KR101459829B1 - Solar cell and method of fabricating the same - Google Patents

Solar cell and method of fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR101459829B1
KR101459829B1 KR1020120092419A KR20120092419A KR101459829B1 KR 101459829 B1 KR101459829 B1 KR 101459829B1 KR 1020120092419 A KR1020120092419 A KR 1020120092419A KR 20120092419 A KR20120092419 A KR 20120092419A KR 101459829 B1 KR101459829 B1 KR 101459829B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
layer
electrode layer
buffer layer
protrusions
Prior art date
Application number
KR1020120092419A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140027629A (en
Inventor
성명석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120092419A priority Critical patent/KR101459829B1/en
Publication of KR20140027629A publication Critical patent/KR20140027629A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101459829B1 publication Critical patent/KR101459829B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

실시예에 따른 태양전지는, 기판; 상기 기판 상면에 형성되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상면 형성되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상면에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상면에 형성되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 기판 후면에는 복수 개의 돌기들이 형성된 패턴부가 형성된다.
실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성한느 단계를 포함하고, 상기 기판 후면에는 복수 개의 돌기들이 형성된 패턴부가 형성되고, 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계에서는, 상기 돌기들은 상기 지기 기판을 이동시키는 구동 롤러와 직접 접촉한다.A solar cell according to an embodiment includes a substrate; A rear electrode layer formed on the upper surface of the substrate; A light absorption layer formed on the upper surface of the rear electrode layer; A buffer layer formed on the upper surface of the light absorbing layer; And a front electrode layer formed on an upper surface of the buffer layer, and a pattern portion having a plurality of protrusions formed on a rear surface of the substrate.
A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a rear electrode layer on a substrate; Forming a light absorption layer on the rear electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And forming a front electrode layer on the buffer layer, wherein a pattern part having a plurality of protrusions formed on a rear surface of the substrate is formed, and in the step of forming a light absorption layer on the rear electrode layer, And is in direct contact with the moving drive roller.

Description

태양전지 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

실시예는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.

태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.A manufacturing method of a solar cell for solar power generation is as follows. First, a substrate is provided, a back electrode layer is formed on the substrate, and the back electrode layer is patterned by a laser to form a plurality of back surface electrodes.

이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 내지 1.8 eV 이다.Then, a light absorption layer, a buffer layer, and a high-resistance buffer layer are sequentially formed on the back electrodes. A method of forming a light absorbing layer of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS system) while simultaneously or separately evaporating copper, indium, gallium and selenium in order to form the above- A method in which a metal precursor film is formed and then formed by a selenization process is widely used. The band gap of the light absorption layer is about 1 to 1.8 eV.

이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2 내지 2.4 eV 이다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.Thereafter, a buffer layer containing cadmium sulfide (CdS) is formed on the light absorption layer by a sputtering process. The energy band gap of the buffer layer is about 2.2 to 2.4 eV. Then, a high resistance buffer layer containing zinc oxide (ZnO) is formed on the buffer layer by a sputtering process. The energy band gap of the high resistance buffer layer is about 3.1 to 3.3 eV.

이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.Then, a groove pattern may be formed in the light absorption layer, the buffer layer, and the high resistance buffer layer.

이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이에 따라서, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명전극층이 형성되고, 상기 홈 패턴 내측에 접속배선들이 각각 형성된다. 상기 투명전극층 및 상기 접속배선으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 상기 투명전극층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.Thereafter, a transparent conductive material is laminated on the high-resistance buffer layer, and the transparent conductive material is filled in the groove pattern. Accordingly, a transparent electrode layer is formed on the high-resistance buffer layer, and connection wirings are formed inside the groove pattern, respectively. Examples of the material used for the transparent electrode layer and the connection wiring include aluminum-doped zinc oxide and the like. The energy band gap of the transparent electrode layer is about 3.1 to 3.3 eV.

이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 각각의 셀에 대응한다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.Thereafter, a groove pattern is formed on the transparent electrode layer and the like to form a plurality of solar cells. The transparent electrodes and the high-resistance buffers correspond to respective cells. The transparent electrodes and the high resistance buffers may be arranged in a stripe form or a matrix form.

상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.The transparent electrodes and the back electrodes are mutually misaligned, and the transparent electrodes and the back electrodes are electrically connected to each other by the connection wirings. Accordingly, a plurality of solar cells can be electrically connected to each other in series.

이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.Thus, various types of photovoltaic devices can be manufactured and used in order to convert sunlight into electric energy. Such a photovoltaic power generation apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2008-0088744.

실시예는 효율이 증대된 태양전지를 제공한다.The embodiment provides a solar cell with increased efficiency.

실시예에 따른 태양전지는, 기판; 상기 기판 상면에 형성되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상면 형성되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상면에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상면에 형성되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 기판 후면에는 복수 개의 돌기들이 형성된 패턴부가 형성된다.A solar cell according to an embodiment includes a substrate; A rear electrode layer formed on the upper surface of the substrate; A light absorption layer formed on the upper surface of the rear electrode layer; A buffer layer formed on the upper surface of the light absorbing layer; And a front electrode layer formed on an upper surface of the buffer layer, and a pattern portion having a plurality of protrusions formed on a rear surface of the substrate.

실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성한느 단계를 포함하고, 상기 기판 후면에는 복수 개의 돌기들이 형성된 패턴부가 형성되고, 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계에서는, 상기 돌기들은 상기 지기 기판을 이동시키는 구동 롤러와 직접 접촉한다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a rear electrode layer on a substrate; Forming a light absorption layer on the rear electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And forming a front electrode layer on the buffer layer, wherein a pattern part having a plurality of protrusions formed on a rear surface of the substrate is formed, and in the step of forming a light absorption layer on the rear electrode layer, And is in direct contact with the moving drive roller.

실시예에 따른 태양전지 및 태양전지 제조 방법에 따르면, 상기 지지 기판의 후면에는 복수 개의 돌기들을 포함하는 패턴부가 형성된다.According to the solar cell and the solar cell manufacturing method according to the embodiments, a pattern portion including a plurality of projections is formed on the rear surface of the support substrate.

상기 지지 기판 상에 광 흡수층을 증착시 상기 지지 기판의 후면에 형성된 패턴부는 지지 기판을 이동시키는 구동롤러와 직접 접촉할 수 있다.When the light absorbing layer is deposited on the supporting substrate, the pattern portion formed on the back surface of the supporting substrate may directly contact the driving roller for moving the supporting substrate.

종래에는, 상기 광 흡수층을 증착시, 상기 지지 기판은 이를 지지하는 캐리어(carrier)에 의해 지지되고, 상기 캐리어는 구동축에 의해 상기 구동 롤러와 접촉하였다. 여기서, 상기 구동축은 상기 구동 롤러와 캐리어간의 접촉 저항을 상승시켜 상기 캐리어의 이동을 원활하게 하는 역할을 한다.Conventionally, when the light absorbing layer is deposited, the supporting substrate is supported by a carrier that supports the supporting substrate, and the carrier is in contact with the driving roller by a driving shaft. Here, the driving shaft enhances the contact resistance between the driving roller and the carrier to smooth the movement of the carrier.

그러나, 상기 지지 기판이 상기 캐리어에 의해 지지되며 이동될 때는, 상기 캐리어의 온도 불균일로 인하여 상기 지지 기판 상에 전달되는 열전달 분포의 불균일이 발생할 수 있고, 상기 광 흡수층을 증착한 후에 상기 흑연 소재의 캐리어를 냉각하는 공정에 있어서 장기간의 냉각 시간이 소요되므로 공정 효율이 저하된다는 문제점이 있어으며, 상기 캐리어의 제작 및 관리 비용이 증대된다는 문제점이 있었다.However, when the supporting substrate is supported and moved by the carrier, unevenness of heat transfer distribution on the supporting substrate due to temperature unevenness of the carrier may occur, and after the light absorbing layer is deposited, There is a problem that the process efficiency is lowered because a long cooling time is required in the process of cooling the carrier, and the manufacturing and management cost of the carrier is increased.

따라서, 실시예에 따른 태양전지 및 태양전지 제조 방법에 따르면 상기 광 흡수층을 증착 공정에 있어서, 상기 캐리어를 제거하고, 상기 지지 기판의 후면 상에 상기 구동 롤러와 직접 접촉하는 복수 개의 돌기들 즉, 패턴부를 형성하였다.Therefore, in the solar cell and the solar cell manufacturing method according to the embodiments, the carrier is removed in the deposition process of the light absorbing layer, and a plurality of protrusions, that is, Thereby forming a pattern portion.

즉, 상기 복수 개의 돌기들은 상기 구동 롤러와 직접 접촉하고, 상기 돌기들과 상기 구동 롤러의 접촉으로 인해 접촉 저항이 상승하여 상기 지지 기판은 캐리어 없이 이동할 수 있다.That is, the plurality of projections directly contact the driving roller, and the contact resistance between the protrusions and the driving roller increases, so that the supporting substrate can move without a carrier.

따라서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 광 흡수층 증착 공정에 있어서, 상기 캐리어로 인한 여러가지 문제점들 즉, 상기 캐리어로 인한 불균일한 온도 분배 및 냉각 공정시 장시간의 시간이 걸리는 문제점 등을 해결할 수 있다.Accordingly, the solar cell according to the embodiment can solve various problems due to the carrier in the light absorption layer deposition process, that is, uneven temperature distribution due to the carrier, and long time in the cooling process.

또한, 캐리어의 제작 및 관리 비용을 감소할 수 있어 공정 효율 및 공정 비용을 절감할 수 있다.Further, it is possible to reduce the cost of manufacturing and managing the carrier, thereby reducing the process efficiency and the process cost.

따라서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 지지 기판의 후면에 형성되는 복수 개의 돌기들로 인해 종래 사용되는 캐리어를 제거할 수 있어 보다 용이하게 광 흡수층을 제조할 수 있고, 광 흡수층 제조시 캐리어에 의한 불순물들을 방지할 수 있어 전체적으로 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the solar cell according to the embodiment, the conventional carrier can be removed due to a plurality of protrusions formed on the rear surface of the supporting substrate, so that the light absorbing layer can be manufactured more easily, It is possible to prevent impurities and improve the efficiency of the solar cell as a whole.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 기판을 도시한 평면도이다.
도 4는 제 1 실시예에 따른 기판의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 기판을 도시한 평면도이다.
도 6은 제 2 실시예에 따른 기판의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 제 3 실시예에 따른 기판을 도시한 평면도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 기판의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 9는 실시예에 따른 돌기들의 측면을 도시한 측면도이다.
도 10은 실시예에 따른 기판과 구동 롤러가 결합한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 기판과 구동 롤러가 결합한 측면을 도시한 측면도이다.
도 12 내지 도 18은 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a plan view showing a solar cell according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing one end surface of a solar cell according to an embodiment.
3 is a plan view showing a substrate according to the first embodiment.
4 is a cross-sectional view showing one end surface of the substrate according to the first embodiment.
5 is a plan view showing a substrate according to the second embodiment.
6 is a cross-sectional view showing one end surface of the substrate according to the second embodiment.
7 is a plan view showing a substrate according to the third embodiment.
8 is a cross-sectional view showing one end surface of a substrate according to the third embodiment.
9 is a side view showing a side surface of the projections according to the embodiment.
10 is a cross-sectional view showing a cross section of a substrate and a driving roller combined according to the embodiment.
11 is a side view showing a side surface where a substrate and a driving roller are combined according to an embodiment.
12 to 18 are views for explaining a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하. 도 1 내지 도 18을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이고, 도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이며, 도 3은 제 1 실시예에 따른 기판을 도시한 평면도이고, 도 4는 제 1 실시예에 따른 기판의 일 단면을 도시한 단면도이며, 도 5는 제 2 실시예에 따른 기판을 도시한 평면도이고, 도 6은 제 2 실시예에 따른 기판의 일 단면을 도시한 단면도이며, 도 7은 제 3 실시예에 따른 기판을 도시한 평면도이고, 도 8은 제 3 실시예에 따른 기판의 일 단면을 도시한 단면도이며, 도 9는 실시예에 따른 돌기들의 측면을 도시한 측면도이고, 도 10은 실시예에 따른 기판과 구동 롤러가 결합한 단면을 도시한 단면도이며, 도 11은 실시예에 따른 기판과 구동 롤러가 결합한 측면을 도시한 측면도이고, 도 12 내지 도 18은 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.Below. A solar cell according to an embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 18. FIG. FIG. 1 is a plan view showing a solar cell according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view showing one end surface of a solar cell according to an embodiment, FIG. 3 is a plan view showing a substrate according to the first embodiment, 4 is a cross-sectional view showing a substrate according to the first embodiment, FIG. 5 is a plan view showing a substrate according to the second embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the substrate according to the second embodiment 8 is a cross-sectional view showing one side surface of the substrate according to the third embodiment, and Fig. 9 is a side view of the projection according to the embodiment. Fig. 11 is a side view showing a side where the substrate and the driving roller are combined according to the embodiment, and FIGS. 12 to 18 are cross-sectional views The manufacturing method of the solar cell according to the embodiment They are diagrams for.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는, 지지 기판(100), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면 전극층(500)을 포함한다.1 and 2, a solar cell according to an embodiment includes a support substrate 100, a rear electrode layer 200, a light absorption layer 300, a buffer layer 400, and a front electrode layer 500.

상기 지지 기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500) 및 상기 접속부(600)를 지지한다.The supporting substrate 100 has a plate shape and supports the rear electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the front electrode layer 500, and the connection portion 600.

상기 지지 기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지 기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. More specifically, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. Alternatively, a ceramic substrate such as alumina, stainless steel, a flexible polymer, or the like may be used as the support substrate 100. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 지지 기판(100)은 전면 및 후면으로 구분될 수 있다. 즉, 상기 지지 기판(100)은 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)을 지지하는 전면과 상기 전면의 반대면인 후면으로 구분될 수 있다.The supporting substrate 100 may be divided into a front surface and a rear surface. That is, the supporting substrate 100 is divided into a front surface for supporting the rear electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400 and the front electrode layer 500 and a rear surface opposite to the front surface .

상기 지지 기판(100)의 후면에는 패턴부가 형성될 수 있다. 상기 패턴부는 복수 개의 돌기들로 형성될 수 있다.A pattern portion may be formed on the rear surface of the supporting substrate 100. The pattern unit may be formed of a plurality of protrusions.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 패턴부는 상기 지지 기판(100)의 양 끝단에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 지지 기판(100)은 상기 지지 기판(100) 후면의 일 끝단에 형성되는 제 1 패턴부(110)과 상기 지지 기판(100) 후면의 다른 끝단에 형성되는 제 2 패턴부(200)를 포함한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the pattern unit may be formed at both ends of the support substrate 100. The supporting substrate 100 may include a first pattern unit 110 formed at one end of the rear surface of the supporting substrate 100 and a second pattern unit 200 formed at the other end of the rear surface of the supporting substrate 100. [ ).

상기 제 1 패턴부(100)와 상기 제 2 패턴부(200)에는 복수 개의 돌기들이 형성된다. 상기 돌기들은 상기 기판에 대해 수직 방향으로 연장할 수 있다. 또한, 상기 돌기들은 사각형의 형상을 포함한다. 자세하게, 상기 돌기들은 직사각형 또는 정사각형의 형상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패턴부들(110, 120)은 상기 지지 기판(100)이 연장하는 방향과 동일한 방향으로 연장될 수 있다. 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 직사각형의 형상을 포함할 수 있고, 상기 패턴부들(110, 120)은 상기 지지 기판(100)이 길어지는 방향과 동일한 방향으로 연장될 수 있다.A plurality of protrusions are formed on the first pattern unit 100 and the second pattern unit 200. The protrusions may extend in a direction perpendicular to the substrate. Further, the projections include a rectangular shape. In detail, the protrusions may include a shape of a rectangle or a square. The pattern units 110 and 120 may extend in the same direction as the supporting substrate 100 extends. In detail, the supporting substrate 100 may have a rectangular shape, and the pattern units 110 and 120 may extend in the same direction as the supporting substrate 100 is extended.

상기 돌기들의 높이는 상기 지지 기판(100) 높이의 1/3 내지 1/2 높이일 수 있다. 또한, 상기 돌기들의 간격은 상기 지지 기판(100) 길이의 1/1000 내지 1/100일 수 있다.The height of the protrusions may be 1/3 to 1/2 height of the height of the support substrate 100. The distance between the protrusions may be 1/1000 to 1/100 of the length of the supporting substrate 100.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 지지 기판(100)의 후면에는 제 3 패턴부(130)가 더 형성될 수 있다. 상기 제 3 패턴부(130)는 상기 제 1 패턴부(110)와 상기 제 2 패턴부(120)의 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 제 3 패턴부(130)는 상기 지지 기판(100)의 중앙 부분에 위치할 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 6, a third pattern unit 130 may be further formed on the rear surface of the supporting substrate 100. The third pattern unit 130 may be positioned between the first pattern unit 110 and the second pattern unit 120. That is, the third pattern unit 130 may be located at a central portion of the supporting substrate 100.

또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 지지 기판(100)의 후면에는 제 1 패턴부(110)만이 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 패턴부(110)는 상기 지지 기판(100)의 일 끝단에서 다른 끝단까지 연장될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패턴부(110)에 형성되는 복수 개의 돌기들의 길이와 상기 지지 기판(100)의 가로 길이는 동일할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, only the first pattern unit 110 may be formed on the rear surface of the supporting substrate 100. At this time, the first pattern unit 110 may extend from one end to the other end of the supporting substrate 100. That is, the length of the plurality of protrusions formed on the first pattern unit 110 and the width of the support substrate 100 may be the same.

도 9에는 실시예에 따른 돌기들의 측면이 도시되어 있다. 즉, 상기 도 3 내지 도 8에 도시된 다양한 실시예에 따른 지지 기판은 도 9에 도시되어 있듯이, 일정한 높이 및 간격을 가지는 복수 개의 돌기들로 형성되는 패턴부가 형성된다.
9 is a side view of the protrusions according to an embodiment. In other words, as shown in FIG. 9, the supporting substrate according to various embodiments shown in FIGS. 3 to 8 is formed with a pattern portion formed of a plurality of protrusions having a constant height and an interval.

상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스템(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴은 다른 원소에 비해 상기 지지 기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The rear electrode layer 200 is disposed on the supporting substrate 100. The rear electrode layer 200 is a conductive layer. The rear electrode layer 200 may be formed of any one of molybdenum (Mo), gold (Au), aluminum (Al), chromium (Cr), tungsten (W), and copper (Cu). Of these, molybdenum has a smaller difference in thermal expansion coefficient than the support substrate 100 in comparison with other elements, so that it is possible to prevent peeling phenomenon from occurring due to its excellent adhesiveness.

또한, 상기 후면 전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. At this time, the respective layers may be formed of the same metal or may be formed of different metals.

상기 후면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.First through holes (TH1) are formed in the rear electrode layer (200). The first through grooves TH1 are open regions that expose the upper surface of the supporting substrate 100. [ The first through grooves TH1 may have a shape extending in a first direction when viewed from a plane.

상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다.The width of the first through-holes TH1 may be about 80 to 200 mu m.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극들이 정의된다.The rear electrode layer 200 is divided into a plurality of rear electrodes by the first through holes TH1. That is, the rear electrodes are defined by the first through holes TH1.

상기 후면 전극들은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면 전극들은 스트라이프 형태로 배치된다.The rear electrodes are spaced apart from each other by the first through holes TH1. The rear electrodes are arranged in a stripe shape.

이와는 다르게, 상기 후면 전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.Alternatively, the rear electrodes may be arranged in a matrix. At this time, the first through grooves TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 또한, 상기 광 흡수층(300)에 포함된 물질은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 채워진다.The light absorption layer 300 is disposed on the rear electrode layer 200. In addition, the material contained in the light absorption layer 300 is filled in the first through holes TH1.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorption layer 300 includes an I-III-VI group compound. For example, the light absorbing layer 300 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

이어서, 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 두께는 약 50 ㎚ 내지 약 150 ㎚ 일 수 있으며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2 eV 내지 2.4 eV 일 수 있다.Then, the buffer layer 400 is disposed on the light absorption layer 300. The buffer layer 400 is in direct contact with the light absorption layer 300. The buffer layer 400 includes cadmium sulfide, ZnS, InXSY and InXSeYZn (O, OH). The thickness of the buffer layer 400 may be about 50 nm to about 150 nm, and the energy band gap of the buffer layer 400 may be about 2.2 eV to about 2.4 eV.

상기 버퍼층(400) 상에는 고저항 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 약 3.3 eV 일 수 있다. 또한, 상기 고저항 버퍼층은 생략될 수 있다.A high resistance buffer layer may be further disposed on the buffer layer 400. The high-resistance buffer layer includes zinc oxide (i-ZnO) not doped with an impurity. The energy band gap of the high resistance buffer layer may be about 3.1 eV to about 3.3 eV. Further, the high-resistance buffer layer may be omitted.

상기 버퍼층(400) 상에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 지지 기판(100)의 상면 및 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Second through holes (TH2) may be formed on the buffer layer (400). The second through grooves TH2 are open regions that expose the upper surface of the supporting substrate 100 and the upper surface of the rear electrode layer 200. [ The second through grooves TH2 may have a shape extending in one direction when viewed in a plan view. The width of the second through grooves TH2 may be about 80 to 200 mu m, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 버퍼층들로 정의된다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 버퍼층들로 구분된다.The buffer layer 400 is defined as a plurality of buffer layers by the second through grooves TH2. That is, the buffer layer 400 is divided into the buffer layers by the second through grooves TH2.

이어서, 상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면 전극층(500)은 상기 고저항 버퍼층 상에 배치된다. 상기 전면 전극층(500)은 투명하며 도전층이다. 또한, 상기 전면 전극층(500)의 저항은 상기 후면 전극층(500)의 저항보다 높다.Next, the front electrode layer 500 is disposed on the buffer layer 400. More specifically, the front electrode layer 500 is disposed on the high-resistance buffer layer. The front electrode layer 500 is transparent and is a conductive layer. Also, the resistance of the front electrode layer 500 is higher than the resistance of the rear electrode layer 500.

상기 전면 전극층(500)은 산화물을 포함한다. 일례로, 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnC;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.The front electrode layer 500 includes an oxide. Examples of the material used for the front electrode layer 500 include Al doped ZnC (indium zinc oxide), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO) And the like.

상기 전면 전극층(500)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면 전극층(500)이 알루미늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다.The thickness of the front electrode layer 500 may be about 500 nm to about 1.5 占 퐉. In addition, when the front electrode layer 500 is formed of zinc oxide doped with aluminum, aluminum may be doped at a ratio of about 2.5 wt% to about 3.5 wt%.

상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 버퍼층(400)의 일부 또는 전부, 상기 고저항 버퍼층 및 상기 전면 전극층(500)을 관통할 수 있다. 즉, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출시킬 수 있다.Third through holes TH3 are formed in the buffer layer 400 and the front electrode layer 500. [ The third through holes TH3 may pass through a part or all of the buffer layer 400, the high resistance buffer layer, and the front electrode layer 500. [ That is, the third through holes TH3 may expose the upper surface of the rear electrode layer 200. [

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.The third through grooves TH3 are formed at positions adjacent to the second through grooves TH2. More specifically, the third through-holes TH3 are disposed beside the second through-holes TH2. That is, when viewed in plan, the third through grooves TH3 are arranged next to the second through grooves TH2. The third through grooves TH3 may have a shape extending in the first direction.

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 전면전극층(500)을 관통한다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및/또는 상기 고저항 버퍼층을 일부 또는 전부 관통할 수 있다.The third through holes (TH3) penetrate the front electrode layer (500). More specifically, the third through-holes TH3 may partially or wholly penetrate the light absorption layer 300, the buffer layer 400, and / or the high-resistance buffer layer.

상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 전면전극층(500)은 다수 개의 전면전극들로 구분된다. 즉, 상기 전면전극들은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.The front electrode layer 500 is divided into a plurality of front electrodes by the third through holes TH3. That is, the front electrodes are defined by the third through holes TH3.

상기 전면전극들은 상기 후면전극들과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 전면 전극들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 전면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.The front electrodes have a shape corresponding to the rear electrodes. That is, the front electrodes are arranged in a stripe form. Alternatively, the front electrodes may be arranged in a matrix form.

또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들(C1, C2...)로 구분된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 서로 연결된다. 즉, 상기 태양전지들(C1, C2...)을 통하여 상기 제 2 방향으로 전류가 흐를 수 있다.Further, a plurality of solar cells C1, C2, ... are defined by the third through-holes TH3. More specifically, the solar cells (C1, C2, ...) are defined by the second through-holes (TH2) and the third through-holes (TH3). That is, the photovoltaic apparatus according to the embodiment is divided into the solar cells C1, C2, ... by the second through grooves TH2 and the third through grooves TH3. The solar cells C1, C2, ... are connected to each other in a second direction intersecting with the first direction. That is, current can flow in the second direction through the solar cells C1, C2, ....

즉, 상기 태양전지 패널(10)은 상기 지지기판(100) 및 상기 태양전지들(C1, C2...)을 포함한다. 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 지지기판(100) 상에 배치되고, 서로 이격된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 접속부들에 의해서 서로 직렬로 연결된다.That is, the solar cell panel 10 includes the support substrate 100 and the solar cells C1, C2,. The solar cells C1, C2, ... are disposed on the support substrate 100 and are spaced apart from each other. Further, the solar cells C1, C2, ... are connected to each other in series by the connecting portions.

상기 접속부들은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부들(600)은 상기 전면 전극층(500)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 후면 전극층(200)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부들은 상기 제 1 셀(C1)의 전면전극으로부터 연장되어, 상기 제 2 셀(C2)의 후면전극에 접속된다.The connection portions are disposed inside the second through-holes TH2. The connection portions 600 extend downward from the front electrode layer 500 and are connected to the rear electrode layer 200. For example, the connection portions extend from the front electrode of the first cell C1 and are connected to the rear electrode of the second cell C2.

따라서, 상기 접속부들은 서로 인접하는 태양전지들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부들은 서로 인접하는 태양전지들에 각각 포함된 전면전극과 후면전극을 연결한다.Accordingly, the connection portions connect adjacent solar cells. More specifically, the connection units connect front electrodes and rear electrodes, respectively, included in adjacent solar cells.

상기 접속부는 상기 전면 전극층(500)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부로 사용되는 물질은 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질과 동일하다.
The connection part is integrally formed with the front electrode layer 500. That is, the material used for the connection part is the same as the material used for the front electrode layer 500.

앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 태양전지는 지지 기판의 후면에 복수 개의 돌기들을 포함하는 패턴부를 포함한다.As described above, the solar cell according to the embodiment includes a pattern portion including a plurality of projections on the rear surface of the support substrate.

상기 지지 기판 상에 광 흡수층을 증착시 상기 지지 기판의 후면에 형성된 패턴부는 지지 기판을 이동시키는 구동롤러(150)와 직접 접촉할 수 있다. 즉, 도 10 및 도 11을 참고하면, 상기 지지 기판에 형성된 패턴부들은 상기 구동 롤러(150)과 직접 접촉할 수 있다.When the light absorbing layer is deposited on the supporting substrate, the pattern portion formed on the back surface of the supporting substrate may directly contact the driving roller 150 for moving the supporting substrate. That is, referring to FIGS. 10 and 11, the pattern units formed on the support substrate may be in direct contact with the driving roller 150.

종래에는, 상기 광 흡수층을 증착시, 상기 지지 기판은 이를 지지하는 캐리어(carrier)에 의해 지지되고, 상기 캐리어는 구동축에 의해 상기 구동 롤러와 접촉하였다. 여기서, 상기 구동축은 상기 구동 롤러와 캐리어간의 접촉 저항을 상승시켜 상기 캐리어의 이동을 원활하게 하는 역할을 한다.Conventionally, when the light absorbing layer is deposited, the supporting substrate is supported by a carrier that supports the supporting substrate, and the carrier is in contact with the driving roller by a driving shaft. Here, the driving shaft enhances the contact resistance between the driving roller and the carrier to smooth the movement of the carrier.

그러나, 상기 지지 기판이 상기 캐리어에 의해 지지되며 이동될 때는, 상기 캐리어의 온도 불균일로 인하여 상기 지지 기판 상에 전달되는 열전달 분포의 불균일이 발생할 수 있고, 상기 광 흡수층을 증착한 후에 상기 흑연 소재의 캐리어를 냉각하는 공정에 있어서 장기간의 냉각 시간이 소요되므로 공정 효율이 저하된다는 문제점이 있어으며, 상기 캐리어의 제작 및 관리 비용이 증대된다는 문제점이 있었다.However, when the supporting substrate is supported and moved by the carrier, unevenness of heat transfer distribution on the supporting substrate due to temperature unevenness of the carrier may occur, and after the light absorbing layer is deposited, There is a problem that the process efficiency is lowered because a long cooling time is required in the process of cooling the carrier, and the manufacturing and management cost of the carrier is increased.

따라서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 광 흡수층을 증착 공정에 있어서, 상기 캐리어를 제거하고, 상기 지지 기판의 후면 상에 상기 구동 롤러(150)와 직접 접촉하는 복수 개의 돌기들 즉, 패턴부를 형성하였다.Therefore, in the solar cell according to the embodiment, in the deposition process of the photoabsorption layer, the carrier is removed, and a plurality of protrusions, that is, a pattern portion, which is in direct contact with the driving roller 150, Respectively.

즉, 상기 복수 개의 돌기들은 상기 구동 롤러와 직접 접촉하고, 상기 돌기들과 상기 구동 롤러의 접촉으로 인해 접촉 저항이 상승하여 상기 지지 기판은 캐리어 없이 이동할 수 있다.That is, the plurality of projections directly contact the driving roller, and the contact resistance between the protrusions and the driving roller increases, so that the supporting substrate can move without a carrier.

따라서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 광 흡수층 증착 공정에 있어서, 상기 캐리어로 인한 여러가지 문제점들 즉, 상기 캐리어로 인한 불균일한 온도 분배 및 냉각 공정시 장시간의 시간이 걸리는 문제점 등을 해결할 수 있다.Accordingly, the solar cell according to the embodiment can solve various problems due to the carrier in the light absorption layer deposition process, that is, uneven temperature distribution due to the carrier, and long time in the cooling process.

또한, 캐리어의 제작 및 관리 비용을 감소할 수 있어 공정 효율 및 공정 비용을 절감할 수 있다.Further, it is possible to reduce the cost of manufacturing and managing the carrier, thereby reducing the process efficiency and the process cost.

따라서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 지지 기판의 후면에 형성되는 복수 개의 돌기들로 인해 종래 사용되는 캐리어를 제거할 수 있어 보다 용이하게 광 흡수층을 제조할 수 있고, 광 흡수층 제조시 캐리어에 의한 불순물들을 방지할 수 있어 전체적으로 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
Therefore, in the solar cell according to the embodiment, the conventional carrier can be removed due to a plurality of protrusions formed on the rear surface of the supporting substrate, so that the light absorbing layer can be manufactured more easily, It is possible to prevent impurities and improve the efficiency of the solar cell as a whole.

이하, 도 12 내지 도 18을 참조하여 실시예에 따른 태양전지 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a solar cell manufacturing method according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 12 to 18. FIG.

도 12 내지 도 18은 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.12 to 18 are views for explaining a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

먼저, 도 12를 참조하면, 지지 기판(100) 상에 후면 전극층(200)이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 지지 기판(100)의 후면에는 복수 개의 돌기들이 형성된 패턴부가 형성될 수 있다. 즉, 상기 지지 기판(100)은 앞서 설명한 상기 제 1 패턴부(110), 상기 제 2 패턴부(120) 및 상기 제 3 패턴부(130)에 형성되는 복수 개의 돌기를 포함한다. 앞서 설명한 패턴부에 대한 설명은 상기 태양전지의 제조 방법의 설명에 본질적으로 결합된다.12, a rear electrode layer 200 is formed on a supporting substrate 100. [ The rear electrode layer 200 may be formed by PVD (Physical Vapor Deposition) or plating. A pattern unit having a plurality of protrusions may be formed on a rear surface of the support substrate 100. That is, the supporting substrate 100 includes a plurality of protrusions formed on the first pattern unit 110, the second pattern unit 120, and the third pattern unit 130 described above. The description of the pattern unit described above is intrinsically combined with the description of the manufacturing method of the solar cell.

상기 돌기 즉, 상기 패턴부들(110, 120, 130)은 플로팅(floating) 방식으로 지지 기판을 제조할 때, 함께 형성할 수 있다.The projections, that is, the pattern units 110, 120, and 130 may be formed together when the support substrate is manufactured in a floating manner.

이어서, 도 13을 참조하면, 상기 후면 전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 지지 기판(100) 상에 다수 개의 후면전극들이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.Referring to FIG. 13, the rear electrode layer 200 is patterned to form first through-holes TH1. Accordingly, a plurality of rear electrodes are formed on the supporting substrate 100. The rear electrode layer 200 is patterned by a laser.

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지 기판(100)의 상면을 노출하며, 약 80㎛ 내지 약 200㎛의 폭을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first through holes TH1 expose the upper surface of the supporting substrate 100 and may have a width of about 80 mu m to about 200 mu m, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 지지 기판(100) 및 상기 후면 전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.An additional layer such as a diffusion barrier layer may be interposed between the supporting substrate 100 and the back electrode layer 200. The first through holes TH1 expose the upper surface of the additional layer .

이어서, 도 14를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 14, a light absorption layer 300 is formed on the rear electrode layer 200. The light absorption layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation process.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) light emitting layer is formed while simultaneously evaporating copper, indium, gallium, A method of forming the light absorbing layer 300 and a method of forming the metal precursor film by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When a metal precursor film is formed and then subjected to selenization, a metal precursor film is formed on the rear electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Then, the metal precursor film is formed with a light absorbing layer 300 of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2, CIGS system) by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based optical absorption layer 300 can be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

이때, 상기 광 흡수층을 증착하기 위해, 상기 지지 기판은 구동부를 포함하는 챔버 내로 투입될 수 있다. 또한, 상기 챔버 내에서, 상기 지지 기판(100)에 형성되는 상기 돌기들과 상기 구동 롤러(150)는 직접 접촉한다. 즉, 도 10 및 도 11에 도시되어 있듯이, 상기 패턴부와 상기 구동 롤러는 직접 접촉하며, 상기 패턴부와 상기 구동 롤러의 접촉 저항에 의해 상기 지지 기판은 원하는 방향으로 이동할 수 있다.At this time, in order to deposit the light absorbing layer, the supporting substrate may be put into a chamber including a driving part. In addition, in the chamber, the protrusions formed on the supporting substrate 100 and the driving roller 150 are in direct contact with each other. That is, as shown in FIGS. 10 and 11, the pattern unit and the driving roller are in direct contact with each other, and the support substrate can be moved in a desired direction by the contact resistance between the pattern unit and the driving roller.

이후, 도 15를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400)이 형성된다. 상기 버퍼층(400)의 제조방법은 당업계에서 태양전지의 버퍼층 제조를 위해 사용하는 것이라면 특별히 제한없이 사용가능하다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400)은 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemicalbath deposition), VTD법(Vapor transport deposition), 원자층 증착 (Atomic layer deposition: ALD), 및 전착법(electrodeposition) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 용액성장법(Chemicalbath deposition; CBD), 원자층 증착 (Atomic layer deposition: ALD) 또는, 유기금속화학기상증착(MOCVD)에 의하여 제조될 수 있다. Referring to FIG. 15, a buffer layer 400 is formed on the light absorption layer 300. The method of manufacturing the buffer layer 400 is not particularly limited as long as it is used in the art for manufacturing a buffer layer of a solar cell. For example, the buffer layer 400 may be formed by a sputtering method, an evaporation method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, an MOCVD method, a close-spaced sublimation (CSS) , Spray pyrolysis, chemical spraying, screen printing, non-vacuum liquid deposition, CBD (chemical vapor deposition), VTD (vapor transport deposition), atomic layer deposition , An atomic layer deposition (ALD), and an electrodeposition method. More specifically, the buffer layer 400 may be formed by chemical growth deposition (CBD), atomic layer deposition (ALD), or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).

이어서, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 증착 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층이 더 형성될 수 있다.Then, zinc oxide is deposited on the buffer layer 400 by a deposition process or the like, and the high resistance buffer layer may be further formed.

상기 고저항 버퍼층은 화학 증착(chemical vapor deposition, CVD), 유기금속 화학 증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 또는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 고저항 버퍼층은 유기금속 화학 증착을 통해 형성될 수 있다.The high resistance buffer layer may be formed by chemical vapor deposition (CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or atomic layer deposition (ALD). Preferably, the high-resistance buffer layer may be formed through metal-organic chemical vapor deposition.

이어서, 도 16을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.Referring to FIG. 16, the light absorbing layer 300 and a part of the buffer layer 400 are removed to form second through grooves TH2.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The second through grooves TH2 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400) 및/또는 고저항 버퍼층은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, the light absorbing layer 300 and the buffer layer 400 and / or the high resistance buffer layer can be patterned by a tip having a width of about 40 占 퐉 to about 180 占 퐉. The second through-holes TH2 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.At this time, the width of the second through grooves TH2 may be about 80 mu m to about 200 mu m. The second through holes TH2 are formed to expose a part of the upper surface of the rear electrode layer 200. [

이어서, 도 17을 참조하면, 상기 버퍼층(400) 상에 전면 전극층이 형성될 수 있다. 일례로, 상기 전면 전극층(800)은 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 또는 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 17, a front electrode layer may be formed on the buffer layer 400. For example, the front electrode layer 800 may be formed using a ZnO target by a RF sputtering method, a reactive sputtering method using a Zn target, or an MOCVD method.

이어서, 도 18을 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈(TH3)들이 형성된다. 이에 따라서, 상기 전면 전극층(500)은 패터닝되어, 다수 개의 전면전극들 및 제 1 셀(C1), 제 2 셀(C2) 및 제 3 셀들(C3)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈(TH3)들의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
Referring to FIG. 18, a portion of the light absorption layer 300, the buffer layer 400, and the front electrode layer 500 are removed to form third through holes TH3. Accordingly, the front electrode layer 500 is patterned to define a plurality of front electrodes and a first cell C1, a second cell C2, and a third cell C3. The width of the third through grooves TH3 may be about 80 占 퐉 to about 200 占 퐉.

앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 광 흡수층 증착시 상기 지지 기판(100)의 후면에 형성된 돌기와 구동 롤러를 직접 접촉하여 상기 지지 기판을 이동시키면서, 상기 지지 기판의 상면에 광 흡수층을 증착한다.As described above, in the solar cell manufacturing method according to the embodiment, when the light absorbing layer is deposited, the projection formed on the back surface of the supporting substrate 100 is directly contacted with the driving roller to move the supporting substrate, / RTI >

즉, 종래에 사용되는 캐리어를 제거하여 캐리어로 인한 불균일한 온도 분배 및 및 냉각 공정시 장시간의 시간이 걸리는 문제점 등을 해결할 수 있다.That is, it is possible to solve the problem of uneven temperature distribution due to the carrier by removing the carriers used in the past, and that a long time is required in the cooling process.

또한, 캐리어의 제작 및 관리 비용을 감소할 수 있어 공정 효율 및 공정 비용을 절감할 수 있다.Further, it is possible to reduce the cost of manufacturing and managing the carrier, thereby reducing the process efficiency and the process cost.

따라서, 실시예에 따른 태양전지 제조 방법은 상기 지지 기판의 후면에 형성되는 복수 개의 돌기들로 인해 종래 사용되는 캐리어를 제거할 수 있어 보다 용이하게 광 흡수층을 제조할 수 있고, 광 흡수층 제조시 캐리어에 의한 불순물들을 방지할 수 있어 전체적으로 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
Therefore, in the method of manufacturing a solar cell according to the embodiment, the conventional carrier can be removed due to a plurality of protrusions formed on the back surface of the support substrate, so that the light absorbing layer can be manufactured more easily, It is possible to improve the efficiency of the solar cell as a whole.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (11)

기판;
상기 기판 상면에 형성되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상면 형성되는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상면에 형성되는 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상면에 형성되는 전면 전극층을 포함하고,
상기 기판 후면에는 복수 개의 돌기들이 형성된 패턴부가 형성되고,
상기 패턴부는,
상기 기판 후면의 일 끝단에 형성되는 제 1 패턴부; 및
상기 기판 후면의 다른 끝단에 형성되는 제 2 패턴부를 포함하고,
상기 기판은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판을 포함하는 태양전지.Board;
A rear electrode layer formed on the upper surface of the substrate;
A light absorption layer formed on the upper surface of the rear electrode layer;
A buffer layer formed on the upper surface of the light absorbing layer; And
And a front electrode layer formed on an upper surface of the buffer layer,
A pattern portion having a plurality of protrusions formed on a rear surface of the substrate,
The pattern unit may include:
A first pattern portion formed at one end of the rear surface of the substrate; And
And a second pattern portion formed at the other end of the rear surface of the substrate,
Wherein the substrate comprises a soda lime glass substrate. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 제 1 패턴부 및 상기 제 2 패턴부 사이에 형성되는 제 3 패턴부를 더 포함하는 태양전지.The method according to claim 1,
And a third pattern portion formed between the first pattern portion and the second pattern portion. 제 1항에 있어서,
상기 돌기들의 두께는 상기 기판 두께의 1/3 내지 1/2인 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the protrusions is 1/3 to 1/2 of the thickness of the substrate. 제 1항에 있어서,
상기 돌기들은 상기 기판에 대해 수직 방향으로 연장하는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the protrusions extend in a direction perpendicular to the substrate. 제 1항에 있어서,
상기 돌기들은 사각형 형상을 포함하는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the projections include a rectangular shape. 제 1항에 있어서,
상기 패턴부는 상기 기판이 연장하는 방향과 동일한 방향으로 연장되는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the pattern portion extends in the same direction as the direction in which the substrate extends. 지지기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 지지기판 후면에는 복수 개의 돌기들이 형성된 패턴부가 형성되고,
상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계에서는,
상기 돌기들은 상기 지지기판을 이동시키는 구동 롤러와 직접 접촉하고,
상기 패턴부는,
상기 지지기판 후면의 일 끝단에 형성되는 제 1 패턴부; 및
상기 지지기판 후면의 다른 끝단에 형성되는 제 2 패턴부를 포함고,
상기 지지기판은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판을 포함하는 태양전지제조 방법.Forming a rear electrode layer on the supporting substrate;
Forming a light absorption layer on the rear electrode layer;
Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And
And forming a front electrode layer on the buffer layer,
A pattern unit having a plurality of protrusions formed on a back surface of the supporting substrate,
In the step of forming the light absorbing layer on the rear electrode layer,
The protrusions being in direct contact with a driving roller for moving the supporting substrate,
The pattern unit may include:
A first pattern part formed at one end of the rear surface of the support substrate; And
And a second pattern portion formed at the other end of the rear surface of the supporting substrate,
Wherein the supporting substrate comprises a soda lime glass substrate. 삭제delete 제 8항에 있어서,
상기 제 1 패턴부 및 상기 제 2 패턴부 사이에 형성되는 제 3 패턴부를 더 포함하는 태양전지 제조 방법.9. The method of claim 8,
And a third pattern portion formed between the first pattern portion and the second pattern portion. 제 8항에 있어서,
상기 돌기들은 상기 지지기판에 대해 수직 방향으로 연장하고,
상기 돌기들은 사각형 형상을 포함하는 태양전지 제조 방법.9. The method of claim 8,
The protrusions extending in a direction perpendicular to the support substrate,
Wherein the protrusions comprise a rectangular shape.
KR1020120092419A 2012-08-23 2012-08-23 Solar cell and method of fabricating the same KR101459829B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120092419A KR101459829B1 (en) 2012-08-23 2012-08-23 Solar cell and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120092419A KR101459829B1 (en) 2012-08-23 2012-08-23 Solar cell and method of fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140027629A KR20140027629A (en) 2014-03-07
KR101459829B1 true KR101459829B1 (en) 2014-11-21

Family

ID=50641425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120092419A KR101459829B1 (en) 2012-08-23 2012-08-23 Solar cell and method of fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101459829B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11112012A (en) * 1997-10-07 1999-04-23 Yazaki Corp Substrate for compound semiconductor solar cell
JPH11204818A (en) * 1998-01-19 1999-07-30 Dainippon Printing Co Ltd Method of forming thin film solar cell pattern
KR101002188B1 (en) 2008-12-22 2010-12-20 주식회사 야스 Roll to Roll apparatus for the fabrication of thin film semiconductor device on a flexible substrate
KR101125407B1 (en) 2011-01-24 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and manufacturing method of the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11112012A (en) * 1997-10-07 1999-04-23 Yazaki Corp Substrate for compound semiconductor solar cell
JPH11204818A (en) * 1998-01-19 1999-07-30 Dainippon Printing Co Ltd Method of forming thin film solar cell pattern
KR101002188B1 (en) 2008-12-22 2010-12-20 주식회사 야스 Roll to Roll apparatus for the fabrication of thin film semiconductor device on a flexible substrate
KR101125407B1 (en) 2011-01-24 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and manufacturing method of the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140027629A (en) 2014-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160284882A1 (en) Solar Cell
KR101189309B1 (en) Solar cell and solar cell module
US20140345668A1 (en) Solar cell module and method of fabricating the same
KR101210046B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20150039040A (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101173419B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101173418B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101405639B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101459829B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20150039535A (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101349429B1 (en) Photovoltaic apparatus
KR101459830B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20150039536A (en) Solar cell
KR101934434B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101417321B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101393859B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101393743B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101382884B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20140047255A (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101306436B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR20150031978A (en) Solar cell
KR101273123B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101349432B1 (en) Photovoltaic apparatus and method of fabricating the same
KR101326964B1 (en) Solar cell module and method of fabricating the same
KR101231398B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee