KR20130124651A - 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템 - Google Patents

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KR20130124651A
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고세진
송윤상
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

백라이트 유닛 및 이를 이용한 조명 시스템에 관한 것으로, 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈을 포함하고, 제 2 리플렉터는, 광원 모듈에 인접한 제 1 반사 영역과, 제 1 반사 영역에 인접하는 제 2 반사 영역을 포함하며, 제 1 반사 영역은 다수의 패턴들을 포함하고, 다수의 패턴들은 광원 모듈로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다. 여기서, 다수의 패턴들 중, 광원 모듈에 가장 가까이 인접하는 패턴은 광원 모듈로부터 10.01mm 떨어진 영역에 배치되고, 광원 모듈로부터 가장 먼 패턴은 광원 모듈로부터 15.00mm 떨어진 영역에 배치될 수 있다.

Description

백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템{backlight unit and illumination system using the same}
실시예는 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 대표적인 대형 디스플레이 장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등이 있다.
자발광 방식의 PDP와는 다르게 LCD는 자체적인 발광소자의 부재로 인해 별도의 백라이트 유닛이 필수적이다.
LCD에 사용되는 백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 엣지(edge) 방식의 백라이트 유닛과 직하 방식의 백라이트 유닛으로 구분되는데, 엣지 방식은 LCD 패널의 좌우 측면 또는 상하 측면에 광원을 배치하고 도광판을 이용하여 빛을 전면에 고르게 분산시키므로 빛의 균일성이 좋고 패널 두께의 초박형화가 가능하다.
직하 방식은 보통 20인치 이상의 디스플레이에 사용되는 기술로써, 패널 하부에 광원을 복수 개로 배치하므로 엣지 방식에 비해 광효율이 우수한 장점이 있어 고휘도를 요구하는 대형 디스플레이에 주로 사용된다.
기존 엣지 방식이나 직하 방식의 백라이트 유닛의 광원으로는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)를 이용하였다.
그러나, CCFL을 이용한 백라이트 유닛은 항상 CCFL에 전원이 인가되므로 상당량의 전력이 소모되며, CRT에 비해 약 70% 수준의 색 재현율, 수은이 첨가됨에 따른 환경 오염 문제들이 단점으로 지적되고 있다.
상기 문제점을 해소하기 위한 대체품으로 현재 LED(Light Emitting diode)를 이용한 백라이트 유닛에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
LED를 백라이트 유닛으로 사용하는 경우, LED 어레이의 부분적인 온/오프가 가능하여 소모전력을 획기적으로 줄일 수 있으며, RGB LED의 경우, NTSC (National Television System Committee) 색 재현 범위 사양의 100%를 상회하여 보다 생생한 화질을 소비자에게 제공할 수 있다.
도 1은 일반적인 백라이트 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 백라이트 유닛은 도광판(light guide plate)(2), 리플렉터(reflector)(3), 광학 부재(optical member)(4), 광원 모듈(light source module)(5)을 포함할 수 있다.
그리고, 백라이트 유닛은 탑 섀시(top chassis)(6), 바텀 섀시(bottom chassis)(7) 및 패널 가이드 모듈(panel guide module)(8)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 패널 가이드 모듈(8)은 디스플레이 패널(9)을 지지할 수 있고, 탑 섀시(6)는 패널 가이드 모듈(8) 및 바텀 섀시(7)에 연결될 수 있다.
이어, 도광판(2)은 하부면에 리플렉터(3)가 배치되고, 상부면에 광학 부재(4)가 배치될 수 있다.
다음, 광원 모듈(5)은 기판(5b)과 기판(5b) 위에 배열된 광원(5a)을 포함하는데, 광원 모듈(5)은 도광판(2)의 양측에 배치될 수 있다.
이러한 구조를 갖는 백라이트 유닛은, 도광판(2)을 이용하여 광을 균일하게 확산시킬 수 있지만, 도광판(2)으로 인하여, 전체적인 백라이트 유닛의 무게가 무거워질 뿐만 아니라, 가격 상승의 원인이 되고 있다.
따라서, 향후, 도광판(2)이 없어도 광을 균일하게 확산시킬 수 있는 백라이트 유닛의 개발이 필요할 것이다.
실시예는 광원 모듈에 인접한 영역의 리플렉터 위에 소정의 패턴을 형성하여, 광원 모듈 근처에서 발생하는 옐로위시(yellowish) 및 핫 스팟(hot spot)을 제거하는 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 경사면을 갖는 리플렉터를 이용하여, 도광판 없이, 에어 가이드(air guide)를 갖는 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템을 제공하고자 한다.
실시예는 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈을 포함하고, 제 2 리플렉터는, 광원 모듈에 인접한 제 1 반사 영역과, 제 1 반사 영역에 인접하는 제 2 반사 영역을 포함하며, 제 1 반사 영역은 다수의 패턴들을 포함하고, 다수의 패턴들은 광원 모듈로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴들 중, 광원 모듈에 가장 가까이 인접하는 패턴은 광원 모듈로부터 10.01mm 떨어진 영역에 배치되고, 광원 모듈로부터 가장 먼 패턴은 광원 모듈로부터 15.00mm 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
그리고, 광원 모듈은 기판과, 기판 위에 배치되는 적어도 하나의 광원을 포함하고, 다수의 패턴들은 광원의 발광면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
또한, 광원 모듈은 상부면과 하부면을 포함하는 기판과, 기판의 상부면 위에 배치되는 적어도 하나의 광원을 포함하고, 다수의 패턴들은 기판의 상부면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
또는, 광원 모듈은 상부면과 하부면을 포함하는 기판과, 기판의 상부면 위에 배치되는 적어도 하나의 광원을 포함하고, 다수의 패턴들은 기판의 하부면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수도 있다.
이어, 다수의 패턴들은, 제 1 반사 영역의 단위 면적 10mm×10mm 당 0.1 - 80%의 면적을 차지할 수 있다.
다음, 다수의 패턴들 중, 각 패턴의 면적은 약 0.1 - 3mm일 수 있고, 다수의 패턴들 중, 서로 인접하는 패턴들 사이의 간격은 약 1 - 10mm일 수 있다.
그리고, 다수의 패턴들 중, 각 패턴은 밑면(base plane)을 갖는 돌기 형상일 수 있고, 다수의 패턴들 중, 각 패턴의 높이는 약 0.2 - 0.6mm일 수도 있다.
이어, 다수의 패턴들은 크기 및 간격이 서로 불균일할 수 있다.
또한, 다수의 패턴들은 제 1 반사 영역의 중앙부에 배치될 수 있다.
또는, 다수의 패턴들은 제 1 반사 영역의 중앙부와 주변부에 배치되고, 제 1 반사 영역의 중앙부에 배치되는 다수의 패턴들의 밀도는, 제 1 반사 영역의 주변부에 배치되는 다수의 패턴들의 밀도보다 더 높을 수도 있다.
다음, 제 1 반사 영역은 다수의 패턴들이 배치된 영역을 제외한 모든 영역이 정반사 영역일 수 있고, 제 2 반사 영역은 난반사 영역일 수 있다.
그리고, 제 1 리플렉터의 하부면과 제 2 리플렉터의 상부면은 서로 마주하고, 서로 평행하지 않을 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터는, 광원 모듈에 인접하고, 제 1 반사 영역을 포함하며, 광원 모듈로부터 하부 방향으로 경사진 제 1 경사면과, 제 1 경사면에 인접하고, 제 2 반사 영역을 포함하며, 제 1 경사면으로부터 상부 방향으로 경사진 제 2 경사면을 포함할 수 있다.
이때, 제 2 리플렉터의 제 1 경사면은 제 1 곡률 반경을 갖는 곡면이고, 제 2 리플렉터의 제 2 경사면은 제 2 곡률 반경을 갖는 곡면일 수 있다.
한편, 다른 실시예는, 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈을 포함하고, 제 2 리플렉터는 다수의 패턴들을 포함하며, 다수의 패턴들 중, 광원 모듈에 가장 가까이 인접하는 패턴은 제 1 리플렉터의 끝단(end portion)의 한 점을 잇는 제 1 수직선과 만나는 제 2 리플렉터의 제 1 지점에 배치되고, 다수의 패턴들 중, 광원 모듈로부터 가장 먼 패턴은 제 1 리플렉터의 끝단(end portion)의 한 점을 잇는 제 1 수직선과 평행하고 제 1 수직선으로부터 15mm 떨어진 제 2 수직선과 만나는 제 2 리플렉터의 제 2 지점에 배치될 수 있다.
그리고, 또 다른 실시예는, 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈을 포함하고, 제 2 리플렉터는, 광원 모듈에 인접한 제 1 정반사 영역과, 제 1 정반사 영역에 인접하고, 다수의 패턴들을 포함하는 패턴 영역과, 패턴 영역에 인접한 제 2 정반사 영역과, 제 2 정반사 영역에 인접한 난반사 영역을 포함하며, 제 1 정반사 영역과 패턴 영역 사이의 제 1 경계선과 패턴 영역과 제 2 정반사 영역 사이의 제 2 경계선 사이의 거리는, 제 1 정반사 영역의 끝단과 제 1 경계선 사이의 거리보다 더 크거나 또는 제 2 정반사 영역의 끝단과 제 2 경계선 사이의 거리보다 더 클 수 있다.
여기서, 제 1 정반사 영역의 끝단과 제 1 경계선 사이의 거리는, 제 2 정반사 영역의 끝단과 제 2 경계선 사이의 거리보다 더 작을 수 있다.
이어, 실시예들은 제 2 리플렉터로부터 일정 간격을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 더 포함하고, 제 2 리플렉터와 광학 부재 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
이어, 또 다른 실시예는, 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈과, 제 2 리플렉터로부터 일정 간격을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 포함하고, 제 2 리플렉터는 다수의 패턴들을 포함하며, 다수의 패턴들은 광학 부재의 하부면을 마주하는 정점(peak point)을 가지고, 광학 부재의 하부면에 대해 평행하고 패턴의 정점을 잇는 수평선과, 광학 부재의 하부면 사이의 거리는 5 - 20mm일 수 있다.
여기서, 다수의 패턴들 중, 광학 부재에 가장 가까이 인접하는 패턴은, 광학 부재의 하부면으로부터 5mm 떨어진 제 2 리플렉터의 제 3 지점에 배치되고, 다수의 패턴들 중, 광학 부재로부터 가장 먼 패턴은, 광학 부재의 하부면으로부터 20mm 떨어진 제 2 리플렉터의 제 4 지점에 배치될 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터의 제 3 지점을 잇는 제 3 수직선과 제 2 리플렉터의 제 4 지점을 잇는 제 4 수직선 사이의 거리는, 약 10 - 20mm일 수 있다.
이어, 광학 부재의 하부면과 제 2 리플렉터의 상부면은 서로 마주하고, 서로 평행하지 않을 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터와 광학 부재 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
실시예들은 광원 모듈에 인접한 영역의 리플렉터 위에 소정의 패턴을 형성하여, 광원 모듈 근처에서 발생하는 옐로위시(yellowish) 및 핫 스팟(hot spot)을 제거하고, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 경사면을 갖는 리플렉터를 이용하여, 도광판 없이, 에어 가이드(air guide)를 갖는 구조로 제작함으로써, 무게가 가볍고, 제작단가가 저렴하며, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
따라서, 백라이트 유닛의 경제성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 일반적인 백라이트 유닛을 보여주는 단면도
도 2는 실시예에 따른 2에지 타입의 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도
도 3은 제 1 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도
도 4는 광원 모듈에 가장 가까운 패턴과 가장 먼 패턴의 위치를 보여주는 단면도
도 5a 내지 도 5c는 광원 모듈과 패턴 사이의 거리를 보여주는 단면도
도 6은 단위 면적에 따른 패턴의 면적을 보여주는 평면도
도 7은 패턴의 면적을 보여주는 단면도
도 8a 내지 도 8d는 서로 인접하는 패턴들의 면적을 비교한 단면도
도 9는 패턴들 사이의 간격을 보여주는 단면도
도 10a 내지 도 10c는 서로 인접하는 패턴들 사이의 간격을 비교한 단면도
도 11은 패턴의 높이를 보여주는 단면도
도 12a 내지 도 12d는 서로 인접하는 패턴들의 높이를 비교한 단면도
도 13a 내지 도 13d는 패턴의 형상을 보여주는 사시도
도 14a 내지 도 14d는 다수의 패턴들의 배치 상태를 보여주는 평면도
도 15a 내지 도 15e는 다수의 패턴들의 밀도를 보여주는 평면도
도 16a 및 도 16b는 제 1 반사 영역의 중앙부 및 주변부에 따른 패턴들의 배치를 보여주는 평면도
도 17은 제 2 리플렉터의 경사면을 보여주는 단면도
도 18은 제 2 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도
도 19a 및 도 19b은 제 3 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 도면
도 20은 제 4 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도
도 21은 제 5 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도
도 22는 광원 모듈 인접 영역에서 나타나는 휘도 및 황색 구간의 변화를 측정하기 위한 측정 위치를 보여주는 도면
도 23은 광원 모듈 인접 영역에서 나타나는 휘도 변화를 보여주는 그래프
도 24a 내지 도 24d는 광원 모듈과 제 1, 제 2 리플렉터 사이의 배치 관계를 설명하기 위한 도면
도 25a 내지 도 25d는 경사면을 갖는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면
도 26a 내지 도 26d는 반사 패턴을 갖는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면
도 27은 광학 부재를 보여주는 사시도
도 28는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 갖는 디스플레이 모듈을 보여주는 도면
도 29 및 도 30는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면
이하 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 2는 실시예에 따른 2에지 타입의 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 백라이트 유닛은 광원 모듈(100), 제 1, 제 2 리플렉터(reflector)(200, 300) 및 광학 부재(optical member)(600)을 포함할 수 있다.
여기서, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 위치하고, 제 1 리플렉터(200) 또는 제 2 리플렉터(300)에 인접하여 배치될 수 있다.
경우에 따라, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)에 접촉됨과 동시에 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있거나, 또는 제 2 리플렉터(300)에 접촉됨과 동시에 제 1 리플렉터(200)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있다.
또는, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있거나, 또는 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)에 동시에 접촉될 수도 있다.
그리고, 광원 모듈(100)은 전극 패턴을 갖는 기판(100b)과, 기판(100b) 위에 배치되는 적어도 하나의 광원(100a)을 포함할 수 있다.
여기서, 광원 모듈(100)의 광원(100a)은 상면 발광형(top view type) 발광 다이오드일 수 있다.
경우에 따라서, 광원(100a)은 측면 발광형(side view type) 발광 다이오드일 수도 있다.
그리고, 기판(100b)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 유리, 폴리카보네이트(PC), 실리콘(Si)으로부터 선택된 어느 한 물질로 이루어진 PCB(Printed Circuit Board) 기판일 수도 있고, 필름 형태로 형성될 수도 있다.
또한, 기판(100b)은 단층 PCB, 다층 PCB, 세라믹 기판, 메탈 코아 PCB 등을 선택적으로 사용할 수 있다.
여기서, 기판(100b)은 반사 코팅 필름 및 반사 코팅 물질층 중 어느 하나가 형성될 수도 있고, 광원(100b)에서 생성된 광을 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역으로 반사시킬 수 있다.
이어, 광원(100a)은 발광 다이오드 칩(LED chip)일 수 있으며, 발광 다이오드 칩은 블루 LED 칩 또는 자외선 LED 칩으로 구성되거나 또는 레드 LED 칩, 그린 LED 칩, 블루 LED 칩, 엘로우 그린(Yellow green) LED 칩, 화이트 LED 칩 중에서 적어도 하나 또는 그 이상을 조합한 패키지 형태로 구성될 수도 있다.
그리고, 화이트 LED는 블루 LED 상에 옐로우 인광(Yellow phosphor)을 결합하거나, 블루 LED 상에 레드 인광(Red phosphor)과 그린 인광(Green phosphor)를 동시에 사용하여 구현할 수 있고, 블루 LED 상에 옐로우 인광(Yellow phosphor), 레드 인광(Red phosphor) 및 그린 인광(Green phosphor)를 동시에 사용하여 구현할 수도 있다.
다음, 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이의 빈 공간에는 에어 가이드(air guide)를 갖도록, 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)는 일정 간격 떨어져 서로 마주볼 수 있다.
그리고, 제 1 리플렉터(200)는 반사 시트, 반사 코팅 필름 및 반사 코팅 물질층 중 어느 하나로 형성되어, 광원 모듈(100)로부터 생성된 광을 제 2 리플렉터(300) 방향으로 반사시키는 역할을 수행할 수 있다.
또한, 제 1 리플렉터(200)의 표면 중 광원 모듈(100)에 마주보는 표면 위에는 톱니형태의 반사 패턴이 형성되고, 반사 패턴의 표면은 평면 또는 곡면일 수도 있다.
제 1 리플렉터(200)의 표면에 반사 패턴을 형성하는 이유는 광원 모듈(100)에서 생성된 광을 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역으로 반사시킴으로써, 백라이트 유닛의 중앙영역에 휘도를 증가시키기 위함이다.
이어, 제 2 리플렉터(300)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 이산화 티타늄(TiO2) 등과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있는데, 반사 시트, 반사 코팅 필름 및 반사 코팅 물질층 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)는 일부에 경사면(inclined surface)을 가질 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)의 경사면은 광원 모듈(100) 및 제 1 리플렉터(200) 중 적어도 어느 하나와 중첩될 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 경사면은 제 1 리플렉터(200)의 표면에 대해 일정 각도로 경사진 면일 수 있고, 경사면은 오목면(concave surface), 볼록면(convex surface), 평면(flat surface) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)는 적어도 하나의 경사면(inclined surface)과 적어도 하나의 평면(flat surface)을 포함할 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)의 평면은 제 1 리플렉터(200)와 평행한 면일 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)는 적어도 하나의 변곡점 IP(Inflection Point)을 갖는 적어도 2개 경사면을 포함하고, 변곡점 IP을 중심으로 인접하는 제 1, 제 2 경사면의 곡률은 서로 다를 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)는, 변곡점 IP를 중심으로, 제 1 영역과 제 2 영역으로 구분될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 영역은 하부 방향으로 경사지는 경사면이고, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 영역은 상부 방향으로 경사지는 경사면일 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 영역의 경사면은 제 1 곡률 반경을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 영역의 경사면은 제 2 곡률 반경을 가질 수 있으며, 제 1 곡률 반경과 제 2 곡률 반경은 서로 다를 수 있다.
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)는, 다수의 변곡점들을 가질 수 있으며, 각 변곡점 IP를 중심으로 인접하는 경사면들의 곡률 반경이 서로 다를 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)는, 다수의 패턴(400)들이 형성된 패턴 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들을 갖는 패턴 영역은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)은 광원 모듈(100)로부터 약 10.01mm 떨어진 영역에 배치될 수 있고, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400)은 광원 모듈(100)로부터 약 15.00mm 떨어진 영역에 배치될 수도 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은, 패턴 영역의 단위 면적 10mm×10mm 당 약 0.1 - 80%의 면적을 차지할 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 각 패턴(400)의 면적은 약 0.1 - 3mm일 수 있다.
또한, 다수의 패턴(400)들 중, 서로 인접하는 패턴(400)들 사이의 간격은 약 1 - 10mm일 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들 중, 각 패턴(400)은 밑면(base plane)을 갖는 돌기 형상일 수 있는데, 각 패턴(400)의 높이는 약 0.2 - 0.6mm일 수도 있다.
따라서, 제 2 리플렉터(300)의 패턴 영역에 형성되는 다수의 패턴(400)들은 크기 및 간격이 서로 불균일할 수 있다.
또한, 다수의 패턴(400)들을 갖는 패턴 영역은, 경사면을 갖는 제 2 리플렉터(300)의 제 1 영역 내에 배치될 수 있다.
이와 같이, 다수의 패턴(400)들을 갖는 패턴 영역을 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치하는 이유는, 광원 모듈(100) 근처에서 발생하는 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상을 제거함으로써, 균일한 휘도를 제공하기 위함이다.
한편, 광학 부재(600)는 제 2 리플렉터(300)로부터 일정 간격으로 공간을 두고 배치될 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)와 광학 부재(600) 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
여기서, 광학 부재(600)는 상부 표면에 요철 패턴을 가질 수 있다.
광학 부재(600)는 광원 모듈(100)에서 출사되는 광을 확산시키기 위한 것으로, 확산 효과를 증가시키기 위해 상부 표면에 요철 패턴을 형성할 수 있다.
즉, 광학 부재(600)는 여러 층으로 형성할 수 있으며, 요철 패턴은 최상층 또는 어느 한 층의 표면에 가질 수 있다.
그리고, 요철 패턴은 광원 모듈(100)을 따라 배치되는 스트라이프(strip) 형상을 가질 수 있다.
이때, 요철 패턴은 광학 부재(600) 표면으로 돌출부를 가지고, 돌출부는 서로 마주보는 제 1 면과 제 2 면으로 구성되며, 제 1 면과 제 2 면 사이의 각은 둔각 또는 예각일 수 있다.
경우에 따라, 광학 부재(600)는 적어도 하나의 시트로 이루어지는데, 확산 시트, 프리즘 시트, 휘도 강화 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
여기서, 확산 시트는 광원에서 출사된 광을 확산시켜 주고, 프리즘 시트는 확산된 광을 발광 영역으로 가이드하며, 휘도 확산 시트는 휘도를 강화시켜 준다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)는, 변곡점 IP를 중심으로, 제 1 영역과 제 2 영역으로 구분될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 영역은 하부 방향으로 경사지는 경사면이고, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 영역은 상부 방향으로 경사지는 경사면일 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 영역의 경사면은 제 1 곡률 반경을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 영역의 경사면은 제 2 곡률 반경을 가질 수 있으며, 제 1 곡률 반경과 제 2 곡률 반경은 서로 다를 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)는 광원 모듈에 인접한 제 1 반사 영역과, 제 1 반사 영역에 인접하는 제 2 반사 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 다수의 패턴(400)들을 포함할 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
즉, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는 최소 약 10mm 이상일 수 있다.
예를 들면, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는 약 10.01mm - 15mm일 수 있다.
이처럼, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D가 최소 약 10mm 이상인 이유는, 광원 모듈(100)로부터 약 10mm 떨어진 영역에서 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상이 발생하기 때문에, 이들을 제거하여, 균일한 휘도를 제공하기 위함이다.
여기서, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는, 광원 모듈(100)에 포함된 광원(100a)의 발광면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400)까지의 거리일 수 있다.
경우에 따라, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는, 광원 모듈(100)에 포함된 기판(100b)의 상부면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400)까지의 거리일 수 있다.
또 다른 경우로서, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는, 광원 모듈(100)에 포함된 기판(100b)의 하부면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400)까지의 거리일 수도 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 다수의 패턴(400)들이 배치된 영역을 제외한 모든 영역이 입사광을 정반사하는 정반사 영역일 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 정반사(specular reflection) 특성을 갖는 반사 시트가 배치될 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 입사광을 난반사하는 난반사 영역일 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 난반사(diffuse reflection) 특성을 갖는 반사 시트가 배치될 수 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 램버시안 분포 및 가우시안 분포로 반사하는 난반사 특성들을 갖는 반사시트를 배치할 수 있다.
도 4는 광원 모듈에 가장 가까운 패턴과 가장 먼 패턴의 위치를 보여주는 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400a)은 광원 모듈(100)로부터 약 10.01mm 떨어진 영역에 배치될 수 있고, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400c)은 광원 모듈(100)로부터 약 15.00mm 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400a)은 제 1 정점(peak point) PP1을 갖는 돌기일 수 있고, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400c)은 제 2 정점(peak point) PP2을 갖는 돌기일 수 있다.
이때, 광원(100a)의 발광면의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1과, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400a)의 제 1 정점(peak point) PP1을 잇는 제 2 수직선 V2 사이의 제 1 거리 D1은, 약 10.01 - 14mm일 수 있다.
그리고, 광원(100a)의 발광면의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1과, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400c)의 제 2 정점(peak point) PP2을 잇는 제 3 수직선 V3 사이의 제 2 거리 D2은, 약 11 - 30mm일 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 광원 모듈과 패턴 사이의 거리를 보여주는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 광원 모듈(100)은 기판(100b)과, 기판(100b) 위에 배치되는 적어도 하나의 광원(100a)을 포함하는데, 다수의 패턴(400)들은, 도 5a와 같이, 광원(100a)의 발광면(100a1)의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1으로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
즉, 광원(100a)의 발광면(100a1)의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1과, 패턴(400) 표면의 어느 한 점을 잇는 제 5 수직선 V5 사이의 거리 D는, 약 10.01 - 30mm일 수 있다.
다른 경우로서, 광원 모듈(100)은 상부면(100b1)과 하부면(100b2)을 포함하는 기판(100b)과, 기판(100b)의 상부면(100b1) 위에 배치되는 적어도 하나의 광원(100a)을 포함하는데, 다수의 패턴(400)들은, 도 5b와 같이, 기판(100b)의 상부면(100b1)의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1으로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
즉, 기판(100b)의 상부면(100b1)의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1과, 패턴(400) 표면의 어느 한 점을 잇는 제 5 수직선 V5 사이의 거리 D는, 약 10.01 - 30mm일 수 있다.
또 다른 경우로서, 광원 모듈(100)은 상부면(100b1)과 하부면(100b2)을 포함하는 기판(100b)과, 기판(100b)의 상부면(100b1) 위에 배치되는 적어도 하나의 광원(100a)을 포함하는데, 다수의 패턴(400)들은, 도 5c와 같이, 기판(100b)의 하부면(100b2)의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1으로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
즉, 기판(100b)의 하부면(100b2)의 어느 한 점을 잇는 제 1 수직선 V1과, 패턴(400) 표면의 어느 한 점을 잇는 제 5 수직선 V5 사이의 거리 D는, 약 10.01 - 30mm일 수 있다.
이와 같이, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는, 광원 모듈(100)에 포함된 광원(100a)의 발광면(100a1)의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400)까지의 거리일 수도 있고, 광원 모듈(100)에 포함된 기판(100b)의 상부면(100b1)의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400)까지의 거리일 수도 있으며, 광원 모듈(100)에 포함된 기판(100b)의 하부면(100b2)의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400)까지의 거리일 수도 있다.
도 6은 단위 면적에 따른 패턴의 면적을 보여주는 평면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 광원 모듈(100)은 기판(100b)과, 기판(100b) 위에 배치되는 적어도 하나의 광원(100a)을 포함하는데, 광원(100a)의 발광면과 패턴(400) 사이의 거리 D는, 약 10.01 - 30mm일 수 있다.
이때, 다수의 패턴(400)들은, 광원 모듈(100)의 일측으로부터 타측을 따라 나란히 배치될 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 크기가 일정할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
그리고, 서로 인접한 패턴(400)들 사이의 간격도 서로 일정할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
또한, 다수의 패턴(400)들은, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역의 단위 면적 10mm×10mm 당 약 0.1 - 80%의 면적을 차지할 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들의 면적을 제 2 리플렉터(300)의 단위 면적 10mm×10mm 당 약 0.1 - 80%으로 하는 이유는, 다수의 패턴(400)들의 면적이 0.1% 이하이면, 광원 모듈(100) 근처에서 발생하는 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상을 제거하지 못하고, 다수의 패턴(400)들의 면적이 80% 이상이면, 제 2 리플렉터(300)의 중앙 영역에서 휘도가 저하되어, 전체적으로 불균일한 휘도를 제공할 수 있기 때문이다.
이처럼, 제 2 리플렉터(300)의 단위 면적 당 패턴(400)들의 면적은, 패턴(400)들의 크기에 따라, 달라질 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 다수의 패턴(400)들이 배치된 영역을 제외한 모든 영역이 입사광을 정반사하는 정반사 영역일 수 있다.
도 7은 패턴의 면적을 보여주는 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 각 패턴(400)의 면적 S은 약 0.1 - 3mm일 수 있다.
즉, 각 패턴(400)은 밑면(base plane)을 갖는 돌기 형상일 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)에 접촉되는 패턴(400)의 밑면의 면적 S은 약 0.1 - 3mm일 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은 모두 동일한 면적을 가질 수도 있지만, 경우에 따라, 다양한 면적을 가질 수도 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들은 다양한 면적을 갖는 패턴들이 혼합되어 배치될 수도 있는데, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)의 면적이 점차적으로 커질수도 있고, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)의 면적이 점차적으로 작아질 수도 있다.
또 다른 경우로서, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)의 면적이 점차적으로 커질수도 있고, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)의 면적이 점차적으로 작아질 수도 있다.
도 8a 내지 도 8d는 서로 인접하는 패턴들의 면적을 비교한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 각 패턴(400)의 면적 S은 약 0.1 - 3mm일 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은 모두 동일한 면적을 가질 수도 있지만, 경우에 따라, 다양한 면적을 가질 수도 있다.
예를 들면, 도 8a와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 면적 S1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 면적 S2와 동일하고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 면적 S3과 동일할 수 있다.
경우에 따라, 도 8b와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 면적 S1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 면적 S2보다 더 작을 수 있고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 면적 S3보다 더 작을 수도 있다.
다른 경우로서, 도 8c와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 면적 S1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 면적 S2보다 더 클 수 있고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 면적 S3보다 더 클 수도 있다.
또 다른 경우로서, 도 8d와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 면적 S1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 면적 S2보다 더 클 수 있고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 면적 S3보다 더 작을 수도 있다.
도 9는 패턴들 사이의 간격을 보여주는 단면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 서로 인접하는 패턴(400)들 사이의 간격은 약 1 - 10mm일 수 있다.
즉, 각 패턴(400)은 밑면(base plane)을 갖는 돌기 형상일 수 있는데, 패턴(400)과 패턴(400) 사이의 간격 D10은, 각 패턴(400) 밑면의 가장자리로부터 그에 인접하는 패턴 밑면의 가장자리까지의 거리를 의미한다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은 모두 동일한 간격을 갖도록 배치될 수도 있지만, 경우에 따라, 다양한 간격을 갖도록 배치될 수도 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들은 다양한 간격을 갖는 패턴들이 혼합되어 배치될 수도 있는데, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)들 사이의 간격이 점차적으로 커질수도 있고, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)들 사이의 간격이 점차적으로 작아질 수도 있다.
또 다른 경우로서, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)들 사이의 간격이 점차적으로 커질수도 있고, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)들 사이의 간격이 점차적으로 작아질 수도 있다.
도 10a 내지 도 10c는 서로 인접하는 패턴들 사이의 간격을 비교한 단면도이다.
도 10a 내지 도 10c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 서로 인접하는 패턴(400)들 사이의 간격은 약 1 - 10mm일 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은 모두 동일한 간격을 갖도록 배치될 수도 있지만, 경우에 따라, 다양한 간격을 갖도록 배치될 수도 있다.
예를 들면, 도 10a와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)으로부터 제 11 간격 D11을 유지하고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)으로부터 제 12 간격 D12를 유지하도록 배치될 수 있다.
여기서, 제 11 간격 D11과 제 12 간격 D12는 서로 동일할 수 있다.
경우에 따라, 도 10b와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)으로부터 제 11 간격 D11을 유지하고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)으로부터 제 12 간격 D12를 유지하도록 배치될 수 있는데, 제 11 간격 D11은 제 12 간격 D12보다 더 작을 수 있다.
다른 경우로서, 도 10c와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)으로부터 제 11 간격 D11을 유지하고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)으로부터 제 12 간격 D12를 유지하도록 배치될 수 있는데, 제 11 간격 D11은 제 12 간격 D12보다 더 클 수도 있다.
도 11은 패턴의 높이를 보여주는 단면도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 각 패턴(400)의 높이 h는 약 0.2 - 0.6mm일 수 있다.
즉, 각 패턴(400)은 밑면(base plane)을 갖는 돌기 형상일 수 있는데, 각 패턴(400)의 높이 h는 제 2 리플렉터(300)에 접촉되는 패턴(400)의 밑면으로부터 패턴의 정점 PP(Peak Point)까지의 높이를 의미한다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은 모두 동일한 높이를 가질 수도 있지만, 경우에 따라, 다양한 높이를 가질 수도 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들은 다양한 높이를 갖는 패턴들이 혼합되어 배치될 수도 있는데, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)의 높이가 점차적으로 높아질 수도 있고, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)의 높이가 점차적으로 낮아질 수도 있다.
또 다른 경우로서, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)의 높이가 점차적으로 높아질 수도 있고, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)의 면적이 점차적으로 낮아질 수도 있다.
도 12a 내지 도 12d는 서로 인접하는 패턴들의 높이를 비교한 단면도이다.
도 12a 내지 도 12d에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 각 패턴(400)의 높이 h는 약 0.2 - 0.6mm일 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은 모두 동일한 높이를 가질 수도 있지만, 경우에 따라, 다양한 높이를 가질 수도 있다.
예를 들면, 도 12a와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 높이 h1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 높이 h2와 동일하고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 높이 h3과 동일할 수 있다.
경우에 따라, 도 12b와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 높이 h1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 높이 h2보다 더 작을 수 있고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 높이 h3보다 더 작을 수도 있다.
다른 경우로서, 도 12c와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 높이 h1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 높이 h2보다 더 클 수 있고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 높이 h3보다 더 클 수도 있다.
또 다른 경우로서, 도 12d와 같이, 다수의 패턴(400)들 중, 어느 한 패턴(400)의 제 1 높이 h1은, 그의 일측에 배치되는 패턴(400)의 제 2 높이 h2보다 더 클 수 있고, 그의 타측에 배치되는 패턴(400)의 제 3 높이 h3보다 더 작을 수도 있다.
도 13a 내지 도 13d는 패턴의 형상을 보여주는 사시도이다.
도 13a 내지 도 13d에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)에는 다수의 패턴(400)들이 배치되는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들은, 밑면(base plane)을 갖는 돌기 형상일 수 있다.
즉, 다수의 패턴(400)들은, 적어도 하나의 면(plane)을 갖는 돌기 형상으로서, 반구형, 원뿔, 다각뿔, 원통형, 다면체 등일 수 있다.
예를 들면, 도 13a 및 도 13b와 같이, 하나의 밑면(base plane) b1을 갖는 돌기 형상일 수 있는데, 도 13a와 같이, 반구형일 수도 있고, 도 13b와 같이, 사각뿔일 수도 있다.
그리고, 도 13c 및 도 13d와 같이, 밑면(base plane) b1과 그에 마주하는 상면(top plane) b2을 갖는 돌기 형상일 수도 있는데, 도 13c와 같이, 원통형일 수도 있고, 도 13d와 같이, 육면체일 수도 있다.
이처럼, 다수의 패턴(400)들은 이에 제한되지 않고, 다양한 형상으로 제작될 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은 모두 동일한 형상을 가질 수도 있지만, 경우에 따라, 다양한 형상을 가질 수도 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들은 다양한 형상을 갖는 패턴들이 혼합되어 배치될 수도 있는데, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)의 면(plane)의 개수가 점차적으로 많아질 수도 있고, 광원 모듈로부터 멀어질수록 패턴(400)의 면(plane)의 개수가 점차적으로 적어질 수도 있다.
또 다른 경우로서, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)의 면(plane)의 개수가 점차적으로 많아질 수도 있고, 광원 모듈의 중앙부에서 주변부로 갈수록 패턴(400)의 면(plane)의 개수가 점차적으로 적어질 수도 있다.
도 14a 내지 도 14d는 다수의 패턴들의 배치 상태를 보여주는 평면도이다.
도 14a 내지 도 14d에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)는, 다수의 패턴(400)들이 형성된 패턴 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들을 갖는 패턴 영역은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)은 광원 모듈(100)로부터 약 10.01mm 떨어진 영역에 배치될 수 있고, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400)은 광원 모듈(100)로부터 약 15.00mm 떨어진 영역에 배치될 수도 있다.
이때, 다수의 패턴(400)들은, 광원 모듈(100)의 일측으로부터 타측을 따라 나란히 배치될 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 크기가 일정할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
그리고, 서로 인접한 패턴(400)들 사이의 간격도 서로 일정할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
예를 들면, 도 14a와 같이, 패턴 영역 내에는 다양한 크기를 갖는 다수의 패턴(400)들이 일정하지 않은 간격으로 불균일하게 배치될 수 있다.
경우에 따라, 도 14b와 같이, 패턴 영역 내에는 동일한 크기를 갖는 다수의 패턴(400)들이 일정하지 않은 간격으로 불균일하게 배치될 수도 있다.
다른 경우로서, 도 14c와 같이, 패턴 영역 내에는 다양한 크기를 갖는 다수의 패턴(400)들이 일정한 간격으로 균일하게 배치될 수도 있다.
즉, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 멀어질수록, 크기가 점차적으로 커지고, 서로 일정한 간격으로 나란히 배치될 수 있다.
또 다른 경우로서, 도 14d와 같이, 패턴 영역 내에는 동일한 크기를 갖는 다수의 패턴(400)들이 일정한 간격으로 균일하게 배치될 수도 있다.
즉, 다수의 패턴(400)들은 동일한 크기를 가지고, 서로 일정한 간격으로 나란히 배치될 수 있다.
도 15a 내지 도 15e는 다수의 패턴들의 밀도를 보여주는 평면도이다.
도 15a 내지 도 15e에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)는, 다수의 패턴(400)들이 형성된 패턴 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들을 갖는 패턴 영역은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)은 광원 모듈(100)로부터 약 10.01mm 떨어진 영역에 배치될 수 있고, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400)은 광원 모듈(100)로부터 약 15.00mm 떨어진 영역에 배치될 수도 있다.
이때, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)의 일측으로부터 타측을 따라 나란히 배치될 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 패턴 영역 전체에 일정한 밀도로 배치될 수도 있고, 서로 다른 밀도로 배치될 수도 있다.
예를 들면, 도 15a와 같이, 패턴 영역 내에 배치된 다수의 패턴(400)들은, 광원 모듈(100)로부터 멀어지는 방향, 즉 X축 방향으로 일정한 밀도로 배치될 수 있으며, 광원 모듈(100)의 중앙부로부터 주변부로 향하는 방향, 즉 Y축 방향으로도 일정한 밀도로 배치될 수 있다.
경우에 따라, 도 15b와 같이, 패턴 영역 내에 배치된 다수의 패턴(400)들은, 광원 모듈(100)로부터 멀어지는 방향, 즉 X축 방향으로 갈수록, 밀도가 점차적으로 높아질 수 있으며, 광원 모듈(100)의 중앙부로부터 주변부로 향하는 방향, 즉 Y축 방향으로 갈수록, 밀도가 일정할 수 있다.
다른 경우로서, 도 15c와 같이, 패턴 영역 내에 배치된 다수의 패턴(400)들은, 광원 모듈(100)로부터 멀어지는 방향, 즉 X축 방향으로 갈수록, 밀도가 점차적으로 낮아질 수 있으며, 광원 모듈(100)의 중앙부로부터 주변부로 향하는 방향, 즉 Y축 방향으로 갈수록, 밀도가 일정할 수 있다.
또 다른 경우로서, 도 15d와 같이, 패턴 영역 내에 배치된 다수의 패턴(400)들은, 광원 모듈(100)로부터 멀어지는 방향, 즉 X축 방향으로 갈수록, 밀도가 점차적으로 높아졌다가 다시 낮아질 수 있으며, 광원 모듈(100)의 중앙부로부터 주변부로 향하는 방향, 즉 Y축 방향으로 갈수록, 밀도가 일정할 수 있다.
또 다른 경우로서, 도 15e와 같이, 패턴 영역 내에 배치된 다수의 패턴(400)들은, 광원 모듈(100)로부터 멀어지는 방향, 즉 X축 방향으로 갈수록, 밀도가 일정할 수 있으며, 광원 모듈(100)의 중앙부로부터 주변부로 향하는 방향, 즉 Y축 방향으로 갈수록, 밀도가 점차적으로 낮아질 수 있다.
도 16a 및 도 16b는 제 1 반사 영역의 중앙부 및 주변부에 따른 패턴들의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)는 광원 모듈에 인접한 제 1 반사 영역과, 제 1 반사 영역에 인접하는 제 2 반사 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 다수의 패턴(400)들을 포함할 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
즉, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는 최소 약 10mm 이상일 수 있다.
예를 들면, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는 약 10.01mm - 15mm일 수 있다.
이처럼, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D가 최소 약 10mm 이상인 이유는, 광원 모듈(100)로부터 약 10mm 떨어진 영역에서 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상이 발생하기 때문에, 이들을 제거하여, 균일한 휘도를 제공하기 위함이다.
그리고, 다수의 패턴(400)들은, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역에 배치될 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 제 1 반사 영역의 중앙부에만 배치될 수도 있고, 또는 제 1 반사 영역의 중앙부 및 주변부에 모두 배치될 수도 있다.
예를 들면, 도 16a와 같이, 다수의 패턴(400)들은 제 1 반사 영역의 중앙부에만 배치되고, 제 1 반사 영역의 주변부에는 배치되지 않을 수도 있다.
그 이유는, 제 1 반사 영역의 중앙부에서 나타나는 광의 옐로위시(yellowish) 현상이 제 1 반사 영역의 주변부보다 더 강하기 때문이다.
경우에 따라, 도 16b와 같이, 다수의 패턴(400)들은 제 1 반사 영역의 중앙부 및 제 1 반사 영역의 주변부에 모두 배치될 수 있다.
여기서, 제 1 반사 영역의 중앙부에 배치되는 패턴(400)들의 개수는 제 1 반사 영역의 주변부에 배치되는 패턴(400)들의 개수보다 더 많을 수 있다.
즉, 제 1 반사 영역의 중앙부에 배치되는 다수의 패턴(400)들의 밀도는, 제 1 반사 영역의 주변부에 배치되는 다수의 패턴(400)들의 밀도보다 더 높을 수 있다.
그 이유는, 제 1 반사 영역의 중앙부에서 나타나는 광의 옐로위시(yellowish) 현상이 제 1 반사 영역의 주변부보다 더 강하기 때문이다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 다수의 패턴(400)들이 배치된 영역을 제외한 모든 영역이 입사광을 정반사하는 정반사 영역일 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 정반사(specular reflection) 특성을 갖는 반사 시트가 배치될 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 입사광을 난반사하는 난반사 영역일 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 난반사(diffuse reflection) 특성을 갖는 반사 시트가 배치될 수 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 램버시안 분포 및 가우시안 분포로 반사하는 난반사 특성들을 갖는 반사시트를 배치할 수 있다.
도 17은 제 2 리플렉터의 경사면을 보여주는 단면도이다.
도 17에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 배치될 수 있다.
여기서, 제 1 리플렉터(200)의 하부면과 제 2 리플렉터(300)의 상부면은 서로 마주하고, 서로 평행하지 않을 수 있다.
즉, 제 1 리플렉터(200)의 하부면은 편평한 평면이고, 제 2 리플렉터(300)의 상부면은 경사진 곡면일 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)는 제 1 경사면과 제 2 경사면을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 경사면은 광원 모듈(100)에 인접하고, 제 1 반사 영역을 포함하며, 광원 모듈(100)로부터 하부 방향으로 경사진 경사면일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 경사면은 제 1 경사면에 인접하고, 제 2 반사 영역을 포함하며, 제 1 경사면으로부터 상부 방향으로 경사진 경사면일 수 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)는, 변곡점 IP를 중심으로, 제 1 경사면과 제 2 경사면으로 구분될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 경사면은 제 1 곡률 반경 R1을 갖는 곡면이고, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 경사면은 제 2 곡률 반경 R2을 갖는 곡면일 수 있으며, 제 1 곡률 반경 R1과 제 2 곡률 반경 R2은 서로 다를 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 다수의 패턴(400)들을 포함할 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 광원 모듈(100)로부터 최소 약 10mm 이상 떨어진 영역에 배치될 수 있다.
즉, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는 최소 약 10mm 이상일 수 있다.
예를 들면, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는 약 10.01mm - 15mm일 수 있다.
이처럼, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D가 최소 약 10mm 이상인 이유는, 광원 모듈(100)로부터 약 10mm 떨어진 영역에서 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상이 발생하기 때문에, 이들을 제거하여, 균일한 휘도를 제공하기 위함이다.
여기서, 광원 모듈(100)과 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400) 사이의 거리 D는, 광원 모듈(100)에 포함된 광원의 발광면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 제 2 리플렉터(300)의 패턴(400)까지의 거리일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 다수의 패턴(400)들이 배치된 영역을 제외한 모든 영역이 입사광을 정반사하는 정반사 영역일 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 반사 영역은 정반사(specular reflection) 특성을 갖는 반사 시트가 배치될 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 입사광을 난반사하는 난반사 영역일 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 난반사(diffuse reflection) 특성을 갖는 반사 시트가 배치될 수 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 반사 영역은 램버시안 분포 및 가우시안 분포로 반사하는 난반사 특성들을 갖는 반사시트를 배치할 수 있다.
도 18은 제 2 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도이다.
도 18에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 광학 부재(optical member)(600)는 제 2 리플렉터(300)로부터 일정 간격을 두고 배치될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)와 광학 부재(600) 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)는 다수의 패턴(400)들을 포함할 수 있는데, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)은 제 1 리플렉터(200)의 끝단(end portion)(200a)의 한 점을 잇는 제 11 수직선 V11과 만나는 제 2 리플렉터(300)의 제 1 지점 P1에 배치될 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400)은 제 1 리플렉터(200)의 끝단(end portion)(200a)의 한 점을 잇는 제 11 수직선 V11과 평행하고 제 11 수직선 V11으로부터 약 15mm 떨어진 제 12 수직선 V12과 만나는 제 2 리플렉터(300)의 제 2 지점 P2에 배치될 수 있다.
따라서, 다수의 패턴(400)들 중, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)과 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400)의 위치는, 제 1 리플렉터(200)의 길이에 따라 가변될 수 있다.
즉, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)의 위치는 제 1 리플렉터(200)의 끝단(end portion)(200a)의 위치에 따라, 가변되고, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400)의 위치는 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)의 위치에 따라, 가변될 수 있다.
이와 같이, 제 1 리플렉터(200)의 길이에 따라, 패턴(400)의 위치가 가변하는 이유는, 제 1 리플렉터(200)의 끝단 영역에서 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상이 발생하기 때문에, 이들을 제거함으로써, 균일한 휘도를 제공하기 위함이다.
도 19a 및 도 19b은 제 3 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 도면으로서, 도 19a는 단면도이고, 도 19b는 평면도이다.
도 19a 및 도 19b에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 광학 부재(optical member)(600)는 제 2 리플렉터(300)로부터 일정 간격을 두고 배치될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)와 광학 부재(600) 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)는 광원 모듈(100)에 인접한 제 1 정반사 영역과, 제 1 정반사 영역에 인접하고 다수의 패턴(400)들을 포함하는 패턴 영역과, 패턴 영역에 인접한 제 2 정반사 영역과, 제 2 정반사 영역에 인접한 난반사 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 정반사 영역과 패턴 영역 사이의 제 1 경계선 BL(boundary line)1과 제 2 리플렉터(300)의 패턴 영역과 제 2 정반사 영역 사이의 제 2 경계선 BL2 사이의 거리 D31는, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 정반사 영역의 끝단과 제 1 경계선 BL1 사이의 거리 D32보다 더 클 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 정반사 영역과 패턴 영역 사이의 제 1 경계선 BL1과 제 2 리플렉터(300)의 패턴 영역과 제 2 정반사 영역 사이의 제 2 경계선 BL2 사이의 거리 D31는, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 정반사 영역과 난반사 영역 사이의 제 3 경계선 BL3과 제 2 경계선 BL2 사이의 거리 D33 보다 더 클 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 정반사 영역의 끝단과 제 1 경계선 BL1 사이의 거리 D32는, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 정반사 영역과 난반사 영역 사이의 제 3 경계선 BL3과 제 2 경계선 BL2 사이의 거리 D33보다 더 작을 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 정반사 영역과 패턴 영역 사이의 제 1 경계선 BL1과 제 2 리플렉터(300)의 패턴 영역과 제 2 정반사 영역 사이의 제 2 경계선 BL2 사이의 거리 D31는, 약 10.01 - 20mm일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 정반사 영역의 끝단과 제 1 경계선 BL1 사이의 거리 D32는, 약 10 - 15mm일 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 정반사 영역과 난반사 영역 사이의 제 3 경계선 BL3과 제 2 경계선 BL2 사이의 거리 D33은, 약 10.01 - 19.9mm일 수 있다.
도 20은 제 4 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도이다.
도 20에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 광학 부재(optical member)(600)는 제 2 리플렉터(300)로부터 일정 간격을 두고 배치될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)와 광학 부재(600) 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)는 다수의 패턴(400)들을 포함할 수 있는데, 다수의 패턴(400)들은 광학 부재(600)의 하부면(600a)을 마주하는 정점 PP(peak point)을 가질 수 있다.
여기서, 광학 부재(600)의 하부면(600a)에 대해 평행하고 패턴(400)의 정점 PP을 잇는 수평선과, 광학 부재(600)의 하부면(600a) 사이의 거리는 약 5 - 20mm일 수 있다.
예를 들면, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)의 제 1 정점 PP1은, 광학 부재(600)의 하부면(600a)으로부터 거리 D41만큼 떨어져 있고, 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400)의 제 3 정점 PP3은, 광학 부재(600)의 하부면(600a)으로부터 거리 D43만큼 떨어져 있으며, 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)과 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400) 사이에 배치되는 패턴(400)의 제 2 정점 PP2은, 광학 부재(600)의 하부면(600a)으로부터 거리 D42만큼 떨어져 있을 수 있다.
즉, 거리 D41은 광학 부재(600)의 하부면(600a)에 대해 평행하고 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)의 제 1 정점 PP1을 잇는 수평선 H11과, 광학 부재(600)의 하부면(600a) 사이의 거리를 의미하고, 거리 D43은 광학 부재(600)의 하부면(600a)에 대해 평행하고 광원 모듈(100)로부터 먼 패턴(400)의 제 3 정점 PP3을 잇는 수평선 H13과, 광학 부재(600)의 하부면(600a) 사이의 거리를 의미하며, 거리 D42은 광학 부재(600)의 하부면(600a)에 대해 평행하고 광원 모듈(100)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)과 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 패턴(400) 사이에 배치되는 패턴(400)의 제 2 정점 PP2을 잇는 수평선 H12과, 광학 부재(600)의 하부면(600a) 사이의 거리를 의미할 수 있다.
여기서, 거리 D41, D42, D43은, 약 5 - 20mm일 수 있는데, 거리 D41는 거리 D42과 거리 D43보다 더 작을 수 있다.
그리고, 거리 D43은 거리 D41과 거리 D42보다 더 클 수 있으며, 거리 D42는 거리 D41보다 더 크고, 거리 D43보다 더 작을 수 있다.
도 21은 제 5 실시예에 따른 제 2 리플렉터에 배치된 패턴들의 위치를 보여주는 단면도이다.
도 21에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 광학 부재(optical member)(600)는 제 2 리플렉터(300)로부터 일정 간격을 두고 배치될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)와 광학 부재(600) 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)는 다수의 패턴(400)들을 포함할 수 있다.
여기서, 다수의 패턴(400)들 중, 광학 부재(600)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)은, 광학 부재(600)의 하부면으로부터 약 5 - 10mm 떨어진 제 2 리플렉터(200)의 제 3 지점 P3에 배치될 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들 중, 광학 부재(600)로부터 가장 먼 패턴(400)은, 광학 부재(600)의 하부면으로부터 약 15 - 20mm 떨어진 제 2 리플렉터(300)의 제 4 지점 P4에 배치될 수 있다.
예를 들면, 다수의 패턴(400)들 중, 광학 부재(600)에 가장 가까이 인접하는 패턴(400)은, 제 2 리플렉터(200)의 제 3 지점 P3에 배치될 수 있는데, 제 2 리플렉터(200)의 제 3 지점 P3을 잇는 수평선 H21과 광학 부재(600)의 하부면 사이의 거리 D51은 약 5 - 10mm일 수 있다.
그리고, 다수의 패턴(400)들 중, 광학 부재(600)로부터 가장 먼 패턴(400)은, 제 2 리플렉터(200)의 제 4 지점 P4에 배치될 수 있는데, 제 2 리플렉터(200)의 제 4 지점 P4을 잇는 수평선 H22과 광학 부재(600)의 하부면 사이의 거리 D52은 약 15 - 20mm일 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 제 3 지점 P3을 잇는 수직선 V15과 제 2 리플렉터(300)의 제 4 지점 P4을 잇는 수직선 V16 사이의 거리 D61는, 약 10 - 20mm일 수 있다.
도 22는 광원 모듈 인접 영역에서 나타나는 휘도 및 황색 구간의 변화를 측정하기 위한 측정 위치를 보여주는 도면이고, 도 23은 광원 모듈 인접 영역에서 나타나는 휘도 변화를 보여주는 그래프이다.
먼저, 도 22는 제 2 리플렉터(300)의 양측에 각각 광원 모듈(100)이 배치되는 2-에지(edge) 구조로서, 광원 모듈(100)은 기판(100b)과 기판(100b) 위에 배열되는 다수의 광원(100a)들을 포함할 수 있다.
여기서, 다수의 측정 지점은 광원 모듈(100)과의 거리에 따라, 측정 지점을 선정한 것으로서, 도 22에서는 약 5개의 측정 지점을 선정하였다.
이때, 제 3 측정 지점 MP(measuring point)3은 광원 모듈(100)로부터 가장 먼 지점에 위치하고, 제 1 측정 지점 MP1과 제 5 측정 지점 MP5은 광원 모듈(100)에 가장 인접한 지점에 위치할 수 있다.
도 23에 도시된 바와 같이, 패턴이 미적용된 실시예의 경우, 광원 모듈(100)에 인접한 제 1 측정 지점 MP1과 제 2 측정 지점 MP2 사이에서 휘도가 높게 나타나고, 광원 모듈(100)에 인접한 제 4 측정 지점 MP4과 제 5 측정 지점 MP5 사이에서 휘도가 높게 나타나는 것을 알 수 있다.
즉, 제 1 측정 지점 MP1과 제 2 측정 지점 MP2 사이의 구간과 제 4 측정 지점 MP4과 제 5 측정 지점 MP5 사이의 구간은, 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상이 발생하는 황색 구간일 수 있다.
이에 반해, 패턴이 적용된 실시예의 경우, 광원 모듈(100)에 인접한 제 1 측정 지점 MP1과 제 2 측정 지점 MP2 사이에서, 휘도가 패턴이 미적용된 실시예에 비해 낮게 나타나고, 광원 모듈(100)에 인접한 제 4 측정 지점 MP4과 제 5 측정 지점 MP5 사이에서, 휘도가 패턴이 미적용된 실시예에 비해 낮게 나타나는 것을 알 수 있다.
즉, 패턴이 적용된 실시예의 경우, 제 1 측정 지점 MP1과 제 2 측정 지점 MP2 사이의 구간과 제 4 측정 지점 MP4과 제 5 측정 지점 MP5 사이의 구간은, 광의 옐로위시(yellowish) 현상 및 광의 핫 스팟(hot spot) 현상이 크게 줄어드는 것을 알 수 있다.
그리고, 패턴이 적용된 실시예의 경우, 광원 모듈(100)로부터 먼 제 3 측정 지점 MP3에서, 휘도가 패턴이 미적용된 실시예에 비해 높게 나타남으로써, 전체적으로 균일한 휘도를 제공함을 알 수 있다.
따라서, 실시예들은 광원 모듈에 인접한 영역의 리플렉터 위에 소정의 패턴을 형성함으로써, 광원 모듈 근처에서 발생하는 옐로위시(yellowish) 및 핫 스팟(hot spot)을 제거하고, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 경사면을 갖는 리플렉터를 이용하여, 도광판 없이, 에어 가이드(air guide)를 갖는 구조로 제작함으로써, 무게가 가볍고, 제작단가가 저렴하며, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
따라서, 백라이트 유닛의 경제성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 24a 내지 도 24d는 광원 모듈과 제 1, 제 2 리플렉터 사이의 배치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 24a는 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치되는 광원 모듈(100)을 보여주는 도면이고, 도 24b는 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)에 동시에 접촉되는 광원 모듈(100)을 보여주는 도면이며, 도 24c는 제 1 리플렉터(200)에 접촉됨과 동시에 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치되는 광원 모듈(100)을 보여주는 도면이고, 도 24d는 제 1 리플렉터(200)로부터 일정간격 떨어져 배치됨과 동시에 제 2 리플렉터(300)에 접촉되는 광원 모듈(100)을 보여주는 도면이다.
도 24a에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)는 제 1 리플렉터(200)로부터 제 1 거리 d31만큼 이격되고, 제 2 리플렉터(300)로부터 제 2 거리 d32만큼 이격될 수 있다.
여기서, 제 1 거리 d31과 제 2 거리 d32는 서로 동일할 수도 있고, 또는 서로 다를 수도 있다.
일 예로, 제 1 거리 d31은 제 2 거리 d32 보다 더 작을 수 있다.
그 이유는 제 1 거리 d31이 제 2 거리 d32 보다 더 클 경우, 핫 스팟(hot spot) 현상이 나타날 수도 있기 때문이다.
이어, 도 24b에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)에 접촉될 수 있다.
여기서, 광원 모듈(100)은 제 1, 제 2 리플렉터(200, 300)에 접촉됨으로써, 핫 스팟 방지하고, 광원 모듈(100)로부터 먼 영역으로 광을 전송할 수 있을 뿐만 아니라, 전체적인 백라이트 유닛의 두께를 줄일 수도 있다.
그리고, 도 24c에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)에 접촉되고, 제 2 리플렉터(300)로부터 거리 d만큼 이격될 수 있다.
여기서, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)에 접촉됨으로써, 핫 스팟 방지하고, 광원 모듈(100)로부터 먼 영역으로 광을 전송할 수 있다.
다음, 도 24d에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)은 제 2 리플렉터(300)에 접촉되고, 제 1 리플렉터(200)로부터 거리 d만큼 이격될 수도 있다.
도 25a 내지 도 25d는 경사면을 갖는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면으로서, 도 25a는 경사면이 평면인 경우이고, 도 25b, 도 25c 및 도 25d는 경사면이 곡면인 경우이다.
도 25a 내지 도 25d에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)를 마주보는 제 1 리플렉터(200)의 일측 표면은 제 1 리플렉터(200)의 타측 표면에 대해 일정 각도로 경사지는 경사면을 가질 수 있다.
여기서, 경사면의 경사각도 θ는 제 1 리플렉터(200)의 타측 표면에 대해 평행한 수평면에 대해 1 - 85도의 각도로 경사질 수 있다.
따라서, 제 1 리플렉터(200)의 두께는 광원 모듈(100)로부터 멀어질수록 점차 감소할 수도 있고, 또는 점차 증가할 수도 있다.
즉, 제 1 리플렉터(200)는 광원 모듈(100)에 인접한 영역의 두께 t1와 광원 모듈(100)에서 먼 영역의 두께 t2가 서로 다를 수 있는데, 도 25a 및 도 25b와 같이, 광원 모듈(100)에 인접한 영역의 두께 t1이 광원 모듈(100)에서 먼 영역의 두께 t2보다 더 클 수 있다.
경우에 따라서는, 도 25c 및 도 25d와 같이, 광원 모듈(100)에 인접한 영역의 두께 t1이 광원 모듈(100)에서 먼 영역의 두께 t2보다 더 작을 수도 있다.
또한, 도 25d와 같이, 제 1 리플렉터(200)는 경사면과 평면을 모두 포함할 수도 있다.
즉, 제 1 리플렉터(200)에서, 광원 모듈(100)에 인접한 영역은 경사면을 가질 수 있고, 광원 모듈(100)에서 먼 영역은 평면을 가질 수 있다.
여기서, 경사면의 길이 L1은 평면의 길이 L2와 동일할 수도 있고, 경우에 따라, 서로 다를 수도 있다.
그리고, 제 1 리플렉터(200)의 표면에는 소정의 반사패턴이 형성될 수도 있다.
도 26a 내지 도 26d는 반사 패턴을 갖는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 26a는 반사 패턴(220)이 톱니형상이고, 반사 패턴(220)의 표면은 평면이며, 도 26b 및 도 26c는 반사 패턴(220)이 톱니형상이고, 반사 패턴(220)의 표면은 곡면일 수 있다.
여기서, 도 26b는 반사 패턴(220)의 표면이 오목한 곡면이고, 도 26c는 반사 패턴(220)의 표면이 볼록한 곡면이다.
경우에 따라서, 도 26d와 같이, 반사 패턴(220)의 크기가 제 1 리플렉터(200)의 끝단에서 오픈 영역으로 갈수록 점차 커질 수도 있다.
이와 같이, 제 1 리플렉터(200) 위에 반사 패턴(220)을 형성하는 이유는, 광의 반사뿐만 아니라, 광을 균일하게 퍼지게 하는 확산 효과도 가질 수 있기 때문이다.
따라서, 이러한 반사 패턴(220)은 백라이트의 전체 휘도 분포에 따라, 해당 영역에 다양한 크기로 제작될 수 있다.
도 27은 광학 부재를 보여주는 사시도이다.
도 27에 도시된 바와 같이, 광학 부재(600)는 여러 층으로 형성할 수 있으며, 요철 패턴(620)은 최상층 또는 어느 한 층의 표면에 가질 수 있다.
경우에 따라, 광학 부재(600)는 적어도 하나의 시트로 이루어지는데, 확산 시트, 프리즘 시트, 휘도 강화 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
여기서, 확산 시트는 광원에서 출사된 광을 확산시켜 주고, 프리즘 시트는 확산된 광을 발광 영역으로 가이드하며, 휘도 확산 시트는 휘도를 강화시켜 준다.
이와 같이, 광학 부재(600)는 광원 모듈(100)로부터 출사되는 광을 확산시키기 위한 것으로, 확산 효과를 증가시키기 위해 광학 부재(600)의 상부 표면에 요철 패턴(620)을 형성할 수 있다.
요철 패턴(620)은 광원 모듈(100)을 따라 배치되는 스트라이프(strip) 형상을 가질 수 있다.
이때, 요철 패턴(620)은 광학 부재(600) 표면으로 돌출부를 가지고, 돌출부는 서로 마주보는 제 1 면과 제 2 면으로 구성되며, 제 1 면과 제 2 면 사이의 각은 둔각 또는 예각일 수 있다.
경우에 따라, 광학 부재(600)는 적어도 하나의 시트로 이루어지는데, 확산 시트, 프리즘 시트, 휘도 강화 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
여기서, 확산 시트는 광원에서 출사된 광을 확산시켜 주고, 프리즘 시트는 확산된 광을 발광 영역으로 가이드하며, 휘도 확산 시트는 휘도를 강화시켜 줄 수 있다.
이와 같이, 실시예들은 광원 모듈에 인접한 영역의 리플렉터 위에 소정의 패턴을 형성하여, 광원 모듈 근처에서 발생하는 옐로위시(yellowish) 및 핫 스팟(hot spot)을 제거하고, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 경사면을 갖는 리플렉터를 이용하여, 도광판 없이, 에어 가이드(air guide)를 갖는 구조로 제작함으로써, 무게가 가볍고, 제작단가가 저렴하며, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
따라서, 백라이트 유닛의 경제성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 상술한 실시예들에 기재된 패턴, 제 1, 제 2 리플렉터 및 광원 모듈은 이들을 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이러한 조명 시스템은 다수의 LED를 집속하여 빛을 얻는 조명등으로 사용될 수 있는 것으로서, 특히 건물의 천장이나 벽체 내에 매입되어 셰이드의 개구부 측이 노출되게 장착 될 수 있도록 하는 매입등(다운라이트)으로 이용할 수 있다.
도 28는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 갖는 디스플레이 모듈을 보여주는 도면이다.
도 28에 도시된 바와 같이, 디스플레이 모듈(20)은 디스플레이 패널(800) 및 백라이트 유닛(700)을 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(800)은 서로 마주하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판(810)과 TFT(Thin Film Transistor) 기판(820)을 포함하며, 상기 두 기판(810, 820)의 사이에 액정층(미도시)이 개재될 수 있다.
그리고, 디스플레이 패널(800)의 상측 및 하측에는 각각 상부 편광판(830) 및 하부 편광판(840)이 배치될 수 있으며, 보다 자세하게는 컬러필터 기판(810)의 상면에 상부 편광판(830)이 배치되고, TFT 기판(820)의 하면에 하부 편광판(840)이 배치될 수 있다.
도시하지 않았지만, 디스플레이 패널(800)의 측면에는 패널(800)을 구동시키기 위한 구동 신호를 생성하는 게이트 및 데이터 구동부가 구비될 수 있다.
도 29 및 도 30는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.
도 29을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 디스플레이 모듈(20), 디스플레이 모듈(20)을 둘러싸는 프론트 커버(30) 및 백 커버(35), 백 커버(35)에 구비된 구동부(55) 및 구동부(55)를 감싸는 구동부 커버(40)로 구성될 수 있다.
프론트 커버(30)는 광을 투과시키는 투명한 재질의 전면 패널(미도시)을 포함할 수 있으며, 전면 패널은 일정한 간격을 두고 디스플레이 모듈(20)을 보호하며, 디스플레이 모듈(20)로부터 방출되는 광을 투과시켜 디스플레이 모듈(20)에서 표시되는 영상이 외부에서 보여지도록 한다.
백 커버(35)는 프론트 커버(30)와 결합하여 디스플레이 모듈(20)을 보호할 수 있다.
백 커버(35)의 일면에는 구동부(55)가 배치될 수 있다.
구동부(55)는 구동 제어부(55a), 메인보드(55b) 및 전원공급부(55c)를 포함할 수 있다.
구동 제어부(55a)는 타이밍 컨트롤러로 일 수 있으며, 디스플레이 모듈(20)의 각 드라이버 IC에 동작 타이밍을 조절하는 구동부이고, 메인보드(55b)는 타이밍 컨트롤러에 V싱크, H싱크 및 R, G, B 해상도 신호를 전달하는 구동부이며, 전원 공급부(55c)는 디스플레이 모듈(20)에 전원을 인가하는 구동부이다.
구동부(55)는 백 커버(35)에 구비되어 구동부 커버(40)에 의해 감싸질 수 있다.
백 커버(35)에는 복수의 홀이 구비되어 디스플레이 모듈(20)과 구동부(55)가 연결될 수 있고, 디스플레이 장치(1)를 지지하는 스탠드(60)가 구비될 수 있다.
반면, 도 30에 도시된 바와 같이, 구동부(55)의 구동 제어부(55a)는 백 커버(35)에 구비되고, 메인보드(55b)와 전원보드(55c)는 스탠드(60)에 구비될 수도 있다.
그리고, 구동부 커버(40)는 백 커버(35)에 구비된 구동부(55)만을 감쌀 수 있다.
본 실시예에서는, 메인보드(55b)와 전원보드(55c)를 각각 따로 구성하였으나, 하나의 통합보드로도 이루어질 수 있으며 이에 한정되지 않는다.
또 다른 실시예는 상술한 실시예들에 기재된 패턴, 제 1, 제 2 리플렉터 및 광원 모듈은, 이들을 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이러한 조명 시스템은 다수의 LED를 집속하여 빛을 얻는 조명등으로 사용될 수 있는 것으로서, 특히 건물의 천장이나 벽체 내에 매입되어 셰이드의 개구부 측이 노출되게 장착 될 수 있도록 하는 매입등(다운라이트)으로 이용할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 광원 모듈 200 : 제 1 리플렉터
300 : 제 2 리플렉터 400 : 패턴
600 : 광학 부재

Claims (19)

  1. 제 1 리플렉터(reflector);
    제 2 리플렉터; 그리고,
    상기 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈을 포함하고,
    상기 제 2 리플렉터는,
    상기 광원 모듈에 인접한 제 1 반사 영역과,
    상기 제 1 반사 영역에 인접하는 제 2 반사 영역을 포함하며,
    상기 제 1 반사 영역은 다수의 패턴들을 포함하고,
    상기 다수의 패턴들은 상기 광원 모듈로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치되는 백라이트 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들 중, 상기 광원 모듈에 가장 가까이 인접하는 패턴은 상기 광원 모듈로부터 10.01mm 떨어진 영역에 배치되고, 상기 광원 모듈로부터 가장 먼 패턴은 상기 광원 모듈로부터 15.00mm 떨어진 영역에 배치되는 백라이트 유닛.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광원 모듈은 기판과, 기판 위에 배치되는 적어도 하나의 광원을 포함하고,
    상기 다수의 패턴들은 상기 광원의 발광면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치되는 백라이트 유닛.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광원 모듈은 상부면과 하부면을 포함하는 기판과, 기판의 상부면 위에 배치되는 적어도 하나의 광원을 포함하고,
    상기 다수의 패턴들은 상기 기판의 상부면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치되는 백라이트 유닛.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광원 모듈은 상부면과 하부면을 포함하는 기판과, 기판의 상부면 위에 배치되는 적어도 하나의 광원을 포함하고,
    상기 다수의 패턴들은 상기 기판의 하부면의 어느 한 점을 잇는 수직선으로부터 최소 10mm 이상 떨어진 영역에 배치되는 백라이트 유닛.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들은, 상기 제 1 반사 영역의 단위 면적 10mm×10mm 당 0.1 - 80%의 면적을 차지하는 백라이트 유닛.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들 중, 각 패턴의 면적은 0.1 - 3mm인 백라이트 유닛.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들 중, 서로 인접하는 패턴들 사이의 간격은 1 - 10mm인 백라이트 유닛.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들 중, 각 패턴은 밑면(base plane)을 갖는 돌기 형상인 백라이트 유닛.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들 중, 각 패턴의 높이는 0.2 - 0.6mm인 백라이트 유닛.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들은 크기 및 간격이 서로 불균일한 백라이트 유닛.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 패턴들은 상기 제 1 반사 영역의 중앙부와 주변부에 배치되고,
    상기 제 1 반사 영역의 중앙부에 배치되는 상기 다수의 패턴들의 밀도는, 상기 제 1 반사 영역의 주변부에 배치되는 상기 다수의 패턴들의 밀도보다 더 높은 백라이트 유닛.
  13. 제 1 리플렉터(reflector);
    제 2 리플렉터; 그리고,
    상기 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈을 포함하고,
    상기 제 2 리플렉터는 다수의 패턴들을 포함하며,
    상기 다수의 패턴들 중, 상기 광원 모듈에 가장 가까이 인접하는 패턴은 상기 제 1 리플렉터의 끝단(end portion)의 한 점을 잇는 제 1 수직선과 만나는 상기 제 2 리플렉터의 제 1 지점에 배치되고,
    상기 다수의 패턴들 중, 상기 광원 모듈로부터 가장 먼 패턴은 상기 제 1 리플렉터의 끝단(end portion)의 한 점을 잇는 제 1 수직선과 평행하고 상기 제 1 수직선으로부터 15mm 떨어진 제 2 수직선과 만나는 상기 제 2 리플렉터의 제 2 지점에 배치되는 백라이트 유닛.
  14. 제 1 리플렉터(reflector);
    제 2 리플렉터; 그리고,
    상기 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈을 포함하고,
    상기 제 2 리플렉터는,
    상기 광원 모듈에 인접한 제 1 정반사 영역과,
    상기 제 1 정반사 영역에 인접하고, 다수의 패턴들을 포함하는 패턴 영역과,
    상기 패턴 영역에 인접한 제 2 정반사 영역과,
    상기 제 2 정반사 영역에 인접한 난반사 영역을 포함하며,
    상기 제 1 정반사 영역과 상기 패턴 영역 사이의 제 1 경계선과 상기 패턴 영역과 상기 제 2 정반사 영역 사이의 제 2 경계선 사이의 거리는,
    상기 제 1 정반사 영역의 끝단과 상기 제 1 경계선 사이의 거리보다 더 크거나 또는 상기 제 2 정반사 영역의 끝단과 상기 제 2 경계선 사이의 거리보다 더 큰 백라이트 유닛.
  15. 제 1 항, 제 13 항, 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 리플렉터로부터 일정 간격을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 더 포함하고,
    상기 제 2 리플렉터와 상기 광학 부재 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성되는 백라이트 유닛.
  16. 제 1 리플렉터(reflector);
    제 2 리플렉터;
    상기 제 1 리플렉터와 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 광원 모듈; 그리고,
    상기 제 2 리플렉터로부터 일정 간격을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 포함하고,
    상기 제 2 리플렉터는 다수의 패턴들을 포함하며,
    상기 다수의 패턴들은 상기 광학 부재의 하부면을 마주하는 정점(peak point)을 가지고,
    상기 광학 부재의 하부면에 대해 평행하고 상기 패턴의 정점을 잇는 수평선과, 상기 광학 부재의 하부면 사이의 거리는 5 - 20mm인 백라이트 유닛.
  17. 제 16 항에 잇어서, 상기 다수의 패턴들 중, 상기 광학 부재에 가장 가까이 인접하는 패턴은, 상기 광학 부재의 하부면으로부터 5mm 떨어진 상기 제 2 리플렉터의 제 3 지점에 배치되고,
    상기 다수의 패턴들 중, 상기 광학 부재로부터 가장 먼 패턴은, 상기 광학 부재의 하부면으로부터 20mm 떨어진 상기 제 2 리플렉터의 제 4 지점에 배치되는 백라이트 유닛.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제 2 리플렉터의 제 3 지점을 잇는 제 3 수직선과 상기 제 2 리플렉터의 제 4 지점을 잇는 제 4 수직선 사이의 거리는, 10 - 20mm인 백라이트 유닛.
  19. 제 1 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 백라이트 유닛을 포함하는 조명 시스템.
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