KR20140037756A - Separation apparatus, separation system and separation method - Google Patents

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Abstract

The present invention aims the efficiency of peeling processing as its purpose. A peeing device according to an embodiment includes a first maintaining part, a cutting part, a measurement part, and a position adjusting part. The first maintaining part maintains a first substrate among polymerizing substrates attached to the first substrate and a second substrate. The cutting part cuts an attachment part of the first and second substrates. The measurement part measures a distance from a set measurement reference position to a maintenance surface of the first maintaining part or a distance to an object placed between the reference position and the maintenance surface. The position adjusting part adjusts a cut part of the cutting part based on the measurement result and information about the thickness of the attachment substrate.

Description

박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법{SEPARATION APPARATUS, SEPARATION SYSTEM AND SEPARATION METHOD}Peeling device, peeling system and peeling method {SEPARATION APPARATUS, SEPARATION SYSTEM AND SEPARATION METHOD}

개시의 실시형태는, 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법에 관한 것이다. Embodiments of the disclosure relate to a peeling apparatus, a peeling system, and a peeling method.

최근, 예컨대, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판의 대구경화 및 박형화가 진행되고 있다. 대구경이고 얇은 반도체 기판은, 반송시나 연마 처리시에 휘어짐이나 균열이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 반도체 기판에 지지 기판을 접합시켜 보강한 후에, 반송이나 연마 처리를 행하고, 그 후, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 처리가 행해지고 있다. In recent years, in the manufacturing process of a semiconductor device, large diameter and thinning of semiconductor substrates, such as a silicon wafer and a compound semiconductor wafer, are progressing. Large-diameter, thin semiconductor substrates may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after bonding a support substrate to a semiconductor substrate and reinforcing it, conveyance and a grinding | polishing process are performed, and the process which peels a support substrate from a semiconductor substrate after that is performed.

예컨대, 특허문헌 1에는, 제1 유지부를 이용하여 반도체 기판을 유지하고, 제2 유지부를 이용하여 지지 기판을 유지하고, 제2 유지부의 외주부를 수직 방향으로 이동시킴으로써, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 기술이 개시되어 있다. For example, Patent Literature 1 holds a semiconductor substrate using a first holding portion, holds a supporting substrate using a second holding portion, and peels the supporting substrate from the semiconductor substrate by moving the outer peripheral portion of the second holding portion in the vertical direction. The technique which makes it is disclosed.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2012-69914호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-69914

그러나, 전술한 종래 기술에는, 박리 처리의 효율화를 도모한다는 점에서 한층 더 개선의 여지가 있었다. 또한, 이러한 과제는, 기판의 박리를 수반하는 SOI(Silicon On Insulator) 등의 제조 공정에 있어서도 생길 수 있는 과제이다. However, the above-mentioned prior art had room for further improvement in that efficiency of peeling process was aimed at. Such a problem is also a problem that may occur in a manufacturing process of a SOI (Silicon On Insulator) or the like accompanied by peeling of a substrate.

실시형태의 일 양태는, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있는 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. One aspect of embodiment aims at providing the peeling apparatus, the peeling system, and the peeling method which can aim at the efficiency of peeling process.

실시형태의 일 양태에 따른 박리 장치는, 제1 유지부와, 절개부와, 계측부와, 위치 조정부를 구비한다. 제1 유지부는, 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 제1 기판을 유지한다. 절개부는, 제1 기판과 제2 기판의 접합 부분에 대하여 절개를 넣는다. 계측부는, 정해진 측정 기준 위치로부터 제1 유지부의 유지면까지의 거리 또는 측정 기준 위치와 유지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측한다. 위치 조정부는, 계측부의 계측 결과와, 미리 취득된 중합 기판의 두께에 관한 정보에 기초하여 절개부의 절개 위치를 조정한다. The peeling apparatus which concerns on one aspect of embodiment is equipped with a 1st holding part, a cutout part, a measurement part, and a position adjustment part. The first holding portion holds the first substrate among the polymerized substrates to which the first substrate and the second substrate are bonded. The cutout section cuts off the junction between the first substrate and the second substrate. The measurement unit measures the distance from the determined measurement reference position to the holding surface of the first holding part or the distance to the object interposed between the measurement reference position and the holding surface. The position adjustment unit adjusts the cutting position of the cutout based on the measurement result of the measurement unit and the information about the thickness of the polymerized substrate obtained in advance.

실시형태의 일 양태에 따르면, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있다. According to one aspect of embodiment, the efficiency of peeling process can be aimed at.

도 1은 제1 실시형태에 따른 박리 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
도 2는 중합 기판의 모식 측면도이다.
도 3은 박리 시스템에 의해서 실행되는 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 5는 절개부의 구성을 나타내는 모식 사시도이다.
도 6은 절개부의 위치 조정 처리의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 7a는 박리 장치의 동작 설명도이다.
도 7b는 박리 장치의 동작 설명도이다.
도 7c는 박리 장치의 동작 설명도이다.
도 8a는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 8b는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 8c는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 9는 제2 실시형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 10은 제2 유지부의 경사 검출 방법의 설명도이다.
도 11a는 SOI 기판의 제조 공정을 나타내는 모식도이다.
도 11b는 SOI 기판의 제조 공정을 나타내는 모식도이다. FIG. 1: is a schematic plan view which shows the structure of the peeling system which concerns on 1st Embodiment.
2 is a schematic side view of a polymer substrate.
3 is a flowchart showing a processing sequence of substrate processing executed by the peeling system.
It is a schematic side view which shows the structure of the peeling apparatus which concerns on 1st Embodiment.
It is a schematic perspective view which shows the structure of a cut-out part.
6 is a flowchart showing a processing procedure of the position adjustment processing of the cutout portion.
It is explanatory drawing of the operation of the peeling apparatus.
It is explanatory drawing of the operation of the peeling apparatus.
It is explanatory drawing of the operation of the peeling apparatus.
It is explanatory drawing of the peeling operation by a peeling apparatus.
It is explanatory drawing of the peeling operation by a peeling apparatus.
It is explanatory drawing of the peeling operation by a peeling apparatus.
It is a schematic side view which shows the structure of the peeling apparatus which concerns on 2nd Embodiment.
It is explanatory drawing of the tilt detection method of a 2nd holding part.
It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of an SOI substrate.
It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of an SOI substrate.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 박리 시스템의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the peeling system which this application discloses is described in detail with reference to an accompanying drawing. In addition, the present invention is not limited to the embodiments described below.

(제1 실시형태)(First embodiment)

<1. 박리 시스템><1. Peeling system>

우선, 제1 실시형태에 따른 박리 시스템의 구성에 관해서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시형태에 따른 박리 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이며, 도 2는, 중합 기판의 모식 측면도이다. 또한, 이하에 있어서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 플러스 방향을 수직 상향 방향으로 한다. First, the structure of the peeling system which concerns on 1st Embodiment is demonstrated with reference to FIG. 1 and FIG. FIG. 1: is a schematic plan view which shows the structure of the peeling system which concerns on 1st Embodiment, and FIG. 2 is a schematic side view of a polymeric board | substrate. In addition, below, in order to clarify a positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction orthogonal to each other are prescribed | regulated, and let the Z-axis plus direction be a vertical upward direction.

도 1에 나타내는 제1 실시형태에 따른 박리 시스템(1)은, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 접착제(G)로 접합된 중합 기판(T)(도 2 참조)을, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)으로 박리한다. The peeling system 1 according to the first embodiment shown in Fig. 1 is a peeling system 1 according to the first embodiment in which a polymerized substrate T (see Fig. 2) in which a substrate W to be processed and a supporting substrate S are bonded with an adhesive G And is peeled off to the process substrate W and the support substrate S.

이하에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 피처리 기판(W)의 판면 중, 접착제(G)를 통해 지지 기판(S)과 접합되는 측의 판면을「접합면 Wj」라고 하고, 접합면 Wj와는 반대측의 판면을 「비접합면 Wn」이라고 한다. 또한, 지지 기판(S)의 판면 중, 접착제(G)를 통해 피처리 기판(W)과 접합되는 측의 판면을 「접합면 Sj」라고 하고, 접합면 Sj와는 반대측의 판면을 「비접합면 Sn」이라고 한다. Hereinafter, as shown in FIG. 2, in the board surface of the to-be-processed board | substrate W, the board surface of the side joined with the support substrate S through the adhesive agent G is called "joining surface Wj", and it is different from the joining surface Wj. The plate surface on the opposite side is called "non-joint surface Wn." In addition, in the board surface of the support board | substrate S, the board surface of the side joined with the to-be-processed substrate W through the adhesive agent G is called "joining surface Sj," and the board surface on the opposite side to the joining surface Sj is a "non-joining surface. Sn ".

피처리 기판(W)은, 예컨대, 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판에 복수의 전자 회로가 형성된 기판이며, 전자 회로가 형성되는 측의 판면을 접합면 Wj라고 한다. 또, 피처리 기판(W)은, 예컨대 비접합면 Wn이 연마 처리됨에 따라 박형화되어 있다. 구체적으로는, 피처리 기판(W)의 두께는, 약 20∼100 ㎛이다. The to-be-processed substrate W is a board | substrate with which several electronic circuits were formed in semiconductor substrates, such as a silicon wafer and a compound semiconductor wafer, for example, The board surface of the side in which an electronic circuit is formed is called bonding surface Wj. Moreover, the to-be-processed board | substrate W becomes thin, for example as the non-bonding surface Wn is polished. Specifically, the thickness of the substrate W to be processed is about 20 to 100 µm.

한편, 지지 기판(S)은, 피처리 기판(W)과 대략 동일 직경의 기판이며, 피처리 기판(W)을 지지한다. 지지 기판(S)의 두께는, 약 650∼750 ㎛이다. 이러한 지지 기판(S)으로서는, 실리콘 웨이퍼 이외에, 예컨대, 화합물 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 피처리 기판(W) 및 지지 기판(S)을 접합하는 접착제(G)의 두께는, 약 40∼150 ㎛이다. On the other hand, support substrate S is a board | substrate of substantially the same diameter as the to-be-processed substrate W, and supports the to-be-processed substrate W. FIG. The thickness of the supporting substrate S is about 650 to 750 mu m. As such a support substrate S, a compound semiconductor wafer, a glass substrate, etc. can be used other than a silicon wafer, for example. In addition, the thickness of the adhesive agent G which bonds these to-be-processed board | substrates W and the support substrate S is about 40-150 micrometers.

제1 실시형태에 따른 박리 시스템(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 처리 블록(10)과 제2 처리 블록(20)을 구비한다. 제1 처리 블록(10)과 제2 처리 블록(20)은, 제2 처리 블록(20) 및 제1 처리 블록(10)의 순서로 X축 방향으로 나란히 배치된다. The peeling system 1 according to the first embodiment includes a first processing block 10 and a second processing block 20 as shown in Fig. The first processing block 10 and the second processing block 20 are arranged side by side in the X-axis direction in the order of the second processing block 20 and the first processing block 10.

제1 처리 블록(10)은, 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)에 대한 처리를 행하는 블록이다. 이러한 제1 처리 블록(10)은, 반입반출 스테이션(11)과, 제1 반송 영역(12)과, 대기 스테이션(13)과, 에지 컷트 스테이션(14)과, 박리 스테이션(15)과, 제1 세정 스테이션(16)을 구비한다. The 1st process block 10 is a block which performs the process with respect to the polymeric substrate T or the to-be-processed substrate W after peeling. Such a first processing block 10 includes an import / export station 11, a first transport region 12, a standby station 13, an edge cut station 14, a peeling station 15, and a first One washing station 16 is provided.

한편, 제2 처리 블록(20)은, 박리 후의 지지 기판(S)에 대한 처리를 행하는 블록이다. 이러한 제2 처리 블록(20)은, 전달 스테이션(21)과, 제2 세정 스테이션(22)과, 제2 반송 영역(23)과, 반출 스테이션(24)을 구비한다. In addition, the 2nd process block 20 is a block which performs the process with respect to the support substrate S after peeling. This second processing block 20 includes a delivery station 21, a second cleaning station 22, a second conveyance area 23, and a carrying out station 24.

제1 처리 블록(10)의 제1 반송 영역(12)과, 제2 처리 블록(20)의 제2 반송 영역(23)은, X축 방향으로 나란히 배치된다. 또한, 제1 반송 영역(12)의 Y축 마이너스 방향측에는, 반입반출 스테이션(11) 및 대기 스테이션(13)이, 반입반출 스테이션(11) 및 대기 스테이션(13)의 순서로 X축 방향으로 나란히 배치되고, 제2 반송 영역(23)의 Y축 마이너스 방향측에는, 반출 스테이션(24)이 배치된다. The first transfer area 12 of the first processing block 10 and the second transfer area 23 of the second processing block 20 are arranged side by side in the X axis direction. Further, on the Y-axis negative direction side of the first transport region 12, the carry-in / out station 11 and the standby station 13 are arranged side by side in the X-axis direction in the order of the carry-in / out station 11 and the standby station 13. It is arrange | positioned and the unloading station 24 is arrange | positioned at the Y-axis negative direction side of the 2nd conveyance area | region 23. As shown in FIG.

또한, 제1 반송 영역(12)을 사이에 두고 반입반출 스테이션(11) 및 대기 스테이션(13)의 반대측에는, 박리 스테이션(15) 및 제1 세정 스테이션(16)이, 박리 스테이션(15) 및 제1 세정 스테이션(16)의 순서로 X축 방향으로 나란히 배치된다. 또한, 제2 반송 영역(23)을 사이에 두고 반출 스테이션(24)의 반대측에는, 전달 스테이션(21) 및 제2 세정 스테이션(22)이, 제2 세정 스테이션(22) 및 전달 스테이션(21)의 순서로 X축 방향으로 나란히 배치된다. 그리고, 제1 반송 영역(12)의 X축 플러스 방향측에는, 에지 컷트 스테이션(14)이 배치된다. Moreover, the peeling station 15 and the 1st washing station 16 are the peeling station 15 and the opposite side of the carrying-in / out station 11 and the waiting station 13 with the 1st conveyance area 12 in between. The first cleaning stations 16 are arranged side by side in the X-axis direction. Moreover, on the opposite side of the unloading station 24 with the 2nd conveyance area 23 interposed, the delivery station 21 and the 2nd washing station 22 are the 2nd washing station 22 and the delivery station 21. It is arranged side by side in the X-axis direction in the order of. And the edge cut station 14 is arrange | positioned at the X-axis plus direction side of the 1st conveyance area | region 12. As shown in FIG.

우선, 제1 처리 블록(10)의 구성에 관해서 설명한다. 반입반출 스테이션(11)에서는, 중합 기판(T)이 수용되는 카세트 Ct 및 박리 후의 피처리 기판(W)이 수용되는 카세트 Cw가 외부와의 사이에서 반입반출된다. 이러한 반입반출 스테이션(11)에는, 카세트 배치대가 설치되어 있고, 이 카세트 배치대에, 카세트 Ct, Cw의 각각이 배치되는 복수의 카세트 배치판(110a, 110b)이 설치된다. First, the configuration of the first processing block 10 will be described. In the carry-in / out station 11, the cassette Ct which accommodates the polymeric board | substrate T and the cassette Cw which accommodates the to-be-processed board | substrate W after peeling are carried in and out from the outside. A cassette mounting table is provided in this loading / unloading station 11, and a plurality of cassette placing plates 110a and 110b in which each of cassettes Ct and Cw are disposed are provided in the cassette mounting table.

제1 반송 영역(12)에서는, 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)의 반송이 행해진다. 제1 반송 영역(12)에는, 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)의 반송을 행하는 제1 반송 장치(30)가 설치된다. In the first transfer region 12, the transfer of the polymerized substrate T or the substrate W after the peeling is carried out. In the 1st conveyance area | region 12, the 1st conveyance apparatus 30 which conveys the polymeric board T or the to-be-processed substrate W after peeling is provided.

제1 반송 장치(30)는, 수평 방향으로의 이동, 수직 방향으로의 승강 및 수직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 아암부와, 이 반송 아암부의 선단에 부착된 기판 유지부를 구비하는 기판 반송 장치이다. 이러한 제1 반송 장치(30)는, 기판 유지부를 이용하여 기판을 유지하고, 기판 유지부에 의해서 유지된 기판을 반송 아암부에 의해서 원하는 장소까지 반송한다. The 1st conveyance apparatus 30 is a board | substrate conveyance provided with the conveyance arm part which can be moved to a horizontal direction, the raising and lowering in a vertical direction, and turning around a vertical direction, and the board | substrate holding part attached to the front-end | tip of this conveyance arm part. Device. Such a 1st conveyance apparatus 30 hold | maintains a board | substrate using a board | substrate holding part, and conveys the board | substrate hold | maintained by the board | substrate holding part to a desired place by a conveyance arm part.

대기 스테이션(13)에는, 중합 기판(T)의 ID(Identification)의 판독을 행하는 ID 판독 장치가 배치되고, 이러한 ID 판독 장치에 의해서, 처리중인 중합 기판(T)을 식별할 수 있다. In the standby station 13, an ID reading device for reading the identification (ID) of the polymerization substrate T is disposed, and the polymerization substrate T being processed can be identified by such an ID reading device.

이 대기 스테이션(13)에서는, 상기 ID 판독 처리에 더하여, 처리 대기되는 중합 기판(T)을 일시적으로 대기시켜 두는 대기 처리가 필요에 따라서 행해진다. 이러한 대기 스테이션(13)에는, 제1 반송 장치(30)에 의해서 반송된 중합 기판(T)이 배치되는 배치대가 설치되어 있고, 이러한 배치대에, ID 판독 장치와 일시 대기부가 배치된다. In this waiting station 13, in addition to the above-described ID reading processing, a waiting process for temporarily waiting the polymer substrate T to be waited for for processing is performed. In the stand-by station 13, a mounting table on which the polymerized substrate T conveyed by the first conveying device 30 is arranged is provided, and the ID reading device and the temporary waiting portion are arranged on such a mounting table.

에지 컷트 스테이션(14)에서는, 접착제(G)(도 2 참조)의 둘레 가장자리부를 용제에 의해서 용해시켜 제거하는 에지 컷트 처리가 행해진다. 이러한 에지 컷트 처리에 의해서 접착제(G)의 둘레 가장자리부가 제거됨으로써, 후술하는 박리 처리에 있어서 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 박리시키기 쉽게 할 수 있다. 이러한 에지 컷트 스테이션(14)에는, 접착제(G)의 용제에 중합 기판(T)을 침지시킴에 따라, 접착제(G)의 둘레 가장자리부를 용제에 의해서 용해시키는 에지 컷트 장치가 설치된다. In the edge cut station 14, the edge cut process which melt | dissolves and removes the peripheral part of adhesive G (refer FIG. 2) with a solvent is performed. By removing the peripheral edge part of the adhesive agent G by such an edge cut process, it can make it easy to peel the to-be-processed board | substrate W and the support substrate S in the peeling process mentioned later. In such an edge cut station 14, the edge cut apparatus which melt | dissolves the peripheral edge part of the adhesive agent G with a solvent is provided by immersing the polymerization substrate T in the solvent of the adhesive agent G. As shown in FIG.

박리 스테이션(15)에서는, 제1 반송 장치(30)에 의해 반송된 중합 기판(T)을 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)으로 박리하는 박리 처리가 행해진다. 이러한 박리 스테이션(15)에는, 박리 처리를 행하는 박리 장치가 설치된다. 이러한 박리 장치의 구체적인 구성 및 동작에 관해서는, 후술한다. The peeling station 15 performs a peeling process for peeling the polymerized substrate T transported by the first transport device 30 to the target substrate W and the support substrate S. [ The peeling station (15) is provided with a peeling apparatus for performing the peeling process. The specific configuration and operation of such a peeling apparatus will be described later.

제1 세정 스테이션(16)에서는, 박리 후의 피처리 기판(W)의 세정 처리가 행해진다. 제1 세정 스테이션(16)에는, 박리 후의 피처리 기판(W)을 세정하는 제1 세정 장치가 설치된다. In the first cleaning station 16, a cleaning process of the to-be-treated substrate W after peeling is performed. In the 1st washing station 16, the 1st washing apparatus which wash | cleans the to-be-processed substrate W after peeling is provided.

이러한 제1 처리 블록(10)에서는, 에지 컷트 스테이션(14)에 있어서 중합 기판(T)의 에지 컷트 처리를 행한 후에, 박리 스테이션(15)에 있어서 중합 기판(T)의 박리 처리를 행한다. 또한, 제1 처리 블록(10)에서는, 제1 세정 스테이션(16)에 있어서 박리 후의 피처리 기판(W)을 세정한 후, 세정 후의 피처리 기판(W)을 반입반출 스테이션(11)으로 반송한다. 그 후, 세정 후의 피처리 기판(W)은, 반입반출 스테이션(11)으로부터 외부로 반출된다. In this 1st process block 10, after performing the edge cut process of the polymeric board | substrate T in the edge cut station 14, the peeling process of the polymeric board | substrate T is performed in the peeling station 15. FIG. In addition, in the 1st process block 10, after wash | cleaning the to-be-processed board | substrate W after peeling in the 1st washing station 16, the to-be-processed board | substrate W after washing is conveyed to the carry-in / out station 11. do. Then, the to-be-processed substrate W after washing is carried out from the carrying in / out station 11 to the outside.

계속해서, 제2 처리 블록(20)의 구성에 관해서 설명한다. 전달 스테이션(21)에서는, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 스테이션(15)으로부터 수취하여 제2 세정 스테이션(22)으로 건네 주는 전달 처리가 행해진다. 전달 스테이션(21)에는, 박리 후의 지지 기판(S)을 비접촉으로 유지하여 반송하는 제3 반송 장치(50)가 설치되고, 이러한 제3 반송 장치(50)에 의해서 상기 전달 처리가 행해진다. Next, the configuration of the second processing block 20 will be described. In the delivery station 21, the delivery process which receives the support substrate S after peeling from the peeling station 15, and passes it to the 2nd washing station 22 is performed. The transfer station 21 is provided with the 3rd conveying apparatus 50 which hold | maintains and conveys the support substrate S after peeling non-contactingly, and the said conveyance process is performed by such a 3rd conveying apparatus 50. FIG.

제2 세정 스테이션(22)에서는, 박리 후의 지지 기판(S)을 세정하는 제2 세정 처리가 행해진다. 이러한 제2 세정 스테이션(22)에는, 박리 후의 지지 기판(S)을 세정하는 제2 세정 장치가 설치된다. In the second cleaning station 22, a second cleaning process for cleaning the support substrate S after peeling is performed. The second cleaning station 22 is provided with a second cleaning apparatus for cleaning the support substrate S after peeling off.

제2 반송 영역(23)에서는, 제2 세정 장치에 의해서 세정된 지지 기판(S)의 반송이 행해진다. 제2 반송 영역(23)에는, 지지 기판(S)의 반송을 행하는 제2 반송 장치(40)가 설치된다. In the 2nd conveyance area | region 23, conveyance of the support substrate S wash | cleaned by the 2nd washing | cleaning apparatus is performed. A second transfer device (40) for transferring the support substrate (S) is provided in the second transfer area (23).

제2 반송 장치(40)는, 수평 방향으로의 이동, 수직 방향으로의 승강 및 수직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 아암부와, 이 반송 아암부의 선단에 부착된 기판 유지부를 구비하는 기판 반송 장치이다. 이러한 제2 반송 장치(40)는, 기판 유지부를 이용하여 기판을 유지하고, 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 반송 아암부에 의해서 반출 스테이션(24)까지 반송한다. 또, 제2 반송 장치(40)가 구비하는 기판 유지부는, 예컨대 지지 기판(S)을 아래쪽에서 지지함으로써 지지 기판(S)을 대략 수평으로 유지하는 포크 등이다. The 2nd conveyance apparatus 40 is a board | substrate conveyance provided with the conveyance arm part which can be moved to a horizontal direction, the elevation to a vertical direction, and turning about a vertical direction, and the board | substrate holding part attached to the front-end | tip of this conveyance arm part. Device. Such a 2nd conveyance apparatus 40 hold | maintains a board | substrate using a board | substrate holding part, and conveys the board | substrate hold | maintained by the board | substrate holding part to the carrying out station 24 by a conveyance arm part. Moreover, the board | substrate holding part with which the 2nd conveying apparatus 40 is equipped is a fork etc. which hold | maintain the support substrate S substantially horizontally, for example by supporting the support substrate S from below.

반출 스테이션(24)에서는, 지지 기판(S)이 수용되는 카세트 Cs가 외부와의 사이에서 반입반출된다. 이러한 반출 스테이션(24)에는, 카세트 배치대가 설치되어 있고, 이 카세트 배치대에, 카세트 Cs가 배치되는 복수의 카세트 배치판(240a, 240b)이 설치된다. In the unloading station 24, the cassette Cs in which the support substrate S is accommodated is carried in and out from the outside. A cassette mounting table is provided in this carrying out station 24, and a plurality of cassette mounting plates 240a and 240b on which the cassette Cs is arranged are provided on the cassette mounting table.

이러한 제2 처리 블록(20)에서는, 박리 후의 지지 기판(S)이 박리 스테이션(15)으로부터 전달 스테이션(21)을 통해 제2 세정 스테이션(22)으로 반송되고, 제2 세정 스테이션(22)에 있어서 세정된다. 그 후, 제2 처리 블록(20)에서는, 세정 후의 지지 기판(S)을 반출 스테이션(24)으로 반송하고, 세정 후의 지지 기판(S)은, 반출 스테이션(24)으로부터 외부로 반출된다. In such a 2nd process block 20, the support substrate S after peeling is conveyed from the peeling station 15 to the 2nd washing station 22 via the transfer station 21, and to the 2nd washing station 22. Is washed. Thereafter, in the second processing block 20, the supporting substrate S after cleaning is conveyed to the carrying out station 24, and the supporting substrate S after washing is carried out from the carrying out station 24 to the outside.

또한, 박리 시스템(1)은, 제어 장치(60)를 구비한다. 제어 장치(60)는, 박리 시스템(1)의 동작을 제어하는 장치이다. 이러한 제어 장치(60)는, 예컨대 컴퓨터이며, 도시하지 않는 제어부와 기억부를 구비한다. 기억부에는, 박리 처리 등의 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부는 기억부에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 박리 시스템(1)의 동작을 제어한다. In addition, the peeling system 1 is equipped with the control apparatus 60. The control device (60) is an apparatus for controlling the operation of the peeling system (1). Such a control apparatus 60 is a computer, for example, and is provided with the control part and storage part which are not shown in figure. The storage unit stores a program for controlling various processes such as peeling process. The control unit controls the operation of the peeling system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit.

또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기록 매체로부터 제어 장치(60)의 기억부에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기록 매체로서는, 예컨대 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. The program is recorded in a computer-readable recording medium, and may be installed in the storage unit of the control device 60 from the recording medium. Examples of recording media readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, and the like.

다음에, 전술한 박리 시스템(1)의 동작에 관해서 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은, 박리 시스템(1)에 의해서 실행되는 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다. 또, 박리 시스템(1)은, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 도 4에 나타내는 각 처리 순서를 실행한다. Next, operation | movement of the peeling system 1 mentioned above is demonstrated with reference to FIG. 3 is a flowchart showing the processing procedure of the substrate processing executed by the peeling system 1. Moreover, the peeling system 1 performs each process sequence shown in FIG. 4 based on the control of the control apparatus 60. FIG.

우선, 제1 처리 블록(10)의 제1 반송 영역(12)에 배치되는 제1 반송 장치(30)(도 1 참조)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 중합 기판(T)을 대기 스테이션(13)으로 반입하는 처리를 행한다(단계 S101). First, the 1st conveyance apparatus 30 (refer FIG. 1) arrange | positioned in the 1st conveyance area | region 12 of the 1st process block 10 is based on the control of the control apparatus 60, and the superposition | polymerization board | substrate T is carried out. The process of carrying in into the waiting station 13 is performed (step S101).

구체적으로는, 제1 반송 장치(30)는, 기판 유지부를 반입반출 스테이션(11)으로 진입시키고, 카세트 Ct에 수용된 중합 기판(T)을 유지하여 카세트 Ct로부터 추출한다. 이 때, 중합 기판(T)은, 피처리 기판(W)이 하면에 위치하고, 지지 기판(S)이 상면에 위치한 상태로, 제1 반송 장치(30)의 기판 유지부에 위쪽으로부터 유지된다. 그리고, 제1 반송 장치(30)는, 카세트 Ct로부터 추출한 중합 기판(T)을 대기 스테이션(13)으로 반송한다. Specifically, the 1st conveying apparatus 30 makes a board | substrate holding | maintenance part enter the carrying-in / out station 11, and hold | maintains the polymerized substrate T accommodated in cassette Ct, and extracts it from cassette Ct. At this time, the polymeric substrate T is hold | maintained from the upper side to the board | substrate holding part of the 1st conveying apparatus 30 in the state in which the to-be-processed substrate W is located in the lower surface, and the support substrate S is located in the upper surface. And the 1st conveying apparatus 30 conveys the polymeric board | substrate T extracted from cassette Ct to the standby station 13.

계속해서, 대기 스테이션(13)에서는, ID 판독 장치가, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 중합 기판(T)의 ID를 판독하는 ID 판독 처리를 행한다(단계 S102). ID 판독 장치에 의해서 판독된 ID는, 제어 장치(60)로 송신된다. Subsequently, in the standby station 13, the ID reading device performs an ID reading process of reading the ID of the polymerization substrate T based on the control of the control device 60 (step S102). The ID read by the ID reading apparatus is transmitted to the control apparatus 60.

계속해서, 제1 반송 장치(30)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, DF부착 중합 기판(T)을 대기 스테이션(13)으로부터 반출하고, 에지 컷트 스테이션(14)으로 반송한다. 그리고, 에지 컷트 스테이션(14)에서는, 에지 컷트 장치가, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 에지 컷트 처리를 행한다(단계 S103). 이러한 에지 컷트 처리에 의해 접착제(G)의 둘레 가장자리부가 제거되고, 후단의 박리 처리에 있어서 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 박리되기 쉬워진다. 이에 따라, 박리 처리에 필요한 시간을 단축시킬 수 있다. Subsequently, based on the control of the control apparatus 60, the 1st conveying apparatus 30 carries out DF-polymerized substrate T from the standby station 13, and conveys to the edge cut station 14. In the edge cut station 14, the edge cut device performs the edge cut process based on the control of the control device 60 (step S103). By the edge cutting process, the peripheral edge part of the adhesive agent G is removed, and the to-be-processed board | substrate W and the support substrate S become easy to peel in the peeling process of a back end. Thereby, the time required for a peeling process can be shortened.

제1 실시형태에 따른 박리 시스템(1)에서는, 에지 컷트 스테이션(14)이 제1 처리 블록(10)에 삽입되어 있기 때문에, 제1 처리 블록(10)으로 반입된 중합 기판(T)을 제1 반송 장치(30)를 이용하여 에지 컷트 스테이션(14)으로 직접 반입할 수 있다. 이 때문에, 박리 시스템(1)에 따르면, 일련의 기판 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 에지 컷트 처리로부터 박리 처리까지의 시간을 용이하게 관리할 수 있어, 박리 성능을 안정화시킬 수 있다. In the peeling system 1 which concerns on 1st Embodiment, since the edge cut station 14 is inserted in the 1st process block 10, the polymerization substrate T carried in to the 1st process block 10 is removed. It can carry in directly to the edge cut station 14 using 1 conveying apparatus 30. FIG. For this reason, according to the peeling system 1, the throughput of a series of substrate processing can be improved. Moreover, time from an edge cut process to peeling process can be managed easily, and peeling performance can be stabilized.

또한, 예컨대 장치 사이의 처리 시간차 등에 의해 처리 대기의 중합 기판(T)이 생기는 경우에는, 대기 스테이션(13)에 설치된 일시 대기부를 이용하여 중합 기판(T)을 일시적으로 대기시켜 둘 수 있고, 일련의 공정 사이에서의 손실 시간을 단축할 수 있다. In addition, when the superposition | polymerization board | substrate T of a process waiting is produced, for example by the process time difference between apparatuses, the superposition | polymerization board | substrate T can be temporarily hold | maintained using the temporary waiting part provided in the waiting station 13, The loss time between processes can be shortened.

계속해서, 제1 반송 장치(30)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 에지 컷트 처리 후의 중합 기판(T)을 에지 컷트 스테이션(14)으로부터 반출하고, 박리 스테이션(15)으로 반송한다. 그리고, 박리 스테이션(15)에서는, 박리 장치가, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여 박리 처리를 행한다(단계 S104). Subsequently, the 1st conveyance apparatus 30 carries out the superposition | polymerization board | substrate T after the edge cut process from the edge cut station 14, and conveys it to the peeling station 15 based on the control of the control apparatus 60. FIG. do. And in the peeling station 15, a peeling apparatus performs peeling process based on control of the control apparatus 60 (step S104).

그 후, 박리 시스템(1)에서는, 박리 후의 피처리 기판(W)에 관한 처리가 제1 처리 블록(10)에서 행해지고, 박리 후의 지지 기판(S)에 관한 처리가 제2 처리 블록(20)에서 행해진다. Then, in the peeling system 1, the process regarding the to-be-processed substrate W after peeling is performed in the 1st process block 10, and the process regarding the support substrate S after peeling is performed by the 2nd process block 20. FIG. Is done in.

우선, 제1 처리 블록(10)에서는, 제1 반송 장치(30)가, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 박리 후의 피처리 기판(W)을 박리 장치로부터 반출하여, 제1 세정 스테이션(16)으로 반송한다. 그리고, 제1 세정 장치는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 박리 후의 피처리 기판(W)의 접합면 Wj를 세정하는 피처리 기판 세정 처리를 행한다(단계 S105). 이러한 피처리 기판 세정 처리에 의해서, 피처리 기판(W)의 접합면 Wj에 잔존하는 접착제(G)가 제거된다. First, in the 1st processing block 10, the 1st conveying apparatus 30 carries out the to-be-processed substrate W after peeling from a peeling apparatus based on the control of the control apparatus 60, and a 1st washing station Return to (16). And the 1st washing | cleaning apparatus performs the to-be-processed board | substrate washing | cleaning process which wash | cleans the bonding surface Wj of the to-be-processed substrate W after peeling based on control of the control apparatus 60 (step S105). By such a substrate cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Wj of the substrate W is removed.

계속해서, 제1 반송 장치(30)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 세정 후의 피처리 기판(W)을 제1 세정 장치로부터 반출하고, 반입반출 스테이션(11)으로 반송하는 피처리 기판 반출 처리를 행한다(단계 S106). 그 후, 피처리 기판(W)은, 반입반출 스테이션(11)으로부터 외부로 반출되어 회수된다. 이렇게 해서, 피처리 기판(W)에 관한 처리가 종료된다. Subsequently, the 1st conveyance apparatus 30 carries out the to-be-processed board | substrate W after washing | cleaning from the 1st washing apparatus based on the control of the control apparatus 60, and conveys to the carrying-in / out station 11. The process board | substrate carrying out process is performed (step S106). Thereafter, the processing target substrate W is carried out to the outside from the carry-in / out station 11 and recovered. In this way, the process regarding the to-be-processed substrate W is complete | finished.

한편, 제2 처리 블록(20)에서는, 단계 S105 및 단계 S106의 처리와 병행하여, 단계 S107∼S109의 처리가 행해진다. On the other hand, in the second processing block 20, the processing of steps S107 to S109 is performed in parallel with the processing of steps S105 and S106.

우선, 제2 처리 블록(20)에서는, 전달 스테이션(21)에 설치된 제3 반송 장치(50)가, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 박리 후의 지지 기판(S)의 전달 처리를 행한다(단계 S107). First, in the 2nd processing block 20, the 3rd conveying apparatus 50 provided in the delivery station 21 performs the delivery process of the support substrate S after peeling based on the control of the control apparatus 60. FIG. (Step S107).

이 단계 S107에 있어서, 제3 반송 장치(50)는, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 장치로부터 수취하고, 수취한 지지 기판(S)을 제2 세정 스테이션(22)의 제2 세정 장치에 배치한다. 그리고, 제2 세정 장치는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 지지 기판(S)의 접합면 Sj를 세정하는 지지 기판 세정 처리를 행한다(단계 S108). 이러한 지지 기판 세정 처리에 의해서, 지지 기판(S)의 접합면 Sj에 잔존하는 접착제(G)가 제거된다. In this step S107, the 3rd conveying apparatus 50 receives the support substrate S after peeling from a peeling apparatus, and receives the received support substrate S to the 2nd washing | cleaning apparatus of the 2nd washing station 22. In FIG. To place. And the 2nd washing | cleaning apparatus performs the support substrate washing process which wash | cleans the bonding surface Sj of the support substrate S based on the control of the control apparatus 60 (step S108). By such support substrate cleaning treatment, the adhesive G remaining on the bonding surface Sj of the support substrate S is removed.

계속해서, 제2 반송 장치(40)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 세정 후의 지지 기판(S)을 제2 세정 장치로부터 반출하고, 반출 스테이션(24)으로 반송하는 지지 기판 반출 처리를 행한다(단계 S109). 그 후, 지지 기판(S)은, 반출 스테이션(24)으로부터 외부로 반출되어 회수된다. 이렇게 해서, 지지 기판(S)에 관한 처리가 종료된다. Subsequently, the 2nd conveyance apparatus 40 carries out the support substrate S after washing | cleaning from the 2nd washing apparatus based on the control of the control apparatus 60, and conveys the support substrate which conveys to the carrying out station 24. The process is performed (step S109). Thereafter, the support substrate S is carried out from the take-out station 24 to the outside. In this way, the process regarding the support substrate S is complete | finished.

이와 같이, 제1 실시형태에 따른 박리 시스템(1)은, 중합 기판(T) 및 피처리 기판(W)용 프론트 엔드[반입반출 스테이션(11) 및 제1 반송 장치(30)]와, 지지 기판(S)용 프론트 엔드[반출 스테이션(24) 및 제2 반송 장치(40)]를 구비하는 구성으로 하였다. 이에 따라, 세정 후의 피처리 기판(W)을 반입반출 스테이션(11)으로 반송하는 처리와, 세정 후의 지지 기판(S)을 반출 스테이션(24)으로 반송하는 처리를 병렬로 행하는 것이 가능해지기 때문에, 일련의 기판 처리를 효율적으로 행할 수 있다. Thus, the peeling system 1 which concerns on 1st Embodiment supports the front end (load-in / out station 11 and the 1st conveyance apparatus 30) for the polymeric board T and the to-be-processed board | substrate W, and It was set as the structure provided with the front end (carrying station 24 and the 2nd conveyance apparatus 40) for board | substrates S. Thereby, since it becomes possible to perform the process which conveys the to-be-processed board | substrate W after washing | cleaning to the carry-in / out station 11, and the process which conveys the support substrate S after washing | cleaning to the carrying-out station 24 in parallel, A series of board | substrate processes can be performed efficiently.

또한, 제1 실시형태에 따른 박리 시스템(1)은, 제1 처리 블록(10)과 제2 처리 블록(20)이, 전달 스테이션(21)에 의해서 접속된다. 이에 따라, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 스테이션(15)으로부터 직접 추출하여 제2 처리 블록(20)으로 반입하는 것이 가능해지기 때문에, 박리 후의 지지 기판(S)을 제2 세정 장치로 원활하게 반송할 수 있다. In the peeling system 1 according to the first embodiment, the first processing block 10 and the second processing block 20 are connected by the delivery station 21. Thereby, since it becomes possible to extract the support substrate S after peeling directly from the peeling station 15, and to carry it into the 2nd process block 20, the support substrate S after peeling is smoothly carried out by a 2nd washing apparatus. You can return it.

따라서, 제1 실시형태에 따른 박리 시스템(1)에 따르면, 일련의 기판 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다. Therefore, according to the peeling system 1 which concerns on 1st Embodiment, the throughput of a series of substrate processing can be improved.

<2. 박리 장치><2. Peeling device>

다음에, 박리 스테이션(15)에 설치되는 박리 장치의 구성 및 박리 장치를 이용하여 행해지는 중합 기판(T)의 박리 동작에 관해서 설명한다. 도 4는, 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다. Next, the structure of the peeling apparatus provided in the peeling station 15 and the peeling operation | movement of the polymeric board T performed using the peeling apparatus are demonstrated. It is a schematic side view which shows the structure of the peeling apparatus which concerns on 1st Embodiment.

도 4에 나타낸 바와 같이, 박리 장치(5)는, 내부를 밀폐할 수 있는 처리부(100)를 구비한다. 처리부(100)의 측면에는, 반입반출구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 반입반출구를 통해, 중합 기판(T)의 처리부(100)로의 반입이나, 박리 후의 피처리 기판(W) 및 지지 기판(S)의 처리부(100)로부터의 반출이 행해진다. 반입반출구에는, 예컨대 개폐 셔터가 설치되고, 이 개폐 셔터에 의해서 처리부(100)와 다른 영역이 구획되어, 파티클의 진입이 방지된다. 또, 반입반출구는, 제1 반송 영역(12)에 인접하는 측면과 전달 스테이션(21)에 인접하는 측면에 각각 설치된다. As shown in FIG. 4, the peeling apparatus 5 is equipped with the process part 100 which can seal the inside. A carrying in / out port (not shown) is formed in the side surface of the processing unit 100, and the processing substrate W after carrying in or carrying out the polymerization substrate T into the processing unit 100 through this carry-in / out port and Carrying out from the processing part 100 of the support substrate S is performed. An opening / closing shutter is provided at the carry-in / out port, for example, and the area | region different from the processing part 100 is partitioned by this opening / closing shutter, and particle | grains are prevented from entering. Moreover, the carry-in / out port is provided in the side surface adjacent to the 1st conveyance area | region 12, and the side surface adjacent to the delivery station 21, respectively.

박리 장치(5)는, 제1 유지부(110)와, 제2 유지부(120)와, 국소 이동부(130)와, 이동 기구(140)를 구비하고, 이들은 처리부(100)의 내부에 배치된다. 제1 유지부(110)는, 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)의 위쪽에 설치되고, 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)와 대향하는 위치에 배치된다. 또한, 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)는, 이동 기구(140)에 의해서 지지되고, 이동 기구(140)에 의해서 수직 방향으로 이동한다. The peeling apparatus 5 is equipped with the 1st holding part 110, the 2nd holding part 120, the local moving part 130, and the moving mechanism 140, and these are inside the processing part 100. Is placed. The first holding part 110 is provided above the second holding part 120 and the local moving part 130, and is disposed at a position facing the second holding part 120 and the local moving part 130. . In addition, the second holding part 120 and the local moving part 130 are supported by the moving mechanism 140 and move in the vertical direction by the moving mechanism 140.

제1 유지부(110)는, 중합 기판(T)을 구성하는 피처리 기판(W)을 흡착 유지하는 유지부이며, 예컨대 포러스 척(porous chuck)을 이용할 수 있다. 이러한 제1 유지부(110)는, 대략 원반형상의 본체부(111)와, 본체부(111)의 하면에 설치되는 흡착면(112)을 구비한다. 흡착면(112)은, 중합 기판(T)과 대략 동일 직경이며, 중합 기판(T)의 상면, 즉, 피처리 기판(W)의 비접합면 Wn과 접촉한다. 이 흡착면(112)은, 예컨대 탄화규소 등의 다공질체나 다공질 세라믹으로 형성된다. The 1st holding | maintenance part 110 is a holding | maintenance part which adsorbs and hold | maintains the to-be-processed board | substrate W which comprises the polymeric board | substrate T, For example, a porous chuck can be used. Such a 1st holding part 110 is provided with the substantially disk-shaped main-body part 111 and the adsorption surface 112 provided in the lower surface of the main-body part 111. As shown in FIG. The adsorption surface 112 has a diameter substantially the same as that of the polymerization substrate T, and is in contact with the upper surface of the polymerization substrate T, that is, the non-bonding surface Wn of the substrate W to be processed. The adsorption face 112 is formed of a porous body such as silicon carbide or a porous ceramic, for example.

본체부(111)의 내부에는, 흡착면(112)을 통해 외부와 연통하는 흡인 공간(113)이 형성된다. 흡인 공간(113)은, 흡기관(114)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(115)와 접속된다. 제1 유지부(110)는, 흡기 장치(115)의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여, 피처리 기판(W)의 비접합면 Wn을 흡착면(112)에 흡착시킴으로써, 피처리 기판(W)을 유지한다. 또, 제1 유지부(110)로서, 포러스 척을 이용하는 예를 나타냈지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 유지부(110)로서, 정전 척을 이용하도록 해도 좋다. Inside the main body 111, a suction space 113 is formed in communication with the outside via the suction surface 112. The suction space 113 is connected to an intake apparatus 115 such as a vacuum pump through the intake pipe 114. The first holding part 110 adsorbs the non-bonded surface Wn of the substrate W to the adsorption surface 112 by using the negative pressure generated by the intake air of the intake apparatus 115, thereby causing the substrate to be processed ( W) Moreover, although the example which uses the porous chuck as the 1st holding part 110 was shown, it is not limited to this. For example, an electrostatic chuck may be used as the first holding part 110.

제1 유지부(110)의 위쪽에는, 처리부(100)의 천장면에 지지된 지지부(105)가 배치되고, 이러한 지지부(105)에 의해서 제1 유지부(110)의 상면이 지지된다. 또, 지지부(105)를 설치하지 않고서, 처리부(100)를 지지부로 해도 좋다. 예컨대, 제1 유지부(110)의 상면을 처리부(100)의 천장에 직접 맞닿게 하여 지지시키도록 해도 좋다. The support part 105 supported on the ceiling surface of the processing part 100 is arrange | positioned above the 1st holding part 110, The upper surface of the 1st holding part 110 is supported by this support part 105. FIG. In addition, the processing unit 100 may be a support unit without providing the support unit 105. For example, the upper surface of the first holding part 110 may be brought into direct contact with the ceiling of the processing part 100 to be supported.

제2 유지부(120)는, 중합 기판(T)을 구성하는 지지 기판(S)을 흡착 유지하는 유지부이다. 제2 유지부(120)는, 원반형상의 본체부(121)와, 이동 기구(140)에 본체부(121)를 연결하는 지주 부재(122)를 구비한다. The 2nd holding part 120 is a holding | maintenance part which adsorbs-holds the support substrate S which comprises the polymerization substrate T. As shown in FIG. The 2nd holding part 120 is equipped with the disk-shaped main-body part 121 and the support member 122 which connects the main-body part 121 to the moving mechanism 140. FIG.

본체부(121)는, 예컨대 알루미늄 등의 금속 부재로 구성된다. 이러한 본체부(121)는, 중합 기판(T)보다 소직경이며, 예컨대, 중합 기판(T)의 직경은 300 ㎜이며, 본체부(121)의 직경은 240 ㎜이다. 또한, 본체부(121)의 내부에는, 흡착 공간(123)과, 흡착 공간(123)으로 상면으로부터 연통하는 복수의 관통 구멍(124)이 형성되고, 흡착 공간(123)에는, 흡기관(125)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(126)가 접속된다. The main body part 121 is comprised with metal members, such as aluminum, for example. The main body 121 is smaller in diameter than the polymerized substrate T, for example, the diameter of the polymerized substrate T is 300 mm, and the diameter of the main body 121 is 240 mm. In addition, the suction space 123 and a plurality of through holes 124 communicating from the upper surface to the suction space 123 are formed in the main body 121, and the suction pipe 125 is located in the suction space 123. Intake apparatus 126, such as a vacuum pump, is connected through

제2 유지부(120)는, 흡기 장치(126)의 흡기에 의해서 발생하는 부압을 이용하여, 본체부(121)의 상면과 대향하는 지지 기판(S)의 영역을 흡착시킴으로써, 지지 기판(S)을 유지한다. 또, 제2 유지부(120)의 본체부(121)로서, 예컨대, 포러스 척이나 정전 척 등을 이용할 수도 있다. The 2nd holding part 120 adsorb | sucks the area | region of the support substrate S which opposes the upper surface of the main-body part 121 using the negative pressure generate | occur | produced by the intake air of the intake apparatus 126, and supports the support substrate S Keep). As the main body 121 of the second holding part 120, for example, a porous chuck, an electrostatic chuck, or the like can be used.

국소 이동부(130)는, 지지 기판(S)의 비접합면 Sn 중 외주부의 일부를 흡착하여 지지 기판(S)을 유지하고, 유지한 영역을 수직 하향으로 인장한다. 이 국소 이동부(130)는, 고무 등의 탄성 부재에 의해서 형성된 본체부(131)와, 기단(基端)이 이동 기구(140)에 고정되고, 본체부(131)를 이동 가능하게 지지하는 실린더(132)를 구비한다. 또한, 본체부(131)에는, 흡기관(133)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(134)가 접속된다. The local moving part 130 adsorb | sucks a part of the outer peripheral part among the non-joining surface Sn of the support substrate S, hold | maintains the support substrate S, and tensions the area | region which held it vertically downward. The local moving part 130 has a main body 131 formed of an elastic member such as rubber and a base end fixed to the moving mechanism 140 to support the main body 131 so as to be movable. The cylinder 132 is provided. In addition, an intake apparatus 134 such as a vacuum pump is connected to the main body portion 131 through the intake pipe 133.

국소 이동부(130)는, 흡기 장치(134)의 흡기에 의해서 발생하는 부압을 이용하여, 본체부(131)의 상면과 대향하는 지지 기판(S)의 영역을 흡착시킴으로써, 지지 기판(S)을 유지한다. 또한, 국소 이동부(130)는, 지지 기판(S)을 흡착한 상태로, 실린더(132)에 의해 본체부(131)를 수직 하향으로 이동시킴으로써 지지 기판(S)을 수직 하향으로 국소적으로 이동시킨다. The local moving part 130 adsorb | sucks the area | region of the support substrate S which opposes the upper surface of the main-body part 131 using the negative pressure generate | occur | produced by the intake air of the intake apparatus 134, and supports the support substrate S Keep it. In addition, the local moving part 130 moves the main body part 131 vertically downward by the cylinder 132 in the state which adsorb | sucked the support substrate S, and locally moved the support substrate S vertically downward. Move it.

국소 이동부(130)에는, 로드 셀(도시하지 않음)이 설치되어 있고, 국소 이동부(130)는 실린더(132)에 가해지는 부하를 로드 셀에 의해서 검출할 수 있다. 국소 이동부(130)는, 로드 셀에 의한 검출 결과에 기초하여, 지지 기판(S)에 가해지는 수직 하향의 힘을 제어하면서, 지지 기판(S)을 인장시킬 수 있다. A load cell (not shown) is provided in the local moving part 130, and the local moving part 130 can detect the load applied to the cylinder 132 by the load cell. The local moving part 130 can tension the support substrate S while controlling the vertical downward force applied to the support substrate S based on the detection result by the load cell.

이동 기구(140)는, 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)를 지지하는 지지 부재(141)와, 지지 부재(141)의 중앙부 하면을 지지하는 구동부(142)와, 지지 부재(141)의 외주부 하면을 지지하는 복수의 지주 부재(143)와, 구동부(142) 및 지주 부재(143)를 지지하는 베이스(144)를 구비한다. 구동부(142)는, 예컨대 볼 나사(도시하지 않음)와 이 볼 나사를 구동하는 모터(도시하지 않음)를 갖는 구동 기구를 구비하고, 이러한 구동 기구에 의해서 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)를 수직 방향으로 승강시킨다. 지주 부재(143)는, 수직 방향으로 신축가능하게 구성된다. The moving mechanism 140 includes a supporting member 141 for supporting the second holding part 120 and the local moving part 130, a driving part 142 for supporting a lower surface of the central portion of the supporting member 141, and a supporting member. A plurality of support members 143 supporting the lower surface of the outer circumferential portion 141 and a base 144 supporting the drive unit 142 and the support member 143 are provided. The drive part 142 is provided with the drive mechanism which has a ball screw (not shown) and the motor (not shown) which drives this ball screw, for example, The 2nd holding part 120 and a local movement by this drive mechanism are carried out. The unit 130 is elevated in the vertical direction. The strut member 143 is comprised so that it can expand and contract in a vertical direction.

또, 제2 유지부(120)의 상면에는, 복수의 관통 구멍(도시하지 않음)이 설치되고, 이러한 관통 구멍으로부터 복수의 승강핀(도시하지 않음)이 수직 방향으로 승강함으로써, 중합 기판(T) 또는 지지 기판(S)을 아래쪽으로부터 지지하여 승강시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 반송 장치(30)의 포크 등과의 사이에서 기판의 전달을 용이하게 행할 수 있다. In addition, a plurality of through holes (not shown) are provided on the upper surface of the second holding part 120, and a plurality of lifting pins (not shown) are lifted in the vertical direction from the through holes, thereby polymerizing the substrate T ) Or the supporting substrate S can be lifted by supporting it from below. Thereby, the board | substrate can be easily transmitted between the fork of the 1st conveying apparatus 30, etc.

또한, 이동 기구(140)는, 제2 유지부(120)를 수평 방향으로 이동시키도록 구성해도 좋다. 예컨대, 볼 나사(도시하지 않음)와 이 볼 나사를 구동하는 모터(도시하지 않음)를 갖는 구동 기구를 베이스(144)에 설치하고, 구동부(142) 및 지주 부재(143)를 수평 방향으로 이동시킴으로써, 제2 유지부(120)를 수평 방향으로 이동시키도록 해도 좋다. In addition, the movement mechanism 140 may be comprised so that the 2nd holding | maintenance part 120 may be moved to a horizontal direction. For example, the drive mechanism which has a ball screw (not shown) and a motor (not shown) which drives this ball screw is installed in the base 144, and the drive part 142 and the support member 143 are moved in a horizontal direction. In this way, the second holding part 120 may be moved in the horizontal direction.

또한, 박리 장치(5)는, 계측부(210)와, 절개부(220)와, 위치 조정부(230)를 더 구비한다. 계측부(210) 및 위치 조정부(230)는, 지지 부재(141)에 설치되고, 절개부(220)는, 중합 기판(T)의 옆쪽에 있어서 위치 조정부(230)에 의해 지지된다. In addition, the peeling apparatus 5 further includes a measuring unit 210, a cutout 220, and a position adjusting unit 230. The measurement part 210 and the position adjustment part 230 are provided in the support member 141, and the cutout part 220 is supported by the position adjustment part 230 in the side of the polymerization substrate T. As shown in FIG.

계측부(210)는, 예컨대 레이저 변위계이며, 정해진 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)의 유지면까지의 거리 또는 측정 기준 위치와 제1 유지부(110)의 유지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측한다. 계측부(210)에 의한 계측 결과는, 제어 장치(60)(도 1 참조)로 송신된다. The measurement unit 210 is, for example, a laser displacement meter, and a distance from a predetermined measurement reference position to a holding surface of the first holding unit 110 or an object interposed between the measuring reference position and the holding surface of the first holding unit 110. Measure the distance. The measurement result by the measurement part 210 is transmitted to the control apparatus 60 (refer FIG. 1).

절개부(220)는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)의 접합 부분, 즉, 접착제(G)의 부분에 대하여 절개를 넣는다. 여기서, 절개부(220)의 구성에 관해서 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는, 절개부(220)의 구성을 나타내는 모식 사시도이다.The cut-out part 220 cuts in the junction part of the to-be-processed board | substrate W and the support substrate S, ie, the part of adhesive agent G. FIG. Here, the configuration of the cutout 220 will be described with reference to FIG. 5. 5 is a schematic perspective view showing the configuration of the cutout 220.

도 5에 나타낸 바와 같이, 절개부(220)는, 본체부(221)와, 예리(銳利) 부재(222)와, 기체 분출부(223)를 구비한다. As shown in FIG. 5, the cutout portion 220 includes a main body portion 221, a sharpening member 222, and a gas blowing portion 223.

본체부(221)는, 중합 기판(T)의 측면에 맞춰 활처럼 형성된다. 이러한 본체부(221)의 우측부(221R)에는 고정부(224)를 통해 예리 부재(222)가 부착되고, 중앙부(221C)에는 기체 분출부(223)가 부착된다. The main body portion 221 is formed like a bow in accordance with the side surface of the polymerization substrate T. The sharp part 222 is attached to the right side part 221R of this main body part 221 through the fixing part 224, and the gas blowing part 223 is attached to the center part 221C.

예리 부재(222)는, 예컨대 날붙이로서, 선단이 중합 기판(T)을 향해서 돌출하도록 위치 조정부(230)에 지지된다. 이러한 예리 부재(222)를 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)과의 접합 부분인 접착제(G)에 진입시키고, 접착제(G)에 절개를 넣음으로써, 중합 기판(T)의 박리를 촉진시킬 수 있다. The sharpening member 222 is supported by the position adjusting part 230 so that the tip may protrude toward the polymerization substrate T, for example, as a blade. The sharpening member 222 enters the adhesive G, which is a bonding portion between the processing target substrate W and the supporting substrate S, and cuts the adhesive substrate G, thereby peeling off the polymerization substrate T. Can be promoted.

제1 실시형태에 있어서, 예리 부재(222)는 한쪽 날의 날붙이이며, 날끝각을 형성하는 경사면이 하면측, 즉, 지지 기판(S)측에 설치된다. 이와 같이, 지지 기판(S)측에 예리 부재(222)의 경사면을 향함, 바꿔 말하면, 피처리 기판(W)측에 예리 부재(222)의 평탄면을 향함으로써, 예리 부재(222)를 접착제(G)에 진입시킨 경우에, 제품 기판인 피처리 기판(W)으로의 손상을 억제할 수 있다. In the first embodiment, the sharp member 222 is a blade with one blade, and an inclined surface that forms the blade tip angle is provided on the lower surface side, that is, on the support substrate S side. In this manner, the inclined surface of the sharp member 222 faces the supporting substrate S side, that is, the sharp member 222 is oriented by facing the flat surface of the sharp member 222 toward the substrate W side. When entering (G), damage to the to-be-processed substrate W which is a product substrate can be suppressed.

또, 날붙이로서는, 예컨대, 면도기날이나 롤러날 혹은 초음파 커터 등을 이용할 수 있다. 또한, 세라믹 수지계의 날붙이 혹은 불소 코팅된 날붙이를 이용함으로써, 중합 기판(T)에 대하여 절개를 넣었을 때의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 고정부(224)는, 우측부(221R)에 대하여 착탈 가능하고, 절개부(220)는, 고정부(224)를 바꿈으로써, 예리 부재(222)의 교환을 용이하게 행할 수 있다. As the blade, for example, a razor blade, a roller blade, an ultrasonic cutter, or the like can be used. In addition, by using a ceramic resin cutlery or a fluorine-coated cutlery, generation of particles at the time of cutting the polymer substrate T can be suppressed. The fixing part 224 is detachable with respect to the right side part 221R, and the cutout part 220 can replace the sharpening member 222 easily by changing the fixing part 224.

또한, 여기서는, 본체부(221)의 우측부(221R)에만 예리 부재(222)를 부착한 경우의 예를 나타냈지만, 절개부(220)는, 본체부(221)의 좌측부(221L)에도 예리 부재(222)를 구비하고 있어도 좋다. 절개부(220)는, 우측부(221R)와 좌측부(221L)에서, 상이한 종류의 예리 부재(222)를 구비하고 있어도 좋다. In addition, although the example in the case where the sharpening member 222 was attached only to the right side part 221R of the main-body part 221 was shown, the cut-out part 220 is also sharp in the left part 221L of the main-body part 221. The member 222 may be provided. The cutout 220 may be provided with different types of sharpening members 222 at the right side 221R and the left side 221L.

기체 분출부(223)는, 예리 부재(222)에 의해서 절개가 넣어진 접합 부분의 절개 개소를 향해서 공기나 불활성 가스 등의 기체를 분출한다. 즉, 기체 분출부(223)는, 예리 부재(222)에 의한 절개 개소로부터 중합 기판(T)의 내부에 기체를 주입함으로써, 중합 기판(T)의 박리를 더욱 촉진시킨다. The gas blowing part 223 blows off gas, such as air or an inert gas, toward the cut-out part of the junction part cut in by the sharping member 222. That is, the gas blowing part 223 further promotes the peeling of the polymerization substrate T by injecting gas into the interior of the polymerization substrate T from the cutout by the sharp member 222.

도 4로 되돌아가, 위치 조정부(230)에 관해서 설명한다. 위치 조정부(230)는, 도시하지 않는 구동 장치와 로드 셀을 구비한다. 도시하지 않는 구동 장치는, 절개부(220)를 수직 방향 또는 수평 방향을 따라서 이동시킨다. 위치 조정부(230)는, 이러한 구동 장치를 이용하여 절개부(220)를 수직 방향으로 이동시킴으로써, 절개부(220)의 접착제(G)로의 절개 위치를 조정한다. 또한, 위치 조정부(230)는, 구동 장치를 이용하여 절개부(220)를 수평 방향으로 이동시킴으로써, 예리 부재(222)의 선단을 접착제(G)로 진입시킨다. 또한, 도시하지 않는 로드 셀은, 절개부(220)에 가해지는 부하를 검지한다. 4, the position adjusting unit 230 will be described. The position adjustment part 230 is provided with the drive apparatus and load cell which are not shown in figure. The drive device which is not shown in figure moves the cutout part 220 along a vertical direction or a horizontal direction. The position adjusting part 230 adjusts the cut position of the cut part 220 to the adhesive agent G by moving the cut part 220 to a perpendicular direction using such a drive apparatus. Moreover, the position adjusting part 230 makes the tip of the sharp member 222 enter the adhesive agent G by moving the cutout part 220 in a horizontal direction using a drive apparatus. In addition, the load cell which is not shown in figure detects the load applied to the cutout part 220. FIG.

또한, 제어 장치(60)(도 1 참조)는, 도시하지 않는 기억부에, 외부 장치에 의해 미리 취득된 중합 기판(T)의 두께에 관한 정보(이하, 「사전 두께 정보」라고 기재함)를 기억한다. 이러한 사전 두께 정보에는, 중합 기판(T)의 두께, 피처리 기판(W)의 두께, 지지 기판(S)의 두께 및 접착제(G)의 두께가 포함된다. In addition, the control apparatus 60 (refer FIG. 1) is the storage part which is not shown in figure, regarding the thickness of the polymerization board T previously acquired by the external device (it describes as "preliminary thickness information" hereafter). Remember. This preliminary thickness information includes the thickness of the polymerized substrate T, the thickness of the substrate W to be processed, the thickness of the supporting substrate S, and the thickness of the adhesive G.

제어 장치(60)는, 계측부(210)로부터 취득한 계측 결과와, 기억부에 기억된 사전 두께 정보에 기초하여, 접착제(G)의 두께 범위 내에 들어가도록 절개부(220)의 절개 위치를 결정한다. 그리고, 제어 장치(60)는, 결정한 절개 위치에 예리 부재(222)의 선단이 위치하도록 위치 조정부(230)를 제어하여 절개부(220)를 이동시킨다. The control apparatus 60 determines the cutting position of the cut-out part 220 so that it may fall within the thickness range of the adhesive agent G based on the measurement result acquired from the measuring part 210, and the prior thickness information memorize | stored in the memory | storage part. . And the control apparatus 60 controls the position adjusting part 230 so that the front-end | tip of the sharp member 222 may be located in the determined cut-out position, and moves the cut-out part 220. FIG.

다음으로, 박리 장치(5)가 실행하는 절개부(220)의 위치 조정 처리에 관해서 도 6 및 도 7a∼7c를 참조하여 설명한다. 도 6은, 절개부(220)의 위치 조정 처리의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다. 또한, 도 7a∼도 7c는, 박리 장치(5)의 동작 설명도이다. 또, 박리 장치(5)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 도 6에 나타내는 각 처리 순서를 실행한다. Next, the position adjustment process of the cutout part 220 which the peeling apparatus 5 performs is demonstrated with reference to FIG. 6 and FIGS. 7A-7C. 6 is a flowchart showing the processing procedure of the position adjustment processing of the cutout 220. 7A to 7C are diagrams illustrating the operation of the peeling apparatus 5. Moreover, the peeling apparatus 5 performs each processing sequence shown in FIG. 6 based on the control of the control apparatus 60. FIG.

도 6에 나타낸 바와 같이, 박리 장치(5)는, 우선, 이동 기구(140)를 이용하여 계측부(210)를 계측 위치로 이동시킨 후(단계 S201), 절개부 진단 처리를 행한다(단계 S202). 이러한 절개부 진단 처리에서는, 계측부(210)를 이용하여, 예리 부재(222)의 손상(예컨대, 날 손상 등)의 유무가 진단된다. As shown in FIG. 6, the peeling apparatus 5 first moves the measurement part 210 to a measurement position using the movement mechanism 140 (step S201), and performs a cutout diagnostic process (step S202). . In such an incision diagnosis process, the presence of damage (for example, blade damage, etc.) of the sharp member 222 is diagnosed using the measurement part 210.

구체적으로는, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 박리 장치(5)는, 위치 조정부(230)를 이용하여 절개부(220)를 수평 방향으로 이동시키면서, 계측부(210)를 이용하여 예리 부재(222)의 상면까지의 거리 D1을 계측하고, 계측 결과를 제어 장치(60)에 송신한다. 그리고, 제어 장치(60)는, 예컨대 거리 D1의 변화율이 정해진 범위를 초과하는 경우, 혹은, 신품의 예리 부재(222)를 이용하여 미리 계측해 둔 기준 거리와 거리 D1과의 오차가 정해진 범위를 넘는 경우에, 예리 부재(222)가 손상되어 있다고 판정한다. Specifically, as shown in FIG. 7A, the peeling apparatus 5 uses the measurement unit 210 while moving the cutout portion 220 in the horizontal direction using the position adjusting portion 230. The distance D1 to the upper surface of the is measured, and the measurement result is transmitted to the control device 60. And the control apparatus 60, for example, when the rate of change of the distance D1 exceeds the predetermined range, or uses the new sharpening member 222, the range which the error of the reference distance and distance D1 previously measured was preset. In the case of over, it is determined that the sharp member 222 is damaged.

단계 S202의 절개부 진단 처리에 있어서 예리 부재(222)가 손상되어 있다고 판정된 경우(단계 S203, Yes), 박리 장치(5)는, 그 후의 처리를 중지한다(단계 S204). 이와 같이, 박리 장치(5)는, 절개부(220)를 수평 이동시킨 경우에 있어서의, 측정 기준 위치로부터 절개부(220)까지의 거리 D1의 변화에 기초하여 예리 부재(222)의 손상을 검출한다. 이에 따라, 손상된 예리 부재(222)를 이용하여 중합 기판(T)으로의 절개를 행함으로써, 피처리 기판(W)에 손상을 부여하여 버리는 것을 미연에 막을 수 있다. When it is determined that the sharp member 222 is damaged in the cutout diagnostic processing of step S202 (step S203, Yes), the peeling apparatus 5 stops the subsequent processing (step S204). Thus, the peeling apparatus 5 deals with damage to the sharp member 222 based on the change of the distance D1 from the measurement reference position to the cutout part 220 when the cutout part 220 is horizontally moved. Detect. Thereby, cutting to the polymerization substrate T by using the damaged sharpening member 222 can prevent the damage to the to-be-processed substrate W beforehand.

한편, 단계 S202의 절개부 진단 처리에 있어서 예리 부재(222)의 손상이 검출되지 않은 경우(단계 S203, No), 박리 장치(5)는, 계측부(210)를 이용하여 제1 유지부(110)의 유지면까지의 거리 D2(도 7b 참조)를 계측한다(단계 S205). 이 때, 박리 장치(5)에는, 중합 기판(T)이 아직 반입되어 있지 않은 상태이다. On the other hand, when damage of the sharp member 222 is not detected in the cut-out diagnostic process of step S202 (step S203, No), the peeling apparatus 5 uses the measurement part 210, and the 1st holding part 110 is used. ), The distance D2 (see Fig. 7B) to the holding surface is measured (step S205). At this time, the polymerization substrate T is not carried in to the peeling apparatus 5 yet.

또, 도 7b에 나타내는 중합 기판(T)의 두께 D4, 피처리 기판(W)의 두께 D4w, 접착제(G)의 두께 D4g, 지지 기판(S)의 두께 D4s는, 사전 두께 정보로서 제어 장치(60)의 기억부에 기억된 정보이다. In addition, the thickness D4 of the polymerization substrate T, the thickness D4w of the processing target substrate W, the thickness D4g of the adhesive agent G, and the thickness D4s of the support substrate S shown in FIG. 7B are preliminary thickness information. Information stored in the storage unit 60).

계속해서, 박리 장치(5)는, 제1 반송 장치(30)에 의해 박리 스테이션(15)으로 반입된 중합 기판(T)을 제1 유지부(110)를 이용하여 흡착 유지한다(단계 S206). 구체적으로는, 박리 장치(5)는, 제1 반송 장치(30)에 의해 반입된 중합 기판(T)을 제2 유지부(120)를 이용하여 유지한 후, 이동 기구(140)를 이용하여 제2 유지부(120)를 상승시키고, 제2 유지부(120)에 유지된 중합 기판(T)을 제1 유지부(110)의 흡착면(112)에 맞닿게 한다. 그리고, 제1 유지부(110)는, 흡기 장치(115)에 의한 흡기 동작에 의해서 중합 기판(T)을 흡착 유지한다. 그 후, 박리 장치(5)는, 이동 기구(140)를 이용하여 제2 유지부(120)를 강하시켜 측정 위치까지 되돌린다. Subsequently, the peeling apparatus 5 adsorbs and holds the polymerization substrate T carried in to the peeling station 15 by the 1st conveying apparatus 30 using the 1st holding part 110 (step S206). . Specifically, the peeling apparatus 5 uses the moving mechanism 140 after holding the polymerization substrate T carried in by the 1st conveying apparatus 30 using the 2nd holding part 120. FIG. The second holding part 120 is raised, and the polymer substrate T held by the second holding part 120 is brought into contact with the adsorption surface 112 of the first holding part 110. And the 1st holding | maintenance part 110 adsorb | sucks and hold | maintains the polymeric board | substrate T by the intake operation | movement by the intake apparatus 115. Thereafter, the peeling apparatus 5 drops the second holding part 120 using the moving mechanism 140 to return to the measurement position.

계속해서, 박리 장치(5)는, 제1 유지부(110)에 의해 흡착 유지된 중합 기판(T)의 하면, 즉, 지지 기판(S)의 비접합면 Sn까지의 거리 D3을 계측한다(단계 S207). 이러한 계측 결과는, 제어 장치(60)로 송신된다. 제어 장치(60)는, 계측부(210)의 계측 결과에서 산출되는 중합 기판(T)의 두께(D2-D3)와, 사전 두께 정보에 포함되는 중합 기판(T)의 두께(D4)의 차가 정해진 범위 내인지 아닌지를 판정한다. Subsequently, the peeling apparatus 5 measures the distance D3 to the lower surface of the polymerized substrate T adsorbed and held by the first holding part 110, that is, to the non-bonded surface Sn of the supporting substrate S ( Step S207). This measurement result is transmitted to the control apparatus 60. The control device 60 determines a difference between the thickness D2-D3 of the polymerized substrate T calculated from the measurement result of the measurement unit 210 and the thickness D4 of the polymerized substrate T included in the preliminary thickness information. Determine if it is in range or not.

여기서, 계측부(210)의 계측 결과에서 산출되는 중합 기판(T)의 두께(D2-D3)와, 사전 두께 정보(D4)와의 오차가 정해진 범위를 넘는 경우에는, 예컨대 원래 반입되어야 하는 중합 기판(T)과는 상이한 중합 기판(T)이 잘못 반입될 가능성이 있다. 이러한 경우에는, 계측부(210)의 계측 결과나 사전 두께 정보에 기초하여 산출되는 접착제(G)의 두께 범위가 실제의 두께 범위에서 벗어나, 예리 부재(222)의 선단이 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)에 접촉하여 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)이 손상될 우려가 있다. 이 때문에, 계측부(210)의 계측 결과를 이용하여 산출되는 중합 기판(T)의 두께와, 사전 두께 정보에 포함되는 중합 기판(T)의 두께와의 오차가 정해진 범위 내를 넘는 경우에는(단계 S208, No), 박리 장치(5)는, 그 후의 처리를 중지한다(단계 S204). Here, when the error between the thickness D2-D3 of the polymerized substrate T calculated from the measurement result of the measurement unit 210 and the preliminary thickness information D4 exceeds a predetermined range, for example, the polymerized substrate to be originally loaded ( There exists a possibility that the polymerization board | substrate T different from T) may be carried in wrong. In such a case, the thickness range of the adhesive G calculated based on the measurement result of the measurement unit 210 or the preliminary thickness information is out of the actual thickness range, and the tip of the sharpening member 222 is formed of the substrate W to be processed. There exists a possibility that the to-be-processed board | substrate W and the support substrate S may be damaged in contact with the support substrate S. FIG. For this reason, when the error of the thickness of the polymeric board T calculated using the measurement result of the measurement part 210, and the thickness of the polymeric board T contained in advance thickness information exceeds the predetermined range (step S208, No) and the peeling apparatus 5 stop a subsequent process (step S204).

한편, 사전 두께 정보와의 오차가 정해진 범위 내인 경우(단계 S208, Yes), 제어 장치(60)는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)과의 접합 부분인 접착제(G)의 두께 범위를 계측부(210)의 계측 결과 및 사전 두께 정보에 기초하여 산출한다. On the other hand, when the error with the preliminary thickness information is in a predetermined range (step S208, Yes), the control apparatus 60 is the thickness of the adhesive agent G which is a junction part of the to-be-processed board | substrate W and the support substrate S. FIG. The range is calculated based on the measurement result of the measurement unit 210 and the prior thickness information.

예컨대, 도 7c에 나타낸 바와 같이, 접착제(G)의 두께 범위는, 계측부(210)의 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)의 유지면까지의 거리 D2와, 사전 두께 정보에 포함되는 피처리 기판(W)의 두께 D4w 및 접착제(G)의 두께 D4g를 이용하여, D2-(D4w+D4g)∼D2-D4w로 나타낸다. 그리고, 제어 장치(60)는, 이러한 두께 범위 내에 절개부(220)의 절개 위치를 결정한다. 예컨대, 제어 장치(60)는, 상기 두께 범위의 중앙인 D2-(D4w+D4g/2)를 절개 위치로서 결정한다. For example, as shown in FIG. 7C, the thickness range of the adhesive G includes the distance D2 from the measurement reference position of the measurement unit 210 to the holding surface of the first holding unit 110, and the blood included in the preliminary thickness information. It represents as D2- (D4w + D4g) -D2-D4w using the thickness D4w of the process board | substrate W and the thickness D4g of the adhesive agent G. FIG. And the control apparatus 60 determines the cutting position of the cutout part 220 in this thickness range. For example, the control apparatus 60 determines D2- (D4w + D4g / 2) which is the center of the said thickness range as a cut position.

제어 장치(60)에 의해서 절개부(220)의 절개 위치가 결정되면, 박리 장치(5)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 위치 조정부(230)를 이용하여 절개부(220)를 이동시킴으로써, 접착제(G)의 두께 범위 내에 절개부(220)의 절개 위치를 조정한다(단계 S209). 즉, 박리 장치(5)는, 제어 장치(60)에 의해 결정된 절개 위치에 예리 부재(222)의 선단이 위치하도록, 위치 조정부(230)를 이용하여 절개부(220)를 수직 방향으로 이동시킨다.When the cutting position of the cutout part 220 is determined by the control apparatus 60, the peeling apparatus 5 is based on the control of the control apparatus 60, The cutout part 220 is used using the position adjusting part 230. FIG. By moving, the cutting position of the cutout portion 220 is adjusted within the thickness range of the adhesive G (step S209). That is, the peeling apparatus 5 moves the cutout part 220 in the vertical direction using the position adjustment part 230 so that the front-end | tip of the sharp member 222 may be located in the cutout position determined by the control apparatus 60. FIG. .

이와 같이, 위치 조정부(230)는, 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)의 유지면까지의 거리와, 미리 취득된 피처리 기판(W) 및 접착제(G)의 두께를 이용하여 산출되는 접착제(G)의 두께 범위 내에 들어가도록 절개부(220)의 절개 위치를 조정한다. Thus, the position adjustment part 230 is calculated using the distance from the measurement reference position to the holding surface of the 1st holding part 110, and the thickness of the to-be-processed substrate W and the adhesive agent G previously acquired. The cutting position of the cutting portion 220 is adjusted to fall within the thickness range of the adhesive G.

그 후, 박리 장치(5)는, 중합 기판(T)의 박리 동작을 행한다. 여기서, 박리 장치(5)의 박리 동작에 관해서 도 8a∼8c를 참조하여 설명한다. Thereafter, the peeling apparatus 5 performs the peeling operation of the polymerization substrate T. Here, the peeling operation | movement of the peeling apparatus 5 is demonstrated with reference to FIGS. 8A-8C.

우선, 박리 장치(5)는, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 이동 기구(140)에 의해 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)를 상승시켜 중합 기판(T)의 하면을 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)에 맞닿게 한다. 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)는, 흡기 장치(126) 및 흡기 장치(134)에 의한 흡기 동작에 의해 중합 기판(T)을 흡착 유지한다. First, as shown in FIG. 8A, the peeling apparatus 5 raises the 2nd holding part 120 and the local moving part 130 by the moving mechanism 140, and raises the lower surface of the polymeric substrate T by 2nd. The holding portion 120 and the local moving portion 130 abut. The second holding part 120 and the local moving part 130 suck and hold the polymerization substrate T by the intake operation by the intake apparatus 126 and the intake apparatus 134.

이에 따라, 제1 유지부(110) 및 제2 유지부(120)에 의해 중합 기판(T)의 상하면이 각각 흡착된 상태가 된다. 즉, 제1 유지부(110)에 의해 피처리 기판(W)이 흡착 유지되고, 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)에 의해 지지 기판(S)이 흡착 유지된 상태가 된다. Accordingly, the upper and lower surfaces of the polymerization substrate T are absorbed by the first holding part 110 and the second holding part 120, respectively. That is, the to-be-processed substrate W is adsorbed-held by the 1st holding | maintenance part 110, and the support substrate S is adsorbed-held by the 2nd holding | maintenance part 120 and the local moving part 130. .

계속해서, 박리 장치(5)는, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 제2 유지부(120)에 유지된 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 분리하는 방향으로 인장하는 처리를 행한다. Subsequently, the peeling apparatus 5 pulls in the direction which separates the support substrate S hold | maintained by the 2nd holding part 120 from the to-be-processed substrate W based on the control of the control apparatus 60. FIG. The process is performed.

이 처리에 있어서, 이동 기구(140)는, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 제2 유지부(120)를 수직 하향으로 이동시킨다. 이동 기구(140)에는 내부에 로드 셀(도시하지 않음)이 설치되어 있고, 이동 기구(140)는, 제2 유지부(120)에 정해진값 이상의 부하가 가해진 것을 로드 셀에 의해서 검출한 경우에, 제2 유지부(120)의 수직 하향으로의 이동을 정지한다. 이에 따라, 지지 기판(S)의 하면에는 제2 유지부(120)에 의해 정해진 인장력이 가해진 상태가 된다. In this process, the movement mechanism 140 moves the 2nd holding part 120 vertically downward, as shown to FIG. 8A. When the load mechanism (not shown) is provided in the movement mechanism 140, and the movement mechanism 140 detects by the load cell that the load more than the predetermined value was applied to the 2nd holding part 120, Then, the movement of the second holding part 120 in the vertical downward direction is stopped. Accordingly, the lower surface of the supporting substrate S is in a state where a predetermined tensile force is applied by the second holding part 120.

또, 반드시 로드 셀을 이용할 필요는 없고, 예컨대, 이동 기구(140)에 의해서 제2 유지부(120)가 수직 하향으로 정해진 거리만큼 이동한 경우에, 제2 유지부(120)의 수직 하향으로의 이동을 정지시키도록 해도 좋다. Moreover, it is not necessary to necessarily use a load cell, for example, when the 2nd holding | maintenance part 120 moves by the movement mechanism 140 by the distance determined vertically downward, for example, to the vertical downward of the 2nd holding | maintenance part 120. The movement of may be stopped.

계속해서, 박리 장치(5)는, 제2 유지부(120)에 의해 지지 기판(S)을 인장하고 있는 상태로, 제어 장치(60)의 제어에 기초하여, 국소 이동부(130)를 이용하여 지지 기판(S)의 외주부의 일부를 수직 하향으로 이동시킨다(도 8b 참조). 구체적으로는, 국소 이동부(130)는, 실린더(132)의 동작에 의해서 본체부(131)를 수직 하향으로 이동시킨다. 이에 따라, 국소 이동부(130)의 상면이 제2 유지부(120)의 상면보다 아래쪽의 위치로 이동하고, 지지 기판(S)의 외주부의 일부가 지지 기판(S)의 중앙부에 비해서 더욱 강한 힘으로 수직 하향으로 인장된다. Subsequently, the peeling apparatus 5 uses the local moving part 130 based on the control of the control apparatus 60 in the state which is tensioning the support substrate S by the 2nd holding part 120. FIG. As a result, a part of the outer peripheral portion of the support substrate S is moved vertically downward (see FIG. 8B). Specifically, the local moving part 130 moves the main body part 131 vertically downward by the operation of the cylinder 132. Accordingly, the upper surface of the local moving part 130 moves to a position lower than the upper surface of the second holding part 120, and a part of the outer peripheral portion of the supporting substrate S is stronger than the central portion of the supporting substrate S. It is tensioned vertically downward by force.

이 상태로, 박리 장치(5)는, 위치 조정부(230)를 이용하여 절개부(220)를 수평 이동시킴으로써 예리 부재(222)를 접착제(G)에 진입시킨다. In this state, the peeling apparatus 5 makes the sharpening member 222 enter the adhesive agent G by horizontally moving the cutout part 220 using the position adjusting part 230.

여기서, 예리 부재(222)의 접착제(G)로의 진입은, 위치 조정부(230)가 구비하는 도시하지 않는 구동 장치 및 로드 셀을 이용하여 제어된다. 구체적으로는, 예리 부재(222)는, 구동 장치에 의해 정해진 속도로 접착제(G)로 진입한다. 또한, 절개 개시 위치(예리 부재(222)의 선단이 접착제(G)에 접촉한 위치)가 로드 셀에 의해서 검지되고, 이러한 절개 개시 위치로부터 미리 프로그램된 양만큼, 구동 장치를 이용하여 예리 부재(222)를 진입시킨다. Here, the entry of the sharpening member 222 into the adhesive agent G is controlled using the drive device and load cell which are not shown which the position adjusting part 230 is equipped. Specifically, the sharpening member 222 enters the adhesive agent G at a speed determined by the drive device. In addition, the cutting start position (a position where the tip of the sharping member 222 contacts the adhesive G) is detected by the load cell, and the sharpening member (using the driving device by an amount programmed in advance from this cutting starting position) is used. 222 is entered.

이에 따라, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)과의 접합 부분인 접착제(G)에 절개가 들어가고, 지지 기판(S)의 외주부의 일부가 피처리 기판(W)으로부터 박리된다. 또한, 지지 기판(S)에는 제2 유지부(120)에 의해 수직 하향으로 인장하는 힘이 작동하고 있기 때문에, 지지 기판(S)의 외주부의 일부가 피처리 기판(W)으로부터 박리됨으로써, 도 8c에 나타낸 바와 같이, 지지 기판(S)의 접합면 Sj 전체가 피처리 기판(W)의 접합면 Wj로부터 박리된다. Thereby, an incision enters into the adhesive agent G which is a junction part of the to-be-processed substrate W and the support substrate S, and a part of the outer peripheral part of the support substrate S is peeled from the to-be-processed substrate W. FIG. In addition, since the force which pulls vertically downward by the 2nd holding | maintenance part 120 acts on the support substrate S, a part of the outer peripheral part of the support substrate S peels from the to-be-processed substrate W, FIG. As shown to 8c, the whole bonding surface Sj of the support substrate S is peeled from the bonding surface Wj of the to-be-processed substrate W. As shown to FIG.

이와 같이, 박리 장치(5)는, 절개부(220)에 의한 접착제(G)로의 절개를 행함으로써, 중합 기판(T)의 박리를 촉진시킬 수 있다. Thus, the peeling apparatus 5 can accelerate | release peeling of the polymeric board | substrate T by making incision into the adhesive agent G by the cut-out part 220. FIG.

또한, 박리 장치(5)는, 계측부(210)의 계측 결과와 사전 두께 정보에 기초하여 절개부(220)의 위치를 조정하는 것으로 했기 때문에, 예리 부재(222)의 선단을 접착제(G)에 보다 확실하게 진입시킬 수 있다. In addition, since the peeling apparatus 5 adjusts the position of the cut-out part 220 based on the measurement result and prior thickness information of the measurement part 210, the front-end | tip of the sharp member 222 is attached to the adhesive agent G. Moreover, as shown in FIG. You can enter more reliably.

즉, 피처리 기판(W), 지지 기판(S) 및 접착제(G)는 매우 얇기 때문에, 절개부(220)의 위치 맞춤을 육안으로 행하는 것은 곤란하다. 이것에 대하여, 계측부(210)를 이용하는 것으로 하면, 접착제(G)의 위치를 용이하게 그리고 정확하게 검출하여 절개부(220)의 절개 위치를 맞출 수 있다. 또한, 카메라 등에 의한 화상 인식에 의해 절개 위치를 확인하는 것도 생각되지만, 중합 기판(T) 등의 기판의 측면부는 곡면이기 때문에 촛점이 맞기 어렵고, 기판으로부터의 반사가 있으며 접착제(G)도 투명하기 때문에, 화상 인식에 의해 접착제(G)의 위치를 확인하는 것은 어렵다. 이것에 대하여, 계측부(210)를 이용하는 것으로 하면, 상기와 같은 문제점을 생기게 하지 않고, 접착제(G)의 위치를 용이하게 확인할 수 있다. That is, since the to-be-processed board | substrate W, the support substrate S, and the adhesive agent G are very thin, it is difficult to visually align the cutout part 220. FIG. On the other hand, if the measurement part 210 is used, the position of the adhesive part G can be detected easily and correctly, and the cut position of the cut part 220 can be matched. It is also conceivable to confirm the incision position by image recognition by a camera or the like, but since the side surface of the substrate such as the polymerized substrate T is curved, it is difficult to focus, there is reflection from the substrate, and the adhesive G is also transparent. Therefore, it is difficult to confirm the position of the adhesive agent G by image recognition. On the other hand, if the measurement part 210 is used, the position of the adhesive agent G can be easily confirmed, without causing the above-mentioned problem.

또한, 절개부(220)는, 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)의 유지면까지의 거리 D2와 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)에 유지된 중합 기판(T)까지의 거리 D3을 이용하여 산출되는 중합 기판(T)의 두께와, 미리 취득된 중합 기판(T)의 두께의 차가 정해진 범위 내인 경우에, 접착제(G)로의 절개를 행한다. 이에 따라, 예리 부재(222)에 의한 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)의 손상을 미연에 막을 수 있다. In addition, the cutout 220 is a distance D2 from the measurement reference position to the holding surface of the first holding part 110 and the distance from the measurement reference position to the polymerization substrate T held by the first holding part 110. When the difference between the thickness of the polymerization substrate T calculated using D3 and the thickness of the polymerization substrate T previously obtained is within a predetermined range, an incision to the adhesive G is performed. Thereby, the damage of the to-be-processed board | substrate W and the support substrate S by the sharp member 222 can be prevented beforehand.

또, 예리 부재(222)의 접착제(G)로의 진입 거리는, 예컨대 2 ㎜ 정도이다. 또한, 예리 부재(222)를 접착제(G)로 진입시키는 타이밍은, 제2 유지부(120) 또는 국소 이동부(130)가 지지 기판(S)을 인장하기 전이라도 좋고, 제2 유지부(120) 또는 국소 이동부(130)가 지지 기판(S)을 인장하는 것과 동시라도 좋다. In addition, the entry distance of the sharp member 222 to the adhesive agent G is about 2 mm, for example. In addition, the timing which makes the sharpening member 222 enter into the adhesive agent G may be before the 2nd holding part 120 or the local moving part 130 tensions the support substrate S, and the 2nd holding part ( 120 or the local moving part 130 may be simultaneously with tensioning the supporting substrate S. As shown in FIG.

또, 지지 기판(S)의 비접합면 Sn의 외주부는, 국소 이동부(130)에 의해 지지되는 영역 이외의 영역은 지지되어 있지 않다. 그 때문에, 국소 이동부(130)에 의해 지지 기판(S)이 수직 하향으로 이동한 경우에, 지지 기판(S)의 외주부 중 국소 이동부(130)에 의해 유지된 영역에 인접하는 영역도, 국소 이동부(130)에 의해 유지된 영역의 수직 하향의 이동에 수반하여 수직 하향으로 이동한다. 그 결과, 국소 이동부(130)에 의해서 유지된 영역에 인접하는 영역에 대해서도 피처리 기판(W)으로부터 박리를 촉진시킬 수 있다. Moreover, the area | region other than the area | region supported by the local moving part 130 is not supported by the outer peripheral part of the non-joining surface Sn of the support substrate S. FIG. Therefore, when the support substrate S moves vertically downward by the local moving part 130, the area | region adjacent to the area | region hold | maintained by the local moving part 130 among the outer peripheral parts of the support substrate S also, It moves vertically downward with the vertical downward movement of the area hold | maintained by the local moving part 130. FIG. As a result, peeling can be accelerated | stimulated from the to-be-processed substrate W also with respect to the area | region adjacent to the area hold | maintained by the local moving part 130. FIG.

또한, 피처리 기판(W)의 접합면 Wj에는 전자 회로가 형성되어 있기 때문에, 피처리 기판(W) 및 지지 기판(S)을 한번에 박리하고자 하면, 접합면 Wj, Sj에 대하여 큰 부하가 가해지고, 접합면 Wj 상의 전자 회로가 손상될 우려가 있다. 이것에 대하여, 박리 장치(5)는, 중합 기판(T)을 전체적으로 인장한 상태로 지지 기판(S)의 외주부를 더욱 인장시킴으로써, 지지 기판(S)의 외주부가 박리되고, 그 후, 이 박리 부분으로부터 연속적으로 지지 기판(S)이 박리된다. 이에 따라, 접합면 Wj, Sj에 대하여 큰 부하가 가해지는 일이 없고, 박리 동작 중에 있어서의 전자 회로의 손상을 억제할 수 있다. In addition, since the electronic circuit is formed in the bonding surface Wj of the to-be-processed substrate W, when the to-be-processed substrate W and the support substrate S are to be peeled at once, a large load is applied to the bonding surfaces Wj and Sj. There is a risk that the electronic circuit on the joint surface Wj is damaged. On the other hand, the peeling apparatus 5 further pulls out the outer peripheral part of the support substrate S in the state which tensioned the polymerization substrate T as a whole, and the outer peripheral part of the support substrate S is peeled off, and this peeling after that The support substrate S is peeled continuously from the part. Thereby, a big load is not applied to the bonding surfaces Wj and Sj, and the damage of the electronic circuit in peeling operation can be suppressed.

또한, 박리 장치(5)에서는, 국소 이동부(130)의 본체부(131)가 고무 등의 탄성 부재로 구성되어 있기 때문에, 지지 기판(S)의 외주부가 피처리 기판(W)으로부터 박리되는 경우에, 지지 기판(S)의 외주부로 급격히 힘이 가해지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 이것에 의해서도, 접합면 Wj, Sj에 가해지는 부하를 억제할 수 있고, 박리 동작 중에 있어서의 전자 회로의 손상을 억제할 수 있다. Moreover, in the peeling apparatus 5, since the main-body part 131 of the local moving part 130 is comprised from elastic members, such as rubber | gum, the outer peripheral part of the support substrate S is peeled from the to-be-processed board | substrate W. In this case, it is possible to suppress the sudden application of force to the outer circumferential portion of the support substrate S. Therefore, also by this, the load applied to the joining surfaces Wj and Sj can be suppressed, and the damage of the electronic circuit in peeling operation can be suppressed.

전술한 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 박리 장치(5)는, 제1 유지부(110)와, 절개부(220)와, 계측부(210)와, 위치 조정부(230)를 구비한다. 제1 유지부(110)는, 피처리 기판(W)와 지지 기판(S)이 접합된 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)을 유지한다. 절개부(220)는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)과의 접합 부분에 대하여 절개를 넣는다. 계측부(210)는, 정해진 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)의 유지면까지의 거리 또는 측정 기준 위치와 제1 유지부(110)의 유지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측한다. 위치 조정부(230)는, 계측부(210)의 계측 결과와, 미리 취득된 중합 기판(T)의 두께에 관한 정보에 기초하여 절개부(220)의 절개 위치를 조정한다. 따라서, 제1 실시형태에 따른 박리 장치(5)에 따르면, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있다. As mentioned above, the peeling apparatus 5 which concerns on 1st Embodiment is equipped with the 1st holding part 110, the cut-out part 220, the measurement part 210, and the position adjusting part 230. As shown in FIG. The first holding part 110 holds the processing target substrate W in the polymerization substrate T to which the processing target substrate W and the supporting substrate S are bonded. The cutout 220 inserts the cutout of the bonded portion between the substrate W and the support substrate S. FIG. The measurement unit 210 measures the distance from the determined measurement reference position to the holding surface of the first holding unit 110 or the distance from the measurement reference position to an object interposed between the holding surface of the first holding unit 110. . The position adjustment part 230 adjusts the cut position of the cutout part 220 based on the measurement result of the measurement part 210 and the information regarding the thickness of the polymerization board T previously acquired. Therefore, according to the peeling apparatus 5 which concerns on 1st Embodiment, the efficiency of peeling process can be aimed at.

그런데, 제1 실시형태에서는, 위치 조정부(230)가, 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)의 유지면까지의 거리와, 미리 취득된 피처리 기판(W) 및 접착제(G)의 두께를 이용하여 산출되는 접착제(G)의 두께 범위 내에 들어가도록 절개부(220)의 절개 위치를 조정하는 경우의 예를 나타내었다. 그러나, 절개 위치의 조정 방법은, 이 예에 한정되지 않는다. By the way, in 1st Embodiment, the position adjustment part 230 is the distance from the measurement reference position to the holding surface of the 1st holding part 110, and the thickness of the to-be-processed substrate W and adhesive agent G previously acquired. An example in the case of adjusting the cut position of the cutout part 220 to fall within the thickness range of the adhesive G calculated using the following was shown. However, the adjustment method of a cutting position is not limited to this example.

예컨대, 제어 장치(60)는, 측정 기준 위치로부터 제1 유지부(110)에 유지된 중합 기판(T)까지의 거리 D3(도 7b 참조)와, 사전 두께 정보에 포함되는 지지 기판(S)의 두께 D4s 및 접착제(G)의 두께 D4g를 이용하여 접착제(G)의 두께 범위를 산출한다. 이러한 경우, 접착제(G)의 두께 범위는, D3+D4s∼D3+D4s+D4g로 나타낸다. For example, the control device 60 includes a distance D3 (see FIG. 7B) from the measurement reference position to the polymerization substrate T held by the first holding unit 110 and the supporting substrate S included in the preliminary thickness information. The thickness range of the adhesive agent G is computed using the thickness D4s and the thickness D4g of the adhesive agent G. In this case, the thickness range of the adhesive agent G is represented by D3 + D4s-D3 + D4s + D4g.

제어 장치(60)는, 예컨대, 상기 두께 범위의 중앙인 D3+D4s+D4g/2를 절개 위치로서 결정한다. 그리고, 박리 장치(5)는, 제어 장치(60)에 의해 결정된 절개 위치로 절개부(220)를 이동시킨다. 이에 따라, 위치 조정부(230)는, 접착제(G)의 두께 범위 내에 들어가도록 절개부(220)의 절개 위치를 조정할 수 있다. The control apparatus 60 determines, for example, D3 + D4s + D4g / 2 which is the center of the said thickness range as an incision position. And the peeling apparatus 5 moves the cut part 220 to the cut position determined by the control apparatus 60. FIG. Thereby, the position adjustment part 230 can adjust the cutting position of the cutout part 220 so that it may fall in the thickness range of the adhesive agent G. As shown in FIG.

제1 실시형태에서는, 예리 부재(222)가 한쪽 날의 날붙이인 경우의 예에 관해서 설명했지만, 예리 부재는 양 날의 날붙이라도 좋다. 또한, 반드시 날붙이일 필요는 없고, 피하 바늘 등의 관형상의 바늘체나 와이어 등이라도 좋다. In 1st Embodiment, although the example in the case where the sharpening member 222 was the blade of one blade was demonstrated, the sharpening member may be the blade of both blades. In addition, it is not necessary to necessarily apply a blade, and tubular needle bodies, wires, etc., such as a hypodermic needle, may be sufficient.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

전술한 박리 장치에 있어서, 박리 처리를 더욱 효율화시키기 위해서, 제1 유지부(110)를 회전시키는 회전 기구를 추가해도 좋다. 이하에서는, 박리 장치가 제1 유지부(110)를 회전시키는 회전 기구를 구비하는 경우의 예에 관해서 설명한다. In the above-mentioned peeling apparatus, in order to make peeling process more efficient, you may add the rotating mechanism which rotates the 1st holding part 110. As shown in FIG. Hereinafter, the example in the case where the peeling apparatus is equipped with the rotating mechanism which rotates the 1st holding part 110 is demonstrated.

도 9는, 제2 실시형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다. 또, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 관해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명을 생략한다. It is a schematic side view which shows the structure of the peeling apparatus which concerns on 2nd Embodiment. In addition, in the following description, about the part same as the already demonstrated part, the same code | symbol as the already demonstrated part is attached | subjected, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

도 9에 나타낸 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 박리 장치(5A)는, 제1 실시형태에 따른 박리 장치(5)가 구비하는 지지부(105) 대신에, 회전 기구(180)를 구비한다. 회전 기구(180)는, 처리부(100)의 외부에 설치된 본체부(181)와, 기단부가 처리부(100)를 통해 본체부(181)에 지지되고, 선단부에 있어서 제1 유지부(110)의 본체부(111)를 지지하는 지지 부재(182)를 구비한다. 이러한 회전 기구(180)는, 본체부(181)가 지지 부재(182)를 수직축 둘레로 회전시킴에 따라, 지지 부재(182)에 지지된 제1 유지부(110)를 수직축 둘레로 회전시킨다. As shown in FIG. 9, the peeling apparatus 5A which concerns on 2nd Embodiment is equipped with the rotating mechanism 180 instead of the support part 105 with which the peeling apparatus 5 which concerns on 1st Embodiment is equipped. The rotating mechanism 180 is supported by the main body 181 and the proximal end of the first holding unit 110 at the distal end of the main body 181 provided outside the processing unit 100 and the proximal end thereof through the processing unit 100. The support member 182 which supports the main-body part 111 is provided. The rotation mechanism 180 rotates the first holding part 110 supported by the support member 182 around the vertical axis as the main body 181 rotates the support member 182 around the vertical axis.

제2 실시형태에 따른 박리 장치(5A)는, 국소 이동부(130)를 이용하여 지지 기판(S)의 외주부의 일부를 수직 하향으로 이동시키고(도 8b 참조), 지지 기판(S)이 피처리 기판(W)으로부터 박리하기 시작한 후, 이동 기구(140)를 이용하여 제2 유지부(120)를 강하시키면서, 회전 기구(180)를 이용하여 제2 유지부(120) 및 국소 이동부(130)를 회전시킨다. 이에 따라, 박리 장치(5A)는, 지지 기판(S) 및 피처리 기판(W)에 접합된 접착제(G)를 회전 기구(180)에 의한 회전에 의해서 비틀어 끊을 수 있기 때문에, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)을 완전히 박리시킬 수 있다. The peeling apparatus 5A which concerns on 2nd Embodiment moves the one part of the outer peripheral part of the support substrate S vertically downward using the local moving part 130 (refer FIG. 8B), and the support substrate S is avoided. After peeling off from the processing substrate W, the second holding part 120 and the local moving part (using the rotating mechanism 180) are dropped while the second holding part 120 is dropped using the moving mechanism 140. 130). Thereby, since the peeling apparatus 5A can twist | disconnect the adhesive agent G bonded to the support substrate S and the to-be-processed substrate W by rotation by the rotation mechanism 180, the support substrate S ) And the substrate W to be processed can be completely peeled off.

또한, 제2 실시형태에 따른 박리 장치(5A)는, 계측부(210)를 이용하여, 제2 유지부(120)의 기울기를 검출할 수도 있다. 이러한 점에 관해서 도 10을 이용하여 설명한다. 도 10은, 제2 유지부(120)의 경사 검출 방법의 설명도이다. In addition, the peeling apparatus 5A which concerns on 2nd Embodiment can also detect the inclination of the 2nd holding part 120 using the measurement part 210. FIG. This point will be described with reference to FIG. 10. 10 is an explanatory diagram of a tilt detection method of the second holding unit 120.

도 10에 나타낸 바와 같이, 박리 장치(5A)는, 제1 유지부(110)를 회전 기구(180)에 의해서 회전시키면서, 측정 기준 위치로부터 제2 유지부(120)의 유지면까지의 거리 D2(도 7b 참조)를 계측한다. 그리고, 박리 장치(5A)는, 이러한 거리 D2의 변화량이 정해진 것 이상인 경우, 예컨대 도 10에 나타내는 거리 D2a와 거리 D2b와의 차가 20 ㎛ 이상인 경우에는, 제2 유지부(120)의 유지면이 경사져 있다고 판정하고, 박리 처리를 중지한다. As shown in FIG. 10, 5 A of peeling apparatuses rotate the 1st holding part 110 with the rotating mechanism 180, and the distance D2 from the measurement reference position to the holding surface of the 2nd holding part 120 is shown. (See FIG. 7B) is measured. And 5 A of peeling apparatuses, when the amount of change of this distance D2 is more than what was determined, for example, when the difference of distance D2a and distance D2b shown in FIG. 10 is 20 micrometers or more, the holding surface of the 2nd holding part 120 will incline. It determines that it exists, and stops peeling process.

이와 같이, 박리 장치(5A)는, 제2 유지부(120)를 회전시킨 경우에 있어서의, 측정 기준 위치로부터 제2 유지부(120)의 유지면까지의 거리 D2의 변화에 기초하여 제2 유지부(120)의 유지면의 경사를 검출할 수도 있다. Thus, 5 A of peeling apparatuses are based on the change of the distance D2 from the measurement reference position to the holding surface of the 2nd holding part 120 in the case where the 2nd holding part 120 is rotated. The inclination of the holding surface of the holding part 120 can also be detected.

제2 유지부(120)의 유지면이 경사져 있는 경우, 사전 두께 정보를 이용하여 산출되는 접착제(G)의 두께 범위와 실제의 접착제(G)의 두께 범위에 오차가 생겨, 예리 부재(222)를 접착제(G)에 대하여 적절히 진입시킬 수 없을 가능성이 있다. 그래서, 제2 유지부(120)의 유지면이 경사져 있는 경우에, 그 후의 처리를 중지함으로써, 예리 부재(222)에 의한 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)의 손상을 미연에 막을 수 있다. 또, 전술한 처리는, 중합 기판(T)이 박리 장치(5A)로 반입되기 전에 행하면 좋다. When the holding surface of the second holding part 120 is inclined, an error occurs in the thickness range of the adhesive G calculated by using the preliminary thickness information and the thickness range of the actual adhesive G, and the sharp member 222. May not be able to enter the adhesive G properly. Thus, when the holding surface of the second holding portion 120 is inclined, the subsequent processing is stopped to prevent damage to the processing target substrate W or the supporting substrate S by the sharpening member 222. Can be. In addition, the above-mentioned process may be performed before the polymeric board | substrate T is carried in to 5 A of peeling apparatuses.

그런데, 중합 기판(T)에는, 결정 방향, 휘어짐 방향, 패턴 등에 따라 최적의 절개 방향이 있다. 그래서, 제2 실시형태에서는, 중합 기판(T)의 종류에 따라서 예리 부재(222)의 둘레 방향의 위치를 변경하는 것으로 해도 좋다. 이러한 경우, 예컨대, 중합 기판(T)을 제1 유지부(110)에서 유지한 후, 회전 기구(180)를 정해진 위치에 회전시킴에 따라 예리 부재(222)의 둘레 방향에 있어서의 절개 위치를 조정하고, 그 후, 예리 부재(222)를 진입시키면 좋다. 이에 따라, 예리 부재(222)를 둘레 방향의 임의의 위치에 설정할 수 있기 때문에, 어떠한 종류의 중합 기판(T)이라도, 그 중합 기판(T)에 따른 최적의 위치에서 절개를 넣을 수 있다. 또, 중합 기판(T)의 박리 후는, 재차 회전 기구(180)를 회전시켜 원래의 회전 위치에 되돌린다. By the way, the polymerization substrate T has an optimal cutting direction according to the crystal direction, the bending direction, the pattern, and the like. Therefore, in 2nd Embodiment, you may change the position of the circumferential direction of the sharp member 222 according to the kind of polymeric substrate T. FIG. In this case, for example, the polymer substrate T is held by the first holding part 110, and then the cutting mechanism in the circumferential direction of the sharpening member 222 is rotated by rotating the rotary mechanism 180 to a predetermined position. It is good to adjust, and to enter the sharp member 222 after that. Thereby, since the sharp member 222 can be set in the arbitrary position of the circumferential direction, in any kind of polymeric board | substrate T, an incision can be made in the optimal position according to the polymeric board | substrate T. FIG. Moreover, after peeling of the polymerization substrate T, the rotation mechanism 180 is rotated again and it returns to an original rotation position.

또한, 제1 회전 위치에 있어서 박리 불능인 경우, 회전 기구(180)를 제2 회전 위치에 회전시켜 박리를 시도하는 것도 가능하다. 박리 불가능한지 아닌지는, 예컨대, 제1 유지부(110) 및 제2 유지부(120)에 의한 흡착 유지가 떨어진 경우나, 회전 기구(180)의 구동부에 모터를 이용한 경우에는 모터의 과부하 등으로 판정할 수 있다. 이러한 재시도 기능을 설치함으로써, 접착제(G)의 부분적 변질이나 제1 유지부(110)·제2 유지부(120)에 의한 박리 불가능 상태가 생긴 경우라도, 박리 처리를 중단하지 말고 완수시킬 수 있다. In addition, when peeling is impossible in a 1st rotation position, it is also possible to try to peel by rotating the rotating mechanism 180 to a 2nd rotation position. Whether or not peeling is possible, for example, when the suction holding by the first holding unit 110 and the second holding unit 120 is dropped, or when the motor is used in the driving unit of the rotating mechanism 180, the motor may be overloaded. It can be determined. By providing such a retry function, even if partial deterioration of the adhesive G and the state which cannot be peeled off by the 1st holding part 110 and the 2nd holding part 120 generate | occur | produce, it can be completed without stopping a peeling process. have.

(그 밖의 실시형태)(Other Embodiments)

또한, 전술한 각 실시형태에서는, 박리 대상이 되는 중합 기판이, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 접착제(G)에 의해 접합된 중합 기판(T)인 경우의 예에 관해서 설명했다. 그러나, 박리 장치의 박리 대상이 되는 중합 기판은, 이 중합 기판(T)에 한정되지 않는다. 예컨대, 전술한 각 실시형태의 박리 장치에서는, SOI 기판을 생성하기 위해서, 절연막이 형성된 도너 기판과 피처리 기판이 서로 붙여진 중합 기판을 박리 대상으로 하는 것도 가능하다. Moreover, in each embodiment mentioned above, the example in the case where the superposition | polymerization board | substrate which becomes a peeling object is the superposition | polymerization board | substrate T bonded together by the to-be-processed substrate W and the support substrate S by the adhesive agent G is demonstrated. did. However, the polymeric board | substrate used as the peeling object of a peeling apparatus is not limited to this polymeric board | substrate T. For example, in the peeling apparatus of each embodiment mentioned above, in order to produce | generate an SOI board | substrate, it is also possible to make the peeling object the polymerized board | substrate which the donor substrate in which the insulating film was formed, and the to-be-processed board | substrate pasted together.

여기서, SOI 기판의 제조 방법에 관해서 도 11a 및 도 11b를 참조하여 설명한다. 도 11a 및 도 11b는, SOI 기판의 제조 공정을 나타내는 모식도이다. 도 11a에 나타낸 바와 같이, SOI 기판을 형성하기 위한 중합 기판(Ta)는, 도너 기판 K와 핸들 기판 H를 접합함으로써 형성된다. Here, the manufacturing method of an SOI substrate is demonstrated with reference to FIG. 11A and 11B. 11A and 11B are schematic diagrams illustrating a step of manufacturing an SOI substrate. As shown in FIG. 11A, the polymerization substrate Ta for forming the SOI substrate is formed by bonding the donor substrate K and the handle substrate H. FIG.

도너 기판 K은, 표면에 절연막(6)이 형성되고, 핸들 기판 H와 접합하는 쪽의 표면 근방의 정해진 깊이에 수소 이온 주입층(7)이 형성된 기판이다. 또한, 핸들 기판 H에서는, 예컨대 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 사파이어 기판 등을 이용할 수 있다.The donor board | substrate K is a board | substrate with which the insulating film 6 was formed in the surface, and the hydrogen ion implantation layer 7 was formed in the predetermined depth in the vicinity of the surface near the junction with the handle substrate H. In the handle substrate H, for example, a silicon wafer, a glass substrate, a sapphire substrate, or the like can be used.

전술한 각 실시형태에 따른 박리 장치에서는, 예컨대, 제1 유지부에서 도너 기판 K를 유지하고, 제2 유지부에서 핸들 기판 H를 유지한 상태로, 중합 기판(Ta)의 외주부를 인장시킴으로써 도너 기판 K에 형성된 수소 이온 주입층(7)에 대하여 기계적 충격을 부여한다. 이에 따라, 도 11b에 나타낸 바와 같이, 수소 이온 주입층(7) 내의 실리콘-실리콘 결합이 절단되고, 도너 기판 K로부터 실리콘층(8)이 박리된다. 그 결과, 핸들 기판 H의 상면에 절연막(6)과 실리콘층(8)이 전사되고, SOI 기판 Wa가 형성된다. 또, 제1 유지부에서 도너 기판 K를 유지하고, 제2 유지부에서 핸들 기판 H를 유지하는 것이 적합하지만, 제1 유지부에서 핸들 기판 H를 유지하고, 제2 유지부에서 도너 기판 K를 유지해도 좋다. In the peeling apparatus which concerns on each above-mentioned embodiment, the donor is pulled out by tensioning the outer peripheral part of the polymeric substrate Ta, for example, holding the donor substrate K in the 1st holding part, and holding the handle substrate H in the 2nd holding part. Mechanical impact is given to the hydrogen ion implanted layer 7 formed in the substrate K. FIG. Thereby, as shown in FIG. 11B, the silicon-silicon bond in the hydrogen ion implantation layer 7 is cut | disconnected, and the silicon layer 8 is peeled from the donor substrate K. FIG. As a result, the insulating film 6 and the silicon layer 8 are transferred to the upper surface of the handle substrate H, and the SOI substrate Wa is formed. In addition, although it is suitable to hold the donor substrate K in a 1st holding part, and to hold a handle substrate H in a 2nd holding part, it is suitable to hold a handle substrate H in a 1st holding part, and a donor substrate K in a 2nd holding part. You may keep it.

또한, 전술한 실시형태에서는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접착제(G)를 이용하여 접합하는 경우의 예에 관해서 설명했지만, 접합면 Wj, Sj를 복수의 영역으로 나누어, 영역마다 상이한 접착력의 접착제를 도포해도 좋다. Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the example at the time of bonding the to-be-processed board | substrate W and the support substrate S using the adhesive agent G was demonstrated, the joining surface Wj and Sj are divided into several area | region, You may apply the adhesive agent of a different adhesive force for every area | region.

한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해서 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타내고 기술한 특정한 세부사항 및 대표적인 실시형태로 한정되지는 않는다. 따라서, 첨부의 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다. Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the more extensive aspect of this invention is not limited to the specific detail and typical embodiment which were shown and described above. Accordingly, various modifications may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

1 : 박리 시스템 5 : 박리 장치
10 : 제1 처리 블록 15 : 박리 스테이션
20 : 제2 처리 블록 60 : 제어 장치
110 : 제1 유지부 120 : 제2 유지부
130 : 국소 이동부 140 : 이동 기구
210 : 계측부 220 : 절개부
230 : 위치 조정부 S : 지지 기판
T : 중합 기판 W : 피처리 기판1: peeling system 5: peeling apparatus
10: first processing block 15: peeling station
20: second processing block 60: control device
110: first holding part 120: second holding part
130: local moving unit 140: moving mechanism
210: measuring unit 220: incision
230: position adjusting unit S: support substrate
T: polymerized substrate W: substrate to be processed

Claims (12)

제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 상기 제1 기판을 유지하는 제1 유지부와,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 접합 부분에 대하여 절개를 넣은 절개부와,
정해진 측정 기준 위치로부터 상기 제1 유지부의 유지면까지의 거리 또는 상기 측정 기준 위치와 상기 유지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측하는 계측부와,
상기 계측부의 계측 결과와, 미리 취득된 상기 중합 기판의 두께에 관한 정보에 기초하여 상기 절개부의 절개 위치를 조정하는 위치 조정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. A first holding unit for holding the first substrate among the polymerized substrates to which the first substrate and the second substrate are bonded,
An incision portion in which an incision is made with respect to a junction portion of the first substrate and the second substrate,
A measuring unit for measuring a distance from a predetermined measurement reference position to a holding surface of the first holding unit or a distance from an object between the measuring reference position and the holding surface;
And a position adjusting portion for adjusting the cut position of the cut portion based on a measurement result of the measuring portion and information on the thickness of the polymerized substrate obtained in advance. 제1항에 있어서, 상기 절개부는,
상기 측정 기준 위치로부터 상기 유지면까지의 거리와 상기 측정 기준 위치로부터 상기 제1 유지부에 유지된 중합 기판까지의 거리를 이용하여 산출되는 상기 중합 기판의 두께와, 미리 취득된 상기 중합 기판의 두께의 차가 정해진 범위 내 인 경우에, 상기 접합 부분으로의 절개를 행하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The method of claim 1, wherein the cutout,
The thickness of the said polymeric substrate computed using the distance from the said measurement reference position to the said holding surface, and the distance from the said measurement reference position to the polymeric board | substrate hold | maintained by the said 1st holding part, and the thickness of the said polymeric substrate acquired previously When the difference is within a predetermined range, the incision to the joining portion is performed. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절개부를 수평 이동시킨 경우에 있어서의, 상기 측정 기준 위치로부터 상기 절개부까지의 거리의 변화에 기초하여 상기 절개부의 손상을 검출하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The peeling apparatus of Claim 1 or 2 which detects the damage of the said incision part based on the change of the distance from the said measurement reference position to the said incision part when the said incision part is horizontally moved. . 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절개부는,
예리(銳利) 부재와,
상기 예리 부재에 의해서 절개가 넣어진 상기 접합 부분의 절개 개소를 향하여 기체를 분출하는 기체 분출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The method of claim 1 or 2, wherein the cutout,
A sharp member,
A gas ejection apparatus comprising a gas ejection section for ejecting gas toward an incision point of the joining portion in which an incision is inserted by the sharping member. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판은, 피처리 기판이며, 상기 제2 기판은, 상기피처리 기판을 지지하는 지지 기판이며,
상기 예리 부재는, 한쪽 날의 날붙이이며, 날끝각을 형성하는 경사면이 상기 제2 기판측에 형성되는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The said 1st board | substrate is a to-be-processed substrate, The said 2nd board | substrate is a support substrate which supports the said to-be-processed substrate,
The said sharp member is a blade | wing stick of one blade, and the inclined surface which forms a blade tip angle is formed in the said 2nd board | substrate side, The peeling apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 유지부를 회전시키는 회전 기구를 더 구비하고,
상기 제1 유지부를 상기 회전 기구에 의해서 회전시킨 경우에 있어서의, 상기 측정 기준 위치로부터 상기 유지면까지의 거리의 변화에 기초하여 상기 유지면의 경사를 검출하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The rotating mechanism according to claim 1 or 2, further comprising a rotating mechanism for rotating the first holding portion,
The peeling apparatus of Claim 1 which detects the inclination of the said holding surface based on the change of the distance from the said measurement reference position to the said holding surface in the case of rotating the said 1st holding part by the said rotating mechanism. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위치 조정부는,
상기 측정 기준 위치로부터 상기 유지면까지의 거리와, 미리 취득된 상기 제1 기판 및 상기 접합 부분의 두께를 이용하여 산출되는 상기 접합 부분의 두께 범위 내에 들어가도록 상기 절개 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The said position adjusting part of Claim 1 or 2,
And the incision position is adjusted to fall within a thickness range of the junction portion calculated by using the distance from the measurement reference position to the holding surface and the thicknesses of the first substrate and the junction portion previously acquired. Peeling device. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위치 조정부는,
상기 측정 기준 위치로부터 상기 제1 유지부에 유지된 중합 기판까지의 거리와, 미리 취득된 상기 제2 기판 및 상기 접합 부분의 두께를 이용하여 산출되는 상기 접합 부분의 두께 범위 내에 들어가도록 상기 절개 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The said position adjusting part of Claim 1 or 2,
The cutting position so as to fall within a thickness range of the bonded portion calculated using the distance from the measurement reference position to the polymeric substrate held in the first holding portion and the thickness of the second substrate and the bonded portion previously acquired; Peeling apparatus characterized in that for adjusting. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 계측부는, 레이저 변위계인 것을 특징으로 하는 박리 장치. The said measuring part is a laser displacement meter, The peeling apparatus of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 기판을 유지하는 제2 유지부와,
상기 제2 유지부를 상기 제1 유지부로부터 분리하는 방향으로 이동시키는 이동 기구와,
상기 제2 유지부에 의해서 유지된 상기 제2 기판의 외주부 중 일부를 상기 제1 기판의 접합면으로부터 분리하는 방향으로 이동시키는 국소 이동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박리 장치. The method of claim 1 or 2, wherein the second holding portion for holding the second substrate,
A moving mechanism for moving the second holding part in a direction of separating from the first holding part;
And a local moving part for moving a part of the outer circumferential part of the second substrate held by the second holding part in a direction of separating from the bonding surface of the first substrate. 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판이 배치되는 반입반출 스테이션과,
상기 반입반출 스테이션에 배치된 중합 기판을 반송하는 기판 반송 장치와,
상기 기판 반송 장치에 의해서 반송된 중합 기판을 상기 제1 기판과 상기 제2 기판으로 박리하는 박리 장치가 설치되는 박리 스테이션을 구비하고,
상기 박리 장치는,
상기 중합 기판 중 상기 제1 기판을 유지하는 제1 유지부와,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 접합 부분에 대하여 절개를 넣은 절개부와,
정해진 측정 기준 위치로부터 상기 제1 유지부의 유지면까지의 거리 또는 상기 측정 기준 위치와 상기 유지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측하는 계측부와,
상기 계측부의 계측 결과와, 미리 취득된 상기 중합 기판의 두께에 관한 정보에 기초하여 상기 절개부의 절개 위치를 조정하는 위치 조정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박리 시스템. An import / export station on which a polymer substrate bonded to a first substrate and a second substrate is disposed;
A substrate conveying apparatus for conveying a polymerized substrate disposed in the loading / exporting station;
It is provided with the peeling station in which the peeling apparatus which peels the polymeric board | substrate conveyed by the said board | substrate conveyance apparatus to the said 1st board | substrate and said 2nd board | substrate is provided,
The peeling apparatus comprises:
A first holding unit for holding the first substrate among the polymer substrates;
An incision portion in which an incision is made with respect to a junction portion of the first substrate and the second substrate,
A measuring unit for measuring a distance from a predetermined measurement reference position to a holding surface of the first holding unit or a distance from an object between the measuring reference position and the holding surface;
And a position adjusting portion for adjusting the cut position of the cut portion based on the measurement result of the measuring portion and the information about the thickness of the polymerized substrate obtained in advance. 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 상기 제1 기판을 유지하는 제1 유지부에 의해, 상기 제1 기판을 유지하는 유지 공정과,
정해진 측정 기준 위치로부터 상기 제1 유지부의 유지면까지의 거리 또는 상기 측정 기준 위치와 상기 유지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측하는 계측부에 의해서, 상기 측정 기준 위치로부터 상기 제1 유지부의 유지면까지의 거리 또는 상기 측정 기준 위치와 상기 유지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측하는 계측 공정과,
상기 계측부의 계측 결과와, 미리 취득된 상기 중합 기판의 두께에 관한 정보에 기초하여, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 접합 부분에 대하여 절개를 넣은 절개부의 절개 위치를 조정하는 위치 조정 공정과,
상기 위치 조정 공정에 있어서 상기 절개 위치가 조정된 상기 절개부에 의해서 상기 접합 부분에 대하여 절개를 넣는 절개 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박리 방법. A holding step of holding the first substrate by a first holding part holding the first substrate among the polymerized substrates on which the first substrate and the second substrate are bonded;
The holding part of the said 1st holding part from the said measuring reference position by the measuring part which measures the distance from the predetermined measurement reference position to the holding surface of the said 1st holding part, or the distance to the object interposed between the said measuring reference position and the holding surface. A measurement step of measuring a distance to a surface or a distance to an object interposed between the measurement reference position and the holding surface;
A position adjusting step of adjusting the cut-off position of the cut-out portion in which the cut-out is inserted with respect to the bonded portion of the first substrate and the second substrate, based on the measurement result of the measurement portion and the information on the thickness of the polymerized substrate obtained beforehand; ,
And a cutting step of inserting the incision with respect to the joint portion by the cutting part in which the cutting position is adjusted in the position adjusting step.
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