KR20130141171A - Oxynitride phosphor, and light emitting device package comprising the same - Google Patents

Oxynitride phosphor, and light emitting device package comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130141171A
KR20130141171A KR1020120064367A KR20120064367A KR20130141171A KR 20130141171 A KR20130141171 A KR 20130141171A KR 1020120064367 A KR1020120064367 A KR 1020120064367A KR 20120064367 A KR20120064367 A KR 20120064367A KR 20130141171 A KR20130141171 A KR 20130141171A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxynitride phosphor
light emitting
emitting device
light
oxynitride
Prior art date
Application number
KR1020120064367A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101930310B1 (en
Inventor
문지욱
강희상
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120064367A priority Critical patent/KR101930310B1/en
Publication of KR20130141171A publication Critical patent/KR20130141171A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101930310B1 publication Critical patent/KR101930310B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01021Scandium [Sc]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01071Lutetium [Lu]

Abstract

The oxynitride phosphor in accordance with an embodiment of the present invention includes a material represented by the following chemical formula: Mx-yAlaObNc:Rey3+(1<=x<=4, 3<=a<=7, 6<=b<=15, 1<=c<=7, 0.001<=y<=0.4 )

Description

산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지{Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same}Oxynitride phosphor and light emitting device package including same {Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same}

실시예는 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to an oxynitride phosphor and a light emitting device package including the same.

최근 수은 등 중금속을 포함한 물질에 대한 수입 규제와 더불어 중금속이 포함되지 않은 광원의 필요성이 커지고 있으며, 이에 따라 발광다이오드(이하 LED라 한다)가 주목 받고 있다. Recently, along with import restrictions on materials containing heavy metals such as mercury, the need for a light source that does not contain heavy metals is increasing. Accordingly, a light emitting diode (hereinafter referred to as LED) is attracting attention.

이 중 백색 LED를 구현하기 위해서는 크게 3가지 방법이 있다. 첫 번째는 멀티 칩 형태로 RGB(Red, Green, Blue)의 3개 칩을 조합하여 제작한다. 두 번째는 UV LED와 형광체를 포함하여 백색을 얻는 방법이 있고, 세 번째로 청색 LED와 형광체를 포함하는 방법으로 청색 LED에 황색 형광체를 포함시키는 것과 청색 LED에 녹색, 적색형광체를 포함하는 방법이 있다. Among these, there are three ways to implement white LED. The first one is manufactured by combining three chips of RGB (Red, Green, Blue) in a multi-chip form. The second method is to obtain white including UV LEDs and phosphors, and the third is to include blue LEDs and phosphors, and to include yellow phosphors in blue LEDs and green and red phosphors in blue LEDs. have.

멀티 칩 형태로 백색 LED를 구현하는 경우 각각의 칩마다 동작전압이 불균일하고, 주변 온도에 따라 칩의 출력이 변해 색좌표가 달라지는 등의 문제가 있다. UV LED와 형광체로 백색 LED를 구현하는 경우 고출력으로 인해 발생하는 형광체의 열화로 인하여 광효율이 감소하고 색좌표가 변화하는 경향이 발생할 수 있다. When implementing a white LED in a multi-chip form, there is a problem that the operating voltage is uneven for each chip, and the output of the chip changes according to the ambient temperature, and thus the color coordinates change. When implementing white LEDs with UV LEDs and phosphors, light efficiency may decrease and color coordinates may change due to deterioration of phosphors generated due to high power.

청색 LED와 형광체로 백색 LED를 구현하는 경우 황색을 내는 Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce) 형광체를 포함하는 방법이 널리 알려져 있다. 하지만, 이 방법은 2차광을 이용하면서 발생하는 양자결손(quantum deficits) 및 재방사 효율에 기인한 효율감소가 수반되고, 색 랜더링(rendering)이 용이하지 않다는 단점이 있다.
When a white LED is implemented using a blue LED and a phosphor, a method including a Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ (YAG: Ce) phosphor that emits yellow color is widely known. However, this method has disadvantages in that efficiency is reduced due to quantum deficits and re-radiation efficiency generated by using secondary light, and color rendering is not easy.

실시예는 광효율이 우수한 백색 LED용 산질화물 형광체 및 그를 이용한 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공하는데 있다.The embodiment provides an oxynitride phosphor for white LED having excellent light efficiency, and a light emitting device and a light emitting device package using the same.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 아래의 화학식으로 표시되는 물질을 포함한다.The oxynitride phosphor according to the embodiment includes a material represented by the following formula.

[화학식][Chemical Formula]

Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)

실시예에 따른 산질화물 형광체는 기존의 형광체에 비해 장파장에서 발광함으로써, 상기 형광체를 이용하면 더 낮은 색온도를 갖는 백색 LED를 제조할 수 있다.The oxynitride phosphor according to the embodiment emits light at a longer wavelength than conventional phosphors, and thus, a white LED having a lower color temperature can be manufactured using the phosphor.

실시예에 따른 산질화물 형광체를 확산 플레이트(Diffusion plate)에 사용한 경우 광효율이 높은 발광소자 패키지를 얻을 수 있다.When the oxynitride phosphor according to the embodiment is used in a diffusion plate, a light emitting device package having high light efficiency can be obtained.

도 1a은 실시예에 따른 산질화물 형광체의 여기파장대역을 나타낸 발광스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 1b는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 발광파장대역을 나타낸 발광스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 2는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 세슘의 비율에 따른 PL 강도의 변화를 나타낸 것이다.
도 3은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 합성하는 방법에 대한 순서도를 나타낸 것이다.
도 4는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 입자를 표면 주사전자현미경으로 관찰한 사진을 나타낸 것이다.
도 5는 실시예에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프를 나타낸 것이다.
도 6는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 입자를 표면 주사전자현미경으로 관찰한 사진을 나타낸 것이다.
도 7는 실시예에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프를 나타낸 것이다.
도 8는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 입자를 표면 주사전자현미경으로 관찰한 사진을 나타낸 것이다.
도 9는 실시예에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프를 나타낸 것이다.
도 10a는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함한 발광소자 패키지의 사시도를 나타낸 것이다.
도 10b는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함한 발광소자 패키지의 단면도를 나타낸 것이다.
도 11a는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함하는 조명 시스템을 도시한 사시도를 나타낸 것이다.
도 11b는 도 11a의 조명 시스템의 C - C` 단면을 도시한 단면도를 나타낸 것이다.
도 12는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도를 나타낸 것이다.
도 13은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도를 나타낸 것이다.
도 14는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 확산 플레이트(Diffusion plate)에 도포하여 청색 LED에 이용한 경우 파장에 따른 발광스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 15는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 포함하는 확산 플레이트를 나타낸 것이다.
Figure 1a shows a light emission spectrum showing the excitation wavelength band of the oxynitride phosphor according to the embodiment.
Figure 1b shows a light emission spectrum showing the light emission wavelength band of the oxynitride phosphor according to the embodiment.
Figure 2 shows the change in PL intensity according to the ratio of cesium of the oxynitride phosphor according to the embodiment.
3 is a flowchart illustrating a method of synthesizing an oxynitride phosphor according to an embodiment.
Figure 4 shows a photograph of the particles of the oxynitride phosphor according to the embodiment observed with a surface scanning electron microscope.
Figure 5 shows a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphor according to the embodiment.
Figure 6 shows a photograph of the particles of the oxynitride phosphor according to the embodiment observed with a surface scanning electron microscope.
Figure 7 shows a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphor according to the embodiment.
8 shows photographs of the particles of the oxynitride phosphor according to the embodiment observed with a surface scanning electron microscope.
9 shows a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphors according to the example.
10A illustrates a perspective view of a light emitting device package including an oxynitride phosphor according to an embodiment.
10B illustrates a cross-sectional view of a light emitting device package including an oxynitride phosphor according to an embodiment.
11A shows a perspective view of an illumination system including an oxynitride phosphor according to an embodiment.
FIG. 11B shows a cross sectional view taken along the line CC ′ of the lighting system of FIG. 11A.
12 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including an oxynitride phosphor according to an embodiment.
13 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including an oxynitride phosphor according to an embodiment.
FIG. 14 shows emission spectra according to wavelengths when an oxynitride phosphor according to an embodiment is applied to a diffusion plate and used in a blue LED. FIG.
15 illustrates a diffusion plate including an oxynitride phosphor according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "상(on)", "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 또한, 다른 소자의 "상(on)"으로 기술된 소자도 도면에서 뒤집는 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있고, "상", 은 위와 아래 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative to "on", "below", "beneath", "lower", "above", "upper" And can be used to easily describe one element or elements as well as other elements or components as shown. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Also, elements described as " on "of other elements may be placed" below "or" beneath "of other elements when inverted in the figures. Thus, the exemplary term "below" may include both the up and down directions, and "up" may include both the up and down directions. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1a은 실시예에 따른 산질화물 형광체의 여기파장대역을 나타낸 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이고, 도 1b는 실시예에 따른 산질화물 형광체의 발광파장대역을 나타낸 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다. 1A is a view showing an emission spectrum showing the excitation wavelength band of the oxynitride phosphor according to the embodiment, Figure 1B is a view showing an emission spectrum showing the emission wavelength band of the oxynitride phosphor according to the embodiment.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 하기의 화학식으로 표시되는 물질을 포함한다. The oxynitride phosphor according to the embodiment includes a material represented by the following formula.

[화학식 1][Formula 1]

Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4) M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)

상기 화학식에서 Al은 알루미늄, O는 산소, N은 질소, Re는 활성제일 수 있다. 상기 화학식에서 M은 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 가돌륨(Gd), 루테튬(Lu) 중 적어도 하나를 포함하거나, 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 화학식에서 알루미늄(Al)은 붕소(B), 갈륨(Ga) 중 적어도 하나를 포함하거나, 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되어 대체될 수 있다. In the formula, Al may be aluminum, O is oxygen, N is nitrogen, Re may be an activator. M in the formula may include at least one of yttrium (Y), scandium (Sc), gadolium (Gd), lutetium (Lu), or a combination thereof. In the chemical formula, aluminum (Al) may include at least one of boron (B) and gallium (Ga), or may be selected and replaced from a group consisting of a combination thereof.

상기 화학식에서 활성제(Re)는 세슘(Ce), 유로퓸(Eu), 사마륨(Sm), 이터븀(Yb), 디스프로슘(Dy), 가돌륨(Gd), 툴륨(Tm), 루테튬(Lu) 등 란타넘족 원소 중 적어도 하나를 포함하거나, 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 활성제는 대부분 3가의 란탄계열의 이온들로 최외각 전자에 가려진 4f 전자 궤도함수에서 발광전이가 일어날 수 있다. In the formula, the activator (Re) is cesium (Ce), europium (Eu), samarium (Sm), ytterbium (Yb), dysprosium (Dy), gadolium (Gd), thulium (Tm), lutetium (Lu), etc. It may be selected from the group consisting of at least one of the lanthanum group elements, or a combination thereof. The active agent is a trivalent lanthanide-based ions, the light emission transition can occur in the 4f electron orbital function hidden by the outermost electron.

활성제는 모체의 양이온 자리에 치환되어 존재하여야 발광특성을 가질 수 있다. 활성제의 이온과 치환되는 양이온의 격자 상수가 크게 차이가 나는 경우 발광특성이 저하될 수 있다. 따라서, 모체의 양이온과 활성제의 원소가 격자 상수가 비슷한 물질로 결정될 수 있다.The activator may have luminescent properties only when it is substituted in the cation site of the parent. If the lattice constants of the ions of the activator and the cation to be substituted are significantly different, the luminescence properties may be lowered. Thus, the cations of the parent and the elements of the activator can be determined to be materials with similar lattice constants.

상기 산질화물 형광체의 모체는 화학양론(stoichiometric)을 만족하며 이루어질 수 있다. 상기 산질화물 형광체는 공유결합을 할 수 있고, 공유결합을 할 때 화학양론을 만족하며 이루어질 수 있다. 상기 산질화물 형광체의 모체의 원소들은 화학양론을 만족하는 범위 내에서 자유롭게 결합할 수 있다.The matrix of the oxynitride phosphors can be made to satisfy stoichiometric. The oxynitride phosphor may be covalently bonded, and may be made while satisfying stoichiometry when covalently bonded. The elements of the parent of the oxynitride phosphor can freely bind within a range satisfying the stoichiometry.

상기 산질화물 형광체는 활성제의 몰농도의 변화에 따라 발광 주피크가 변화될 수 있다. 예를 들어, 상기 산질화물 형광체는 활성제의 몰농도가 커질수록 발광 주피크 파장이 길어질 수 있고, 몰농도가 작아질수록 파장은 짧아질 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The oxynitride phosphor may change the emission main peak according to the change in the molar concentration of the active agent. For example, the oxynitride phosphor may have a longer emission main peak wavelength as the molar concentration of the activator is increased, and the wavelength may be shorter as the molar concentration is smaller, but is not limited thereto.

상기 산질화물 형광체는 황색 형광체일 수 있다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면 상기 산질화물 형광체는 청색의 빛을 흡수하여 황색의 빛을 방출할 수 있다. 상기 산질화물 형광체는 청색 LED로부터 나오는 청색광을 황색으로 전환하므로 백색 LED의 광원으로 사용될 수 있다. The oxynitride phosphor may be a yellow phosphor. 1A and 1B, the oxynitride phosphor may emit blue light by absorbing blue light. The oxynitride phosphor converts blue light emitted from a blue LED into yellow and thus may be used as a light source of a white LED.

실시예에 따른 산질화물 형광체는 상술한 바와 같은 화학식을 가지므로 분자 간 결합이 공유결합일 수 있다. 분자간 결합이 공유결합으로 이루어짐에 따라서, 실시예에 따른 산질화물 형광체는 열적으로 열진동에 대해 강한 내구성을 가질 수 있다. 따라서, 발광소자에서 생성되는 열에 대해 강한 내구성을 가지며, 고출력의 조명에 적용하기에 적합할 수 있다.Since the oxynitride phosphor according to the embodiment has the formula as described above, the intermolecular bond may be a covalent bond. As the intermolecular bonds are made of covalent bonds, the oxynitride phosphors according to the embodiment may have a strong durability against thermal vibration. Therefore, it has a strong durability against the heat generated in the light emitting device, it may be suitable for application to high-power illumination.

도 1a, 1b 및 도 2는 실시예에 따른 각 산질화물 형광체 샘플의 여기파장, 발광파장, 발광파장의 효율을 나타낸 것이다. 상기 각 샘플은 가능한 활성제 중 세슘과 M 중에서 이트륨의 비율의 변화에 따른 것이다. 샘플 1은 세슘이 0.1의 비율로 들어간 것이고, 샘플 2는 세슘이 0.2의 비율로 들어간 것이며, 샘플 3은 세슘이 0.3의 비율로 들어간 것을 나타낸다. 이 때 각 샘플은 하기의 화학식 2로 표현될 수 있다.1a, 1b and 2 show the efficiency of the excitation wavelength, emission wavelength, emission wavelength of each oxynitride phosphor sample according to the embodiment. Each sample is a change in the proportion of yttrium in cesium and M in the possible active agents. Sample 1 contains cesium at a rate of 0.1, sample 2 shows cesium at a rate of 0.2, and sample 3 shows cesium at a rate of 0.3. At this time, each sample may be represented by the following formula (2).

[화학식 2](2)

Yx-yAl5O9N3:Cey 3+ (1≤x≤4, 0.001≤y≤0.4)Y xy Al 5 O 9 N 3 : Ce y 3+ (1≤x≤4, 0.001≤y≤0.4)

산질화물 형광체는 상기 몰비에서 벗어나는 경우, 황색 파장의 빛을 발광하지 못할 수 있다. 예를 들어, 산질화물 형광체가 상기 몰비를 벗어나서 소성된 경우 다른 파장의 빛을 발광하게 되어, 발광소자에 적용하기 어려워질 수 있다. When the oxynitride phosphor deviates from the molar ratio, the oxynitride phosphor may not emit light having a yellow wavelength. For example, when the oxynitride phosphors are fired out of the molar ratio, they may emit light of different wavelengths, which may make it difficult to apply them to light emitting devices.

산질화물 형광체는 산소의 몰비에 따라 생성되는 형광체의 결정구조가 변화될 수 있다. 산질화물 형광체는 각 원소의 몰비에 따라 발광 주피크가 변화할 수 있다. In the oxynitride phosphor, the crystal structure of the phosphor generated according to the molar ratio of oxygen may be changed. In the oxynitride phosphors, the emission main peak may change depending on the molar ratio of each element.

각 샘플은 y 값이 0.1, 0.2, 0.3일 때를 나타낸다. 도면을 참조하면, y 값이 0.2인 샘플 2의 경우 가장 광효율 특성이 우수함을 알 수 있다. 샘플 2의 경우 발광파장이 장파장으로 더 치우쳐 있음을 확인할 수 있다. 샘플 2는 발광파장이 장파장으로 치우쳐 있어서 다른 샘플에 비해 더 낮은 색온도를 갖는 백색 LED를 제조할 수 있다.Each sample represents when the y value is 0.1, 0.2, 0.3. Referring to the drawings, it can be seen that Sample 2 having the y value of 0.2 has the best light efficiency characteristic. In the case of Sample 2, it can be seen that the light emission wavelength is more biased to longer wavelengths. Sample 2 is a long wavelength wavelength of light emission can be produced a white LED having a lower color temperature than other samples.

도 1a를 참조하면, 산질화물 형광체는 420nm 내지 500nm 의 파장 영역을 여기 파장 대역으로 함을 확인할 수 있다. 따라서, 청색 LED에 사용하는 경우 LED에서 발생하는 청색 파장의 빛을 효율적으로 흡수할 수 있음을 확인할 수 있다. 도 1b를 참조하면, 산질화물 형광체는 여기파장이 450nm 일 때, 530nm 내지 630nm 의 황색 파장의 빛을 발광함을 확인할 수 있다. 따라서, 청색 LED에 사용하는 경우 황색 파장의 빛을 효율적으로 발광할 수 있음을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 1A, it can be seen that the oxynitride phosphor has an excitation wavelength band of 420 nm to 500 nm. Therefore, when used in a blue LED it can be seen that it can efficiently absorb the light of the blue wavelength generated from the LED. Referring to FIG. 1B, when the excitation wavelength is 450 nm, the oxynitride phosphor emits light having a yellow wavelength of 530 nm to 630 nm. Therefore, it can be seen that when used in a blue LED can emit light of a yellow wavelength efficiently.

도 2를 참조하면, 각 상기 샘플에서 세슘의 비율을 조절하는 경우, 세슘의 몰분율이 0.2인 경우 가장 효율이 큼을 확인할 수 있지만, 이에 한정되지 않고, 상기 화학식 및 상기 몰분율을 가지는 경우 그 효율이 가장 크게 나타냄을 확인할 수 있다. Referring to Figure 2, in the case of adjusting the rate of cesium in each of the samples, it can be confirmed that the most efficient when the mole fraction of cesium is 0.2, but is not limited to this, the efficiency of the case of having the chemical formula and the mole fraction is the most Larger results can be seen.

도 3은 실시예에 따른 산질화물 형광체를 합성하는 방법에 대한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of synthesizing an oxynitride phosphor according to an embodiment.

도 3을 참조하면, 상기 산질화물 형광체의 제조방법은 원료를 준비하는 단계(a), 원료를 혼합하는 단계(b), 형광체 합성분위기를 조성하는 단계(c), 볼밀(Ball Mill) 공정 및 건조 작업을 하는 단계(d), 및 형광체의 성분을 분석하는 단계(e)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the method for preparing an oxynitride phosphor includes preparing a raw material (a), mixing the raw material (b), forming a phosphor synthesis atmosphere (c), a ball mill process, and the like. (D) performing a drying operation, and (e) analyzing the components of the phosphor.

상기 형광체는 안정한 출발물질을 이용한 일반적인 고상 반응법으로 제조할 수 있다. 상기 형광체는 금속이온이 물에 대한 용해도가 작기 때문에 고상 반응법으로 제조될 수 있다.The phosphor may be prepared by a general solid phase reaction method using a stable starting material. The phosphor may be prepared by the solid phase reaction method because the metal ion has low solubility in water.

원료를 준비하는 단계(a)는 산질화물 형광체의 원료 물질인 Y2O3, Al2O3, CeO2, BaF2 등을 조성비에 맞게 준비하여 Yx-yAlaObNc:Cey 3+를 합성할 수 있다. 이리듐과 세슘을 다른 물질로 대체하는 경우 상기 화학식은 각 물질에 따른 원료 물질을 사용하여 제조할 수 있다. Step (a) of preparing a raw material is prepared by preparing Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , CeO 2 , BaF 2, etc., which are the raw materials of the oxynitride phosphors, in accordance with the composition ratio of Y xy Al a O b N c : Ce y 3 + Can be synthesized. In the case of replacing iridium and cesium with other materials, the above formula may be prepared using raw materials corresponding to the respective materials.

원료를 혼합하는 단계(b)는 산질화물 형광체의 원료 물질을 조성비에 맞게 개량한 후 용매를 이용하여 마노 유발에 원료물질을 혼합할 수 있다. 용매는 에탄올 또는 아세톤을 사용할 수 있다.In step (b) of mixing the raw materials, the raw materials of the oxynitride phosphors may be improved according to the composition ratio, and then the raw materials may be mixed with the agate induction using a solvent. The solvent may be ethanol or acetone.

형광체 합성분위기를 조성하는 단계(c)는 약 1100℃ 내지 1500℃의 온도에서 진행할 수 있다. 산질화물 형광체는 상기 수소/질소가스의 가스 플로우(Gas flow) 하에서 소성될 수 있다. 이때, 수소/질소가스의 수소 : 질소 비율은 5 : 95 에서 20 : 80 으로 변화될 수 있다. 산질화물 형광체는 가스 플로우(Gas flow)가 400cc 내지 2000cc 하에서 소성할 수 있다. 각각의 실시예에 따른 산질화물 형광체는 저온 상압 방법으로 합성될 수 있다.The step (c) of forming the phosphor synthesis atmosphere may be performed at a temperature of about 1100 ° C to 1500 ° C. The oxynitride phosphor may be calcined under a gas flow of hydrogen / nitrogen gas. In this case, the hydrogen: nitrogen ratio of the hydrogen / nitrogen gas may be changed from 5:95 to 20:80. The oxynitride phosphor may be calcined under a gas flow of 400 cc to 2000 cc. The oxynitride phosphors according to each example may be synthesized by a low temperature atmospheric pressure method.

실시예에 의한 산질화물 형광체는 수소/질소가스의 수소 : 질소 비율 20 : 80 분위기, 1450℃, 1000cc의 가스 플로우(Gas flow)에서 6 시간 동안 소성하여 Yx-yAlaObNc:Cey 3+의 산질화물 형광체를 얻었다.The oxynitride phosphor according to the embodiment was fired for 6 hours in a hydrogen / nitrogen gas hydrogen: nitrogen ratio 20:80 atmosphere, 1450 ° C., and 1000 cc of gas flow (Gas flow), and Y xy Al a O b N c : Ce y An oxynitride phosphor of 3+ was obtained.

볼밀 공정 및 건조 작업을 하는 단계(d)는 전 단계(c)에서 합성된 형광체를 잘게 분쇄할 수 있다. 형광체를 분쇄한 형광체 분말은 물과 함께 혼합될 수 있다. 형광체 분말과 물을 혼합한 것을 지르코니아 및 유리 볼을 이용하여 볼밀 공정 및 세정과정을 진행할 수 있다. 상기 볼밀 공정 및 세정과정이 진행된 형광체 분말은 80℃의 오븐에서 약 12시간 건조를 할 수 있다.Step (d) of the ball mill process and the drying operation may be finely pulverized the phosphor synthesized in the previous step (c). The phosphor powder obtained by pulverizing the phosphor may be mixed with water. The mixture of the phosphor powder and water may be subjected to a ball mill process and a cleaning process using zirconia and glass balls. The phosphor powder subjected to the ball mill process and the cleaning process may be dried in an oven at 80 ° C. for about 12 hours.

형광체의 성분을 분석하는 단계(e)는 산질화물 형광체에 대해서 광방출특성(PL emission)을 확인하고 표면 주사전자현미경촬영(SEM) 및 에너지 분사형 엑스선 분석(EDX)을 할 수 있다. 한편, 광 방출 특성(PL emission)을 확인한 결과는 도 1a 내지 도 1b의 그래프에 나타나 있다. The step (e) of analyzing the components of the phosphor may confirm the PL emission of the oxynitride phosphor, and perform surface scanning electron microscopy (SEM) and energy injection X-ray analysis (EDX). On the other hand, the results of confirming the light emission characteristics (PL emission) is shown in the graph of Figures 1a to 1b.

도 4는 샘플 1 에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프이다. 도 4를 참조하면, 샘플 1 에 따른 산질화물 형광체의 입자를 표면 주사전자현미경으로 관찰한 결과를 확인할 수 있다. 위에서 설명한 제조방법에 따라 소성된 산질화물 형광체를 표면 주사전자 현미경으로 관찰하여, 소성여부를 판단할 수 있다. 도 4를 참조하면, Yx-yAlaObNc:Cey 3+의 산질화물 형광체의 경우 미세입자가 고르게 분포되어 있는 것을 확인할 수 있다. Figure 4 is a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphor according to Sample 1. Referring to FIG. 4, the results of observing the particles of the oxynitride phosphor according to Sample 1 with a surface scanning electron microscope. By observing the oxynitride phosphors fired according to the above-described manufacturing method with a surface scanning electron microscope, it is possible to determine whether the fired. Referring to FIG. 4, in the case of the oxynitride phosphor of Y xy Al a O b N c : Ce y 3+ , fine particles are evenly distributed.

도 5는 샘플 1에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프이다. 에너지 분사형 엑스선 분석(EDX)을 하면 산질화물 형광체가 포함하는 성분들에 대한 Wt% 및 At%를 알 수 있다. 형광 X선 분석으로 산질화물 형광체를 정량적으로 분석하면 Al, Y, O, N 및 Ce이 검출된 것을 확인할 수 있다. 따라서, 상기에 언급된 산질화물 형광체 제조방법으로 Yx-yAlaObNc:Cey 3+의 형광체가 제조되었음을 확인할 수 있다.5 is a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphors according to Sample 1. FIG. Energy injection X-ray analysis (EDX) shows the Wt% and At% of the components contained in the oxynitride phosphors. Quantitative analysis of oxynitride phosphors by fluorescence X-ray analysis confirmed that Al, Y, O, N and Ce were detected. Therefore, it can be confirmed that the phosphor of Y xy Al a O b N c : Ce y 3+ was manufactured by the above-mentioned oxynitride phosphor manufacturing method.

하기의 표 1은 샘플 1의 산질화물 형광체가 포함하는 성분들에 대한 Wt% 및 At%를 나타내고 있다. 형광 X선 분석으로 상기 산질화물 형광체에는 필수원소가 검출되었음을 확인할 수 있다.Table 1 below shows the Wt% and At% of the components included in the oxynitride phosphor of Sample 1. Fluorescence X-ray analysis may confirm that essential elements are detected in the oxynitride phosphor.

Figure pat00001
Figure pat00001

도 6은 샘플 2 에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프이다. 도 6을 참조하면, 샘플 2 에 따른 산질화물 형광체의 입자를 표면 주사전자현미경으로 관찰한 결과를 확인할 수 있다. 위에서 설명한 제조방법에 따라 소성된 산질화물 형광체를 표면 주사전자 현미경으로 관찰하여, 소성여부를 판단할 수 있다. 도 6을 참조하면, Yx-yAlaObNc:Cey 3+의 산질화물 형광체의 경우 미세입자가 고르게 분포되어 있는 것을 확인할 수 있다. 6 is a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphors according to Sample 2. FIG. Referring to FIG. 6, the results of observing the particles of the oxynitride phosphor according to Sample 2 with a surface scanning electron microscope. By observing the oxynitride phosphors fired according to the above-described manufacturing method with a surface scanning electron microscope, it is possible to determine whether the fired. Referring to FIG. 6, in the case of the oxynitride phosphor of Y xy Al a O b N c : Ce y 3+, the fine particles are uniformly distributed.

도 7은 샘플 2에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프이다. 에너지 분사형 엑스선 분석(EDX)을 하면 산질화물 형광체가 포함하는 성분들에 대한 Wt% 및 At%를 알 수 있다. 형광 X선 분석으로 산질화물 형광체를 정량적으로 분석하면 Al, Y, O, N 및 Ce이 검출된 것을 확인할 수 있다. 따라서, 상기에 언급된 산질화물 형광체 제조방법으로 Yx-yAlaObNc:Cey 3+의 형광체가 제조되었음을 확인할 수 있다.7 is a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of oxynitride phosphors according to Sample 2. FIG. Energy injection X-ray analysis (EDX) shows the Wt% and At% of the components contained in the oxynitride phosphors. Quantitative analysis of oxynitride phosphors by fluorescence X-ray analysis confirmed that Al, Y, O, N and Ce were detected. Therefore, it can be confirmed that the phosphor of Y xy Al a O b N c : Ce y 3+ was manufactured by the above-mentioned oxynitride phosphor manufacturing method.

하기의 표 2는 샘플 2의 산질화물 형광체가 포함하는 성분들에 대한 Wt% 및 At%를 나타내고 있다. 형광 X선 분석으로 상기 산질화물 형광체에는 필수원소가 검출되었음을 확인할 수 있다.Table 2 below shows the Wt% and At% of the components included in the oxynitride phosphor of Sample 2. Fluorescence X-ray analysis may confirm that essential elements are detected in the oxynitride phosphor.

Figure pat00002
Figure pat00002

도 8은 샘플 3 에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프이다. 도 8을 참조하면, 샘플 3 에 따른 산질화물 형광체의 입자를 표면 주사전자현미경으로 관찰한 결과를 확인할 수 있다. 위에서 설명한 제조방법에 따라 소성된 산질화물 형광체를 표면 주사전자 현미경으로 관찰하여, 소성여부를 판단할 수 있다. 도 8을 참조하면, Yx-yAlaObNc:Cey 3+의 산질화물 형광체의 경우 미세입자가 고르게 분포되어 있는 것을 확인할 수 있다. 8 is a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphors according to Sample 3. FIG. Referring to FIG. 8, the results of observing the particles of the oxynitride phosphor according to Sample 3 with a surface scanning electron microscope. By observing the oxynitride phosphors fired according to the above-described manufacturing method with a surface scanning electron microscope, it is possible to determine whether the fired. Referring to FIG. 8, in the case of the oxynitride phosphor of Y xy Al a O b N c : Ce y 3+ , fine particles are evenly distributed.

도 9는 샘플 3에 따른 산질화물 형광체에 대한 형광 X선 분석 결과를 나타낸 성분 분포 그래프이다. 에너지 분사형 엑스선 분석(EDX)을 하면 산질화물 형광체가 포함하는 성분들에 대한 Wt% 및 At%를 알 수 있다. 형광 X선 분석으로 산질화물 형광체를 정량적으로 분석하면 Al, Y, O, N 및 Ce이 검출된 것을 확인할 수 있다. 따라서, 상기에 언급된 산질화물 형광체 제조방법으로 Yx-yAlaObNc:Cey 3+의 형광체가 제조되었음을 확인할 수 있다.9 is a component distribution graph showing the results of fluorescence X-ray analysis of the oxynitride phosphors according to Sample 3. FIG. Energy injection X-ray analysis (EDX) shows the Wt% and At% of the components contained in the oxynitride phosphors. Quantitative analysis of oxynitride phosphors by fluorescence X-ray analysis confirmed that Al, Y, O, N and Ce were detected. Therefore, it can be confirmed that the phosphor of Y xy Al a O b N c : Ce y 3+ was manufactured by the above-mentioned oxynitride phosphor manufacturing method.

하기의 표 3은 샘플 3의 산질화물 형광체가 포함하는 성분들에 대한 Wt% 및 At%를 나타내고 있다. 형광 X선 분석으로 상기 산질화물 형광체에는 필수원소가 검출되었음을 확인할 수 있다.Table 3 below shows the Wt% and At% of the components included in the oxynitride phosphor of Sample 3. Fluorescence X-ray analysis may confirm that essential elements are detected in the oxynitride phosphor.

Figure pat00003
Figure pat00003

도 10a 및 도 10b는 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)를 나타낸 사시도 및 단면도이다.10A and 10B are a perspective view and a cross-sectional view of a light emitting device package 100 according to an embodiment.

도 10a 및 도 10b 를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 상면이 함몰되어 캐비티(120)가 형성되는 몸체(110), 캐비티(120)에 배치되며 빛을 발광하는 발광소자(130), 몸체(110)에 배치되며 발광소자(130)와 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150) 및 발광소자(130)를 덮도록 캐비티(120)에 충진되는 봉지재(미도시)를 포함할 수 있다.10A and 10B, the light emitting device package 100 includes a body 110 having an upper surface recessed therein, a cavity 120 formed therein, a light emitting device 130 disposed in the cavity 120, and emitting light. An encapsulant (not shown) disposed in the 110 and filled in the cavity 120 to cover the first and second lead frames 140 and 150 and the light emitting device 130, which are electrically connected to the light emitting device 130. It may include.

몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(110)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 110 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), photosensitive glass (PSG), polyamide 9T (PA9T) ), Neo geotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), may be formed of at least one of a printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board). The body 110 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(110)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(130)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.The inner surface of the body 110 may be formed with an inclined surface. The angle of reflection of the light emitted from the light emitting device 130 may vary according to the angle of the inclined surface, thereby adjusting the directivity of the light emitted to the outside.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.As the directivity of the light decreases, the concentration of light emitted from the light emitting device 130 to the outside increases. On the contrary, the greater the directivity of the light, the less the concentration of light emitted from the light emitting device 130 to the outside.

한편, 몸체(110)에 형성되는 캐비티(120)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the shape of the cavity 120 formed on the body 110 as viewed from above may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved shape, but is not limited thereto.

발광소자(130)는 제1 리드 프레임(140) 상에 배치되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(130)는 한 개 이상 배치될 수 있다.The light emitting device 130 is disposed on the first lead frame 140 and may be, for example, a light emitting device emitting light of red, green, blue, white, or UV (ultra violet) light emitting device emitting ultraviolet light. But it is not limited thereto. In addition, one or more light emitting devices 130 may be disposed.

발광소자(130)는 특정한 파장의 빛을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 발광소자(130)는 300 내지 480nm 의 파장 영역의 빛을 발생시킬 수 있다. 즉, 발광소자(130)는 UV-LED 또는 Blue LED 일 수 있다.The light emitting device 130 may generate light of a specific wavelength. For example, the light emitting device 130 may generate light in a wavelength region of 300 to 480 nm. That is, the light emitting device 130 may be a UV-LED or a Blue LED.

발광소자(130)는 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.The light emitting device 130 may be applied to either a horizontal type, a vertical type, or a flip chip.

봉지재(미도시)는 발광소자(130)를 덮도록 캐비티(120)에 위치할 수 있다. 봉지재(미도시)는 광투과 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 아크릴 수지 또는 광투과 실리콘 수지 중에서 하나 또는 복수를 포함할 수 있다. 봉지재(미도시)는 캐비티(120) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be located in the cavity 120 to cover the light emitting device 130. The encapsulant (not shown) may include one or a plurality of light transmitting epoxy resins, polyimide resins, urea resins, acrylic resins, or light transmitting silicone resins. The encapsulant (not shown) may be formed by filling the cavity 120 and then UV or heat curing the encapsulant.

봉지재(미도시)는 산질화물 형광체를 포함할 수 있으며, 산질화물 형광체는 Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)의 화학식을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 실시예의 산질화물 형광체는 발광소자 패키지(100)가 선명한 백색광을 구현하도록 할 수 있다. The encapsulant (not shown) may include an oxynitride phosphor, and the oxynitride phosphor may include M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1 ≦ x ≦ 4, 3 ≦ a ≦ 7, 6 ≦ b ≦ 15, 1 ≦ c ≦ 7, and 0.001 ≦ y ≦ 0.4). The oxynitride phosphor of the embodiment may allow the light emitting device package 100 to realize clear white light.

발광소자(130)가 생성하는 빛이 자외선 파장대인 경우에 봉지재(미도시)는 황색, 녹색 및 청색의 형광체를 포함하여 백색 발광소자 패키지(100)를 구현할 수 있다.When the light generated by the light emitting device 130 is in the ultraviolet wavelength range, the encapsulant (not shown) may implement the white light emitting device package 100 including phosphors of yellow, green, and blue.

발광소자(130)이 생성하는 빛이 파랑색 가시광선 파장대인 경우에 봉지재(미도시)는 황색, 적색 및 녹색의 형광체를 사용하여 발광소자 패키지(100)가 백색 빛을 방출하도록 할 수 있다.When the light generated by the light emitting device 130 is in the blue visible light wavelength band, the encapsulant (not shown) may allow the light emitting device package 100 to emit white light by using yellow, red, and green phosphors. .

산질화물 형광체는 발광소자(130)가 발생시키는 빛을 여기하여 파장을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 발광소자 패키지(100)는 Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4) 의 산질화물 형광체의 몰비를 조절하여, 원하는 파장의 빛을 낼 수 있다.The oxynitride phosphor may change the wavelength by exciting light generated by the light emitting device 130. For example, the light emitting device package 100 may include M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1 ≦ x ≦ 4, 3 ≦ a ≦ 7, 6 ≦ b ≦ 15, 1 ≦ c ≦ 7, 0.001 By controlling the molar ratio of the oxynitride phosphor of ≦ y ≦ 0.4), light of a desired wavelength can be produced.

산질화물 형광체는 발광소자(130)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(130)가 발생시킨 빛이 산질화물 형광체의 색과 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다.The oxynitride phosphor may be excited by light having the first light emitted from the light emitting device 130 to generate the second light. For example, as the light generated by the light emitting device 130 is mixed with the color of the oxynitride phosphor, the light emitting device package 100 may provide white light.

제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 140 and 150 may be formed of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum (Ta). , Platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge) It may include one or more materials or alloys of hafnium (Hf), ruthenium (Ru), iron (Fe). In addition, the first and second lead frames 140 and 150 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but the embodiment is not limited thereto.

제1 ,제2 리드 프레임(140, 150)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리된다. 발광소자(130)는 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)상에 배치될 수 있으며, 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)은 발광소자(130)와 직접 접촉하거나 또는 솔더링 부재(미도시)와 같은 전도성을 갖는 재료를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. The first and second lead frames 140 and 150 are separated from each other and electrically separated from each other. The light emitting device 130 may be disposed on the first and second lead frames 140 and 150, and the first and second lead frames 140 and 150 may be in direct contact with the light emitting device 130 or a soldering member. It may be electrically connected through a conductive material such as (not shown).

발광소자(130)는 와이어 본딩을 통해 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 따라서 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)에 전원이 연결되면 발광소자(130)에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(110)내에 실장되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자(130)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The light emitting device 130 may be electrically connected to the first and second lead frames 140 and 150 through wire bonding, but is not limited thereto. Therefore, when power is connected to the first and second lead frames 140 and 150, power may be applied to the light emitting device 130. Meanwhile, several lead frames (not shown) may be mounted in the body 110, and each lead frame (not shown) may be electrically connected to the light emitting device 130, but is not limited thereto.

도 11a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 11b 는 도 11a 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 11A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view illustrating a C-C 'cross section of the lighting device of FIG. 11A.

도 11a 및 도 11b 를 참조하면, 조명장치(200)는 몸체(210), 몸체(210)와 체결되는 커버(230) 및 몸체(210)의 양단에 위치하는 마감캡(250)을 포함할 수 있다.11A and 11B, the lighting apparatus 200 may include a body 210, a cover 230 coupled to the body 210, and a closing cap 250 positioned at both ends of the body 210. have.

몸체(210)의 하부면에는 발광소자 모듈(240)이 체결되며, 몸체(210)는 발광소자 패키지(244)에서 발생된 열이 몸체(210)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The lower surface of the body 210 is fastened to the light emitting device module 240, the body 210 is conductive so that the heat generated from the light emitting device package 244 can be discharged to the outside through the upper surface of the body 210 And it may be formed of a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자 패키지(244)는 인쇄회로기판(242) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(242)으로 MPPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.The light emitting device package 244 may be mounted on the printed circuit board 242 in a multi-colored, multi-row array to form an array. The light emitting device package 244 may be mounted at the same interval or may be mounted with various separation distances as necessary to adjust brightness. have. As the printed circuit board 242, a metal core PCB (MPPCB) or a PCB made of FR4 may be used.

발광소자 패키지(244)는 봉지재가 연색지수가 높은 형광체를 포함하여 백색광의 구현이 향상될 수 있어, 발광소자 패키지(244) 및 발광소자 패키지(244)를 포함하는 조명장치(200)의 해상도가 향상될 수 있다.The light emitting device package 244 may include an encapsulant having a high color rendering index, thereby improving the implementation of white light, so that the resolution of the lighting device 200 including the light emitting device package 244 and the light emitting device package 244 may be improved. Can be improved.

산질화물 형광체는 Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4) 의 화학식을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체는 발광소자 패키지(244)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. The oxynitride phosphor is represented by the chemical formula of M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1 ≦ x ≦ 4, 3 ≦ a ≦ 7, 6 ≦ b ≦ 15, 1 ≦ c ≦ 7, 0.001 ≦ y ≦ 0.4). It may include a material having a. The oxynitride phosphor may allow the light emitting device package 244 to implement white light.

실시예의 산질화물 형광체는 420nm 내지 500nm의 파장 영역을 여기 파장대역으로 하고, 530nm 내지 630nm의 파장 영역을 발광파장대역으로 할 수 있다.In the oxynitride phosphor of the embodiment, the wavelength region of 420 nm to 500 nm may be an excitation wavelength band, and the wavelength region of 530 nm to 630 nm may be an emission wavelength band.

커버(230)는 몸체(210)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 230 may be formed in a circular shape to surround the lower surface of the body 210, but is not limited thereto.

커버(230)는 내부의 발광소자 모듈(240)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(230)는 발광소자 패키지(244)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(230)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(230)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 230 protects the light emitting device module 240 from the outside and the like. In addition, the cover 230 may include diffusing particles to prevent the glare of the light generated from the light emitting device package 244, and to uniformly emit light to the outside, and at least of the inner and outer surfaces of the cover 230 A prism pattern or the like may be formed on either side. In addition, a phosphor may be applied to at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 230.

한편, 발광소자 패키지(244)에서 발생한 광은 커버(230)를 통해 외부로 방출되므로 커버(230)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(244)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(230)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.On the other hand, since the light generated from the light emitting device package 244 is emitted to the outside through the cover 230, the cover 230 should have excellent light transmittance, and has sufficient heat resistance to withstand the heat generated from the light emitting device package 244 The cover 230 may be formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like.

마감캡(250)은 몸체(210)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(250)에는 전원핀(252)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(200)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.Closing cap 250 is located at both ends of the body 210 may be used for sealing the power supply (not shown). In addition, the closing cap 250 has a power pin 252 is formed, the lighting device 200 according to the embodiment can be used immediately without a separate device in the terminal from which the existing fluorescent light is removed.

도 12 는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.12 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment.

도 12 에 도시된 백라이트 유닛(370)은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(300)는 액정표시패널(310)과 액정표시패널(310)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(370)을 포함할 수 있다.The backlight unit 370 illustrated in FIG. 12 is an edge-light method, and the liquid crystal display 300 includes a liquid crystal display panel 310 and a backlight unit 370 for providing light to the liquid crystal display panel 310. can do.

액정표시패널(310)은 백라이트 유닛(370)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(310)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(312) 및 박막 트랜지스터 기판(314)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 310 may display an image by using light provided from the backlight unit 370. The liquid crystal display panel 310 may include a color filter substrate 312 and a thin film transistor substrate 314 facing each other with the liquid crystal interposed therebetween.

컬러 필터 기판(312)은 액정표시패널(310)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 312 may implement colors of the image displayed through the liquid crystal display panel 310.

박막 트랜지스터 기판(314)은 구동 필름(317)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(318)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(314)은 인쇄회로 기판(318)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(318)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 314 is electrically connected to the printed circuit board 318 on which a plurality of circuit components are mounted through the driving film 317. The thin film transistor substrate 314 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 318 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 318.

박막 트랜지스터 기판(314)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 314 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed of a thin film on another transparent substrate such as glass or plastic.

백라이트 유닛(370)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(320), 발광소자 모듈(320)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(310)로 제공하는 도광판(330), 도광판(330)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(352, 366, 364) 및 도광판(330)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(330)으로 반사시키는 반사 시트(347)로 구성된다.The backlight unit 370 may convert the light provided from the light emitting device module 320, the light emitting device module 320 into a surface light source, and provide the light guide plate 330 and the light guide plate to the liquid crystal display panel 310. Reflective sheet for reflecting the light emitted from the rear of the light guide plate 330 to the plurality of films 352, 366, 364 and the light incident plate 330 to uniform the luminance distribution of the light provided from the 330 and improve the vertical incidence ( 347).

발광소자 모듈(320)은 복수의 발광소자 패키지(324)와 복수의 발광소자 패키지(324)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(322)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 320 may include a printed circuit board 322 such that a plurality of light emitting device packages 324 and a plurality of light emitting device packages 324 are mounted to form an array.

발광소자 패키지(324)는 봉지재가 산질화물 형광체를 포함하여 백색광의 구현이 향상될 수 있어, 발광소자 패키지(324) 및 발광소자 패키지(324)를 포함하는 백라이트 유닛(370)의 해상도가 향상될 수 있다.In the light emitting device package 324, the encapsulant may include an oxynitride phosphor to improve white light, and thus, the resolution of the backlight unit 370 including the light emitting device package 324 and the light emitting device package 324 may be improved. Can be.

산질화물 형광체는 Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)의 화학식을 갖는 결정을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체는 발광소자 패키지(324)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. 산질화물 형광체는 백색 파장을 구현하는 필수 형광체로 기능할 수 있어, 발광소자 패키지(324)의 품질을 개선할 수 있다.The oxynitride phosphor is represented by the formula of M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4) It may include a crystal having a. The oxynitride phosphor may allow the light emitting device package 324 to implement white light. The oxynitride phosphor may function as an essential phosphor that realizes a white wavelength, thereby improving the quality of the light emitting device package 324.

실시예의 산질화물 형광체는 420nm 내지 500nm의 파장 영역을 여기 파장대역으로 하고, 530nm 내지 630nm의 파장 영역을 발광파장대역으로 할 수 있다.In the oxynitride phosphor of the embodiment, the wavelength region of 420 nm to 500 nm may be an excitation wavelength band, and the wavelength region of 530 nm to 630 nm may be an emission wavelength band.

한편, 백라이트 유닛(370)은 도광판(330)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(310) 방향으로 확산시키는 확산필름(366)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(352)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(352)를 보호하기 위한 보호필름(364)을 포함할 수 있다.The backlight unit 370 may include a diffusion film 366 for diffusing light incident from the light guide plate 330 toward the liquid crystal display panel 310, and a prism film 352 for condensing the diffused light to improve vertical incidence. ), And may include a protective film 364 for protecting the prism film 352.

도 13 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 12 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.13 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 12 are not repeatedly described in detail.

도 13 에 도시된 백라이트 유닛(470)은 직하 방식으로, 액정표시장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.The backlight unit 470 illustrated in FIG. 13 is a direct method, and the liquid crystal display device 400 may include a liquid crystal display panel 410 and a backlight unit 470 for providing light to the liquid crystal display panel 410. have.

액정표시패널(410)은 도 12 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 410 is the same as that described with reference to FIG. 12, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(470)은 복수의 발광소자 모듈(423), 반사시트(424), 발광소자 모듈(423)과 반사시트(424)가 수납되는 하부 섀시(430), 발광소자 모듈(423)의 상부에 배치되는 확산판(440) 및 다수의 광학필름(460)을 포함할 수 있다.The backlight unit 470 includes a plurality of light emitting device modules 423, a reflective sheet 424, a lower chassis 430 in which the light emitting device modules 423 and the reflective sheet 424 are accommodated, and an upper portion of the light emitting device modules 423. It may include a diffusion plate 440 and a plurality of optical film 460 disposed in the.

발광소자 모듈(423) 복수의 발광소자 패키지(422)와 복수의 발광소자 패키지(422)가 배치되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(421)을 포함할 수 있다.LED Module 423 A plurality of light emitting device packages 422 and a plurality of light emitting device packages 422 may be disposed to include a printed circuit board 421 to form an array.

발광소자 패키지(422)는 봉지재가 연색지수가 높은 산질화물 형광체를 포함하여 백색광의 구현이 향상될 수 있어, 발광소자 패키지(422) 및 발광소자 패키지(422)를 포함하는 백라이트 유닛(470)의 해상도가 향상될 수 있다.The light emitting device package 422 may include an oxynitride phosphor having a high color rendering index of an encapsulant, thereby improving the implementation of white light, thereby providing a light emitting device package 422 and a light emitting device package 422 of the backlight unit 470. Resolution can be improved.

산질화물 형광체는 Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)의 화학식을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 산질화물 형광체는 발광소자 패키지(422)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The oxynitride phosphor is represented by the formula of M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4) It may include a material having a. The oxynitride phosphor may allow the light emitting device package 422 to implement white light.

실시예의 산질화물 형광체는 420nm 내지 500nm의 파장 영역을 여기 파장대역으로 하고, 530nm 내지 630nm의 파장 영역을 발광파장대역으로 할 수 있다.In the oxynitride phosphor of the embodiment, the wavelength region of 420 nm to 500 nm may be an excitation wavelength band, and the wavelength region of 530 nm to 630 nm may be an emission wavelength band.

반사 시트(424)는 발광소자 패키지(422)에서 발생한 빛을 액정표시패널(410)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 424 reflects the light generated from the light emitting device package 422 in the direction in which the liquid crystal display panel 410 is located to improve light utilization efficiency.

한편, 발광소자 모듈(423)에서 발생한 빛은 확산판(440)에 입사하며, 확산판(440)의 상부에는 광학 필름(460)이 배치된다. 광학 필름(460)은 확산 필름(466), 프리즘필름(450) 및 보호필름(464)를 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, the light generated from the light emitting device module 423 is incident on the diffusion plate 440, the optical film 460 is disposed on the diffusion plate 440. The optical film 460 may include a diffusion film 466, a prism film 450, and a protective film 464.

이하에는 실시예에 따른 산질화물 형광체를 확산 플레이트에 적용한 실시예를 기술한다.Hereinafter, an embodiment in which the oxynitride phosphor according to the embodiment is applied to a diffusion plate will be described.

실시예에 따른 상기 산질화물 형광체는 실리콘(Si)과 혼합될 수 있다. 상기 산질화물 형광체와 실리콘은 5:100의 비율로 혼합될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 산질화물 형광체와 실리콘은 전동 믹서를 이용하여 균일하게 혼합될 수 있다. 상기 혼합된 형광체는 확산 플레이트(diffusion plate)위에 도포할 수 있다. 상기 확산 플레이트는 광 투과성이 우수한 유리소재, 플라스틱 소재, 실리콘 소재를 이용할 수 있다. 상기 산질화물 형광체를 도포한 확산 플레이트는 접착이 강하게 되도록 하기 위해서 오븐에서 건조 및 경화시킬 수 있다. 상기 확산 플레이트는 오븐의 온도 150℃에서 12시간 건조할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The oxynitride phosphor according to the embodiment may be mixed with silicon (Si). The oxynitride phosphor and silicon may be mixed in a ratio of 5: 100, but are not limited thereto. The oxynitride phosphors and silicon may be uniformly mixed using an electric mixer. The mixed phosphor may be applied onto a diffusion plate. The diffusion plate may be a glass material, a plastic material, a silicon material excellent in light transmittance. The diffusion plate coated with the oxynitride phosphor may be dried and cured in an oven in order to increase adhesion. The diffusion plate may be dried at an oven temperature of 150 ° C. for 12 hours, but is not limited thereto.

실시예에 따른 청색 LED는 확산 플레이트를 제조하는 경우 확산플레이트를 통해 면발광이 가능한 백색광원을 구현할 수 있다. 청색 LED는 이를 통해 발생하는 점광원을 확산플레이트에 의해 면광원으로 변환할 수 있다. 따라서 이를 이용하여 제작한 발광소자는 우수한 발광효율 및 특성을 가질 수 있다.The blue LED according to the embodiment may implement a white light source capable of surface emitting light through a diffusion plate when manufacturing the diffusion plate. The blue LED may convert the point light source generated therefrom into a surface light source by a diffusion plate. Therefore, the light emitting device manufactured using the same may have excellent luminous efficiency and characteristics.

도 14는 청색 LED에 상기 산질화물 형광체를 도포한 확산 플레이트를 제조한 경우 발광 스펙트럼을 나타낸다. 도 14를 참조하면, 420nm 내지 500nm 의 청색 파장 영역과 520nm 내지 630nm 의 황색 파장 영역에서 발광 강도가 가장 높음을 확인할 수 있다. 따라서, 상기 산질화물 형광체는 청색 LED에 사용되어 백색의 빛을 낼 수 있다. 14 shows emission spectra when a diffusion plate coated with the oxynitride phosphors on a blue LED is manufactured. Referring to FIG. 14, it can be seen that emission intensity is the highest in the blue wavelength region of 420 nm to 500 nm and the yellow wavelength region of 520 nm to 630 nm. Thus, the oxynitride phosphors can be used in blue LEDs to produce white light.

도 15는 상기 산질화물 형광체를 도포하여 확산 플레이트를 제조하는 방법을 나타낸다. 상기 확산 플레이트는 LED의 점광원을 면광원으로 변환시키고, 이에 따라 LED는 우수한 발광효율 및 특성을 가질 수 있다. FIG. 15 shows a method of preparing a diffusion plate by applying the oxynitride phosphor. FIG. The diffusion plate converts the point light source of the LED into a surface light source, and thus the LED may have excellent luminous efficiency and characteristics.

하기 표 4는 상기 산질화물 형광체의 조성에 따른 색지수, 색온도 등을 나타낸 것이다. 이를 통해 상기 산질화물 형광체는 청색 LED에 사용되어 백색의 빛을 발광하는 것을 확인할 수 있다.Table 4 shows the color index, color temperature, etc. according to the composition of the oxynitride phosphor. Through this, the oxynitride phosphor may be used in a blue LED to emit white light.

Figure pat00004
Figure pat00004

표 4에서 Im은 광선속(lumen)을 나타내고, Cx, Cy 는 색좌표, CCT 는 색온도, CRI는 색 렌더링 지수(color rendering index)를 나타낸다.In Table 4, Im represents a lumen, C x and C y represent color coordinates, CCT represents a color temperature, and CRI represents a color rendering index.

도 14와 표 4를 통해서 실시예에 따른 산질화물 형광체는 청색 LED에 사용되어 420nm 내지 500nm 의 청색 파장 영역과 520nm 내지 630nm 의 황색 파장 영역의 빛을 발할 수 있다. 따라서, 이렇게 결합한 것은 백색 LED용으로 사용될 수 있다.14 and Table 4, the oxynitride phosphor according to the embodiment can be used in a blue LED can emit light in the blue wavelength region of 420nm to 500nm and yellow wavelength region of 520nm to 630nm. Thus, this combination can be used for white LEDs.

한편, 실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device according to the embodiment is not limited to the configuration and method of the embodiments described above, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments may be selectively And may be configured in combination.

또한, 이상에서는 여러가지 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
In addition, although various embodiments have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the above-described specific embodiments, and the present invention is not limited to the specific scope of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

100 : 발광소자 패키지
110 : 몸체
120 : 캐비티
130 : 발광소자
140 : 제 1 리드 프레임
150 : 제 2 리드 프레임
100: Light emitting device package
110: Body
120: cavity
130: Light emitting element
140: first lead frame
150: second lead frame

Claims (16)

아래의 화학식으로 표시되는 물질을 포함하는 산질화물 형광체.
[화학식]
Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)
An oxynitride phosphor comprising a substance represented by the following formula.
[Chemical Formula]
M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)
제 1 항에 있어서,
상기 x는 2≤x≤2.5 인 산질화물 형광체.
The method of claim 1,
X is 2 ≦ x ≦ 2.5.
제 1 항에 있어서,
상기 y는 0.1≤y≤0.3 인 산질화물 형광체.
The method of claim 1,
Y is 0.1 ≦ y ≦ 0.3.
제 1 항에 있어서,
상기 M은 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 가돌륨(Gd) 및 루테튬(Lu) 중 적어도 하나를 포함하는 산질화물 형광체.
The method of claim 1,
M is an oxynitride phosphor comprising at least one of yttrium (Y), scandium (Sc), gadolium (Gd), and lutetium (Lu).
제 1 항에 있어서,
상기 Re 는 세슘(Ce), 유로퓸(Eu), 사마륨(Sm), 이터븀(Yb), 디스프로슘(Dy), 가돌륨(Gd), 툴륨(Tm), 루테튬(Lu) 중 적어도 하나를 포함하는 산질화물 형광체.
The method of claim 1,
Re includes at least one of cesium (Ce), europium (Eu), samarium (Sm), ytterbium (Yb), dysprosium (Dy), gadolium (Gd), thulium (Tm), and lutetium (Lu) Oxynitride phosphors.
제 1 항에 있어서,
상기 산질화물 형광체는 420nm 내지 500nm의 주피크를 갖는 광에 의해 여기되는 산질화물 형광체.
The method of claim 1,
The oxynitride phosphor is excited by light having a main peak of 420 nm to 500 nm.
제 1 항에 있어서,
상기 산질화물 형광체는 530nm 내지 630nm 에서 발광 주피크를 갖는 산질화물 형광체.
The method of claim 1,
The oxynitride phosphor has an emission main peak at 530 nm to 630 nm.
캐비티가 형성된 몸체;
상기 캐비티에 배치되며 빛을 발광하는 발광소자; 및
상기 캐비티에 충진되는 봉지재;를 포함하며,
상기 봉지재는 Mx-yAlaObNc:Rey 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4)의 화학식을 갖는 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
A body formed with a cavity;
A light emitting element disposed in the cavity and emitting light; And
It includes; encapsulation material is filled in the cavity,
The encapsulant has a chemical formula of M xy Al a O b N c : Re y 3+ (1≤x≤4, 3≤a≤7, 6≤b≤15, 1≤c≤7, 0.001≤y≤0.4) A light emitting device package comprising an oxynitride phosphor having.
제 8 항에 있어서,
상기 x는 2≤x≤2.5 인 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
The x is a light emitting device package comprising an oxynitride phosphor of 2≤x≤2.5.
제 8 항에 있어서,
상기 y는 0.1≤y≤0.3 인 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
Wherein y is 0.1 ≦ y ≦ 0.3 and comprises an oxynitride phosphor.
제 8 항에 있어서,
상기 M은 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 가돌륨(Gd) 및 루테튬(Lu) 중 적어도 하나를 포함하는 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
Wherein M is a light emitting device package including an oxynitride phosphor containing at least one of yttrium (Y), scandium (Sc), gadolium (Gd) and lutetium (Lu).
제 8 항에 있어서,
상기 Re 는 세슘(Ce), 유로퓸(Eu), 사마륨(Sm), 이터븀(Yb), 디스프로슘(Dy), 가돌륨(Gd), 툴륨(Tm), 루테튬(Lu) 중 적어도 하나를 포함하는 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
Re includes at least one of cesium (Ce), europium (Eu), samarium (Sm), ytterbium (Yb), dysprosium (Dy), gadolium (Gd), thulium (Tm), and lutetium (Lu) A light emitting device package comprising an oxynitride phosphor.
제 8 항에 있어서,
상기 산질화물 형광체는 420nm 내지 500nm의 주피크를 갖는 광에 의해 여기되는 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
The oxynitride phosphor includes an oxynitride phosphor excited by light having a main peak of 420 nm to 500 nm.
제 8 항에 있어서,
상기 산질화물 형광체는 530nm 내지 630nm 에서 발광 주피크를 갖는 산질화물 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
The oxynitride phosphor includes a oxynitride phosphor having a light emission main peak at 530 nm to 630 nm.
제 8 항에 있어서,
상기 산질화물 형광체를 도포한 확산 플레이트(diffusion plate)를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
A light emitting device package comprising a diffusion plate coated with the oxynitride phosphor.
제 15 항에 있어서,
상기 확산 플레이트는 플라스틱, 유리, 또는 실리콘 중 어느 하나의 물질을 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 15,
The diffusion plate is a light emitting device package containing a material of any one of plastic, glass, or silicon.
KR1020120064367A 2012-06-15 2012-06-15 Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same KR101930310B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120064367A KR101930310B1 (en) 2012-06-15 2012-06-15 Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120064367A KR101930310B1 (en) 2012-06-15 2012-06-15 Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130141171A true KR20130141171A (en) 2013-12-26
KR101930310B1 KR101930310B1 (en) 2018-12-18

Family

ID=49985371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120064367A KR101930310B1 (en) 2012-06-15 2012-06-15 Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101930310B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200410425Y1 (en) * 2005-11-01 2006-03-09 울트라 브라이트 레즈 캄퍼니 리미티드 Optical source module and liquid crystal panel combination
KR20100020444A (en) * 2008-08-12 2010-02-22 삼성전기주식회사 PREPARING METHOD OF beta-SIALON PHOSPHOR
KR20120033421A (en) * 2010-09-30 2012-04-09 순천대학교 산학협력단 Oxynitride phospor
JP2012072346A (en) * 2010-08-31 2012-04-12 Toshiba Corp Process for production of fluorescent substance

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5194395B2 (en) * 2006-06-27 2013-05-08 日亜化学工業株式会社 Oxynitride phosphor and light-emitting device using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200410425Y1 (en) * 2005-11-01 2006-03-09 울트라 브라이트 레즈 캄퍼니 리미티드 Optical source module and liquid crystal panel combination
KR20100020444A (en) * 2008-08-12 2010-02-22 삼성전기주식회사 PREPARING METHOD OF beta-SIALON PHOSPHOR
JP2012072346A (en) * 2010-08-31 2012-04-12 Toshiba Corp Process for production of fluorescent substance
KR20120033421A (en) * 2010-09-30 2012-04-09 순천대학교 산학협력단 Oxynitride phospor

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JOURNAL OF LUMINESCENCE *
JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY *

Also Published As

Publication number Publication date
KR101930310B1 (en) 2018-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1669429B1 (en) Phosphor converted light-emitting device
DK2197054T3 (en) Light emitting device
TWI417616B (en) Display device and lighting device for the same
EP1865564B1 (en) Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
JP5066786B2 (en) Nitride phosphor and light emitting device using the same
JP4892861B2 (en) Nitride phosphor and light emitting device using the same
JP5721921B2 (en) White light emitting device and lighting device
EP2368963A2 (en) Complex crystal phosphor, light emitting device, surface light source apparatus, display apparatus, and lighting device
WO2006003930A1 (en) Light emitting device and illuminator employing it, back light for display, and display
WO2004056940A1 (en) Phosphor and optical device using same
JP4059293B2 (en) Light emitting device
JP5868929B2 (en) Phosphor composition and light emitting device package including the same
KR101877423B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR102017497B1 (en) Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same
KR101972777B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101930310B1 (en) Oxynitride Phosphor, and Light Emitting device package comprising the same
JP2022054824A (en) Wavelength conversion member and light-emitting device
KR101886714B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101920210B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising thereof
KR101866228B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
JP5273108B2 (en) LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHTING DEVICE USING SAME, AND IMAGE DISPLAY DEVICE
KR101907617B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101877416B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101883337B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same
KR101877426B1 (en) Oxynitride phosphor, and light-emitting device package comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant