KR20140031485A - 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법 및 이를 이용한 폼형상 그라핀 구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폼형상 그라핀 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비등을 이용하여 폼형상 그라핀 구조의 생성방법 및 이를 이용한 폼형상 그라핀 구조에 관한 것이다.
본 발명은 베이스 기판을 준비하는 단계(S1); 상기 베이스 기판을 환원된 그라핀 산화물(RGO) 콜로이드 용액에 담지시키는 단계(S2); 발열체를 이용하여 상기 베이스 기판에 열유속을 가하여 비등을 유발시키는 단계(S3); 및 상기 비등에 의해 생성된 기포가 중첩되면서 베이스 기판상에 폼형상의 그라핀 구조를 생성시키는 단계(S4);를 포함하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법을 제공한다.

Description

비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법 및 이를 이용한 폼형상 그라핀 구조{THE PRODUCTION METHOD OF THE SELF-ASSEMBLED FOAM-LIKE GRAPHINE NETWORKS USING NUCLEATE BOILING AND THE SELF-ASSEMBLED FOAM-LIKE GRAPHINE NETWORKS OF USING THIS}
본 발명은 폼형상 그라핀 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비등을 이용하여 폼형상 그라핀 구조의 생성방법 및 이를 이용한 폼형상 그라핀 구조에 관한 것이다.
Geim과 Novoselov가 2004년의 소위 스카치 테이프 방법에 의한 그라파이트로부터 sp2 결합 탄소의 1원자 두께 평면 판으로 구성된 그라핀 단분자층을 간단하고 성공적으로 분리했기 때문에, 여러 연구 그룹들이 탁월한 전자 특성(세미메탈, 제로 갭 반도체, 15,000 cm2V-1s-1의 전자의 고이동성, 은보다 적은 10-6Ω의 저저항), 열전도도(5,000Wm-1K-1), 광학적 특성(transparent, 백색광의 단지 2.3%를 흡수), 높은 기계적 강도(강철보다 200배 강함), 및 단위 질량당 표면적이 크다는 점(용액 특성, 3,000 m2g-1의 대면 영역)과 같은 비정상적인 특성을 이해하고 이용하기 위한 시도로서, 활발히 그라핀을 연구하고 있다.
이러한 유일한 특성 때문에, 그파핀의 활용법으로, 예를 들면 투명한 전기적으로 전도도 필름, 에너지 저장 장치의 전극, filed-effect 장치, 마이크로 전자장치, 화학적 및 생물학적 센서, 그리고 충전제 전도도 중합체 합성물에서 대단히 유용한 것으로 알려져 왔다.
대부분의 종래 연구는 2차원적 (2-d)구조물에 집중되었는데, 대부분의 우수한 물리적 및 전자 특성, 큰 표면과 화학적 기능을 전부 사용하기 위해서는, 3차원적 (3-D)구조의 그라핀 형상이 더 권장된다.
최근에, Chen el al 이 템플레이트-다이렉티드 화학 기상 증착(CVD)에 의한 3-D 그래핀 폼을 가공하였다. 그것의 최적화된 전도도는 10 S·cm- 1으로, 이것은 화학적으로 파생된 그래핀-베이스 복합체보다 높은 ~6 계산차수이다.
그리고 심지어 기공을 폴리디메틸 silonxane (PDMS)으로 채운 후에도 그것의 전도도는 유지되었다. 하지만, CVD 처리는 높은 처리 온도와 식각 공정을 요구하며, 그것이 니켈 또는 구리 폼에 각각 그래핀 폼을 만들 필요가 있다. 그리고 다른 기판위에 그래핀 필름의 추가적 이송 프로세스가 필연적인데, 이러한 과정은 비싸고 시간이 걸린다는 문제점이 있다.
또한, 종래의 화학기상 증착(CVD) 방법은 니켈 폼을 가공한 뒤 1000도의 고온에 노출시켜 화학 기상 증착을 한 뒤, 산을 이용하여 금속을 다시 에칭을 해야 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 다양한 종류의 피처리 기판에 단순한 핵 비등을 이용하여 직접적으로 폼형상 그라핀(SFG: Self-assembled Foam-like Gaphine)구조를 형성하는 방법 및 상기 방법에 의해서 형성된 폼형상 그라핀(SFG)을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 베이스 기판을 준비하는 단계(S1); 상기 베이스 기판을 환원된 그라핀 산화물(RGO) 콜로이드 용액에 담지시키는 단계(S2); 발열체를 이용하여 상기 베이스 기판에 열유속을 가하여 비등을 유발시키는 단계(S3); 및 상기 비등에 의해 생성된 기포가 중첩되면서 베이스 기판상에 폼형상의 그라핀 구조를 생성시키는 단계(S4);를 포함하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법을 제공한다.
또한, 상기 S1 단계에서, 상기 베이스 기판은 실리콘, 투명 전도도 산화물 글라스(TCO), 금속, 기본 유리, 신축성 폴리머 중 어느 하나 인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 S2 단계에서, 상기 그라핀 산화물은 히드라진에 의해서 환원되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 S2 단계에서, 상기 콜로이드 용액은 환원된 그라핀 산화물의 비율이 0.01 ~ 0.0001 %wt 인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 S2 단계에서, 상기 콜로이드 용액은 환원된 그라핀 산화물의 비율이 0.005 %wt 인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 S3 단계에서, 상기 발열체 대신 베이스기판 자체가 히터의 역할을 할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 S3 단계에서, 상기 열유속은 100kW/m2에서 1500kW/m2 범위로 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한, 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법에 의하여 생성된 폼형상 그라핀 구조를 제공한다.
본 발명에 따른 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법에 따르면, 기존의 환원된 그라핀 산화물(RGO) 콜로이드를 이용하여 간단하게 그라핀 구조를 형성해 준다.
또한, 기존의 CVD 방법은 니켈 폼을 가공한 뒤 산을 이용하여 금속을 에칭하는 공정이 불필요한바 비용 및 공정상 편의를 제공한다.
또한, 열유속의 조절에 의해서 생성되는 그라핀 구조의 두께조절이 가능한 장점이 있고, 반투명한 상태의 그라핀 구조를 형성할 수도 있다.
또한, 기존의 방법에 비해서 폼에 존재하는 기공의 크기가 매우 작아서, 폼안에 다량의 물 등의 흡수가 가능하다. 이로 인해서 염료의 침투가 용이하여 솔라 셀로도 활용할 수가 있다.
또한, CVD 방법으로 제작한 폼보다 전기전도도가 높은 장점이 있고, 다양한 사이즈의 기판 위에 SFG 형성이 가능하다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 폼형상 그라핀 구조의 형성 메카니즘을 나타내는 도면으로 (a)는 BGL구조 형성 메카니즘을 나타내고, (b)는 SFG 시드 형성 메카니즘을 나타내고 있다.
도 2(a)는 BGL:RGO 플레이틀레트가 50~100nm 두께로 평형하게 쌓여있는 상태를 나타내고, (b)와 (c)는 시드와 기포로부터 SFG가 형성되는 과정을 보여주고 있다.
도 3은 GO, RGO 및 SFG의 XPS 피크 디콘볼루션을 나타낸다.
도 4는 SFG의 표면 젖음성 테스트를 결과를 E-SEM을 통해서 보여주고 있다.
도 5는 3-D SFG 구조의 모폴로지(morphology)를 보여주고 있다.
도 6은 3-D SFG의 측면뷰를 HRSEM이미지로 보여주고 있다.
도 7은 SFG의 특성을 나타내는 것으로 GO, RGO 및 SFG의 라만 스펙트라, UPS 스펙트라, 일함수를 나타내고 있다.
도 8은 핵 비등 실험에 대한 것으로, (a)는 열유속과 벽온도가 적용된 보일링 커브를 나타내며, (b) 내지 (e)는 기포와 SFG 형성상태를 열유속변화에 따라 도시하고 있다.
도 9는 다양한 기판상에 있는 SFG의 형태를 보여주고 있는 것으로 (a)는 FTO Glass, (b)는 Copper foil, (c)는 Glass 및 (d)는 PDMS상에 SFG 필름의 사진 및 SEM 이미지이다.
도 10은 핵 비등 실험 장치에 관한 도면이다.
도 11은 SFG based QDSSCs (a) Schematic diagram of SFG based QDSSCs, (b) Real image of SFG based QDSSCs, (c) Performance of Au, 2-D-RGO and SFG based QDSSCs.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법 및 이를 이용한 폼형상 그라핀 구조의 바람직한 실시예들을 자세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법은 다음과 같다. 우선 베이스 기판을 준비한다. 상기 베이스 기판은 실리콘, 투명 전도도 산화물 글라스(TCO), 금속, 기본 유리, 신축성 폴리머 중 어느 하나가 될 수 있다.
다음으로 상기 베이스 기판을 환원된 그라핀 산화물(RGO) 콜로이드 용액에 담지 시킨다.
발열체를 이용하여 상기 베이스 기판에 열유속을 가하여 비등을 유발시킨다. 여기에서 발열체 대신에 베이스 기판 자체가 히터의 기능을 할 수도 있다.
상기 비등에 의해 기포가 생성되고, 생성된 기포가 중첩되면서 베이스 기판상에 폼형상의 그라핀 구조를 생성하게 된다.
도 1은 베이스 그라핀 레이어(BGL) 구조의 형성 메카니즘과 폼형상 그라핀(SFG)의 시드 형성 메카니즘을 보여주고 있다.
기포가 성장해 감에 따라 삼중 라인(기상-액상-고체상태가 만나는 라인)이 기포내에서 마이크로 레이어를 따라서 베이스 그라핀 레이어(BGL)를 형성하면서 움직이는 모습을 보여주고 있다.(도 1(a)) 여러 개의 격리 기포들이 기포가 성장하고 이탈하는 동안 갑작스럽게 합체된다. 기포들 사이에 로컬 베이컨시에서의 RGO 플레이틀레트의 농도가 갑자기 증가했기 때문에, RGO 플레이틀레트는 SFG 구조를 위한 시드를 형성하는 이 과정동안 압축되었다. 베이스 그라핀 레이어 상에서 기포가 생성되고, 상기 기포가 중첩되는 공간에서 폼형상 그라핀(SFG)의 시드가 형성됨을 보여주고 있다. 이와 같이 기포가 계속적으로 중첩되면서 폼형상 그라핀(SFG)이 성장하게 된다(도 1(b)).
비등을 이용한 폼형상의 그라핀구조 형성은 단순한 핵 비등 방법을 이용한다. 히터위에 박형 기판을 둘 수도 있고, 기판 자체가 그라핀 콜로이드 용액내에서 히터로서의 역할을 할 수도 있다. 그라핀 콜로이드 용액은 히드라진에 의해서 환원된 그라핀 산화물(RGO)로 그라핀 시트상에 음극으로 대전된 카르복시기 그룹들 사이에서 정전기적 척력에 의해서 잘 분산되어 있다. 90%이상의 RGO는 모노레이어로 관찰되었고, 물속에서 서스펜디드(suspended) RGO 시트의 사이즈는 AFM(Atomic force Microscope)으로 측정한 결과 0.5~1㎛ 였다. 대기 환경에서 포화상태를 가진 RGO 콜로이드 용액을 이산화실리콘(SiO2)로 코팅된 실리콘 히터에 의해서 10분동안 1200kW/m2의 열유속으로 비등하였다.
열유속과 히터의 벽 온도(Wall temperature)는 응용된 전기 전압을 조절함으로써 제어하였다.
첫 번째로, 50~100㎚의 베이스 그라핀 레이어(BGL: Base Graphine layers)가 핵 비등동안에 RGO 용액내에서 이산화실리콘 표면위에 쌓여있다.(도 2(a)) 베이스 그라핀 레이어는 RGO의 5~10층으로 구성된 어셈블리 2-D RGO 플레이틀레트이며, 기판에 평형하게 쌓여있다. 베이스 그라핀 레이어의 형성을 위한 메카니즘을 따르게 될 것이다. RGO 플레이트의 가장자리에는 있는 카르복시기 산 그룹 때문에, RGO 플레이틀레트는 친수성을 유지한다. 284.6, 286.5, 287.8 및 289.1eV에서 GO(Graphine Oxide), RGO의 X-ray 광선 조사 스펙트럼(XPS)은 C-C, C-O, C=O, C(O)O의 C1S 피크에 원인이 있었다. 이것들 중에서 에폭시드와 하이드록실기 때문에 286.5(C-O)eV 피크는 상당히 감소됐다. 그러나, 카르복시기 때문에 287.8(C=O)eV 피크는 C-O 피크와 같은 정도로 감소되지는 않았다(도 3).
도 2(a)의 HRSEM(Highly Magnified Scanning Electron Microscopy) 이미지에서 적색원으로 표시된 것처럼 BGL과 이산화실리콘 기판 사이의 인터페이스에 작은 물방울의 접촉각을 측정했다. BGL상의 1μL의 작은 물방울의 접촉각(56.3°)이 이산화실리콘 기판상에서의 1μL의 작은 물방울의 접촉각(72.2°)보다 작다는 것은 BGL의 표면 습윤성(surface wettabilitiy)이 매우 높다는 것을 보여준다. 음극으로 대전된 카르복시기 그룹은 BGL가 매우 우수한 습윤성을 가지게 한다. 수소결합과 RGO 플레이들 사이의 응축에 의해서, SFG는 기판상의 기포의 도움에 의해서 BGL상에서 형성되기 시작한다. 대부분의 RGO 플레이트는 SFG 기공의 벽을 제조하는 프리-스탠딩 폼(free-standing form)으로서 존재한다.
이 초기 단계에서의 작은 물방울의 접촉각이 62.4°나타내는데, 이것은 SFG 시드 아래에 BGL 때문에 여전히 이 필름이 친수성을 유지한다는 것을 보여주고 있다.(도 2(b))
그러나 반응이 좀 더 진행됨에 따라서, SFG 구조는 제조되고 3-D SFG의 표면상의 작은 물방울의 접촉각은 120.6°가 되며, 이것은 SFG 표면이 초소수성이라는 것을 의미한다.(도 2(c)) 물방울의 접촉각을 측정하는 동안 흥미로운 현상을 관찰하였다. 종래에는 물이 기공 또는 마이크로/나노 스케일 구조를 가진 소수성 물질을 침투할 수 없다는 것이 받아들여지고 있었다.
그러나, 10μL의 작은 물방울이 분산되었을 때, 작은 물방울은 도 4(a)에 나타난 바와 같이 1분 뒤에 흡수되었다. 물 흡수 현상을 좀 더 연구하기 위해 E-SEM(Environmental-Scanning Electron Microscopy)을 사용하여 SFG 레이어상의 습윤성을 관찰하게 되었고, 그 결과가 도 4(b)에 나타나 있다.
30℃와 0.6 bar에서 SFG 상의 물은 디지털로 관찰되었다. 작은 물방울이 SFG 레어어 상에 여러 점에서 생성되었다. SFG 필름상의 작은 물방울은 E-SEM 이미지에서 적색 점선원에 의해 보여지는 것처럼 대부분이 없어졌다. 이와 같은 결과로 SFG 레이어가 친수성과 소수성을 모두 보유하고 있는 것을 알 수 있다.
이는 셀프-어셈블리(Self-assembly)를 통하여 소수성을 가지는 RGO 플레인이 노출되었으며, 카르복시기 그룹이 구조 내에 묻혀 있기 때문이다. 이러한 두가지 특성은 극성 및 유기 용매에서 스캐폴드(scaffold)로서 적용가능하게 해준다. CVD방법으로 성장한 그라핀 폼의 경우에는 표면 전체가 소수성이어서 극성 용매에서 스캐폴드로서 적용하기가 어려울 것이다. QDSSC 상대 전극과 SFG 형성을 위한 상세 메커니즘을 위한 효율적 스캐폴드로서의 SFG의 응용은 따르게 될 것이다.
SFG 구조의 형태학은 한층 나아가서 HRSEM 분석과 고해상도 전송 전자 현미경 검사(HRTEM) 분석에 의해 연구되었다(도 2, 도 5 및 도 6). 도 5(a) 내지 (c)는 SFG의 SEM 이미지의 확대도이고 이것들의 AFM 이미지가 도 5(d)에 나타난다.
기공의 크기는 대게 1~5㎛ 였다. RGO 플레이틀레트는 SFG 기공의 벽을 형성하여 서로 잘 연결되었다. 실제로 많은 프리-스탠딩 RGO 플레이틀레트에서 SFG 구조가 발견되었다(도 5(e)). 이것은 상술한 SFG 형성의 메카니즘을 지원하는 중요한 증거 중 하나이다.
RGO 플레이틀레트는 5~10 그라핀 레이어로 구성되었고, 레이어간 간격은 HRTEM 분석결과 3.52Å이었다(도 5(f)). 이것은 한층 나아가서 X-ray 회절(XDR)과 셔러의 방정식(Scherer’s equations)에 의해 검증되었다. SFG 구조의 평균 두께는 ~9.3㎛ 였고, BGL의 두께는 대략 100㎚ 였다(도 6(a)).
SFG 구조아래에 BGL의 역할은 매우 중요하다. 2-D BGL는 3-D SFG 구조로부터의 부전도의 기판상에서 특히 효율적으로 전하의 이동을 유도하는 전자 저장소 역할을 한다. 도 6(b)는 SFG 필름의 측면도 HRSEM을 보여주고 있다. 기공의 크기는 수평에서 본 사이즈와 거의 똑같은 1~3㎛였다. 본 발명에 따른 SFG의 전도도는 CVD의 방법으로 파생된 폼형상의 그라핀의 전도도인 10 Scm-1 보다 작은 6.7 10 Scm-1 였다. 그러나 필름을 아르곤 가스내에서 400℃로 어닐링 되었을 때(Calcined SFG film at 400 for 4 h under argon), 전도도 및 면 저항이 11.8 Scm-1 와 91.2Ω으로 보통의 방법에 의한 SFG보다 높았다(표 1).
[표1] GO, SFG 및 SFG-A의 전도도 및 면 저항
Figure pat00001
화학적으로 파생된 SFG 구조의 전도도는 주로 RGO 그 자체의 저항 및 RGO 플레이틀러트 사이의 저항에 의해 결정된다. 상술한 것처럼, RGO 플레이틀러트는 수소 결합과 응축을 통하여 셀프-어셈블리 되었다. 플레이틀러트사이의 상호작용은 너무 강해서 스카치 테이프 및 물에서의 초음파처리로도 SFG 필름을 분리시킬 수가 없었다. RGO 플레이틀러트 사이에 그들의 친밀한 거리와 강한 접속력 때문에, 그들 사이의 저항은 최소가 될 수 있다. 게다가, 한층 나아가서 핵 비등은 이전에 설명된 것으로 열적 감소에 의해 RGO 플레이틀러트 그 자체를 감소시킨다. 도 3(b)에 도시된 것처럼, (C-C and C=C) / (C-O + C=O + C(O)O) ratio of GO (1.1)은 sp2 도메인의 복구에 의해 RGO(1.8)과 SFG(2.1)로 증가되었다. 이 결과는 핵 비등 과정동안에 추가적 감소가 발생되었다는 것을 나타낸다. XPS 결과는 라만 분광법에 의해 확증되었다. 라만 연구에서, GO(0.88)의 ID/IG 비율은 각각 RGO(1.16)과 (SFG)1.43으로 증가되었다(도 7과 표 2).
[표 2] GO, RGO 및 SFG의 라만 파마메터
Figure pat00002
G 밴드(at 1600cm-1)와 D 밴드(at 1354cm-1)는 각각 리플(ripples), 에지(edges) 및 디펙트(defects)와 같은 방향족 탄소 고리와 디스오더(disorders)의 E2g 모드로부터 발생하고 있다. ‘스카치 테이프 방법’에 의해 준비된 순수한 그라핀 또는 그라파이트의 직접적 박리화에 따르면, G 밴드의 강도는 D 밴드의 깅도보다 높다. 하지만 RGO를 위한 대부분의 연구에서는 두 개 밴드의 강도가 비슷하게 나타났다. 이것은 6-배 항향족 고리의 복구에도 불구하고 감소 동안에 디스오더의 정도가 증가했음을 의미한다. 핵 비등후 디스오더의 정도는 부가적인 열 감소에 의해서 좀 더 증가한다.
GO, RGO, SFG 필름의 자외선 광전자 방출 분광학(UPS: Ultraviolet photoemission spectroscopy) 스펙트럼은 한층 나아가서 결합 상태와 감소의 정도를 연구하기 위해 측정되었다. 밸런스 밴드 구조에서, 페르미 에너지(EFerimi) 주위에 피크 강도는 각각 물질의 금속적 특성을 드러낸다(도 7(b)). GO가 RGO로 감소한 후, 피크 강도는 sp2 결합 복구에 의해 더 높게 된다. 그리고 SFG의 피크 강도는 핵 비등 RGO의 피크 강도보다 매우 높았다. Ecutoff와 EFerimi는 명백히 정의 되며, 각 필름에서의 일 함수는 하기 반응식(1)을 이용하여 계산되었다.
Figure pat00003
반응식(1)
여기에서, hv (40.8 eV) 는 He II 소스 및 Ecutoff 영역에서 분명한 경계를 만들기 위하여 적용된 -5 V 바이어스로부터 들어온 광자 에너지이나, GO 필름의 경우, GO 필름의 표면의 충전으로 인하여 Ecutoff 는 측정될 수 없다. 전도성 필름의 일함수는 표면 성질 뿐 아니라 체적 특성에 크게 의존한다. 일함수를 포함한 표면 성질은 샘플의 속성에 크게 의존한다는 것으로 알려졌다. 그라핀의 일함수는 4.2eV ~ 4.5eV 이다. RGO의 실제 일함수는 4.55eV (4.90eV : 켈빈 계산), SFG의 실제 일함수는 4.30eV (4.78eV)이고, 이는 SFG는 RGO보다 한층 줄어들었다는 것을 의미한다. RGO상의 OH, -O-, COOH 그룹의 일함수는 감소하였다. 일함수의 감소, (C-C or C=C)/(C-O + C=O + C(O)O) 비율의 증가, ID/IG 비율의 증가를 통하여, RGO는 핵 비등 동안 훨씬 감소되었다는 결론을 얻을 수 있다. 좋은 연결성과 sp2 결합의 복구의 결합으로 인하여, SFG의 전도도는 CVD 방법과 비교하여 볼 때, SFG는 화학적으로 감소하였다.
BGLs와 SFGs는 구조는 어떻게 히터의 표면위에 형성되는가에 대하여 설명한다. 첫 째로, 열유속의 조절을 통하여 히터와 RGO콜로이드 용액 사이에서 어떠한 현상이 발생하는지 관찰할 수 있다. 열유속은 안정된 상태를 보존하기 위하여 단계적으로 상승한다(도 8(a)). 50kW/m2 의 열 유속에서, (핵 비등 포인트가 약 112 ℃인 경우) 시간이 증가하더라도 그라핀은 히터의 상면에서 발견되지 않았으며, 이는 히터상에서 RGO의 형성을 위하여 버블이 필수적이라는 것을 의미한다. 열 유속이 100kW/m2까지 증가하면, 핵 비등 포인트가 약 115℃로 약간 상승한 경우) 버블 생성은 시작되었다(도 8(b)).
버블의 반복된 형성과 성장이 이루어지는 동안, 버블 층의 하단의 미세한 두께의 액막(미세층)은 그라핀의 수평정열을 이루었다. 버블의 사이즈가 커질수록, 삼중선(기상-액상-고상이 만나는 선)은 버블의 미세층을 따라 BGLs가 형성하도록 움직인다. 400kW/m2에, 훨씬 많은 버블이 생성되었고, 많은 버블의 결합이 발생하였다. 수개의 독립된 버블들은 버블이 성장하고 이탈하는 동안 갑자기 결합한다. 버블들 사이의 빈 공간에서 RGO 플레이트레트의 농도가 갑자기 증가했기 때문에, RGO 플레이트레트는 이러한 SGF 구조를 위한 시드(seed)를 형성하는 과정에서 압축되었다(도 8(b), 도 1(b)).
도 8(b) 내지 (e)는 버블이 생성되는 유일한 장소를 보여주며, BGLs과 SFG를 위한 시트(seed)가 위와 같은 메카니즘을 위하여 기판의 표면에 놓여진다. 높은 열유속 영역 (800 내지 1200kW/m2)에서, 많은 작은 기포들은 히터 전체를 커버하고, 기포들을 결합하며 생성되었다. 그러므로 상대적으로 작고 균일한 기공을 가진 SFG 구조들이 생성되었다(도 8(d),(e)). 열유속을 조절함으로써, SGF의 기공 크기를 조절할 수 있다. 그러나, 낮은 열유속에서(800kW/m2 이하), SFG 구조를 생성하기 위하여는 시간 단위의 많은 시간이 필요하였다. 그리고 균일한 기공을 획득하는 것은 어려웠다(도 8(d)). 히터의 균열은 열유속을 1200kW/m2 이상으로 증가하기 어렵게 하였다. 그러나 시스템이 잘 제어된다면, SFG는 훨씬 작고 균일하게 형성될 수 있을 것이다(초단위 또는 분단위) 핵 비등의 시간이 10분과 60 분으로 변경되었을 때, 9.3μm와 42.2 μm의 두께를 가진 SFG 필름이 획득되었다.
상기의 메커니즘을 기반으로 하여, SFG 구조는 어떠한 계면활성제 없이도 SFG 이송 프로세스에 의한 에칭과 폴리머제거와 같은 추가적 절차를 통하여 TCO(FTO), 금속(동), 유리, 폴리머(PDMS)의 기판상에 위치할 수 있다. FTO와 동(copper)과 같이 도전성 기판상에 SFG 구조를 생성하는 것은 쉬웠다(도 9(a) 및 도 9(b)).
유리 또는 PDMS와 같은 비도전성 기판상이라고 하더라도, 기판이 히터상에 접촉되었을 때 SFG 구조의 생성은 가능했다(도 9(c) 및 도 9(d)). 각각의 기판에서, SFG 구조는 SEM 분석에 의해 관찰되었다. 모든 경우에, 확대(scale up)는 용이하였다. PDMS가 코딩된 SFG의 사이즈는 6Cm이상 이었다(도 9(d), 도 10). 동을 제외하고(금속은 비투명함), 3개의 필름은 초소규모두께(~10 μm)에도 불구하고 반투명한 특성을 보여줬다. SFG 필름안에서 기공은 필름을 반투명하게 만들었다.
그들 중에서, 우리는 양자점 감광성 태양 전지 (QDSSCs)의 전극을 대항하기 위하여 FTO에 로드된 SFG를 적용하였다. QDSSCs는 광 증감형 태양 전지 (DSSCs)와 같은 구성을 가지고 있었지만, 분자 염료 대신 무기성 양자점(QDs)을 흡광재로 사용한다. 무기성 QDs의 사용은 여러 장점이 있는데, QD 구성과 사이즈를 조절함으로써 다중 엑시톤 생성 대역 갭의 생성, 높은 몰 흡수 계수(molar extinction coefficient), 큰 쌍극자모멘트 등이 있다. 그러나, QDSSCs의 최대 전류 변환 효율(η)은 DSSCs의 최대 전류 변환 효율(η)보다 훨씬 낮은 4 % 대 이다. 본 시스템에서, CdS와 CdSe는 QDs를 흡수하는 가시광으로서 이용되었고 ZnO 나노와이어는 흡수 막(Absorber laywer)과 같이 전자 컬렉터의 역할을 한다(도 11(a)).
CdSe ( 1.7 eV )와 CdS ( 2.4 eV ) 의 광방사에 의하여 생성된 전자들은 ZnO의 전도 영역으로 이동한다. 그리고 전공(hole)은 반대 방향으로 이동하여, 다유화물(polysulfide)을 산화시킨다(도 11(a)).
상대전극으로는, 드물고 비싼 Pt 또는 Au 촉매제가 이용된다. 현재의 연구에서, 높은 효율의 CdSe/CdS/ZnO 나노와이어 기반 QDSSC 제작을 위하여 FTO의 noble-metal-free 상대전극이 적용된다. 많은 기공을 가진 잘 연결된 SFG 프레임워크는 매우 큰 면적과 우수한 습윤성 및 전해질에서의 전하 이동을 제공한다.
도 11(b)는 SFG 기반 QDSSCs의 실제 이미지를 보여준다. 빨간 점선 박스는 CdSe/CdSe/Zn 나노와이어 시스템(0.25 cm2)을 포함한 실제 활성영역을 보여준다. 비교를 위하여, Au와 2-D RGO 기반 QDSSCs도 함께 도시하였다. 황화합물류의 화학적 흡착 작용에 의한 부족한 활성으로 인하여 Pt는 고려하지 않았다.
CdSe/CdS-cosensitized ZnO 나노와이어 솔라 셀의 기본 J-V 특성은 Au, 2-D RGO, SFG를 이용하고, 공기 질량 1.5 global (AM 1.5G) 태양광 강도 다유화물(polysulfide) 전해질을 이용한다. 각 샘플들의 상세한 광기전성(photovoltaic) 파라미터, 즉, 오픈 회로 전압 (Voc), 단락 회로 전류 밀도 (Jsc), 필 팩터(FF), η은 표 3에 수록된다.
[표 3] Photovoltaic properties of QDSSCs with different counter electrodes (Au, SFG, 2-D RGO)
Figure pat00004
SFG의 셀은 다른 영역으로부터 빛을 차단하기 위하여 Voc, Jsc, 624 mV의 FF, 14.1 mA/cm2, 0.42를 포함하는 가장 높은 3.60% 의 η를 생성하였다. SFG의 셀의 η은 Au(3.4%) 및 2-D RGO (1.4%)와 비교할 때 매우 높다(도 9(b), 표 3).
SFG 구조의 습윤성 때문에, 전해질은 SGF의 구멍에 침투할 수 있다. 그러므로, SFG구조의 큰 표면을 전체적으로 사용할 수 있었다. 그리고 RGO 플레이트레트 사이의 좋은 연결성은 다유화물 전해질을 통한 전자 이동을 도울 수 있었다. 그러나, 2-D RGOs는 단지 노출된 표면 부위만을 이용할 수 있다. 게다가 SFG의 전도성은 앞에서 설명한 바와 같이 RGO의 전도성 보다 높았다. 그 결과, SFGs 셀의 η, Jsc와 FF는 2-RGO보다 훨씬 높았고, 레퍼런스 셀 (Au)과 비교해서 다소 좋은 셀 성능을 보여주었다. SFG 필름의 기공 크기와 두께를 조절할 때, 효율은 더 개선될 수 있다. CVD 방법으로 성장한 그라핀과 같은 기포의 경우, 소수성은 앞에서 설명한 바와 같이 전해질 허가를 방지할 것이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 3-D SFG가 추가적 처리 없이 핵 비등으로 TCO, 다양한 금속, 유리 및 폴리머 등 어떤 기판에서도 쉽게 발포될 수 있다. SFGs는 기포로 인하여 각각의 RGO 플레이트레트 사이의 자동조립에 의해 형성되었다. 또한, XPS, Raman, UPS 분석에 의하여 핵 비등이 RGO를 감소할 수 있다는 것을 밝혔다. SFG의 (C-C or C=C)/(C-O + C=O + C(O)O) 비율, ID/IG 비율은 증가되었고 일함수는 RGO와 비교하여 감소되었다. 필름의 면 저항과 전도성은 CVD 방법으로 획득한 그라핀의 값과 비슷한 91.2 Ω, 11.8 S/cm 이다. SFG 캐소드는 넓은 면적과 좋은 연결성 및 용이한 확산으로 인하여 QDSSCs에서 Au 상대 전극과 비슷하고 2-D RGO 셀보다 월등한 다유화물 산화환원 커플의 전기 촉매 작용의 활성을 나타내었다. SFG 상대 전극은 가장 높은 광전지 성능을 보여주는 바, 이는 3.60%, 624 mV, 14.1 mA/cm2 및 0.41의 최대 η, Voc, Jsc와 FF이다. 핵 비등은 쉽고 저렴한 방법으로 SFG 구조를 제조할 수 있고, 쉽게 크기를 키울 수 있다. 다양한 기판 상의 SFG 구조는 슈퍼 캐패시터, 화학적 생물학적 센서, DSSC 또는 PEC (photoelectrochemical cell)의 고성능의 스캐폴드(scaffold)와 같은 에너지 저장 장치 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.
[실시예]
Preparation of SFG structures
핵 비등은 포화된 물을 구비하는 풀 챔버, 환류 컨덴서, 400 W의 예열 장치와 바닥면에 히터기판을 가지는 실험실 설비를 사용하여 수행하였다. RGO 콜로이드 용액의 용해된 가스가 제거되어야 하기 때문에, 예열 장치를 사용하여 RGO 콜로이드 솔루션은 히터 기판의 열 유속을 조절하기 전에 2 시간 동안 포화상태에 만족했다. 20 × 25 mm를 가진 실리콘 기판은 SiO2 층을 가지고, 이는 히터의 역할을 한다. 발열체는 얇은 백금 막으로서 약 1200 의 두께이고, 이 막은 E-beam 증발기를 이용하여 면의 바닥면에 층을 형성한다. 백금 막은 히터의 배면에 패턴화되고, SiO2 코팅은 정확한 벽 온도(기판의 온도)를 측정하기 위하여 필요하고, SFG 형성 메카니즘을 위한 열유속 측정에 필수적이다(도 8).
비등 실험(SFG코팅) 이전에, 실리콘히터의 배면에 패턴화된 백금 막은 컨벡션 오븐(convection oven, JEIO TECH, OF-12GW)안에서 백금 막의 내성을 측정하기 위하여 100, 120, 140 및 160℃의 온도에 따라 four-wired 방법을 이용한 패턴으로 눈금이 메겨져 있다. 그러므로 온도와 내성 사이에 선형적인(R2 ~ 0.99999) 눈금 측정 차트는 비등실험 동안 실리콘 히터의 벽 온도를 추정하기 위해 이용되었다. 도 10(a)에서 도시한 바와 같이, 빨간색-점선 박스에 의해 보여진 것처럼, 히터 기판의 핵 비등은 300 kW/m2의 열유속에서 발생했다. RGO 콜로이드 용액은 0.0005 wt%로 함께 준비되었고, 증류수를 기반으로 한다. 상기와 같이 언급된 준비 과정 뒤에, 열유속은 안정된 상태를 보존하기 위하여 단계적으로 50 kW/m2로 증가되었다. 각 단계에서의 열유속은 2 분 동안 조절되었고, 열유속이 1200 kW/m2까지 증가하도록 계속한다. SiO2 코팅과 백금 막 패턴없이, SFG 구조의 코팅은 동, FTO, 유리 및 PDMS로 행하여졌다. 40 × 15 mm 면적의 FTO가 준비되었고 FTO상의 SFG에는 직접적인 히팅을 이용하여 2 시간 동안 600 kW/m2의 열유속이 제공되었다. 10 × 12 mm 면적을 가진 Copper foil (Aldrich, 349208-33G)이 준비되었고, copper foil 상의 SFG는 FTP의 경우와 같은 조건이 제공되었다. PDMS와 글라스와 같은 비전도성 기판에서, 간접 가열 방법을 이용했다. SFG 구조는 물리적으로 실리콘 히터에 부착된 PDMS와 유리상에 형성되었다.
Preparation of CdSe / CdS / ZnO nanowire photoelectrode and cell fabrication
CdSe/CD/ZnO 나노 와이어 어레이는 3-단계 솔루션 기반 방법에 의해 준비되었다. FTO 기판(TEC, 13 Ω/sq.) 상의 ZnO NW 어레이는 암모니아 용액법에 의하여 95 °C에서 20시간동안 0.01M Zn(NO3)26H2O 및 0.5M NH4OH의 용액에 침지하였다. ZnO 나노와이어 전극은 각각 계속적 이온층 흡착, 반응(SILAR) 및 화학증착(CBD)을 이용하여 제자리에서 CdS와 CdSe로 감광처리 되었다. 상대 전극과 광전극(활성영역 0.25 cm2)은 가열(130℃, 1 분)상태에서 60 μm두께의 hot-melt ionomer 필름 (Surlyn)사이에 위치한다. 다유화합물(Polysulfide) 전해질은 상대전극에 사전에 뚫은 구멍을 통하여 주입되고, 각 구멍은 작은 크기의 Surlyn조각과 현미경의 커버 글래스로 밀봉되었다. 이러한 다유화합물(Polysulfide)은 0.5M Na2S, 2 M S, 및 0.2M KCl로 구성된다. QDSSCs의 광전류밀도전압 특성은 air mass 1.5G 솔라 스펙트럼하에서 측정되었다.
Characterization
교류전류(AC) 전원 공급 장치에 의해 합성된 SFG 샘플의 형태학은 전계 방사 주사 전자 현미경(SEM, XL30S, 필립스)에 의해 관찰되었고, 상세한 현미경 구조는 POSTECH의 나노 재료 기술 국립 센터의 전자 현미경(Cs-corrected HR-[S]TEM, Jeol, JEM 2200FS, 200 kV)에 의해 관찰되었다. 접촉각은 POSTECH의 2개 위상 흐름 실험실의 고해상도 디지털 카메라와 콜드 스포트 라이트(cold spot light) 시스템으로 측정되었다. SFG로의 물방울의 흡수는 UNIST의 SEM (FEI, Quanta 200)의 전자 현미경(ESEM) 모드에 의해 관찰되었다. 상세한 형태학과 높이 정보는 AFM (Nanoscope IIIa, Digital Instrument Inc.)를 이용하여 연구되었고 라만 스펙트럼은 다이오드 레이저의 532 nm을 갖추는 라만 분광기(Alpha 300R, WITEC)를 이용하여 획득되었다. AFM과 라만 (raman) 연구는 POSTECH의 나노단위 재료 연구 실험실에 수행되었다. 각각 필름의 결합 상태와 일 함수는 X-광선 (XPS)과 자외선 광전자 방출 분광학 (UPS) 측정으로 연구되었다. 각각 필름의 저항성은 four-point probe method (KEITHLEY 2000)에 의해 측정되었다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래 청구범위에 의하여 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 베이스 기판을 준비하는 단계(S1);
    상기 베이스 기판을 환원된 그라핀 산화물(RGO) 콜로이드 용액에 담지시키는 단계(S2);
    발열체를 이용하여 상기 베이스 기판에 열유속을 가하여 비등을 유발시키는 단계(S3); 및
    상기 비등에 의해 생성된 기포가 중첩되면서 베이스 기판상에 폼형상의 그라핀 구조를 생성시키는 단계(S4);를 포함하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 S1 단계에서, 상기 베이스 기판은 실리콘, 투명 전도도 산화물 글라스(TCO), 금속, 기본 유리, 신축성 폴리머 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 S2 단계에서, 상기 그라핀 산화물은 히드라진에 의해서 환원되는 것을 특징으로 하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 S2 단계에서, 상기 콜로이드 용액은 환원된 그라핀 산화물의 비율이 0.01 ~ 0.0001 %wt 인 것을 특징으로 하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 S2 단계에서, 상기 콜로이드 용액은 환원된 그라핀 산화물의 비율이 0.005 %wt 인 것을 특징으로 하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 S3 단계에서, 상기 발열체 대신 베이스기판 자체가 히터의 역할을 할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 S3 단계에서, 상기 열유속은 100kW/m2에서 1500kW/m2 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 따른 비등을 이용한 폼형상 그라핀 구조의 생성방법에 의하여 생성된 폼형상 그라핀 구조.

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180102557A (ko) * 2015-12-28 2018-09-17 나노텍 인스트러먼츠, 인코포레이티드 그래핀-탄소 하이브리드 발포체
KR20190097863A (ko) * 2018-02-13 2019-08-21 성균관대학교산학협력단 마이크로 버블 집적구조체 및 이의 제조방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101846073B1 (ko) 2016-04-25 2018-05-18 인천대학교 산학협력단 스프레이 분사를 이용한 ３차원 그래핀 구조체의 합성방법
CN110065939B (zh) * 2018-01-23 2022-09-23 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法
CN108975725A (zh) * 2018-07-06 2018-12-11 中国航发北京航空材料研究院 一种气泡衍生石墨烯-碳纳米管复合多孔膜的制备方法
CN109163597A (zh) * 2018-09-03 2019-01-08 中国科学院工程热物理研究所 氧化石墨烯纳米涂层及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009029984A1 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Newsouth Innovations Pty Limited Graphene
KR100975641B1 (ko) * 2008-08-05 2010-08-17 서울대학교산학협력단 그래핀 나노 소자의 제조방법.
WO2012057702A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Nanyang Technological University Method of preparing a porous graphene film
KR101312220B1 (ko) * 2011-02-18 2013-09-27 성균관대학교산학협력단 그래핀 산화물의 기판 코팅 방법 및 그래핀 산화물의 환원물이 코팅된 기판의 제조방법
US20130314844A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Nanyang Technological University Method of preparing reduced graphene oxide foam

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180102557A (ko) * 2015-12-28 2018-09-17 나노텍 인스트러먼츠, 인코포레이티드 그래핀-탄소 하이브리드 발포체
JP2019507715A (ja) * 2015-12-28 2019-03-22 ナノテク インストゥルメンツ, インコーポレイテッドNanotek Instruments, Inc. グラフェン−炭素ハイブリッド発泡体
KR20190097863A (ko) * 2018-02-13 2019-08-21 성균관대학교산학협력단 마이크로 버블 집적구조체 및 이의 제조방법

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