KR20140003801A - Solar cell and method of fabricating the same - Google Patents

Solar cell and method of fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR20140003801A
KR20140003801A KR1020120070358A KR20120070358A KR20140003801A KR 20140003801 A KR20140003801 A KR 20140003801A KR 1020120070358 A KR1020120070358 A KR 1020120070358A KR 20120070358 A KR20120070358 A KR 20120070358A KR 20140003801 A KR20140003801 A KR 20140003801A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode layer
front electrode
layer
doping material
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020120070358A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박기곤
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120070358A priority Critical patent/KR20140003801A/en
Publication of KR20140003801A publication Critical patent/KR20140003801A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

A solar cell according to the embodiment of the present invention comprises a substrate, a rear electrode layer disposed on the substrate, an optical absorption layer disposed on the rear electrode layer, and a buffer layer which is located on the optical absorption layer, a penetrating groove which penetrates the optical absorption layer and the buffer layer, a first front electrode layer located on the buffer layer, and a second front electrode layer disposed inside the penetrating groove. The first front electrode layer and the second front electrode layer comprise oxide materials including doping substances, wherein a first doping material contained in the front electrode of the first concentration and a second doping material contained in the second electrode of a second concentration differ from each other. The method for manufacturing the solar cell according to the embodiment includes a step of forming a rear electrode layer on the substrate, a step of forming the light absorption layer on the rear electrode layer, a step of forming a buffer layer on the light absorption layer, a step of forming the first penetrating groove which penetrates the rear electrode layer, the optical absorption layer and the buffer layer, and step of depositing the insulation member inside the first penetrating groove.

Description

태양전지 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

실시예는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.

태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.A manufacturing method of a solar cell for solar power generation is as follows. First, a substrate is provided, a back electrode layer is formed on the substrate, and patterned by a laser to form a plurality of back electrodes.

이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 내지 1.8 eV 이다.Then, a light absorption layer, a buffer layer, and a high-resistance buffer layer are sequentially formed on the back electrodes. A method of forming a light absorbing layer of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS system) while simultaneously or separately evaporating copper, indium, gallium and selenium in order to form the above- A method in which a metal precursor film is formed and then formed by a selenization process is widely used. The band gap of the light absorption layer is about 1 to 1.8 eV.

이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2 내지 2.4 eV 이다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.Thereafter, a buffer layer containing cadmium sulfide (CdS) is formed on the light absorbing layer by a sputtering process. The energy bandgap of the buffer layer is about 2.2 to 2.4 eV. Thereafter, a high resistance buffer layer including zinc oxide (ZnO) is formed on the buffer layer by a sputtering process. The energy bandgap of the high resistance buffer layer is about 3.1 to 3.3 eV.

이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.Thereafter, a groove pattern may be formed in the light absorbing layer, the buffer layer, and the high resistance buffer layer.

이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이에 따라서, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명전극층이 형성되고, 상기 홈 패턴 내측에 접속배선들이 각각 형성된다. 상기 투명전극층 및 상기 접속배선으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 상기 투명전극층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.Thereafter, a transparent conductive material is stacked on the high resistance buffer layer, and the groove pattern is filled with the transparent conductive material. Accordingly, a transparent electrode layer is formed on the high resistance buffer layer, and connection wirings are formed inside the groove pattern, respectively. Examples of the material used for the transparent electrode layer and the connection wiring include aluminum doped zinc oxide and the like. The energy band gap of the transparent electrode layer is about 3.1 to 3.3 eV.

이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 각각의 셀에 대응한다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.Thereafter, a groove pattern is formed in the transparent electrode layer, and a plurality of solar cells may be formed. The transparent electrodes and the high resistance buffers correspond to respective cells. The transparent electrodes and the high resistance buffers may be arranged in a stripe form or a matrix form.

상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.The transparent electrodes and the back electrodes are misaligned with each other, and the transparent electrodes and the back electrodes are electrically connected to each other by the connection wirings. Accordingly, a plurality of solar cells can be electrically connected in series with each other.

이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.Thus, various types of photovoltaic devices can be manufactured and used to convert sunlight into electrical energy. Such a photovoltaic power generation apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2008-0088744.

한편, 기존 공정은 버퍼층을 형성한 후, 제 2 관통홈을 형성하고, 상기 버퍼층 및 상기 관통홈 내부에 전면 전극층을 형성하여 복수의 셀들을 서로 직렬로 연결하였다.Meanwhile, in the conventional process, after forming a buffer layer, a second through hole is formed, and a front electrode layer is formed inside the buffer layer and the through groove to connect a plurality of cells in series.

그러나, 이때 상기 전면 전극층과 상기 후면 전극층을 접속하는 접속부의 직렬 저항 증가로 인해, 전체적인 태양전지의 효율에 영향을 주는 문제점이 있었다.However, at this time, due to the increase in the series resistance of the connection portion connecting the front electrode layer and the back electrode layer, there was a problem that affects the efficiency of the overall solar cell.

이에 따라, 상기 접속부의 직렬 저항을 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 새로운 태양전지 및 이의 제조 방법의 필요성이 대두된다.Accordingly, there is a need for a new solar cell and a method of manufacturing the same that can reduce the series resistance of the connection to improve the efficiency of the solar cell.

실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 가지는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a solar cell having an improved photoelectric conversion efficiency and a method of manufacturing the same.

실시예에 따른 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 관통홈; 상기 버퍼층 상에 배치되는 제 1 전면 전극층; 및 상기 관통홈 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층을 포함하고, 상기 제 1 전면 전극층 및 상기 제 2 전면 전극층은 도핑 물질을 포함하는 산화물을 포함하며, 상기 제 1 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 1 농도와 상기 제 2 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 2 농도는 서로 다르다.A solar cell according to an embodiment includes a substrate; A rear electrode layer disposed on the substrate; A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer; A buffer layer disposed on the light absorbing layer; A through hole penetrating the light absorbing layer and the buffer layer; A first front electrode layer disposed on the buffer layer; And a second front electrode layer disposed inside the through groove, wherein the first front electrode layer and the second front electrode layer include an oxide including a doping material, and wherein the first front electrode layer is formed of the doped material included in the first front electrode layer. The first concentration and the second concentration of the doping material included in the second front electrode layer are different from each other.

실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 관통홈들을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 제 1 전면 전극층 및 상기 관통홈들 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 전면 전극층 및 상기 제 2 전면 전극층은 도핑 물질을 포함하는 산화물을 포함하며, 상기 제 1 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 1 농도와 상기 제 2 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 2 농도는 서로 다르다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a rear electrode layer on a substrate; Forming a light absorbing layer on the back electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; Forming through holes penetrating the light absorption layer and the buffer layer; And forming a first front electrode layer disposed on the buffer layer and a second front electrode layer disposed in the through grooves, wherein the first front electrode layer and the second front electrode layer include a doping material. And a first concentration of the doping material included in the first front electrode layer and a second concentration of the doping material included in the second front electrode layer are different from each other.

실시예에 따른 태양전지 및 태양전지 제조 방법에 따르면, 전면 전극층과 후면 전극층이 접속하는 접속부의 직렬 저항을 감소시켜, 전체적인 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.According to the solar cell and the solar cell manufacturing method according to the embodiment, it is possible to reduce the series resistance of the connection portion connecting the front electrode layer and the rear electrode layer, it is possible to improve the efficiency of the overall solar cell.

즉, 전면 전극층과 일체로 형성되는 접속부의 도핑 물질 농도를 더 높은 농도로 형성하여, 상기 접속부의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다.That is, the doping material concentration of the connection portion formed integrally with the front electrode layer can be formed to a higher concentration, thereby improving the electrical conductivity of the connection portion.

따라서, 상기 전기 전도도의 향상에 따라, 상기 직렬 저항을 감소시킬 수 있고, 전체적인 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Therefore, according to the improvement of the electrical conductivity, the series resistance can be reduced, and the efficiency of the overall solar cell can be improved.

또한, 상기 접속부는 발전이 되지 않는 데드존 영역으로서 도핑 물질에 의한 투과도의 감소에 의해서도 전체적인 태양전지의 효율에는 영향을 주지 않는다.In addition, the connection portion is a dead zone in which power generation is not generated, and the reduction of the transmittance by the doping material does not affect the overall efficiency of the solar cell.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 10은 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a plan view showing a solar cell according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a cross section of the solar cell according to the embodiment.
3 to 10 are views for explaining a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이고, 도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.Hereinafter, a solar cell according to an embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a plan view illustrating a solar cell according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the solar cell according to the embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는, 지지 기판(100), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면 전극층(500)을 포함한다.1 and 2, a solar cell according to an embodiment includes a support substrate 100, a rear electrode layer 200, a light absorption layer 300, a buffer layer 400, and a front electrode layer 500.

상기 지지 기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 전면 전극층(500) 및 상기 접속부(600)를 지지한다.The support substrate 100 has a plate shape and supports the rear electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the front electrode layer 500, and the connection part 600.

상기 지지 기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지 기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. More specifically, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. Alternatively, a ceramic substrate such as alumina, stainless steel, a flexible polymer, or the like may be used as the support substrate 100. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스템(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴은 다른 원소에 비해 상기 지지 기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The back electrode layer 200 is disposed on the support substrate 100. The back electrode layer 200 is a conductive layer. The back electrode layer 200 may be formed of any one of molybdenum (Mo), gold (Au), aluminum (Al), chromium (Cr), tungstem (W), and copper (Cu). Of these, molybdenum has a smaller difference in thermal expansion coefficient than the support substrate 100 in comparison with other elements, so that it is possible to prevent peeling phenomenon from occurring due to its excellent adhesiveness.

또한, 상기 후면 전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. In this case, each of the layers may be formed of the same metal or different metals.

상기 후면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.First through holes TH1 are formed in the back electrode layer 200. The first through holes TH1 are open regions that expose the top surface of the support substrate 100. The first through grooves TH1 may have a shape extending in a first direction when viewed from a plane.

상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다.The width of the first through-holes TH1 may be about 80 to 200 mu m.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극들이 정의된다.By the first through holes TH1, the back electrode layer 200 is divided into a plurality of back electrodes. That is, the back electrodes are defined by the first through holes TH1.

상기 후면 전극들은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면 전극들은 스트라이프 형태로 배치된다.The rear electrodes are spaced apart from each other by the first through holes TH1. The rear electrodes are arranged in a stripe shape.

이와는 다르게, 상기 후면 전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.Alternatively, the rear electrodes may be arranged in a matrix. At this time, the first through grooves TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 또한, 상기 광 흡수층(300)에 포함된 물질은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 채워진다.The light absorbing layer 300 is disposed on the back electrode layer 200. In addition, the material included in the light absorbing layer 300 is filled in the first through holes TH1.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 300 includes a group I-III-VI compound. For example, the light absorbing layer 300 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

이어서, 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 두께는 약 50 ㎚ 내지 약 150 ㎚ 일 수 있으며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2 eV 내지 2.4 eV 일 수 있다.Subsequently, the buffer layer 400 is disposed on the light absorbing layer 300. The buffer layer 400 is in direct contact with the light absorbing layer 300. The buffer layer 400 includes cadmium sulfide, ZnS, InXSY and InXSeYZn (O, OH). The thickness of the buffer layer 400 may be about 50 nm to about 150 nm, and the energy band gap of the buffer layer 400 may be about 2.2 eV to about 2.4 eV.

상기 버퍼층(400) 상에는 고저항 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 약 3.3 eV 일 수 있다. 또한, 상기 고저항 버퍼층은 생략될 수 있다.A high resistance buffer layer may be further disposed on the buffer layer 400. The high resistance buffer layer includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy band gap of the high resistance buffer layer may be about 3.1 eV to about 3.3 eV. Further, the high-resistance buffer layer may be omitted.

상기 버퍼층(400) 상에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 지지 기판(100)의 상면 및 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Second through holes (TH2) may be formed on the buffer layer (400). The second through holes TH2 are open regions exposing the top surface of the support substrate 100 and the top surface of the back electrode layer 200. The second through grooves TH2 may have a shape extending in one direction when viewed in a plan view. The width of the second through holes TH2 may be about 80 μm to 200 μm, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 버퍼층들로 정의된다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 버퍼층들로 구분된다.The buffer layer 400 is defined as a plurality of buffer layers by the second through holes TH2. That is, the buffer layer 400 is divided into the buffer layers by the second through holes TH2.

이어서, 상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 자세하게, 상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치되는 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층(520)을 포함할 수 있다.Next, the front electrode layer 500 is disposed on the buffer layer 400. In detail, the front electrode layer 500 may include a first front electrode layer 510 disposed on the buffer layer 400 and a second front electrode layer 520 disposed inside the second through holes TH2. have.

상기 제 1 전면 전극층(510) 및 상기 제 2 전면 전극층(520)은 산화물을 포함한다. 자세하게, 상기 제 1 전면 전극층(510) 및 상기 제 2 전면 전극층(520)은 도핑 물질을 포함하는 산화물을 포함한다.The first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 include an oxide. In detail, the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 include an oxide including a doping material.

상기 산화물은 징크 옥사이드(ZnO)를 포함한다. 또한, 상기 도핑 물질은 알루미늄(Al), 붕소(B) 또는 갈륨(Ga)을 포함한다. 바람직하게, 상기 도핑 물질은 붕소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전면 전극층(510)에 포함되는 도핑 물질과 상기 제 2 전면 전극층(520)에 포함되는 도핑 물질은 서로 동일할 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 제한되지 않고, 상기 제 1 전면 전극층(510)에 포함되는 도핑 물질과 상기 제 2 전면 전극층(520)에 포함되는 도핑 물질은 서로 상이할 수 있다.The oxide comprises zinc oxide (ZnO). In addition, the doping material includes aluminum (Al), boron (B) or gallium (Ga). Preferably, the doping material may include boron. In addition, the doping material included in the first front electrode layer 510 and the doping material included in the second front electrode layer 520 may be the same. However, the embodiment is not limited thereto, and the doping material included in the first front electrode layer 510 and the doping material included in the second front electrode layer 520 may be different from each other.

즉, 상기 도핑 물질을 포함하는 산화물은 알루미늄, 붕소 또는 갈륨 등의 도핑 물질을 포함하는 징크 옥사이드일 수 있다. 일례로, 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 붕소가 도핑된 징크 옥사이드(B doped ZnO;BZO), 갈륨이 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped ZnO;GZO) 등을 들 수 있다.That is, the oxide including the doping material may be zinc oxide including a doping material such as aluminum, boron, or gallium. For example, examples of the material used as the front electrode layer 500 include aluminum doped ZnO (AZO), boron doped ZnO (B doped ZnO; BZO), and gallium doped ZnO ( Ga doped ZnO; GZO) etc. are mentioned.

상기 전면 전극층(500)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다.The thickness of the front electrode layer 500 may be about 500 nm to about 1.5 占 퐉.

상기 전면 전극층(500)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 위치하는 접속부들을 포함한다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 배치되는 상기 제 2 전면 전극층(520)은 접속부들일 수 있다.The front electrode layer 500 includes connection parts positioned in the second through holes TH2. That is, the second front electrode layer 520 disposed in the second through holes TH2 may be connection parts.

상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)은 상기 버퍼층 상과 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 위치하여 일체로 형성될 수 있다.The first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 may be integrally formed. That is, the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 may be integrally formed on the buffer layer and inside the second through holes TH2.

앞서 설명한 바와 같이, 상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)은 도핑 물질을 포함한다. 이때, 상기 제 1 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 1 농도와 상기 제 2 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 2 농도는 서로 다를 수 있다.As described above, the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 include a doping material. In this case, a first concentration of the doping material included in the first front electrode layer and a second concentration of the doping material included in the second front electrode layer may be different from each other.

바람직하게는, 상기 제 2 농도가 상기 제 1 농도보다 더 클 수 있다. 즉, 일체로 형성되는 상기 제 2 전면 전극층(520)에 포함되는 상기 도핑 물질의 농도가 상기 제 1 전면 전극층(510)에 포함되는 상기 도핑 물질의 농도보다 더 클 수 있다.Preferably, the second concentration may be greater than the first concentration. That is, the concentration of the doping material included in the second front electrode layer 520 integrally formed may be greater than the concentration of the doping material included in the first front electrode layer 510.

일반적으로, 상기 전면 전극층(500) 내에 포함되는 도핑 물질은 투과율과 전기 전도도에 영향을 준다. 자세하게, 상기 도핑 물질이 증가하면 투과율이 감소는데 반해, 전기 전도도가 상승하게 된다. 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 배치되는 상기 제 2 전면 전극층은 발전이 되지 않는 데드존(dead zone) 영역으로서, 투과율 특성을 불요하며, 상기 접속 저항을 낮추기 위해 전기 전도도의 상승이 요구된다.In general, the doping material included in the front electrode layer 500 affects the transmittance and electrical conductivity. In detail, as the doping material increases, the transmittance decreases, whereas the electrical conductivity increases. The second front electrode layer disposed inside the second through holes TH2 is a dead zone in which no power is generated and does not require transmittance characteristics, and an increase in electrical conductivity is required to reduce the connection resistance. do.

이에 따라, 실시예에 따른 태양전지는, 상기 버퍼층(400) 상에 배치되는 제 1 전면 전극층(510)의 도핑 물질 농도보다, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 배치되는 상기 제 2 전면 전극층(520)의 도핑 물질의 농도가 더 높다.Accordingly, in the solar cell according to the embodiment, the second front surface disposed inside the second through holes TH2 than the doping material concentration of the first front electrode layer 510 disposed on the buffer layer 400. The concentration of the doping material in the electrode layer 520 is higher.

상기 제 2 전면 전극층(520) 영역은 투과율이 감소하지만, 상기 제 2 전면 전극층(520)은 데드존 영역이므로, 투과율의 감소에 영향을 받지 않는다.The transmittance of the second front electrode layer 520 is reduced, but the second front electrode layer 520 is a dead zone, and thus is not affected by the decrease of the transmittance.

따라서, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 배치되는 상기 제 2 전면 전극층(510)의 전기 전도도를 상승시킬 수 있다. 따라서, 상기 전면 전극층(500)과 상기 후면 전극층(200)과의 접속 저항을 감소시킴으로써, 전체적으로 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있다.Therefore, the electrical conductivity of the second front electrode layer 510 disposed in the second through holes TH2 may be increased. Therefore, by reducing the connection resistance between the front electrode layer 500 and the rear electrode layer 200, it is possible to increase the efficiency of the solar cell as a whole.

상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 버퍼층(400)의 일부 또는 전부, 상기 고저항 버퍼층 및 상기 전면 전극층(500)을 관통할 수 있다. 즉, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출시킬 수 있다.Third through holes TH3 are formed in the buffer layer 400 and the front electrode layer 500. The third through holes TH3 may pass through part or all of the buffer layer 400, the high resistance buffer layer, and the front electrode layer 500. That is, the third through holes TH3 may expose the upper surface of the rear electrode layer 200. [

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.The third through grooves TH3 are formed at positions adjacent to the second through grooves TH2. More specifically, the third through-holes TH3 are disposed beside the second through-holes TH2. That is, when viewed in plan, the third through grooves TH3 are arranged next to the second through grooves TH2. The third through grooves TH3 may have a shape extending in the first direction.

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 전면 전극층(600)을 관통한다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및/또는 상기 고저항 버퍼층을 일부 또는 전부 관통할 수 있다.The third through holes TH3 pass through the front electrode layer 600. In more detail, the third through holes TH3 may pass through the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and / or the high resistance buffer layer.

상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 전면 전극층(500)은 다수 개의 전면전극들로 구분된다. 즉, 상기 전면전극들은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.The front electrode layer 500 is divided into a plurality of front electrodes by the third through holes TH3. That is, the front electrodes are defined by the third through holes TH3.

상기 전면 전극들은 상기 후면 전극들과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 전면전극들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 전면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.The front electrodes have a shape corresponding to the rear electrodes. That is, the front electrodes are arranged in a stripe form. Alternatively, the front electrodes may be arranged in a matrix form.

또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들(C1, C2...)로 구분된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 서로 연결된다. 즉, 상기 태양전지들(C1, C2...)을 통하여 상기 제 2 방향으로 전류가 흐를 수 있다.Further, a plurality of solar cells C1, C2, ... are defined by the third through-holes TH3. More specifically, the solar cells (C1, C2, ...) are defined by the second through-holes (TH2) and the third through-holes (TH3). That is, the photovoltaic apparatus according to the embodiment is divided into the solar cells C1, C2, ... by the second through grooves TH2 and the third through grooves TH3. The solar cells C1, C2, ... are connected to each other in a second direction intersecting with the first direction. That is, current can flow in the second direction through the solar cells C1, C2, ....

즉, 상기 태양전지 패널(10)은 상기 지지기판(100) 및 상기 태양전지들(C1, C2...)을 포함한다. 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 지지기판(100) 상에 배치되고, 서로 이격된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 접속부들에 의해서 서로 직렬로 연결된다.That is, the solar cell panel 10 includes the support substrate 100 and the solar cells C1, C2,. The solar cells C1, C2, ... are disposed on the support substrate 100 and are spaced apart from each other. Further, the solar cells C1, C2, ... are connected to each other in series by the connecting portions.

상기 접속부들은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부들은 상기 전면 전극층(500)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 후면 전극층(500)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부들은 상기 제 1 셀(C1)의 전면전극으로부터 연장되어, 상기 제 2 셀(C2)의 후면전극에 접속된다. 즉, 상기 접속부는 상기 후면 전극층(200) 상에 배치되는 상기 금속층(210) 상에 접속된다.The connection portions are disposed inside the second through-holes TH2. The connection parts extend downward from the front electrode layer 500 and are connected to the rear electrode layer 500. For example, the connection parts extend from the front electrode of the first cell C1 and are connected to the back electrode of the second cell C2. That is, the connection part is connected to the metal layer 210 disposed on the back electrode layer 200.

따라서, 상기 접속부들은 서로 인접하는 태양전지들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부들은 서로 인접하는 태양전지들에 각각 포함된 전면전극과 후면전극을 연결한다.
Thus, the connection parts connect adjacent solar cells to each other. In more detail, the connection portions connect the front electrode and the rear electrode included in the adjacent solar cells, respectively.

이하, 도 3 내지 도 10을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명한다. 도 3 내지 도 10은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 10. 3 to 10 are views for explaining a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

먼저, 도 3을 참조하면, 지지 기판(100) 상에 후면 전극층(200)이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다. First, referring to FIG. 3, the back electrode layer 200 is formed on the support substrate 100. The back electrode layer 200 may be formed by physical vapor deposition (PVD) or plating.

이어서, 도 4를 참조하면, 상기 후면 전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 지지 기판(100) 상에 다수 개의 후면전극들이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.Subsequently, referring to FIG. 4, the rear electrode layer 200 is patterned to form first through holes TH1. Accordingly, a plurality of rear electrodes are formed on the supporting substrate 100. The back electrode layer 200 is patterned by a laser.

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지 기판(100)의 상면을 노출하며, 약 80㎛ 내지 약 200㎛의 폭을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first through holes TH1 expose the upper surface of the supporting substrate 100 and may have a width of about 80 mu m to about 200 mu m, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 지지 기판(100) 및 상기 후면 전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.An additional layer such as a diffusion barrier layer may be interposed between the supporting substrate 100 and the back electrode layer 200. The first through holes TH1 expose the upper surface of the additional layer .

이어서, 도 5를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, a light absorption layer 300 is formed on the rear electrode layer 200. The light absorption layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation process.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) light-emitting layer is formed while simultaneously evaporating copper, indium, gallium, A method of forming the light absorbing layer 300 and a method of forming the metal precursor film by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When a metal precursor film is formed and then subjected to selenization, a metal precursor film is formed on the rear electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Then, the metal precursor film is formed with a light absorbing layer 300 of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2, CIGS system) by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based optical absorption layer 300 can be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

이후, 도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400)이 형성된다. 상기 버퍼층(400)의 제조방법은 당업계에서 태양전지의 버퍼층 제조를 위해 사용하는 것이라면 특별히 제한없이 사용가능하다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400)은 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemicalbath deposition), VTD법(Vapor transport deposition), 원자층 증착 (Atomic layer deposition: ALD), 및 전착법(electrodeposition) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 용액성장법(Chemicalbath deposition; CBD), 원자층 증착 (Atomic layer deposition: ALD) 또는, 유기금속화학기상증착(MOCVD)에 의하여 제조될 수 있다. Referring to FIG. 6, a buffer layer 400 is formed on the light absorption layer 300. The method of manufacturing the buffer layer 400 is not particularly limited as long as it is used in the art for manufacturing a buffer layer of a solar cell. For example, the buffer layer 400 may be formed by sputtering, evaporation, chemical vapor deposition, organometallic chemical vapor deposition (MOCVD), and close-spaced sublimation (CSS). Spray pyrolysis, chemical spraying, screen printing, non-vacuum liquid film deposition, chemical bath deposition, chemical transport deposition, vapor transport deposition, atomic layer deposition (Atomic layer deposition: ALD) and electrodeposition (electrodeposition) can be formed by any one of the methods selected. In more detail, the buffer layer 400 may be manufactured by chemical bath deposition (CBD), atomic layer deposition (ALD), or organometallic chemical vapor deposition (MOCVD).

이어서, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 증착 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층이 더 형성될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 디에틸아연(diethylzinc, DEZ) 및 H2O 를 증착함으로써 형성될 수 있다. Then, zinc oxide is deposited on the buffer layer 400 by a deposition process or the like, and the high resistance buffer layer may be further formed. The high resistance buffer layer may be formed by depositing diethylzinc (DEZ) and H 2 O.

상기 고저항 버퍼층은 화학 증착(chemical vapor deposition, CVD), 유기금속 화학 증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 또는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 고저항 버퍼층은 유기금속 화학 증착을 통해 형성될 수 있다.The high resistance buffer layer may be formed by chemical vapor deposition (CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or atomic layer deposition (ALD). Preferably, the high-resistance buffer layer may be formed through metal-organic chemical vapor deposition.

이어서, 도 7을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.Referring to FIG. 7, the light absorbing layer 300 and a part of the buffer layer 400 are removed to form second through holes TH2.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The second through grooves TH2 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400) 및/또는 고저항 버퍼층은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, the light absorbing layer 300 and the buffer layer 400 and / or the high resistance buffer layer can be patterned by a tip having a width of about 40 占 퐉 to about 180 占 퐉. In addition, the second through holes TH2 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.At this time, the width of the second through grooves TH2 may be about 100 mu m to about 200 mu m. In addition, the second through holes TH2 are formed to expose a portion of the top surface of the back electrode layer 200.

이어서, 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 버퍼층(400) 상에 전면 전극층(500)을 형성한다. 자세하게, 상기 버퍼층(400) 상에 배치되는 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층(510)을 형성한다. 상기 제 1 전면 전극층(510)을 형성하는 공정과 상기 제 2 전면 전극층(520)을 형성하는 공정은 동시에 진행될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)은 일체로 형성될 수 있다.8 and 9, the front electrode layer 500 is formed on the buffer layer 400. In detail, the first front electrode layer 510 disposed on the buffer layer 400 and the second front electrode layer 510 disposed in the second through holes TH2 are formed. The process of forming the first front electrode layer 510 and the process of forming the second front electrode layer 520 may be simultaneously performed. In addition, the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 may be integrally formed.

상기 제 1 전면 전극층 및 상기 제 2 전면 전극층은 도핑 물질을 포함하는 산화물을 포함한다. 또한, 상기 제 1 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 1 농도와 상기 제 2 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 2 농도는 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 농도는 상기 제 1 농도보다 더 클 수 있다.The first front electrode layer and the second front electrode layer include an oxide including a doping material. In addition, a first concentration of the doping material included in the first front electrode layer and a second concentration of the doping material included in the second front electrode layer may be different from each other. In detail, the second concentration may be greater than the first concentration.

상기 버퍼층 상에 배치되는 제 1 전면 전극층 및 상기 관통홈들 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층을 형성하는 단계는, 상기 관통홈들 내부에 상기 도핑 물질을 포함하는 화합물을 투입하는 단계; 상기 버퍼층 상에 배치되는 상기 제 1 전면 전극층 및 상기 관통홈들 내부에 배치되는 상기 제 2 전면 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 관통홈들 내부에 투입된 화합물이 분해되어 확산하는 단계를 포함한다. 여기서 상기 관통홈들은 상기 제 2 관통홈들(TH2)일 수 있다.Forming a first front electrode layer disposed on the buffer layer and a second front electrode layer disposed in the through grooves includes: injecting a compound including the doping material into the through grooves; Forming the first front electrode layer disposed on the buffer layer and the second front electrode layer disposed in the through grooves; And decomposing and diffusing the compound introduced into the through holes. The through holes may be the second through holes TH2.

상기 관통홈들 내부에 상기 도핑 물질을 포함하는 화합물을 투입하는 단계에서는, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 도핑 물질을 포함하는 화합물(530)을 투입한다. 이때, 상기 도핑 물질은 알루미늄, 붕소 또는 갈륨을 포함한다. 바람직하게는, 상기 도핑 물질은 붕소를 포함한다. In the step of injecting the compound containing the doping material into the through grooves, the compound 530 containing the doping material is introduced into the second through holes (TH2). In this case, the doping material includes aluminum, boron or gallium. Preferably, the doping material comprises boron.

또한, 상기 화합물(530)은 붕소 산화물, 알루미늄 산화물 또는 갈륨 산화물을 포함한다. 일례로, 상기 화합물(530)은 H3BO3, HBO2, Al2O3 또는 Ga2O3 등의 산화물을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 화합물(530)은 붕소 산화물을 포함한다. In addition, the compound 530 includes boron oxide, aluminum oxide or gallium oxide. In one example, the compound 530 may include an oxide such as H 3 BO 3 , HBO 2 , Al 2 O 3, or Ga 2 O 3 . Preferably, compound 530 comprises boron oxide.

상기 화합물(530)은 분말(powder) 또는 액체 상태로 투입될 수 있다. 자세하게, 고체 상태의 화합물을 직경 3㎛ 이하, 바람직하게는 1㎛ 이하의 분말로 분쇄하여 바로 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부로 투입하거나, 상기 분쇄된 분말을 물, 알코올 또는 400℃ 이하의 온도에서 휘발되는 용매에 분산시킨 후, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부로 투입할 수 있다.The compound 530 may be added in a powder or liquid state. In detail, the solid compound is pulverized into a powder having a diameter of 3 μm or less, preferably 1 μm or less and immediately introduced into the second through holes TH2, or the pulverized powder is water, alcohol or 400 ° C. or less. After dispersing in a solvent that is volatilized at a temperature of, it may be introduced into the second through holes (TH2).

이어서, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 상기 도핑 물질을 포함하는 화합물을 분산시킨 후, 상기 버퍼층 상에 배치되는 상기 제 1 전면 전극층 및 상기 관통홈들 내부에 배치되는 상기 제 2 전면 전극층을 형성한다.Subsequently, after dispersing the compound including the doping material in the second through holes TH2, the first front electrode layer disposed on the buffer layer and the second front electrode layer disposed inside the through holes. To form.

상기 제 1 전면 전극층(510) 및 상기 제 2 전면 전극층(520)은 스퍼터링(sputtering) 또는 화학기상증착법(chemical vapor deposition)에 의하여 형성할 수 있다.The first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 may be formed by sputtering or chemical vapor deposition.

일례로, 상기 도핑 물질로서 붕소를 사용하는 경우, 상기 제 1 전면 전극층(510) 및 상기 제 2 전면 전극층(520)은 RF 스퍼터링 방법으로 B2O3 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 B 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 공정에 의해 상기 제 1 전면 전극층(510) 및 상기 제 2 전면 전극층(520)을 형성할 수 있다.For example, when boron is used as the doping material, the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 may be deposited using a B 2 O 3 target and a B target by RF sputtering. The first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 may be formed by the reactive sputtering process.

상기 제 1 전면 전극층(510) 및 상기 제 2 전면 전극층(520)을 형성하는 공정은 동시에 진행된다. 즉, 상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)을 형성하는 공정은 동시에 진행되고, 상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)은 일체로 형성된다. 또한, 상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)은 300㎚ 내지 1.0㎛의 얇은 두께로 형성될 수 있다.The process of forming the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 is simultaneously performed. That is, the process of forming the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 is simultaneously performed, and the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 are integrally formed. . In addition, the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 may be formed to a thin thickness of 300nm to 1.0㎛.

상기 제 1 전면 전극층(510)과 상기 제 2 전면 전극층(520)을 형성하는 공정과 동시에, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 투입된 상기 도핑 물질을 포함하는 화합물이 이온화된다. 일례로, 붕소 산화물을 상기 화합물로 투입한 경우에는, 상기 붕소 산화물이 이온화되어, 상기 붕소가 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에서 국부적으로 확산할 수 있다.At the same time as the process of forming the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520, a compound including the doping material introduced into the second through holes TH2 is ionized. For example, when boron oxide is introduced into the compound, the boron oxide may be ionized, and the boron may locally diffuse in the second through holes TH2.

따라서, 상기 제 1 전면 전극층(510)에 포함되는 도핑 물질의 농도와 상기 제 2 전면 전극층(520)에 포함되는 도핑 물질의 농도가 서로 달라질 수 있다. 즉, 상기 제 2 전면 전극층(520)에는 상기 화합물들이 이온화되므로, 상기 화합물의 투입량의 정도에 따라 상기 제 1 전면 전극층(510)에 포함되는 도핑 물질의 농도와 상기 제 2 전면 전극층(520)에 포함되는 도핑 물질의 농도는 서로 달라질 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 전면 전극층(520)에 포함되는 도핑 물질의 농도가 상기 제 1 전면 전극층(510)에 포함되는 도핑 물질의 농도보다 더 커지게 된다.Accordingly, the concentration of the doping material included in the first front electrode layer 510 and the concentration of the doping material included in the second front electrode layer 520 may be different from each other. That is, since the compounds are ionized in the second front electrode layer 520, the concentrations of the doping materials included in the first front electrode layer 510 and the second front electrode layer 520 depend on the amount of the compound input. The concentration of the doping material included may vary from one another. In detail, the concentration of the doping material included in the second front electrode layer 520 is greater than the concentration of the doping material included in the first front electrode layer 510.

상기 제 2 전면 전극층(520)은 접속부일 수 있다. 자세하게, 복수 개의 태양전지들(C1, C2...)을 서로 직렬로 연결하는 접속부일 수 있다. 즉, 상기 접속부에 의해 상기 전면 전극층(500)과 상기 후면 전극층(400)이 접속된다.The second front electrode layer 520 may be a connection portion. In detail, the plurality of solar cells C1, C2... May be connected to each other in series. That is, the front electrode layer 500 and the rear electrode layer 400 are connected by the connection part.

이때, 상기 전면 전극층(500)과 상기 후면 전극층(200)의 저항 차이로 인해, 직렬 저항(Rs)이 증가할 수 있다. 즉, 상기 직력 저항의 증가에 의해 태양전지의 전체 효율이 감소되는 문제점이 있었다.In this case, the series resistance R s may increase due to a difference in resistance between the front electrode layer 500 and the rear electrode layer 200. That is, there is a problem that the overall efficiency of the solar cell is reduced by the increase in the series resistance.

이에 따라, 실시예에 따른 태양전지는 상기 전면 전극층(500)을 형성하기 전에, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 도핑 물질을 포함하는 화합물을 미리 투입한 후, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 형성되는 상기 접속부 즉, 상기 제 2 전면 전극층(520)의 도핑 농도를 증가시켜 전기 전도도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the solar cell according to the embodiment, before the front electrode layer 500 is formed, a compound including a doping material is pre-injected into the second through holes TH2 and then the second through holes are formed. An electrical conductivity may be improved by increasing a doping concentration of the connection part formed inside the TH2, that is, the second front electrode layer 520.

따라서, 상기 전기 전도도의 향상에 따라서, 상기 직렬 저항을 감소시키고, 전체적으로는, 태양전지의 전체 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 접속부 즉, 상기 제 2 전면 전극층(520) 부분은 발전이 되지 않는 데드존 영역이므로, 상기 도핑 물질의 증가로 인해 데드존 영역의 투과율이 감소되어도 태양전지의 전체 효율에는 영향을 주지 않는다.Therefore, as the electrical conductivity is improved, the series resistance can be reduced, and as a whole, the overall efficiency of the solar cell can be increased. In addition, since the connection portion, that is, the second front electrode layer 520, is a dead zone in which no power is generated, even if the transmittance of the dead zone is reduced due to the increase of the doping material, the overall efficiency of the solar cell is not affected. .

이어서, 도 10을 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 전면 전극층(500)은 패터닝되어, 다수 개의 전면전극들 및 제 1 셀(C1), 제 2 셀(C2) 및 제 3 셀들(C3)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
10, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and a part of the front electrode layer 500 are removed to form third through holes TH3. Accordingly, the front electrode layer 500 is patterned to define a plurality of front electrodes and a first cell C1, a second cell C2, and a third cell C3. The width of the third through holes TH3 may be about 80 μm to about 200 μm.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (14)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층;
상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 관통홈;
상기 버퍼층 상에 배치되는 제 1 전면 전극층; 및
상기 관통홈 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층을 포함하고,
상기 제 1 전면 전극층 및 상기 제 2 전면 전극층은 도핑 물질을 포함하는 산화물을 포함하며,
상기 제 1 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 1 농도와 상기 제 2 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 2 농도는 서로 다른 태양전지.Board;
A rear electrode layer disposed on the substrate;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer;
A buffer layer disposed on the light absorbing layer;
A through hole penetrating the light absorbing layer and the buffer layer;
A first front electrode layer disposed on the buffer layer; And
A second front electrode layer disposed in the through groove;
The first front electrode layer and the second front electrode layer include an oxide including a doping material,
The solar cell of claim 1, wherein the first concentration of the doping material included in the first front electrode layer and the second concentration of the doping material included in the second front electrode layer are different from each other. 제 1항에 있어서,
상기 제 2 농도는 상기 제 1 농도보다 큰 태양전지.The method of claim 1,
And the second concentration is greater than the first concentration. 제 1항에 있어서,
상기 도핑 물질은 알루미늄(Al), 붕소(B) 또는 갈륨(Ga)을 포함하는 태양전지.The method of claim 1,
The doping material is a solar cell including aluminum (Al), boron (B) or gallium (Ga). 제 3항에 있어서,
상기 도핑 물질은 붕소인 태양전지.The method of claim 3, wherein
The doping material is boron solar cell. 제 1항에 있어서,
상기 산화물은 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 태양전지.The method of claim 1,
The oxide includes a zinc oxide (ZnO). 제 1항에 있어서,
상기 제 1 전면 전극층 및 상기 제 2 전면 전극층은 일체로 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
The first front electrode layer and the second front electrode layer are formed integrally. 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 관통홈들을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 배치되는 제 1 전면 전극층 및 상기 관통홈들 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 전면 전극층 및 상기 제 2 전면 전극층은 도핑 물질을 포함하는 산화물을 포함하며,
상기 제 1 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 1 농도와 상기 제 2 전면 전극층에 포함되는 도핑 물질의 제 2 농도는 서로 다른 태양전지 제조 방법.Forming a rear electrode layer on the substrate;
Forming a light absorbing layer on the back electrode layer;
Forming a buffer layer on the light absorbing layer;
Forming through holes penetrating the light absorption layer and the buffer layer; And
Forming a first front electrode layer disposed on the buffer layer and a second front electrode layer disposed in the through grooves;
The first front electrode layer and the second front electrode layer include an oxide including a doping material,
The first concentration of the doping material included in the first front electrode layer and the second concentration of the doping material included in the second front electrode layer are different from each other. 제 7항에 있어서,
상기 버퍼층 상에 배치되는 제 1 전면 전극층 및 상기 관통홈들 내부에 배치되는 제 2 전면 전극층을 형성하는 단계는,
상기 관통홈들 내부에 상기 도핑 물질을 포함하는 화합물을 투입하는 단계;
상기 버퍼층 상에 배치되는 상기 제 1 전면 전극층 및 상기 관통홈들 내부에 배치되는 상기 제 2 전면 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 관통홈들 내부에 투입된 화합물이 분해되어 확산하는 단계를 포함하는 태양전지 제조 방법.8. The method of claim 7,
Forming a first front electrode layer disposed on the buffer layer and a second front electrode layer disposed in the through grooves,
Injecting a compound including the doping material into the through grooves;
Forming the first front electrode layer disposed on the buffer layer and the second front electrode layer disposed in the through grooves; And
A method of manufacturing a solar cell comprising dissolving and diffusing a compound introduced into the through grooves. 제 8항에 있어서,
상기 도핑 물질은 알루미늄, 붕소 또는 갈륨을 포함하는 태양전지 제조 방법.The method of claim 8,
The doping material is a solar cell manufacturing method comprising aluminum, boron or gallium. 제 9항에 있어서,
상기 화합물은 붕소 산화물, 알루미늄 산화물 또는 갈륨 산화물을 포함하는 태양전지 제조 방법.The method of claim 9,
The compound is a solar cell manufacturing method comprising boron oxide, aluminum oxide or gallium oxide. 제 8항에 있어서,
상기 도핑 물질을 포함하는 화합물은 액체 또는 분말(powder) 형태로 투입되는 태양전지 제조 방법.The method of claim 8,
The compound containing the doping material is a solar cell manufacturing method is introduced in the form of a liquid or powder (powder). 제 7항에 있어서,
상기 제 2 농도는 상기 제 1 농도보다 큰 태양전지 제조 방법.8. The method of claim 7,
And the second concentration is greater than the first concentration. 제 7항에 있어서,
상기 산화물은 징크 옥사이드를 포함하는 태양전지 제조 방법.8. The method of claim 7,
The oxide is a solar cell manufacturing method comprising a zinc oxide. 제 7항에 있어서,
상기 제 1 전면 전극층 및 상기 제 2 전면 전극층은 일체로 형성되는 태양전지 제조 방법.8. The method of claim 7,
And the first front electrode layer and the second front electrode layer are integrally formed.
KR1020120070358A 2012-06-28 2012-06-28 Solar cell and method of fabricating the same KR20140003801A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120070358A KR20140003801A (en) 2012-06-28 2012-06-28 Solar cell and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120070358A KR20140003801A (en) 2012-06-28 2012-06-28 Solar cell and method of fabricating the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140003801A true KR20140003801A (en) 2014-01-10

Family

ID=50140094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120070358A KR20140003801A (en) 2012-06-28 2012-06-28 Solar cell and method of fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140003801A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150031889A (en) Solar cell
KR20120087030A (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101283072B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101210046B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20120035512A (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101173418B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101173419B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101405639B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101210034B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101393859B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20150039536A (en) Solar cell
KR101934434B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101382884B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101210104B1 (en) Solar cell apparatus
KR20140003801A (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20140047255A (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101417321B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101459830B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101393743B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101459829B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20150031978A (en) Solar cell
KR101349432B1 (en) Photovoltaic apparatus and method of fabricating the same
KR101306527B1 (en) Photovoltaic apparatus
KR101273123B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101262583B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right