KR20130122216A - 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 입자형 폴리실리콘 제조의 제조 수율의 향상과 함께 공정가스가 침전되는 것을 최소화할 수 있도록 공정가스를 분사하는 분사구조를 개선한 유동층 반응기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유동층 반응기는 외부로부터 공급되는 공정가스의 반응물이 증착되는 시드(seed)를 수용하는 챔버와, 챔버 내외부를 관통하도록 배치되어 챔버 내부에서 시드와 반응물의 증착에 의해 생성된 폴리실리콘을 포집하도록 챔버 내부로부터 외부로 폴리실리콘을 배출하는 포집부와, 포집부에 인접하고 챔버 하부 측에 배치되어 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 노즐부를 포함하며, 노즐부는 공정가스가 챔버 내부로 분사되는 분사방향의 상류 측으로부터 하류 측으로 갈수록 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 노즐부가 분사방향으로 상류 측으로부터 하류 측으로 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련되어 챔버 내부로 균일하게 공정가스를 분사할 수 있고, 이에 따라 챔버 내부에서 제조되는 폴리실리콘의 수율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 시드(seed)에 반응물을 증착하여 입자형 폴리실리콘을 제조하는 유동층 반응기에 관한 것이다.
일반적으로 유동층 반응기는 반도체 또는 솔라셀과 같은 산업에 이용되는 폴리실리콘을 제조하기 위해 사용된다. 폴리실리콘을 제조하는 공정 방식에 따라 유동층 반응기는 크게 입자형으로 폴리실리콘을 제조하는 방식과 필라멘트와 같은 부재에 침착된 폴리실리콘을 제조하는 방식으로 구분된다.
여기서, 유동층 반응기에 사용되는 공정가스는 모노실란(SiH4) 또는 트리클로로실란(3염화실란: SiHCl3)와 함께 H2가 사용되며, 이에 따른 반응에 의해 폴리실리콘이 제조된다.
한편, 이러한 종래의 유동층 반응기는 "대한민국 공개특허공보 제2011-0117175호"인 "모노실란 공정을 이용한 다결정 실리콘 제조용 반응기"에 개시되어 있다. 상술한 선행문헌인 "모노실란 공정을 이용한 다결정 실리콘 제조용 반응기"는 복수의 노즐을 갖는 반응기 베이스 플레이트, 베이스 플레이트 상에 설치된 복수개의 필라멘트 막대 및 노즐로부터 이격되어 사용된 모노실란을 농축 및/또는 처리 단계로 공급하기 위한 가스 출구 구멍을 포함한다.
그런데, 종래의 선행문헌에 개시된 복수의 노즐은 베이스 플레이트 상에 관 형상으로 배치되며, 이러한 노즐로부터 분사되는 공정가스의 분사각도는 작기 때문에 복수의 노즐 사이에 공정가스가 분사되지 않고 침전될 수 있는 데드존이 형성될 수 있는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 입자형 폴리실리콘 제조의 제조 수율의 향상과 함께 공정가스가 침전되는 것을 최소화할 수 있도록 공정가스를 분사하는 분사구조를 개선한 유동층 반응기에 관한 것이다.
상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라, 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기에 있어서, 외부로부터 공급되는 공정가스의 반응물이 증착되는 시드(seed)를 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내외부를 관통하도록 배치되어 상기 챔버 내부에서 상기 시드와 상기 반응물의 증착에 의해 생성된 상기 폴리실리콘을 포집하도록 상기 챔버 내부로부터 외부로 상기 폴리실리콘을 배출하는 포집부와, 상기 포집부에 인접하고 상기 챔버 하부측에 배치되어 상기 챔버 내부로 상기 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 노즐부를 포함하며, 상기 노즐부는 상기 공정가스가 상기 챔버 내부로 분사되는 분사방향의 상류 측으로부터 하류 측으로 갈수록 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기에 의해 이루어진다.
여기서, 상기 챔버가 외부로부터 밀폐되도록 상기 챔버의 하부측에 배치되며 상기 포집부와 상기 노즐부를 수용하는 지지유닛을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 유동층 반응기는 상기 지지유닛의 외부면을 감싸도록 마련되어 상기 포집부 및 상기 노즐부의 내표면에서 상기 공정가스의 흡착을 저지하도록 상기 지지유닛을 냉각하는 냉각유닛을 더 포함할 수 있다.
바람직하게 상기 노즐부는 상기 포집부를 중심으로 상호 등각을 이루며 방사상으로 복수개가 배치될 수 있다.
더불어, 상기 유동층 반응기는 상기 지지유닛 판면의 상기 포집부와 상기 노즐부들 사이 및 상기 노즐부들 사이에 배치되어 상기 포집부와 상기 노즐부들 사이 및 상기 노즐부들 사이에 발생되는 상기 공정가스의 와류를 저지하여 상기 공정가스를 상기 챔버 내부로 안내하는 가이드부를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 노즐부를 통해 분사되는 상기 공정가스는 트리클로로실란과 모노실란 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
더욱 바람직하게 상기 포집부에는 상기 포집부로 유입되는 상기 공정가스를 퍼지하는 퍼지가스가 공급될 수 있다.
한편, 상기 유동층 반응기는 상기 냉각유닛의 외부에 배치되어 상기 냉각유닛을 단열하는 단열유닛을 더 포함할 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기는 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 노즐부가 분사방향으로 상류 측으로부터 하류 측으로 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련되어 챔버 내부로 균일하게 공정가스를 분사할 수 있고, 이에 따라 챔버 내부에서 제조되는 폴리실리콘의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 입자형 폴리실리콘 제조용 유동체 반응기의 개략 단면 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 포집부, 노즐부 및 지지유닛의 평면도,
도 3은 도 1에 도시된 냉각유닛 영역의 평면도,
도 4는 도 2에 도시된 Ⅳ-Ⅳ 영역의 전개 정면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 포집부, 노즐부 및 지지유닛의 평면도,
도 3은 도 1에 도시된 냉각유닛 영역의 평면도,
도 4는 도 2에 도시된 Ⅳ-Ⅳ 영역의 전개 정면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
설명하기에 앞서, 본 발명에 따른 유동층 반응기는 입자형 폴리실리콘 제조 이외에도 반응물이 폴리실리콘으로 침착되는 필라멘트 막대를 갖는 유동층 반응기에 적용될 수 있음을 미리 밝혀둔다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 입자형 폴리실리콘 제조용 유동체 반응기의 개략 단면 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기(1)는 챔버(10), 베이스 플레이트(20), 시드공급부(30), 가스공급부(40), 노즐부(50), 포집부(60), 퍼지가스 공급부(70), 폴리실리콘 수령부(80), 지지유닛(90), 냉각유닛(120) 및 단열유닛(130)을 포함한다.
챔버(10)는 외부로부터 공급되는 공정가스(G)의 반응물이 증착되는 시드(seed: 미도시)를 수용한다. 챔버(10)는 내부에 공급되는 공정가스(G)의 유동을 원활히 하기 위해 하부는 개구되고 상부는 밀폐된 원통의 관 형상으로 마련된다. 챔버(10)는 흑연 또는 금속으로 구성될 수 있으며, 챔버(10)의 내표면에는 내부 마찰로 인한 실리콘 입자의 오염을 방지하기 위하여 SiC, SiC+Si 및 Si 중 어느 하나로 코팅된다.
한편, 챔버(10)의 외부에는 본 발명에 도시되지 않은 히터가 배치된다. 히터는 챔버(10) 내부에 공급된 공정가스(G)가 반응하여 시드에 증착되는 반응물로 변환되도록 챔버(10) 내부에 열을 제공한다. 예를 들어, 히터는 챔버(10) 내부의 공급된 공정가스(G)가 400도 이상일 때 반응하여 시드에 증착될 수 있으므로, 챔버(10) 내부에 400도 이상의 열이 전달되도록 발열한다. 그리고, 챔버(10)의 내부에는 히터의 과열에 의해 발생될 수 있는 화재 등의 위험 요소를 방지할 수 있도록 그라파이트 재질의 보호층(미도시)이 배치될 수 있다.
베이스 플레이트(20)는 챔버(10)를 지지하도록 마련된다. 베이스 플레이트(20)는 각각 가스공급부(40), 퍼지가스 공급부(70) 및 폴리실리콘 수령부(80)에 대해 각각 노즐부(50) 및 포집부(60)가 관통되도록 마련된다. 실질적으로 베이스 플레이트(20)는 지지유닛(90) 및 냉각유닛(120)을 사이에 두고 챔버(10)를 지지한다.
시드공급부(30)는 챔버(10) 내부에 폴리실리콘으로 제조되는 시드를 공급한다. 시드공급부(30)와 챔버(10) 사이에는 미도시된 시드가 이송되는 배관이 마련되며, 배관에는 배관을 개폐하는 개폐장치(미도시)가 배치된다.
가스공급부(40)는 챔버(10)의 외부에 배치되어 챔버(10) 내부로 공급되는 공정가스(G)를 제공한다. 가스공급부(40)는 후술할 노즐부(50)의 공급배관(54)에 연결되어 공정가스(G)를 후술할 노즐부(50)의 분사부(52)로 제공한다. 여기서, 가스공급부(40)로부터 공급되는 공정가스(G)는 트리클로로실란(3염화실란: SiHCl3)과 모노실란(monosilane: SiH4) 중 어느 하나와 H2를 포함한다.
도 2는 도 1에 도시된 포집부, 노즐부 및 지지유닛의 평면도, 도 3은 도 1에 도시된 냉각유닛 영역의 평면도, 그리고 도 4는 도 2에 도시된 Ⅳ-Ⅳ 영역의 전개 정면도이다.
노즐부(50)는 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 챔버(10) 하부 측에 배치되고 가스공급부(40)와 연결되어 가스공급부(40)로부터 제공되는 공정가스(G)를 챔버(10) 내부로 분사한다. 노즐부(50)는 챔버(10) 하부 측에 상향으로 공정가스(G)를 분사하고 포집부(60)를 중심으로 등각을 가지며 방사상으로 복수개가 배치된다. 본 발명의 노즐부(50)는 분사부(52) 및 공급배관(54)을 포함한다.
분사부(52)는 공정가스(G)가 챔버(10) 내부로 분사되는 방향의 상류 측으로부터 하류 측으로 갈수록 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련된다. 즉, 분사부(52)는 베이스 플레이트(20)의 판면에 대해 또는 챔버(10)의 상부 측의 밀폐된 판면에 대해 일정 경사 각도를 갖도록 마련된다. 예를 들어, 분사부(52)는 10도 내지 80도의 경사 각도를 갖도록 마련된다. 이렇게, 분사부(52)는 공정가스(G)의 분사방향의 상류 측으로부터 하류 측으로 갈수록 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련됨으로써, 챔버(10) 내부로 분사되는 공정가스(G)의 분사 범위를 확장할 수 있는 장점이 있다.
공급배관(54)은 가스공급부(40)와 분사부(52) 사이를 상호 연결하며, 가스공급부(40)로부터의 공정가스(G)를 분사부(52)로 안내한다. 공급배관(54)에는 가스공급부(40)로부터 제공되는 공정가스(G)의 유로를 개폐할 수 있는 미도시된 개폐유닛이 배치된다. 개폐유닛은 체크 밸브 등과 같이 공지된 다양한 밸브 등이 사용될 수 있다.
한편, 공급배관(54)의 지름이 챔버(10) 내부에 공급되는 시드 보다 클 경우, 분사부(52)와 공급배관(54) 사이에는 분사부(52)를 통해 공급배관(54)으로 시드가 유입되는 것을 차단하는 차단장치(미도시)가 마련되는 것이 바람직하다. 물론, 공급배관(54)의 지름이 시드 보다 작을 경우는 추가적인 차단장치는 불필요하다.
포집부(60)는 챔버(10) 내외부를 관통하도록 배치된다. 포집부(60)는 챔버(10) 내부에서 시드와 반응물의 증착에 의해 생성된 폴리실리콘을 포집하도록 챔버(10) 내부로부터 외부로 폴리실리콘을 배출한다. 포집부(60)는 본 발명의 일 실시 예로서, 포집관(62) 및 퍼지가스 공급배관(64)을 포함한다.
포집관(62)은 챔버(10) 내외부를 관통하도록 배치되며, 또한 방사상으로 배치된 복수개의 노즐부(50) 중심 영역에 배치된다. 상세하게 설명하면, 복수개의 노즐부(50)가 포집관(62)을 방사상으로 둘러싸는 것이다. 포집관(62)은 챔버(10) 내부에서 생성된 일정 크기의 폴리실리콘 입자를 포집하기 위하여 노즐부(50) 보다 큰 지름을 갖도록 마련됨과 더불어 노즐부(50) 보다 챔버(10) 상부 측을 향해 더 높은 위치에 배치된다. 이렇게, 포집관(62)이 노즐부(50) 대비 더 큰 지름을 가짐과 함께 더 높은 위치에 배치됨으로써, 챔버(10) 내부에서 생성된 폴리실리콘의 포집을 용이하게 할 수 있다.
퍼지가스 공급배관(64)은 포집관(62)과 퍼지가스 공급부(70)를 상호 연결한다. 퍼지가스 공급배관(64)은 포집관(62)으로 퍼지가스(P)를 안내하여 포집관(62) 내부로 유입된 공정가스(G)가 포집관(62) 내표면에 흡착되는 것을 방지한다.
퍼지가스 공급부(70)는 퍼지가스 공급배관(64)에 연결되어 포집관(62)으로 퍼지가스(P)를 공급한다. 여기서, 퍼지가스 공급부(70)로부터 공급되는 퍼지가스(P)는 H2가 사용된다. 본 발명에서 사용되는 H2의 퍼지가스(P)는 일 실시 예일 뿐, 포집관(62)의 내표면에 공정가스(G)가 흡착되는 것을 방지할 수 있는 공지된 다양한 퍼지가스(P)가 사용될 수 있다.
폴리실리콘 수령부(80)는 포집관(62)에 연결된다. 정확하게 설명하면 폴리실리콘 수령부(80)는 챔버(10) 외부로 연장된 포집관(62)에 연결되어 포집관(62)을 통해 이송되는 폴리실리콘을 수령한다. 여기서, 폴리실리콘 수령부(80)와 포집관(62) 사이에는 폴리실리콘의 이송로를 개폐하는 개폐유닛(미도시)이 배치될 수 있다.
지지유닛(90)은 챔버(10)가 외부로부터 밀폐되도록 챔버(10)의 하부 측과 베이스 플레이트(20)의 상부 측 사이에 배치된다. 지지유닛(90)은 챔버(10)와 연통된 노즐부(50) 및 포집부(60)를 지지한다. 지지유닛(90)은 내부에서 지지되는 노즐부(50) 및 포집부(60)로 냉각유닛(120)의 냉각열이 전달될 수 있는 재질로 마련되는 것이 바람직하다.
여기서, 챔버(10)와 노즐부(50) 및 포집부(60)를 지지하는 지지유닛(90)은 체결핀(100)에 의해 체결된다. 체결핀(100)은 일 실시 예일 뿐, 공지된 다양한 체결 구성이 사용될 수 있다. 이와 같이, 챔버(10)와 지지유닛(90)은 체결핀(100)에 의해 상호 분리 가능하게 체결될 수 있으므로, 챔버(10)의 내부 청소와 같은 장비 유지 편의성을 확보할 수 있다.
다음으로 가이드부(110)는 지지유닛(90)의 판면의 노즐부(50)와 포집부(60) 사이 및 방사상으로 배치된 노즐부(50)들 사이에 돌출 형성된다. 가이드부(110)는 노즐부(50)와 포집부(60) 사이 및 방사상으로 배치된 노즐부(50)들 사이에서 발생하는 공정가스(G)의 와류를 저지하여 공정가스(G)가 침전되는 데드존을 최소화 한다. 또한 가이드부(110)는 공정가스(G)를 챔버(10) 내부로 안내하는 역할도 한다.
상세히 설명하면, 노즐부(50)와 포집부(60) 사이 및 방사상으로 배치되는 노즐부(50)들 사이에는 일정 경사각도를 갖는 스커트 형상의 노즐부(50)의 분사부(52)로 분사되는 공정가스(G)가 분사되지 않고 와류되는 데드존이 형성된다. 이렇게 데드존이 형성될 경우, 공정가스(G)의 침전이 발생되어 전체적인 폴리실리콘 제조의 수율을 저하시킬 수 있으므로, 데드존 영역에 가이드부(110)를 형성하여 공정가스(G) 침전 방지와 함께 챔버(10) 내부로 분사된 공정가스를 균일하게 안내할 수 있는 장점이 있다.
냉각유닛(120)은 지지유닛(90)의 외부면을 감싸도록 마련된다. 냉각유닛(120)은 노즐부(50) 및 노즐부(50)의 내표면에 공정가스(G)가 흡착되는 것을 방지하도록 냉각열을 제공한다. 냉각유닛(120)에 의해 제공되는 냉각열은 지지유닛(90)을 통해 각각 노즐부(50) 및 포집부(60)로 전달된다. 냉각유닛(120)은 냉각자켓 또는 냉동사이클을 이용한 냉각열 발생장치로 구성될 수 있다.
단열유닛(130)은 냉각유닛(120)의 외부에 배치되어 냉각유닛(120)을 단열한다. 또한, 단열유닛(130)은 챔버(10) 외부에 배치되어 발열되는 히터로부터 열이 냉각유닛(120)에 흡수되는 것을 방지하도록 냉각유닛(120)을 단열한다. 단열유닛(130)은 발포제 등으로 형성된 것과 같은 공지된 다양한 제품이 사용될 수 있다.
이러한 구성에 의해 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기(1)의 작동 과정을 이하에서 살펴보면 다음과 같다.
우선, 시드공급부(30)를 작동하여 챔버(10) 내부로 시드를 공급한다. 챔버(10) 내부에 요구되는 시드가 공급된 후, 가스공급부(40)는 공정가스(G)를 노즐부(50)로 제공한다.
그러면, 가스공급부(40)로부터 공급된 공정가스(G)는 분사방향으로 스커트 형상을 갖는 노즐부(50)의 분사부(52)를 통해 챔버(10) 내부로 균일하게 분사된다. 이때, 노즐부(50)와 포집관(62) 사이 및 방사상으로 배치된 노즐부(50)들 사이에는 가이드부(110)가 마련되어 공정가스(G)의 와류를 최소화할 수 있음과 더불어 챔버(10) 내부 상으로 균일하게 공정가스를 분사할 수 있다.
공정가스(G)는 챔버(10) 내부에서 반응하며, 그 반응물은 시드에 증착되어 폴리실리콘으로 제조된다. 요구하는 폴리실리콘이 제조되면 포집관(62)을 통해 폴리실리콘을 수령한다.
상기한 일련의 과정은 순환 반복되어 폴리실리콘을 제조할 수 있다.
이에, 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 노즐부가 분사방향으로 상류 측으로부터 하류 측으로 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련되어 챔버 내부로 균일하게 공정가스를 분사할 수 있고, 이에 따라 챔버 내부에서 제조되는 폴리실리콘의 수율을 향상시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 챔버 50: 노즐부
52: 분사부 60: 포집부
62: 포집관 90: 지지유닛
110: 가이드부 120: 냉각유닛
130: 단열유닛
52: 분사부 60: 포집부
62: 포집관 90: 지지유닛
110: 가이드부 120: 냉각유닛
130: 단열유닛
Claims (8)
- 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기에 있어서,
외부로부터 공급되는 공정가스의 반응물이 증착되는 시드(seed)를 수용하는 챔버와;
상기 챔버 내외부를 관통하도록 배치되어, 상기 챔버 내부에서 상기 시드와 상기 반응물의 증착에 의해 생성된 상기 폴리실리콘을 포집하도록 상기 챔버 내부로부터 외부로 상기 폴리실리콘을 배출하는 포집부와;
상기 포집부에 인접하고 상기 챔버 하부 측에 배치되어, 상기 챔버 내부로 상기 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 노즐부를 포함하며,
상기 노즐부는 상기 공정가스가 상기 챔버 내부로 분사되는 분사방향의 상류 측으로부터 하류 측으로 갈수록 단면적이 증가되는 스커트 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기. - 제1항에 있어서,
상기 챔버가 외부로부터 밀폐되도록 상기 챔버의 하부 측에 배치되며, 상기 포집부와 상기 노즐부를 수용하는 지지유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기. - 제2항에 있어서,
상기 유동층 반응기는,
상기 지지유닛의 외부면을 감싸도록 마련되어, 상기 포집부 및 상기 노즐부의 내표면에서 상기 공정가스의 흡착을 저지하도록 상기 지지유닛을 냉각하는 냉각유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 노즐부는 상기 포집부를 중심으로 상호 등각을 이루며 방사상으로 복수개가 배치되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기. - 제4항에 있어서,
상기 유동층 반응기는,
상기 지지유닛 판면의 상기 포집부와 상기 노즐부들 사이 및 상기 노즐부들 사이에 배치되어, 상기 포집부와 상기 노즐부들 사이 및 상기 노즐부들 사이에 발생되는 상기 공정가스의 와류를 저지하여 상기 공정가스를 상기 챔버 내부로 안내하는 가이드부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기. - 제1항에 있어서,
상기 노즐부를 통해 분사되는 상기 공정가스는 트리클로로실란과 모노실란 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기. - 제1항에 있어서,
상기 포집부에는 상기 포집부로 유입되는 상기 공정가스를 퍼지하는 퍼지가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기. - 제3항에 있어서,
상기 유동층 반응기는,
상기 냉각유닛의 외부에 배치되어, 상기 냉각유닛을 단열하는 단열유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020120045373A KR20130122216A (ko) | 2012-04-30 | 2012-04-30 | 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기 |
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