KR20130135183A - 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 유기 발광 유닛을 포함하고, 상기 유기 발광 소자는 보조전극 및 퓨즈(fuse) 패턴을 포함하며, 상기 제1 전극과 보조전극은 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 출원은 2012년 5월 31일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0058922호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 두 개의 반대 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되어 있다. 이와 같은 구성의 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상, 즉 유기 발광 현상을 이용한다. 구체적으로, 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시킨 구조에 있어서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에서는 유기물층에서 생성된 빛이 광 투과성 전극을 통하여 방출하게 되며, 유기 발광 소자는 통상 전면 발광(top emission), 후면 발광(bottom emisstion) 및 양면 발광형으로 분류할 수 있다. 전면 또는 후면 발광형의 경우는 두 개의 전극 중 하나가 광 투과성 전극이어야 하며, 양면 발광형의 경우는 두 개의 전극이 모두 광 투과성 전극이어야 한다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 대해서는 다층 구조를 사용하는 경우 저전압에서 구동할 수 있다는 코닥사의 발표 이래 많은 연구가 집중되어 왔으며, 최근에는 유기 발광 소자를 이용한 천연색 디스플레이가 휴대용 전화기에 부착되어 상용화되고 있다.
또한, 최근의 유기 발광 소자는 기존의 형광 물질을 이용하는 대신 인광 물질의 이용에 대한 연구가 진행되면서 효율의 향상이 급격히 이루어지고 있으며, 가까운 미래에는 기존의 조명을 대체할 수 있다는 예상도 나오고 있다.
유기 발광 소자가 조명으로 이용되기 위해서는 기존의 천연색 디스플레이와는 달리 고휘도에서 소자를 구동하여야 하며, 기존의 조명과 같이 일정한 휘도를 유지하여야 한다. 유기 발광 소자의 휘도를 충분히 향상시키기 위해서는 넓은 면적에서 발광이 이루어져야 하고, 이와 같이 넓은 면적에서 발광이 이루어지게 하기 위해서는 높은 구동 전류를 이용해야 한다. 또한, 넓은 면적에서 일정한 휘도를 유지하기 위해서는 상기와 같은 높은 전류가 넓은 면적의 소자에 균일하게 주입되어야 한다.
일반적으로 유기 발광 소자의 양극 물질로는 주로 일함수가 큰 금속 산화물이 사용된다. 그러나, 금속 산화물은 전기 전도도가 비교적 높지 않다. 따라서, 이와 같은 금속 산화물이 표시 면적이 작은 유기 EL이나 LCD에 사용되는 경우에는 문제점이 없으나, 조명 기기에 사용하기 위한 대면적 유기 EL에 사용되는 경우에는 높은 전류에 의한 전압 강하가 커서 전류가 발광면에 고르게 주입되지 않으므로 소자의 발광이 균일하게 일어나지 않는다. 예컨대, 전극을 구동 회로와 전기적으로 결선시킨 부분의 근처에서만 발광을 하고, 나머지 영역에서는 약한 발광이 일어나거나 발광이 일어나지 않을 수 있다.
한편, 유기 발광 소자의 음극 물질로는 주로 일함수가 작은 금속 또는 이들의 합금이 사용된다. 이와 같은 금속은 물질 자체의 전기 전도도는 높을 수 있으나, 유기 발광 소자의 특성상 전극의 투명성이 요구되는 경우에 박막으로 형성된다면 전기 전도도가 감소한다. 따라서, 이와 같은 경우에도 전류가 발광면에 고르게 주입되지 않으므로 소자의 발광이 균일하게 일어나지 않을 수 있다.
따라서, 유기 발광 소자를 조명 기기로 사용하기 위해서는 전극의 저항을 줄여 넓은 면적의 소자에서 고휘도의 발광이 균일하게 일어나도록 하는 것이 필요하다.
본 발명은 대면적의 유기 발광 소자에 있어서, 유기 발광 소자 내에 퓨즈(fuse) 패턴을 구비시킴으로써 발광 영역 중 일부분에 전기적 단락이 발생하는 경우에 규정 값 이상의 과도한 전류가 계속 흐르지 못하게 자동적으로 차단할 수 있는 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이에 본 발명은,
기판, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 유기 발광 유닛을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
상기 유기 발광 소자는 보조전극 및 퓨즈(fuse) 패턴을 포함하고,
상기 제1 전극과 보조전극은 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은
1) 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계,
2) 상기 기판 상에 보조전극을 형성하는 단계,
3) 상기 제1 전극과 보조전극을 전기적으로 연결시키는 퓨즈(fuse) 패턴을 형성하는 단계, 및
4) 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
1) 기판 상에 제1 전극 및 퓨즈(fuse) 패턴을 형성하는 단계,
2) 상기 퓨즈(fuse) 패턴 상에 보조전극을 형성하는 단계로서, 상기 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 상기 제1 전극과 보조전극이 전기적으로 연결되도록 보조전극을 형성하는 단계, 및
3) 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극과 제1 전극의 보조전극을 전기적으로 연결하는 퓨즈(fuse) 패턴을 포함함으로써, 특정한 유기 발광 유닛에 과전류가 발생되는 경우에 상기 퓨즈(fuse) 패턴이 자동적으로 단절되어 전체 유기 발광 소자가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일구체예에 따른 유기 발광 소자의 제1 전극과 보조전극이 퓨즈(fuse) 패턴에 의하여 전기적으로 연결된 것을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 일구체예에 따른 유기 발광 소자의 제1 전극과 보조전극이 퓨즈(fuse) 패턴에 의하여 전기적으로 연결된 것을 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명에 따른 퓨즈(fuse) 패턴의 크기에 따른 단락 전류 및 저항치를 나타낸 도이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
10: 제1 전극
20: 보조전극
30: 퓨즈(fuse) 패턴
도 2는 본 발명의 일구체예에 따른 유기 발광 소자의 제1 전극과 보조전극이 퓨즈(fuse) 패턴에 의하여 전기적으로 연결된 것을 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명에 따른 퓨즈(fuse) 패턴의 크기에 따른 단락 전류 및 저항치를 나타낸 도이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
10: 제1 전극
20: 보조전극
30: 퓨즈(fuse) 패턴
이하 본 발명에 대해서 자세히 설명한다.
일반적으로 유기 발광 소자는 넓은 면적을 갖는 2개의 전극이 서로 마주보고 있으며 그 사이에 전류에 의해 빛을 발광하는 유기물층이 형성되어 있는 구조를 갖는다. 상기 전극의 테두리 부분에서 전류가 인가되어 전극의 중심부 쪽으로 흐르면서 유기물을 통과하여 마주보고 있는 전극으로 빠져나가게 되며, 이 때 전극의 테두리 부분에서 중심부로 전류가 흐르면서 전극의 저항에 비례하게 전압 하강이 발생한다. 이러한 전극의 저항에 의하여 전압 하강이 발생한 만큼 에너지를 소모하게 되어 유기 발광 소자의 에너지 효율을 저하시키게 된다.
또한, 상기 2개의 전극 사이에 형성되는 전기장이 달라지게 되므로, 전극 위치에 따라 유기물의 발광량이 달라지게 되는데, 이러한 위치에 따른 밝기의 차이는 외관상으로도 좋지 않을 뿐 아니라, 소자의 안정성에도 좋지 않은 영향을 주게 된다. 따라서, 유기 발광 소자에서는 이러한 문제를 최소화하기 위한 설계가 필요하다.
유기 발광 소자에 사용되는 투명 전극은 투명하여 빛을 투과할 수 있는 장점이 있는 반면에 금속 전극에 비해서는 전기저항이 매우 높다. 따라서, 유기 발광 소자를 대면적으로 구현하고자 할 때 투명 전극의 높은 전기저항으로 인해 넓은 발광 면적 내의 전압분포가 고르지 않게 되며 이에 따라 고른 휘도의 발광을 대면적으로 얻기에 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 일반적으로 사용하는 방법은 투명 전극의 아래 혹은 위에 금속을 이용하는 보조전극을 설치하는 것이다. 금속 보조전극은 투명성을 담보하기 위하여 가능한 한 가늘게 격자모양으로 만들며 넓은 면적에 있어서 고른 전압분포를 얻으면서도 투명성을 높이기 위해 격자의 주기는 가능한 한 넓히는 방법을 사용하고 있다. 그러나, 격자모양의 금속 보조전극을 사용하는 방법은 공정의 복잡성이 증가하는 문제뿐 만이 아니라, 투명전극 위에 보조전극이 형성된 경우에 보조전극의 높이 때문에 그 위에 구성해야 하는 유기물을 고르게 적층하는데 있어서 공정상의 어려움이 발생하는 문제를 안고 있다.
또한, 다수의 유기 발광 픽셀을 포함하는 대면적의 유기 발광 소자에 있어서, 다수의 유기 발광 픽셀 중 일부분의 유기 발광 픽셀에 과전류가 흐르게 되어 전기적 단락 등의 불량이 발생하는 경우에는 대면적의 유기 발광 소자 전체에 불량이 발생된다는 문제점이 있다.
이에, 본 발명은 대면적의 유기 발광 소자에 있어서, 유기 발광 소자 내에 퓨즈(fuse)를 구비시킴으로써 발광 영역 중 일부분에 전기적 단락이 발생하는 경우에 규정 값 이상의 과도한 전류가 계속 흐르지 못하게 자동적으로 차단할 수 있는 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 유기 발광 유닛을 포함하고, 상기 유기 발광 소자는 보조전극 및 퓨즈(fuse) 패턴을 포함하며, 상기 제1 전극과 보조전극은 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 기판은 당 기술분야에 알려진 것을 제한 없이 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는 유리, SiO2, 실리콘 웨이퍼 등과 같은 하드한 기판 또는 PET(polyethylene terephthalate), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), COP(cycloolefin polymer) 등과 같은 필름 기판을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 제1 전극은 투명 전극이고, 상기 제2 전극은 금속 전극일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO, ZnO, SnO2 등의 투명한 전도성 물질을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극은 스퍼터링(sputtering) 이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속, 전도성을 가지는 금속 산화물, 이들의 합금 등을 증착시켜 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 제2 전극은 금속 전극일 수 있다. 상기 금속은 Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 보조전극은 제1 전극의 저항 개선을 위한 것으로서, 상기 보조전극은 전도성 실란트(sealant) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 증착하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극은 Cr, Mo, Al, Cu, 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 퓨즈(fuse) 패턴은 제1 전극 및 보조전극보다 녹는점이 낮은 금속을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 퓨즈(fuse) 패턴은 제1 전극의 재료와 동일한 재료를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 퓨즈(fuse) 패턴은 ITO(indium tin oxide), IZO, ZnO, SnO2, Ca, Mg, 인듐 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 제1 전극은 평면도를 기준으로 4개의 변을 포함하는 사각형 형태를 가지고, 상기 4개의 변 중 적어도 하나와 상기 보조전극이 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 퓨즈 패턴과 제1 전극이 동일한 물질을 포함하는 경우에는, 상기 퓨즈 패턴의 폭 및 길이가 각각 10 ~ 100㎛인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 퓨즈 패턴과 제1 전극이 서로 상이한 물질을 포함하는 경우에는, 상기 퓨즈 패턴의 폭 및 길이가 각각 20 ~ 300㎛인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 조명용 유기 발광 소자에 적용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극과 제1 전극의 보조전극을 전기적으로 연결하는 퓨즈(fuse) 패턴을 포함함으로써, 특정한 유기 발광 유닛에 과전류가 발생되는 경우에 상기 퓨즈(fuse) 패턴이 자동적으로 단절되어 전체 유기 발광 소자가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 유기 발광 소자의 백점(white spot)이 발생하는 경우, 유기 발광 소자의 점등 후 이상이 발생하는 경우 등에 있어서, 레이저 커팅 등을 이용하여 이상이 발생한 특정한 유기 발광 유닛의 퓨즈(fuse) 패턴을 용이하게 전기적 절단시킬 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용한 증착법 뿐만 아니라, 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 적층 구조일 수 있다.
상기 정공 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 전자 주입 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있고, 정공 주입 전극 물질과 동일한 물질을 사용할 수도 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌; 인광 호스트 CBP[[4,4'-bis(9-carbazolyl)biphenyl]; 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광 물질은 형광 또는 인광 특성을 향상시키기 위해 인광 도판트 또는 형광 도판트를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인광 도판트의 구체적인 예로는 ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine) iridium) 또는 F2Irpic[iridium(Ⅲ)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2) picolinate] 등이 있다. 형광 도판트로는 당 기술분야에 알려진 것들을 사용할 수 있다.
상기 전자 수송층을 형성할 수 있는 물질로는 전자 주입층으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상기 기판 상에 절연층 패턴을 추가로 포함할 수 있다. 상기 절연층 패턴은 대면적의 유기 발광 소자에 있어서 화소 구분의 역할을 수행할 수 있고, 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법의 일구체예는 1) 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 2) 상기 기판 상에 보조전극을 형성하는 단계, 3) 상기 제1 전극과 보조전극을 전기적으로 연결시키는 퓨즈(fuse) 패턴을 형성하는 단계, 및 4) 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 있어서, 상기 3) 단계의 퓨즈(fuse) 패턴은 제1 전극 및 보조전극보다 녹는점이 낮은 금속을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 퓨즈(fuse) 패턴은 ITO(indium tin oxide), IZO, ZnO, SnO2, Ca, Mg, 인듐 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법의 다른 구체예는 1) 기판 상에 제1 전극 및 퓨즈(fuse) 패턴을 형성하는 단계, 2) 상기 퓨즈(fuse) 패턴 상에 보조전극을 형성하는 단계로서, 상기 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 상기 제1 전극과 보조전극이 전기적으로 연결되도록 보조전극을 형성하는 단계, 및 3) 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 있어서, 상기 1) 단계에서 제1 전극 형성시 제1 전극의 길이, 폭, 형태 등을 조절하여 제1 전극과 동일한 물질을 포함하는 퓨즈(fuse) 패턴을 함께 형성할 수 있다.
이하 도면을 통하여 본 발명을 더 자세히 설명한다.
하기 도 1 및 2는 각각 본 발명의 일구체예에 따른 유기 발광 소자의 제1 전극과 보조전극이 퓨즈(fuse) 패턴에 의하여 전기적으로 연결된 것을 나타낸 도이다.
도 1은 제1 전극(10)과 퓨즈(fuse) 패턴(30)이 동일한 물질로 제조되고, 상기 제1 전극(10)과 보조전극(20)이 퓨즈(fuse) 패턴(30)을 통하여 전기적으로 연결된 유기 발광 소자를 나타낸 것이다. 상기 퓨즈(fuse) 패턴(30)은 제1 전극(10) 형성시 제1 전극(10)의 길이, 폭, 형태 등을 조절하여 형성할 수 있다.
도 2는 제1 전극(10) 및 보조전극(20) 상에 퓨즈(fuse) 패턴(30)이 형성되고, 상기 퓨즈(fuse) 패턴(30)을 통하여 제1 전극(10)과 보조전극(20)이 전기적으로 연결된 유기 발광 소자를 나타낸 것이다. 상기 퓨즈(fuse) 패턴(30)은 제1 전극(10) 및 보조전극(20)보다 녹는점이 낮은 금속을 이용하여 형성할 수 있고, 증착공정을 이용하여 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 퓨즈(fuse) 패턴의 크기에 따른 단락 전류 및 저항치를 나타낸 도이다. 보다 구체적으로, 도 3은 퓨즈 패턴의 길이를 일정하게 두고 폭을 조절하였을 때 퓨즈가 끊어지는 전류 값을 나타낸 것이다. 길이 20㎛, 폭 10㎛일 때 약 0.01A에서 퓨즈 패턴이 끊어지는 것을 볼 수 있다. 따라서, 저항값이 변함에 따라 끊어지는 전류 한계를 설정할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 광추출 구조를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 기판과 제1 전극 사이에 내부 광추출층을 추가로 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자는 상기 기판에서 제1 전극이 구비된 면의 반대면에 외부 광추출층을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 내부 광추출층 또는 외부 광추출층은 광산란을 유도하여, 유기 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 보다 구체적으로, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다.
또한, 상기 광추출층은 기재 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 플랙서블(flexible) 유기 발광 소자이다. 이 경우, 상기 기재가 플랙서블 재료를 포함한다. 예컨대, 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 또는 필름 형태의 기판을 사용할 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET, PEN 및 PI 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극과 제1 전극의 보조전극을 전기적으로 연결하는 퓨즈(fuse) 패턴을 포함함으로써, 특정한 유기 발광 유닛에 과전류가 발생되는 경우에 상기 퓨즈(fuse) 패턴이 자동적으로 단절되어 전체 유기 발광 소자가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.
Claims (21)
- 기판, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 유기 발광 유닛을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
상기 유기 발광 소자는 보조전극 및 퓨즈(fuse) 패턴을 포함하고,
상기 제1 전극과 보조전극은 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 기판은 유리, SiO2, 실리콘 웨이퍼, PET(polyethylene terephthalate), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate) 및 COP(cycloolefin polymer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극은 투명 전극이고, 상기 제2 전극은 금속 전극인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO, ZnO, 및 SnO2 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제2 전극은 Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 보조전극은 Cr, Mo, Al, Cu, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 퓨즈(fuse) 패턴은 상기 제1 전극 및 보조전극보다 녹는점이 낮은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 및 퓨즈(fuse) 패턴은 동일한 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 퓨즈(fuse) 패턴은 ITO(indium tin oxide), IZO, ZnO, SnO2, Ca, Mg 및 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극은 평면도를 기준으로 4개의 변을 포함하는 사각형 형태를 가지고, 상기 4개의 변 중 적어도 하나와 상기 보조전극이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 퓨즈 패턴과 제1 전극은 동일한 물질을 포함하고, 상기 퓨즈 패턴의 폭 및 길이가 각각 10 ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 퓨즈 패턴과 제1 전극은 서로 상이한 물질을 포함하고, 상기 퓨즈 패턴의 폭 및 길이가 각각 20 ~ 300㎛인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 기판과 제1 전극 사이에 내부 광추출층을 추가로 포함하거나, 상기 기판에서 제1 전극이 구비된 면의 반대면에 외부 광추출층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 플랙서블(flexible) 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
- 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치.
- 1) 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계,
2) 상기 기판 상에 보조전극을 형성하는 단계,
3) 상기 제1 전극과 보조전극을 전기적으로 연결시키는 퓨즈(fuse) 패턴을 형성하는 단계, 및
4) 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법. - 청구항 17에 있어서, 상기 3) 단계의 퓨즈(fuse) 패턴은 제1 전극 및 보조전극보다 녹는점이 낮은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
- 청구항 17에 있어서, 상기 3) 단계의 퓨즈(fuse) 패턴은 ITO(indium tin oxide), IZO, ZnO, SnO2, Ca, Mg 및 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
- 1) 기판 상에 제1 전극 및 퓨즈(fuse) 패턴을 형성하는 단계,
2) 상기 퓨즈(fuse) 패턴 상에 보조전극을 형성하는 단계로서, 상기 퓨즈(fuse) 패턴을 통하여 상기 제1 전극과 보조전극이 전기적으로 연결되도록 보조전극을 형성하는 단계, 및
3) 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법. - 청구항 20에 있어서, 상기 제1 전극 및 퓨즈(fuse) 패턴은 동일한 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
| KR20150123599A (ko) * | 2014-04-25 | 2015-11-04 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| KR20170030893A (ko) * | 2015-09-10 | 2017-03-20 | 주성엔지니어링(주) | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20170142449A (ko) | 2016-06-17 | 2017-12-28 | 주식회사 엘지화학 | 전극 구조체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 |
| WO2020105809A1 (ko) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소, 이를 구비하는 표시 장치, 및 그의 제조 방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2960961B1 (en) * | 2013-04-01 | 2022-03-09 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting element |
| KR102101644B1 (ko) * | 2014-05-12 | 2020-04-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
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| KR102321724B1 (ko) | 2017-07-11 | 2021-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| KR102340944B1 (ko) * | 2017-07-11 | 2021-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| CN109411617B (zh) * | 2017-08-16 | 2021-07-23 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| CN112419980B (zh) * | 2020-12-15 | 2021-08-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090118976A (ko) * | 2007-02-12 | 2009-11-18 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 대면적 발광 다이오드 광원 |
| KR20100096924A (ko) | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 기판 제조방법 |
| KR20100123718A (ko) * | 2008-03-07 | 2010-11-24 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 광전 소자 |
| JP2011517047A (ja) * | 2008-04-15 | 2011-05-26 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | ヒューズ構造体を有する発光有機部品 |
| JP2012079419A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791114B2 (en) * | 2001-07-12 | 2004-09-14 | Intel Corporation | Fused passive organic light emitting displays |
| US7012585B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-03-14 | Eastman Kodak Company | OLED apparatus having improved fault tolerance |
-
2013
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- 2013-05-31 KR KR1020130063129A patent/KR101582719B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090118976A (ko) * | 2007-02-12 | 2009-11-18 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 대면적 발광 다이오드 광원 |
| KR20100123718A (ko) * | 2008-03-07 | 2010-11-24 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 광전 소자 |
| JP2011517047A (ja) * | 2008-04-15 | 2011-05-26 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | ヒューズ構造体を有する発光有機部品 |
| KR20100096924A (ko) | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 기판 제조방법 |
| JP2012079419A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150123599A (ko) * | 2014-04-25 | 2015-11-04 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| KR20170030893A (ko) * | 2015-09-10 | 2017-03-20 | 주성엔지니어링(주) | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20170142449A (ko) | 2016-06-17 | 2017-12-28 | 주식회사 엘지화학 | 전극 구조체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 |
| WO2020105809A1 (ko) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소, 이를 구비하는 표시 장치, 및 그의 제조 방법 |
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