여 제 1 방향을 기준으로 대칭성을 갖는 형태의 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극 및 상기 각 화소영역별로 상기 제 1 방향으로 장축을 갖는 다수의 제 2 개구가 일정간격 이격하며 구비된 화소전극
    을 포함하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개구는 마름모, 정다각형, 원, 타원 중 어느 하나의 형태인 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 개구가 마름모 형태인 경우, 상기 마름모의 대각선 길이는 상기 제 2 개구의 폭과 동일한 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 마름모 형태의 제 1 개구는 그 대각선이 상기 제 2 개구의 단축 방향과 일치하도록 배치된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 방향은 상기 데이터 배선 또는 게이트 배선의 연장 방향인 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층은 평탄한 표면을 가지며 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층 상부에는 상기 공통전극이 구비되며, 상기 제 2 보호층 상부에는 상기 화소전극이 구비된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 공통전극에는 상기 각 박막트랜지스터에 대응하여 제 3 개구가 더욱 구비된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
KR1020120156236A 2012-12-28 2012-12-28 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 KR101969428B1 (ko)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005338388A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置およびその製造方法
KR20110048333A (ko) * 2009-11-02 2011-05-11 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR20110076725A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 엘지디스플레이 주식회사 광시야각 액정표시장치용 어레이 기판

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005338388A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置およびその製造方法
KR20110048333A (ko) * 2009-11-02 2011-05-11 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR20110076725A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 엘지디스플레이 주식회사 광시야각 액정표시장치용 어레이 기판

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110579914A (zh) * 2019-09-24 2019-12-17 上海中航光电子有限公司 异形显示面板及显示装置

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