KR20130108964A - Transfer apparatus and transfer method - Google Patents

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KR20130108964A
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카즈타카 타니구치
마사후미 카와고에
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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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    • B41FPRINTING MACHINES OR PRESSES
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    • B41F16/0093Attachments or auxiliary devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B41J3/00Typewriters or selective printing or marking mechanisms characterised by the purpose for which they are constructed
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Abstract

PURPOSE: A transferring device and a transferring method are provided to perform the pint-fitting of a photographing member based on the result of performing contrast enhancement in respect to images of an alignment mark, thereby enabling the pint-fitting under a bad photographing condition. CONSTITUTION: A transferring device includes a support (BL), a holding unit (3), a photographing unit, an image processing unit, and an alignment unit (42). The support supports a target object to be transferred on boards and a predetermined alignment mark on one surface. The holding member separates the boards from each other and holds the support while the surface of the support faces the board. The photographing member photographs the alignment mark from the other surface of the support via the support. The image processing member detects the alignment mark by image-processing images photographed by the photographing member. The alignment member adjusts the relative positions of the board and the support based on the detected alignment mark. The photographing member includes a focusing device for focusing on the alignment mark.

Description

전사장치 및 전사방법{TRANSFER APPARATUS AND TRANSFER METHOD}TRANSFER APPARATUS AND TRANSFER METHOD BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 담지체 표면에 담지(擔持)된 패턴 또는 박막을 기판에 전사하기 위한 전사장치 및 전사방법에 관한 것이다. 특히, 담지체에 담지된 얼라인먼트 마크의 촬상 결과에 의거하여 기판과 담지체와의 위치 맞춤을 행하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer apparatus and a transfer method for transferring a pattern or a thin film supported on a surface of a carrier to a substrate. In particular, the present invention relates to a technique for aligning a substrate and a carrier based on an imaging result of an alignment mark carried on a carrier.

기판 표면에 패턴 또는 박막을 형성하는 기술로서, 예를 들면, 평판상(平板狀)의 담지체(예를 들면 유리판)의 표면에 피전사물인 패턴 또는 박막을 일시적으로 담지시키고, 이것을 기판 표면에 밀착시켜 피전사물을 기판 표면에 전사하는 기술이 있다. 이러한 전사 기술에 있어서는, 피전사물을 기판 표면의 소정 위치에 적정하게 전사하기 위해서, 담지체와 기판 사이의 상대적인 위치를 맞추는 얼라인먼트 처리가 필요하다.As a technique for forming a pattern or a thin film on the surface of a substrate, for example, there is known a technique in which a pattern or a thin film as a transfer object is temporarily held on the surface of a flat plate-like carrier (for example, a glass plate) And transferring the transferred object to the surface of the substrate. In such transfer technology, in order to appropriately transfer a transfer object to a predetermined position on the surface of the substrate, alignment processing for aligning the relative position between the carrier and the substrate is required.

이러한 용도에 이용 가능한 얼라인먼트 기술로서는, 예를 들면 일본특허공개 2004-151653호 공보에 기재한 것이 있다. 이 기술에서는, 접합할 2개의 기판의 각각의 표면에 얼라인먼트 마크를 형성하여 두고, 이들을 촬상 수단(예를 들면 CCD 카메라)으로 촬상한 화상에 기초하여 얼라인먼트 처리를 행한다. 구체적으로는, 양 기판을 얼라인먼트 마크 형성면끼리 대향하도록 배치한 상태에서, 투명한 한쪽 기판을 통하여 얼라인먼트 마크의 촬상을 행한다. 그리고, 촬상된 화상으로부터 검출되는 양 얼라인먼트 마크의 위치 관계에 기초하여, 기판간의 상대 위치를 조정한다. 이 기술은 2매의 기판을 접합할 때의 얼라인먼트 처리에 관한 것이지만, 한쪽 기판을 담지체로 치환함으로써, 피전사물을 담지하는 담지체를 기판의 소정 위치에 겹쳐서 피전사물을 전사할 때의 위치 맞춤에도 적합하게 적용 가능한 기술이다.An alignment technique that can be used for this purpose is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-151653. In this technique, alignment marks are formed on the respective surfaces of two substrates to be bonded, and alignment processing is performed based on an image obtained by imaging them (for example, a CCD camera). More specifically, both of the substrates are arranged so that the alignment mark formation surfaces are opposed to each other, and the alignment marks are imaged through the transparent one substrate. Based on the positional relationship of the both alignment marks detected from the captured image, the relative position between the substrates is adjusted. This technique relates to an alignment process for joining two substrates. However, by replacing one substrate with a supporting body, it is possible to achieve a positioning even when the supporting body which carries the transferred object is superimposed on a predetermined position of the substrate and the transferred object is transferred It is a suitably applicable technology.

이러한 전사 기술에서는, 촬상 결과로부터 얼라인먼트 마크의 위치 검출을 고정밀도로 행하기 때문에, 촬상 수단의 핀트를 얼라인먼트 마크에 맞출 필요가 있다. 그러나, 기판, 담지체 및 피전사물의 광학적 특성이나 그들 위치 관계로부터, 양호한 촬상 환경을 확보하는 것이 어려운 경우가 있다. 예를 들면 얼라인먼트 마크의 뒤쪽에 배치된 기판으로부터의 반사광량은 기판의 재질이나 표면 상태, 담지체와 기판과의 거리 등에 따라 변화하고, 이에 의해 얼라인먼트 마크로부터 촬상 수단에 입사되는 광량이 크게 변동한다. 또 예를 들면, 특히 얼라인먼트 마크가 피전사물과 동일한 재료에 의해 형성될 때, 그 재료로서 광학적 특성이 담지체에 가까운 것이 이용되는 경우가 있다.In such a transfer technique, since the position detection of the alignment mark is performed with high accuracy from the imaging result, it is necessary to match the focus of the imaging means with the alignment mark. However, there are cases where it is difficult to secure a good imaging environment from the optical characteristics and the positional relationship between the substrate, the carrier and the transfer object. For example, the amount of light reflected from the substrate disposed behind the alignment mark changes depending on the material and surface state of the substrate, the distance between the support and the substrate, and thereby the amount of light incident on the imaging means from the alignment mark largely fluctuates . Further, for example, when the alignment mark is formed of the same material as the object to be transferred, the material whose optical property is close to the support may be used as the material.

이러한 경우, 얼라인먼트 마크를 충분한 광량 및 콘트라스트로 촬상하는 것이 어려워지는 일이 있다. 특히, 핀트 맞춤이 완료되지 않은 상태에서는, 촬상된 화상으로부터 얼라인먼트 마크를 인식하는 것 자체가 어렵고, 이에 의해, 촬상 수단의 핀트 맞춤을 적절히 행하지 못하여 기판과 담지체와의 위치 맞춤에 지장을 초래하는 경우가 있었다. 상기한 특허문헌 1에 기재한 것을 포함하여, 종래의 기술에 있어서는, 이러한 문제에 대한 대응이 이루어지지 않았었다.In this case, it may become difficult to capture the alignment mark with sufficient light quantity and contrast. In particular, in a state in which the focusing is not completed, it is difficult to recognize the alignment mark from the picked-up image itself, and thus, the focusing of the imaging means cannot be performed properly, which causes a problem in the alignment between the substrate and the supporting member. There was a case. In the prior art including the one described in the above-mentioned Patent Document 1, there has been no response to such a problem.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 담지체에 담지된 피전사물을 기판에 전사하는 기술에 있어서, 양호한 촬상 환경의 확보가 어려운 경우에서도, 기판과 담지체와의 위치 맞춤을 정밀도 좋게 행할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a technique for accurately aligning a substrate and a carrier, even in a case where it is difficult to secure a good imaging environment in a technique of transferring a non- It is aimed to provide the technology that exists.

본 발명의 하나의 형태는 피전사물로서의 패턴 또는 박막을 기판에 전사하는 전사장치로서, 상기 목적을 달성하기 위해, 상기 기판에 전사할 상기 피전사물 및 소정의 얼라인먼트 마크를 한쪽 표면에 담지하는 담지체와, 상기 기판을, 서로 이간하고, 또한 상기 담지체의 상기 한쪽 표면을 상기 기판에 대향시킨 상태로 유지하는 유지 수단과, 상기 담지체의 상기 한쪽 표면과는 반대의 표면측으로부터, 상기 담지체를 통하여 상기 얼라인먼트 마크를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단이 촬상한 화상으로부터 화상 처리에 의해 상기 얼라인먼트 마크를 검출하는 화상처리 수단과, 검출된 상기 얼라인먼트 마크에 기초하여 상기 기판과 상기 담지체와의 상대 위치를 조정하는 얼라인먼트 수단을 구비하고, 상기 촬상 수단은 상기 얼라인먼트 마크에 핀트를 맞추기 위한 포커스 조정기구를 갖고, 그 포커스 조정기구는 상기 화상처리 수단에 의해 콘트라스트 강조 처리가 실시된 상기 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하여 핀트 맞춤을 행하는 것을 특징으로 하고 있다.One aspect of the present invention is a transfer apparatus for transferring a pattern or a thin film as a transfer object to a substrate, in order to achieve the above object, a carrier for supporting the transfer object to be transferred to the substrate and a predetermined alignment mark on one surface thereof. And holding means for keeping the substrate apart from each other and holding the one surface of the carrier facing the substrate, and the carrier from the surface side opposite to the one surface of the carrier. Image pickup means for picking up the alignment mark via the image pickup means, image processing means for detecting the alignment mark from the image picked up by the image pickup means by image processing, the substrate and the carrier on the basis of the detected alignment mark; Alignment means for adjusting a relative position of said imaging means, said imaging means being pinned to said alignment mark And a focus adjusting mechanism for adjusting the focus, and the focus adjusting mechanism performs focusing on the basis of the image of the alignment mark subjected to contrast enhancement processing by the image processing means.

또한, 본 발명의 다른 형태는 피전사물로서의 패턴 또는 박막을 기판에 전사하는 전사방법으로서, 상기 목적을 달성하기 위해, 한쪽 표면에 상기 피전사물을 담지하는 담지체와, 상기 기판을 서로 이간한 상태에서, 또한 상기 담지체의 상기 한쪽 표면을 상기 기판을 향하여 대향 배치하는 배치 공정과, 상기 담지체의 상기 한쪽 표면과는 반대의 표면측에 배치한 촬상 수단에 의해, 상기 담지체의 상기 한쪽 표면에 담지된 얼라인먼트 마크를 상기 담지체를 통하여 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 상기 촬상 수단의 핀트를 상기 얼라인먼트 마크에 맞추는 핀트 맞춤 공정과, 상기 촬상 수단의 핀트를 상기 얼라인먼트 마크에 맞춘 상태에서, 상기 얼라인먼트 마크와 상기 기판에 형성된 기판측 얼라인먼트 마크를 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 상기 기판과 상기 담지체와의 상대 위치를 조정하는 얼라인먼트 공정과, 상대 위치가 조정된 상기 기판과 상기 담지체를 서로 밀착시켜서, 상기 피전사물을 상기 담지체로부터 상기 기판에 전사하는 전사 공정을 구비하고, 상기 핀트 맞춤 공정에서는, 상기 얼라인먼트 마크를 촬상한 화상에 대하여 콘트라스트 강조 처리를 행하고, 그 처리 후의 화상으로부터 상기 얼라인먼트 마크를 검출하는 것을 특징으로 하고 있다.Another aspect of the present invention is a transfer method for transferring a pattern or a thin film as a transfer object to a substrate, in order to achieve the above object, a carrier supporting the transfer object on one surface and a state in which the substrate is separated from each other. The surface of the carrier is further provided by an arranging step in which the one surface of the carrier is disposed to face the substrate, and an imaging means arranged on the surface side opposite to the one surface of the carrier. An image of the alignment mark supported on the image pickup member, and a focusing step of bringing the focus of the imaging means into alignment with the alignment mark based on the result of the imaging, and the state of focusing the focus of the imaging means into the alignment mark. The image of the alignment mark and the substrate-side alignment mark formed on the substrate is imaged, and the image is based on the image pickup result. An alignment step of adjusting a relative position between the substrate and the carrier; and a transfer step of transferring the transfer object from the carrier to the substrate by bringing the substrate and the carrier in close contact with each other. In the focusing step, contrast enhancement processing is performed on an image obtained by photographing the alignment mark, and the alignment mark is detected from the image after the processing.

상기와 같이 구성된 발명에서는, 얼라인먼트 마크를 촬상하여 이루어지는 화상에 대하여 콘트라스트 강조 처리가 이루어진다. 이에 의해, 예를 들면 광량이 충분하지 않거나 얼라인먼트 마크와 담지체와의 사이에 광학적 특성의 차이가 작은 것에 기인하여 화상 콘트라스트가 낮은 경우에서도, 얼라인먼트 마크의 검출을 용이하게 할 수 있다.In the invention constituted as described above, contrast enhancement processing is performed on an image formed by picking up an alignment mark. This makes it easy to detect the alignment mark even when the image contrast is low, for example, due to the insufficient amount of light or the small difference in optical characteristics between the alignment mark and the carrier.

콘트라스트 강조를 행함으로써 촬상 결과에 포함되는 노이즈까지 강조하여 버리는 일이 염려된다. 그러나, 얼라인먼트 마크의 형상이나 크기는 미리 알고 있기 때문에, 이러한 이미 알려진 정보를 검출에 반영시킴으로써, 노이즈의 영향을 배제하는 것이 가능하다. 또 핀트 맞춤의 단계에서는, 얼라인먼트 마크의 위치나 그 화상 농도 등의 정량적인 정보는 반드시 필요하지 않아, 화상으로부터 얼라인먼트 마크가 안정적으로 검출 가능한 상태인지 아닌지를 판정할 수 있으면 충분하다. 이러한 것으로부터, 촬상된 화상에 대하여 콘트라스트 강조를 행한 결과에 기초하여 핀트 맞춤을 행함으로써, 양호한 촬상 환경이 아닌 환경하에서도, 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하는 촬상 수단의 핀트 맞춤을 양호하게 행할 수 있다. 그 때문에, 본 발명에서는, 핀트가 맞은 상태에서 촬상된 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하여, 기판과 담지체와의 위치 맞춤을 고정밀도로 행할 수 있다.It is feared that contrast emphasis is performed to emphasize the noise included in the imaging result. However, since the shape and size of the alignment mark are known in advance, it is possible to eliminate the influence of noise by reflecting such known information to the detection. In the focusing step, quantitative information such as the position of the alignment mark and the image density thereof is not necessarily required, and it is sufficient to determine whether or not the alignment mark can be stably detected from the image. From this, focusing is performed based on the result of contrast-enhancing the picked-up image, whereby the focusing of the imaging means based on the image of the alignment mark can be satisfactorily performed even in an environment not in a good imaging environment. . Therefore, in this invention, the alignment of a board | substrate and a support body can be performed with high precision based on the image of the alignment mark imaged in the state which the pint was fitted.

이러한 발명에 있어서는, 예를 들면, 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분을 강조하는 처리를 포함하는 콘트라스트 강조 처리를 행하도록 하여도 좋다. 촬상한 화상에 얼라인먼트 마크가 명료하게 나타나 있으면, 화상에는, 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분이 많이 포함되게 된다. 상기 한 바와 같이, 얼라인먼트 마크의 형상이나 크기는 이미 알려져 있기 때문에, 그 공간주파수 성분도 이미 알려져 있다. 따라서, 그들의 성분을 특히 강조하는 처리, 예를 들면 해당 성분을 추출하는 필터 처리를 행함으로써, 노이즈 성분을 포함하는 화상으로부터 얼라인먼트 마크에 대응하는 성분을 선택적으로 검출하는 것이보다 용이하게 된다.In such an invention, for example, the contrast emphasis process including the process of emphasizing the spatial frequency component corresponding to the shape of the alignment mark may be performed. If the alignment mark is clearly displayed on the captured image, the image includes a large amount of spatial frequency components corresponding to the shape of the alignment mark. As described above, since the shape and size of the alignment mark are already known, the spatial frequency component is already known. Therefore, it becomes easier to selectively detect the component corresponding to the alignment mark from the image including the noise component, by performing the process of particularly emphasizing the components, for example, the filter process for extracting the component.

그리고, 예를 들면 필터 처리 후의 얼라인먼트 마크의 화상 데이터에 1보다 큰 계수를 곱함으로써, 얼라인먼트 마크에 대응하는 신호와 노이즈 레벨과의 차이를 보다 확대하여, 화상에서의 얼라인먼트 마크의 콘트라스트를 더 강조할 수 있다.Then, for example, by multiplying the image data of the alignment mark after the filtering process by a coefficient larger than 1, the difference between the signal corresponding to the alignment mark and the noise level is further enlarged to further emphasize the contrast of the alignment mark in the image .

또 예를 들면, 촬상 수단의 포커스 위치를 다단계로 변경 설정하면서 그때마다 얼라인먼트 마크의 촬상을 행하고, 그 촬상 결과에 대하여 콘트라스트 강조 처리를 행한 화상 중, 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분을 가장 많이 포함하는 것에 대응하는 위치에, 촬상 수단의 포커스 위치를 조정하도록 하여도 좋다. 이와 같이 함으로써, 촬상 수단의 포커스 위치가 얼라인먼트 마크를 가장 선명하게 촬상하는 위치로 조정되고, 이후의 촬상에 있어서는 얼라인먼트 마크에 핀트가 맞은 상태에서 촬상을 행할 수 있다. 이에 의해, 얼라인먼트 마크의 위치 검출 정밀도가 향상되고, 위치 검출 결과에 기초하는 기판과 담지체와의 위치 맞춤을 고정밀도로 행하는 것이 가능하게 된다.For example, an image of an alignment mark is taken each time while changing and setting the focus position of the imaging means in multiple stages, and the spatial frequency component corresponding to the shape of the alignment mark is most simulated among the images subjected to contrast enhancement processing on the imaging result. You may make it adjust the focus position of an imaging means to the position corresponding to many containing. By doing in this way, the focus position of an imaging means is adjusted to the position which image | photographs an alignment mark most clearly, and image pick-up can be performed in the state in which the focus was matched with the alignment mark in subsequent imaging. As a result, the position detection accuracy of the alignment mark is improved, and alignment of the substrate and the carrier based on the position detection result can be performed with high accuracy.

즉, 이와 같이 하여 촬상 수단의 핀트가 얼라인먼트 마크에 맞추어진 상태에서, 촬상 수단이 담지체에 담지된 얼라인먼트 마크와 기판에 형성된 기판측 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 그리고, 담지체의 얼라인먼트 마크와 기판측 얼라인먼트 마크와의 상대 위치의 검출 결과에 기초하여, 기판과 담지체와의 상대 위치가 조정됨으로써, 기판과 담지체와의 위치 맞춤을 고정밀도로 행할 수 있다.That is, in this way, the image pickup means picks up the alignment mark supported by the support body, and the board | substrate side alignment mark formed in the board | substrate in the state in which the focus of the imaging means was aligned with the alignment mark. The relative position between the substrate and the carrier is adjusted based on the detection result of the relative position between the alignment mark of the carrier and the substrate-side alignment mark, whereby the alignment between the substrate and the carrier can be performed with high accuracy.

또한 상기 발명에 있어서는, 예를 들면, 기판과 담지체를 대향 배치함에 앞서서, 담지체의 한쪽 주면(主面)에 피전사물과 동일 재료에 의해 얼라인먼트 마크를 피전사물과 함께 형성하도록 하여도 좋다. 이와 같이 하면, 피전사물과 함께 형성된 얼라인먼트 마크에 기초하여 기판과 담지체가 위치 맞춤되므로, 결과적으로 피전사물과 기판과의 위치 관계가 고정밀도로 조정되게 된다. 이에 의해, 피전사물을 기판상의 적정 위치에 전사한다는 최종적인 목적이 달성되게 된다.Further, in the above invention, for example, the alignment mark may be formed on the main surface of the support body with the transfer object by the same material as that of the transfer target before the substrate and the carrier are arranged facing each other. In this case, the substrate and the supporting body are aligned based on the alignment mark formed with the transfer object, so that the positional relationship between the transfer object and the substrate can be adjusted with high accuracy. Thereby, the final object of transferring the transferred object to the proper position on the substrate is achieved.

얼라인먼트 마크가 피전사물과 동일 재료로 형성됨으로써, 얼라인먼트 마크로서의 식별하기 쉬운 점은 피전사물의 재료에 의존하게 된다. 따라서, 재료에 따라서는 반드시 양호한 콘트라스트가 얻어지지 않을 수도 있지만, 본 발명을 적용함으로써, 그러한 경우에서도 적정하게 핀트 맞춤을 행하는 것이 가능하다. 그리고, 이와 같이 하여 핀트가 맞은 상태에서 촬상된 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하여, 기판과 담지체와의 위치 맞춤을 고정밀도로 행할 수 있다.Since the alignment mark is formed of the same material as that of the transfer object, the easy identification of the alignment mark depends on the material of the transfer object. Therefore, although a good contrast may not necessarily be obtained depending on a material, even if it applies in this case, it is possible to perform a focusing suitably in such a case. And based on the image of the alignment mark image | photographed in the state where a pint was fitted in this way, alignment of a board | substrate and a support body can be performed with high precision.

본 발명에 의하면, 얼라인먼트 마크를 촬상한 화상에 대하여 콘트라스트 강조를 행한 결과에 기초하여 촬상 수단의 핀트 맞춤을 행함으로써, 양호하지 않은 촬상 환경하에서도 적절히 핀트 맞춤을 행하는 것이 가능하다. 그리고, 이와 같이 하여 핀트 맞춤이 이루어진 상태에서 촬상한 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하여, 본 발명에서는, 기판과 담지체와의 사이의 위치 맞춤을 고정밀도로 행할 수 있다.According to the present invention, the focusing of the imaging means is performed on the basis of the result of the contrast emphasis on the image picked up the alignment mark, so that the focusing can be appropriately performed even in a poor imaging environment. And based on the image of the alignment mark imaged in the state in which the focus alignment was performed in this way, in this invention, alignment between a board | substrate and a support body can be performed with high precision.

도 1은 본 발명에 따른 전사장치를 장비(裝備)하는 인쇄장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 인쇄장치의 단면(斷面)을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 장치의 전기적 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 4는 도 1의 인쇄장치의 전체 동작을 나타내는 플로우 차트이다.
도 5는 얼라인먼트 스테이지의 상세 구조를 나타내는 도면이다.
도 6은 촬상부의 상세 구조를 나타내는 도면이다.
도 7(a) 내지 도 7(c)는 얼라인먼트 마크의 패턴의 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 정밀 얼라인먼트 동작을 위한 얼라인먼트 마크의 배치를 나타내는 도면이다.
도 9(a) 내지 도 9(c)는 CCD 카메라로 촬상된 화상의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 정밀 얼라인먼트 동작의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.
도 11은 핀트 맞춤 동작을 나타내는 플로우 차트이다.
도 12는 콘트라스트 강조된 화상 데이터의 예를 나타내는 도면이다.
도 13(a)와 도 13(b)는 얼라인먼트 마크의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a perspective view showing a printing apparatus equipped with a transfer apparatus according to the present invention.
Fig. 2 is a diagram schematically showing a cross section of the printing apparatus shown in Fig. 1. Fig.
3 is a block diagram showing an electrical configuration of the apparatus of FIG.
4 is a flowchart showing the overall operation of the printing apparatus of Fig.
5 is a view showing a detailed structure of an alignment stage.
6 is a diagram showing the detailed structure of the imaging unit.
Figs. 7 (a) to 7 (c) are diagrams showing examples of patterns of alignment marks. Fig.
8 is a view showing the arrangement of alignment marks for precise alignment operation.
9 (a) to 9 (c) are views showing an example of an image taken by a CCD camera.
10 is a flowchart showing the flow of processing of the precision alignment operation.
Fig. 11 is a flowchart showing the focus fitting operation.
12 is a diagram showing an example of image data emphasized by contrast.
Figs. 13 (a) and 13 (b) are diagrams for explaining the arrangement of the alignment marks. Fig.

도 1은 본 발명에 따른 전사장치를 장비하는 인쇄장치를 나타내는 개략 사시도이며, 장치 내부의 구성을 명시하기 위해, 장치 커버를 제외한 상태로 도시하고 있다. 또한, 도 2는 도 1에 나타내는 인쇄장치의 단면을 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 3은 도 1의 장치의 전기적 구성을 나타내는 블럭도이다. 이 인쇄장치(100)는 장치의 좌측면측으로부터 장치 내부에 반입되는 판(版)(PP)의 하면에 대하여, 장치의 정면측으로부터 장치 내부에 반입되는 블랭킷의 상면을 밀착시킨 후에 박리함으로써, 판(PP)의 하면에 형성된 패턴에 의해 블랭킷 상의 도포층을 패터닝하여 패턴층을 형성한다(패터닝 처리). 또한, 인쇄장치(100)는 장치의 우측면측으로부터 장치 내부에 반입되는 기판(SB)의 하면에 대하여, 패터닝 처리된 블랭킷의 상면을 밀착시킨 후에 박리함으로써, 그 블랭킷에 형성된 패턴층을 기판(SB)의 하면에 전사한다(전사 처리). 또한 도 1 및 이후에 설명하는 각 도면에서는, 장치 각 부(部)의 배치 관계를 명확하게 하기 위해, 판(PP) 및 기판(SB)의 반송 방향을 「X방향」이라고 하고, 도 1의 오른쪽측으로부터 왼쪽측을 향하는 수평 방향을 「+X방향」이라고 칭하고, 역방향을 「-X방향」이라고 칭한다. 또한, X방향과 직교하는 수평 방향 중, 장치의 정면측을 「+Y방향」이라고 칭함과 함께, 장치의 배면측을 「-Y방향」이라고 칭한다. 또한, 연직 방향에서의 윗 방향 및 아래 방향을 각각 「+Z방향」 및 「-Z방향」이라고 칭한다.Fig. 1 is a schematic perspective view showing a printing apparatus equipped with a transfer apparatus according to the present invention, and shows a state in which a device cover is removed in order to specify a configuration inside the apparatus. Fig. 2 is a diagram schematically showing a cross section of the printing apparatus shown in Fig. 1. Fig. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of the apparatus of FIG. The printing apparatus 100 is configured such that the upper surface of the blanket brought into the apparatus from the front side of the apparatus is adhered to the lower surface of the plate (PP) brought into the apparatus from the left side of the apparatus, A pattern layer is formed by patterning the coating layer on the blanket by a pattern formed on the lower surface of the substrate PP (patterning processing). Further, the printing apparatus 100 separates the pattern layer formed on the blanket by peeling the upper surface of the patterned blanket against the lower surface of the substrate SB loaded into the apparatus from the right side of the apparatus, (Transferring process). 1 and the subsequent drawings, the conveying direction of the plate PP and the substrate SB is referred to as the " X direction " in order to clarify the arrangement relationship of the respective units of the apparatus, The horizontal direction from the right side to the left side will be referred to as "+ X direction", and the reverse direction will be referred to as "-X direction". Of the horizontal directions orthogonal to the X direction, the front side of the apparatus is referred to as a "+ Y direction" and the back side of the apparatus is referred to as "-Y direction". The upward and downward directions in the vertical direction are referred to as "+ Z direction" and "-Z direction", respectively.

이 인쇄장치(100)에서는, 석정반(石定盤)(1) 상에 장치 각 부(반송부(2), 상측 스테이지부(3), 얼라인먼트부(4), 하측 스테이지부(5), 누름부(7), 프리얼라인먼트부(8), 제전부(9))가 설치되어 있고, 제어부(6)가 장치 각 부를 제어한다.In this printing apparatus 100, the apparatus parts (the carrying unit 2, the upper stage unit 3, the alignment unit 4, the lower stage unit 5, A pressing section 7, a pre-aligning section 8, and a discharging section 9), and the control section 6 controls each section of the apparatus.

반송부(2)는 판(PP) 및 기판(SB)을 X방향으로 반송하는 장치이며, 다음과 같이 구성되어 있다. 이 반송부(2)에서는, 석정반(1)의 상면의 우측 후방 모퉁이부 및 좌측 후방 모퉁이부로부터 2개의 브라켓(도시 생략)이 입설(立設)되어 있다. 그리고, 이들 2개의 브라켓의 상단부를 서로 연결하도록 볼나사기구(21)가 좌우 방향, 즉 X방향으로 연장 설치되어 있다. 이 볼나사기구(21)에 있어서는, 볼나사(도시 생략)가 X방향으로 뻗어 있고, 그 한쪽 끝에는, 셔틀 수평 구동용의 모터(M21)의 회전축(도시 생략)이 연결되어 있다. 또한, 볼나사의 중앙부에 대하여 볼나사 브라켓(도시 생략)이 나사결합됨과 함께, 그 볼나사 브라켓의 (+Y)측면에 대하여 X방향으로 연장 설치된 셔틀 유지 플레이트(22)가 장착되어 있다.The conveyance part 2 is an apparatus which conveys the board PP and the board | substrate SB to an X direction, and is comprised as follows. In this carry section 2, two brackets (not shown) are erected from the right rear corner and the left rear corner of the upper face of the stone basin 1. The ball screw mechanism 21 is extended in the lateral direction, that is, in the X direction so as to connect the upper ends of the two brackets to each other. In the ball screw mechanism 21, a ball screw (not shown) extends in the X direction, and a rotary shaft (not shown) of a motor M21 for shuttle horizontal driving is connected to one end of the ball screw mechanism. A ball screw bracket (not shown) is screwed to the center of the ball screw, and a shuttle holding plate 22 extending in the X direction with respect to the (+ Y) side surface of the ball screw bracket is mounted.

이 셔틀 유지 플레이트(22)의 (+X)측 단부에 판용 셔틀(23L)이 연직 방향(Z)으로 승강 가능하게 설치되는 한편, (-X)측 단부에 기판용 셔틀(23R)이 연직 방향(Z)으로 승강 가능하게 설치되어 있다. 이러한 셔틀(23L, 23R)은 핸드의 회전기구를 제외하고, 동일 구성을 갖고 있기 때문에, 여기에서는, 판용 셔틀(23L)의 구성을 설명하고, 기판용 셔틀(23R)에 대하여는 동일 부호 또는 상당하는 부호를 붙여 구성 설명을 생략한다.The plate shuttle 23L is provided so as to be movable up and down in the vertical direction Z on the (+ X) side end of the shuttle holding plate 22 while the shuttle 23R for the board is provided in the Z). Since the shuttles 23L and 23R have the same configuration except for the rotation mechanism of the hand, the configuration of the plate shuttle 23L will be described here, and the same reference numerals And a description thereof will be omitted.

셔틀(23L)은 X방향으로 판(PP)의 폭 크기(X방향 크기)와 동일한 정도, 혹은 약간 길게 뻗는 승강 플레이트(231)와 승강 플레이트(231)의 (+X)측 단부 및 (-X)측 단부로부터 각각 전측(前側) 즉, (+Y)측에 연장 설치된 2개의 판용 핸드(232, 232)를 갖고 있다. 승강 플레이트(231)는 볼나사기구(도시 생략)를 통하여 셔틀 유지 플레이트(22)의 (+X)측 단부에 승강 가능하게 장착되어 있다. 즉, 셔틀 유지 플레이트(22)의 (+X)측 단부에 대하여, 볼나사기구가 연직 방향(Z)으로 연장 설치되어 있다. 이 볼나사기구의 하단에는, 판용 셔틀 승강 모터(M22L)(도 3)에 회전축(도시 생략)이 연결되어 있다. 또한, 볼나사기구에 대하여 볼나사 브라켓(도시 생략)이 나사결합됨과 함께, 그 볼나사 브라켓의 (+Y)측면에 대하여 승강 플레이트(231)가 장착되어 있다. 이 때문에, 제어부(6)의 모터 제어부(63)로부터의 동작 지령에 따라 판용 셔틀 승강 모터(M22L)가 작동함으로써, 승강 플레이트(231)가 연직 방향(Z)으로 승강 구동된다.The shuttle 23L is provided with a lifting plate 231 and a (+ X) side end portion of the lifting plate 231 and a (-X) side end portion of the lifting plate 231 which are approximately equal to or slightly longer than the width size And two plate hands 232 and 232 extending from the side end portions to the front side, i.e., the (+ Y) side, respectively. The elevating plate 231 is attached to the (+ X) side end of the shuttle holding plate 22 so that the elevating plate 231 can be elevated by a ball screw mechanism (not shown). That is, the ball screw mechanism is extended in the vertical direction Z with respect to the (+ X) side edge part of the shuttle holding plate 22. At the lower end of the ball screw mechanism, a rotating shaft (not shown) is connected to the plate shuttle lift motor M22L (FIG. 3). Further, a ball screw bracket (not shown) is screwed to the ball screw mechanism, and a lifting plate 231 is attached to the (+ Y) side surface of the ball screw bracket. For this reason, the plate shuttle elevating motor M22L operates in accordance with the operation instruction from the motor control unit 63 of the control unit 6, and the elevating plate 231 is driven up and down in the vertical direction Z.

각 핸드(232, 232)의 전후 크기(Y방향 크기)는 판(PP)의 길이 크기(Y방향 크기)보다 길고, 각 핸드(232, 232)의 선단측(+Y측)에서 판(PP)을 유지할 수 있게 되어 있다.The size of the front and back sides (Y direction size) of each of the hands 232 and 232 is longer than the length size (Y direction size) of the plate PP and the length of the plate PP from the front end side (+ Y side) And the like.

또한, 이와 같이 하여 판용 핸드(232, 232)로 판(PP)이 유지된 것을 검지하기 위해, 승강 플레이트(231)의 중앙부로부터 (+Y)측에 센서 브라켓을 통하여 판 검지용의 센서(도시 생략)가 장착되어 있다. 이 때문에, 양 핸드(232) 상에 판(PP)이 재치되면, 센서가 판(PP)의 후단부 즉, (-Y)측 단부를 검지하여, 검지 신호를 제어부(6)에 출력한다.In order to detect that the plate PP is held by the plate hands 232 and 232 in this way, a plate sensor (not shown) is attached to the (+ Y) side from the center of the lifting plate 231 through the sensor bracket Respectively. Therefore, when the plate PP is placed on both hands 232, the sensor detects the rear end of the plate PP, that is, the end on the (-Y) side, and outputs a detection signal to the control unit 6.

또한, 각 판용 핸드(232, 232)는 베어링(도시 생략)을 통하여 승강 플레이트(231)에 장착되어, 전후방향(Y방향)으로 뻗는 회전축을 회전 중심으로 하여 회전 가능하게 되어 있다. 또한, 승강 플레이트(231)의 X방향 양단에는, 회전 액츄에이터(RA2, RA2)(도 3)가 장착되어 있다. 이러한 회전 액츄에이터(RA2, RA2)는 가압 에어를 구동원으로 하여 동작하는 것이고, 가압 에어의 공급 경로에 개재되어 삽입된 밸브(도시 생략)의 개폐에 의해 180°단위로 회전 가능하게 되어 있다. 이 때문에, 제어부(6)의 밸브 제어부(64)에 의한 상기 밸브의 개폐를 제어함으로써, 판용 핸드(232, 232)의 한쪽 주면이 위쪽을 향하여 패터닝 전의 판(PP)을 취급하는데 적합한 핸드 자세(이하, 「미(未)사용 자세」라고 함)와, 다른 쪽 주면이 위쪽을 향하여 패터닝 후의 판(PP)을 취급하는데 적합한 핸드 자세(이하, 「사용이 끝난 자세」라고 함) 사이에서, 핸드 자세를 전환 가능하게 되어 있다. 이와 같이 핸드 자세의 전환기구를 갖고 있는 점이 판용 셔틀(23L)이 기판용 셔틀(23R)과 유일하게 다른 점이다.Each of the plate hands 232 and 232 is mounted on the lifting plate 231 via a bearing (not shown) and is rotatable about a rotational axis extending in the front-rear direction (Y direction) as a rotational center. Further, rotary actuators RA2 and RA2 (FIG. 3) are attached to both ends of the elevating plate 231 in the X direction. These rotary actuators RA2 and RA2 operate by using pressurized air as a driving source and are rotatable in units of 180 degrees by opening and closing valves (not shown) interposed in the supply path of the pressurized air. Therefore, by controlling the opening and closing of the valve by the valve control section 64 of the control section 6, one main surface of the plate hand 232, 232 is moved upwards in the hand posture ( (Hereinafter referred to as the "unused posture") and a hand posture suitable for handling the plate PP after patterning with the other main surface facing upward (hereinafter referred to as "used posture"), It is possible to switch the posture. The fact that the plate shuttle 23L is unique to the board shuttle 23R in that it has a mechanism for switching the hand posture as described above.

다음으로, 셔틀 유지 플레이트(22)에 대한 판용 셔틀(23L) 및 기판용 셔틀(23R)의 설치 위치에 관하여 설명한다. 이 실시형태에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 판용 셔틀(23L) 및 기판용 셔틀(23R)은 판(PP)이나 기판(SB)의 폭 크기(또한 실시형태에서는, 판(PP)과 기판(SB)의 폭 크기는 동일함)보다 긴 간격만큼 X방향으로 이간되어 셔틀 유지 플레이트(22)에 장착되어 있다. 그리고, 셔틀 수평 구동 모터(M21)의 회전축을 소정 방향으로 회전시키면, 양 셔틀(23L, 23R)은 상기 이간 거리를 유지한 채로 X방향으로 이동한다. 예를 들면 도 2에서는, 부호 XP23가 상측 스테이지부(3)의 바로 아래 위치를 나타내고 있고, 셔틀(23L, 23R)은 위치 XP23로부터 각각 (+X) 방향 및 (-X) 방향으로 등거리(이 거리를 「스텝 이동 단위」라고 함)만큼 떨어진 위치(XP22, XP24)에 위치하여 있다. 또한 본 실시형태에서는, 도 2에 나타내는 상태를 「중간 위치 상태」라고 칭한다.Next, the mounting positions of the plate shuttle 23L and the substrate shuttle 23R with respect to the shuttle holding plate 22 will be described. 2, the plate shuttle 23L and the substrate shuttle 23R are provided on the plate PP and the substrate SB in a widthwise dimension (in the embodiment, the plate PP and the substrate SB SB) are spaced apart from each other in the X direction by an interval longer than the width of the shuttle retaining plate 22. Then, when the rotation axis of the shuttle horizontal drive motor M21 is rotated in the predetermined direction, both shuttles 23L and 23R move in the X direction while maintaining the separation distance. For example, in Fig. 2, reference numeral XP23 denotes a position immediately below the upper stage portion 3, and the shuttles 23L and 23R are spaced equidistantly from the position XP23 in the (+ X) Quot; step movement unit "). In the present embodiment, the state shown in Fig. 2 is referred to as " intermediate position state ".

또한, 이 중간 위치 상태로부터 셔틀 수평 구동 모터(M21)의 회전축을 소정 방향으로 회전시켜 셔틀 유지 플레이트(22)를 스텝 이동 단위만큼 (+X) 방향으로 이동시키면, 기판용 셔틀(23R)이 (+X) 방향으로 이동하여 상측 스테이지부(3)의 바로 아래 위치 XP23까지 이동하여 위치 결정된다. 이 때, 판용 셔틀(23L)도 일체적으로 (+X) 방향으로 이동하고, 인쇄장치(100)의 (+X) 방향측에 배치되는 판세정장치(도시 생략)에 근접한 위치 XP21에 위치 결정된다.When the shuttle holding plate 22 is moved in the (+ X) direction by rotating the rotation axis of the shuttle horizontal drive motor M21 in the predetermined direction from the intermediate position state, the shuttle 23R for the substrate is moved in the + X ) And moves to a position XP23 immediately below the upper stage part 3 to be positioned. At this time, the plate shuttle 23L integrally moves in the (+ X) direction and is positioned at the position XP21 close to the plate cleaning apparatus (not shown) arranged on the (+ X) direction side of the printing apparatus 100.

반대로, 셔틀 수평 구동 모터(M21)의 회전축을 소정 방향과 반대의 방향으로 회전시켜 셔틀 유지 플레이트(22)를 스텝 이동 단위만큼 (-X) 방향으로 이동시키면, 판용 셔틀(23L)이 중간 위치 상태로부터 (-X) 방향으로 이동하여 상측 스테이지부(3)의 바로 아래 위치 XP23까지 이동하여 위치 결정된다. 이 때, 기판용 셔틀(23R)도 일체적으로 (-X) 방향으로 이동하고, 인쇄장치(100)의 (-X) 방향측에 배치되는 기판세정장치(도시 생략)에 근접한 위치 XP25에 위치 결정된다. 이와 같이 본 명세서에서는, X방향에서의 셔틀 위치로서 5개의 위치(XP21∼XP25)가 규정되어 있다. 즉, 판 주고받기 위치(XP21)는 판용 셔틀(23L)이 위치 결정되는 3개의 위치(XP21∼XP23) 중 가장 판세정장치에 근접하는 위치이며, 판세정장치와의 사이에 판(PP)의 반입출이 행해지는 X방향 위치를 의미하고 있다. 기판 주고받기 위치(XP25)는 기판용 셔틀(23R)이 위치 결정되는 3개의 위치(XP21∼XP25) 중 가장 기판세정장치에 근접하는 위치이며, 기판세정장치와의 사이에 기판(SB)의 반입출이 행해지는 X방향 위치를 의미하고 있다. 또한, 위치(XP23)는 상측 스테이지부(3)의 흡착 플레이트(34)가 연직 방향(Z)으로 이동하여 판(PP)이나 기판(SB)을 흡착 유지하는 X방향 위치를 의미하고 있다. 본 명세서에서는, 판용 셔틀(23L)이 X방향 위치(XP23)에 위치하여 있을 때, 그 위치(XP23)를 「판 흡착 위치(XP23)」라고 칭하는 한편, 기판용 셔틀(23R)이 X방향 위치(XP23)에 위치하고 있을 때, 그 위치(XP23)를 「기판 흡착 위치(XP23)」라고 칭한다. 또한, 이와 같이 셔틀(23L, 23R)에 의해 판(PP)이나 기판(SB)을 반송하는 연직 방향(Z)으로의 위치, 즉 높이 위치를 「반송 위치」라고 칭한다.Conversely, when the shuttle holding plate 22 is rotated in the -X direction by the stepwise movement unit by rotating the rotation axis of the shuttle horizontal drive motor M21 in the direction opposite to the predetermined direction, the plate shuttle 23L is moved to the intermediate position state (-X) direction and moves to a position XP23 immediately below the upper stage part 3 and is positioned. At this time, the substrate shuttle 23R also moves integrally (-X) and moves to the position XP25 close to the substrate cleaning apparatus (not shown) disposed on the (-X) side of the printing apparatus 100 . Thus, in this specification, five positions (XP21 to XP25) are defined as the shuttle positions in the X direction. That is, the plate delivering position XP21 is the position closest to the plate cleaning apparatus among the three positions XP21 to XP23 at which the plate shuttle 23L is positioned, Direction position in which the carry-in / out is performed. The substrate transfer position XP25 is the position closest to the substrate cleaning apparatus among the three positions XP21 to XP25 at which the substrate shuttle 23R is positioned and the transfer position of the substrate SB And the X direction position in which the ejection is performed. The position XP23 indicates the X-direction position in which the adsorption plate 34 of the upper stage unit 3 moves in the vertical direction Z to adsorb and hold the plate PP and the substrate SB. In the present specification, when the plate shuttle 23L is located at the X-direction position XP23, the position XP23 is referred to as "plate suction position XP23", while the shuttle 23R for the substrate is positioned at the X- Quot; substrate suction position XP23 ", the position XP23 is referred to as " substrate suction position XP23 ". The position in the vertical direction Z for conveying the plate PP and the substrate SB by the shuttles 23L and 23R in this way, that is, the height position is referred to as a " transport position ".

또한, 본 실시형태에서는, 패터닝 시에서의 판(PP)과 블랭킷과의 갭(gap)량, 및 전사 시에서의 기판(SB)과 블랭킷과의 갭량을 정확하게 제어하기 위해, 판(PP) 및 기판(SB)의 두께를 계측할 필요가 있다. 따라서, 판 두께 계측 센서(SN22) 및 기판 두께 계측 센서(SN23)가 설치되어 있다. 또한 본 실시형태에서는, 양 센서(SN22, SN23)로서, 투광부와 수광부를 갖는 반사 타입의 광학 센서를 이용하고 있지만, 이 이외의 센서를 이용하여도 좋다.In this embodiment, in order to precisely control the amount of gap between the plate PP and the blanket at the time of patterning and the amount of gap between the substrate SB and the blanket at the time of transferring, It is necessary to measure the thickness of the substrate SB. Therefore, a plate thickness measurement sensor SN22 and a substrate thickness measurement sensor SN23 are provided. In the present embodiment, a reflection type optical sensor having a transparent portion and a light receiving portion is used as both of the sensors SN22 and SN23, but other sensors may be used.

위치(XP23)에 있어서, 상측 스테이지부(3)가 배치되어 있다. 이 상측 스테이지부(3)에서는, 연직 방향(Z)으로 연장 설치된 볼나사기구(31)가 고정되어 있고, 그 볼나사기구(31)의 상단부에는, 제1 스테이지 승강 모터(M31)의 회전축(도시 생략)이 연결된다. 그리고, 볼나사기구(31)에 대하여 볼나사 브라켓(도시 생략)이 나사결합되어 있다. 이 볼나사 브라켓에는, 지지 프레임(32)이 고정되어 있고, 볼나사 브라켓과 일체적으로 연직 방향(Z)으로 승강 가능하게 되어 있다. 또한, 그 지지 프레임(32)의 프레임면에서, 다른 볼나사기구(도시 생략)가 지지되어 있다. 이 볼나사기구에는, 상기 볼나사기구(31)의 볼나사보다 좁은 피치의 볼나사가 설치되고, 그 상단부에는, 제2 스테이지 승강 모터(M32)(도 3)의 회전축(도시 생략)이 연결됨과 함께, 중앙부에는, 볼나사 브라켓이 나사결합되어 있다.In the position XP23, the upper stage portion 3 is arranged. A ball screw mechanism 31 extending in the vertical direction Z is fixed to the upper stage portion 3. A ball screw mechanism 31 is fixed to an upper end portion of the upper stage portion 3 by a rotation shaft of the first stage elevating motor M31 (Not shown). Then, a ball screw bracket (not shown) is screwed onto the ball screw mechanism 31. The ball screw bracket is fixed to the support frame 32 and is capable of being raised and lowered in the vertical direction Z integrally with the ball screw bracket. Further, on the frame surface of the support frame 32, another ball screw mechanism (not shown) is supported. The ball screw mechanism is provided with a ball screw having a pitch narrower than that of the ball screw of the ball screw mechanism 31, and a rotational shaft (not shown) of the second stage elevating motor M32 (FIG. 3) And a ball screw bracket is screwed on the center portion.

이 볼나사 브라켓에는, 스테이지 홀더(33)가 장착되어 있다. 또한, 스테이지 홀더(33)의 하면에, 예를 들면 알루미늄 합금 등의 금속제의 흡착 플레이트(34)가 장착되어 있다. 따라서, 제어부(6)의 모터 제어부(63)로부터의 동작 지령에 따라 스테이지 승강 모터(M31, M32)가 작동함으로써, 흡착 플레이트(34)가 연직 방향(Z)으로 승강 이동하게 된다. 또한, 본 실시형태에서는, 다른 피치를 갖는 볼나사기구를 조합시켜, 제1 스테이지 승강 모터(M31)를 작동시킴으로써 비교적 넓은 피치로 흡착 플레이트(34)를 승강시키는 흡착 플레이트(34)를 고속 이동시킬 수 있다. 그것에 더하여, 제2 스테이지 승강 모터(M32)를 작동시킴으로써 비교적 좁은 피치로 흡착 플레이트(34)를 승강시키는 것, 즉 흡착 플레이트(34)를 정밀하게 위치 결정하는 것이 가능하다.The stage holder 33 is attached to this ball screw bracket. Further, on the bottom surface of the stage holder 33, for example, an adsorption plate 34 made of metal such as aluminum alloy is attached. Therefore, the stage lifting motors M31 and M32 are operated in accordance with an operation command from the motor control unit 63 of the control unit 6, so that the suction plate 34 is moved up and down in the vertical direction Z. In this embodiment, the first stage lifting motor M31 is operated by combining the ball screw mechanisms having different pitches to move the attracting plate 34 for moving the attracting plate 34 at a relatively wide pitch at high speed . In addition, it is possible to raise and lower the adsorption plate 34 at a relatively narrow pitch, that is, to precisely locate the adsorption plate 34 by operating the second stage lifting motor M32.

이 흡착 플레이트(34)의 하면, 즉 판(PP)이나 기판(SB)을 흡착 유지하는 흡착면에 흡착기구가 설치되고, 부압(負壓) 공급경로를 통하여 부압공급원에 접속되어 있다. 그리고, 제어부(6)의 밸브 제어부(64)로부터의 개폐 지령에 따라 흡착기구와 연결되는 흡착 밸브(V31)(도 3)를 개폐 제어함으로써 흡착기구에 의한 판(PP)이나 기판(SB)의 흡착이 가능하게 된다. 또한 본 실시형태에서는, 상기한 흡착기구 및 후술하는 바와 같이 블랭킷을 흡착 유지하는 흡착기구는 부압공급원으로서 공장의 용력(用力)을 이용하고 있지만, 장치(100)가 진공 펌프 등의 부압공급부를 장비하여, 그 부압공급부로부터 흡착기구에 부압을 공급하도록 구성하여도 좋다.An adsorption mechanism is provided on the lower surface of the adsorption plate 34, that is, the adsorption surface for adsorbing and holding the plate PP and the substrate SB, and is connected to a negative pressure supply source through a negative pressure supply path. 3) connected to the adsorption mechanism in accordance with the opening and closing command from the valve control unit 64 of the control unit 6 is controlled to open and close the plate PP and the substrate SB by the adsorption mechanism Adsorption becomes possible. Further, in the present embodiment, the adsorption mechanism and the adsorption mechanism for adsorbing and holding the blanket as described later use the power of the factory as a negative pressure supply source. However, when the apparatus 100 is equipped with a negative pressure supply portion such as a vacuum pump And a negative pressure may be supplied to the adsorption mechanism from the negative pressure supply part.

이와 같이 구성된 상측 스테이지부(3)에서는, 반송부(2)의 판용 셔틀(23L)에 의해서 판이 도 1의 왼쪽측으로부터 반송 공간을 통하여 상측 스테이지부(3)의 바로 아래의 판 흡착 위치(XP23)로 반송된 후, 상측 스테이지부(3)의 흡착 플레이트(34)가 하강하여 판(PP)을 흡착 유지한다. 반대로, 판용 셔틀(23L)이 상측 스테이지부(3)의 바로 아래 위치에 위치한 상태에서 판(PP)을 흡착한 흡착 플레이트(34)가 흡착을 해제하면, 판(PP)이 반송부(2)로 이동 재치(載置)된다. 이와 같이 하여, 반송부(2)와 상측 스테이지부(3) 사이에서, 판의 주고받기가 행해진다.In the upper stage unit 3 constructed as described above, the plate is moved from the left side of FIG. 1 to the plate suction position XP23 immediately below the upper stage unit 3 through the carrying space by the plate shuttle 23L of the carry unit 2 , The adsorption plate 34 of the upper stage portion 3 is lowered to adsorb and hold the plate PP. Conversely, when the adsorption plate 34 adsorbing the plate PP with the plate shuttle 23L positioned just below the upper stage portion 3 releases the adsorption, the plate PP is conveyed to the conveying portion 2, And is mounted on the carriage. In this manner, the plate is exchanged between the carry section 2 and the upper stage section 3. [

또한, 기판(SB)에 대하여도 판(PP)과 마찬가지로 하여 상측 스테이지부(3)에 유지된다. 즉, 반송부(2)의 기판용 셔틀(23R)에 의해서 기판(SB)이 도 1의 오른쪽측으로부터 반송 공간을 통하여 상측 스테이지부(3)의 바로 아래 위치로 반송된 후, 상측 스테이지부(3)의 흡착 플레이트(34)가 하강하여 기판(SB)을 흡착 유지한다. 반대로, 기판용 셔틀(23R)이 상측 스테이지부(3)의 바로 아래 위치에 위치한 상태에서 기판(SB)을 흡착한 상측 스테이지부(3)의 흡착 플레이트(34)가 흡착을 해제하면, 기판(SB)이 반송부(2)로 이동 재치된다. 이와 같이 하여, 반송부(2)와 상측 스테이지부(3) 사이에서, 기판(SB)의 주고받기가 행해진다.The substrate SB is also held on the upper stage portion 3 in the same manner as the plate PP. That is, after the substrate SB is transported from the right side of FIG. 1 to the position immediately below the upper stage portion 3 through the transport space by the substrate shuttle 23R of the carry section 2, 3) is lowered to adsorb and hold the substrate SB. On the other hand, when the suction plate 34 of the upper stage portion 3, which has attracted the substrate SB with the substrate shuttle 23R positioned just below the upper stage portion 3, releases the adsorption, SB are moved and placed on the carry section 2. Thus, the transfer of the substrate SB is carried out between the transfer section 2 and the upper stage section 3.

상측 스테이지부(3)의 연직 방향의 아래쪽(이하 「연직 아래쪽」혹은 「(Z) 방향」이라고 함)에서는, 석정반(1)의 상면에 얼라인먼트부(4)가 배치되어 있다. 이 얼라인먼트부(4)에서는, 지지 플레이트(41)가 도 1에 나타내는 바와 같이, 석정반(1)의 오목부를 타고넘도록 수평 자세로 배치되어, 석정반(1)의 상면에 고정되어 있다. 또한, 이 지지 플레이트(41)의 상면에 얼라인먼트 스테이지(42)가 고정되어 있다. 그리고, 얼라인먼트부(4)의 얼라인먼트 스테이지(42) 상에 하측 스테이지부(5)가 재치되어, 하측 스테이지부(5)의 상면이 상측 스테이지부(3)의 흡착 플레이트(34)에 대향하여 있다. 이 하측 스테이지부(5)의 상면은 블랭킷(BL)을 흡착 유지 가능하게 되어 있고, 제어부(6)가 얼라인먼트 스테이지(42)를 제어함으로써 하측 스테이지부(5) 상의 블랭킷(BL)을 고정밀도로 위치 결정 가능하게 되어 있다.The alignment portion 4 is arranged on the upper surface of the stone tablet 1 in the vertical direction below the upper stage portion 3 (hereinafter referred to as " vertical lower portion " In this alignment section 4, the support plate 41 is arranged in a horizontal posture so as to overrun the recess of the stone basin 1 as shown in Fig. 1, and is fixed to the upper surface of the stone basin 1. In addition, the alignment stage 42 is fixed to the upper surface of this support plate 41. The lower stage part 5 is placed on the alignment stage 42 of the aligning part 4 so that the upper surface of the lower stage part 5 faces the attracting plate 34 of the upper stage part 3 . The upper surface of the lower stage portion 5 is capable of adsorbing and holding the blanket BL and the blanket BL on the lower stage portion 5 is positioned with high precision by controlling the alignment stage 42 by the control portion 6. [ It is possible to decide.

얼라인먼트 스테이지(42)는 지지 플레이트(41) 상에 고정되는 스테이지 베이스(421)와, 스테이지 베이스(base)(421)의 연직 위쪽에 배치되어 하측 스테이지부(5)를 지지하는 스테이지 탑(top)(422)을 갖고 있다. 이들 스테이지 베이스(421) 및 스테이지 탑(422)은 모두 중앙부에 통로를 갖는 액자 형상을 갖고 있다. 또한, 이들 스테이지 베이스(421) 및 스테이지 탑(422) 사이에는, 연직 방향(Z)으로 뻗는 회전축을 회전 중심으로 하는 회전 방향, X방향 및 Y방향의 3 자유도를 갖는, 예를 들면 크로스 롤러 베어링 등의 지지기구(423)가 스테이지 탑(422)의 각 모퉁이부 근방에 배치되어 있다. 또한, 각 지지기구(423)에 대하여 볼나사기구(도시 생략)가 설치됨과 함께, 각 볼나사기구에 스테이지 구동 모터(M41)(도 3)가 장착되어 있다. 그리고, 제어부(6)의 모터 제어부(63)로부터의 동작 지령에 따라 각 스테이지 구동 모터(M41)를 작동시킴으로써, 얼라인먼트 스테이지(42)의 중앙부에 비교적 큰 공간을 마련하면서, 스테이지 탑(422)을 수평면 내에서 이동시킨다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하여 회전시키고, 하측 스테이지부(5)의 흡착 플레이트(51)를 위치 결정 가능하게 되어 있다. 또한 본 실시형태에 있어서 중공(中空) 공간을 갖는 얼라인먼트 스테이지(42)를 이용한 이유 중 하나는, 하측 스테이지부(5)의 상면에 유지되는 블랭킷(BL) 및 상측 스테이지부(3)의 하면에 유지되는 기판(SB)에 형성되는 얼라인먼트 마크를 촬상부(43)에 의해 촬상하기 위해서이다.The alignment stage 42 includes a stage base 421 fixed on the support plate 41 and a stage top disposed on the upper side of the stage base base 421 to support the lower stage unit 5, (422). Both the stage base 421 and the stage top 422 have a frame shape with a passage at the center. Between the stage base 421 and the stage tower 422, there are provided, for example, a cross roller bearing having three degrees of freedom in the X and Y directions, a rotational direction about the rotational axis extending in the vertical direction Z, And the like are disposed in the vicinity of the corners of the stage tower 422. [ A ball screw mechanism (not shown) is provided for each support mechanism 423, and a stage drive motor M41 (Fig. 3) is attached to each ball screw mechanism. By operating each stage drive motor M41 in accordance with an operation command from the motor control unit 63 of the control unit 6, a relatively large space is provided at the center of the alignment stage 42, and the stage top 422 Move in the horizontal plane. Further, the adsorption plate 51 of the lower stage portion 5 can be positioned by rotating the vertical axis about the rotation center. One of the reasons for using the alignment stage 42 having a hollow space in the present embodiment is that the blanket BL held on the upper surface of the lower stage portion 5 and the blanket BL held on the lower surface of the upper stage portion 3 And the alignment mark formed on the substrate SB to be held is picked up by the image pickup section 43.

하측 스테이지부(5)는 흡착 플레이트(51)와, 기둥부재(52)와, 스테이지 베이스(53)와, 리프트 핀부(54)를 갖고 있다. 스테이지 베이스(53)에는, 좌우 방향(X에)으로 뻗는 긴 구멍 형상의 통로가 전후 방향(Y)으로 3개 나란히 설치되어 있다. 그리고, 이러한 긴 구멍 통로와 얼라인먼트 스테이지(42)의 중앙 통로가 위쪽으로부터 평면에서 보아 겹치도록, 스테이지 베이스(53)가 얼라인먼트 스테이지(42) 상에 고정되어 있다. 또한, 상기 긴 구멍 통로에는, 촬상부(43)의 일부가 헐겁게 삽입되어 있다. 또한, 스테이지 베이스(53)의 상면 모퉁이부로부터 기둥부재(52)가 (+Z)에 입설되고, 각 정부(頂部)가 흡착 플레이트(51)를 지지하고 있다.The lower stage portion 5 has an attracting plate 51, a column member 52, a stage base 53, and a lift pin portion 54. In the stage base 53, three long-hole-shaped passageways extending in the left-right direction (X) are provided side by side in the front-back direction (Y). The stage base 53 is fixed on the alignment stage 42 so that the long hole passage and the central passage of the alignment stage 42 overlap from above in a plan view. A part of the imaging section 43 is loosely inserted into the long hole passage. The column member 52 is placed in the (+ Z) from the upper surface corner of the stage base 53, and the top portion supports the adsorption plate 51.

이 흡착 플레이트(51)는 예를 들면 알루미늄 합금 등의 금속 플레이트로 구성되어 있다. 흡착 플레이트(51)의 상면에는, 흡착기구(도시 생략)가 설치되어 있다. 흡착기구에 대하여 정압(正壓)공급배관(도시 생략)의 한쪽 끝이 접속됨과 함께, 다른 쪽 끝이 가압용 매니폴드에 접속되어 있다. 또한, 각 정압공급배관의 중간부에 가압 밸브(V51)(도 3)가 개재되어 삽입되어 있다. 이 가압용 매니폴드에 대하여는, 공장의 용력으로부터 공급되는 가압 에어를 레귤레이터로 조압(調壓)함으로써 얻어지는 일정 압력의 에어가 상시 공급되어 있다. 이 때문에, 제어부(6)의 밸브 제어부(64)로부터의 동작 지령에 따라 소망한 가압 밸브(V51)가 선택적으로 열리면, 그 선택된 가압 밸브(V51)에 연결되는 흡착기구에 대하여 조압된 가압 에어가 공급된다.This adsorption plate 51 is comprised from metal plates, such as aluminum alloy, for example. On the upper surface of the adsorption plate 51, an adsorption mechanism (not shown) is provided. One end of a positive pressure supply pipe (not shown) is connected to the adsorption mechanism, and the other end is connected to the pressurizing manifold. In addition, a pressurization valve V51 (Fig. 3) is inserted into the intermediate portion of each of the static pressure supply pipes. The pressurizing manifold is constantly supplied with air at constant pressure obtained by regulating the pressurized air supplied from the power of the factory with a regulator. Therefore, when a desired pressurization valve V51 is selectively opened in accordance with an operation command from the valve control unit 64 of the control unit 6, the pressurized pressurized air is supplied to the adsorption mechanism connected to the selected pressurization valve V51 .

또한, 흡착기구의 일부에 대하여는, 가압 에어의 선택 공급뿐만 아니라, 선택적인 부압공급도 가능하게 되어 있다. 즉, 특정의 흡착기구의 각각에 대하여 부압공급배관(도시 생략)의 한쪽 끝이 접속됨과 함께, 다른 쪽 끝이 부압용 매니폴드에 접속되어 있다. 또한, 각 부압공급배관의 중간부에 흡착 밸브(V52)(도 3)가 개재되어 삽입되어 있다. 이 부압용 매니폴드에는, 부압공급원이 레귤레이터를 통하여 접속되어 있어, 소정치의 부압이 상시 공급되어 있다. 이 때문에, 제어부(6)의 밸브 제어부(64)로부터의 동작 지령에 따라 소망한 흡착 밸브(V52)가 선택적으로 열리면, 그 선택된 흡착 밸브(V52)에 연결되는 흡착기구에 대하여 조압된 부압이 공급된다.Further, not only a selective supply of pressurized air but also selective negative pressure supply is possible for a part of the adsorption mechanism. That is, one end of a negative pressure supply pipe (not shown) is connected to each of the specific adsorption mechanisms, and the other end is connected to the negative pressure manifold. In addition, an adsorption valve V52 (Fig. 3) is inserted into the intermediate portion of each negative pressure supply pipe. The negative pressure supply manifold is connected to the negative pressure manifold through a regulator, so that a predetermined negative pressure is always supplied. Therefore, when a desired suction valve V52 is selectively opened in accordance with an operation command from the valve control unit 64 of the control unit 6, a regulated negative pressure is supplied to the suction mechanism connected to the selected suction valve V52 do.

이와 같이 본 실시형태에서는, 밸브(V51, V52)의 개폐 제어에 의해서 흡착 플레이트(51) 상에 블랭킷(BL)을 부분적 혹은 전면적으로 흡착시키거나 흡착 플레이트(51)와 블랭킷(BL) 사이에 에어를 부분적으로 공급하여 블랭킷(BL)을 부분적으로 부풀려 상측 스테이지부(3)에 유지된 판(PP)이나 기판(SB)에 압착시키는 것이 가능하게 되어 있다.As described above, in the present embodiment, the blanket BL is partially or wholly adsorbed on the adsorption plate 51 by the opening and closing control of the valves V51 and V52, or the adsorption plate 51 and the blanket BL So that the blanket BL can be partly inflated so as to be pressed against the plate PP or the substrate SB held on the upper stage portion 3.

리프트 핀부(54)에서는, 리프트 플레이트(541)가 흡착 플레이트(51)와 스테이지 베이스(53) 사이에서 승강 가능하게 설치되어 있다. 이 리프트 플레이트(541)에는, 복수 개소에 절결부가 형성되어 촬상부(43)와의 간섭이 방지되어 있다. 또한, 리프트 플레이트(541)의 상면으로부터 연직 위쪽에 복수의 리프트 핀(542)이 입설되어 있다. 한편, 리프트 플레이트(541)의 하면에는, 핀 승강 실린더(CL51)(도 3)가 접속되어 있다. 그리고, 제어부(6)의 밸브 제어부(64)가 핀 승강 실린더(CL51)에 접속되는 밸브의 개폐를 전환시킴으로써, 핀 승강 실린더(CL51)를 작동시켜 리프트 플레이트(541)를 승강시킨다. 그 결과, 흡착 플레이트(51)의 상면, 즉 흡착면에 대하여, 전체 리프트 핀(542)이 진퇴 이동된다. 예를 들면, 리프트 핀(542)이 흡착 플레이트(51)의 상면으로부터 (+Z) 방향으로 돌출함으로써, 도시하지 않는 블랭킷 반송 로봇에 의해 블랭킷(BL)이 리프트 핀(542)의 정부(頂部)에 재치 가능하게 된다. 그리고, 블랭킷(BL)의 재치에 이어서, 리프트 핀(542)이 흡착 플레이트(51)의 상면 보다 (-Z) 방향으로 후퇴함으로써, 블랭킷(BL)이 흡착 플레이트(51)의 상면으로 이동 재치된다. 그 후, 후술하는 바와 같이 적당한 타이밍으로, 흡착 플레이트(51)의 근방에 배치된 블랭킷 두께 계측 센서(SN51)(도 3)에 의해서 해당 블랭킷(BL)의 두께가 계측된다.In the lift pin portion 54, a lift plate 541 is provided so as to be able to move up and down between the attraction plate 51 and the stage base 53. In this lift plate 541, cutouts are formed in a plurality of places, and interference with the imaging unit 43 is prevented. Further, a plurality of lift pins 542 are vertically arranged above the upper surface of the lift plate 541. On the other hand, the pin lowering cylinder CL51 (FIG. 3) is connected to the lower surface of the lift plate 541. The valve control unit 64 of the control unit 6 switches the opening and closing of the valve connected to the pin lifting cylinder CL51 so that the pin lifting cylinder CL51 is operated to lift and lift the lift plate 541. [ As a result, the entire lift pins 542 move back and forth with respect to the upper surface, i.e., the adsorption surface, of the adsorption plate 51. For example, the lift pin 542 protrudes in the (+ Z) direction from the upper surface of the attracting plate 51, so that the blanket transport robot moves the blanket BL to the top of the lift pin 542 It becomes possible to put it. Then, following the mounting of the blanket BL, the lift pin 542 is retracted in the -Z direction from the upper surface of the attracting plate 51, so that the blanket BL is moved and placed on the upper surface of the attracting plate 51 . Thereafter, the thickness of the blanket BL is measured by a blanket thickness measurement sensor SN51 (Fig. 3) disposed in the vicinity of the adsorption plate 51 at an appropriate timing as will be described later.

상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 상측 스테이지부(3)와 하측 스테이지부(5)가 연직 방향(Z)에서 서로 대향 배치되어 있다. 그리고, 그들 사이에, 하측 스테이지부(5) 상에 재치되는 블랭킷(BL)을 위쪽으로부터 누르는 누름부(7)와, 판(PP), 기판(SB) 및 블랭킷(BL)의 프리얼라인먼트(pre-alignment)를 행하는 프리얼라인먼트부(8)가 각각 배치되어 있다.As described above, in the present embodiment, the upper stage portion 3 and the lower stage portion 5 are disposed opposite to each other in the vertical direction Z. Between them, a pressing portion 7 for pressing the blanket BL to be placed on the lower stage portion 5 from above, and a pressing portion 7 for pressing the plate PP, the substrate SB and the blanket BL alignment section 8 for performing alignment (alignment).

누름부(7)는 흡착 플레이트(51)의 연직 위쪽측에 설치되는 누름부재(71)를 전환기구(도시 생략)에 의해서 연직 방향(Z)으로 승강함으로써 2개의 상태로 전환 가능하게 되어 있다. 즉, 전환기구가 누름부재(71)를 강하시키면, 흡착 플레이트(51) 상의 블랭킷(BL)이 누름부(7)에 의해 눌러진 상태(블랭킷 누름 상태)로 된다. 한편, 전환기구가 누름부재(71)를 상승시키면, 누름부(7)가 블랭킷(BL)으로부터 이간되어 블랭킷(BL)의 누름을 해제한 상태(블랭킷 누름해제 상태)로 된다.The pressing portion 7 is capable of switching to the two states by raising and lowering the pressing member 71 provided on the vertically upper side of the adsorption plate 51 in the vertical direction Z by a switching mechanism (not shown). That is, when the switching mechanism lowers the pressing member 71, the blanket BL on the suction plate 51 is pressed by the pressing portion 7 (blanket pressing state). On the other hand, when the switching mechanism raises the pressing member 71, the pressing portion 7 is separated from the blanket BL to release the pressing of the blanket BL (blanket pressing released state).

프리얼라인먼트부(8)에서는, 프리얼라인먼트 상부(81) 및 프리얼라인먼트 아래쪽(82)가 연직 방향(Z)으로 2단으로 적층 배치되어 있다. 이들 중 프리얼라인먼트 상부(81)는 프리얼라인먼트 아래쪽(82)보다 연직 위쪽측에 배치되고, 블랭킷(BL)과의 밀착에 앞서서, 위치(XP23)에서 판용 셔틀(23L)에 의해 유지되는 판(PP) 및 기판용 셔틀(23R)에 의해 유지되는 기판(SB)을 얼라인먼트한다. 한편, 프리얼라인먼트 아래쪽(82)은 판(PP)이나 기판(SB)과의 밀착에 앞서서, 하측 스테이지부(5)의 흡착 플레이트(51)에 재치되는 블랭킷(BL)을 얼라인먼트한다. 또한 프리얼라인먼트 상부(81)와 프리얼라인먼트 아래쪽(82)은 기본적으로 동일 구성을 갖고 있다. 따라서, 이하에서는, 프리얼라인먼트 상부(81)의 구성에 관하여 설명하고, 프리얼라인먼트 아래쪽(82)에 대하여는, 동일 또는 상당하는 부호를 붙여 구성 설명을 생략한다.In the prealignment section 8, the prealignment upper section 81 and the prealignment lower section 82 are stacked in two stages in the vertical direction Z. Of these, the prealignment upper portion 81 is arranged on the vertically upper side than the prealignment lower portion 82 and is held at the position XP23 by a plate PP (not shown) held by the plate shuttle 23L before the close contact with the blanket BL. And the substrate SB held by the shuttle for substrate 23R. On the other hand, the pre-alignment lower side 82 aligns the blanket BL to be placed on the suction plate 51 of the lower stage portion 5 prior to the close contact with the plate PP or the substrate SB. The prealignment upper portion 81 and the prealignment lower portion 82 have basically the same configuration. Therefore, in the following, the configuration of the prealignment upper portion 81 will be described, and the same reference numerals will be given to the prealignment lower portion 82, and the description of the components will be omitted.

프리얼라인먼트 상부(81)에서는, 액자 형상의 프레임 구조체(811)에 대하여 4개의 상측 가이드(812)가 이동 가능하게 설치되어 있다. 즉, 프레임 구조체(811)는 서로 좌우 방향(X)으로 이간되어 전후 방향(Y)으로 연장 설치되는 2개의 수평 프레임과, 서로 전후 방향(Y)으로 이간되어 좌우 방향(X)으로 연장 설치되는 2개의 수평 프레임을 조합한 것이다. 그리고, 도 2에 나타내는 바와 같이, 전후 방향(Y)으로 연장 설치된 2개의 수평 플레이트 중 좌측 수평 플레이트에 대하여, 그 중앙부에서 상측 가이드(812)가 도시를 생략한 볼나사기구에 의해 좌우 방향(X)으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 그리고, 이 볼나사기구에 연결되는 구동 모터(M81)(도 3)가 제어부(6)의 모터 제어부(63)로부터의 동작 지령에 따라 작동함으로써 상측 가이드(812)가 좌우 방향(X)으로 이동한다. 또한, 우측 수평 플레이트에 대하여도, 상기와 마찬가지로, 상측 가이드(812)가 구동 모터(M81)에 의해 좌우 방향(X)으로 이동하도록 구성되어 있다.In the pre-alignment upper portion 81, four upper guides 812 are movably provided with respect to the frame-shaped frame structure 811. That is, the frame structure 811 includes two horizontal frames separated from each other in the left-right direction X and extending in the front-rear direction Y, and two horizontal frames extending in the left- It is a combination of two horizontal frames. 2, an upper guide 812 at a central portion of the left horizontal plate of the two horizontal plates extending in the front-rear direction Y is supported by a ball screw mechanism (not shown) in the lateral direction X As shown in Fig. The upper guide 812 is moved in the left-right direction X by operating the drive motor M81 (Fig. 3) connected to the ball screw mechanism in accordance with an operation command from the motor control unit 63 of the control unit 6 do. Similarly to the above, the upper guide 812 is configured to move in the left-right direction X by the drive motor M81 with respect to the right-side horizontal plate.

또한, 전후 방향(Y)으로 연장 설치된 2개의 수평 플레이트의 각각에 대하여도, 상기와 마찬가지로, 상측 가이드(812)가 구동 모터(M81)에 의해 좌우 방향(X)으로 이동하도록 구성되어 있다. 이와 같이 4개의 상측 가이드(812)가 위치(XP23)의 연직 아래쪽 위치에서 판(PP)이나 기판(SB)을 둘러싸고 있고, 각 상측 가이드(812)가 독립하여 판(PP) 등에 대하여 근접 및 이간 가능하게 되어 있다. 따라서, 각 상측 가이드(812)의 이동량을 제어함으로써 판(PP) 및 기판(SB)을 셔틀의 핸드 상에서 수평 이동 혹은 회전시켜 얼라인먼트하는 것이 가능하게 되어 있다.The upper guide 812 is configured to move in the left-right direction X by the drive motor M81 in the same manner as described above for each of the two horizontal plates extending in the forward and backward directions Y. [ In this manner, the four upper guides 812 surround the plate PP and the substrate SB at the vertically lower position of the position XP23, and each of the upper guides 812 is independent of the plate PP, It is possible. Therefore, by controlling the amount of movement of each upper guide 812, the plate PP and the substrate SB can be aligned horizontally or rotated on the hand of the shuttle.

또한, 본 실시형태에서는, 이후에 설명하는 바와 같이, 블랭킷(BL) 상의 패턴층을 기판(SB)에 전사한 후, 블랭킷(BL)을 기판(SB)으로부터 박리하지만, 그 박리 단계에서 정전기가 발생한다. 또한, 판(PP)에 의해 블랭킷(BL) 상의 도포층을 패터닝한 후, 블랭킷(BL)을 판(PP)으로부터 박리하였을 때에도, 정전기가 발생한다. 따라서, 본 실시형태에서는, 정전기를 제전(除電)하기 위해, 제전부(9)가 설치되어 있다. 이 제전부(9)는 (+X)측으로부터 상측 스테이지부(3)와 하측 스테이지부(5)에 끼인 공간을 향하여 이온을 조사하는 이오나이저(91)를 갖고 있다.In this embodiment, as described later, the pattern layer on the blanket (BL) is transferred to the substrate (SB), the blanket (BL) is separated from the substrate (SB) Occurs. Further, static electricity is generated even when the coating layer on the blanket (BL) is patterned by the plate (PP) and then the blanket (BL) is peeled from the plate (PP). Therefore, in this embodiment, the electrostatic discharge portion 9 is provided for discharging static electricity. The discharger 9 has an ionizer 91 for irradiating ions from the (+ X) side toward the spaces sandwiched between the upper stage portion 3 and the lower stage portion 5.

제어부(6)는 CPU(Central Processing Unit)(61), 메모리(62), 모터 제어부(63), 밸브 제어부(64), 화상 처리부(65) 및 표시/조작부(66)를 갖고 있고, CPU(61)는 메모리(62)에 미리 기억된 프로그램에 따라 장치 각 부를 제어하여, 도 4에 나타내는 바와 같이, 패터닝 처리 및 전사 처리를 실행한다.The control unit 6 has a CPU (Central Processing Unit) 61, a memory 62, a motor control unit 63, a valve control unit 64, an image processing unit 65, and a display / operation unit 66, 61 control the respective units of the apparatus in accordance with a program stored in advance in the memory 62 to execute the patterning processing and the transfer processing as shown in Fig.

도 4는 도 1의 인쇄장치의 전체 동작을 나타내는 플로우 차트이다. 이 인쇄장치(100)의 초기 상태에서는, 판용 셔틀(23L) 및 기판용 셔틀(23R)은 각각 중간 위치(XP22, XP24)에 위치 결정되어 있다. 그리고, 판세정장치의 판 반송 로봇(도시 생략)에 의한 판(PP)의 반송 동작과 동기(同期)하여 판(PP)의 투입 공정(단계 S1), 및 기판세정장치의 기판 반송 로봇(도시 생략)의 기판(SB)의 반송 동작과 동기하여 기판(SB)의 투입 공정(단계 S2)을 실행한다. 또한 판용 셔틀(23L) 및 기판용 셔틀(23R)이 일체적으로 좌우 방향(X)으로 이동하는 반송구조를 채용하고 있기 때문에, 판(PP)의 반입을 행한(단계 S1) 후, 기판(SB)의 반입을 행하지만(단계 S2), 양쪽의 순서를 바꿔도 좋다.4 is a flowchart showing the overall operation of the printing apparatus of Fig. In the initial state of the printing apparatus 100, the plate shuttle 23L and the substrate shuttle 23R are positioned at the intermediate positions XP22 and XP24, respectively. Then, the plate PP is inserted (step S1) in synchronization with the conveying operation of the plate PP by the plate conveying robot (not shown) of the plate washing apparatus, and the substrate carrying robot (Step S2) of the substrate SB in synchronization with the conveying operation of the substrate SB of the substrate SB. Since the plate transfer shuttle 23L and the substrate shuttle 23R are integrally moved in the left and right directions X, the substrate SB (Step S2), but the order of both of them may be changed.

이와 같이, 본 실시형태에서는, 패터닝 처리를 실행하기 전에, 판(PP) 뿐만 아니라, 기판(SB)도 준비해 두고, 이후에 상세히 설명하는 바와 같이, 패터닝 처리 및 전사 처리를 연속하여 실행한다. 이에 의해, 블랭킷(BL) 상에서 패터닝된 도포층이 기판(SB)에 전사될 때까지의 시간 간격을 단축할 수 있어, 안정된 처리가 실행된다.As described above, in this embodiment, not only the plate PP but also the substrate SB are prepared before the patterning process is executed, and the patterning process and the transfer process are successively performed as will be described later in detail. Thereby, the time interval until the coated layer patterned on the blanket BL is transferred to the substrate SB can be shortened, and stable processing is performed.

다음의 단계 S3에서는, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)를 (-X) 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 판용 셔틀(23L)이 판 흡착 위치(XP23)로 이동하여 위치 결정된다. 그리고, 판용 셔틀 승강 모터(M22L)가 회전축을 회전시켜, 승강 플레이트(231)를 아래 방향(-Z)으로 이동시킨다. 이에 의해, 판용 셔틀(23L)에 지지된 채로 판(PP)이 반송 위치보다 낮은 프리얼라인먼트 위치로 이동하여 위치 결정된다.In the next step S3, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotation shaft to move the shuttle holding plate 22 in the -X direction. Thereby, the plate shuttle 23L is moved to the plate suction position XP23 and positioned. Then, the plate shuttle elevating motor M22L rotates the rotating shaft to move the lifting plate 231 in the downward direction (-Z). Thus, the plate PP is moved to and positioned at a prealignment position lower than the conveying position while being supported by the plate shuttle 23L.

다음으로, 상측 가이드 구동 모터(M81)가 작동하여 상측 가이드(812)가 이동하고, 각 상측 가이드(812)가 판용 셔틀(23L)에 지지되는 판(PP)의 단면(端面)과 맞닿아 판(PP)을 미리 설정한 수평 위치에 위치 결정한다. 그 후, 각 상측 가이드 구동 모터(M81)가 역방향으로 작동하고, 각 상측 가이드(812)가 판(PP)으로부터 이간된다. 이와 같이 하여, 판(PP)의 프리얼라인먼트 처리가 완료되면, 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 소정 방향으로 회전시켜, 흡착 플레이트(34)를 아래 방향(-Z)으로 하강시켜 판(PP)의 표면과 맞닿게 한다. 이에 이어서, 밸브(V31)가 열리고, 이에 의해 상측 스테이지용의 흡착기구에 의해 판(PP)이 흡착 플레이트(34)에 흡착된다.Next, the upper guide drive motor M81 is operated to move the upper guide 812, and each upper guide 812 comes into contact with the end face of the plate PP supported by the plate shuttle 23L, (PP) is positioned at a preset horizontal position. Thereafter, each upper guide drive motor M81 operates in the reverse direction, and each upper guide 812 is separated from the plate PP. When the pre-alignment processing of the plate PP is completed in this manner, the stage elevating motor M31 rotates the rotation shaft in the predetermined direction to lower the adsorption plate 34 in the downward direction (-Z) To the surface. Subsequently, the valve V31 is opened, whereby the plate PP is adsorbed to the adsorption plate 34 by the adsorption mechanism for the upper stage.

이와 같이 하여 판(PP)의 흡착이 완료되면, 스테이지 승강 모터(M31)가 역방향으로 회전하여, 흡착 플레이트(34)가 판(PP)을 흡착 유지한 채로 연직 위쪽으로 상승하여 판 흡착 위치(XP23)의 연직 위쪽 위치에 판(PP)을 이동시킨다. 그리고, 판용 셔틀 승강 모터(M22L)가 회전축을 회전시켜, 승강 플레이트(231)를 연직 위쪽으로 이동시켜, 판용 셔틀(23L)을 프리얼라인먼트 위치로부터 반송 위치, 즉 판 흡착 위치(XP23)로 이동하여 위치 결정한다. 그 후, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜 셔틀 유지 플레이트(22)를 (+X) 방향으로 이동시키고, 비워진 판용 셔틀(23L)을 중간 위치(XP22)에 위치 결정한다.When the adsorption of the plate PP is completed in this way, the stage elevating motor M31 rotates in the reverse direction, and the adsorption plate 34 is lifted up vertically upward while adsorbing and holding the plate PP, To the vertically upper position of the plate PP. Then, the plate shuttle elevating motor M22L rotates the rotating shaft to move the elevating plate 231 vertically upward to move the plate shuttle 23L from the prealignment position to the conveying position, that is, the plate suctioning position XP23 Position. Thereafter, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotating shaft to move the shuttle holding plate 22 in the (+ X) direction, and positions the empty shuttle 23L at the intermediate position XP22.

다음의 단계 S4에서는, 스테이지 구동 모터(M41)가 작동하여 얼라인먼트 스테이지(42)를 초기 위치로 이동시킨다. 이에 의해, 매회 출발이 같은 위치로 된다. 이에 이어서, 핀 승강 실린더(CL51)가 동작하여 리프트 플레이트(541)를 상승시켜, 리프트 핀(542)을 흡착 플레이트(51)의 상면으로부터 연직 위쪽으로 돌출시킨다. 이와 같이 하여, 블랭킷(BL)의 투입 준비가 완료되면, 도시를 생략한 블랭킷 반송 로봇이 장치(100)에 액세스하여 블랭킷(BL)을 리프트 핀(542)의 정부에 재치한 후, 장치(100)로부터 퇴피한다. 다음으로, 핀 승강 실린더(CL51)가 동작하여 리프트 플레이트(541)를 하강시킨다. 이에 의해, 리프트 핀(542)이 블랭킷(BL)을 지지한 채로 하강하여 블랭킷(BL)을 흡착 플레이트(51)에 재치한다. 그러면, 하측 가이드 구동 모터(M82)가 작동하여, 하측 가이드(822)가 이동하고, 각 하측 가이드(822)가 흡착 플레이트(51)에 지지되는 블랭킷(BL)의 단면과 맞닿아 블랭킷(BL)을 미리 설정한 수평 위치에 위치 결정한다. 이와 같이 하여, 블랭킷(BL)의 프리얼라인먼트 처리가 완료되면, 흡착 밸브(V52)가 열리고, 이에 의해 하측 스테이지용의 흡착기구에 대하여 조압된 부압이 공급되어 블랭킷(BL)이 흡착 플레이트(51)에 흡착된다. 또한, 각 하측 가이드 구동 모터(M82)가 회전축을 역방향으로 회전시켜, 각 하측 가이드(822)를 블랭킷(BL)으로부터 이간시킨다. 이에 의해, 패터닝 처리의 준비가 완료된다.In the next step S4, the stage drive motor M41 is operated to move the alignment stage 42 to the initial position. Thus, each departure is made to the same position. Subsequently, the pin lifting cylinder CL51 is operated to lift the lift plate 541 so that the lift pin 542 protrudes vertically upward from the upper surface of the attracting plate 51. After the blanket transport robot has thus accessed the apparatus 100 and placed the blanket BL on the top of the lift pin 542 in the manner described above, . Next, the pin lifting cylinder CL51 is operated to lower the lift plate 541. [ Thereby, the lift pin 542 is lowered while supporting the blanket BL, and the blanket BL is placed on the attracting plate 51. Then, the lower guide drive motor M82 is operated so that the lower guide 822 moves, and the lower guide 822 abuts against the end face of the blanket BL supported by the suction plate 51 so as to contact the blanket BL. Position it at the preset horizontal position. When the prealignment process of the blanket BL is completed in this manner, the suction valve V52 is opened so that the regulated negative pressure is supplied to the suction mechanism for the lower stage so that the blanket BL is moved to the suction plate 51, . Moreover, each lower guide drive motor M82 rotates a rotating shaft to the reverse direction, and separates each lower guide 822 from the blanket BL. Thus, the preparation of the patterning process is completed.

다음의 단계 S5에서는, 센서 수평 구동 실린더(CL52)(도 3)가 동작하여 블랭킷 두께 계측 센서(SN51)를 블랭킷(BL)의 우측 단부의 바로 위쪽 위치에 위치 결정한다. 그리고, 블랭킷 두께 계측 센서(SN51)가 블랭킷(BL)의 두께에 관련되는 정보를 제어부(6)에 출력하고, 이에 의해 블랭킷(BL)의 두께가 계측된다. 그 다음으로, 상기 센서 수평 구동 실린더(CL52)가 역방향으로 동작하여 블랭킷 두께 계측 센서(SN51)를 흡착 플레이트(51)로부터 퇴피시킨다.In the next step S5, the sensor horizontal drive cylinder CL52 (FIG. 3) is operated to position the blanket thickness measurement sensor SN51 at a position immediately above the right end of the blanket BL. The blanket thickness measurement sensor SN51 outputs information relating to the thickness of the blanket BL to the control unit 6, whereby the thickness of the blanket BL is measured. Next, the sensor horizontal drive cylinder CL52 operates in the reverse direction to retract the blanket thickness measurement sensor SN51 from the adsorption plate 51. [

다음으로, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 소정 방향으로 회전시켜, 흡착 플레이트(34)를 아래 방향(-Z)으로 하강시켜 판(PP)을 블랭킷(BL)의 근방으로 이동시킨다. 또한, 제2 스테이지 승강 모터(M32)가 회전축을 회전시켜, 좁은 피치로 흡착 플레이트(34)를 승강시켜 연직 방향(Z)에서의 판(PP)과 블랭킷(BL)의 간격, 즉 갭량을 정확하게 조정한다. 또한 이 갭량은 판(PP) 및 블랭킷(BL)의 두께 계측 결과에 기초하여 제어부(6)에 의해 결정된다.Next, the first stage elevating motor M31 rotates the rotating shaft in a predetermined direction to lower the attracting plate 34 in the downward direction (-Z) to move the plate PP in the vicinity of the blanket BL. The second stage lifting motor M32 rotates the rotating shaft to move the attracting plate 34 up and down at a narrow pitch so that the distance between the plate PP and the blanket BL in the vertical direction Z, Adjust. This gap amount is determined by the control section 6 based on the results of the thickness measurement of the plate PP and the blanket BL.

그리고, 누름부(7)의 누름부재(71)를 하강시켜 블랭킷(BL)의 주연부(周緣部)를 전 둘레에 걸쳐서 누름부재(71)로 압착된다. 이에 이어서, 밸브(V51, V52)가 동작하여 흡착 플레이트(51)와 블랭킷(BL) 사이에 에어를 부분적으로 공급하여 블랭킷(BL)을 부분적으로 부풀리게 한다. 이 부상(浮上) 부분이 상측 스테이지부(3)에 유지된 판(PP)에 압착된다. 그 결과, 블랭킷(BL)의 중앙부가 판(PP)에 밀착되어 판(PP)의 하면에 미리 형성된 패턴(도시 생략)이 블랭킷(BL)의 상면에 미리 도포된 도포층과 맞닿아 그 도포층을 패터닝하여 패턴층을 형성한다.Then, the pressing member 71 of the pressing portion 7 is lowered, and the peripheral portion of the blanket BL is pressed against the pressing member 71 over the entire circumference. Subsequently, the valves V51 and V52 operate to partially supply air between the adsorption plate 51 and the blanket BL to partially blow the blanket BL. This floating portion is pressed against the plate PP held by the upper stage portion 3. As a result, a central portion of the blanket BL is brought into close contact with the plate PP, and a pattern (not shown) previously formed on the lower surface of the plate PP is brought into contact with a coating layer previously applied on the upper surface of the blanket BL, Is patterned to form a pattern layer.

다음의 단계 S6에서는, 제2 스테이지 승강 모터(M32)가 회전축을 회전시켜 흡착 플레이트(34)가 상승하여 판(PP)을 블랭킷(BL)으로부터 박리시킨다. 또한, 박리 처리를 행하기 위해서 판(PP)을 상승시키는 것과 병행하여 적시에, 밸브(V51, V52)의 개폐 상태를 전환하고, 블랭킷(BL)에 부압을 부여하여 흡착 플레이트(51)측으로 끌어들인다. 그 후, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 회전시켜, 흡착 플레이트(34)를 상승시켜서 판(PP)을 이오나이저(91)와 거의 동일 높이의 제전위치에 위치 결정한다. 또한, 누름부(7)의 누름부재(71)를 상승시켜 블랭킷(BL)의 누름부를 해제한다. 이에 이어서, 이오나이저(91)가 작동하여 상기 판 박리 처리 시에 발생하는 정전기를 제전한다. 이 제전처리가 완료되면, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 회전시켜, 판(PP)을 흡착 유지한 채로 흡착 플레이트(34)가 초기 위치(판 흡착 위치(XP23)보다 높은 위치)까지 상승한다.In the next step S6, the second stage elevating motor M32 rotates the rotating shaft to raise the adsorption plate 34 to peel the plate PP from the blanket BL. The valves V51 and V52 are opened and closed in a timely manner at the same time as the plate PP is lifted to perform the peeling process so that a negative pressure is applied to the blanket BL and pulled toward the adsorption plate 51 . Thereafter, the first stage elevating motor M31 rotates the rotating shaft to raise the attracting plate 34 to position the plate PP at the discharge position at almost the same height as the ionizer 91. [ Further, the pressing member 71 of the pressing portion 7 is raised to release the pressing portion of the blanket BL. Subsequently, the ionizer 91 operates to discharge static electricity generated during the peeling process. When the static elimination process is completed, the first stage elevating motor M31 rotates the rotation shaft to hold the plate PP while holding the adsorption plate 34 up to the initial position (position higher than the plate suction position XP23) Rise.

다음의 단계 S7에서는, 회전 액츄에이터(RA2, RA2)가 동작하고, 판용 핸드(232, 232)를 180°회전시켜 원점 위치로부터 반전(反轉) 위치에 위치 결정한다. 이에 의해, 핸드 자세가 미사용 자세로부터 사용이 끝난 자세로 전환되어, 사용이 끝난 판(PP)의 수취(受取) 준비가 완료된다. 그리고, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)를(X) 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 판용 셔틀(23L)이 판 흡착 위치(XP23)로 이동하여 위치 결정된다.In the next step S7, the rotary actuators RA2 and RA2 are operated, and the plate hand 232, 232 is rotated by 180 degrees to be positioned at the inversion position from the origin position. As a result, the hand posture is changed from the unused posture to the used posture, and preparation for receiving the used plate PP is completed. Then, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotation shaft to move the shuttle holding plate 22 in the X direction. Thereby, the plate shuttle 23L is moved to the plate suction position XP23 and positioned.

한편, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 회전시켜, 판(PP)을 흡착 유지한 채로 흡착 플레이트(34)가 판용 셔틀(23L)의 핸드(232, 232)를 향하여 하강되어 핸드(232, 232)상에 판(PP)을 위치시킨 후, 밸브(V31, V32)가 닫히고, 이에 의해 흡착 플레이트(34)의 흡착기구에 의한 판(PP)의 흡착이 해제되어 반송 위치에서의 판(PP)의 주고받기가 완료된다. 그리고, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 역회전시켜, 흡착 플레이트(34)를 초기 위치까지 상승시킨다. 그 후, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)를 (+X) 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 판용 셔틀(23L)이 사용이 끝난 판(PP)을 유지한 채로 중간 위치(XP22)로 이동하여 위치 결정된다.On the other hand, while the first stage elevating motor M31 rotates the rotating shaft to attract and hold the plate PP, the attracting plate 34 is lowered toward the hands 232 and 232 of the plate shuttle 23L, The valves V31 and V32 are closed so that the adsorption of the plate PP by the adsorption mechanism of the adsorption plate 34 is released so that the plates PP) is completed. Then, the first stage lifting motor M31 reversely rotates the rotation shaft, and lifts the attracting plate 34 to the initial position. Thereafter, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotation shaft to move the shuttle holding plate 22 in the (+ X) direction. Thereby, the plate shuttle 23L is moved to the intermediate position XP22 while being held the used plate PP, and is positioned.

다음의 단계 S8에서는, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)를 (+X) 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 처리 전의 기판(SB)을 유지하는 기판용 셔틀(23R)이 기판 흡착 위치(XP23)로 이동하여 위치 결정된다. 그리고, 판(PP)의 프리얼라인먼트 처리 및 흡착 플레이트(34)에 의한 판(PP)의 흡착 처리와 마찬가지로 하여, 기판(SB)의 프리얼라인먼트 처리 및 기판(SB)의 흡착 처리가 실행된다. 그 후, 기판(SB)의 흡착이 검출되면, 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 회전시켜, 기판(SB)을 흡착 유지한 채로 흡착 플레이트(34)를 연직 위쪽으로 상승시켜 기판 흡착 위치(XP23)보다 높은 위치에 기판(SB)을 이동시킨다. 그리고, 기판용 셔틀 승강 모터(M22R)가 회전축을 회전시켜, 기판용 셔틀(23R)을 프리얼라인먼트 위치로부터 반송 위치로 이동시켜 위치 결정한다. 그 후, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜 셔틀 유지 플레이트(22)를 (-X) 방향으로 이동시켜, 비워진 기판용 셔틀(23R)을 중간 위치(XP24)에 위치 결정한다.At next step S8, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotary shaft to move the shuttle holding plate 22 in the (+ X) direction. Thereby, the substrate shuttle 23R holding the substrate SB before the process is moved to the substrate suction position XP23 and positioned. The pre-alignment process of the substrate SB and the adsorption process of the substrate SB are carried out in the same manner as the pre-alignment process of the plate PP and the adsorption process of the plate PP by the adsorption plate 34. [ Thereafter, when the adsorption of the substrate SB is detected, the stage lifting motor M31 rotates the rotation axis to raise the adsorption plate 34 vertically upward while holding the substrate SB, and the substrate adsorption position XP23 ) Of the substrate SB. And the board | substrate shuttle lifting motor M22R rotates a rotating shaft, and moves the board | substrate shuttle 23R from a prealignment position to a conveyance position, and positions it. Thereafter, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotation shaft to move the shuttle holding plate 22 in the (-X) direction, and positions the vacated substrate shuttle 23R at the intermediate position XP24.

다음의 단계 S9에서는, 블랭킷 두께가 계측되고, 정밀 얼라인먼트가 더 실행된 후에, 전사 처리가 실행된다. 즉, 패터닝 처리에서의 두께 계측과 마찬가지로 하여, 블랭킷(BL)의 두께가 계측된다. 또한, 이와 같이 패터닝 직전뿐만 아니라, 전사 직전에 있어도 블랭킷(BL)의 두께를 계측하는 주된 이유는 블랭킷(BL)의 일부가 팽윤됨으로써 블랭킷(BL)의 두께가 경시 변화되기 때문이고, 전사 직전에서의 블랭킷 두께를 계측함으로써 고정밀의 전사 처리를 행하는 것이 가능하게 된다.In the next step S9, the thickness of the blanket is measured, and after the precise alignment is further carried out, the transferring process is carried out. That is, the thickness of the blanket BL is measured in the same manner as in the thickness measurement in the patterning process. The main reason for measuring the thickness of the blanket (BL) not only immediately before the patterning but also just before the transfer is that the thickness of the blanket (BL) changes with the passage of time due to swelling of a part of the blanket (BL) It is possible to perform high-precision transfer processing by measuring the thickness of the blanket.

다음으로, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 소정 방향으로 회전시켜, 흡착 플레이트(34)를 아래 방향(-Z)으로 하강시켜 기판(SB)을 블랭킷(BL)의 근방으로 이동시킨다. 또한, 제2 스테이지 승강 모터(M32)가 회전축을 회전시켜, 좁은 피치로 흡착 플레이트(34)를 승강시켜 연직 방향(Z)에서의 기판(SB)과 블랭킷(BL)의 간격, 즉 갭량을 정확하게 조정한다. 이 갭량에 대하여는, 기판(SB) 및 블랭킷(BL)의 두께 계측 결과에 기초하여 제어부(6)에 의해 결정된다. 그리고, 패터닝(단계 S5)과 마찬가지로, 누름부재(71)에 의한 블랭킷(BL)의 주연부의 압착을 행한다.Next, the first stage elevating motor M31 rotates the rotating shaft in a predetermined direction to lower the attracting plate 34 in the downward direction (-Z) to move the substrate SB in the vicinity of the blanket BL. The second stage lifting motor M32 rotates the rotating shaft to move the attracting plate 34 up and down at a narrow pitch so that the gap between the substrate SB and the blankets BL in the vertical direction Z, Adjust. This gap amount is determined by the control unit 6 based on the results of the thickness measurement of the substrate SB and the blanket BL. Then, the periphery of the blanket BL is pressed by the pressing member 71, similarly to the patterning (step S5).

이와 같이 하여, 기판(SB)과 블랭킷(BL)은 모두 프리얼라인먼트되고, 또한 전사 처리에 적절한 간격만큼 이간되어 위치 결정되지만, 블랭킷(BL)에 형성된 패턴층을 기판(SB)에 정확하게 전사하기 위해서는, 양쪽을 정밀하게 위치 맞출 필요가 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 촬상부(43)가 블랭킷(BL)에 패터닝된 얼라인먼트 마크 및 기판(SB)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상하고, 그 화상을 제어부(6)의 화상 처리부(65)에 출력한다. 그리고, 그 화상에 기초하여 제어부(6)는 기판(SB)에 대하여 블랭킷(BL)을 위치 맞추기 위한 제어량을 구하고, 또한 얼라인먼트부(4)의 스테이지 구동 터(M41)의 동작 지령을 작성한다. 그리고, 스테이지 구동 모터(M41)가 상기 제어 지령에 따라 작동하여 흡착 플레이트(51)를 수평 방향으로 이동시킴과 함께 연직 방향(Z)으로 뻗는 가상 회전축 둘레로 회전시켜 블랭킷(BL)을 기판(SB)에 정밀하게 위치 맞춘다(얼라인먼트 처리).In this way, both the substrate SB and the blanket BL are pre-aligned and are spaced apart by appropriate intervals in the transfer process. However, in order to accurately transfer the pattern layer formed on the blanket BL to the substrate SB , It is necessary to precisely align both sides. Therefore, in the present embodiment, the image pickup section 43 picks up an alignment mark patterned on the blanket BL and an alignment mark formed on the substrate SB, and outputs the image to the image processing section 65 of the control section 6 do. Based on the image, the control unit 6 obtains the control amount for positioning the blanket BL with respect to the substrate SB, and also creates an operation command for the stage driving tool M41 of the alignment unit 4. [ The stage driving motor M41 operates in accordance with the control command to move the adsorption plate 51 in the horizontal direction and rotate around the imaginary rotational axis extending in the vertical direction Z to move the blanket BL to the substrate SB ) (Alignment process).

그리고, 밸브(V51, V52)가 동작하여 흡착 플레이트(51)와 블랭킷(BL) 사이에 에어를 부분적으로 공급하여 블랭킷(BL)을 부분적으로 부풀리게 한다. 이 부상 부분이 상측 스테이지부(3)에 유지된 기판(SB)에 압착된다. 그 결과, 블랭킷(BL)이 기판(SB)에 밀착된다. 이에 의해, 블랭킷(BL)측의 패턴층이 기판(SB)의 하면의 패턴과 정밀하게 위치 맞춤되면서, 기판(SB)에 전사된다.Then, the valves V51 and V52 operate to partly supply air between the adsorption plate 51 and the blanket BL to partially blow the blanket BL. This floating portion is pressed onto the substrate SB held on the upper stage portion 3. [ As a result, the blanket BL is in close contact with the substrate SB. Thereby, the pattern layer on the side of the blanket BL is precisely aligned with the pattern of the lower surface of the substrate SB, and is transferred to the substrate SB.

다음의 단계 S10에서는, 판 박리(단계 S6)와 마찬가지로, 블랭킷(BL)으로부터의 기판(SB)의 박리, 제전 위치에의 기판(SB)의 위치 결정, 누름부재(71)에 의한 블랭킷(BL)의 압착 해제, 제전을 실행한다. 그 후, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 회전시켜, 기판(SB)을 흡착 유지한 채로 흡착 플레이트(34)가 초기 위치(반송 위치보다 높은 위치)까지 상승된다.In the next step S10, the substrate SB is peeled off from the blanket BL, the substrate SB is positioned on the neutral position, and the blanket (BL ), And discharging the same. Thereafter, the first stage elevation motor M31 rotates the rotation shaft, and the suction plate 34 is raised to the initial position (position higher than the conveyance position) while holding the substrate SB by suction.

다음의 단계 S11에서는, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)를 (+X) 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 기판용 셔틀(23R)이 기판 흡착 위치(XP23)로 이동하여 위치 결정된다. 한편, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 회전시켜, 기판(SB)을 흡착 유지한 채로 흡착 플레이트(34)를 기판용 셔틀(23R)의 핸드(232, 232)를 향하여 하강시킨다. 그 후, 밸브(V31)가 닫히고, 이에 의해 흡착기구에 의한 기판(SB)의 흡착이 해제된다. 그리고, 제1 스테이지 승강 모터(M31)가 회전축을 역회전시켜, 흡착 플레이트(34)를 초기 위치까지 상승시킨다. 그 후, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)를 (-X) 방향으로 이동시켜 해당 기판(SB)을 유지한 채로 기판용 셔틀(23R)을 중간 위치(XP24)로 이동시켜 위치 결정한다.In the next step S11, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotating shaft to move the shuttle holding plate 22 in the (+ X) direction. Thereby, the substrate shuttle 23R moves to the substrate suction position XP23 and is positioned. On the other hand, the first stage elevating motor M31 rotates the rotation shaft to lower the attraction plate 34 toward the hands 232 and 232 of the shuttle 23R for the substrate while holding the substrate SB by suction. Thereafter, the valve V31 is closed, whereby the suction of the substrate SB by the suction mechanism is released. Then, the first stage lifting motor M31 reversely rotates the rotation shaft, and lifts the attracting plate 34 to the initial position. Thereafter, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotation shaft to move the shuttle holding plate 22 in the -X direction so that the substrate shuttle 23R is held at the intermediate position ( XP24).

다음의 단계 S12에서는, 밸브(V51, V52)가 동작하여 흡착 플레이트(51)에 의한 블랭킷(BL)의 흡착을 해제한다. 그리고, 핀 승강 실린더(CL51)가 동작하여 리프트 플레이트(541)를 상승시켜, 사용이 끝난 블랭킷(BL)을 흡착 플레이트(51)로부터 연직 위쪽으로 들어올린다. 그리고, 블랭킷 반송 로봇이 장치(100)에 액세스 하여 사용이 끝난 블랭킷(BL)을 리프트 핀(542)의 정부(頂部)로부터 받아, 장치(100)로부터 퇴피한다. 이에 이어서, 핀 승강 실린더(CL51)가 동작하여 리프트 플레이트(541)를 하강시켜, 리프트 핀(542)을 흡착 플레이트(51)보다 아래 방향(-Z)으로 하강시킨다.In the next step S12, the valves V51 and V52 operate to release the adsorption of the blanket BL by the adsorption plate 51. Then, the pin lifting cylinder CL51 is operated to lift the lift plate 541 to lift the used blanket BL up vertically from the attracting plate 51. Then, as shown in Fig. The blanket carrying robot accesses the apparatus 100 to receive the used blanket BL from the top of the lift pin 542 and retract it from the apparatus 100. Subsequently, the pin lifting cylinder CL51 is operated to lower the lift plate 541 so that the lift pin 542 descends in the downward direction (-Z) with respect to the attracting plate 51.

다음의 단계 S13에서는, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)가 (+X) 방향으로 이동한다. 이에 의해, 판용 셔틀(23L)이 판 주고받기 위치(XP21)로 이동하여 위치 결정된다. 이에 이어서, 판세정장치의 판 반송 로봇이 사용이 끝난 판(PP)을 인쇄장치(100)로부터 꺼낸다. 이와 같이 하여 판(PP)의 반출이 완료되면, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜 셔틀 유지 플레이트(22)를 (-X) 방향으로 이동시켜, 판용 셔틀(23L)을 중간 위치(XP22)에 위치 결정한다.In the next step S13, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotating shaft, and the shuttle holding plate 22 moves in the (+ X) direction. Thereby, the plate shuttle 23L is moved to the plate transfer receiving position XP21 and positioned. Subsequently, the plate conveying robot of the plate cleaning apparatus takes out the used plate PP from the printing apparatus 100. Then, When the release of the plate PP is completed in this manner, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotation shaft to move the shuttle holding plate 22 in the (-X) direction so that the plate shuttle 23L is moved to the intermediate position XP22).

다음의 단계 S14에서는, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜, 셔틀 유지 플레이트(22)를 (-X) 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 기판용 셔틀(23R)이 기판 주고받기 위치(XP25)로 이동하여 위치 결정된다. 이에 이어서, 기판세정장치의 기판 반송 로봇이 전사 처리를 받은 기판(SB)을 인쇄장치(100)로부터 꺼낸다. 이와 같이 하여 기판(SB)의 반출이 완료되면, 셔틀 수평 구동 모터(M21)가 회전축을 회전시켜 셔틀 유지 플레이트(22)를 (+X) 방향으로 이동시켜, 기판용 셔틀(23R)을 중간 위치(XP23)에 위치 결정한다. 이에 의해, 인쇄장치(100)는 초기 상태로 되돌아온다.In the next step S14, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotating shaft to move the shuttle holding plate 22 in the -X direction. As a result, the substrate shuttle 23R moves to the substrate transfer position XP25 and is positioned. Subsequently, the substrate SB subjected to the transfer processing by the substrate transport robot of the substrate cleaning apparatus is taken out from the printing apparatus 100. When the removal of the substrate SB is completed in this way, the shuttle horizontal drive motor M21 rotates the rotation shaft to move the shuttle holding plate 22 in the (+ X) direction, thereby moving the substrate shuttle 23R to the intermediate position XP23). Thereby, the printing apparatus 100 returns to the initial state.

다음으로, 상기와 같이 구성된 인쇄장치(100)에서의 정밀 얼라인먼트 동작에 관하여 더 상세히 설명한다. 앞서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 하측 스테이지부(5)의 상면에 유지되는 블랭킷(BL)과 상측 스테이지부(3)의 하면에 유지되는 기판(SB)과의 정밀 얼라인먼트를 행한다. 이 정밀 얼라인먼트에서는, 블랭킷(BL) 및 기판(SB)의 각각 미리 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상부(43)에 의해 촬상함과 함께, 그 촬상 결과에 기초하여 얼라인먼트 스테이지(42)를 동작시키는 것에 의해 행한다. 여기서, 상정(想定)되는 기판(SB)의 평면 크기는 350mm×300mm 정도이다. 한편, 목표로 하는 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 수평 방향에서의 위치 맞춤 정밀도는 예를 들면 ±3㎛ 정도이다.Next, the precise alignment operation in the printing apparatus 100 configured as described above will be described in more detail. The blanket BL held on the upper surface of the lower stage portion 5 and the substrate SB held on the lower surfaces of the upper stage portion 3 are precisely aligned. This precision alignment is performed by imaging the previously formed alignment marks of the blanket BL and the substrate SB with the imaging section 43 and operating the alignment stage 42 based on the imaging results . Here, the plane size of the assumed substrate SB is about 350 mm x 300 mm. On the other hand, the alignment accuracy between the target substrate SB and the blanket BL in the horizontal direction is, for example, about 3 m.

도 5는 얼라인먼트 스테이지의 상세 구조를 나타내는 도면이다. 상기한 바와 같이, 얼라인먼트 스테이지(42)는 스테이지 베이스(421) 및 스테이지 탑(422)을 구비하고 있고, 이들 사이에 지지기구(423)가 설치됨과 함께, 스테이지 구동 모터(M41)에 의해 지지기구(423)가 구동됨으로써, 스테이지 베이스(421)에 대한 스테이지 탑(422)의 이동이 실현된다. 도 5에서는, 스테이지 베이스(421)의 네 모퉁이에 각각 설치된 지지기구(423)의 각각을, 부호 423a, 423b, 423c 및 423d에 의해 구별하고 있다. 또한, 이들 각각에 결합되는 스테이지 구동 모터(M41)에 대하여, 각각 부호 M41a, M41b, M41c 및 M41d를 부여하고 있다.5 is a view showing a detailed structure of an alignment stage. As described above, the alignment stage 42 includes a stage base 421 and a stage tower 422. A support mechanism 423 is provided between the stage base 421 and the stage tower 422, The movement of the stage tower 422 relative to the stage base 421 is realized. In Fig. 5, the supporting mechanisms 423 provided at four corners of the stage base 421 are distinguished by reference numerals 423a, 423b, 423c and 423d, respectively. M41a, M41b, M41c, and M41d are assigned to the stage drive motor M41 coupled to each of them.

스테이지 구동 모터(M41a)가 지지기구(423a)를 구동함으로써, 지지기구(423a)의 근방에 점선 화살표로 나타내는 바와 같이, 지지기구(423a)는 Y방향으로 소정의 범위에서 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 각각의 근방에 점선 화살표로 나타내는 바와 같이, 스테이지 구동 모터(M41b)는 지지기구(423b)를 X방향으로, 스테이지 구동 모터(M41c)는 지지기구(423c)를 Y방향으로, 스테이지 구동 모터(M41d)는 지지기구(423d)를 X방향으로, 각각 소정의 범위에서 이동 가능하게 되어 있다.As the stage driving motor M41a drives the supporting mechanism 423a, the supporting mechanism 423a is movable in the Y direction within a predetermined range, as indicated by the dotted arrow in the vicinity of the supporting mechanism 423a. The stage drive motor M41b is driven by the support mechanism 423b in the X direction, the stage drive motor M41c supports the support mechanism 423c in the Y direction, And the support portion M41d can move the support mechanism 423d in the X direction in a predetermined range.

지지기구(423a) 및 지지기구(423c)가 서로 같은 방향으로 이동함으로써, 스테이지 탑(422)은 스테이지 베이스(421)에 대하여 (+Y) 방향 또는 (-Y) 방향으로 이동한다. 또한, 지지기구(423b) 및 지지기구(423d)가 서로 같은 방향으로 이동함으로써, 스테이지 탑(422)은 스테이지 베이스(421)에 대하여 (+X) 방향 또는 (-X) 방향으로 이동한다. 한편, 이들이 서로 역방향으로 이동함으로써, 스테이지 탑(422)은 스테이지 베이스(421)에 대하여 연직축 둘레로 회전한다. 이와 같이 하여, 스테이지 베이스(421)에 대한 스테이지 탑(422)의 수평면(XY평면) 내에서의 이동과 Z축 둘레의 회전운동이 실현되고 있다.The stage 422 moves in the (+ Y) direction or the (-Y) direction with respect to the stage base 421 by moving the support mechanism 423a and the support mechanism 423c in the same direction. The stage 422 moves in the (+ X) direction or the (-X) direction with respect to the stage base 421 by moving the support mechanism 423b and the support mechanism 423d in the same direction. On the other hand, as they move in mutually opposite directions, the stage tower 422 rotates about the vertical axis with respect to the stage base 421. In this way, movement of the stage top 422 in the horizontal plane (XY plane) with respect to the stage base 421 and rotational movement about the Z axis are realized.

도 6은 촬상부의 상세 구조를 나타내는 도면이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 촬상부(43)는 그 상단부가 하측 스테이지부(5)의 흡착 플레이트(51)의 바로 아래까지 뻗어 있고, 그 선단부에는, 도 6에 나타내는 CCD 카메라(430)가 장착되어 있다. 또한 촬상부(43)는 흡착 플레이트(51)에 의해 흡착 유지되는 블랭킷(BL)의 네 모퉁이에 대응하여 4개소 설치되어 있지만, 그들 촬상부(43)의 구조는 모두 동일하다.6 is a diagram showing the detailed structure of the imaging unit. As shown in Fig. 2, the upper end portion of the imaging section 43 extends to just under the suction plate 51 of the lower stage section 5, and a CCD camera 430 shown in Fig. 6 Respectively. The image pickup section 43 is provided at four positions corresponding to the four corners of the blanket BL to be attracted and held by the attracting plate 51. However, the structure of the image pickup section 43 is the same.

흡착 플레이트(51) 중 블랭킷(BL)의 네 모퉁이에 대응하는 위치에는, 각각 투명한 석영창(52a)이 끼워 넣어져 있어, 그 석영창(52a)을 통하여 흡착 플레이트(51)의 아래쪽으로부터 블랭킷(BL)을 환히 들여다 볼 수 있도록 되어 있다. 석영창(52a)의 아래쪽에는, CCD 카메라(430)가 배치되어 있다. 구체적으로는, 석영창(52a)의 바로 아래 위치에, 대물렌즈(435), 하프미러(437) 및 CCD 촬상소자의 수광면(438)이 이 순서대로 배치되어 있다. 대물렌즈(435)의 광축은 대략 연직 방향과 일치하고, 그 광축상에 석영창(52a) 및 수광면(438)이 각각 배치되어 있다. 하프미러(437)에는, 측방으로부터 광원(436)으로부터의 광이 입사되고, 그 광은 하프미러(437)로 반사되어 석영창(52a)을 향하여 출사되어, 석영창(52a)을 통하여 블랭킷(BL)에 입사된다.A transparent quartz window 52a is sandwiched between the adsorption plates 51 at positions corresponding to the four corners of the blanket BL so that the blanket from the lower side of the adsorption plate 51 through the quartz window 52a BL) to be seen through. A CCD camera 430 is disposed below the quartz window 52a. Concretely, the objective lens 435, the half mirror 437 and the light receiving surface 438 of the CCD imaging element are arranged in this order immediately below the quartz window 52a. The optical axis of the objective lens 435 coincides with the substantially vertical direction, and a quartz window 52a and a light receiving surface 438 are disposed on the optical axis. The light from the light source 436 is incident on the half mirror 437 from the side and the light is reflected by the half mirror 437 and emitted toward the quartz window 52a to be transmitted through the quartz window 52a to the blanket BL.

상측 스테이지부(3)의 흡착 플레이트(34)의 하면에 유지된 기판(SB)의 하면 중 석영창(52a)에 면하는 위치에는, 소정의 제1 얼라인먼트 마크(AM1)가 미리 형성되어 있다. 한편, 하측 스테이지부(5)의 흡착 플레이트(51)의 표면에 유지된 블랭킷(BL)의 표면 중 석영창(52a)에 면하는 위치에는, 소정의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)가 미리 형성되어 있다. 즉, 기판(SB)과 블랭킷(BL)은, 각각의 얼라인먼트 마크 형성면이 서로 마주보도록 대향 배치되어 있다. 이에 의해, 연직 방향(Z방향)에서의 양 얼라인먼트 마크 사이의 거리를 작게 할 수 있다. 갭 조정 후의 기판(SB)과 블랭킷(BL) 사이의 간격(Gsb)에 대하여는, 이것을 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다. 그러나, 장치 각 부의 치수 정밀도나 기판(SB) 및 블랭킷(BL)의 휨 등을 고려하면, 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 예정되지 않은 접촉을 막기 위해서는 어느 정도 떼어 놓지 않을 수 없다. 여기에서는, 예를 들면 간격(Gsb)을 300㎛로 한다.A predetermined first alignment mark AM1 is previously formed at a position facing the quartz window 52a in the lower surface of the substrate SB held on the lower surface of the attracting plate 34 of the upper stage portion 3. [ On the other hand, a predetermined second alignment mark AM2 is previously formed at a position facing the quartz window 52a in the surface of the blanket BL held on the surface of the attracting plate 51 of the lower stage portion 5 have. That is, the substrate SB and the blanket BL are opposed to each other so that the respective alignment mark forming surfaces face each other. As a result, the distance between the two alignment marks in the vertical direction (Z direction) can be reduced. It is preferable that the gap Gsb between the substrate SB and the blankets BL after the gap adjustment is made as small as possible. However, considering the dimensional accuracy of each part of the device, the warpage of the substrate SB and the blanket BL, it is necessary to separate the substrate SB and the blanket BL in order to prevent unintended contact with each other. Here, for example, the interval Gsb is set to 300 mu m.

블랭킷(BL)은 유리판 또는 투명 수지판의 표면에 예를 들면 실리콘 고무에 의한 얇은 탄성층이 형성된 것이고, 광투과성을 갖는다. 따라서, 하측 스테이지부(5)의 아래쪽으로부터는, 석영창(52a) 및 블랭킷(BL)을 통하여 제1 얼라인먼트 마크(AM1) 및 제2 얼라인먼트 마크(AM2)를 동시에 환히 들여다 볼 수 있는 상태로 되어 있다. CCD 수광면(438)은 석영창(52a)에 면하여 배치된 제1 얼라인먼트 마크(AM1) 및 제2 얼라인먼트 마크(AM2)를 동일 시야 내에서 일괄하여 촬상한다.The blanket (BL) has a thin elastic layer made of, for example, silicone rubber on the surface of a glass plate or a transparent resin plate, and has light transmittance. The first alignment mark AM1 and the second alignment mark AM2 can be concurrently viewed through the quartz window 52a and the blanket BL from the lower side of the lower stage portion 5 have. The CCD light receiving surface 438 captures the first alignment mark AM1 and the second alignment mark AM2 arranged facing the quartz window 52a collectively in the same field of view.

대물렌즈(435), 하프미러(437), 수광면(438) 및 광원(436)은 일체적으로, XY테이블(431)에 의해 XY평면을 따른 방향으로, 또한 정밀 승강 테이블(432)에 의해 연직 방향(Z방향)으로 이동 가능하게 되어 있다. 대물렌즈(435)의 전측(前側) 초점은 정밀 승강 테이블(432)에 의해 블랭킷(BL)의 얼라인먼트 마크 형성면에 맞추어진다. 한편, 후측(後側) 초점은 미리 CCD 촬상소자의 수광면(438)에 맞추어져 있다. 이 때문에, CCD 수광면(438)에는, 블랭킷(BL)에 형성된 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에 핀트가 맞은(초점 내의) 광학상이 결상되어, CCD 카메라(430)에 의해 이 광학상이 촬상된다.The objective lens 435, the half mirror 437, the light receiving surface 438 and the light source 436 are integrally held by the XY table 431 in the direction along the XY plane and by the precision elevation table 432 And is movable in the vertical direction (Z direction). The front focal point of the objective lens 435 is aligned with the alignment mark formation surface of the blanket BL by the precision lift table 432. [ On the other hand, the rear focal point is aligned with the light-receiving surface 438 of the CCD imaging element in advance. Therefore, an optical image focused on the second alignment mark AM2 formed on the blanket BL forms an image on the CCD light receiving surface 438, and the optical image is picked up by the CCD camera 430. [

또한 제2 얼라인먼트 마크(AM2)는 기판에 전사할 패턴과 동일 재료에 의해, 파턴 형성과 동시에, 블랭킷(BL)의 탄성층의 표면에 형성된다. 즉, 판(PP)에는, 기판(SB)에 전사할 패턴과 함께 얼라인먼트 마크(AM2)에 대응하는 패턴이 미리 형성되어 있고, 판(PP)을 블랭킷(BL)상의 도포층에 밀착시켜 패터닝을 행할 때에, 얼라인먼트 마크(AM2)도 동시에 형성된다. 상기와 같이, 블랭킷(BL)의 주면(主面) 중, 탄성층이 형성된 측의 한쪽 주면이 패턴 및 얼라인먼트 마크의 형성면으로 되어 있다.The second alignment mark AM2 is formed on the surface of the elastic layer of the blanket BL simultaneously with the formation of the pattern by the same material as the pattern to be transferred onto the substrate. That is, the plate PP is provided with a pattern corresponding to the alignment mark AM2 in advance with the pattern to be transferred to the substrate SB. The plate PP is brought into close contact with the coating layer on the blanket BL to perform patterning The alignment mark AM2 is also formed at the same time. As described above, one main surface of the main surface of the blanket BL on the side where the elastic layer is formed serves as a surface for forming the pattern and the alignment mark.

도 7A내지 도 7C는 얼라인먼트 마크의 패턴의 예를 나타내는 도면이다. 보다 상세하게는, 도 7A는 본 실시형태에 대하여 기판에 형성되는 제1 얼라인먼트 마크를 나타내며, 도 7B는 본 실시형태에 대하여 블랭킷에 형성되는 제2 얼라인먼트 마크를 나타낸다.7A to 7C are views showing examples of patterns of alignment marks. More specifically, Fig. 7A shows the first alignment mark formed on the substrate in this embodiment, and Fig. 7B shows the second alignment mark formed in the blanket in this embodiment.

도 7A에 나타내는 바와 같이, 기판(SB)에 형성되는 제1 얼라인먼트 마크(AM1)는 서로 이격 배치된 복수의(본 예에서는, 4개의) 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)(AP11∼AP14)으로 이루어진다. 각 얼라인먼트 패턴(AP1)은 핀트가 맞지 않는 상태에서도 도형이 소실하지 않을 정도의 크기, 예를 들면 1변(邊)이 50㎛ 정도의 사각형(본 예에서는, 정방형)으로, 4변으로 둘러싸인 내부가 똑같이 칠해진 중실(中實)의 도형이다. 이러한 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)이 4개, 각각이 정방형의 정점(頂点)으로 되는 위치에 배치되어 제1 얼라인먼트 마크(AM1)가 구성된다. 각 얼라인먼트 패턴(AP1) 사이의 간격은 750㎛이다.As shown in Fig. 7A, the first alignment mark AM1 formed on the substrate SB is composed of a plurality of (four in this example) first alignment patterns AP1 (AP11 to AP14) spaced from each other . Each of the alignment patterns AP1 has a size such that the figure does not disappear even when the focus is not matched. For example, in a square (one square in this example) having one side of about 50 mu m, Is a figure of solid medium which is painted in the same way. These first alignment patterns AP1 are arranged at four positions, each of which is a vertex of the square, to constitute the first alignment mark AM1. The interval between the alignment patterns AP1 is 750 mu m.

한편, 도 7B에 나타내는 바와 같이, 블랭킷(BL)에 형성되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)는 단일의 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)으로 이루어진다. 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)은 예를 들면 1변이 120㎛ 정도의 사각형으로 내부가 도려내져 공백으로 된 환형상(環狀)의 중공(中空)의 도형이다. 정방형을 이루는 각 변의 선폭은 예를 들면 10㎛이며, 따라서 내부의 정방형의 1변은 100㎛ 정도이다.On the other hand, as shown in Fig. 7B, the second alignment mark AM2 formed on the blanket BL comprises a single second alignment pattern AP2. The second alignment pattern AP2 is, for example, an annular hollow shape having a square with a side of about 120 탆 and hollowed out from the inside. The line width of each side forming the square is, for example, 10 占 퐉, and therefore, one side of the inner square is about 100 占 퐉.

또한, 도 7C는 이들 얼라인먼트 패턴의 공간주파수 스펙트럼을 나타내고 있다. 이러한 패턴이 갖는 공간주파수 성분을 비교하면, 중실 도형인 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)이 중공 도형인 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)보다 많은 저주파 성분을 포함하고 있다. 즉, 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 쪽이, 공간주파수의 스펙트럼이 저주파수측으로 치우쳐 있다. 후술하는 정밀 얼라인먼트 동작에서는, 이 특징을 이용하여 각 얼라인먼트 패턴의 위치 검출을 행한다.Fig. 7C shows the spatial frequency spectrum of these alignment patterns. When the spatial frequency components of these patterns are compared, the first alignment pattern AP1, which is a solid shape, contains a lower frequency component than the second alignment pattern AP2, which is a hollow shape. That is, the spectrum of the spatial frequency is shifted toward the low-frequency side in the first alignment pattern AP1. In the precise alignment operation to be described later, the position of each alignment pattern is detected using this feature.

도 8은 정밀 얼라인먼트 동작을 위한 얼라인먼트 마크의 배치를 나타내는 도면이다. 기판(SB) 및 블랭킷(BL)은 거의 동일한 평면 크기를 갖는 판상체(板狀體)이며, 양쪽을 겹치게 하였을 때에 서로 대응하는 위치에, 각각 얼라인먼트 마크가 형성된다. 즉, 판 형상의 기판(SB)의 중앙부에는, 회로 패턴 등의 소정 패턴이 형성되어 최종적으로 디바이스로서 기능하는 유효 패턴 영역(PR)이 설정된다. 이에 대응하는 블랭킷(BL)의 표면 영역이 블랭킷(BL)의 유효 패턴 영역(PR)이며, 기판(SB)에 전사할 패턴은 판(PP)에 의해 이 영역(PR)에 패터닝된다. 도 8의 예에서는, 직사각형 기판(SB)의 중앙부의 사각형 영역을 유효 패턴 영역(PR)으로 하고 있지만, 이들의 형상은 직사각형에 한정되는 것은 아니며 임의이다.8 is a view showing the arrangement of alignment marks for precise alignment operation. The substrate SB and the blanket BL are plate-like bodies having substantially the same planar size, and when both are overlapped, alignment marks are formed at positions corresponding to each other. That is, a predetermined pattern such as a circuit pattern is formed at the center of the plate-like substrate SB to set an effective pattern area PR that finally functions as a device. The surface area of the corresponding blanket BL is the effective pattern area PR of the blanket BL and the pattern to be transferred to the substrate SB is patterned into this area PR by the plate PP. In the example shown in Fig. 8, the square region at the center of the rectangular substrate SB is referred to as the effective pattern region PR, but these shapes are not limited to rectangular shapes, and may be arbitrary.

그리고, 유효 패턴 영역(PR)의 네 모퉁이의 외측, 기판(SB)의 각 부에 근접하는 영역을, 얼라인먼트 마크 형성 영역(AR)으로 하고 있다. 또한 하측 스테이지부(5)의 흡착 플레이트(51)에 설치되는 석영창(52a)은 상기한 4개소의 얼라인먼트 마크 형성 영역(AR)에 대응하는 위치에 각각 설치된다.An area outside the four corners of the effective pattern area PR and close to each part of the substrate SB is an alignment mark forming area AR. The quartz windows 52a provided on the attracting plate 51 of the lower stage portion 5 are respectively provided at positions corresponding to the four alignment mark formation areas AR described above.

기판(SB)에 있어서는, 예를 들면 포트리소그래피 기술에 의해 미리 제1 얼라인먼트 마크(AM1)가 4개소의 얼라인먼트 마크 형성 영역(AR)의 각각에 형성되어 있다. 한편, 블랭킷(BL)의 각 얼라인먼트 마크 형성 영역(AR)에 형성되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)는 유효 패턴 영역(PR)에 형성되는 패턴과 함께, 판(PP)을 이용하여 패턴 형성 재료에 의해 패터닝된다. 그 때문에, 패터닝 시의 판(PP)과 블랭킷(BL)의 위치 관계에 관련되지 않고, 블랭킷(BL)상에서 유효 패턴 영역(PR)에 형성되는 패턴과 얼라인먼트 마크 형성 영역(AR)에 형성되는 얼라인먼트 마크와의 위치 관계는 불변(不變)이다. 이에 의해, 얼라인먼트 마크를 이용한 위치 맞춤에 의해 기판(SB)과 블랭킷(BL)상의 패턴과의 위치 관계가 일정하게 유지된다. 따라서 판(PP)과 블랭킷(BL) 사이에서의 정밀 얼라인먼트는 반드시 필요 없다.In the substrate SB, a first alignment mark AM1 is previously formed in each of four alignment mark formation areas AR by, for example, a photolithography technique. On the other hand, the second alignment mark AM2 formed on each alignment mark formation area AR of the blanket BL is formed with a pattern formed on the effective pattern area PR, . The pattern formed in the effective pattern area PR on the blanket BL and the alignment formed in the alignment mark forming area AR can be obtained without regard to the positional relationship between the plate PP and the blanket BL at the time of patterning, The positional relationship with the mark is invariant. Thereby, the positional relationship between the substrate SB and the pattern on the blanket BL is kept constant by alignment using the alignment mark. Therefore, precision alignment between the plate PP and the blanket BL is not necessarily required.

본 실시형태에서는, 상기와 같이 구성된 얼라인먼트 패턴을 얼라인먼트부(4)의 촬상부(43)에 의해 촬상한다. 촬상한 화상으로부터 얼라인먼트 패턴을 검출하여 기판(SB)과 블랭킷(BL)(엄밀하게는 블랭킷(BL)상의 패턴)와의 위치 관계를 파악하고, 필요에 따라 이러한 위치를 맞추기 위한 조정 동작을 행한다.In the present embodiment, the imaging section 43 of the alignment section 4 picks up the alignment pattern configured as described above. An alignment pattern is detected from the sensed image to grasp the positional relationship between the substrate SB and the blankets BL (strictly, a pattern on the blanket BL), and an adjustment operation is performed to adjust such positions as necessary.

본 실시형태의 제1 얼라인먼트 마크 및 제2 얼라인먼트 마크는 각각 상기한 얼라인먼트 패턴을 구성요소로 하여 이것을 하나 또는 복수 포함하는 것이다. 다만, 본 실시형태의 정밀 얼라인먼트 동작 자체는 단일의 얼라인먼트 패턴만으로 이루어지는 얼라인먼트 마크에 의해서도 성립한다. 따라서, 여기에서는, 단일의 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)으로 이루어지는 제1 얼라인먼트 마크를 기판(SB)에 형성하고, 단일의 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)으로 이루어지는 제2 얼라인먼트 마크를 블랭킷(BL)에 형성한 예를 이용하여 얼라인먼트 동작의 원리를 설명한다.Each of the first alignment mark and the second alignment mark in the present embodiment includes one or a plurality of these alignment patterns as constituent elements. However, the precision alignment operation itself of the present embodiment is also achieved by an alignment mark composed of only a single alignment pattern. Therefore, here, a first alignment mark consisting of a single first alignment pattern AP1 is formed on the substrate SB, and a second alignment mark composed of a single second alignment pattern AP2 is formed on the blanket BL The principle of the alignment operation will be explained using the formed example.

도 9A 내지 도 9C는 CCD 카메라로 촬상된 화상의 일례를 나타내는 도면이다. 촬상된 화상(IM)에는, 도 9A에 나타내는 바와 같이, 핀트가 맞은 상태에서 높은 화상 콘트라스트로 촬상된 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)이 포함된다. 따라서, 촬상된 화상으로부터 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 중심 위치(G2m)를 검출하는 것은 비교적 용이하다. 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)을 환형상 직사각형의 중공 도형으로 한 경우, 예를 들면 다음과 같이 하여 중심 위치를 구할 수 있다. 도 9B에 나타내는 바와 같이, 화상 내의 각 위치마다의 휘도를 소정의 반응을 일으키는 최소의 한계값으로 2치화(二値化)함으로써 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 엣지(edge) 부분을 추출하고, 이것으로부터 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 윤곽을 추정하여 그 중심(G2m)의 위치를 구할 수 있다. 특히, 패턴의 외형 치수나 선폭 등의 특징을 미리 알고 있으므로, 화상 처리부(65)는 그 특징으로 특화(特化)한 화상 처리를 적용할 수 있다. 9A to 9C are views showing an example of an image taken by a CCD camera. As shown in Fig. 9A, the captured image IM includes a second alignment pattern AP2 captured with a high image contrast in a state in which the focus is imaged. Therefore, it is relatively easy to detect the center position G2m of the second alignment pattern AP2 from the captured image. When the second alignment pattern AP2 is an annular rectangular hollow shape, the center position can be obtained, for example, as follows. 9B, the edge portion of the second alignment pattern AP2 is extracted by binarizing the brightness for each position in the image to the minimum limit value causing a predetermined reaction, From this, the outline of the second alignment pattern AP2 can be estimated and the position of the center G2m thereof can be obtained. Particularly, since the features such as the external dimensions and the line width of the pattern are known in advance, the image processing unit 65 can apply specialized image processing to the features.

한편, 기판측에 형성된 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)에 대하여는, 반드시 핀트를 맞춘다는 것은 아니다. 광축 방향에서의 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)과 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)과의 간격이 대물렌즈(435)의 피사계 심도 이하라면, 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)과 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 양쪽 모두에 핀트가 맞은 화상을 촬상하는 것이 가능하다. 그러나, 얼라인먼트 패턴 간의 간격이 대물렌즈(435)의 피사계 심도보다 클 때, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)에 핀트를 맞추려면 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)은 피사계 심도 바깥으로 되어 핀트가 맞지 않아, 윤곽이 희미해진 화상으로서 촬상된다.On the other hand, the first alignment pattern AP1 formed on the substrate side is not always focused. The distance between the first alignment pattern AP1 and the second alignment pattern AP2 in the direction of the optical axis is equal to or smaller than the depth of field of the objective lens 435, It is possible to capture an image in which the both are in focus. However, when the interval between the alignment patterns is larger than the depth of field of the objective lens 435, in order to focus on the second alignment pattern AP2, the first alignment pattern AP1 is out of the depth of field and is not focused, Is picked up as a blurred image.

본 실시형태에서는, 5배 정도의 배율을 갖는 대물렌즈(435)를 사용하고 있고 그 피사계 심도는 ±30㎛(합초(合焦)범위로서 60㎛) 정도이다. 한편, 장치(100)에 세팅된 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 간격(Gsb)은 갭 조정 후에 300㎛ 정도이다. 이러한 조건에서는, 양 얼라인먼트 패턴에 동시에 핀트를 맞추는 것은 불가능하다. 즉, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)에 핀트를 맞추려면, 필연적으로 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)에는, 핀트가 맞지 않는다. 본 실시형태의 정밀 얼라인먼트 방법은 이러한 경우에도 대응하여 고정밀도의 위치 맞춤을 가능하게 하는 것이다.In this embodiment, an objective lens 435 having a magnification of about five times is used, and its depth of field is about 占 30 占 (about 60 占 퐉 as a focusing range). On the other hand, the gap Gsb between the substrate SB set in the apparatus 100 and the blanket BL is about 300 mu m after the gap adjustment. Under these conditions, it is impossible to simultaneously focus on both alignment patterns. That is, in order to focus on the second alignment pattern AP2, the first alignment pattern AP1 is inevitably out of focus. The precision alignment method according to the present embodiment enables highly accurate alignment even in this case.

제1 얼라인먼트 패턴(AP1)에 핀트가 맞지 않을 때, 도 9A에 나타내는 바와 같이, 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)은 파선으로 나타내는 본래의 외형보다 크고, 또한 윤곽이 희미해진 상태로 촬상되어 있다. 따라서, 원래의 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 형상이 갖고 있던 공간주파수 성분 중 비교적 높은 주파수 성분은 소실되어 있다. 이 때문에, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 경우와 같이 엣지를 추출하는 방법은 적용이 어렵고 또한 검출 오차도 커진다고 생각할 수 있다. 따라서, 도 9C에 나타내는 바와 같이, 휘도 레벨의 피크 위치로써 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 중심 위치를 구한다.When the first alignment pattern AP1 is not in focus, the first alignment pattern AP1 is picked up in a state in which the first alignment pattern AP1 is larger than the original outline shown by the broken line and the contour is blurred, as shown in Fig. 9A. Therefore, relatively high frequency components among the spatial frequency components of the original shape of the first alignment pattern AP1 are lost. Therefore, it can be considered that the method of extracting an edge as in the case of the second alignment pattern AP2 is difficult to apply and the detection error also becomes large. Therefore, as shown in Fig. 9C, the center position of the first alignment pattern AP1 is obtained at the peak position of the brightness level.

이 때, 도 7C에 도시한 바와 같이, 미리 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 형상을 낮은 공간주파수 성분을 많이 포함하는 것으로 하여 둠으로써, 화상 정보의 손실을 억제하여 중심 위치의 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있다. 특히, 쉐이딩 보정을 수반하는 화상 처리를 행하는 경우에는, 이에 의해 낮은 주파수 성분도 없어지기 때문에, 공간주파수의 분포가 저주파수측에 모인 형상의 패턴을 이용하는 것이 유효하다.At this time, as shown in Fig. 7C, by making the shape of the first alignment pattern AP1 include a lot of low spatial frequency components, the loss of the image information is suppressed and the decrease in the detection accuracy of the center position . Particularly, when image processing accompanied by shading correction is performed, a low frequency component is also lost thereby, and therefore, it is effective to use a pattern of a shape in which the distribution of spatial frequencies is gathered on the low-frequency side.

또한, 원래의 형상에 포함되는 고주파 성분이 없어지는 것을 미리 알고 있는 것이기 때문에, 중심 위치의 검출에 대하여 고주파 성분은 유용성을 가지지 않고, 오히려 노이즈로서 작용하는 것이다. 따라서, 화상으로부터 고주파 성분을 제거하는 저역 필터링 처리를 행하고, 제거 후의 화상으로부터 중심 위치를 검출하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여, 핀트가 맞지 않는 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 중심(Glm)의 위치를 검출한다.Further, since it is known in advance that the high-frequency component contained in the original shape disappears, the high-frequency component does not have usefulness for detection of the center position, and rather acts as noise. Therefore, it is preferable to perform a low-pass filtering process for removing a high-frequency component from the image, and to detect the center position from the image after the removal. In this manner, the position of the center G1m of the first alignment pattern AP1 that is not in focus is detected.

도 9A에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 중심 위치(Glm)를 기준으로 하였을 때, 본래, 즉 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 위치 관계가 적절할 때에, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)이 위치해야 할 중심의 위치를 부호 G2t에 의해 나타낸다. 그러나, 실측(實測)된 중심(G2m)의 위치는 반드시 이것과 일치하지 않고, 이것들을 일치시키기 위해서 정밀 얼라인먼트 동작이 필요하다. 즉 정밀 얼라인먼트 동작에서는, 도 9A에서 화살표로 나타내는 바와 같이, 검출되는 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 중심 위치(G2m)를 그 적정 위치(G2t)에 일치시키도록 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 상대 위치를 조정한다. 이 실시형태에서는, 촬상 결과에 기초하여 얼라인먼트 스테이지(42)의 스테이지 탑(422)의 필요 이동량을 산출하고 이것을 이동시킴으로써, 스테이지 탑(422)에 지지된 하측 스테이지부(5) 및 이것에 재치된 블랭킷(BL)을 이동시켜, 기판(SB)에 대한 위치 맞춤을 행한다.When the positional relationship between the substrate SB and the blanket BL is proper when the center position Glm of the first alignment pattern AP1 is taken as a reference as shown in Fig. 9A, for example, 2 The center position at which the alignment pattern AP2 should be located is indicated by the symbol G2t. However, the position of the actually measured center G2m does not always coincide with this, and a precise alignment operation is required to match them. Namely, in the precision alignment operation, as shown by the arrow in Fig. 9A, the substrate SB and the blanket BL are arranged so as to match the center position G2m of the detected second alignment pattern AP2 to the proper position G2t, And adjusts the relative position of In this embodiment, the required amount of movement of the stage column 422 of the alignment stage 42 is calculated based on the imaging result, and the required movement amount of the stage stage 422 of the alignment stage 42 is calculated. Thus, the lower stage portion 5 supported by the stage column 422, The blanket (BL) is moved to perform alignment with respect to the substrate (SB).

도 10은 정밀 얼라인먼트 동작의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다. 또한 이 처리는 도 4의 단계 S9의 처리의 일부로서 행해지는 것이다. 먼저, 정밀 승강 테이블(432)에 의해, 촬상부(43)에 설치된 CCD 카메라(430)의 핀트가 블랭킷(BL)의 얼라인먼트 마크 형성면(상면)에 맞추어지게 한다(단계 S901). 또한 블랭킷(BL)은 팽윤에 기인하여 그 두께가 변동하기 때문에, 핀트 맞춤은 전사 처리의 실행시 마다 행해질 필요가 있다.10 is a flowchart showing the flow of processing of the precision alignment operation. This process is also performed as part of the process of step S9 in Fig. First, the precision elevating table 432 causes the CCD camera 430 provided in the image pickup unit 43 to be aligned with the alignment mark formation surface (upper surface) of the blanket BL (step S901). Further, since the thickness of the blanket (BL) varies due to the swelling, it is necessary that the fitting be performed every time the transferring process is performed.

구체적으로는, 예를 들면 다음과 같은 오토 포커스(AF) 조정 동작에 의해, 핀트 맞춤을 행할 수 있다. 즉, 정밀 승강 테이블(432)에 의해 CCD 카메라(430)를 상하 방향(Z방향)으로 작동시킴으로써 초점 위치를 Z방향으로 일정 피치로 변경 설정하면서, 그때마다 CCD 카메라(430)에 의한 촬상을 행한다. 그리고, 촬상되는 얼라인먼트 패턴(AP2)의 화상으로부터, 화상 콘트라스트가 최대로 되는 위치를 산출하고, 그 위치에 대물렌즈(435)의 초점 위치를 맞춘다. 또한 4개의 CCD 카메라(430)의 핀트 맞춤은 각각 개별적으로 행해지지만, 그 처리 내용은 동일하다.More specifically, the auto focusing (AF) adjusting operation described below can perform the focusing. That is, the CCD camera 430 is operated in the vertical direction (Z direction) by the precision elevation table 432 to change the focus position to a constant pitch in the Z direction, and the CCD camera 430 performs imaging every time . Then, the position at which the image contrast is maximized is calculated from the image of the alignment pattern AP2 to be imaged, and the focus position of the objective lens 435 is adjusted at that position. Also, the focussing of the four CCD cameras 430 is performed individually, but the processing contents are the same.

도 11은 핀트 맞춤 동작을 나타내는 플로우 차트이다. 최초로, 정밀 승강 테이블(432)에 의해, CCD 카메라(430)의 높이 즉 Z방향 위치를 소정의 초기치로 설정한다(단계 S911). 그리고, 정밀 승강 테이블(432)에 의해 CCD 카메라(430)의 높이를 다단계로 변경 설정하면서, 그때마다 CCD 카메라(430)에 의한 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 촬상을 행한다(단계 S912). CCD 카메라(430)가 소정의 최종 높이에 도달할 때까지, 이것을 반복한다(단계 S913). 본 실시형태에서는, 미리 정해진 표준 높이로부터 ±100㎛의 범위에서, 20㎛ 스텝으로 CCD 카메라(430)를 이동시켜, 각 위치에서 촬상을 행한다.Fig. 11 is a flowchart showing the focus fitting operation. First, the height of the CCD camera 430, that is, the position in the Z direction, is set to a predetermined initial value by the precision elevation table 432 (step S911). The CCD camera 430 picks up the second alignment pattern AP2 every time the height of the CCD camera 430 is varied and set by the precision elevating table 432 (step S912). This is repeated until the CCD camera 430 reaches a predetermined final height (step S913). In the present embodiment, the CCD camera 430 is moved in a step of 20 占 퐉 in a range of ± 100 占 퐉 from a predetermined standard height, and imaging is performed at each position.

이와 같이 하여 각 높이에서 촬상된 원(原) 화상 중, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)이 가장 선명하게 나타나는 것이, CCD 카메라(430)의 핀트가 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)에 맞은(혹은 거기에 가장 가까운) 상태를 나타내고 있다. 따라서, 그 화상을 찾아내서, 그것에 대응하는 높이에 CCD 카메라(430)를 세팅함으로써, 핀트 맞춤의 목적은 달성되게 된다.The reason why the second alignment pattern AP2 appears most clearly among the original images picked up at the respective heights is that the focus of the CCD camera 430 is matched with the second alignment pattern AP2 (Closest) state. Thus, by locating the image and setting the CCD camera 430 at a height corresponding thereto, the object of focusing is achieved.

그러나, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)은 기판(SB)에 전사할 패턴과 동일 재료로 형성되는 것이기 때문에, 항상 양호한 콘트라스트로 촬상할 수 있다고는 할 수 없다. 예를 들면, 블랭킷(BL)과 근사한 광학적 특성(특히 굴절률, 반사율 등)을 갖는 재료로 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)이 형성되어 있는 경우, 촬상 조건을 미세조정해도 낮은 화상 콘트라스트 밖에 얻을 수 없는 것이 있다.However, since the second alignment pattern AP2 is formed of the same material as the pattern to be transferred onto the substrate SB, it can not always be said that imaging can be performed with a good contrast. For example, in the case where the second alignment pattern AP2 is formed of a material having optical characteristics (particularly, refractive index, reflectance, etc.) close to the blanket BL, only a low image contrast can be obtained even if the image pick- have.

또한, 기판(SB)과 블랭킷(BL)이 극히 근접하여 배치된 상태에서는, 광원(463)으로부터의 조명광이 기판(SB)에 의해 반사됨으로써 비교적 밝은 화상을 얻을 수 있다. 이에 대하여, 예를 들면 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 갭 조정이 끝나지 않은 상태처럼 기판(SB)과 블랭킷(BL)의 거리가 비교적 클 때, CCD 카메라(430)측에서 보아서 블랭킷(BL)의 배후에 있는 기판(SB)이 멀기 때문에, 충분한 반사광량을 얻지 못하여, 어둡고 또한 콘트라스트가 낮은 화상으로 되는 경우가 있다. 기판(SB) 자체의 반사율이 낮은 경우도 마찬가지이다.Further, in a state in which the substrate SB and the blanket BL are arranged very close to each other, the illumination light from the light source 463 is reflected by the substrate SB, so that a relatively bright image can be obtained. On the other hand, when the distance between the substrate SB and the blanket BL is relatively large, for example, in a state in which the gap between the substrate SB and the blanket BL has not been adjusted, BL, the substrate SB located farther from the substrate is farther away, so that a sufficient amount of reflected light can not be obtained, resulting in a dark image with low contrast. The same applies to the case where the reflectance of the substrate SB itself is low.

이와 같이, 아직 핀트가 맞지 않은 상태에서의 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 촬상을 양호한 환경하에서 행하는 것을 기대할 수 없는 경우가 있어, 화상으로부터 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)을 검출하는 것이 곤란한 경우가 있다. 그러나, 이러한 환경하에서도 확실하게 핀트 맞춤을 행하는 것이 필요하다. 이것을 가능하게 하기 위해서, 본 실시형태에서는, 다음과 같이 하고 있다.In this way, it may not be expected to perform imaging of the second alignment pattern AP2 under a good environment in a state where the focus is not yet aligned, and it may be difficult to detect the second alignment pattern AP2 from the image . However, it is necessary to perform the pint alignment surely even under such an environment. In order to make this possible, the present embodiment is configured as follows.

본 실시형태의 CCD 카메라(430)에서는, 촬상소자의 1화소의 크기가 약 0.7㎛이다. 한편, 도 7B에 도시한 바와 같이, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 선폭은 10㎛이며, 이것은 촬상소자의 약 14화소분에 상당한다. 따라서, 비록 저(低)콘트라스트의 화상이어도, 이 선폭에 대응하는 14화소분에 상당하는 공간주파수 성분을 강조함으로써, 화상으로부터 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)을 보다 검출하기 쉽게 하는 것이 가능하다. 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 형상 및 크기는 이미 알려져 있고, 또한, 이 경우, 촬상된 화상으로부터의 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 검출은 그 엣지 위치가 특정되면 충분하기 때문이다.In the CCD camera 430 of the present embodiment, the size of one pixel of the imaging device is about 0.7 mu m. On the other hand, as shown in Fig. 7B, the line width of the second alignment pattern AP2 is 10 mu m, which corresponds to about 14 pixels of the imaging element. Therefore, even with a low contrast image, it is possible to make the second alignment pattern AP2 more easily detectable from the image by emphasizing the spatial frequency component corresponding to 14 pixels corresponding to the line width. The shape and size of the second alignment pattern AP2 are already known, and in this case, the detection of the second alignment pattern AP2 from the captured image is sufficient if the edge position is specified.

예를 들면, 선폭보다 충분히 미세한, 예를 들면 선폭의 반 이하의 크기에 대응하는 공간주파수 성분을 제거함으로써, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 엣지에 관한 정보를 잃는 일 없이 노이즈 성분, 특히 고주파의 랜덤 노이즈 성분을 제거할 수 있다. 또한, 선폭보다 충분히 큰, 예를 들면 선폭의 2배 이상의 크기에 대응하는 공간주파수 성분을 제거함으로써, 역시 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 엣지에 관한 정보를 잃는 일 없이 보다 큰 스케일로의 변동 요인, 예를 들면 쉐이딩의 영향을 배제하는 것이 가능하다.For example, by removing spatial frequency components that are sufficiently smaller than the line width, for example, a half or less of the line width, information on the edges of the second alignment pattern AP2 is not lost, The random noise component can be removed. Further, by removing the spatial frequency component corresponding to a size which is sufficiently larger than the line width, for example, twice the line width, the information on the edge of the second alignment pattern AP2 is not lost, , It is possible to exclude the influence of, for example, shading.

구체적으로는, 각 높이에서 촬상된 원(原) 화상에 대하여, 화상 처리부(65)가 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 패턴 형상에 기초하여 설정된 소정의 화소 단위, 구체적으로는, 선폭에 대응하는 화소수의 반 이하(예를 들면 4화소×4화소)로 평균화 압축을 행한다(단계 S914). 여기에서는, 평균화 압축 후의 화상 데이터를 제1 데이터라고 칭한다. 이와 같이 하여 평균화 압축을 행함으로써, 원 화상에 포함되는 고주파 성분이 제거되어 특히 랜덤 노이즈 성분이 효과적으로 제거된다. 즉, 평균화 압축 처리는 실질적으로는, 저역 통과 필터링 처리에 상당한다. 또한, 이후의 연산에서의 데이터량을 삭감하는 효과도 있다.Specifically, for the original image picked up at the respective heights, the image processing unit 65 performs a process for calculating the position of the original image corresponding to the predetermined pixel unit set on the basis of the pattern shape of the second alignment pattern AP2, Averaging compression is performed in half or less of the number of pixels (for example, 4 pixels x 4 pixels) (step S914). Here, the image data after the averaging and compression is referred to as first data. By carrying out averaging and compression in this way, the high frequency components included in the original image are removed, and the random noise component is effectively removed. That is, the averaging compression process substantially corresponds to the low-pass filtering process. There is also an effect of reducing the amount of data in subsequent calculations.

다음으로, 평균화 압축 후의 제1 데이터에 대하여, 소정의 화소 단위, 예를 들면 7화소×7화소로 평균화 압축을 행한다(단계 S915). 또한 여기서 말하는 「화소」는 4화소 단위로 압축된 제1 데이터에서의 화소를 의미하고 있고, 따라서 여기서의 7화소는 원 화상에서의 28화소(즉 선폭의 2배)에 상당한다. 이에 의해, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)에 따르지 않는 저주파 성분, 예를 들면 쉐이딩에 의한 변동분이 추출된다. 이것을 제2 데이터로 한다.Next, averaging compression is performed on the first data after the averaging compression in units of a predetermined pixel, for example, 7 pixels x 7 pixels (step S915). Here, the term " pixel " means a pixel in the first data compressed in units of four pixels, and therefore, the seven pixels here correspond to 28 pixels (that is, twice the line width) in the original image. Thus, a low frequency component that does not correspond to the second alignment pattern AP2, for example, a variation due to shading is extracted. This is regarded as second data.

계속하여, 제1 데이터와 제2 데이터의 비(比)를 취함으로써, 제1 데이터로부터 쉐이딩의 영향이 배제된다. 즉, 이 비를 구하는 처리는 실질적으로는, 낮은 주파수에서의 변동 성분을 제거하는 고역 통과 필터링 처리에 상당한다. 이 결과, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 선폭에 대응하는 성분을 중심으로 하는 대역의 공간주파수 성분만이 추출된다. 즉, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 선폭에 대응하는 공간주파수 성분이 밴드 패스 필터에 의해 추출된 것으로 된다. 이와 같이 하여 얻어진 비의 값에 1보다 큰 소정의 강조 계수(K)를 곱함으로써, 원 화상 중 제 2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 선폭에 대응하는 화상 요소의 콘트라스트가 강조된 화상이 얻어진다(단계 S916).Subsequently, by taking the ratio between the first data and the second data, the influence of the shading from the first data is excluded. That is, the processing for obtaining this ratio substantially corresponds to the high-pass filtering processing for removing the fluctuation component at the low frequency. As a result, only the spatial frequency component of the band centered on the component corresponding to the line width of the second alignment pattern AP2 is extracted. That is, the spatial frequency component corresponding to the line width of the second alignment pattern AP2 is extracted by the band-pass filter. By multiplying the value of the thus obtained ratio by a predetermined emphasis coefficient K greater than 1, an image in which the contrast of the image element corresponding to the line width of the second alignment pattern AP2 in the original image is emphasized is obtained (step S916 ).

도 12는 콘트라스트 강조된 화상 데이터의 예를 나타내는 도면이다. 이 도면은 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)을 촬상한 화상 중에 끌어들인 1개의 선상에서의 위치와 화소치와의 관계를 나타내고 있다. 부호(A)는 원 화상의 화상 데이터를 나타내고 있고, 데이터에는 노이즈가 포함되어, 원 화상에서는, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 위치를 찾아내기에 충분한 콘트라스트를 얻을 수 없다. 부호(B)는 제1 데이터를 나타내고 있고, 저역 통과 필터 처리에 의해 고주파 노이즈 성분이 큰폭으로 제거되어 있지만, 쉐이딩에 기인하는 것보다 완만한 변동을 볼 수 있다. 부호(C)는 제2 데이터를 나타내고 있고, 거의 쉐이딩에 의한 저주파의 변동만이 나타나 있다.12 is a diagram showing an example of image data emphasized by contrast. This figure shows the relationship between the position and the pixel value on one line drawn in the image of the second alignment pattern AP2. The reference character A indicates image data of the original image, the data includes noise, and the original image can not provide sufficient contrast for locating the second alignment pattern AP2. Reference character (B) represents the first data. Although the high-frequency noise component is largely eliminated by the low-pass filter processing, a slight variation can be seen than that caused by the shading. The reference character C represents the second data, and only the variation of the low frequency due to the shading is shown.

부호(D)는 콘트라스트 강조 후의 데이터를 나타내고 있고, 쉐이딩에 의한 저주파의 변동이 제거된 후에 콘트라스트가 강조됨으로써, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 엣지에 상당하는 위치의 피크를 분명히 인식할 수 있다. 화상에 나타나는 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)이 선명할수록, 이 피크도 선명하게 나타난다. 이것을 이용하여, 화상으로부터 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)을 검출할 수 있다.The symbol (D) shows the data after contrast enhancement, and the contrast is emphasized after the low-frequency fluctuation due to the shading is removed, so that the peak at the position corresponding to the edge of the second alignment pattern AP2 can be clearly recognized. The clearer the second alignment pattern AP2 appearing in the image is, the more clearly this peak appears. By using this, the second alignment pattern AP2 can be detected from the image.

예를 들면 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)이 전혀 포함되지 않은 화상에서는, 콘트라스트 강조 후의 데이터(부호(D))에 있어서도 현저한 피크는 나타나지 않고, 화상 전체의 화소치가 평균 레벨(Vavg)에 가까운 동일한 값으로 된다. 한편, CCD 카메라(430)의 핀트가 블랭킷(BL) 상면에 가까워질수록, 평균 레벨(Vavg)로부터의 괴리(乖離)가 큰 화소치가 나타나게 된다. 따라서, 화상 내의 각 위치마다의 화소치(Vi)와 그 평균치(Vavg) 차이의 절대치를 구하고, 그 값을 화상 내에서 적산(積算)한 총합은,For example, in the image in which the second alignment pattern AP2 is not included at all, a remarkable peak does not appear in the data after the contrast enhancement (reference symbol D), and the pixel value of the entire image is the same value close to the average level Vavg . On the other hand, as the focus of the CCD camera 430 approaches the upper surface of the blanket BL, a pixel value with a large divergence from the average level Vavg appears. Therefore, the sum obtained by obtaining the absolute value of the difference between the pixel value Vi and the average value Vavg for each position in the image and integrating the value in the image,

Σ│Vi-Vavg│… (식 1)Σ│Vi-Vavg│ ... (Equation 1)

의 값의 대소(大小)에 의해, CCD 카메라(430)의 포커스 위치와 블랭킷(BL) 상면 위치와의 편차량을 평가할 수 있다. CCD 카메라(430)의 핀트가 블랭킷(BL) 상면에 가까울수록, 화상에 포함되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에 대응하는 공간주파수 성분이 많아지고, 그것에 따라 상기 (식 1)로 나타내지는 값이 커지게 된다. 따라서, CCD 카메라(430)의 높이를 다르게 하여 촬상한 화상의 각각에 대하여 (식 1)에 의해 구한 값을, 여기에서는, 「AF 평가치」라고 칭한다. 이들의 화상 중, AF 평가치가 최대로 되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에 대응하는 공간주파수 성분이 가장 많이 포함되는 화상이 촬상되었을 때의 CCD 카메라(430)의 높이가 CCD 카메라(430)의 핀트가 블랭킷(BL) 상면에 가장 가깝게 되는 높이일 수 있다.The deviation amount between the focus position of the CCD camera 430 and the upper surface position of the blanket (BL) can be evaluated by the magnitude of the value of the blanket (BL). The closer the focus of the CCD camera 430 is to the upper surface of the blanket BL, the more spatial frequency components corresponding to the second alignment mark AM2 included in the image become, and accordingly, . Therefore, the value obtained by (Formula 1) for each of the images picked up with different heights of the CCD camera 430 is referred to as " AF evaluation value ". Among these images, the height of the CCD camera 430 when an image in which the spatial frequency component corresponding to the second alignment mark AM2 that maximizes the AF evaluation value is largest is captured by the focus of the CCD camera 430 May be a height that is closest to the upper surface of the blanket (BL).

강조 계수(K)에 대하여는, 1보다 큰 임의의 값으로 할 수 있지만, 당연하게 이 값이 클수록 콘트라스트는 강하게 강조되어, 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 엣지에 대응하는 피크가 증강된다. 이 경우, 얼라인먼트 패턴과 무관계의 신호까지 강조되는 것이 염려되지만, 발명자 등의 실험에 의하면, 적어도 핀트 맞춤 동작에 관해서는 그 정도에 영향을 줄 정도의 지장은 생기지 않았다. 이것은 검출해야 할 얼라인먼트 패턴의 형상에 특화한 신호 처리, 즉 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)을 특징짓는 공간주파수 성분에 대응한 대역(帶域)을 추출하는 밴드 패스 필터 처리를 행함으로써, 얼라인먼트 패턴과 무관계의 신호가 충분히 저감되어 있기 때문이라고 생각된다.The emphasis coefficient K can be an arbitrary value larger than 1. However, the larger the value, the stronger the contrast is, and the higher the peak corresponding to the edge of the second alignment pattern AP2 is. In this case, it is feared that the signals irrelevant to the alignment pattern may be emphasized. However, according to the experiment of the inventors and the like, at least the alignment of the alignment of the alignment does not affect the degree of alignment. By performing band-pass filter processing for extracting a band corresponding to a spatial frequency component characterizing the second alignment pattern AP2, which is specific to the shape of the alignment pattern to be detected, It is considered that the irrelevant signals are sufficiently reduced.

한편, CCD 카메라(430)가 원래 갖는 다이나믹 레인지(dynamic range)를 넘어 콘트라스트를 강조하는 것은 원리적으로 불가능하고, 이 점에서 강조 계수(K)의 적정치의 상한이 정해진다. 예를 들면 최대 출력 신호에 대한 랜덤 노이즈의 평균 진폭이 N%인 촬상계에 있어서는, 강조 계수(K)의 적정한 최대치 Kmax는 다음 식:On the other hand, it is in principle impossible to emphasize the contrast beyond the dynamic range originally possessed by the CCD camera 430, and the upper limit of the appropriate value of the emphasis coefficient K is determined on this point. For example, in an imaging system in which the average amplitude of the random noise for the maximum output signal is N%, the appropriate maximum value Kmax of the emphasis coefficient K is given by the following expression:

Kmax=100/4N … (식 2)Kmax = 100 / 4N ... (Equation 2)

에 의해 주어진다. 이는 ±N%의 진폭의 노이즈가 (100/2N)배로 강조되었을 때 노이즈 성분만으로 100%에 도달하여 버리는 것, 및 실용상은 S/N비가 2배 미만인 신호를 노이즈로부터 분리하는 것이 어렵다는 실험 사실로부터 유도된 것이다.Lt; / RTI > This is because, when the noise of the amplitude of ± N% is emphasized by (100 / 2N) times, it reaches 100% by only the noise component, and from the fact that it is difficult to separate the signal with the S / N ratio less than 2 from the noise .

예를 들면 신호에 대한 랜덤 노이즈의 비가 1%인 촬상계에서는, 강조 계수(K)의 상한치는 25가 된다.For example, in the imaging system in which the ratio of the random noise to the signal is 1%, the upper limit of the emphasis coefficient K is 25.

도 11로 되돌아와서, 단계 S916까지의 처리에 의해 콘트라스트 강조된 각 높이에서의 화상 데이터로부터, 상기 원리에 기초하여, (식 1)로 정의되는 AF평가치를 각각 산출한다(단계 S917). 그리고, 그것들 중 AF평가치가 최대인 화상에 대응하는 높이에, CCD 카메라(430)의 높이를 설정한다(단계 S918). 이에 의해, CCD 카메라(430)의 포커스 위치가 거의 블랭킷(BL)의 상면에 맞추어진다.Returning to Fig. 11, the AF evaluation values defined by (Formula 1) are calculated based on the above-described principle from the image data at each height of the contrast enhanced by the process up to Step S916 (Step S917). Then, the height of the CCD camera 430 is set to the height corresponding to the image having the maximum AF evaluation value among them (step S918). Thereby, the focus position of the CCD camera 430 is almost aligned with the upper surface of the blanket BL.

도 10으로 되돌아와서 정밀 얼라인먼트 동작의 설명을 계속한다. 이와 같이 하여 핀트 조정이 이루어진 상태에서는, 각 CCD 카메라(430)의 시야에는, 제1 얼라인먼트 패턴(AP1) 및 이것에 대응하는 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)이 들어가 있고, 이 중 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)에 핀트가 맞은 상태이다. 각 CCD(430)는 각각 이 화상을 촬상하고, 화상 데이터를 화상 처리부(65)에 송출한다(단계 S902). 화상 처리부(65)는 이와 같이 하여 촬상된 화상에 대하여 소정의 화상 처리를 행하고, 화상 내에서의 제1 및 제2 얼라인먼트 패턴(AP1, AP2)의 위치 검출을 행한다(단계 S903, S904). 구체적으로는, 이들의 중심 위치(Glm, G2m)를 검출한다.Returning to Fig. 10, the description of the precision alignment operation will be continued. The first alignment pattern AP1 and the second alignment pattern AP2 corresponding to the first alignment pattern AP1 are included in the field of view of each CCD camera 430 in the state where the focus adjustment is performed in this way, AP2) is in focus. Each of the CCDs 430 picks up the image and sends the image data to the image processing unit 65 (step S902). The image processing unit 65 performs predetermined image processing on the image thus captured and detects the positions of the first and second alignment patterns AP1 and AP2 in the image (steps S903 and S904). More specifically, their center positions (GIm, G2m) are detected.

상기와 같이 하여 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 중심(Glm), 및 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 중심(G2m)의 위치가 검출되면, 이어서 그들 사이의 위치 어긋남량을 산출한다(단계 S905). 여기서 산출해야 하는 것은, 검출된 2개의 얼라인먼트 패턴 각각의 중심(Glm, G2m) 사이의 위치 어긋남량이 아니라, 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 중심 위치(Glm)로부터 유도되는 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 적정한 중심 위치(G2t)와 실측에 의해 검출된 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)의 중심 위치(G2m)와의 사이의 위치 어긋남량이다. 또한 제1 및 제2 얼라인먼트 패턴이 그 중심 위치가 공통으로 되도록 배치되어 있는(즉 G2t가 Glm에 동일하게 설정되어 있는) 경우에는, 당연히 2개의 얼라인먼트 패턴 각각의 중심(Glm, G2m) 사이의 위치 어긋남량이 구해야 할 양으로 된다.When the center G1m of the first alignment pattern AP1 and the center G2m of the second alignment pattern AP2 are detected as described above, the positional deviation between them is calculated (step S905) . What should be calculated here is not the positional shift amount between the centers G1m and G2m of the detected two alignment patterns but the second alignment pattern AP2 derived from the center position Glm of the first alignment pattern AP1, Between the proper center position G2t of the first alignment pattern AP2 and the center position G2m of the second alignment pattern AP2 detected by actual measurement. When the first and second alignment patterns are disposed such that the center positions of the first and second alignment patterns are common (that is, G2t is set equal to Glm), the position between the centers G1m and G2m of the two alignment patterns The amount of displacement becomes an amount to be obtained.

또한, XY평면 내에서 기판(SB)과 블랭킷(BL) 사이에서 생기는 위치 어긋남으로서는, X방향 및 Y방향으로의 어긋남뿐만 아니라, 비틀림, 즉 연직축 둘레의 회전 각도가 서로 다른 타입의 어긋남이 있다. 기판(SB) 및 블랭킷(BL)의 각각에 마련한 한쌍의 얼라인먼트 패턴의 중심 위치의 조정에서는, 이 연직축 둘레의 회전 방향(이하, 「θ방향」이라고 함)으로의 어긋남을 보정하는 것이 어렵다. 특히 한쪽의 얼라인먼트 패턴이 핀트가 맞지 않는 상태에서 촬상되어 있을 때, 희미해진 화상으로부터 그 패턴의 회전 각도를 파악하는 것은 곤란하다.The positional deviation between the substrate SB and the blanket BL in the XY plane is not only deviated in the X direction and the Y direction but also deviated in the twisted type, that is, the rotational angle around the vertical axis is different. It is difficult to correct the deviation in the rotation direction around the vertical axis (hereinafter, referred to as "? Direction ") in the adjustment of the center positions of the pair of alignment patterns provided on each of the substrate SB and the blanket BL. It is difficult to grasp the rotation angle of the pattern from the blurred image, especially when one of the alignment patterns is picked up in a state in which the focus does not fit.

본 실시형태에서는, 기판(SB) 및 블랭킷(BL)의 4모퉁이 각각에 각 한쌍의 얼라인먼트 마크를 설치하고(도 8), 이들을 4조(組)의 촬상부(43)로 촬상한다. 그리고, 이들 4조의 촬상부(43)로 촬상된 화상의 각각으로부터 구해진 X, Y 및 θ방향의 위치 어긋남을 평균적으로 보정하도록, 스테이지 탑(422)의 X, Y 및 θ방향의 이동량을 종합적으로 결정한다. 이와 같이 함으로써, 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 고정밀의 위치 맞춤을 가능하게 하고 있다.In this embodiment, a pair of alignment marks are provided for each of the four corners of the substrate SB and the blanket BL (FIG. 8), and these are picked up by four sets of image pickup units 43. The moving amounts of the stage top 422 in the X, Y, and the θ directions are comprehensively adjusted so that the positional deviations in the X, Y, and θ directions obtained from each of the images captured by the four sets of the image pickup units 43 are averaged . By doing so, the substrate SB and the blanket BL can be precisely aligned.

기판(SB)측 및 블랭킷(BL)측의 각각에 대하여, 각 카메라로 촬상된 얼라인먼트 패턴의 중심 위치가 화상 처리부(65)에 의한 화상 처리에 의해 구해진다(단계 S903, S904). 이러한 산출 결과로부터, 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 위치 어긋남량이 산출된다(단계 S905). 여기서의 위치 어긋남량은 X방향, Y방향 및 θ방향의 각각에 대하여 산출된다. 이와 같이 하여 구해진 위치 어긋남량이 미리 정해진 허용 범위 내에 있으면(단계 S906), 기판(SB)과 블랭킷(BL) 사이의 위치 어긋남은 무시할 수 있는 것으로 하여 정밀 얼라인먼트 동작을 종료한다.The center position of the alignment pattern picked up by each camera is obtained by the image processing by the image processing section 65 with respect to each of the substrate SB side and the blanket BL side (steps S903 and S904). From this calculation result, the positional shift amount between the substrate SB and the blanket BL is calculated (step S905). The positional shift amount here is calculated for each of the X direction, Y direction and? Direction. When the positional shift amount thus obtained is within the predetermined allowable range (step S906), the positional deviation between the substrate SB and the blanket BL is neglected, and the precision alignment operation is terminated.

위치 어긋남량이 허용 범위를 넘고 있을 때, 이것을 보정하기 위한 블랭킷(BL)의 이동이 필요하다. 이어서 그것을 위한 이동을 행하는 것이지만, 어떠한 장치의 문제에 의해 위치 맞춤을 할 수 없는 상태로 되어 있을 가능성도 있다는 것을 고려하여, 위치 맞춤을 위한 이동의 리트라이(retry) 회수에 상한을 설정하여 둔다. 즉, 리트라이 회수가 미리 설정된 소정 회수에 이르고 있을 때는(단계 S907), 소정의 에러 정지 처리를 실행한 후에(단계 S908), 처리를 종료한다. 이 에러 정지 처리의 내용으로서는, 예를 들면, 소정의 에러 메세지를 표시하여 처리 자체를 완전하게 중지하는 에러의 내용을 사용자에게 알린 다음 이후의 처리에 대하여 사용자의 지시를 기다리는 등을 고려할 수 있다. 사용자의 지시에 따라 처리를 재개하도록 하여도 좋다.When the positional displacement exceeds the permissible range, it is necessary to move the blanket (BL) to correct this. Subsequently, an upper limit is set for the number of times of retry of movement for alignment in consideration of the possibility that alignment can not be performed due to a problem of any device. That is, when the number of retries reaches a preset number of times (step S907), a predetermined error stop process is executed (step S908), and the process is terminated. As a content of the error stop process, for example, a user may be notified of the content of an error indicating the completion of the process itself by displaying a predetermined error message, and then waiting for an instruction from the user in subsequent processes. The processing may be resumed according to an instruction from the user.

한편, 소정의 리트라이 회수에 이르지 않으면(단계 S907), 위치 맞춤을 위해서 필요한 블랭킷(BL)의 이동량을 산출한다(단계 S909). 산출된 이동량에 기초하여 얼라인먼트 스테이지(42)를 동작시키고(단계 S910), 스테이지 탑(422)과 함께 블랭킷(BL)의 위치를 이동시킨다. 이 상태에서, 다시 각 얼라인먼트 패턴의 촬상 및 중심 위치의 검출을 행하고, 블랭킷(BL)의 재이동이 필요한지 아닌지의 판정을 행한다(단계 S902∼S906). 이것을 소정의 리트라이 회수에 이를 때까지 반복한다(단계 S907).On the other hand, if the number of retries does not reach the predetermined number of retries (step S907), the amount of movement of the blanket BL necessary for alignment is calculated (step S909). The alignment stage 42 is operated based on the calculated movement amount (step S910), and the position of the blanket BL is moved together with the stage top 422. In this state, imaging and center position detection of each alignment pattern is again performed, and it is determined whether or not the blanket BL needs to be moved again (steps S902 to S906). This process is repeated until the number of retries reaches a predetermined number (step S907).

이에 의해, 각 CCD 카메라(430)에 의해 촬상되는 화상의 각각에 있어서, 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)과 제2 얼라인먼트 패턴(AP2)과의 위치 관계가 미리 설정된 관계(예를 들면, 도 9A)와 일치하고, 혹은 그 관계로부터의 위치 어긋남량이 허용 범위 내에 들어가게 된다. 이와 같이 하여 기판(SB)과 블랭킷(BL)과의 위치 맞춤(정밀 얼라인먼트)이 완료된다.9A), the positional relationship between the first alignment pattern AP1 and the second alignment pattern AP2 in each of the images captured by the CCD cameras 430 is set to a predetermined relationship (for example, Or the positional shift amount from the relationship falls within the allowable range. In this manner, alignment of the substrate SB with the blanket BL (precise alignment) is completed.

이와 같이 하여 얼라인먼트 처리가 완료된 후, 흡착 플레이트(51)와 블랭킷(BL) 사이에 에어가 이송됨으로써 블랭킷(BL)의 중앙부가 부상하여 기판(SB)에 밀착되고, 블랭킷(BL)에 담지된 패턴이 기판(SB)에 전사된다. 이 때, 패턴과 같은 재료로 블랭킷(BL) 표면에 형성된 제2 얼라인먼트 마크(AM2)도, 패턴과 함께 기판(SB)에 전사된다. 정밀 얼라인먼트 종료 시점에서, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)는 기판(SB)상의 제1 얼라인먼트 마크(AM1)와 대략 대향하는 위치에 있기 때문에, 그대로 블랭킷(BL)이 기판(SB)에 맞닿음으로써, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)는 제1 얼라인먼트 마크(AM1)의 근방에 전사되게 된다.After the alignment process is completed as described above, air is transferred between the adsorption plate 51 and the blanket BL, so that the central portion of the blanket BL floats up to be brought into close contact with the substrate SB, Is transferred to the substrate SB. At this time, the second alignment mark AM2 formed on the surface of the blanket BL with the same material as the pattern is also transferred to the substrate SB together with the pattern. The second alignment mark AM2 is located at a position substantially opposite to the first alignment mark AM1 on the substrate SB at the time of completion of the precise alignment so that the blanket BL comes into contact with the substrate SB as it is, The second alignment mark AM2 is transferred to the vicinity of the first alignment mark AM1.

기판(SB)상에의 패턴의 전사는 필요에 따라 여러 차례 반복하여 실행된다. 당연히, 그때마다 상기한 얼라인먼트 처리가 필요하다. 이 때문에, 패턴 전사를 행할 때마다, 해당 패턴과 함께 형성되어 있던 제2 얼라인먼트 마크가 기판(SB)에 전사되어 가게 된다. 이 때, 먼저 전사된 제2 얼라인먼트 마크가 후의 전사 처리를 위한 얼라인먼트 동작의 장해가 되는 경우가 있다. 본 실시형태에서의 얼라인먼트 마크의 배치(도 7)는 이러한 문제를 배려한 것이다.The transfer of the pattern onto the substrate SB is repeated several times as necessary. Naturally, the above-described alignment process is necessary every time. Therefore, every time the pattern transfer is performed, the second alignment mark formed together with the pattern is transferred to the substrate SB. At this time, the transferred second alignment mark may be an obstacle to the alignment operation for subsequent transfer processing. Arrangement of alignment marks (Fig. 7) in this embodiment takes this problem into consideration.

도 13a 및 도 13b는 얼라인먼트 마크의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 13a에 나타내는 바와 같이, 기판(SB)상의 얼라인먼트 마크(AM1)는 각각이 정방형의 정점을 이루도록 4개의 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14)를 배치한 것이다. 최초의 전사 처리에 의해 블랭킷(BL)으로부터 기판(SB)에 전사되는 제2 얼라인먼트 마크(AM21)는 이들 4개의 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14)에 의해 둘러싸이고, 도한 각 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14)으로부터 소정의 간격을 둔 영역(얼라인먼트 마크 전사 영역)(TR)의 내측에 전사되도록 한다.13A and 13B are views for explaining the arrangement of the alignment marks. As shown in Fig. 13A, the alignment marks AM1 on the substrate SB are arranged with four first alignment patterns AP11 to AP14 so as to form a square apex, respectively. The second alignment mark AM21 transferred from the blanket BL to the substrate SB by the first transfer process is surrounded by these four first alignment patterns AP11 to AP14 and the respective first alignment patterns AP11 to AP14 (Alignment mark transfer region) TR having a predetermined interval from the transfer electrodes AP11 to AP14.

제2회째의 전사 처리에 앞서 얼라인먼트 처리에서도, 상기한 바와 같이 블랭킷(BL)에 핀트를 맞추게 한 촬상이 행해진다. 이 때, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 이 때 블랭킷(BL)에 담지되어 있는 제2 얼라인먼트 마크(AM22)의 화상은 선명하지만, 기판(SB) 표면의 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP12)과, 먼저 기판(SB) 표면에 전사되어 있는 제2 얼라인먼트 마크(AM21)와는 핀트가 맞지 않기 때문에 불선명하다.In the alignment process prior to the second transfer processing, imaging is performed with the blanket (BL) in focus as described above. At this time, as shown in FIG. 13B, the image of the second alignment mark AM22 supported on the blanket BL is clear at this time, but the first alignment patterns AP11 to AP12 on the surface of the substrate SB and First, it is unclear because the focus does not match the second alignment mark AM21 transferred to the surface of the substrate SB.

이 때, 불선명하게 비친 제2 얼라인먼트 마크(AM21)가 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14) 및 제2 얼라인먼트 마크(AM22)의 어느 하나에 겹치거나 극히 근접한 위치에 있으면, 그들 중심 위치의 산출에 영향을 미치고, 결과적으로 얼라인먼트 처리의 위치 맞춤 정밀도를 저하시켜 버릴 우려가 있다. 특히, 정밀 얼라인먼트 동작이 수속(收束)되었지 아닌지를 판단하는 처리 단계(도 10의 단계 S906)에 서 이러한 검출 오차가 포함되면, 위치 어긋남이 잔류한 채로 얼라인먼트 처리가 종료되어 버린다.At this time, if the unclearly reflected second alignment mark AM21 is overlapped or extremely close to any one of the first alignment patterns AP11 to AP14 and the second alignment mark AM22, There is a possibility that the alignment accuracy of the alignment process is lowered as a result. In particular, if such a detection error is included in the processing step (step S906 in FIG. 10) for determining whether or not the precise alignment operation has converged, the alignment process is terminated while the positional deviation remains.

이러한 문제를 회피하기 위해서, 본 실시형태에서는In order to avoid such a problem, in the present embodiment,

(1) 블랭킷(BL)상의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)는 기판(SB)상의 제1 얼라인먼트 마크로부터 일정 거리 이상 떨어진 위치에 전사되도록 하고,(1) The second alignment mark AM2 on the blanket BL is transferred to a position away from the first alignment mark on the substrate SB by a predetermined distance or more,

(2) 복수회의 패턴 전사로 블랭킷(BL)으로부터 기판(SB)에 전사되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)는 서로 다른 위치에, 또한 서로 충분한 거리를 두고 전사되도록 하고,(2) The second alignment marks AM2 transferred from the blanket BL to the substrate SB by a plurality of pattern transfers are transferred at different positions and at a sufficient distance from each other,

(3) 얼라인먼트 정밀도를 높이기 위해서, 각 회의 얼라인먼트 처리에서는, 기판(SB)측의 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)과 블랭킷(BL)측의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)가 가능한 한 가까운 위치에 배치되도록 한다는 설계 사상하에, 얼라인먼트 마크의 설계를 행하고 있다.(3) In order to improve the alignment accuracy, in each alignment process, the first alignment pattern AP1 on the substrate SB side and the second alignment mark AM2 on the blanket BL side are arranged as close as possible to each other The design of the alignment mark is carried out.

즉, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 전사 위치를, 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14)으로부터 멀어진 얼라인먼트 마크 전사 영역(TR) 내에 한정함으로써, 상기 요건(1)이 충족된다. 핀트가 맞지 않는 상태의 촬상에 의해, 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14) 및 전사가 끝난 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 상의 외관의 크기가 실제보다 2배 정도까지 넓어지는 경우가 있다는 것을 생각하면, 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14)의 위치와 각 회의 전사에서의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 전사 위치는, 적어도 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)의 외형 치수(50㎛)와 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 외형 치수(120㎛)의 합의 반(85㎛)보다 크게 이격되어 있는 것이 필요하다. 본 실시형태에서는, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 이 거리를 115㎛로 하였다.That is, the above requirement (1) is satisfied by limiting the transfer position of the second alignment mark AM2 within the alignment mark transfer area TR away from the first alignment patterns AP11 to AP14. Considering that the imaging of the state in which the focus does not match, the size of the appearance of the images of the first alignment patterns AP11 to AP14 and the transferred second alignment mark AM2 may be widened by about twice as much as actually. The position of the first alignment patterns AP11 to AP14 and the transfer position of the second alignment mark AM2 in each transfer are at least an outline dimension (50 μm) and a second alignment mark of the first alignment pattern AP1. It is necessary to space apart more than half (85 micrometers) of the sum of the external dimension (120 micrometers) of (AM2). In this embodiment, as shown in Fig. 13B, this distance is set to 115 mu m.

또한, 요건(2)을 충족하기 위해서는, 블랭킷(BL)에 담지시키는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 위치를 각 회의 전사마다 다르게 하고, 또한 그 위치의 변화량이 충분히 커지도록 하면 좋다. 또한, 요건(3)을 충족하기 위해서는, 복수의 제1 얼라인먼트 패턴(AP1)을 이격 배치하고, 새롭게 전사되려고 하는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)를 그들 중 적어도 1개에 근접하여 배치할 수 있도록 하면 좋다.In order to satisfy the requirement (2), it is preferable that the position of the second alignment mark AM2 carried on the blanket BL is made different for each transfer and the amount of change in the position is sufficiently large. In order to satisfy the requirement (3), it is preferable that a plurality of first alignment patterns AP1 are arranged apart from each other and a second alignment mark AM2 to be newly transferred is arranged close to at least one of them good.

이것들을 감안하여, 본 실시형태에서는, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)가 전사되는 얼라인먼트 마크 전사 영역(TR)을 둘러싸도록, 4개의 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14)을 배치한 제1 얼라인먼트 마크(AM1)를 설정하고 있다. 얼라인먼트 마크 전사 영역(TR)에는, 9개까지의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)를 전사할 수 있는 공간을 확보하였다. 따라서 최대 9회의 패턴 전사가 가능하다. 또한, 새롭게 전사되려고 하는 제2 얼라인먼트 마크(AM22)가 전사가 끝난 제2 얼라인먼트 마크(AM21)의 상과 겹치지 않도록, 전사 영역(TR) 내에서의 제2 얼라인먼트 마크 사이의 전사 피치를 200㎛로 하였다. 도 7A에 나타낸 제1 얼라인먼트 마크(AM1)는 이와 같이 하여 구성된 것이다.Taking these into consideration, in the present embodiment, the first alignment mark (AP11 to AP14) on which the four first alignment patterns AP11 to AP14 are arranged is formed so as to surround the alignment mark transfer area TR to which the second alignment mark AM2 is transferred AM1). A space for transferring up to nine second alignment marks AM2 is secured in the alignment mark transfer area TR. Therefore, pattern transfer is possible up to 9 times. The transfer pitch between the second alignment marks in the transfer area TR is set to 200 mu m so that the second alignment mark AM22 to be newly transferred is not superimposed on the image of the second alignment mark AM21 that has been transferred Respectively. The first alignment mark AM1 shown in Fig. 7A is configured in this way.

이와 같이 함으로써, 각 회의 전사 처리에서는, 블랭킷(BL)에 담지된 제2 얼라인먼트 마크(AM2)와 기판(SB)에 형성된 제1 얼라인먼트 패턴(AP11∼AP14) 중 적어도 1개를 CCD 카메라(430)의 동일 시야로 촬상하여, 그 화상에 기초하여 고정밀도로 위치 맞춤을 행할 수 있다. 이 때, 앞의 전사 처리에서 기판(SB)상에 전사된 제2 얼라인먼트 마크의 상이 블랭킷(BL) 표면의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 상에 간섭하는 것이 방지되어, 복수회의 전사를 겹쳐도, 각 회에서 전사되는 패턴 사이에 있어서 높은 위치 정밀도를 유지할 수 있다.By doing so, at least one of the second alignment mark AM2 carried on the blanket BL and the first alignment pattern AP11 through AP14 formed on the substrate SB is transferred to the CCD camera 430, In the same field of view, and can perform alignment with high accuracy based on the image. At this time, it is prevented that the image of the second alignment mark transferred onto the substrate SB in the previous transfer process interferes with the second alignment mark AM2 on the surface of the blanket BL, , It is possible to maintain a high positional accuracy between the patterns transferred in each cycle.

이상과 같이, 본 실시형태에서는, 블랭킷(BL)에 담지된 패턴을 기판(SB)에 전사하는데 앞서서, 각각 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 블랭킷(BL)과 기판(SB)과의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트 처리를 실행한다. 이 때, 촬상을 행하는 CCD 카메라(430)의 핀트를 블랭킷(BL) 상면의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에 맞추고 있다. 제2 얼라인먼트 마크(AM2)를 높은 공간주파수 성분을 주로 포함하는 패턴으로 하는 한편, 기판(SB)측에 설치하는 제1 얼라인먼트 마크(AM1)에 대하여는 보다 낮은 공간주파수 성분을 많이 포함하는 패턴으로 함으로써, 핀트가 맞지 않는 상태에서도 그 위치 검출을 정밀도 좋게 행할 수 있도록 하고 있다.As described above, in this embodiment, before transferring the pattern carried on the blanket (BL) to the substrate (SB), the formed alignment marks are taken, and the blanket (BL) and the substrate (SB) And performs alignment processing for performing alignment with respect to the substrate. At this time, the focus of the CCD camera 430 which captures an image is matched with the 2nd alignment mark AM2 of the blanket BL upper surface. The second alignment mark AM2 is a pattern mainly containing high spatial frequency components, while the first alignment mark AM1 provided on the substrate SB side is a pattern containing much lower spatial frequency components. Even if the focus does not match, the position detection can be performed with high accuracy.

CCD 카메라(430)의 핀트를 블랭킷(BL)상의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에 맞추기 위해서, 본 실시형태에서는, 촬상된 화상에 대하여 콘트라스트 강조를 행함으로써, 화상에 포함되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 검출을 용이하게 하고 있다. 보다 상세하게는, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 형상이 이미 알려진 것을 이용하여, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 공간주파수 성분에 대응하는 대역을 선택적으로 추출하는 필터링 처리를 행하고, 그렇게 하여 얻어진 데이터에 1보다 큰 강조 계수(K)를 곱함으로써, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 엣지에 대응하는 화상 성분을 특히 강조하도록 하고 있다. 이와 같이 함으로써, 노이즈 성분 등으로부터 제2 얼라인먼트 마크(AM2)를 분리하여 검출하는 것이 가능하도록 되어 있다.In order to match the focus of the CCD camera 430 with the second alignment mark AM2 on the blanket BL, in the present embodiment, the second alignment mark AM2 included in the image is performed by performing contrast emphasis on the captured image. ) Is easily detected. More specifically, a filtering process for selectively extracting a band corresponding to the spatial frequency component of the second alignment mark AM2 is performed using the already known shape of the second alignment mark AM2, The image component corresponding to the edge of the second alignment mark AM2 is particularly emphasized by multiplying it by an enhancement coefficient K that is greater than one. In this way, it is possible to separate and detect the second alignment mark AM2 from a noise component or the like.

그 때문에, 예를 들면 제2 얼라인먼트 마크(AM2)가 광에 대한 충분한 반사성을 갖지 않는 등의 이유로 제2 얼라인먼트 마크(AM2)로부터의 반사광량이 적은 경우라도, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에의 CCD 카메라(430)의 핀트 맞춤을 정밀도 좋게 행할 수 있다.Therefore, even when the amount of reflected light from the second alignment mark AM2 is small, for example, because the second alignment mark AM2 does not have sufficient reflectivity to the light, the CCD camera to the second alignment mark AM2. The focusing of 430 can be performed with high precision.

이와 같이 하여 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에 핀트를 맞추게 한 상태에서 얼라인먼트 처리를 함으로써, 본 실시형태에서는, 기판(SB)과 블랭킷(BL)에 담지된 패턴과의 위치 맞춤을 높은 정밀도로 행할 수 있다. 그리고, 그 상태에서 기판(SB)과 블랭킷(BL)이 맞닿게 됨으로써, 기판(SB)의 소정 위치에 높은 정밀도로 패턴을 전사하는 것이 가능하다.By performing the alignment process in such a manner that the second alignment mark AM2 is aligned with the focus, in this embodiment, alignment between the substrate SB and the pattern carried on the blanket BL can be performed with high accuracy. have. In this state, since the substrate SB and the blanket BL come into contact with each other, it is possible to transfer the pattern to a predetermined position of the substrate SB with high accuracy.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 블랭킷(BL)이 본 발명의 「담지체」에 상당하고, 제2 얼라인먼트 마크(AM2)가 본 발명의 「얼라인먼트 마크」에 상당한다. 한편, 기판(SB)에 형성된 제1 얼라인먼트 마크(AM1)가 본 발명의 「기판측 얼라인먼트 마크」에 상당한다.As described above, in the present embodiment, the blanket BL corresponds to the "carrier" of the present invention, and the second alignment mark AM2 corresponds to the "alignment mark" of the present invention. On the other hand, the first alignment mark AM1 formed on the substrate SB corresponds to the "substrate side alignment mark" of the present invention.

또한, 상기 실시형태에서는, 상측 스테이지부(3) 및 하측 스테이지부(5)가 일체로서 본 발명의 「유지 수단」으로서 기능하고 있다. 또한, 촬상부(43)가 본 발명의 「촬상 수단」으로서 기능하고 있고, 그 중 정밀 승강 테이블(432)이 본 발명의 「포커스 조정기구」로서 기능하고 있다. 또한, 화상 처리부(65)가 본 발명의 「화상처리 수단」으로서 기능하는 한편, 얼라인먼트부(4), 그 중 특히 얼라인먼트 스테이지(42)가 본 발명의 「얼라인먼트 수단」으로서 기능하고 있다.Further, in the above embodiment, the upper stage portion 3 and the lower stage portion 5 function as a "holding means" of the present invention as one body. Moreover, the imaging part 43 functions as the "imaging means" of this invention, and the precision lifting table 432 functions as the "focus adjustment mechanism" of this invention. Further, the image processing section 65 functions as the "image processing means" of the present invention, while the alignment section 4, particularly the alignment stage 42, functions as the "alignment means" of the present invention.

또한, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 벗어나지 않는 한에서 상술한 것 이외에 여러 가지의 변경을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서 나타내는 얼라인먼트 마크의 형상은 일례에 지나지 않고, 상기 이외에 여러 가지의 것을 채용할 수 있다. 다만, 상기한 바와 같이 핀트가 맞지 않는 상태에서의 촬상이 상정(想定)되어 있기 때문에, 그러한 상태에서도 검출이 용이해지도록, 얼라인먼트 마크의 화상이 갖는 공간주파수 성분이 특징적이다는 것이 바람직하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the invention. For example, the shape of the alignment mark shown in the above-described embodiment is merely an example, and various other shapes can be employed. However, since imaging is assumed in a state where the focus is not correct as described above, it is preferable that the spatial frequency component of the alignment mark image is characteristic so that the detection is easy even in such a state.

즉, 기판(SB)에 형성되는 제1 얼라인먼트 마크(AM1)에 대하여는, 핀트가 맞지 않는 상태에서도 그 중심 위치를 정밀도 좋게 검출할 수 있도록, 비교적 낮은 주파수 성분을 많이 포함하고, 또한 중심에 대하여 수 개의 회전 각도에 대하여 점대칭인 도형인 것이 바람직하다. 또한, 블랭킷(BL)에 형성되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)에 대하여는, 비교적 높은 주파수 성분을 많이 포함하고, 또한 협대역의 밴드 패스 필터 처리에 의해 추출 가능한 특징 부분을 갖는 것인 것이, 노이즈에 대한 내성을 높이는데 있어서 바람직하다.In other words, with respect to the first alignment mark AM1 formed on the substrate SB, the first alignment mark AM1 includes a relatively large number of relatively low frequency components so as to be able to accurately detect the center position thereof even in a state where the alignment is not performed, It is preferable that the figure be point-symmetric with respect to the number of rotation angles. It is to be noted that the second alignment mark AM2 formed on the blanket BL has a characteristic portion that includes a large number of relatively high frequency components and can be extracted by narrowband band pass filter processing, Which is preferable in enhancing tolerance.

또한, 상기 실시형태에서는, 저역 통과 필터에 의해 랜덤 노이즈 성분을 제거한 화상 데이터(제1 데이터)를, 그 데이터로부터 더 고역(高域) 성분을 제거한 데이터(제2 데이터)로 제거함으로써 실질적인 밴드 패스 필터 처리로 하고 있지만, 제1 데이터로부터 저역 성분을 제거하는 고역 통과 필터와의 조합에 의해 밴드 패스 필터를 실현하여도 좋다. 또한, 쉐이딩 등이 낮은 주파수 성분의 노이즈가 문제로 되지 않는 촬상계에 있어서는, 저역 성분의 제거를 생략하여도 좋다.In the above embodiment, the image data (first data) from which the random noise component is removed by the low-pass filter is removed from the data by removing the higher-frequency component from the data (second data) Pass filter may be realized by a combination with a high-pass filter that removes a low-pass component from the first data. In an imaging system in which noise such as shading or the like is not a problem of low frequency components, removal of low frequency components may be omitted.

또한, 상기 실시형태에서는, CCD 카메라(430) 전체를 정밀 승강 테이블(432)로 상하시킴으로써 핀트 맞춤을 행하고 있지만, 이를 대신하여, 복수의 렌즈로 이루어지는 결상 광학계를 설치하여 그 렌즈간의 거리를 조절함으로써 핀트 맞춤을 행하는 것이어도 좋다.In the above embodiment, the entire CCD camera 430 is pinched by raising and lowering it with a precision elevating table 432. However, instead of this, an image-forming optical system composed of a plurality of lenses may be provided, It is also possible to perform the pin alignment.

또한, 상기 실시형태에서는, 기판(SB) 및 블랭킷(BL)의 4개의 각부(角部)의 근방에 4조의 얼라인먼트 마크를 형성하고 있지만, 얼라인먼트 마크의 형성 개수는 이것에 한정되지 않으며 임의이다. 다만, 연직축 둘레의 위치 어긋남을 적절히 보정하기 위해서는, 다른 위치에 형성한 복수조의 얼라인먼트 마크를 이용하는 것이 바람직하고, 이들은 가능한 한 떨어진 위치에 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 각 카메라의 위치 어긋남에 의한 오차를 억제하기 위해서는, 3조 이상의 얼라인먼트 마크가 설치되는 것이 바람직하다.In the above embodiment, four sets of alignment marks are formed in the vicinity of the four corners of the substrate SB and the blanket BL, but the number of alignment marks is not limited to this and is arbitrary. However, in order to appropriately correct the positional deviation around the vertical axis, it is preferable to use a plurality of sets of alignment marks formed at different positions, and it is more preferable that they are located as far apart as possible. Further, in order to suppress the error caused by the positional deviation of each camera, it is preferable that three or more sets of alignment marks are provided.

또한, 상기 실시형태에서는, 블랭킷(BL)상의 얼라인먼트 마크를 패턴 형성 재료와 동일한 재료에 의해 형성하고 있지만, 이는 필수 요건이 아니며, 예를 들면 기판에 전사되지 않는 얼라인먼트 마크를 블랭킷(BL)에 미리 형성하여 두어도 좋다. 이 경우, 기판(SB)에의 패턴 전사를 높은 위치 정밀도로 행하기 위해서는 블랭킷(BL)상에 담지되는 패턴의 위치 정밀도가 중요하게 되므로, 판(PP)에 의한 블랭킷(BL)에 대한 패터닝을 행함에 있어서는 판(PP)과 블랭킷(BL)과의 위치 맞춤을 보다 정밀하게 행하는 것이 필요하다.In the above embodiment, the alignment mark on the blanket BL is formed of the same material as the pattern forming material. However, this is not an essential requirement. For example, an alignment mark not transferred to the substrate is transferred to the blanket BL in advance . In this case, in order to carry out pattern transfer to the substrate SB with high positional accuracy, the positional accuracy of the pattern carried on the blanket BL becomes important, so that the blanket BL is patterned by the plate PP It is necessary to more precisely align the plate PP with the blanket BL.

또한, 상기 실시형태에서는, 기판(SB)측의 얼라인먼트 마크 전사 영역(TR)은 특별히 아무것도 마련하지 않은 공백 영역으로 되어 있다. 그러나, 예를 들면 여기에 전사되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 위치 확인을 사후적으로 행하기 위해서, 얼라인먼트 처리에 영향을 미치지 않을 정도의 작은 마커(marker)를, 전사되어야 할 제2 얼라인먼트 마크의 각각에 대응시켜 미리 설치하여 두어도 좋다.In the above embodiment, the alignment mark transfer area TR on the substrate SB side is a blank area in which nothing is provided. However, in order to postpone the positioning of the second alignment mark AM2 transferred thereto, for example, a marker small enough not to affect the alignment process may be used as the second alignment mark AM2 to be transferred, It may be provided in advance in correspondence with each of these.

또한, 상기 실시형태에서는, 최대 9개의 제2 얼라인먼트 마크(AM2)를 전사 가능한 얼라인먼트 마크 전사 영역(TR)을 기판(SB)에 마련하고 있지만, 기판(SB)에 전사되는 제2 얼라인먼트 마크(AM2)의 수, 즉 기판(SB)에의 패턴 전사의 회수는 임의이다. 예를 들면 기판(SB)에의 패턴 전사가 1회만의 경우라도, 상기한 핀트 맞춤 동작은 유효하게 기능하는 것이다.Although the alignment mark transfer area TR capable of transferring a maximum of nine second alignment marks AM2 is provided on the substrate SB in the above embodiment, the second alignment marks AM2 , That is, the number of times of pattern transfer to the substrate SB is arbitrary. For example, even when pattern transfer to the substrate SB is performed only once, the above-described focusing operation effectively functions.

또한, 상기 실시형태에서는, 본 발명의 전사장치의 일 실시형태인 인쇄장치의 내부에서 블랭킷(BL)에 대한 패터닝을 행하고 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 예를 들면 외부에서 패터닝이 행해진 블랭킷이 반입되어 기판에 대한 패턴 전사를 행하는 장치에 대하여도, 적합하게 적용 가능한 것이다.In the above embodiment, the blanket (BL) is patterned inside the printing apparatus which is an embodiment of the transfer apparatus of the present invention. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be suitably applied to an apparatus for carrying out pattern transfer onto a substrate by carrying a blanket subjected to external patterning.

[산업상의 이용 가능성][Industrial Availability]

본 발명은 패턴을 담지하는 담지체와 그 패턴을 전사되는 기판과의 위치 맞춤을 높은 정밀도로 행하는 것이 요구되는 기술 분야에 적합하게 적용할 수 있다.The present invention can be suitably applied to a technical field required to perform alignment of a carrier carrying a pattern and a substrate to be transferred thereon with high precision.

3 : 상측 스테이지부(유지 수단)
4 : 얼라인먼트부
5 : 하측 스테이지부(유지 수단)
42 : 얼라인먼트 스테이지(얼라인먼트 수단)
43 : 촬상부(촬상 수단)
65 : 화상 처리부(화상처리 수단)
100 : 인쇄장치(전사장치)
430 : CCD 카메라
432 : 정밀 승강 테이블(포커스 조정기구)
AM1 : 제 1 얼라인먼트 마크(기판측 얼라인먼트 마크)
AM2 : 제 2 얼라인먼트 마크(얼라인먼트 마크)
BL : 블랭킷(담지체)
SB : 기판
3: upper stage part (holding means)
4: alignment part
5: Lower stage part (holding means)
42: alignment stage (alignment means)
43: an image pickup section (image pickup means)
65: Image processing section (image processing section)
100: Printing apparatus (transfer apparatus)
430: CCD camera
432 precision lifting table (focus adjustment mechanism)
AM1: first alignment mark (substrate side alignment mark)
AM2: Second alignment mark (alignment mark)
BL: Blanket (Carrier)
SB: Substrate

Claims (11)

피전사물로서의 패턴 또는 박막을 기판에 전사하는 전사장치에 있어서,
상기 기판에 전사할 상기 피전사물 및 소정의 얼라인먼트 마크를 한쪽 표면에 담지하는 담지체와, 상기 기판을, 서로 이간하고, 또한 상기 담지체의 상기 한쪽 표면을 상기 기판에 대향시킨 상태로 유지하는 유지 수단과,
상기 담지체의 상기 한쪽 표면과는 반대의 표면측으로부터, 상기 담지체를 통하여 상기 얼라인먼트 마크를 촬상하는 촬상 수단과,
상기 촬상 수단이 촬상한 화상으로부터 화상 처리에 의해 상기 얼라인먼트 마크를 검출하는 화상처리 수단과,
검출된 상기 얼라인먼트 마크에 기초하여 상기 기판과 상기 담지체와의 상대 위치를 조정하는 얼라인먼트 수단을 구비하고,
상기 촬상 수단은 상기 얼라인먼트 마크에 핀트를 맞추기 위한 포커스 조정기구를 갖고, 상기 포커스 조정기구는 상기 화상처리 수단에 의해 콘트라스트 강조 처리가 실시된 상기 얼라인먼트 마크의 화상에 기초하여 핀트 맞춤을 행하는 것을 특징으로 하는 전사장치.
A transfer device for transferring a pattern or thin film as a transfer object onto a substrate,
A carrier for holding the transferred object and a predetermined alignment mark to be transferred to the substrate on one surface thereof and a holding member for holding the substrate in a state of being separated from each other and also having the one surface of the carrier held opposite to the substrate Sudan,
An image pickup means for picking up the alignment mark through the carrier from a surface side opposite to the one surface of the carrier,
Image processing means for detecting the alignment mark by image processing from an image picked up by the image pickup means,
And alignment means for adjusting a relative position between the substrate and the carrier based on the detected alignment mark,
The imaging means has a focus adjusting mechanism for focusing the alignment mark, and the focus adjusting mechanism performs focusing based on the image of the alignment mark subjected to contrast enhancement processing by the image processing means. Transfer device.
제1항에 있어서,
상기 화상처리 수단이 상기 얼라인먼트 마크의 화상에 대하여 행하는 상기 콘트라스트 강조 처리는 상기 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분을 추출하는 필터 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사장치.
The method of claim 1,
And said contrast enhancement process performed by said image processing means for the image of said alignment mark includes a filter process for extracting a spatial frequency component corresponding to the shape of said alignment mark.
제2항에 있어서,
상기 화상처리 수단은 상기 필터 처리 후의 상기 얼라인먼트 마크의 화상 데이터에 1보다 큰 계수를 곱하여 콘트라스트를 강조하는 것을 특징으로 하는 전사장치.
3. The method of claim 2,
Wherein said image processing means emphasizes contrast by multiplying image data of said alignment mark after said filter processing by a coefficient larger than 1.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 포커스 조정기구가 상기 촬상 수단의 포커스 위치를 다단계로 변경 설정하고, 그때마다 상기 촬상 수단이 상기 얼라인먼트 마크의 촬상을 행하고, 상기 화상처리 수단이 그 촬상 결과에 대하여 상기 콘트라스트 강조 처리를 행하고,
상기 포커스 조정기구가 콘트라스트 강조된 화상 중 상기 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분을 가장 많이 포함하는 것에 대응하는 위치에, 상기 촬상 수단의 포커스 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 전사장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The focus adjustment mechanism changes and sets the focus position of the imaging means in multiple stages, the imaging means performs imaging of the alignment mark each time, the image processing means performs the contrast enhancement processing on the imaging result,
And the focus position of the imaging means is adjusted at a position corresponding to the focus adjustment mechanism including the most spatial frequency component corresponding to the shape of the alignment mark among the contrast-enhanced images.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지 수단이 상기 담지체와 상기 기판을 근접 대향 유지하고,
상기 포커스 조정기구에 의해 상기 촬상 수단의 핀트가 상기 얼라인먼트 마크에 맞추어진 상태에서, 상기 촬상 수단이 상기 담지체에 담지된 상기 얼라인먼트 마크와 상기 기판에 형성된 기판측 얼라인먼트 마크를 촬상하고,
상기 화상처리 수단이 상기 담지체의 상기 얼라인먼트 마크와 상기 기판측 얼라인먼트 마크와의 상대 위치를 검출하고, 그 결과에 기초하여, 상기 얼라인먼트 수단이 상기 기판과 상기 담지체와의 상대 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 전사장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the holding means holds the carrier and the substrate close to each other,
The image pickup means picks up the alignment mark carried on the carrier and the substrate side alignment mark formed on the substrate with the focus of the focusing mechanism aligned with the alignment mark;
The image processing means detects the relative position between the alignment mark on the carrier and the substrate side alignment mark and the alignment means adjusts the relative position between the substrate and the carrier on the basis of the result Characterized in that
피전사물로서의 패턴 또는 박막을 기판에 전사하는 전사방법에 있어서,
한쪽 표면에 상기 피전사물을 담지하는 담지체와 상기 기판을 서로 이간한 상태에서, 또한 상기 담지체의 상기 한쪽 표면을 상기 기판을 향하여 대향 배치하는 배치 공정과,
상기 담지체의 상기 한쪽 표면과는 반대의 표면측에 배치한 촬상 수단에 의해, 상기 담지체의 상기 한쪽 표면에 담지된 얼라인먼트 마크를 상기 담지체를 통하여 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 상기 촬상 수단의 핀트를 상기 얼라인먼트 마크에 맞추는 핀트 맞춤 공정과,
상기 촬상 수단의 핀트를 상기 얼라인먼트 마크에 맞춘 상태에서, 상기 얼라인먼트 마크와 상기 기판에 형성된 기판측 얼라인먼트 마크를 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 상기 기판과 상기 담지체와의 상대 위치를 조정하는 얼라인먼트 공정과,
상대 위치가 조정된 상기 기판과 상기 담지체를 서로 밀착시켜, 상기 피전사물을 상기 담지체로부터 상기 기판에 전사하는 전사 공정을 구비하고,
상기 핀트 맞춤 공정에서는, 상기 얼라인먼트 마크를 촬상한 화상에 대하여 콘트라스트 강조 처리를 행하고, 그 처리 후의 화상으로부터 상기 얼라인먼트 마크를 검출하는 것을 특징으로 하는 전사방법.
A transfer method for transferring a pattern or thin film as a transfer object onto a substrate,
A disposing step of disposing the carrier on the one surface of the carrier and the substrate facing each other with the one surface of the carrier facing away from the substrate;
The image pickup means arranged on the surface side opposite to the one surface of the supporting member picks up the alignment mark carried on the one surface of the supporting member through the supporting member, and the imaging based on the imaging result. A focusing step of fitting the focus of the means to the alignment mark,
Alignment of the said alignment mark and the board | substrate side alignment mark formed in the said board | substrate in the state which matched the focus of the said imaging means with the said alignment mark, and the alignment which adjusts the relative position of the said board | substrate and the said support body based on the imaging result. Fair,
And a transferring step of transferring the transferred object from the carrier to the substrate by bringing the substrate and the carrier having their relative positions adjusted into close contact with each other,
In the focusing step, a contrast enhancement process is performed on an image obtained by photographing the alignment mark, and the alignment mark is detected from the image after the processing.
제6항에 있어서,
상기 핀트 맞춤 공정에서는, 상기 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분을 강조하는 처리를 포함하는 상기 콘트라스트 강조 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전사방법.
The method according to claim 6,
In the focusing step, the contrast enhancement process is performed including a process of emphasizing a spatial frequency component corresponding to the shape of the alignment mark.
제6항에 있어서,
상기 핀트 맞춤 공정에서는, 상기 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분을 추출하는 필터 처리를 포함하는 상기 콘트라스트 강조 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전사방법.
The method according to claim 6,
In the focusing step, the contrast enhancement process is performed including a filter process for extracting a spatial frequency component corresponding to the shape of the alignment mark.
제8항에 있어서,
상기 핀트 맞춤 공정에서는, 상기 필터 처리 후의 상기 얼라인먼트 마크의 화상 데이터에 1보다 큰 계수를 곱하여 콘트라스트를 강조하는 것을 특징으로 하는 전사방법.
9. The method of claim 8,
In the focusing step, a transfer method characterized by emphasizing contrast by multiplying the image data of the alignment mark after the filter process by a coefficient greater than one.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 핀트 맞춤 공정에서는, 상기 촬상 수단의 포커스 위치를 다단계로 변경 설정하면서 그때마다 상기 얼라인먼트 마크의 촬상을 행하고, 그 촬상 결과에 대하여 상기 콘트라스트 강조 처리를 행한 화상 중 상기 얼라인먼트 마크의 형상에 대응하는 공간주파수 성분을 가장 많이 포함하는 것에 대응하는 위치에, 상기 촬상 수단의 포커스 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 전사방법.
10. The method according to any one of claims 6 to 9,
In the focusing step, a space corresponding to the shape of the alignment mark is shown in the image in which the alignment mark is imaged every time while changing and setting the focus position of the imaging means in multiple stages, and the contrast emphasis process is performed on the imaging result. And the focus position of the image pickup means is adjusted to a position corresponding to the largest frequency component.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배치 공정에 앞서서, 상기 담지체의 상기 한쪽 주면(主面)에 상기 피전사물과 동일 재료에 의해 상기 얼라인먼트 마크를 상기 피전사물과 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 전사방법.
10. The method according to any one of claims 6 to 9,
Wherein the alignment mark is formed on the main surface of the carrier with the same material as that of the transfer object before the arrangement step.
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