KR20140079085A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140079085A
KR20140079085A KR1020120148660A KR20120148660A KR20140079085A KR 20140079085 A KR20140079085 A KR 20140079085A KR 1020120148660 A KR1020120148660 A KR 1020120148660A KR 20120148660 A KR20120148660 A KR 20120148660A KR 20140079085 A KR20140079085 A KR 20140079085A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
chambers
region
exhaust member
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020120148660A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102037922B1 (ko
Inventor
이은탁
이승한
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020120148660A priority Critical patent/KR102037922B1/ko
Publication of KR20140079085A publication Critical patent/KR20140079085A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102037922B1 publication Critical patent/KR102037922B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 공정 챔버 내부의 기체를 배기하는 장치를 포함한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 내부 공간이 형성된 복수개의 챔버 및 상기 챔버와 연결되고, 상기 챔버 내부의 기체를 배기시키는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버의 일측에 위치하며, 상기 내부 공간과 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체, 상기 복수개의 챔버와 상기 몸체를 연결하는 복수개의 유체 이동 라인, 상기 몸체 내부 공간을 제1영역과 제2영역으로 구분하는 분리판, 일단은 상기 제1영역에 제공되고, 타단은 상기 몸체의 외부와 연결되는 제1 배기 부재 및 일단은 상기 제2영역에 제공되고, 타단은 상기 몸체의 외부와 연결되는 제2 배기 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 공정 챔버 내부의 기체를 배기하는 장치를 포함한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 평판 표시 장치를 제조하기 위한 공정들 중, 포토리소그래피 공정은 기판에 감광막을 도포하는 도포 공정과 도포된 감광막을 건조하는 베이크 공정을 포함한다.
베이크 공정을 수행하는 장치는 상하방향으로 적측된 복수개의 챔버들을 포함한다. 기판은 챔버들 내부에 각각 제공되며, 챔버 내에서 감광액이 건조된다. 베이크 공정이 수행되는 동안, 감광막에 잔류하는 유기용제가 증발되어 가스 상태로 챔버 내부에 잔류한다. 가스는 각 챔버들과 연결된 배기 유닛의 배기압력에 의해 외부로 배기된다.
챔버들이 상하방향으로 적층됨으로 인하여, 각 챔버들에 전달되는 배기압력을 균일하게 하는 것이 용이하지 않다. 각 챔버들에 서로 상이한 크기의 배기 압력이 전달되는 경우, 챔버들로부터 배기되는 가스의 유량이 달라지며, 이러한 유량 차이는 감광막의 건조량을 상이하게 한다.
본 발명은 복수개의 챔버들에서 기판이 균일하게 처리될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 복수개의 챔버들에서 공정가스가 균일하게 배기될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 내부 공간이 형성된 복수개의 챔버 및 상기 챔버와 연결되고, 상기 챔버 내부의 기체를 배기시키는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버의 일측에 위치하며, 상기 내부 공간과 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체, 상기 복수개의 챔버와 상기 몸체를 연결하는 복수개의 유체 이동 라인, 상기 몸체 내부 공간을 제1영역과 제2영역으로 구분하는 분리판, 일단은 상기 제1영역에 제공되고, 타단은 상기 몸체의 외부와 연결되는 제1 배기 부재 및 일단은 상기 제2영역에 제공되고, 타단은 상기 몸체의 외부와 연결되는 제2 배기 부재를 포함한다.
상기 제1 배기 부재와 상기 제2 배기 부재는 각각 유량을 제어할 수 있는 제어 밸브를 포함할 수 있다.
상기 복수개의 챔버가 적층되어 위치하고, 상기 제1영역은 상기 제2영역보다 상부에 위치할 수 있다.
상기 제1영역은 적층된 상기 챔버들 중에서 상부 영역에 적층된 상기 챔버들과 연결되고, 상기 제2영역은 적층된 상기 챔버들 중에서 하부 영역에 적층된 상기 챔버들과 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 복수개의 챔버들에서 기판이 균일하게 처리될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 복수개의 챔버들에서 공정가스가 균일하게 배기될 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 변형예를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 변형예를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지부(110), 그리고 배기 유닛(200)을 포함한다.
챔버(100) 내부에는 공간(130)이 형성된다. 챔버(100)의 내부공간(130)은 기판(W) 처리가 수행되는 공간으로 제공된다. 예컨데, 기판(W) 처리는 기판(W)을 가열하는 베이크 공정일 수 있다. 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 챔버(100)의 내부로 기판(W)이 이송되는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 일 예에 의하면, 챔버(100)는 복수개가 상하방향으로 적층될 수 있다. 챔버(100a 내지 100d)들은 상하방향으로 서로 이격되어 위치될 수 있다.
챔버(100a 내지 100d)들의 내부에는 각각 기판 지지부(110a 내지 110d)가 제공된다. 기판 지지부(110a 내지 110d)는 기판(W)을 지지한다. 기판(W)은 기판 지지부(110a 내지 110d)의 상면에 놓인다. 기판(W)은 반도체 제조 공정에 제공되는 웨이퍼 또는 평판 디스플레이용 패널일 수 있다. 기판 지지부(110a 내지 110d)의 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 외부 전원에서 공급된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 기판 지지부(110a 내지 110d)를 통해 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 가열한다. 기판(W)으로 전달된 열은 기판(W) 표면에 도포된 감광막을 건조시킨다. 감광막이 건조되는 과정에서 감광막에 잔류하는 유기용제가 기화되어 챔버(100a 내지 100d) 내부에는 가스가 발생한다. 발생된 가스는 배기 유닛(200)을 통해 챔버(100a 내지 100d) 외부로 배기된다.
배기 유닛(200)은 몸체(210), 유체 이동 라인(220a 내지 220d), 배기 부재(230), 배기 라인(240), 그리고 감압 부재(250)를 포함한다. 몸체(210)는 챔버(100a 내지 100d)들의 일측에 위치한다. 몸체(210)는 챔버(100a 내지 100d)들이 적층된 높이에 상응하는 높이로 제공된다. 몸체(210) 내부에는 공간이 형성된다. 일 예에 의하면, 몸체(210) 내부에 분리판(270)이 위치한다. 분리판(270)은 몸체(210) 내부를 제1영역(211)과 제2영역(212)으로 나눈다. 분리판(270)은 몸체(210)의 중앙에 위치할 수 있다. 이때 제1영역(211)은 분리판(270)의 상부 영역이고, 제2영역(212)은 분리판(270)의 하부 영역일 수 있다. 이에 따라, 제1영역(211)에 연결된 챔버(100)들은 상부 영역(h1)으로, 제2영역(212)에 연결된 챔버(100)들은 하부 영역(h2)으로 구분될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 영역(h1)의 챔버(100)의 수와 하부 영역(h2)의 챔버(100)의 수가 동일하게 제공될 수 있다. 이와 달리, 분리판(270)은 제1영역(211)과 제2영역(212)에 연결된 챔버(100)의 수가 다르게 제공되도록 위치될 수도 있다. 본 실시예에서는 분리판(270)이 하나만 제공되나, 이와 달리 복수개의 분리판(270)이 제공될 수 있다. 이러한 경우는 몸체(210) 내부를 복수개의 영역으로 구분할 수 있다.
몸체(210)와 챔버(100a 내지 100d)들 사이에는 유체 이동 라인(220a 내지 220d)이 제공된다. 유체 이동 라인(220a 내지 220d)은 상하방향을 따라 이격하여 복수개 제공된다. 유체 이동 라인(220a 내지 220d)들 각각은 챔버(100a 내지 100d) 내부와 몸체(210) 내부를 연결한다. 유체 이동 라인(220a 내지 220d)들에 의하여 챔버(100a 내지 100d) 내부는 몸체(210) 내부와 연통된다. 챔버(100a 내지 100d) 내부에 머무르는 가스는 유체 이동 라인(220a 내지 220d)을 통하여 몸체(210) 내부로 이동한다. 일 예에 의하면, 유체 이동 라인(220a 내지 220d)은 몸체(210)의 제1영역(211)과 상부 영역(h1)의 챔버들(100a, 100b)을 각각 연결하고, 제2영역(212)과 하부 영역(h2)의 챔버들(100c, 100d)을 각각 연결할 수 있다.
몸체(210) 내부에는 복수개의 배기 부재(230)가 제공된다. 복수개의 배기 부재(230)는 분리판(270)에 의해 나누어진 영역마다 제공된다. 따라서 배기 부재(230)는 몸체(210) 내부의 구분된 영역의 수와 동일하게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 배기 부재(230)는 제1 배기 부재(231)와 제2 배기 부재(232)를 포함한다. 제1 배기 부재(231)의 상단은 제1영역(211)에 제공되고, 제2 배기 부재(232)의 상단은 제2영역(212)에 제공된다. 제1 배기 부재(231)와 제2 배기 부재(232)는 각각 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 제1 배기 부재(231)와 제2 배기 부재(232)는 서로 상이한 길이를 가진다. 제1 배기 부재(231)와 제2 배기 부재(232)는 내부에 배기홀(231a, 232a)이 각각 형성된다. 배기홀(231a, 232a)의 상단은 서로 상이한 높이에 위치한다. 배기홀(231a, 232a)이 형성된 배기 부재(231, 232)의 상면은 경사면(231b, 232b)으로 제공될 수 있다. 경사면(231b, 232b)은 챔버(100a 내지 100d)들과의 거리가 가까워질수록 그 높이가 점점 높아지도록 상향 경사질 수 있다. 경사면(231b, 232b)은 챔버(100a 내지 100d)들과의 거리가 상대적으로 먼 몸체(210)의 일 측벽을 향하여 경사진다. 배기 부재(231, 232)들은 서로 상이한 외경을 가질 수 있다. 예컨대, 배기홀(231a)의 높이가 상대적으로 높게 위치하는 제1 배기 부재(231)가 제2 배기 부재(232)보다 큰 외경을 가질 수 있다.
제1 배기 부재(231)와 제2 배기 부재(232)의 하단은 각각 배기 라인(240)과 연결된다. 배기 라인(240)에는 감압 부재(250)와 제어 밸브(260)가 설치된다. 배기 라인(240)은 제1 배기 부재(231)와 연결되는 제1 배기 라인(241), 제2 배기 부재(232)와 연결되는 제2 배기 라인(242), 감압 부재(250)와 연결되는 제3 배기 라인(243) 그리고 제 3 배기 라인(243)에서 제1 배기 라인(241)과 제2 배기 라인(242)으로 분기되는 분기점(245)을 포함한다.
감압 부재(250)는 진공압을 형성한다. 진공압은 배기 라인(240)과 배기 부재(231, 232)에 순차적으로 인가되어, 몸체 내부(211,212)에 머무르는 가스를 외부로 배기한다. 배기 부재(231, 232)들의 배기홀(231a, 232a) 각각에는 동일한 크기의 진공압이 인가될 수 있다. 제어 밸브(260)는 배기 라인(240)의 개방 정도를 조절하여 배기홀(231a, 232a)에 인가되는 진공압의 크기를 조절한다. 일 예에 의하면, 제어 밸브(260)는 제1 배기 부재(231)와 제2 배기 부재(232)에 별도로 제공된다. 따라서, 제1 배기 부재(231)에 연결되는 제1 제어 밸브(261)는 제1 배기 라인(241)에 위치한다. 제2 배기 부재(232)에 연결되는 제2 제어 밸브(262)는 제2 배기 라인(242)에 위치한다.
제1 배기 부재(231)의 배기홀(231a)은 제1영역(211)에서 상부 영역(h1)에 위치하는 챔버(100a, 100b)들로부터 배출되는 가스를 흡입한다. 그리고, 제2 배기 부재(232)의 배기홀(232a)은 제2영역(212)에서 하부 영역(h2)에 위치하는 챔버(100c, 100d)들로부터 배출되는 가스를 흡입한다. 이와 같이, 배기홀(231a, 232a)들이 분리된 영역(211, 212)에서 각각 가스를 흡입하므로, 각 챔버(100a 내지 100d)들로부터 가스가 균일하게 배기될 수 있다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 변형예를 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10a)는 챔버(100), 기판 지지부(110), 그리고 배기 유닛(200)을 포함한다. 기판 처리 장치(10a)는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 비교할 때 배기 유닛(200)의 배기 부재(2310) 형상에서 차이점이 있다. 그러나 배기 부재(2310) 이외에는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 구성 및 효과가 동일하다. 따라서, 이하에서는 배기 부재(2310)를 중심으로 설명한다.
배기 부재(2310)는 몸체(210) 내부에 제공된다. 복수개의 배기 부재(2310)는 분리판(270)에 의해 나누어진 영역마다 제공된다. 따라서 배기 부재(2310)는 몸체(210) 내부의 구분된 영역의 수와 동일하게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 배기 부재(2310)는 제1 배기 부재(2311)와 제2 배기 부재(2312)를 포함한다. 제1 배기 부재(2311)의 상단은 제1영역(211)에 제공되고, 제2 배기 부재(2312)의 상단은 제2영역(212)에 제공된다. 제1 배기 부재(2311)와 제2 배기 부재(2312)는 각각 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 제1 배기 부재(2311)와 제2 배기 부재(2312)는 서로 상이한 길이를 가진다. 제1 배기 부재(2311)와 제2 배기 부재(2312)는 내부에 배기홀(2311a, 2312a)이 각각 형성된다. 배기홀(2311a, 2312a)의 유입구(2311b, 2312b)는 서로 상이한 높이에 위치한다. 일 예에 의하면, 유입구(2311b, 2312b)는 몸체 내부에서 각 유체 이동 라인(220a 내지 220d)과의 거리가 동일한 위치에 제공될 수 있다. 제1 배기홀(2311a)의 유입구(2311b)는 제1 및 제2 유체 이동 라인(220a 및 220b)과 각각 동일한 거리에 위치할 수 있다. 제2 배기홀(2312a)의 유입구(2312b)는 제3 및 제4 유체 이동 라인(220c 및 220d)과 각각 동일한 거리에 위치할 수 있다. 배기홀(2311a, 2312a)이 형성된 배기 부재(2311, 2312)의 상면은 몸체(210)의 상면과 수평하도록 제공될 수 있다. 배기 부재(2311, 2312)들은 서로 상이한 외경을 가질 수 있다. 예컨대, 배기홀(2311a)의 높이가 상대적으로 높게 위치하는 제1 배기 부재(2311)가 제2 배기 부재(2312)보다 큰 외경을 가질 수 있다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 변형예를 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10b)는 챔버(100), 기판 지지부(110), 그리고 배기 유닛(200)을 포함한다. 기판 처리 장치(10b)는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 비교할 때 배기 유닛(200)의 배기 부재(2320) 형상에서 차이점이 있다. 그러나 배기 부재(2320) 이외에는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 구성 및 효과가 동일하다. 따라서, 이하에서는 배기 부재(2320)를 중심으로 설명한다.
배기 부재(2320)는 몸체(210) 내부에 제공된다. 복수개의 배기 부재(2320)는 분리판(270)에 의해 나누어진 영역마다 제공된다. 따라서 배기 부재(2320)는 몸체(210) 내부의 구분된 영역의 수와 동일하게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 배기 부재(2320)는 제1 배기 부재(2321)와 제2 배기 부재(2322)를 포함한다. 제1 배기 부재(2321)의 상단은 제1영역(211)에 제공되고, 제2 배기 부재(2322)의 상단은 제2영역(212)에 제공된다. 제1 배기 부재(2321)와 제2 배기 부재(2322)는 각각 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 제1 배기 부재(2321)와 제2 배기 부재(2322)는 서로 상이한 길이를 가진다.
제1 배기 부재(2321)와 제2 배기 부재(2322)는 내부에 배기홀(2321a, 2322a)이 각각 형성된다. 제1 배기 부재(2321)와 제2 배기 부재(2322)의 측면에는 유입구(2321b, 2322b)가 위치한다. 일 예에 의하면, 유입구(2321b, 2322b)는 제1 배기 부재(2321)와 제2 배기 부재(2322)의 측면 중에서 유체 이동 라인(220a 내지 220d)들과 마주하는 면에 형성될 수 있다. 또한, 유입구(2321b, 2322b)는 몸체 내부에서 각 유체 이동 라인(220a 내지 220d)과의 거리가 동일한 위치에 제공될 수 있다. 제1 배기홀(2321a)은 제1 배기 부재(2321)에 형성되고, 제1영역(211) 내부에 위치한다. 제1 배기홀(2321a)의 유입구(2321b)는 제1 및 제2 유체 이동 라인(220a 및 220b)과 각각 동일한 거리에 위치할 수 있다. 제2 배기홀(2322a)의 유입구(2322b)는 제3 및 제4 유체 이동 라인(220c 및 220d)과 각각 동일한 거리에 위치할 수 있다. 유입구(2321b, 2322b)들은 서로 상이한 높이에 위치한다. 배기 부재(2321, 2322)들은 서로 상이한 외경을 가질 수 있다. 예컨대, 배기홀(2321a)의 높이가 상대적으로 높게 위치하는 제1 배기 부재(2321)가 제2 배기 부재(2322)보다 큰 외경을 가질 수 있다.
상기 실시예 및 변형예에서는 몸체(210) 내부에 분리판(270)이 1개 제공되고, 분리된 각 영역에 배기 부재(230)가 1개 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 제공되는 분리판(270)과 배기 부재(230)의 수는 이에 한정되지 않는다. 분리판(270)과 배기 부재(230)의 수는 적층되는 챔버(100)들의 수에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 분리판(270)이 복수개 제공되어 몸체(210) 내부를 n개의 영역으로 구분하면, n개의 영역마다 각각 배기 부재(230)가 제공될 수 있다(n은 자연수). 각 영역에 제공되는 배기 부재(230)의 수는 각 영역에 연결된 챔버(100)들의 수에 따라 1개 이상 제공될 수도 있다.
또한, 상기 실시예 및 변형예에서는 각 챔버들에서 감광액 건조 공정이 수행되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 가스 또는 반응 부산물의 배기가 요구되는 다양한 기판 처리 장치에 적용될 수 있다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 히터에서 발생된 열이 기판 지지부(110a 내지 110d)를 통해 기판(W)으로 전달되어 기판(W)이 가열된다. 기판(W) 표면에 도포된 감광막은 열에 의해 건조되며, 건조되는 과정에서 감광막에 잔류하는 유기용제가 기화된다. 기화된 유기용제는 가스 상태로 챔버 내부 공간(130a 내지 130d)에 머무른다.
챔버 내부 공간(130a 내지 130d)에 머무르는 가스는, 배기 통로(231a, 232a) 및 배기홀(231b, 232b)에 인가된 진공압에 의해 몸체 내부(211, 212)로 이동한다. 상부 영역(h1)의 챔버들(100a, 100b) 내부의 가스는 제1 및 제2 유체 이동 라인(220a, 220b)을 통해 몸체 내부의 제1영역(211)으로 이동한다. 제1 및 제2 유체 이동 라인(220a, 220b)을 통과한 가스들은 배기홀(231a)에서 제공되는 진공압으로 인하여 유입구(231b)를 향해 이동한다. 가스들은 유입구(231b)를 통해 배기홀(231a)에 흡입된다.
하부 영역(h2)의 챔버들(100c, 100d) 내부의 가스는 제3 및 제4 유체 이동 라인(220c, 220d)을 통해 몸체 내부의 제2영역(212)로 이동한다. 제3 및 제4 유체 이동 라인(220c, 220d)을 통과한 가스들은 배기홀(232a)에서 제공되는 진공압으로 인하여 유입구(232b)를 향해 이동한다. 가스들은 유입구(232b)를 통해 배기홀(232a)에 흡입된다. 배기홀(231a, 231b)에 인가된 진공압이 유체 이동 라인(220a 내지 220d)들 각각에 균일한 크기의 압력으로 제공된다. 유체 이동 라인(220a 내지 220d)에 균일한 압력이 제공되므로 각 챔버(100a 내지 100d) 내부의 가스를 균일한 유속 및 유량으로 배기할 수 있다.
일반적으로, 배기 공정에서 적층된 각 챔버의 높이 차이로 인하여 배기 유닛으로부터 각 챔버로 전달되는 압력이 차이가 발생하게 된다. 이로 인하여, 챔버들로부터 배기되는 가스의 유량이 달라지며, 이러한 유량 차이는 감광막의 건조량을 상이하게 한다.
이를 방지하기 위하여 본 발명은 배기 유닛(200)의 몸체(210)를 높이에 따라 복수의 영역(211, 212)으로 분리한다. 분리된 각 영역(211, 212)에 각각 배기 부재(231, 232)를 연결하고, 각 영역별로 배기 압력을 달리하여 가스를 배기한다. 이로 인하여 하나의 배기 부재(231, 232)로부터 진공압이 전달되는 챔버의 수가 줄어들게 된다. 따라서 배기 부재(231, 232)의 위치, 제공되는 진공압 등을 조절하여 각 챔버(100a 내지 100d) 내부에서 배출되는 가스의 유량 및 유속을 균일하게 조절할 수 있다. 상술한 가스 배기 과정에 의하여, 각 챔버(100a 내지 100d)들 내부에 머무르는 가스가 안정적으로 배기된다. 이를 통해 챔버(100a 내지 100d)들 각각에서 처리되는 기판 처리 정도가 균일해질 수 있고, 제품의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100, 110, 120: 챔버 110, 131, 132: 기판 지지부
200: 배기 유닛 210: 몸체
220: 유체 이동 라인 230: 배기 부재
250: 감압 부재

Claims (2)

  1. 기판 처리 공정이 수행되는 내부 공간이 형성된 복수개의 챔버; 및
    상기 챔버와 연결되고, 상기 챔버 내부의 기체를 배기시키는 배기 유닛;을 포함하되,
    상기 배기 유닛은
    상기 챔버의 일측에 위치하며, 상기 내부 공간과 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체;
    상기 복수개의 챔버와 상기 몸체를 연결하는 복수개의 유체 이동 라인;
    상기 몸체 내부 공간을 제1영역과 제2영역으로 구분하는 분리판;
    일단은 상기 제1영역에 제공되고, 타단은 상기 몸체의 외부와 연결되는 제1 배기 부재; 및
    일단은 상기 제2영역에 제공되고, 타단은 상기 몸체의 외부와 연결되는 제2 배기 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배기 부재와 상기 제2 배기 부재는 각각 유량을 제어할 수 있는 제어 밸브를 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020120148660A 2012-12-18 2012-12-18 기판 처리 장치 KR102037922B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120148660A KR102037922B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120148660A KR102037922B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140079085A true KR20140079085A (ko) 2014-06-26
KR102037922B1 KR102037922B1 (ko) 2019-10-29

Family

ID=51130398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120148660A KR102037922B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102037922B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170055765A (ko) * 2015-11-12 2017-05-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20200110516A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003263A (ko) * 1998-06-26 2000-01-15 윤종용 반도체 베이크 설비
KR20100089317A (ko) * 2009-02-03 2010-08-12 세메스 주식회사 베이크 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003263A (ko) * 1998-06-26 2000-01-15 윤종용 반도체 베이크 설비
KR20100089317A (ko) * 2009-02-03 2010-08-12 세메스 주식회사 베이크 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170055765A (ko) * 2015-11-12 2017-05-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20200110516A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US11756817B2 (en) 2019-03-13 2023-09-12 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102037922B1 (ko) 2019-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7030144B2 (ja) 対称プラズマ処理チャンバ
KR101656333B1 (ko) 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 기억 매체
TW201841208A (zh) 基板處理設備
TWI722725B (zh) 具有更均勻的邊緣清洗的基板支撐件
US10727096B2 (en) Symmetric chamber body design architecture to address variable process volume with improved flow uniformity/gas conductance
JP5977274B2 (ja) バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具
KR101267884B1 (ko) 기판 처리 장치
TW201448026A (zh) 具有溫控之多充氣部噴淋頭
KR102586611B1 (ko) 다중 압력 방식들을 위한 동심 펌핑을 갖는 장치
CN102217055B (zh) 衬底处理方法及衬底处理装置
TWI796030B (zh) 具有串接處理區域的電漿腔室
TWI735907B (zh) 處理腔室與泵送系統
CN105742211A (zh) 基板处理装置
KR20140079085A (ko) 기판 처리 장치
KR101885104B1 (ko) 기판 처리 장치
WO2016185984A1 (ja) 処理システム
CN103681410B (zh) 用于处理基板的装置
US8377206B2 (en) Apparatus and method of forming semiconductor devices
KR102554732B1 (ko) 이너 월 및 기판 처리 장치
WO2015111329A1 (ja) 基板処理装置、シャワープレート及び基板処理方法
WO2021157374A1 (ja) シャワーヘッド及び基板処理装置
KR102315663B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101364196B1 (ko) 배치식 원자층 증착장치 및 이를 포함하는 클러스터형 원자층 증착장치
KR102389748B1 (ko) 리드 고정 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TW202228476A (zh) 減壓乾燥裝置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant