KR20140059344A - Environmentally friendly polishing slurry for sti process and substrate or wafer polishing method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 친환경 STI 공정용 연마 슬러리 및 이를 이용한 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a polishing slurry for an environmentally friendly STI process and a method for polishing a substrate or a wafer using the same.
반도체 소자가 다양해지고 고집적화됨에 따라 더욱 미세한 패턴 형성 기술이 사용되고 있으며, 그에 따라 반도체 소자의 표면 구조가 더욱 복잡해지고 표면 막들의 단차도 더욱 커지고 있다. 반도체 소자를 제조하는 데 있어서 기판 상에 형성된 특정한 막에서의 단차를 제거하기 위한 평탄화 기술로서 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP) 공정이 이용된다. 예를 들어, 층간 절연을 위해 과량으로 성막된 절연막을 제거하기 위한 공정으로 ILD(interlayer dielectronic)와, 칩(chip)간 절연을 하는 STI(shallow trench isolation)용 절연막의 평탄화를 위한 공정 및 배선, 컨택 플러그, 비아 컨택 등과 같은 금속 도전막을 형성하기 위한 공정으로서 많이 사용되고 있다.As the semiconductor devices are diversified and highly integrated, a finer pattern forming technique is used, thereby complicating the surface structure of the semiconductor device and increasing the step difference of the surface films. A chemical mechanical polishing (CMP) process is used as a planarization technique for removing a step in a specific film formed on a substrate in manufacturing a semiconductor device. For example, a process for removing an insulating film excessively formed for interlayer insulation includes a process for interlayer dielectronic (ILD), a process for planarization of an insulating film for STI (shallow trench isolation) A contact plug, a via contact, or the like.
CMP 공정에 있어서 고선택비, 연마 속도, 분산 안정성, 연마 표면의 평탄화도, 마이크로-스크래치(micro scratch)의 발생 정도가 중요하며, CMP 공정 조건, 연마 슬러리의 종류, 연마 패드의 종류 등에 의해 결정된다. The polishing rate, the stability of polishing, the degree of planarization of the polishing surface, and the degree of occurrence of micro scratches are important in the CMP process and are determined depending on the CMP process conditions, the type of polishing slurry, the type of polishing pad, do.
종래 기술에서 다결정 연마 입자를 이용하는 경우, 다결정 형태의 연마 입자가 단결정 형태로 부숴지면서 기판 또는 웨이퍼 상에 증착된 산화막과 화학 반응을 이룬 후 패드와의 기계적인 마찰력에 의하여 떨어져 나가는 연마 공정에서, 연마 입자의 응집이 증가하면 증가할수록 다결정이 단결정으로 부숴지는 과정과, 응집되었던 2차 입자가 더 작은 2차 혹은 1차 입자로 부숴지는 과정에서 수많은 마이크로 스크래치가 발생할 수 있다. 또한, 종래 기술에서는 연마 입자들을 어떻게 분산을 시키는지에 대한 세부적인 고찰이 부족한 실상이다. 특히 슬러리의 응집으로 인하여 생성된 거대입자가 유발할 수 있는 마이크로 스크래치를 고려한다면 연마 슬러리를 분산시키는 것은 매우 중요하다. 그러나 종래 기술의 경우 분산제의 종류 및 분산 기기 등에 대하여서는 언급되어 있지만 분산을 시키기 위해 첨가하는 분산제에 대한 구체적인 고찰이 부족하다.
In the case of using the polycrystalline abrasive grains in the prior art, in the polishing process in which the polycrystalline abrasive grains are crushed into a single crystal form and are chemically reacted with the oxide film deposited on the substrate or wafer and then separated by the mechanical frictional force with the pad, As the agglomeration of the particles increases, the number of micro scratches can occur in the course of breaking the polycrystals into a single crystal and in the process of collapsing secondary particles into smaller secondary particles or primary particles. Further, in the prior art, a detailed consideration on how to disperse abrasive particles is lacking. Especially, it is very important to disperse the polishing slurry considering the micro-scratch that can be caused by the large particles generated by the agglomeration of the slurry. However, in the case of the prior art, the kind of the dispersant and the dispersing device are mentioned, but the specific consideration of the dispersant added for dispersing is lacking.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 좁고 균일한 입도 분포를 지니며 응집이 없는 분산 안정화된 슬러리를 제공함으로써 마이크로 스크래치를 최소화할 수 있고, 안정성을 향상시키며 환경친화성을 확보하는 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법을 제공하고자 한다.It is an object of the present invention to provide a dispersion stabilized slurry having a narrow and uniform particle size distribution and free from agglomeration, thereby minimizing micro-scratches, improving stability, And a method of polishing a substrate or a wafer using the polishing slurry.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 제1 측면은, 연마 입자; 및 고분자 분산제, 분산향상제 및 분산안정화제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 분산제;를 포함하는, 연마 슬러리를 제공할 수 있다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a polishing pad comprising: abrasive grains; And a dispersing agent comprising at least one selected from the group consisting of a polymer dispersant, a dispersion improving agent and a dispersion stabilizer.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자는 단결정성인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the abrasive grains may be monocrystalline, but are not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자는 단분산성인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the abrasive grains may be monodisperse, but are not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자는, 세리아 입자, 실리카 입자, 알루미나 입자, 지르코니아 입자 및 티타니아 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 금속산화물 입자; 스티렌계 중합체 입자, 아크릴계 중합체 입자, 폴리염화비닐 입자, 폴리아미드 입자, 폴리카보네이트 입자 및 폴리이미드 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 입자; 및 상기 금속산화물 입자와 유기 입자를 복합하여 형성한 유기-무기 복합 입자;를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the abrasive grains include metal oxide particles comprising at least any one selected from the group consisting of ceria particles, silica particles, alumina particles, zirconia particles and titania particles; Organic particles comprising at least any one selected from the group consisting of styrene-based polymer particles, acrylic polymer particles, polyvinyl chloride particles, polyamide particles, polycarbonate particles and polyimide particles; And organic-inorganic composite particles formed by combining the metal oxide particles and the organic particles, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자의 1차 입자의 크기는 1 nm 내지 100 nm 이고, 2차 입자의 크기는 50 nm 내지 300 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the size of the primary particles of the abrasive particles may be 1 nm to 100 nm, and the size of the secondary particles may be 50 nm to 300 nm, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자의 표면을 개질하여 pH 6 내지 10에서 -20 mV 이상의 음의 제타전위를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the surface of the abrasive grains may be modified to have a negative zeta potential of -20 mV or higher at a pH of 6 to 10, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 고분자 분산제는, 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산, 폴리아크릴산/스티렌 공중합체 및 이들의 염들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 분산향상제는, 카르복실산, 아미노산 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 분산안정화제는, 암모늄으로 치환된 무기염을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the polymer dispersant includes at least any one selected from the group consisting of polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyacrylic acid / styrene copolymer and salts thereof, , An amino acid, or a combination thereof, and the dispersion stabilizer may include, but is not limited to, an inorganic salt substituted with ammonium.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 카르복실산은, 시트르산, 포름산, 아세트산, 옥살산, 피콜린산 및 폴리아크릴산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 아미노산은, 글리신, 프롤린, 아기닌 및 β-알라닌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the carboxylic acid includes at least any one selected from the group consisting of citric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid, picolinic acid, and polyacrylic acid, wherein the amino acid is glycine, proline, but is not limited to, at least one selected from the group consisting of? -alanine and? -alanine.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 무기염은, 암모늄 퍼설페이트, 암모늄 포스페이트, 암모늄 모노베이직, 암모늄 설파메이트, 암모늄 티오시아네이트, 암모늄 바이카보네이트, 암모늄 시트레이트 디베이직, 암모늄설페이트, 및 암모늄 나이트레이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the inorganic salt is selected from the group consisting of ammonium persulfate, ammonium phosphate, ammonium monobasic, ammonium sulfamate, ammonium thiocyanate, ammonium bicarbonate, ammonium citrate diacetate, ammonium sulfate, But it should not be construed as being limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 고분자 분산제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부이고, 상기 분산향상제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 1 중량부이고, 상기 분산안정화제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 1 중량부인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the polymer dispersant is used in an amount of 0.001 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains, and the dispersion improving agent is used in an amount of 0.001 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains The dispersion stabilizer may be 0.001 part by weight to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains, but is not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마는, 상기 연마 슬러리는, pH가 6 내지 10인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the polishing may be such that the polishing slurry has a pH of 6 to 10, but is not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마는, 얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서 산화막 대비 폴리막의 연마 선택비가 100 : 1 내지 150 : 1인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
According to one aspect of the present invention, the polishing may be performed in a shallow trench isolation (STI) process in which the polish selection ratio of the oxide film to the poly film is 100: 1 to 150: 1, but is not limited thereto.
본 발명의 제2 측면은, 상기 제1 측면에 따른 연마 슬러리를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법을 제공할 수 있다.
A second aspect of the present invention can provide a method of polishing a substrate or a wafer using the polishing slurry according to the first aspect.
본 발명의 연마 슬러리는, 단결정성 연마 입자를 사용하여 좁고 균일한 입도 분포를 지니며 마이크로 스크래치를 최소화할 수 있고, 단결정성 양의 정전기적 반발력 분산 대비 디싱(dishing)을 개선시키고, 연마 후 세정성을 개선시킬 수 있다. 또한, 분산안정화제를 첨가하여 경시안정성 확보할 수 있으며, 우수한 연마 속도와 선택비를 가지며, 중성 pH 구현으로 환경친화성 확보할 수 있다. 이를 통하여, 반도체의 제조 공정에 적합한 연마 공정을 수행할 수 있다.
The polishing slurry of the present invention has a narrow and uniform particle size distribution using monocrystalline abrasive grains, minimizes micro-scratches, improves the monocrystalline amount of electrostatic repulsion dispersion dispersion dishing, And the qualities can be improved. Further, by adding a dispersion stabilizer, stability with time can be ensured, an excellent polishing rate and selectivity can be achieved, and environment compatibility can be ensured by implementing a neutral pH. Thus, a polishing process suitable for a semiconductor manufacturing process can be performed.
도 1은 본 발명의 실시예 4 및 비교예에 따른 입도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예 4 및 비교예에 따른 거대입자수를 나타낸 그래프이다.Fig. 1 is a graph showing the particle size distribution according to Example 4 and Comparative Example of the present invention.
2 is a graph showing the number of large particles according to Example 4 and Comparative Example of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. Also, terminologies used herein are terms used to properly represent preferred embodiments of the present invention, which may vary depending on the user, intent of the operator, or custom in the field to which the present invention belongs. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between .
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is located on another member, it includes not only when a member is in contact with another member but also when another member exists between the two members.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.
이하, 본 발명의 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, a polishing slurry of the present invention and a method of polishing a substrate or a wafer using the same will be described in detail with reference to examples and drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments and drawings.
본 발명의 제1 측면은, 연마 입자; 및 고분자 분산제, 분산향상제 및 분산안정화제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 분산제;를 포함하는, 연마 슬러리를 제공할 수 있다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a polishing pad comprising: abrasive grains; And a dispersing agent comprising at least one selected from the group consisting of a polymer dispersant, a dispersion improving agent and a dispersion stabilizer.
상기 분산제는 예를 들어, 고분자 분산제만을 포함하거나, 고분자 분산제와 분산향상제를 포함하거나, 고분자 분산제, 분산향상제 및 분산안정화제 모두를 포함할 수 있다. 또는 분산안정화제만을 포함하거나, 고분자 분산제와 분산안정화제를 포함할 수 있고, 분산향상제만을 포함하거나, 분산향상제와 분산안정화제를 포함할 수 있다.The dispersant may include, for example, a polymer dispersant alone, a polymer dispersant and a dispersion enhancer, or both a polymer dispersant, a dispersion enhancer, and a dispersion stabilizer. Or a dispersion stabilizer, or may include a polymer dispersant and a dispersion stabilizer, and may include only a dispersion improving agent, or may include a dispersion improving agent and a dispersion stabilizing agent.
상기 연마 입자는 액상법에 의해 제조될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 액상법은 수용액 상에서 이온을 환원제로 환원하여 연마 입자를 석출시키고 이를 다시 고분자량의 분산제인 유기용매에 이동시켜 연마 입자를 얻거나, 수용액 중에서 환원제 (수소화붕산소다, 수소화붕산암모늄 등)를 고분자의 보호제가 존재하는 곳에서 환원하는 방법 등이 알려져 있다. 액상법에 의한 미분체의 제조에는 화학적 방법과 물리적 방법이 있다. 화학적 방법에는 침전법, 가수분해법이 있는데 침전법에는 공침법, 화합물 침전법, 균일 침전법 등이 있고, 가수분해법에는 무기염분해법, 알콕시드분해법 등이 있다. 물리적 방법에는 열분해법, 저온 건조법이 있는데 열분해법에는 분무 건조법, 분무 연소법, 용액 연소법 등이 있고, 저온건조법에는 동결건조법, 에멀젼 건조법 등이 있다.The abrasive grains can be produced by a liquid phase method, but are not limited thereto. The liquid phase method is a method in which abrasive grains are precipitated by reducing ions in an aqueous solution with a reducing agent and then transferred to an organic solvent which is a high molecular weight dispersant to obtain abrasive grains or reducing agents such as sodium hydrogen borate and ammonium hydrogen borate in an aqueous solution And how to return from where I am known. There are chemical and physical methods for the preparation of fine powders by the liquid phase method. Chemical methods include precipitation and hydrolysis. Precipitation methods include coprecipitation, compound precipitation, and homogeneous precipitation. The hydrolysis method includes an inorganic salt solution and an alkoxide decomposition method. Physical methods include a pyrolysis method and a low temperature drying method. Pyrolysis methods include spray drying method, spray combustion method, solution combustion method, and the low temperature drying method includes freeze drying method and emulsion drying method.
예를 들어, 상기 연마 입자는 세륨 IV 또는 과산화수소를 포함하는 세륨 III 염의 용액을 니트레이트 이온의 존재하에 비활성 대기에서 염기와 접촉시켜 제조할 수 있다. 세륨 III 염은, 예를 들어, 세륨 III 나이트레이트, 클로라이드, 술페이트 또는 카르보네이트, 및 이들 염의 혼합물을 사용할 수 있다.For example, the abrasive particles can be prepared by contacting a solution of a cerium (III) salt comprising cerium (IV) or hydrogen peroxide with a base in an inert atmosphere in the presence of a nitrate ion. Cerium < RTI ID = 0.0 > III < / RTI > salts can be used, for example, cerium < RTI ID = 0.0 > III < / RTI > nitrate, chloride, sulfate or carbonate,
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자는 단결정성인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 단결정성 연마 입자를 사용할 경우, 다결정성 연마 입자 대비 스크래치 저감 효과를 달성할 수 있으며, 양의 정전기적 반발력 분산 대비 디싱 (dishing)이 개선 될 수 있으며, 연마 후 세정성이 개선될 수 있다.According to one aspect of the present invention, the abrasive grains may be monocrystalline, but are not limited thereto. When monocrystalline abrasive grains are used, the scratch abatement effect can be achieved as compared to the polycrystalline abrasive grains. Positive electrostatic repulsive force dispersion dishing can be improved and the cleaning ability after polishing can be improved.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자는 단분산성인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 단분산성 연마 입자의 경우, 연마 입자 표면 개질을 통해 pH 6 내지 10, 바람직하게는 pH 7 내지 9의 중성 영역에서 -20 mV 이상의 음의 제타전위를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제타전위 절대값이 -20 mV 미만인 경우 정전기적 반발력에 의한 분산이 약하여 응집의 우려가 있다. 산성 영역인 경우에는 부식 및 코로젼 문제 등이 발생하게 되는데, 제타 전위와 워킹 윈도우(working window)를 중성 영역 이상으로 시프트(shift)하여 환경 친화적이고, 작업 환경성을 향상 시킬 수 있다.According to one aspect of the present invention, the abrasive grains may be monodisperse, but are not limited thereto. In the case of monodisperse abrasive particles, it is possible, but not limited, to have a negative zeta potential of -20 mV or higher in the neutral region at
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자는, 세리아 입자, 실리카 입자, 알루미나 입자, 지르코니아 입자 및 티타니아 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 금속산화물 입자; 스티렌계 중합체 입자, 아크릴계 중합체 입자, 폴리염화비닐 입자, 폴리아미드 입자, 폴리카보네이트 입자 및 폴리이미드 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 입자; 및 상기 금속산화물 입자와 유기 입자를 복합하여 형성한 유기-무기 복합 입자;를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the abrasive grains include metal oxide particles comprising at least any one selected from the group consisting of ceria particles, silica particles, alumina particles, zirconia particles and titania particles; Organic particles comprising at least any one selected from the group consisting of styrene-based polymer particles, acrylic polymer particles, polyvinyl chloride particles, polyamide particles, polycarbonate particles and polyimide particles; And organic-inorganic composite particles formed by combining the metal oxide particles and the organic particles, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마 입자의 1차 입자의 크기는 약 1 nm 내지 약 100 nm일 수 있으며, 2차 입자의 크기는 약 50 nm 내지 약 300 nm인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 연마 슬러리 중 1차 입자의 평균 크기에 있어서, 액상에서 합성하기 때문에 입자 균일성을 확보하기 위해서 약 100 nm 이하이어야 하며, 약 1 nm 미만일 경우에는 연마율이 저하되는 문제점이 있다. 상기 연마 슬러리 중 2차 입자의 평균 크기에 있어서, 2차 입자의 크기가 약 50 nm 미만인 경우 밀링으로 인하여 작은 입자가 과도하게 발생하면 세정성이 저하되고, 약 300 nm를 초과하는 경우 단분산성을 달성하지 못하여 스크래치와 같은 표면 결함 우려가 있다. According to one aspect of the present invention, the size of the primary particles of the abrasive particles may be from about 1 nm to about 100 nm, and the size of the secondary particles may be from about 50 nm to about 300 nm, no. The average size of primary particles in the polishing slurry should be about 100 nm or less in order to ensure particle uniformity because it is synthesized in a liquid phase, and if it is less than about 1 nm, the polishing rate is lowered. In the average size of the secondary particles in the polishing slurry, when the size of the secondary particles is less than about 50 nm, if the small particles are excessively generated due to milling, the cleaning property is deteriorated. When the average particle size exceeds about 300 nm, There is a fear of surface defects such as scratches.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 고분자 분산제는, 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산, 폴리아크릴산/스티렌 공중합체 및 이들의 염들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 분산향상제는, 카르복실산, 아미노산 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 분산안정화제는, 암모늄으로 치환된 무기염을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the polymer dispersant includes at least any one selected from the group consisting of polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyacrylic acid / styrene copolymer and salts thereof, , An amino acid, or a combination thereof, and the dispersion stabilizer may include, but is not limited to, an inorganic salt substituted with ammonium.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 카르복실산은, 시트르산, 포름산, 아세트산, 옥살산, 피콜린산 및 폴리아크릴산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 아미노산은, 글리신, 프롤린, 아기닌 및 β-알라닌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the carboxylic acid includes at least any one selected from the group consisting of citric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid, picolinic acid, and polyacrylic acid, wherein the amino acid is glycine, proline, but is not limited to, at least one selected from the group consisting of? -alanine and? -alanine.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 무기염은, 암모늄 퍼설페이트, 암모늄 포스페이트, 암모늄 모노베이직, 암모늄 설파메이트, 암모늄 티오시아네이트, 암모늄 바이카보네이트, 암모늄 시트레이트 디베이직, 암모늄설페이트, 및 암모늄 나이트레이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the inorganic salt is selected from the group consisting of ammonium persulfate, ammonium phosphate, ammonium monobasic, ammonium sulfamate, ammonium thiocyanate, ammonium bicarbonate, ammonium citrate diacetate, ammonium sulfate, But it should not be construed as being limited thereto.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 고분자 분산제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 약 0.001 중량부 내지 약 5 중량부일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 분산제의 함량이 약 0.001 중량부 미만인 경우에는 연마 입자의 분산에 필요한 양이 부족하여 분산성이 저하되며, 상기 분산제의 함량이 약 5 중량부를 초과하는 경우에는 과량의 분산제 투입으로 인하여 분산 안정성이 감소하여 응집이 발생하고 이로 인해 마이크로 스크래치 및 결함(defect)이 발생하게 된다.According to one aspect of the present invention, the polymer dispersant may be used in an amount of about 0.001 part by weight to about 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains, but is not limited thereto. When the content of the polymer dispersant is less than about 0.001 part by weight, the amount required for dispersing the abrasive particles is insufficient and the dispersibility is lowered. When the content of the dispersant is more than about 5 parts by weight, Is decreased to cause aggregation, which causes micro scratches and defects.
상기 분산향상제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 약 0.001 중량부 내지 약 1 중량부일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 분산향상제의 함량이 약 0.001 중량부 미만인 경우에는 음의 제타포텐셜 값을 충분히 시프트(shift)하기 어려우며, 상기 분산제의 함량이 약 1 중량부를 초과하는 경우에는 양이 포화되어 제타포텐셜의 시프트 효과가 없으며, 분산 안정성이 감소하여 응집이 발생하고 이로 인해 마이크로 스크래치 및 결함(defect)이 발생하게 된다.The dispersion improving agent may be used in an amount of about 0.001 part by weight to about 1 part by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains. When the content of the dispersing agent is less than about 0.001 part by weight, it is difficult to shift the negative zeta potential sufficiently. When the content of the dispersing agent is more than about 1 part by weight, the amount of the dispersant is saturated and the zeta potential shift effect And the dispersion stability is decreased, so that coagulation occurs, which causes micro scratches and defects.
상기 분산안정화제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량부인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 분산안정화제의 함량이 약 0.001 중량부 미만인 경우에는 슬러리의 경시 안정성이 나타나지 않아 연마 슬러리 저장 시 응집 증가가 우려되며, 상기 분산안정화제의 함량이 약 1 중량부를 초과하는 경우에는 과량의 분산제 투입으로 인하여 분산 안정성이 감소하여 응집이 발생하고 이로 인해 마이크로 스크래치 및 결함(defect)이 발생하게 된다.
The dispersion stabilizer may be about 0.001 wt% to about 1 wt% based on 100 wt% of the abrasive grains, but is not limited thereto. When the content of the dispersion stabilizer is less than about 0.001 part by weight, the stability of the slurry with respect to time does not appear, and there is a concern that aggregation increases when the polishing slurry is stored. When the content of the dispersion stabilizer is more than about 1 part by weight, The dispersion stability is decreased and aggregation occurs, thereby causing micro scratches and defects.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마는, 상기 연마 슬러리는, pH가 약 6 내지 약 10인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. pH가 낮으면 연마 속도가 증가하게 되나, 세정성이 저하되며, pH가 약 10 초과인 경우 분산 안정성이 급격히 저하되어 응집이 발생하게 되는 문제점이 있다.According to one aspect of the present invention, the polishing may be such that the polishing slurry has a pH of about 6 to about 10, but is not limited thereto. When the pH is low, the polishing rate is increased, but the cleaning property is decreased. When the pH is more than about 10, the dispersion stability is rapidly lowered and coagulation occurs.
본 발명의 일측에 따르면, 상기 연마는, 얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서 산화막 대비 폴리막의 연마 선택비가 약 100 : 1 내지 약 150 : 1 이상인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one aspect of the present invention, the polishing may include, but is not limited to, a polishing selectivity ratio of the poly-layer to the oxide layer in a shallow trench isolation (STI) process of about 100: 1 to about 150: 1 .
이와 같은 산화막 및 폴리막에 대한 연마 선택비를 가짐으로써 효과적인 연마를 달성할 수 있다. 상기 연마 선택비가 약 100 : 1 보다 작은 경우에는 산화막의 선택적 연마가 이루어지지 않을 우려가 있고, 상기 선택비가 약 150 : 1 보다 큰 경우에는 산화막의 상대적인 과연마(過硏磨)가 초래될 우려가 있다.
By having a polishing selectivity ratio for the oxide film and the poly film, effective polishing can be achieved. If the polishing selectivity is less than about 100: 1, the oxide film may not be selectively polished. If the selectivity is more than about 150: 1, there is a fear that the oxide film is relatively polished have.
본 발명의 제2 측면은, 상기 제1 측면에 따른 연마 슬러리를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법을 제공할 수 있다.
A second aspect of the present invention can provide a method of polishing a substrate or a wafer using the polishing slurry according to the first aspect.
본 발명의 연마 슬러리는, 단결정성 연마 입자를 사용하여 좁고 균일한 입도 분포를 지니며 마이크로 스크래치를 최소화할 수 있고, 단결정성 양의 정전기적 반발력 분산 대비 디싱(dishing)을 개선시키고, 연마 후 세정성을 개선시킬 수 있다. 또한, 분산안정화제를 첨가하여 경시안정성 확보할 수 있으며, 우수한 연마 속도와 선택비를 가지며, 중성 pH 구현으로 환경친화성 확보할 수 있다. 이를 통하여, 반도체의 제조 공정에 적합한 연마 공정을 수행할 수 있다.
The polishing slurry of the present invention has a narrow and uniform particle size distribution using monocrystalline abrasive grains, minimizes micro-scratches, improves the monocrystalline amount of electrostatic repulsion dispersion dispersion dishing, And the qualities can be improved. Further, by adding a dispersion stabilizer, stability with time can be ensured, an excellent polishing rate and selectivity can be achieved, and environment compatibility can be ensured by implementing a neutral pH. Thus, a polishing process suitable for a semiconductor manufacturing process can be performed.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present invention.
[실시예 1][Example 1]
세리아 연마 입자는 콜로이달 단분산성 연마 입자 (로디아 社) 5.0 중량%를 DIW에 희석하여 20 중량% 수용액으로 제조하였다. The ceria abrasive particles were prepared by diluting 5.0 wt% of colloidal monodisperse abrasive particles (Rhodia) with DIW to form a 20 wt% aqueous solution.
상기 연마 입자 수용액과 고분자 분산로서 폴리아크릴산을 연마 입자 100 중량부에 대하여 2.0 중량부를 1 : 1로 혼합하고 교반한 후, 볼밀 장비를 이용하여 해쇄하여 연마 슬러리를 제조하였다.
2.0 parts by weight of polyacrylic acid as a polymer dispersion and 2.0 parts by weight of 100 parts by weight of abrasive grains as a polymer dispersion were mixed and stirred at a ratio of 1: 1, followed by shaking using a ball mill to prepare a polishing slurry.
[실시예 2][Example 2]
세리아 연마 입자는 콜로이달 단분산성 연마 입자 (로디아 社) 5.0 중량%를 DIW에 희석하여 20 중량% 수용액으로 제조하였다. The ceria abrasive particles were prepared by diluting 5.0 wt% of colloidal monodisperse abrasive particles (Rhodia) with DIW to form a 20 wt% aqueous solution.
고분자 분산제(폴리아크릴산을 연마 입자 100 중량부에 대하여 2.0 중량부)에, 분산향상제로서 시트르산(연마 입자 100 중량부에 대하여 1.0 중량부)을 첨가하였다.(2.0 parts by weight based on 100 parts by weight of abrasive grains of polyacrylic acid) and citric acid (1.0 part by weight based on 100 parts by weight of abrasive grains) as a dispersion improving agent were added.
상기 연마 입자 수용액과 고분자 분산제를 1 : 1 교반한 후, 볼밀 장비를 이용하여 해쇄하여 연마 슬러리를 제조하였다.
The aqueous solution of the abrasive grains and the polymer dispersant were mixed at a ratio of 1: 1, and then the mixture was disintegrated using a ball mill to prepare a polishing slurry.
[실시예 3][Example 3]
세리아 연마 입자는 콜로이달 단분산성 연마 입자 (로디아 社) 5.0 중량%를 DIW에 희석하여 20 중량% 수용액으로 제조하였다. The ceria abrasive particles were prepared by diluting 5.0 wt% of colloidal monodisperse abrasive particles (Rhodia) with DIW to form a 20 wt% aqueous solution.
고분자 분산제(폴리아크릴산을 연마 입자 100 중량부에 대하여 2.0 중량부)에, 분산향상제로서 피콜린산(연마 입자 100 중량부에 대하여 1.0 중량부)을 첨가하였다.(2.0 parts by weight based on 100 parts by weight of abrasive grains of polyacrylic acid) and picolinic acid (1.0 part by weight based on 100 parts by weight of abrasive grains) as a dispersion improving agent were added.
상기 연마 입자 수용액과 고분자 분산제를 1 : 1로 혼합하고 교반을 실시한 후, 볼밀 장비를 이용하여 해쇄하여 연마 슬러리를 제조하였다.
The aqueous solution of abrasive grains and the polymeric dispersant were mixed at a ratio of 1: 1, stirred, and then milled using a ball mill to prepare a polishing slurry.
실시예 1 내지 실시예 3을 통하여 세리아 연마 입자의 2차 입도가 균일하게 나타남을 알 수 있다.
It can be seen that the secondary particle sizes of the ceria abrasive grains are uniformly exhibited through Examples 1 to 3.
[실시예 4][Example 4]
세리아 연마 입자는 단분산성 연마 입자 (로디아 社) 5.0 중량%를 DIW에 희석하여 20 중량% 수용액으로 제조하였다. The ceria abrasive grains were prepared by diluting 5.0 wt% monodisperse abrasive grains (Rhodia) with DIW to a 20 wt% aqueous solution.
고분자 분산제(폴리아크릴산을 연마 입자 100 중량부에 대하여 2.0 중량부)에, 분산향상제로서 피콜린산(연마 입자 100 중량부에 대하여 1.0 중량부), 분산안정화제(암모늄 나이트레이트를 연마 입자 100 중량부에 대하여 1.0 중량부)를 첨가하였다. (2.0 parts by weight based on 100 parts by weight of abrasive grains) of a polymeric dispersant (1.0 part by weight based on 100 parts by weight of abrasive grains), a dispersion stabilizer (ammonium nitrate with 100 parts by weight of abrasive grains 1.0 part by weight with respect to the parts) were added.
상기 연마 입자 수용액과 고분자 분산제를 1 : 1 교반을 실시하고, 볼밀 장비를 이용하여 해쇄하여 연마 슬러리를 제조하였다.
The abrasive grain aqueous solution and the polymer dispersant were stirred at a ratio of 1: 1, and the mixture was pulverized using a ball mill to prepare a polishing slurry.
[비교예] [Comparative Example]
세리아 연마 입자는 다결정 연마 입자 5.0 중량%를 DIW에 희석하여 20 wt% 수용액으로 제조하였다.
Ceria abrasive grains were prepared by diluting 5.0 wt% of polycrystalline abrasive particles with DIW to form a 20 wt% aqueous solution.
상기 연마 입자 수용액과 고분자 분산제로서 폴리아크릴산을 연마 입자 100 중량부에 대하여 2.0 중량부를 1 : 1로 혼합하고 교반한 후, 볼밀 장비를 이용하여 해쇄하여 연마 슬러리를 제조하였다.
2.0 parts by weight of polyacrylic acid as a polymer dispersant and an aqueous solution of the abrasive grains were mixed at a ratio of 1 part by weight per 100 parts by weight of the abrasive grains. The mixture was stirred and then crushed using a ball mill to prepare a polishing slurry.
[연마 조건][Polishing condition]
실시예 4 및 비교예의 연마 슬러리를 이용하여 하기와 같은 연마 조건으로 웨이퍼를 연마하여 결과를 비교하여 보았다.
The polishing slurry of Example 4 and Comparative Example was used to polish wafers under the following polishing conditions, and the results were compared.
1. 연마기: UNIPLA 231 (Doosan Mechatech 社)1. Grinder: UNIPLA 231 (Doosan Mechatech)
2. 패드: IC-1000 (Rohm&Hass 社)2. Pad: IC-1000 (Rohm & Hass)
3. 연마 시간: 60 s(블랭킷 웨이퍼 (blanket wafer)), 3. Polishing time: 60 s (blanket wafer),
4. 플레이튼 RPM (Platen RPM): 244. Platen RPM: 24
5. 헤드 RPM (Head RPM): 905. Head RPM (Head RPM): 90
6. 유량 (Flow rate): 200 ml/min6. Flow rate: 200 ml / min
7. 사용된 웨이퍼:7. Wafers used:
- 8인치 SiO2 블랭킷 웨이퍼 (PE-TEOS)- 8 inch SiO 2 blanket wafer (PE-TEOS)
8. 압력: 5.0 psi
8. Pressure: 5.0 psi
하기 표 1은 실시예 4 및 비교예의 연마 슬러리의 2차 입자크기, 제타전위, 거대입자수, 산화막 제거율 및 결함을 측정한 결과이다.
Table 1 below shows the results of measuring the secondary particle size, zeta potential, number of large particles, oxide film removal rate and defects of the polishing slurry of Example 4 and Comparative Example.
division
전위
(mV)
zeta
electric potential
(mV)
(LPC, 1 ㎛ 이상)
Number of large particles
(LPC, 1 占 퐉 or more)
(Å/min)
Oxide film removal rate
(Å / min)
(ea)
flaw
(ea)
(wt%)content
(wt%)
도 1은 본 발명의 실시예 4 및 비교예에 따른 입도 분포를 나타낸 그래프이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 비교예에 비하여 실시예 4는 좁고 균일한 입도 분포를 가지는 것을 알 수 있다.Fig. 1 is a graph showing the particle size distribution according to Example 4 and Comparative Example of the present invention. As shown in FIG. 1, it can be seen that Example 4 has a narrow and uniform particle size distribution as compared with Comparative Example.
도 2는 본 발명의 실시예 4 및 비교예에 따른 거대입자수를 나타낸 그래프이다. 비교예의 거대입자수는 실시예 4의 거대입자수에 비하여 눈에 띄게 증가한 것을 알 수 있다. 따라서 실시예 4는 각각의 분산제들에 의해 응집이 없는 분산 안정화된 연마 슬러리임을 확인할 수 있다.2 is a graph showing the number of large particles according to Example 4 and Comparative Example of the present invention. It can be seen that the number of macromolecules in the comparative example was significantly increased as compared with that in Example 4. Thus, it can be seen that Example 4 is a dispersion stabilized polishing slurry free from aggregation by each of the dispersants.
발명의 실시예 1 내지 실시예 4에서 사용된 연마 슬러리는 단결정 연마 입자를 사용하고, 입자 표면을 음의 제타전위로 개질하여 결함을 제거하고, 우수한 연마속도를 갖는 것을 알 수 있다.
It can be seen that the polishing slurry used in Examples 1 to 4 of the present invention uses single crystal abrasive grains and modifies the particle surface to a negative zeta potential to remove defects and has an excellent polishing rate.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.
Claims (13)
고분자 분산제, 분산향상제 및 분산안정화제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 분산제;
를 포함하는, 연마 슬러리.
Abrasive particles; And
A dispersing agent containing at least one selected from the group consisting of a polymer dispersant, a dispersion improving agent and a dispersion stabilizer;
≪ / RTI >
상기 연마 입자는 단결정성인 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
Wherein the abrasive grains are monocrystalline.
상기 연마 입자는 단분산성인 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
Wherein the abrasive particles are monodisperse.
상기 연마 입자는,
세리아 입자, 실리카 입자, 알루미나 입자, 지르코니아 입자 및 티타니아 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 금속산화물 입자;
스티렌계 중합체 입자, 아크릴계 중합체 입자, 폴리염화비닐 입자, 폴리아미드 입자, 폴리카보네이트 입자 및 폴리이미드 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 입자; 및
상기 금속산화물 입자와 유기 입자를 복합하여 형성한 유기-무기 복합 입자;
를 포함하는, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
The above-
Metal oxide particles comprising at least one selected from the group consisting of ceria particles, silica particles, alumina particles, zirconia particles and titania particles;
Organic particles comprising at least any one selected from the group consisting of styrene-based polymer particles, acrylic polymer particles, polyvinyl chloride particles, polyamide particles, polycarbonate particles and polyimide particles; And
Organic-inorganic composite particles formed by combining the metal oxide particles and organic particles;
≪ / RTI >
상기 연마 입자의 1차 입자의 크기는 1 nm 내지 100 nm 이고, 2차 입자의 크기는 50 nm 내지 300 nm인 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
Wherein the abrasive particles have a primary particle size of 1 nm to 100 nm and a secondary particle size of 50 nm to 300 nm.
상기 연마 입자의 표면을 개질하여 pH 6 내지 10에서 -20 mV 이상의 음의 제타전위를 가지는 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
Wherein the surface of the abrasive grains is modified to have a negative zeta potential of -20 mV or higher at a pH of 6 to 10.
상기 고분자 분산제는, 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산, 폴리아크릴산/스티렌 공중합체 및 이들의 염들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 분산향상제는, 카르복실산, 아미노산 또는 이들의 조합을 포함하고,
상기 분산안정화제는, 암모늄으로 치환된 무기염을 포함하는 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
The polymer dispersant includes at least any one selected from the group consisting of polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyacrylic acid / styrene copolymer, and salts thereof,
The dispersion improving agent includes a carboxylic acid, an amino acid, or a combination thereof,
Wherein the dispersion stabilizer comprises an inorganic salt substituted with ammonium.
상기 카르복실산은, 시트르산, 포름산, 아세트산, 옥살산, 피콜린산 및 폴리아크릴산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 아미노산은, 글리신, 프롤린, 아기닌 및 β-알라닌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리.
8. The method of claim 7,
Wherein the carboxylic acid comprises at least one selected from the group consisting of citric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid, picolinic acid, and polyacrylic acid,
Wherein the amino acid comprises at least one selected from the group consisting of glycine, proline, babinin and? -Alanine.
상기 무기염은, 암모늄 퍼설페이트, 암모늄 포스페이트, 암모늄 모노베이직, 암모늄 설파메이트, 암모늄 티오시아네이트, 암모늄 바이카보네이트, 암모늄 시트레이트 디베이직, 암모늄설페이트, 및 암모늄 나이트레이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리.
8. The method of claim 7,
Wherein the inorganic salt is at least one selected from the group consisting of ammonium persulfate, ammonium phosphate, ammonium monobasic, ammonium sulfamate, ammonium thiocyanate, ammonium bicarbonate, ammonium citrate diabase, ammonium sulfate, and ammonium nitrate Wherein the polishing slurry comprises one of the following:
상기 고분자 분산제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부이고,
상기 분산향상제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 1 중량부이고,
상기 분산안정화제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 1 중량부인 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
The polymer dispersant is used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains,
The dispersion improving agent is used in an amount of 0.001 part by weight to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains,
Wherein the dispersion stabilizer is 0.001 part by weight to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the abrasive grains.
상기 연마 슬러리는, pH가 6 내지 10인 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
Wherein the polishing slurry has a pH of from 6 to 10.
얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서 산화막 대비 폴리막의 연마 선택비가 100 : 1 내지 150 : 1 인 것인, 연마 슬러리.
The method according to claim 1,
Wherein the polishing selectivity ratio of the oxide film to the poly film in the shallow trench isolation (STI) process is 100: 1 to 150: 1.
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