KR20130101899A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20130101899A
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양승국
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판 처리 장치는, 기판에 대한 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버; 상기 내부공간에 배치되며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 공정챔버에 고정되고, 상기 기판을 처리하기 위한 가스를 상기 내부공간에 분배하는 분배 플레이트; 상기 분배 플레이트와 상기 공정챔버 사이에 위치되어, 상기 분배 플레이트를 상기 공정챔버에 전기적으로 연결하는 접속부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 증착, 사진, 식각, 애싱, 세정 등 다양한 공정을 포함한다. 이들 중 애식 공정은 사진 공정에서 사용된 포토레지스트(photoresist)를 제거하는 공정이다.
도 1은 플라즈마를 이용해 포토레지스트를 제거하는 기판 처리 장치를 보여준다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)에는 분배 플레이트(3) 가 제공된다.
분배 플레이트(3)는 플라즈마 생성부에서 생성된 플라즈마가 기판(w)에 균일하게 공급되도록 분배한다. 또한, 분배 플레이트(3)는 이방성(Anisotropic) 운동을 하는 이온을 걸러내는 역할을 한다. 이 과정에서 분배 플레이트(3)는 전위를 가지게 된다. 분배 플레이트(3)는 리드(2)에 고정되고, 리드(2)는 접지선(미도시)으로 그라운드에 연결되어 접지된다. 따라서, 전하는 분배 플레이트(3)에서 리드(20)를 거쳐 외부로 방전된다.
조립의 용이성을 위해서 분배 플레이트(3)의 측면과 리드(2)사이에는 일정한 간격이 형성되도록 한다. 따라서, 분배 플레이트(3)의 상면만이 리드(2)와 전기적으로 연결되고, 분배 플레이트(3)의 측면은 리드(2)와 이격된다. 그러나 위와 같은 구조에서는 분배 플레이트(3)의 전하가 원활하게 방전되지 못하여, 분배 프레이트(3)와 리드(2) 사이에 아크가 발생하여 기판 처리 장치(1)의 손상 및 기판 처리 장치(1)의 내부 공간에 파티클을 발생시키는 문제점이 있다.
본 발명은 분배 플레이트의 주위에서 발생하는 아크가 감소되는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는, 기판에 대한 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버; 상기 내부공간에 배치되며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 공정챔버에 고정되고, 상기 기판을 처리하기 위한 가스를 상기 내부공간에 분배하는 분배 플레이트; 상기 분배 플레이트와 상기 공정챔버 사이에 위치되어, 상기 분배 플레이트를 상기 공정챔버에 전기적으로 연결하는 접속부재를 포함한다.
상기 접속부재는, 링 형상으로 제공되어, 상기 분배 플레이트의 측면과 상기 공정챔버 사이에 위치될 수 있다.
상기 접속부재는, 상기 분배 플레이트의 측면과 접하는 제 1 접속 링; 상기 공정 챔버와 접하는 제 2 접속 링을 포함할 수 있다.
상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링은 서로 이격되어, 상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링 사이에 이격 공간이 형성되고, 상기 접속부재는, 상기 이격 공간에 제공되어, 상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링이 전기적으로 연결되도록 하는 연결부재를 더 포함할 수 있다.
상기 연결부재는, 탄성을 가지도록 제공되어, 상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링이 이격된 거리는 가변 될 수 있다.
상기 연결부재는, 상기 제 2 접속링보다 큰 지름을 갖는 링이 굽혀진 후 상기 이격공간에 삽입되어 형성될 수 있다.
상기 링은, 상부에서 볼 때 삼각형이 되도록 굽혀져 상기 이격 공간에 위치 될 수 있다.
상기 링은, 상부에서 볼 때 사각형이 되도록 굽혀져 상기 이격 공간에 위치될 수 있다.
상기 링은, 상부에서 볼 때 물결 모양이 되도록 굽혀져 상기 이격 공간에 위치될 수 있다.
상기 제 1 접속링의 상단과 하단에는, 상기 링이 상기 이격 공간 밖으로 빠지는 것을 방지하는 제 1 걸림부가 제공되고, 상기 제 2 접속링의 상단과 하단에는, 상기 링이 상기 이격 공간 밖으로 빠지는 것을 방지하는 제 2 걸림부가 제공될 수 있다.
상기 링은, 상기 제 1 접속 링 및 상기 제 2 접속 링과 접하는 곳이 용접될 수 있다.
상기 배플은, 상면지름 보다 하면지름이 크게 형성되어, 상기 배플의 측면 하단에 상기 접속 부재의 하단을 지지하는 지지부가 제공될 수 있다.
상기 공정 챔버는, 상기 내부공간을 형성하는 처리실; 상기 처리실의 상단을 차폐하는 리드를 포함하고, 상기 리드에는, 그 하단의 내측에 상기 접속부재 및 분배 플레이트가 삽입되도록 제 1 단이 형성될 수 있다.
상기 접속부재는, 그 상단과 외주면은 상기 리드에 접하고, 그 하단과 내주면은 상기 분배 플레이트에 접할 수 있다.
상기 지지부는, 상기 접속 부재의 원주 방향의 두께보다 길게 형성될 수 있다.
상기 리드에는, 상기 제 1 단의 하단에 상기 지지부의 단부가 위치되는 제 2 단이 형성될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 공정챔버의 상단에 위치되는 플라즈마 생성부를 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 대한 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버; 상기 내부공간에 배치되며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 공정챔버에 고정되어, 상기 내부공간의 상부에 위치되는 분배 플레이트 어셈블리를 포함하고, 상기 분배 플레이트 어셈블리는, 그 측면과 그 상면의 가장자리가 상기 공정챔버와 접하여 전기적으로 연결된다.
상기 분배 플레이트 어셈블리는, 상면의 외측이 상기 공정 챔버와 전기적으로 연결되는 분배 플레이트; 및 상단 및 외주면은 상기 공정챔버에 전기적으로 연결되고, 하단 및 내주면은 상기 분배 플레이트에 전기적으로 연결되는 접속 부재를 포함할 수 있다.
상기 접속 부재는, 링 형상으로 제공되고, 원주 방향의 두께가 가변 될 수 있다.
상기 접속 부재는, 도전성 재료로 제공될 수 있다.
상기 접속 부재는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 분배 플레이트와 리드의 접촉 면적이 증가될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 분배 플레이트와 리드 사이에 아크의 발생이 감소되는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 분배 플레이트, 리드, 접속부재에서 발생된 파티클이 내부공간으로 떨어지지 않는 장점이 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 분배 플레이트의 주위에서 발생하는 아크를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 리드, 접속부재, 그리고 분배 플레이트를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에서 분배플레이트가 결합되는 부분을 확대한 도면이다.
도 5는 접속부재의 부분 사시도 이다.
도 6은 접속부재의 횡단면도이다.
도 7은 접속부재의 종단면도이다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 접속부재의 횡단면도이다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 접속부재의 횡단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정챔버(11), 기판지지부재(20), 분배플레이트어셈블리(30) 및 가스공급부(40)를 포함한다.
공정챔버(11)는 처리실(12) 및 리드(13)를 포함한다. 처리실(12)은 하벽(120) 및 측벽(121)을 포함한다. 처리실(12)은 공급된 가스에 의해서 기판(w)에 대한 처리가 수행되는 내부공간(125)을 제공한다. 처리실(12)의 상부는 개방된다. 측벽(121)에는 기판(w)이 출입하는 게이트(123)가 형성되고, 게이트(123)는 도어(124)에 의해 개폐된다. 하벽(120)에는 내부공간(125)으로 제공된 가스 및 기판(w)의 처리과정에서 발생된 반응부산물이 배기되는 흡입포트(126)가 제공된다.
리드(13)는 처리실(12)의 상단에 결합되어 내부공간(125)을 밀폐한다. 리드(13)는 가스공급부(40)와 결합되어, 가스공급부(40)에서 제공되는 기판 처리를 위한 가스를 내부공간(125)으로 제공한다. 리드(13)에는 가스를 내부공간(125)으로 제공하는 유도공간(131)이 형성된다. 유도공간(131)의 상단은 가스공급부(40)에 연결되고, 유도공간(131)의 하단은 내부공간(125)에 연결된다. 일 실시 예에 의하면, 유도공간(131)은 역 깔때기 형상으로 제공된다. 리드(13)는 접지선(15)으로 그라운드에 연결된다.
분배플레이트어셈블리(30)는 분배플레이트(31) 및 접속부재(32)를 포함한다. 분배플레이트어셈블리(30)는 리드(13)에 고정된다. 분배플레이트(31)에는 분배홀(310)이 형성된다. 분배플레이트(31)의 상면은 유도공간(131)과 접하고, 분배플레이트(31)의 하면은 척(21)이 위치되는 내부공간(125)과 접한다. 따라서, 분배플레이트(31)는 기판(w)이 위치되는 척(21)의 상부에 위치된다. 유도공간(131)으로 유입된 가스는 분배홀(310)을 통해서 내부공간(125)으로 분배된다.
기판지지부재(20)는 척(21) 및 지지축(22)을 포함한다. 기판지지부재(20)는 내부공간(125)에 위치하며, 공정처리에 제공되는 기판(w)을 지지한다.
척(21)은 원판형상으로 제공되며, 상면에 기판(w)이 놓인다. 척(21)의 내부에는 전극(electrode, 미도시)이 제공된다. 전극은 외부에서 인가된 전원(미도시)에 의해 정전기력을 발생시켜 기판(w)을 척(21)에 고정시킨다. 선택적으로, 척(21)의 내부에는 히터(미도시) 및 쿨링부재(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 열을 발생하여, 공정처리에 제공되는 기판(w)을 소정온도까지 가열한다. 그리고, 쿨링부재는 공정처리가 완료된 기판(w)을 소정온도로 냉각한다.
척(21)에는 홀(미도시)이 형성된다. 홀은 세 개 이상 형성된다. 각각의 홀에는 리프트 핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀은 홀을 따라 상하방향으로 이동하여 척(21)의 상면으로 기판(w)을 로딩하거나, 상면으로부터 기판(w)을 언로딩한다.
지지축(22)은 척(21)의 하부에 위치하며, 척(21)을 지지한다.
가스공급부(40)가 제공하는 가스는 플라즈마일 수 있다. 따라서, 가스공급부(40)는 플라즈마생성부(40)로 제공될 수 있다. 플라즈마생성부(40)는 가스공급관(41), 마그네트론(42), 그리고 도파관(43)을 포함한다.
플라즈마생성부(40)는 리드(13)의 상부에 위치하며, 플라즈마를 생성하여 리드(13)의 유도공간(131)으로 플라즈마를 제공한다. 플라즈마생성부(40)의 내부에는 가스공급관(41)으로부터 공급된 반응가스와 마그네트론(42)으로부터 제공된 마이크로파에 의해 플라즈마가 생성된다. 플라즈마생성부(40)에서 생성된 플라즈마는 리드(13)의 유도공간(131)으로 제공된 후, 분배플레이트(31)의 분배홀(310)을 통해서 기판(w)으로 공급된다. 기판(w)으로 공급된 플라즈마는 기판(w)표면의 포토레지스트와 반응 하여, 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정을 수행한다.
마그네트론(42)은 도파관(43)을 통해 플라즈마 생성부(40)와 연결되며, 플라즈마 생성을 위한 마이크로파를 발생시킨다.
도파관(43)은 마그네트론(42)에서 생성된 마이크로파를 플라즈마 생성부(40)로 유도한다.
상술한 실시 예에서, 플라즈마 생성부(40)는 리모트방식의 플라즈마 생성부를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 또 다른 실시 예로, 플라즈마 생성부(40)는 유도결합형 플라즈마 생성부 또는 용량결합형 플라즈마 생성부가 제공될 수 있다.
도 3은 도 2의 리드, 접속부재, 그리고 분배플레이트를 나타내는 도면이고, 도 4는 도 2에서 리드에 분배플레이트어셈블리가 결합되는 부분을 확대한 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 분배플레이트(31)는 몸체(300) 및 지지부(311)를 포함한다. 몸체(300)에는 분배홀(310)이 형성된다. 분배홀(310)은 몸체(300)의 상면과 하면을 관통하여 형성되어, 플라즈마생성부(40)에서 공급된 플라즈마를 내부공간(125)으로 분배한다. 분배홀(310)은 몸체(300)에 복수 개 형성된다. 따라서, 플라즈마생성부(40)에서 공급된 플라즈마는, 복수 개의 분배홀(310)을 통해서 기판(w)의 상부에 균일하게 공급될 수 있다.
지지부(311)는 몸체(300) 의 측면에서 외측으로 연장되게 제공된다. 지지부(311)는 몸체(300) 의 측면의 상단이 절삭되어 형성된다. 따라서, 지지부(311)는 상부에서 바라 보았을 때, 링형상으로 제공된다. 지지부(311)는, 그 하면이 몸체(300) 의 하면과 동일 높이로 제공된다. 지지부(311) 로 인해 분배플레이트(31)는 분배플레이트의 상면지름(d5)과 분배플레이트의 하면지름(d6)이 다르게 형성된다. 그리고, 몸체(300)의 측면은 접촉부(312)로 제공된다. 지부(311)의 상면에는 접속부재(32)가 위치된다.
접속부재(32)는 링 형상으로 제공된다. 접속부재(32)는 도전성 재료로 제공되어, 분배플레이트(31)의 측면과 리드(13)를 전기적으로 연결한다. 일 예로 접속부재(32)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제공될 수 있다.
리드(13)에는 접속부재(32) 및 분배플레이트(31)가 위치되는 결합부(14)가 형성된다. 결합부(14)는 제 1 단(130) 및 제 2 단(140)을 포함한다. 제 1 단(130)은 리드(13)의 하단 내측에 형성되어, 접속부재(32) 및 분배 플레이트(31)가 삽입된다. 제 1 단(130)은 분배플레이트(31)의 상면과 접하는 제 1 접촉면(131)과, 제 1 접촉면(131)의 외측에서 아래로 연장되는 제 2 접촉면(132)으로 형성된다. 또한, 제 2 접촉면(132)의 하단에는 제 2 단(140)이 형성된다. 제 2 단(140)에는 지지부(311)의 단부가 위치된다. 제 2 단(140)에는 지지부(311)가 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 유도공간(131)과 제 1 단(130)이 만나는 지점은 제 1 지름(d1)을 갖는 원형을 형성한다. 또한, 제 1 단(130)과 제 2 단(140)이 만나는 지점은 제 2 지름(d2)를 갖는 원형을 형성한다.
이하에서는, 리드(13), 접속부재(32) 및 분배플레이트(31)의 결합관계를 설명한다.
분배플레이트(31)의 지지부(311)에는 접속부재(32)가 위치된다. 그리고, 분배플레이트(31)와 접속부재(32)는 리드(13)에 결합된다. 분배플레이트(31)의 상면은 유도공간(131)과 접한다. 분배플레이트의 상면지름(d5)은 제 1 지름(d1)과 동일하거나 크게 형성된다. 분배플레이트의 상면지름(d5)이 제 1 지름(d1)보다 크게 형성되면, 접속부재(32)와 인접한 분배플레이트(31)의 상면은 제 1 접촉면(131)과 접한다. 분배플레이트(31)의 상면과 리드(13)가 접하므로, 분배플레이트(31)의 전하는 리드(13), 접지선(15)을 통해 그라운드로 이동한다.
접속부재의 내측지름(d3)은 분배플레이트의 상면지름(d5)과 동일하거나 작게 형성된다. 따라서, 접속부재(32)가 지지부(311)에 위치되면, 접속부재(32)의 내주면은 접촉부(312)와 밀착된다. 접속부재의 외측지름(d4)은 제 2 지름(d2)과 동일하거나 크게 형성된다. 따라서, 접속부재(32)가 리드(13)에 결합되면, 접속부재(32)의 외주면은 제 2 접촉면(132)에 밀착된다.
접촉부의 높이(h3)는 제 1 단의 높이(h1)와 동일하게 제공된다. 그리고, 플레이트의 두께(t2)는 결합부의 높이(h2)와 동일하거나 크게 제공된다. 따라서, 분배플레이트(31) 및 접속부재(32)는 리드(13)에 결합될 수 있다.
분배플레이트의 하면지름(d6)은 제 2 지름(d2)보다 크게 제공된다. 따라서, 접속부재(32)의 하면과 접하지 않은 지지부(311)는 제 2 단(140)에 위치된다.
접촉부(312)는 접속부재(32)의 내주면과 밀착된다. 그리고 접속부재(32)의 외주면은 제 2 접촉면(132)에 밀착된다. 따라서, 분배플레이트(31)의 전하는 접속부재(32), 리드(13) 및 접지선(15)을 통해서 그라운드로 흐른다.
분배플레이트(31)의 상면은 제 1 접촉면(131)에 밀착된다. 그리고, 분배플레이트(31)의 접촉부(312)는 접속부재(32)를 통해서 리드(13)에 접촉된다. 즉, 분배플레이트(31)는 리드(13)와 전기적으로 연결되는 면적이 증가한다. 따라서, 분배플레이트(31)의 전하의 이동이 원활하게 이루어져, 분배플레이트(31)와 리드(13) 사이의 아크 발생이 감소된다.
지지부(311)는 분배플레이트(31), 접속부재(32) 및 리드(13)에서 발생한 파티클이 내부공간(125)으로 떨어지는 것을 방지한다. 분배플레이트(31), 접속부재(32) 및 리드(13)의 결합부에서 발생하는 아크는 파티클을 발생시킨다. 분배플레이트의 하면지름(d6)이 제 2 지름(d2)보다 크게 형성되고, 지지부(311)의 원주 방향 길이가 접속부재(32)의 원주 방향 두께보다 길게 형성되면, 파티클은 지지부(311)의 상면에 떨어진다.
도 5는 접속부재의 부분 사시도이고, 도 6은 접속부재의 횡단면도이고, 도 7은 접속부재의 종단면도이다.
도 5내지 도 7을 참조하면, 접속부재(32)는 제 1 접속링(320), 제 2 접속링(330) 및 연결부재(340)를 포함한다.
제 1 접속링(320)은 내주면이 제 1 지름(d1)을 갖는 링으로 제공된다. 제 1 접속링(320)은 내주면이 접촉부(312)에 대응하게 형성된다. 따라서, 접속부재(32)가 분배플레이트(31)에 결합되면, 제 1 접속링(320)의 내주면은 접촉부(312)에 밀착된다. 제 1 접속링(320)의 상단 및 하단에는 제 1 걸림부(321)가 제공된다. 제 1 걸림부(321)는 제 1 접속링(320)의 외주면에 제공된다.
제 2 접속링(330)은 외주면이 제 2 지름(d2)을 갖는 링으로 제공된다. 제 2 접속링(330)은 외주면이 제 2 접촉면(132)에 대응하게 형성된다. 따라서, 접속부재(32)가 리드(13)에 결합되면, 제 2 접속링(330)의 외주면은 제 2 접촉면(132)에 밀착된다. 제 2 접속링(330)의 상단 및 하단에는 제 2 걸림부(331)가 제공된다. 제 2 걸림부(331)는 제 2 접속링(330)의 내주면에 제공된다.
제 1 접속링(320)과 제 2 접속링(330)은 서로 이격되어, 제 1 접속링(320)의 외주면과 제 2 접속링(330)의 내주면 사이에는 이격공간이 형성된다. 이격공간에는 연결부재(340)가 제공된다. 연결부재(340)는 제 2 접속링(330)보다 큰 지름을 갖는 링으로 제공된다. 연결부재(340)는 그 길이방향을 따라 라운드지게 굽혀진 후 이격공간에 삽입된다. 일 예로, 연결부재(340)는 물결무늬와 같이 굽혀진 후 이격공간에 삽입된다. 따라서, 연결부재(340)는 제 1 접속링(320) 및 제 2 접속링(330)에 접하게 된다. 그리고, 연결부재(340)의 상단 및 하단은 제 1 걸림부(321) 및 제 2 걸림부(331)로 고정된다. 제 1 접속링(320)과 제 2 접속링(330)이 연결부재(340)로 연결되면, 접속부내(32)는 탄성을 가지고, 제 1 접속링(320)과 제 2 접속링(330)의 이격 된 거리는 가변 될 수 있다. 즉, 접속부재(32)의 원주 방향의 두께는 가변 된다. 따라서, 접속부재(32)의 내주면과 외주면 사이의 거리가 접촉부(312)와 제 2 접촉면(132) 사이의 거리보다 크게 형성된 경우에도, 접속부재(32)는 분배플레이트(31)와 리드(13) 사이에 결합될 수 있다. 그리고, 접속부재(32)의 내부면 및 외주면은 접촉부(312) 및 제 2 접촉면(132)에 강하게 밀착된다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 접속부재의 횡단면도이다.
도 8을 참조하면, 연결부재(341)는 그 길이 방향을 따라 각이 지도록 굽혀진다. 예컨데, 외주면 쪽으로 두번 굽혀진 후 내주면 쪽으로 두번 굽혀지는 것이 반복될 수 있다. 따라서, 연결부재(341)는, 이격공간에 삽입되면, 제 1 접속링(320)의 외주면 및 제 2 접속링(330)의 내주면에 교대로 면 접촉된다. 따라서, 제 1 접속링(320)과 제 2 접속링(330)의 전기적 연결성이 향상된다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 접속부재의 횡단면도이다.
도 9를 참조하면, 연결부재(342)는 외주면 쪽과 내주면 쪽으로 교대로 각지게 굽혀진다. 따라서, 연결부재(342)는 이격공간에 삽입이 용이해 진다. 즉, 연결부재(342)의 굽혀지는 지점 사이의 거리가, 제 1 접속링(320)과 제 2 접속링(330)의 이격 거리보다 크게만 형성되면, 연결부재(342)는 이격공간에 삽입된 후, 제 1 접속링(320)과 제 2 접속링(330)을 전기적으로 연결한다.
그리고, 제 1 걸림부(321) 및 제 2 걸림부(331)는 생략될 수 있다. 이는 연결부재가 물결무늬로 굽혀진 때, 또는 사각형으로 굽혀진 때도 동일하다. 이 때, 연결부재(340,341,342)는 접속부재(32)의 두께에 대응하게 제공된다. 따라서, 접속부재(32)가 리드(13) 및 분배플레이트(31)에 결합되면, 연결부재(340,341,342)의 상단 및 하단은 각각 제 1 접촉면(131) 및 지지부(311)에 접한다. 제 1 걸림부(321) 및 제 2 걸림부(331)가 생략된 경우, 연결부재(340,341,342)는 제 1 접속링(320) 및 제 2 접속링(330)에 용접되어 결합된다.
상술한 실시 예에서, 기판 처리 장치는 애싱 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 기판 처리 장치는 식각 공정 또는 증착 공정을 수행하는 장치일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
11: 공정 챔버 12: 처리실
13: 리드 20: 기판지지부재
30: 분배플레이트 어셈블리 31: 분배플레이트
32: 접속부재 320: 제 1 접속링
330: 제 2 접속링 340: 연결부재

Claims (22)

  1. 기판에 대한 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 내부공간에 배치되며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부재;
    상기 공정챔버에 고정되고, 상기 기판을 처리하기 위한 가스를 상기 내부공간에 분배하는 분배 플레이트;
    상기 분배 플레이트와 상기 공정챔버 사이에 위치되어, 상기 분배 플레이트를 상기 공정챔버에 전기적으로 연결하는 접속부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접속부재는,
    링 형상으로 제공되어, 상기 분배 플레이트의 측면과 상기 공정챔버 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 접속부재는,
    상기 분배 플레이트의 측면과 접하는 제 1 접속 링;
    상기 공정 챔버와 접하는 제 2 접속 링을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링은 서로 이격되어, 상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링 사이에 이격 공간이 형성되고,
    상기 접속부재는,
    상기 이격 공간에 제공되어, 상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링이 전기적으로 연결되도록 하는 연결부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 연결부재는,
    탄성을 가지도록 제공되어, 상기 제 1 접속 링과 상기 제 2 접속 링이 이격된 거리는 가변 되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 연결부재는,
    상기 제 2 접속링보다 큰 지름을 갖는 링이 굽혀진 후 상기 이격공간에 삽입되어 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 링은,
    상부에서 볼 때 삼각형이 되도록 굽혀져 상기 이격 공간에 위치되는 기판 처리 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 링은,
    상부에서 볼 때 사각형이 되도록 굽혀져 상기 이격 공간에 위치되는 기판 처리 장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 링은,
    상부에서 볼 때 물결 모양이 되도록 굽혀져 상기 이격 공간에 위치되는 기판 처리 장치.
  10. 제 6 항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 접속링의 상단과 하단에는,
    상기 링이 상기 이격 공간 밖으로 빠지는 것을 방지하는 제 1 걸림부가 제공되고,
    상기 제 2 접속링의 상단과 하단에는,
    상기 링이 상기 이격 공간 밖으로 빠지는 것을 방지하는 제 2 걸림부가 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제 6 항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 링은,
    상기 제 1 접속 링 및 상기 제 2 접속 링과 접하는 곳이 용접되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배플은,
    상면지름 보다 하면지름이 크게 형성되어, 상기 배플의 측면 하단에 상기 접속 부재의 하단을 지지하는 지지부가 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 공정 챔버는,
    상기 내부공간을 형성하는 처리실;
    상기 처리실의 상단을 차폐하는 리드를 포함하고,
    상기 리드에는,
    그 하단의 내측에 상기 접속부재 및 분배 플레이트가 삽입되도록 제 1 단이 형성되는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 접속부재는,
    그 상단과 외주면은 상기 리드에 접하고,
    그 하단과 내주면은 상기 분배 플레이트에 접하는 기판 처리 장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 지지부는,
    상기 접속 부재의 원주 방향의 두께보다 길게 형성되는 기판 처리 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 리드에는,
    상기 제 1 단의 하단에 상기 지지부의 단부가 위치되는 제 2 단이 형성되는 기판 처리 장치.
  17. 제 1 항내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 공정챔버의 상단에 위치되는 플라즈마 생성부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 기판에 대한 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 내부공간에 배치되며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부재;
    상기 공정챔버에 고정되어, 상기 내부공간의 상부에 위치되는 분배 플레이트 어셈블리를 포함하고,
    상기 분배 플레이트 어셈블리는,
    그 측면과 그 상면의 가장자리가 상기 공정챔버와 접하여 전기적으로 연결되는 기판 처리 장치.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 분배 플레이트 어셈블리는,
    상면의 외측이 상기 공정 챔버와 전기적으로 연결되는 분배 플레이트; 및
    상단 및 외주면은 상기 공정챔버에 전기적으로 연결되고, 하단 및 내주면은 상기 분배 플레이트에 전기적으로 연결되는 접속 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 접속 부재는,
    링 형상으로 제공되고, 원주 방향의 두께가 가변 되는 기판 처리 장치.
  21. 제 19항 또는 제 20항에 있어서,
    상기 접속 부재는, 도전성 재료로 제공되는 기판 처리 장치.
  22. 제 19항 또는 제 20항에 있어서,
    상기 접속 부재는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 기판 처리 장치.
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