KR20140039098A - Apparatus for detecting defect - Google Patents

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Abstract

A defect inspecting device is disclosed. A defect inspecting device according to an embodiment of the present invention comprises: a capture unit capturing an object to be tested so as to acquire left and right images of the object to be tested; an image synthesis unit forming a 3D synthesis image by synthesizing the left and right images; and a defect type detecting unit which detects defect types generated on the surface of the object to be tested through surface slope change in the 3D synthesis image. [Reference numerals] (102) Capture unit; (102-1) First camera; (102-2) Second camera; (104) Decoding unit; (106) Image synthesis unit; (108) Defect type detecting unit; (110) Reporting unit; (AA) Capturing control signal; (BB,DD) Left image; (CC,EE) Right image

Description

결함 검사 장치{APPARATUS FOR DETECTING DEFECT}{APPARATUS FOR DETECTING DEFECT}

본 발명의 실시예는 결함 검사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 피검사물을 촬영한 스테레오 영상을 이용하여 피검사물 표면의 결함을 검출하는 결함 검사 장치에 관한 것이다.
An embodiment of the present invention relates to a defect inspection apparatus, and more particularly, to a defect inspection apparatus for detecting a defect on a surface of an object to be inspected using a stereo image of the object to be inspected.

기존의 반도체 표면에 발생하는 결함을 검사하는 방법으로는 반도체에 광을 조사하고 반도체에서 반사되는 광을 분석하여 반도체 표면에 결함 여부를 확인하는 방법이 사용되었다. 그러나, 종래 기술에 의하면 반도체 표면에 결함의 발생 여부만 확인할 수 있을 뿐, 해당 결함이 반도체 표면에 묻은 이물질에 의한 것인지 아니면 반도체 표면에 발생한 스크래치 또는 미세 침식에 의한 것인지와 같은 결함 종류를 확인할 수 없었다.As a method for inspecting defects occurring on the surface of a conventional semiconductor, there has been used a method of irradiating a semiconductor with light and analyzing the light reflected from the semiconductor to check for defects on the semiconductor surface. However, according to the prior art, only the occurrence of defects on the surface of the semiconductor can be confirmed, and it has not been confirmed whether the defects are caused by foreign matter adhering to the semiconductor surface or due to scratches or micro-erosion on the semiconductor surface .

여기서, 결함 종류에 따라 사후 처리 공정이 달라지게 된다. 즉, 해당 결함이 반도체 표면에 묻은 이물질에 의한 것인 경우는 이물질을 제거하는 공정을 통해 해당 반도체를 사용할 수 있는 반면, 해당 결함이 반도체 표면에 발생한 스크래치 또는 미세 침식에 의한 것인 경우는 해당 반도체를 사용할 수 없어 폐기해야 한다. Here, the post-treatment process varies depending on the type of defect. That is, in the case where the defect is caused by a foreign substance adhering to the surface of the semiconductor, the semiconductor can be used through the process of removing the foreign substance. On the other hand, when the defect is caused by scratch or micro- Can not be used and should be discarded.

이에 기존에는 종래 기술에 의한 검사 장치를 통해 반도체 표면의 결함 발생 여부를 확인한 후, 해당 결함의 종류는 현미경 등을 통해 검사자가 육안으로 확인하는 방법을 사용하였다. 이 경우, 결함의 종류를 확인하기 까지의 과정이 2 단계로 분리되어 수행됨에 따라 시간이 오래 소요되며 효율이 저하되는 문제점이 있다.Conventionally, a defect of a semiconductor surface is checked through a conventional inspection apparatus, and a type of the defect is visually confirmed by an inspector through a microscope or the like. In this case, since the process of confirming the type of defect is performed in two steps, it takes a long time and the efficiency is lowered.

한편, 반도체 표면에 회로 패턴이 형성된 경우, 회로 패턴이 원본 회로도와 동일하게 형성되었는지 여부(즉, 회로 패턴에 결함이 발생하였는지 여부)를 확인하기 위해, 기존에는 X-Ray 검사를 이용하였으나 회로 패턴의 결함 검출 정확도가 떨어지고 검사 장비가 고가(高價)라는 문제점이 있다.
On the other hand, in the case where a circuit pattern is formed on the semiconductor surface, in order to check whether the circuit pattern is formed in the same way as the original circuit diagram (i.e., whether or not a defect occurs in the circuit pattern) There is a problem that the accuracy of detecting defects of the inspection equipment is low and the inspection equipment is expensive.

본 발명의 실시예는 피검사물의 표면에 발생한 결함 종류를 자동으로 검출할 수 있는 결함 검사 장치를 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to provide a defect inspection apparatus capable of automatically detecting a defect type occurring on the surface of an inspected object.

본 발명의 실시예는 피검사물에 형성된 회로 패턴의 결함 여부를 정확하게 검출할 수 있는 결함 검사 장치를 제공하고자 한다.
An embodiment of the present invention is intended to provide a defect inspection apparatus capable of accurately detecting whether a circuit pattern formed on an inspected object is defective or not.

본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치는, 피검사물을 촬영하여 상기 피검사물의 좌영상 및 우영상을 획득하는 촬영부; 상기 좌영상 및 우영상을 합성하여 3D 합성 영상을 형성하는 영상 합성부; 및 상기 3D 합성 영상의 표면 기울기 변화를 통해 상기 피검사물의 표면에 발생된 결함의 종류를 검출하는 결함 종류 검출부를 포함한다.
According to an embodiment of the present invention, there is provided a defect inspection apparatus comprising: a photographing unit photographing an inspected object to obtain a left image and a right image of the inspected object; An image synthesizer for synthesizing the left and right images to form a 3D synthesized image; And a defect type detecting unit for detecting a type of a defect generated on the surface of the inspected object through a change in the surface tilt of the 3D composite image.

본 발명의 실시예에 의하면, 피검사물을 촬영한 스테레오 영상으로 3D 영상을 형성하고, 3D 영상의 표면 기울기 변화를 통해 피검사물의 표면에 발생된 결함의 종류를 검출함으로써, 피검사물의 표면에 발생된 결함 종류를 자동으로 검출할 수 있으며, 결함 종류를 정확하고 신속하게 검출할 수 있게 된다. 그리고, 피검사물의 3D 영상을 2D 영상으로 변환한 후 원본 영상과 비교함으로써, 피검사물에 형성된 회로 패턴의 결함 여부를 자동으로 정확하게 검출할 수 있게 된다.
According to the embodiment of the present invention, a 3D image is formed from a stereo image of an object to be inspected, and the type of defects generated on the surface of the object is detected through a change in surface tilt of the 3D image, It is possible to automatically detect the type of the defect and accurately and quickly detect the type of defect. Then, the 3D image of the inspected object is converted into the 2D image, and then the 2D image is compared with the original image, so that it is possible to automatically detect the defect of the circuit pattern formed on the inspected object automatically and accurately.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치의 구성을 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 촬영부를 통해 반도체를 촬영하는 상태를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 종류 검출부가 반도체의 결함 종류를 검출하는 상태를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검사 장치의 구성을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검출부가 회로 패턴의 결함이 있는 픽셀을 판단하는 상태를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 결함 검사 장치의 구성을 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram of a defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.
2 is a diagram illustrating a state in which a semiconductor is photographed through a photographing unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a state in which a defect type detecting unit according to an embodiment of the present invention detects a defect type of a semiconductor.
4 is a block diagram of a defect inspection apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a state in which a defect detector determines a defective pixel in a circuit pattern according to another embodiment of the present invention.
6 is a block diagram of a defect inspection apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 결함 검사 장치에 대해 상세히 설명하기로 한다. 그러나 이는 예시적 실시예에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.Hereinafter, the defect inspection apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6. FIG. However, this is an exemplary embodiment only and the present invention is not limited thereto.

본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and may be changed according to the intention or custom of the user, the operator, and the like. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

본 발명의 기술적 사상은 청구범위에 의해 결정되며, 이하 실시예는 진보적인 본 발명의 기술적 사상을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 효율적으로 설명하기 위한 일 수단일 뿐이다.
The technical idea of the present invention is determined by the claims, and the following embodiments are merely a means for efficiently describing the technical idea of the present invention to a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치의 구성을 나타낸 도면이다. 여기서는, 결함 검사 장치를 통해 검사하는 피대상물의 일 실시예로 반도체를 들어 설명하나, 피검사물의 대상물이 반도체에 한정되는 것은 아니며 그 이외의 다양한 대상물에 적용할 수 있음은 물론이다.1 is a block diagram of a defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. Here, a semiconductor will be described as an example of an object to be inspected through a defect inspection apparatus, but it is needless to say that the object of the inspected object is not limited to a semiconductor and can be applied to various other objects.

도 1을 참조하면, 결함 검사 장치(100)는 촬영부(102), 디코딩부(104), 영상 합성부(106), 결함 종류 검출부(108), 및 리포팅부(110)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a defect inspection apparatus 100 includes a photographing unit 102, a decoding unit 104, an image synthesizing unit 106, a defect type detecting unit 108, and a reporting unit 110.

촬영부(102)는 입력되는 촬영 제어 신호에 따라 피검사물인 반도체(150)를 촬영한다. 이때, 반도체(150)는 베어 웨이퍼(Bare Wafer) 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 촬영부(102)는 스테레오 카메라(즉, 입체 카메라)일 수 있다. 이 경우, 촬영부(102)는 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)를 포함하게 된다. 이때, 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)는 일정 간격 이격되어 반도체(150)를 각각 촬영한다.The photographing unit 102 photographs the semiconductor 150 as an object to be inspected in accordance with an input photographing control signal. At this time, the semiconductor 150 may be a bare wafer, but is not limited thereto. Here, the photographing unit 102 may be a stereo camera (i.e., a stereoscopic camera). In this case, the photographing unit 102 includes the first camera 102-1 and the second camera 102-2. At this time, the first camera 102-1 and the second camera 102-2 photograph the semiconductors 150 at a predetermined interval.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 촬영부를 통해 반도체를 촬영하는 상태를 나타낸 도면이다. 도 2를 참조하면, 제1 카메라(102-1)는 반도체(150)와 수직한 기준선에서 왼쪽으로 소정 각도(θ) 이격된 위치에 설치되어 반도체(150)를 촬영한다. 제2 카메라(102-2)는 반도체(150)와 수직한 기준선에서 오른쪽으로 소정 각도(θ) 이격된 위치에 설치되어 반도체(150)를 촬영한다. 2 is a view illustrating a state in which a semiconductor is photographed through a photographing unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the first camera 102-1 is installed at a position spaced apart from the reference line perpendicular to the semiconductor 150 by a predetermined angle (.theta.) To photograph the semiconductor 150. FIG. The second camera 102-2 is installed at a position to the right of the reference line perpendicular to the semiconductor 150 at a predetermined angle (?) To photograph the semiconductor 150.

즉, 제1 카메라(102-1)는 반도체(150)의 좌측 상부에서 반도체(150)를 촬영하고, 제2 카메라(102-2)는 반도체(150)의 우측 상부에서 반도체(150)를 촬영한다. 이하에서, 제1 카메라(102-1)가 촬영한 영상을 좌영상이라고 하고, 제2 카메라(102-2)가 촬영한 영상을 우영상이라고 한다. 여기서는, 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)가 별개의 카메라인 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)는 일체로 형성될 수도 있다.That is, the first camera 102-1 shoots the semiconductor 150 from the upper left side of the semiconductor 150, and the second camera 102-2 shoots the semiconductor 150 from the upper right side of the semiconductor 150 do. Hereinafter, the image captured by the first camera 102-1 is referred to as a left image, and the image captured by the second camera 102-2 is referred to as a right image. Here, although the first camera 102-1 and the second camera 102-2 are shown as being separate cameras, the present invention is not limited to this, and the first camera 102-1 and the second camera 102-2, May be integrally formed.

한편, 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)는 반도체(150) 중 결함이 발생한 영역을 촬영할 수 있다. 즉, 반도체(150)의 소정 위치에 결함이 발견된 경우, 해당 결함이 어떤 결함인지(즉, 결함의 종류가 무엇인지) 여부를 정확히 확인하기 위해, 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)가 반도체(150) 중 결함이 발생한 영역을 촬영하도록 제어할 수 있다. 이때, 촬영부(102)로 입력되는 촬영 제어 신호에는 반도체(150) 중 특정 영역을 촬영하라는 촬영 위치 제어 정보가 포함될 수 있다. 여기서는, 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)가 반도체(150) 중 결함이 발생한 영역을 촬영하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 반도체(150) 전체 영역을 촬영할 수도 있다.On the other hand, the first camera 102-1 and the second camera 102-2 can photograph a region of the semiconductor 150 where a defect occurs. That is, in the case where a defect is found at a predetermined position of the semiconductor 150, in order to accurately determine whether the defect is a defect (that is, what kind of defect is), the first camera 102-1 and the second It is possible to control the camera 102-2 to photograph an area of the semiconductor 150 where a defect occurs. At this time, the photographing control signal input to the photographing unit 102 may include photographing position control information for photographing a specific region of the semiconductor 150. Herein, the first camera 102-1 and the second camera 102-2 have been described as photographing an area where a defect occurs in the semiconductor 150, but the present invention is not limited to this. The entire area of the semiconductor 150 may be photographed have.

디코딩부(104)는 제1 카메라(102-1) 및 제2 카메라(102-2)가 반도체(150)를 촬영한 영상을 로 데이터(Raw Data) 형식으로 디코딩한다. 즉, 디코딩부(104)는 제1 카메라(102-1)가 촬영한 좌영상 및 제2 카메라(102-2)가 촬영한 우영상을 각각 로 데이터 형식으로 디코딩한다.The decoding unit 104 decodes the image of the semiconductor 150 taken by the first camera 102-1 and the second camera 102-2 into Raw Data format. That is, the decoding unit 104 decodes the left image captured by the first camera 102-1 and the right image captured by the second camera 102-2 into a data format, respectively.

영상 합성부(106)는 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상을 합성한다. 즉, 영상 합성부(106)는 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상을 스테레오 매칭(Stereo Matching)시킨다. 이때, 영상 합성부(106)는 반도체(150) 중 결함이 발생한 부분을 기준으로 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상을 합성할 수 있다. The image synthesis unit 106 synthesizes the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2. That is, the image combining unit 106 performs stereo matching on the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2. At this time, the image synthesizing unit 106 may synthesize the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2 based on the defective portion of the semiconductor 150.

예를 들어, 반도체(150)에 결함이 있는 경우, 제1 카메라(102-1)의 좌영상과 제2 카메라(102-2)의 우영상에는 각각 반도체(150)의 결함 부위가 촬영되게 된다. 이때, 영상 합성부(106)는 제1 카메라(102-1)의 좌영상과 제2 카메라(102-2)의 우영상에서 반도체(150)의 결함이 발생한 위치를 각각 확인한 후, 반도체(150)의 결함이 발생한 위치를 기준으로 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상을 합성하게 된다.For example, when the semiconductor 150 is defective, defective portions of the semiconductor 150 are photographed on the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2, respectively . At this time, the image synthesizing unit 106 confirms the position of the defect of the semiconductor 150 on the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2, The left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2 are synthesized based on the position where the defect of the first camera 102-1 is generated.

여기서, 영상 합성부(106)는 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상에서 각 픽셀들의 화소값을 확인하여 이웃 픽셀과의 화소값 차이가 기 설정된 임계값을 초과하는 픽셀 부분을 반도체(150)의 결함이 발생한 부분으로 판단할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며 영상 합성부(106)는 그 이외의 다양한 방법을 통해 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상에서 반도체(150)의 결함이 발생한 부분을 확인할 수 있다. Here, the image synthesizing unit 106 checks the pixel values of the respective pixels on the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2, The pixel portion exceeding the threshold value can be determined as the defect portion of the semiconductor 150. However, the present invention is not limited to this, and the image synthesizing unit 106 may be configured to detect defects of the semiconductor 150 on the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2, You can see where this happened.

여기서는, 영상 합성부(106)가 반도체(150) 중 결함이 발생한 부분을 기준으로 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상을 합성하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 영상 합성부(106)는 그 이외의 다양한 스테레오 매칭 방법을 이용하여 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상을 합성할 수 있다.Here, it has been described that the image combining section 106 synthesizes the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2 based on the defective portion of the semiconductor 150 , But the present invention is not limited thereto and the image synthesis unit 106 may synthesize the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2 using various other stereo matching methods have.

영상 합성부(106)가 제1 카메라(102-1)의 좌영상 및 제2 카메라(102-2)의 우영상을 합성하면, 합성된 영상은 입체감을 갖는 영상 즉, 3D 영상이 되게 된다. 이러한 3D 영상에 의하면 반도체(150)의 결함이 반도체(150)의 표면에 묻은 이물질(예를 들어, Wafer Particle)로 인한 것인지 아니면 반도체(150)의 표면에 생긴 스크래치 또는 미세 침식으로 인한 것인지 등을 용이하게 구별할 수 있게 된다.When the image synthesizing unit 106 synthesizes the left image of the first camera 102-1 and the right image of the second camera 102-2, the synthesized image becomes a stereoscopic image, that is, a 3D image. According to such a 3D image, whether a defect of the semiconductor 150 is due to a foreign substance (for example, a wafer particle) adhering to the surface of the semiconductor 150 or a scratch or micro-erosion caused on the surface of the semiconductor 150 So that it can be distinguished easily.

결함 종류 검출부(108)는 영상 합성부(106)가 합성한 영상(3D 영상)을 통해 반도체(150)의 결함 종류를 검출한다. 이때, 결함 종류 검출부(108)는 합성 영상의 표면 기울기 변화를 통해 반도체(150)의 결함 종류를 검출할 수 있다. 즉, 합성 영상은 3D 영상이므로 이를 통해 반도체(150) 표면의 입체 등고선을 확인할 수 있게 된다. 여기서, 3D 영상의 입체 등고선의 기울기 변화를 확인하면, 반도체(150)의 결함 종류(예를 들어, 이물질, 스크래치, 미세 침식 등)를 검출할 수 있게 된다.The defect type detecting unit 108 detects the type of defect in the semiconductor 150 through the image (3D image) synthesized by the image synthesizing unit 106. At this time, the defect type detecting unit 108 can detect the defect type of the semiconductor 150 through the change of the surface tilt of the composite image. That is, since the synthesized image is a 3D image, stereoscopic contours of the surface of the semiconductor 150 can be confirmed. Here, it is possible to detect the kind of defects (e.g., foreign matter, scratch, micro erosion, etc.) of the semiconductor 150 by checking the slope change of the stereoscopic contours of the 3D image.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 종류 검출부가 반도체의 결함 종류를 검출하는 상태를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating a state in which a defect type detecting unit according to an embodiment of the present invention detects a defect type of a semiconductor.

도 3을 참조하면, 반도체(150)의 결함이 반도체(150)의 표면에 묻은 이물질로 인한 경우, 해당 결함 부위의 3D 영상의 표면 기울기는 기울기가 증가하였다가 감소하는 형태로 나타나게 된다. 그리고, 반도체(150)의 결함이 반도체(150)의 표면에 발생한 스크래치 또는 미세 침식으로 인한 경우, 해당 결함 부위의 3D 영상의 표면 기울기는 기울기가 감소하였다가 증가하는 형태로 나타나게 된다. Referring to FIG. 3, when the defect of the semiconductor 150 is caused by a foreign substance adhering to the surface of the semiconductor 150, the surface inclination of the 3D image of the defect 150 appears to be increased and decreased. When the defects of the semiconductor 150 are caused by scratches or micro-erosion on the surface of the semiconductor 150, the inclination of the surface of the 3D image of the defective portion appears to decrease and then increase.

따라서, 결함 종류 검출부(108)는 3D 영상의 표면 기울기가 증가하였다가 감소하는 경우는 해당 결함이 이물질에 의한 것으로 판단하고, 3D 영상의 표면 기울기가 감소하였다가 증가하는 경우는 해당 결함이 스크래치 또는 미세 침식에 의한 것으로 판단할 수 있다.Therefore, if the surface tilt of the 3D image is increased or decreased, the defect type detecting unit 108 determines that the defect is caused by the foreign substance. If the surface tilt of the 3D image decreases and then increases, It can be judged that it is caused by micro-erosion.

그러나, 3D 영상의 표면 기울기 변화는 3D 영상 자체에 포함된 노이즈에 의해 생길수도 있다. 즉, 합성 영상은 제1 카메라(102-1)로 촬영한 좌영상 및 제2 카메라(102-2)로 촬영한 우영상을 합성한 것이기 때문에, 카메라로 촬영한 영상 자체에 노이즈가 포함될 수 있으며, 그로 인해 3D 영상의 표면 기울기의 변화가 발생할 수 있다. 이때, 3D 영상 자체에 포함된 노이즈로 인한 표면 기울기의 변화는 점진적으로 일어나게 된다. 그러므로, 결함 종류 검출부(108)는 3D 영상의 표면 기울기 변화가 발생하였을 때, 표면 기울기 변화가 영상 자체에 포함된 노이즈로 인한 것인지 반도체(150)의 결함에 의한 것인지 여부를 구별할 필요가 있다.However, the change in the surface tilt of the 3D image may be caused by the noise included in the 3D image itself. That is, since the composite image is a composite of the left image photographed by the first camera 102-1 and the right image photographed by the second camera 102-2, noise may be included in the image photographed by the camera itself , Which may cause a change in the surface tilt of the 3D image. At this time, the change of the surface tilt due to the noise included in the 3D image itself gradually occurs. Therefore, when a change in the surface tilt of the 3D image occurs, the defect type detecting unit 108 needs to distinguish whether the surface tilt change is due to the noise included in the image itself or the defect of the semiconductor 150. [

여기서, 반도체(150)의 표면에 이물질이 묻은 경우는 3D 영상의 해당 영역의 표면 기울기가 급격하게 증가하다가 감소하는 형태를 보이게 된다. 그러므로, 결함 종류 검출부(108)는 3D 영상의 표면 기울기가 기 설정된 임계치 이상으로 증가하다가 감소하면, 해당 영역에 이물질로 인한 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.Here, when the surface of the semiconductor 150 is covered with foreign matter, the inclination of the surface of the corresponding region of the 3D image is rapidly increased and then decreased. Therefore, when the surface inclination of the 3D image is increased or decreased to a predetermined threshold or more, the defect type detecting unit 108 can determine that a defect due to a foreign substance has occurred in the corresponding region.

반면, 반도체(150)의 표면에 스크래치 또는 미세 침식이 발생한 경우는 3D 영상의 해당 영역의 표면 기울기가 반드시 급격하게 감소하다가 증가하는 형태를 보이는 것은 아니며, 영상 자체의 노이즈에 의한 경우와 같이 점진적으로 감소하다가 증가하는 형태를 보일 수도 있다. On the other hand, in the case where scratches or fine erosion occur on the surface of the semiconductor 150, the surface inclination of the corresponding region of the 3D image does not necessarily increase rapidly, but increases gradually. As in the case of the noise of the image itself, But it may show an increasing pattern.

이에, 결함 종류 검출부(108)는 3D 영상의 표면 기울기가 기 설정된 임계치 이상으로 감소하다가 증가하면, 해당 영역에 스크래치 또는 미세 침식으로 인한 결함이 발생한 것으로 판단한다. 그리고, 3D 영상의 표면 기울기가 기 설정된 임계치 미만으로 감소하다가 증가하면, 스크래치 또는 미세 침식으로 인한 결함으로 바로 판단하는 것이 아니라, 해당 영역의 픽셀의 화소값을 이웃 픽셀의 화소값과 비교한다. 비교 결과, 해당 영역의 픽셀의 화소값이 이웃 픽셀의 화소값에 비해 기 설정된 임계치보다 낮게 나타나면(즉, 해당 영역의 픽셀이 이웃 픽셀보다 어두우면), 결함 종류 검출부(108)는 해당 영역에 스크래치 또는 미세 침식에 의해 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. When the surface inclination of the 3D image is reduced to a predetermined threshold value or more, the defect type detecting unit 108 determines that a defect due to scratch or micro-erosion has occurred in the corresponding area. If the surface inclination of the 3D image is decreased to less than a predetermined threshold and then increases, the pixel value of the pixel in the corresponding area is compared with the pixel value of the neighboring pixel, instead of immediately judging the defect due to scratch or micro erosion. As a result of the comparison, when the pixel value of the pixel in the corresponding area is lower than a predetermined threshold value (i.e., the pixel in the corresponding area is darker than the neighboring pixel), the defect type detecting unit 108 detects the scratch Or it may be judged that a defect has occurred due to micro-erosion.

리포팅부(110)는 결함 종류 검출부(108)로부터 반도체(150)의 결함이 발생한 부분의 위치 정보 및 해당 결함의 종류 정보를 전달받아 반도체 결함 리포트를 작성한다. 리포팅부(110)는 반도체 결함 리포트를 관리자에게 보고할 수 있다. 예를 들어, 리포팅부(110)는 반도체 결함 리포트를 화면에 표시하거나, 음성으로 출력하거나, 프린터를 통해 인쇄하여 관리자에게 보고할 수 있다.The reporting unit 110 receives the positional information of the defective portion of the semiconductor 150 and the kind information of the defect from the defect type detecting unit 108 and creates a semiconductor defect report. The reporting unit 110 may report the semiconductor defect report to the manager. For example, the reporting unit 110 may display a semiconductor defect report on a screen, output it by voice, print it through a printer, and report it to an administrator.

본 발명의 실시예에 의하면, 피검사물을 촬영한 스테레오 영상으로 3D 영상을 형성하고, 3D 영상의 표면 기울기 변화를 통해 피검사물의 표면에 발생된 결함의 종류를 검출함으로써, 피검사물의 표면에 발생된 결함 종류를 자동으로 검출할 수 있으며, 결함 종류를 정확하고 신속하게 검출할 수 있게 된다.
According to the embodiment of the present invention, a 3D image is formed from a stereo image of an object to be inspected, and the type of defects generated on the surface of the object is detected through a change in surface tilt of the 3D image, It is possible to automatically detect the type of the defect and accurately and quickly detect the type of defect.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검사 장치의 구성을 나타낸 도면이다. 여기서는, 결함 검사 장치를 통해 검사하는 피대상물의 일 실시예로 반도체를 들어 설명하나, 피검사물의 대상물이 반도체에 한정되는 것은 아니며 그 이외의 다양한 대상물에 적용할 수 있음은 물론이다.4 is a block diagram of a defect inspection apparatus according to another embodiment of the present invention. Here, a semiconductor will be described as an example of an object to be inspected through a defect inspection apparatus, but it is needless to say that the object of the inspected object is not limited to a semiconductor and can be applied to various other objects.

도 4를 참조하면, 결함 검사 장치(200)는 촬영부(202), 디코딩부(204), 영상 합성부(206), 영상 변환부(208), 좌표 보정부(210), 결함 검출부(212), 및 리포팅부(214)를 포함한다. 4, the defect inspection apparatus 200 includes a photographing unit 202, a decoding unit 204, an image synthesizing unit 206, an image converting unit 208, a coordinate correcting unit 210, a defect detecting unit 212 ), And a reporting unit 214.

촬영부(202)는 입력되는 촬영 제어 신호에 따라 피검사물인 반도체(150)를 촬영한다. 이때, 반도체(150)는 회로 패턴이 형성된 웨이퍼일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 촬영부(202)는 스테레오 카메라(즉, 입체 카메라)일 수 있다. 이 경우, 촬영부(202)는 제1 카메라(202-1) 및 제2 카메라(202-2)를 포함하게 된다. 제1 카메라(202-1) 및 제2 카메라(202-2)는 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체(150)의 좌측 상부 및 우측 상부에서 각각 반도체(150)를 촬영할 수 있다. 이때, 제1 카메라(202-1)가 촬영한 영상을 좌영상이라 하고, 제2 카메라(202-2)가 촬영한 영상을 우영상이라 한다.The photographing unit 202 photographs the semiconductor 150, which is an object to be inspected, according to an input photographing control signal. At this time, the semiconductor 150 may be a wafer on which a circuit pattern is formed, but is not limited thereto. Here, the photographing unit 202 may be a stereo camera (i.e., a stereoscopic camera). In this case, the photographing unit 202 includes the first camera 202-1 and the second camera 202-2. As shown in FIG. 2, the first camera 202-1 and the second camera 202-2 can photograph the semiconductor 150 at the upper left portion and the upper right portion of the semiconductor 150, respectively. At this time, the image captured by the first camera 202-1 is referred to as a left image, and the image captured by the second camera 202-2 is referred to as a right image.

디코딩부(204)는 제1 카메라(202-1) 및 제2 카메라(202-2)가 반도체(150)를 촬영한 영상을 로 데이터(Raw Data) 형식으로 디코딩한다. 즉, 디코딩부(204)는 제1 카메라(202-1)가 촬영한 좌영상 및 제2 카메라(202-2)가 촬영한 우영상을 각각 로 데이터 형식으로 디코딩한다.The decoding unit 204 decodes the image of the semiconductor 150 taken by the first camera 202-1 and the second camera 202-2 into Raw Data format. That is, the decoding unit 204 decodes the left image captured by the first camera 202-1 and the right image captured by the second camera 202-2 into a data format, respectively.

영상 합성부(206)는 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상을 합성한다. 즉, 영상 합성부(206)는 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상을 스테레오 매칭(Stereo Matching)시킨다. 영상 합성부(206)가 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상을 합성하면, 합성된 영상은 입체감을 갖는 영상(3D 영상)이 되게 된다. 이때, 영상 합성부(206)는 반도체(150)에 형성된 회로 패턴 중 소정 부분을 기준으로 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상을 합성할 수 있다.The image synthesizer 206 synthesizes the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2. That is, the image synthesis unit 206 performs stereo matching on the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2. When the image synthesizing unit 206 synthesizes the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2, the synthesized image becomes a three-dimensional image (3D image). At this time, the image synthesizing unit 206 may synthesize the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2 based on a predetermined portion of the circuit pattern formed in the semiconductor 150 have.

예를 들어, 반도체(150)에 회로 패턴이 형성된 경우, 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상에는 각각 반도체(150)의 회로 패턴이 촬영되게 된다. 이때, 영상 합성부(206)는 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상에서 반도체(150)의 회로 패턴이 동일한 소정 부분을 기준으로 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상을 합성할 수 있다.For example, when a circuit pattern is formed on the semiconductor 150, the circuit pattern of the semiconductor 150 is photographed on the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2, respectively do. At this time, the image synthesizing unit 206 synthesizes the first camera 202-1 and the second camera 202-2 based on a predetermined portion of the circuit pattern of the semiconductor 150 on the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2. 202-1 and the right image of the second camera 202-2.

여기서는, 영상 합성부(206)가 반도체(150)에 형성된 회로 패턴 중 소정 부분을 기준으로 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상을 합성하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 영상 합성부(206)는 그 이외의 다양한 스테레오 매칭 방법을 이용하여 제1 카메라(202-1)의 좌영상 및 제2 카메라(202-2)의 우영상을 합성할 수 있다.Here, the image synthesizing unit 206 synthesizes the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2 on the basis of a predetermined portion of the circuit pattern formed on the semiconductor 150 The present invention is not limited thereto and the image synthesizing unit 206 synthesizes the left image of the first camera 202-1 and the right image of the second camera 202-2 using various other stereo matching methods can do.

영상 변환부(208)는 영상 합성부(206)가 합성한 영상 즉, 3D 영상을 2D 영상으로 변환시킨다. 예를 들어, 영상 변환부(208)는 영상 합성부(206)가 합성한 영상(입체감 있는 영상)을 평면도 형태의 2D 영상으로 변환시킬 수 있다. 여기서, 3D 영상을 2D 영상으로 변환시키는 경우, 영상의 정밀도를 높일 수 있게 된다. 이 경우, 원본 회로도 영상과의 비교를 통해 반도체(150)에 형성된 회로 패턴의 오류(또는 결함)를 보다 정밀하게 검출할 수 있게 된다. The image converting unit 208 converts the image synthesized by the image synthesizing unit 206, that is, the 3D image into the 2D image. For example, the image converting unit 208 may convert the image (stereoscopic image) synthesized by the image synthesizing unit 206 into a 2D image in the form of a plan view. Here, when the 3D image is converted into the 2D image, the accuracy of the image can be increased. In this case, the error (or defect) of the circuit pattern formed in the semiconductor 150 can be more accurately detected through comparison with the original circuit diagram image.

좌표 보정부(210)는 영상 변환부(208)에 의해 변환된 2D 영상(이하, 2D 변환 영상이라 함)과 원본 회로도 영상의 좌표를 보정한다. 여기서, 원본 회로도 영상은 반도체(150)에 형성된 회로 패턴의 원본 회로도를 나타낸 이미지를 말한다. 이때, 원본 회로도 영상은 원본 회로도를 촬영한 2D 영상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The coordinate correcting unit 210 corrects the coordinates of the 2D image converted by the image converting unit 208 (hereinafter referred to as a 2D converted image) and the original schematic diagram image. Here, the original circuit diagram image refers to an image showing an original circuit diagram of a circuit pattern formed on the semiconductor 150. At this time, the original circuit diagram image may be a 2D image of an original circuit diagram, but is not limited thereto.

좌표 보정부(210)는 2D 변환 영상과 원본 회로도 영상에서 회로 패턴이 일치하는 부분을 추출한 후, 추출한 부분을 기준으로 2D 변환 영상과 원본 회로도 영상의 좌표를 보정할 수 있다. 여기서, 원본 회로도 영상이 원본 회로도를 촬영하여 획득한 영상인 경우, 좌표 보정부(210)는 원본 회로도 영상에 모폴로지 필터를 적용하여 원본 회로도 영상에 포함된 노이즈를 줄인 후, 2D 변환 영상과 원본 회로도 영상의 좌표를 보정할 수 있다. 이 경우, 2D 변환 영상과 원본 회로도 영상은 동일한 영상 좌표를 가지게 된다.The coordinate correcting unit 210 may extract a portion where the circuit pattern matches the 2D converted image and the original circuit diagram image, and then correct the coordinates of the 2D converted image and the original schematic diagram image based on the extracted portion. Here, if the original circuit diagram is an image obtained by photographing the original circuit diagram, the coordinate correcting unit 210 applies a morphology filter to the original circuit diagram image to reduce the noise included in the original circuit diagram image, The coordinates of the image can be corrected. In this case, the 2D converted image and the original circuit diagram image have the same image coordinates.

결함 검출부(212)는 2D 변환 영상과 원본 회로도 영상을 비교하여 반도체(150)에 형성된 회로 패턴의 결함을 검출한다. 예를 들어, 결함 검출부(212)는 2D 변환 영상과 원본 회로도 영상의 차영상을 생성한다. 그 후, 결함 검출부(212)는 생성한 차영상에서 각 픽셀들의 화소값을 확인하여 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하는 픽셀 영역이 기 설정된 면적을 초과하여 발생하면, 해당 영역에 회로 패턴의 결함(또는 오류)이 있는 것으로 판단할 수 있다. The defect detecting unit 212 detects a defect in a circuit pattern formed in the semiconductor 150 by comparing the 2D converted image and the original circuit diagram image. For example, the defect detection unit 212 generates a difference image between the 2D converted image and the original schematic diagram image. Then, the defect detector 212 checks the pixel value of each pixel in the generated difference image, and if the difference between the pixel value of neighboring pixels exceeds a predetermined threshold value, , It can be determined that there is a defect (or an error) in the circuit pattern in the corresponding area.

즉, 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하는 픽셀의 경우, 회로 패턴의 결함에 의한 것일 수도 있지만 영상 자체에 포함된 노이즈에 의한 것일 수도 있다. 따라서, 결함 검출부(212)는 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하는 픽셀 영역이 기 설정된 면적을 초과하여 발생한 경우에만 해당 영역에 회로 패턴의 결함이 있는 것으로 판단한다.That is, in the case of a pixel whose difference from a pixel value of a neighboring pixel exceeds a preset threshold value, it may be caused by a defect of a circuit pattern, but may be caused by a noise included in the image itself. Therefore, the defect detector 212 determines that there is a defect in the circuit pattern in the area only when the pixel area where the difference between the pixel value of the neighboring pixel and the pixel area exceeds a preset threshold value is greater than a predetermined area.

도 5에 도시된 바와 같이, 결함 검출부(212)는 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하지 않는 픽셀(a)이라 하더라도, 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하는 인근 픽셀의 개수가 기 설정된 개수(예를 들어, 5개)를 초과하면, 해당 픽셀(a)도 회로 패턴의 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다. 여기서는, 기 설정된 개수를 5개로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 그 이외의 개수로 다양하게 설정할 수 있다.As shown in FIG. 5, even if the defect detector 212 determines that the difference between the pixel value of the neighboring pixel and the pixel value of the neighboring pixel does not exceed the predetermined threshold value, If the number of neighboring pixels exceeding the set threshold value exceeds a predetermined number (for example, five), the pixel (a) can also judge that there is a defect in the circuit pattern. Although the predetermined number is described here as 5, the number is not limited thereto and may be variously set as needed.

리포팅부(214)는 결함 검출부(210)로부터 반도체(150)에 형성된 회로 패턴의 결함이 발생한 부분의 위치 정보 및 해당 결함이 발생한 부분의 영역 정보를 전달받아 반도체 결함 리포트를 작성한다. 리포팅부(214)는 반도체 결함 리포트를 관리자에게 보고할 수 있다. 예를 들어, 리포팅부(214)는 반도체 결함 리포트를 화면에 표시하거나, 음성으로 출력하거나, 프린터를 통해 인쇄하여 관리자에게 보고할 수 있다. The reporting unit 214 receives the positional information of the defective portion of the circuit pattern formed on the semiconductor 150 and the area information of the defective portion from the defect detecting unit 210 and creates a semiconductor defect report. The reporting unit 214 can report the semiconductor defect report to the manager. For example, the reporting unit 214 may display the semiconductor defect report on the screen, output it by voice, print it through the printer, and report it to the manager.

본 발명의 실시예에 의하면, 피검사물의 3D 영상을 2D 영상으로 변환한 후 원본 영상과 비교함으로써, 피검사물에 형성된 회로 패턴의 결함 여부를 자동으로 정확하게 검출할 수 있게 된다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to automatically and accurately detect whether a circuit pattern formed on the inspected object is defective by converting the 3D image of the inspected object into a 2D image and comparing the 3D image with the original image.

한편, 도 1에 도시한 실시예와 도 4에 도시한 실시예에 따른 구성은 일체로 형성할 수 있다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 도 1에 도시한 실시예에서 영상 합성부(106)와 리포팅부(110) 사이의 구성에 영상 변환부(208), 좌표 보정부(210), 및 결함 검출부(212)를 추가하여 두 실시예에 따른 구성을 일체로 형성할 수도 있다.
Meanwhile, the embodiment shown in Fig. 1 and the embodiment according to the embodiment shown in Fig. 4 can be formed integrally. That is, as shown in FIG. 6, in the embodiment shown in FIG. 1, the configuration between the image combining section 106 and the reporting section 110 includes the image converting section 208, the coordinate correcting section 210, The configuration according to the two embodiments may be integrally formed by adding the detection unit 212. [

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, I will understand. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be determined by equivalents to the appended claims, as well as the appended claims.

100, 200 : 결함 검사 장치 102, 202 : 촬영부
102-1, 202-1 : 제1 카메라 102-2, 202-2 : 제2 카메라
104, 204 : 디코딩부 106, 206 : 영상 합성부
108 : 결함 종류 검출부 110, 214 : 리포팅부
208 : 영상 변환부 210 : 좌표 보정부
212 : 결함 검출부100, 200: defect inspection apparatus 102, 202:
102-1, 202-1: First camera 102-2, 202-2: Second camera
104, 204: decoding unit 106, 206:
108: Defect type detector 110, 214:
208: image conversion unit 210: coordinate correction unit
212:

Claims (10)

피검사물을 촬영하여 상기 피검사물의 좌영상 및 우영상을 획득하는 촬영부;
상기 좌영상 및 우영상을 합성하여 3D 합성 영상을 형성하는 영상 합성부; 및
상기 3D 합성 영상의 표면 기울기 변화를 통해 상기 피검사물의 표면에 발생된 결함의 종류를 검출하는 결함 종류 검출부를 포함하는, 결함 검사 장치.
A photographing unit which acquires a left image and a right image of the inspected object by photographing the inspected object;
An image synthesizer for synthesizing the left and right images to form a 3D synthesized image; And
And a defect type detector for detecting a type of defect generated on the surface of the inspected object by changing a surface slope of the 3D composite image.
제1항에 있어서,
상기 영상 합성부는,
상기 좌영상 및 우영상에서 상기 피검사물의 결함이 발생한 위치를 확인한 후, 상기 피검사물의 결함이 발생한 위치를 기준으로 상기 좌영상 및 우영상을 합성하는, 결함 검사 장치.
The method of claim 1,
Wherein the image synthesizer comprises:
And checking the position where the defect of the inspected object occurs in the left image and the right image, and synthesizing the left image and the right image based on the position where the defect of the inspected object occurs.
제1항에 있어서,
상기 결함 종류 검출부는,
상기 3D 합성 영상의 표면 기울기가 기 설정된 임계치 이상으로 증가하다가 감소하는 경우, 해당 영역에 이물질로 인한 결함이 발생한 것으로 판단하는, 결함 검사 장치.
The method of claim 1,
The defect type detection unit,
If the surface slope of the 3D composite image increases or decreases above a predetermined threshold value, it is determined that a defect due to a foreign material in the area is determined, defect inspection apparatus.
제1항에 있어서,
상기 결함 종류 검출부는,
상기 3D 합성 영상의 표면 기울기가 기 설정된 임계치 이상으로 감소하다가 증가하는 경우, 해당 영역에 스크래치 또는 미세 침식으로 인한 결함이 발생한 것으로 판단하는, 결함 검사 장치.
The method of claim 1,
The defect type detection unit,
And determining that a defect due to scratching or fine erosion has occurred in a corresponding area when the surface slope of the 3D composite image decreases and increases above a preset threshold.
제4항에 있어서,
상기 결함 종류 검출부는,
상기 3D 합성 영상의 표면 기울기가 기 설정된 임계치 미만으로 감소하다가 증가하는 경우, 해당 영역의 픽셀의 화소값을 이웃 픽셀의 화소값과 비교하여 해당 영역의 픽셀의 화소값이 이웃 픽셀의 화소값에 비해 기 설정된 임계치보다 낮으면, 해당 영역에 스크래치 또는 미세 침식으로 인한 결함이 발생한 것으로 판단하는, 결함 검사 장치.
5. The method of claim 4,
The defect type detection unit,
When the surface slope of the 3D composite image decreases below a preset threshold and increases, the pixel value of the pixel of the corresponding area is compared with the pixel value of the neighboring pixel, and the pixel value of the pixel of the corresponding area is compared with the pixel value of the neighboring pixel. When it is lower than the preset threshold, it is determined that a defect due to scratch or fine erosion in the region, defect inspection apparatus.
제1항에 있어서,
상기 결함 검사 장치는,
상기 결함 종류 검출부로부터 상기 피검사물의 결함이 발생한 부분의 위치 정보 및 해당 결함의 종류 정보를 전달받아 결함 리포트를 작성하는 리포팅부를 더 포함하는, 결함 검사 장치.
The method of claim 1,
The defect inspection apparatus includes:
And a reporting unit which receives the positional information of the portion where the defect of the inspected object and the type of the defect are received from the defect type detection unit and creates a defect report.
제1항에 있어서,
상기 촬영부는, 표면에 회로 패턴이 형성된 피검사물을 촬영하고,
상기 결함 검사 장치는,
상기 3D 합성 영상을 2D 영상으로 변환하여 2D 변환 영상을 생성하는 영상 변환부;
상기 회로 패턴의 원본 회로도 영상과 상기 2D 변환 영상의 좌표를 보정하는 좌표 보정부; 및
상기 원본 회로도 영상과 상기 2D 변환 영상을 비교하여 상기 피검사물에 형성된 회로 패턴의 결함을 검출하는 결함 검출부를 더 포함하는, 결함 검사 장치.
The method of claim 1,
The photographing unit photographs an inspection object having a circuit pattern formed on a surface thereof,
The defect inspection apparatus includes:
An image converting unit for converting the 3D synthesized image into a 2D image to generate a 2D converted image;
A coordinate correcting unit for correcting coordinates of the original circuit diagram of the circuit pattern and the 2D transformed image; And
And a defect detector for comparing the original circuit diagram image with the 2D converted image to detect a defect of a circuit pattern formed on the inspected object.
제7항에 있어서,
상기 결함 검출부는,
상기 원본 회로도 영상과 상기 2D 변환 영상의 차영상을 생성한 후, 생성된 차영상에서 각 픽셀들의 화소값을 확인하여 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하는 픽셀 영역이 기 설정된 면적을 초과하면, 해당 영역에 회로 패턴의 결함이 발생한 것으로 판단하는, 결함 검사 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the defect detecting unit comprises:
A difference image between the original schematic diagram image and the 2D transform image is generated, and a pixel area in which a difference between a pixel value of each pixel in the generated difference image and a pixel value of a neighboring pixel exceeds a preset threshold value And judges that a defect of the circuit pattern exists in the area when the area exceeds the predetermined area.
제8항에 있어서,
상기 결함 검출부는,
상기 차영상에서 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하지 않는 픽셀이라 하더라도, 이웃하는 픽셀의 화소값과의 차이가 기 설정된 임계값을 초과하는 인근 픽셀의 개수가 기 설정된 개수를 초과하면, 해당 픽셀도 회로 패턴의 결함이 발생한 것으로 판단하는, 결함 검사 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the defect detecting unit comprises:
Even if the difference from the pixel value of the neighboring pixel in the difference image does not exceed the predetermined threshold value, the number of neighboring pixels whose difference from the pixel value of the neighboring pixel exceeds a predetermined threshold value And when the number of defective pixels exceeds the number, it is judged that the corresponding pixel also has a defective circuit pattern.
제7항에 있어서,
상기 결함 검사 장치는,
상기 결함 검출부로부터 상기 피검사물에 형성된 회로 패턴의 결함이 발생된 부분의 위치 정보 및 해당 결함이 발생한 부분의 영역 정보를 전달받아 결함 리포트를 작성하는 리포팅부를 더 포함하는, 결함 검사 장치.

8. The method of claim 7,
The defect inspection apparatus includes:
Further comprising: a reporting unit for receiving a position information of a portion where a defect of a circuit pattern formed on the inspected object is generated from the defect detecting unit, and area information of a portion where the defect occurs, and generating a defect report.

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