KR20130131895A - Apparatus for braking vehicle - Google Patents
Apparatus for braking vehicle Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130131895A KR20130131895A KR1020120055823A KR20120055823A KR20130131895A KR 20130131895 A KR20130131895 A KR 20130131895A KR 1020120055823 A KR1020120055823 A KR 1020120055823A KR 20120055823 A KR20120055823 A KR 20120055823A KR 20130131895 A KR20130131895 A KR 20130131895A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- current
- switching means
- electrically connected
- switching
- comparator
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
- F16D65/00—Parts or details
- F16D65/14—Actuating mechanisms for brakes; Means for initiating operation at a predetermined position
- F16D65/16—Actuating mechanisms for brakes; Means for initiating operation at a predetermined position arranged in or on the brake
- F16D65/18—Actuating mechanisms for brakes; Means for initiating operation at a predetermined position arranged in or on the brake adapted for drawing members together, e.g. for disc brakes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
- F16D65/00—Parts or details
Abstract
Description
본 발명은 차량용 제동 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a vehicle braking device.
일반적으로, 종래 차량용 제동 장치는 차량의 휠 스피드 센서의 현재의 전류 상태를 측정하도록 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC(Application-Specific Integrated Circuit)을 포함하여 제공되었다.In general, a conventional vehicle braking device has been provided including an application-specific integrated circuit (ASIC) having a wheel speed sensor interface circuit to measure the current current state of a wheel speed sensor of a vehicle.
최근에는, 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC의 내부 공간을 줄여 차량의 내부 공간을 확보하면서, ASIC의 내부 공간에 설계될 구동 부품을 줄여 차량용 제동 장치의 제작비용을 줄이기 위한 개선된 차량용 제동 장치의 연구가 지속적으로 행해져오고 있다.
Recently, an improved vehicle braking device for reducing the manufacturing cost of a vehicle braking device by reducing driving components to be designed in the ASIC's internal space while reducing the internal space of the ASIC having a wheel speed sensor interface circuit is provided. Research is ongoing.
본 발명의 목적은, 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC의 내부 공간을 줄여 차량의 내부 공간을 확보하면서, ASIC의 내부 공간에 설계될 구동 부품을 줄여 차량용 제동 장치의 제작비용을 줄일 수가 있는 차량용 제동 장치를 제공하는데에 있다.An object of the present invention is to reduce the manufacturing space of a vehicle braking device by reducing the driving parts to be designed in the internal space of the ASIC while reducing the internal space of the ASIC having the wheel speed sensor interface circuit, thereby reducing the manufacturing cost of the vehicle braking device. In providing a device.
본 발명의 다른 목적은, 노이즈를 제거하여 현재의 전류값을 정확하게 측정할 수가 있어 휠 스피드 센서의 전류 측정의 효율성을 향상시킬 수가 있는 차량용 제동 장치를 제공하는데에 있다.
Another object of the present invention is to provide a vehicular brake device which can remove noise and accurately measure the current value, thereby improving the efficiency of the current measurement of the wheel speed sensor.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 몸체와; 몸체의 내부에 제공되고 휠 스피드 센서와 전기적으로 연결되어 휠 스피드 센서로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 센싱하는 전류 센싱부와; 몸체의 내부에 제공되고 전류 센싱부와 전기적으로 연결되어 전류 센싱부로부터 센싱된 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 이미 저장된 기준 전류값의 범위와 비교하여 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값이 이미 저장된 기준 전류값의 범위를 벗어날 경우에, 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 출력하는 전류 비교부; 및 몸체의 내부에 제공되고 전류 비교부와 전기적으로 연결되어 전류 비교부로터 출력되는 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 측정하는 전류 측정부를 포함한다.The present invention and the body to achieve this object; A current sensing unit provided inside the body and electrically connected to the wheel speed sensor to sense a current current state output from the wheel speed sensor; Current current value corresponding to the current current state provided in the body and electrically connected to the current sensing unit and sensed from the current sensing unit is compared with the range of the already stored reference current value. A current comparator for outputting a current current value corresponding to a current current state when a current value of is out of a range of a reference current value already stored; And a current measuring unit provided inside the body and electrically connected to the current comparing unit to measure a current value corresponding to a current current state output from the current comparing unit.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 전류 센싱부는 휠 스피드 센서와 전기적으로 연결되어 휠 스피드 센서로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 공급하는 전류 공급 수단과; 전류 공급 수단과 전기적으로 연결되어 전류 공급 수단을 통해 공급되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하는 제 1 스위칭 수단과; 휠 스피드 센서를 구동시키면서, 제 1 스위칭 수단과 전기적으로 연결되어 제 1 스위칭 수단에 스위칭 턴온 신호 또는 스위칭 턴오프 신호를 제공하는 구동 수단; 및 제 1 스위칭 수단과 전기적으로 연결되고, 제 1 스위칭 수단을 통해 전류 공급 수단으로부터 공급되는 현재의 전류를 센싱하는 전류 센싱 수단을 포함한다.According to another feature of the invention, the current sensing unit is electrically connected to the wheel speed sensor and the current supply means for supplying a current current state output from the wheel speed sensor; First switching means electrically connected with the current supply means to selectively supply a current current supplied through the current supply means; Drive means for driving a wheel speed sensor, the drive means being electrically connected to the first switching means to provide a switching turn on signal or a switching turn off signal to the first switching means; And current sensing means electrically connected with the first switching means, for sensing a current current supplied from the current supply means through the first switching means.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 스위칭 수단은 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor), 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함한다.According to another feature of the invention, the first switching means comprises at least one metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), at least one bipolar junction transistor (BJT), at least one insulated gate bipolar transistor (IGBT), at least At least one of one gate turn-off (GTO) thyristor and at least one MOS controlled thyristor (MCT).
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전류 비교부는 OP-AMP를 포함한다.According to another feature of the invention, the current comparator comprises an OP-AMP.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전류 측정부는 전류 비교부와 전기적으로 연결되어 전류 비교부로터 출력되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하는 제 2 스위칭 수단과; 제 2 스위칭 수단과 전기적으로 연결되어 제 2 스위칭 수단을 통해 전류 비교부로부터 공급되는 현재의 전류값을 한 주기 동안 측정하는 전류 측정 수단; 및 제 2 스위칭 수단 및 전류 측정 수단과 전기적으로 연결되어 전류 측정 수단으로부터 스위칭 턴온 신호를 공급받아 제 2 스위칭 수단을 통해 전류 비교부로터 공급되는 현재의 전류를 다음 주기 동안 방전하는 제 3 스위칭 수단을 포함한다.According to another feature of the invention, the current measuring unit is electrically connected to the current comparator and second switching means for selectively supplying the current current output from the current comparator; Current measuring means electrically connected to the second switching means for measuring a current value of the current supplied from the current comparator through the second switching means for one period; And a third switching means electrically connected to the second switching means and the current measuring means to receive the switching turn-on signal from the current measuring means and discharge the current current supplied from the current comparator through the second switching means for the next period. Include.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 2 스위칭 수단과 제 3 스위칭 수단중 적어도 하나는 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor), 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함한다.According to another feature of the invention, at least one of the second and third switching means comprises at least one metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), at least one bipolar junction transistor (BJT), at least one IGBT (Insulated gate bipolar transistor), at least one gate turn-off (GTO) thyristor, and at least one of at least one MOS controlled thyristor (MCT).
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전류 측정부는 전류 비교부와 전기적으로 연결되어 전류 비교부로터 출력되는 현재의 전류에 해당하는 노이즈를 제거하는 필터 수단을 더 포함한다.
According to another feature of the invention, the current measuring unit further includes a filter means electrically connected to the current comparator to remove noise corresponding to the current current output from the current comparator.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 차량용 제동 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the vehicular brake device of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.
첫째, 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC의 내부 공간을 줄여 차량의 내부 공간을 확보하면서, ASIC의 내부 공간에 설계될 구동 부품을 줄여 차량용 제동 장치의 제작비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.First, the internal space of the ASIC having the wheel speed sensor interface circuit is reduced to secure the internal space of the vehicle, and the manufacturing cost of the vehicle brake device can be reduced by reducing the driving parts to be designed in the internal space of the ASIC.
둘째, 노이즈를 제거하여 현재의 전류값을 정확하게 측정할 수가 있어 휠 스피드 센서의 전류 측정의 효율성을 향상시킬 수 있는 다른 효과가 있다.
Second, since the current value can be measured accurately by removing noise, there is another effect that can improve the efficiency of current measurement of the wheel speed sensor.
도 1은 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 블럭 구성도.
도 2는 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 일예로 나타낸 블럭 구성도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도.
도 5는 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 블럭 구성도.
도 6은 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 일예로 나타낸 블럭 구성도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a block diagram showing a vehicular brake device according to a first and second embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing an example of a vehicle braking apparatus according to the first and second embodiments of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram of a vehicle braking apparatus according to a first embodiment of the present invention.
Figure 4 is an equivalent circuit diagram showing a vehicle braking device according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a block diagram showing a vehicle braking device according to the third and fourth embodiments of the present invention.
6 is a block diagram showing an example of a vehicular brake device according to the third and fourth embodiments of the present invention.
7 is an equivalent circuit diagram showing a vehicular brake device according to a third embodiment of the present invention.
8 is an equivalent circuit diagram showing a vehicular brake device according to a fourth embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<제 1, 2 실시예>First and Second Embodiment
도 1은 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 블럭 구성도이고, 도 2는 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 일예로 나타낸 블럭 구성도이다.1 is a block diagram showing a vehicle braking apparatus according to the first and second embodiments of the present invention, Figure 2 is a block diagram showing a vehicle braking apparatus according to the first and second embodiments of the present invention as an example.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도이고, 도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도이다.3 is an equivalent circuit diagram illustrating a vehicle braking apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram illustrating a vehicle braking apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치(100)는 몸체(101), 전류 센싱부(102), 전류 비교부(104), 전류 측정부(106)를 포함한다.1 to 4, the
전류 센싱부(102)는 몸체(101)의 내부에 제공되고 휠 스피드 센서(S)와 전기적으로 연결되어 휠 스피드 센서(S)로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 센싱하도록 제공된다.The
일예로, 도 2에 도시된 바와 같이 전류 센싱부(102)는 전류 공급 수단(102b), 제 1 스위칭 수단(102d), 구동 수단(102f), 전류 센싱 수단(102h)을 포함할 수가 있다.For example, as illustrated in FIG. 2, the
전류 공급 수단(102b)은 휠 스피드 센서(S)와 전기적으로 연결되어 휠 스피드 센서(S)로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 공급하도록 제공될 수가 있다.The current supply means 102b may be provided to be electrically connected with the wheel speed sensor S to supply a current current state output from the wheel speed sensor S. FIG.
즉, 전류 공급 수단(102b)은 휠 스피드 센서(S)의 일측과 전기적으로 연결되어 휠 스피드 센서(S)로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 공급하도록 제공될 수가 있다.That is, the current supply means 102b may be provided to be electrically connected to one side of the wheel speed sensor S to supply a current current state output from the wheel speed sensor S. FIG.
이때, 전류 공급 수단(102b)은 전류 공급 단자(P1)와 적어도 하나의 정류 다이오드(D1)를 포함할 수가 있다.In this case, the current supply means 102b may include a current supply terminal P1 and at least one rectifier diode D1.
전류 공급 단자(P1)는 휠 스피드 센서(S)의 일측과 전기적으로 연결되어 휠 스피드 센서(S)로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 공급하도록 제공될 수가 있다.The current supply terminal P1 may be provided to be electrically connected to one side of the wheel speed sensor S to supply a current current state output from the wheel speed sensor S. FIG.
적어도 하나의 정류 다이오드(D1)는 일측이 전류 공급 단자(P1) 및 이후에 진술할 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 1단과 전기적으로 연결되고, 타측이 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 3단 및 이후에 진술할 전류 센싱 수단(102h)과 전기적으로 연결되어 전류 공급 단자(P1)를 통해 공급되는 현재의 전류를 정류시키도록 제공될 수가 있다.At least one rectifying diode D1 is electrically connected at one side to the current supply terminal P1 and a first end of the first switching means 102d to be described later, and at the other side to a third of the first switching means 102d. However, it may be provided to rectify the current current supplied through the current supply terminal P1 in electrical connection with the current sensing means 102h to be described later.
제 1 스위칭 수단(102d)은 전류 공급 수단(102b)과 전기적으로 연결되어 전류 공급 수단(102b)을 통해 공급되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하도록 제공될 수가 있다.The first switching means 102d may be provided to be electrically connected with the current supply means 102b to selectively supply a current current supplied through the current supply means 102b.
즉, 제 1 스위칭 수단(102d)은 전류 공급 수단(102b)의 일측 및 타측과 전기적으로 연결되어 전류 공급 수단(102b)을 통해 공급되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하도록 제공될 수가 있다.That is, the first switching means 102d may be provided to selectively supply current current supplied through the current supply means 102b by being electrically connected to one side and the other side of the current supply means 102b.
이때, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 스위칭 수단(102d)은 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, SW1)과 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor, SW1')중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다3 and 4, the
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 도시하지는 않았지만, 제 1 스위칭 수단(미도시)은 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.However, the present invention is not limited thereto, but the first switching means (not shown) includes at least one Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), at least one Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and at least one MCT ( MOS Controlled Thyristor) may be provided.
이러한, 제 1 스위칭 수단(102d)은 스위칭 동작시의 스위칭 손실율을 고려하면서, 전력공급시에 스위칭 동작 전압을 효율적으로 공급하여 소비전력을 낮출 수 있도록 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT(Bipolar Junction Transistor), IGBT(Insulated gate bipolar transistor), GTO(Gate Turn-Off) thyristor, MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.The first switching means 102d is a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT to efficiently reduce the power consumption by supplying a switching operation voltage at the time of power supply while considering the switching loss rate during the switching operation. (Bipolar Junction Transistor), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and MOS Controlled Thyristor (MCT).
구동 수단(102f)은 휠 스피드 센서(S)를 구동시키면서, 제 1 스위칭 수단(102d)과 전기적으로 연결되어 제 1 스위칭 수단(102d)에 스위칭 턴온 신호 또는 스위칭 턴오프 신호를 공급하도록 제공될 수가 있다.The driving means 102f can be provided to electrically connect with the first switching means 102d while supplying the switching turn-on signal or the switching turn-off signal to the first switching means 102d while driving the wheel speed sensor S. have.
즉, 구동 수단(102f)은 휠 스피드 센서(S)를 구동시키면서, 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 2단과 전기적으로 연결되어 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 2단에 스위칭 턴온 신호 또는 스위칭 턴오프 신호를 공급하도록 제공될 수가 있다.That is, the driving means 102f is electrically connected to the second end of the first switching means 102d while driving the wheel speed sensor S, thereby switching a turn-on signal or switching to the second end of the first switching means 102d. It may be provided to supply a turn off signal.
이때, 구동 수단(102f)은 High Side driver를 포함하여 제공될 수가 있다.At this time, the driving means 102f may be provided including a high side driver.
전류 센싱 수단(102h)은 제 1 스위칭 수단(102d)과 전기적으로 연결되고, 제 1 스위칭 수단(102d)을 통해 전류 공급 수단(102b)으로부터 공급되는 현재의 전류를 센싱하도록 제공될 수가 있다.The current sensing means 102h is electrically connected with the first switching means 102d and may be provided to sense the current current supplied from the current supply means 102b through the first switching means 102d.
즉, 전류 센싱 수단(102h)은 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 3단과 전기적으로 연결되고, 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 3단을 통해 전류 공급 수단(102b)으로부터 공급되는 현재의 전류를 센싱하도록 제공될 수가 있다.That is, the current sensing means 102h is electrically connected with the third end of the first switching means 102d and the current current supplied from the current supply means 102b through the third end of the first switching means 102d. It can be provided to sense.
이때, 전류 센싱 수단(102h)은 적어도 하나의 전류 센싱용 저항(RSen1, RSen2)을 포함하여 제공될 수가 있다.In this case, the current sensing means 102h may be provided including at least one current sensing resistor RSen1 and RSen2.
즉, 적어도 하나의 전류 센싱용 저항(RSen1, RSen2)은 서로 병렬 연결되어 일측이 기준 전원 전압원 공급 포트(P2)를 통해 기준 전원 전압원(VCC)과 전기적으로 연결되고, 타측이 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 3단과 전기적으로 연결되어 제 1 스위칭 수단(102d)의 제 3단을 통해 전류 공급 수단(102b)으로부터 공급되는 현재의 전류를 센싱하도록 제공될 수가 있다.That is, at least one of the current sensing resistors RSen1 and RSen2 are connected in parallel to each other so that one side is electrically connected to the reference power voltage source VCC through the reference power voltage source supply port P2, and the other side of the first switching means ( Electrical connection with the third end of 102d) may be provided to sense the current current supplied from the current supply means 102b via the third end of the first switching means 102d.
전류 비교부(104)는 몸체(101)의 내부에 제공되고 전류 센싱부(102)와 전기적으로 연결되어 전류 센싱부(102)로부터 센싱된 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 이미 저장된 기준 전류값의 범위와 비교하여 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값이 이미 저장된 기준 전류값의 범위를 벗어날 경우에, 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 출력하도록 제공된다.The
이때, 전류 비교부(104)는 OP-AMP를 포함하여 제공될 수가 있다.In this case, the
즉, 전류 비교부(104)는 비반전 OP-AMP를 포함하여 전류 센싱부(102)로부터 센싱된 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 이미 저장된 기준 전류값의 범위와 비교하여 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값이 이미 저장된 기준 전류값의 범위보다 높을 경우에, 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 출력하도록 제공될 수가 있다.That is, the
또한, 전류 비교부(104)는 반전 OP-AMP를 포함하여 전류 센싱부(102)로부터 센싱된 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 이미 저장된 기준 전류값의 범위와 비교하여 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값이 이미 저장된 기준 전류값의 범위보다 낮을 경우에, 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 출력하도록 제공될 수가 있다.In addition, the
전류 측정부(106)는 몸체(101)의 내부에 제공되고 전류 비교부(104)와 전기적으로 연결되어 전류 비교부(104)로터 출력되는 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 측정하도록 제공된다.The
일예로, 전류 측정부(106)는 제 2 스위칭 수단(106b), 전류 측정 수단(106d), 제 3 스위칭 수단(106f)을 포함할 수가 있다.For example, the
제 2 스위칭 수단(106b)은 전류 비교부(104)와 전기적으로 연결되어 전류 비교부(104)로터 출력되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하도록 제공될 수가 있다.The second switching means 106b may be provided to be electrically connected to the
이때, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 제 2 스위칭 수단(106b)은 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, SW2)과 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor, SW2')중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다3 and 4, the second switching means 106b may include at least one of at least one metal-oxide semiconductor field effect transistor (SW2) and at least one bipolar junction transistor (SW2 '). Can be provided including one
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 도시하지는 않았지만, 제 2 스위칭 수단(미도시)은 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.However, the present invention is not limited thereto, but the second switching means (not shown) includes at least one Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), at least one Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and at least one MCT ( MOS Controlled Thyristor) may be provided.
이러한, 제 2 스위칭 수단(106b)은 스위칭 동작시의 스위칭 손실율을 고려하면서, 전력공급시에 스위칭 동작 전압을 효율적으로 공급하여 소비전력을 낮출 수 있도록 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT(Bipolar Junction Transistor), IGBT(Insulated gate bipolar transistor), GTO(Gate Turn-Off) thyristor, MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.The second switching means 106b is a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT, which can reduce the power consumption by efficiently supplying the switching operation voltage at the time of power supply while considering the switching loss rate during the switching operation. (Bipolar Junction Transistor), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and MOS Controlled Thyristor (MCT).
전류 측정 수단(106d)은 제 2 스위칭 수단(106b)과 전기적으로 연결되어 제 2 스위칭 수단(106b)을 통해 전류 비교부(104)로부터 공급되는 현재의 전류값을 한 주기 동안 측정하도록 제공될 수가 있다.The current measuring means 106d may be provided to be electrically connected to the second switching means 106b to measure the current value of the current supplied from the
즉, 전류 측정 수단(106d)은 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단과 전기적으로 연결되어 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단을 통해 전류 비교부(104)로부터 공급되는 현재의 전류값을 일정한 주기 동안 측정하도록 제공될 수가 있다.That is, the current measuring means 106d is electrically connected to the third end of the second switching means 106b, and the current value of the current supplied from the
제 3 스위칭 수단(106f)은 제 2 스위칭 수단(106b) 및 전류 측정 수단(106d)과 전기적으로 연결되어 전류 측정 수단(106d)으로부터 스위칭 턴온 신호를 공급받아 제 2 스위칭 수단(106b)을 통해 전류 비교부(104)로터 공급되는 현재의 전류를 다음 주기 동안 방전하도록 제공될 수가 있다.The third switching means 106f is electrically connected to the second switching means 106b and the current measuring means 106d to receive a switching turn-on signal from the current measuring means 106d to supply current through the second switching means 106b. It can be provided to discharge the current current supplied from the
즉, 제 3 스위칭 수단(106f)은 제 1단이 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단에 전기적으로 연결되고, 제 2단이 전류 측정 수단(106d)과 전기적으로 연결되며, 제 3단이 접지되어 전류 측정 수단(106d)으로부터 스위칭 턴온 신호를 공급받아 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단을 통해 전류 비교부(104)로터 공급되는 현재의 전류를 다음 주기 동안 방전 포트(P3)를 통해 방전하도록 제공될 수가 있다.That is, in the third switching means 106f, the first stage is electrically connected to the third stage of the second switching means 106b, the second stage is electrically connected to the current measuring means 106d, and the third stage. Is grounded to receive the switching turn-on signal from the current measuring means 106d to supply the current current supplied from the
이때, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 제 3 스위칭 수단(106f)은 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, SW3)과 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor, SW3')중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다3 and 4, the
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 도시하지는 않았지만, 제 3 스위칭 수단(미도시)은 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.However, the present invention is not limited thereto, but the third switching means (not shown) may include at least one Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), at least one Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and at least one MCT ( MOS Controlled Thyristor) may be provided.
이러한, 제 3 스위칭 수단(106f)은 스위칭 동작시의 스위칭 손실율을 고려하면서, 전력공급시에 스위칭 동작 전압을 효율적으로 공급하여 소비전력을 낮출 수 있도록 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT(Bipolar Junction Transistor), IGBT(Insulated gate bipolar transistor), GTO(Gate Turn-Off) thyristor, MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.The third switching means 106f is a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) or BJT to efficiently reduce the power consumption by supplying a switching operation voltage at the time of power supply while considering the switching loss rate during the switching operation. (Bipolar Junction Transistor), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and MOS Controlled Thyristor (MCT).
한편, 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치(100)의 몸체(101)는 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC(Application-Specific Integrated Circuit)을 포함하여 제공될 수가 있다.
On the other hand, the
이와 같은, 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치(100)는 전류 센싱부(102), 전류 비교부(104), 전류 측정부(106)를 포함한다.As described above, the
따라서, 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치(100)는 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC의 내부 공간을 줄여 차량의 내부 공간을 확보하면서, ASIC의 내부 공간에 설계될 구동 부품을 줄여 차량용 제동 장치의 제작비용을 줄일 수가 있게 된다.
Accordingly, the
<제 3, 4 실시예><3rd and 4th Example>
도 5는 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 블럭 구성도이고, 도 6은 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 일예로 나타낸 블럭 구성도이다.FIG. 5 is a block diagram showing vehicle brakes according to third and fourth embodiments of the present invention, and FIG. 6 is a block diagram showing vehicle braking devices according to third and fourth embodiments of the present invention as an example.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도이고, 도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치를 나타낸 등가 회로도이다.FIG. 7 is an equivalent circuit diagram illustrating a vehicle braking apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an equivalent circuit diagram illustrating a vehicle braking apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
먼저, 도 5 내지 도 8를 참조하면 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치(500)는 제 1, 2 실시예에 따른 차랑용 제동 장치(100)와 동일하게 전류 센싱부(102)와 전류 비교부(104)를 포함한다.First, referring to FIGS. 5 to 8, the
이러한, 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치(500)의 전류 센싱부(102)와 전류 비교부(104)에 해당하는 각각의 구성요소들에 대한 기능 및 그것들 간의 유기적인 연결관계는 제 1, 2 실시예에 따른 차량용 제동 장치(100)의 전류 센싱부(102)와 전류 비교부(104)에 해당하는 각각의 구성요소들에 대한 기능 및 그것들 간의 유기적인 연결관계와 동일하므로, 이것에 대한 각각의 부연설명들은 이하 생략하기로 한다.The functions of the respective components corresponding to the
여기에, 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치(500)는 필터 수단(506a)을 더 포함하는 전류 측정부(506)를 포함할 수가 있다.Here, the
즉, 전류 측정부(506)는 몸체(101)의 내부에 제공되고 전류 비교부(104)와 전기적으로 연결되어 전류 비교부(104)로터 출력되는 현재의 전류에 해당하는 노이즈를 제거하는 필터 수단(506a)을 더 포함할 수가 있다.That is, the
일예로, 전류 측정부(506)는 필터 수단(506a), 제 2 스위칭 수단(106b), 전류 측정 수단(106d), 제 3 스위칭 수단(106f)을 포함할 수가 있다.For example, the
필터 수단(506a)은 적어도 하나의 평활 커패시터(CP1)와 적어도 하나의 평활 저항(R1)을 포함할 수가 있다.The filter means 506a may comprise at least one smoothing capacitor CP1 and at least one smoothing resistor R1.
적어도 하나의 평활 커패시터(CP1)는 전류 비교부(104)의 제 3단과 전기적으로 연결되어 전류 비교부(104)로터 출력되는 현재의 전류에 해당하는 노이즈를 제거하도록 제공될 수가 있다.The at least one smoothing capacitor CP1 may be electrically connected to the third end of the
적어도 하나의 평활 저항(R1)은 일단이 적어도 하나의 평활 커패시터(CP1)와 전기적으로 연결되고, 타단이 전류 센싱 수단(102h) 및 제 2 스위칭 수단(106b)과 전기적으로 연결되어 적어도 하나의 평활 커패시터(CP1)에 의해 노이즈가 제거된 현재의 전류 레벨을 낮추도록 제공될 수가 있다.At least one smoothing resistor R1 has one end electrically connected to at least one smoothing capacitor CP1 and the other end is electrically connected to the current sensing means 102h and the second switching means 106b to at least one smoothing. It can be provided to lower the current level at which the noise is removed by the capacitor CP1.
제 2 스위칭 수단(106b)은 전류 비교부(104)와 전기적으로 연결되어 전류 비교부(104)로터 출력되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하도록 제공될 수가 있다.The second switching means 106b may be provided to be electrically connected to the
이때, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 제 2 스위칭 수단(106b)은 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, SW2)과 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor, SW2')중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다In this case, as shown in FIGS. 7 and 8, the second switching means 106b may include at least one of at least one metal-oxide semiconductor field effect transistor (SW2) and at least one bipolar junction transistor (SW2 '). Can be provided including one
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 도시하지는 않았지만, 제 2 스위칭 수단(미도시)은 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.However, the present invention is not limited thereto, but the second switching means (not shown) includes at least one Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), at least one Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and at least one MCT ( MOS Controlled Thyristor) may be provided.
이러한, 제 2 스위칭 수단(106b)은 스위칭 동작시의 스위칭 손실율을 고려하면서, 전력공급시에 스위칭 동작 전압을 효율적으로 공급하여 소비전력을 낮출 수 있도록 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT(Bipolar Junction Transistor), IGBT(Insulated gate bipolar transistor), GTO(Gate Turn-Off) thyristor, MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.The second switching means 106b is a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT, which can reduce the power consumption by efficiently supplying the switching operation voltage at the time of power supply while considering the switching loss rate during the switching operation. (Bipolar Junction Transistor), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and MOS Controlled Thyristor (MCT).
전류 측정 수단(106d)은 제 2 스위칭 수단(106b)과 전기적으로 연결되어 제 2 스위칭 수단(106b)을 통해 전류 비교부(104)로부터 공급되는 현재의 전류값을 한 주기 동안 측정하도록 제공될 수가 있다.The current measuring means 106d may be provided to be electrically connected to the second switching means 106b to measure the current value of the current supplied from the
즉, 전류 측정 수단(106d)은 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단과 전기적으로 연결되어 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단을 통해 전류 비교부(104)로부터 공급되는 현재의 전류값을 일정한 주기 동안 측정하도록 제공될 수가 있다.That is, the current measuring means 106d is electrically connected to the third end of the second switching means 106b, and the current value of the current supplied from the
제 3 스위칭 수단(106f)은 제 2 스위칭 수단(106b) 및 전류 측정 수단(106d)과 전기적으로 연결되어 전류 측정 수단(106d)으로부터 스위칭 턴온 신호를 공급받아 제 2 스위칭 수단(106b)을 통해 전류 비교부(104)로터 공급되는 현재의 전류를 다음 주기 동안 방전하도록 제공될 수가 있다.The third switching means 106f is electrically connected to the second switching means 106b and the current measuring means 106d to receive a switching turn-on signal from the current measuring means 106d to supply current through the second switching means 106b. It can be provided to discharge the current current supplied from the
즉, 제 3 스위칭 수단(106f)은 제 1단이 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단에 전기적으로 연결되고, 제 2단이 전류 측정 수단(106d)과 전기적으로 연결되며, 제 3단이 접지되어 전류 측정 수단(106d)으로부터 스위칭 턴온 신호를 공급받아 제 2 스위칭 수단(106b)의 제 3단을 통해 전류 비교부(104)로터 공급되는 현재의 전류를 다음 주기 동안 방전 포트(P3)를 통해 방전하도록 제공될 수가 있다.That is, in the third switching means 106f, the first stage is electrically connected to the third stage of the second switching means 106b, the second stage is electrically connected to the current measuring means 106d, and the third stage. Is grounded to receive the switching turn-on signal from the current measuring means 106d to supply the current current supplied from the
이때, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 제 3 스위칭 수단(106f)은 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, SW3)과 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor, SW3')중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다In this case, as illustrated in FIGS. 7 and 8, the third switching means 106f may include at least one of at least one metal-oxide semiconductor field effect transistor (SW3) and at least one bipolar junction transistor (SWJ '). Can be provided including one
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 도시하지는 않았지만, 제 3 스위칭 수단(미도시)은 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.However, the present invention is not limited thereto, but the third switching means (not shown) may include at least one Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), at least one Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and at least one MCT ( MOS Controlled Thyristor) may be provided.
이러한, 제 3 스위칭 수단(106f)은 스위칭 동작시의 스위칭 손실율을 고려하면서, 전력공급시에 스위칭 동작 전압을 효율적으로 공급하여 소비전력을 낮출 수 있도록 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), BJT(Bipolar Junction Transistor), IGBT(Insulated gate bipolar transistor), GTO(Gate Turn-Off) thyristor, MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하여 제공될 수가 있다.The third switching means 106f is a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) or BJT to efficiently reduce the power consumption by supplying a switching operation voltage at the time of power supply while considering the switching loss rate during the switching operation. (Bipolar Junction Transistor), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate Turn-Off (GTO) thyristor, and MOS Controlled Thyristor (MCT).
한편, 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치(500)의 몸체(101)는 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC(Application-Specific Integrated Circuit)을 포함하여 제공될 수가 있다.
On the other hand, the
이와 같은, 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치(500)는 전류 센싱부(102), 전류 비교부(104), 전류 측정부(506)를 포함한다.As such, the
따라서, 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치(500)는 휠 스피드 센서 인터페이스 회로를 갖는 ASIC의 내부 공간을 줄여 차량의 내부 공간을 확보하면서, ASIC의 내부 공간에 설계될 구동 부품을 줄여 차량용 제동 장치의 제작비용을 줄일 수가 있게 된다.Accordingly, the
또한, 본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 차량용 제동 장치(500)는 필터 수단(506a)을 더 포함하는 전류 측정부(506)를 포함하므로, 노이즈를 제거하여 현재의 전류값을 정확하게 측정할 수가 있어 휠 스피드 센서(S)의 전류 측정의 효율성을 향상시킬 수가 있게 된다.
In addition, since the
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, the scope of the invention being indicated by the appended claims rather than the foregoing description, It is intended that all changes and modifications derived from the equivalent concept be included within the scope of the present invention.
Claims (7)
상기 몸체의 내부에 제공되고 휠 스피드 센서와 전기적으로 연결되어 상기 휠 스피드 센서로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 센싱하는 전류 센싱부와;
상기 몸체의 내부에 제공되고 상기 전류 센싱부와 전기적으로 연결되어 상기 전류 센싱부로부터 센싱된 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 이미 저장된 기준 전류값의 범위와 비교하여 상기 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값이 상기 이미 저장된 기준 전류값의 범위를 벗어날 경우에, 상기 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 출력하는 전류 비교부; 및
상기 몸체의 내부에 제공되고 상기 전류 비교부와 전기적으로 연결되어 상기 전류 비교부로터 출력되는 현재의 전류 상태에 해당하는 현재의 전류값을 측정하는 전류 측정부를 포함하는 차량용 제동 장치.
A body;
A current sensing unit provided inside the body and electrically connected to a wheel speed sensor to sense a current current state output from the wheel speed sensor;
The current current state is provided inside the body and electrically connected to the current sensing unit to compare the current current value corresponding to the current current state sensed by the current sensing unit with a range of a reference current value already stored. A current comparison unit outputting a current current value corresponding to the current current state when a current current value corresponding to the current current value is out of a range of the already stored reference current value; And
And a current measuring unit provided inside the body and electrically connected to the current comparing unit to measure a current value corresponding to a current current state output from the current comparing unit.
상기 전류 센싱부는,
상기 휠 스피드 센서와 전기적으로 연결되어 상기 휠 스피드 센서로부터 출력되는 현재의 전류 상태를 공급하는 전류 공급 수단과;
상기 전류 공급 수단과 전기적으로 연결되어 상기 전류 공급 수단을 통해 공급되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하는 제 1 스위칭 수단과;
상기 휠 스피드 센서를 구동시키면서, 상기 제 1 스위칭 수단과 전기적으로 연결되어 상기 제 1 스위칭 수단에 스위칭 턴온 신호 또는 스위칭 턴오프 신호를 제공하는 구동 수단; 및
상기 제 1 스위칭 수단과 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 스위칭 수단을 통해 상기 전류 공급 수단으로부터 공급되는 현재의 전류를 센싱하는 전류 센싱 수단을 포함하는 차량용 제동 장치.
The method of claim 1,
The current sensing unit,
Current supply means electrically connected to the wheel speed sensor to supply a current current state output from the wheel speed sensor;
First switching means electrically connected to the current supply means for selectively supplying a current current supplied through the current supply means;
Driving means electrically driving the wheel speed sensor to provide a switching turn on signal or a switching turn off signal to the first switching means; And
And current sensing means electrically connected to the first switching means and sensing current current supplied from the current supply means through the first switching means.
상기 제 1 스위칭 수단은 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor), 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하는 차량용 제동 장치.
3. The method of claim 2,
The first switching means includes at least one metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSP), at least one bipolar junction transistor (BJT), at least one insulated gate bipolar transistor (IGBT), and at least one gate turn-off (GTO). a thyristor, at least one of at least one MOS controlled thyristor (MCT).
상기 전류 비교부는 OP-AMP를 포함하는 차량용 제동 장치.
The method of claim 1,
The braking device for a vehicle including the current comparator OP-AMP.
상기 전류 측정부는,
상기 전류 비교부와 전기적으로 연결되어 상기 전류 비교부로터 출력되는 현재의 전류를 선택적으로 공급하는 제 2 스위칭 수단과;
상기 제 2 스위칭 수단과 전기적으로 연결되어 상기 제 2 스위칭 수단을 통해 상기 전류 비교부로부터 공급되는 현재의 전류값을 한 주기 동안 측정하는 전류 측정 수단; 및
상기 제 2 스위칭 수단 및 상기 전류 측정 수단과 전기적으로 연결되어 상기 전류 측정 수단으로부터 스위칭 턴온 신호를 공급받아 상기 제 2 스위칭 수단을 통해 상기 전류 비교부로터 공급되는 현재의 전류를 다음 주기 동안 방전하는 제 3 스위칭 수단을 포함하는 차량용 제동 장치.
The method of claim 1,
The current measuring unit includes:
Second switching means electrically connected to the current comparator to selectively supply a current current output from the current comparator;
Current measuring means electrically connected to the second switching means for measuring a current value of the current supplied from the current comparator through the second switching means for one period; And
Electrically connected to the second switching means and the current measuring means to receive a switching turn-on signal from the current measuring means to discharge the current current supplied from the current comparator through the second switching means for a next period; A vehicle braking device comprising three switching means.
상기 제 2 스위칭 수단과 상기 제 3 스위칭 수단중 적어도 하나는 적어도 하나의 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), 적어도 하나의 BJT(Bipolar Junction Transistor), 적어도 하나의 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), 적어도 하나의 GTO(Gate Turn-Off) thyristor, 적어도 하나의 MCT(MOS Controlled Thyristor)중 적어도 하나를 포함하는 차량용 제동 장치.
6. The method of claim 5,
At least one of the second switching means and the third switching means may include at least one metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), at least one bipolar junction transistor (BJT), at least one insulated gate bipolar transistor (IGBT), A braking device for a vehicle comprising at least one of at least one gate turn-off (GTO) thyristor and at least one MOS controlled thyristor (MCT).
상기 전류 측정부는,
상기 전류 비교부와 전기적으로 연결되어 상기 전류 비교부로터 출력되는 현재의 전류에 해당하는 노이즈를 제거하는 필터 수단을 더 포함하는 차량용 제동 장치.
6. The method of claim 5,
The current measuring unit includes:
And a filter means electrically connected to the current comparator to remove noise corresponding to a current current output from the current comparator.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120055823A KR101551244B1 (en) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | Apparatus for braking vehicle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120055823A KR101551244B1 (en) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | Apparatus for braking vehicle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130131895A true KR20130131895A (en) | 2013-12-04 |
KR101551244B1 KR101551244B1 (en) | 2015-09-08 |
Family
ID=49980923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120055823A KR101551244B1 (en) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | Apparatus for braking vehicle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101551244B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101885299B1 (en) * | 2017-04-03 | 2018-08-06 | 주식회사 일진글로벌 | High resolution bearing sensor and ic chip for multi pole pair magnetic pulse ring |
-
2012
- 2012-05-25 KR KR1020120055823A patent/KR101551244B1/en active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101885299B1 (en) * | 2017-04-03 | 2018-08-06 | 주식회사 일진글로벌 | High resolution bearing sensor and ic chip for multi pole pair magnetic pulse ring |
WO2018186556A1 (en) * | 2017-04-03 | 2018-10-11 | 주식회사 일진글로벌 | High resolution bearing sensor and ic chip for multipole pair magnetic pulse ring |
US11204364B2 (en) | 2017-04-03 | 2021-12-21 | Iljin Global Co., Ltd | High resolution bearing sensor and IC chip for multi-pole pair magnetic pulse ring |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101551244B1 (en) | 2015-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4736668B2 (en) | Signal detection device for load driving device | |
JP5341842B2 (en) | Power supply circuit and power conversion device | |
KR101921765B1 (en) | Current sensor | |
US20170302152A1 (en) | Driving circuit for switching element and power conversion system | |
US9543881B2 (en) | Rotary electric machine driving device | |
CN111952933B (en) | Driving circuit | |
JP5974548B2 (en) | Semiconductor device | |
US11139753B2 (en) | Semiconductor device, power conversion apparatus, and vehicle | |
CN110299856A (en) | Semiconductor device, power-converting device, driving device, vehicle and elevator | |
US20120219033A1 (en) | Apparatus for detecting temperature of switching elements | |
US20160241242A1 (en) | Drive unit | |
US20210203309A1 (en) | Methods and apparatus for transistor health monitoring | |
CN104375048B (en) | The short-circuit detecting device and its method of inverter system | |
US9929647B1 (en) | Circuit and method for protecting circuit element, vehicle having the circuit, and method for controlling the vehicle | |
JP2013226050A (en) | Power-supply circuit and power conversion device | |
US11799472B2 (en) | Drive circuit | |
US20200136603A1 (en) | Drive circuit for switch | |
CN201717818U (en) | Drive controller of eddy current retarder | |
KR101551244B1 (en) | Apparatus for braking vehicle | |
CN109075720B (en) | Power conversion device | |
US11296686B2 (en) | Method for operating an electrical circuit, electrical circuit, and motor vehicle | |
JP2009278766A (en) | Boosting converter control device, motor control device, and electric automobile | |
JP6127575B2 (en) | Semiconductor device, power conversion device and drive system | |
US20110234127A1 (en) | Current limiting device for vehicle | |
JP2018057227A (en) | Inverter device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180626 Year of fee payment: 4 |