KR20130102656A - Short-arc discharge lamp - Google Patents

Short-arc discharge lamp Download PDF

Info

Publication number
KR20130102656A
KR20130102656A KR1020137022498A KR20137022498A KR20130102656A KR 20130102656 A KR20130102656 A KR 20130102656A KR 1020137022498 A KR1020137022498 A KR 1020137022498A KR 20137022498 A KR20137022498 A KR 20137022498A KR 20130102656 A KR20130102656 A KR 20130102656A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cathode
tungsten
body portion
emitter
main body
Prior art date
Application number
KR1020137022498A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101373939B1 (en
Inventor
아키히로 시미즈
미츠루 이케우치
도모요시 아리모토
Original Assignee
우시오덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우시오덴키 가부시키가이샤 filed Critical 우시오덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20130102656A publication Critical patent/KR20130102656A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101373939B1 publication Critical patent/KR101373939B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/84Lamps with discharge constricted by high pressure
    • H01J61/86Lamps with discharge constricted by high pressure with discharge additionally constricted by close spacing of electrodes, e.g. for optical projection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • H01J61/073Main electrodes for high-pressure discharge lamps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • H01J61/073Main electrodes for high-pressure discharge lamps
    • H01J61/0735Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode

Landscapes

  • Discharge Lamp (AREA)

Abstract

발광관의 내부에, 음극과 양극이 대향 배치되며, 상기 음극이, 텅스텐으로 이루어지는 본체부와, 상기 본체부의 선단에 접합된 이미터부로 이루어지는 쇼트 아크형 방전 램프로서, 점등 시간의 경과에 수반하는 음극 본체부의 수축의 저감을 도모함으로써, 음극 휘점의 위치의 변화를 작게 하고, 램프의 조도 저하의 억제를 도모하도록 한 구조를 제공하는 것이다.
상기 음극의 본체부에서의 공공율이, 이미터부에서의 그것보다 작은 것을 특징으로 한다.
A cathode and an anode are disposed opposite to the inside of the light emitting tube, and the cathode is a short arc discharge lamp composed of a main body portion made of tungsten and an emitter portion joined to the tip of the main body portion, which is associated with the lapse of the lighting time. By reducing the shrinkage of the negative electrode main body portion, a change in the position of the negative electrode bright point is made small and a structure is provided to suppress the decrease in illuminance of the lamp.
The porosity in the body portion of the cathode is smaller than that in the emitter portion.

Description

쇼트 아크형 방전 램프{SHORT-ARC DISCHARGE LAMP}Short arc type discharge lamp {SHORT-ARC DISCHARGE LAMP}

본 발명은 쇼트 아크형 방전 램프에 관한 것이며, 특히, 음극의 선단에 이미터부가 설치되어 있는 쇼트 아크형 방전 램프에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a short arc type discharge lamp, and more particularly, to a short arc type discharge lamp having an emitter portion provided at a tip of a cathode.

종래, 쇼트 아크형 방전 램프는, 전극간 거리가 짧고, 또, 점광원에 가깝기 때문에, 광학계와 조합함으로써 집광 효율이 높은 노광 장치의 광원으로서 이용되고 있다. 또, 크세논을 봉입한 쇼트 아크형 방전 램프는, 영사기 등에 있어서 가시광 광원으로서 이용되고 있으며, 최근에는 디지털 시네마용 광원으로서도 중용되고 있다. Conventionally, the short arc type discharge lamp is used as a light source of an exposure apparatus with high light condensing efficiency by combining with an optical system because the distance between electrodes is short and close to a point light source. In addition, a short arc discharge lamp encapsulated with xenon is used as a visible light source in a projector and the like, and has recently been used as a light source for digital cinema.

이와 같은 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서는, 음극에 이미터재를 설치하고, 전자 방출 특성을 높이도록 한 것이 알려져 있다. In such a short arc discharge lamp, it is known that an emitter material is provided on the cathode to enhance electron emission characteristics.

그런데 최근에는, 희소 자원의 절약과 같은 관점에서 이미터재로서의 토륨의 사용에 제한을 두도록 하고 있어, 그 대량 사용을 피하는 것이 요청되고 있다. 이에 더하여 이 토륨이 방사성 물질이며, 법적 규제에 의해 그 취급이 제한되고 있다는 사정도 있다. In recent years, however, the use of thorium as an emitter material has been restricted in view of saving scarce resources, and it has been demanded to avoid the mass use. In addition, there is a situation that thorium is a radioactive material and its handling is restricted by legal regulations.

이러한 사정을 감안하여, 음극의 선단부에 산화 토륨을 함유시킨 구조의 방전 램프가 다양하게 개발되고 있다. In view of such circumstances, various discharge lamps have been developed in which thorium oxide is contained at the tip of the cathode.

특허 문헌 1(일본국 특허공개 2010-33825호 공보)에는, 선단 부분에만 이미터재를 함유시킨 음극 구조를 가지는 방전 램프가 개시되어 있으며, 도 3에 이 특허 문헌 1에 기재되는 음극 구조를 나타낸다. Patent Literature 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2010-33825) discloses a discharge lamp having a negative electrode structure in which an emitter material is contained only in a tip portion thereof, and the negative electrode structure described in this patent document 1 is shown in FIG.

음극(10)은, 순도가 높은 텅스텐으로 이루어지는 음극 본체부(11)와, 이것과 일체 형성된 이미터부(12)로 구성된다. 이미터부(12)는, 텅스텐 중에 이미터재로서 희토류 화합물을 가지고 있다. The negative electrode 10 is composed of a negative electrode body portion 11 made of high purity tungsten and an emitter portion 12 formed integrally with this. The emitter portion 12 has a rare earth compound as an emitter material in tungsten.

그리고, 음극(10)은, 희토류 화합물을 포함하는 텅스텐 분말과, 순수한 텅스텐 분말을 성형 몰드 중에 적층시킨 상태로 충전하고, 당해 성형 몰드를 가압시키면서 소결함으로써 생성된다. 즉, 본체부(11)와 이미터부(12)는 일체적으로 소결되어 있다. The negative electrode 10 is produced by filling tungsten powder containing a rare earth compound and pure tungsten powder in a state of being laminated in a molding mold, and sintering while pressing the molding mold. In other words, the body portion 11 and the emitter portion 12 are integrally sintered.

여기서, 이미터부(12)는, 이미터재가 텅스텐의 결정입계를 확산시켜 음극의 선단까지 수송되는 것을 기대하고 있다. 이 때문에, 제조 과정에 있어서는, 과도하게 소결시키는 것은 피해야 한다. 소결의 정도가 진행될수록, 텅스텐의 결정립이 커져, 이미터재의 음극 선단으로의 수송이 방해되기 때문이다. Here, the emitter portion 12 expects the emitter material to be transported to the tip of the cathode by diffusing the grain boundary of tungsten. For this reason, in the manufacturing process, excessive sintering should be avoided. This is because, as the degree of sintering progresses, the grains of tungsten become larger, which impedes transport of the emitter material to the cathode tip.

그러나, 종래의 쇼트 아크형 방전 램프는, 이미터 물질의 공급과 같은 점에서는 효과가 있지만, 점등 시간의 경과에 수반하여 음극이 수축하고, 이 때문에, 음극 휘점의 위치가 크게 변화한다는 문제가 있었다. However, the conventional short arc type discharge lamp is effective in the same point as the supply of the emitter material, but the cathode shrinks with the passage of the lighting time, which causes a problem that the position of the cathode bright point changes significantly. .

일본국 특허공개 2010-33825호 공보Japanese Patent Publication No. 2010-33825

본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 점등 시간의 경과와 함께, 음극 휘점의 위치가 변화하지 않는 쇼트 아크형 방전 램프를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a short arc discharge lamp in which the position of the cathode bright point does not change with the lapse of the lighting time.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관련된 쇼트 아크형 방전 램프는, 발광관의 내부에 음극과 양극이 대향 배치되며, 상기 음극이 텅스텐으로 이루어지는 본체부와, 상기 본체부의 선단에 접합된 토리아티드 텅스텐(thoriated tungsten)으로 이루어지는 이미터부로 이루어지고, 음극의 본체부에서의 공공율(空孔率)이, 이미터부에서의 공공율보다 작은 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, in the short arc type discharge lamp according to the present invention, a cathode and an anode are disposed to face each other in the interior of the light emitting tube, and the cathode is a tungsten bonded to the front end of the main body and the cathode. It consists of an emitter part which consists of a tungsten (thoriated tungsten), It is characterized by the porosity in the main body part of a cathode being smaller than the porosity in an emitter part.

또, 음극의 본체부에서의 텅스텐의 결정입경이, 이미터부에서의 텅스텐의 결정입경보다 큰 것을 특징으로 한다. Further, the grain size of tungsten in the body portion of the cathode is larger than the grain size of tungsten in the emitter portion.

상기 구성에 의하면, 텅스텐으로 구성되는 본체부의 공공율이, 토리아티드 텅스텐으로 구성되는 이미터부의 공공율보다 작기 때문에, 점등 시간의 경과에 수반하는 음극의 수축을 작게 할 수 있다. According to the said structure, since the porosity of the main-body part which consists of tungsten is smaller than the porosity of the emitter part which consists of toriatized tungsten, shrinkage | contraction of a cathode accompanying elapse of lighting time can be made small.

또, 음극의 본체부를 구성하는 텅스텐의 결정립이, 이미터부를 구성하는 텅스텐의 결정립보다 크기 때문에, 마찬가지로 점등 시간의 경과에 수반하는 음극의 수축을 작게 할 수 있다. Moreover, since the tungsten crystal grains constituting the main body portion of the negative electrode are larger than those of the tungsten grains constituting the emitter portion, similarly, shrinkage of the negative electrode accompanying the lapse of the lighting time can be reduced.

이 결과, 음극 선단 위치의 후퇴가 작아져, 음극 휘점의 위치의 변화를 작게 할 수 있으며, 램프를 광학계와 조합한 경우의 집광 효율의 저하에 기인하는 조도 저하가 억제된 수명이 긴 램프를 실현할 수 있다는 효과를 나타내는 것이다. As a result, the retreat of the position of the cathode tip becomes small, so that the change in the position of the cathode bright point can be made small, and a long lifetime lamp can be realized in which the decrease in illuminance caused by the reduction of the light collection efficiency when the lamp is combined with the optical system is suppressed. It can show the effect.

도 1은 본 발명에 관련된 쇼트 아크형 방전 램프를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 관련된 음극 구조를 나타낸다.
도 3은 종래의 방전 램프의 음극 구조를 나타낸다.
1 shows a short arc discharge lamp according to the present invention.
2 shows a negative electrode structure according to the present invention.
3 shows a cathode structure of a conventional discharge lamp.

도 1은 본 발명의 쇼트 아크형 방전 램프를 나타낸다. 발광관(1)의 내부에 텅스텐으로 이루어지는 양극(2)과 음극(3)이 대향 배치되어 있으며, 양극(2)과 음극(3)은 각각 심봉에 유지되어 있다. 발광관(1)의 내부 공간에는 수은이나 크세논등의 발광 물질이 봉입되어 있다. 또한, 방전 램프는 수직 점등하는 경우도 있으면 수평 점등하는 경우도 있다. 1 shows a short arc type discharge lamp of the present invention. The anode 2 and the cathode 3 which consist of tungsten are opposingly arranged inside the light emitting tube 1, and the anode 2 and the cathode 3 are each hold | maintained in the core rod. A light emitting material such as mercury or xenon is sealed in the inner space of the light emitting tube 1. In addition, a discharge lamp may light up horizontally, and may light up horizontally.

도 2는 음극(3)의 확대 구조를 나타낸다. 음극(3)은, 텅스텐으로 이루어지는 본체부(31)와, 그 선단에 접합된 이미터부(32)로 구성된다. 본체부(31)와 이미터부(32)의 접합은 확산 접합이 바람직하다. 여기서, 확산 접합이란, 금속들을 면으로 겹쳐, 당해 금속의 융점 미만의 고상 상태에서 소성변형이 생기지 않는 정도로 가열·가압하여, 접합면의 원자를 확산시키는 고상 접합을 말한다. 그리고, 확산 접합의 가열 온도는 2000℃ 정도이며, 용융 접합과 같이 텅스텐의 융점(약 3400℃)까지 가열할 필요가 없기 때문에, 본체부나 이미터부의 금속 조직을 유지할 수 있어, 음극 성능에 악영향을 주지 않는다. 또한, 음극의 금속 조직이 변하지 않기 때문에, 본체부(31)와 이미터부(32)의 접합 후에도 절삭 가공할 수 있다는 이점을 가진다. 2 shows an enlarged structure of the cathode 3. The cathode 3 is composed of a body portion 31 made of tungsten and an emitter portion 32 joined to the tip thereof. The junction of the main body 31 and the emitter portion 32 is preferably diffusion bonding. Here, the diffusion bonding refers to a solid phase bonding in which metals are overlapped with a plane, heated and pressurized to the extent that plastic deformation does not occur in a solid state below the melting point of the metal, and the atoms of the bonding surface are diffused. The heating temperature of the diffusion junction is about 2000 ° C., and since it is not necessary to heat it to the melting point of tungsten (about 3400 ° C.) as in the fusion junction, the metal structure of the main body part and the emitter part can be maintained, which adversely affects the cathode performance. Do not give. In addition, since the metal structure of the cathode does not change, there is an advantage that it can be cut after joining the main body portion 31 and the emitter portion 32.

본체부(31)는, 예를 들면 순도 99.99중량% 이상의 순텅스텐으로 구성되어 있으며, 이미터부(32)는, 주성분인 텅스텐에, 이미터 물질로서 산화 토륨(ThO2)을 함유하는, 이른바 토리아티드 텅스텐(이하, 토리탄이라고 하는 경우도 있다)으로 구성되어 있다. 이미터부(32)의 산화 토륨의 함유량은, 예를 들면 2wt%이다. The main body portion 31 is composed of, for example, pure tungsten having a purity of 99.99% by weight or more, and the emitter portion 32 includes so-called thorium oxide containing thorium oxide (ThO 2 ) as an emitter material in tungsten as a main component. It consists of a tide tungsten (henceforth a toritan). Content of the thorium oxide of the emitter part 32 is 2 wt%, for example.

그리고, 산화 토륨은, 램프 점등 중에 고온이 됨으로써 환원되고, 토륨 원자가 되어 음극 외표면을 확산시켜, 온도가 높은 선단측으로 이동한다. 이것에 의해, 일 함수를 작게 하여 전자 방출 특성을 양호한 것으로 한다. Then, the thorium oxide is reduced by becoming a high temperature during lamp lighting, becomes a thorium atom, diffuses the outer surface of the cathode, and moves to the tip side having a high temperature. This makes work function small and makes electron emission characteristic favorable.

여기서, 이미터부(32)를 구성하는 토리아티드 텅스텐의 공공율은, 예를 들면 1.3%이며, 본체부(31)를 구성하는 순텅스텐의 공공율은, 예를 들면 0.5%이다. Here, the porosity of toriatized tungsten which comprises the emitter part 32 is 1.3%, for example, and the porosity of pure tungsten which comprises the main body part 31 is 0.5%, for example.

본 발명에 있어서 공공율 P는 다음식에 의해 정의된다. In the present invention, the porosity P is defined by the following equation.

P=1-((a(1-x)/19.3)+(ax/9.86)) P = 1-((a (1-x) /19.3) + (ax / 9.86))

단, a는 재료의 밀도(g/cm3), x는 산화 토륨의 중량비, 19.3(g/cm3)은 텅스텐의 밀도, 9.86(g/cm3)은 산화 토륨의 밀도이다. 상기 식에 대해서, 밀도가 a(g/cm3)인 재료 1cm3를 생각할 수 있다. 그 중, 텅스텐이 차지하는 체적은, a(1-x)/19.3cm3, 산화 토륨이 차지하는 체적은, ax/9.86cm3이므로, 그들을 제외한 값은, 재료 1cm3에 차지하는 공공의 체적, 즉 공공율을 나타낸다. 또한, 산화 토륨 이외의 물질이 불순물로서 혼입되어 있어도 미량이기 때문에 무시할 수 있다. Where a is the density of the material (g / cm 3 ), x is the weight ratio of thorium oxide, 19.3 (g / cm 3 ) is the density of tungsten, and 9.86 (g / cm 3 ) is the density of thorium oxide. With respect to the above formula, it is conceivable for the material density of 1cm 3 a (g / cm 3). Among them, the volume occupied by tungsten is a (1-x) /19.3cm 3 and the volume occupied by thorium oxide is ax / 9.86cm 3, so the value excluding them is the volume of vacancy occupied by 1 cm 3 of material, that is, vacancy Indicates the rate. In addition, even if a substance other than thorium oxide is mixed as an impurity, it is negligible because it is a trace amount.

일례를 들면, 음극의 이미터부에 이용하는 토리아티드 텅스텐은, 밀도가 18.7g/cm3, 산화 토륨의 중량비가 2%이며, 공공율은 약 1.3%이다. 한편, 본체부에 이용하는 순텅스텐은, 밀도가 19.2g/cm3, 산화 토륨의 중량비는 0이며, 공공율은 약 0.5%이다. For example, toriatized tungsten used in the emitter portion of the cathode has a density of 18.7 g / cm 3 and a weight ratio of thorium oxide of 2%, and a porosity of about 1.3%. On the other hand, the pure tungsten used for the main body has a density of 19.2 g / cm 3 and a weight ratio of thorium oxide to 0, and a porosity of about 0.5%.

이와 같이, 본체부의 공공율을 이미터부의 공공율보다 작게 함으로써, 점등 시간의 경과에 수반하는 본체부의 수축을 작게 할 수 있으며, 음극 전체적인 수축도 저감할 수 있다. 이것은, 원래 본체부의 수축 현상이, 본체부에 존재하는 공공으로 텅스텐이 수송됨으로써 공공이 메워져, 본체부의 체적이 작아지는 현상이기 때문이다. 그 한편, 이미터부를 포함하는 전체의 공공율을 작게 할 수는 없다. 왜냐하면, 공공율을 작게 하기 위해서는, 소결 시간을 길게 하는 등에 의해, 소결을 진행시킬 필요가 있지만, 그렇게 함과 동시에 텅스텐의 결정립이 커져, 토륨의 공급로가 되는 결정입계의 면적이 감소하는 결과, 음극 선단으로의 토륨의 공급이 저해되기 때문이다. 그리고, 본원 발명은, 지금까지 일체적으로 소결하고 있던 본체부와 이미터부를, 각각 공공율을 조정하면서 따로따로 소결하고, 그 후, 양자를 확산 접합하는 것이다. Thus, by making the porosity of a main body part smaller than the porosity of an emitter part, shrinkage of the main body part accompanying elapse of lighting time can be made small, and the shrinkage of the whole negative electrode can also be reduced. This is because the shrinkage phenomenon of the main body portion is a phenomenon in which the voids are filled by transporting tungsten to the pores existing in the main body portion and the volume of the main body portion is reduced. On the other hand, the overall porosity including the emitter portion cannot be reduced. This is because, in order to reduce the porosity, it is necessary to advance the sintering by lengthening the sintering time, etc., but at the same time, the grain size of tungsten increases, and as a result, the area of the grain boundary serving as the supply path of thorium decreases. This is because the supply of thorium to the cathode tip is hindered. And this invention sinters separately, adjusting the porosity of the main body part and the emitter part which were sintered integrally until now, and after that, both of them diffuse-bond.

또한, 본체부를 구성하는 순텅스텐의 평균 입경을, 이미터부(32)를 구성하는 텅스텐의 평균 입경보다 크게 할 수 있다. 구체적으로는, 이미터부를 구성하는 텅스텐의 평균 입경이 20μm이며, 본체부(31)를 구성하는 순텅스텐의 평균 입경이 100μm이다. In addition, the average particle diameter of pure tungsten constituting the main body portion can be made larger than the average particle diameter of tungsten constituting the emitter portion 32. Specifically, the average particle diameter of tungsten constituting the emitter portion is 20 μm, and the average particle diameter of pure tungsten constituting the main body portion 31 is 100 μm.

여기서, 텅스텐의 결정입경은, JIS H 0501에 준한 절단법으로 측정할 수 있으며, 구체적으로는, 소정 길이의 직선 선분에 의해 완전히 횡단되는 결정립 수를 세어, 그 절단 길이의 평균치를 결정입경으로 하고 있다. Here, the grain size of tungsten can be measured by the cutting method according to JIS H 0501, specifically, the number of crystal grains which are completely traversed by a straight line segment of a predetermined length is counted, and the average value of the cutting length is made into the crystal grain size. have.

이와 같이, 음극의 본체부에서의 텅스텐 결정립을, 이미터부에서의 텅스텐 결정립보다 크게 하면, 본체부에서의 텅스텐의 공공으로의 수송을 억제할 수 있어, 결과적으로, 본체부의 수축을 작게 할 수 있다. 그것은, 텅스텐의 수송은, 주로 텅스텐의 결정입계를 통과하여 발생되는 것과, 텅스텐의 결정립이 클수록 결정입계의 총면적이 작아지는 것에 의한 것으로 생각할 수 있다. In this manner, when the tungsten crystal grains in the body portion of the cathode are larger than the tungsten grains in the emitter portion, transport of tungsten to the pores in the body portion can be suppressed, and as a result, shrinkage of the body portion can be reduced. . It is considered that the transport of tungsten is mainly caused by passing through the grain boundary of tungsten, and the larger the grain size of tungsten is, the smaller the total area of the grain boundary is.

이상 서술한 바와 같이, 본 발명의 음극에 의하면, 점등 시간의 경과에 수반하는 상기 음극 본체부의 수축을 작게 할 수 있으므로, 램프의 조도 저하를 억제할 수 있다. As described above, according to the cathode of the present invention, since the shrinkage of the cathode main body portion with the passage of the lighting time can be reduced, the fall of illuminance of the lamp can be suppressed.

여기서, 본 발명에 관련된 음극의 제조 방법의 일례를 설명한다. Here, an example of the manufacturing method of the negative electrode which concerns on this invention is demonstrated.

직경 10mm, 두께 5mm의 토리탄, 직경 10mm, 두께 20mm의 순텅스텐을 준비한다. 단, 토리탄은, 산화 토륨의 함유량이 2중량%, 밀도가 18.7g/cm3, 공공율이 약 1.3%이며, 순텅스텐은, 밀도가 19.2g/cm3, 공공율이 약 0.5%인 것을 이용한다. 혹은, 토리탄은, 텅스텐의 결정입경이 약 20μm, 순텅스텐은, 텅스텐의 결정입경이 약 100μm인 것이어도 된다. Pure tungsten having a diameter of 10 mm and a thickness of 5 mm, and a diameter of 10 mm and a thickness of 20 mm were prepared. However, the directory is burnt, the content of 2% by weight thorium oxide, and a density of 18.7g / cm 3, from about 1.3% porosity, pure tungsten has a density of 19.2g / cm 3, a porosity of about 0.5% Use it. Alternatively, the grain size of tungsten may be about 20 µm and that of pure tungsten may be about 100 µm.

다음에, 토리탄과 순텅스텐의 접합면을 맞추고, 진공 중에서 축방향으로 2.5kN 정도의 압축력을 인가한다. 그리고, 통전 가열에 의해 접합부의 온도를 약 2000℃로 하고, 5분 정도 토리탄과 순텅스텐을 확산 접합시킨다. Next, the joint surface of toritan and pure tungsten is aligned, and a compressive force of about 2.5 kN is applied in the axial direction in a vacuum. And the temperature of a junction part is made into about 2000 degreeC by electric current heating, and toritan and pure tungsten are diffuse-bonded for about 5 minutes.

다음에, 본원에 관련된 실험 결과에 대해서 서술한다. Next, the experimental result which concerns on this application is described.

본 발명의 음극으로서, 산화 토륨을 2중량% 함유하고, 공공율이 약 1.3%인 이미터부와, 공공율이 약 0.5%인 순텅스텐으로 이루어지는 본체부를 확산 접합시키고, 절삭 가공에 의해, 전체 길이가 18mm, 최대 직경이 10mm, 이미터부의 길이가 1mm, 음극 선단 직경이 0.6mm, 음극 선단각이 60°인 음극을 제작하고, 그것을 음극에 이용한 4kW 크세논 쇼트 아크 램프를 제작했다. As the cathode of the present invention, 2 wt% of thorium oxide is contained, the emitter portion having a porosity of about 1.3% and the main body portion made of pure tungsten having a porosity of about 0.5% are diffusely bonded to each other by cutting. A cathode having a diameter of 18 mm, a maximum diameter of 10 mm, an emitter portion of 1 mm, a cathode tip diameter of 0.6 mm, and a cathode tip angle of 60 ° was fabricated, and a 4 kW xenon short arc lamp using the cathode was fabricated.

비교를 위해, 종래 기술에 의해, 이미터부에 2중량%의 산화 토륨을 함유하고, 음극 본체부는 순텅스텐으로 이루어지는 일체 소결형의 음극을 제작하고, 그것을 이용한 4kW 크세논 쇼트 아크 램프를 제작했다. 여기서, 이미터부의 길이 등의 음극 치수 및 램프의 사양은, 상기의 본 발명의 경우와 동일하다. 단, 이미터부와 본체부에서의 공공율은, 모두 약 1.3%였다. For comparison, according to the prior art, an integrally sintered negative electrode made of pure tungsten containing 2% by weight of thorium oxide in the emitter part was produced, and a 4kW xenon short arc lamp using the same was produced. Here, the size of the cathode such as the length of the emitter portion and the specification of the lamp are the same as in the case of the present invention described above. However, the porosity in the emitter part and the main body part was about 1.3%.

이들 램프를 정격 전력의 4kW로, 500시간 점등한 후의 음극의 수축 길이는, 본 발명의 음극이 0.39mm, 종래 기술의 음극이 0.5mm로, 음극의 수축이 저감되는 것을 알 수 있었다. It was found that the shrinkage of the cathode after lighting these lamps at 4 kW of rated power for 500 hours was 0.39 mm for the cathode of the present invention and 0.5 mm for the cathode of the prior art, so that the shrinkage of the cathode was reduced.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 점등 시간의 경과에 수반하는 음극의 수축이 저감되므로, 음극 휘점의 위치의 변화에 기인하는 램프의 조도 저하를 억제할 수 있다. As described above, according to the present invention, since the shrinkage of the cathode with the passage of the lighting time is reduced, it is possible to suppress the decrease in illuminance of the lamp caused by the change in the position of the cathode bright point.

1: 쇼트 아크형 방전 램프 2: 양극
3: 음극 31: 본체부
32: 이미터부
1: short arc type discharge lamp 2: anode
3: cathode 31: main body
32: emitter part

Claims (2)

발광관의 내부에, 음극과 양극이 대향 배치되며, 상기 음극이, 텅스텐으로 이루어지는 본체부와, 상기 본체부의 선단에 접합된 토리아티드 텅스텐(thoriated tungsten)으로 이루어지는 이미터부로 이루어지는 쇼트 아크형 방전 램프로서,
상기 음극의 본체부에서의 공공율이, 이미터부에서의 그것보다 작은 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
In the interior of the light emitting tube, a cathode and an anode are disposed to face each other, and the cathode is a short arc discharge lamp including an emitter portion formed of a body portion made of tungsten and a thoriated tungsten bonded to the tip of the body portion. as,
A short arc discharge lamp characterized in that the porosity at the body portion of the cathode is smaller than that at the emitter portion.
발광관의 내부에, 음극과 양극이 대향 배치되며, 상기 음극이, 텅스텐으로 이루어지는 본체부와, 상기 본체부의 선단에 접합된 토리아티드 텅스텐으로 이루어지는 이미터부로 이루어지는 쇼트 아크형 방전 램프로서,
상기 음극의 본체부에서의 텅스텐 결정입경이, 이미터부에서의 그것보다 큰 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
A short arc type discharge lamp in which a cathode and an anode are disposed opposite to each other inside the light emitting tube, and the cathode includes a main body portion made of tungsten and an emitter portion made of teriatiated tungsten bonded to the tip of the main body portion.
A tungsten crystal grain size at the body portion of the cathode is larger than that at the emitter portion.
KR1020137022498A 2011-03-10 2012-02-22 Short-arc discharge lamp KR101373939B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-052366 2011-03-10
JP2011052366A JP5024466B1 (en) 2011-03-10 2011-03-10 Short arc type discharge lamp
PCT/JP2012/054198 WO2012121009A1 (en) 2011-03-10 2012-02-22 Short-arc discharge lamp

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130102656A true KR20130102656A (en) 2013-09-17
KR101373939B1 KR101373939B1 (en) 2014-03-12

Family

ID=46797978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137022498A KR101373939B1 (en) 2011-03-10 2012-02-22 Short-arc discharge lamp

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5024466B1 (en)
KR (1) KR101373939B1 (en)
CN (1) CN103493174B (en)
DE (1) DE112012000696B4 (en)
TW (1) TWI453784B (en)
WO (1) WO2012121009A1 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2771761B2 (en) * 1993-10-08 1998-07-02 株式会社大西ライト工業所 Sheet material cutting device
JPH0857797A (en) * 1994-08-18 1996-03-05 Onishi Raito Kogyosho:Kk Sheet material cutting device
JP2014175131A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Ushio Inc Long-arc discharge lamp
JP5949747B2 (en) * 2013-12-24 2016-07-13 ウシオ電機株式会社 Method for producing cathode for discharge lamp and discharge lamp
CN105359252B (en) * 2013-10-02 2017-11-10 优志旺电机株式会社 The manufacture method of the negative electrode of short arc discharge lamp and short arc discharge lamp
KR102436519B1 (en) 2015-08-18 2022-08-25 삼성전자주식회사 Arc lamp and substrate heating apparatus having the arc lamp
JP7027096B2 (en) * 2017-09-28 2022-03-01 株式会社オーク製作所 Discharge lamp, electrode for discharge lamp, manufacturing method of discharge lamp and manufacturing method of electrode for discharge lamp
JP7145429B2 (en) * 2018-08-23 2022-10-03 株式会社オーク製作所 discharge lamp
CN114008742A (en) * 2019-08-06 2022-02-01 株式会社东芝 Cathode member for discharge lamp and discharge lamp

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL253509A (en) * 1959-07-08
NL6603392A (en) * 1966-03-16 1967-09-18
DE2245717A1 (en) * 1972-09-18 1974-03-28 Patra Patent Treuhand ELECTRODE WITH A POROUS SINTER BODY
JPS60218755A (en) * 1984-04-13 1985-11-01 Hamamatsu Photonics Kk Discharge tube for light source
JPS61233960A (en) * 1985-04-10 1986-10-18 Hamamatsu Photonics Kk Discharge tube for light source
JPH087834A (en) * 1994-06-24 1996-01-12 New Japan Radio Co Ltd Discharge tube for light source
DE19738574A1 (en) * 1997-09-04 1999-03-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Electrode and method and apparatus for making the same
TW511116B (en) * 2000-09-28 2002-11-21 Ushio Electric Inc Short arc discharge lamp
JP3596453B2 (en) * 2000-09-28 2004-12-02 ウシオ電機株式会社 Short arc discharge lamp
JP4426904B2 (en) * 2003-06-05 2010-03-03 日本タングステン株式会社 Tungsten wire and method for manufacturing the same
JP2007095665A (en) * 2005-09-02 2007-04-12 Sony Corp Short-arc type high-pressure discharge electrode, short-arc type high-pressure discharge tube, short-arc type high-pressure discharge light source device and their manufacturing methods
JP4725389B2 (en) 2006-03-29 2011-07-13 ウシオ電機株式会社 High pressure discharge lamp
DE202006016265U1 (en) * 2006-10-24 2007-01-11 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH High-pressure discharge lamp for DC operation has filing of noble gas and or mercury and a two-part cathode and an anode in a globe
WO2008074361A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Electrode for a discharge lamp
JP4281806B2 (en) * 2007-02-02 2009-06-17 ウシオ電機株式会社 Discharge lamp
JP2010033825A (en) * 2008-07-28 2010-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp Electrode, discharge lamp, method of manufacturing electrode

Also Published As

Publication number Publication date
DE112012000696T5 (en) 2013-11-28
CN103493174A (en) 2014-01-01
CN103493174B (en) 2014-07-02
JP5024466B1 (en) 2012-09-12
TWI453784B (en) 2014-09-21
KR101373939B1 (en) 2014-03-12
TW201243899A (en) 2012-11-01
WO2012121009A1 (en) 2012-09-13
DE112012000696B4 (en) 2014-12-04
JP2012190627A (en) 2012-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101373939B1 (en) Short-arc discharge lamp
KR101348475B1 (en) Discharge lamp
KR101313445B1 (en) Short arc type discharge lamp
JP2009537961A (en) Electrode for discharge lamp and method for producing electrode for discharge lamp
US8497632B2 (en) Short arc type discharge lamp
KR101661488B1 (en) Discharge lamp
CN102446695A (en) Short arc type discharge lamp
JP5672571B2 (en) Discharge lamp
US9633829B2 (en) Discharge lamp
JP2007250343A (en) Manufacturing method of sintered electrode for cold-cathode tube
JP5041349B2 (en) Short arc type discharge lamp
JP6191865B2 (en) Discharge lamp
JP5812053B2 (en) Short arc type discharge lamp
JP6115721B2 (en) Discharge lamp
JP7313791B2 (en) Discharge lamp and method for manufacturing discharge lamp electrode
JP5672573B1 (en) Discharge lamp
JP5672581B1 (en) Discharge lamp
KR20200023177A (en) Discharge lamp
KR20200023176A (en) Discharge lamp
JP5672577B1 (en) Discharge lamp
JP2015005470A (en) Discharge lamp
JP2015153650A (en) discharge lamp
JP2017111996A (en) Short arc type discharge lamp
JP2017157293A (en) Discharge lamp
JP2015141810A (en) discharge lamp

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180219

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200218

Year of fee payment: 7