KR20130126533A - Improved accessory detection over temperature - Google Patents

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KR20130126533A
KR20130126533A KR1020130053061A KR20130053061A KR20130126533A KR 20130126533 A KR20130126533 A KR 20130126533A KR 1020130053061 A KR1020130053061 A KR 1020130053061A KR 20130053061 A KR20130053061 A KR 20130053061A KR 20130126533 A KR20130126533 A KR 20130126533A
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temperature dependency
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그레고리 에이. 마허
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페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
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Abstract

The present invention provides a device and a method configured to accurately identify accessories coupled to mobile electronic devices over a wide range of temperature. In one embodiment, the device according to the present invention comprises a reference voltage generator configured to provide a reference voltage; a comparator configured to compare the reference voltage to a voltage at both ends of an accessory resistor; and a current supply unit configured to be coupled to the accessory resistor and to provide the voltage to the comparator using the accessory resistor. The current supply unit includes a first sense resistor having a first temperature dependency and a second sense resistor having a second temperature dependency. In the embodiment, the second temperature dependency can be configured to compensate for at least a portion of the first temperature dependency. In the embodiment, at least one among the first and second temperature dependencies can be configured to control the temperature dependency of the device.

Description

온도에 걸친 향상된 액세서리 검출{IMPROVED ACCESSORY DETECTION OVER TEMPERATURE}Improved accessory detection over temperature {IMPROVED ACCESSORY DETECTION OVER TEMPERATURE}

본 발명은 다른 것들 중에서도 전자 디바이스에 대한 액세서리(accessory) 검출에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 모바일 전자 디바이스에 결합된 액세서리를 정확하게 식별하는 온도에 민감하지 않은 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates, among others, to accessory detection for electronic devices, and more particularly to apparatus and methods that are not temperature sensitive to accurately identify an accessory coupled to a mobile electronic device.

모바일 전자 디바이스가 더욱 보편화됨에 따라, 디바이스의 기능이 확장되고 있다. 그 결과, 설계자는 우수한 사용자 경험을 제공하는 특징을 구현하고 있다. 다수의 이러한 특징 중의 하나는 다양한 부착 액세서리의 자동 식별이다. 그러나, 모바일 전자 디바이스의 크기가 감소하고, 이들의 이동성이 더욱 용이하게 됨에 따라, 디바이스는 넓은 범위의 온도를 받게 될 수 있으며, 이것은 부착된 액세서리의 식별이 달라지게 할 수 있다.As mobile electronic devices become more common, the capabilities of the devices are expanding. As a result, designers are implementing features that provide a good user experience. One of many such features is the automatic identification of various attachment accessories. However, as the size of mobile electronic devices decreases and their mobility becomes easier, the devices may be subjected to a wide range of temperatures, which may cause different identification of attached accessories.

본 발명은 다른 것들 중에서도 넓은 온도 범위에 걸쳐 모바일 전자 디바이스에 결합된 액세서리를 정확하게 식별하도록 구성된 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an apparatus and method, among others, configured to accurately identify an accessory coupled to a mobile electronic device over a wide temperature range.

일실시예에서, 본 발명에 따른 장치는, 기준 전압을 제공하도록 구성된 기준 전압 발생기와, 상기 기준 전압을 액세서리 저항기(accessory resistor) 양단에 전개되는 전압과 비교하도록 구성된 비교기와, 상기 액세서리 저항기에 연결되고, 상기 액세서리 저항기를 이용하여 상기 비교기에 상기 전압을 제공하도록 구성된 전류 공급부를 포함할 수 있다. 상기 전류 공급부는, 제1 온도 의존성(temperature dependency)을 갖는 제1 감지 저항기와, 제2 온도 의존성을 갖는 제2 감지 저항기를 포함할 수 있다. 일실시예에서, 상기 제2 온도 의존성은 상기 제1 온도 의존성의 적어도 일부분을 보상하도록 이루어질 수 있고, 상기 장치의 온도 의존성을 제어하도록 이루어질 수 있다.In one embodiment, a device according to the invention comprises a reference voltage generator configured to provide a reference voltage, a comparator configured to compare the reference voltage with a voltage developed across an accessory resistor, and to the accessory resistor. And a current supply configured to provide the voltage to the comparator using the accessory resistor. The current supply unit may include a first sense resistor having a first temperature dependency and a second sense resistor having a second temperature dependency. In one embodiment, the second temperature dependency can be made to compensate for at least a portion of the first temperature dependency and can be made to control the temperature dependency of the device.

본 과제의 해결 수단 부분은 본 특허 출원의 발명의 청구 대상의 개요를 제공하기 위한 것이며, 본 발명에 대한 배타적이거나 총괄적인 설명을 제공하려는 것이 아니다. 본 특허 출원에 대한 추가의 정보는 상세한 설명에 포함되어 있다.The solution part of the present invention is intended to provide an overview of the claimed subject matter of the present patent application and is not intended to provide an exclusive or exhaustive description of the invention. Further information on this patent application is included in the detailed description.

반드시 실척으로 도시될 필요는 없는 도면에서, 동일한 도면 부호는 상이한 도면에 있는 유사한 구성요소를 나타낼 수도 있다. 앞자리의 숫자가 상이한 도면 부호는 유사한 구성요소의 상이한 예를 나타낼 수도 있다. 이들 도면은 전반적으로 본 명세서에서 논의되는 각종 실시 형태를 제한하기 위한 것이 아니라 예로서 설명하기 위한 것이다.
도 1은 부착된 액세서리의 임피던스를 바이어스하도록 구성된 모바일 디바이스의 일례의 바이어스 회로를 도시하는 도면이다.In the drawings, which need not necessarily be drawn to scale, the same reference numerals may represent like elements in different drawings. Reference numerals having different numbers in the preceding figures may represent different examples of similar components. These drawings are intended to serve as an example and not as a limitation of the various embodiments discussed throughout the specification.
1 is a diagram illustrating an example bias circuit of a mobile device configured to bias the impedance of an attached accessory.

기존의 모바일 디바이스는 모바일 디바이스의 기능을 확장시키거나 또는 모바일 디바이스를 이용한 사용자 경험을 향상시키기 위해 다양한 액세서리에 대한 접속을 도모할 수 있다. 다수의 액세서리는 액세서리를 식별하거나 또는 액세서리에 연관된 기능을 식별하는데 이용하기 위한 저항기를 통한 레지스턴스와 같은 임피던스를 포함한다. 모바일 디바이스에의 접속 시에, 모바일 디바이스는 액세서리 저항기를 기준 전류로 바이어스할 수 있고, 액세서리 저항기 양단의 전압을 기준 전압과 비교할 수 있다. 특정한 실시예에서, 기준 전압은 복수의 레지스턴스 값 중의 하나를 식별하도록 변경될 수 있다.Existing mobile devices can facilitate access to various accessories to expand the capabilities of the mobile device or to enhance the user experience with the mobile device. Many accessories include impedance, such as resistance through a resistor, for use in identifying an accessory or identifying a function associated with the accessory. Upon connection to the mobile device, the mobile device may bias the accessory resistor to a reference current and compare the voltage across the accessory resistor to the reference voltage. In a particular embodiment, the reference voltage can be changed to identify one of the plurality of resistance values.

일부 실시예에서, 바이어스 회로는 기준 전압을 액세서리 저항기 양단의 전압과 비교하도록 구성된 비교기를 포함할 수 있다. 일실시예에서, 바이어스 회로는 비교 결과를 나타내는 출력을 제공하도록 구성될 수 있다. 바이어스 회로의 출력은 액세서리 저항기의 레지스턴스 값을 식별하도록 구성될 수 있다. 액세서리 저항기의 레지스턴스 값은 연결된 액세서리의 타입을 식별하기 위해 이용될 수 있다. 연결된 액세서리의 타입을 식별한 후, 모바일 디바이스의 컨트롤러는 액세서리에 의해 제공될 수 있는 기능을 확장하는 것을 포함한 액세서리의 이용을 최적화하도록 모바일 디바이스를 구성할 수 있다.In some embodiments, the bias circuit can include a comparator configured to compare the reference voltage with the voltage across the accessory resistor. In one embodiment, the bias circuit can be configured to provide an output indicative of the comparison result. The output of the bias circuit can be configured to identify the resistance value of the accessory resistor. The resistance value of the accessory resistor can be used to identify the type of accessory connected. After identifying the type of connected accessory, the controller of the mobile device can configure the mobile device to optimize the use of the accessory, including extending the functionality that can be provided by the accessory.

특정의 실시예에서, 모바일 디바이스의 바이어스 회로는 액세서리의 레지스턴스 값의 식별을 통해 연결된 액세서리를 식별하는 것을 지원하기 위해 모바일 디바이스의 포트의 하나 이상의 단자에 결합될 수 있다. 일실시예에서, 포트는 모바일 디바이스의 유니버설 시리얼 버스(USB) 포트이어도 된다.In certain embodiments, the bias circuit of the mobile device may be coupled to one or more terminals of the port of the mobile device to assist in identifying the connected accessory through identification of the accessory's resistance value. In one embodiment, the port may be a universal serial bus (USB) port of the mobile device.

저항기의 레지스턴스 값을 측정하는 정확도에 대해 여러 환경이 영향을 줄 수 있다. 그 중 하나의 환경은 예컨대 액세서리 저항기에 기준 전류를 제공하기 위해 이용되는 회로에서의 잘못 매칭된 컴포넌트 레이아웃을 포함할 수 있다. 그러나, 레이아웃 매칭에 관련된 문제를 해결한 때에도, 바이어스 회로의 컴포넌트의 온도 의존성(temperature dependency)이 모바일 디바이스에 의한 연결된 액세서리의 잘못된 식별에 기여할 수 있다.Several circumstances can affect the accuracy of measuring resistor resistance values. One such environment may include a mismatched component layout in a circuit used to provide a reference current to an accessory resistor, for example. However, even when solving the problem related to layout matching, the temperature dependency of the components of the bias circuit can contribute to the erroneous identification of the connected accessory by the mobile device.

본 발명의 발명자는 다른 것들 중에서도 넓은 온도 범위에 걸쳐 액세서리 디바이스의 레지스턴스의 값을 정확하게 식별하도록 구성된 장치 및 방법을 인지하였다. 도 1은 전반적으로 부착된 액세서리의 임피던스를 바이어스하도록 구성된 모바일 디바이스의 일례의 바이어스 회로(100)를 도시하고 있다.The inventors of the present invention have recognized, among others, apparatus and methods configured to accurately identify the value of the resistance of an accessory device over a wide temperature range. 1 illustrates an example bias circuit 100 of a mobile device configured to bias the impedance of an attached accessory throughout.

저항기 검출은 모바일 디바이스의 마이크로-USB, 오디오 잭, 배터리 인터페이스 또는 하나 이상의 기타 인터페이스에 부착되어 있는 액세서리 또는 배터리를 식별하는 방법이다. 모바일 디바이스는 주위환경 온도 범위(environmental temperature range), 충전 회로에 연관된 온도 범위 등을 포함하는 커다란 온도 범위에 놓이게 될 수 있으며, 이러한 온도 범위는 전술한 것으로 한정되지 않는다. 일실시예에서, 접속된 액세서리(102)의 액세서리 저항기(101) 상에 전압을 생성하기 위해 이용되는 전류와 같은 검출 회로의 기준 전류가, 액세서리 저항기(101)를 식별하기 위해 이용되는 기준 전압(VREF)을 따라 추종(track)하지 못한다면, 액세서리(102)가 잘못 인식될 수도 있다.Resistor detection is a method of identifying an accessory or battery attached to a micro-USB, audio jack, battery interface, or one or more other interfaces of a mobile device. The mobile device may be placed in a large temperature range including an environmental temperature range, a temperature range associated with the charging circuit, and the like, which is not limited to the foregoing. In one embodiment, the reference current of the detection circuit, such as the current used to generate a voltage on the accessory resistor 101 of the connected accessory 102, is the reference voltage (used to identify the accessory resistor 101). If it does not track along V REF ), the accessory 102 may be misidentified.

특정한 실시예에서, 바이어스 회로(100)는 제2 기준 전류(IR2)가 넓은 온도 범위에 걸쳐 액세서리 저항기(101)를 식별하기 위해 이용되는 기준 전압(VREF)을 실질적으로 추종하도록 할 수 있다. 바이어스 회로(100)는 기준 전압 발생기(115)에서 밴드갭 기준(bandgap reference)(VBG)과 같은 제1 기준 전압을 수신할 수 있다. 기준 전압 발생기(115)는 제1 증폭기(116) 및 감지 전류 트랜지스터(117)를 포함하는 감지 전류 발생기(118)를 포함할 수 있다. 일실시예에서, 감지 전류 발생기(118) 및 전류 미러(current mirror)(103)는 폴리 저항기(poly resistor)의 제1 레그(104)의 온도 계수와 같은 제1 온도 계수(TC1)의 함수일 수 있는 제1 기준 전류(IR1)를 발생하도록 구성될 수 있다. 제1 온도 계수(TC1)를 갖는, 폴리 저항기의 제2 레그(105)는 기준 전압(VREF)을 트림(trim)하기 위해 이용될 수 있다.In a particular embodiment, the bias circuit 100 may cause the second reference current I R2 to substantially follow the reference voltage V REF used to identify the accessory resistor 101 over a wide temperature range. . The bias circuit 100 may receive a first reference voltage, such as a bandgap reference V BG , from the reference voltage generator 115. The reference voltage generator 115 may include a sense current generator 118 that includes a first amplifier 116 and a sense current transistor 117. In one embodiment, the sense current generator 118 and the current mirror 103 are a function of the first temperature coefficient TC 1 , such as the temperature coefficient of the first leg 104 of a poly resistor. Can be configured to generate a first reference current I R1 . The second leg 105 of the poly resistor, having a first temperature coefficient TC 1 , may be used to trim the reference voltage V REF .

일실시예에서, 제1 온도 계수(TC1)를 갖는 폴리 저항기의 제2 레그(105)의 저항기의 상단에 기준 전압(VREF)이 생성되기 때문에, 폴리 저항기의 제1 레그(104)의 제1 온도 계수(TC1)가 소거될 수 있음에 따라, 기준 전압(VREF)은 실질적으로 밴드갭 기준(VBG)과 동일한 온도 특성을 나타낼 수 있다.In one embodiment, the reference voltage V REF is generated on top of the resistor of the second leg 105 of the poly resistor having the first temperature coefficient TC 1 , so that the first leg 104 of the poly resistor is As the first temperature coefficient TC 1 may be erased, the reference voltage V REF may exhibit substantially the same temperature characteristic as the bandgap reference V BG .

바이어스 회로(100)의 제3 레그(106)는 제2 기준 전류(IR2)를 발생하기 위해 기준 전압(VREF) 또는 기준 전압의 표시치(representation)를 이용할 수 있다. 제2 기준 전류(IR2)는 접속된 액세서리 디바이스(102)의 액세서리 저항기(101)를 바이어스 하기 위한 바이어스 전류(IB)를 발생하기 위해 이용될 수 있다. 특정의 실시예에서, 제2 기준 전류(IR2)는 증폭 전류 미러(107)와 같은 전류 공급부에 대한 감지 전류로서 이용될 수 있다. 바이어스 회로(100)는 기준 전압(VREF)의 표시치에 기초하여 제2 기준 전류(IR2)를 제어하도록 구성된 증폭기(108)를 포함할 수 있다. 바이어스 회로(100)의 폴리 저항기의 제3 레그(106)의 저항기 양단에서 제2 기준 전류(IR2)의 피드백이 발생될 수 있다.The third leg 106 of the bias circuit 100 may use the reference voltage V REF or a representation of the reference voltage to generate the second reference current I R2 . The second reference current I R2 may be used to generate a bias current I B for biasing the accessory resistor 101 of the connected accessory device 102. In certain embodiments, the second reference current I R2 may be used as a sense current for a current supply, such as amplifying current mirror 107. The bias circuit 100 may include an amplifier 108 configured to control the second reference current I R2 based on an indication of the reference voltage V REF . Feedback of the second reference current I R2 may be generated across the resistor of the third leg 106 of the poly resistor of the bias circuit 100.

특정의 예에서, 바이어스 회로(100)의 폴리 저항기의 제3 레그(106)의 저항기는 넓은 온도 범위에 걸쳐 바이어스 회로(100)의 온도 의존성을 감소시키거나 실질적으로 영(0)의 온도 의존성을 제공하도록 선택될 수 있다. 일실시예에서, 폴리 저항기의 제3 레그(106)의 제1 감지 저항기(111)는 제1 온도 계수(TC1)를 가질 수 있고, 폴리 저항기의 제3 레그(106)의 제2 감지 저항기(112)는 바이어스 회로(100)의 사용 동안에 가장 만날 가능성이 높은 온도와 같은 요구된 온도 범위에 걸쳐 제1 온도 계수(TC1)를 보완하거나 보상하는 제2 온도 계수(TC2)를 가질 수 있다. 그 결과, 바이어스 전류(IB)가 부착된 액세서리 디바이스(102)의 액세서리 저항기(101)에 제공될 수 있으며, 그러므로 액세서리 저항기(101) 양단의 전압이 확장된 온도 범위에 걸쳐 실질적으로 동일하게 유지될 수 있다.In a particular example, the resistor of the third leg 106 of the poly resistor of the bias circuit 100 reduces the temperature dependency of the bias circuit 100 or substantially zero temperature dependence over a wide temperature range. May be selected to provide. In one embodiment, the first sense resistor 111 of the third leg 106 of the poly resistor may have a first temperature coefficient TC 1 , and the second sense resistor of the third leg 106 of the poly resistor 112 may have a second temperature coefficient TC 2 that complements or compensates for the first temperature coefficient TC 1 over the required temperature range, such as the temperature most likely to meet during use of the bias circuit 100. have. As a result, a bias current I B can be provided to the accessory resistor 101 of the accessory device 102 attached, so that the voltage across the accessory resistor 101 remains substantially the same over an extended temperature range. Can be.

일실시예에서, 폴리 저항기의 제3 레그(106)의 제1 감지 저항기(111)는 제1 도핑 타입의 반도체 저항기이어도 되고, 폴리 저항기의 제3 레그(106)의 제2 감지 저항기(112)는 제2 도핑 타입의 반도체 저항기이어도 되며, 이로써 제2 감지 저항기(112)의 온도 계수가 제1 감지 저항기(111)의 온도 계수를 보상할 수 있거나, 또는 그 반대로 제1 감지 저항기(111)의 온도 계수가 제2 감지 저항기(112)의 온도 계수를 보상할 수 있다. 이러한 실시예에서, 폴리 저항기의 제3 레그(106)의 제1 감지 저항기(111) 및 제2 감지 저항기(112)의 상보적인 온도 계수는 넓은 온도 범위에 걸쳐 바이어스 회로(100)의 온도 안정성을 향상시킬 수 있다. 일실시예에서, 제1 감지 저항기(111)는 n-타입 반도체 저항기이어도 되고, 제2 감지 저항기(112)는 p-타입 반도체 저항기이어도 된다. 일실시예에서, 제1 감지 저항기(111)는 p-타입 반도체 저항기이어도 되고, 제2 감지 저항기(112)는 n-타입 반도체 저항기이어도 된다. 특정한 실시예에서, 모바일 디바이스의 식별 회로는 바이어스 전류가 넓은 온도 범위에 걸쳐 안정할 때에 극단의 온도에서 연결된 액세서리를 더욱 정확하게 식별할 수 있다.In one embodiment, the first sense resistor 111 of the third leg 106 of the poly resistor may be a semiconductor resistor of the first doping type, and the second sense resistor 112 of the third leg 106 of the poly resistor. May be a semiconductor resistor of the second doping type such that the temperature coefficient of the second sense resistor 112 can compensate for the temperature coefficient of the first sense resistor 111, or vice versa. The temperature coefficient may compensate for the temperature coefficient of the second sense resistor 112. In such an embodiment, the complementary temperature coefficients of the first sense resistor 111 and the second sense resistor 112 of the third leg 106 of the poly resistor may reduce the temperature stability of the bias circuit 100 over a wide temperature range. Can be improved. In one embodiment, the first sense resistor 111 may be an n-type semiconductor resistor, and the second sense resistor 112 may be a p-type semiconductor resistor. In one embodiment, the first sense resistor 111 may be a p-type semiconductor resistor, and the second sense resistor 112 may be an n-type semiconductor resistor. In a particular embodiment, the identification circuit of the mobile device can more accurately identify the connected accessory at extreme temperatures when the bias current is stable over a wide temperature range.

특정의 실시예에서, 바이어스 회로(100)는 비교기(109)를 포함할 수 있으며, 이 비교기(109)는 접속된 액세서리(102)의 액세서리 저항기(101)의 레지스턴스 값을 나타내거나 또는 액세서리 저항기(101) 양단의 전압이 기준 전압(VREF)보다 큰지 아니면 작은지의 여부를 나타내는 값을 나타내는 출력(110)을 제공하도록 구성된다.In certain embodiments, the bias circuit 100 may include a comparator 109, which represents the resistance value of the accessory resistor 101 of the accessory 102 to which it is connected, or the accessory resistor ( 101) provide an output 110 indicative of a value indicating whether the voltage across is greater than or less than the reference voltage V REF .

특정의 실시예에서, 증폭 전류 미러(107)는 디지털 대 아날로그 전류 공급부(digital-to-analog current supply)를 포함할 수 있고, 하나 이상의 미러 트랜지스터(M0, M1,…, Mn) 및 스위치 트랜지스터와 같은 하나 이상의 연관 스위치(S0, S1,…, Sn)를 포함할 수 있다. 디지털 대 아날로그 전류 공급부는 디지털 입력의 상태에 기초하여 액세서리 저항기(101)에 인가할 특정 바이어스 전류(IB)를 선택하기 위해 스위치에서 다수의 디지털 입력을 수신할 수 있다. 특정의 실시예에서, 스위치(S0, S1,…, Sn)는 요구된 바이어스 전류(IB) 레벨을 설정하도록 제어될 수 있다. 특정의 실시예에서, 컨트롤러(도시하지 않음)는 액세서리 저항기(101) 양단의 전압과 기준 전압(VREF)의 일련의 비교를 이용하여 스위치(S0, S1,…, Sn)를 조정할 수 있다. 각각의 비교는 액세서리 저항기(101)의 값 또는 레지스턴스가 부착된 액세서리(102)를 식별하기 위한 수용 가능한 범위 내에서 결정될 수 있을 때까지 액세서리 저항기(101)에 인가되는 바이어스 전류(IB)를 조정하기 위해 이용될 수 있다.In certain embodiments, the amplifying current mirror 107 may include a digital-to-analog current supply, one or more mirror transistors M 0 , M 1 ,..., M n and One or more associated switches (S 0 , S 1 ,..., S n ), such as switch transistors. The digital to analog current supply may receive multiple digital inputs at the switch to select a particular bias current I B to apply to accessory resistor 101 based on the state of the digital input. In certain embodiments, the switches S 0 , S 1 ,..., S n may be controlled to set the required bias current I B level. In certain embodiments, the controller (not shown) adjusts the switches S 0 , S 1 ,..., S n using a series of comparisons of the voltage across the accessory resistor 101 with the reference voltage V REF . Can be. Each comparison adjusts the bias current I B applied to the accessory resistor 101 until the value of the accessory resistor 101 or the resistance can be determined within an acceptable range for identifying the accessory 102 attached. It can be used to.

특정의 실시예에서, 비교기(109), 기준 전압 발생기 및 전류 공급부가 집적회로에 포함될 수도 있다.In certain embodiments, comparator 109, reference voltage generator, and current supply may be included in the integrated circuit.

추가 주의 사항Additional Notes

실시예 1에서, 본 발명에 따른 장치는, 기준 전압을 액세서리 저항기 양단에 전개되는 제1 전압과 비교하고, 비교를 나타내는 출력을 제공하도록 구성된 비교기와, 상기 기준 전압을 제공하도록 구성된 기준 전압 발생기와, 상기 액세서리 저항기에 연결되고, 상기 액세서리 저항기를 이용하여 상기 비교기에 상기 제1 전압을 제공하도록 구성된 전류 공급부를 포함한다. 상기 전류 공급부는, 제1 온도 의존성을 갖는 제1 감지 저항기와, 제2 온도 의존성을 갖는 제2 감지 저항기를 포함할 수 있다. 상기 제2 온도 의존성이 상기 제1 온도 의존성의 적어도 일부분을 보상하도록 구성될 수 있다.In Example 1, an apparatus according to the present invention comprises a comparator configured to compare a reference voltage with a first voltage developed across an accessory resistor and to provide an output representative of the comparison; And a current supply coupled to the accessory resistor and configured to provide the first voltage to the comparator using the accessory resistor. The current supply unit may include a first sense resistor having a first temperature dependency and a second sense resistor having a second temperature dependency. The second temperature dependency may be configured to compensate for at least a portion of the first temperature dependency.

실시예 2에서는, 실시예 1의 상기 제1 저항기가 반도체 저항기이어도 된다.In Example 2, the first resistor of Example 1 may be a semiconductor resistor.

실시예 3에서는, 실시예 1 및 2 중의 하나 이상의 실시예의 상기 제2 저항기가 반도체 저항기이어도 된다.In Embodiment 3, the second resistor of one or more of Embodiments 1 and 2 may be a semiconductor resistor.

실시예 4에서는, 실시예 1 내지 3 중의 하나 이상의 실시예의 상기 제1 저항기가 제1 도핑 타입 반도체 저항기를 포함할 수도 있다.In Embodiment 4, the first resistor of one or more of Embodiments 1-3 may include a first doped type semiconductor resistor.

실시예 5에서는, 실시예 1 내지 4 중의 하나 이상의 실시예의 상기 제2 저항기가 제2 도핑 타입 반도체 저항기를 포함할 수도 있다.In Embodiment 5, the second resistor of one or more of Embodiments 1-4 may include a second doped type semiconductor resistor.

실시예 6에서는, 실시예 1 내지 5 중의 하나 이상의 실시예의 상기 제1 도핑 타입 반도체 저항기가 p-타입 반도체 저항기이어도 되고, 실시예 1 내지 5 중의 하나 이상의 실시예의 상기 제2 도핑 타입 반도체 저항기가 n-타입 반도체 저항기이어도 된다.In Example 6, the first doped type semiconductor resistor of one or more of Examples 1-5 may be a p-type semiconductor resistor, and the second doped type semiconductor resistor of one or more of Examples 1-5 is n A -type semiconductor resistor may be sufficient.

실시예 7에서는, 실시예 1 내지 6 중의 하나 이상의 실시예의 상기 제1 도핑 타입 반도체 저항기가 n-타입 반도체 저항기이어도 되고, 실시예 1 내지 5 중의 하나 이상의 실시예의 상기 제2 도핑 타입 반도체 저항기가 p-타입 반도체 저항기이어도 된다.In Example 7, the first doped type semiconductor resistor of at least one of the embodiments 1 to 6 may be an n-type semiconductor resistor, and the second doped type semiconductor resistor of at least one of the embodiments 1 to 5 is p A -type semiconductor resistor may be sufficient.

실시예 8에서는, 실시예 1 내지 7 중의 하나 이상의 실시예의 상기 기준 전압 발생기가 밴드갭 전압 기준 및 전류 미러(current mirror)를 포함할 수도 있다. 상기 밴드갭 전압 기준은 상기 전류 미러에 대한 기준 전류를 제공하도록 구성되어도 되며, 상기 전류 미러는 기준 전압을 제공하도록 구성되어도 된다.In embodiment 8, the reference voltage generator of one or more of embodiments 1-7 may include a bandgap voltage reference and a current mirror. The bandgap voltage reference may be configured to provide a reference current for the current mirror, and the current mirror may be configured to provide a reference voltage.

실시예 9에서는, 실시예 1 내지 8 중의 하나 이상의 실시예의 상기 비교기, 상기 기준 전압 발생기, 및 상기 전류 공급부가 집적회로에 포함되어도 된다.In a ninth embodiment, the comparator, the reference voltage generator, and the current supply unit of one or more of the embodiments 1-8 may be included in an integrated circuit.

실시예 10에서는, 실시예 1 내지 9 중의 하나 이상의 실시예의 상기 장치가 하나 이상의 디지털 입력을 더 포함할 수도 있다. 실시예 1 내지 9 중의 하나 이상의 실시예의 상기 전류 공급부는 상기 하나 이상의 디지털 입력의 상태에 응답하여 상기 액세서리 저항기에 선택된 공급 전류를 제공하도록 구성된 디지털 대 아날로그 전류 공급부를 포함할 수도 있다.In Embodiment 10, the apparatus of one or more of Embodiments 1-9 may further include one or more digital inputs. The current supply of one or more of embodiments 1-9 may include a digital to analog current supply configured to provide a selected supply current to the accessory resistor in response to the state of the one or more digital inputs.

실시예 11에서는, 실시예 1 내지 10 중의 하나 이상의 실시예의 상기 장치는 상기 전류 공급부에 연결된 단자를 더 포함할 수도 있다. 유니버설 시리얼 버스(USB) 포트가 상기 단자를 포함할 수 있다.In Embodiment 11, the apparatus of one or more of Embodiments 1-10 may further comprise a terminal connected to the current supply. A universal serial bus (USB) port may comprise the terminal.

실시예 12에서, 본 발명에 따른 방법은, 기준 전압 발생기를 이용하여 기준 전압을 발생하는 단계와, 전류 공급부에 연결된 액세서리 저항기에 전류를 제공하는 단계와, 전류 및 식별 저항기를 이용하여 비교기에 식별 전압을 제공하는 단계와, 상기 비교기에서 상기 기준 전압과 상기 식별 전압을 비교하는 단계와, 비교의 표시치를 출력에서 제공하는 단계와, 상기 전류 공급부의 제1 저항기의 제1 온도 의존성의 적어도 일부분을 상기 전류 공급부의 제2 저항기의 제2 온도 의존성을 이용하여 보상하는 단계를 포함할 수 있다.In Embodiment 12, the method according to the invention comprises the steps of generating a reference voltage using a reference voltage generator, providing a current to an accessory resistor connected to the current supply, and identifying the comparator using a current and identification resistor. Providing a voltage, comparing the reference voltage and the identification voltage in the comparator, providing an indication of the comparison at the output, and at least a portion of the first temperature dependency of the first resistor of the current supply. Compensating using the second temperature dependency of the second resistor of the current supply.

실시예 13에서는, 실시예 1 내지 12 중의 하나 이상의 실시예의 상기 기준 전압을 발생하는 단계가, 밴드갭 기준 전압을 이용하여 상기 기준 전압을 발생하는 단계를 포함하여도 된다.In Embodiment 13, generating the reference voltage of one or more of Embodiments 1-12 may include generating the reference voltage using a bandgap reference voltage.

실시예 14에서는, 실시예 1 내지 13 중의 하나 이상의 실시예의 상기 기준 전압을 발생하는 단계가, 상기 밴드갭 기준 전압을 이용하여 상기 기준 전압 발생기의 전류 미러의 감지 트랜지스터에 기준 전류를 제공하는 단계를 포함할 수도 있으며, 상기 방법은 상기 전류 미러의 미러 트랜지스터를 이용하여 기준 전류의 미러 전류를 제공하는 단계를 더 포함하여도 된다.In Embodiment 14, generating the reference voltage of one or more of Embodiments 1-13 includes providing a reference current to a sense transistor of a current mirror of the reference voltage generator using the bandgap reference voltage. The method may further comprise providing a mirror current of a reference current using a mirror transistor of the current mirror.

실시예 15에서는, 실시예 1 내지 14 중의 하나 이상의 실시예의 상기 기준 전압을 발생하는 단계가, 상기 미러 전류를 이용하여 상기 기준 전압을 발생하는 단계를 포함하여도 된다.In a fifteenth embodiment, generating the reference voltage of one or more of the embodiments 1-14 may include generating the reference voltage using the mirror current.

실시예 16에서는, 실시예 1 내지 15 중의 하나 이상의 실시예의 상기 전류를 제공하는 단계가, 상기 전류 공급부에서 하나 이상의 디지털 입력을 수신하는 단계를 포함하여도 된다.In Embodiment 16, providing the current in one or more of Embodiments 1-15 may include receiving one or more digital inputs in the current supply.

실시예 17에서는, 실시예 1 내지 16 중의 하나 이상의 실시예의 상기 전류를 제공하는 단계가, 전류의 레벨을 선택하기 위해 수신된 상기 하나 이상의 디지털 입력에 응답하여 하나 이상의 트랜지스터를 제어하는 단계를 포함하여도 된다.In Embodiment 17, providing the current of one or more of Embodiments 1-16 includes controlling one or more transistors in response to the one or more digital inputs received to select a level of current. You may also

실시예 18에서, 본 발명에 따른 시스템은, 컨트롤러, 유니버설 시리얼 버스(USB) 포트, 및 상기 컨트롤러와 상기 USB 포트에 연결된 바이어스 회로를 포함할 수 있다. 상기 바이어스 회로는, 기준 전압을 식별 전압과 비교하고, 비교를 나타내는 출력을 제공하도록 구성된 비교기와, 상기 기준 전압을 제공하도록 구성된 기준 전압 발생기와, 액세서리 저항기에 연결되고, 식별 저항기를 이용하여 상기 비교기에 상기 식별 전압을 제공하도록 구성된 전류 공급부를 포함할 수 있다. 상기 전류 공급부는 전류 제한 저항기(current limit resistor)를 포함할 수 있다. 상기 전류 제한 저항기는, 제1 온도 의존성을 갖는 제1 저항기와, 제2 온도 의존성을 갖는 제2 저항기를 포함할 수 있다. 상기 제2 온도 의존성은 상기 제1 온도 의존성의 적어도 일부분을 보상하도록 이루어질 수 있다.In an eighteenth embodiment, a system according to the present invention may include a controller, a universal serial bus (USB) port, and a bias circuit connected to the controller and the USB port. The bias circuit includes a comparator configured to compare a reference voltage with an identification voltage and provide an output representative of the comparison, a reference voltage generator configured to provide the reference voltage, an accessory resistor, and the comparator using an identification resistor. And a current supply configured to provide the identification voltage. The current supply unit may include a current limit resistor. The current limiting resistor may include a first resistor having a first temperature dependency and a second resistor having a second temperature dependency. The second temperature dependency may be made to compensate for at least a portion of the first temperature dependency.

실시예 19에서는, 실시예 1 내지 18 중의 하나 이상의 실시예의 상기 바이어스 회로가 상기 컨트롤러에 연결된 하나 이상의 디지털 입력을 포함하여도 된다. 상기 전류 공급부가 상기 하나 이상의 디지털 입력의 상태에 응답하여 상기 액세서리 저항기에 선택된 공급 전류를 제공하도록 구성된 디지털 대 아날로그 전류 공급부를 포함할 수 있다.In Embodiment 19, the bias circuit of one or more of Embodiments 1-18 may include one or more digital inputs coupled to the controller. The current supply may comprise a digital to analog current supply configured to provide a selected supply current to the accessory resistor in response to the state of the one or more digital inputs.

실시예 20에서는, 실시예 1 내지 19 중의 하나 이상의 실시예의 상기 바이어스 회로가 집적회로에 포함되어도 된다.In Embodiment 20, the bias circuit of one or more of Embodiments 1-19 may be included in an integrated circuit.

상기한 구체적인 설명은 상세한 설명의 일부를 형성하는 도면에 대한 참조를 포함한다. 도면은 본원 발명이 실시될 수 있는 특정 실시형태를 예시로서 보여주고 있다. 이 실시형태는 여기에서 "실시예"로도 지칭된다. 본 명세서에 언급된 모든 공개 문헌, 특허, 및 특허 문헌은 참조에 의해 개별적으로 원용되어 있지만 그 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 원용된다. 본 명세서와 이와 같이 참조로 원용된 문헌 간에 일치하지 않는 사용법이 있을 경우에, 원용된 참조 문헌에서의 사용법은 본 명세서의 사용법에 대한 보조적인 것으로 간주되어야 하며, 예컨대 양립 불가능한 불일치의 경우에는, 본 명세서에서의 사용법이 우선한다.The foregoing detailed description includes references to the figures that form a part of the detailed description. The drawings show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. This embodiment is also referred to herein as an "embodiment. &Quot; All publications, patents, and patent documents mentioned in this specification are individually incorporated by reference, the entire contents of which are incorporated herein by reference. Where there is an inconsistency between the present specification and the references cited therein, the use in the referenced reference should be regarded as an ancillary to the use of the present specification, for example in the case of incompatible inconsistencies, Usage in the specification takes precedence.

본 명세서에서는, "일" 또는 "하나의"라는 표현은, 특허 문헌에서 흔히 쓰이는 바와 같이, 다른 경우들이나 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"이라는 표현의 용법과 관계없이 하나 또는 하나 이상을 포함하도록 사용된다. 본 명세서에서는, 특별한 지시가 없는 이상 "A 또는 B"가 "A이나 B가 아닌", "B이나 A가 아닌" 및 "A 및 B"를 포함하도록, "또는"이라는 표현은 독점적이지 않은 것을 언급하도록 사용된다. 첨부된 청구범위에서, "포함하다(including)" 및 "~인(in which)"이라는 표현은 "구비하다(comprising)" 및 "~인, ~이고(wherein)"의 공통 등가물로 사용된다. 또한, 이하의 청구범위에서는, "포함하다" 및 "구비하다"라는 표현이 개방형(open-ended)의 의미를 갖는다. 즉, 청구항에서 이 표현 앞에 열거된 것 이외의 요소들을 포함하는 시스템, 장치, 물품, 또는 프로세스 또한 여전히 그 청구항의 범위 내에 포함되는 것으로 간주된다. 더욱이, 이하의 청구범위에서, "제1", "제2" 및 "제3" 등의 표현은 단순히 표지로서 사용되며, 그러한 대상에 대한 수적 요건을 강제하려는 의도는 아니다.In this specification, the expression "work" or "one" is intended to encompass one or more than one, regardless of the usage of the phrase "at least one" Is used. In the present specification, the expression "or" means that the expression " A or B "includes" not A or B, " Used to refer to. In the appended claims, the words "including" and "in which" are used as "common" equivalents of "comprising" and "wherein". Also, in the claims that follow, the expressions "including" and "having" have open-ended meaning. That is, a system, apparatus, article, or process that includes elements other than those listed in the claims in the claims is still considered to be within the scope of the claims. Moreover, in the following claims, the expressions "first "," second ", and "third ", etc. are used merely as labels and are not intended to impose numerical requirements on such objects.

상기한 설명은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것은 아니다. 다른 실시예에서는, 전술한 실시예(또는 이러한 실시예의 하나 이상의 특징)가 서로 조합되어 이용될 수도 있다. 상기한 설명을 검토한 당업자에 의해 다른 실시형태가 이용될 수 있다. 본 명세서에 포함된 요약서는 본 명세서를 읽는 사람이 기술적인 개시 내용의 본질을 신속하게 이해할 수 있도록 하기 위하여 37 C.F.R §1.72(b)에 따라 제공된다. 이 요약서는 청구항의 범위 또는 의미를 해석하거나 제한하기 위해 이용되지 않을 것이라는 이해를 전제로 제공된 것이다. 또한, 본 발명의 상세한 설명 부분에서는, 여러 특징을 함께 그룹으로 묶어 개시내용을 간략화하였을 수도 있다. 이것은 청구되지 않은 공개된 특징이 임의의 청구항에 필수적이라고 의도되도록 해석되지 않아야 한다. 오히려, 발명의 청구 대상은 특정한 공개 실시형태의 모든 특징보다 작게 두어도 좋다. 따라서, 이하의 청구범위는 이에 의하여 상세한 설명에 포함되는 것이며, 각각의 청구항이 개별적인 실시형태를 나타낸다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위와 함께 이러한 청구항으로 나타낸 등가물의 전체 범위를 참조하여 결정되어야 한다.The foregoing description is for the purpose of illustration and is not to be construed as limiting the present invention. In other embodiments, the above-described embodiments (or one or more features of such embodiments) may be used in combination with each other. Other embodiments may be utilized by those skilled in the art having reviewed the above description. The abstract included herein is provided in accordance with 37 C.F.R §1.72 (b) to enable a reader of the specification to quickly understand the nature of the technical disclosure. This summary is provided to aid the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims. Further, in the detailed description of the present invention, the disclosure may be simplified by grouping various features together. This should not be construed to be intended as an essential feature of any claimed claim that is not claimed. Rather, the subject matter of the invention may be less than all features of a particular disclosed embodiment. Accordingly, the following claims are hereby incorporated into the Detailed Description, with each claim standing on its own as a separate embodiment. The scope of the invention should be determined with reference to the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled.

Claims (14)

기준 전압을 액세서리 저항기(accessory resistor) 양단에 전개되는 제1 전압과 비교하고, 비교를 나타내는 출력을 제공하도록 구성된 비교기;
상기 기준 전압을 제공하도록 구성된 기준 전압 발생기; 및
상기 액세서리 저항기에 연결되고, 상기 액세서리 저항기를 이용하여 상기 비교기에 상기 제1 전압을 제공하도록 구성된 전류 공급부
를 포함하며,
상기 전류 공급부가, 제1 온도 의존성(temperature dependency)을 갖는 제1 감지 저항기와, 제2 온도 의존성을 갖는 제2 감지 저항기를 포함하며,
상기 제2 온도 의존성이 상기 제1 온도 의존성의 적어도 일부분을 보상하도록 되어 있는,
장치.A comparator configured to compare the reference voltage with a first voltage developed across an accessory resistor and provide an output indicative of the comparison;
A reference voltage generator configured to provide the reference voltage; And
A current supply coupled to the accessory resistor and configured to provide the first voltage to the comparator using the accessory resistor
Including;
The current supply unit includes a first sense resistor having a first temperature dependency and a second sense resistor having a second temperature dependency,
Wherein the second temperature dependency is adapted to compensate for at least a portion of the first temperature dependency,
Device. 제1항에 있어서,
상기 제1 감지 저항기가 반도체 저항기인, 장치.The method of claim 1,
And the first sense resistor is a semiconductor resistor. 제1항에 있어서,
상기 제2 감지 저항기가 반도체 저항기인, 장치.The method of claim 1,
And the second sense resistor is a semiconductor resistor. 제1항에 있어서,
상기 제1 감지 저항기가 제1 도핑 타입 반도체 저항기를 포함하는, 장치.The method of claim 1,
And the first sense resistor comprises a first doped type semiconductor resistor. 제4항에 있어서,
상기 제2 감지 저항기가 제2 도핑 타입 반도체 저항기를 포함하는, 장치.5. The method of claim 4,
And the second sense resistor comprises a second doped type semiconductor resistor. 제5항에 있어서,
상기 제1 도핑 타입 반도체 저항기가 p-타입 반도체 저항기이고, 상기 제2 도핑 타입 반도체 저항기가 n-타입 반도체 저항기인, 장치.The method of claim 5,
Wherein the first doped type semiconductor resistor is a p-type semiconductor resistor and the second doped type semiconductor resistor is an n-type semiconductor resistor. 제5항에 있어서,
상기 제1 도핑 타입 반도체 저항기가 n-타입 반도체 저항기이고, 상기 제2 도핑 타입 반도체 저항기가 p-타입 반도체 저항기인, 장치.The method of claim 5,
Wherein the first doped type semiconductor resistor is an n-type semiconductor resistor and the second doped type semiconductor resistor is a p-type semiconductor resistor. 기준 전압 발생기를 이용하여 기준 전압을 발생하는 단계;
전류 공급부에 연결된 액세서리 저항기에 전류를 제공하는 단계;
전류 및 식별 저항기를 이용하여 비교기에 식별 전압을 제공하는 단계;
상기 비교기에서 상기 기준 전압과 상기 식별 전압을 비교하는 단계;
비교의 표시치를 출력에서 제공하는 단계; 및
상기 전류 공급부의 제1 저항기의 제1 온도 의존성의 적어도 일부분을 상기 전류 공급부의 제2 저항기의 제2 온도 의존성을 이용하여 보상하는 단계
를 포함하는 방법.Generating a reference voltage using the reference voltage generator;
Providing a current to an accessory resistor connected to the current supply;
Providing an identification voltage to the comparator using the current and identification resistor;
Comparing the reference voltage and the identification voltage at the comparator;
Providing an indication of the comparison at the output; And
Compensating at least a portion of the first temperature dependency of the first resistor of the current supply using the second temperature dependency of the second resistor of the current supply
≪ / RTI > 제8항에 있어서,
상기 기준 전압을 발생하는 단계가, 밴드갭 전압 기준을 이용하여 상기 기준 전압을 발생하는 단계를 포함하는, 방법.9. The method of claim 8,
Generating the reference voltage comprises generating the reference voltage using a bandgap voltage reference. 제9항에 있어서,
상기 기준 전압을 발생하는 단계가,
상기 밴드갭 전압 기준을 이용하여 상기 기준 전압 발생기의 전류 미러(current mirror)의 감지 트랜지스터에 기준 전류를 제공하는 단계; 및
상기 전류 미러의 미러 트랜지스터를 이용하여 상기 기준 전류의 미러 전류(mirror current)를 제공하는 단계를 포함하는,
방법.10. The method of claim 9,
Generating the reference voltage,
Providing a reference current to a sense transistor of a current mirror of the reference voltage generator using the bandgap voltage reference; And
Providing a mirror current of the reference current using a mirror transistor of the current mirror,
Way. 제10항에 있어서,
상기 기준 전압을 발생하는 단계가, 상기 미러 전류를 이용하여 상기 기준 전압을 발생하는 단계를 포함하는, 방법.The method of claim 10,
Generating the reference voltage comprises generating the reference voltage using the mirror current. 컨트롤러;
유니버설 시리얼 버스(USB) 포트; 및
상기 컨트롤러와 상기 USB 포트에 연결된 바이어스 회로를 포함하며,
상기 바이어스 회로가, 기준 전압을 식별 전압과 비교하고, 비교를 나타내는 출력을 제공하도록 구성된 비교기와, 상기 기준 전압을 제공하도록 구성된 기준 전압 발생기와, 액세서리 저항기에 연결되고, 식별 저항기를 이용하여 상기 비교기에 상기 식별 전압을 제공하도록 구성된 전류 공급부를 포함하며,
상기 전류 공급부가 전류 제한 저항기(current limit resistor)를 포함하며,
상기 전류 제한 저항기가, 제1 온도 의존성을 갖는 제1 저항기와, 제2 온도 의존성을 갖는 제2 저항기를 포함하며,
상기 제2 온도 의존성이 상기 제1 온도 의존성의 적어도 일부분을 보상하도록 되어 있는,
시스템.controller;
Universal serial bus (USB) port; And
A bias circuit connected to said controller and said USB port,
The bias circuit comprises a comparator configured to compare a reference voltage with an identification voltage and provide an output indicating the comparison, a reference voltage generator configured to provide the reference voltage, an accessory resistor, and the comparator A current supply configured to provide the identification voltage to
The current supply includes a current limit resistor,
The current limiting resistor comprises a first resistor having a first temperature dependency and a second resistor having a second temperature dependency,
Wherein the second temperature dependency is adapted to compensate for at least a portion of the first temperature dependency,
system. 제12항에 있어서,
상기 바이어스 회로가 상기 컨트롤러에 연결된 하나 이상의 디지털 입력을 포함하며,
상기 전류 공급부가 상기 하나 이상의 디지털 입력의 상태에 응답하여 상기 액세서리 저항기에 선택된 공급 전류를 제공하도록 구성된 디지털 대 아날로그 전류 공급부를 포함하는,
시스템.The method of claim 12,
The bias circuit comprises one or more digital inputs coupled to the controller,
Wherein the current supply comprises a digital to analog current supply configured to provide a selected supply current to the accessory resistor in response to the state of the one or more digital inputs;
system. 제12항에 있어서,
상기 바이어스 회로가 집적회로에 포함되는, 시스템.The method of claim 12,
The bias circuit is included in an integrated circuit.
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