KR20140030528A - Class-e power amplifier with high frequency having resonance booster - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a class E high frequency power amplifier system comprising: an oscillator which generates and outputs a high frequency signal; a preamplifier which outputs the high frequency signal outputted by the oscillator after amplifying the current of the high frequency signal; a resonant booster which is equipped with an inductor (L) and outputs the current-amplified high frequency signal received from the preamplifier with the inductor through voltage amplification; a main amplifier which is equipped with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) whose an internal capacitor is designed to produce resonance with the inductor of the resonant booster and outputs the voltage-amplified high frequency signal outputted from the resonant booster through the MOSFET; a load which consumes, as driving power, the high frequency signal outputted from the main amplifier; and an impedance matching unit which is disposed between the main amplifier and the load and reduces signal losses through impedance matching between the load and the main amplifier. According to the present invention, it is possible to increase voltage by reducing the two stages of the preamplifier into one stage and adding the resonant booster instead so that the inductor of the resonant booster and internal capacitance of the MOSFET of the main amplifier produce resonance to increase the voltage. [Reference numerals] (110) Oscillator; (120) Preamplifier; (130) Resonant booster; (140) Main amplifier; (150) Impedance matching unit; (160) Load

Description

공진 부스터가 구비된 이(Ｅ)급 고주파 파워 앰프 시스템{Class-E Power Amplifier with high frequency having resonance booster}Class-E Power Amplifier with high frequency having resonance booster

본 발명은 고주파 파워 앰프 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 무선전력전송에 사용되는 고주파 파워 앰프에서 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)에 인가되는 전압을 사전에 증가시켜 전압 증폭도를 높이기 위한 공진 부스터가 구비된 이(E)급 고주파 파워 앰프 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to a high frequency power amplifier system, and more particularly, to increase the voltage amplification degree in advance by increasing the voltage applied to the MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in the high frequency power amplifier used for wireless power transmission It relates to a (E) high frequency power amplifier system with a booster.

일반적으로, E급 고주파 파워 앰프 시스템은 무선전력전송에서 주로 사용되고 있다.
In general, the E-class high-frequency power amplifier system is mainly used in wireless power transmission.

도 1은 기존의 E급 고주파 파워 앰프 시스템의 예를 상세하게 도시한 블록도이다. 1 is a detailed block diagram illustrating an example of a conventional class E high frequency power amplifier system.

종래의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 50KHz 이상의 주파수를 사용하고 있으며, 파워 앰프의 경우 다단계의 프리 앰프를 적용하고 있다.
The conventional E-class high frequency power amplifier system uses a frequency of 50KHz or more, and the power amplifier employs a multi-stage preamplifier.

도시된 종래의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 2단계 프리 앰프(2,3)를 적용한 예를 도시하고 있다.
The conventional E-class high frequency power amplifier system shown in the drawing shows an example in which two-stage preamps 2 and 3 are applied.

각 구성 요소들의 기능은 하기와 같다.The function of each component is as follows.

발진기(1)는 무선전력전송에서 주로 사용하는 50KHz 이상의 고주파수를 발생시켜 1단 프리 앰프(2)로 출력한다. The oscillator 1 generates a high frequency of 50 KHz or more mainly used in wireless power transmission and outputs it to the first stage preamplifier 2.

1단 프리 앰프(2)는 발진기(10)로부터 출력된 고주파 신호를 전류 증폭하여 2단 프리 앰프(3)로 출력한다. The first stage preamplifier 2 current-amplifies the high frequency signal output from the oscillator 10 and outputs it to the two stage preamplifier 3.

2단 프리 앰프(3)는 1단 프리 앰프(2)로부터 출력된 전류 증폭된 고주파 신호에 대해, 전압을 증폭하여 메인 앰프(4)의 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 출력한다. The second stage preamplifier 3 amplifies a voltage with respect to the current amplified high frequency signal output from the first stage preamplifier 2 and outputs the voltage to a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) of the main amplifier 4.

메인 앰프(4)의 MOSFET는 2단 프리 앰프(3)로부터 출력된 전압 증폭된 고주파 신호에 대해, 스위칭 방식으로 고주파 신호를 증폭하여 부하(5)로 출력하는 기능을 갖는다.
The MOSFET of the main amplifier 4 has a function of amplifying a high frequency signal by a switching method and outputting it to the load 5 with respect to the voltage amplified high frequency signal output from the two stage preamplifier 3.

이와 같은 종래의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 2개의 프리 앰프(2,3)를 가지고 있다. 즉 발진기(1)에서 발생된 고주파 신호를 1단 프리 앰프(2)와 2단 프리 앰프(3)를 통하여 단계적으로 신호를 증폭시켜, MOSFET의 입력 신호로 활용하게 된다.
Such a conventional class E high frequency power amplifier system has two preamps 2,3. That is, the high frequency signal generated by the oscillator 1 is amplified step by step through the first stage preamplifier 2 and the second stage preamplifier 3, and is utilized as an input signal of the MOSFET.

그런데, 이러한 종래의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 2개의 프리 앰프(2,3)를 사용하기 때문에, 회로 구조가 복잡하게 되고 제품의 제조 단가가 높아지게 되는 문제점이 있다.
However, such a conventional E class high frequency power amplifier system uses two preamps 2 and 3, resulting in a complicated circuit structure and a high production cost of the product.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 입력되는 고주파 신호에 대한 전압 증폭 효율을 높이고 전체적으로 제품의 회로 구조를 간단하게 하게 구성할 수 있는 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템을 제공하는 데 있다. An object of the present invention for solving the above problems is to improve the voltage amplification efficiency for the input high frequency signal, and the E-class high frequency power amplifier system having a resonance booster that can simply configure the overall circuit structure of the product To provide.

본 발명의 다른 목적은, 입력되는 고주파 신호에 대한 전압 증폭 효율을 높이고 최종적으로 제품의 제조 단가를 낮출 수 있는 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템을 제공하는 데 있다.
Another object of the present invention is to provide an E-class high frequency power amplifier system having a resonance booster capable of increasing the voltage amplification efficiency for the input high frequency signal and finally lowering the manufacturing cost of the product.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, E class high frequency power amplifier system having a resonance booster according to an embodiment of the present invention for achieving the above object,

입력되는 고주파 신호를 전류 증폭하여 출력하는 프리 앰프;A preamplifier for amplifying and outputting an input high frequency signal;

인덕터(Inductor ; L)가 구비되고, 상기 프리 앰프에서 출력된 전류 증폭된 고주파 신호를 상기 인덕터를 통해 전압 증폭하여 출력하는 공진 부스터; 및 A resonance booster having an inductor (L), the voltage amplifying the current-amplified high frequency signal output from the preamplifier through the inductor; And

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)가 구비되고, 상기 MOSFET의 내부 커패시터와 상기 공진 부스터의 인덕터가 공진하도록 구성되며, 상기 공진 부스터로부터 출력된 전압 증폭된 고주파 신호를 상기 MOSFET를 통해 증폭하여 출력하는 메인 앰프;를 포함하여 구성된다.
A MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is provided, and the internal capacitor of the MOSFET and the inductor of the resonance booster are resonated, and the voltage-amplified high frequency signal output from the resonance booster is amplified and output through the MOSFET. It is configured to include a main amplifier.

본 발명의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 상기 프리 앰프의 전단에 구비되어 상기 고주파 신호를 발생시켜 상기 프리 앰프로 출력하는 발진기;를 더 포함할 수 있다.
E-class high-frequency power amplifier system of the present invention may further include an oscillator provided in the front end of the preamplifier to generate the high-frequency signal to output to the preamplifier.

본 발명의 E급 고주파 파워 앰프 시스템에서 상기 발진기는 무선전력전송에서 사용되는 50KHz 이상의 상기 고주파 신호를 발생시킨다. In the class E high frequency power amplifier system of the present invention, the oscillator generates the high frequency signal of 50KHz or more used in wireless power transmission.

본 발명의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 상기 메인 앰프로부터 출력되는 고주파 신호를 동력으로 소비하는 부하;를 더 포함하여 구성될 수 있다.
The class E high frequency power amplifier system of the present invention may further include a load for consuming power of a high frequency signal output from the main amplifier.

본 발명의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 상기 메인 앰프와 상기 부하 사이에 구비되고, 상기 부하와 상기 메인 앰프 사이에 임피던스 매칭을 통해 신호 손실을 줄이는 임피던스 매칭부;를 더 포함하여 구성될 수 있다.
E-class high-frequency power amplifier system of the present invention is provided between the main amplifier and the load, the impedance matching unit for reducing the signal loss through impedance matching between the load and the main amplifier; may further comprise a.

본 발명에 따르면, 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, 2단계로 구성되어 있는 프리 앰프를 1단계로 줄이고, 대신에 공진 부스터를 부가하여 구성함에 따라, 공진 부스터는 인덕터로 구성되어 있는데, 메인 앰프의 MOSFET 내부 커패시턴스와 공진하여 전압을 상승시키는 효과가 있다.
According to the present invention, the E-class high frequency power amplifier system provided with a resonance booster reduces the preamplifier composed of two stages to one stage, and instead of adding a resonance booster, the resonance booster is composed of an inductor. There is an effect of raising the voltage by resonating with the internal capacitance of the MOSFET of the main amplifier.

또한, 본 발명의 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, MOSFET에 충분한 입력 전압을 가할 수가 있어서 신호 증폭 효율을 높이는 효과가 있다.
In addition, the E class high frequency power amplifier system provided with the resonance booster of the present invention can apply a sufficient input voltage to the MOSFET, thereby increasing the signal amplification efficiency.

뿐만 아니라, 본 발명의 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, 기존 고주파 파워 앰프 시스템 보다 회로 구조가 간단하고, 부품 수가 줄어들어 제품 가격이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
In addition, the E-class high-frequency power amplifier system equipped with the resonance booster of the present invention, the circuit structure is simpler than the existing high-frequency power amplifier system, the number of parts can be reduced and the price of the product can be lowered.

도 1은 기존의 E급 고주파 파워 앰프 시스템의 구성 예를 상세하게 도시한 블록도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템을 도시한 블록도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 도 2의 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템의 실제 회로 구성 예를 도시한 회로도.1 is a block diagram showing in detail a configuration example of a conventional E-class high-frequency power amplifier system.
Figure 2 is a block diagram showing a class E high frequency power amplifier system with a resonance booster according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 3 is a circuit diagram showing an example of the actual circuit configuration of the class E high-frequency power amplifier system with a resonance booster of Figure 2 according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be noted that the same elements among the drawings are denoted by the same reference numerals whenever possible. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 발명은 50KHz 이상의 주파수를 사용하고 있으며, 기존에 다단계의 프리 앰프 대신 단일 프리 앰프를 사용하고, 대신에 프리 앰프와 메인 앰프 사이에 공진 부스터 회로를 추가하여 메인 앰프의 구동 전압을 상승시켜 고주파 신호의 증폭 효율을 높일 수 있는 무선전력전송에 사용되는 E급 고주파 파워 앰프 시스템을 제안한다.
The present invention uses a frequency of 50KHz or more, and uses a single preamplifier instead of a multi-stage preamplifier, and instead adds a resonant booster circuit between the preamplifier and the main amplifier to increase the driving voltage of the main amplifier to generate a high frequency signal. We propose an E-class high-frequency power amplifier system used for wireless power transmission to increase the amplification efficiency of the system.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템을 도시한 블록도이다. 2 is a block diagram illustrating a class E high frequency power amplifier system having a resonance booster according to a preferred embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, 발진기(110), 프리 앰프(120), 공진 부스터(130), 메인 앰프(140), 임피던스 매칭부(150), 및 부하(160)를 포함하여 구성된다.
As shown, the E-class high frequency power amplifier system of the present invention, the oscillator 110, the preamplifier 120, the resonance booster 130, the main amplifier 140, the impedance matching unit 150, and the load 160 It is configured to include).

본 발명의 특징은 E급 고주파 파워 앰프 시스템에서 하나의 프리 앰프(120)만이 사용되고, 프리 앰프(120)와 메인 앰프(140) 사이에 공진 부스터(130)가 구비된다는 것이다.
A characteristic of the present invention is that only one preamplifier 120 is used in the E-class high frequency power amplifier system, and a resonance booster 130 is provided between the preamplifier 120 and the main amplifier 140.

발진기(110)는 무선전력전송에서 주로 사용되는 50KHz 이상의 고주파수를 발생시켜 프리 앰프(120)로 출력한다.
The oscillator 110 generates a high frequency of 50KHz or more, which is mainly used in wireless power transmission, and outputs the high frequency to the preamplifier 120.

프리 앰프(120)는 발진기(110)로부터 출력된 고주파 신호를 전류 증폭하여 공진 부스터(130)로 출력한다.
The preamplifier 120 current amplifies the high frequency signal output from the oscillator 110 and outputs it to the resonance booster 130.

공진 부스터(130)는 인덕터(Inductor ; L)로 구성되어 있는데, 이 인덕터는 메인 앰프(140)에 있는 MOSFET 내부 커패시터와 공진하여 전압을 증폭시키는 효과를 유발한다. 공진 부스터(130)는 프리 앰프(120)에서 출력된 전류 증폭된 고주파 신호를 전압 증폭하여 메인 앰프(140)의 MOSFET로 출력한다.
The resonance booster 130 is composed of an inductor L, which induces an effect of amplifying a voltage by resonating with an internal capacitor of a MOSFET in the main amplifier 140. The resonance booster 130 voltage-amplifies the current-amplified high frequency signal output from the preamplifier 120 and outputs the voltage to the MOSFET of the main amplifier 140.

이와 같이, 공진 부스터(130)는 메인 앰프(140)의 MOSFET가 동작하는데 충분한 전압으로 증폭하여 제공함에 따라, 메인 앰프(140)의 신호 증폭도를 높이는 효과를 가져올 수 있고, 이를 통해 본 발명의 E급 고주파 파워 앰프 시스템의 전체 증폭 효율을 10%이상 높이는 효과를 가져온다.
As such, the resonance booster 130 amplifies and provides a sufficient voltage for the MOSFET of the main amplifier 140 to operate, thereby bringing an effect of increasing the signal amplification degree of the main amplifier 140. It increases the overall amplification efficiency of more than 10% in high frequency power amplifier system.

메인 앰프(140)의 MOSFET는 공진 부스터(130)로부터 출력된 전압 증폭된 고주파 신호에 대해, 스위칭 방식으로 고주파 신호를 증폭하여 임피던스 매칭부(150)로 출력한다.
The MOSFET of the main amplifier 140 amplifies the high frequency signal by a switching method with respect to the voltage amplified high frequency signal output from the resonance booster 130 and outputs the high frequency signal to the impedance matching unit 150.

임피던스 매칭부(150)는 메인 앰프(140)와 부하(160) 사이에 구비되어, 부하(11)와 메인 앰프(9) 사이에 신호 손실을 최소화하는 기능을 갖는다. 부하(160)는 임피던스 매칭부(150)로부터 출력되는 신호를 소비한다.
The impedance matching unit 150 is provided between the main amplifier 140 and the load 160 and has a function of minimizing signal loss between the load 11 and the main amplifier 9. The load 160 consumes a signal output from the impedance matching unit 150.

따라서 본 발명에 따른 무선전력전송에 사용되는 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, 2단계로 구성되어 있는 프리 앰프를 1단계로 줄이고, 대신에 공진 부스터(130)를 부가하여 구성함에 따라, 공진 부스터(130)는 인덕터로 구성되어 있는데, 메인 앰프(140)의 MOSFET 내부 커패시턴스와 공진하여 전압을 상승시키는 효과가 있다. Therefore, the E-class high-frequency power amplifier system used in the wireless power transmission according to the present invention reduces the pre-amplifier composed of two stages to one stage, and instead, the resonance booster 130 is added to configure the resonance booster ( 130 is composed of an inductor, which has an effect of increasing the voltage by resonating with the internal capacitance of the MOSFET of the main amplifier 140.

이에 따라, MOSFET에 충분한 입력 전압을 가할 수가 있어서 신호 증폭 효율을 높이는 효과가 있다. 뿐만 아니라, 본 발명의 무선전력전송에 사용되는 E급 고주파 파워 앰프 시스템은 기존 고주파 파워 앰프 시스템 보다 회로 구조가 간단하고, 부품 수가 줄어들어 제품 가격이 낮아지는 효과를 가져올 수 있다.
As a result, a sufficient input voltage can be applied to the MOSFET, thereby increasing the signal amplification efficiency. In addition, the E-class high-frequency power amplifier system used in the wireless power transmission of the present invention is simpler than the existing high-frequency power amplifier system, the circuit structure can be reduced, the number of parts can be reduced, the product price can be reduced.

도 3은 본 발명의 실시예에 따라 도 2의 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템의 실제 회로 구성 예를 도시한 회로도이다.
3 is a circuit diagram illustrating an example of an actual circuit configuration of a class E high frequency power amplifier system having the resonance booster of FIG. 2 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이 프리 앰프(120)는 Totem pole 기법의 전류 증폭기를 사용하고 있다. As shown, the preamplifier 120 uses a current amplifier of the Totem pole technique.

또한, 프리 앰프(120)와 메인 앰프(140) 사이에는 공진 부스터(Resonant Booster)(130)를 삽입하여 전압 증폭 효율을 높일 수 있도록 구성한다.
In addition, a resonance booster 130 is inserted between the preamplifier 120 and the main amplifier 140 to increase the voltage amplification efficiency.

공진 부스터(130)는 인덕터를 사용하였으며, 본 인덕터는 프리 앰프(120)의 MOSFET의 내부 커패시터와 공진하게 되며, 이는 전압을 크게 증폭시키는 효과를 유발하게 된다.
The resonance booster 130 uses an inductor, and the inductor resonates with an internal capacitor of the MOSFET of the preamplifier 120, which causes an effect of greatly amplifying the voltage.

기존에 다단계의 프리앰프를 사용하던 것을 단일 프리앰프의 사용으로 전력 증폭이 가능하게 하는 효과를 달성할 수 있다. 도면에서 부하(160)는 50오옴[Ω]을 사용하였으며, 메인 앰프(140)의 출력을 부하 50 오옴에 맞추기 위하여 임피던스 매칭 네트워크를 사용한다.
It is possible to achieve the effect of power amplification by using a single preamplifier instead of using a multi-stage preamplifier. In the figure, the load 160 uses 50 ohms [Ω], and an impedance matching network is used to adjust the output of the main amplifier 140 to the load 50 ohms.

이와 같이, 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, 2단계로 구성되어 있는 프리 앰프를 1단계로 줄이고, 대신에 공진 부스터를 부가하여 구성함에 따라, 공진 부스터는 인덕터로 구성되어 있는데, 메인 앰프의 MOSFET 내부 커패시턴스와 공진하여 전압을 상승시키는 효과가 있다.
As described above, the E-class high frequency power amplifier system equipped with the resonance booster reduces the pre-amplifier composed of two stages to one stage, and instead adds the resonance booster, so that the resonance booster is composed of an inductor. The voltage rises by resonating with the internal capacitance of the MOSFET of the main amplifier.

또한, 본 발명의 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, MOSFET에 충분한 입력 전압을 가할 수가 있어서 신호 증폭 효율을 높이는 효과가 있다.
In addition, the E class high frequency power amplifier system provided with the resonance booster of the present invention can apply a sufficient input voltage to the MOSFET, thereby increasing the signal amplification efficiency.

뿐만 아니라, 본 발명의 공진 부스터가 구비된 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, 기존 고주파 파워 앰프 시스템 보다 회로 구조가 간단하고, 부품 수가 줄어들어 제품 가격이 낮아지는 효과를 가져올 수 있다.
In addition, the E-class high-frequency power amplifier system with a resonance booster of the present invention, the circuit structure is simpler than the existing high-frequency power amplifier system, the number of parts can be reduced, resulting in the effect of lowering the product price.

이상에서는 본 발명에서 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허 청구의 범위에서 첨부하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 및 균등한 타 실시가 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부한 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.In the foregoing, certain preferred embodiments of the present invention have been shown and described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and any person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains may make various modifications and equivalents without departing from the gist of the present invention attached to the claims. Other implementations may be possible. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined only by the appended claims.

Claims (4)

입력되는 고주파 신호를 전류 증폭하여 출력하는 프리 앰프;
인덕터(Inductor ; L)가 구비되고, 상기 프리 앰프에서 출력된 전류 증폭된 고주파 신호를 상기 인덕터를 통해 전압 증폭하여 출력하는 공진 부스터; 및
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)가 구비되고, 상기 MOSFET의 내부 커패시터와 상기 공진 부스터의 인덕터가 공진하도록 구성되며, 상기 공진 부스터로부터 출력된 전압 증폭된 고주파 신호를 상기 MOSFET를 통해 증폭하여 출력하는 메인 앰프;를 포함하는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템.
A preamplifier for amplifying and outputting an input high frequency signal;
A resonance booster having an inductor (L), the voltage amplifying the current-amplified high frequency signal output from the preamplifier through the inductor; And
A MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is provided, and the internal capacitor of the MOSFET and the inductor of the resonance booster are resonated, and the voltage-amplified high frequency signal output from the resonance booster is amplified and output through the MOSFET. E-class high-frequency power amplifier system, characterized in that it comprises a main amplifier.
제 1항에 있어서,
상기 프리 앰프의 전단에 구비되어 상기 고주파 신호를 발생시켜 상기 프리 앰프로 출력하는 발진기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템.
The method of claim 1,
E-frequency high-frequency power amplifier system, characterized in that it further comprises; an oscillator which is provided in front of the preamplifier to generate the high-frequency signal to output to the preamplifier.
제 2항에 있어서,
상기 발진기는 무선전력전송에서 사용되는 50KHz 이상의 상기 고주파 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템.
3. The method of claim 2,
The oscillator E-class high-frequency power amplifier system, characterized in that for generating the high-frequency signal of 50KHz or more used in wireless power transmission.
제 2항에 있어서,
상기 메인 앰프와 상기 부하 사이에 구비되고, 상기 부하와 상기 메인 앰프 사이에 임피던스 매칭을 통해 신호 손실을 줄이는 임피던스 매칭부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템.
3. The method of claim 2,
E-class high-frequency power amplifier system further comprises a; impedance matching unit provided between the main amplifier and the load, reducing the signal loss through impedance matching between the load and the main amplifier.
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