KR20140015432A - Silver alloy sputtering target for forming electroconductive film, and method for manufacture same - Google Patents

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KR20140015432A
KR20140015432A KR1020137026129A KR20137026129A KR20140015432A KR 20140015432 A KR20140015432 A KR 20140015432A KR 1020137026129 A KR1020137026129 A KR 1020137026129A KR 20137026129 A KR20137026129 A KR 20137026129A KR 20140015432 A KR20140015432 A KR 20140015432A
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소헤이 노나카
쇼조 고미야마
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미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
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Abstract

타깃의 대형화에 수반하여, 타깃에 대전력이 투입되어도 스플래시를 억제할 수 있음과 함께, 내식성 및 내열성이 우수하고, 저전기 저항의 막을 형성할 수 있는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법을 제공한다.
도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃이, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금, 또는 추가로 In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛, 또는 In 을 함유하는 경우 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이다.With the increase in the size of the target, a silver alloy sputtering target for forming a conductive film capable of suppressing the splash even when a large power is applied to the target, and excellent in corrosion resistance and heat resistance and capable of forming a film of low electrical resistance, and its manufacture Provide a method.
The silver alloy sputtering target for conductive film formation contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, and the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity, or further In: It consists of silver alloy which has a component composition containing 0.1-1.5 mass%, and when the average particle diameter of the crystal grain of a silver alloy is 120-400 micrometers, or contains In, it is 120-250 micrometers, and the variation of the particle size of a crystal grain is an average particle diameter Is 20% or less.

Description

도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법{SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING ELECTROCONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURE SAME}Silver alloy sputtering target for conductive film formation, and its manufacturing method {SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING ELECTROCONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURE SAME}

본 발명은, 유기 EL 소자의 반사 전극막이나 터치 패널의 배선막 등의 도전성 막을 형성하기 위한 은 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 대형의 은 합금 스퍼터링 타깃에 관한 것이다.The present invention relates to a silver alloy sputtering target for forming a conductive film such as a reflective electrode film of an organic EL element or a wiring film of a touch panel, and a method of manufacturing the same. More specifically, it relates to a large silver alloy sputtering target.

유기 EL 소자는, 유기 EL 발광층의 양측에 형성한 양극과 음극 사이에 전압을 인가하여, 양극으로부터 정공을, 음극으로부터 전자를 각각 유기 EL 막에 주입하고, 유기 EL 발광층에서 정공과 전자가 결합할 때에 발광하는 원리를 사용하는 발광 소자로, 디스플레이 디바이스용으로서 최근 매우 주목받고 있다. 이 유기 EL 소자의 구동 방식에는, 패시브 매트릭스 방식과 액티브 매트릭스 방식이 있다. 이 액티브 매트릭스 방식은, 화소 하나에, 하나 이상의 박막 트랜지스터를 형성함으로써 고속으로 스위칭할 수 있으므로, 고콘트라스트비, 고정세화에 유리해져, 유기 EL 소자의 특징을 발휘할 수 있는 구동 방식이다.The organic EL device applies a voltage between the anode and the cathode formed on both sides of the organic EL light emitting layer, injects holes from the anode and electrons from the cathode into the organic EL film, respectively, and the holes and electrons are combined in the organic EL light emitting layer. BACKGROUND ART As a light emitting element using the principle of emitting light at the time, it is very much attracting attention recently for display devices. The driving method of this organic EL element includes a passive matrix method and an active matrix method. This active matrix system is a drive system that can switch at high speed by forming one or more thin film transistors in one pixel, which is advantageous for high contrast ratio and high definition, and can exhibit the characteristics of the organic EL element.

또, 광의 취출 방식에는, 투명 기판측으로부터 광을 취출하는 보텀 이미션 방식과, 기판과는 반대측으로 광을 취출하는 톱 이미션 방식이 있고, 개구율이 높은 탑 이미션 방식이 고휘도화에 유리하다.The light extraction method includes a bottom emission method for extracting light from the transparent substrate side and a top emission method for extracting light toward the opposite side of the substrate, and a high emission ratio top emission method is advantageous for high luminance. .

도 2 에, 반사 전극을 양극으로 하는 탑 이미션 구조의 층 구성의 예를 나타낸다. 여기서, 반사 전극막 (도 2 에서는, 「반사 양극막」이라고 기재하였다) 은, 유기 EL 막에서 발광한 광을 효율적으로 반사시키기 위해서, 고반사율이고 내식성이 높은 것이 바람직하다. 또, 전극으로서 저저항인 것도 바람직하다. 그러한 재료로서, Ag 합금 및 Al 합금이 알려져 있지만, 보다 고휘도의 유기 EL 소자를 얻기 위해서는, 가시광 반사율이 높은 점에서 Ag 합금이 우수하다. 여기서, 유기 EL 소자에 대한 반사 전극막의 형성에는, 스퍼터링법이 채용되고 있고, 은 합금 스퍼터링 타깃이 사용되고 있다 (특허문헌 1).2, the example of the laminated constitution of the top emission structure which makes a reflective electrode an anode is shown. Here, the reflective electrode film (described as a “reflective anode film” in FIG. 2) is preferably high reflectance and high corrosion resistance in order to efficiently reflect light emitted from the organic EL film. Moreover, it is preferable that it is low resistance as an electrode. As such a material, an Ag alloy and an Al alloy are known, but in order to obtain a higher luminance organic EL device, the Ag alloy is superior in view of high visible light reflectance. Here, sputtering method is employ | adopted for formation of the reflective electrode film with respect to organic electroluminescent element, and the silver alloy sputtering target is used (patent document 1).

또, 유기 EL 소자용 반사 전극막 외에, 터치 패널의 인출 배선 등의 도전성 막에도, Ag 합금막이 검토되고 있다. 이와 같은 배선막으로서, 예를 들어 순 Ag 를 사용하면, 마이그레이션이 발생하여 단락 불량이 잘 발생하게 되기 때문에, Ag 합금막의 채용이 검토되고 있다.Moreover, Ag alloy film is examined also in electroconductive films, such as the lead-out wiring of a touch panel, in addition to the reflective electrode film for organic EL elements. For example, when pure Ag is used as such a wiring film, migration occurs and short-circuit defects tend to occur. Therefore, the adoption of an Ag alloy film has been studied.

국제 공개 제2002/077317호International Publication No. 2002/077317

그러나, 상기 종래의 기술에 있어서도, 이하의 과제가 남아 있다.However, the following subjects remain also in the said prior art.

즉, 유기 EL 소자 제조시의 유리 기판의 대형화에 수반하여, 반사 전극막 형성에 사용되는 은 합금 타깃도 대형인 것이 사용되게 되고 있다. 여기서, 대형의 타깃에 높은 전력을 투입하여 스퍼터를 실시할 때에는, 타깃의 이상 방전에 의해 발생하는 「스플래시」라고 불리는 현상이 발생하여, 용융된 미립자가 기판에 부착되어 배선이나 전극 간을 쇼트시키거나 함으로써, 유기 EL 소자의 수율을 저하시킨다는 문제가 있다. 탑 이미션 방식의 유기 EL 소자의 반사 전극막에서는, 유기 EL 발광층의 하지층이 되기 때문에, 보다 높은 평탄성이 요구되고 있어, 보다 스플래시를 억제할 필요가 있었다. 또, 유기 EL 소자의 반사 전극막으로는 높은 반사율이 요망됨과 함께, 유기 EL 소자의 반사 전극막 및 터치 패널의 배선막 등의 도전성 막으로는, 양호한 막의 내식성 및 내열성이나 낮은 전기 저항이 요구되고 있다.That is, with the enlargement of the glass substrate at the time of organic electroluminescent element manufacture, the thing with the large silver alloy target used for forming a reflective electrode film is used. Here, when sputtering by applying high power to a large target, a phenomenon called "splash" generated by abnormal discharge of the target occurs, and the molten fine particles adhere to the substrate to short the wirings or the electrodes. By doing so, there is a problem of lowering the yield of the organic EL device. In the reflective electrode film of the top emission type organic electroluminescent element, since it becomes an underlayer of organic electroluminescent layer, higher flatness was calculated | required and it was necessary to suppress splash more. In addition, a high reflectance is desired as the reflective electrode film of the organic EL element, and a conductive film such as the reflective electrode film of the organic EL element and the wiring film of the touch panel is required to have good corrosion resistance, heat resistance and low electrical resistance. have.

본 발명은, 전술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 타깃의 대형화에 수반하여, 타깃에 대전력이 투입되어도 스플래시를 억제할 수 있음과 함께, 내식성 및 내열성이 우수하고, 저전기 저항의 막을 형성할 수 있는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and with the increase in size of the target, the splash can be suppressed even when a large power is applied to the target, and the film having excellent corrosion resistance and heat resistance and low electrical resistance can be formed. An object of the present invention is to provide a silver alloy sputtering target for forming a conductive film and a method for producing the same.

본 발명자들은, 특정한 제조 방법에 의해, 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 결정립의 평균 입경을 120 ∼ 400 ㎛ 로 함으로써, 대전력이 투입되어도 스플래시를 억제할 수 있는 것을 알아내었다. 또, Ag 에, 적당량의 Ga 나 Sn 을 첨가함으로써, 막의 내식성 및 내열성을 향상시킬 수 있는 것을 알아내었다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor discovered by the specific manufacturing method that the average particle diameter of the crystal grain of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation can be 120-400 micrometers, and even if a large electric power is thrown in, splash can be suppressed. In addition, it was found that by adding an appropriate amount of Ga or Sn to Ag, the corrosion resistance and heat resistance of the film can be improved.

또, 본 발명자들은, Ag 에 적당량의 In 및, Ga 나 Sn 을 첨가하고, 결정립의 평균 입경을 120 ∼ 250 ㎛ 로 함으로써, 대전력이 투입되어도 스플래시를 억제할 수 있는 것도 알아내었다.The present inventors also found that by adding an appropriate amount of In and Ga or Sn to Ag and setting the average grain size of the crystal grains to 120 to 250 µm, the splash can be suppressed even when a large power is applied.

따라서, 본 발명은, 상기 지견으로부터 얻어진 것으로, 상기 과제를 해결하기 위해서 이하의 구성을 채용하였다. 제 1 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 한다.Therefore, this invention was obtained from the said knowledge, and the following structures were employ | adopted in order to solve the said subject. The silver alloy sputtering target for conductive film formation which concerns on 1st invention contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 or 2 types of Ga and Sn, and is a silver alloy which has a component composition which remainder consists of Ag and an unavoidable impurity. It is comprised, The average particle diameter of the crystal grain of the said silver alloy is 120-400 micrometers, The variation of the particle diameter of the said crystal grain is characterized by being 20% or less of the average particle diameter.

이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에서는, 상기 함유량 범위의 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 그 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이므로, 스퍼터 중에 대전력을 투입해도, 이상 방전을 억제하고, 스플래시의 발생을 억제할 수 있다. 또, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 스퍼터함으로써, 양호한 내식성 및 내열성을 갖고, 더욱 낮은 전기 저항의 도전성 막을 얻을 수 있다.In this silver alloy sputtering target for conductive film formation, it is composed of a silver alloy containing one or two of Ga and Sn in the above-described content range, the balance being composed of Ag and unavoidable impurities, and the crystal grain of the silver alloy Since the average particle diameter of is 120-400 micrometers, and the variation of the particle size of a crystal grain is 20% or less of an average particle diameter, even if a large electric power is put into a sputter | spatter, abnormal discharge can be suppressed and generation | occurrence | production of a splash can be suppressed. Moreover, by sputtering using this silver alloy sputtering target for electroconductive film formation, the electroconductive film of favorable electrical resistance and heat resistance, and a lower electrical resistance can be obtained.

제 2 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에서는, Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 상기 범위에서 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화를 더욱 억제할 수 있음과 함께, 막의 부식에 의한 반사율 저하를 더욱 억제할 수 있다.The silver alloy sputtering target for conductive film formation which concerns on 2nd invention contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, and also adds 1 type or 2 types in Cu and Mg in total. It contains 1.0 mass% or less, and remainder is comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity, The average particle diameter of the crystal grain of the said silver alloy is 120-400 micrometers, The variation of the particle diameter of the said crystal grain is 20 of an average particle diameter. It is characterized by being% or less. That is, in this silver alloy sputtering target for electroconductive film formation, since 1 type or 2 types of Cu and Mg are contained in the said range, coarsening of a crystal grain can be suppressed further and the reflectance fall by corrosion of a film is suppressed. It can be further suppressed.

제 3 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에서는, Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 상기 범위에서 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화를 더욱 억제할 수 있음과 함께, 막의 부식에 의한 반사율 저하를 더욱 억제할 수 있다.The silver alloy sputtering target for conductive film formation which concerns on 3rd invention contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types in Ga, Sn, and also adds 1 type or 2 types in Ce and Eu in total. It contains 0.8 mass% or less, the remainder is comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity, The average particle diameter of the crystal grain of the said silver alloy is 120-400 micrometers, The variation of the particle size of the said crystal grain is 20 of an average particle diameter. It is characterized by being% or less. That is, in the silver alloy sputtering target for forming the conductive film, since one or two of Ce and Eu are contained in the above range, coarsening of crystal grains can be further suppressed, and the reflectance decrease due to corrosion of the film is suppressed. It can be further suppressed.

제 4 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 한다.The silver alloy sputtering target for conductive film formation which concerns on 4th invention contains In: 0.1-1.5 mass%, Furthermore, it contains 0.1-1.5 mass% in total by 1 or 2 types of Ga and Sn, It is comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of addition Ag and an unavoidable impurity, It is characterized by the average particle diameter of the crystal grain of the said silver alloy being 120-250 micrometers, and the variation of the particle diameter of the said crystal grain being 20% or less of an average particle diameter.

이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에서는, 상기 함유량 범위의 In 과, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 그 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이므로, 스퍼터 중에 대전력을 투입해도, 이상 방전을 억제하고, 스플래시의 발생을 억제할 수 있다. 또, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 스퍼터함으로써, 양호한 내식성 및 내열성을 갖고, 더욱 낮은 전기 저항의 도전성 막을 얻을 수 있다.In this silver alloy sputtering target for conductive film formation, In is composed of a silver alloy containing In and Ga or Sn in the above-described content range, the balance being a component composition of Ag and unavoidable impurities. Since the average particle diameter of the crystal grains of an alloy is 120-250 micrometers, and the variation of the particle size of a crystal grain is 20% or less of an average particle diameter, even if a large electric power is put into a sputter | spatter, abnormal discharge can be suppressed and generation | occurrence | production of a splash can be suppressed. Moreover, by sputtering using this silver alloy sputtering target for electroconductive film formation, the electroconductive film of favorable electrical resistance and heat resistance, and a lower electrical resistance can be obtained.

제 5 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에서는, Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 상기 범위에서 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화를 더욱 억제할 수 있음과 함께, 막의 부식에 의한 반사율 저하를 더욱 억제할 수 있다.The silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 5th invention contains In: 0.1-1.5 mass%, Furthermore, in 1 type or 2 types in Ga and Sn, in 0.1-1.5 mass% and Cu, Mg in total It contains 1.0 mass% or less in total of 1 type or 2 types, and remainder is comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity, The average particle diameter of the crystal grain of the said silver alloy is 120-250 micrometers, The said crystal grain It is characterized by the dispersion | variation in the particle diameter of 20% or less of the average particle diameter. That is, in this silver alloy sputtering target for electroconductive film formation, since 1 type or 2 types of Cu and Mg are contained in the said range, coarsening of a crystal grain can be suppressed further and the reflectance fall by corrosion of a film is suppressed. It can be further suppressed.

제 6 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에서는, Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 상기 범위에서 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화를 더욱 억제할 수 있음과 함께, 막의 부식에 의한 반사율 저하를 더욱 억제할 수 있다.The silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 6th invention contains In: 0.1-1.5 mass%, and further in 0.1-1.5 mass% and Ce, Eu in 1 type or 2 types in Ga and Sn in total It contains 0.8 mass% or less in total of 1 type or 2 types, and remainder is comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity, The average grain diameter of the crystal grain of the said silver alloy is 120-250 micrometers, The said crystal grain It is characterized by the dispersion | variation in the particle diameter of 20% or less of the average particle diameter. That is, in the silver alloy sputtering target for forming the conductive film, since one or two of Ce and Eu are contained in the above range, coarsening of crystal grains can be further suppressed, and the reflectance decrease due to corrosion of the film is suppressed. It can be further suppressed.

제 7 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, 제 1 내지 제 6 발명 중 어느 하나에 있어서, 타깃 표면이, 0.25 ㎡ 이상의 면적을 가지고 있는 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에서는, 대형의 스퍼터링 타깃의 경우에 바람직하고, 상기 효과가 현저하게 얻어진다.As for the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 7th invention, in any one of 1st-6th invention, the target surface has an area of 0.25 m <2> or more. That is, in this silver alloy sputtering target for electroconductive film formation, it is preferable in the case of a large sputtering target, and the said effect is acquired remarkably.

제 8 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 제 1 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하므로, 대형의 타깃이라고 해도 결정립의 입경의 편차를 평균 입경의 20 ％ 이하로 할 수 있다.The manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 8th invention is a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for 1st conductive film formation, Comprising: 0.1-1.5 mass in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn. The process of repeating hot upset forging 6-20 times, the process of cold rolling, the process of heat processing, and the process of machining a molten casting ingot which contains% and whose balance consists of Ag and an unavoidable impurity are this order. Characterized in that performed. That is, in this manufacturing method of the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation, since hot upset forging is repeated 6-20 times, even if it is a large target, the variation of the particle size of a crystal grain can be made into 20% or less of an average particle diameter.

제 9 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 제 2 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 있어서, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.5 질량％ 이하 함유하고, 추가로 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 용해 주조 잉곳이, 추가로 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화가 더욱 억제된 상기 제 2 발명의 은 합금 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다.As for the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 9th invention, in the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for 2nd electroconductive film formation, 1 mass or 2 types of Ga and Sn are 1.5 mass% or less in total. The molten cast ingot containing 1.0 mass% or less in total of 1 type or 2 types in Cu and Mg, and remainder which consists of Ag and an unavoidable impurity is repeated 6-20 times of hot upset forging. The step of performing a cold rolling, the step of heat treatment, and the step of machining are performed in this order. That is, in this manufacturing method of the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation, since a molten casting ingot contains 1.0 mass% or less in total of 1 type or 2 types of Cu and Mg further, coarsening of a crystal grain is further suppressed. The obtained silver alloy sputtering target of the said 2nd invention can be obtained.

제 10 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 제 3 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 있어서, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.5 질량％ 이하 함유하고, 추가로 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 용해 주조 잉곳이, 추가로 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화가 더욱 억제된 상기 제 3 발명의 은 합금 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다.As for the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 10th invention, in the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for 3rd conductive film formation, 1.5 mass% or less in total is 1 type or 2 types of Ga and Sn. And hot-set up forging 6 to 20 times by repeating a melt casting ingot containing 0.8 mass% or less of a total of one or two of Ce and Eu in total, and having a balance of Ag and inevitable impurities. The step of performing a cold rolling, the step of heat treatment, and the step of machining are performed in this order. That is, in this manufacturing method of the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation, since melt-casting ingot contains 0.8 mass% or less in total of 1 type or 2 types in Ce and Eu further, coarsening of a crystal grain is further suppressed. The obtained silver alloy sputtering target of the said 3rd invention can be obtained.

제 11 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 제 4 발명의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하므로, 대형의 타깃이라고 해도 결정립의 입경의 편차를 평균 입경의 20 ％ 이하로 할 수 있다.The manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 11th invention is a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of 4th invention, Comprising: In: 0.1-1.5 mass%, It further contains Ga , A process of repeating hot upset forging 6 to 20 times by melting molten casting ingot containing 0.1 to 1.5% by mass in total of one kind or two kinds of Sn and having a balance composed of Ag and unavoidable impurities; The rolling process, the heat treatment process, and the machining process are performed in this order. That is, in this manufacturing method of the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation, since hot upset forging is repeated 6-20 times, even if it is a large target, the variation of the particle size of a crystal grain can be made into 20% or less of an average particle diameter.

제 12 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 제 5 발명의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 용해 주조 잉곳이, 추가로 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화가 더욱 억제된 상기 제 5 발명의 은 합금 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다.The manufacturing method of the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 12th invention is a method of manufacturing the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation of 5th invention, Comprising: In: 0.1-1.5 mass%, It further contains Ga Melt casting having a component composition of 0.1 to 1.5 mass% in total of one kind or two kinds of Sn and 1.0 mass% or less in total of one kind or two kinds of Cu and Mg, and the balance of Ag and inevitable impurities The ingot is characterized in that the steps of repeating the hot upset forging 6 to 20 times, the cold rolling step, the heat treatment step, and the machining step are performed in this order. That is, in this manufacturing method of the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation, since a molten casting ingot contains 1.0 mass% or less in total of 1 type or 2 types of Cu and Mg further, coarsening of a crystal grain is further suppressed. The obtained silver alloy sputtering target of the said 5th invention can be obtained.

제 13 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 제 6 발명의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 용해 주조 잉곳이, 추가로 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유하고 있으므로, 결정립의 조대화가 더욱 억제된 상기 제 6 발명의 은 합금 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다.The manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 13th invention is a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of 6th invention, Comprising: In: 0.1-1.5 mass%, It further contains Ga Melt casting having 0.1 to 1.5 mass% in total of one or two species of Sn and 0.8 mass% or less in total of one or two species of Ce and Eu, with the balance being Ag and unavoidable impurities The ingot is characterized in that the steps of repeating the hot upset forging 6 to 20 times, the cold rolling step, the heat treatment step, and the machining step are performed in this order. That is, in this manufacturing method of the silver-alloy sputtering target for electroconductive film formation, since melt-casting ingot contains 0.8 mass% or less in total of 1 type or 2 types in Ce and Eu further, coarsening of a crystal grain is further suppressed. The silver alloy sputtering target of the said 6th invention can be obtained.

제 14 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 제 8 내지 13 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 열간의 업셋 단조의 온도가, 750 ∼ 850 ℃ 인 것을 특징으로 한다. 즉, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 열간의 업셋 단조의 온도가 750 ∼ 850 ℃ 이므로, 결정립의 입경의 편차를 평균 입경의 20 ％ 이하로 할 수 있음과 함께, 결정립의 평균 입경을 400 ㎛ 이하로 할 수 있다. 또한, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, 결정립의 평균 입경을 250 ㎛ 이하로 할 수 있다.As for the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on 14th invention, the temperature of the said hot upset forging is 750-850 degreeC in any one of 8th-13th invention. That is, in the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation, since the temperature of hot upset forging is 750-850 degreeC, the variation of the particle size of a crystal grain can be made into 20% or less of an average particle diameter, The average particle diameter can be 400 micrometers or less. Moreover, in the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation containing In: 0.1-1.5 mass%, the average particle diameter of a crystal grain can be 250 micrometers or less.

본 발명에 의하면, 이하의 효과를 발휘한다. 본 발명의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에 의하면, 상기 함유량 범위의 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 함유한 은 합금으로 구성되고, 그 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이므로, 스퍼터 중의 스플래시의 발생을 억제할 수 있음과 함께, 양호한 내식성 및 내열성을 갖고, 낮은 전기 저항의 도전성 막을 얻을 수 있다. 또, 본 발명의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에 의하면, 상기 함유량 범위의 In 과, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 함유한 은 합금으로 구성되고, 그 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이므로, 스퍼터 중의 스플래시의 발생을 억제할 수 있음과 함께, 양호한 내식성 및 내열성을 갖고, 낮은 전기 저항의 도전성 막을 얻을 수 있다. 또, 본 발명의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 의하면, 대형 타깃이라고 해도 스플래시의 발생을 억제할 수 있어, 양호한 도전성 막을 성막할 수 있는 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조할 수 있다.According to this invention, the following effects are exhibited. According to the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this invention, it is comprised from the silver alloy containing 1 type or 2 types of Ga and Sn of the said content range, and the average particle diameter of the crystal grain of this silver alloy is 120-400 micrometers, Since the dispersion | variation in the particle diameter of a crystal grain is 20% or less of an average particle diameter, generation | occurrence | production of the splash in a sputter | spatter can be suppressed, it can have a favorable corrosion resistance and heat resistance, and the electrically conductive film of low electrical resistance can be obtained. Moreover, according to the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this invention, it is comprised from In of the said content range, and the silver alloy containing 1 type or 2 types of Ga and Sn, and the average particle diameter of the crystal grain of this silver alloy is Since it is 120-250 micrometers, and the dispersion | variation in the particle size of a crystal grain is 20% or less of an average particle diameter, generation | occurrence | production of the splash in a sputter | spatter can be suppressed, and it can obtain the electroconductive film of favorable electrical resistance and heat resistance, and low electrical resistance. Moreover, according to the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this invention, even if it is a large target, generation | occurrence | production of a splash can be suppressed and the silver alloy sputtering target which can form a favorable electroconductive film can be manufactured.

도 1 은, 본 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서, 열간 단조의 방법을 나타내는 설명도이다.
도 2 는, 반사 전극을 양극으로 하는 탑 이미션 구조의 유기 EL 소자를 나타내는 간이적인 층 구성도이다.1: is explanatory drawing which shows the method of hot forging in one Embodiment of the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for conductive film formation which concerns on this invention.
FIG. 2 is a simplified layer configuration diagram showing an organic EL element having a top emission structure using a reflective electrode as an anode.

이하, 본 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법의 일 실시형태를 도 1 을 참조하면서 설명한다. 또한, ％ 는 특별히 언급하지 않는 한, 또 수치 고유의 경우를 제외하고 질량％ 이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of the silver alloy sputtering target for conductive film formation which concerns on this invention, and its manufacturing method is demonstrated, referring FIG. In addition, unless otherwise indicated,% is mass% except the case where a numerical value is intrinsic.

본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립(이하, 은 합금 결정립이라고 칭한다) 의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이다.The silver alloy sputtering target for conductive film formation of this embodiment contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, and is comprised from the silver alloy which has a component composition which remainder consists of Ag and an unavoidable impurity. The average particle diameter of the crystal grains of the silver alloy (hereinafter referred to as silver alloy crystal grains) is 120 to 400 µm, and the variation in the particle diameter of the crystal grains is 20% or less of the average particle diameter.

또, 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되어 있어도 상관없다. 또, Cu, Mg 대신, Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유해도 상관없다.Moreover, the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types in Ga, Sn, and also adds 1 type or 2 types in Cu and Mg further. It may contain 1.0 mass% or less, and remainder may be comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity. Moreover, you may contain 0.8 mass% or less of 1 type or 2 types in total of Ce and Eu instead of Cu and Mg.

또, 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립 (이하, 은 합금 결정립이라고 칭한다) 의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이다.Moreover, the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment contains In: 0.1-1.5 mass%, and also contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types in Ga and Sn, The remainder is composed of a silver alloy having a component composition composed of Ag and unavoidable impurities, the average grain size of the grains of the silver alloy (hereinafter referred to as silver alloy grains) is 120 to 250 µm, and the variation in the grain size of the grains is the average grain size. Is 20% or less.

또, 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되어 있어도 상관없다. 또, Cu, Mg 대신, Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유해도 상관없다.Moreover, the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment contains In: 0.1-1.5 mass%, and further 0.1-1.5 mass% and Cu, Mg in total 1 type or 2 types in Ga and Sn are further included. It may contain 1.0 mass% or less in total of 1 type or 2 types of, and the remainder may be comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity. Moreover, you may contain 0.8 mass% or less of 1 type or 2 types in total of Ce and Eu instead of Cu and Mg.

본 실시형태의 스퍼터링 타깃은, 타깃 표면 (타깃의 스퍼터링에 제공되는 측의 면) 이, 0.25 ㎡ 이상의 면적을 갖고, 사각형 타깃의 경우에는, 적어도 한 변이 500 ㎜ 이상이고, 길이의 상한은, 타깃의 핸들링의 관점에서, 2500 ㎜ 가 바람직하다. 한편, 폭의 상한은, 냉간 압연 공정에서 사용하는 압연기로 일반적으로 압연 가능한 사이즈의 상한의 관점에서, 1700 ㎜ 가 바람직하다. 또, 타깃의 교환 빈도의 관점에서, 타깃의 두께는, 6 ㎜ 이상이 바람직하고, 마그네트론 스퍼터의 방전 안정성의 관점에서, 20 ㎜ 이하가 바람직하다.As for the sputtering target of this embodiment, the target surface (surface of the side provided to the sputtering of a target) has an area of 0.25 m <2> or more, and in the case of a rectangular target, at least one side is 500 mm or more, and the upper limit of a length is a target In view of the handling of 2,500 mm is preferable. On the other hand, as for the upper limit of a width | variety, 1700 mm is preferable from a viewpoint of the upper limit of the size which can be generally rolled by the rolling mill used in a cold rolling process. Moreover, from the viewpoint of the replacement frequency of the target, the thickness of the target is preferably 6 mm or more, and preferably 20 mm or less from the viewpoint of the discharge stability of the magnetron sputter.

상기 Ag 는, 스퍼터에 의해 형성된 유기 EL 소자의 반사 전극막이나 터치 패널의 배선막에 저저항을 부여하는 효과를 갖는다.The Ag has an effect of providing low resistance to the reflective electrode film of the organic EL element formed by the sputter or the wiring film of the touch panel.

상기 Ga, Sn 및 In 은, 타깃의 경도를 향상시키는 효과를 가지므로, 기계 가공시의 휨을 억제할 수 있다. 특히, 타깃 표면이 0.25 ㎡ 이상의 면적을 가진 대형 타깃의 기계 가공시의 휨을 억제할 수 있다. 게다가, Ga, Sn 및 In 의 적당량의 첨가는, 스퍼터에 의해 형성된 도전성 막의 내식성 및 내열성을 향상시키는 효과가 있다. 이것은 Ga, Sn 및 In 이, 막 중의 결정립을 미세화함과 함께, 막의 표면 조도를 작게 하고, 또 Ag 에 고용되어 결정립의 강도를 높여, 열에 의한 결정립의 조대화를 억제하여 막의 표면 조도의 증대를 억제하거나, 막의 부식에 의한 반사율의 저하를 억제하거나 하는 효과를 갖기 때문이다. 따라서, 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막한 반사 전극막 또는 배선막에서는, 막의 내식성 및 내열성이 향상되는 점에서, 유기 EL 소자의 고휘도화나 터치 패널 등의 배선의 신뢰성의 개선에 기여한다.Since Ga, Sn, and In have the effect of improving the hardness of the target, the warping during machining can be suppressed. In particular, the warping at the time of machining a large target having an area of 0.25 m 2 or more on the target surface can be suppressed. In addition, addition of an appropriate amount of Ga, Sn and In has the effect of improving the corrosion resistance and heat resistance of the conductive film formed by sputtering. This makes Ga, Sn, and In finer grains in the film, decreases the surface roughness of the film, increases the strength of the grains by dissolving it in Ag, suppresses coarsening of the crystal grains by heat, and increases the surface roughness of the film. It is because it has an effect which suppresses or suppresses the fall of the reflectance by corrosion of a film | membrane. Therefore, in the reflection electrode film or wiring film formed using the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment, since corrosion resistance and heat resistance of a film are improved, reliability of wiring, such as high brightness of an organic EL element and a touch panel, is improved. Contributes to its improvement.

또한, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종의 합계 함유량을 상기 범위로 한정한 이유는, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계 0.1 질량％ 미만 함유해도, 상기에 기재한 Ga, Sn 을 첨가하는 것에 의한 효과를 얻을 수 없고, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종 이상을 합계 1.5 질량％ 를 초과하여 함유하면, 막의 전기 저항이 증대되거나, 스퍼터에 의해 형성된 막의 내식성이 오히려 저하되거나 하므로 바람직하지 않기 때문이다. 따라서, 막의 조성은, 타깃 조성에 의존하므로, 은 합금 스퍼터링 타깃에 함유되는 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종의 합계의 함유량은, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 로 설정되고, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 1.0 질량％ 로 정하고 있다.In addition, the reason which limited the total content of 1 type or 2 types in Ga and Sn to the said range adds Ga and Sn mentioned above, even if it contains less than 0.1 mass% in total of 1 type or 2 types in Ga, Sn. It is not preferable to obtain an effect by the above, and to contain one or two or more kinds of Ga and Sn in excess of 1.5% by mass in total, since the electrical resistance of the film is increased or the corrosion resistance of the film formed by sputtering is rather deteriorated. Because it does not. Therefore, since the composition of the film depends on the target composition, the content of one or two kinds of Ga and Sn contained in the silver alloy sputtering target is set to 0.1 to 1.5 mass%, more preferably 0.2 to 1.0 It is fixed at mass%.

또, In 의 함유량을 상기 범위로 한정한 이유는, In 을 0.1 질량％ 미만 함유해도, 상기에 기재한 In 을 첨가하는 것에 의한 효과를 얻을 수 없고, In 을 1.5 질량％ 를 초과하여 함유하면, 막의 전기 저항이 증대되거나, 스퍼터에 의해 형성된 막의 내식성이 오히려 저하되거나 하므로 바람직하지 않기 때문이다. 따라서, 막의 조성은, 타깃 조성에 의존하므로, 은 합금 스퍼터링 타깃에 함유되는 In 의 함유량은, 0.1 ∼ 1.5 질량％ 로 설정되고, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 1.0 질량％ 로 정하고 있다.Moreover, the reason which limited content of In to the said range is that even if it contains less than 0.1 mass%, the effect by adding In described above cannot be acquired, and if In contains more than 1.5 mass%, This is because the electrical resistance of the film is increased or the corrosion resistance of the film formed by the sputter is rather deteriorated, which is not preferable. Therefore, since the composition of the film depends on the target composition, the content of In contained in the silver alloy sputtering target is set to 0.1 to 1.5 mass%, and more preferably 0.2 to 1.0 mass%.

상기 Cu, Mg 는 Ag 에 고용되어, 결정립의 조대화를 방지하는 효과가 있다. 특히, 타깃의 대형화에 수반하여, 은 합금 결정립이, 타깃 중에서 부분적으로 조대화되기 쉬워져, 스퍼터 중에서의 스플래시를 유인해 버리기 때문에, Cu, Mg 첨가에 의한 은 합금 결정립의 조대화 억제는, 현저한 효과를 가져온다. 또한, 스퍼터에 의해 형성된 막에 있어서도, 적당량의 Cu, Mg 의 첨가는, 열에 의한 결정립의 조대화를 더욱 억제하여 막의 표면 조도의 증대를 억제하거나, 막의 부식에 의한 반사율의 저하를 더욱 억제하거나 하는 효과를 갖는다.The Cu and Mg are dissolved in Ag and have an effect of preventing coarsening of crystal grains. In particular, with the increase in the size of the target, the silver alloy crystal grains tend to be coarsened partially in the target and attract the splash in the sputter. Therefore, the suppression of the coarsening of the silver alloy crystal grains by addition of Cu and Mg is remarkable. Brings effect. In addition, even in the film formed by sputtering, addition of an appropriate amount of Cu and Mg further suppresses coarsening of crystal grains by heat, thereby suppressing an increase in surface roughness of the film, or further suppressing a decrease in reflectance due to corrosion of the film. Has an effect.

또한, Cu, Mg 의 함유량을 상기 범위로 한정한 이유는, Cu, Mg 중 1 종 또는 2 종 이상을 합계 1.0 질량％ 를 초과하여 함유하면, 스퍼터에 의해 형성된 막의 내식성이 오히려 저하되거나, 막의 전기 저항이 증대되기 때문에, 전극막이나 배선막에 사용하기에는 바람직하지 않기 때문이다. 따라서, 스퍼터에 의해 형성된 막의 조성은, 타깃 조성에 의존하므로, 은 합금 스퍼터링 타깃에 함유되는 Cu, Mg 중 1 종 또는 2 종의 합계의 함유량은, 1.0 질량％ 이하로 설정되고, 보다 바람직하게는 0.3 ∼ 0.8 질량％ 로 정하고 있다.Moreover, the reason which limited content of Cu and Mg to the said range is that when 1 type or 2 or more types of Cu and Mg are contained exceeding 1.0 mass% in total, the corrosion resistance of the film | membrane formed by sputtering rather falls, It is because it is not preferable to use for an electrode film or a wiring film because resistance increases. Therefore, since the composition of the film | membrane formed by sputter | spatter depends on a target composition, content of the 1 type or 2 types of sum total of Cu and Mg contained in a silver alloy sputtering target is set to 1.0 mass% or less, More preferably, It is fixed at 0.3 to 0.8 mass%.

상기 Ce, Eu 는, Ag 와의 사이에 금속간 화합물을 형성하고, 금속간 화합물이 결정립계에 편석되어, 결정립의 조대화를 방지하는 효과가 있다. 특히, 타깃의 대형화에 수반하여, 합금 결정립이, 타깃 중에서 부분적으로 조대화되기 쉬워져, 스퍼터 중에서의 스플래시를 유인해 버리기 때문에, Ce, Eu 첨가에 의한 은 합금 결정립의 조대화 억제는, 현저한 효과를 가져온다. 또한, 스퍼터에 의해 형성된 막에 있어서도, 열에 의한 결정립의 조대화를 더욱 억제하여 막의 표면 조도의 증대를 억제하거나, 막의 부식에 의한 반사율의 저하를 더욱 억제하거나 하는 효과를 갖는다.Ce and Eu form an intermetallic compound with Ag, and the intermetallic compound is segregated at the grain boundaries, thereby preventing coarsening of the crystal grains. In particular, as the size of the target increases, the alloy crystal grains tend to be partially coarsened in the target and attract the splash in the sputter. Therefore, the suppression of the coarsening of the silver alloy crystal grains by the addition of Ce and Eu is a remarkable effect. Bring it. Moreover, also in the film | membrane formed by sputter | spatter, it has the effect of suppressing the coarsening of the crystal grain by heat further, suppressing the increase of the surface roughness of a film, or suppressing the fall of the reflectance by the corrosion of a film further.

또한, Ce, Eu 의 함유량을 상기 범위로 한정한 이유는, Ce, Eu 중 1 종 또는 2 종을 합계 0.8 질량％ 를 초과하여 함유하면, 타깃 조직 중에서, 이들 원소와 Ag 의 금속간 화합물의 석출량이 증대되어, 석출물의 입경이 조대해짐으로써, 스퍼터시의 이상 방전이 증대되기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 스퍼터에 의해 형성된 막의 조성은, 타깃 조성에 의존하므로, 은 합금 스퍼터링 타깃에 함유되는 Ce, Eu 중 1 종 또는 2 종의 합계의 함유량은, 0.8 질량％ 이하로 설정되고, 보다 바람직하게는 0.3 ∼ 0.5 질량％ 로 정하고 있다. 여기서, 상기 Ga, Sn, In, Cu, Mg, Ce, Eu 의 정량 분석은, 유도 결합 플라즈마 분석법 (ICP 법) 에 의해 실시하고 있다.Further, the reason for limiting the content of Ce and Eu to the above range is that if one or two or more of Ce and Eu are contained in excess of 0.8% by mass in total, precipitation of the intermetallic compound of these elements and Ag in the target structure is achieved. Since the amount is increased and the particle size of the precipitate is coarse, the abnormal discharge during sputtering is increased, which is not preferable. Therefore, since the composition of the film formed by sputtering depends on the target composition, the content of one or two kinds of Ce and Eu contained in the silver alloy sputtering target is set to 0.8% by mass or less, more preferably. It is fixed at 0.3 to 0.5 mass%. The quantitative analysis of Ga, Sn, In, Cu, Mg, Ce, Eu is performed by inductively coupled plasma analysis (ICP method).

본 실시형태의 스퍼터링 타깃 중의 은 합금 결정립의 평균 입경은, 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 바람직하게는 150 ∼ 350 ㎛ 이다. 은 합금 결정립의 평균 입경을 상기 범위로 한정한 이유는, 평균 입경이 120 ㎛ 보다 작으면 결정 입경의 편차가 커지고, 대전력의 스퍼터 중에 이상 방전이 발생하기 쉬워져, 스플래시가 발생하게 되기 때문이다. 한편, 평균 입경이 400 ㎛ 보다 커지면, 타깃이 스퍼터에 의해 소모됨에 따라, 각각의 결정립의 결정 방위의 차이에 의한 스퍼터 레이트의 차에서 기인하여, 스퍼터 표면의 요철이 커지기 때문에, 대전력에서의 스퍼터 중에 이상 방전이 발생하기 쉬워져, 스플래시가 발생하기 쉬워진다.The average particle diameter of the silver alloy crystal grain in the sputtering target of this embodiment is 120-400 micrometers, Preferably it is 150-350 micrometers. The reason why the average particle diameter of the silver alloy crystal grains is limited to the above range is because when the average particle diameter is smaller than 120 µm, the variation of the crystal grain size becomes large, abnormal discharge is likely to occur in a large power sputter, and splashes are generated. . On the other hand, when the average particle diameter is larger than 400 µm, as the target is consumed by the sputtering, the unevenness on the surface of the sputtering becomes large due to the difference in the sputtering rate due to the difference in the crystallographic orientations of the respective grains, so that the sputter at large power Abnormal discharge tends to occur in the middle, and splashes tend to occur.

In 을 함유하는 본 실시형태의 스퍼터링 타깃 중의 은 합금 결정립의 평균 입경은, 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 바람직하게는 150 ∼ 220 ㎛ 이다. 은 합금 결정립의 평균 입경을 상기 범위로 한정한 이유는, 평균 입경이 120 ㎛ 보다 작으면, 결정 입경의 편차가 커지고, 대전력의 스퍼터 중에 이상 방전이 발생하기 쉬워져, 스플래시가 발생하게 되기 때문이다. 한편, 평균 입경이 250 ㎛ 보다 커지면, 타깃이 스퍼터에 의해 소모됨에 따라, 각각의 결정립의 결정 방위의 차이에 의한 스퍼터레이트의 차에서 기인하여, 스퍼터 표면의 요철이 커지기 때문에, 대전력에서의 스퍼터 중에 이상 방전이 발생하기 쉬워져, 스플래시가 발생하기 쉬워진다.The average particle diameter of the silver alloy crystal grain in the sputtering target of this embodiment containing In is 120-250 micrometers, Preferably it is 150-220 micrometers. The reason why the average grain size of the silver alloy crystal grains is limited to the above range is because if the average grain size is smaller than 120 µm, the variation of the grain size becomes large, abnormal discharge is likely to occur in the sputter of a large power, and a splash is generated. to be. On the other hand, when the average particle diameter is larger than 250 µm, as the target is consumed by the sputtering, sputtering on the surface of the sputtering becomes large due to the difference in sputtering due to the difference in the crystallographic orientations of the respective grains. Abnormal discharge tends to occur in the middle, and splashes tend to occur.

여기서, 은 합금 결정립의 평균 입경은, 이하와 같이 하여 측정한다. 먼저, 스퍼터링 타깃의 스퍼터면 내에서 균등하게 16 개 지점으로부터, 한 변이 10 ㎜ 정도의 직육면체의 시료를 채취한다. 구체적으로는, 스퍼터링 타깃을 세로 4 × 가로 4 의 16 개 지점으로 구분하고, 각 부의 중앙부로부터 채취한다.Here, the average grain size of silver alloy crystal grains is measured as follows. First, a sample of a rectangular parallelepiped of about 10 mm is collected from 16 points evenly within the sputtering surface of the sputtering target. Specifically, a sputtering target is divided into 16 points of length 4 * width 4, and it extracts from the center part of each part.

또한, 본 실시형태에서는, 500 × 500 (㎜) 이상의 스퍼터면, 즉 타깃 표면이 0.25 ㎡ 이상의 면적을 갖는 대형 타깃을 염두에 두고 있으므로, 대형 타깃으로서 일반적으로 사용되는 사각형 타깃으로부터의 시료의 채취법을 기재했지만, 본 실시형태는, 당연히, 환형 타깃의 스플래시 발생의 억제에도 효과를 발휘한다. 이 때에는, 대형의 사각형 타깃에서의 시료의 채취법에 준하여, 스퍼터링 타깃의 스퍼터면 내에서 균등하게 16 개 지점으로 구분하여 채취하는 것으로 한다.In addition, in this embodiment, since the sputtering surface of 500x500 (mm) or more, ie, the large target which has an area of 0.25 m <2> or more in mind, the sample collection method from the rectangular target generally used as a large target is taken into consideration. Although it described, of course, this embodiment is effective also in suppressing the generation | occurrence | production of the splash of an annular target. At this time, according to the sampling method of a large rectangular target, it shall collect | separate into 16 points equally in the sputtering surface of a sputtering target.

다음으로, 각 시료편의 스퍼터면측을 연마한다. 이 때, ＃180 ∼ ＃4000 의 내수지 (耐水紙) 로 연마를 한 후, 3 ㎛ ∼ 1 ㎛ 의 지립으로 버프 연마를 한다. 또한 광학 현미경으로 입계가 보일 정도로 에칭한다. 여기서, 에칭액에는, 과산화수소수와 암모니아수의 혼합액을 사용하고, 실온에서 1 ∼ 2 초간 침지시켜, 입계를 현출시킨다. 다음으로, 각 시료에 대해, 광학 현미경으로 배율 30 배의 사진을 촬영한다.Next, the sputter face side of each sample piece is polished. At this time, after polishing with a water resistant resin of # 180 to # 4000, buff polishing is performed with abrasive grains of 3 µm to 1 µm. In addition, etching is carried out so that the grain boundary is seen by an optical microscope. Here, the etching liquid is immersed for 1 to 2 seconds at room temperature using a mixed solution of hydrogen peroxide water and ammonia water to make grain boundaries appear. Next, the photograph of 30 times the magnification is taken with an optical microscope about each sample.

각 사진에 있어서, 60 ㎜ 의 선분을, 井 자 형상으로 20 ㎜ 간격으로 가로세로로 합계 4 개 긋고, 각각의 직선으로 절단된 결정립의 수를 센다. 또한, 선분의 단 (端) 의 결정립은 0.5 개로 카운트한다. 그리고, 평균 절편 길이：L (㎛) 을, L=60000/(M·N) (여기서, M 은 실배율, n 은 절단된 결정립 수의 평균값이다) 에 의해 구한다. 다음으로, 구한 평균 절편 길이：L (㎛) 로부터, 시료의 평균 입경：d (㎛) 를, d=(3/2)·L 로 산출한다.In each photograph, four 60-mm line segments are drawn in a square shape at intervals of 20 mm in a square shape, and the number of crystal grains cut in each straight line is counted. In addition, the crystal grain of the stage of a line segment counts to 0.5 pieces. And an average fragment length: L (micrometer) is calculated | required by L = 60000 / (M * N) (where M is an actual ratio and n is an average value of the number of crystal grains cut | disconnected). Next, from the obtained average segment length: L (micrometer), the average particle diameter of a sample: d (micrometer) is computed by d = (3/2) * L.

이와 같이 16 개 지점으로부터 샘플링한 시료의 평균 입경의 평균값을 타깃의 은 합금 결정립의 평균 입경으로 한다. 본 실시형태의 스퍼터링 타깃에 있어서의 은 합금 결정립의 평균 입경은, 120 ∼ 400 ㎛ 의 범위에 있다. In 을 함유하는 본 실시형태의 스퍼터링 타깃에 있어서의 은 합금 결정립의 평균 입경은, 120 ∼ 250 ㎛ 의 범위에 있다.Thus, the average value of the average particle diameter of the sample sampled from 16 points is made into the average particle diameter of the silver alloy crystal grain of a target. The average particle diameter of the silver alloy crystal grain in the sputtering target of this embodiment exists in the range of 120-400 micrometers. The average particle diameter of the silver alloy crystal grain in the sputtering target of this embodiment containing In is in the range of 120-250 micrometers.

이 은 합금 결정립의 입경의 편차가, 은 합금 결정립의 평균 입경의 20 ％ 이하이면, 스퍼터시의 스플래시를 보다 확실하게 억제할 수 있다. 여기서, 입경의 편차는, 16 개 지점에서 구한 16 개의 평균 입경 중, 평균 입경과의 편차의 절대값 (｜[(임의의 1 개 지점의 평균 입경)-(16 개 지점의 평균 입경)]｜) 이 최대가 되는 것을 특정하고, 그 특정한 평균 입경 (특정 평균 입경) 을 이용하여 하기와 같이 산출한다. If the variation in the particle size of the silver alloy crystal grains is 20% or less of the average particle diameter of the silver alloy crystal grains, the splash at the time of sputtering can be suppressed more reliably. Here, the deviation of the particle diameter is the absolute value of the deviation from the average particle diameter among the 16 average particle diameters calculated at 16 points (| ((average particle diameter of any one point)-(average particle diameter of 16 points)] | ) Is specified to be the maximum, and is calculated as follows using the specific average particle diameter (specific average particle diameter).

｜[(특정 평균 입경)-(16 개 지점의 평균 입경)]｜/(16 개 지점의 평균 입경) × 100 (％) | ((Specific average particle diameter)-(average particle diameter of 16 points)] ｜ / (average particle size of 16 points) × 100 (%)

이와 같이 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에 의하면, 상기 함유량 범위의 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 그 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이므로, 스퍼터 중에 대전력을 투입해도, 이상 방전을 억제하고, 스플래시의 발생을 억제할 수 있다. 또한 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃에 의하면, 상기 함유량 범위의 In 과, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 그 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하이므로, 스퍼터 중에 대전력을 투입해도, 이상 방전을 억제하고, 스플래시의 발생을 억제할 수 있다. 또, 이 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 스퍼터함으로써, 양호한 내식성 및 내열성을 갖고, 더욱 낮은 전기 저항의 도전성 막을 얻을 수 있다. 본 실시형태의 스퍼터링 타깃은, 특히, 타깃 사이즈가, 폭：500 ㎜, 길이：500 ㎜, 두께 6 ㎜ 이상의 대형 타깃인 경우에 유효하다.Thus, according to the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment, it consists of silver alloy which contains 1 type or 2 types of Ga and Sn of the said content range, and remainder consists of Ag and an unavoidable impurity, Since the average grain size of the crystal grains of the silver alloy is 120 to 400 µm, and the variation in the grain size of the grains is 20% or less of the average grain diameter, even if a large power is put into the sputter, abnormal discharge can be suppressed and generation of splash can be suppressed. Can be. Moreover, according to the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment, it is a silver alloy which contains In of the said content range, 1 type or 2 types of Ga, Sn, and remainder consists of Ag and an unavoidable impurity. Since the average particle diameter of the crystal grain of this silver alloy is 120-250 micrometers, and the variation of the particle diameter of a crystal grain is 20% or less of an average particle diameter, abnormal discharge is suppressed even if a large electric power is put into a sputter | spatter, and generation of a splash is prevented. It can be suppressed. Moreover, by sputtering using this silver alloy sputtering target for electroconductive film formation, the electroconductive film of favorable electrical resistance and heat resistance, and a lower electrical resistance can be obtained. The sputtering target of the present embodiment is particularly effective when the target size is a large target having a width of 500 mm, a length of 500 mm, and a thickness of 6 mm or more.

다음으로, 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 대해 설명한다. 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, 원료로서 순도：99.99 질량％ 이상의 Ag, 순도：99.9 질량％ 이상의 Ga, Sn 을 사용한다. In 을 사용하는 경우에는, 순도：99.9 질량％ 이상의 In 을 사용한다.Next, the manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment is demonstrated. The silver alloy sputtering target for conductive film formation of this embodiment uses purity: 99.99 mass% or more Ag, purity: 99.9 mass% or more Ga, Sn as a raw material. When using In, purity: 99.9 mass% or more In is used.

먼저, Ag 및 Ga 를 고진공 또는 불활성 가스 분위기 중에서 용해시키고, 얻어진 용탕에 소정 함유량의 Sn 을 첨가하고, 그 후, 진공 또는 불활성 가스 분위기 중에서 용해시켜, Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 Ag 합금의 용해 주조 잉곳을 제조한다. 또는, Ag 및 Ga 를 고진공 또는 불활성 가스 분위기 중에서 용해시키고, 얻어진 용탕에 소정 함유량의 In 및 Sn 을 첨가하고, 그 후, 진공 또는 불활성 가스 분위기 중에서 용해시켜, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 Ag 합금의 용해 주조 잉곳을 제조한다.First, Ag and Ga are dissolved in a high vacuum or inert gas atmosphere, and Sn of a predetermined content is added to the obtained molten metal, and then dissolved in a vacuum or inert gas atmosphere, and one or two of Ga and Sn in total is added. It contains 0.1-1.5 mass% and manufactures the melt casting ingot of Ag alloy which remainder consists of Ag and an unavoidable impurity. Or Ag and Ga are melt | dissolved in a high vacuum or inert gas atmosphere, In and Sn of predetermined content are added to the obtained molten metal, Then, it melt | dissolves in a vacuum or inert gas atmosphere, and contains In: 0.1-1.5 mass%, Furthermore, the melt casting ingot of the Ag alloy which contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types in Ga and Sn, and remainder consists of Ag and an unavoidable impurity is produced.

여기서, Ag 의 용해는, 분위기를 한 번 진공으로 한 후, 아르곤으로 치환한 분위기에서 실시하고, 용해 후 아르곤 분위기 중에서 Ag 및 Ga 의 용탕에 Sn 을 첨가하는 것, 또는 Ag 및 Ga 의 용탕에 In 및 Sn 을 첨가하는 것은, 각각 Ag 와 Ga, Sn 의 조성 비율, 또는 Ag 와 In, Ga, Sn 의 조성 비율을 안정시키는 관점에서 바람직하다. 또한 Ga, Sn 은 미리 제조한 AgGa, AgSn 또는 AgGaSn 의 모합금의 형태로 첨가해도 된다.Here, dissolution of Ag is carried out in an atmosphere in which the atmosphere is once vacuumed and then substituted with argon, and after the dissolution, Sn is added to the Ag and Ga molten metal in the argon atmosphere, or In is dissolved in Ag and Ga molten metal. And addition of Sn is preferable from the viewpoint of stabilizing the composition ratio of Ag and Ga, Sn, or the composition ratio of Ag, In, Ga and Sn, respectively. In addition, Ga and Sn may be added in the form of a master alloy of AgGa, AgSn, or AgGaSn prepared in advance.

다음으로, 은 합금 결정립의 평균 입경을 소정값으로 하기 위해서, 용해 주조 잉곳을 열간 단조한다. 열간 단조는, 750 ∼ 850 ℃ 에서 1 ∼ 3 시간 가열한 후, 단련 성형비 1/1.2 ∼ 1/2 의 업셋 단조를, 반복 6 ∼ 20 회 실시하는 것이 바람직하다. 열간 단조는, 자유 단조가 더욱 바람직하고, 예를 들어, 단조 방향을 90°씩 회전하면서 반복하는 것이 특히 바람직하다. 보다 상세하게는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 원주상의 잉곳 (1) 을 사용하는 경우에는, 먼저, 각형 (角形) 의 잉곳 (2) 으로 단조한다.Next, in order to make the average particle diameter of a silver alloy crystal grain into a predetermined value, a molten casting ingot is hot forged. After hot forging is heated for 1 to 3 hours at 750 to 850 ° C, it is preferable to repeatedly carry out upset forging with an annealing molding ratio 1 / 1.2 to 1/2 6 to 20 times. Free forging is more preferable for hot forging, and it is especially preferable to repeat, for example, rotating a forging direction by 90 degrees. More specifically, as shown in FIG. 1, when using a cylindrical ingot 1, first, forging is performed in a square ingot 2.

그 후, 각형의 잉곳 (2) 을, 전회의 단조 방향과 90°회전시켜, 단조를 반복한다. 이 때, 각형의 잉곳 (2) 의 세로, 가로, 높이 방향 (도 2 의 x, y, z 방향) 의 모든 방향에서 단조를 실시하도록 회전시키는 것은, 잉곳 전체의 은 합금 결정립의 평균 입경을 소정값으로 하는 관점에서 보다 바람직하다. 여기서, 도 1 에 나타내는 파선의 화살표는, 모두 단조 방향을 나타내고, z 는 주조 방향, x 는 z 에 대해 90°의 임의의 방향, y 는 z 및 x 에 대해 90°의 방향을 나타낸다.Thereafter, the square ingot 2 is rotated by 90 degrees with the previous forging direction, and the forging is repeated. At this time, rotating to perform forging in all directions in the vertical, horizontal, and height directions (x, y, z directions in FIG. 2) of the square ingot 2 may determine the average particle diameter of the silver alloy crystal grains of the entire ingot. It is more preferable from a viewpoint of making into a value. Here, the arrow of the broken line shown in FIG. 1 all shows a forging direction, z is a casting direction, x is an arbitrary direction of 90 degrees with respect to z, and y shows a 90 degree direction with respect to z and x.

이 공정을 반복하는 것은, 본 실시형태의 스퍼터링 타깃의 은 합금 결정립의 평균 입경을 소망값으로 하고, 또한 은 합금 결정립의 입경의 편차를 원하는 범위 내로 하기 때문에 바람직하다. 반복 횟수가 6 회 미만이면, 상기 효과가 불충분한 것이 된다. 한편, 반복 횟수를 20 회보다 많이 실시해도 은 합금 결정립의 입경의 편차를 억제하는 효과는 그 이상으로 향상되지 않는다.It is preferable to repeat this step because the average particle diameter of the silver alloy crystal grains of the sputtering target of the present embodiment is a desired value, and the variation in the particle diameter of the silver alloy crystal grains is within a desired range. If the number of repetitions is less than six, the above effect is insufficient. On the other hand, even if it repeats more than 20 times, the effect of suppressing the dispersion | variation in the particle diameter of a silver alloy crystal grain does not improve more than that.

또, 열간의 업셋 단조의 온도가 750 ℃ 미만에서는, 미세 결정이 존재하므로 입경의 편차 억제 효과가 충분히 발휘되지 않기 때문에 바람직하지 않고, 850 ℃ 를 초과하면 조대화되는 결정이 잔존하므로 입경의 편차 억제 효과가 충분히 발휘되지 않기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 열간 단조에 의해 형성되는 각 능 (稜) 및/또는 각 모서리부의 급속한 냉각을 완화시키기 위해서, 잉곳 본체의 단련에 영향을 주지 않을 정도로, 잉곳의 당해 능 및/또는 당해 모서리부를 두드리는, 이른바 모서리부 두드림을 적절히 실시하는 것이 바람직하다.Moreover, when the temperature of hot upset forging is less than 750 degreeC, since microcrystal | crystallization exists and the effect of suppressing the dispersion | variation of a particle size is not fully exhibited, it is unpreferable. It is not preferable because the effect is not sufficiently exerted. In addition, in order to alleviate rapid cooling of each twill and / or each corner formed by hot forging, so-called tapping the twill and / or the corner of the ingot so as not to affect the annealing of the ingot body. It is preferable to appropriately tap the corners.

다음으로, 단조 후의 잉곳 (3) 을 원하는 두께가 될 때까지 냉간 압연하여, 판재 (4) 로 한다. 이 냉간 압연에서의 1 패스 당의 압하율은 5 ∼ 10 ％ 이면, 입경 편차의 억제 효과의 관점에서 바람직하다. 이 냉간 압연을 반복하여, 총 압하율 ((냉간 압연 전의 잉곳의 두께-냉간 압연 후의 잉곳의 두께)/냉간 압연 전의 잉곳의 두께) 이, 60 ∼ 75 ％ 가 될 때까지 실시하는 것이 총 압하율을 소정값으로 하고, 또한 입경 편차의 억제 효과를 유지한 채, 결정 입경을 미세화하는 관점에서 바람직하다. 또, 상기 효과가 발휘되기 위해서는, 10 ∼ 20 패스가 바람직하다.Next, the ingot 3 after forging is cold-rolled until it becomes desired thickness, and it is set as the board | plate material 4. If the reduction ratio per pass in this cold rolling is 5 to 10%, it is preferable from a viewpoint of the suppression effect of a particle size variation. Repeating this cold rolling and performing until total reduction ratio ((thickness of ingot before cold rolling-thickness of ingot after cold rolling) / thickness of ingot before cold rolling) becomes 60 to 75% is carried out until total reduction rate It is preferable from the viewpoint of making the crystal grain size fine while maintaining the effect of suppressing the particle size variation as a predetermined value. Moreover, in order for the said effect to be exhibited, 10-20 passes are preferable.

상기 냉간 압연 후의 열처리는, 550 ∼ 650 ℃ 에서 1 ∼ 2 시간 실시하는 것이, 재결정화에 의해 소정의 평균 입경으로 제어하는 관점에서 바람직하다. 이 열처리 후의 판재 (4) 를, 원하는 치수까지, 프라이즈 가공, 방전 가공 등의 기계 가공에 의해, 본 실시형태의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조할 수 있다. 기계 가공 후의 타깃의 스퍼터면의 산술 평균 표면 조도 (Ra) 는, 스퍼터시의 스플래시를 억제하는 관점에서, 0.2 ∼ 2 ㎛ 이면 바람직하다.It is preferable to perform heat processing after the said cold rolling for 1 to 2 hours at 550-650 degreeC from a viewpoint of controlling to predetermined average particle diameter by recrystallization. The plate | board material 4 after this heat processing can manufacture the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of this embodiment by machine processing, such as a frying process and an electric discharge process, to a desired dimension. Arithmetic mean surface roughness Ra of the sputter surface of the target after machining is 0.2-2 micrometers from a viewpoint of suppressing the splash at the time of sputtering.

실시예Example

다음으로, 본 발명에 관련된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 실시예를 제조하고, 평가한 결과를 설명한다.Next, the result of having produced and evaluated the Example of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation which concerns on this invention is demonstrated.

(실시예 1)(Example 1)

[은 합금 스퍼터링 타깃의 제조] [Production of Silver Alloy Sputtering Target]

원료로서, 순도 99.99 질량％ 이상의 Ag, 순도 99.9 질량％ 이상의 Ga 를 준비하고, 고주파 진공 용해로에, 각 성분이 표 1 에 나타내는 질량비가 되도록, Ag 와 Ga 를 원료로서 장전하였다. 용해시킬 때의 총 질량은 약 300 ㎏ 으로 하였다.As a raw material, Ag of 99.99 mass% or more of purity and Ga of 99.9 mass% or more of purity were prepared, and Ag and Ga were loaded as a raw material so that each component might become the mass ratio shown in Table 1 in a high frequency vacuum melting furnace. The total mass at the time of dissolving was about 300 kg.

진공 챔버 내를 진공 배기 후에 Ar 가스 치환하여 Ag 및 Ga 를 용해시키고, 합금 용탕을 흑연제 주형으로 주조하였다. 주조에 의해 제조한 잉곳 상부의 수축공 부분을 절제하고, 건전부 (健全部) 로서 약 260 ㎏ 의 잉곳 (φ290 × 370 ㎜) 을 얻었다.After evacuating the inside of the vacuum chamber, Ar gas was substituted to dissolve Ag and Ga, and the molten alloy was cast into a graphite mold. The contraction hole part of the upper part of the ingot manufactured by casting was excised, and about 260 kg of ingot (φ290 × 370 mm) was obtained as a sound part.

얻어진 잉곳을 800 ℃ 에서 1 시간 가열한 후, 단조 방향을 90°씩 회전하는 것을 반복하여, 주조 방향：z, z 에 대해 90°의 임의의 방향：x, z 및 x 에 대해 90°의 방향：y 의 모든 방향에 대해 단조하였다. 1 회 당의 단련 성형비를 1/1.2 ∼ 1/2 로 하고, 방향을 바꾸어 19 회의 업셋 단조를 반복하였다. 20 회째의 단조에 의해 전신 (展伸) 하여, 대략 600 × 910 × 45 (㎜) 의 치수로 성형하였다.After heating the obtained ingot at 800 degreeC for 1 hour, the forging direction was rotated by 90 degrees, and the casting direction: 90 degrees arbitrary directions with respect to z and z: 90 degrees with respect to x, z, and x : Forged in all directions of y. The annealed molding ratio per one was set to 1 / 1.2 to 1/2, the direction was changed, and 19 upset forgings were repeated. The whole body was formed by the 20th forging, and it shape | molded in the dimension of about 600 * 910 * 45 (mm).

단조 후의 잉곳을 냉간 압연하여, 대략 1200 × 1300 × 16 (㎜) 의 판재를 얻었다. 냉간 압연에 있어서의 1 패스 당의 압하율은 5 ∼ 10 ％ 로 하고, 합계 13 패스 실시하였다. 이 냉간 압연에서의 총 압하율은 70 ％ 였다. 이 압연 후, 판재를 640 ℃ 에서 1 시간 가열 유지하여, 재결정화 처리를 실시하였다. 다음으로, 이 판재를 1000 × 1200 × 12 (㎜) 의 치수로 기계 가공하여, 본 발명의 실시예 1 의 스퍼터링 타깃으로 하였다.The ingot after forging was cold-rolled, and the board | plate material of about 1200 * 1300 * 16 (mm) was obtained. The reduction ratio per pass in cold rolling was made into 5 to 10%, and 13 passes in total were performed. The total reduction in this cold rolling was 70%. After this rolling, the board | plate material was heated and maintained at 640 degreeC for 1 hour, and the recrystallization process was performed. Next, this board | plate material was machined to the dimension of 1000 * 1200 * 12 (mm), and it was set as the sputtering target of Example 1 of this invention.

[스퍼터링 타깃의 평가] [Evaluation of Sputtering Target]

(1) 기계 가공 후의 휨 (1) bending after machining

상기 기계 가공 후의 실시예 1 의 스퍼터링 타깃에 대하여, 그 휨을 측정하였다. 이 결과를 표 2 에 나타낸다.The curvature was measured about the sputtering target of Example 1 after the said machining. The results are shown in Table 2.

(2) 은 합금 결정립의 평균 입경(2) Average grain size of silver alloy grains

은 합금 결정립의 입경 측정은, 상기와 같이 제조한 실시예 1 의 1000 × 1200 × 12 (㎜) 의 스퍼터링 타깃으로부터, 상기 본 실시형태에 기재한 바와 같이, 16 개 지점으로부터 균등하게 시료를 채취하고, 각 시료의 스퍼터면에서 본 표면의 평균 입경을 측정하여, 각 시료의 평균 입경의 평균값인 은 합금 결정립의 평균 입경 및 은 합금 결정립의 평균 입경의 편차를 계산하였다. 평균 입경의 편차의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다. 이 결과, 본 실시예 1 의 스퍼터링 타깃에 있어서는, 은 합금 결정립의 평균 입경은 120 ∼ 400 ㎛ 의 범위 내에 있고, 은 합금 결정립의 입경의 편차는 은 합금 결정립의 평균 입경의 20 ％ 이내였다.The particle size measurement of the silver alloy crystal grain was sampled uniformly from 16 points from the 1000 * 1200x12 (mm) sputtering target of Example 1 manufactured as mentioned above, as described in the said embodiment. The average particle diameter of the surface seen from the sputter surface of each sample was measured, and the deviation of the average particle diameter of the silver alloy crystal grain which is an average value of the average particle diameter of each sample, and the average particle diameter of the silver alloy crystal grain was calculated. Table 1 shows the measurement results of the variation in average particle diameter. As a result, in the sputtering target of the present Example 1, the average particle diameter of silver alloy crystal grain was in the range of 120-400 micrometers, and the variation of the particle diameter of silver alloy crystal grain was within 20% of the average particle diameter of silver alloy crystal grain.

(3) 스퍼터시의 이상 방전 횟수의 측정 (3) Measurement of the number of abnormal discharges during sputtering

본 실시예 1 의 1000 × 1200 × 12 (㎜) 로 한 스퍼터링 타깃의 임의 부분으로부터, 직경：152.4 ㎜, 두께：6 ㎜ 의 원판을 잘라내고, 구리제 백킹 플레이트에 납땜하였다. 이 납땜한 스퍼터링 타깃을, 스퍼터시의 스플래시의 평가용 타깃으로서 사용하고, 스퍼터 중의 이상 방전 횟수의 측정을 실시하였다. 이 결과를 표 2 에 나타낸다.From the arbitrary part of the sputtering target made into 1000 * 1200x12 (mm) of this Example 1, the disc of diameter: 152.4mm and thickness: 6mm was cut out, and it soldered to the copper backing plate. The soldered sputtering target was used as a target for evaluation of the splash during sputtering, and the number of abnormal discharges in the sputter was measured. The results are shown in Table 2.

또한, 이 이상 방전 횟수의 측정에서는, 통상적인 마그네트론 스퍼터 장치에, 상기는 납땜한 평가용 타깃을 장착하고, 1 × 10-4 Pa 까지 배기한 후, Ar 가스압：0.5 Pa, 투입 전력：DC1000W, 타깃 기판간 거리：60 ㎜ 의 조건에서 스퍼터를 실시하였다. 스퍼터시의 이상 방전 횟수는, MKS 인스트루먼트사 제조 DC 전원 (제품 번호：RPDG-50A) 의 아크 카운트 기능에 의해, 방전 개시부터 30 분간의 이상 방전 횟수로서 계측하였다. 이 결과를 표 2 에 나타낸다. 이 결과, 본 실시예 1 의 스퍼터링 타깃에 있어서, 이상 방전 횟수는 10 회 이하였다.In addition, in the measurement of the number of abnormal discharges, the above-described soldered evaluation target was attached to a conventional magnetron sputtering device, and after exhausting to 1 × 10 -4 Pa, Ar gas pressure: 0.5 Pa, input power: DC1000W, Distance between target substrates: Sputtering was performed on condition of 60 mm. The number of abnormal discharges at the time of sputtering was measured as the number of abnormal discharges for 30 minutes from the start of discharge by the arc count function of the DC power supply (product number: RPDG-50A) by MKS Instruments. The results are shown in Table 2. As a result, in the sputtering target of the present Example 1, the number of abnormal discharges was 10 times or less.

(4) 도전성 막으로서의 기본 특성 평가(4) Basic characteristic evaluation as a conductive film

(4-1) 막의 표면 조도 (4-1) Surface Roughness of Membrane

상기 (3) 에 나타내는 평가용 타깃을 사용하여, 상기 (2) 와 동일한 조건에서 스퍼터를 실시하고, 20 × 20 (㎜) 의 유리 기판 상에 100 ㎚ 의 막 두께로 성막하여, 은 합금막을 얻었다. 또한 내열성의 평가를 위해, 이 은 합금막을, 250 ℃, 10 분간의 열처리를 실시하고, 이 후, 은 합금막의 평균 면 조도 (Ra) 를 원자간력 현미경에 의해 측정하였다. 이 결과를 표 2 에 나타낸다. 이 결과, 본 실시예 1 의 스퍼터링 타깃에 의한 막의 평균 면 조도 (Ra) 는, 1 ㎚ 이하였다.Using the target for evaluation shown in said (3), sputtering was performed on the same conditions as said (2), and it formed into a film at a film thickness of 100 nm on a 20x20 (mm) glass substrate, and obtained the silver alloy film. . In addition, in order to evaluate heat resistance, this silver alloy film was heat-processed at 250 degreeC for 10 minutes, and after that, the average surface roughness Ra of the silver alloy film was measured by atomic force microscope. The results are shown in Table 2. As a result, the average surface roughness Ra of the film | membrane by the sputtering target of this Example 1 was 1 nm or less.

(4-2) 반사율 (4-2) reflectance

내식성의 평가를 위해, 상기 (4-1) 과 동일하게 하여 성막한 은 합금막의 반사율을, 온도 80 ℃, 습도 85 ％ 의 항온 고습조에서 100 시간 유지 후, 분광 광도계에 의해 측정하였다. 이 결과를 표 2 에 나타낸다. 이 결과, 본 실시예 1 의 스퍼터링 타깃에 의한 은 합금막의 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율은 90 ％ 이상이었다.In order to evaluate corrosion resistance, the reflectance of the silver alloy film formed into a film similarly to said (4-1) was measured by the spectrophotometer after holding for 100 hours in the constant temperature high humidity tank of 80 degreeC of temperature and 85% of humidity. The results are shown in Table 2. As a result, the absolute reflectance in wavelength 550nm of the silver alloy film by the sputtering target of this Example 1 was 90% or more.

(4-3) 막의 비저항 (4-3) Specific Resistance of Membrane

상기 (4-1) 과 동일하게 하여 성막한 은 합금막의 비저항을 측정한 결과를 표 2 에 나타낸다. 이 결과, 본 실시예 1 의 스퍼터링 타깃에 의한 은 합금막의 비저항은 3.34 μΩ·㎝ 로 낮은 값이었다.Table 2 shows the results of measuring the specific resistance of the silver alloy film formed in the same manner as in the above (4-1). As a result, the specific resistance of the silver alloy film by the sputtering target of the present Example 1 was a low value of 3.34 microohm * cm.

(실시예 2 ∼ 9, 비교예 1 ∼ 5) (Examples 2-9, Comparative Examples 1-5)

표 1 에 기재한 성분 조성 및 제조 조건으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 스퍼터링 타깃을 제조하고, 실시예 2 ∼ 9, 비교예 1 ∼ 5 의 스퍼터링 타깃을 얻은 후, 실시예 1 과 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.Except having made into the component composition and manufacturing conditions shown in Table 1, the sputtering target was manufactured like Example 1, and after obtaining the sputtering target of Examples 2-9 and Comparative Examples 1-5, Example 1 and In the same manner, the above various evaluations were performed. These results are shown in Tables 1 and 2.

(종래예 1, 2) (Conventional example 1, 2)

표 1 에 기재한 Ga, Sn 의 성분 조성으로, 실시예 1 과 동일하게 하여 용해시키고, 각형 (角型) 의 흑연제 주형으로 주조하여, 대략 400 × 400 × 150 (㎜) 의 잉곳을 제조하고, 추가로 그 잉곳을 600 ℃ 에서 1 시간 가열 후, 열간 압연하여, 종래예 1 의 스퍼터링 타깃을 제조하였다. 또, 종래예 1 과 동일하게, 주조 잉곳을 열간 압연한 후, 추가로 600 ℃, 2 시간의 열처리를 실시한 종래예 2 의 스퍼터링 타깃을 제조하였다. 이들 종래예 1 및 종래예 2 의 스퍼터링 타깃을 사용하고, 실시예 1 의 평가와 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.In the composition of Ga and Sn shown in Table 1, it melt | dissolved similarly to Example 1, and cast in the square graphite mold, and the ingot of about 400x400x150 (mm) was manufactured, Furthermore, after heating the ingot at 600 degreeC for 1 hour, it hot-rolled and manufactured the sputtering target of the prior art example 1. Moreover, similarly to the prior art example 1, after the hot rolling of the casting ingot, the sputtering target of the prior art example 2 which further heat-processed 600 degreeC for 2 hours was manufactured. Using these sputtering targets of the conventional example 1 and the conventional example 2, the said various evaluation was performed similarly to the evaluation of Example 1. These results are shown in Tables 1 and 2.

(참고예 1) (Reference Example 1)

표 1 에 기재한 Ga 의 배합비로 투입 중량을 7 ㎏ 으로 하여 용해시키고, 합금 용탕을 흑연 주형으로 주조하여, φ80 × 110 (㎜) 의 잉곳을 제조하고, 얻어진 잉곳을 비교예 7 과 동일한 업셋 단조의 횟수 (5 회), 냉간 압연의 압하율, 열처리를 실시하여 220 × 220 × 11 (㎜) 의 판재를 얻었다. 이 참고예 1 에 대해, 상기의 실시예 및 비교예와 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다. 단, 참고예 1 의 스퍼터링 타깃은, 상기의 실시예 및 비교예에서 제조한 스퍼터링 타깃보다 치수가 작기 때문에, 기계 가공 후의 휨은 평가하지 않았다.In the mixing ratio of Ga shown in Table 1, the input weight was melted at 7 kg, the molten alloy was cast in a graphite mold to prepare an ingot of φ80 × 110 (mm), and the obtained ingot was upset forging same as that of Comparative Example 7. The number of times (5 times), the reduction ratio of cold rolling, and heat treatment were performed to obtain a plate material of 220 × 220 × 11 (mm). About this reference example 1, said various evaluation was performed similarly to the said Example and the comparative example. These results are shown in Tables 1 and 2. However, since the sputtering target of the reference example 1 was smaller in size than the sputtering target manufactured by the said Example and comparative example, the curvature after a machining was not evaluated.

Figure pct00001
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Figure pct00002
Figure pct00002

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 9 는, 은 합금 결정립의 평균 입경이 190 ∼ 340 ㎛, 입경의 편차가 12 ∼ 19 ％ 로 양호하였다. 이에 반해, Ga 가 0.05 질량％ 인 비교예 1 에서는, 평균 입경이 410 ㎛ 로 원하는 범위에서 벗어나 있었다. 또, 열간 단조의 온도가 700 ℃ 인 비교예 3 에서는, 입경의 편차가 29 ％ 로 크고, 열간 단조의 온도가 900 ℃ 인 비교예 4 에서는, 평균 입경이 450 ㎛ 로 크고, 입경의 불규칙도 35 ％ 로 컸다.As can be seen from Table 1, in Examples 1 to 9, the average particle diameter of the silver alloy crystal grains was 190 to 340 µm, and the variation in the particle diameter was 12 to 19%. In contrast, in Comparative Example 1 in which Ga was 0.05% by mass, the average particle diameter was 410 µm, which deviated from the desired range. Moreover, in the comparative example 3 whose temperature of hot forging is 700 degreeC, in the comparative example 4 in which the deviation of a particle diameter is big as 29%, and the temperature of hot forging is 900 degreeC, the average particle diameter is large as 450 micrometers, and the irregularity of a particle diameter is 35 It was large as%.

표 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 9 는, 이상 방전 횟수, 기계 가공 후의 휨, 막의 표면 조도, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율, 막의 비저항 모두에 있어서 양호한 결과였다. 이에 반해, Ga 가 0.05 질량％ 인 비교예 1 에서는, 기계 가공 후의 휨이 1.4 ㎜ 로 크고, 막의 표면 조도도 2 ㎚ 로 큼과 함께, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율이 87.5 ％ 로 작았다. Sn 이 1.7 질량％ 인 비교예 2 에서는, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율이 88.5 ％ 로 작았다. 또, 비교예 1, 비교예 3 ∼ 5 및 종래예 1, 2 는, 이상 방전 횟수가 22 회 이상으로 많았다. 또한 Sn 이 1.7 중량％ 인 비교예 2 는, 막의 비저항이 7.93 μΩ·㎝ 로 높았다.As can be seen from Table 2, Examples 1 to 9 were good results in both the number of abnormal discharges, the warping after machining, the surface roughness of the film, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm, and the specific resistance of the film. In contrast, in Comparative Example 1 in which Ga was 0.05% by mass, the warpage after machining was as large as 1.4 mm, the surface roughness of the film was as large as 2 nm, and the absolute reflectance at the wavelength of 550 nm was as small as 87.5%. In Comparative Example 2 in which Sn was 1.7% by mass, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm was as small as 88.5%. Moreover, the comparative example 1, the comparative examples 3-5, and the prior art examples 1 and 2 had many abnormal discharge times 22 times or more. In Comparative Example 2, in which Sn was 1.7% by weight, the specific resistance of the film was as high as 7.93 µΩ · cm.

(실시예 10 ∼ 20, 비교예 6) (Examples 10-20, Comparative Example 6)

표 3 에 기재한 Ga, Sn 과 Cu, Mg 의 성분 조성 및 제조 조건으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 스퍼터링 타깃을 제조하고, 실시예 10 ∼ 20 및 비교예 6 의 스퍼터링 타깃을 얻은 후, 실시예 1 과 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 3 및 표 4 에 나타낸다.A sputtering target was produced in the same manner as in Example 1 except that the compositional composition and manufacturing conditions of Ga, Sn, Cu, and Mg shown in Table 3 were obtained, and the sputtering targets of Examples 10 to 20 and Comparative Example 6 were obtained. Then, the said various evaluation was performed similarly to Example 1. These results are shown in Table 3 and Table 4.

Figure pct00003
Figure pct00003

Figure pct00004
Figure pct00004

표 3 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 10 ∼ 20 은, 은 합금 결정립의 평균 입경이 130 ∼ 260 ㎛, 입경의 편차가 11 ∼ 17 ％ 로 양호하였다. 또, 표 4 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 10 ∼ 20 은, 이상 방전 횟수, 기계 가공 후의 휨, 막의 표면 조도, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율, 막의 비저항 모두에 있어서 양호한 결과였다. 이에 반해, Mg 가 1.7 중량％ 인 비교예 6 은, 다른 특성은 양호하지만, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율이 88.4 ％ 로 낮음과 함께 막의 비저항이 7.81 μΩ·㎝ 로 높았다.As can be seen from Table 3, in Examples 10 to 20, the average particle diameter of the silver alloy crystal grains was 130 to 260 µm, and the variation in the particle diameter was 11 to 17%. As can be seen from Table 4, Examples 10 to 20 were good results in both the number of abnormal discharges, the warping after machining, the surface roughness of the film, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm, and the specific resistance of the film. On the other hand, Comparative Example 6, in which Mg was 1.7% by weight, had good other properties, but had a low absolute reflectance at 88.4% at a wavelength of 550 nm and a high specific resistance of 7.81 µΩ · cm.

(실시예 21 ∼ 28, 비교예 7) (Examples 21-28, Comparative Example 7)

표 5 에 기재한 Ga, Sn 과 Ce, Eu 의 성분 조성 및 제조 조건으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 스퍼터링 타깃을 제조하고, 실시예 21 ∼ 28 및 비교예 7 의 스퍼터링 타깃을 얻은 후, 실시예 1 과 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 5 및 표 6 에 나타낸다.A sputtering target was produced in the same manner as in Example 1 except that the composition of Ga, Sn, Ce, and Eu described in Table 5 and the production conditions were obtained, and the sputtering targets of Examples 21 to 28 and Comparative Example 7 were obtained. Then, the said various evaluation was performed similarly to Example 1. These results are shown in Table 5 and Table 6.

Figure pct00005
Figure pct00005

Figure pct00006
Figure pct00006

표 5 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 21 ∼ 28 은, 은 합금 결정립의 평균 입경이 130 ∼ 270 ㎛, 입경의 편차가 15 ∼ 18 ％ 로 양호하였다. 또, 표 6 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 21 ∼ 28 은, 이상 방전 횟수, 기계 가공 후의 휨, 막의 표면 조도, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율, 막의 비저항 모두에 있어서 양호한 결과였다. 이에 반해, Eu 가 0.9 중량％ 인 비교예 7 은, 다른 특성은 양호하지만, 이상 방전 횟수가 12 회로 많다.As can be seen from Table 5, in Examples 21 to 28, the average particle diameter of the silver alloy crystal grains was 130 to 270 µm, and the variation in the particle diameter was good at 15 to 18%. As can be seen from Table 6, Examples 21 to 28 were good results in both the number of abnormal discharges, the warping after machining, the surface roughness of the film, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm, and the specific resistance of the film. On the other hand, Comparative Example 7 in which Eu is 0.9% by weight has good other characteristics, but has a large number of abnormal discharges of 12 circuits.

(실시예 29)(Example 29)

[은 합금 스퍼터링 타깃의 제조] [Production of Silver Alloy Sputtering Target]

원료로서, 순도 99.99 질량％ 이상의 Ag, 순도 99.9 질량％ 이상의 In, 순도 99.9 질량％ 이상의 Ga 를 준비하고, 고주파 진공 용해로에, 각 성분이 표 7 에 나타내는 질량비가 되도록, Ag 와 In 과 Ga 를 원료로서 장전하였다. 용해시킬 때의 총 질량은, 약 300 ㎏ 으로 하였다.As a raw material, Ag, In, and Ga were prepared so that Ag of 99.99% by mass or more, Ag, of purity 99.9% by mass, and Ga of purity 99.9% by mass or more were prepared, and each component was mass ratio shown in Table 7 in a high frequency vacuum melting furnace. Loaded as. The total mass at the time of dissolving was about 300 kg.

진공 챔버 내를 진공 배기 후에 Ar 가스 치환하여 Ag 및 Ga 를 용해시킨 후, In 을 첨가하고, 합금 용탕을 흑연제 주형으로 주조하였다. 주조에 의해 제조한 잉곳 상부의 수축공 부분을 절제하고, 건전부로서 약 260 ㎏ 의 잉곳 (φ290 × 70 ㎜) 을 얻었다. After evacuating the inside of the vacuum chamber, Ar gas was substituted to dissolve Ag and Ga, and then In was added, and the molten alloy was cast into a graphite mold. The contraction hole part of the upper part of the ingot manufactured by casting was cut out, and about 260 kg of ingot (φ290 * 70mm) was obtained as a healthy part.

얻어진 잉곳은, 실시예 1 과 동일하게, 가열하여 단조하였다.The obtained ingot was heated and forged in the same manner as in Example 1.

단조 후의 잉곳은, 실시예 1 과 동일하게 냉간 압연하였다. 압연 후, 판재를 580 ℃ 에서 1 시간 가열 유지하여, 재결정화 처리를 실시하였다. 다음으로, 이 판재를 1000 × 1200 × 12 (㎜) 의 치수로 기계 가공하여, 본 발명의 실시예 29 의 스퍼터링 타깃으로 하였다.The ingot after forging was cold rolled similarly to Example 1. After rolling, the plate was heated and maintained at 580 ° C. for 1 hour, and recrystallization treatment was performed. Next, this board | plate material was machined to the dimension of 1000 * 1200 * 12 (mm), and it was set as the sputtering target of Example 29 of this invention.

[스퍼터링 타깃의 평가] [Evaluation of Sputtering Target]

실시예 1 과 동일하게 하여, 본 실시예 29 의 스퍼터링 타깃에 대해 상기 서술한 각종 평가 (1) ∼ (4) 를 실시하였다. 그 결과를 표 7 및 표 8 에 나타낸다.In the same manner as in Example 1, various evaluations (1) to (4) described above were performed on the sputtering target of the present Example 29. The results are shown in Tables 7 and 8.

(실시예 30 ∼ 42, 비교예 8 ∼ 14) (Examples 30-42, Comparative Examples 8-14)

표 7 에 기재한 성분 조성 및 제조 조건으로 한 것 이외에는, 실시예 29 와 동일하게 하여 스퍼터링 타깃을 제조하고, 실시예 30 ∼ 42, 비교예 8 ∼ 14 의 스퍼터링 타깃을 얻은 후, 실시예 29 와 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 7 및 표 8 에 나타낸다.Except having made into the component composition and manufacturing conditions shown in Table 7, the sputtering target was manufactured like Example 29, and after obtaining the sputtering target of Examples 30-42 and Comparative Examples 8-14, In the same manner, the above various evaluations were performed. These results are shown in Table 7 and Table 8.

(종래예 3, 4) (Conventional Examples 3 and 4)

표 7 에 기재한 In, Ga, Sn 의 성분 조성으로, 실시예 29 와 동일하게 하여 용해시키고, 각형의 흑연제 주형으로 주조하여, 대략 400 × 400 × 150 (㎜) 의 잉곳을 제조하고, 추가로 그 잉곳을 600 ℃ 에서 1 시간 가열 후, 열간 압연하여, 종래예 3 의 스퍼터링 타깃을 제조하였다. 또, 종래예 3 과 동일하게, 주조 잉곳을 열간 압연한 후, 추가로 600 ℃, 2 시간의 열처리를 실시한 종래예 4 의 스퍼터링 타깃을 제조하였다. 이들 종래예 3 및 종래예 4 의 스퍼터링 타깃을 사용하고, 실시예 29 의 평가와 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 7 및 표 8 에 나타낸다.The composition of In, Ga, Sn shown in Table 7 was dissolved in the same manner as in Example 29, and cast in a square graphite mold to prepare an ingot of approximately 400 × 400 × 150 (mm), and further The furnace ingot was heated at 600 ° C. for 1 hour and then hot rolled to prepare a sputtering target of Conventional Example 3. Moreover, the sputtering target of the prior art example 4 which heat-processed the casting ingot similarly to the conventional example 3, and then heat-processed 600 degreeC for 2 hours was manufactured. Using these sputtering targets of Conventional Example 3 and Conventional Example 4, the above various evaluations were performed in the same manner as in Example 29 evaluation. These results are shown in Table 7 and Table 8.

(참고예 2) (Reference Example 2)

표 7 에 기재한 In, Ga 의 배합비로 투입 중량을 7 ㎏ 으로 하여 용해시키고, 합금 용탕을 흑연 주형으로 주조하여, φ80 × 110 (㎜) 의 잉곳을 제조하고, 얻어진 잉곳을 비교예 7 과 동일한 업셋 단조의 횟수 (5 회), 냉간 압연의 압하율, 열처리를 실시하여 220 × 220 ×11 (㎜) 의 판재를 얻었다. 이 참고예 2 에 대해, 상기의 실시예 및 비교예와 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 7 및 표 8 에 나타낸다. 단, 참고예 2 의 스퍼터링 타깃은, 상기의 실시예 및 비교예에서 제조한 스퍼터링 타깃보다 치수가 작기 때문에, 기계 가공 후의 휨은 평가하지 않았다.In the Ga and the mixing ratios shown in Table 7, the input weight was 7 kg to dissolve, the alloy molten metal was cast into a graphite mold to prepare an ingot of φ80 × 110 (mm), and the obtained ingot was the same as in Comparative Example 7. The number of times of upset forging (five times), the reduction ratio of cold rolling, and the heat treatment were performed to obtain a plate material of 220 × 220 × 11 (mm). About this reference example 2, said various evaluation was performed similarly to the said Example and a comparative example. These results are shown in Table 7 and Table 8. However, since the sputtering target of the reference example 2 was smaller in size than the sputtering target manufactured by said Example and the comparative example, the curvature after a machining was not evaluated.

Figure pct00007
Figure pct00007

Figure pct00008
Figure pct00008

표 7 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 29 ∼ 42 는, 은 합금 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛, 입경의 편차가 12 ∼ 20 ％ 로 양호하였다. 이에 반해, In 이 0.05 중량％ 인 비교예 8 에서는, 평균 입경이 260 ㎛ 로 원하는 범위에서 벗어나 있었다. 또, 열간 단조의 온도가 700 ℃ 인 비교예 12 에서는, 입경의 편차가 23 ％ 로 크고, 열간 단조의 온도가 900 ℃ 인 비교예 13 에서는, 평균 입경이 300 ㎛ 로 크고, 입경의 불규칙도 22 ％ 로 컸다.As can be seen from Table 7, in Examples 29 to 42, the average grain size of the silver alloy crystal grains was 120 to 250 µm, and the variation in the grain size was 12 to 20%. On the other hand, in the comparative example 8 whose In is 0.05 weight%, the average particle diameter was 260 micrometers, and was out of the desired range. Moreover, in the comparative example 12 in which the temperature of hot forging is 700 degreeC, in the comparative example 13 in which the deviation of a particle diameter is big as 23%, and the temperature of hot forging is 900 degreeC, the average particle diameter is large as 300 micrometers and the irregularity of a particle diameter 22 It was large as%.

업셋 단조의 횟수가 5 회인 비교예 14 에서는, 입경의 편차가 26 ％ 로 컸다. 또, 종래예 3 은, 입경의 편차가 86 ％ 로 컸다. 또한 종래예 4 는, 평균 입경이 330 ㎛ 로 클 뿐만 아니라, 입경의 불규칙도 28 ％ 로 컸다. 참고예 2 는, 본 발명이 특히 유효해지는 대형 타깃과 비교하여 소형의 타깃을 제조했을 경우의 평가이지만, 열간의 업셋 단조를 5 회로 한 비교예 14 와 거의 동일한 조건에서 제조했음에도 불구하고, 입경의 편차는 14 ％ 로 양호하였다.In Comparative Example 14 in which the number of upset forgings was five times, the variation in particle diameter was large at 26%. Moreover, the variation of the particle size of Conventional Example 3 was large at 86%. In addition, in the conventional example 4, not only the average particle diameter was as large as 330 micrometers, but the irregularity of the particle diameter was large as 28%. Reference Example 2 is an evaluation in the case where a small target is produced in comparison with a large target, in which the present invention is particularly effective, but is manufactured under almost the same conditions as in Comparative Example 14 in which five hot upset forgings were performed. The deviation was good at 14%.

표 8 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 29 ∼ 42 는, 이상 방전 횟수, 기계 가공 후의 휨, 막의 표면 조도, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율, 막의 비저항 모두에 있어서 양호한 결과였다. 이에 반해, In 이 0.05 질량％ 인 비교예 8 에서는, 기계 가공 후의 휨이 1.9 ㎜ 로 크고, 막의 표면 조도도 1.7 ㎚ 로 컸다. In 이 1.7 질량％ 인 비교예 9 에서는, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율이 89.1 ％ 로 작았다. 또, 비교예 8, 비교예 10, 비교예 12 ∼ 14 및 종래예 3, 4 는, 이상 방전 횟수가 22 회 이상으로 많았다. 또한, In 이 1.7 중량％ 인 비교예 9 및 Sn 이 1.8 중량％ 인 비교예 11 은, 막의 비저항이 7 μΩ·㎝ 이상으로 높았다.As can be seen from Table 8, Examples 29 to 42 were good results in both the number of abnormal discharges, the warping after machining, the surface roughness of the film, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm, and the specific resistance of the film. On the other hand, in the comparative example 8 whose In is 0.05 mass%, the curvature after machining was as large as 1.9 mm, and the surface roughness of the film was also as large as 1.7 nm. In Comparative Example 9 in which In was 1.7% by mass, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm was as small as 89.1%. Moreover, the comparative example 8, the comparative example 10, the comparative examples 12-14, and the prior art examples 3 and 4 had 22 or more times of abnormal discharge times. Moreover, the comparative example 9 whose In is 1.7 weight%, and the comparative example 11 whose Sn is 1.8 weight% had a high specific resistance of 7 micro ohm * cm or more.

(실시예 43 ∼ 52, 비교예 15) (Examples 43-52, Comparative Example 15)

표 9 에 기재한 In 과 Ga, Sn 과 Cu, Mg 의 성분 조성 및 제조 조건으로 한 것 이외에는, 실시예 29 와 동일하게 하여 스퍼터링 타깃을 제조하고, 실시예 43 ∼ 52 및 비교예 15 의 스퍼터링 타깃을 얻은 후, 실시예 29 와 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 9 및 표 10 에 나타낸다.A sputtering target was produced in the same manner as in Example 29, except that In and Ga, Sn, Cu, and Mg were used as the composition and manufacturing conditions shown in Table 9, and the sputtering targets of Examples 43 to 52 and Comparative Example 15 were used. After obtaining the above, it carried out similarly to Example 29, and performed said various evaluation. These results are shown in Table 9 and Table 10.

Figure pct00009
Figure pct00009

Figure pct00010
Figure pct00010

표 9 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 43 ∼ 52 는, 은 합금 결정립의 평균 입경이 130 ∼ 180 ㎛, 입경의 편차가 12 ∼ 17 ％ 로 양호하였다. 또, 표 10 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 43 ∼ 52 는, 이상 방전 횟수, 기계 가공 후의 휨, 막의 표면 조도, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율, 막의 비저항 모두에 있어서 양호한 결과였다. 이에 반해, Mg 가 1.7 중량％ 인 비교예 15 는, 다른 특성은 양호하지만, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율이 89.8 ％ 로 약간 낮고, 막의 비저항이 8.20 μΩ·㎝ 로 높았다.As can be seen from Table 9, in Examples 43 to 52, the average particle diameter of the silver alloy crystal grains was 130 to 180 µm, and the variation in the particle size was 12 to 17%. As can be seen from Table 10, Examples 43 to 52 were good results in both the number of abnormal discharges, the warpage after machining, the surface roughness of the film, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm, and the specific resistance of the film. On the other hand, Comparative Example 15, in which Mg was 1.7% by weight, had good other properties, but the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm was slightly low at 89.8%, and the film had a specific resistance of 8.20 μΩ · cm.

(실시예 53 ∼ 62, 비교예 16) (Examples 53-62, Comparative Example 16)

표 11 에 기재한 In 과 Ga, Sn 과 Ce, Eu 의 성분 조성 및 제조 조건으로 한 것 이외에는, 실시예 29 와 동일하게 하여 스퍼터링 타깃을 제조하고, 실시예 53 ∼ 62 및 비교예 16 의 스퍼터링 타깃을 얻은 후, 실시예 29 와 동일하게 하여, 상기의 각종 평가를 실시하였다. 이들 결과를 표 11 및 표 12 에 나타낸다.A sputtering target was produced in the same manner as in Example 29 except that the compositional composition and production conditions of In, Ga, Sn, Ce, and Eu shown in Table 11 were used, and the sputtering targets of Examples 53 to 62 and Comparative Example 16 were obtained. After obtaining the above, it carried out similarly to Example 29, and performed said various evaluation. These results are shown in Table 11 and Table 12.

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
Figure pct00012

표 11 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 53 ∼ 62 는, 은 합금 결정립의 평균 입경이 130 ∼ 200 ㎛, 입경의 편차가 13 ∼ 18 ％ 로 양호하였다. 또, 표 12 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 53 ∼ 62 는, 이상 방전 횟수, 기계 가공 후의 휨, 막의 표면 조도, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 절대 반사율, 막의 비저항 모두에 있어서 양호한 결과였다. 이에 반해, Eu 가 0.9 중량％ 인 비교예 16 은, 다른 특성은 양호하지만, 이상 방전 횟수가 12 회로 많다.As can be seen from Table 11, in Examples 53 to 62, the average particle diameter of the silver alloy crystal grains was 130 to 200 µm, and the variation in the particle size was 13 to 18%. As can be seen from Table 12, Examples 53 to 62 were good results in both the number of abnormal discharges, the warping after machining, the surface roughness of the film, the absolute reflectance at a wavelength of 550 nm, and the specific resistance of the film. On the other hand, Comparative Example 16 in which Eu is 0.9% by weight has good other characteristics, but has a large number of abnormal discharges of 12 circuits.

이상으로부터, 본 발명의 실시예 1 ∼ 62 의 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃은, 이상 방전이 억제되어 있고, 이 스퍼터링 타깃을 스퍼터함으로써, 반사율을 높일 수 있으며, 또한 막의 표면 조도가 작기 때문에, 우수한 성능의 유기 EL 용의 반사 전극막이 얻어지는 것을 알 수 있다. 또, 막의 비저항도 낮고, 터치 패널의 배선막으로서도 양호한 특성이 얻어지는 것을 알 수 있다.As mentioned above, since the abnormal discharge is suppressed in the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of Examples 1-62 of this invention, by sputtering this sputtering target, since reflectance can be made high and the surface roughness of a film is small, It can be seen that a reflective electrode film for organic EL having excellent performance is obtained. Moreover, it turns out that the specific resistance of a film | membrane is low and favorable characteristic is acquired also as a wiring film of a touchscreen.

또한, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시형태 및 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경을 추가하는 것이 가능하다.In addition, the technical scope of this invention is not limited to the said embodiment and the said Example, It is possible to add various changes in the range which does not deviate from the meaning of this invention.

1 : 원주상의 잉곳
2 : 각형의 잉곳
3 : 단조 후의 잉곳
4 : 판재1: Ingot on circumference
2: square ingot
3: ingot after forging
4: plate

Claims (14)

Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 400 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃.It comprises 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, and remainder is comprised from the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity, and the average particle diameter of the crystal grain of the said silver alloy is 120-400 It is micrometer, and the dispersion | variation in the particle diameter of the said crystal grain is 20% or less of an average particle diameter, The silver alloy sputtering target for electroconductive film formation characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,
상기 Ag 의 일부 대신에, Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃.The method of claim 1,
A silver alloy sputtering target for conductive film formation, comprising one or two of Cu and Mg in total, in place of a part of Ag. 제 1 항에 있어서,
상기 Ag 의 일부 대신에, Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃.The method of claim 1,
A silver alloy sputtering target for forming a conductive film, which contains, in place of a part of Ag, one or two kinds of Ce and Eu in total of 0.8% by mass or less. Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 은 합금으로 구성되고, 상기 은 합금의 결정립의 평균 입경이 120 ∼ 250 ㎛ 이고, 상기 결정립의 입경의 편차가 평균 입경의 20 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃.0.1-1.5 mass% of 1 type or 2 types in total of Ga and Sn are contained, In addition, 0.1-1.5 mass% of In is included, and remainder is comprised by the silver alloy which has a component composition which consists of Ag and an unavoidable impurity, The average particle diameter of the crystal grain of the said silver alloy is 120-250 micrometers, and the variation of the particle diameter of the said crystal grain is 20% or less of the average particle diameter, The silver alloy sputtering target for electroconductive film formation characterized by the above-mentioned. 제 4 항에 있어서,
상기 Ag 의 일부 대신에, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃.5. The method of claim 4,
The silver alloy sputtering target for conductive film formation containing 1.0 mass% or less in total of In: 0.1-1.5 mass% and 1 type or 2 types of Cu and Mg instead of a part of said Ag. 제 4 항에 있어서,
상기 Ag 의 일부 대신에, In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃.5. The method of claim 4,
A silver alloy sputtering target for forming a conductive film, which contains 0.8 mass% or less of a total of In: 0.1 to 1.5 mass% and one or two kinds of Ce and Eu in place of a part of the Ag. 제 1 항에 있어서,
타깃 표면이, 0.25 ㎡ 이상의 면적을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃.The method of claim 1,
The target surface has the area of 0.25 m <2> or more, The silver alloy sputtering target for electroconductive film formation characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 기재된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서,
Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법.As a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of Claim 1,
A step of repeating hot upset forging 6 to 20 times by dissolving casting ingot containing 0.1 to 1.5% by mass of Ga or Sn in total and having a component composition of Ag and unavoidable impurities; A method for producing a silver alloy sputtering target for forming a conductive film, comprising the steps of cold rolling, heat treatment, and machining. 제 2 항에 기재된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서,
Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법.As a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of Claim 2,
It contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, Furthermore, it contains 1.0 mass% or less in total of 1 type or 2 types of Cu, Mg, and remainder consists of Ag and an unavoidable impurity. The silver alloy for forming a conductive film comprising the steps of repeating hot upset forging 6 to 20 times, cold rolling, heat treatment, and machining in order of the melt-cast ingot having the component composition in this order. The manufacturing method of a sputtering target. 제 3 항에 기재된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서,
Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법.As a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of Claim 3,
It contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, Furthermore, it contains 0.8 mass% or less in total of 1 type or 2 types of Ce and Eu, and remainder consists of Ag and an unavoidable impurity. The silver alloy for forming a conductive film comprising the steps of repeating hot upset forging 6 to 20 times, cold rolling, heat treatment, and machining in order of the melt-cast ingot having the component composition in this order. The manufacturing method of a sputtering target. 제 4 항에 기재된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서,
Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법.As a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of Claim 4,
A melt-casting ingot containing 0.1 to 1.5% by mass in total of one or two species of Ga and Sn, further including In: 0.1 to 1.5% by mass, the balance having Ag and an unavoidable impurity composition, A method for producing a silver alloy sputtering target for forming a conductive film, comprising the steps of repeating hot upset forging 6 to 20 times, cold rolling, heat treatment, and machining. 제 5 항에 기재된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서,
Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Cu, Mg 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 1.0 질량％ 이하를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법.As a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of Claim 5,
It contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, Furthermore, 1.0 mass% or less contains In: 0.1-1.5 mass% and 1 type or 2 types in Cu, Mg in total, Performing a step of repeating hot upset forging 6 to 20 times, a cold rolling process, a heat treatment process, and a machining process of the melt-cast ingot having a component composition consisting of Ag and unavoidable impurities in this order. The manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation characterized by the above-mentioned. 제 6 항에 기재된 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃을 제조하는 방법으로서,
Ga, Sn 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 1.5 질량％ 를 함유하고, 추가로 In：0.1 ∼ 1.5 질량％ 와 Ce, Eu 중의 1 종 또는 2 종을 합계로 0.8 질량％ 이하를 함유하고, 잔부가 Ag 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 가진 용해 주조 잉곳을, 열간의 업셋 단조를 6 ∼ 20 회 반복하는 공정, 냉간 압연하는 공정, 열처리하는 공정, 기계 가공하는 공정을 이 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법.As a method of manufacturing the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation of Claim 6,
It contains 0.1-1.5 mass% in total of 1 type or 2 types of Ga and Sn, Furthermore, it contains 0.8 mass% or less in total of In: 0.1-1.5 mass% and 1 type or 2 types in Ce, Eu, and Performing a step of repeating hot upset forging 6 to 20 times, a cold rolling process, a heat treatment process, and a machining process of the melt-cast ingot having a component composition consisting of Ag and unavoidable impurities in this order. The manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation characterized by the above-mentioned. 제 8 항에 있어서,
상기 열간의 업셋 단조의 온도가, 750 ∼ 850 ℃ 인 것을 특징으로 하는 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법.
The method of claim 8,
The temperature of the said hot upset forging is 750-850 degreeC, The manufacturing method of the silver alloy sputtering target for electroconductive film formation characterized by the above-mentioned.
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