KR20140022398A - Negative photosensitive resin composition - Google Patents
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Abstract
[과제] 저점도의 용액으로도 후막화가 가능하고, 노광전에도 택이 없고, 알칼리 현상에 의해 고해상도로 패턴 형성할 수 있고, 발생한 도막은 투명성이 높아 포스트베이크 후에도 쉬링크가 작은 네가티브형 감광성 수지조성물을 제공하는 것.
[해결수단] 하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분을 함유하는 감광성 슈지조성물. (A)성분: 적어도 (i)말레이미드와 (ii)에폭시기를 가지는 모노머를 포함한 모노머 혼합물을 공중합한 아크릴 공중합체, (B)성분: 광산 발생제, (C)성분: 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물, (D)성분: 용제.[Problem] Negative photosensitive resin composition which can be thickened even with low viscosity solution, has no tack before exposure, can be patterned at high resolution by alkali development, and the resulting coating film has high transparency and small shrink after post-baking. To provide.
[Solution] A photosensitive shoe composition containing the following (A) component, (B) component, (C) component and (D) component. (A) component: The acrylic copolymer which copolymerized the monomer mixture containing at least (i) maleimide and (ii) the monomer which has an epoxy group, (B) component: photo-acid generator, (C) component: having two or more epoxy groups Compound, (D) component: A solvent.
Description
본 발명은, 네가티브형 감광성 수지 조성물 및 그로부터 얻어지는 경화막에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 디스플레이 재료의 용도에 있어서 적합한 감광성 수지 조성물 및 그 경화막, 그리고 이 경화막을 이용한 각종 재료에 관한 것이다.
The present invention relates to a negative photosensitive resin composition and a cured film obtained therefrom. In more detail, this invention relates to the photosensitive resin composition suitable for the use of a display material, its cured film, and the various materials using this cured film.
에폭시 화합물과 광산 발생제를 함유하는 에폭시 양이온 중합계 UV경화수지는, 투명성이 높고, 후막화가 가능하다는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1). 그러나, 도포 후, 노광전에 도막에 택(tack)이 들어가기 때문에 핸들링성이 나쁘다. 또한, 알칼리 수용액에 의한 현상을 할 수 없기 때문에 유기용제에 의한 현상이 필수이다. 알칼리 현상은, 폴리머 중에 카르복실기를 도입함으로써 가능하다고 여겨지지만, 에폭시기를 가지는 모노머와 카르복실기를 가지는 모노머와의 공중합에서는, 중합중에 에폭시기와 카르복실기의 반응이 일어나기 쉬워, 폴리머의 합성 제어가 어렵다. 또한, 반응을 제어하여 폴리머를 합성할 수 있어도 보존 안정성이 낮다.
It is known that the epoxy cation polymerization type UV curable resin containing an epoxy compound and a photo-acid generator is high in transparency and can be thickened (for example, patent document 1). However, since the tack enters a coating film after application | coating and before exposure, handling property is bad. Moreover, since image development by aqueous alkali solution is not possible, image development by the organic solvent is essential. Although alkali development is considered to be possible by introducing a carboxyl group into a polymer, in copolymerization of the monomer which has an epoxy group, and the monomer which has a carboxyl group, reaction of an epoxy group and a carboxyl group arises easily during superposition | polymerization, and synthesis control of a polymer is difficult. Moreover, the storage stability is low even if the polymer can be synthesized by controlling the reaction.
알칼리 현상이 가능한 것으로서는, 아크릴로일기를 가지는 폴리머, 다관능 아크릴 모노머 및 광래디컬 개시제를 함유하는 래디컬 중합계의 네가티브형 재료가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 2). 이 발명에서는, 폴리머에 카르복실기를 도입함으로써 알칼리 현상이 가능하지만, 후막화하려면 고점도화가 필요하여 핸들링성이 나쁘다. 래디컬계이므로 광경화시에 표면의 산소 저해를 받기 쉬워, 표면의 막감소가 커지는 것이 문제였다.
As an alkali development is possible, the negative-type material of the radical polymerization system containing the polymer which has an acryloyl group, a polyfunctional acryl monomer, and an optical radical initiator is known (for example, patent document 2). In this invention, alkali image development is possible by introducing a carboxyl group into a polymer, but high viscosity is required in order to thicken a film, and handling property is bad. The problem was that the radical system is susceptible to surface oxygen inhibition at the time of photocuring, resulting in a large film reduction.
한편, 포지티브형 재료는, 해상도는 높지만, 후막화가 어렵고 투명성도 낮다(예를 들면, 특허 문헌 3).
On the other hand, the positive type material has high resolution but is difficult to thicken and has low transparency (for example, Patent Document 3).
이러한 점에서 투명성이 높고 알칼리 현상 가능하며 후막화할 때에도 핸들링성이 높은 재료가 요구되고 있다.
In this regard, a material having high transparency, alkali development and high handling properties is required even when thickening.
또한, 말레이미드를 알칼리 가용성 수지로서 이용하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 4). 이 발명에서는, 말레이미드를 알칼리 가용성기로서 이용하는 것이 제안되어 있지만, 포지티브형으로 영구막으로서는 사용할 수 없다.Moreover, it is known to use maleimide as alkali-soluble resin (for example, patent document 4). In this invention, although using maleimide as an alkali-soluble group is proposed, it cannot be used as a positive film permanently.
한편, 말레이미드를 알칼리 가용성 수지로서 이용한, 어떤 종류의 네가티브형 감광성 수지 조성물도 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 5).
On the other hand, any kind of negative photosensitive resin composition which used maleimide as alkali-soluble resin is also known (for example, patent document 5).
본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 저점도의 용액으로도 후막화가 가능하며, 노광전에도 택이 없고, 알칼리 현상에 의해 고해상도로 패턴을 형성할 수 있고, 발생한 도막은 투명성이 높아 포스트베이크 후에도 쉬링크가 작은 네가티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to form a thick film even with a low viscosity solution, and there is no tack before exposure, and a pattern can be formed at high resolution by alkali development. It is providing a small negative photosensitive resin composition after baking.
본 발명자는, 상기의 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 행한 결과, 본 발명을 발견하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor came to discover this invention as a result of earnestly researching in order to solve said subject.
즉, 제1 관점으로서, 하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분을 함유하는 감광성 수지 조성물.That is, as a 1st viewpoint, the photosensitive resin composition containing following (A) component, (B) component, (C) component, and (D) component.
(A)성분: 적어도 (i)말레이미드와 (ii)에폭시기를 가지는 모노머를 포함한 모노머 혼합물을 공중합한 아크릴 공중합체,(A) component: The acrylic copolymer which copolymerized the monomer mixture containing the monomer which has at least (i) maleimide and (ii) epoxy group,
(B)성분: 광산 발생제,(B) component: photo-acid generator,
(C)성분: 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물,(C) component: the compound which has two or more epoxy groups,
(D)성분: 용제,(D) component: a solvent,
제2 관점으로서, (E)성분으로서, 증감제를 추가로 감광성 수지 조성물 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부 함유하는, 제1 관점에 기재된 감광성 수지 조성물,As a 2nd viewpoint, the photosensitive resin composition as described in a 1st viewpoint which contains 0.1-10 mass parts of sensitizers further with respect to 100 mass parts of photosensitive resin compositions as (E) component,
제3 관점으로서, (F)성분으로서, 아민 화합물을 추가로 감광성 수지 조성물의 총질량에 기초하여 1질량% 이하 함유하는, 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 감광성 수지 조성물,As a 3rd viewpoint, The photosensitive resin composition as described in a 1st viewpoint or a 2nd viewpoint which contains 1 mass% or less as (F) component further based on the gross mass of the photosensitive resin composition,
제4 관점으로서, 제1 관점 내지 제3 관점 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 이용하여 얻어지는 경화막,As a 4th viewpoint, the cured film obtained using the photosensitive resin composition in any one of a 1st viewpoint thru | or a 3rd viewpoint,
제5 관점으로서, 제4 관점에 기재된 경화막으로 이루어지는 액정 디스플레이용 층간절연막,As a 5th viewpoint, the interlayer insulation film for liquid crystal displays which consists of a cured film as described in a 4th viewpoint,
제6 관점으로서, 제4 관점에 기재된 경화막으로 이루어지는 광학필터As a 6th viewpoint, the optical filter which consists of a cured film as described in a 4th viewpoint
에 관한 것이다.
.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 노광전의 택이 없고, 후막에서도 투명성, 해상도가 높고, 포스트베이크 후에도 막의 쉬링크가 작은 도막 패턴을 형성할 수 있는 점에서 광학 부재로서의 구조체 형성에 최적이다.
The photosensitive resin composition of this invention is optimal for formation of a structure as an optical member in that there is no tack before exposure, a transparency and the resolution are high also in a thick film, and the shrinkage of a film is small even after a postbaking can be formed.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분을 함유하는 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of this invention is a photosensitive resin composition containing following (A) component, (B) component, (C) component, and (D) component.
(A)성분: 적어도 (i)말레이미드와 (ii)에폭시기를 가지는 모노머, 바람직하게는 불포화 이중결합과 에폭시기를 가지는 모노머를 포함한 모노머 혼합물을 공중합한 아크릴 공중합체,(A) component: The acrylic copolymer which copolymerized the monomer mixture containing at least (i) maleimide and (ii) the monomer which has an epoxy group, Preferably the monomer which has an unsaturated double bond and an epoxy group,
(B)성분: 광산 발생제,(B) component: photo-acid generator,
(C)성분: 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물,(C) component: the compound which has two or more epoxy groups,
(D)성분: 용제(D) Component: Solvent
이하, 각 성분의 상세를 설명한다.
Hereinafter, the details of each component will be described.
<(A)성분>≪ Component (A) >
(A)성분은, 적어도 (i)말레이미드와 (ii)에폭시기를 가지는 모노머를 포함한 모노머 혼합물을 공중합한 아크릴 공중합체이다.
(A) A component is an acrylic copolymer which copolymerized the monomer mixture containing the monomer which has at least (i) maleimide and (ii) epoxy group.
본 발명에 있어서, 공중합체란 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 스티렌 등의 불포화 이중결합을 가지는 모노머를 이용하여 공중합하여 얻어지는 중합체를 가리킨다.In this invention, a copolymer refers to the polymer obtained by copolymerizing using the monomer which has unsaturated double bonds, such as acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and styrene.
(A)성분의 공중합체는, 이러한 구조를 가지는 공중합체일 수 있고, 공중합체를 구성하는 고분자의 주쇄의 골격 및 측쇄의 종류 등에 대하여 특별히 한정되지 않는다.
The copolymer of the component (A) may be a copolymer having such a structure, and the copolymer of the component (A) is not particularly limited with respect to the skeleton of the main chain and the type of the side chain of the polymer.
그러나, (A)성분의 아크릴 공중합체는, 수평균 분자량이 100,000을 넘어 과대한 것이면, 미노광부의 현상성이 저하되는 한편, 수평균 분자량이 2,000 미만으로 과소한 것이면, 노광부의 경화가 불충분하기 때문에 현상시에 성분이 용출하는 경우가 있다. 따라서, 수평균 분자량이 2,000 내지 100,000의 범위 내에 있는 것이다.
However, if the acrylic copolymer of the component (A) has an excessive number average molecular weight of 100,000 or more, the developability of the unexposed portion is lowered, while if the number average molecular weight is less than 2,000, the curing of the exposed portion is insufficient. Therefore, components may elute at the time of image development. Therefore, the number average molecular weight is in the range of 2,000 to 100,000.
(i)말레이미드: (i) maleimide:
[화학식 1][Formula 1]
(A)성분에 이용하는 말레이미드는 식 (1)로 표시된 구조로 한정된다.
The maleimide used for (A) component is limited to the structure represented by Formula (1).
(ii)에폭시기를 가지는 모노머:(ii) Monomers having epoxy groups:
이 모노머는 에폭시기를 가지는 모노머일 수 있지만, 바람직하게는 불포화 이중결합과 에폭시기를 가지는 모노머이다.This monomer may be a monomer having an epoxy group, but is preferably a monomer having an unsaturated double bond and an epoxy group.
불포화 이중결합과 에폭시기를 가지는 모노머로서는, 예를 들면, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 3-에테닐-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄, 1,2-에폭시-5-헥센, 1,7-옥타디엔모노에폭사이드 등을 들 수 있다.
Examples of the monomer having an unsaturated double bond and an epoxy group include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, Allylglycidyl ether, 3-ethenyl-7-oxabicyclo [4.1.0] heptane, 1,2-epoxy-5-hexene, 1,7-octadiene monoepoxide and the like.
또한, 본 발명에 있어서는, 특정 관능기(에폭시기)를 가지는 아크릴 공중합체를 얻을 때에, 특정 관능기를 가지는 모노머와 공중합 가능한 모노머로서, 비반응성 관능기를 가지는 모노머를 병용할 수 있다.In addition, in this invention, when obtaining the acrylic copolymer which has a specific functional group (epoxy group), the monomer which has a non-reactive functional group can be used together as a monomer copolymerizable with the monomer which has a specific functional group.
비반응성 관능기를 가지는 모노머의 구체예로서는, 아크릴산에스테르 화합물, 메타크릴산에스테르 화합물, N-치환 말레이미드 화합물, 아크릴로니트릴, 말레산 무수물, 스티렌 화합물 및 비닐 화합물 등을 들 수 있다.As a specific example of the monomer which has a non-reactive functional group, an acrylic acid ester compound, a methacrylic acid ester compound, an N-substituted maleimide compound, an acrylonitrile, a maleic anhydride, a styrene compound, a vinyl compound, etc. are mentioned.
이하, 상기 모노머의 구체예를 들지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, although the specific example of the said monomer is given, it is not limited to these.
상기 아크릴산에스테르 화합물로서는, 예를 들면, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 나프틸아크릴레이트, 안트릴아크릴레이트, 안트릴메틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-에톡시에틸아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴아크릴레이트, 3-메톡시부틸아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸아크릴레이트, 2-프로필-2-아다만틸아크릴레이트, 8-메틸-8-트리시클로데실아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트, 2,3-디하이드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노아크릴레이트, 카프로락톤2-(아크릴로일옥시)에틸에스테르, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르아크릴레이트, 5-아크릴로일옥시-6-하이드록시노르보르넨-2-카르복실릭-6-락톤, 아크릴로일에틸이소시아네이트, 및, 8-에틸-8-트리시클로데실아크릴레이트 등을 들 수 있다.
As said acrylic acid ester compound, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, benzyl acrylate, naphthyl acrylate, anthryl acrylate, anthryl methyl acrylate, phenyl acrylate, 2,2 , 2-trifluoroethyl acrylate, tert-butyl acrylate, cyclohexyl acrylate, isobornyl acrylate, 2-methoxy ethyl acrylate, methoxy triethylene glycol acrylate, 2-ethoxy ethyl acrylate , Tetrahydrofurfuryl acrylate, 3-methoxybutyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 2-propyl-2-adamantyl acrylate, 8-methyl-8-tricyclodecyl acryl Latex, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 2,3-dihydroxypropyl acrylate, diethyl Lenglycol monoacrylate, caprolactone 2- (acryloyloxy) ethyl ester, poly (ethylene glycol) ethyl ether acrylate, 5-acryloyloxy-6-hydroxynorbornene-2-carboxylic- 6-lactone, acryloylethyl isocyanate, and 8-ethyl-8- tricyclodecyl acrylate etc. are mentioned.
상기 메타크릴산 에스테르 화합물로서는, 예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 나프틸메타크릴레이트, 안트릴메타크릴레이트, 안트릴메틸메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸메타크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 2-메톡시에틸메타크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 2-에톡시에틸메타크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴메타크릴레이트, 3-메톡시부틸메타크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트, γ-부티로락톤메타크릴레이트, 2-프로필-2-아다만틸메타크릴레이트, 8-메틸-8-트리시클로데실메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트, 4-하이드록시부틸메타크릴레이트, 2,3-디하이드록시프로필메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노메타크릴레이트, 카프로락톤2-(메타크릴로일옥시)에틸에스테르, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르메타크릴레이트, 5-메타크릴로일옥시-6-하이드록시노르보르넨-2-카르복실릭-6-락톤, 메타크릴로일에틸이소시아네이트, 및, 8-에틸-8-트리시클로데실메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
As said methacrylic acid ester compound, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isopropyl methacrylate, benzyl methacrylate, naphthyl methacrylate, anthryl methacrylate, anthryl methyl methacrylate, for example. Latex, phenyl methacrylate, 2,2,2-trifluoroethyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, isobornyl methacrylate, 2-methoxyethyl methacrylate, Methoxytriethylene glycol methacrylate, 2-ethoxyethyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 3-methoxybutyl methacrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, γ- Butyrolactone methacrylate, 2-propyl-2-adamantyl methacrylate, 8-methyl-8-tricyclodecyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate Yate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 2,3-dihydroxypropyl methacrylate, diethylene glycol monomethacrylate, caprolactone 2- (methacryloyloxy) ethyl ester, poly (ethylene glycol) Ethylether methacrylate, 5-methacryloyloxy-6-hydroxynorbornene-2-carboxylic-6-lactone, methacryloylethyl isocyanate, and 8-ethyl-8-tricyclodecyl Methacrylate, and the like.
상기 비닐 화합물로서는, 예를 들면, 메틸비닐에테르, 벤질비닐에테르, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센, 비닐비페닐, 비닐카르바졸, 2-하이드록시에틸비닐에테르, 페닐비닐에테르, 및, 프로필비닐에테르 등을 들 수 있다.
Examples of the vinyl compound include methyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, vinyl naphthalene, vinyl anthracene, vinyl biphenyl, vinyl carbazole, 2-hydroxyethyl vinyl ether, phenyl vinyl ether, and propyl vinyl ether. Can be mentioned.
상기 스티렌 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, 메틸스티렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌 등을 들 수 있다.
As said styrene compound, styrene, methyl styrene, chloro styrene, bromostyrene, etc. are mentioned, for example.
상기 N-치환 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, N-메틸말레이미드, N-페닐말레이미드, 및 N-시클로헥실말레이미드 등을 들 수 있다.
As said N-substituted maleimide compound, N-methyl maleimide, N-phenyl maleimide, N-cyclohexyl maleimide, etc. are mentioned, for example.
본 발명에 이용하는 특정 관능기를 가지는 아크릴 공중합체를 얻는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 특정 관능기를 가지는 모노머, 그 이외의 공중합 가능한 비반응성 관능기를 가지는 모노머 및 필요에 따라 중합 개시제 등을 공존시킨 용제 중에서, 50 내지 110℃의 온도하에서 중합 반응시킴으로써 얻어진다. 이 때, 이용되는 용제는, 특정 관능기를 가지는 아크릴 공중합체를 구성하는 모노머 및 특정 관능기를 가지는 아크릴 공중합체를 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체예로서는, 후술하는 (D)용제에 기재하는 용제를 들 수 있다.
Although the method of obtaining the acrylic copolymer which has a specific functional group used for this invention is not specifically limited, For example, the monomer which has a specific functional group, the monomer which has another copolymerizable non-reactive functional group, and a polymerization initiator etc. coexist as needed. It is obtained by making a polymerization reaction at the temperature of 50-110 degreeC in the solvent made. At this time, the solvent used will not be specifically limited if the monomer which comprises the acrylic copolymer which has a specific functional group, and the acrylic copolymer which has a specific functional group are melt | dissolved. As a specific example, the solvent described in the (D) solvent mentioned later is mentioned.
이와 같이 하여 얻어지는 특정 관능기를 가지는 아크릴 공중합체는, 통상, 용제에 용해된 용액의 상태이다.
The acrylic copolymer which has a specific functional group obtained in this way is a state of the solution melt | dissolved in the solvent normally.
또한, 상기와 같이 하여 얻어진 아크릴 공중합체의 용액을, 디에틸에테르나 물 등의 교반하에 투입하여 재침전시키고, 생성된 침전물을 여과·세정한 후, 상압 또는 감압하에서 상온 혹은 가열 건조함으로써, 아크릴 공중합체의 분체로 할 수 있다. 이러한 조작에 의해, 아크릴 공중합체와 공존하는 중합 개시제나 미반응 모노머를 제거할 수 있고, 그 결과, 정제한 아크릴 공중합체의 분체가 얻어진다. 한 번의 조작으로 충분히 정제할 수 없는 경우는, 얻어진 분체를 용제에 재용해하여 상기의 조작을 반복하여 행하면 된다.
In addition, the solution of the acrylic copolymer obtained as described above is reprecipitated by stirring under diethyl ether, water or the like, and the resulting precipitate is filtered and washed, followed by normal temperature or heat drying under normal pressure or reduced pressure, thereby obtaining acrylic. It can be set as the powder of a copolymer. By such operation, the polymerization initiator and unreacted monomer which coexist with an acrylic copolymer can be removed, As a result, the powder of the refined acrylic copolymer is obtained. When it cannot fully refine | purify by one operation, what is necessary is to dissolve the obtained powder again in a solvent, and to perform said operation repeatedly.
본 발명에 있어서는, 상기 아크릴 공중합체의 중합 용액을 그대로 이용할 수도 있고, 혹은 그 분체를, 예를 들어 후술하는 (D)용제에 재용해하여 용액 상태로서 이용할 수도 있다.
In this invention, the polymerization solution of the said acryl copolymer may be used as it is, or the powder may be redissolved in the solvent (D) mentioned later, for example, and may be used as a solution state.
또한, 본 발명에 있어서는, (A)성분의 아크릴 공중합체는, 복수종의 특정 공중합체의 혼합물일 수도 있다.
In addition, in this invention, the mixture of the some type of specific copolymer may be sufficient as the acrylic copolymer of (A) component.
모노머의 공중합율로서는, 말레이미드/에폭시/그 외=10 내지 60/10 내지 40/0 내지 80중량부가 바람직하다. 말레이미드가 너무 적을 경우, 미노광부가 현상액에 용해되지 않아 잔막이나 잔사의 원인이 되기 쉽다. 너무 많을 경우, 노광부의 경화성이 부족하여 패턴을 형성할 수 없을 가능성이 있다. 에폭시기를 가지는 모노머가 너무 적을 경우, 광경화성이 부족하여 노광부가 현상시에 용해될 가능성이 있다. 너무 많을 경우, 미노광부의 용해성이 부족하여 잔막이나 잔사의 원인이 될 가능성이 있다.
As a copolymerization rate of a monomer, maleimide / epoxy / others = 10-60 / 10-40/0-80 weight part is preferable. When there is too little maleimide, an unexposed part will not melt | dissolve in a developing solution and it will be easy to cause a residual film or a residue. When too much, there is a possibility that the curability of an exposed part is insufficient and a pattern cannot be formed. When there are too few monomers which have an epoxy group, there exists a possibility that photocurability may run out and an exposure part may melt | dissolve at the time of image development. When too much, the solubility of an unexposed part may be insufficient and it may become a cause of a residual film or a residue.
<(B)성분>≪ Component (B) >
(B)성분은 광산 발생제이다. 본 발명의 열경화성 수지 조성물에 이용되는 산의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 이러한 광산 발생제의 구체예로서는,
(B) component is a photo-acid generator. The kind of acid used in the thermosetting resin composition of the present invention is not particularly limited. As a specific example of such a photo-acid generator,
[화학식 2](2)
[화학식 3](3)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[화학식 5][Chemical Formula 5]
[화학식 6][Chemical Formula 6]
[화학식 7][Formula 7]
[화학식 8][Formula 8]
[화학식 9][Chemical Formula 9]
[화학식 10][Formula 10]
로 표시되는 화합물, 디페닐요오드늄클로라이드, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오드늄메실레이트, 디페닐요오드늄토실레이트, 디페닐요오드늄브로마이드, 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로아르세네이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요오드늄헥사플루오로포스페이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요오드늄메실레이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요오드늄토실레이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요오드늄테트라플루오로보레이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요오드늄클로라이드, 비스(p-클로로페닐)요오드늄클로라이드, 비스(p-클로로페닐)요오드늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄클로라이드, 트리페닐술포늄브로마이드, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리(p-메톡시페닐)술포늄테트라플루오로보레이트, 트리(p-메톡시페닐)술포늄헥사플루오로포스포네이트, 트리(p-에톡시페닐)술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐포스포늄클로라이드, 트리페닐포스포늄브로마이드, 트리(p-메톡시페닐)포스포늄테트라플루오로보레이트, 트리(p-메톡시페닐)포스포늄헥사플루오로포스포네이트, 트리(p-에톡시페닐)포스포늄테트라플루오로보레이트 등을 들 수 있다.
Diphenyl iodonium chloride, diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl iodonium mesylate, diphenyl iodonium tosylate, diphenyl iodonium bromide, diphenyl iodonium tetrafluoroborate , Diphenyl iodonium hexafluoro antimonate, diphenyl iodonium hexafluoro arsenate, bis (p-tert- butylphenyl) iodonium hexafluoro phosphate, bis (p-tert- butylphenyl) iodonium Mesylate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium tosylate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate , Bis (p-tert-butylphenyl) iodonium chloride, bis (p-chlorophenyl) iodonium chloride, bis (p-chlorophenyl) iodonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium chloride, triphenylsulfonium Romanoid, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tri (p-methoxyphenyl) sulfoniumtetrafluoroborate, tri (p-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphonate, tri (p- Ethoxyphenyl) sulfoniumtetrafluoroborate, triphenylphosphonium chloride, triphenylphosphonium bromide, tri (p-methoxyphenyl) phosphoniumtetrafluoroborate, tri (p-methoxyphenyl) phosphonium hexafluoro Rophosphonates, tri (p-ethoxyphenyl) phosphoniumtetrafluoroborate, and the like.
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물에서의 (B)성분의 함유량은, (A)성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5 내지 20질량부, 보다 바람직하게는 1 내지 15질량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 10질량부이다. 0.5질량부 미만의 경우, 광반응성이 저하하여 감도가 저하되는 경우가 있다. 또한, 20질량부를 넘으면, 형성한 도막의 투과율이 저하하거나, 용액의 보존 안정성이 저하하는 경우가 있다.
Content of (B) component in the negative photosensitive resin composition of this invention becomes like this. Preferably it is 0.5-20 mass parts, More preferably, 1-15 mass parts, More preferably, with respect to 100 mass parts of (A) component. Is 2-10 mass parts. When less than 0.5 mass part, photoreactivity may fall and a sensitivity may fall. Moreover, when it exceeds 20 mass parts, the transmittance | permeability of the formed coating film may fall, or the storage stability of a solution may fall.
<(C)성분>≪ Component (C) >
본 발명의 (C)성분인 에폭시기를 2개 이상 가지는 에폭시 화합물로서는, 예를 들면, 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,2-에폭시-4-(에폭시에틸)시클로헥산, 글리세롤트리글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 2,6-디글리시딜페닐글리시딜에테르, 1,1,3-트리스[p-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]프로판, 1,2-시클로헥산디카르본산디글리시딜에스테르, 4,4'-메틸렌비스(N,N-디글리시딜아닐린), 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복시레이트, 트리메티롤에탄트리글리시딜에테르 및 비스페놀-A-디글리시딜에테르, 및 펜타에리스리톨폴리글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
As an epoxy compound which has two or more epoxy groups which are (C) component of this invention, For example, tris (2, 3- epoxypropyl) isocyanurate, 1, 4- butanediol diglycidyl ether, 1,2 -Epoxy-4- (epoxyethyl) cyclohexane, glycerol triglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, 2,6-diglycidylphenylglycidyl ether, 1,1,3-tris [p -(2,3-epoxypropoxy) phenyl] propane, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid diglycidyl ester, 4,4'-methylenebis (N, N- diglycidylaniline), 3,4 -Epoxycyclohexyl methyl-3, 4- epoxycyclohexane carboxylate, trimetholethane triglycidyl ether, bisphenol-A- diglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, etc. are mentioned.
또한, 입수가 용이한 점에서 시판품의 화합물을 이용할 수도 있다. 이하에 그 구체예(상품명)를 들지만, 이들로 한정되는 것은 아니다: YH-434, YH434L(Tohto Kasei Co.,Ltd제) 등의 아미노기를 가지는 에폭시 수지; EPOLEAD GT-401, EPOLEAD GT-403, EPOLEAD GT-301, EPOLEAD GT-302, CELOXIDE 2021, CELOXIDE 3000(Daicel Corporation제) 등의 시클로헥센옥사이드 구조를 가지는 에폭시수지; EPIKOTE 1001, EPIKOTE 1002, EPIKOTE 1003, EPIKOTE 1004, EPIKOTE 1007, EPIKOTE 1009, EPIKOTE 1010, EPIKOTE 828(이상, Yuka Shell Epoxy Co. Ltd.(현 JER)제) 등의 비스페놀 A형 에폭시수지; EPIKOTE 807(Yuka Shell Epoxy Co. Ltd.(현 JER)제) 등의 비스페놀 F형 에폭시수지; EPIKOTE 152, EPIKOTE 154(이상, Yuka Shell Epoxy Co. Ltd.(현 JER)제), EPPN201, EPPN202(이상, Nippon Kayaku Co.,Ltd.제) 등의 페놀노볼락형 에폭시수지; EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027(이상, Nippon Kayaku Co.,Ltd.제), EPIKOTE 180S75(Yuka Shell Epoxy Co. Ltd.(현 JER)제) 등의 크레졸노볼락형 에폭시수지; DENACOL EX-252(Nagase ChemteX Corporation.제), CY175, CY177, CY179, Araldite CY-182, Araldite CY-192, Araldite CY-184(이상, CIBA-GEIGYA.G제), EPICLON 200, EPICLON 400(이상, DIC Corporation제), EPIKOTE 871, EPIKOTE 872(이상, Yuka Shell Epoxy Co. Ltd.(현 JER)제), ED-5661, ED-5662(이상, Celanese coating, Ltd.제) 등의 지환식 에폭시수지; DENACOL EX-611, DENACOL EX-612, DENACOL EX-614, DENACOL EX-622, DENACOL EX-411, DENACOL EX-512, DENACOL EX-522, DENACOL EX-421, DENACOL EX-313, DENACOL EX-314, DENACOL EX-321(Nagase ChemteX Corporation.제) 등의 지방족 폴리글리시딜에테르 등.
Moreover, the compound of a commercial item can also be used from an easy point of acquisition. Although the specific example (brand name) is given to the following, it is not limited to these: Epoxy resin which has amino groups, such as YH-434 and YH434L (made by Tohto Kasei Co., Ltd.); Epoxy resins having a cyclohexene oxide structure such as EPOLEAD GT-401, EPOLEAD GT-403, EPOLEAD GT-301, EPOLEAD GT-302, CELOXIDE 2021, CELOXIDE 3000 (manufactured by Daicel Corporation); Bisphenol A type epoxy resins such as EPIKOTE 1001, EPIKOTE 1002, EPIKOTE 1003, EPIKOTE 1004, EPIKOTE 1007, EPIKOTE 1009, EPIKOTE 1010 and EPIKOTE 828 (above, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co. Ltd. (currently JER)); Bisphenol F-type epoxy resins such as EPIKOTE 807 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co. Ltd. (current JER)); Phenol novolac type epoxy resins such as EPIKOTE 152, EPIKOTE 154 (above, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co. Ltd. (currently JER)), EPPN201, and EPPN202 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.); EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027 (above, made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), EPIKOTE 180S75 (Yuka Shell Epoxy Co. Ltd. (now JER) Cresol novolac-type epoxy resins such as those produced by the present invention; DENACOL EX-252 (made by Nagase ChemteX Corporation.), CY175, CY177, CY179, Araldite CY-182, Araldite CY-192, Araldite CY-184 (above, made by CIBA-GEIGYA.G), EPICLON 200, EPICLON 400 (more than , Alicyclic epoxy such as EPICOTE 871, EPIKOTE 872 (above, Yuka Shell Epoxy Co. Ltd. (current JER)), ED-5661, ED-5662 (above, Celanese coating, Ltd.) Suzy; DENACOL EX-611, DENACOL EX-612, DENACOL EX-614, DENACOL EX-622, DENACOL EX-411, DENACOL EX-512, DENACOL EX-522, DENACOL EX-421, DENACOL EX-313, DENACOL EX-314, Aliphatic polyglycidyl ethers such as DENACOL EX-321 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation).
또한, 적어도 두 개의 에폭시기를 가지는 화합물로서는 에폭시기를 가지는 폴리머를 사용할 수도 있다. 그러한 폴리머로서는, 에폭시기를 가지는 것으로서, 반복 단위에 N-무치환의 말레이미드를 포함하지 않는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다.
As the compound having at least two epoxy groups, a polymer having an epoxy group can also be used. Such a polymer can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group and does not contain an N-unsubstituted maleimide in the repeating unit.
상기 에폭시기를 가지는 폴리머는, 예를 들면 에폭시기를 가지는 부가중합 성 모노머를 이용한 부가중합에 의해 제조할 수 있다. 일례로서, 폴리글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트와 에틸메타크릴레이트의 공중합체, 글리시딜메타크릴레이트와 스티렌과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트의 공중합체 등의 부가중합 폴리머나, 에폭시노볼락 등의 축중합 폴리머를 들 수 있다.
The polymer which has the said epoxy group can be manufactured by addition polymerization using the addition polymerization monomer which has an epoxy group, for example. As an example, addition polymerization polymers, such as polyglycidyl acrylate, a copolymer of glycidyl methacrylate and ethyl methacrylate, a copolymer of glycidyl methacrylate and styrene, and 2-hydroxyethyl methacrylate And polycondensation polymers, such as an epoxy novolak, are mentioned.
혹은, 상기 에폭시기를 가지는 폴리머는, 하이드록시기를 가지는 고분자 화합물과 에피클로로히드린, 글리시딜토실레이트 등의 에폭시기를 가지는 화합물과의 반응에 의해 제조할 수도 있다.
Or the polymer which has the said epoxy group can also be manufactured by reaction with the high molecular compound which has a hydroxyl group, and the compound which has epoxy groups, such as epichlorohydrin and glycidyl tosylate.
이러한 폴리머의 중량평균 분자량으로서는, 예를 들면 300 내지 20,000이다.
As a weight average molecular weight of such a polymer, it is 300-20,000, for example.
이들 에폭시기를 2개 이상 가지는 에폭시 화합물은, 단독 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
The epoxy compound which has two or more of these epoxy groups can be used individually or in combination of 2 or more types.
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물에서의 (C)성분의 에폭시기를 2개 이상 가지는 에폭시 화합물의 함유량은, (A)성분의 아크릴 중합체 100질량부에 기초하여 5 내지 100질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 80질량부이다. 이 비율이 과소인 경우에는, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광경화성이 저하되는 경우가 있고, 한편, 과대한 경우에는 미노광부의 현상성이 저하하여 잔막이나 잔사의 원인이 되는 경우가 있다.
It is preferable that content of the epoxy compound which has two or more epoxy groups of (C) component in the negative photosensitive resin composition of this invention is 5-100 mass parts based on 100 mass parts of acrylic polymers of (A) component, More Preferably it is 10-80 mass parts. When this ratio is too small, the photocurability of a negative photosensitive resin composition may fall, On the other hand, when excessive, developability of an unexposed part may fall and it may be a cause of a residual film or a residue.
<(D)용제>≪ (D) Solvent >
본 발명에 이용하는 (A)성분 내지 (C)성분을 용해하고, 또한 필요에 따라 첨가되는 후술의 (E)성분, (F)성분 등을 용해하는 것이며, 이와 같은 용해능을 가지는 용제이면, 그 종류 및 구조 등은 특별히 한정되는 것이 아니다.
It dissolves (A) component (C) component used for this invention, and melt | dissolves the below-mentioned (E) component, (F) component etc. which are added as needed, and if it is a solvent which has such a solubility, Kind, structure, etc. are not specifically limited.
이와 같은 (D)용제로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-부탄온, 3-메틸-2-펜타논, 2-펜타논, 2-헵타논, γ―부티로락톤, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸, 유산부틸, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 및 N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.
Examples of such a solvent (D) include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 2-butanone, 3-methyl-2- Pentanone, 2-pentanone, 2-heptanone, gamma -butyrolactone, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2-hydroxy Methyl oxy-3-methyl butyrate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, pyruvic acid Ethyl, ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, butyl lactate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and the like.
이들 용제는, 일종 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
These solvents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
이들 (D)용제 중, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 유산부틸 등이, 도막성이 양호하고 안전성이 높다는 관점에서 바람직하다. 이들 용제는, 일반적으로 포토레지스트 재료를 위한 용제로서 이용되고 있다.
Among these (D) solvents, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, butyl lactate, and the like are preferred from the viewpoint of good coating properties and high safety. These solvents are generally used as a solvent for photoresist materials.
<(E)성분><(E) component>
(E)성분은 증감제이다. 본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지는 도막을 노광하는 파장에 대하여 (B)성분인 광산 발생제의 반응율이 작은 경우, 증감제를 첨가함으로써 반응율을 향상시킬 수 있다. 이러한 증감제의 구체예로서는, 9,10-디부톡시안트라센, 9-하이드록시메틸안트라센, 티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 4-이소프로필티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 안트라퀴논, 1,2-디하이드록시안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 1,4-디에톡시나프탈렌 등을 들 수 있다.
(E) component is a sensitizer. When the reaction rate of the photo-acid generator which is (B) component is small with respect to the wavelength which exposes the coating film which consists of a negative photosensitive resin composition of this invention, reaction rate can be improved by adding a sensitizer. As a specific example of such a sensitizer, 9,10- dibutoxy anthracene, 9-hydroxymethyl anthracene, thioxanthone, 2-isopropyl thioxanthone, 4-isopropyl thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2 , 4-diethyl thioxanthone, anthraquinone, 1,2-dihydroxyanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 1,4-diethoxynaphthalene, etc. are mentioned.
(E)성분으로서, 상기 증감제중 1종 또는 2종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
As (E) component, it can use combining 1 type, or 2 or more types in the said sensitizer.
이들 증감제의 첨가량은, (A)성분의 100질량부에 대하여, 통상, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8질량부 이하이다. 8질량부 이상 이용하면 도막의 투명성이 저하되는 경우가 있다.It is preferable that the addition amount of these sensitizers is 10 mass parts or less normally with respect to 100 mass parts of (A) component, More preferably, it is 8 mass parts or less. When 8 mass parts or more are used, transparency of a coating film may fall.
또한, 이들 증감제의 첨가량은 감광성 수지 조성물 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부 함유하는 것이 바람직하다.
Moreover, it is preferable to contain 0.1-10 mass parts of addition amounts of these sensitizers with respect to 100 mass parts of photosensitive resin compositions.
<(F)성분><(F) component>
(F)성분은 아민 화합물이다. 본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물에서는, 그 (B)성분으로부터 발생한 산의 확산을 억제하는 목적으로 아민 화합물을 첨가하고, 패턴 형상을 컨트롤할 수 있다.
(F) component is an amine compound. In the negative photosensitive resin composition of this invention, an amine compound can be added and the pattern shape can be controlled in order to suppress the diffusion of the acid which generate | occur | produced from the (B) component.
(F)성분의 아민 화합물로서는 특별히 제한되지 않지만, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 트리페닐아민, 벤질디메틸아민, N-n-부틸디에탄올아민 등의 3급 아민이 바람직하다.
Although it does not restrict | limit especially as an amine compound of (F) component, Tertiary amines, such as triethanolamine, triethylamine, tributylamine, triphenylamine, benzyl dimethylamine, and Nn-butyl diethanolamine, are preferable.
(F)성분의 아민 화합물은, 일종 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
The amine compound of (F) component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
아민 화합물이 사용되는 경우, 그 함유량은, 네가티브형 감광성 수지 조성물 100질량% 중에 통상 1.0질량% 이하이며, 바람직하게는 0.5질량% 이하이다. (F)성분의 아민 화합물의 사용량이 1.0질량%를 넘는 양으로 설정하면 네가티브형 감광성 수지 조성물의 감도가 크게 저하되는 경우가 있다.
When an amine compound is used, the content is 1.0 mass% or less normally in 100 mass% of negative photosensitive resin compositions, Preferably it is 0.5 mass% or less. When the usage-amount of the amine compound of (F) component is set to the quantity over 1.0 mass%, the sensitivity of the negative photosensitive resin composition may fall large.
<그 외 첨가제><Other additives>
또한, 본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 한, 필요에 따라, 계면활성제, 레올로지 조정제, 안료, 염료, 보존안정제, 소포제, 또는 다가 페놀, 다가 카르본산 등의 용해촉진제 등을 함유할 수 있다.
Moreover, as long as the negative photosensitive resin composition of this invention does not impair the effect of this invention, surfactant, a rheology regulator, a pigment, dye, a preservation stabilizer, an antifoamer, polyhydric phenol, polyhydric carboxylic acid, etc. are needed as needed. Dissolution accelerator and the like.
<네가티브형 감광성 수지 조성물>≪ Negative-type photosensitive resin composition >
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물은, (A)성분의 아크릴 중합체, (B)성분의 광산 발생제, (C)성분의 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물이 (D)용제에 용해한 것이며, 또한, 각각 필요에 따라 (E)성분의 증감제, (F)성분의 아민 화합물, 및 그 외 첨가제 중 일종 이상을 추가로 함유할 수 있는 조성물이다.
In the negative photosensitive resin composition of this invention, the compound which has the acrylic polymer of (A) component, the photo-acid generator of (B) component, and two or more epoxy groups of (C) component melt | dissolved in the (D) solvent, Each is a composition which may further contain one or more of the sensitizer of (E) component, the amine compound of (F) component, and other additives as needed.
그 중에서도, 본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물의 바람직한 예는 이하와 같다. Especially, the preferable example of the negative photosensitive resin composition of this invention is as follows.
[1]: (A)성분 100질량부에 기초하여, 0.5 내지 20질량부의 (B)성분, 5 내지 100질량부의 (C)성분을 함유하고, 이들 성분이 (D)용제에 용해된 네가티브형 감광성 수지 조성물.[1]: Based on 100 parts by mass of the component (A), 0.5 to 20 parts by mass of the component (B) and 5 to 100 parts by mass of the component (C) are contained, and these components are dissolved in the solvent (D). Photosensitive resin composition.
[2]: 상기 [1]의 조성물에서, 추가로 (E)성분을 (A)성분 100질량부에 기초하여 0.1 내지 10질량부 함유하는 네가티브형 감광성 수지 조성물.[2]: The negative photosensitive resin composition which contains 0.1-10 mass parts of (E) component further based on 100 mass parts of (A) component in the composition of said [1].
[3]: 상기 [1] 또는 [2]의 조성물에서, 추가로 (F)성분을 (A)성분 100질량부에 기초하여 1질량부 이하 함유하는 네가티브형 감광성 수지 조성물.
[3]: In the composition of [1] or [2], the negative photosensitive resin composition further contains 1 part by mass or less based on 100 parts by mass of the component (F).
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물에서의 고형분의 비율은, 각 성분이 균일하게 용제에 용해되어 있는 한, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 1 내지 80질량%이며, 또한 예를 들면 5 내지 60질량%이며, 또는 10 내지 50질량%이다. 여기서, 고형분이란, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 전체 성분으로부터 (D)용제를 제외한 것을 말한다.
Although the ratio of solid content in the negative photosensitive resin composition of this invention is not specifically limited as long as each component is melt | dissolving in a solvent uniformly, For example, it is 1-80 mass%, For example, 5-60 It is mass% or 10-50 mass%. Here, solid content means what remove | excluding the (D) solvent from all the components of a negative photosensitive resin composition.
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물의 조제 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 그 조제법으로서는, 예를 들면, (A)성분(아크릴 공중합체)을 (D)용제에 용해하고, 이 용액에 (B)성분(광산발생제), (C)성분(2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물)을 소정의 비율로 혼합하고, 균일한 용액으로 하는 방법, 혹은, 이 조제법의 적당한 단계에서, 필요에 따라 (E)성분(증감제), (F)성분(아민 화합물) 및 그 외 첨가제를 추가로 첨가하여 혼합하는 방법을 들 수 있다.
Although the manufacturing method of the negative photosensitive resin composition of this invention is not specifically limited, As this preparation method, (A) component (acryl copolymer) is melt | dissolved in the (D) solvent and it is (B) in this solution, for example. Component (photoacid generator), (C) component (compound having two or more epoxy groups) are mixed at a predetermined ratio, and the solution is made into a uniform solution, or at a suitable stage of this preparation method, if necessary, (E) The method of adding and mixing a component (sensitizer), (F) component (amine compound), and another additive further is mentioned.
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물의 조제에서는, (D)용제 중에서의 중합 반응에 의해 얻어지는 특정 공중합체의 용액을 그대로 사용할 수 있고, 이 경우, 이 (A)성분의 용액에 상기와 마찬가지로 (B)성분, (C)성분 등을 넣어 균일한 용액으로 할 때에, 농도 조정을 목적으로서 더욱 (D)용제를 추가 투입할 수도 있다. 이 때, 특정 공중합체의 형성 과정에서 이용되는 (D)용제와, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 조제시에 농도 조정을 위하여 이용되는 (D)용제는 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
In preparation of the negative photosensitive resin composition of this invention, the solution of the specific copolymer obtained by the polymerization reaction in (D) solvent can be used as it is, and in this case, it is the same as the above in the solution of this (A) component (B). When (a) component, (C) component, etc. are put and it is set as a uniform solution, (D) solvent can also be further added for the purpose of concentration adjustment. At this time, the (D) solvent used in the formation process of a specific copolymer and the (D) solvent used for density | concentration adjustment at the time of preparation of a negative photosensitive resin composition may be the same, and may differ.
그리고, 조제된 네가티브형 감광성 수지 조성물의 용액은, 홀 직경이 0.2μm정도의 필터 등을 이용하여 여과한 후, 사용하는 것이 바람직하다.
And it is preferable to use, after filtering the solution of the prepared negative photosensitive resin composition using the filter etc. which have a hole diameter of about 0.2 micrometer.
<도막 및 경화막><Film and Cured Film>
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물을 반도체기판(예를 들면, 실리콘/이산화실리콘피복기판, 실리콘나이트라이드 기판, 금속 예를 들면 알루미늄, 몰리브덴, 크롬 등이 피복된 기판, 유리 기판, 석영 기판, ITO 기판 등)상에, 회전 도포, 흐름 도포, 롤 도포, 슬릿 도포, 슬릿에 계속된 회전 도포, 잉크젯 도포 등에 의해 도포하고, 그 후, 핫플레이트 또는 오븐 등으로 예비 건조함으로써 도막을 형성할 수 있다. 그 후, 이 도막을 가열 처리함으로써, 네가티브형 감광성 수지막이 형성된다.
The negative photosensitive resin composition of the present invention is a semiconductor substrate (e.g., silicon / silicon dioxide coated substrate, silicon nitride substrate, metal such as aluminum, molybdenum, chromium coated substrate, glass substrate, quartz substrate, ITO On a substrate, etc.), the coating film can be formed by applying spin coating, flow coating, roll coating, slit coating, spin coating following the slit, ink jet coating, or the like, followed by preliminary drying with a hot plate or oven. . Then, the negative photosensitive resin film is formed by heat-processing this coating film.
이 가열 처리의 조건으로서는, 예를 들면, 온도 70℃ 내지 160℃, 시간 0.3 내지 60분간의 범위 중에서 적당히 선택된 가열 온도 및 가열 시간이 채용된다. 가열 온도 및 가열 시간은, 바람직하게는 80℃ 내지 140℃, 0.5 내지 10분간이다.
As conditions for this heat processing, the heating temperature and heating time suitably selected from the range of the temperature of 70 degreeC-160 degreeC, and time 0.3 to 60 minutes are employ | adopted, for example. Heating temperature and a heat time become like this. Preferably they are 80 degreeC-140 degreeC, and 0.5 to 10 minutes.
또한, 네가티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 네가티브형 감광성 수지막의 막두께는, 예를 들면 0.1 내지 30μm이며, 또한 예를 들면 0.5 내지 20μm이며, 추가로 예를 들면 1 내지 15μm이다.
In addition, the film thickness of the negative photosensitive resin film formed from a negative photosensitive resin composition is 0.1-30 micrometers, for example, 0.5-20 micrometers, and is 1-15 micrometers further.
본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 네가티브형 감광성 수지막은, 소정의 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 자외선, ArF, KrF, F2레이저광의 광으로 노광되면, 네가티브형 감광성 수지막 중에 포함되는 (B)성분의 광산 발생제(PAG)로부터 발생하는 산의 작용에 의해, 이 막 중 노광부는 알칼리성 현상액에 불용인 것이 된다.
If the film is a negative photosensitive resin is formed from a negative-working photosensitive resin composition of the invention, using a mask having a predetermined pattern ultraviolet light, ArF, KrF, F 2 exposure to laser light, which is contained in the negative-working photosensitive resin film ( By the action of the acid generated from the photoacid generator (PAG) of the component B), the exposed portion of the film becomes insoluble in the alkaline developer.
이어서, 네가티브형 감광성 수지막에 대하여 노광후 가열(PEB)이 행해진다. 이 경우의 가열의 조건으로서는, 온도 70℃ 내지 150℃, 시간 0.3 내지 60분간의 범위 중에서 적당히 선택된 가열 온도 및 가열 시간이 채용된다.
Subsequently, post-exposure heating (PEB) is performed on the negative photosensitive resin film. As the conditions for heating in this case, the heating temperature and heating time suitably selected from the range of the temperature of 70 degreeC-150 degreeC, and time 0.3-60 minutes are employ | adopted.
그 후, 알칼리성 현상액을 이용하여 현상이 행해진다. 이에 의해, 네가티브형 감광성 수지막 중, 노광되지 않은 부분이 제거되어 패턴 모양의 릴리프가 형성된다.
Then, image development is performed using alkaline developing solution. As a result, the unexposed portion of the negative photosensitive resin film is removed to form a pattern-shaped relief.
사용될 수 있는 알칼리성 현상액으로서는, 예를 들면, 수산화 칼륨, 수산화 나트륨 등의 알칼리금속 수산화물의 수용액, 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 콜린 등의 수산화 제4급암모늄의 수용액, 에탄올아민, 프로필아민, 에틸렌디아민 등의 아민 수용액 등의 알칼리성 수용액을 들 수 있다. 또한, 이들 현상액에는 계면활성제 등을 추가할 수도 있다.
Examples of the alkaline developer that can be used include, for example, aqueous solutions of alkali metal hydroxides such as potassium hydroxide and sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and aqueous quaternary ammonium hydroxides such as choline, ethanolamine and propylamine. And alkaline aqueous solutions, such as aqueous amine solutions, such as ethylenediamine. Moreover, surfactant etc. can also be added to these developing solutions.
상기 중, 수산화 테트라에틸암모늄 0.1 내지 2.38질량% 수용액은, 포토레지스트의 현상액으로서 일반적으로 사용되고 있으며, 본 발명의 감광성 수지 조성물에서도, 이 알칼리성 현상액을 이용하여, 팽윤 등의 문제를 일으키는 일 없이 양호하게 현상할 수 있다.
Among these, tetraethylammonium hydroxide 0.1-2.38 mass% aqueous solution is generally used as a developing solution of a photoresist, and also in the photosensitive resin composition of this invention, this alkaline developing solution is used satisfactorily, without causing problems, such as swelling. Can develop
또한 현상 방법으로서는, 액축적법, 디핑법, 요동침지법 등, 모두 이용할 수 있다. 그 때의 현상 시간은 통상 15 내지 180초간이다.
As the developing method, any of a liquid accumulation method, a dipping method, a rocking dipping method and the like can be used. The developing time at that time is 15 to 180 second normally.
현상 후, 네가티브형 감광성 수지막에 대하여 유수에 의한 세정을 예를 들면 20 내지 90초간 행하고, 계속해서 압축 공기 혹은 압축 질소를 이용하거나 또는 스피닝에 의해 풍건함으로써, 기판상의 수분이 제거되고, 그리고 패턴 형성된 막이 얻어진다.
After development, the negative photosensitive resin film is washed with running water for, for example, 20 to 90 seconds, and subsequently dried by using compressed air or compressed nitrogen or by spinning to remove moisture on the substrate, and the pattern The formed film is obtained.
계속해서, 이러한 패턴 형성막에 대하여, 열경화를 위하여 포스트베이크를 행함으로써, 구체적으로는 핫플레이트, 오븐 등을 이용하여 가열함으로써, 내열성, 투명성, 평탄화성, 저흡수성, 내약품성 등이 뛰어나고, 양호한 릴리프 패턴을 가지는 막이 얻어진다.
Subsequently, post-baking is performed on the pattern forming film for thermosetting, and specifically, by heating using a hot plate, an oven, or the like, it is excellent in heat resistance, transparency, planarization, low water absorption, chemical resistance, and the like. A film having a good relief pattern is obtained.
포스트베이크로서는, 일반적으로, 온도 140℃ 내지 250℃의 범위 중에서 선택된 가열 온도에서, 핫플레이트상의 경우에는 5 내지 30분간, 오븐중의 경우에는 30 내지 90분간 처리한다고 하는 방법이 채용된다.
Generally as a postbaking, the method of processing for 5 to 30 minutes in the case of a hotplate, and 30 to 90 minutes in the oven is employ | adopted at the heating temperature selected from the range of temperature 140 degreeC-250 degreeC.
그리고, 이러한 포스트베이크에 의해, 목적으로 하는 양호한 패턴 형상을 가지는 경화막을 얻을 수 있다.
And by this post-baking, the cured film which has the target favorable pattern shape can be obtained.
이상과 같이, 본 발명의 네가티브형 감광성 수지 조성물에 의해, 노광전에 택이 없고, 10μm 정도의 막두께에서도 충분히 고감도이며, 또한 현상시에 노광부의 막감소가 매우 작아 미세한 패턴을 가지는 도막을 형성할 수 있다. 또한, 포스트베이크에 의한 쉬링크가 매우 작아, 대형 기판에서도 막두께의 면내분포를 작게 할 수 있다. 또한 이 경화막은, 투명성, 내열성 및 내용제성이 뛰어나다. 이 때문에, 액정 디스플레이나 유기 EL디스플레이, 터치패널 소자 등에서의 각종의 막, 예를 들면 층간절연막, 보호막, 절연막, 광학필름 등에 적합하게 이용할 수 있다.
As described above, with the negative photosensitive resin composition of the present invention, there is no tack before exposure, and even at a film thickness of about 10 μm, the sensitivity is sufficiently high, and the film reduction of the exposed portion at the time of development is very small to form a coating film having a fine pattern. Can be. In addition, the shrink caused by the post-baking is very small, and even in a large substrate, the in-plane distribution of the film thickness can be reduced. Moreover, this cured film is excellent in transparency, heat resistance, and solvent resistance. For this reason, it can use suitably for various films, such as an interlayer insulation film, a protective film, an insulating film, an optical film, etc. in a liquid crystal display, an organic EL display, a touch panel element, etc.
실시예Example
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these Examples.
[실시예에서 이용하는 약기호][Abbreviation used in the examples]
이하의 실시예에서 이용하는 약기호의 의미는 다음과 같다.The meanings of the weak symbols used in the following examples are as follows.
MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid
MI: 말레이미드MI: maleimide
MMA: 메타크릴산메틸MMA: methyl methacrylate
ECM: 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타아크릴레이트ECM: 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate
GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate
ST: 스티렌ST: Styrene
AIBN: 아조비스이소부티로니트릴AIBN: azobisisobutyronitrile
PAG1: GSID-26-1(BASF제)PAG1: GSID-26-1 (product made by BASF)
PAG2: CPI-110P(San-Apro Ltd.제)PAG2: CPI-110P (manufactured by San-Apro Ltd.)
PAG3: HS-1PG(San-Apro Ltd.제)PAG3: HS-1PG (manufactured by San-Apro Ltd.)
PAG4: IRGACURE 369(BASF제)PAG4: IRGACURE 369 (product of BASF)
CEL: Daicel Corporation제 CELOXIDE P-2021(제품명)(화합물명: 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복시레이트)CEL: CELOXIDE P-2021 (product name) made from Daicel Corporation (compound name: 3, 4- epoxycyclohexenylmethyl-3 ', 4'- epoxycyclohexene carboxylate)
GT: Daicel Corporation제 EPOLEAD GT-401(제품명)(화합물명: 에폭시화 부탄테트라카르본산테트라키스-(3-시클로헥세닐메틸)수식ε-카프로락톤)GT: EPOLEAD GT-401 (product name) made from Daicel Corporation (compound name: epoxidized butane tetracarboxylic acid tetrakis- (3-cyclohexenylmethyl) formula (epsilon) -caprolactone)
ITX: 2-이소프로필티옥산톤ITX: 2-isopropyl thioxanthone
TEA: 트리에탄올아민TEA: triethanolamine
DPHA: 디펜타에리스리톨펜타/헥사아크릴레이트DPHA: dipentaerythritol penta / hexaacrylate
BTEAC: 벤질트리에틸암모늄클로라이드BTEAC: benzyltriethylammonium chloride
PGME: 프로필렌글리콜모노메틸에테르PGME: Propylene glycol monomethyl ether
PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate
JE: JER제 JER157S70JE: JER157S70 made by JER
CHMI: N-시클로헥실말레이미드
CHMI: N-cyclohexylmaleimide
[수평균 분자량 및 중량평균 분자량의 측정][Measurement of number average molecular weight and weight average molecular weight]
이하의 합성예에 따라 얻어진 특정 공중합체 및 특정 가교체의 수평균 분자량 및 중량평균 분자량을, JASCO Corporation제 GPC장치(Shodex(등록상표) 칼럼 KF803L 및 KF804L)를 이용하고, 용출용매 테트라하이드로퓨란을 유량 1ml/분으로 칼럼 중에(칼럼 온도 40℃) 흘려 용리시킨다는 조건으로 측정했다. 또한, 하기의 수평균 분자량(이하, Mn이라고 칭함) 및 중량평균 분자량(이하, Mw라고 칭함)은, 폴리스티렌 환산치로 나타낸다.
The number average molecular weight and the weight average molecular weight of the specific copolymer and the specific crosslinked body obtained according to the following synthesis example were used for the eluting solvent tetrahydrofuran using the GPC apparatus (Shodex (R) column KF803L and KF804L) by JASCO Corporation. It measured on the conditions that it flowed and eluted in a column (column temperature 40 degreeC) by flow volume 1 ml / min. In addition, the following number average molecular weight (henceforth Mn) and a weight average molecular weight (henceforth Mw) are shown by polystyrene conversion value.
<합성예 1>≪ Synthesis Example 1 &
공중합체를 구성하는 모노머 성분으로서, MI(28.0g), ECM(50.0g), ST(22.0g)를 사용하고, 래디컬 중합개시제로서 AIBN(2g)을 사용하고, 이들을 용제 PGME(238g) 중에서 중합 반응시킴으로써, Mn 4,500, Mw 10,000인 공중합체 용액(공중합체 농도: 30질량%)을 얻었다(P1). 또한, 중합 온도는 온도 60℃ 내지 90℃로 조정했다.
As the monomer component constituting the copolymer, MI (28.0 g), ECM (50.0 g) and ST (22.0 g) were used, and AIBN (2 g) was used as the radical polymerization initiator, and these were polymerized in solvent PGME (238 g). By making it react, the copolymer solution (copolymer concentration: 30 mass%) which is Mn 4,500 and Mw 10,000 was obtained (P1). In addition, polymerization temperature was adjusted to the temperature of 60 degreeC-90 degreeC.
<합성예 2>≪ Synthesis Example 2 &
공중합체를 구성하는 모노머 성분으로서, MI(30.0g), GMA(50.0g), ST(20.0g)를 사용하고, 래디컬 중합개시제로서 AIBN(2g)을 사용하고, 이들을 용제 PGME(238g) 중에서 중합 반응시킴으로써, Mn 10,000, Mw 30,000인 공중합체 용액(공중합체 농도: 30질량%)을 얻었다(P2). 또한, 중합 온도는 온도 60℃ 내지 90℃로 조정했다.
As monomer components constituting the copolymer, MI (30.0 g), GMA (50.0 g), and ST (20.0 g) were used, and AIBN (2 g) was used as the radical polymerization initiator, and these were polymerized in solvent PGME (238 g). By making it react, the copolymer solution (copolymer concentration: 30 mass%) which is Mn 10,000 and Mw 30,000 was obtained (P2). In addition, polymerization temperature was adjusted to the temperature of 60 degreeC-90 degreeC.
<비교 합성예 1><Comparative Synthesis Example 1>
공중합체를 구성하는 모노머 성분으로서, MAA(50.0g), MMA(50.0g)를 사용하고, 래디컬 중합개시제로서 AIBN(2g)을 사용하고, 이들을 용제 PGMEA(120g) 중에서 중합 반응시킴으로써 공중합체 용액(공중합체 농도: 40질량%)을 얻었다. 또한, 중합 온도는 온도 60℃ 내지 90℃로 조정했다. 이 공중합체 200g에 GMA(33.0g), BTEAC(1.1g), PGMEA(49.5g)를 추가하여 반응시킴으로써 Mn 8,700, Mw 22,000의 (A)성분(특정 공중합체)의 용액(특정 공중합체 농도: 40.5질량%)을 얻었다(P3). 또한, 반응 온도를 90 내지 120℃로 조정했다.
As the monomer component constituting the copolymer, MAA (50.0 g) and MMA (50.0 g) were used, AIBN (2 g) was used as the radical polymerization initiator, and these were polymerized in a solvent PGMEA (120 g) to obtain a copolymer solution ( Copolymer concentration: 40 mass%). In addition, polymerization temperature was adjusted to the temperature of 60 degreeC-90 degreeC. A solution of (A) component (specific copolymer) of Mn 8,700 and Mw 22,000 (specific copolymer concentration) by adding and reacting GMA (33.0 g), BTEAC (1.1 g), and PGMEA (49.5 g) to 200 g of the copolymer. 40.5 mass%) was obtained (P3). In addition, reaction temperature was adjusted to 90-120 degreeC.
<비교 합성예 2>≪ Comparative Synthesis Example 2 &
공중합체를 구성하는 모노머 성분으로서, MAA(30.0g), GMA(50.0g), ST(20.0g)를 사용하고, 래디컬 중합개시제로서 AIBN(2g)을 사용하고, 이들을 용제 PGME(238g) 중에서 온도 60℃ 내지 90℃에서 중합 반응시켰지만, 중합 반응중에 겔화되어 그 후의 평가에 사용할 수 없었다.
As the monomer component constituting the copolymer, MAA (30.0 g), GMA (50.0 g), ST (20.0 g) were used, and AIBN (2 g) was used as the radical polymerization initiator, and these were heated in solvent PGME (238 g). The polymerization reaction was carried out at 60 ° C to 90 ° C, but it gelled during the polymerization reaction and could not be used for subsequent evaluation.
<비교 합성예 3>≪ Comparative Synthesis Example 3 >
공중합체를 구성하는 모노머 성분으로서, CHMI(28.0g), ECM(50.0g), ST(22.0g)를 사용하고, 래디컬 중합개시제로서 AIBN(2g)을 사용하고, 이들을 용제 PGME(238g) 중에서 중합 반응시킴으로써, Mn 4,800, Mw 12,000인 공중합체 용액(공중합체 농도: 30질량%)을 얻었다(P4) 또한, 중합 온도는 온도 60℃ 내지 90℃로 조정했다.
As the monomer component constituting the copolymer, CHMI (28.0 g), ECM (50.0 g), ST (22.0 g) were used, and AIBN (2 g) was used as the radical polymerization initiator, and these were polymerized in solvent PGME (238 g). By reacting, the copolymer solution (copolymer concentration: 30 mass%) which is Mn 4,800 and Mw 12,000 was obtained (P4) Moreover, polymerization temperature was adjusted to the temperature of 60 degreeC-90 degreeC.
<실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4><Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4>
다음의 표 1에 나타낸 조성에 따라, (A)성분의 용액에, (B)성분, (C)성분, 및 (D)용제, 추가로 (E)성분 및 (F)성분을 소정의 비율로 혼합하고, 실온에서 3시간 교반하여 균일한 용액으로 함으로써, 각 실시예 및 각 비교예의 네가티브형 감광성 수지 조성물을 조제했다.
According to the composition shown in following Table 1, the solution of (A) component WHEREIN: (B) component, (C) component, and (D) solvent, Furthermore, (E) component and (F) component in predetermined ratio The negative photosensitive resin composition of each Example and each comparative example was prepared by mixing and stirring at room temperature for 3 hours and making it a uniform solution.
[표 1][Table 1]
얻어진 실시예 1 내지 7 그리고 비교예 1 내지 4의 각 네가티브형 감광성 수지 조성물에 대하여, 각각, 용액의 점도, 프리베이크 후 막두께, 투과율, 해상도, 잔막율을 측정했다.
About the obtained negative photosensitive resin compositions of Examples 1-7 and Comparative Examples 1-4, the viscosity of the solution, the film thickness after prebaking, the transmittance | permeability, the resolution, and the residual film rate were measured, respectively.
[점도의 평가][Evaluation of viscosity]
네가티브형 감광성 수지 조성물을 E형 회전점도계(회전자 No.1(1˚34′))를 이용하여 회전수 10rpm, 온도 25℃에서 점도를 측정했다.
The viscosity was measured for the negative photosensitive resin composition at rotation speed of 10 rpm and the temperature of 25 degreeC using E-type rotational viscometer (rotor No. 1 (1 degree 34 ')).
[프리베이크 후 막두께의 평가][Evaluation of film thickness after pre-baking]
네가티브형 감광성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼상에 스핀코터를 이용하여 도포한 후, 온도 100℃에서 120초간 핫플레이트상에서 프리베이크를 행하여 도막을 형성했다. 이 도막의 막두께를 FILMETRICS제 F20을 이용하여 측정했다.
After apply | coating a negative photosensitive resin composition on a silicon wafer using a spin coater, it prebaked on the hotplate for 120 second at the temperature of 100 degreeC, and formed the coating film. The film thickness of this coating film was measured using F20 made from FILMETRICS.
[투과율의 평가][Evaluation of Transmittance]
네가티브형 감광성 수지 조성물을 석영 기판상에 스핀코터를 이용하여 도포한 후, 온도 100℃에서 120초간 핫플레이트상에서 프리베이크를 행하여 도막을 형성했다. 이 도막에 Canon Inc.제 자외선 조사장치 PLA-600FA에 의해 365nm에서의 광강도가 5.5mW/cm2인 자외선을 36초간 조사했다. 이 막을 온도 95℃에서 120초간 핫플레이트상에서 노광후 가열을 행한 후, 온도 230℃에서 30분간 오븐중에서 포스트베이크를 행하여 경화막을 형성했다. 이 경화막을 자외선 가시분광 광도계(Shimadzu Corporation제 SIMADSU UV-2550형번)를 이용하여 400nm의 파장의 투과율을 측정했다.
After apply | coating a negative photosensitive resin composition on a quartz substrate using a spin coater, it prebaked on the hotplate for 120 second at the temperature of 100 degreeC, and formed the coating film. This coating film was irradiated with the ultraviolet-ray with a light intensity of 5.5 mW / cm <2> for 36 second by Canon Inc. ultraviolet irradiation device PLA-600FA. After this film was subjected to post-exposure heating on a hot plate at a temperature of 95 ° C. for 120 seconds, post-baking was carried out in an oven at a temperature of 230 ° C. for 30 minutes to form a cured film. The transmittance | permeability of the wavelength of 400 nm was measured for this cured film using the ultraviolet visible spectrophotometer (SIMADSU UV-2550 model number by Shimadzu Corporation).
[해상도의 평가][Evaluation of resolution]
네가티브형 감광성 수지 조성물을 무알칼리 유리상에 스핀코터를 이용하여 도포한 후, 온도 100℃에서 120초간 핫플레이트상에서 프리베이크를 행하여 도막을 형성했다. 이 도막에 Canon Inc.제 자외선 조사장치 PLA-600FA에 의해 365nm에서의 광강도가 5.5mW/cm2의 자외선을 라인&스페이스 패턴의 마스크를 개재하여 190mJ/cm2 조사했다. 그 후 온도 95℃에서 120초간 핫플레이트상에서 노광후 가열을 행했다. 그 후 1.0질량%의 수산화 테트라메틸암모늄(이하, TMAH라고 칭함) 수용액에 60초간 침지함으로써 현상을 행한 후, 초순수로 20초간 유수 세정을 행함으로써 패턴을 형성했다. 제작한 패턴을 230℃의 오븐에서 30분 소성한 것에 대하여 SEM 관찰하고, 패턴의 선폭이 마스크의 선폭과 일치하는 최소 패턴 사이즈를 해상도로 했다.
After apply | coating a negative photosensitive resin composition on the alkali free glass using a spin coater, it prebaked on the hotplate for 120 second at the temperature of 100 degreeC, and formed the coating film. This coating film was irradiated with 190 mJ / cm <2> of ultraviolet-rays of 5.5 mW / cm < 2 > in 365 nm through the mask of a line & space pattern by the ultraviolet-ray irradiator PLA-600FA by Canon Inc .. Thereafter, post-exposure heating was performed on a hot plate at a temperature of 95 ° C. for 120 seconds. After developing for 60 seconds by immersing in 1.0 mass% tetramethylammonium hydroxide (it is hereafter called TMAH) aqueous solution for 60 second, the pattern was formed by performing 20-second water flow washing with ultrapure water. SEM observation of the produced pattern in 30 degreeC baking at 230 degreeC was carried out, and the minimum pattern size which the line width of a pattern matches the line width of a mask was made into the resolution.
[잔막율의 평가][Evaluation of Residual Rate]
네가티브형 감광성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼상에 스핀코터를 이용하여 도포한 후, 온도 100℃에서 120초간 핫플레이트상에서 프리베이크를 행하여 도막을 형성했다. 이 도막에 Canon Inc.제 자외선 조사장치 PLA-600FA에 의해 365nm에서의 광강도가 5.5mW/cm2인 자외선을 36초간 조사했다. 이 막을 온도 95℃에서 120초간 핫플레이트상에서 노광후 가열을 행한 후, 온도 230℃에서 30분간 오븐중에서 포스트베이크를 행하여 경화막을 형성했다. 포스트베이크 후의 막두께를 FILMETRICS제 F20을 이용하여 측정했다. 잔막율은 (포스트베이크후 막두께/프리베이크후 막두께) X100으로서 계산했다.
After apply | coating a negative photosensitive resin composition on a silicon wafer using a spin coater, it prebaked on the hotplate for 120 second at the temperature of 100 degreeC, and formed the coating film. This coating film was irradiated with the ultraviolet-ray with a light intensity of 5.5 mW / cm <2> for 36 second by Canon Inc. ultraviolet irradiation device PLA-600FA. After this film was subjected to post-exposure heating on a hot plate at a temperature of 95 ° C. for 120 seconds, post-baking was carried out in an oven at a temperature of 230 ° C. for 30 minutes to form a cured film. The film thickness after postbaking was measured using F20 made from FILMETRICS. The residual film ratio was calculated as (X100 after post-baking / film thickness after pre-baking).
[평가의 결과][Results of evaluation]
이상의 평가를 행한 결과를 다음의 표 2에 나타낸다.
The results of the above evaluation are shown in Table 2 below.
[표 2][Table 2]
표 2에 나타낸 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 7의 네가티브형 감광성 수지 조성물은 모두 저점도임에도 불구하고 후막에서의 도포가 가능하며, 후막이어도 높은 투과율과 해상도를 유지하고 있었다. 또한, 포스트베이크까지 행한 후의 잔막율은 모두 95% 이상으로 매우 높고, 즉, 막의 쉬링크가 작았다.As can be seen from the results shown in Table 2, although the negative photosensitive resin compositions of Examples 1 to 7 were all low-viscosity, coating was possible in a thick film, and even a thick film maintained high transmittance and resolution. In addition, the remaining film rate after the post-baking was all very high, 95% or more, that is, the shrinkage of the film was small.
비교예 1에 대해서는, 동일한 정도의 점도에서도 후막화하지 못하고, 포스트베이크 후의 잔막율도 90% 이하로 낮았다. 비교예 2에 대해서는 프리베이크 후에 택이 들어가, 알칼리 현상액으로 현상할 수도 없었다. 또한, 말레이미드로서 N-치환 말레이미드(시클로헥실말레이미드)를 사용한 비교예 3의 네가티브형 감광성 수지 조성물도 알칼리 현상액으로의 현상을 행할 수 없었다. 또한, (B)성분의 광산 발생제에 대신하여 광래디컬 개시제 IRGACURE 369를 사용하고, (C)성분의 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물에 대신하여 DPHA(디펜타에리스리톨펜타/헥사아크릴레이트)를 사용한 비교예 4의 네가티브형 감광성 수지 조성물은, 현상시의 막감소가 매우 커 양호한 해상도를 얻을 수 없었다.
In Comparative Example 1, the film was not thickened even at the same viscosity, and the residual film rate after the postbaking was also low at 90% or less. In Comparative Example 2, the tack entered after prebaking and could not be developed with an alkaline developer. Moreover, the negative photosensitive resin composition of the comparative example 3 which used N-substituted maleimide (cyclohexyl maleimide) as maleimide also could not develop in alkaline developing solution. In addition, the photoradical initiator IRGACURE 369 was used instead of the photo-acid generator of (B) component, and DPHA (dipentaerythritol penta / hexaacrylate) was used instead of the compound which has two or more epoxy groups of (C) component. As for the negative photosensitive resin composition of the comparative example 4, the film | membrane reduction at the time of image development was very large, and favorable resolution was not able to be obtained.
[산업상의 이용가능성][Industrial Availability]
본 발명에 의한 네가티브형 감광성 수지 조성물은, 박막 트랜지스터(TFT)형 액정표시소자, 유기EL소자, 터치패널소자 등의 각종 디스플레이에서의 보호막, 평탄화막, 절연막 등의 경화막을 형성하는 재료로서 적합하며, 특히, TFT형 액정소자의 층간절연막, 칼라필터의 보호막, 어레이 평탄화막, 정전용량식 터치패널의 층간절연막, 유기EL소자의 절연막, 디스플레이 표면 반사방지층으로서의 구조체 시트 등을 형성하는 재료로서도 적합하다.
The negative photosensitive resin composition according to the present invention is suitable as a material for forming cured films such as protective films, planarization films, and insulating films in various displays such as thin film transistor (TFT) type liquid crystal display devices, organic EL devices, and touch panel devices. In particular, it is also suitable as a material for forming an interlayer insulating film of a TFT type liquid crystal element, a protective film of a color filter, an array planarization film, an interlayer insulating film of a capacitive touch panel, an insulating film of an organic EL element, a structure sheet as a display surface antireflection layer, and the like. .
Claims (6)
(A)성분: 적어도 (i)말레이미드와 (ii)에폭시기를 가지는 모노머를 포함한 모노머 혼합물을 공중합한 아크릴 공중합체,
(B)성분: 광산 발생제,
(C)성분: 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물,
(D)성분: 용제.
The photosensitive resin composition containing following (A) component, (B) component, (C) component, and (D) component.
(A) component: The acrylic copolymer which copolymerized the monomer mixture containing the monomer which has at least (i) maleimide and (ii) epoxy group,
(B) component: photo-acid generator,
(C) component: the compound which has two or more epoxy groups,
(D) component: A solvent.
(E)성분으로서 증감제를 추가로 상기 감광성 수지 조성물 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부 함유하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition which contains 0.1-10 mass parts of sensitizers as (E) component further with respect to 100 mass parts of said photosensitive resin compositions.
(F)성분으로서, 아민 화합물을 추가로 상기 감광성 수지 조성물의 총질량에 기초하여 1질량% 이하 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The photosensitive resin composition which contains 1 mass% or less as (F) component further based on the gross mass of the said photosensitive resin composition.
The cured film obtained using the photosensitive resin composition of any one of Claims 1-3.
The interlayer insulation film for liquid crystal displays which consists of a cured film of Claim 4.
The optical filter which consists of a cured film of Claim 4.
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