KR20130084623A - Liquid crystal device and drive method thereof - Google Patents

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KR20130084623A
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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal device and a driving method thereof are provided to made favorable or various indications by including a chiral agent in a liquid crystal layer. CONSTITUTION: A liquid crystal device comprises a first substrate (10a), second substrate (10b), and a liquid crystal layer (15). The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal layer is arranged between the first substrate and the second substrate and comprises a chiral agent. The liquid crystal layer forms different two liquid crystal molecule arrangement. [Reference numerals] (10a) Upper substrate; (10b) Lower substrate; (11a) Upper transparent substrate; (11b) Lower transparent substrate; (12a) Upper beta electrode; (12b) Lower beta electrode; (12c,12d) First ctenidium electrode; (13) Second ctenidium electrode; (14a) Upper alignment layer; (14b) Lower alignment layer; (15) Liquid crystal layer; (16a) Upper polarizing plate; (16b) Lower polarizing plate; (20) Power supply

Description

액정소자 및 그 구동방법{Liquid crystal device and drive method thereof} Liquid crystal device and drive method

본 발명은, 액정소자, 특히 액정층에 광학활성물질(카이럴제)을 포함한 액정소자 및 그 구동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to liquid crystal devices, in particular liquid crystal devices comprising an optically active material (chiral agent) in the liquid crystal layer and a driving method thereof.

1조의 배향막의 배향처리방향과 프리틸트(pre-tilt)각의 조합으로 정해지는 액정분자의 비틀림 방향(제1선회방향)과, 카이럴제에 따라 야기되는 액정분자의 비틀림 방향(제2선회방향)이 역방향이 되도록 제작된 액정층을 가지고, 예를 들어 액정층에 물리적 작용, 일례로서 전기광학특성의 포화전압 이상의 전압을 가하는 것에 의해, 액정분자가 각 방향에 비틀림상태(제1선회방향에 대해 리버스 트위스트 배열상태, 제2선회방향에 대해 스프레이 트위스트 배열상태)가 가환적(可換的)으로 실현되는 액정표시소자를, 리버스 트위스티드 네마틱(reverse twisted nematic; RTN)형 액정표시소자라고 부른다. 제1선회방향은, 액정층에 카이럴제를 첨가하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향이다.The twisting direction (first turning direction) of the liquid crystal molecules determined by the combination of the alignment treatment direction and the pre-tilt angle of the pair of alignment films, and the twisting direction of the liquid crystal molecules caused by the chiral agent (second turning) Direction) and the liquid crystal molecules are twisted in the respective directions (first turning direction) by applying a voltage above the saturation voltage of electro-optical properties, for example, to the liquid crystal layer by physical action, for example, to the liquid crystal layer. Is a reverse twisted nematic (RTN) type liquid crystal display device in which the reverse twisted arrangement state with respect to the second twist direction and the spray twist arrangement state with respect to the second turning direction are realized in a flexible manner. Call. The first turning direction is a turning direction in which liquid crystal molecules are twisted when no chiral agent is added to the liquid crystal layer.

예를 들어 특허문헌1에 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자가 기재되어 있다. 특허문헌1 기재의 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자에 있어서는, 액정분자가 제1선회방향으로 비틀리는 배열상태가 불안정하다. 고전압의 인가에 의해서 제1선회방향으로 비틀리는 배열상태를 얻는 것은 가능하지만, 시간의 경과와 함께 액정분자는 제2선회방향으로 비틀리는 배열상태로 천이(遷移)한다.For example, Patent Document 1 describes a reverse twisted nematic liquid crystal display device. In the reverse twisted nematic liquid crystal display device described in Patent Document 1, the arrangement state in which the liquid crystal molecules are twisted in the first turning direction is unstable. It is possible to obtain an array state that is twisted in the first turning direction by application of a high voltage, but as time passes, the liquid crystal molecules transition to an array state that is twisted in the second turning direction.

액정분자를 제2선회방향으로 선회시키는 카이럴제를 첨가하면서도, 기판의 배향방향의 조합에 의해, 액정분자를 제1선회방향으로 배열시키는 것으로, 액정층내의 비틀림을 증대시켜, 구동전압의 대폭적인 저감을 가능하게 한 리버스 트위스티드 네마틱형 액정소자의 발명이 특허문헌2에 기재되어 있다. 그렇지만, 특허문헌2 기재의 발명에 있어서는, 제2선회방향으로 비틀리는 배열상태로부터, 제1선회방향으로 비틀리는 배열상태로 천이시키는 전압의 인가를 정지하여 수초 후에는, 원래의 배열상태(제2선회방향으로 비틀리는 배열상태)에 재천이(再遷移)하기 때문에, 제2선회방향으로 비틀리는 배열상태에서 액정소자를 구동하는 경우에는, 높은 구동전압이 필요하다고 하는 문제가 있다.While adding a chiral agent that turns the liquid crystal molecules in the second turning direction, by arranging the liquid crystal molecules in the first turning direction by combination of the alignment directions of the substrates, the distortion in the liquid crystal layer is increased, and the driving voltage is greatly increased. Patent Literature 2 discloses an invention of a reverse twisted nematic liquid crystal device capable of a significant reduction. However, in the invention described in Patent Literature 2, the application of the voltage that causes the transition from the arrangement state twisted in the second turning direction to the arrangement state twisted in the first turning direction is stopped, and a few seconds later, the original arrangement state (first Since the liquid crystal element is re-translated in an array state twisted in two swing directions, when driving the liquid crystal element in an array state twisted in a second swing direction, there is a problem that a high driving voltage is required.

또, 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자에 있어서는, 일반적으로, 액정분자가 제1선회방향으로 비틀리는 배열상태(리버스 트위스트 배열상태)와 제2선회방향으로 비틀리는 배열상태(스프레이 트위스트 배열상태)에서 외관상의 표시상태에 큰 차이가 없고, 쌍안정성(리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태가 에너지적으로 거의 같고, 전압무인가시에 있어서, 각각 안정적으로 보지되는 성질)을 주어도 높은 콘트라스트비(투과율의 차이)를 얻을 수 있기 어렵다고 하는 문제가 있다.In the reverse twisted nematic liquid crystal display device, in general, the liquid crystal molecules are twisted in the first turning direction (reverse twist arrangement) and in the second twisting direction (spray twist arrangement). There is no big difference in the appearance of appearance, and high contrast ratio (transmittance ratio) even when given bistable stability (reverse twist arrangement state and spray twist arrangement state are almost the same in energy and stable in the case of no voltage applied) There is a problem that it is difficult to obtain the difference).

상하기판 사이에 러빙방향이 이루는 각도가 90˚보다 크고 120˚미만이 되도록 배향처리를 실시하고, 또한 액정층에, 러빙방향이 이루는 각도와 같은 방향이 되도록 비틀리는 성질을 가지는 카이럴제를 첨가한 것을 특징으로 하는 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자의 발명이 특허문헌3에 개시되어 있다. 특허문헌3 기재의 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자는, 통상의 트위스티드 네마틱크형 액정표시소자와 비교했을 때, 어느 온도에 대해서도 샤프니스가 우수하다. 또 양호한 샤프니스(sharpness)에 기인하여, 특히 단순매트릭스구동 액정표시소자에 있어서, 고듀티구동이 가능하다거나 같은 듀티로 구동하는 경우의 콘트라스트가 높다는 특징을 가진다. 또한, 저온으로의 리스폰스(response)가 통상의 트위스티드 네마틱크형 액정표시소자보다 빠르고, 고온 환경 하에서도 오프 전압시 투과율이 내리지 않고, 밝은 표시를 실현할 수 있는 등 , 단순매트릭스구동 액정표시소자, 및, TFT(thin film transistor ;TFT)를 이용한 액정표시소자 쌍방의 장점을 가진다.Orientation treatment is performed so that the angle formed by the rubbing direction is greater than 90 ° and less than 120 ° between the upper and lower substrates, and a chiral agent having a property of twisting so as to be in the same direction as the angle formed by the rubbing direction is added to the liquid crystal layer. Patent Literature 3 discloses an invention of a reverse twisted nematic liquid crystal display device. The reverse twisted nematic liquid crystal display device of patent document 3 is excellent in sharpness with respect to any temperature compared with the normal twisted nematic liquid crystal display device. Further, due to the good sharpness, particularly in simple matrix drive liquid crystal display devices, high duty driving is possible or the contrast is high when driven at the same duty. In addition, a simple matrix driven liquid crystal display element is faster than a normal twisted nematic liquid crystal display element at low temperature, and transmittance is not lowered at off voltage even in a high temperature environment, and bright display can be realized. The LCD has advantages of both liquid crystal display devices using a thin film transistor (TFT).

특허문헌3 기재의 액정표시소자는, 리버스 트위스트 배열상태가 매우 안정이고, 또한 그 상태에서의 전기광학특성이 통상의 트위스티드 네마틱크형 액정표시소자보다 우수하다. 그렇지만, 리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태의 쌍안정성을 적극적으로 이용하는 발명은 아니다.The liquid crystal display device described in Patent Literature 3 is extremely stable in the reverse twist arrangement, and the electro-optical characteristics in that state are superior to the ordinary twisted nematic liquid crystal display device. However, the invention is not an invention that actively uses the bistable stability of the reverse twist arrangement and the spray twist arrangement.

리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태간의 천이를 이용하여 표시를 실시하는 액정소자의 발명이 특허문헌4에 개시되어 있다. 특허문헌4 기재의 액정소자에 있어서는, 각 배열상태를 서로 스위칭 가능하다. 그러나 각 배열상태에 의한 표시는 선택적이며, 예를 들어 흑(黑)표시, 백(白)표시는 가능해도 그레이 표시(중간조 표시)를 실시할 수 없다.Patent Document 4 discloses an invention of a liquid crystal device in which display is performed by using a transition between a reverse twist arrangement state and a spray twist arrangement state. In the liquid crystal element of patent document 4, each arrangement state can be switched with each other. However, the display by each arrangement state is optional. For example, black display and white display, although gray display (midtone display) cannot be performed.

TFT를 이용한 FFS 모드(fringe field switching mode)의 액정표시패널의 발명이 특허문헌5에 기재되어 있다. 특허문헌5 기재의 발명에 의하면, 액정표시패널의 실질적인 개구율(開口率)을 향상시켜, 표시의 밝기, 콘트라스트를 개선해, 표시 품질을 높일 수 있다. 특허문헌5에 나타나는 구조는, 카이럴제를 포함하지 않는 패러렐 배향액정층을 가지는 액정소자에는 적용 가능하지만, 예를 들어 특허문헌4 기재의, 두개의 안정적인 배열상태를 스윗칭 하여 표시를 실시하는 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자에는 적합하지 않는다. 그리고 특허문헌5에 중간조 표시에 관한 기재는 없다.Patent Document 5 describes the invention of a liquid crystal display panel in a FFS mode (fringe field switching mode) using a TFT. According to invention of patent document 5, the substantial aperture ratio of a liquid crystal display panel can be improved, the brightness and contrast of a display can be improved, and display quality can be improved. Although the structure shown in patent document 5 is applicable to the liquid crystal element which has a parallel alignment liquid crystal layer which does not contain a chiral agent, For example, it displays by switching two stable arrangement states of patent document 4, It is not suitable for the reverse twisted nematic liquid crystal display device. Patent Document 5 does not describe the halftone display.

FFS 모드로 구동하는 경우, 액정층을 패러렐 배향으로 하는 것이 일반적이다. 또, 화소전극으로서 TFT와 접속된 즐치(櫛齒)전극을 이용하는 것이 많고, 코먼(common) 전극으로서는 즐치전극의 하부에 베타 전극을 설치하는 것이 일반적이다. 이 경우, 대향 기판에는 전극을 형성하지 않는 것이 많다.When driving in FFS mode, it is common to make a liquid crystal layer into parallel orientation. In addition, it is common to use a blazing electrode connected to a TFT as a pixel electrode, and as a common electrode, a beta electrode is generally provided below the blazing electrode. In this case, many electrodes are not formed in a counter substrate.

본 발명의 발명자들이 행한, 20˚이상 45˚이하의 비교적 낮은 프레틸트각을 가지는 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자의 발명이 특허문헌6에 개시되어 있다. 이 액정표시소자에는, 카이럴 피치를 p, 액정층의 두께를 d로 할 때, 예를 들어 d/p가 0.04를 초과하고 0.25 미만이 되도록, 카이럴제가 비교적 적게 첨가되어 있다. 특허문헌6 기재의 액정표시소자는, 리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태의 쌍안정 표시가 가능하고, 메모리성이 높고, 콘트라스트비도 비교적 높으며, 전기적 스위칭이 가능한 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자이다.Patent Document 6 discloses an invention of a reverse twisted nematic liquid crystal display device having a relatively low pretilt angle of 20 ° or more and 45 ° or less by the inventors of the present invention. When the chiral pitch is p and the thickness of the liquid crystal layer is d, for example, a relatively small chiral agent is added to the liquid crystal display so that d / p is greater than 0.04 and less than 0.25. The liquid crystal display device described in Patent Literature 6 is a reverse twisted nematic liquid crystal display device capable of bistable display in a reverse twisted arrangement state and a spray twisted arrangement state, high memory performance, relatively high contrast ratio, and electrical switching.

특허문헌6 기재의 액정표시소자는, 고(高)콘트라스트비가 실현된, 표시품질이 높은 액정표시소자이다. 다만, 정면 관찰시의 콘트라스트가 높다고는 할 수 없다. 이것은 반사형 디스플레이로서 사용하는 경우에는 비교적 바람직하지만, 투과형 디스플레이로서 이용하는 경우에는 바람직하다고는 할 수 없는 광학 특성이다.The liquid crystal display element of patent document 6 is a liquid crystal display element with high display quality in which high contrast ratio was implement | achieved. However, it cannot be said that the contrast at the time of frontal observation is high. This is relatively preferable when used as a reflective display, but is not necessarily desirable when used as a transmissive display.

또한, 예를 들어 실온에 있어서의 메모리성은 높기는 하지만, 실온과는 다른 온도에서는, 리버스 트위스트 배열상태에 의한 표시를 보지할 수 없는 경우가 생기고, 특히 60℃이상의 고온 상태에서는 보지하는 것이 곤란하다. 따라서, 용도에 따라서는, 예를 들어 차량탑재용, 항공기용, 옥외용의 액정표시소자로서 이용하는 경우는, 표시의 메모리성이 불충분이 되는 경우가 있다.In addition, for example, the memory at room temperature is high, but at a temperature different from room temperature, the display by the reverse twist arrangement may not be maintained, and in particular, it is difficult to hold it at a high temperature of 60 ° C or higher. . Therefore, depending on the application, when used as a liquid crystal display device for vehicle mounting, aircraft, or outdoors, for example, the memory performance of the display may be insufficient.

[특허문헌1] 일본특허 2510150호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent No. 2510150 [특허문헌2] 일본특허공개 2007-293278호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-293278 [특허문헌3] 일본특허공개 2010-186045호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-186045 [특허문헌4] 일본특허공개 2011-107376호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-107376 [특허문헌5] 일본특허 4238877호 공보[Patent Document 5] Japanese Patent No. 4238877 [특허문헌6] 일본특허공개 2011-203547호 공보[Patent Document 6] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-203547

본 발명의 목적은, 양호 또는 다양한 표시를 실시할 수 있는 액정소자, 및 그 구동방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal element capable of performing good or various displays, and a driving method thereof.

본 발명의 1 관점에 의하면, 제1의 기판과, 전기 제1의 기판에 대향해서 배치된 제2의 기판과, 전기 제1의 기판과 전기 제2의 기판의 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하여, 서로 다른 2개의 액정분자 배열상태를 가환적(可換的)으로 실현되는 액정층을 가지는 액정소자가 제공된다.According to 1 aspect of this invention, it is arrange | positioned between a 1st board | substrate, a 2nd board | substrate arrange | positioned facing an electric 1st board | substrate, and an electric 1st board | substrate and an electric 2nd board | substrate, and are made of chiral In addition, a liquid crystal device having a liquid crystal layer that realizes two different liquid crystal molecule arrangement states in a flexible manner is provided.

본 발명에 의하면, 양호 또는 다양한 표시를 실시하는 것이 가능한 액정소자, 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal element capable of performing good or various displays and a driving method thereof.

도 1은, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는, ITO막의 에칭에 사용하는 포토마스크(photomask)를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 3a~도 3e는, 전압 인가시의 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4a~도 4c는, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자의 외관사진이다.
도 5a~도 5c는, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자의 광학특성을 나타내는 그래프이다.
도 6a~도 6c는, 액정층의 일부에 종(縱)전계를 부가한 액정표시소자의 사진이다.
도 7은, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d의)의 형성 태양(態樣)의 다른 예(변형예)를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 8a는, 제2의 실시예에 의한 액정표시장치를 나타내는 모식도이며, 도 8b는, 화소부(34)의 전극 구조를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 9a 및 도 9b는, 각각 제3의 실시예에 의한 액정표시소자를 나타내는 개략적인 단면도 및 평면도이다.
도 10a~도 10g는, 제3의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 11a~도 11d는, 제3의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 12a는, 제3의 실시예에 의한 액정표시소자 완성 후(초기상태)의 화소영역을 나타내는 사진이며, 도 12b는, 공통전극(12a)과 아래쪽 베타전극(12b)과의 사이에 전압을 인가하고, 액정층(15)에 종전계를 부가한 후의 화소영역을 나타내는 사진이다.
도 13a 및 도 13b는, 각각 제4의 실시예에 의한 액정표시소자를 나타내는 개략적인 단면도 및 평면도이다.
도 14a~도 14g는, 제4의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 15a~도 15e는, 제4의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조 방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 16은, 액정층이 리버스 트위스트 배열상태일 때의 표시의 보지성(保持性)을, 복수의 온도에 대해 조사한 결과를 나타내는 표이다.
도 17은, 카이럴제의 피치길이의 온도의존성을 나타내는 그래프이다.
도 18은, 리버스 트위스트 배열상태에 의한 표시 보지(메모리성)의 온도의존성을, 더욱 자세하게 조사한 결과를 나타내는 표이다.
도 19a~도 19d는, 자외선 경화성 재료를 2wt% 첨가한 액정표시소자의 메모리 안정성에 대해 실험한 결과를 나타내는 사진이다.
도 20은, 도 19c에 외관 사진을 나타낸 액정표시소자(90℃으로 30 분의 열처리를 베푼 후의 액정표시소자)를 나타내는 현미경 사진이다.
도 21a~도 21d는, 다른 첨가량(1wt%, 2wt%, 5wt%)으로 자외선 경화성재료를 첨가한 액정표시소자의 메모리 안정성에 대해 실험한 결과를 나타내는 사진이다.
도 22는, 대표적인 제작조건 및 표시상태의 액정소자의 관찰상(像)을 나타내는 도면이다.
도 23은, 프레틸트각이 46˚정도, 트위스트각이 70˚의 액정소자에 있어서의 콘트라스트와 표시 보지성능의 평가 결과를 나타내는 도면이다.
도 24는, 도 23에 나타낸 조건 중 피치p를 8.0μm~9.0μm로 한 액정소자(d/p의 값을 0.444~0.500으로 한 액정소자)에 있어서의 표시 보지성능의 온도특성의 평가 결과를 나타내는 도면이다.
도 25는, 도 24에 나타낸 평가에 이용한 액정소자의 관찰상을 나타내는 도면이다.
도 26은, 피치조건을 9μm(쇼트 피치 조건) 및 12μm(롱 피치 조건)로 한 액정소자의 관찰상을 나타내는 도면이다.
도 27은, 도 24에 나타낸 제작 조건에 대응한 각 액정소자의 광학 특성을 나타내는 도면이다.
도 28은, 도 24에 나타낸 제작조건에 대응한 각 액정소자의 광학특성을 나타내는 도면이다.
도 29는, 도 24에 나타낸 제작조건에 대응한 각 액정소자의 광학특성을 나타내는 도면이다.
도 30은, 도 24에 나타낸 제작조건에 대응한 각 액정소자의 광학 특성을 나타내는 도면이다.
도 31은, 도 24에 나타낸 제작 조건에 대응한 각 액정소자의 광학 특성을 나타내는 도면이다.
도 32는, 제6의 실시예에 의한 액정소자에 대해 각 전극에 전압을 인가하여, 스위칭 했을 때의 모습을 나타내는 도면이다.
도 33은, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조 방법을 나타내는 플로차트(flow chart)이다.
도 34a 및 도 34b는, 제작된 복수의 액정표시소자에 대해서, 표시상태의 편광 현미경관찰결과를 나타내는 사진이며, 도 34c는, 포칼코닉(focal conic) 배향의 액정분자 배열의 개략을 나타내는 도면이다.
도 35a 및 도 35b는, 프레틸트(pretilt)각을 약 45˚, d/p를 0.8로 하는 조건으로 제작한 액정표시소자(도 34b에 표시 상태를 나타내는 액정표시소자)에 대해서, 0˚- 180˚방위(좌우 방위)의 투과율 시각의존성을 나타내는 그래프, 및, 등(等)콘트라스트 곡선을 나타내는 도면이며, 도 35c는, 특허문헌6에 기재된 발명의 실시예에 의한 액정표시소자의 시각-콘트라스트 특성을 나타내는 그래프이다.
도 36은, 리버스 트위스트 배열상태, 및, 포칼코닉 배열상태의 쌍안정 상태를 실현가능한 조건을 나타내는 그래프이다.
도 37은, 상측투명기판(11a)상에 형성되는 ITO막의 패턴을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 38은, 하측투명기판(11b)상에 형성되는 ITO막의 패턴을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 39는, ITO막의 에칭에 사용하는 포토마스크(photomask)를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 40은, 하측기판(10b)에 형성되는 하측 배향막(14b)의 형성 영역의 일부를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 41은, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 구조를 나타내는 개략적인 평면도이다
도 42a~도42c는, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 외관 사진이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a schematic plan view showing a photomask used for etching an ITO film.
3A to 3E are schematic cross-sectional views showing electric field directions when voltage is applied.
4A to 4C are photographs of the external appearance of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
5A to 5C are graphs showing optical characteristics of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
6A to 6C are photographs of the liquid crystal display device in which a longitudinal electric field is added to part of the liquid crystal layer.
FIG. 7: is schematic sectional drawing which shows the other example (modification) of the formation aspect of 1st, 2nd blade electrode 12c, 12d.
FIG. 8A is a schematic diagram showing the liquid crystal display device according to the second embodiment, and FIG. 8B is a schematic plan view showing the electrode structure of the pixel portion 34.
9A and 9B are schematic sectional views and a plan view respectively showing a liquid crystal display device according to a third embodiment.
10A to 10G are schematic cross-sectional views showing the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the third embodiment.
11A to 11D are schematic sectional views showing the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the third embodiment.
FIG. 12A is a photograph showing a pixel region after completion (initial state) of the liquid crystal display device according to the third embodiment, and FIG. 12B shows a voltage between the common electrode 12a and the lower beta electrode 12b. It is a photograph which shows the pixel area after applying and adding the electric field to the liquid crystal layer 15. FIG.
13A and 13B are schematic sectional views and a plan view respectively showing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
14A to 14G are schematic cross-sectional views showing the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
15A to 15E are schematic sectional views showing the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
FIG. 16: is a table | surface which shows the result of having investigated the holding property of the display when a liquid crystal layer is in a reverse twist arrangement state with respect to some temperature.
Fig. 17 is a graph showing the temperature dependence of the pitch length made of chiral.
Fig. 18 is a table showing the results of further investigation of the temperature dependence of the display holding (memory) according to the reverse twist arrangement.
19A to 19D are photographs showing the results of experiments on the memory stability of the liquid crystal display device in which 2 wt% of an ultraviolet curable material is added.
FIG. 20 is a micrograph showing the liquid crystal display device (the liquid crystal display device after performing a heat treatment for 30 minutes at 90 ° C.) showing an external photograph in FIG. 19C.
21A to 21D are photographs showing the results of experiments on the memory stability of the liquid crystal display device to which the ultraviolet curable material is added at different amounts (1 wt%, 2 wt%, 5 wt%).
Fig. 22 is a diagram showing an observation image of liquid crystal elements in typical production conditions and display states.
FIG. 23 is a diagram showing evaluation results of contrast and display holding performance in a liquid crystal element having a pretilt angle of about 46 degrees and a twist angle of 70 degrees.
FIG. 24 shows evaluation results of the temperature characteristics of display holding performance in a liquid crystal element (a liquid crystal element having a value of d / p of 0.444 to 0.500) having a pitch p of 8.0 μm to 9.0 μm among the conditions shown in FIG. 23. It is a figure which shows.
FIG. 25: is a figure which shows the observation image of the liquid crystal element used for evaluation shown in FIG.
Fig. 26 is a diagram showing an observation image of a liquid crystal element in which the pitch conditions are 9 μm (short pitch condition) and 12 μm (long pitch condition).
FIG. 27 is a diagram illustrating optical characteristics of each liquid crystal element corresponding to the fabrication conditions shown in FIG. 24.
FIG. 28 is a diagram showing optical characteristics of each liquid crystal element corresponding to the fabrication conditions shown in FIG.
FIG. 29 is a diagram showing the optical characteristics of each liquid crystal element corresponding to the fabrication conditions shown in FIG.
FIG. 30 is a diagram showing optical characteristics of each liquid crystal element corresponding to the fabrication conditions shown in FIG. 24.
FIG. 31 is a diagram showing optical characteristics of each liquid crystal element corresponding to the fabrication conditions shown in FIG. 24.
Fig. 32 is a diagram showing a state when a voltage is applied to each electrode and switched to the liquid crystal element according to the sixth embodiment.
FIG. 33 is a flow chart showing a manufacturing method of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment.
34A and 34B are photographs showing polarization microscopic observation results in a display state of a plurality of produced liquid crystal display elements, and FIG. 34C is a diagram showing an outline of liquid crystal molecule arrangements in focal conic orientation. .
35A and 35B show the angle of 0 °-for a liquid crystal display device (liquid crystal display device shown in FIG. 34B) manufactured under the condition that the pretilt angle is about 45 ° and the d / p is 0.8. Fig. 35C is a graph showing the transmissivity visual dependence of the 180 ° azimuth (left-right orientation), and an equal contrast curve, and Fig. 35C is a time-contrast of the liquid crystal display device according to the embodiment of the invention described in Patent Document 6. Graph showing characteristics.
Fig. 36 is a graph showing conditions capable of realizing a reverse twisted arrangement state and a bistable state of a focal conic arrangement state.
FIG. 37 is a schematic plan view showing a pattern of the ITO film formed on the upper transparent substrate 11a.
38 is a schematic plan view showing a pattern of the ITO film formed on the lower transparent substrate 11b.
Fig. 39 is a schematic plan view showing a photomask used for etching an ITO film.
40 is a schematic plan view showing a part of the formation region of the lower alignment film 14b formed on the lower substrate 10b.
Fig. 41 is a schematic plan view showing the structure of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment.
42A to 42C are external appearance photographs of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment.

도 1은, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to the first embodiment.

우선 제1의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조 방법을 설명한다.First, the manufacturing method of the liquid crystal display element by a 1st Example is demonstrated.

투명 도전막, 예를 들어 ITO막이 형성된 투명 기판, 예를 들어 유리기판을 2매{상측투명기판(11a), 하측투명기판(11b)}를 준비하고, 이것들을 세정했다.A transparent conductive film, for example, a transparent substrate on which an ITO film was formed, for example, a glass substrate (two upper transparent substrates 11a and a lower transparent substrate 11b) was prepared, and these were washed.

상측투명기판(11a)상의 ITO막을 포트리소 공정을 이용하여 패터닝 하고, 상측투명기판(11a)상에 상측베타전극(12a)을 형성했다. 패터닝은, 취출(取出)전극부분(단자부분)과 표시의 화소에 해당되는 부분에 ITO막이 남도록 행했다. ITO막의 에칭은, 제2염화철을 이용한 웨트에칭(wet etching)으로 실시했다. 또한 레이저 빔을 조사해, 조사 위치의 ITO막을 제거하는 것으로 패터닝을 실시해도 괜찮다.The ITO film on the upper transparent substrate 11a was patterned using the photolithography process, and the upper beta electrode 12a was formed on the upper transparent substrate 11a. Patterning was performed so that an ITO film remained in the extraction electrode part (terminal part) and the part corresponding to the pixel of a display. The etching of the ITO film was performed by wet etching using the second iron chloride. Moreover, you may pattern by irradiating a laser beam and removing the ITO film | membrane of an irradiation position.

하측투명기판(11b)상의 ITO막을 포트리소 공정을 이용해 패터닝 하고, 하측투명기판(11b)상에 하측베타전극(12b)을 형성했다. 형성방법은, 상측투명기판(11a)의 상측베타전극(12a)의 형성방법과 같다.The ITO film on the lower transparent substrate 11b was patterned using a photolithography process, and the lower beta electrode 12b was formed on the lower transparent substrate 11b. The forming method is the same as the forming method of the upper beta electrode 12a of the upper transparent substrate 11a.

하측베타전극(12b)의 형성 후, 하측베타전극(12b)상을 포함하는 하측투명기판(11b)상에 절연막(13)을 형성했다. 절연막(13)은, 예를 들어 하측베타전극(12b)의 취출전극부분에는 형성하지 않는다. 절연막(13)은, 하측베타전극(12b)의 취출전극 부분에 레지스터를 형성하고, 절연막(13) 성막 후에 리프트오프로 레지스터를 제거하는 방법, 메탈 마스크로 취출전극 부분을 가린 상태로 스팩터 등에 의해 형성하는 방법에 의해 형성이 가능하다. 절연막(13)은, 유기절연막이나 SiO2, SiNx등의 무기절연막으로 할 수 있다. 그들의 조합으로 형성해도 좋다. 실시예에 있어서는, 아크릴계 유기절연막과 SiO2의 적층막을 절연막(13)으로서 이용했다.After the lower beta electrode 12b was formed, the insulating film 13 was formed on the lower transparent substrate 11b including the lower beta electrode 12b. The insulating film 13 is not formed in, for example, the extraction electrode portion of the lower beta electrode 12b. The insulating film 13 is formed by forming a resistor in the extraction electrode portion of the lower beta electrode 12b, and removing the resistor by lift-off after the formation of the insulating film 13, in a state in which the extraction electrode portion is covered with a metal mask. Formation is possible by the method of forming by the. The insulating film 13 can be an organic insulating film or an inorganic insulating film such as SiO 2 or SiN x . You may form from these combinations. In the examples, a laminated film of an acrylic organic insulating film and SiO 2 was used as the insulating film 13.

실시예에 있어서는, 우선 하측베타전극(12b)의 취출전극 부분에 내열성 필름(폴리이미드 테이프)을 붙이고, 그 상태로 유기절연막을 스핀 코트(spin coat) 했다. 2000rpm로 30초간 스핀 시키는 조건으로, 막 두께 1μm의 유기절연막을 얻었다.In the embodiment, first, a heat resistant film (polyimide tape) was attached to the extraction electrode portion of the lower beta electrode 12b, and the organic insulating film was spin coated in that state. An organic insulating film having a film thickness of 1 μm was obtained under the condition of spinning at 2000 rpm for 30 seconds.

다음에, 유기절연막이 형성된 하측투명기판(11b)을, 클린 오븐에서 220℃에서 1시간 소성하고, 그 후 내열성 필름을 붙인 채로 하측투명기판(11b)을 80℃로 가열하고, SiO2막을 스팩터법(교류 방전)에 의해 두께 1000Å으로 성막 했다. SiO2막은, 진공 증착법, 이온 빔법, CVD(chemical vapor deposition)법 등을 이용해 성막할 수도 있다.Subsequently, the lower transparent substrate 11b having the organic insulating film formed thereon was baked at 220 ° C. for 1 hour in a clean oven. Then, the lower transparent substrate 11b was heated to 80 ° C. with the heat resistant film attached thereto, and then the SiO 2 film was heated. The film was formed with a thickness of 1000 kPa by the factor method (alternating discharge). The SiO 2 film may be formed by a vacuum deposition method, an ion beam method, a CVD (chemical vapor deposition) method, or the like.

여기서 내열성 필름을 벗기면, 내열성 필름의 점착 개소에 대해, 유기절연막 및 SiO2막을 제거할 수 있었다. 계속해서, SiO2막의 절연성과 투명성을 향상시키기 위해서, 하측투명기판(11b)을 클린 오븐에서 220℃에서 1시간 소송하였다.When the heat resistant film was peeled off here, the organic insulating film and the SiO 2 film could be removed with respect to the adhesive point of the heat resistant film. Subsequently, in order to improve the insulation and transparency of the SiO 2 film, the lower transparent substrate 11b was lit for 1 hour at 220 ° C. in a clean oven.

SiO2막의 형성은 필수는 아니지만, SiO2막을 성막하는 것으로 절연막(13)의 절연성을 향상시킬 수 있다. 또, 절연막(13)상에 형성하는 제1,제2즐치전극(12c, 12d)의 밀착성 및 패터닝성을 향상시키는 것이 가능하다.Although the formation of the SiO 2 film is not essential, the insulating property of the insulating film 13 can be improved by forming a SiO 2 film. In addition, it is possible to improve the adhesion and patterning properties of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d formed on the insulating film 13.

유기절연막을 형성하지 않고, 절연막(13)을 SiO2막만으로 구성해도 괜찮다. SiO2막은 다공질이 되기 쉽기 때문에, 이 경우에는, SiO2막의 두께를 4000Å~8000Å으로 하는 것이 바람직하다. SiO2막과 SiNx막과의 적층막으로부터 되는 무기절연막(13)으로 할 수도 있다.The insulating film 13 may be composed of only SiO 2 film without forming an organic insulating film. Since SiO 2 is likely to be a porous film, in this case, it is preferred that the SiO 2 film with a thickness 4000Å ~ 8000Å. The inorganic insulating film 13 may be a laminate film of a SiO 2 film and a SiN x film.

절연막(13)상에 ITO막을 형성했다. ITO막은, 하측투명기판(11b)을 100℃로 가열하고, 스팩터법(교류방전)에 의해 기판 전면에 성막했다. 막 두께는 약 1200Å으로 했다. 이 ITO막을 포트리소 공정으로 패터닝 하고, 제1즐치전극(12c), 제2즐치전극(12d), 및 그 즐치전극(12c, 12d)의 취출전극을 형성했다.An ITO film was formed on the insulating film 13. The ITO film | membrane heated the lower transparent board | substrate 11b to 100 degreeC, and formed into a film whole surface by the sputtering method (AC discharge). The film thickness was about 1200 mm. The ITO film was patterned by a photolithography process to form first pick-up electrodes 12c, second pick-up electrodes 12d, and extraction electrodes of the pick-up electrodes 12c and 12d.

도 2는, ITO막의 에칭에 사용하는 포토마스크를 나타내는 개략적인 평면도이다. 포토마스크는, 제1즐치전극(12c) 대응부분, 제2즐치전극(12d) 대응부분, 제1즐치전극(12c)의 취출전극 대응부분, 및, 제2즐치전극(12d)의 취출전극 대응부분을 포함한다. 에칭시, 각 대응부분으로 덮인 ITO막으로 전극이 형성된다. 또한 본 발명의 발명자들은, 즐치전극의 즐치부분의 전극폭을 20μm, 30μm, 2개의 즐치전극의 즐치부분을 교대로 배치했을 때의 전극간격을 20μm, 30μm, 50μm, 100μm, 200μm로 하는 복수의 전극패턴으로, 제1즐치전극(12c) 및 제2즐치전극(12d)을 제작했다.2 is a schematic plan view showing a photomask used for etching an ITO film. The photomask corresponds to a portion corresponding to the first sac electrode 12c, a portion corresponding to the second sac electrode 12d, a portion corresponding to the extraction electrode of the first sac electrode 12c, and a portion of the extraction electrode corresponding to the second sac electrode 12d. Include the part. In etching, an electrode is formed of an ITO film covered with each corresponding portion. Furthermore, the inventors of the present invention have a plurality of electrode intervals of 20 μm, 30 μm, 50 μm, 100 μm, and 200 μm when the electrode width of the bladder electrode is 20 μm, 30 μm, and the bladder portions of two blach electrodes are alternately arranged. As the electrode pattern, a first sachet electrode 12c and a second sacrificial electrode 12d were produced.

이상과 같은 공정을 거쳐, 상측베타전극(12a)이 형성된 상측투명기판(11a), 및, 하측베타전극(12b) 및 그 상방에 절연막(13)을 개입시켜 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)이 형성된 하측투명기판(11b)을 준비했다. 그리고 이 2매의 전극부착 투명 기판(11a)(11b)을 세정, 건조했다. 세정은, 예를 들어 수세, 일례로서 세제를 사용한 또는 사용하지 않는 순수한 물 세정을 실시한다. 브러쉬 세정, 스프레이 세정 등으로 할 수 있다. 탈수한 뒤, UV세정을 하고, IR건조를 실시한다.Through the above steps, the first transparent substrate 11a on which the upper beta electrode 12a is formed, and the lower beta electrode 12b and the insulating film 13 through the upper portion thereof are interposed therebetween. , 12d) was formed on the lower transparent substrate 11b. The two transparent substrates 11a and 11b with electrodes were washed and dried. The washing is, for example, washing with water, for example, pure water washing with or without a detergent. Brush cleaning, spray cleaning, etc. can be performed. After dehydration, UV cleaning and IR drying are performed.

전극부착 투명기판(11a, 11b)상에, 전극(12a, 12c, 12d)을 덮도록 배향막재료를 도포한다. 배향막재료의 도포는 스핀 코트를 이용해 행하였다. 후레키소 인쇄나 잉크젯 인쇄를 이용해 행하여도 괜찮다. 실시예에 있어서는, 통상은 수직 배향막의 형성에 사용되는, 폴리이미드 배향막재료의 측쇄밀도를 컨트롤 하여, 배향막재료로서 이용했다. 측쇄밀도의 컨트롤은, 적당한 프레틸트각의 부여를 가능하게 하기 위해서다. 배향막재료는, 배향막의 두께가 500Å~800Å이 되도록 도포했다.On the transparent substrates 11a and 11b with electrodes, an alignment film material is applied so as to cover the electrodes 12a, 12c and 12d. Application of the alignment film material was performed using a spin coat. You may carry out using a fureciso printing or inkjet printing. In the Example, the side chain density of the polyimide alignment film material normally used for formation of a vertical alignment film was controlled and used as an alignment film material. The control of the side chain density is for enabling provision of an appropriate pretilt angle. The alignment film material was applied so that the thickness of the alignment film was 500 kPa to 800 kPa.

배향막재료를 도포한 기판(11a, 11b)에 대해서, 클린 오븐으로 소성온도를 200℃으로 하여 1시간의 소성을 실시했다. 이렇게 해서 상측베타전극(12a)을 덮는 상측배향막(14a), 및 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)을 덮는 하측배향막(14b)이 형성되었다.About the board | substrate 11a, 11b which apply | coated the orientation film material, baking was performed for 1 hour by making baking temperature into 200 degreeC by the clean oven. Thus, the upper alignment film 14a covering the upper beta electrode 12a and the lower alignment film 14b covering the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d were formed.

다음에, 러빙처리(배향처리)를 실시했다. 러빙처리는, 압입량을 0.8 mm(스트롱 러빙조건)으로 하여 행했다. 또 러빙처리는, 액정표시소자의 트위스트각이 70˚또는 90˚이 되도록 실시했다.Next, rubbing treatment (orientation treatment) was performed. The rubbing treatment was performed with an indentation amount of 0.8 mm (strong rubbing conditions). Further, the rubbing treatment was performed such that the twist angle of the liquid crystal display element was 70 degrees or 90 degrees.

이렇게 하여 상측기판(10a), 및 하측기판(10b)이 제작되었다. 상측기판(10a)은, 상측투명기판(11a), 상측투명기판(11a)상에 형성된 상측베타전극(12a), 및 상측베타전극(12a)을 덮도록 형성된 상측배향막(14a)을 갖춘다. 하측기판(10b)은, 하측투명기판(11b), 하측투명기판(11b)상에 형성된 하측베타전극(12b), 하측베타전극(12b)상에 형성된 절연막(13), 절연막(13)상에 즐치부분이 인터디지털에 배치된 제1, 제2즐치전극(12c, 12d), 및 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)을 덮도록 형성된 하측배향막(14b)을 갖춘다.In this way, the upper substrate 10a and the lower substrate 10b were produced. The upper substrate 10a includes an upper transparent substrate 11a, an upper beta electrode 12a formed on the upper transparent substrate 11a, and an upper alignment film 14a formed to cover the upper beta electrode 12a. The lower substrate 10b is formed on the lower transparent substrate 11b and the lower beta electrode 12b formed on the lower transparent substrate 11b and the insulating film 13 and the insulating film 13 formed on the lower beta electrode 12b. A sachet portion has first and second sachet electrodes 12c and 12d disposed on the interdigital substrate, and a lower alignment layer 14b formed to cover the first and second sachet electrodes 12c and 12d.

계속 해서, 액정 셀의 두께를 일정하게 유지하기 위해, 기판(10a, 10b)의 한편의 면에 갭 컨트롤재를 예를 들어 건식산포법으로 산포했다. 갭 컨트롤재에는 입경 4μm의 플라스틱 볼을 사용하여 액정 셀의 두께가 4μm이 되도록 했다.Subsequently, in order to keep the thickness of a liquid crystal cell constant, the gap control material was sprayed on the one surface of the board | substrate 10a, 10b by the dry-spray method, for example. As the gap control material, a plastic ball having a particle size of 4 μm was used so that the thickness of the liquid crystal cell was 4 μm.

기판(10a, 10b)의 다른 면에는 씰재를 인쇄하여, 메인 씰 패턴을 형성했다. 예를 들어 입경 4μm의 유리 섬유를 포함한 열경화성의 씰재를, 스크린 인쇄법으로 인쇄한다. 디스팬서를 이용해 씰재를 도포할 수도 있다. 또, 열경화성이 아니고, 광경화성의 씰재나, 광·열병용 경화형의 씰재를 사용해도 괜찮다.The sealing material was printed on the other surface of the board | substrate 10a, 10b, and the main seal pattern was formed. For example, a thermosetting seal material containing glass fibers having a particle size of 4 µm is printed by screen printing. The sealant may also be applied using a dispenser. Moreover, you may use not only thermosetting but a photocurable sealing material and the hardening type sealing material for light and heat.

기판(10a, 10b)을 겹쳐서 맞추었다. 기판(10a, 10b)을 소정의 위치에서 겹쳐 맞추어 셀화하고, 프레스 한 상태로 열처리를 실시하여 씰재를 경화시켰다. 예를 들어 핫 프레스법을 이용해 씰재의 열경화를 실시한다. 이렇게 하여 공(空)셀이 제작된다.The substrates 10a and 10b were overlaid together. The board | substrate 10a, 10b was overlapped at predetermined position, it was cellized, heat-processed in the pressed state, and the sealing material was hardened. For example, the thermosetting of a sealing material is performed using the hot press method. In this way, an empty cell is produced.

예를 들어 진공 주입법으로 공셀에 네마틱 액정재료, 일례로서 (주)멜크 제의 ZLI-2293를 주입했다. 액정재료 중에는 카이럴제를 첨가했다. 카이럴제로는 (주)멜크제의 CB15를 사용했다. 카이럴제는, 카이럴피치 p, 액정층의 두께(셀두께) d로 했을 때, d/p가 예를 들어 0.5(d=4μm, p=8μm)가 되도록 첨가했다.For example, a nematic liquid crystal material, such as ZLI-2293 manufactured by Melk Co., Ltd., was injected into the empty cell by a vacuum injection method. Chiral agent was added to the liquid crystal material. As chiral agent, CB15 made from Melk Corporation was used. A chiral agent was added so that d / p might be 0.5 (d = 4 micrometer, p = 8 micrometer), for example, when letting chiral pitch p and the thickness (cell thickness) d of a liquid crystal layer be d.

액정 주입구를, 예를 들어 자외선 경화 타입의 엔드 씰재로 봉지하고, 액정분자의 배향을 가지런히 하기 위해, 액정의 상(相)전이온도 이상으로 셀을 가열했다.The cell was heated above the phase transition temperature of the liquid crystal in order to seal the liquid crystal inlet with, for example, an end-curing member of an ultraviolet curing type and to prepare the alignment of the liquid crystal molecules.

그 후, 스크라이바 장치로 투명기판(11a, 11b)에 입힌 손상을 따라 브레이킹하여, 개별의 셀로 작게 분할했다.Subsequently, breaking was performed along the damage applied to the transparent substrates 11a and 11b with a scribing device, and the cells were smallly divided into individual cells.

작게 분할된 셀에 대해, 모따기와 세정을 실시했다.Chamfering and washing were performed for the cell divided small.

마지막으로, 2매의 투명기판(11a, 11b)의 액정층(15)과 반대측의 면에, 편광판(16a, 16b)을 붙였다. 2매의 편광판(16a, 16b)은 크로스 니콜(cross nicol)로, 그리고 투과축의 방향과 러빙방향이 평행이 되도록 배치했다. 직교 하도록 배치할 수도 있다. 전극(12a, 12b, 12c, 12d)사이에는 전원(20)을 접속했다.Finally, the polarizing plates 16a and 16b were attached to the surface opposite to the liquid crystal layer 15 of the two transparent substrates 11a and 11b. The two polarizing plates 16a and 16b were arranged in cross nicol and so that the direction of a transmission axis and a rubbing direction might become parallel. It can also be arranged to be orthogonal. The power supply 20 was connected between the electrodes 12a, 12b, 12c, and 12d.

이렇게 하여 제1의 실시예에 의한 액정표시소자가 제작되었다.Thus, the liquid crystal display device according to the first embodiment was produced.

제1의 실시예에 의한 액정표시소자는, 서로 평행으로 대향 배치된 상측기판(10a), 하측기판(10b), 및 양 기판(10a, 10b)사이에 협지된 트위스트 네마틱 액정층(15)을 포함하여 구성된다.In the liquid crystal display device according to the first embodiment, the twisted nematic liquid crystal layer 15 sandwiched between the upper substrate 10a, the lower substrate 10b, and the both substrates 10a and 10b disposed in parallel to each other. It is configured to include.

상측기판(10a)은, 상측투명기판(11a), 상측투명기판(11a)상에 형성된 상측베타전극(12a), 및 상측베타전극(12a)상에 형성된 상측배향막(14a)을 포함한다. 하측기판(10b)은, 하측투명기판(11b), 하측투명기판(11b)상에 형성된 하측베타전극(12b), 하측베타전극(12b)상에 형성된 절연막(13), 절연막(13)상에 형성된 제1, 제2즐치전극(12c, 12d), 및, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)을 덮도록 절연막(13)상에 형성된 하측배향막(14b)을 포함한다.The upper substrate 10a includes an upper transparent substrate 11a, an upper beta electrode 12a formed on the upper transparent substrate 11a, and an upper alignment film 14a formed on the upper beta electrode 12a. The lower substrate 10b is formed on the lower transparent substrate 11b and the lower beta electrode 12b formed on the lower transparent substrate 11b and the insulating film 13 and the insulating film 13 formed on the lower beta electrode 12b. And the lower alignment layer 14b formed on the insulating film 13 to cover the formed first and second sacrificial electrodes 12c and 12d and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d.

상측, 하측 투명기판(11a, 11b)은, 예를 들어 유리로 형성된다. 상측, 하측 베타전극(12a, 12b), 및 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)은, 예를 들어 ITO 등의 투명 도전재료로 형성된다. 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)은, 각각 복수의 즐치부분을 갖추는 빗살형상 전극이다. 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분은, 도 1의 좌우 방향을 따라서 엇갈리게 배치되어 있다.The upper and lower transparent substrates 11a and 11b are made of glass, for example. The upper and lower beta electrodes 12a and 12b and the first and second bezel electrodes 12c and 12d are formed of a transparent conductive material such as ITO, for example. The first and second sacrificial electrodes 12c and 12d are comb-shaped electrodes each having a plurality of bladder portions. The bladder portions of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d are alternately arranged along the left and right directions in FIG. 1.

액정층(15)은, 상측기판(10a)의 상측배향막(14a)과, 하측기판(10b)의 하측배향막(14b)의 사이에 배치된다.The liquid crystal layer 15 is disposed between the upper alignment film 14a of the upper substrate 10a and the lower alignment film 14b of the lower substrate 10b.

상측 및 하측 배향막(14a, 14b)에는, 러빙에 의해 배향처리가 행해져 있다. 상측배향막(14a)과 하측배향막(14b)의 배향처리방향은, 상측 및 하측 기판(10a, 10b)의 법선 방향에서 보았을 때, 예를 들어 70˚또는 90˚의 각도를 이루고 있다. 상측배향막(14a)의 러빙방향을 제1의 방향, 하측배향막(14b)의 러빙방향을 제2의 방향으로 하면, 제2의 방향은 상측기판(10a)의 법선 방향에서 보아, 제1의 방향을 기준으로, 우회전 방향으로 70˚또는 90˚을 이루는 방향이다. 상측 및 하측 기판(10a, 10b)의 배향처리방향과 프레틸트각의 조합으로 규정되는 액정층(15)의 액정분자의 배열상태는, 제1선회방향으로 비틀리는 리버스 트위스트 배열상태이다.The upper and lower alignment films 14a and 14b are subjected to an alignment treatment by rubbing. The alignment direction of the upper alignment film 14a and the lower alignment film 14b is, for example, at an angle of 70 degrees or 90 degrees when viewed from the normal direction of the upper and lower substrates 10a and 10b. When the rubbing direction of the upper alignment layer 14a is the first direction and the rubbing direction of the lower alignment layer 14b is the second direction, the second direction is viewed from the normal direction of the upper substrate 10a, and thus, the first direction. Based on this, the direction to form a 70 ° or 90 ° in the right direction of rotation. The arrangement state of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 defined by the combination of the orientation processing directions and the pretilt angles of the upper and lower substrates 10a and 10b is a reverse twist arrangement state that is twisted in the first turning direction.

액정층(15)을 형성하는 액정재료에는 카이럴제가 첨가되어 있다. 카이럴제의 영향력 아래에서 생기는 액정분자의 배열상태는, 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로 비틀리는 스프레이 트위스트 배열이다.A chiral agent is added to the liquid crystal material which forms the liquid crystal layer 15. The arrangement state of the liquid crystal molecules occurring under the influence of chiral agent is a spray twist arrangement twisted in the second turning direction opposite to the first turning direction.

전원(20)이, 상측, 하측 베타전극(12a, 12b), 및 제1,제2즐치전극(12c, 12d)에, 전기적으로 접속되어 있다. 전원(20)에 의해서, 전극(12a~12d)에 전압을 인가하는(전위차를 준다) 것이 가능하다.The power supply 20 is electrically connected to the upper and lower beta electrodes 12a and 12b and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d. By the power supply 20, it is possible to apply a voltage (to give a potential difference) to the electrodes 12a to 12d.

도 3a~도 3e는, 전압 인가시의 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.3A to 3E are schematic cross-sectional views showing electric field directions when voltage is applied.

도 3a를 참조한다. 예를 들어 상측, 하측 베타전극(12a, 12b)간에 교류전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)(화소영역)전체{상측, 하측 베타전극(12a, 12b) 사이에 배치되는 액정층(15)}에 종 전계{액정층(15)의 두께 방향의 전계}를 부가할 수 있다.See FIG. 3A. For example, by applying an AC voltage between the upper and lower beta electrodes 12a and 12b, the entire liquid crystal layer 15 (pixel region) (the liquid crystal layer disposed between the upper and lower beta electrodes 12a and 12b) 15)}, an electric field (an electric field in the thickness direction of the liquid crystal layer 15) can be added.

도 3b를 참조한다. 예를 들어 하측베타전극(12b) 및 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)사이{하측베타전극(12b)과 제1즐치전극(12c)사이, 및, 하측베타전극(12b)과 제2즐치전극(12d)사이}에 교류전압을 인가하는 것으로, 액정층(15)(화소영역)전체{하측베타전극(12b) 상방의 액정층(15), 제1, 제2즐치전극(12c, 12d) 상방, 및, 제1, 2즐치전극(12c, 12d)사이의 영역상방의 액정층(15)}에 횡(橫)전계{액정층(15)의 두께 방향과 직교할 방향의 전계, 기판(10a, 10b) 면내방향의 전계}를 발생시킬 수 있다. 그리고 전극(12b)과 전극(12c, 12d)의 사이에 전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)에 횡 전계를 일으켜서, 액정표시소자를 구동하는 구동 모드를 FFS 모드(fringe field switching mode)라고 부른다. 도 3b에 나타내는 태양(態樣)의 FFS 모드에서 액정층(15)에 발생하는 횡 전계는, 도 1에 있어서의 좌우 방향에 따르는 전계이다.See FIG. 3B. For example, between the lower beta electrode 12b and the first and second sachet electrodes 12c and 12d (between the lower beta electrode 12b and the first sac electrode 12c, and the lower beta electrode 12b and the first beta electrode 12b). By applying an alternating current voltage between two double electrodes 12d}, the entire liquid crystal layer 15 (pixel region) (the liquid crystal layer 15, first and second double electrodes 12c above the lower beta electrode 12b). 12d) and the lateral electric field (the electric field in the direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer 15) in the liquid crystal layer 15 above the region between the first and second double electrode 12c, 12d. The electric field in the in-plane direction of the substrates 10a and 10b can be generated. By applying a voltage between the electrode 12b and the electrodes 12c and 12d, a lateral electric field is generated in the liquid crystal layer 15, and the driving mode for driving the liquid crystal display element is called a FFS mode (fringe field switching mode). It is called. In the FFS mode of the sun shown in FIG. 3B, the lateral electric field generated in the liquid crystal layer 15 is an electric field along the left and right directions in FIG. 1.

도 3c를 참조한다. 상측베타전극(12a)과, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 사이에 교류전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)(화소영역)의 일부, 예를 들어 제1, 제2즐치전극(12c, 12d) 상방의 액정층(15)에 종 전계를 부가할 수 있다.See FIG. 3C. By applying an alternating voltage between the upper beta electrode 12a and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d, a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region), for example, the first and the second A seed field can be added to the liquid crystal layer 15 above the two-blade electrodes 12c and 12d.

도 3d를 참조한다. 제1즐치전극(12c)과 제2즐치전극(12d)의 사이에 교류전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)(화소영역)의 일부, 예를 들어 제1즐치전극(12c)과 제2즐치전극(12d)의 사이의 액정층(15)에 횡 전계를 부가할 수 있다. 그리고 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)사이에의 전압의 인가에 의해 액정층(화소영역)의 일부에 횡 전계를 일으키게 해서, 액정표시소자를 구동하는 구동모드를 IPS 모드(in-plane switching mode)라고 부른다.See FIG. 3D. By applying an alternating voltage between the first sacrificial electrode 12c and the second sacrificial electrode 12d, a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region), for example, the first sacrificial electrode 12c and the first sacrificial electrode 12c, is formed. A transverse electric field can be added to the liquid crystal layer 15 between the two-blade electrodes 12d. The lateral electric field is generated in a part of the liquid crystal layer (pixel region) by the application of the voltage between the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d, thereby driving the driving mode for driving the liquid crystal display element in the IPS mode (in- plane switching mode).

도 3e를 참조한다. 하측베타전극(12b)과 제1즐치전극(12c)의 사이에 교류전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)(화소영역)의 일부, 예를 들어 제1즐치전극(12c)의 즐치부분 및 그 근방 상방의 액정층(15)에 횡 전계를 부가할 수 있다. 또한 마찬가지로 하측베타전극(12b)과 제2즐치전극(12d)의 사이에 교류전압을 인가하는 것으로써, 제2즐치전극(12d)의 즐치부분 및 그 근방 상방의 액정층(15)에 횡 전계를 부가하는 것도 가능하다.See FIG. 3E. By applying an alternating voltage between the lower beta electrode 12b and the first sacrificial electrode 12c, a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region), for example, the sacchy portion of the first sacrificial electrode 12c And a lateral electric field can be added to the liquid crystal layer 15 in the vicinity thereof. Similarly, by applying an alternating voltage between the lower beta electrode 12b and the second sac electrode 12d, the transverse electric field is applied to the glacier portion of the second sac electrode 12d and the liquid crystal layer 15 near the top. It is also possible to add.

도 4a~도 4c는, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자의 외관 사진이다. 그리고 도 4a~도 4c에 나타내는 것은, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분의 전극폭을 20μm, 양 즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분을 교대로 배치했을 때의 전극간격을 20μm로서 제작한 액정표시소자의, 즐치전극(12c, 12d) 형성 영역의 외관사진이다.4A to 4C are external appearance photographs of the liquid crystal display device according to the first embodiment. 4A to 4C show an electrode width of 20 μm of the bladder portion of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d and alternately disposing the bladder portions of the both sacrificial electrodes 12c and 12d. This is a photograph of the appearance of the spot electrode 12c, 12d formation region of the liquid crystal display device having a spacing of 20 mu m.

도 4a에, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자가 완성한 상태(초기상태)의 외관 사진을 나타낸다. 초기상태에 있어서는, 액정분자는 스프레이 트위스트 배열상태가 된다. 밝은 흰색표시가 얻어지고 있다.4A, the external appearance photograph of the state (initial state) which the liquid crystal display element which concerns on 1st Example was completed is shown. In the initial state, the liquid crystal molecules are in a spray twist arrangement. A bright white display is obtained.

이 상태에 있어서, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 상측베타전극(12a)과 하측베타전극(12b)의 사이에 역치전압, 즉 반응을 일으키는 최소물리량 전압 이상의 교류전압을 인가했다. 양 전극(12a, 12b)사이에의 전압의 인가에 의해, 액정층(15)(화소영역) 전체에 종 전계가 생긴다.In this state, as shown in Fig. 3A, an alternating voltage above a threshold voltage, i.e., a minimum physical quantity voltage causing a reaction, was applied between the upper beta electrode 12a and the lower beta electrode 12b. By the application of a voltage between the positive electrodes 12a and 12b, a vertical electric field is generated in the entire liquid crystal layer 15 (pixel region).

도 4b는, 전극(12a, 12b)사이에 전압을 인가한 후의 외관사진이다. 정면 관찰에 있어서도, 명료한 흑색표시가 얻어지고 있다. 전체가 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태에 천이한 것을 알 수 있다. 반대로 이것으로부터 양 전극(12a, 12b)사이로의 전압의 인가로, 액정층(15)(화소영역) 전체에 종 전계가 발생하는 것이 확인된다.4B is an external photograph after applying a voltage between the electrodes 12a and 12b. Also in frontal observation, clear black display is obtained. It can be seen that the whole has shifted from the spray twist arrangement to the reverse twist arrangement. On the contrary, it is confirmed that a vertical electric field is generated in the entire liquid crystal layer 15 (pixel region) by application of a voltage between the positive electrodes 12a and 12b.

도 5a~도 5c는, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자의 광학 특성을 나타내는 그래프이다. 도 5a~도 5c에는, 상측기판(10a), 하측기판(10b)의 러빙처리방향사이의 각도를 70˚로 하여 제작한 액정표시소자에 대한 광학특성을 나타냈다.5A to 5C are graphs showing optical characteristics of the liquid crystal display device according to the first embodiment. 5A to 5C show optical characteristics of the liquid crystal display device fabricated by setting the angle between the upper substrate 10a and the lower substrate 10b in the rubbing treatment direction at 70 °.

도 5a를 참조한다. 도 5a는, 콘트라스트비(스프레이 트위스트 배열상태로의 투과율/리버스 트위스트 배열상태로의 투과율)의 방위 및 극각(極角) 의존성을 나타낸다. 도면중의 RU는 상측기판(10a)에 대해서 행해진 러빙처리의 방향을 나타내고, RL는 하측기판(10b)에 대한 그것을 나타낸다. A의 화살표 방향과 평행한 방향으로 상측 편광판(16a)의 투과축방향을 나타내고, P의 화살표 방향과 평행한 방향으로 하측 편광판(16b)의 투과축방향을 나타낸다. 또, 굵은 화살표 방향과 평행한 방향(90˚-270˚방위)은, 액정층(15)의 액정분자의 배열상태가 리버스 트위스트 배열상태일 때의, 액정층(15)의 두께 방향의 중앙에 위치하는 액정분자의 배향방향을 나타낸다. 여기서 0˚-180˚방위는, 도 1에 있어서의 좌우 방향에 상당한다. 즉, 액정층(15)의 액정분자의 배열상태가 리버스 트위스트 배열상태일 때의, 액정층(15)의 두께 방향의 중앙에 위치하는 액정분자의 배향방향과 도 3b에 나타내는 태양의 FFS 모드에서 발생하는 횡 전계의 방향과는, 서로 직교하는 방향이다. 또한 이 점은, 상측기판(10a), 하측기판(10b)의 러빙처리방향사이의 각도를 90˚로 하여 제작한 액정표시소자에 대해서도 같다.See FIG. 5A. FIG. 5A shows the orientation and polar angle dependence of the contrast ratio (transmittance in the spray twist arrangement / transmission in the reverse twist arrangement). In the figure, R U indicates the direction of the rubbing treatment performed on the upper substrate 10a, and R L indicates that on the lower substrate 10b. The transmission axis direction of the upper polarizing plate 16a is shown in the direction parallel to the arrow direction of A, and the transmission axis direction of the lower polarizing plate 16b is shown in the direction parallel to the arrow direction of P. As shown in FIG. Further, the direction parallel to the thick arrow direction (90 ° -270 ° direction) is at the center of the thickness direction of the liquid crystal layer 15 when the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 15 are in the state of reverse twist arrangement. The orientation direction of the liquid crystal molecule located is shown. Here, the 0 ° -180 ° direction corresponds to the left and right direction in FIG. 1. In other words, when the arrangement state of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 is in the reverse twist arrangement state, in the orientation direction of the liquid crystal molecules positioned in the center of the thickness direction of the liquid crystal layer 15 and in the FFS mode of the sun shown in FIG. 3B. The direction of the generated lateral electric field is a direction orthogonal to each other. This also applies to the liquid crystal display device manufactured by making the angle between the upper substrate 10a and the lower substrate 10b in the rubbing treatment direction at 90 °.

도 5b에, 90˚-270˚방위에 관한 투과율의 극각 의존성을 나타낸다. 기판(10a, 10b)의 법선방향(액정표시소자의 정면관찰방향)의 극각을 0˚으로 하고, 270˚방위로 기우는 기울기각을 정(正)의 극각으로 나타내며, 90˚방위로 기우는 기울기각을 부(負)의 극각으로 나타냈다. 도 5b의 그래프의 횡축은 극각을 단위 「˚」으로 나타내고, 세로축은 투과율을 단위「%」로 나타낸다. 검은 마름모를 연결한 곡선(「S-t」라고 표기)은, 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태일 때의 투과율의 극각 의존성을 나타내고, 검은 사각형을 연결한 곡선(「U-t」라고 표기)은, 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태일 때의 그것을 나타낸다.5B, the polar angle dependence of the transmittance | permeability with respect to a 90 degree-270 degree orientation is shown. The polar angle in the normal direction (the front viewing direction of the liquid crystal display element) of the substrates 10a and 10b is set to 0 °, and the tilt angle of tilting in the 270 ° direction is represented by the positive polar angle and tilted at 90 °. The angle of inclination was represented by the negative polar angle. In the graph of FIG. 5B, the horizontal axis represents the polar angle in units "°", and the vertical axis represents the transmittance in units "%". The curve connecting the black rhombus (denoted "St") shows the polar dependence of the transmittance when the liquid crystal molecules are in a spray twist arrangement, and the curve connecting the black square (denoted "Ut") represents the liquid crystal molecules. Represents when reverse twisted.

스프레이 트위스트 배열상태일 때의 정면 관찰시 투과율은 약 12.6%이며, 리버스 트위스트 배열상태일 때의 그것은 약 0.02%이다.The transmittance is about 12.6% in the frontal view in the spray twist configuration, and about 0.02% in the reverse twist configuration.

도 5c에, 90˚- 270˚방위에 관한 콘트라스트비의 극각 의존성을 나타낸다. 도 5c의 그래프의 횡축은, 도 5b의 그것과 동일하다. 세로축은 콘트라스트비를 나타낸다. 제1의 실시예에 의한 액정표시소자에 대해서는, 정면 관찰시에 콘트라스트비가 최대(최대치 566)가 된다.In Fig. 5C, the polar angle dependence of the contrast ratio with respect to the 90 ° to 270 ° directions is shown. The horizontal axis of the graph of FIG. 5C is the same as that of FIG. 5B. The vertical axis represents the contrast ratio. For the liquid crystal display device according to the first embodiment, the contrast ratio becomes maximum (maximum value 566) at the time of frontal observation.

그리고, 상측, 하측 기판(10a, 10b)의 러빙처리방향사이의 각도를 90˚으로 하여 제작한 액정표시소자에 대해서도 같은 결과를 얻을 수 있었다. 이와 같이 제1의 실시예에 의한 액정표시소자는, 예를 들어 밝은 흰색표시, 명료한 흑색표시로 표시를 실시할 수 있는, 광학특성이 뛰어난 액정표시소자이다.And the same result was obtained also about the liquid crystal display element produced by making the angle between the rubbing process directions of the upper board | substrate and lower board | substrate 10a, 10b 90 degrees. As described above, the liquid crystal display device according to the first embodiment is a liquid crystal display device having excellent optical characteristics, for example, capable of displaying in bright white display and clear black display.

도 4c를 참조한다. 본원 발명자들은, 다음에, 도 3b에 나타나 있는 바와 같이, 하측베타전극(12b)과 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 사이에 반응을 일으키는 최소물리량 전압 이상의 교류전압을 인가하고, 액정층(15)(화소영역) 전체에 횡 전계{제1, 제2즐치전극(12c, 12d)이 엇갈리게 배치되는 방향, 도 1및 도 3b에 있어서 좌 방향을 따르는 전계}를 발생시켰다.4C. The inventors of the present invention next apply an AC voltage equal to or greater than the minimum physical quantity voltage that causes a reaction between the lower beta electrode 12b and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d, as shown in FIG. The transverse electric field {the direction in which the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d are arranged alternately, the electric field along the left direction in Figs. 1 and 3B) was generated in the entire liquid crystal layer 15 (pixel region).

도 4c는, 도 4b에 나타내는 상태의 액정표시소자에, 도 3b에 나타내는 태양의 횡 전계를 부가한 후의 외관사진이다. 전면이 초기상태와 같은 흰색표시 상태를 나타내는 스프레이 트위스트 배열상태에 재천이 하고 있는 것을 알 수 있다.FIG. 4C is an external photograph after adding the lateral electric field of the sun shown in FIG. 3B to the liquid crystal display element of the state shown in FIG. 4B. It can be seen that the front surface is moving back to the spray twist arrangement state, which shows the same white display state as the initial state.

액정층(15)의 두께방향의 중앙에 위치하는 액정분자가, 종 전계의 부가에 의해, 횡방향(수평방향)으로부터 종방향(수직방향)으로 기우는 것으로, 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로의 스위칭을 하는 것이라고 생각할 수 있다. 또, 액정층(15)의 두께방향의 중앙에 위치하는 액정분자가, 횡 전계의 부가에 의해, 세로 방향으로부터 횡방향{액정층(15)의 두께방향의 중앙에 위치하는 액정분자의 스프레이 트위스트 배열상태에 있어서의 디렉터방향}으로 기우는 것으로, 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로의 스위칭을 하는 것이라고 생각할 수 있다.The liquid crystal molecules positioned in the center of the thickness direction of the liquid crystal layer 15 are tilted in the longitudinal direction (vertical direction) from the transverse direction (horizontal direction) by the addition of the longitudinal electric field, thereby reverse twisting the arrangement from the spray twist arrangement state. You can think of it as switching to a state. In addition, the liquid crystal molecules located in the center of the thickness direction of the liquid crystal layer 15 are spray twists of the liquid crystal molecules located in the center of the transverse direction (the thickness direction of the liquid crystal layer 15 from the longitudinal direction) by the addition of the transverse electric field. By tilting in the direction of the director in the arrangement state, it can be considered to switch from the reverse twist arrangement state to the spray twist arrangement state.

그리고 리버스 트위스트 배열상태의 액정층(15)에 종 전계를 부가했을 경우는, 리버스 트위스트 배열상태가 유지되고, 스프레이 트위스트 배열상태의 액정층(15)에 횡 전계를 부가했을 경우는, 스프레이 트위스트 배열상태가 유지된다.When the longitudinal electric field is added to the liquid crystal layer 15 in the reverse twisted arrangement state, the reverse twisted arrangement state is maintained, and when the lateral electric field is added to the liquid crystal layer 15 in the spray twisted arrangement state, the spray twist arrangement is performed. The state is maintained.

계속해서 도 3c에 나타나 있는 바와 같이, 상측베타전극(12a)과, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 사이에, 반응을 일으키는 최소물리량 전압 이상의 교류전압을 인가했다. 전극(12a)과 전극(12c, 12d)의 사이로의 전압의 인가에 의해, 액정층(15)의 일부{제1, 제2즐치전극(12c, 12d) 상방의 액정층(15))에 효과적으로 종 전계가 생긴다. 이 때문에, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d) 상방의 액정분자가, 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태에 천이한다. 양 즐치전극(12c, 12d)사이의 영역상방에 있어서는, 스프레이 트위스트 배열상태가 유지된다.Subsequently, as shown in FIG. 3C, an alternating-current voltage equal to or higher than the minimum physical quantity voltage causing a reaction was applied between the upper beta electrode 12a and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d. By applying a voltage between the electrode 12a and the electrodes 12c and 12d, it is effective to a part of the liquid crystal layer 15 (the liquid crystal layer 15 above the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d). There is a longitudinal electric field. For this reason, the liquid crystal molecules above the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d transition from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state. The spray twist arrangement is maintained above the region between the two bladder electrodes 12c and 12d.

도 6a~도 6c는, 액정층의 일부에 종 전계를 부가한 액정표시소자의 사진이다. 도 6a가 전체 사진, 도 6b가 확대 사진, 도6c가 현미경 사진을 나타낸다. 그리고 도 6a~도 6c에 나타내는 것은, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분의 전극폭을 20μm, 양 즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분을 교대로 배치했을 때의 전극간격을 20μm로 해서 제작한 액정표시소자의 사진이다. 예를 들어 「S」, 「T」, 「A」, 「N」, 「L」, 「E」, 「Y」, 「L」, 「C」, 「D」, 「s」의 각 문자는, 20μm/20μm의 라인{제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분의 전극폭}/스페이스{어긋나게 배치된 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분사이의 거리}에서 패터닝 되어 있는 부분{제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분의 배치 영역}으로 표시된다.6A to 6C are photographs of the liquid crystal display device in which a vertical electric field is added to a part of the liquid crystal layer. 6A shows the whole picture, FIG. 6B shows the enlarged picture, and FIG. 6C shows the micrograph. 6A to 6C show an electrode width when the electrode width of the bladder portions of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d is 20 μm, and the bladder portions of both sacrificial electrodes 12c and 12d are alternately arranged. It is a photograph of the liquid crystal display element produced by making an interval 20 micrometers. For example, each character of "S", "T", "A", "N", "L", "E", "Y", "L", "C", "D", and "s" , 20 μm / 20 μm line {electrode width of the bladder portion of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d} / space {distance between the bladder portions of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d which are displaced } Is shown as a patterned portion (arrangement area of the bladder portion of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d).

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 「S」, 「T」, 「A」, 「N」, 「L」, 「E」, 「Y」, 「L」, 「C」, 「D」, 「s」의 각 문자가, 흰색(스프레이 트위스트 배열상태에 의한 표시)과 흑색(리버스 트위스트 배열상태에 의한 표시)의 중간적인 색조(밝기), 즉 그레이로 표시되어 있는 것을 알 수 있다.6A and 6B, "S", "T", "A", "N", "L", "E", "Y", "L", "C", "D", " It is understood that each character of "s" is displayed in an intermediate hue (brightness) of white (displayed by the spray twist arrangement) and black (displayed by the reverse twist arrangement), that is, gray.

도 6c는 그레이 표시(중간조 표시)되어 있는 부분을 포함한 영역의 현미경 사진이다. 그레이 표시부분에는, 미시적으로는, 흑색 표시부분(리버스 트위스트 배열상태 부분)과 흰색 표시부분(스프레이 트위스트 배열상태 부분)이 스트라이프 형상으로 배치되어 있다. 전극(12a)과 전극(12c, 12d)의 사이에 전압을 인가하는 것으로, 흑색 표시(리버스 트위스트 배열상태)로 천이 한 것은, 평면에서 보아, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분 배치 영역 혹은 즐치부분의 폭보다 조금 넓은 영역이었다. 그 외의 영역은, 흰색 표시(스프레이 트위스트 배열상태)가 유지되었다. 현미경 관찰에 의하면, 흑색 표시부분과 흰색 표시부분이 스트라이프(stripe) 형상으로 배치되어 있지만, 육안으로 보아 흑색과 흰색 스트라이프는 관찰되지 않고, 자연스러운 그레이 표시가 된다. 이것은 흑색 표시부분과 흰색 표시부분의 스트라이프 형상 분포가, 인간의 눈의 분해가능 이상의 세밀도를 가지고 있기 때문이라고 생각할 수 있다.Fig. 6C is a micrograph of the area including the portion with gray display (midtone display). In the gray display portion, a black display portion (reverse twist arrangement state portion) and a white display portion (spray twist arrangement state portion) are arranged in a stripe shape microscopically. Transition to black display (reverse twist arrangement) by applying a voltage between the electrode 12a and the electrodes 12c and 12d is a planar view of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d. It was a slightly wider area than the width of the sapling area. In other areas, white marks (spray twist arrangement) were maintained. According to the microscopic observation, although the black display part and the white display part are arranged in a stripe shape, black and white stripe are not observed by the naked eye, and a natural gray display is obtained. This is considered to be because the stripe-shaped distribution of the black display portion and the white display portion has a finer resolution than that of the human eye.

그리고 도 6a~도 6c의 사진에 나타낸 예에 있어서는, 라인/스페이스가 20μm/20μm 이었지만, 50μm~100μm/50μm~100μm정도 이하이면, 육안으로 보아 자연스러운 그레이 표시가 관찰된다.In the example shown in the photographs of Figs. 6A to 6C, although the line / space was 20 µm / 20 µm, the gray display was observed with the naked eye when it was about 50 µm to 100 µm / 50 µm to 100 µm or less.

본 발명의 발명자들은, 리버스 트위스트 배열상태에 의한 흑색표시, 스프레이 트위스트 배열상태에 의한 흰색표시, 및, 그레이 표시(리버스 트위스트 배열상태가 되는 영역과 스프레이 트위스트 배열상태가 되는 영역을 1화소 중에 공존, 혼재시키는 것에 의한 표시)가, 별도 전압을 인가하지 않는 한, 그대로의 상태로 보지(메모리)되어 있던 것을 확인했다.The inventors of the present invention provide a black display in a reverse twist arrangement, a white display in a spray twist arrangement, and a gray display (a region in which a reverse twist arrangement and a region in a spray twist arrangement coexist in one pixel, It was confirmed that display by mixing) was held (memory) as it is, unless voltage was separately applied.

제1의 실시예에 의한 액정표시소자는, 액정분자의 배열상태가 리버스 트위스트 배열상태 및 스프레이 트위스트 배열상태의 쌍방에서 안정인, 배열상태의 쌍안정성을 가지는 액정표시소자이며, 또, 중간조 표시에 의해 다양한 표시가 가능한 액정표시소자이다.The liquid crystal display device according to the first embodiment is a liquid crystal display device having bi-stability in an array state in which the arrangement state of the liquid crystal molecules is stable in both the reverse twist arrangement state and the spray twist arrangement state, and also halftone display. It is a liquid crystal display device capable of various displays.

본 발명의 발명자들은, 라인/스페이스가 20μm/20μm, 셀 두께 4μm의 실시예에 대해, 라인/스페이스가 20μm/20μm, 셀 두께 10μm의 참고예에 의한 액정표시소자를 제작하여, 같은 실험을 실시했다. 참고예에 의한 액정표시소자의 상측베타전극과 제1, 제2즐치전극의 사이에 전압을 인가했는데, 제1의 실시예와는 달리, 그레이 표시를 얻을 수 없었다. 현미경으로 관찰했는데, 제1, 제2즐치전극 상방의 액정분자 뿐만 아니라, 양 즐치전극간의 영역상방의 액정분자도 리버스 트위스트 배열상태로 천이하고 있는 것이 확인되었다.The inventors of the present invention fabricated a liquid crystal display device according to a reference example having a line / space of 20 μm / 20 μm and a cell thickness of 20 μm / 20 μm and a cell thickness of 10 μm with respect to the embodiment having a line / space of 20 μm / 20 μm and performing the same experiment. did. A voltage was applied between the upper beta electrode and the first and second sacrificial electrodes of the liquid crystal display device according to the reference example. Unlike the first embodiment, gray display was not obtained. When observed under a microscope, it was confirmed that not only the liquid crystal molecules above the first and second sachet electrodes, but also the liquid crystal molecules above the region between the two sachet electrodes transitioned to the reverse twist arrangement.

참고예에 대한 실험으로부터, 라인/스페이스의 사이즈와 셀 두께가 어느 조건을 충족시킬 때 그레이 표시(중간조 표시)가 실현된다고 생각할 수 있다. 본 발명의 발명자들은, 심층 연구의 결과, 중간조 표시의 실현 조건이, 기본적으로 라인 사이즈{제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분의 전극폭}에는 의존하지 않고, 스페이스 사이즈(엇갈리게 배치된 제1, 제2즐치전극의 즐치부분사이의 거리)와 셀 두께와의 관계가, 중간조 표시의 실현에 중요한 것을 찾아냈다. 셀 두께d가 10μm 미만의 경우에는 중간조 표시를 얻을 수 있었던 것으로부터, 즐치(빗살)형상 전극의 스페이스 사이즈 s가, 아래 식(1)From the experiment on the reference example, it can be considered that gray display (midtone display) is realized when the size of the line / space and the cell thickness satisfy certain conditions. The inventors of the present invention have found that, as a result of the in-depth study, the conditions for realizing halftone display do not basically depend on the line size (electrode width of the bladder portion of the first and second sacrificial electrodes 12c, 12d), and the space size. It has been found that the relationship between the distance between the bladder portions of the alternately arranged first and second bladder electrodes and the cell thickness is important for realizing halftone display. When the cell thickness d is less than 10 μm, halftone display can be obtained. Therefore, the space size s of the comb-shaped electrode is represented by the following formula (1).

s>2×d ··(1)s > 2 × d · (1)

를 만족할 때, 중간조 표시가 가능하다고 말할 수 있을 것이다.When it is satisfied, it can be said that halftone display is possible.

제1의 실시예에 대해서는, 상측 베타전극(12a)과 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 사이에 전압을 인가하고, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d) 상방의 액정층(15)에 종 전계를 부가하고, 그 위치의 액정분자를 리버스 트위스트 배열상태로 천이시켰지만, 상측 베타전극(12a)과 제1즐치전극(12c)의 사이에만, 혹은 상측베타전극(12a)과 제2즐치전극(12d)의 사이에만, 반응을 일으키는 최소물리량 전압 이상의 교류전압을 인가해도 중간조 표시를 실현할 수 있다.In the first embodiment, a voltage is applied between the upper beta electrode 12a and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d, and the liquid crystal above the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d. A longitudinal electric field was added to the layer 15, and the liquid crystal molecules at the position were shifted in a reverse twisted arrangement, but only between the upper beta electrode 12a and the first bezel electrode 12c or the upper beta electrode 12a. The halftone display can be realized only by applying an alternating voltage equal to or greater than the minimum physical quantity voltage to cause a reaction only between the second electrode 12d and the second bladder electrode 12d.

상측 베타전극(12a)과 제1즐치전극(12c)의 사이에 전압을 인가했을 경우, 제1즐치전극(12c) 상방의 액정층(15)에 종 전계가 부가되어 그 위치의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이한다. 상측 베타전극(12a)과 제2즐치전극(12d)의 사이에 전압을 인가했을 경우, 제2즐치전극(12d) 상방의 액정층(15)에 종 전계가 부가되고, 그 위치의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이한다.When a voltage is applied between the upper beta electrode 12a and the first sac electrode 12c, a vertical electric field is added to the liquid crystal layer 15 above the first sac electrode 12c, and the liquid crystal molecules at that position are sprayed. Transition from the twist arrangement to the reverse twist arrangement. When a voltage is applied between the upper beta electrode 12a and the second sac electrode 12d, a vertical electric field is added to the liquid crystal layer 15 above the second sac electrode 12d, and the liquid crystal molecules at the position Transition from spray twist arrangement to reverse twist arrangement.

또 실시예에 있어서는, 라인/스페이스가 20μm/20μm(라인:스페이스=1:1)이기 위해, 예를 들어 흰색표시(화소영역의 모든 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태) 시의 투과율을 100%, 흑색표시(화소영역의 모든 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태) 시의 투과율을 0%로 했을 때, 투과율이 약 50%가 되는 그레이 표시를 얻을 수 있지만, 라인/스페이스의 비율을 조정하는 것으로써, 중간조 표시의 색조(밝기) 레벨을 변경하는 것도 가능하다. 라인 및 스페이스의 사이즈는, 식(1)의 조건에서, 임의에 선택할 수 있다.In the embodiment, since the line / space is 20 μm / 20 μm (line: space = 1: 1), for example, the transmittance at the time of white display (all liquid crystal molecules in the pixel region are in a spray twist arrangement) is 100%, When the transmittance at the time of black display (all liquid crystal molecules in the pixel region are in the reverse twist arrangement) is 0%, a gray display with a transmittance of about 50% can be obtained, but by adjusting the line / space ratio, It is also possible to change the hue (brightness) level of halftone display. The size of a line and a space can be selected arbitrarily on condition of Formula (1).

도 7에, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 형성 태양의 다른 예(변형예)를 나타낸다. 본 도면에는, 제1즐치전극(12c)의 라인 사이즈(즐치부분의 전극폭)를 20μm, 제2즐치전극(12d)의 그것을 40μm, 양전극(12c, 12d)의 스페이스 사이즈를 10μm로 하여 형성한 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)을 나타냈다. 즉, 전극(12c)의 라인 사이즈:전극(12d)의 라인 사이즈:스페이스 사이즈=2:4:1이다.Fig. 7 shows another example (modification) of the embodiment in which the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d are formed. In this figure, the line size (electrode width of the bladder portion) of the first bladder electrode 12c is formed to be 20 μm, that of the second bladder electrode 12d is 40 μm, and the space size of the positive electrodes 12c and 12d is 10 μm. First and second sacrificial electrodes 12c and 12d are shown. That is, the line size of the electrode 12c: the line size of the electrode 12d: space size = 2: 4: 1.

이와 같이 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)을 형성했을 경우, 상측베타전극(12a)과 제1즐치전극(12c)의 사이에, 최소물리량 전압 이상의 전압을 인가하면, 제1즐치전극(12c) 상방의 액정층(15)에 종 전계가 발생하고, 그 위치의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이한다. 이 때문에, 이 전압인가태양에 있어서는, 투과율이 약 25%의 중간조 표시가 실현된다.In the case where the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d are formed in this manner, when the voltage above the minimum physical quantity voltage is applied between the upper beta electrode 12a and the first sacrificial electrode 12c, the first sacrificial electrode 12c and 12d is formed. (12c) A longitudinal electric field is generated in the upper liquid crystal layer 15, and the liquid crystal molecules at the position transition from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state. For this reason, in this voltage application mode, halftone display with a transmittance of about 25% is realized.

또, 상측베타전극(12a)과 제2즐치전극(12d)의 사이에 반응을 일으키는 최소 물리량 전압이상의 전압을 인가하면, 제2즐치전극(12d) 상방의 액정층(15)에 종 전계가 발생하고, 그 위치의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태에 천이하기 위한, 투과율이 약 50%의 중간조 표시가 실현된다.Further, when a voltage equal to or greater than the minimum physical quantity voltage causing a reaction is applied between the upper beta electrode 12a and the second sac electrode 12d, a seed field is generated in the liquid crystal layer 15 above the second sac electrode 12d. Thus, halftone display with a transmittance of about 50% is realized for the liquid crystal molecules at the position to transition from the spray twist arrangement to the reverse twist arrangement.

또한, 상측베타전극(12a)과 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 사이에, 반응을 일으키는 최소물리량 전압 이상의 전압을 인가하면, 제1및 제2즐치전극(12c, 12d) 상방의 액정층(15)에 종 전계가 발생하고, 그 위치의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이하여, 투과율이 약 75%의 중간조 표시가 실현된다.In addition, when a voltage equal to or greater than the minimum physical quantity voltage causing a reaction is applied between the upper beta electrode 12a and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d, the upper portion of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d is higher. A longitudinal electric field is generated in the liquid crystal layer 15 of the liquid crystal layer 15, and the liquid crystal molecules at the position transition from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state, so that halftone display with a transmittance of about 75% is realized.

이러한 중간조 표시와, 액정층(15)(화소영역) 전체의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태일 때의 흰색 표시, 및, 액정층(15)(화소영역) 전체의 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태일 때의 흑색표시에 추가하여, 변형예에 의한 액정표시소자에 있어서는, 투과율이 균등한 비율로(비례적으로) 변화하는, 5계조(階調)의 표시를 실현할 수 있다.Such halftone display, white display when the liquid crystal molecules of the entire liquid crystal layer 15 (pixel region) are in a spray twist arrangement state, and liquid crystal molecules of the whole liquid crystal layer 15 (pixel region) are reverse twisted arrangement state. In addition to the black display at this time, in the liquid crystal display device according to the modification, the display of five gradations in which the transmittance changes at a uniform ratio (proportionally) can be realized.

변형예에 의한 액정표시소자는, 제1및 제2즐치전극(12c, 12d)의 라인 사이즈가 서로 다른 점에 특징을 가진다. 또한, 균등한 비율로 투과율이 변경 가능하도록, 각 전극(12c, 12d)의 라인 사이즈와 스페이스 사이즈를 고안하고 있는 점에 특징을 가진다. 변형예에 의한 액정표시소자에 의하면, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자에 비교하여, 한층 다양한 표시를 실시할 수 있다.The liquid crystal display device according to the modification is characterized in that the line sizes of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d are different from each other. Moreover, it has the characteristic that the line size and space size of each electrode 12c, 12d are devised so that a transmittance | permeability can be changed in an equal ratio. According to the liquid crystal display device according to the modification, a variety of displays can be performed as compared with the liquid crystal display device according to the first embodiment.

여기까지의 설명에 있어서는, 스프레이 트위스트 배열상태인 액정층(15)(화소영역)의 일부에 종 전계를 발생시켜 중간조 표시를 실시했지만, 예를 들어 제1의 실시예 및 변형예에 의한 액정표시소자에 대해, 도 3d를 참조해 설명한 IPS 모드로 액정층(15)(화소영역)의 일부에 횡 전계를 일으키게 하고, 중간조 표시를 실시하는 것도 가능하다. 예를 들어 액정층(15)(화소영역) 전체의 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태인 경우에, 제1즐치전극(12c)과 제2즐치전극(12d)의 사이에 교류전압을 인가하면, 양 전극(12c, 12d)의 즐치부분사이의 영역 및 그 상방에게 횡 전계가 발생하고, 그 위치의 액정층(15)의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열상태로 천이해 중간조 표시를 한다.In the above description, halftone display is performed by generating a longitudinal electric field in a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region) in the spray twisted arrangement state, but for example, the liquid crystal according to the first embodiment and the modification. For the display element, it is also possible to cause a lateral electric field to occur in a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region) in the IPS mode described with reference to FIG. 3D, and to perform halftone display. For example, in the case where the liquid crystal molecules of the entire liquid crystal layer 15 (pixel region) are in the reverse twisted arrangement state, when an AC voltage is applied between the first sacrificial electrode 12c and the second sacrificial electrode 12d, both A transverse electric field is generated in the area between the bladder portions of the electrodes 12c and 12d and above, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 at that position are transitioned to the spray twist arrangement to give halftone display.

예를 들어 액정층(15)의 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태인 제1의 실시예에 의한 액정표시소자에 IPS 모드에서 횡 전계를 부가{제1, 제2즐치전극(12c, 12d)사이에 교류전압을 인가}했을 때에 얻을 수 있는 중간조 표시의 색조(밝기)는, 스프레이 트위스트 배열상태인 액정층(15)(화소영역)의 일부에 종 전계를 부가{상측베타전극(12a)과, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 사이에 교류전압을 인가}해 행한 중간조 표시의 그것과 대략 같고, 흑색표시시의 투과율을 0%로 하고, 흰색 표시시의 투과율을 100%로 했을 때의 투과율이 약 50%가 된다.For example, a lateral electric field is added in the IPS mode to the liquid crystal display device according to the first embodiment in which the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 are in a reverse twist arrangement (between the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d). The color tone (brightness) of the halftone display obtained when an alternating current voltage is applied is obtained by adding a vertical electric field to a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region) in a spray twist arrangement state (upper beta electrode 12a), It is approximately the same as that of halftone display performed by applying an alternating voltage between the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d, the transmittance at the time of black display is 0%, and the transmittance at the time of white display is 100%. The transmittance | permeability when it is set to about 50%.

또, 도 3e를 참조해 설명한 태양의 전계를 부가해 리버스 트위스트 배열상태의 액정층(15)(화소영역)의 일부를 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시키고, 중간조 표시를 실시하는 것도 가능하다. 도 3e에 나타내는 태양의 경우, 제1즐치전극(12c)의 즐치부분 형성 영역 및 그 근방 상방의 액정층(15)의 액정분자를 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시켜, 중간조 표시를 실현한다.In addition, a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region) in the reverse twisted arrangement state by adding the electric field of the embodiment described with reference to FIG. 3E can be transferred to the spray twisted arrangement state, and halftone display can be performed. In the case shown in FIG. 3E, the liquid crystal molecules of the glacial portion forming region of the first blazing electrode 12c and the liquid crystal layer 15 in the vicinity thereof are shifted to a spray twist arrangement state to realize halftone display.

액정층(15)(화소영역)의 일부에 횡 전계를 발생시키고, 그 영역의 액정분자를 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시키는 방법에 의하면, 전기 식(1)의 관계가 만족되지 않은 경우에도, 중간조 표시를 얻는 것이 가능하다. 이 때문에, 액정층(15)(화소영역)의 일부에 횡 전계를 발생시키고, 그 영역의 액정분자를 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시키는 구동방법은, 액정층(15)(화소영역)의 일부에 종 전계를 발생시키고, 그 영역의 액정분자를 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이시키는 구동방법보다, 범용성이 높은 구동방법(표시변환방법)이라고도 말할 수 있다. 다만 종 전계를 이용하는 전기 변형예의 경우는 5계조 표시를 실시할 수 있지만, 횡 전계를 이용하는 경우는, 예를 들어 3계조 표시까지밖에 실시할 수 없다.According to the method of generating a lateral electric field in a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region) and shifting the liquid crystal molecules in the region from the reverse twist arrangement to the spray twist arrangement, the relationship of the expression (1) is not satisfied. Even if it is not, it is possible to obtain a halftone display. For this reason, the drive method which generates a lateral electric field in a part of liquid crystal layer 15 (pixel area), and makes the liquid crystal molecules of the area | region transition from the reverse twist arrangement state to the spray twist arrangement state is liquid crystal layer 15 (pixel). It can also be said that the driving method (display conversion method) is more versatile than the driving method in which a vertical electric field is generated in a part of the area) and the liquid crystal molecules in the area are shifted from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state. However, in the case of the electric modification using the longitudinal electric field, five gradation display can be performed, but when using a lateral electric field, only three gradation display can be performed, for example.

전술과 같이, 실시예에 의한 액정표시소자는, 액정분자의 배열상태가 리버스 트위스트 배열상태 및 스프레이 트위스트 배열상태의 쌍방에서 안정된, 메모리성을 가지는 액정표시소자이다. 쌍안정성을 이용해 디스플레이에 응용할 수 있고, 그 경우, 메모리성을 이용한 구동이 가능하다. 예를 들어 도트매트릭스(dot matrices) 표시를 실시하는 경우, 라인마다 표시의 고쳐쓰기를 실시하면 좋고, 흰색 표시를 하고 싶은 화소에는 횡 전계를 부가하고, 흑색표시를 하고 싶은 화소에는 종 전계를 부가한다. 또 중간조 표시를 실시하고 싶은 화소에는, 액정층(화소영역)의 일부에 종 전계 또는 횡 전계를 부가한다. 여러가지 구동방법을 생각할 수 있다. 이하, 제2의 실시예로서 XY전극을 사용한 매트릭스 표시를 실시하는 액정표시장치에 대해 설명한다.As described above, the liquid crystal display element according to the embodiment is a liquid crystal display element having memory characteristics in which the arrangement state of the liquid crystal molecules is stable in both the reverse twist arrangement state and the spray twist arrangement state. It can be applied to a display using bistable stability, and in that case, driving using memory characteristics is possible. For example, when performing dot matrices display, the display may be rewritten for each line, a lateral electric field is added to pixels to be displayed in white, and a vertical electric field is added to pixels to be displayed in black. do. In addition, a vertical electric field or a lateral electric field is added to a part of the liquid crystal layer (pixel area) to pixels to which halftone display is to be performed. Various driving methods can be considered. Hereinafter, the liquid crystal display device which performs matrix display using XY electrodes as a 2nd Example is demonstrated.

도 8a는, 제2의 실시예에 의한 액정표시장치를 나타내는 모식도이며, 도 8b는, 화소부(34)의 전극 구조를 나타내는 개략적인 평면도이다.FIG. 8A is a schematic diagram showing the liquid crystal display device according to the second embodiment, and FIG. 8B is a schematic plan view showing the electrode structure of the pixel portion 34.

제2의 실시예에 의한 액정표시장치는, 복수의 화소부(34)를 매트릭스 형상으로 배열하여 구성되는 단순 매트릭스형의 액정표시장치이며, 각 화소부(34)로서 제1의 실시예에 의한 액정표시소자와 같은 화소구성이 이용되어 있다. 구체적으로는, 제2의 실시예에 의한 액정표시장치는, X방향으로 뻗은 m개의 제어선 B1~Bm와, 이러한 제어선 B1~Bm에 대해서 제어신호를 주는 드라이버(31)와, 각각이 제어선 B1~Bm와 교차해 Y방향으로 뻗은 n개의 제어선 A1~An와, 이러한 제어선 A1~An에 대해서 제어신호를 주는 드라이버(32)와, 각각이 제어선 B1~Bm와 교차해 Y방향으로 뻗은 n개의 제어선 C1~Cn 및 D1~Dn와, 이러한 제어선 C1~Cn 및 D1~Dn에 대해서 제어신호를 주는 드라이버(33)와, 제어선 B1~Bm와 제어선 A1~An와의 각 교점 영역에 획정된 화소부(34)를 포함하여 구성된다.The liquid crystal display device according to the second embodiment is a simple matrix liquid crystal display device configured by arranging a plurality of pixel portions 34 in a matrix form, and each pixel portion 34 is a liquid crystal display device according to the first embodiment. The same pixel configuration as the liquid crystal display element is used. Specifically, the liquid crystal display device according to the second embodiment includes m control lines B1 to Bm extending in the X direction, a driver 31 which gives control signals to the control lines B1 to Bm, and each of which is controlled. N control lines A1 to An extending in the Y direction crossing the lines B1 to Bm, a driver 32 for giving control signals to the control lines A1 to An, and each of the control lines B1 to Bm crossing the Y direction. The driver 33 which gives a control signal to the n control lines C1 to Cn and D1 to Dn extending to the control lines C1 to Cn and D1 to Dn, and the angle between the control lines B1 to Bm and the control lines A1 to An. The pixel portion 34 is defined in the intersection region.

각 제어선 B1~Bm, A1~An, C1~Cn 및 D1~Dn는, 예를 들어 스트라이프 형상으로 형성된 ITO 등의 투명도전막으로부터 된다. 제어선 B1~Bm와 A1~An가 교차하는 부분이 상측베타전극(12a) 및 하측베타전극(12b)으로서 기능한다(도 8b참조). 또, 제어선 C1~Cn에 대해서는, 각 화소부(34)에 상당하는 영역에 설치된, 제1즐치전극(12c)의 즐치부분과 접속되어 있다. 마찬가지로 제어선 D1~Dn에 대해서는, 각 화소부(34)에 상당하는 영역에 설치된, 제2즐치전극(12d)의 즐치부분과 접속되어 있다.Each control line B1-Bm, A1-An, C1-Cn, and D1-Dn becomes from transparent conductive films, such as ITO formed in stripe shape, for example. The portion where the control lines B1 to Bm and A1 to An intersect serves as the upper beta electrode 12a and the lower beta electrode 12b (see Fig. 8B). The control lines C1 to Cn are connected to the blade portions of the first blade electrode 12c provided in the region corresponding to the pixel portions 34. Similarly, the control lines D1 to Dn are connected to the blade portions of the second blade electrodes 12d provided in the regions corresponding to the pixel portions 34.

제2의 실시예에 의한 액정표시장치의 구동방법의 일례로서 제어선 B1, B2, B3,··와 라인마다 표시 바꿔 쓰기를 실시하는 방법{선(線)순차구동법}에 대해 설명한다. 이 경우, 예를 들어 상대적으로 밝은 표시(흰색표시에 가깝게 되는 표시)로 하고 싶은 화소부(34)에는 횡 전계를 인가하고, 상대적으로 어두운 표시(흑색표시에 가깝게 되는 표시)로 하고 싶은 화소부(34)에는 종 전계를 인가한다.As an example of the driving method of the liquid crystal display device according to the second embodiment, a control line B1, B2, B3, ... and a method of performing display rewriting for each line (line sequential driving method) will be described. In this case, for example, the pixel portion 34 that is to be made relatively bright (the display closer to the white display) is applied to the pixel portion 34, and the pixel portion is desired to be relatively dark display (the display closer to the black display). At 34, a longitudinal electric field is applied.

일례로서 흑색표시 또는 흰색표시를 실시하는 경우는, 제어선 B1에는 배향 상태의 천이가 생기지 않는 정도의 구형파전압(예를 들어 1.5 V정도로 150 Hz)을 인가하고, 제어선 A1~An, C1~Cn 및 D1~Dn에는 그것과 동기(同期)하고, 혹은 반주기 어긋난, 역치(threshold value), 즉 반응을 일으키는 최소 물리량의 전압 정도의 구형파 전압(예를 들어 1.5 V정도로 150 Hz)을 인가한다.As an example, when black display or white display is performed, a square wave voltage (for example, 150 Hz at about 1.5 V) is applied to the control line B1, and control lines A1 to An and C1 to To Cn and D1 to Dn, a square wave voltage (e.g., 150 Hz at about 1.5 V) is applied to the threshold value, that is, the voltage of the minimum physical quantity that causes the reaction, which is synchronized with or half-cycle shifted.

상세하게는, 제어선 A1~An 가운데, 흑색표시로 하고 싶은 화소부(34)에 대응하는 제어선에는, 제어선 B1에 인가한 구형파 전압과 반주기 어긋난 구형파 전압을 인가한다. 이 때 제어선 C1~Cn 및 D1~Dn에는 전압을 인가하지 않는다. 그것에 의해, 화소부(34)에는 실효적으로 3.0 V정도의 전압이 인가되어 종 전계가 부가된다. 이 전압이 포화전압 이상이라고 하면, 액정층(15)에 배향상태의 천이(리버스 트위스트 배열상태로의 천이)를 일으키게 해 해당 화소부(34)의 광투과율을 변화시킬 수 있다.In detail, among the control lines A1 to An, a square wave voltage shifted by half a period from a square wave voltage applied to the control line B1 is applied to the control line corresponding to the pixel portion 34 to be displayed in black. At this time, no voltage is applied to the control lines C1 to Cn and D1 to Dn. As a result, a voltage of about 3.0 V is effectively applied to the pixel portion 34, and a vertical electric field is added thereto. If the voltage is equal to or higher than the saturation voltage, the liquid crystal layer 15 can cause the transition of the alignment state (transition to the reverse twist arrangement) to change the light transmittance of the pixel portion 34.

한편, 제어선 A1~An 가운데, 표시를 변화시킬 필요가 없는 화소부(34)에 대응하는 제어선에는, 제어선 B1에 인가되는 구형파 전압과 동기 한 구형파 전압을 인가한다. 이 때도 제어선 C1~Cn 및 D1~Dn에는 전압을 인가하지 않는다. 그것에 의해, 해당 화소부(34)에서는 실효적으로 전압이 인가되어 있지 않은 상태가 된다. 따라서, 액정층(15)에는 배향 상태의 천이가 생기지 않고, 광투과율이 변화하지 않는다.On the other hand, the square wave voltage synchronized with the square wave voltage applied to the control line B1 is applied to the control line corresponding to the pixel portion 34 which does not need to change the display among the control lines A1 to An. At this time, no voltage is applied to the control lines C1 to Cn and D1 to Dn. As a result, the pixel portion 34 is in a state in which no voltage is effectively applied. Therefore, the transition of the alignment state does not occur in the liquid crystal layer 15, and the light transmittance does not change.

또, 제어선 C1~Cn 및 D1~Dn 가운데, 흰색표시로 하고 싶은 화소부(34)에 대응하는 제어선에는, 제어선 B1에 인가한 구형파 전압과 반주기 어긋난 구형파 전압을 인가한다. 이 때 제어선 A1~An에는 전압을 인가하지 않는다. 그것에 의해, 화소부(34)에는 실효적으로 3.0 V정도의 전압이 인가되어 횡 전계가 부가된다. 이 전압이 포화 전압 이상이라고 하면, 액정층(15)에 배향 상태의 천이(스프레이 트위스트 배열상태로의 천이)를 일으키게 해 해당 화소부(34)의 광투과율을 변화시킬 수 있다.In addition, among the control lines C1 to Cn and D1 to Dn, a square wave voltage shifted by half a period from a square wave voltage applied to the control line B1 is applied to the control line corresponding to the pixel portion 34 to be displayed in white. At this time, no voltage is applied to the control lines A1 to An. As a result, a voltage of about 3.0 V is effectively applied to the pixel portion 34 to add a lateral electric field. If the voltage is equal to or higher than the saturation voltage, the liquid crystal layer 15 can cause the transition of the alignment state (transition to the spray twist arrangement state) to change the light transmittance of the pixel portion 34.

한편, 제어선 C1~Cn 및 D1~Dn 가운데, 표시를 변화시킬 필요가 없는 화소부(34)에 대응하는 제어선에는, 제어선 B1에 인가되는 구형파 전압과 동기 한 구형파 전압을 인가한다. 이 때도 제어선 A1~An에는 전압을 인가하지 않는다. 그것에 의해, 해당 화소부(34)에서는 실효적으로 전압이 인가되어 있지 않은 상태가 된다. 따라서 액정층(15)에는 배향 상태의 천이가 생기지 않고, 광투과율이 변화하지 않는다.On the other hand, among the control lines C1 to Cn and D1 to Dn, a square wave voltage synchronized with the square wave voltage applied to the control line B1 is applied to the control line corresponding to the pixel portion 34 which does not need to change the display. At this time, no voltage is applied to the control lines A1 to An. As a result, the pixel portion 34 is in a state in which no voltage is effectively applied. Therefore, the transition of the alignment state does not occur in the liquid crystal layer 15, and the light transmittance does not change.

또한, 그레이 표시(중간조 표시)를 실시하는 경우는, 일례로서 흑색표시를 실시하고 있는(리버스 트위스트 배열상태이다) 화소부(34)에 대해서, 제어선 B1에는 배향 상태의 천이가 생기지 않는 정도의 구형파 전압(예를 들어 1.5V정도로 150Hz)을 인가해, 제어선C1~Cn에는 그것과 동기 해, 혹은 반주기 어긋난 반응을 일으키는 역치전압 정도의 구형파 전압(예를 들어 1.5 V정도로 150 Hz)을 인가한다.In the case where gray display (midtone display) is performed, the degree of transition of the alignment state does not occur in the control line B1 with respect to the pixel portion 34 which is performing black display as an example (in reverse twist arrangement). Apply a square wave voltage of 150 Hz at 1.5 V, and apply a square wave voltage (for example 1.5 Hz at 150 V) to the control lines C1 to Cn in synchronization with it or causing a half-cycle shift reaction. Is authorized.

상세하게는, 제어선 C1~Cn 가운데, 그레이 표시로 하고 싶은 화소부(34)에 대응하는 제어선에는, 제어선 B1에 인가한 구형파 전압과 반주기 어긋난 구형파 전압을 인가한다. 이 때 제어선 A1~An 및 D1~Dn에는 전압을 인가하지 않는다. 그것에 의해, 화소부(34) 가운데, 제1즐치전극(12c)의 즐치부분 및 그 근방 상방의 액정분자에는 실효적으로 3.0V정도의 전압이 인가되어 횡 전계가 부가된다. 이 전압이 포화전압 이상이라고 하면, 해당 영역의 액정분자에 배열상태의 천이(스프레이 트위스트 배열상태로의 천이)를 일으키게 해 해당영역{화소부(34)의 약 반의 영역}의 광투과율을 변화시킬 수 있다.In detail, among the control lines C1 to Cn, a square wave voltage shifted by half a period from a square wave voltage applied to the control line B1 is applied to the control line corresponding to the pixel portion 34 to be displayed in gray. At this time, no voltage is applied to the control lines A1 to An and D1 to Dn. As a result, a voltage of about 3.0 V is effectively applied to the glacial portion of the first glazing electrode 12c and the liquid crystal molecules in the vicinity of the first glazing electrode 12c, thereby adding a lateral electric field. If the voltage is higher than the saturation voltage, the liquid crystal molecules in the corresponding region are caused to undergo an array transition (transition to the spray twist arrangement) to change the light transmittance of the region (about half of the pixel portion 34). Can be.

한편, 제어선 C1~Cn 가운데, 표시를 변화시킬 필요가 없는 화소부(34)에 대응하는 제어선에는, 제어선 B1에 인가되는 구형파전압과 동기한 구형파 전압을 인가한다. 이 때도 제어선 A1~An 및 D1~Dn에는 전압을 인가하지 않는다. 그것에 의해, 해당 화소부(34)에서는 실효적으로 전압이 인가되어 있지 않은 상태가 된다. 따라서 액정층(15)에는 배향 상태의 천이가 생기지 않고, 광투과율이 변화하지 않는다.On the other hand, the square wave voltage synchronized with the square wave voltage applied to the control line B1 is applied to the control line corresponding to the pixel portion 34 which does not need to change the display among the control lines C1 to Cn. At this time, no voltage is applied to the control lines A1 to An and D1 to Dn. As a result, the pixel portion 34 is in a state in which no voltage is effectively applied. Therefore, the transition of the alignment state does not occur in the liquid crystal layer 15, and the light transmittance does not change.

그리고, 제어선 B1와 제어선 C1~Cn에 동기하거나, 혹은 반주기 어긋난 전압을 인가하는 예를 나타냈지만, 제어선 B1와 제어선 D1~Dn에 동기하거나, 혹은 반주기 어긋난 전압을 인가해도 괜찮다.And although the example which applied the voltage which synchronized with the control line B1 and the control lines C1 to Cn, or shifted by half period was shown, you may apply the voltage which synchronizes with the control line B1 and the control lines D1 to Dn, or shifted by half period.

이상과 같은 구동을 제어선 B2, B3,··와 차례차례 실행해 나가는 것으로 도트매트릭스 표시가 가능해진다. 이러한 구동에 의해 바꿔쓰기 된 표시상태는 반영구적으로 보지하는 것이 가능하다. 이 표시를 바꿔 쓰려면 다시 제어선 B1로부터 상기의 제어를 실행하면 된다.By performing the above-described driving in sequence with the control lines B2, B3, ..., the dot matrix display can be performed. The display state overwritten by such driving can be held semipermanently. To rewrite this display, the above control can be executed again from the control line B1.

그리고 C1~Cn 혹은 D1~Dn의 전극 폭이나, 인가하는 전압의 주기를 바꾸는 것으로, 더욱 섬세한 중간조 표시도 가능하다.By changing the electrode width of C1 to Cn or D1 to Dn and the period of the voltage to be applied, more delicate halftone display is possible.

또한, 여기에서는 즐치전극의 전극폭이 균일한 경우에 대해 말했지만, 장소에 따라 전극폭이 차이가 나도 괜찮다. 전극폭이 균일한 경우, 얻을 수 있는 중간조 표시의 농담(濃淡)의 패턴에 의해 무아레(Moire) 모양이 보이는 일이 있지만, 그것을 저감 시키는 것이 가능하다.In this case, the case where the electrode width of the bladder electrode is uniform has been described, but the electrode width may be different depending on the place. If the electrode width is uniform, the moire pattern may be seen by the light and shade pattern of the halftone display that can be obtained, but it is possible to reduce it.

그리고 여기에서는 이른바 단순 매트릭스형의 액정표시장치의 예를 나타냈지만, TFT 등을 이용한 액티브 매트릭스형의 액정표시장치로 하는 것도 가능하다. 액티브 매트릭스형의 액정표시장치의 경우에는 제어선 B1 등의 라인마다 바꿔 쓸 필요가 없어지므로, 바꿔쓰기시간을 단축할 수 있다. 또, 역치에 대해서 예를 들어 2배 이상의 전압의 인가도 가능하게 되기 때문에, 더욱 고속으로 바꿔 쓰기가 가능해진다.Although an example of a so-called simple matrix liquid crystal display device is shown here, an active matrix liquid crystal display device using a TFT or the like can also be used. In the case of the active matrix liquid crystal display device, there is no need to rewrite each line such as the control line B1, so that the rewriting time can be shortened. In addition, since it is possible to apply, for example, a voltage twice or more with respect to the threshold value, it is possible to rewrite at a higher speed.

이하, 제3, 제4의 실시예로서 TFT를 이용한 액정표시소자에 대해 설명한다.Hereinafter, the liquid crystal display element using TFT as a 3rd, 4th Example is demonstrated.

도 9a 및 도 9b는, 각각 제3의 실시예에 의한 액정표시소자를 나타내는 개략적인 단면도 및 평면도이다. 도 9a는, 도 9b의 9A-9A선에 따르는 단면도이다. 도 9b는, 대략 1화소를 나타내고, X방향, Y방향에 따라서 같은 화소가 다수 형성되어 있다.9A and 9B are schematic sectional views and a plan view respectively showing a liquid crystal display device according to a third embodiment. 9A is a cross-sectional view taken along line 9A-9A in FIG. 9B. 9B shows approximately one pixel, and many of the same pixels are formed along the X and Y directions.

제3의 실시예에 의한 액정표시소자는, 서로 평행으로 대향 배치된 상측기판(10a), 하측기판(10b), 및 양 기판(10a, 10b)사이에 협지된 트위스트 네마틱 액정층(15)을 포함하여 구성된다.In the liquid crystal display device according to the third embodiment, the twisted nematic liquid crystal layer 15 sandwiched between the upper substrate 10a, the lower substrate 10b, and the both substrates 10a and 10b disposed in parallel to each other. It is configured to include.

상측기판(10a)은, 상측 투명기판(11a), 상측 투명기판(11a)상에 형성된 공통전극(상측베타전극)(12a), 및 공통전극(12a)상에 형성된 상측배향막(14a)을 포함한다. 하측기판(10b)은, 하측투명기판(11b), 하측투명기판(11b)상에 형성된 하측베타전극(12b), 코먼선(22), 주사선(23), 그것들을 덮도록 하측투명기판(11b)상에 형성된 절연막(13), 절연막(13)상에 형성된 슬릿전극(화소전극)(21), 반도체막(24), 소스전극(25), 드레인전극(26), 및, 그것들을 덮도록 절연막(13)상에 형성된 하측배향막(14b)을 포함한다.The upper substrate 10a includes an upper transparent substrate 11a, a common electrode (upper beta electrode) 12a formed on the upper transparent substrate 11a, and an upper alignment layer 14a formed on the common electrode 12a. do. The lower substrate 10b has a lower beta electrode 12b, a common line 22, a scanning line 23, and a lower transparent substrate 11b formed on the lower transparent substrate 11b and the lower transparent substrate 11b. On the insulating film 13, the slit electrode (pixel electrode) 21 formed on the insulating film 13, the semiconductor film 24, the source electrode 25, the drain electrode 26, and so as to cover them And a lower alignment film 14b formed on the insulating film 13.

상측, 하측 투명기판(11a, 11b)은, 서로 대향 배치되는 예를 들어 투명유리 기판이다. 투명한 플라스틱기판이어도 괜찮다. 상측, 하측 배향막(14a, 14b)사이에는, 예를 들어 다수의 스페이서(粒狀體)가 분산해서 배치되어 있고(도시하지 않음), 그러한 스페이서에 의해서 양 기판(11a, 11b)사이의 상호간격이 유지된다.The upper and lower transparent substrates 11a and 11b are, for example, transparent glass substrates disposed to face each other. It may be a transparent plastic substrate. Between the upper and lower alignment layers 14a and 14b, for example, a large number of spacers are arranged in a dispersed manner (not shown), and the mutual spacing between the substrates 11a and 11b is provided by such spacers. Is maintained.

하측베타전극(12b)은, 하측투명기판(11b)의 일면측에 설치되어 있다. 하측베타전극(12b)은, 도 9b에 나타내듯이 예를 들어 대략 구형상(矩形狀)으로 형성되어 있고, 또한 일부가 코먼선(common line)(22)과 전기적으로 접속되어 있다. 하측베타전극(12b)은, ITO 등의 투명도전막을 패터닝 하는 것에 의해서 얻을 수 있다.The lower beta electrode 12b is provided on one surface side of the lower transparent substrate 11b. The lower beta electrode 12b is formed in a substantially spherical shape, for example, as shown in FIG. 9B, and part of it is electrically connected to a common line 22. The lower beta electrode 12b can be obtained by patterning a transparent conductive film such as ITO.

코먼선(22)은, 하측투명기판(11b)의 일면 측에 설치되어 있고, 일방향(도 9b의 Y방향)으로 뻗는다. 코먼선(22)은 하측베타전극(12b)과 접속되어 있고, 코먼선(22)을 개입시켜, 도시하지 않는 전압공급수단으로부터 하측베타전극(12b)에 대해서 소정의 전위가 주어진다. 코먼선(22)은, 예를 들어 알루미늄과 몰리브덴의 적층막 등의 금속막으로 형성된다.The common line 22 is provided on one side of the lower transparent substrate 11b and extends in one direction (Y direction in Fig. 9B). The common line 22 is connected to the lower beta electrode 12b, and a predetermined potential is given to the lower beta electrode 12b from a voltage supply means (not shown) via the common line 22. The common line 22 is formed of a metal film such as a laminated film of aluminum and molybdenum, for example.

주사선(23)은, 하측투명기판(11b)의 일면 측에 설치되어 있고, 일방향(도 9b의 Y방향)으로 뻗는다. 도 9b에 나타난 바와 같이, 이 실시예의 주사선(23)은, 코먼선(22)과의 사이에 하측베타전극(12b)을 사이에 두어 배치되어 있다. 주사선(23)은, 예를 들어 알루미늄과 몰리브덴의 적층막 등의 금속막으로 형성된다.The scanning line 23 is provided on one surface side of the lower transparent substrate 11b and extends in one direction (Y direction in FIG. 9B). As shown in FIG. 9B, the scanning line 23 of this embodiment is arranged with the lower beta electrode 12b interposed between the common line 22. As shown in FIG. The scanning line 23 is formed of a metal film such as a laminated film of aluminum and molybdenum, for example.

절연막(13)은, 하측투명기판(11b)의 일면 측에, 하측베타전극(12b), 코먼선(22), 및 주사선(23)을 덮게 설치되어 있다. 절연막(13)으로서는, 예를 들어 질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 혹은 이들의 적층막이 이용된다.The insulating film 13 is provided on one surface side of the lower transparent substrate 11b so as to cover the lower beta electrode 12b, the common line 22, and the scanning line 23. As the insulating film 13, for example, a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a laminated film thereof is used.

반도체막(24)은, 절연막(13) 위에, 주사선(23)과 중첩 하는 소정위치에 설치되어 있다. 반도체막(24)은, 도 9b에 나타나 있는 바와 같이, 섬(島)형상으로 패터닝 되어 있다. 반도체막(24)으로서는, 예를 들어 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막을 이용할 수 있다. 주사선(23)의 반도체막(24)로 겹치는 부분은, TFT의 게이트 전극으로서 기능한다. 또, 절연막(13)의 반도체막(24)과 겹치는 부분은, TFT의 게이트 절연막으로서 기능한다.The semiconductor film 24 is provided on the insulating film 13 at a predetermined position overlapping the scan line 23. The semiconductor film 24 is patterned in an island shape, as shown in FIG. 9B. As the semiconductor film 24, an amorphous silicon film can be used, for example. The portion overlapping with the semiconductor film 24 of the scanning line 23 functions as a gate electrode of the TFT. The portion overlapping with the semiconductor film 24 of the insulating film 13 functions as a gate insulating film of the TFT.

소스전극(25)은, 절연막(13)상의 소정위치에 설치되어 있고, 일부가 반도체막(24)과 접속되어 있다. 이 실시예의 소스전극(25)은, 도 9b에 나타나 있는 바와 같이, 신호선(27)과 일체로 형성되어 있다. 소스전극(25) 및 신호선(27)은, 예를 들어 알루미늄과 몰리브덴의 적층막 등의 금속막으로 형성된다.The source electrode 25 is provided at a predetermined position on the insulating film 13, and part of the source electrode 25 is connected to the semiconductor film 24. The source electrode 25 of this embodiment is formed integrally with the signal line 27, as shown in Fig. 9B. The source electrode 25 and the signal line 27 are formed of a metal film such as a laminated film of aluminum and molybdenum, for example.

드레인 전극(26)은, 절연막(13)상의 소정 위치에 설치되어 있고, 일부가 반도체막(24)과 접속되어 있다. 드레인 전극(26)은, 예를 들어 알루미늄과 몰리브덴의 적층막 등의 금속막으로 형성된다.The drain electrode 26 is provided at a predetermined position on the insulating film 13, and part of the drain electrode 26 is connected to the semiconductor film 24. The drain electrode 26 is formed of a metal film such as a laminated film of aluminum and molybdenum, for example.

슬릿 전극(21)은, 절연막(13)위의, 적어도 일부가 하측베타전극(12b)과 중첩 하는 소정위치에 설치되어 있다. 슬릿 전극(21)은, 도 9b에 나타나 있는 바와 같이, 예를 들어 복수의 구형상 슬릿(개구부)(21a)을 가진다. 슬릿 전극(21)은, ITO 등의 투명도전막을 패터닝하는 것에 의해서 얻을 수 있다. 제3의 실시예에 있어서는, 슬릿 전극(21)의 사이즈를, 각 슬릿(21a)의 사이에 존재하는 직선부의 폭(전극폭, 도 9b의 X방향의 길이)이 20μm, 각 슬릿(21a)의 폭(도 9b의 X방향에 있어서의 길이)이 20μm가 되도록 설정했다. 그리고 사이즈는 이것에 제한되지 않는다. 예를 들어 슬릿(21a)의 폭을 s로 했을 때, 전술의 식(1)을 충족시키도록 설정하는 것이 가능하다. 슬릿 전극(21)은, 드레인 전극(26)과 접속되어 있다. 슬릿 전극(21)과 하측베타전극(12b)의 사이에 전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)에 횡 전계를 줄 수 있다.The slit electrode 21 is provided at a predetermined position on the insulating film 13 at least partially overlapping the lower beta electrode 12b. As shown in FIG. 9B, the slit electrode 21 has a plurality of spherical slits (openings) 21a. The slit electrode 21 can be obtained by patterning transparent conductive films, such as ITO. In the third embodiment, the size of the slit electrode 21 is 20 μm in width (electrode width, length in the X direction of FIG. 9B) between the slits 21a, and each slit 21a. The width (length in the X direction of FIG. 9B) was set to be 20 μm. And the size is not limited to this. For example, when the width of the slit 21a is set to s, it is possible to set so as to satisfy the above expression (1). The slit electrode 21 is connected with the drain electrode 26. By applying a voltage between the slit electrode 21 and the lower beta electrode 12b, a transverse electric field can be applied to the liquid crystal layer 15.

하측배향막(14b)은, 하측투명기판(11b)의 일면측의, 절연막(13)상에, 반도체막(24), 소스 전극(25), 드레인 전극(26), 및 슬릿 전극(21)을 덮도록 설치되어 있다.The lower alignment layer 14b includes the semiconductor film 24, the source electrode 25, the drain electrode 26, and the slit electrode 21 on the insulating film 13 on one side of the lower transparent substrate 11b. It is installed to cover.

마찬가지로, 상측배향막(14a)은, 상측투명기판(11a)의 일면 측에 공통전극(12a)을 덮도록 설치되어 있다. 상측 및 하측 배향막(14a, 14b)의 각각에 대해서는, 예를 들어 러빙에 의해 1축 배향처리가 행해져 있다. 배향막(14a, 14b)으로서는, 비교적 높은 프레틸트각(20˚이상, 바람직하기로는 35˚± 10˚정도)을 발현시키는 것이 이용된다. 상측배향막(14a)의 배향처리의 방향 RU와 하측배향막(14b)의 배향처리의 방향 RL는, 액정층(15)의 액정분자의 배열상태가 리버스 트위스트 배열상태일 때의, 액정층(15)의 두께방향의 중앙에 위치하는 액정분자의 배향방향 D가, 하측베타전극(12b)과 슬릿 전극(21)의 사이에 전압을 인가했을 때 발생하는 횡 전계 방향 E{슬릿(21a)의 배열 방향과 평행한 방향}와 대략 직교하도록 설정되어 있다(도 9b참조).Similarly, the upper alignment film 14a is provided to cover the common electrode 12a on one side of the upper transparent substrate 11a. For each of the upper and lower alignment films 14a and 14b, for example, uniaxial alignment treatment is performed by rubbing. As the alignment films 14a and 14b, those which express relatively high pretilt angles (20 degrees or more, preferably about 35 degrees ± 10 degrees) are used. The direction R U of the alignment treatment of the upper alignment film 14a and the direction R L of the alignment treatment of the lower alignment film 14b are obtained when the arrangement state of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 is in a reverse twisted arrangement state. The orientation direction D of the liquid crystal molecules located at the center of the thickness direction of 15) occurs when the voltage is applied between the lower beta electrode 12b and the slit electrode 21 in the transverse electric field direction E (slit 21a). It is set to be substantially orthogonal to the direction parallel to the arrangement direction} (see Fig. 9B).

공통 전극(12a)은, 상측투명기판(11a)의 일면 측에 설치되어 있다. 공통 전극(12a)은, 적어도 일부가, 하측베타전극(12b) 및 슬릿 전극(21)과 중첩 하도록 형성되어 있다. 공통 전극(12a)은, ITO 등의 투명도전막을 패터닝하는 것에 의해서 얻을 수 있다. 공통 전극(12a)과 하측베타전극(12b)의 사이에 전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)(화소영역)에 대해서 종 전계를 줄 수 있다. 또, 공통전극(12a)과 슬릿전극(21)의 사이에 전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)(화소영역)의 일부{슬릿(21a) 윗쪽을 제외한, 슬릿 전극(21) 윗쪽의 액정층(15)}에 종 전계를 부가할 수 있다.The common electrode 12a is provided on one surface side of the upper transparent substrate 11a. At least a portion of the common electrode 12a is formed to overlap the lower beta electrode 12b and the slit electrode 21. The common electrode 12a can be obtained by patterning a transparent conductive film such as ITO. By applying a voltage between the common electrode 12a and the lower beta electrode 12b, a vertical electric field can be applied to the liquid crystal layer 15 (pixel region). In addition, by applying a voltage between the common electrode 12a and the slit electrode 21, a part of the liquid crystal layer 15 (pixel region) (except the upper side of the slit 21a), which is above the slit electrode 21 The seed electric field can be added to the liquid crystal layer 15}.

액정층(15)은, 상측기판(10a)과 하측기판(10b)의 사이에 배치되고, 예를 들어 유전율이방성Δε이 정(正)인 네마틱 액정재료를 이용해 구성되어 있다. 도 9a의 액정층(15)에 도시한 굵은 선은, 액정층(15)내의 액정분자를 모식적으로 나타낸 것이다. 전압무인가시에 있어서의 액정분자는, 상측기판(10a), 하측기판(10b)의 각 기판 면에 대해서 소정의 프레틸트각을 갖고 배향한다. 또, 상측배향막(14a)과 하측배향막(14b)의 각각의 배향 처리의 방향 RU, RL(도 9b참조)가 이루는 각도가, 예를 들어 90˚전후로 설정되는 것으로, 전압 무인가시에 있어서의 액정층(15)의 액정분자는 상측기판(10a)과 하측기판(10b)의 사이에 방위각 방향으로 비틀려 배향한다. 또 액정층(15)에는, 카이럴제가 첨가되어 있다.The liquid crystal layer 15 is disposed between the upper substrate 10a and the lower substrate 10b, and is composed of, for example, a nematic liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy Δε. The thick line shown to the liquid crystal layer 15 of FIG. 9A shows the liquid crystal molecule in the liquid crystal layer 15 typically. When no voltage is applied, the liquid crystal molecules are aligned with a predetermined pretilt angle with respect to the substrate surfaces of the upper substrate 10a and the lower substrate 10b. Moreover, the angle which the direction RU , RL (refer FIG. 9B) of each orientation process of the upper orientation film 14a and the lower orientation film 14b sets is set before and after 90 degrees, for example, when voltage is not applied. The liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 of the liquid crystal layer 15 are twisted and aligned in the azimuth direction between the upper substrate 10a and the lower substrate 10b. In addition, chiral agent is added to the liquid crystal layer 15.

신호선(27)은, 절연막(13)의 일면 측에 설치되어 있고, 코먼선(22) 및 주사선(23)이 뻗는 방향과 대략 직교하는 일방향(도 9b의 X방향)으로 뻗는다.The signal line 27 is provided on one surface side of the insulating film 13 and extends in one direction (X direction in FIG. 9B) which is substantially orthogonal to the direction in which the common line 22 and the scan line 23 extend.

상측 편광판(16a)은, 상측기판(10a)의 외측에 배치되어 있다. 또, 하측 편광판(16b)은, 하측기판(10b)의 외측에 배치되어 있다. 제3의 실시예에 의한 액정표시소자의 표시는, 상측 편광판(16a)측으로부터 이용자에게 시인(視認)된다. 상측 및 하측 편광판(16a, 16b)은, 예를 들어 크로스 니콜로 배치된다.The upper polarizing plate 16a is disposed outside the upper substrate 10a. In addition, the lower polarizing plate 16b is disposed outside the lower substrate 10b. The display of the liquid crystal display element according to the third embodiment is visually recognized by the user from the upper polarizing plate 16a side. The upper and lower polarizing plates 16a and 16b are arranged in cross nicol, for example.

 제3의 실시예에 의한 액정표시소자도, 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자이다. 제3의 실시예에 있어서도, 상측 및 하측 기판(10a, 10b)의 배향 처리 방향과 프레틸트각의 편성으로 규정되는 액정층(15)의 액정분자의 배열상태는, 제1선회방향으로 비틀리는 리버스 트위스트 배열이다. 카이럴제의 영향력의 아래에서 생기는 액정분자의 배열상태는, 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로 비틀리는 스프레이 트위스트 배열이다. 액정층(15)에 종 전계를 부가하는 것으로, 부가된 영역의 액정층(15)의 액정분자를 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이시킬 수 있다. 또, 액정층(15)에 횡 전계를 부가하는 것으로, 부가된 영역의 액정층(15)의 액정분자를 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시킬 수 있다.The liquid crystal display device according to the third embodiment is also a reverse twisted nematic liquid crystal display device. Also in the third embodiment, the arrangement state of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 defined by the combination of the alignment processing directions and the pretilt angles of the upper and lower substrates 10a and 10b is twisted in the first turning direction. Reverse twisted array. The arrangement state of the liquid crystal molecules under the influence of the chiral agent is a spray twist arrangement twisted in a second turning direction opposite to the first turning direction. By adding a seed electric field to the liquid crystal layer 15, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 in the added region can be transferred from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state. In addition, by adding a lateral electric field to the liquid crystal layer 15, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 in the added region can be transferred from the reverse twist arrangement to the spray twist arrangement.

도 10a~도 10g, 및, 도 11a~도 11d는, 제3의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.10A to 10G and FIGS. 11A to 11D are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a third embodiment.

상측투명기판(11a), 하측투명기판(11b)으로서 이용하는 유리기판을 준비한다. 예를 들어 두께가 0.7 mm의 무알칼리 유리로부터 되는 유리기판을 사용할 수 있다.A glass substrate used as the upper transparent substrate 11a and the lower transparent substrate 11b is prepared. For example, a glass substrate made of an alkali free glass having a thickness of 0.7 mm can be used.

도 10a를 참조한다. 하측투명기판(11b)용의 유리기판의 일면상에 코먼선(22)및 주사선(23)을 형성한다. 예를 들어 스팩터법 등의 성막법에 의해, 하측투명기판(11b)상에 알루미늄막을 형성하고, 그리고 그 위에 몰리브덴막을 형성한다. 그 후, 알루미늄막 및 몰리브덴막의 적층막을, 드라이 에칭법 등에 의해서 패터닝한다.10A. The common line 22 and the scanning line 23 are formed on one surface of the glass substrate for the lower transparent substrate 11b. For example, an aluminum film is formed on the lower transparent substrate 11b by a film forming method such as a sputtering method, and a molybdenum film is formed thereon. Thereafter, the laminated film of the aluminum film and the molybdenum film is patterned by a dry etching method or the like.

도 10b를 참조한다. 하측투명기판(11b)의 일면측의 소정위치에 하측베타전극(12b)을 형성한다. 구체적으로는, 스팩터법 등의 성막법에 의해, 하측투명기판(11b)상에 ITO막을 성막하고, 이 ITO막을 습식 엣칭법 등에 의해서 패터닝한다.See FIG. 10B. The lower beta electrode 12b is formed at a predetermined position on one side of the lower transparent substrate 11b. Specifically, an ITO film is formed on the lower transparent substrate 11b by a film forming method such as a sputtering method, and the ITO film is patterned by a wet etching method or the like.

도 10c를 참조한다. 하측투명기판(11b)의 일면 측에, 하측베타전극(12b), 코먼선(22), 및 주사선(23)을 덮도록 하여 절연막(13)을 형성한다. 예를 들어 스팩터법이나 플라스마 CVD법 등의 성막법에 의해서, 질화 실리콘막을 형성한다.See FIG. 10C. The insulating film 13 is formed on one surface of the lower transparent substrate 11b so as to cover the lower beta electrode 12b, the common line 22, and the scan line 23. As shown in FIG. For example, a silicon nitride film is formed by a film forming method such as a sputtering method or a plasma CVD method.

도 10d를 참조한다. 절연막(13)상의 소정 위치에 반도체막(24)을 형성한다. 플라스마 CVD법 등의 성막법에 의해서, 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막을 절연막(13)상에 형성하고, 이 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막을 드라이 에칭법 등에 의해서 섬 형상으로 패터닝 한다.See FIG. 10D. The semiconductor film 24 is formed at a predetermined position on the insulating film 13. An amorphous silicon film is formed on the insulating film 13 by a film deposition method such as plasma CVD method, and the amorphous silicon film is patterned into an island shape by a dry etching method or the like.

 도 10e를 참조한다. 절연막(13)상의 소정 위치에 소스 전극(25), 드레인 전극(26), 및 신호선(27)을 형성한다. 예를 들어, 스팩터법 등의 성막법에 의해, 절연막(13)상 및 반도체막(24)상에, 몰리브덴막/알루미늄막/몰리브덴막의 적층막을 형성하고, 이 적층막을 드라이 에칭법등에 의해서 패터닝 한다.See FIG. 10E. The source electrode 25, the drain electrode 26, and the signal line 27 are formed at predetermined positions on the insulating film 13. For example, a laminated film of molybdenum film / aluminum film / molybdenum film is formed on the insulating film 13 and the semiconductor film 24 by a film forming method such as a sputtering method, and the laminated film is patterned by a dry etching method or the like. do.

도 10f를 참조한다. 절연막(13)상의 소정 위치에, 슬릿 전극(21)을 형성한다. 스팩터법 등의 성막법에 의해 절연막(13)상에 ITO막을 형성하고, 이 ITO막을 습식 엣칭법 등에 의해서 패터닝 한다. 그리고 추가로 절연막(13)상에 파시베이션막을 설치해도 좋다.See FIG. 10F. The slit electrode 21 is formed in a predetermined position on the insulating film 13. An ITO film is formed on the insulating film 13 by a film forming method such as a sputtering method, and the ITO film is patterned by a wet etching method or the like. Further, a passivation film may be provided on the insulating film 13.

도 10g를 참조한다. 한편, 상측투명기판(11a)용 유리기판상에, 공통전극(12a)을 형성한다. 구체적으로는, 스팩터법 등의 성막법에 의해, 상측투명기판(11a)상의 일면 전체에 걸쳐서 ITO막을 형성한다. 실제의 제조 공정에 대해서는, 기판 전면에 공통 전극(12a)이 존재했을 경우에는, 메인 씰부에 의한 쇼트나, 스크라이브로부터 브레이킹시의 막박리 등을 일으킬 가능성이 있기 때문에, 스패터링시에 메탈 마스크 등에서 외부주변을 차폐하는 것이 바람직하다.See FIG. 10G. On the other hand, the common electrode 12a is formed on the glass substrate for the upper transparent substrate 11a. Specifically, an ITO film is formed over the entire surface of the upper transparent substrate 11a by a film forming method such as a sputtering method. In the actual manufacturing process, when the common electrode 12a is present on the entire surface of the substrate, there is a possibility of shorting due to the main seal portion, film peeling during breaking from scribing, etc. It is desirable to shield the outer periphery.

이하, 제1의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조 방법과 같은 방법으로, 제3의 실시예에 의한 액정표시소자를 제조할 수 있다. 다만, 액정재료, 배향막 재료 등은, TFT 구동에 적절한 재료를 사용하는 것이 바람직하다.Hereinafter, the liquid crystal display device according to the third embodiment can be manufactured by the same method as the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the first embodiment. However, it is preferable to use a material suitable for driving a TFT as the liquid crystal material, the alignment film material and the like.

도 11a를 참조한다. 하측투명기판(11b)상의 절연막(13)상에, 하측배향막(14b)을 형성한다.See FIG. 11A. The lower alignment film 14b is formed on the insulating film 13 on the lower transparent substrate 11b.

또, 도 11b에 나타나 있는 바와 같이, 상측투명기판(11a)상의 공통전극(12a)상에, 상측 배향막(14a)을 형성한다.11B, the upper alignment film 14a is formed on the common electrode 12a on the upper transparent substrate 11a.

전극 등이 형성된 상측, 하측 투명 기판(11a, 11b)을 세정한다. 세정은, 예를 들어 수세, 일례로서 순수한 물 세정을 실시한다. 세제는 사용하지 않는 것이 바람직하다. 브러쉬 세정, 스프레이 세정 등으로 할 수 있다. 탈수 후, UV세정을 하고, IR건조를 실시한다. 대기압 플라스마 세정을 하여도 좋다.The upper and lower transparent substrates 11a and 11b on which electrodes and the like are formed are washed. The washing is, for example, washing with water, for example, pure water washing. It is preferable not to use a detergent. Brush cleaning, spray cleaning, etc. can be performed. After dehydration, UV cleaning and IR drying are performed. Atmospheric plasma cleaning may be performed.

배향막(14a, 14b)의 형성에서는, 전압 보지율이 높은 배향막을 선택하고, 구체적으로는, 통상은 수직 배향막으로서 이용되는 재료의 측쇄밀도를 낮게 한 폴리이미드막을 이용했다. 후레키소 인쇄, 잉크젯 인쇄, 스핀 코트 등의 적절한 방법, 여기에서는 스핀 코트법으로, 배향막재료를 상측, 하측 투명기판(11a, 11b) 윗쪽에, 각각 적당한 막두께, 예를 들어 500Å~800Å정도의 두께로 도포하고, 열처리(예를 들어 클린 오븐에서, 160℃~180℃에서 1시간의 소성)를 실시했다. 그 후, 상측, 하측 배향막(14a, 14b)의 각각에 대해서 배향처리, 예를 들어 압입량을 0.8mm로 하여 러빙처리를 실시했다. 러빙방향은, 예를 들어 상측투명기판(11a)과 하측투명기판(11b)을 중합했을 때에, 각 기판(11a, 11b)상의 액정분자의 트위스트각이 약어 90˚이 되도록 설정했다.In the formation of the alignment films 14a and 14b, an alignment film having a high voltage retention was selected, and specifically, a polyimide film in which the side chain density of the material used as the vertical alignment film was lowered was used. Appropriate methods such as Frekiso printing, inkjet printing, spin coating, and spin coating method, the alignment film material of the upper and lower transparent substrates (11a, 11b), respectively, a suitable film thickness, for example of about 500 ~ 800Å It applied in thickness and heat-processed (for example, baking for 1 hour at 160 degreeC-180 degreeC in clean oven). Thereafter, rubbing treatment was performed with respect to each of the upper and lower alignment films 14a and 14b with an orientation treatment, for example, a press-fit amount of 0.8 mm. The rubbing direction was set such that the twist angles of the liquid crystal molecules on the respective substrates 11a and 11b were abbreviated 90 ° when the upper transparent substrate 11a and the lower transparent substrate 11b were polymerized, for example.

러빙처리 후에는, 기판(11a, 11b)의 세정을 실시해도 괜찮지만, 여기에서는 실시하지 않았다.After the rubbing treatment, the substrates 11a and 11b may be cleaned, but not here.

이렇게 하여 상측기판(10a) 및 하측기판(10b)이 제작되었다.In this way, the upper substrate 10a and the lower substrate 10b were produced.

도 11c를 참조한다. 계속해서, 액정 셀의 두께를 일정하게 유지하기 위해, 기판(10a, 10b)의 한쪽 면상에 갭 컨트롤재를 예를 들어 건식 산포법(散布法)으로 산포했다. 갭 컨트롤재에는 입경4μm의 플라스틱 볼을 사용하여, 액정 셀의 두께가 4μm가 되도록 했다. 갭 컨트롤은, 이와 같이 갭 컨트롤재를 기판면에 산포해도 괜찮고, 리브 패턴을 예를 들어 상측기판(10a)에 형성하고, 그것에 의해 소정의 셀두께를 유지해도 괜찮다.See FIG. 11C. Subsequently, in order to keep the thickness of a liquid crystal cell constant, the gap control material was spread | dispersed on the one surface of the board | substrate 10a, 10b by the dry-spray method, for example. A plastic ball having a particle size of 4 μm was used for the gap control material, so that the thickness of the liquid crystal cell was 4 μm. In the gap control, the gap control material may be scattered on the substrate surface in this manner, or a rib pattern may be formed on the upper substrate 10a, for example, to maintain a predetermined cell thickness.

기판(10a, 10b)의 한쪽 면상에는 씰재를 인쇄하고, 메인 씰 패턴을 형성했다. 예를 들어 입경 4μm의 유리 섬유를 포함한 열경화성의 씰재를, 스크린 인쇄법으로 인쇄한다. 디스팬서를 이용해 씰재를 도포할 수도 있다. 또, 열경화성이 아니고, 광경화성의 씰재나, 광·열병용 경화형의 씰재를 사용해도 괜찮다.The sealing material was printed on one surface of the board | substrate 10a, 10b, and the main seal pattern was formed. For example, a thermosetting seal material containing glass fibers having a particle size of 4 µm is printed by screen printing. The sealant may also be applied using a dispenser. Moreover, you may use not only thermosetting but a photocurable sealing material and the hardening type sealing material for light and heat.

기판(10a, 10b)을 겹쳐 맞추었다. 기판(10a, 10b)을 소정의 위치에서 겹치게 맞추어 셀화하고, 프레스 한 상태로 열처리를 실시하여 씰재를 경화시켰다. 예를 들어 핫 프레스법을 이용해 씰재의 열경화를 실시한다. 이렇게 하여 공(空)셀이 제작되었다.The board | substrates 10a and 10b were overlapped. The board | substrate 10a, 10b was overlapped in predetermined position, it was cellized, heat-processed in the pressed state, and the sealing material was hardened. For example, the thermosetting of a sealing material is performed using the hot press method. In this way, an empty cell was produced.

도 11d를 참조한다. 예를 들어 진공 주입법으로 공 셀에 액정재료를 주입한다. ODF방식을 이용해도 괜찮다. 여기에서는 진공주입법을 사용했다. 액정재료는, 네마틱 타입으로 유전율이방성이 정(正), 그리고 전압보지율이 높은 재료가 바람직하다. 예를 들어 일반적으로 TFT로 구동하는 트위스티드 네마틱크타입의 액정표시소자에 이용되는 액정재료이면, 특별한 제약은 없다.See FIG. 11D. For example, a liquid crystal material is injected into the empty cell by a vacuum injection method. You can also use the ODF method. The vacuum injection method was used here. As the liquid crystal material, a material having a high dielectric constant anisotropy and a high voltage retention is preferable. For example, there is no particular limitation as long as it is a liquid crystal material generally used for a twisted nematic liquid crystal display element driven by a TFT.

액정재료 중에는 카이럴제를 첨가했다. 카이럴제에는 일례로서 (주) 멜크제의 R-811를 사용하고, d/p가 0.16이 되도록 첨가했다.Chiral agent was added to the liquid crystal material. As an example, R-811 manufactured by Melk Co., Ltd. was used as the chiral agent so as to have a d / p of 0.16.

액정 주입 후에, 프레스하면서 엔드 씰 처리를 실시했다. 셀을 고온{액정의 상(相)전이온도 이상의 온도}으로 열처리하고, 액정분자의 배향 상태를 정리했다.After liquid crystal injection, the end sealing process was performed, pressing. The cell was heat-treated at high temperature (temperature above the phase transition temperature of the liquid crystal) to arrange the alignment state of the liquid crystal molecules.

마지막으로, 2매의 투명기판(11a, 11b)의 액정층(15)과 반대측 면에, 편광판(16a, 16b)를 붙였다. 2매의 편광판(16a, 16b)은 크로스 니콜로, 그리고 투과축의 방향과 러빙방향이 평행이 되도록 배치했다. 직교 하도록 배치할 수도 있다.Finally, the polarizing plates 16a and 16b were attached to the surface opposite to the liquid crystal layer 15 of the two transparent substrates 11a and 11b. Two polarizing plates 16a and 16b were arrange | positioned so that the cross nicol and the direction of a transmission axis and a rubbing direction might become parallel. It can also be arranged to be orthogonal.

이렇게 하여 제3의 실시예에 의한 액정표시소자가 제작되었다.Thus, the liquid crystal display device according to the third embodiment was produced.

본 발명의 발명자들은, 제3의 실시예에 의한 액정표시소자의 표시를 확인했다.The inventors of the present invention confirmed the display of the liquid crystal display device according to the third embodiment.

도 12a는, 제3의 실시예에 의한 액정표시소자 완성 후(초기 상태)의 화소영역을 나타내는 사진이다. 전체 면이 스프레이 트위스트 배열상태이며, 밝은 흰색 표시가 얻어지고 있다.12A is a photograph showing a pixel region after completion (initial state) of the liquid crystal display element according to the third embodiment. The whole surface is in a spray twist arrangement, and a bright white mark is obtained.

도 12b는, 공통전극(12a)과 하측베타전극(12b)의 사이에 전압을 인가하고, 액정층(15)에 종 전계를 부가한 후의 화소영역을 나타내는 사진이다. 여기에서는 10V, 100Hz의 교류전압(구형파)을 1초정도 인가했다. 전체 면이 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이하고, 어두운 흑색표시가 얻어지고 있다.12B is a photograph showing a pixel region after a voltage is applied between the common electrode 12a and the lower beta electrode 12b and a vertical electric field is added to the liquid crystal layer 15. Here, an AC voltage (square wave) of 10 V and 100 Hz was applied for about 1 second. The entire surface transitions from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state, and a dark black display is obtained.

예를 들어 도 9b에 나타내는 구성에 대해서는, 화소마다 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이시키도록 전압을 제어할 수 없기 때문에, 흰색표시로부터 흑색표시로의 변환은, 적어도 주사선(22)의 라인마다 실시한다. 통상은 전체라인(전체면) 변환이 바람직할 것이다.For example, in the configuration shown in Fig. 9B, since the voltage cannot be controlled to transition from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state for each pixel, the conversion from the white display to the black display is performed by at least the scanning line 22. Do this line by line. Usually full line (full surface) conversion would be preferred.

다음에, 개개의 화소(TFT)에 전압을 인가하고, 액정층(15)에 횡 전계를 발생시켰다. 구체적으로는, 주사선(23)(게이트 라인)과 신호선(27)(소스 라인)에 전압을 인가하고, 하측베타전극(12b)과의 사이에 전위차를 주는 것으로, 액정층(15)에 횡 전계를 부가했다. 게이트 전압으로서 10V의 펄스파, 소스전압으로서± 10 V를 프레임마다 반전시킨 전압을 더했다. 이 결과, 도 12a에 나타내는 사진과 같은 흰색 표시를 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 횡 전계의 부가에 의해, 액정분자는 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이한다. 흑색표시로부터 흰색표시로 전환하는데, 전압의 인가 시간은 1초정도로 충분하다. 그리고 전압의 인가를 정지한 직후는, 슬릿 전극(21)상에 흑색표시 상태(리버스 트위스트 배열상태)가 점 형상으로 잔존하고 있었지만, 3초~4초 후에는 슬릿전극(21) 위는 모두 흰색 표시상태(스프레이 트위스트 배열상태)가 되었다. Next, a voltage was applied to each pixel TFT to generate a lateral electric field in the liquid crystal layer 15. Specifically, a voltage is applied to the scan line 23 (gate line) and the signal line 27 (source line), and a potential difference is provided between the lower beta electrode 12b, so that the transverse electric field is applied to the liquid crystal layer 15. Added. The pulse wave of 10V as a gate voltage and the voltage which inverted +/- 10V as a source voltage for each frame were added. As a result, it was confirmed that a white display such as the photograph shown in FIG. 12A can be obtained. By the addition of the transverse electric field, the liquid crystal molecules transition from the reverse twist arrangement to the spray twist arrangement. In order to switch from black display to white display, the voltage application time is enough for about 1 second. Immediately after the application of the voltage was stopped, the black display state (reverse twist arrangement state) remained on the slit electrode 21 in the form of dots, but after 3 to 4 seconds, all of the slit electrode 21 was white. The display state (spray twist arrangement state) is entered.

흑색표시로부터 흰색표시로의 변환은, 전압을 인가하는 주사선(23)과 신호선(27)을 선택하는 것으로, 화소마다 제어 가능하기 때문에, TFT에 가하는 파형에 의해서 여러 가지 표시를 실현할 수 있다.The conversion from black display to white display is performed by selecting the scan line 23 and the signal line 27 to which voltage is applied, and can be controlled for each pixel. Therefore, various displays can be realized by waveforms applied to the TFTs.

계속 해서 그레이 표시(중간조 표시)를 실시했다. 액정층(15)의 액정분자가 스프레이 트위스트 배열인 상태에서, TFT를 통해서 드레인 전극(26)과 공통 전극(12a) 사이에 전압을 인가했다. 여기에서는 그레이 표시를 실시하고자 하는 화소가 있는 신호선(27)(소스 라인)에 10V, 100Hz의 교류전압(구형파)을 인가하고, 거기에 동기시켜 게이트 전압을 인가했다. 이것에 의해, 액정층(15)의 일부{슬릿(21a) 상방을 제외한, 슬릿 전극(21) 상방의 액정층(15)}에 종 전계가 부가되어 그 위치에 있는 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태로 천이했다. 그 후, 부분적으로 리버스 트위스트 배열상태가 된 화소의 어느 신호선(27)(소스라인)에 0V를 인가하고, 거기에 동기시켜 게이트전압을 인가했다. 이와 같이 해서 그레이 표시를 실현했다.Subsequently, gray display (midtone display) was performed. In the state where the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 were in a spray twisted arrangement, a voltage was applied between the drain electrode 26 and the common electrode 12a through the TFT. Here, an alternating voltage (square wave) of 10 V and 100 Hz was applied to the signal line 27 (source line) where the pixel to be displayed in gray was applied, and the gate voltage was applied in synchronization with it. As a result, a vertical electric field is added to a part of the liquid crystal layer 15 (the liquid crystal layer 15 above the slit electrode 21 except the upper side of the slit 21a), and the liquid crystal molecules in the position are in a reverse twist arrangement state. Transitioned to. Thereafter, 0 V was applied to any signal line 27 (source line) of the pixel partially in the reverse twisted arrangement state, and the gate voltage was applied in synchronization with it. In this manner, gray display was realized.

도 13a 및 도 13b는, 각각 제4의 실시예에 의한 액정표시소자를 나타내는 개략적인 단면도 및 평면도이다. 도 13a는, 도 13b의 13A-13A선에 따르는 단면도이다. 도 13b는, 대략 1화소를 나타내고, X방향, Y방향에 따라서 같은 화소가 다수 형성되어 있다.13A and 13B are schematic sectional views and a plan view respectively showing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment. FIG. 13A is a cross-sectional view taken along the line 13A-13A in FIG. 13B. Fig. 13B shows approximately one pixel, and many of the same pixels are formed along the X and Y directions.

도 9a 및 도 9b에 나타내는 제3의 실시예와는, 코먼선(22a)이 하측베타전극(12b)이 아니고, 슬릿 전극(21)과 전기적으로 접속하도록, 절연막(28)상에 형성되어 있는 점, 드레인 전극(26a)이, 슬릿 전극(21)이 아니고 하측베타전극(12b)과 접속되어 있는 점에 있어서 상위하다.9A and 9B, the common line 22a is formed on the insulating film 28 so that the common line 22a is electrically connected to the slit electrode 21 instead of the lower beta electrode 12b. The point and the drain electrode 26a are different in that they are connected to the lower beta electrode 12b instead of the slit electrode 21.

이하, 제3의 실시예와 공통되는 구성요소에 대해서는 동일 부호를 이용하고, 이들의 상세한 설명은 생략 한다.Hereinafter, the same code | symbol is used about the component which is common in 3rd Example, and these detailed description is abbreviate | omitted.

제4의 실시예에 의한 액정표시소자는, 서로 평행으로 대향 배치된 상측기판(10a), 하측기판(10b), 및 양 기판(10a, 10b)사이에 협지된 트위스트 네마틱 액정층(15)을 포함하여 구성된다.In the liquid crystal display device according to the fourth embodiment, the twisted nematic liquid crystal layer 15 sandwiched between the upper substrate 10a, the lower substrate 10b, and the two substrates 10a and 10b disposed in parallel to each other. It is configured to include.

상측기판(10a)은, 상측투명기판(11a), 상측투명기판(11a)상에 형성된 공통 전극(상측베타전극)(12a), 및 공통 전극(12a)상에 형성된 상측배향막(14a)을 포함한다. 하측기판(10b)은, 하측투명기판(11b), 하측투명기판(11b)상에 형성된 하측베타전극(12b), 주사선(23), 그것들을 덮도록 하측투명기판(11b)상에 형성된 절연막(13), 절연막(13)상에 형성된 반도체막(24), 소스 전극(25), 드레인 전극(26a), 그것들을 덮도록 절연막(13)상에 형성된 절연막(28), 절연막(28)상에 형성된 슬릿 전극(화소전극)(21), 코먼선(22a), 및 그것들을 덮도록 절연막(28)상에 형성된 하측배향막(14b)을 포함한다. 여기서 드레인 전극(26a)은, 절연막(13)을 관통하여 하측베타전극(12b)과 전기적으로 접속하도록 형성되어 있다.The upper substrate 10a includes an upper transparent substrate 11a, a common electrode (upper beta electrode) 12a formed on the upper transparent substrate 11a, and an upper alignment layer 14a formed on the common electrode 12a. do. The lower substrate 10b is an insulating film formed on the lower transparent substrate 11b, the lower beta electrode 12b formed on the lower transparent substrate 11b, the scanning line 23, and the lower transparent substrate 11b so as to cover them. 13, on the semiconductor film 24 formed on the insulating film 13, the source electrode 25, the drain electrode 26a, on the insulating film 28 formed on the insulating film 13 so as to cover them, and on the insulating film 28 The formed slit electrode (pixel electrode) 21, the common line 22a, and the lower orientation film 14b formed on the insulating film 28 so that they may be covered. Here, the drain electrode 26a is formed so as to electrically connect with the lower beta electrode 12b through the insulating film 13.

코먼선(22a)은, 하측투명기판(11b)의 일면측의 절연막(28)상에 설치되어 있어 한 방향(도 13b의 Y방향)에 뻗는다. 코먼선(22a)은, 도 13b에 나타나 있는 바와 같이 슬릿 전극(21)과 접속되어 있고, 코먼선(22a)을 통하여, 도시하지 않는 전압 공급수단으로부터, 슬릿 전극(21)에 대해서 소정의 전위가 주어진다. 코먼선(22a)은, 예를 들어 알루미늄과 몰리브덴의 적층막 등의 금속막으로 형성된다.The common line 22a is provided on the insulating film 28 on one side of the lower transparent substrate 11b and extends in one direction (Y direction in FIG. 13B). The common line 22a is connected with the slit electrode 21 as shown in FIG. 13B, and is predetermined potential with respect to the slit electrode 21 from the voltage supply means which is not shown in figure through the common line 22a. Is given. The common line 22a is formed of a metal film such as a laminated film of aluminum and molybdenum, for example.

드레인 전극(26a)은, 절연막(28)상의 소정 위치에 설치되어 있고, 일부가 절연막(13)을 관통해 하측베타전극(12b)과 접속되어 있다. 드레인 전극(26a)은, 예를 들어 알루미늄과 몰리브덴의 적층막 등의 금속막으로 형성된다.The drain electrode 26a is provided at a predetermined position on the insulating film 28, and a part thereof is connected to the lower beta electrode 12b through the insulating film 13. The drain electrode 26a is formed of a metal film such as a laminated film of aluminum and molybdenum, for example.

절연막(28)은, 하측투명기판(11b)의 일면측의 절연막(13)상에, 반도체막(24), 소스 전극(25), 및 드레인 전극(26a)을 덮어 설치된다. 절연막(28)으로서는, 예를 들어 질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 혹은 이들의 적층막이 이용된다.The insulating film 28 is provided on the insulating film 13 on one side of the lower transparent substrate 11b so as to cover the semiconductor film 24, the source electrode 25, and the drain electrode 26a. As the insulating film 28, for example, a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a laminated film thereof is used.

슬릿 전극(21)은, 절연막(28)상의, 적어도 일부가 하측베타전극(12b)과 중첩 하는 소정 위치에 설치되어 있다. 슬릿 전극(21)은, 도 13b에 나타나 있는 바와 같이, 복수의 슬릿(개구부)(21a)을 가지며, 코먼선(22a)과 접속되어 있다. 제4의 실시예에 대해서는, 슬릿 전극(21)과 코먼선(22a)은 일체로 형성되어 있다. 슬릿전극(21)은, ITO 등의 투명도전막을 패터닝하는 것에 의해서 얻을 수 있다. 슬릿전극(21)과 하측베타전극(12b)사이에 전압을 인가하는 것으로써, 액정층(15)에 횡 전계를 줄 수 있다.The slit electrode 21 is provided at a predetermined position on the insulating film 28 at least partially overlapping the lower beta electrode 12b. As shown in FIG. 13B, the slit electrode 21 has a plurality of slits (opening portions) 21a and is connected to the common line 22a. In the fourth embodiment, the slit electrode 21 and the common line 22a are integrally formed. The slit electrode 21 can be obtained by patterning a transparent conductive film such as ITO. By applying a voltage between the slit electrode 21 and the lower beta electrode 12b, a transverse electric field can be applied to the liquid crystal layer 15.

하측배향막(14b)은, 하측투명기판(11b)의 일면 측의, 절연막(28)상에, 코먼선(22a) 및 슬릿전극(21)을 덮도록 설치되어 있다.The lower alignment film 14b is provided on the insulating film 28 on one surface side of the lower transparent substrate 11b so as to cover the common line 22a and the slit electrode 21.

제4의 실시예에 의한 액정표시소자도, 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자이다. 제4의 실시예에 있어서도, 상측 및 하측 기판(10a, 10b)의 배향처리방향과 프레틸트각의 조합으로 규정되는 액정층(15)의 액정분자의 배열상태는, 제1선회방향으로 비틀리는 리버스 트위스트 배열이며, 카이럴제의 영향력의 아래에서 생기는 액정분자의 배열상태는, 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로 비틀리는 스프레이 트위스트 배열이다. 액정층(15)에 종 전계를 부가하는 것으로, 부가된 영역의 액정층(15)의 액정분자를 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이시킬 수 있다. 또, 액정층(15)에 횡 전계를 부가하는 것으로, 부가된 영역의 액정층(15)의 액정분자를 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시킬 수 있다.The liquid crystal display device according to the fourth embodiment is also a reverse twisted nematic liquid crystal display device. Also in the fourth embodiment, the arrangement state of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 defined by the combination of the orientation processing directions and the pretilt angles of the upper and lower substrates 10a and 10b is twisted in the first turning direction. The arrangement state of the liquid crystal molecules which is a reverse twist arrangement and which arises under the influence of a chiral agent is a spray twist arrangement which twists in a 2nd turning direction opposite to a 1st turning direction. By adding a seed electric field to the liquid crystal layer 15, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 in the added region can be transferred from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state. In addition, by adding a lateral electric field to the liquid crystal layer 15, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 in the added region can be transferred from the reverse twist arrangement to the spray twist arrangement.

 도 14a~도 14g, 및, 도 15a~도 15e는, 제4의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 개략적인 단면도이다. 이하, 제조방법의 설명에 있어서도, 제3의 실시예와 공통되는 내용에 대해서는 구체적인 설명을 생략한다.14A to 14G and FIGS. 15A to 15E are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment. Hereinafter, also in description of a manufacturing method, the detailed description is abbreviate | omitted about the content common to 3rd Example.

도 14a에 나타나 있는 바와 같이, 하측투명기판(11b)의 일면 상에 소정의 금속막으로부터 되는 주사선(23)을 형성한다.As shown in Fig. 14A, a scanning line 23 made of a predetermined metal film is formed on one surface of the lower transparent substrate 11b.

도 14b에 나타나 있는 바와 같이, 하측투명기판(11b)의 일면 측의 소정 위치에, 예를 들어 ITO로부터 되는 하측베타전극(12b)을 형성한다.As shown in Fig. 14B, the lower beta electrode 12b made of, for example, ITO is formed at a predetermined position on one side of the lower transparent substrate 11b.

도 14c에 나타나 있는 바와 같이, 하측투명기판(11b)의 일면 측에, 하측베타전극(12b) 및 주사선(23)을 덮도록 하여 절연막(13)을 형성한다.As shown in FIG. 14C, the insulating film 13 is formed on one surface of the lower transparent substrate 11b so as to cover the lower beta electrode 12b and the scanning line 23.

도 14d에 나타나 있는 바와 같이, 절연막(13)상의 소정 위치에 반도체막(24)을 형성한다.As shown in FIG. 14D, the semiconductor film 24 is formed at a predetermined position on the insulating film 13.

도 14e에 나타나 있는 바와 같이, 소스 전극(25), 드레인 전극(26a), 및 신호선(27)을 형성한다. 드레인 전극(26a)에 대해서는, 미리 절연막(13)의 소정위치에 하측베타전극(12b)의 일부를 노출시키는 개구부를 마련해 두고, 그 후 스팩터법 등에 의해서 금속막을 성막 하고, 패터닝하는 것에 의해서 형성이 가능하다.As shown in FIG. 14E, the source electrode 25, the drain electrode 26a, and the signal line 27 are formed. The drain electrode 26a is formed by forming an opening for exposing a part of the lower beta electrode 12b at a predetermined position of the insulating film 13 in advance, and then forming a metal film by patterning or the like and patterning it. This is possible.

도 14f에 나타나 있는 바와 같이, 절연막(13)상에, 반도체막(24), 소스 전극(25), 드레인 전극(26a), 및 신호선(27)을 덮는 절연막(28)을 형성한다.As shown in FIG. 14F, an insulating film 28 covering the semiconductor film 24, the source electrode 25, the drain electrode 26a, and the signal line 27 is formed on the insulating film 13.

도 14g에 나타나 있는 바와 같이, 절연막(28)상의 소정 위치에 코먼선(22a) 및 슬릿전극(21)을 형성한다. 또한, 절연막(28)상에 파시베이션막을 설치해도 좋다.As shown in FIG. 14G, the common line 22a and the slit electrode 21 are formed at a predetermined position on the insulating film 28. As shown in FIG. In addition, a passivation film may be provided on the insulating film 28.

한편, 도 15a에 나타나 있는 바와 같이, 상측투명기판(11a)의 일면상에, 공통 전극(12a)을 형성한다.On the other hand, as shown in Fig. 15A, a common electrode 12a is formed on one surface of the upper transparent substrate 11a.

또, 도 15b에 나타나 있는 바와 같이, 하측투명기판(11b) 윗쪽의 절연막(28)상에, 하측배향막(14b)을 형성한다.As shown in Fig. 15B, the lower alignment film 14b is formed on the insulating film 28 on the lower transparent substrate 11b.

또한, 도 15c에 나타나 있는 바와 같이, 상측투명기판(11a)상의 공통 전극(12a)상에, 상측배향막(14a)을 형성한다.As shown in Fig. 15C, the upper alignment film 14a is formed on the common electrode 12a on the upper transparent substrate 11a.

상측 및 하측 배향막(14a, 14b)에 배향 처리를 하고, 도 15d 및 도 15e에 나타내는, 기판중합공정, 액정층(15)형성공정 등, 제3의 실시예와 같은 공정을 거쳐서, 제4의 실시예에 의한 액정표시소자가 제작된다.A fourth treatment is performed on the upper and lower alignment films 14a and 14b through a process similar to that of the third embodiment, such as the substrate polymerization process and the liquid crystal layer 15 forming process shown in FIGS. 15D and 15E. A liquid crystal display device according to the embodiment is manufactured.

제4의 실시예에 의한 액정표시소자도, 액정층(15)(화소영역)의 일부에 유효한 종 전계를 부가하고, 다른 실시예와 마찬가지로, 리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태의 공존, 혼재하는 상태를 형성하여, 중간조 표시를 실시할 수 있는 액정표시소자이다. The liquid crystal display device according to the fourth embodiment also adds a valid electric field to a part of the liquid crystal layer 15 (pixel area), and like the other embodiments, coexistence and mixing of a reverse twist arrangement state and a spray twist arrangement state A liquid crystal display device capable of forming halftone display and performing halftone display.

제3, 제4의 실시예에 의한 액정표시소자에 있어서는, 각 화소에 TFT가 1개 형성되어 있지만, 복수의 TFT가 형성되어 있어도 괜찮다. 이 경우, 예를 들어 화소 전극을 분할하면 한층 더 다계조 표시를 실현할 수 있다. 사진 등의 화상표시를 실시하는 것도 가능하다. 여기서 화소전극은 서로 동일한 면적으로 분할할 필요는 없다.In the liquid crystal display elements according to the third and fourth embodiments, although one TFT is formed in each pixel, a plurality of TFTs may be formed. In this case, for example, by dividing the pixel electrode, multi-gradation display can be realized. It is also possible to display an image such as a photograph. The pixel electrodes need not be divided into the same area.

제3, 제4의 실시예는 투과형의 액정표시소자이지만, 예를 들어 하측베타전극(12b)을 반사전극으로 하고, 반사형의 액정표시소자로 할 수 있다. 그 경우는 트위스트각을 대략 70˚로 설정하는 것이 바람직하다.Although the third and fourth embodiments are transmissive liquid crystal display elements, for example, the lower beta electrode 12b can be used as a reflective electrode and a reflective liquid crystal display element can be used. In that case, it is preferable to set the twist angle to approximately 70 degrees.

제1~제 4의 실시예 및 변형예에 의한 액정표시소자는, 콘트라스트가 높은 흰색표시상태, 흑색표시상태, 및, 중간조 표시상태의 안정표시를 간편하게 실현 가능한 액정표시소자이다. 화소를 구성하는 전극으로서 즐치전극 또는 슬릿 전극이 이용된다. 제1~제4의 실시예에 의한 액정표시소자에 의하면, 화소영역의 액정층안에 부분적으로 종 전계 또는 횡 전계를 발생시켜서, 화소내에서 투과율의 분포를 붙이고(화소내에 서로 투과율이 다른 영역, 즉 예를 들어 기판법선방향에서 보았을 때, 액정층의 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태인 영역과 스프레이 트위스트 배열상태인 영역을 형성하고), 다양한 표시를 실시할 수 있다. 제1의 실시예의 변형예에 나타낸 것처럼, 전극 사이즈(폭, 면적 등)를 생각해내는 것으로, 예를 들어 5단계의 다단계 계조표시도 가능하다. 그리고 화소영역의 액정층의 일부가 리버스 트위스트 배열상태이며, 다른 일부가 스프레이 트위스트 배열상태이면 좋고, 예를 들어 기판 법선방향에 따라서 보았을 때, 동일한 배열상태일 필요는 없다. 제1~제4의 실시예 및 변형예에 의한 액정표시소자는, 화소영역의 액정층의 일부가 리버스 트위스트 배열상태가 되고, 다른 일부가 스프레이 트위스트 배열상태가 되는 전계를 일으키게 할 수 있는 전극을 갖추고 있다.The liquid crystal display device according to the first to fourth embodiments and modifications is a liquid crystal display device which can easily realize stable display of a high contrast white display state, a black display state, and a halftone display state. As the electrode constituting the pixel, a blazing electrode or a slit electrode is used. According to the liquid crystal display elements according to the first to fourth embodiments, a partial electric field or a lateral electric field is partially generated in the liquid crystal layer of the pixel region, and the distribution of transmittances is added in the pixel (regions having different transmittances in the pixel, That is, for example, when viewed from the substrate normal direction, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer form a region in a reverse twist arrangement and a region in a spray twist arrangement), and various displays can be performed. As shown in the modification of the first embodiment, the electrode size (width, area, etc.) can be taken out, for example, five levels of multi-level gradation display are also possible. A part of the liquid crystal layer in the pixel region may be in a reverse twist arrangement, and another part may be in a spray twist arrangement. For example, the liquid crystal layer may not be in the same arrangement when viewed along the substrate normal direction. In the liquid crystal display device according to the first to fourth embodiments and modifications, an electrode capable of generating an electric field in which a part of the liquid crystal layer in the pixel region is in a reverse twist arrangement and another part is in a spray twist arrangement is formed. Equipped.

또, 제1~제4의 실시예에 의한 액정표시소자는 저렴하게 제조할 수 있다. 제조방법은, 배향막재료, 러빙조건(압입량의 제어), 배향막의 소성조건 등을 제외하고, 일반적인 트위스티드 네마틱크형 액정표시소자의 제조방법과 대략 같기 때문에, 일반적인 트위스티드 네마틱크형 액정표시소자와 비교하여 코스트상승의 요인은 적다.In addition, the liquid crystal display device according to the first to fourth embodiments can be manufactured at low cost. Since the manufacturing method is substantially the same as the manufacturing method of a general twisted nematic liquid crystal display element except for an alignment film material, rubbing conditions (control of indentation amount), firing conditions of the alignment film, and the like, a general twisted nematic liquid crystal display element In comparison, the cost increase is small.

제1~제4의 실시예에 의한 액정표시소자에 있어서는, 액정층(15)의 리버스 트위스트 배열상태, 스프레이 트위스트 배열상태, 및 이들의 혼재상태는 안정적으로 유지된다. 이 때문에 흰색표시, 흑색표시, 그레이 표시의 어느 경우에도, 표시를 바꿔 쓴 다음은, 전압 무인가인 채로, 그 표시상태가 보지된다. 표시의 바꿔 쓰기 시 이외는 전력을 소비하지 않는다. 이 때문에 소비전력을 지극히 낮게 억제한, 초저소비 전력구동이 가능하다. 특히 반사형 디스플레이에 적용했을 경우, 메리트는 크다. 표시는 반영구적으로 보지(保持)하는 것이 가능하고, 고콘트라스트비와 양립 가능하다.In the liquid crystal display elements according to the first to fourth embodiments, the reverse twist arrangement state, the spray twist arrangement state, and their mixed state of the liquid crystal layer 15 are stably maintained. Therefore, in either of the white display, the black display, and the gray display, after the display is rewritten, the display state is retained with no voltage applied. It does not consume power except when changing the display. This enables ultra low power consumption with extremely low power consumption. Especially when applied to reflective displays, the merit is large. The display can be held semi-permanently and compatible with high contrast ratios.

제2의 실시예에 나타낸 것처럼, 구동방법으로서 예를 들어 선순차(線順次)구동법 등의, 메모리성을 이용한 구동방법을 적용할 수 있다. 따라서 이 경우, 고가의 TFT 등을 이용하는 일 없이, 단순 매트릭스표시에 의해, 대용량의 도트매트릭스표시를 실시할 수 있다. 즉, 저비용으로 대용량의 표시를 실시하는 것이 가능하다.As shown in the second embodiment, as the driving method, a driving method using memory characteristics such as a linear sequential driving method can be applied. In this case, therefore, a large-capacity dot matrix display can be performed by simple matrix display without using expensive TFT or the like. That is, it is possible to perform a large capacity display at low cost.

TFT 등의 스위칭 소자를 이용하는 경우, 대용량의 표시전환을 고속으로 실시할 수 있다. TFT를 이용한 액정표시소자로 하는 경우, 예를 들어 IPS 액정으로 널리 이용되고 있는 TFT 기판을 그대로 이용하는 것도 가능하다. 대향기판에는, 예를 들어 투명전극을 형성할 필요가 있지만, 마스크 스팩터 등을 사용하여 간편하게 형성하는 것이 가능하기 때문에, 코스트 상승의 요소는 적다. 대향기판이 전극을 갖추는 것으로, 러빙시, 정전기에 의한 악영향을 받기 어렵다고 하는 메리트도 있다.In the case of using a switching element such as a TFT, a large display switching can be performed at high speed. When using a liquid crystal display element using TFT, it is also possible to use the TFT board | substrate widely used for IPS liquid crystal as it is, for example. Although it is necessary to form a transparent electrode in the counter substrate, for example, since it can be formed easily using a mask-sputter etc., there are few factors of cost increase. There is also a merit that the counter substrate is provided with an electrode, and is hardly affected by static electricity during rubbing.

또한, 제1~제4의 실시예 및 변형예에 의한 액정표시소자에 의하면, 투과형 디스플레이, 투반(透反)디스플레이, 반사형 디스플레이의 어느 경우에도 매우 적합한 디스플레이를 실현할 수 있다.In addition, according to the liquid crystal display elements according to the first to fourth embodiments and modifications, a display that is very suitable for any of transmissive displays, transversal displays, and reflective displays can be realized.

다음에, 제5의 실시예에 의한 액정표시소자에 대해서, 그 비교예와 비교하면서 설명한다.Next, the liquid crystal display element according to the fifth embodiment will be described while comparing with the comparative example.

본 발명의 발명자들은, 우선, 비교예에 의한 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자를 복수 제작하고, 그 표시 특성을 조사했다.The inventors of the present invention first produced a plurality of reverse twisted nematic liquid crystal display devices according to the comparative examples, and examined the display characteristics thereof.

투명 전극, 예를 들어 ITO(indium tin oxide) 전극이 형성된 투명기판을 2매 준비한다. 여기에서는 평행평판타입의 전극을 가지는 테스트 셀을 이용하고, 2매의 투명기판을 세정, 건조했다.Two transparent substrates, for example, an indium tin oxide (ITO) electrode, are prepared. Here, a test cell having a parallel plate type electrode was used, and two transparent substrates were washed and dried.

투명기판 상에, ITO 전극을 덮도록 배향막 재료를 도포한다. 배향막 재료의 도포는, 스핀 코트를 이용해 행했다. 후레키소 인쇄나 잉크젯 인쇄를 이용해 행하여도 괜찮다. 본 예에 있어서는, 통상은 수직 배향막의 형성에 사용되는, 수직 배향막 재료로서는 낮은 측쇄밀도를 가지는 폴리이미드 배향막재료의 측쇄 밀도를 컨트롤 해, 배향막 재료로서 이용했다. 측쇄밀도의 컨트롤은, 적당한 프레틸트각의 부여를 가능하게 하기 때문이다. 배향막 재료는, 배향막의 두께가 500Å~800Å이 되도록 도포했다.On the transparent substrate, an alignment film material is applied to cover the ITO electrode. Application | coating of the orientation film material was performed using the spin coat. You may carry out using a fureciso printing or inkjet printing. In this example, the side chain density of the polyimide oriented film material which has a low side chain density as a vertical alignment film material normally used for formation of a vertical alignment film was controlled and used as an alignment film material. This is because control of the side chain density enables provision of an appropriate pretilt angle. The alignment film material was applied so that the thickness of the alignment film was 500 kPa to 800 kPa.

배향막 재료를 도포한 투명기판의 가 소성, 및 본(本)소성을 실시한다. 본소성은 160℃~260℃의 사이의 다른 소성온도로 행했다. 이렇게 하여 ITO 전극을 덮는 배향막이 형성되었다.The plastic substrate and the main firing of the transparent substrate coated with the alignment film material are carried out. This firing was carried out at different firing temperatures between 160 ° C and 260 ° C. In this way, an alignment film covering the ITO electrode was formed.

다음에, 러빙처리(배향처리)를 실시한다. 러빙처리는, 예를 들어 옷감을 감은 원통형의 롤(roll)을 고속으로 회전시켜 배향막상을 문지르는 공정이며, 이것에 의해 기판에 접하는 액정분자를 한 방향으로 늘어놓는(배향하는) 일이 일어난다. 러빙처리는, 압입량을 0.4 mm, 0.8 mm, 1.2 mm로 하는 3조건으로 행했다. 또 러빙처리는, 액정표시소자의 트위스트각이 70˚또는 90˚이 되도록 실시했다.Next, a rubbing process (orientation process) is performed. A rubbing process is a process of rubbing an oriented film shape by rotating a cylindrical roll wound at high speed, for example, and arrange | positioning (orienting) the liquid crystal molecules which contact | connect a board | substrate in one direction by this. The rubbing treatment was performed under three conditions in which the indentation amount was 0.4 mm, 0.8 mm, and 1.2 mm. Further, the rubbing treatment was performed such that the twist angle of the liquid crystal display element was 70 degrees or 90 degrees.

계속 해서, 액정 셀의 두께(기판사이 거리)를 일정하게 유지하기 위해, 한편의 투명기판 면에 갭 컨트롤재를 예를 들어 건식 산포법으로 산포했다. 갭 컨트롤재에는 입경 4μm의 플라스틱 볼을 사용하고, 액정 셀의 두께가 4μm이 되도록 했다.Subsequently, in order to keep the thickness (distance between board | substrates) of a liquid crystal cell constant, the gap control material was spread | dispersed by the dry-spray method, for example on the transparent substrate surface. A plastic ball having a particle size of 4 μm was used for the gap control material, so that the thickness of the liquid crystal cell was 4 μm.

한편의 투명기판 면에는 씰재를 인쇄하고, 메인 씰 패턴을 형성했다. 예를 들어 입경 4μm의 유리섬유를 포함한 열경화성의 씰재를, 스크린인쇄법으로 인쇄한다. 디스팬서를 이용해 씰재를 도포할 수도 있다. 또, 열경화성이 아니고, 광경화성의 씰재나, 광·열병용 경화형의 씰재를 사용해도 괜찮다.On the other hand, a seal material was printed on the surface of the transparent substrate to form a main seal pattern. For example, a thermosetting seal material containing glass fibers having a particle diameter of 4 µm is printed by screen printing. The sealant may also be applied using a dispenser. Moreover, you may use not only thermosetting but a photocurable sealing material and the hardening type sealing material for light and heat.

투명기판을 겹쳐서 맞추었다. 2매의 투명기판을 소정의 위치에서 중합하여 셀화하고, 프레스한 상태로 열처리를 행하여 씰재를 경화시켰다. 예를 들어 핫 프레스법을 이용해 씰재의 열경화를 실시한다. 이렇게 하여 공(空)셀이 제작된다.Transparent substrates were stacked together. Two transparent substrates were polymerized at predetermined positions to form a cell, and heat-treated in a pressed state to cure the seal member. For example, the thermosetting of a sealing material is performed using the hot press method. In this way, an empty cell is produced.

예를 들어, 진공 주입법으로 공셀에 네마틱 액정을 주입한다. 액정 중에는 카이럴제를 첨가했다. 카이럴제로는 (주)멜크제의 CB15 또는 R-811를 사용했다. 카이럴제는, 카이럴피치p, 셀두께d로 했을 때, d/p가 예를 들어 0.33~0.53이 되도록, 복수의 첨가량 조건으로 첨가했다.For example, the nematic liquid crystal is injected into the empty cell by the vacuum injection method. Chiral agent was added to the liquid crystal. As chiral agent, CB15 or R-811 made by Melk Corporation was used. When chiral pitch p and cell thickness d were used, chiral agent was added on condition of a some addition amount so that d / p may be 0.33-0.53, for example.

액정주입구를, 예를 들어 자외선경화타입의 엔드 씰재로 봉지하고, 액정분자의 배향을 정리하기 위해, 액정의 상전이온도 이상으로 셀을 가열했다. 그리고 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자에 대해서는, 예를 들어 액정재료의 주입후, 또는 액정의 상전이온도 이상으로 가열하면, 카이럴제에 따르는 비틀림력이 발생하는 방향으로 비틀리는 스프레이 트위스트 배열상태가 된다.The cell was heated above the phase transition temperature of the liquid crystal in order to seal the liquid crystal inlet with, for example, an ultraviolet ray hardening type end seal, and to arrange the alignment of the liquid crystal molecules. For the reverse twisted nematic liquid crystal display device, for example, when the liquid crystal material is injected or heated above the phase transition temperature of the liquid crystal, the twisted nematic liquid crystal display device becomes a twisted twist arrangement in a direction in which a torsion force generated by the chiral agent is generated. .

그 후, 스크라이바 장치로 투명기판에 입힌 손상을 따라서 브레이킹하고, 개별의 셀로 작게 분할했다.Thereafter, the scribing device was broken along with the damage on the transparent substrate, and was divided into individual cells.

작게 분할된 셀에 대해, 모따기와 세정을 실시했다.Chamfering and washing were performed for the cell divided small.

마지막으로, 2매의 투명 기판의 액정층과 반대측의 면에, 편광판을 붙였다. 2매의 편광판은 크로스 니콜로, 그리고 투과축의 방향과 러빙방향이 평행이 되도록 배치했다. 직교하도록 배치할 수도 있다. 양 투명기판의 ITO 전극사이에는 전원을 접속했다.Finally, the polarizing plate was stuck to the surface on the opposite side to the liquid crystal layer of two transparent substrates. Two polarizing plates were arrange | positioned so that the direction of a transmission axis and a rubbing direction might be parallel in cross nicol. It may be arranged to be orthogonal. A power supply was connected between the ITO electrodes of both transparent substrates.

이렇게 하여 비교예에 따른 액정표시소자가 제작되었다. 비교예에 따른 액정표시소자는, 액정층의 액정분자가, 초기상태에 대해 스프레이 트위스트 배열상태를 나타내고, 종 전계의 인가에 의해, 스프레이 트위스트 배열상태를 리버스 트위스트 배열상태로 천이시킬 수 있고, 횡 전계의 인가에 의해, 리버스 트위스트 배열상태를 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시킬 수 있는, 리버스 트위스티드 네마틱형의 액정표시소자이다.In this way, a liquid crystal display device according to a comparative example was manufactured. In the liquid crystal display device according to the comparative example, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer show the spray twist arrangement state with respect to the initial state, and by applying the electric field, the spray twist arrangement state can be shifted to the reverse twist arrangement state, and the horizontal It is a reverse twisted nematic liquid crystal display element which can transition a reverse twist arrangement state to a spray twist arrangement state by application of an electric field.

본 발명의 발명자들은, 비교예에 따른 리버스 트위스티드 네마틱형 액정표시소자의 표시에 관해, 여러 가지의 조사를 실시했다.The inventors of the present invention conducted various investigations regarding the display of the reverse twisted nematic liquid crystal display device according to the comparative example.

우선, 표시의 육안관찰을 실시했다. 비교예에 의한 액정표시소자는, 정면에서 관찰했을 경우에도, 높은 콘트라스트비로 표시되어 있었다. 또, 실온에서 3개월간 방치한 후에 있어도, 그 표시가 보지되고 있었다.First, visual observation of the display was performed. The liquid crystal display device according to the comparative example was displayed with a high contrast ratio even when observed from the front side. Moreover, even after leaving for three months at room temperature, the display was retained.

다음에, 액정층이 리버스 트위스트 배열상태일 때의 표시의 보지성을, 복수의 온도에 대해서 조사했다.Next, the holding property of the display when the liquid crystal layer was in the reverse twisted arrangement state was examined for a plurality of temperatures.

도 16은, 조사결과를 나타내는 표이다. 도 16에는, 첨가한 카이럴제의 종류와 그 첨가량(카이럴 피치)마다 1개의 액정표시소자(비교예)를, -40℃, 40℃, 50℃의 각 온도로 24시간 방치한 후에, 리버스 트위스트 배열상태에 의한 표시가 보지되고 있는지 아닌지를 관찰하고 판단한 결과를 나타냈다. O 표시는 양호하게 보지되고 있던(액정층내에서 거의 리버스 트위스트 배열상태가 유지되고 있던) 것을 나타내고, X표시는 보지되지 않았던(거의 스프레이 트위스트 배열상태에 천이 한) 것을 나타내며, 삼각표시는 그 중간상태(일부는 리버스 트위스트 배열상태가 유지되고, 일부는 스프레이 트위스트 배열상태로 천이한 상태)를 나타낸다.16 is a table showing the results of the investigation. In FIG. 16, after leaving one liquid crystal display element (comparative example) for each kind of chiral agent added and its addition amount (chiral pitch) at -40 ° C, 40 ° C and 50 ° C for 24 hours, The result of observing and judging whether or not the display by the reverse twist arrangement state was observed was shown. The O mark indicates good retention (almost a reverse twist arrangement in the liquid crystal layer has been maintained), and the X mark indicates no visibility (transition to an almost spray twist arrangement), and the triangulation indicates its intermediate state. (Some of which maintain the reverse twist arrangement and some of the transition to the spray twist arrangement).

카이럴제로서 CB15를 사용하고, 카이럴 피치가 8.0μm가 되도록 첨가량을 조정했을 경우는, -40℃, 40℃, 50℃의 어느 온도에 있어서도, 리버스 트위스트 배열상태에 의한 표시가 양호하게 보지되고 있는 것을 알 수 있다. 이와 같이 비교예에 대해도, 카이럴제의 재료나 첨가량을 선택하는 것으로, 넓은 온도범위에서 높은 메모리성을 가지는 액정표시소자로 하는 것이 가능하다. 그렇지만, R-811를, 카이럴 피치가 8.0μm, 8.5μm, 9.0μm가 되도록 첨가한 액정표시소자, 및, CB15를, 카이럴 피치가 9.0μm가 되도록 첨가한 액정표시소자에 있어서는, 리버스 트위스트 배열상태에 의한 표시가 안정적으로 보지되는 온도 범위는 넓다고는 할 수 없는 것을 알 수 있다. 이것은 카이럴제의 피치길이가 온도에 따라서 변화하는 것에 기인한다고 생각할 수 있다.When using CB15 as a chiral agent and adjusting the addition amount so that a chiral pitch may be 8.0 micrometer, the display by a reverse twist arrangement | stack state will be hold | maintained well at any temperature of -40 degreeC, 40 degreeC, and 50 degreeC. I can see that it is. As described above, the chiral material and the addition amount are also selected for the comparative example, so that it is possible to obtain a liquid crystal display device having a high memory property in a wide temperature range. However, in the liquid crystal display element which added R-811 so that chiral pitch might be 8.0 micrometer, 8.5 micrometers, and 9.0 micrometer, and the liquid crystal display element which added CB15 so that chiral pitch might be 9.0 micrometer, reverse twist It can be seen that the temperature range in which the display by the arrangement state is stably held is not wide. This can be considered to be due to the change in the pitch length of the chiral agent depending on the temperature.

도 17은, 카이럴제의 피치길이의 온도의존성을 나타내는 그래프이다. 그래프의 횡축은, 온도를 단위「℃」로 나타내며, 세로축은 피치길이를 단위「μm」로 나타낸다. 꺾인 선a는, CB15에 대한 피치길이의 온도 의존성을 나타내고, 꺾인 선b는, R-811에 대한 그것을 나타낸다. 온도에 대한 피치변화량은 카이럴제 재료에 따라 다르지만, 재료를 선택해도 적지 않게 변화하는 것을 알 수 있다.Fig. 17 is a graph showing the temperature dependence of the pitch length made of chiral. The horizontal axis of the graph shows the temperature in unit "° C", and the vertical axis shows the pitch length in the unit "μm". The broken line a shows the temperature dependence of the pitch length with respect to CB15, and the broken line b shows it with respect to R-811. Although the pitch change with respect to temperature changes with a chiral material, it turns out that it changes a lot even if material is selected.

본 발명의 발명자들은, 리버스 트위스트 배열상태에 따른 표시보지(메모리성)의 온도 의존성을, 더욱 자세하게 조사했다.The inventors of the present invention further investigated the temperature dependence of display retention (memory) according to the reverse twist arrangement.

도 18은, 조사 결과를 나타내는 표이다. 도 18에는, 첨가한 카이럴제의 종류와 그 첨가량(카이럴 피치p) 마다 4개의 액정표시소자(비교예)를, 40℃, 50℃, 60℃, 70℃, 80℃, 90℃의 각 온도로 30분 열처리 한 후에, 리버스 트위스트 배열상태에 의한 표시가 보지되고 있는지 아닌지를 관찰하고 판단한 결과를 나타냈다. 표 중의 숫자는, 표시가 양호하게 보지되고 있던 액정표시소자의 수를 나타낸다. 예를 들어 「3/4」라는 표기는, 4개의 액정표시소자 중 3가 양호하게 표시를 보지하고 있던 것을 나타내 보인다. X표시는 양호하게 표시를 보지하고 있던 액정표시소자가 없었던 것을 의미한다.18 is a table showing the irradiation results. 18 shows four liquid crystal display elements (comparative examples) for each kind of chiral agent added and the amount of chiral added (chiral pitch p), respectively, at 40 ° C, 50 ° C, 60 ° C, 70 ° C, 80 ° C, and 90 ° C. After heat-treatment at each temperature for 30 minutes, it observed and judged whether the display by the reverse twist arrangement state was hold | maintained, and the result was judged. The number in a table | surface shows the number of the liquid crystal display element for which display was hold | maintained favorably. For example, the notation "3/4" shows that three out of four liquid crystal display elements held the display satisfactorily. X mark means that there was no liquid crystal display element which held the display favorably.

열처리 온도가 50℃이하이면, 비교적 많은 액정표시소자에서 리버스 트위스트 배열상태에 따른 표시가 유지되고 있지만, 60℃이상이 되면 메모리성이 소실하고, 스프레이 트위스트 배열상태로 천이하고 있음을 알 수 있다When the heat treatment temperature is 50 ° C. or lower, the display according to the reverse twisted arrangement state is maintained in a relatively large number of liquid crystal display devices. However, when the heat treatment temperature is 60 ° C. or higher, the memory performance is lost and the transition to the spray twist arrangement state is observed.

이와 같이 비교예에 따른 리버스 트위스티드 네마틱형의 액정표시소자는, 예를 들면 실온에서 메모리성은 높으나, 실온과는 다른 온도에서는 리버스 트위스트배향상태에 따른 표시를 보지할 수 없는 경우가 생기고, 특히 60℃ 이상의 고온상태에서는 보지하는 것이 곤란하다.As described above, the liquid crystal display device of the reverse twisted nematic type according to the comparative example has a high memory property at room temperature, but the display due to the reverse twist orientation can not be observed at a temperature different from the room temperature. In the above high temperature state, it is difficult to hold | maintain.

다음에 제5의 실시예에 따른 액정표시소자에 대하여 설명한다. 제5의 실시예에 따른 액정표시소자의 개략적인 단면도는 도 1과 거의 같다. 또한 제5의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법은 제1의 실시예와 거의 같다. 제5의 실시예에 있어서는, 본 소성은 160℃~260℃ 사이의 다른 소성온도에서 행했다. 또한 러빙처리는 압입량을 0.4mm, 0.8mm, 1.2mm로 하는 3조건으로 행했다. 그리고 러빙처리는 액정표시소자의 트위스트각이 70ㅀ 또는 90ㅀ가 되도록 실시했다. Next, the liquid crystal display device according to the fifth embodiment will be described. A schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the fifth embodiment is substantially the same as that of FIG. 1. In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the fifth embodiment is almost the same as that of the first embodiment. In the fifth embodiment, the main firing was performed at different firing temperatures between 160 ° C and 260 ° C. The rubbing treatment was carried out under three conditions in which the indentation amounts were 0.4 mm, 0.8 mm, and 1.2 mm. And the rubbing process was performed so that the twist angle of a liquid crystal display element might be set to 70 degrees or 90 degrees.

다음에 액정 재료중에 첨가하는 카이럴제로서 (주)멜크제의 CB15 또는 R-811를 사용했다. 카이럴제는, 카이럴 피치 p, 액정층의 두께 d로 했을 때, d/p가 예를 들어 0.33~0.53이 되도록, 복수의 첨가량 조건으로 첨가했다.Next, CB15 or R-811 manufactured by Melk Co., Ltd. was used as a chiral agent to be added to the liquid crystal material. When the chiral agent was made into the chiral pitch p and the thickness d of the liquid crystal layer, it added on several addition amount conditions so that d / p might be 0.33-0.53, for example.

액정 재료중에, 예를 들어 빛이나 열에 의해 중합 가능한 재료, 일례로서 UV큐아라불 액정(액정성을 가지는 자외선경화성재료), 제5의 실시예에 있어서는 (주) 다이니폰잉크제의 UCL-001를 첨가했다. 재료는 이것에 한정되지 않는다. 후술하는 메모리 안정성의 관점에서는, 자외선경화성의 재료인 것이 바람직하다. 액정성을 가지지 않는 재료에서도 후술 하는 효과와 같은 효과를 발휘할 수 있지만, 배향성을 고려하면 액정성을 가지는 자외선경화성재료를 이용하는 것이 바람직하다.In the liquid crystal material, for example, a material which can be polymerized by light or heat, for example, an UV curable liquid crystal (ultraviolet curable material having liquid crystallinity), and in the fifth embodiment, UCL-001 made by Dainippon Ink, Inc. Was added. The material is not limited to this. It is preferable that it is an ultraviolet curable material from a viewpoint of memory stability mentioned later. Although the material which does not have liquid crystallinity can exhibit the same effect as the effect mentioned later, in consideration of orientation, it is preferable to use the ultraviolet curable material which has liquid crystallinity.

본 발명의 발명자들은, 자외선경화성을 가지는 모노머 재료의 첨가량을, 액정층(15)에 주입하는 재료(액정재료, 카이럴제, 및 자외선경화성을 가지는 모노머 재료)의 합계 질량에 대해서, 1wt%, 2wt%, 5wt%가 되는 3조건으로서 복수의 액정표시소자를 제작했다.The inventors of the present invention, 1 wt%, based on the total mass of the material (liquid crystal material, chiral agent, and the ultraviolet curable monomer material) injecting the addition amount of the ultraviolet curable monomer material into the liquid crystal layer 15, A plurality of liquid crystal display elements were manufactured under three conditions of 2 wt% and 5 wt%.

제5의 실시예에 있어서는, 카이럴제 및 UV큐아라불 액정을 포함한 액정 재료의 주입후에, 자외선을 조사해, UV큐아라불 액정의 중합 반응을 일으키게 하고, 액정층(15)내에 중합체(폴리머)를 합성했다(중합처리). 실험을 위하여, 자외선 조사는, 액정층(15)의 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태일 때, 및, 스프레이 트위스트 배열상태일 때의 쌍방에 대해 실시했다. 자외선은, 조사량 18 mW/cm2, 적산(積算)노광량이 1J/cm2가 되는 조건으로 조사했지만, 자외선 조사조건은 이것에 한정되지 않는다.In the fifth embodiment, after the injection of the liquid crystal material including the chiral agent and the UV curable liquid crystal, ultraviolet rays are irradiated to cause a polymerization reaction of the UV curable liquid crystal, and the polymer (polymer) in the liquid crystal layer 15 ) Was synthesized (polymerization treatment). For the experiment, ultraviolet irradiation was performed both when the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 were in the reverse twisted arrangement state and when the sprayed twisted arrangement was in the state. Although the ultraviolet-ray irradiated on the conditions which the irradiation amount of 18 mW / cm <2> and the integrated exposure amount will be 1 J / cm <2> , UV irradiation conditions are not limited to this.

제5의 실시예에 있어서는, 액정층(15)에, 중합가능한 재료, 실시예에 있어서는, UV큐아라불 액정에 자외선이 조사되는 것으로 합성된 중합체(폴리머)가 포함되어 있다. 중합가능한 재료는, 액정층(15)의 질량(액정 재료, 카이럴제, 및 중합 가능한 재료의 합계 질량)에 대해, 5%이하의 범위에서 첨가된다.In the fifth embodiment, the liquid crystal layer 15 contains a polymerizable material, and in the embodiment, a polymer (polymer) synthesized by irradiating UV-curable liquid crystals with ultraviolet rays. The polymerizable material is added in the range of 5% or less with respect to the mass of the liquid crystal layer 15 (total mass of the liquid crystal material, the chiral agent, and the polymerizable material).

본 발명의 발명자들은, 제5의 실시예에 의한 액정표시소자의 표시에 관해, 여러 가지의 조사를 실시했다.The inventors of the present invention conducted various investigations regarding the display of the liquid crystal display device according to the fifth embodiment.

도 19a~도 19d는, 자외선경화성재료를 2wt% 첨가한 액정표시소자의 메모리 안정성에 대해 실험한 결과를 나타내는 사진이다.19A to 19D are photographs showing the results of experiments on the memory stability of the liquid crystal display device in which 2 wt% of an ultraviolet curable material is added.

도 19a는, 1J/cm2의 자외선을 조사해 중합반응을 일으키게 하고, 액정층(15)내에 중합체(폴리머)를 합성한 후의 액정표시소자를 나타내는 외관 사진이다. 왼쪽의 사진은, 스프레이 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자의 외관을 나타내고, 오른쪽의 사진은, 리버스 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자의 외관을 나타낸다. 이 점은, 도 19a~도 19d의 모두에게 공통된다.19A is an external photograph showing a liquid crystal display device after irradiating 1J / cm 2 ultraviolet rays to cause a polymerization reaction and synthesizing a polymer (polymer) in the liquid crystal layer 15. The photo on the left shows the external appearance of the liquid crystal display element irradiated with ultraviolet rays in the spray twisted arrangement state, and the photo on the right shows the appearance of the liquid crystal display element irradiated with ultraviolet rays in the reverse twisted arrangement state. This point is common to all of FIG. 19A-FIG. 19D.

제5의 실시예에 따른 액정표시소자는, 스프레이 트위스트 배열상태시에 흰색 표시를 하고, 리버스 트위스트 배열상태시에 흑색표시를 한다. 자외선 조사시에 스프레이 트위스트 배열상태이었던 액정표시소자는, 자외선 조사 후에도 스프레이 트위스트 배열상태가 유지되고, 자외선 조사시에 리버스 트위스트 배열상태이었던 액정표시소자는, 자외선 조사 후에도 리버스 트위스트 배열상태가 유지되어 있다.The liquid crystal display device according to the fifth embodiment displays white color in the spray twisted arrangement state and black display in the reverse twisted arrangement state. The liquid crystal display device that was in the spray twist arrangement state at the time of ultraviolet irradiation maintained the spray twist arrangement state even after the ultraviolet irradiation, and the liquid crystal display element which was the reverse twist arrangement state at the time of ultraviolet irradiation maintained the reverse twist arrangement state even after the ultraviolet irradiation. .

도 19b는, 상측베타전극(12a)과 하측베타전극(12b)에 역치전압 이상의 전압을 인가하고, 액정층(15)에 종 전계를 부가한 후의 액정표시소자를 나타내는 외관 사진이다.19B is an external photograph showing the liquid crystal display device after applying a voltage equal to or higher than the threshold voltage to the upper beta electrode 12a and the lower beta electrode 12b and adding a vertical electric field to the liquid crystal layer 15.

왼쪽의 사진에 나타내는 액정표시소자는, 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이하고 있는 것을 알 수 있다. 오른쪽의 사진에 나타내는 액정표시소자는, 리버스 트위스트 배열상태가 유지되어 있다.It is understood that the liquid crystal display device shown in the photograph on the left is transitioning from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state. In the liquid crystal display device shown in the photograph on the right, the reverse twist arrangement is maintained.

도 19c는, 이러한 액정표시소자에 90℃에서 30분의 열처리를 행한 후의 외관 사진이다. 90℃라는 고온에서의 열처리 후에도, 안정하게 리버스 트위스트 배열상태가 보지(保持)되고 있는 것을 알 수 있다.19C is a photograph of appearance after heat-treating the liquid crystal display device at 90 ° C. for 30 minutes. It turns out that the reverse twist arrangement state is hold | maintained stably even after the heat processing at 90 degreeC high temperature.

도 19d는, 하측베타전극(12b) 및 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)에, 반응을 일으키는 역치전압 이상의 전압을 인가하고, 액정층(15)에 횡 전계를 부가한 후의 액정표시소자를 나타내는 외관 사진이다.FIG. 19D shows a liquid crystal display after applying a voltage equal to or greater than a threshold voltage causing a reaction to the lower beta electrode 12b and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d and adding a lateral electric field to the liquid crystal layer 15. It is an external photograph which shows an element.

왼쪽의 사진(스프레이 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자)에 있어서도, 오른쪽의 사진(리버스 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자)에 있어서도, 횡 전계의 부가에 의해, 스프레이 트위스트 배열상태로 천이하고 있는 것을 알 수 있다.Even in the left photograph (liquid crystal display element irradiated with ultraviolet rays in the spray twist arrangement), and also in the right photograph (liquid crystal element irradiated with ultraviolet rays in the reverse twist arrangement), the addition of the transverse electric field It can be seen that the state transitions.

도 19a~도 19d에 나타내는 결과로부터, 제5의 실시예에 의한 액정표시소자는, 전계의 부가에 의한 표시의 스위칭성(리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태 사이의 스위칭성)과 높은 메모리성(열적인 안정성)을 함께 갖추는 액정표시소자인 것을 알 수 있다.From the results shown in Figs. 19A to 19D, the liquid crystal display device according to the fifth embodiment has high switching performance (switchability between the reverse twist arrangement state and the spray twist arrangement state) and high memory performance by the addition of an electric field. It can be seen that it is a liquid crystal display device having both (thermal stability).

도 20은, 도 19c에 외관 사진을 나타낸 액정표시소자(90℃에서 30분의 열처리를 행한 후의 액정표시소자)를 나타내는 현미경 사진이다. 왼쪽은 리버스 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자의 현미경 사진을 나타내고, 오른쪽은 스프레이 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자의 현미경 사진을 나타낸다. 좌우 모두, 표시영역의 모퉁이를 촬영한 사진을 위에 나타내며, 표시 영역의 가장자리를 촬영한 사진을 아래에 나타낸다. 현미경관찰에 의하면, 표시영역(리버스 트위스트 배열상태)과 비표시 영역(스프레이 트위스트 배열상태)의 경계에서, 수십μm의 흔들림은 있지만, 표시영역에서는 안정되어 리버스 트위스트 배열상태가 보지되고 있는 것을 알 수 있다. 또, 리버스 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자(왼쪽의 사진)와 스프레이 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자( 오른쪽의 사진)의 사이에 의미 있는 차이는 인정되지 않고, 어느 쪽이나 리버스 트위스트 배열상태가 안정적으로 보지되고 있는 것을 알 수 있다.FIG. 20 is a microscope picture showing the liquid crystal display device (the liquid crystal display device after the heat treatment for 30 minutes at 90 ° C.) shown in FIG. 19C in appearance. The left side shows the photomicrograph of the liquid crystal display element which irradiated the ultraviolet-ray in the reverse twist arrangement state, and the right side shows the micrograph of the liquid crystal display element which irradiated the ultraviolet-ray in the spray twist arrangement state. On the left and right sides, a photograph photographing the corner of the display area is shown above, and a photograph photographing the edge of the display area is shown below. Microscopic observation shows that the boundary between the display area (reverse twist arrangement state) and the non-display area (spray twist arrangement state) has several tens of micrometers of shaking, but is stable in the display area and the reverse twist arrangement state is held. have. In addition, a significant difference is not recognized between the liquid crystal display device (photo on the left) irradiated with ultraviolet rays in the reverse twisted arrangement and the liquid crystal display device (photo on the right) irradiated with ultraviolet rays in the spray twisted arrangement. It can be seen that the reverse twist arrangement is stably held.

다음에, 본 발명의 발명자들은, 자외선경화성재료의 첨가농도와 메모리성의 관계에 대하고 실험을 실시했다.Next, the inventors of the present invention conducted an experiment on the relationship between the addition concentration of the ultraviolet curable material and the memory property.

도 21a~도 21d는, 다른 첨가량(1wt%, 2wt%, 5wt%)에서 자외선경화성재료를 첨가한 액정표시소자의 메모리안정성에 대해 실험한 결과를 나타내는 사진이다. 도 19a~도 19d에 나타낸 사진과 마찬가지로, 도 21a~도 21d에 대해서도, 좌열의 사진은, 스프레이 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자의 외관을 나타내, 우열의 사진은, 리버스 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자의 외관을 나타낸다. 또, 도 21a~도 21d에 공통하여, 상단은 자외선경화성재료의 첨가량을 1wt%로 하여 제작한 액정표시소자의 외관사진, 중단은 자외선경화성재료의 첨가량을 2wt%로 하여 제작한 액정표시소자의 외관사진, 그리고 하단은 자외선경화성재료의 첨가량을 5wt%로 하여 제작한 액정표시소자의 외관사진을 나타낸다. 그리고 첨가량을 1wt%, 5wt%로 하여 제작한 액정표시소자에는 셀두께 얼룩짐이 있었다.21A to 21D are photographs showing the results of experiments on the memory stability of the liquid crystal display device to which the ultraviolet curable material is added at different amounts (1 wt%, 2 wt%, 5 wt%). Similarly to the photographs shown in FIGS. 19A to 19D, the photographs in the left column also show the appearance of the liquid crystal display element irradiated with ultraviolet rays in the spray twist arrangement state, and the photographs in the right column show the reverse twist arrangement state. The external appearance of the liquid crystal display element which irradiated ultraviolet-ray at the time is shown. 21A to 21D, the upper part is an external photograph of the liquid crystal display device manufactured by adding 1 wt% of the ultraviolet curable material, and the middle part of the liquid crystal display device manufactured by adding 2 wt% of the ultraviolet curable material to the middle. The external photograph and the lower image show an external photograph of the liquid crystal display device fabricated by adding 5 wt% of the ultraviolet curable material. In addition, there were cell thickness stains in the liquid crystal display device fabricated with the added amounts of 1 wt% and 5 wt%.

도 21a는, 1J/cm2의 자외선을 조사해 중합 반응을 일으키게 하고, 액정층(15)내에 중합체(폴리머)를 합성한 후의 액정표시소자를 나타내는 외관 사진이다.FIG. 21A is an external photograph showing a liquid crystal display device after irradiating 1J / cm 2 ultraviolet light to cause a polymerization reaction and synthesizing a polymer (polymer) in the liquid crystal layer 15.

첨가량이 1wt%, 2wt%, 5wt%의 어느 경우도, 자외선 조사시에 스프레이 트위스트 배열상태이었던 액정표시소자는, 자외선조사 후에도 스프레이 트위스트 배열상태가 유지되고, 자외선 조사시에 리버스 트위스트 배열상태이었던 액정표시소자는, 자외선 조사 후에도 리버스 트위스트 배열상태가 유지되어 있다고 말할 수 있다.In the case where the addition amount was 1 wt%, 2 wt%, or 5 wt%, the liquid crystal display device in the spray twist arrangement state at the time of ultraviolet irradiation, the spray twist arrangement state was maintained even after the ultraviolet irradiation, and the liquid crystal in the reverse twist arrangement at the time of ultraviolet irradiation. It can be said that the display element maintains the reverse twist arrangement even after ultraviolet irradiation.

도 21b는, 상측베타전극(12a)과 하측베타전극(12b)에, 역치전압 이상의 전압을 인가하고, 액정층(15)에 종 전계를 부가한 후의 액정표시소자를 나타내는 외관 사진이다.FIG. 21B is an external photograph showing a liquid crystal display device after applying a voltage equal to or greater than a threshold voltage to the upper beta electrode 12a and the lower beta electrode 12b and adding a vertical electric field to the liquid crystal layer 15.

좌열의 사진에 나타내는 액정표시소자는, 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이하고 있는 것을 알 수 있다. 우열의 사진에 나타내는 액정표시소자는, 리버스 트위스트 배열상태가 유지되어 있다.It is understood that the liquid crystal display device shown in the photograph in the left column is transitioning from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state. In the liquid crystal display device shown in the photograph of the right column, the reverse twist arrangement is maintained.

도 21c는, 이러한 액정표시소자에 90℃에서 30분의 열처리를 행한 후의 외관 사진이다. 90℃이라는 고온에서의 열처리 후에도, 자외선경화성재료의 첨가량(1wt%, 2wt%, 5wt%)에 관계없이, 안정되게 리버스 트위스트 배열상태가 보지되고 있는 것을 알 수 있다.Fig. 21C is a photograph of the appearance after heat-treating the liquid crystal display for 30 minutes at 90 占 폚. Even after the heat treatment at a high temperature of 90 ° C., it can be seen that the reverse twist arrangement is stably held regardless of the addition amount (1 wt%, 2 wt%, 5 wt%) of the ultraviolet curable material.

도 21d는, 또한, 하측베타전극(12b) 및 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)에 초소의 물리량 전압 이상의 전압을 인가하고, 액정층(15)에 횡 전계를 부가한 후의 액정표시소자를 나타내는 외관사진이다.FIG. 21D also shows the liquid crystal display after applying a voltage equal to or greater than the minimum physical quantity voltage to the lower beta electrodes 12b and the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d and adding a transverse electric field to the liquid crystal layer 15. It is an external photograph showing an element.

좌열의 사진(스프레이 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자)에 있어서는, 자외선경화성재료의 첨가량이, 1wt%, 2wt%, 5wt%의 어느 경우에 있어서도, 횡 전계의 부가에 의해, 스프레이 트위스트 배열상태로 천이(遷移)하고 있다.In the left column photo (liquid crystal display element irradiated with ultraviolet rays in the spray twist arrangement), the amount of addition of the ultraviolet curable material is 1 wt%, 2 wt%, 5 wt% in any case, whereby the spray twist is caused by the addition of the transverse electric field. It is transitioning to an array state.

우열의 사진(리버스 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자)을 참조하면, 자외선경화성재료의 첨가량이, 1wt%, 2wt%의 액정표시소자에 대해서는, 횡 전계의 부가에 의해, 스프레이 트위스트 배열상태로 천이하고 있지만, 5 wt%의 액정표시소자에 대해서는, 횡 전계를 부가해도, 리버스 트위스트 배열상태 그대로인(스프레이 트위스트 배열상태로 천이하지 않는다) 것을 알 수 있다.Referring to the photograph of the right picture (the liquid crystal display device irradiated with ultraviolet rays in the state of reverse twist arrangement), for the liquid crystal display device of 1 wt% and 2 wt% of the ultraviolet curable material, the spray twist arrangement is caused by the addition of the transverse electric field. Although it is transitioning to a state, it turns out that for a 5 wt% liquid crystal display element, even if a lateral electric field is added, it remains in a reverse twist arrangement state (it does not transition to a spray twist arrangement state).

도 21a~도 21d에 나타내는 결과로부터, 액정층에 중합가능한 재료를 첨가하고, 이것을 중합시키고, 액정층내에 중합체(폴리머)를 합성한 실시예에 따른 액정표시소자는, 전계의 부가에 따른 표시의 스위칭성(리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태 사이의 스위칭성)과 높은 메모리성(열적인 안정성)을 함께 갖추는 액정표시소자라고 할 수 있다. 다만, 첨가량이 5wt%의 경우, 리버스 트위스트 배열상태시에 자외선을 조사한 액정표시소자에 있어서는, 열처리 후의 횡 전계 부가로, 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시킬 수 없었던 것으로부터, 중합 가능한 재료의 첨가량은 5wt%이하로 하는 것이 바람직할 것이다.From the results shown in FIGS. 21A to 21D, a liquid crystal display device according to an embodiment in which a polymerizable material is added to a liquid crystal layer, polymerized, and a polymer (polymer) is synthesized in the liquid crystal layer is used for the display according to the addition of an electric field. It can be said to be a liquid crystal display device having both switching property (switching between reverse twist arrangement and spray twist arrangement) and high memory performance (thermal stability). However, in the case where the addition amount is 5wt%, in the liquid crystal display device irradiated with ultraviolet rays in the reverse twisted arrangement state, polymerization is possible because the transverse electric field after the heat treatment could not transition from the reverse twisted arrangement state to the spray twist arrangement state. It is preferable that the addition amount of the material is 5 wt% or less.

또한 제5의 실시예에 의한 액정표시소자는, 그 비교예에 의한 액정표시소자와 마찬가지로, 정면에서 관찰했을 경우에도, 높은 콘트라스트비로 표시를 하고 있었다.In addition, the liquid crystal display device according to the fifth embodiment was displayed with a high contrast ratio even when observed from the front side, similarly to the liquid crystal display device according to the comparative example.

제5의 실시예에 의한 액정표시소자는, 표시의 메모리성(열적인 안정성)이 높고, 온도에 의하지 않고 반영구적으로 표시를 보지하는 것이 가능하고, 예를 들어 90℃정도의 고온 환경하에 있어도, 각각의 배열상태(리버스 트위스트 배열상태, 또는, 스프레이 트위스트 배열상태)로의 표시를 안정되어 보지할 수 있다. 이 때문에, 차량탑재용, 항공기용, 옥외용 등 높은 신뢰성이 요구되는 액정표시소자에도 이용이 가능하다. 또, 고콘트라스트비로의 표시와 양립시킬 수 있다. 이와 같이 제5의 실시예에 의한 액정표시소자는, 높은 표시품질을 가지는 액정표시소자이다.The liquid crystal display device according to the fifth embodiment has a high memory performance (thermal stability) of the display and can retain the display semi-permanently regardless of the temperature, even in a high temperature environment of, for example, about 90 ° C. The display in each arrangement state (reverse twist arrangement state or spray twist arrangement state) can be held stably. For this reason, it can be used also for liquid crystal display elements which require high reliability, such as vehicle mounting, aircraft, and outdoor use. Moreover, it is compatible with the display by a high contrast ratio. As described above, the liquid crystal display device according to the fifth embodiment is a liquid crystal display device having high display quality.

또한 자외선의 조사는, 액정표시소자에 전압을 인가한 상태로 실시할 필요는 없다. 2개의 안정된 배열상태(리버스 트위스트 배열상태 또는 스프레이 트위스트 배열상태)의 어느 상태에서 자외선을 조사하면 좋다.In addition, it is not necessary to perform ultraviolet irradiation in the state which applied the voltage to the liquid crystal display element. Ultraviolet rays may be irradiated in any of two stable arrangement states (reverse twist arrangement or spray twist arrangement).

제5의 실시예에 의한 액정표시소자는, 메모리성을 이용한 구동 방법으로 구동할 수 있는, 초저소비 전력구동이 가능하고, 특히 반사형 디스플레이에 적용했을 경우에 메리트는 크고, 저비용으로 대용량의 표시를 실시하는 것이 가능하다, 그 제조에 있어서, 일반적인 트위스티드 네마틱형 액정표시소자와 비교한 코스트상승 요인은 적다는 등의 점에서, 제1의 실시예와 같은 효과를 발휘할 수 있다.The liquid crystal display device according to the fifth embodiment is capable of ultra-low power consumption, which can be driven by a driving method using memory characteristics, and especially when applied to a reflective display, the merit is large, and large-capacity display at low cost. In the manufacture thereof, the same effect as in the first embodiment can be obtained in that the cost increase factor compared with the general twisted nematic liquid crystal display element is small.

계속 해서, 제6의 실시예에 의한 액정소자에 대해 설명한다.Subsequently, the liquid crystal element according to the sixth embodiment will be described.

제6의 실시예에 의한 액정소자의 개략적인 단면도는 도 1과 동일하다. 또, 제6의 실시예에 의한 액정소자의 제조방법은, 제1의 실시예와 대략 같다. 제6의 실시예에 있어서는, 러빙시의 압입량을, 0.4mm~1.2mm로 설정했다. 이것에 의해, 상측 및 하측 배향막(14a, 14b)이 액정분자에 대해서 35˚~60˚정도의 프레틸트각을 발현할 수 있다. 또 카이럴제를, d/p가 0.25~0.75가 되는 조건으로 첨가했다.A schematic cross-sectional view of the liquid crystal device according to the sixth embodiment is the same as that in FIG. The liquid crystal element manufacturing method according to the sixth embodiment is substantially the same as that of the first embodiment. In the sixth embodiment, the indentation amount at the time of rubbing was set to 0.4 mm to 1.2 mm. As a result, the upper and lower alignment layers 14a and 14b can express a pretilt angle of about 35 ° to 60 ° with respect to the liquid crystal molecules. Moreover, chiral agent was added on condition that d / p may be 0.25-0.75.

본 발명의 발명자들은, 액정소자의 적절한 배향조건을 찾아내기 위해서, 제조 조건을 다르게 한 몇 개의 액정소자를 제작했다. 배향막재료로서 통상은 수직 배향막으로서 이용되는 재료의 측쇄밀도를 낮게 한 폴리이미드 재료를 이용하고, 배향막 형성시의 소성온도와 러빙시의 압입량을 가변 파라메타로 했다. 구체적으로는, 소성온도는 160℃~260℃의 범위에서 몇 개의 온도를 설정했다. 또, 러빙시의 압입량은 0.4mm, 0.8mm, 1.2mm로 했다. 배향막의 막 두께는 500Å~800Å이 되도록 했다. 액정층의 액정분자의 트위스트각에 대해서는 90˚혹은 70˚으로 했다. 여기서 말하는 「트위스트각」이란, 스프레이 트위스트 상태에 있어서의 생각할 수 있는 각을 말하고, 리버스 트위스트 상태에 있어서의 실질적인 트위스트각은 (180˚-φ)이 된다. 이 점은 다른 실시예에 대해도 마찬가지이다. 액정층 두께는 4μm로 했다. 액정층을 구성하는 액정재료에는 카이럴제를 첨가하고 있고, 그 첨가량은, d/p의 값이 0.167~0.800이 되도록 했다. 상측 편광판(16a)과 하측 편광판(16b)은, 트위스트각φ이 90˚의 경우에는 각각의 투과축이 러빙방향과 대략 평행이 되도록 배치하고, 또한 양자가 크로스 니콜 배치가 되도록 하며, 트위스트각φ이 70˚의 경우에는 각각의 투과축이 러빙 방향에서 10˚비켜진 위치가 되도록 하며, 양자가 크로스 니콜 배치가 되도록 했다.The inventors of the present invention have produced several liquid crystal elements having different manufacturing conditions in order to find appropriate alignment conditions of the liquid crystal elements. As an alignment film material, the polyimide material which lowered the side chain density of the material used normally as a vertical alignment film was used, The baking temperature at the time of alignment film formation, and the amount of indentation at the time of rubbing were made into variable parameters. Specifically, the baking temperature set some temperature in the range of 160 degreeC-260 degreeC. In addition, the pushing amount at the time of rubbing was 0.4 mm, 0.8 mm, and 1.2 mm. The film thickness of the alignment film was set to 500 kPa to 800 kPa. About the twist angle of the liquid crystal molecule of a liquid crystal layer, it set to 90 degrees or 70 degrees. The "twist angle" here means the conceivable angle in a spray twist state, and a substantial twist angle in a reverse twist state is (180 degrees-phi). This point also applies to other embodiments. The liquid crystal layer thickness was 4 micrometers. The chiral agent was added to the liquid crystal material which comprises a liquid crystal layer, and the addition amount made it the value of d / p to be 0.167-0.800. The upper polarizing plate 16a and the lower polarizing plate 16b are arranged so that their transmission axes are substantially parallel to the rubbing direction when the twist angle φ is 90 °, and both are arranged in a cross nicol arrangement, and the twist angle φ is In the case of this 70 degree | times, each transmission axis was set to the position 10 degree away from a rubbing direction, and both were made to be cross nicol arrangement | positioning.

도 22는, 대표적인 제작 조건 및 표시상태의 액정소자의 관찰상을 나타내는 도면이다. 상세하게는, 도 22a는 전압 가에 의해 액정층을 부분적으로 스프레이 트위스트 배향 상태로부터 리버스 트위스트 배향 상태로 천이시킨 직후의 액정소자의 관찰상(觀察像)이며, 도 22b는 3개월 경과후의 액정소자의 관찰상이다. 도 22a에 나타나 있는 바와 같이, 이 예의 액정소자는 정면에서 봐도 높은 콘트라스트비를 나타내고 있는 것을 알 수 있다. 또, 도 22b에 나타나 있는 바와 같이, 3개월을 경과해도 대부분의 표시를 보지하고 있음을 알 수 있다.22 is a diagram showing an observation image of a liquid crystal element in typical production conditions and a display state. In detail, FIG. 22A is an observation image of the liquid crystal element immediately after the liquid crystal layer is partially changed from the spray twist alignment state to the reverse twist alignment state by the voltage value, and FIG. 22B shows the liquid crystal element after 3 months have elapsed. Is observed. As shown in Fig. 22A, it can be seen that the liquid crystal element of this example shows a high contrast ratio even when viewed from the front. As shown in Fig. 22B, it can be seen that most of the displays are retained even after three months.

도 23은, 프레틸트각이 46˚정도, 트위스트각이 70˚의 액정소자에 있어서의 콘트라스트와 표시보지성능의 평가결과를 나타내는 도면이다. 도 23에서는, 액정층의 d/p의 값을 0.167~0.800의 사이에서 복수의 조건으로 설정해 제작한 각 액정소자에 대해서, 정면 콘트라스트의 양부(良否)와 그 상태보지시간을 평가한 결과가 나타나 있다. 또한 각 액정소자의 배향막의 소성온도는 200℃로 설정되고, 카이럴제로서는 CB15가 이용되며, 액정 재료로서는 굴절률 이방성Δn의 값이 비교적으로 작은 것이 이용되었다. 또, 정면 콘트라스트에 대해서는, 전압인가에 의해 액정층을 스프레이 트위스트 배향상태로부터 리버스 트위스트 배향상태로 천이시키고, 리버스 트위스트 배향상태의 보지성능의 시간에 따른 변화를 관찰했다. 그 결과, 정면 콘트라스트에 대해서는 d/p의 값이 0.333~0.500의 사이에서 양호하고, 특히 0.385이상에서 높은 콘트라스트를 얻을 수 있었다. d/p의 값이 0.167~0.286의 사이에서는 투과광이 어두워지고(암표시), d/p가 0.615~0.800의 사이에서는 투과광이 밝아지며(명표시), 어느 쪽이나 모두 콘트라스트가 낮았다. 또, 상태보지시간에 대해서는, d/p=0.333의 액정소자에서는 1시간 이상, d/p=0.385, d/p=0.421의 각 액정소자에서는 1일 이상, d/p=0.444, d/p=0.500의 각 액정소자에서는 1주간 이상 상태보지시간을 얻을 수 있었다.Fig. 23 shows evaluation results of contrast and display holding performance in a liquid crystal element having a pretilt angle of about 46 degrees and a twist angle of 70 degrees. In FIG. 23, the result of evaluating the front contrast and the state holding time of each liquid crystal element produced by setting the value of d / p of the liquid crystal layer under a plurality of conditions between 0.167 and 0.800 is shown. have. Moreover, the baking temperature of the orientation film of each liquid crystal element was set to 200 degreeC, CB15 was used as a chiral agent, and the thing with comparatively small value of refractive index anisotropy (DELTA) n was used as a liquid crystal material. Moreover, about front contrast, the liquid crystal layer was made to transition from the spray twist orientation state to the reverse twist orientation state by voltage application, and the change with the retention performance of the reverse twist orientation state with time was observed. As a result, about front contrast, the value of d / p was good between 0.333-0.500, and high contrast was obtained especially above 0.385. The transmitted light became dark (dark display) between d / p of 0.167-0.286, and the transmitted light became bright (bright display) between d15 and 0.615-0.800, and both had low contrast. The state holding time is 1 hour or more in the liquid crystal element of d / p = 0.333, 1 or more days in each of the liquid crystal elements of d / p = 0.385 and d / p = 0.421, d / p = 0.444, d / p. In each liquid crystal device of = 0.500, state holding time was obtained for at least one week.

도 24는, 도 23에 나타낸 조건 중 피치p를 8.0μm~9.0μm로 한 액정소자(d/p의 값을 0.444~0.500으로 한 액정소자)에 있어서의 표시보지성능의 온도특성의 평가결과를 나타내는 도면이다. 여기에서는, 카이럴제에 대해서도 2종류(R-8111, CB15)를 이용하고 있다. 여기서의 평가는, 액정소자를 각 온도 조건하에서 24시간 방치한 후에 리버스 트위스트 배향 상태로의 표시를 보지하고 있는지를 관찰한 것이다. 온도조건 40℃의 경우에는, 카이럴제를 CB15로 하고 피치를 9.0μm로 한 액정소자 이외의 액정소자에서는 모두 높은 표시보지성능을 나타냈다. 그러나, 온도 조건 50℃의 경우에는, 몇 개의 액정소자에서 표시보지성능이 저하했다. 또, 온도 조건 -40℃의 경우에는, 카이럴제를 R-811로 하고 피치를 8.0μm로 한 액정소자에 있어서 표시보지성능이 저하했다. 이러한 결과는, 온도조건에 의해 카이럴제의 피치가 변화하는 것에 기인한다고 생각할 수 있지만, 카이럴제의 종류나 그 첨가량을 선택하는 것으로 넓은 온도 범위에서 높은 표시보지성능을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.FIG. 24 shows evaluation results of the temperature characteristics of display retention performance in a liquid crystal element (a liquid crystal element having a value of d / p of 0.444 to 0.500) having a pitch p of 8.0 μm to 9.0 μm among the conditions shown in FIG. 23. It is a figure which shows. Here, two types (R-8111, CB15) are used also for a chiral agent. Evaluation here observes whether the display in a reverse twist orientation state is hold | maintained after leaving a liquid crystal element for 24 hours under each temperature condition. In the case of the temperature condition of 40 degreeC, in all liquid crystal elements other than the liquid crystal element in which the chiral agent was set to CB15 and the pitch was 9.0 micrometers, all showed the high display holding performance. However, in the case of temperature conditions of 50 degreeC, display holding performance fell in some liquid crystal elements. In the case of the temperature condition of -40 degreeC, display holding performance fell in the liquid crystal element which made the chiral agent R-811 and the pitch 8.0 micrometers. These results can be thought to be due to the change in the pitch of the chiral agent by the temperature conditions, but it can be seen that the high display retention performance can be obtained over a wide temperature range by selecting the type and amount of chiral agent. have.

도 25는, 도 24에 나타낸 평가에 이용한 액정소자의 관찰상을 나타내는 도면이다. 구체적으로는, 도 25a는 카이럴제 R-811, 피치 8.0μm로 한 액정소자의 관찰상이며, 도 25b는 카이럴제 R-811, 피치 8.5μm로 한 액정소자의 관찰상이며, 도 25c는 카이럴제 R-811, 피치 9.0μm로 한 액정소자의 관찰상이며, 도 25d는 카이럴제 CB15, 피치 8.0μm로 한 액정소자의 관찰상이며, 도 25e는 카이럴제 CB15, 피치 9.0μm로 한 액정소자의 관찰상이다. 각 액정소자의 프레틸트각은 46˚정도이다. 어느 액정소자도 정면 콘트라스트가 높고, 표시보지성능이 뛰어난 것을 알 수 있다.FIG. 25: is a figure which shows the observation image of the liquid crystal element used for evaluation shown in FIG. Specifically, Fig. 25A is an observation image of a liquid crystal element with chiral R-811 and a pitch of 8.0 μm, and Fig. 25B is an observation image of a liquid crystal element with chiral R-811 and a pitch of 8.5 μm, and Fig. 25C. Is an observation image of a liquid crystal element with chiral R-811 and a pitch of 9.0 µm, and FIG. 25D is an observation image of a liquid crystal element with chiral CB15 and a pitch of 8.0 µm, and FIG. 25E is a chiral CB15 and a pitch of 9.0 µm. It is the observation image of the liquid crystal element made into micrometer. The pretilt angle of each liquid crystal element is about 46 degrees. It turns out that any liquid crystal element has high front contrast and excellent display and holding performance.

도 26은, 피치조건을 9μm(쇼트 피치 조건) 및 12μm(롱 피치 조건)로 한 액정소자의 관찰상을 나타내는 도면이다. 구체적으로는, 도 26a는 쇼트피치조건의 액정소자의 전압인가 전에서의 관찰상이며, 도 26b는 쇼트피치조건의 액정소자의 전압인가 직후에서의 관찰상이며, 도 26c는 롱피치조건의 액정소자의 전압인가 전에서의 관찰상이며, 도 26d는 롱피치조건의 액정소자의 전압인가 직후에서의 관찰상이다. 또한 도 26e는 각 액정소자에 있어서의 러빙방향과 배향상태의 관계를 나타내고 있다. 또, 각 액정소자의 프레틸트각은 46˚정도이며, 제작조건은 상기와 같다. 도 26a 및 도 26b에 나타나 있는 바와 같이, 쇼트피치조건의 액정소자는 정면 콘트라스트가 높고, 전극의 경계가 명료하게 나타나 있다. 이것에 대해, 도 26c 및 도 26d에 나타나 있는 바와 같이, 롱피치조건의 액정소자는 정면 콘트라스트가 약간 낮고, 전압인가 직후임에도 불구하고 전극의 경계가 불명료하게 나타나 있고, 러빙 선도 현저함을 알 수 있다. 여기서 나타난 롱피치조건(d/p=0.333)은, 프레틸트각이 높은(46˚정도)의 경우는 별로 바람직하지 않은 조건임을 알 수 있다. 이러한 결과로부터, 안정된 표시보지성능을 얻기 위해서는 비교적 높은 프레틸트각과 쇼트피치의 양 조건을 만족할 필요가 있다고 말할 수 있다.Fig. 26 is a diagram showing an observation image of a liquid crystal element in which the pitch conditions are 9 μm (short pitch condition) and 12 μm (long pitch condition). Specifically, FIG. 26A is an observation image before applying the voltage of the liquid crystal element under short pitch condition, FIG. 26B is an observation image immediately after applying the voltage of the liquid crystal element under short pitch condition, and FIG. 26C is a liquid crystal under long pitch condition. It is an observation image before voltage application of an element, and FIG. 26D is an observation image immediately after voltage application of the liquid crystal element under a long pitch condition. Fig. 26E shows the relationship between the rubbing direction and the alignment state in each liquid crystal element. In addition, the pretilt angle of each liquid crystal element is about 46 degrees, and manufacturing conditions are as above. As shown in Figs. 26A and 26B, the liquid crystal element with the short pitch condition has high front contrast and the boundary of the electrode is clearly shown. On the other hand, as shown in Figs. 26C and 26D, the liquid crystal element in the long pitch condition has a slightly lower front contrast, the boundary of the electrode is indistinctly apparent even after the voltage is applied, and the rubbing curve is remarkable. have. It can be seen that the long pitch condition (d / p = 0.333) shown here is a very unfavorable condition when the pretilt angle is high (about 46 degrees). From these results, it can be said that it is necessary to satisfy both conditions of relatively high pretilt angle and short pitch in order to obtain stable display and hold performance.

도 27~도 31은, 도 24에 나타낸 제작 조건에 대응한 각 액정소자의 광학특성을 나타내는 도면이다. 구체적으로는, 도 27a, 도 28a, 도 29a, 도 30a 및 도 31a는 각각 시각특성을 나타내고, 도 27b, 도 28b, 도 29b, 도 30b 및 도 31b는 각각 러빙 방향과 편광판의 투과축의 배치를 나타내며, 도 27c, 도 28c, 도 29c, 도 30c 및 도 31c는 각각 콘트라스트 특성을 나타내고, 도 27d, 도 28d, 도 29d, 도 30d 및 도 31d는 각각 스프레이 트위스트 상태의 투과율 특성(TS-t) 및 리버스 트위스트 상태의 투과율 특성(TU-t)을 나타내고 있다. 또, 도 27에 나타내는 광학특성은 카이럴제 R-811, 그리고 피치 8.0μm의 액정소자의 것이며, 도 28에 나타내는 광학특성은 카이럴제 R-811, 그리고 피치 8.5μm의 액정소자의 것이며, 도 29에 나타내는 광학특성은 카이럴제 R-811, 그리고 피치 9.0μm의 액정소자의 것이며, 도 30에 나타내는 광학특성은 카이럴제 CB15, 그리고 피치 8.0μm의 액정소자의 것이며, 도 31에 나타내는 광학특성은 카이럴제 CB15, 그리고 피치 9.0μm의 액정소자의 것이다. 어느 액정소자에 있어서도 배향막의 소성온도 200℃(프레틸트각 35˚~60˚정도), 트위스트각 70˚이다. 어느 액정소자의 경우도 정면의 콘트라스트비는 높고(CR=141~677), 특히 카이럴제 CB15, 피치 8.0μm의 액정소자는 어느 시각(視角)에 있어서도 표시 반전은 보이지 않고 높은 시인성을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다(도 30 참조). 그리고 이 조건으로의 프레틸트각을 측정해 보면 35˚~60˚정도(측정방법에 의해 측정결과에 편차가 있다)의 프레틸트각을 나타내고 있는 것을 알 수 있었다.27 to 31 are diagrams showing optical characteristics of each liquid crystal element corresponding to the fabrication conditions shown in FIG. Specifically, FIGS. 27A, 28A, 29A, 30A, and 31A show visual characteristics, respectively, and FIGS. 27B, 28B, 29B, 30B, and 31B respectively show arrangements of the rubbing direction and the transmission axis of the polarizing plate, respectively. 27C, 28C, 29C, 30C, and 31C show contrast characteristics, respectively, and FIGS. 27D, 28D, 29D, 30D, and 31D show transmittance characteristics T St and spray twist states, respectively. The transmittance | permeability characteristic T Ut of a reverse twisted state is shown. The optical characteristics shown in FIG. 27 are those of chiral R-811 and a liquid crystal element having a pitch of 8.0 μm, and the optical characteristics shown in FIG. 28 are those of a chiral R-811 and a liquid crystal element having a pitch of 8.5 μm. The optical characteristics shown in FIG. 29 are those of the chiral R-811 and a liquid crystal element having a pitch of 9.0 µm, and the optical characteristics shown in FIG. 30 are those of the chiral CB15 and a liquid crystal element having a pitch of 8.0 µm. Optical characteristics are that of a chiral CB15 and a liquid crystal element having a pitch of 9.0 m. Also in any liquid crystal element, the baking temperature of an oriented film is 200 degreeC (pretilt angle 35 degree-about 60 degree), and the twist angle is 70 degree. In the case of any liquid crystal element, the contrast ratio on the front is high (CR = 141 to 677), and in particular, the chiral CB15 and the liquid crystal element having a pitch of 8.0 μm do not show display inversion at any time and high visibility can be obtained. It can be seen that there is (see Fig. 30). When the pretilt angle under these conditions was measured, it was found that the pretilt angle of about 35 ° to 60 ° (the measurement result was varied) was shown.

왜 이러한 특성을 나타내는지에 대해서는 완전하게는 해명되어 있지 않지만, 일반적으로, 리버스 트위스트 배향 상태에서는, 액정층내부에 경계면의 프레틸트각의 관계와 카이럴제 따른 비트림힘에 따라 큰 일그러짐이 생긴다고 생각할 수 있다. 이 일그러짐에 의해 전압오프상태에 있어서도 액정층의 층 두께 방향의 중앙 부근에 있어서의 액정분자는 기판평면에 대해서 기운 상태가 된다. 일반적으로 리버스 트위스트 배향상태에서는 경계면의 프레틸트각보다 벌크(bulk)에서의 경사각이 높게 된다. 이것은 연속체이론에 근거한 액정분자 배향시뮬레이션에서도 확인되어 있다. 실시예의 각 액정소자는 프레틸트각을 매우 높고 하는 것으로써 액정층의 층두께 방향의 중 부근에 있어서의 액정분자의 기울기각을 매우 높게 할 수 있게 되어, 수직배향에 가까운 상태까지 액정분자가 일어서 있는 것은 아닐까 추측된다. 이것에 의해, 전압오프상태에 있어서도 정면방향에서에 대해서도 비교적 어두운 흑색표시를 얻을 수 있는 것이라고 생각할 수 있다.The reason why such a characteristic is exhibited is not fully explained, but in general, in the reverse twisted alignment state, it may be considered that a large distortion occurs due to the relationship between the pretilt angle of the interface and the twisting force due to the chiral agent in the liquid crystal layer. Can be. By this distortion, even in the voltage-off state, the liquid crystal molecules near the center in the layer thickness direction of the liquid crystal layer are inclined with respect to the substrate plane. In general, in the reverse twist orientation, the inclination angle in bulk is higher than the pretilt angle of the interface. This has also been confirmed in liquid crystal molecular orientation simulation based on continuum theory. Each liquid crystal element of the embodiment can make the inclination angle of the liquid crystal molecules near the middle of the layer thickness direction of the liquid crystal layer very high by making the pretilt angle very high, so that the liquid crystal molecules rise up to a state close to the vertical alignment. I guess it is. Thus, it can be considered that a relatively dark black display can be obtained even in the voltage-off state even in the front direction.

다음에, 상술의 검증 범위 내에 있어서 적합이라고 생각할 수 있는 조건으로 제작한 액정소자(제6의 실시예에 의한 액정소자)에 대해서, 그 제작조건과 표시상태의 스위칭의 상태를 설명한다. 구체적인 제작조건에 대해서는, 배향막은 소성조건을 200℃에서 1시간으로 하고, 한편 막 두께를 500Å~800Å으로 했다. 또, 러빙처리시의 압입량은 0.8 mm로 했다. 액정층의 트위스트각φ은 90˚혹은 70˚으로 하고, 층두께는 4μm로 했다. 액정 재료로서는 ZLI-2293(멜크회사 제품)을 이용하고, 카이럴제로는 CB15를 이용했다. 카이럴제의 첨가량은 d/p=0.5(피치 8μm)가 되도록 했다. 편광판은 그 투과축이 러빙방향과 평행 혹은 직교 하도록 배치하고, 그리고 서로의 투과축이 대략 직교 하도록 했다. 여기에서는 각 투과축이 각각 근접하는 기판의 배향막의 러빙 방향과 평행이 되도록 편광판을 배치했다.Next, the manufacturing conditions and the state of the switching of the display state will be described with respect to the liquid crystal element (liquid crystal element according to the sixth embodiment) manufactured under conditions that can be considered to be suitable within the above-described verification range. About specific manufacturing conditions, the orientation film set the baking conditions at 200 degreeC for 1 hour, and made the film thickness into 500 kPa-800 kPa. In addition, the amount of indentation during the rubbing treatment was 0.8 mm. The twist angle phi of the liquid crystal layer was 90 degrees or 70 degrees, and the layer thickness was 4 micrometers. ZLI-2293 (made by Melk Co., Ltd.) was used as a liquid crystal material, and CB15 was used as chiral agent. The addition amount of a chiral agent was made to be d / p = 0.5 (pitch 8 micrometers). The polarizing plates were arranged such that their transmission axes were parallel or orthogonal to the rubbing direction, and their transmission axes were substantially orthogonal to each other. Here, the polarizing plate was arrange | positioned so that each transmission axis might become parallel with the rubbing direction of the orientation film of the board | substrate which adjoins, respectively.

도 32는, 제6의 실시예에 의한 액정소자에 대해 각 전극에 전압을 인가하고, 스위칭했을 때의 모습을 나타내는 도면이다. 상세하게는, 도 32a는 전극패턴, 러빙 방향 및 편광판의 각 배치를 나타내는 도면이며, 도 32b는 초기상태에 있어서의 액정소자의 관찰상이며, 도 32c는 종 전계인가 후에 있어서의 액정소자의 관찰상이며, 도 32d는 횡 전계 인가 후에 있어서의 액정소자의 관찰상이다. 여기서의 액정소자는, 빗살모양 전극{제1즐치전극(12c) 및 제2즐치전극(12d)}의 전극폭을 20μm, 전극간격을 20μm로 한 것이다. 또, 도 32a에 나타내는 「Ru」는 상측기판의 러빙 방향, 「Rb」는 하측기판의 러빙방향을 나타내고, 「P」 및 「A」는 각 편광판의 투과축방향을 나타내고 있다.Fig. 32 is a diagram showing a state when a voltage is applied to each electrode and switched to the liquid crystal element according to the sixth embodiment. In detail, FIG. 32A is a view showing the arrangement of the electrode pattern, the rubbing direction, and the polarizing plate, FIG. 32B is an observation image of the liquid crystal element in the initial state, and FIG. 32C is an observation of the liquid crystal element after application of the electric field. 32D is an observation image of the liquid crystal element after the lateral electric field is applied. In the liquid crystal element herein, the electrode width of the comb-shaped electrodes (the first bladder electrode 12c and the second bladder electrode 12d) is 20 µm and the electrode spacing is 20 µm. In addition, "Ru" shown in FIG. 32A shows the rubbing direction of the upper substrate, "Rb" shows the rubbing direction of the lower substrate, and "P" and "A" show the transmission axis directions of each polarizing plate.

 도 32b에 나타나 있는 바와 같이, 액정소자의 완성 후 상태에서는 액정층이 스프레이 트위스트 배향상태가 되고, 투과광은 밝은 상태(즉 흰색표시)가 되어 있다. 그리고, 도 32c에 나타나 있는 바와 같이 액정층에 대해서 종 전계를 인가한 다음은 액정층이 리버스 트위스트 배향 상태로 전이(轉移)하고, 투과광은 어두운 상태(즉 흑색표시)가 되어 있다. 그 후, 도 32d에 나타나 있는 바와 같이, 액정층에 대해서 즐치전극(12c, 12d)을 이용해 횡 전계를 인가한 다음은 액정층이 스프레이 트위스트 상태로 다시 천이하고, 투과광이 초기상태와 같게 밝은 상태(흰색표시)가 되어 있다. 이러한 스위칭이 가능해진 것은 이하와 같이 생각할 수 있다. 스프레이 트위스트 배향 상태에서는 액정층의 층두께 방향의 대략 중앙에서의 액정분자가 수평방향으로 배향하고 있지만, 종 전계의 인가에 의해서 리버스 트위스트 배향상태가 되고, 액정층의 층두께 방향의 대략 중앙에서의 액정분자가 수직방향으로 배향한다. 이 후, 횡 전계의 인가에 의해서 리버스 트위스트 상태의 액정층의 층두께 방향의 대략 중앙에서의 액정분자에 횡 전계가 걸리는 것으로, 액정분자가 다시 수평방향으로 배향한다. 이 배향방향은, 스프레이 트위스트 배향 상태의 액정층의 층두께 방향의 대략 중앙에서의 액정분자가 있어야 할 배향방향이기 때문에, 액정층이 스프레이 트위스트 상태로 천이한 것이라고 생각할 수 있다.As shown in Fig. 32B, in the state after completion of the liquid crystal element, the liquid crystal layer is in a spray twist alignment state, and the transmitted light is in a bright state (namely, white display). Then, as shown in Fig. 32C, after applying the longitudinal electric field to the liquid crystal layer, the liquid crystal layer transitions to the reverse twist alignment state, and the transmitted light is in a dark state (ie, black display). Then, as shown in Fig. 32D, after the transverse electric field is applied to the liquid crystal layer using the blazing electrodes 12c and 12d, the liquid crystal layer transitions back to the spray twist state, and the transmitted light is bright as the initial state. (White display). It is thought as follows that such a switching was possible. In the spray twist alignment state, the liquid crystal molecules in the center of the layer thickness direction of the liquid crystal layer are aligned in the horizontal direction. However, the application of the electric field results in a reverse twist alignment state, and the liquid crystal molecules in the center of the layer thickness direction of the liquid crystal layer Liquid crystal molecules are oriented in the vertical direction. Thereafter, the horizontal electric field is applied to the liquid crystal molecules at approximately the center of the layer thickness direction of the liquid crystal layer in the reverse twisted state by the application of the horizontal electric field, and the liquid crystal molecules are oriented in the horizontal direction again. Since this orientation direction is an orientation direction in which the liquid crystal molecule should exist in the substantially center of the layer thickness direction of the liquid crystal layer of a spray twist orientation state, it can be considered that a liquid crystal layer has transitioned to the spray twist state.

그리고 비교예로서 액정소자의 카이럴제의 첨가량을 줄였을 경우(d/p<0.25의 경우)에 대해서도 확인했는데, 초기상태(스프레이 트위스트 배향상태)에 있어서 액정층의 벌크가 대략 수직배향상태가 되어 버리고, 명암 상태의 스위칭이 어렵다는 것을 알았다. 또, 프레틸트각에 대해 대체로 70˚이상으로 높게 했을 경우에는, 이것에 대응해 카이럴제를 조정했다고 해도, 스프레이 트위스트 상태와 리버스 트위스트 상태의 사이에 명암상태를 얻는 것이 어렵다는 것도 알았다. 이것으로부터, 비교적 검은 흑색표시와 쌍안정성을 양립하려면 카이럴제의 첨가량과 프레틸트각의 관계를 상기의 조건으로 하는 것이 필요하다고 말할 수 있다. 여기서, 프레틸트각은 46˚로 했지만, 일반적으로 알려져 있듯이 이러한 영역에서의 프레틸트각은 그 측정이 매우 어렵고, 수치에는 오차의 폭이 존재한다. 측정방법의 차이나 측정정도의 문제에 의해 ±15˚~30˚정도의 편차가 존재할 가능성이 있다.In addition, when the amount of chiral agent added to the liquid crystal device was reduced (d / p <0.25) as a comparative example, the bulk of the liquid crystal layer in the initial state (spray twist alignment state) was almost vertically aligned. It turned out that it was difficult to switch the contrast state. Moreover, when it made it high about 70 degrees or more with respect to a pretilt angle, even if the chiral agent was adjusted correspondingly, it turned out that it is difficult to obtain a contrast state between a spray twist state and a reverse twist state. From this, it can be said that it is necessary to set the relationship between the amount of chiral agent added and the pretilt angle to the above conditions in order to achieve both relatively black display and bistable stability. Here, although the pretilt angle was 46 degrees, as is generally known, the pretilt angle in such an area is very difficult to measure, and there exists an error width in the numerical value. There may be a deviation of ± 15 ° to 30 ° due to differences in measurement methods or problems in measurement accuracy.

제6의 실시예에 의한 액정소자에 의하면, 콘트라스트가 높은 밝은(명)표시상태, 어두운(암) 표시상태의 쌍안정 표시를 간편하게 실현될 수 있다. 특히 암표시의 투과율이 낮고, 정면에서 보았을 때도 확실한 표시를 실현할 수 있다.According to the liquid crystal element according to the sixth embodiment, bistable display in a bright (dark) display state and a dark (dark) display state with high contrast can be easily realized. In particular, the transmittance of the dark display is low, and reliable display can be realized even when viewed from the front.

제6의 실시예에 의한 액정표시소자는, 메모리성을 이용한 구동방법으로 구동할 수 있는, 초저소비 전력구동이 가능하고, 특히 반사형 디스플레이에 적용했을 경우에 메리트는 크며, 저비용으로 대용량의 표시를 실시하는 것이 가능하다. 그 제조에 있어서, 일반적인 트위스티드 네마틱형 액정표시소자와 비교한 코스트 상승요인은 적다 등의 점에서, 제1의 실시예와 같은 효과를 발휘할 수 있다.The liquid crystal display device according to the sixth embodiment is capable of ultra-low power consumption, which can be driven by a driving method using memory characteristics, and in particular, when applied to a reflective display, the merit is large, and a large-capacity display at low cost is achieved. It is possible to carry out. In manufacturing, the cost increase factor compared with the general twisted nematic type liquid crystal display element is small, and the effect similar to 1st Example can be exhibited.

도 33은, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 플로차트(flow chart)이다. 본 발명의 발명자들은, 본 도면에 나타내는 플로차트(flow chart)에 따라서 복수의 액정표시소자를 제작해, 양호한 표시가 실현되는 조건을 예비적으로 고찰했다.FIG. 33 is a flow chart showing a manufacturing method of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment. The inventors of the present invention produced a plurality of liquid crystal display elements according to the flowchart shown in this drawing, and preliminarily considered conditions under which good display is realized.

투명전극, 예를 들어 ITO 전극이 형성된 투명기판을 2매 준비한다(스텝 S101). 여기에서는 평행평판 타입의 전극을 가지는 테스트 셀을 이용하고, 2매의 투명기판을 세정, 건조했다(스텝 S102).Two transparent substrates on which a transparent electrode, for example, an ITO electrode is formed, are prepared (step S101). Here, two transparent substrates were washed and dried using a test cell having a parallel plate type electrode (step S102).

투명기판 상에, ITO 전극을 덮도록 배향막 재료를 도포한다(스텝 S103). 배향막재료의 도포는, 스핀 코트를 이용해 행했다. 후레키소 인쇄나 잉크젯 인쇄를 이용해 행해도 괜찮다. 본 예에 있어서는, 통상은 수직 배향막의 형성에 사용되는 폴리이미드 배향막 재료의 측쇄밀도를 낮게 하고, 배향막 재료로서 이용했다. 측쇄밀도의 컨트롤은, 적당한 프레틸트각의 부여를 가능하게 하기 위함이다. 배향막 재료는, 배향막의 두께가 500Å~800Å이 되도록 도포했다.On the transparent substrate, an alignment film material is applied so as to cover the ITO electrode (step S103). Application of the alignment film material was performed using a spin coat. You may carry out using a fureciso printing or inkjet printing. In this example, the side chain density of the polyimide alignment film material used for formation of a vertical alignment film was usually made low, and was used as an alignment film material. The control of the side chain density is for enabling provision of an appropriate pretilt angle. The alignment film material was applied so that the thickness of the alignment film was 500 kPa to 800 kPa.

배향막 재료를 도포한 투명기판의 가(假)소성(스텝 S104), 및 본(本)소성(스텝 S105)을 실시한다. 본소성은 160℃~200℃의 사이에서 소성온도를 바꾸어 행했다. 이렇게 해 ITO 전극을 덮는 배향막이 형성되었다(스텝 S103~S105).Temporary firing (step S104) and main firing (step S105) of the transparent substrate coated with the alignment film material are performed. This firing was performed by changing the firing temperature between 160 ° C and 200 ° C. In this way, the alignment film which covers an ITO electrode was formed (step S103-S105).

다음에, 러빙처리(배향처리)를 실시한다(스텝 S106). 러빙처리는, 예를 들어 옷감을 감은 원통형의 롤을 고속으로 회전시켜 배향막상을 문지르는 공정이며, 이것에 의해 기판에 접하는 액정분자를 한 방향으로 늘어놓는(배향하는) 일이 일어난긴다. 러빙처리는, 압입량을 0.4mm, 0.8mm, 1.2mm로 하는 3조건으로 행했다. 또 러빙처리는, 액정표시소자의 트위스트각이 70˚또는 90˚이 되도록 실시했다.Next, a rubbing process (orientation process) is performed (step S106). A rubbing process is a process of rubbing the oriented film shape by rotating a cylindrical roll wound by cloth at high speed, for example, and arrange | positioning (orienting) the liquid crystal molecules contacting a board | substrate in one direction. The rubbing treatment was performed under three conditions in which the indentation amounts were 0.4 mm, 0.8 mm, and 1.2 mm. Further, the rubbing treatment was performed such that the twist angle of the liquid crystal display element was 70 degrees or 90 degrees.

계속 해서, 액정 셀의 두께를 일정하게 유지하기 위해, 한쪽의 투명기판 면에 갭 컨트롤재를 예를 들어 건식산포법으로 산포한다(스텝 S107).갭 컨트롤재로는 입경 4μm의 플라스틱 볼을 사용하고, 액정 셀의 두께가 4μm가 되도록 했다.Subsequently, in order to keep the thickness of the liquid crystal cell constant, the gap control material is dispersed on the surface of one transparent substrate by, for example, a dry dispersion method (step S107). A plastic ball having a particle diameter of 4 μm is used as the gap control material. And the thickness of the liquid crystal cell was set to 4 micrometers.

다른 한쪽의 투명기판 면에는 씰재를 인쇄하고, 메인 씰 패턴을 형성한다(스텝 S108). 예를 들어 입경 4μm의 유리섬유를 포함한 열경화성의 씰재를, 스크린 인쇄법으로 인쇄한다. 디스팬서를 이용하여, 씰재를 도포할 수도 있다. 또, 열경화성이 아니고, 광경화성의 씰재나, 광·열병용 경화형의 씰재를 사용해도 괜찮다.The sealing material is printed on the other transparent substrate surface to form a main seal pattern (step S108). For example, a thermosetting seal material containing glass fibers having a particle size of 4 µm is printed by screen printing. A seal material can also be apply | coated using a dispenser. Moreover, you may use not only thermosetting but a photocurable sealing material and the hardening type sealing material for light and heat.

투명기판을 중합한다(스텝 S109). 2매의 투명기판을 소정의 위치에서 중합하여 셀화하고, 프레스한 상태로 열처리를 베풀어 씰재를 경화시킨다. 예를 들어 핫 프레스법을 이용하여 씰재의 열경화를 실시한다. 이렇게 해 공셀이 제작된다.The transparent substrate is polymerized (step S109). Two transparent substrates are polymerized at predetermined positions to form a cell, and heat-treated in a pressed state to cure the seal member. For example, the thermosetting of a sealing material is performed using the hot press method. In this way, a blank cell is produced.

예를 들어 진공주입법으로 공셀에 네마틱 액정을 주입한다(스텝 S110). 액정중에는 카이럴제를 첨가했다. 카이럴제로는 (주)멜크제의 CB15 또는 S-811를 사용했다. 카이럴제의 첨가량은, 카이럴 피치p, 셀두께d로 했을 때, d/p가 예를 들어 0.51.2가 되도록 조정했다.For example, the nematic liquid crystal is injected into the empty cell by the vacuum injection method (step S110). Chiral agent was added to the liquid crystal. As chiral agent, CB15 or S-811 made by Melk Corporation was used. The addition amount of a chiral agent was adjusted so that d / p might be 0.51.2, for example, when letting chiral pitch p and cell thickness d be.

액정 주입구를, 예를 들어 자외선경화타입의 엔드 씰재로 봉지하고(스텝 S111), 액정분자의 배향을 정리하기 위해, 액정의 상전이온도이상으로 셀을 가열한다(스텝 S112). 그 후, 스크라이바 장치로 투명기판에 새긴 손상을 따라서 브레이킹하여, 개별의 셀로 작게 분할한다.The liquid crystal injection port is sealed with, for example, an ultraviolet curing type end seal material (step S111), and the cell is heated above the phase transition temperature of the liquid crystal in order to arrange the alignment of the liquid crystal molecules (step S112). Thereafter, the scribing device breaks along the damage engraved on the transparent substrate, and divides it into small cells.

작게 분할된 셀에 대해, 모따기(스텝 S113)와 세정(스텝 S114)을 실시한다.A chamfer (step S113) and washing | cleaning (step S114) are performed about the cell divided | segmented small.

마지막으로, 2매의 투명기판의 액정층과 반대측의 면에, 편광판을 붙인다(스텝 S115). 2매의 편광판은 크로스 니콜로, 그리고 투과축의 방향과 러빙 방향이 평행이 되도록 배치했다. 직교하도록 배치할 수도 있다. 양 투명기판의 ITO 전극사이에는 전원을 접속했다.Finally, the polarizing plate is stuck to the surface on the opposite side to the liquid crystal layer of the two transparent substrates (step S115). Two polarizing plates were arrange | positioned so that the direction of a transmission axis and a rubbing direction might be parallel in cross nicol. It may be arranged to be orthogonal. A power supply was connected between the ITO electrodes of both transparent substrates.

도 34a 및 도 34b는, 제작된 복수의 액정표시소자에 대해서, 표시상태의 편광현미경관찰결과를 나타내는 사진이다. 도 34a의 사진은, 프레틸트각을 약 35˚, d/p를 0.57로 하는 조건으로 제작한 액정표시소자의 정면 관찰시의 표시상태를 나타내고, 도 34b의 사진은, 프레틸트각을 약 45˚, d/p를 0.8로 하는 조건으로 제작한 액정표시소자의 그것을 나타낸다.34A and 34B are photographs showing polarization microscope observation results in a display state of a plurality of produced liquid crystal display elements. The photograph of FIG. 34A shows the display state at the time of the front observation of the liquid crystal display element manufactured on the conditions which made the pretilt angle about 35 degrees, and d / p 0.57, The photograph of FIG. 34B shows the pretilt angle about 45 degrees. It shows that of the liquid crystal display element manufactured on the conditions which made ° and d / p 0.8.

도 34a에 있어서, 검게 보이는(흑색표시) 부분은, 양 투명기판의 전극사이에 전압을 인가한 영역이며, 희게 보이는(흰색표시) 부분은, 전압 무인가의 영역이다. 도 34b에 있어서도 마찬가지이다. 도 34b에는, 희게 보이는 부분의 확대사진도 함께 나타내었다.In FIG. 34A, the black part (black display) is a region where voltage is applied between the electrodes of both transparent substrates, and the white part (white display) is a region where no voltage is applied. The same applies to FIG. 34B. 34B, the enlarged photograph of the part which looks white is also shown.

희게 보이는 부분은, 육안으로는 균일한 흰색 표시로 보이지만, 현미경으로 확대해 관찰하면 섬세한 배향의 모양이 인정된다. 이것은 포칼코닉 배향이라고 생각할 수 있다.Although the part which looks white is seen with a uniform white display visually, when it is magnified and observed with a microscope, the pattern of delicate orientation is recognized. This can be thought of as a focal conic orientation.

도 34c에, 포칼코닉 배향의 액정분자배열의 개략을 나타낸다. 포칼코닉 배향이란, 나선의 축이 기판(상측기판 및 하측기판)면과 평행이 되도록, 액정분자가 액정층안에서 나선구조를 취하는 배열상태를 말한다.34C, the outline of the liquid crystal molecule array of focalconic orientation is shown. The focalconic alignment refers to an arrangement in which the liquid crystal molecules take a spiral structure in the liquid crystal layer so that the axis of the spiral is parallel to the surface of the substrate (upper substrate and lower substrate).

한편, 도 34a 및 도 34b의 사진에 검게 보이는 부분에 있어서는, 액정분자는, 카이럴제에 따라 부여되는 비틀림 힘에 반발하고, 상하기판의 프레틸트각의 관계로부터 비틀리기 쉬운 방향으로 비틀리는 리버스 트위스트 배열상태를 나타내고 있다고 생각할 수 있다. 액정층의 두께방향의 중앙에 위치하는 액정분자가, 어느 정도 수직방향으로 일어서 있기 때문에, 흑색표시가 얻어지고 있는 것일 것이다. 도 34a의 사진에 나타내는 액정 셀의 제작조건, 및, 도 34b의 사진에 나타내는 액정 셀의 제작조건에 있어서는, 카이럴제의 첨가량이 비교적 많기 때문에, 액정층 내부의 왜곡(찌그러짐)이 크고, 액정층의 두께방향 중앙분자가, 수직가까이 일어서 있는 상태가 되어 있다고 추측된다.On the other hand, in the part which appears black in the photograph of FIG. 34A and 34B, the liquid crystal molecule responds to the torsional force provided by the chiral agent, and reverses to twist in the direction which is easy to twist from the relationship of the pretilt angle of an upper and lower board. You can think of it as showing a twisted array. Since the liquid crystal molecules located at the center of the thickness direction of the liquid crystal layer stand in the vertical direction to some extent, black display will be obtained. In the manufacturing conditions of the liquid crystal cell shown in the photograph of FIG. 34A, and the production conditions of the liquid crystal cell shown in the photograph of FIG. 34B, since the addition amount of chiral agent is comparatively large, distortion (distortion) inside a liquid crystal layer is large, and a liquid crystal It is guessed that the center molecular direction of the thickness direction of a layer is in the state standing up near vertical.

제작된 액정표시소자는, 초기상태에 있어서 포칼코닉 배열상태가 된다. 양 투명기판의 ITO 전극사이에, 전기광학특성의 포화 전압치 이상의 전압을 인가하면(역치전압이상의 강도의 종 전계를 일으키게 한다), 리버스 트위스트 배열상태로 천이한다. 도 34a 및 도 34b에 나타내는 사진으로부터, 제작된 액정표시소자에 있어서는, 정면에서 관찰했을 경우에서도, 높은 콘트라스트비로 표시를 하는 것을 알 수 있다.The produced liquid crystal display element is in a focal conical arrangement state in an initial state. When a voltage equal to or higher than the saturation voltage value of the electro-optical characteristic is applied between the ITO electrodes of both transparent substrates (which causes a longitudinal electric field of intensity equal to or higher than the threshold voltage), the state transitions to the reverse twist arrangement. It is understood from the photographs shown in FIGS. 34A and 34B that the produced liquid crystal display device displays at a high contrast ratio even when observed from the front.

그리고 흰색표시(포칼코닉 배열상태), 및, 흑색표시(리버스 트위스트 배열상태)의 메모리성은 매우 안정되고, 현미경에 의해서 액정분자의 미세한 배열상태의 변화를 관찰했지만, 장기, 적어도 반년 이상에 걸쳐서 안정했다.The memory of the white display (the focal conic arrangement) and the black display (reverse twist arrangement) are very stable, and microscopic changes in the arrangement of the liquid crystal molecules have been observed under a microscope. did.

도 35a는, 프레틸트각을 약 45˚, d/p를 0.8로 하는 조건으로 제작한 액정표시소자(도 34b에 표시상태를 나타내는 액정표시소자)에 대해서, 0˚~180˚방위(좌우 방위)의 투과율 시각의존성을 나타내는 그래프이다. 그래프의 횡축은, 정면방향(기판 법선 방향)을 0˚으로 했을 때의 관찰각도를 단위 「˚」으로 나타낸다. 우측위로 기운 관찰각도를 플러스의 각도로 나타내며, 좌방위로 기운 관찰각도를 마이너스의 각도로 나타내었다. 그래프의 세로축은, 투과율을 단위「%」로 나타낸다. 마름모형을 이은 곡선(S-t로 표기)은, 포칼코닉 배열상태에 있어서의 투과율의 시각의존성을 나타낸다. 정방형을 이은 곡선(U-t로 표기)은, 리버스 트위스트 배열상태에서의 그것을 나타낸다.Fig. 35A shows a 0 ° to 180 ° azimuth (left and right orientation) with respect to a liquid crystal display device (the liquid crystal display device showing the display state in Fig. 34B) manufactured with a pretilt angle of about 45 ° and d / p 0.8. ) Is a graph showing the transmittance visual dependence. The horizontal axis of the graph shows the observation angle when the front direction (substrate normal direction) is 0 ° in units of "°". The observation angle tilted to the upper right is shown as a positive angle, and the observation angle tilted to the left is shown as a negative angle. The vertical axis of the graph represents the transmittance in units "%". The curve followed by the rhombus (denoted S-t) indicates the visual dependence of the transmittance in the focal conic arrangement. The squared curve (denoted U-t) represents that in reverse twisted configuration.

또, 도 35b에, 프레틸트각을 약 45˚, d/p를 0.8로 하는 조건으로 제작한 액정표시소자(도 34b에 표시상태를 나타내는 액정표시소자)의 등(等)콘트라스트 곡선을 나타낸다.35B shows an equal contrast curve of the liquid crystal display device (the liquid crystal display device showing the display state in FIG. 34B) manufactured under the condition that the pretilt angle is about 45 ° and the d / p is 0.8.

도 35b로부터 알 수 있듯이, 제작한 액정표시소자에 대해서, 전(全)방위에 관해서, 거의 대칭인 등콘트라스트 곡선이 얻어지고 있다. 또, 도 35a에 나타나 있는 바와 같이, 포칼코닉 배열상태(흰색 표시)에 있어서도, 리버스 트위스트 배열상태(흑색표시)에 있어서도, 거의 좌우대칭인 투과율시각의존성이 얻어지고 있는 것부터, 제작한 액정표시소자는, 좌우대칭인 콘트라스트특성을 갖추고 있는 것을 명료하게 알 수 있다. 이와 같이, 제작한 액정표시소자는 시각특성이 뛰어난 액정표시소자이다.As can be seen from FIG. 35B, almost symmetric isocontrast curves are obtained with respect to the entire orientation of the produced liquid crystal display device. Also, as shown in Fig. 35A, the liquid crystal display device fabricated from the fact that even in the focal conic arrangement state (white display) and in the reverse twist arrangement state (black display), the transmittance visual dependence which is almost symmetric is obtained. It can be clearly seen that has a contrast characteristic of symmetry. Thus, the produced liquid crystal display element is a liquid crystal display element excellent in visual characteristic.

비교를 위하여, 도 35c에, 특허문헌6에 기재된 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 시각콘트라스트특성을 나타낸다. 본 도면은, 특허문헌6의 도면(도 13(A))에 기재된 것과 동일한 도면이다. 도 35c로부터 알 수 있듯이, 특허문헌6에 기재된 액정표시소자에 있어서는, 콘트라스트비가 좌우비대칭이다. 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 플로차트(flow chart)(도 33)에 따라서 예비적으로 제작된 액정표시소자는, 앞의 발명과 비교하여, 콘트라스트비의 좌우대칭성이 실현되고 있는 점에서, 시각특성이 뛰어나다. 또한, 도 35c로부터, 특허문헌6에 기재된 발명의 실시예에 있어서는, 정면관찰시의 콘트라스트비는 3보다 약간 큰 정도이고, 도 35a에 나타내는 그래프에서는, 도 33에 나타내는 플로차트(flow chart)에 따라서 제작된 액정표시소자의 정면 관찰시 콘트라스트비는 4보다 약간 작은 정도로 계산된다. 이와 같이, 정면에서 관찰했을 경우에, 높은 콘트라스트비로 표시를 실시하는 것이 가능한 점에서도, 시각특성이 뛰어나다. 그리고 이들 특징(표시품질의 높이)은, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자(후술)도 갖추고 있다.For comparison, FIG. 35C shows the visual contrast characteristics of the liquid crystal display device according to the embodiment of the invention described in Patent Document 6. As shown in FIG. This figure is a figure same as what was described in the figure (FIG. 13 (A)) of patent document 6. As shown in FIG. As can be seen from FIG. 35C, in the liquid crystal display device described in Patent Document 6, the contrast ratio is asymmetric. The liquid crystal display device preliminarily manufactured according to the flowchart (FIG. 33) showing the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment realizes the symmetry of the contrast ratio in comparison with the above invention. In view of this, the visual characteristics are excellent. In addition, in the Example of invention described in patent document 6 from FIG. 35C, the contrast ratio at the time of front observation is a little larger than 3, and in the graph shown to FIG. 35A, according to the flowchart shown in FIG. In contrast, the contrast ratio of the fabricated liquid crystal display device is slightly smaller than four. In this way, when viewed from the front, the visual characteristics are excellent in that the display can be performed at a high contrast ratio. These features (height of display quality) also include a liquid crystal display element (described later) according to the seventh embodiment.

본 발명자는, 예를 들어 액정층에 물리적 작용을 주는 것으로, 리버스 트위스트 배열상태와 포칼코닉 배열상태가 가환적으로 실현되어 액정분자의 각 배열상태가, 함께 안정하게 되는 조건을 예의 연구했다.The present inventors earnestly studied the conditions under which, for example, by giving a physical action to the liquid crystal layer, the reverse twisted arrangement state and the focalconic arrangement state are realized in an interchangeable manner, and the respective arrangement states of the liquid crystal molecules become stable together.

도 36은, 리버스 트위스트 배열상태, 및, 포칼코닉 배열상태의 쌍안정 상태를 실현 가능하게 하는 조건을 나타내는 그래프이다. 그래프의 횡축은 프레틸트각을 단위「˚」로 나타내고, 세로축은, 카이럴제의 첨가량을 d/p를 이용해 나타낸다.Fig. 36 is a graph showing a condition for realizing the reverse twisted arrangement state and the bistable state of the focal conic arrangement state. The horizontal axis of the graph shows the pretilt angle in unit "°", and the vertical axis shows the addition amount of a chiral agent using d / p.

본 도면에 있어서, 마름모형을 이은 곡선보다 아래의 범위에 있는 프레틸트각 및 d/p의 조합에 있어서는, 포칼코닉 배열상태가 발현하지 않는다. 즉 카이럴제의 첨가량이 너무 적으면, 포칼코닉 배열상태가 아니라 스프레이 트위스트 배열상태가 나타난다.In this figure, in the combination of the pretilt angle and d / p which are in the range below the rhombic curve, the focalconic arrangement state is not expressed. In other words, if the amount of chiral agent added is too small, the spray twist arrangement is shown, not the pocal conic arrangement.

또, 정방형을 이은 곡선보다 위의 범위에 있는 프레틸트각 및 d/p의 조합에 있어서는, 항상 포칼코닉 배열상태가 된다. 즉 카이럴제의 첨가량이 너무 많으면, 포칼코닉 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 상전이 시킬 수 없다.Moreover, in the combination of the pretilt angle and d / p which are in the range above the square curve, it will always be in a focal conic arrangement state. In other words, if the amount of chiral agent added is too large, the phase transition from the focal conic arrangement to the reverse twist arrangement cannot be achieved.

경계면의 앵커링 강도나 액정의 탄성 정수에 따라서 곡선은 다소 상하로 움직이지만, 양 곡선 사이의 범위에 있는 프레틸트각 및 d/p의 조합에 있어서, 리버스 트위스트 배열상태, 및, 포칼코닉 배열상태의 쌍안정 상태가 실현된다. 리버스 트위스트 배열상태와 포칼코닉 배열상태의 쌍안정 상태는, 카이럴제의 비틀림력(chirality)을, 어느 범위내로 제어했을 때에 나타나는 특수한 상태이다.The curve moves slightly up and down depending on the anchoring strength of the interface and the elastic constant of the liquid crystal, but in the combination of the pretilt angle and d / p in the range between the two curves, the reverse twist arrangement state and the focal conic arrangement state A bistable state is realized. The bistable state of the reverse twist arrangement state and the focal conic arrangement state is a special state which appears when the chirality chirality is controlled within a certain range.

그리고 동그라미 표시는, 도 34b에 표시 상태를 나타내고, 도 35a 및 도 35b에 시각 특성을 나타낸 액정표시소자의 프레틸트각(약 45˚)과 d/p(0.8)를 나타낸다.The circled display shows the display state in FIG. 34B, and shows the pretilt angle (about 45 degrees) and d / p (0.8) of the liquid crystal display device showing visual characteristics in FIGS. 35A and 35B.

본 도면에 나타내는 결과로부터, 프레틸트각이 수직에 가까울수록, d/p의 값이 낮아도 포칼코닉 배열상태가 되기 쉬운 것을 알 수 있다. 본 발명의 발명자들이 반복해 행한 실험에 의하면, 프레틸트각이 낮아도, 전압에 의해 액정분자배향을 수직에 가깝게 하면, 포칼코닉 배열상태가 관찰되게 되지만, 경계면의 영향이기 때문인지, d/p의 값은 비교적 높지 않으면 포칼코닉 배열상태는 발현하지 않았다.From the results shown in this figure, it can be seen that the closer the pretilt angle is to the vertical, the easier it becomes to the focalonic arrangement state even if the value of d / p is low. According to experiments conducted by the inventors of the present invention, even when the pretilt angle is low, when the liquid crystal molecular orientation is close to the vertical by the voltage, the focalconic arrangement state is observed. If the value is not relatively high, no focalconic arrangement was expressed.

리버스 트위스트 배열상태, 및, 포칼코닉 배열상태의 쌍안정상태가 실현되는 것은, 액정층을 협지하는 상하기판의 쌍방으로, 20˚이상 85˚이하의 프레틸트각이 발현하는 배향 처리가 이루어지고, 액정층에 카이럴제가, d/p가 0.5 이상 2 이하가 되는 범위에서 첨가되고 있는 경우라고 말할 수 있을 것이다. 또, 상하기판의 쌍방으로, 35˚이상 55˚이하의 프레틸트각이 발현하도록 배향처리가 이루어지고 있을 때는, d/p가 0.5이상 1.2 이하가 되는 범위에서 카이럴제가 첨가되고 있는 경우에, 리버스 트위스트 배열상태와 포칼코닉 배열상태의 쌍안정상태가 실현가능하다고 말할 수 있을 것이다.The bi-stable state of the reverse twist arrangement state and the focal conic arrangement state is realized in both of the upper and lower substrates sandwiching the liquid crystal layer, and an orientation treatment is performed in which a pretilt angle of 20 ° or more and 85 ° or less is expressed. It may be said that the chiral agent is added to a liquid crystal layer in the range which becomes d / p 0.5 or more and 2 or less. In addition, when the chiral agent is added in the range which d / p becomes 0.5 or more and 1.2 or less, when the orientation process is performed so that the pretilt angle of 35 degrees or more and 55 degrees or less may express on both of upper and lower boards, It can be said that the bistable state of the reverse twisted array state and the focal conic array state is feasible.

본 발명의 발명자들은, 이상의 예비적 고찰을 근거로 하여 제7의 실시예에 의한 액정표시소자를 제작했다.The inventors of the present invention produced the liquid crystal display device according to the seventh embodiment based on the above preliminary considerations.

제7의 실시예에 따른 액정표시소자의 한 화소내의 개략적인 단면도는 도 1과 동일하다.A schematic sectional view in one pixel of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment is the same as that in FIG.

액정층(15)을 형성하는 액정재료에는 카이럴제가 첨가되어 있다. 액정 셀 완성상태(초기상태)에서의 액정분자의 배열상태는, 포칼코닉 배열이었다. 예를 들어 전원(20)에 의해서, 양 베타전극(12a, 12b)사이에, 역치전압 이상의 교류전압을 인가하는 것으로, 액정분자의 배열상태를, 포칼코닉 배열로부터 리버스 트위스트 배열로 전이시킬 수 있다.A chiral agent is added to the liquid crystal material which forms the liquid crystal layer 15. The arrangement state of the liquid crystal molecules in the liquid crystal cell completion state (initial state) was a focal conic arrangement. For example, by applying an alternating voltage of at least a threshold voltage between the beta electrodes 12a and 12b by the power supply 20, the arrangement state of the liquid crystal molecules can be transferred from the focalconic array to the reverse twisted array. .

도 37~도 41을 참조하여, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 구성 및 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다.37-41, the structure and manufacturing method of the liquid crystal display element by 7th Example are demonstrated in detail.

도 37은, 상측투명기판(11a)상에 형성되는 ITO막의 패턴을 나타내는 개략적인 평면도이다. 본 도면에 나타내는 ITO막으로, 예를 들어 화소전극{각 화소에 대해 상측베타전극(12a)을 형성하는 전극} 및 해당 화소전극의 취출전극이 형성된다.FIG. 37 is a schematic plan view showing a pattern of the ITO film formed on the upper transparent substrate 11a. In the ITO film shown in this figure, for example, a pixel electrode (an electrode for forming the upper beta electrode 12a for each pixel) and an extraction electrode of the pixel electrode are formed.

ITO막 패턴은, 예를 들어 본 도면 좌우 방향으로 ITO막이 스트라이프형상으로 뻗어 형성된다. 본 도면에 대해서는, 화소전극을 구성하는 ITO막에 12A1~12A10의 부호를 붙여 나타냈다.The ITO film pattern is formed by, for example, the ITO film extending in a stripe shape in the left and right directions in the drawing. For this figure, 12A are shown attached to the sign of the 1 ~ 12A 10 to the ITO film constituting the pixel electrode.

ITO막의 패터닝은, ITO 유리기판을 세정한 후, 포트리소 공정을 이용해 행했다. ITO의 에칭은, 제2염화철을 이용한 웨트에칭으로 실시했다. 레이저빔을 조사하고, ITO막을 제거하는 것으로 패터닝을 실시해도 괜찮다.Patterning of the ITO film | membrane was performed using the photolithography process after wash | cleaning an ITO glass substrate. The etching of ITO was performed by wet etching using iron chloride. You may pattern by irradiating a laser beam and removing an ITO film | membrane.

도 38은, 하측투명기판(11b)상에 형성되는 ITO막의 패턴을 나타내는 개략적인 평면도이다. 본 도면에 나타내는 ITO막으로, 예를 들어 화소전극{각 화소에 대해 하측베타전극(12b)을 형성하는 전극} 및 해당 화소 전극의 취출전극이 형성된다.38 is a schematic plan view showing a pattern of the ITO film formed on the lower transparent substrate 11b. In the ITO film shown in this figure, for example, a pixel electrode (an electrode for forming the lower beta electrode 12b for each pixel) and an extraction electrode of the pixel electrode are formed.

ITO막 패턴은, 예를 들어 본 도면 상하방향으로 ITO막이 스트라이프형상으로 뻗어 형성된다. 본 도면에 대해서는, 화소전극을 구성하는 ITO막의 일부에 12B1~12B9의 부호를 붙여 나타냈다. 본 도면 상하방향과 도 37의 좌우방향은 서로 직교하는 방향이다.For example, the ITO film pattern is formed by extending the ITO film in a stripe shape in the vertical direction of the drawing. In this figure, parts of the ITO film constituting the pixel electrode are denoted by symbols 12B 1 to 12B 9 . The up-down direction of this figure and the left-right direction of FIG. 37 are directions orthogonal to each other.

ITO막의 패터닝은, 도 37을 참조해 설명한 ITO막 패턴의 형성 방법과 같은 방법으로 실시할 수 있다.The patterning of the ITO film can be performed by the same method as the method for forming the ITO film pattern described with reference to FIG. 37.

ITO막을 패터닝 한 후, ITO막상을 포함한 하측투명기판(11b)상에 절연막(13)을 형성한다. 절연막(13)은, 예를 들어 취출전극(12BT1~12BT9)부분(단자부분)에는 형성하지 않는다. 본 도면에 대해서는, 절연막(13)을 형성하지 않는 영역에 사선을 표시했다. 절연막(13)은, 취출전극 부분 등에 레지스터를 형성하고, 절연막 성막 후에 리프트 오프로 레지스터를 제거하는 방법, 메탈 마스크로 취출전극 부분 등을 덮은 상태에서 스팩터에 의해 형성하는 방법에 의해 형성이 가능하다. 또, 절연막(13)은, 유기 절연막이나 SiO₂, SiNx 등의 무기 절연막으로 할 수 있다. 이들의 조합으로 형성해도 좋다. 여기에서는 아크릴계 유기 절연막과 SiO₂의 적층막을 절연막(13)으로서 이용했다.After patterning the ITO film, the insulating film 13 is formed on the lower transparent substrate 11b including the ITO film. The insulating film 13 is not formed in, for example, the extraction electrodes 12BT 1 to 12BT 9 portions (terminal portions). In this figure, diagonal lines are shown in regions where the insulating film 13 is not formed. The insulating film 13 can be formed by forming a resistor in a take-out electrode portion or the like, removing the resistor by lift-off after forming the insulating film, or by forming a sputter while covering the take-out electrode portion with a metal mask. Do. The insulating film 13 can be an organic insulating film or an inorganic insulating film such as SiO 2 or SiN x . You may form by a combination of these. Here, a laminated film of an acrylic organic insulating film and SiO 2 was used as the insulating film 13.

제7의 실시예에 대해서는, 우선 취출전극 부분 등에 내열성필름(폴리이미드 테이프)을 붙이고, 막 두께 1μm에 유기절연막을 스핀 코트(2000 rpm로 30초간 스핀)했다. 다음에, 유기절연막이 스핀 코트된 하측투명기판(11b)을, 클린 오븐에서 220℃에서 1시간 고온에서 구우고, 그 후 내열성 필름을 붙인 채로 하측투명기판(11b)을 80℃로 가열하고, SiO₂막을 스팩터법(교류방전)에 의해 두께 1000Å로 성막 했다. SiO₂막은, 진공증착법, 이온 빔법, CVD법등을 이용해 성막 할 수도 있다.In the seventh embodiment, first, a heat resistant film (polyimide tape) was attached to the extraction electrode portion, and the organic insulating film was spin-coated (spinned at 2000 rpm for 30 seconds) at a film thickness of 1 m. Next, the lower transparent substrate 11b spin-coated with the organic insulating film was baked at a high temperature at 220 ° C. for 1 hour in a clean oven, and then the lower transparent substrate 11b was heated to 80 ° C. with the heat resistant film attached thereto. A SiO2 film was formed into a film with a thickness of 1000 mW by the sputtering method (AC discharge). The SiO2 film may be formed by a vacuum deposition method, an ion beam method, a CVD method, or the like.

여기서 내열성 필름을 벗기면, 내열성 필름의 점착 개소에 대해, 유기 절연막 및 SiO₂막을 제거할 수 있었다. 계속 해서, SiO₂막의 절연성과 투명성을 향상시키기 위해서, 하측투명기판(11b)을 클린 오븐에서 220℃에서 1시간 고온에서 구웠다.When the heat resistant film was peeled off here, the organic insulating film and the SiO2 film could be removed with respect to the adhesive point of the heat resistant film. Subsequently, in order to improve the insulation and transparency of the SiO 2 film, the lower transparent substrate 11b was baked at a high temperature at 220 ° C. for 1 hour in a clean oven.

SiO₂막의 형성은 필수는 아니지만, SiO₂막을 성막 하는 것으로 절연막(13)의 절연성을 향상시킬 수 있다. 또, 절연막(13)상에 형성하는 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 밀착성 및 패터닝성을 향상시키는 것이 가능하다.Although the formation of the SiO2 film is not essential, the insulation of the insulating film 13 can be improved by forming the SiO2 film. In addition, it is possible to improve the adhesion and patterning properties of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d formed on the insulating film 13.

유기 절연막을 형성하지 않고, 절연막(13)을 SiO2막만으로 구성해도 괜찮다. SiO2막은 다공질이 되기 쉽기 때문에, 이 경우에는, SiO2막의 두께를 4000Å~8000Å으로 하는 것이 바람직하다. SiO2막과 SiNx막의 적층으로부터 되는 무기절연막(13)으로 할 수도 있다.The insulating film 13 may be composed of only SiO 2 film without forming an organic insulating film. Since SiO 2 is likely to be a porous film, in this case, it is preferred that the SiO 2 film with a thickness 4000Å ~ 8000Å. The inorganic insulating film 13 may be a laminate of an SiO 2 film and a SiN x film.

절연막(13)상에 ITO막을 형성했다. ITO막은, 하측투명기판(11b)을 100℃로 가열하고, 스팩터법(교류 방전)에 의해 기판 전면(全面)에 성막 했다. 막 두께는 약 1200Å로 했다. ITO막은, 진공 증착법, 이온 빔법, CVD법등을 이용해 형성할 수도 있다. 이 ITO막을 포트리소 공정으로 패터닝 하고, 제1즐치전극(12c), 제2즐치전극(12d), 및 이들 전극(12c, 12d)의 취출전극을 형성했다.An ITO film was formed on the insulating film 13. The ITO film heated the lower transparent substrate 11b to 100 degreeC, and formed into a film whole surface by the sputtering method (AC discharge). The film thickness was about 1200 mm. The ITO film can also be formed using a vacuum vapor deposition method, an ion beam method, a CVD method, or the like. The ITO film was patterned by a photolithography process to form first and second electrodes 12c, 12d and extraction electrodes of these electrodes 12c and 12d.

도 39는, ITO막의 에칭에 사용하는 포토마스크를 나타내는 개략적인 평면도이다. 포토마스크는, 제1즐치전극(12c) 대응부분, 제2즐치전극(12d) 대응부분, 제1즐치전극(12c)의 취출전극 대응부분, 제2즐치전극(12d)의 취출전극 대응부분, 및 하측베타전극(12b)의 취출전극 대응부분을 포함한다. 에칭시, 각 대응부분에서 덮인 ITO막으로, 전극이 형성된다. 본 발명의 발명자들은, 빗살 형상 전극의 즐치부분의 전극폭을 20μm, 30μm, 2개의 빗살 형상 전극의 즐치부분을 교대로 배치했을 때의 전극 간격을 20μm, 30μm, 50μm, 100μm, 200μm로 하는 복수의 전극패턴으로, 제1즐치전극(12c) 및 제2즐치전극(12d)을 제작했다.Fig. 39 is a schematic plan view showing a photomask used for etching an ITO film. The photomask includes a portion corresponding to the first sachet electrode 12c, a portion corresponding to the second sac electrode 12d, a corresponding portion of the extraction electrode of the first sac electrode 12c, a portion corresponding to the extraction electrode of the second sac electrode 12d, And an extraction electrode corresponding portion of the lower beta electrode 12b. At the time of etching, an electrode is formed with an ITO film covered at each corresponding portion. The inventors of the present invention have a plurality of electrode intervals of 20 μm, 30 μm, 50 μm, 100 μm, 200 μm when the electrode width of the bladder portion of the comb-shaped electrode is alternately arranged with 20 μm, 30 μm and the bladder portion of two comb-shaped electrodes. As the electrode pattern of, the first sachet electrode 12c and the second sacrificial electrode 12d were produced.

이상과 같은 공정을 거치고, 전극부착기판을 2매 준비했다(도 33의 스텝 S101). 2매의 전극 부착 기판을 세정해 건조한다(스텝 S102). 수세의 경우는, 순수한 물 세정을 실시한다. 세제를 사용해 행해도 괜찮다. 브러쉬 세정, 스프레이 세정의 어느 것으로 세정할 수도 있다. 그 후 탈수를 하고, 건조시킨다. 수세 이외 방법으로서 UV세정, IR건조를 실시하는 것이 가능하다.Through the above process, two electrode attachment substrates were prepared (step S101 of FIG. 33). Two substrates with electrodes are washed and dried (step S102). In the case of water washing, pure water washing is performed. You may use detergent. You may wash with either brush washing or spray washing. It is then dehydrated and dried. As a method other than washing with water, UV washing and IR drying can be performed.

2매의 전극 부착 기판상에, ITO 전극을 덮도록 배향막재료를 도포했다(스텝 S103). 배향막재료의 도포는, 스핀 코트를 이용해 행했다. 후레키소 인쇄나 잉크젯 인쇄를 이용해 행해도 괜찮다. 통상은 수직 배향막의 형성에 사용되는 폴리이미드 배향막재료의 측쇄밀도를 낮게 하여, 배향막재료로서 이용했다. 이것은 예비적 고찰을 위해서 제작한 액정표시소자에 사용한 배향막재료와 동일한 재료이다. 배향막재료는, 배향막의 두께가 500Å~800Å이 되도록 도포했다. 배향막재료를 도포한 전극 부착 기판의 가(假)소성(스텝 S104), 및 본(本)소성(스텝 S105)을 실시했다. 본소성은 클린 오븐에서, 180℃에서 1시간 행했다. 160℃이상 180℃이하의 온도에서 행해도 괜찮다. 이렇게 해서 ITO 전극을 덮는 배향막을 형성했다(스텝 S103~S105).The alignment film material was apply | coated so that an ITO electrode might be covered on two board | substrates with electrodes (step S103). Application of the alignment film material was performed using a spin coat. You may carry out using a fureciso printing or inkjet printing. Usually, the side chain density of the polyimide oriented film material used for formation of a vertical alignment film was made low, and was used as an oriented film material. This material is the same as the alignment film material used for the liquid crystal display element produced for the preliminary consideration. The alignment film material was applied so that the thickness of the alignment film was 500 kPa to 800 kPa. The temporary baking (step S104) and the main baking (step S105) of the board | substrate with an electrode which apply | coated the orientation film material were performed. This firing was carried out in a clean oven at 180 ° C. for 1 hour. You may perform it at the temperature of 160 degreeC or more and 180 degrees C or less. In this way, the alignment film which covers an ITO electrode was formed (step S103-S105).

도 40은, 하측기판(10b)에 형성되는 하측배향막(14b)의 형성영역의 일부를 나타내는 개략적인 평면도이다. 하측배향막(14b)은, 예를 들어 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)이 배치되고, 화소가 확정되는 영역에 형성된다. 본 도면에는, 하측배향막(14b)의 형성 영역으로서 좌상(左上)의 부분만을 나타냈지만, 그 외의 즐치전극(12c, 12d)배치 영역에 대해서도 같다.40 is a schematic plan view showing a part of the formation region of the lower alignment film 14b formed on the lower substrate 10b. The lower alignment film 14b is formed in a region where, for example, the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d are arranged and the pixels are determined. In this figure, only the upper left portion is shown as the formation region of the lower alignment film 14b, but the same applies to the other placement regions 12c and 12d.

다음에, 러빙처리(배향처리)를 실시했다(스텝 S106). 러빙처리는, 압입량을 0.8 mm로 하고, 상측배향막(14a), 하측배향막(14b)의 쌍방으로 20˚이상 85˚이하, 예를 들어 35˚이상 55˚이하, 일례로서 45˚의 프레틸트각이 발현하도록 행했다. 또, 액정표시소자의 트위스트각이 90˚이 되도록 실시했다.Next, the rubbing process (orientation process) was performed (step S106). In the rubbing treatment, the indentation amount is 0.8 mm, and the upper alignment film 14a and the lower alignment film 14b are both 20 ° to 85 °, for example, 35 ° to 55 °, for example, 45 ° pretilt. Angle was performed to express. Moreover, it implemented so that the twist angle of a liquid crystal display element might be 90 degrees.

그리고 이 영역의 프레틸트각은, 측정이 매우 곤란하고, 45˚라고 하는 수치는 적지 않은 오차를 포함할 가능성이 있다. 측정방법의 차이나 측정정도의 문제에 의해, ±15˚~±30˚정도의 편차가 존재할 가능성이 있다.And the pretilt angle of this area | region is very difficult to measure, and the numerical value of 45 degrees may include a few errors. Due to differences in measurement methods or problems in measurement accuracy, there may be a deviation of about ± 15 ° to ± 30 °.

셀두께를 4μm로 하기 위해, 한쪽의 기판 면에, 입경 4μm의 갭 컨트롤재를 산포했다(스텝 S107). 셀 두께를 3μm이상 5μm이하로 하기 위해, 입경 3μm이상 5μm이하의 갭 컨트롤재를 산포하는 것도 가능하다. 한쪽의 기판 면에는 씰재를 인쇄하고, 메인 씰 패턴을 형성했다(스텝 S108). 2매의 기판을 소정의 위치에서 중합하고(스텝 S109), 씰 재를 경화시켰다.In order to make the cell thickness 4 micrometers, the gap control material of particle size 4 micrometers was spread | dispersed on one board | substrate surface (step S107). In order to make the cell thickness 3 micrometers or more and 5 micrometers or less, it is also possible to distribute the gap control material of particle size 3 micrometers or more and 5 micrometers or less. The sealing material was printed on one board | substrate surface, and the main seal pattern was formed (step S108). Two board | substrates were superposed | polymerized in predetermined position (step S109), and the sealing material was hardened.

2매의 기판의 중합은, 상측배향막(14a)의 러빙방향을 제1의 방향, 하측배향막(14b)의 러빙방향을 제2의 방향으로 했을 때, 제2의 방향이 상측기판(10a)의 법선 방향(윗쪽)에서 보아, 제1의 방향을 기준으로, 우회전 방향으로 90˚을 이루는 방향이 되도록 행했다.In the polymerization of the two substrates, when the rubbing direction of the upper alignment film 14a is the first direction and the rubbing direction of the lower alignment film 14b is the second direction, the second direction is the upper substrate 10a. From the normal direction (upper side), it performed so that it might become 90 degrees to a right rotation direction with respect to a 1st direction.

 진공 주입법으로 네마틱 액정을 주입했다(스텝 S110). 액정재료로는 굴절률 이방성Δn이 0.067인, 저굴절률 이방성재료를 이용했다. 액정중에는 카이럴제를 첨가했다. 카이럴제로는 (주)멜크제의 CB15를 사용했다. 카이럴제의 첨가량은, 카이럴 피치를 p, 셀두께를 d로 했을 때, d/p가 0.8(p=5μm)이 되도록 조정했다. d/p는, 프레틸트각에 따라 예를 들어 상측 및 하측 배향막(14a, 14b)에 20˚이상 85˚이하의 프레틸트각이 발현하도록 배향 처리가 이루어져 있을 때는 0.5 이상 2 이하, 35˚이상 55˚이하의 프레틸트각이 발현하도록 배향처리가 이루어져 있을 때는 0.5 이상 1.2 이하로 할 수 있다.The nematic liquid crystal was injected by the vacuum injection method (step S110). As the liquid crystal material, a low refractive index anisotropic material having a refractive index anisotropy Δn of 0.067 was used. Chiral agent was added to the liquid crystal. As chiral agent, CB15 made from Melk Corporation was used. The addition amount of a chiral agent was adjusted so that d / p might be 0.8 (p = 5 micrometer), when the chiral pitch was p and the cell thickness was d. d / p is 0.5 or more and 2 or less and 35 degrees or more when the orientation treatment is performed such that the pretilt angle of 20 degrees or more and 85 degrees or less is expressed in the upper and lower alignment films 14a and 14b depending on the pretilt angle. When the orientation process is performed so that the pretilt angle of 55 degrees or less may express, it may be 0.5 or more and 1.2 or less.

액정주입구를, 자외선경화타입의 엔드 씰 재로 봉지하고(스텝 S111), 액정분자의 배향을 정리하기 위해, 액정의 상전이 온도이상으로 셀을 가열했다(스텝 S112). 그 후, 스크라이바 장치로 투명기판에 입힌 손상을 따라서 브레이킹 하고, 개별의 셀로 작게 분할했다. 작게 분할된 셀에 대해, 모따기(스텝 S113)와 세정(스텝 S114)을 실시했다.The cell was heated above the phase transition temperature of the liquid crystal in order to seal the liquid crystal inlet with an end-curing material of ultraviolet curing type (step S111) and to arrange the alignment of the liquid crystal molecules (step S112). Thereafter, the scribing device was broken along with the damage on the transparent substrate, and was divided into individual cells. Chamfering (step S113) and washing | cleaning (step S114) were performed about the cell divided | segmented small.

마지막으로, 2매의 기판의 액정층과 반대측의 면에, 편광판을 붙였다(스텝 S115). 2매의 편광판은 크로스 니콜로, 그리고 투과축의 방향과 러빙방향이 평행이 되도록 배치했다. 직교하도록 배치할 수도 있다. 양 기판의 ITO 전극{상측, 하측 베타전극(12a, 12b), 및 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)}에는 전원을 접속했다.Finally, the polarizing plate was stuck to the surface on the opposite side to the liquid crystal layer of two board | substrates (step S115). Two polarizing plates were arrange | positioned so that the direction of a transmission axis and a rubbing direction might be parallel in cross nicol. It may be arranged to be orthogonal. A power source was connected to the ITO electrodes (upper, lower beta electrodes 12a, 12b, and first and second sacrificial electrodes 12c, 12d) of both substrates.

도 41은, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 구조를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 41에는, 도 37~도 40에 나타낸 구조를 모두 중합해 나타내고 있다. 좌우방향으로 뻗는 횡 전극과 상하방향으로 뻗는 종 전극으로 하나의 화소가 획정된다. 본 도면에 대해서는, 횡 전극에 12A1~12A10의 부호를 붙여 나타내고, 종 전극의 일부에 12B1~12B9의 부호를 붙여 나타내었다. 화살표로 나타내 보인 것은, 횡 전극(12A9)과 종 전극(12B8)이 기판법선방향에서 보아 겹치는 영역에 획정되는 화소이다. 이 화소에 있어서의 횡 전극(12A9)은, 도 1의 상측베타전극(12a)에 상당하고, 종 전극(12B8)은 하측베타전극(12b)에 상당한다.Fig. 41 is a schematic plan view showing the structure of the liquid crystal display element according to the seventh embodiment. In FIG. 41, all the structures shown in FIGS. 37-40 are superposed | polymerized and shown. One pixel is defined by a horizontal electrode extending in the left and right directions and a vertical electrode extending in the vertical direction. For this figure, indicates the sign of the paste 12A 1 ~ 12A 10 to the longitudinal electrodes, are shown attached to the sign of the 12B 1 ~ 12B 9 in a part of the longitudinal electrode. Shown by the arrow are pixels defined in the region where the lateral electrode 12A 9 and the vertical electrode 12B 8 overlap in the substrate normal direction. The horizontal electrode 12A 9 in this pixel corresponds to the upper beta electrode 12a of FIG. 1, and the vertical electrode 12B 8 corresponds to the lower beta electrode 12b.

도 42a~도 42c는, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자의 외관사진이다. 그리고 도 42a~도 42c에 나타내는 것은, 제1, 제2즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분의 전극폭을 20μm, 양 즐치전극(12c, 12d)의 즐치부분을 교대로 배치했을 때의 전극 간격을 20μm로 하여 제작한 액정표시소자의, 즐치전극(12c, 12d) 형성영역의 정면 관찰 사진이다.42A to 42C are external appearance photographs of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment. 42A to 42C show electrodes having a width of 20 μm in the bladder portion of the first and second sacrificial electrodes 12c and 12d and alternately disposing the sacrificial portions of both sachet electrodes 12c and 12d. It is a front observation photograph of the formation value | value of the glare electrode 12c, 12d of the liquid crystal display element produced with the space of 20 micrometers.

도 42a에, 액정표시소자가 완성한 상태(초기상태)의 외관 사진을 나타낸다. 초기상태에 대해서는, 액정분자는 포칼코닉 배열상태가 된다. 육안으로 보아 균일한 흰색표시를 얻을 수 있었다.42A, the external appearance photograph of the state (initial state) of which the liquid crystal display element was completed is shown. In the initial state, the liquid crystal molecules are in the focal conic arrangement state. Visually, a uniform white mark was obtained.

이 상태에 있어서, 상측베타전극(12a)과 하측베타전극(12b)의 사이에 전압을 인가했다. 양 전극(12a, 12b)에의 전압의 인가에 의해, 액정층(15)에는 종 전계가 생긴다.In this state, a voltage was applied between the upper beta electrode 12a and the lower beta electrode 12b. The application of a voltage to both electrodes 12a and 12b causes the vertical electric field to occur in the liquid crystal layer 15.

도 42b는, 전극(12a, 12b)에 전압을 인가한 후의 외관사진이다. 전체가 포칼코닉 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이한 것을 알 수 있다. 또, 정면에서 보아 흑색표시가 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 반대로 이것으로부터 양 전극(12a, 12b)에의 전압의 인가로, 액정층(15)에 종 전계가 발생하는 것이 확인된다.42B is an external photograph after voltage is applied to the electrodes 12a and 12b. It can be seen that the whole has shifted from the focal conic arrangement state to the reverse twist arrangement state. Moreover, it can be seen from the front that black display is obtained. In addition, on the contrary, it is confirmed that a vertical electric field is generated in the liquid crystal layer 15 by application of a voltage to both electrodes 12a and 12b.

다음에, FFS 모드로, 액정층(15)에 횡 전계를 발생시켰다.Next, in the FFS mode, the lateral electric field was generated in the liquid crystal layer 15.

도 42c는, 도 42b에 나타내는 상태의 액정표시소자를 FFS 모드로 구동한 후의 외관사진이다. 전면이 초기상태와 같은 상태(포칼코닉 배열상태)로 재천이하고 있는 것을 알 수 있다.FIG. 42C is an external photograph after driving the liquid crystal display element in the state shown in FIG. 42B in the FFS mode. FIG. It can be seen that the front surface is transitioning to the same state as the initial state (the focal conic arrangement state).

제7의 실시예에 의한 액정표시소자는, 포칼코닉 배열상태와 리버스 트위스트 배열상태를 스위칭 가능한 액정표시소자이다. 종 전계의 인가에 의해, 전자를 후자로 천이시킬 수 있다. 또 횡 전계의 인가에 의해, 후자를 전자에 천이시킬 수 있다. 리버스 트위스트 배열상태를 포칼코닉 배열상태로 천이시키는 방법으로서 FFS 모드로의 구동 외에, IPS 모드로의 구동을 채용할 수 있다.The liquid crystal display element according to the seventh embodiment is a liquid crystal display element which can switch between a focal conic arrangement state and a reverse twist arrangement state. By application of the seed electric field, the former can be transferred to the latter. In addition, by applying a lateral electric field, the latter can be transferred to the former. As a method of transitioning the reverse twisted arrangement state to the focal conic arrangement state, the drive in the IPS mode can be adopted in addition to the drive in the FFS mode.

액정분자가 면내방향으로 나선을 그리고 있는 포칼코닉 배열상태에 있는 액정층에 종 전계를 부가하면, 경계면의 영향력으로 90˚비틀림 배향이 되어, 액정층 두께방향의 중앙에 위치하는 액정분자는 수직방향으로 기운다. 이렇게 해 포칼코닉 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로의 스위칭을 하는 것이라고 생각할 수 있다. 또, 횡 전계의 부가에 의해, 리버스 트위스트 배열상태의 경계면의 액정분자 배향을 흩어지게 하는 것으로, 리버스 트위스트 배열상태로부터 포칼코닉 배열상태로의 스위칭을 하는 것이라고 생각할 수 있다.When a longitudinal electric field is added to the liquid crystal layer in the focal conical arrangement state in which the liquid crystal molecules are spiraled in the in-plane direction, the liquid crystal molecules are placed in a 90 degree twist orientation under the influence of the boundary surface, and the liquid crystal molecules located in the center of the thickness direction of the liquid crystal layer are vertical. Inclined. In this way, it can be considered that the switching from the focal conic arrangement state to the reverse twist arrangement state is performed. Moreover, it can be considered that the addition of the transverse electric field disperses the orientation of the liquid crystal molecules on the boundary surface of the reverse twisted arrangement state, thereby switching from the reverse twisted arrangement state to the focalconic arrangement state.

제7의 실시예에 의한 액정표시소자는, 부가하는 전계의 방향에 의해, 포칼코닉 배열상태와 리버스 트위스트 배열상태가 서로 천이하고, 각각 상태가 안정적으로 보지되는 액정표시소자이다. 콘트라스트가 높은 흰색표시상태, 흑색표시상태의 쌍안정 표시를 간편하게 실현될 수 있다. 특히, 흑색표시가 어둡고, 정면에서 보았을 때도 분명히 한 표시를 실현하는 것이 가능하다. 이 때문에, 투과형 디스플레이, 투반디스플레이, 반사형 디스플레이의 어느 것에나 매우 적합하게 적용할 수 있다. 또, 제7의 실시예에 의한 액정표시소자는, 좌우 대칭인 콘트라스트비를 가지는 액정표시소자이다.The liquid crystal display device according to the seventh embodiment is a liquid crystal display device in which the focal conic arrangement state and the reverse twist arrangement state transition to each other and the states are stably held in accordance with the direction of the added electric field. The bistable display of high contrast white display state and black display state can be realized easily. In particular, it is possible to realize a clear display even when the black display is dark and viewed from the front. Therefore, the present invention can be suitably applied to any one of a transmissive display, a tubular display, and a reflective display. The liquid crystal display device according to the seventh embodiment is a liquid crystal display device having a contrast ratio which is symmetrical.

제7의 실시예에 의한 액정표시소자에 있어서는, 예를 들어 메모리성을 이용한 표시가 가능하다. 흰색을 표시하고 싶은 화소는, 포칼코닉 배열상태로 하고, 흑색을 표시하고 싶은 화소는, 리버스 트위스트 배열상태로 한다. 적어도 흰색표시로부터 흑색표시로 바꾸고 싶은 화소에는 종 전계를 가한다. 흑색표시를 유지하고 싶은 화소에도, 종 전계를 가해도 괜찮다. 반대로, 적어도 흑색표시로부터 흰색표시로 바꾸고 싶은 화소에는 횡 전계를 가세한다. 흰색표시를 유지하고 싶은 화소에도, 횡 전계를 가해도 괜찮다.In the liquid crystal display element according to the seventh embodiment, for example, display using memory characteristics is possible. The pixels which want to display white are made into the focal conic arrangement state, and the pixels which want to display black are made into the reverse twist arrangement state. At least a pixel is applied to the pixel to be changed from white display to black display. You may also apply a seed electric field to the pixel which wants to hold black display. On the contrary, a lateral electric field is added to at least the pixel to change from black display to white display. A lateral electric field may be applied to the pixel whose white display is to be maintained.

제7의 실시예에 의한 액정표시소자는, 제2의 실시예와 같게 구동할 수 있다. 표시는 반영구적으로 보지하는 것이 가능하고, 고콘트라스트비와 양립할 수 있다.The liquid crystal display element according to the seventh embodiment can be driven in the same manner as in the second embodiment. The display can be held semi-permanently and compatible with high contrast ratios.

제7의 실시예에 의한 액정표시소자는, 메모리성을 이용한 구동 방법으로 구동할 수 있는, 초저소비 전력구동이 가능하고, 특히 반사형 디스플레이에 적용했을 경우에 메리트는 크고, 저비용으로 대용량의 표시를 실시하는 것이 가능하다, 그 제조에 있어서, 일반적인 트위스티드 네마틱형 액정표시소자와 비교한 코스트 상승요인은 적다는 등의 점에서, 제1의 실시예와 같은 효과를 발휘할 수 있다.The liquid crystal display device according to the seventh embodiment is capable of ultra-low power consumption, which can be driven by a driving method using memory characteristics, and especially when applied to a reflective display, the merit is large, and a large-capacity display at low cost In the manufacture thereof, the same effect as in the first embodiment can be achieved in that the cost increase factor compared with the general twisted nematic liquid crystal display element is small.

이상, 실시예 등에 따라서 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although this invention was demonstrated according to the Example etc., this invention is not limited to these.

예를 들어, 제1의 실시예등에 있어서는, 편광판을 크로스 니콜로 배치해 노매리 화이트 표시의 액정표시소자로 했지만, 편광판을 평행 니콜로 배치해 노매리 블랙 표시의 액정표시소자로 해도 좋다. 단지 노매리 화이트로 하는 것이 고콘트라스트비로의 표시를 실현하기 쉬울 것이다. 노매리 화이트 표시의 경우, 양호한 흑색표시를 얻기 위해서는, 상측 및 하측 편광판(16a, 16b)의 투과축방향이 이루는 각도는, 90˚부근인 것이 바람직하다.For example, in a 1st Example etc., although the polarizing plate was arrange | positioned in cross nicol and used as the liquid crystal display element of nomary white display, you may arrange | position a polarizing plate in parallel nicol and may be set as the liquid crystal display element of nomary black display. It will be easy to realize a display with a high contrast ratio only by making it no-white white. In the case of no-marble white display, in order to obtain a favorable black display, the angle formed by the transmission axis directions of the upper and lower polarizing plates 16a and 16b is preferably around 90 °.

또, 실시예에 대해서는, 배향처리를 러빙으로 행했지만, 예를 들어 광배향법, 경사방향 증착법 등, 다른 배향처리방법을 이용하여 배향처리를 실시할 수 있다.In addition, although the orientation process was performed by rubbing about an Example, an orientation process can be performed using other orientation processing methods, such as the photo-alignment method and the diagonal direction vapor deposition method, for example.

또한, 실시예에 있어서는 하측기판(10b)에만, 액정층(15)(화소영역)의 전체 및 일부에 횡 전계를 일으키게 하는 전극을 형성했지만, 하측기판(10b) 뿐만이 아니라, 상측기판(10a)에도 형성할 수 있다. 횡 전계를 일으키게 하는 전극은, 상측기판(10a), 하측기판(10b) 중 적어도 한편에 형성하면 좋다.In the embodiment, the electrodes are formed only on the lower substrate 10b to cause a lateral electric field in the whole and part of the liquid crystal layer 15 (pixel region), but not only the lower substrate 10b but also the upper substrate 10a. Can also be formed. The electrode that causes the lateral electric field may be formed on at least one of the upper substrate 10a and the lower substrate 10b.

또한, 제5의 실시예에 대해서는, 액정층(15)의 질량에 대해, 1wt%, 2wt%, 5wt%가 되는 조건으로, 중합가능한 재료를 첨가했다. 1wt%이상 5 wt%이하의 범위에 한정하지 않고, 중합가능한 재료의 첨가량이 0.5wt%이상 5 wt%이하의 범위여도, 같은 효과를 얻을 수 있을 것이다.In addition, about the 5th Example, the material which can superpose | polymerize was added on condition that it will become 1 wt%, 2 wt%, and 5 wt% with respect to the mass of the liquid crystal layer 15. As shown in FIG. It is not limited to the range of 1 wt% or more and 5 wt% or less, even if the amount of the polymerizable material added is 0.5 wt% or more and 5 wt% or less, the same effect can be obtained.

그 외, 여러 가지의 변경, 개량, 조합 등이 가능하다는 것은 당업자에게는 자명할 것이다.In addition, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like are possible.

액정소자 전반, 예를 들어 단순 매트릭스 구동을 실시하는 액정표시소자 전반에 이용할 수 있다. 또, 저소비 전력, 넓은 시각특성, 저가격 등이 요구되는 액정표시소자에 이용 가능하다.It can be used for the whole liquid crystal element, for example, the whole liquid crystal display element which performs a simple matrix drive. It can also be used in liquid crystal display devices that require low power consumption, wide visual characteristics, low cost, and the like.

메모리성을 가지는 점에서는, 예를 들어 전력절약으로 빈번한 바꿔쓰기를 필요로 하지 않는 정보기기(퍼스널 컴퓨터, 휴대정보단말기 등)의 표시면 등, 반사형, 투과형, 투사형의 디스플레이에 바람직하게 적용 가능하다. 또, 자기기록 내지 전기기록된 카드의 정보 표시면, 아동용 완구, 전자 페이퍼 등에 이용할 수 있다.In terms of memory characteristics, it is preferably applicable to reflective, transmissive, and projection displays such as display surfaces of information devices (personal computers, portable information terminals, etc.) that do not require frequent rewriting due to power saving. Do. It can also be used for information display surfaces of magnetically recorded or electrically recorded cards, children's toys, electronic paper and the like.

또한, 재해 발생으로 인한 정전 시에도 표시를 유지하기 위한 디스플레이에 이용 가능하다.In addition, it can be used for a display for maintaining the display even in the event of a power failure due to a disaster.

10a 상측기판
10b 하측기판
11a 상측 투명기판
11b 하측 투명기판
12a 상측 베타전극
12b 하측 베타 전극
12c 제1즐치전극
12d 제2즐치전극
13 절연막
14a 상측 배향막
14b 하측 배향막
15 액정층
16a 상측 편광판
16b 하측 편광판
20 전원
21 슬릿 전극
21a 슬릿
22, 22a 코먼선
23 주사선
24 반도체막
25 소스 전극
26, 26a 드레인 전극
27 신호선
28 절연막
31~33 드라이버
34 화소부
10a upper board
10b lower board
11a upper transparent substrate
11b bottom transparent substrate
12a upper beta electrode
12b lower beta electrode
12c first electrode
12d second blazing electrode
13 insulating film
14a upper alignment layer
14b lower alignment layer
15 liquid crystal layer
16a upper polarizer
16b lower polarizer
20 power
21 slit electrodes
21a slit
22, 22a common ship
23 scan lines
24 semiconductor film
25 source electrode
26, 26a drain electrode
27 signal line
28 insulating film
31 ~ 33 driver
34 pixels

Claims (26)

제1의 기판과,
상기 제1의 기판에 대향해서 배치된 제2의 기판과,
상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판의 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하고, 서로 다른 2개의 액정분자 배열상태를 가환적으로 실현하는 액정층을 가지는 액정소자.
A first substrate,
A second substrate disposed to face the first substrate,
A liquid crystal element disposed between said first substrate and said second substrate, said liquid crystal layer comprising a chiral agent, and having a liquid crystal layer that realizes two different liquid crystal molecule arrangement states interchangeably.
배향 처리된 상기 제1의 기판과,
상기 제1의 기판과 평행으로 대향 배치되고, 배향처리된 상기 제2의 기판과,
상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판과의 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하고, 트위스트 배향하는 상기 액정층을 가지며,
상기 액정층이 상기 카이럴제를 포함하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향을 제1선회방향으로 할 때, 상기 카이럴제는 상기 액정층의 액정분자에, 상기 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로의 선회성을 주고,
상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판에는 전극이 형성되며,
상기 전극은, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향의 전계, 또는, 상기 액정층의 두께방향과 직교하는 방향의 전계를 일으킬 수 있는 청구항1 기재의 액정소자.
The first substrate subjected to the alignment treatment,
The second substrate which is disposed in parallel with the first substrate and is aligned;
The liquid crystal layer is disposed between the first substrate and the second substrate, comprises a chiral agent, and has a twist orientation.
When the liquid crystal layer does not contain the chiral agent, when the liquid crystal molecules are twisted in the first direction of rotation, the chiral agent is formed in the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer. Gives the turnability in the opposite second turning direction,
Electrodes are formed on the first substrate and the second substrate,
The liquid crystal element according to claim 1, wherein the electrode can cause an electric field in a thickness direction of the liquid crystal layer or an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer, in a part of the liquid crystal layer.
상기 전극은,
상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과,
상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제3, 제4의 전극을 포함하고,
상기 제3, 제4의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 즐치전극이며,
상기 제1의 전극과 상기 제 3의 전극과의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향의 전계를 일으킬 수 있는 청구항2 기재의 액정소자.
The electrode
A first electrode formed on the first substrate,
Second, third, and fourth electrodes formed on the second substrate;
The third and fourth electrodes are sacrificial electrodes formed by passing an insulating film over the second electrode, and are sacrificial electrodes in which saccharic portions are alternately arranged.
The liquid crystal element according to claim 2, wherein an electric potential in the thickness direction of the liquid crystal layer is generated in a part of the liquid crystal layer by providing a potential difference between the first electrode and the third electrode.
상기 제1의 전극과 상기 제3의 전극과의 사이, 및, 상기 제1의 전극과 상기 제4의 전극과의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께 방향의 전계를 일으킬 수 있는 청구항 3 기재의 액정소자.By giving a potential difference between the first electrode and the third electrode and between the first electrode and the fourth electrode, a portion of the liquid crystal layer is in the thickness direction of the liquid crystal layer. The liquid crystal device according to claim 3, which can cause an electric field of the same. 상기 제3, 제4의 전극이 교대로 배치되는 즐치부분사이의 거리를 s로 하고, 상기 액정층의 두께를 d로 할 때,
 s>2×d
인 청구항 4 기재의 액정소자.
When the distance between the bladder portions where the third and fourth electrodes are alternately arranged is set to s, and the thickness of the liquid crystal layer is set to d,
s > 2 × d
The liquid crystal element according to claim 4.
상기 제3의 전극의 즐치부분의 폭과, 상기 제4의 전극의 즐치부분의 폭과, 상기 제3, 제4의 전극의 교대로 배치되는 즐치부분사이의 거리와의 비가 4:2:1인 청구항 4 또는 5 기재의 액정소자.The ratio of the width | variety of the width | variety of the bladder part of a said 3rd electrode, the width | variety of the bladder part of a said 4th electrode, and the distance between bladder parts arrange | positioned alternately of the said 3rd, 4th electrode is 4: 2: 1 The liquid crystal element according to claim 4 or 5. 상기 전극은,
상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과,
상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제3, 제4의 전극을 포함하고,
상기 제3, 제4의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 즐치전극이며,
상기 제3의 전극과 상기 제4의 전극과의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 할 수 있는 청구항 2 기재의 액정소자.
The electrode
A first electrode formed on the first substrate,
Second, third, and fourth electrodes formed on the second substrate;
The third and fourth electrodes are sacrificial electrodes formed by passing an insulating film over the second electrode, and are sacrificial electrodes in which saccharic portions are alternately arranged.
The liquid crystal element according to claim 2, wherein an electric potential in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer is generated in a part of the liquid crystal layer by providing a potential difference between the third electrode and the fourth electrode. .
상기 전극은,
상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과,
상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제3, 제4의 전극을 포함하고,
상기 제3, 제4의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 즐치전극이며,
상기 제 2의 전극과 상기 제3, 제4의 전극의 한쪽과의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 할 수 있는 청구항 2 기재의 액정소자.
The electrode
A first electrode formed on the first substrate,
Second, third, and fourth electrodes formed on the second substrate;
The third and fourth electrodes are sacrificial electrodes formed by passing an insulating film over the second electrode, and are sacrificial electrodes in which saccharic portions are alternately arranged.
Claims that can cause an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer in a part of the liquid crystal layer by providing a potential difference between the second electrode and one of the third and fourth electrodes. Liquid crystal element of 2 description.
상기 전극은,
상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과,
상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제5의 전극을 포함하고,
상기 제5의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 슬릿 전극이며,
상기 제1의 전극과 상기 제5의 전극 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향의 전계를 일으키게 할 수 있는 청구항2 기재의 액정소자.
The electrode
A first electrode formed on the first substrate,
Second and fifth electrodes formed on the second substrate;
The fifth electrode is a slit electrode formed by passing an insulating film over the second electrode,
The liquid crystal element according to claim 2, wherein an electric potential in the thickness direction of the liquid crystal layer can be generated in a part of the liquid crystal layer by providing a potential difference between the first electrode and the fifth electrode.
제1의 전극을 구비하고, 배향 처리된 상기 제1의 기판과,
상기 제1의 기판과 평행으로 대향 배치되고, 제2의 전극을 구비하며, 배향 처리된 상기 제2의 기판과,
상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판 사이에 배치되고, 카이럴제 및 중합체를 포함하고, 트위스트 배향하는 상기 액정층을 가지고,
상기 액정층이 상기 카이럴제를 포함하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향을 제1선회방향으로 할 때, 상기 카이럴제는 상기 액정층의 액정분자에, 상기 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로의 선회성을 주고,
상기 중합체는, 상기 액정층의 질량에 대해, 5wt%이하의 범위에서 첨가된 중합가능재료로부터 합성되며,
상기 액정층에는, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극에 전압을 인가하는 것으로, 상기 액정층의 두께방향의 전계를 일으키게 하는 것이 가능하고,
상기 제1의 기판, 상기 제2의 기판의 적어도 한쪽에는, 전압의 인가에 의해, 상기 액정층의 두께방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 하는 것이 가능한 전극이 형성되어 있고,
상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판에 대한 배향처리, 및, 상기 액정층에의 카이럴제의 첨가는, 상기 액정층에 부가하는 전계의 방향에 의해, 상기 액정층의 액정분자가, 리버스 트위스트 배열상태와 스프레이 트위스트 배열상태의 사이에 서로 천이하도록 행해지고 있는 청구항1 기재의 액정소자.
The first substrate having a first electrode and subjected to an alignment treatment;
A second substrate disposed opposite to the first substrate in parallel with the first substrate and provided with a second electrode;
The liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, comprising a chiral agent and a polymer, and twist-oriented;
When the liquid crystal layer does not contain the chiral agent, when the liquid crystal molecules are twisted in the first direction of rotation, the chiral agent is formed in the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer. Gives the turnability in the opposite second turning direction,
The polymer is synthesized from a polymerizable material added in a range of 5 wt% or less with respect to the mass of the liquid crystal layer,
By applying a voltage to the first electrode and the second electrode to the liquid crystal layer, it is possible to cause an electric field in the thickness direction of the liquid crystal layer,
At least one of the first substrate and the second substrate is provided with an electrode capable of generating an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer by application of a voltage,
The alignment treatment with respect to the said 1st board | substrate and the said 2nd board | substrate, and addition of the chiral agent to the said liquid crystal layer, The liquid crystal molecule of the said liquid crystal layer by the direction of the electric field added to the said liquid crystal layer, The liquid crystal element according to claim 1, which is made to transition between a reverse twisted arrangement state and a spray twisted arrangement state.
상기 중합체는, 상기 액정층의 질량에 대해, 0.5wt% 이상 5 wt%이하의 범위에서 첨가된 중합가능재료로부터 합성되어 있는 청구항10 기재의 액정소자.The liquid crystal device according to claim 10, wherein the polymer is synthesized from a polymerizable material added in a range of 0.5 wt% or more and 5 wt% or less with respect to the mass of the liquid crystal layer. 상기 중합체는, 상기 액정층의 질량에 대해, 1 wt% 이상 5 wt%이하의 범위에서 첨가된 중합가능재료로부터 합성되어 있는 청구항11 기재의 액정소자.The liquid crystal device according to claim 11, wherein the polymer is synthesized from a polymerizable material added in a range of 1 wt% or more and 5 wt% or less with respect to the mass of the liquid crystal layer. 상기 중합체는, 상기 액정층의 액정분자가 리버스 트위스트 배열상태 또는 스프레이 트위스트 배열상태에 있을 때 중합처리가 이루어져 합성되는 청구항 10~12의 어느 1항 기재의 액정소자.The liquid crystal device according to any one of claims 10 to 12, wherein the polymer is synthesized by polymerizing when the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are in a reverse twist arrangement or a spray twist arrangement. 상기 제2의 기판은,
투명기판과,
상기 투명기판 상에 형성된 상기 제2의 전극과,
상기 제2의 전극 상에 형성된 절연막과,
상기 절연막상에 형성된, 제1 및 제2의 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 제1 및 제2의 즐치전극과,
상기 제1 및 제2의 즐치전극을 덮도록 상기 절연막상에 형성된 배향막
을 포함한 청구항 10~13의 어느 1항 기재의 액정소자.
The second substrate,
A transparent substrate,
The second electrode formed on the transparent substrate;
An insulating film formed on said second electrode,
First and second sacrificial electrodes formed on the insulating film, wherein the sacrificial portions are alternately arranged with the first and second sacrificial electrodes;
An alignment film formed on the insulating film to cover the first and second sacrificial electrodes
The liquid crystal device according to any one of claims 10 to 13, including.
각각의 일면에 배향 처리가 행해져 있고, 대향 배치된 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판과,
상기 제1의 기판의 일면과 상기 제2의 기판의 일면 사이에 설치된 상기 액정층을 포함하고,
상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판은, 상기 액정층의 액정분자가 제1방향으로 비틀어진 제1배향상태를 일으키도록 상기 배향처리의 방향을 설정하고, 또한, 각각이 상기 액정층과의 경계면에 있어서 해당 액정층의 액정분자에 부여하는 프레틸트각이 35˚이상이며,
상기 액정층은, 상기 액정분자가 상기 제1방향과는 반대의 제2방향으로 비틀어진 제2배향상태를 일으키게 하는 성질의 카이럴제를 함유하고,
상기 카이럴제는, 상기 액정층의 층두께d에 대한 카이럴 피치의 비d/p가 0.25이상 0.75 이하가 되도록 첨가된, 청구항 1 기재의 액정소자.
Orientation processing is performed on each one surface, and the said 1st board | substrate and the said 2nd board | substrate which were opposingly arranged,
The liquid crystal layer disposed between one surface of the first substrate and one surface of the second substrate,
The first substrate and the second substrate set the direction of the alignment process such that the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer cause a first alignment state in which the liquid crystal molecules are twisted in the first direction, and each of the first substrate and the second substrate has The pretilt angle given to the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer at the interface of is 35 ° or more,
The liquid crystal layer contains a chiral agent having properties such that the liquid crystal molecules cause a second alignment state twisted in a second direction opposite to the first direction,
The said chiral agent was added so that ratio d / p of a chiral pitch with respect to the layer thickness d of the said liquid crystal layer may be 0.25 or more and 0.75 or less.
상기 액정층은, 상기 제2배향 상태에서의 트위스트각이 70˚이상 90˚이하인, 청구항15 기재의 액정소자.The liquid crystal element according to claim 15, wherein the liquid crystal layer has a twist angle of 70 ° or more and 90 ° or less in the second alignment state. 상기 액정층에 전계를 인가하기 위한 전계인가수단을 더 포함하고,
상기 전압인가수단에 의해서, 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판의 각 일면에 거의 수직인 방향으로 전계가 인가된 것에 의해 상기 액정층이 상기 제1배향 상태로 천이하고, 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판의 각 일면에 거의 평행한 방향으로 전계가 인가된 것에 의해 상기 액정층이 상기 제2배향 상태로 천이하는, 청구항 15 또는 16 기재의 액정소자.
It further comprises an electric field applying means for applying an electric field to the liquid crystal layer,
The liquid crystal layer transitions to the first alignment state by applying an electric field in a direction substantially perpendicular to each one surface of the first substrate and the second substrate by the voltage applying means, The liquid crystal element according to claim 15 or 16, wherein the liquid crystal layer transitions to the second alignment state by applying an electric field in a direction substantially parallel to each one surface of the substrate and the second substrate.
상기 프레틸트각이 70˚보다 작은, 청구항 15~17의 어느 1항 기재의 액정소자.The liquid crystal element according to any one of claims 15 to 17, wherein the pretilt angle is smaller than 70 degrees. 제1의 전극을 갖추어 배향 처리된 상기 제1의 기판과,
상기 제1의 기판과 평행으로 대향 배치되고, 제2의 전극을 갖추고, 배향 처리된 상기 제2의 기판과,
상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하며, 트위스트 배향하는 상기 액정층을 가지고,
상기 액정층이 상기 카이럴제를 포함하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향을 제1선회방향으로 할 때, 상기 카이럴제는 상기 액정층의 액정분자에, 상기 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로의 선회성을 주며,
상기 액정층에는, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극에 전압을 인가하는 것으로, 상기 액정층의 두께방향의 전계를 일으키게 하는 것이 가능하고,
상기 제1의 기판, 상기 제2의 기판의 적어도 한편에는, 전압의 인가에 의해, 상기 액정층의 두께 방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 하는 것이 가능한 전극이 형성되어 있으며,
상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판에 대한 배향처리, 및, 상기 액정층에의 카이럴제의 첨가는, 상기 액정층에 부가하는 전계의 방향에 의해, 상기 액정층의 액정분자가, 포칼코닉 배열상태와 리버스 트위스트 배열상태의 사이에 서로 천이 하도록 행해지는 청구항 1 기재의 액정소자.
The first substrate having a first electrode and aligned;
The second substrate which is disposed in parallel with the first substrate, is provided with a second electrode, and is oriented;
The liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, including a chiral agent, and twist-oriented;
When the liquid crystal layer does not contain the chiral agent, when the liquid crystal molecules are twisted in the first direction of rotation, the chiral agent is formed in the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer. Gives turnability in the opposite direction of the second turn,
By applying a voltage to the first electrode and the second electrode to the liquid crystal layer, it is possible to cause an electric field in the thickness direction of the liquid crystal layer,
At least one of the first substrate and the second substrate is provided with an electrode capable of generating an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer by application of a voltage,
The alignment treatment with respect to the said 1st board | substrate and the said 2nd board | substrate, and addition of the chiral agent to the said liquid crystal layer, The liquid crystal molecule of the said liquid crystal layer by the direction of the electric field added to the said liquid crystal layer, The liquid crystal element according to claim 1, which is made to transition between a focal conic arrangement state and a reverse twist arrangement state.
상기 제1 및 제2의 기판에, 20˚이상 85˚이하의 프레틸트각이 발현하도록 배향처리가 이루어지고, 카이럴 피치를 p, 상기 액정층의 두께를 d로 했을 때, d/p가 0.5이상 2 이하가 되도록, 상기 액정층에 카이럴제가 첨가되어 있는 청구항19 기재의 액정소자.The first and second substrates are subjected to an alignment treatment so as to express a pretilt angle of 20 ° or more and 85 ° or less, and when the chiral pitch is p and the thickness of the liquid crystal layer is d, d / p is The liquid crystal element according to claim 19, wherein a chiral agent is added to the liquid crystal layer so as to be 0.5 or more and 2 or less. 상기 제1 및 제2의 기판에, 35˚이상 55˚이하의 프레틸트각이 발현하도록 배향처리가 이루어지고, d/p가 0.5 이상 1.2 이하가 되도록, 상기 액정층에 카이럴제가 첨가되어 있는 청구항20 기재의 액정소자.The first and second substrates are subjected to an alignment treatment so as to express a pretilt angle of 35 ° or more and 55 ° or less, and a chiral agent is added to the liquid crystal layer so that d / p is 0.5 or more and 1.2 or less. The liquid crystal device according to claim 20. 상기 제 2의 기판은,
투명기판과,
상기 투명기판 상에 형성된 상기 제2의 전극과,
상기 제2의 전극 상에 형성된 절연막과,
상기 절연막상에 형성된, 제1및 제2의 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 제1및 제2의 즐치전극과,
상기 제1 및 제2의 즐치전극을 덮도록 상기 절연막상에 형성된 배향막을 포함한 청구항 19~21의 어느 1항 기재의 액정소자.
The second substrate,
A transparent substrate,
The second electrode formed on the transparent substrate;
An insulating film formed on said second electrode,
First and second sacrificial electrodes formed on the insulating film, the sacrificial portions having first and second sacrificial electrodes being alternately arranged;
The liquid crystal device according to any one of claims 19 to 21, including an alignment film formed on the insulating film so as to cover the first and second sacrificial electrodes.
배향 처리된 제1의 기판과, 상기 제1의 기판과 평행으로 대향 배치되고, 배향 처리된 제2의 기판과, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판의 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하며, 트위스트 배향하는 액정층을 가지고, 상기 액정층이 상기 카이럴제를 포함하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향을 제1선회방향으로 할 때, 상기 카이럴제는 상기 액정층의 액정분자에, 상기 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로의 선회성을 주며, 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판에는 전극이 형성되며, 상기 전극은, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향의 전계, 또는, 상기 액정층의 두께방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 할 수 있는 액정소자의 구동 방법으로서,
상기 전극은, 상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과, 상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제3, 제4의 전극을 포함하며, 상기 제3, 제4의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 즐치전극이며, 상기 제1의 전극과 상기 제3의 전극의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부를 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이시키는 액정소자의 구동 방법.
A chiral agent is disposed between the first substrate subjected to the alignment treatment, the second substrate disposed in parallel with the first substrate, and the second substrate subjected to the alignment treatment, and the first substrate and the second substrate. And a twisted alignment liquid crystal layer, and when the liquid crystal layer does not contain the chiral agent, when the liquid crystal molecules are twisted in the first rotation direction, the chiral agent is used as the liquid crystal layer. Giving liquid crystal molecules of the layer to the second turning direction opposite to the first turning direction, wherein an electrode is formed on the first substrate and the second substrate, and the electrode is the liquid crystal layer. As a method of driving a liquid crystal element capable of causing an electric field in a thickness direction of the liquid crystal layer or an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer,
The electrode includes a first electrode formed on the first substrate and second, third, and fourth electrodes formed on the second substrate, and the third and fourth electrodes include the first electrode. A sacrificial electrode formed by interposing an insulating film above the electrode of 2, wherein the sacrificial portions are alternately arranged saccharic electrodes, and part of the liquid crystal layer is provided with a potential difference between the first electrode and the third electrode. A method of driving a liquid crystal element in which the transition from the spray twist arrangement state to the reverse twist arrangement state.
배향 처리된 제1의 기판과, 상기 제1의 기판과 평행으로 대향 배치되고, 배향 처리된 제2의 기판과, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판의 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하며, 트위스트 배향하는 액정층을 가지며, 상기 액정층이 상기 카이럴제를 포함하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향을 제1선회방향으로 할 때, 상기 카이럴제는 상기 액정층의 액정분자에, 상기 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로의 선회성을 주며, 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판에는 전극이 형성되며, 상기 전극은, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향의 전계, 또는, 상기 액정층의 두께방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 할 수 있는 액정소자의 구동 방법으로서,
상기 전극은, 상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과, 상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제3, 제4의 전극을 포함하며, 상기 제3, 제4의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 즐치전극이며, 상기 제3의 전극과 상기 제4의 전극과의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부를 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시키는 액정소자의 구동 방법.
A chiral agent is disposed between the first substrate subjected to the alignment treatment, the second substrate disposed in parallel with the first substrate, and the second substrate subjected to the alignment treatment, and the first substrate and the second substrate. And a twisted alignment liquid crystal layer, and when the liquid crystal layer does not contain the chiral agent, when the liquid crystal molecules are twisted in the first rotation direction, the chiral agent is used as the liquid crystal layer. Giving liquid crystal molecules of the layer to the second turning direction opposite to the first turning direction, wherein an electrode is formed on the first substrate and the second substrate, and the electrode is the liquid crystal layer. As a method of driving a liquid crystal element capable of causing an electric field in a thickness direction of the liquid crystal layer or an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer,
The electrode includes a first electrode formed on the first substrate and second, third, and fourth electrodes formed on the second substrate, and the third and fourth electrodes include the first electrode. A sacrificial electrode formed by interposing an insulating film over the electrode of 2, wherein the sacrificial portions are alternately arranged saccharic electrodes, and a potential difference is provided between the third electrode and the fourth electrode to provide a potential difference between the liquid crystal layer. A method of driving a liquid crystal element in which a part is shifted from a reverse twist arrangement to a spray twist arrangement.
배향 처리된 제1의 기판과, 상기 제1의 기판과 평행으로 대향 배치되고, 배향 처리된 제2의 기판과, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판의 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하며, 트위스트 배향하는 액정층을 가지고, 상기 액정층이 상기 카이럴제를 포함하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향을 제1선회방향으로 할 때, 상기 카이럴제는 상기 액정층의 액정분자에, 상기 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로의 선회성을 주고, 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판에는 전극이 형성되며, 상기 전극은, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향의 전계, 또는, 상기 액정층의 두께 방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 할 수 있는 액정소자의 구동 방법으로서,
상기 전극은, 상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과, 상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제3, 제4의 전극을 포함하며, 상기 제3, 제4의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 즐치전극으로서, 즐치부분이 교대로 배치되어 있는 즐치전극이며, 상기 제2의 전극과 상기 제3, 제4의 전극의 한편과의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부를 리버스 트위스트 배열상태로부터 스프레이 트위스트 배열상태로 천이시키는 액정소자의 구동 방법.
A chiral agent is disposed between the first substrate subjected to the alignment treatment, the second substrate disposed in parallel with the first substrate, and the second substrate subjected to the alignment treatment, and the first substrate and the second substrate. And a twisted alignment liquid crystal layer, and when the liquid crystal layer does not contain the chiral agent, when the liquid crystal molecules are twisted in the first rotation direction, the chiral agent is used as the liquid crystal layer. The liquid crystal molecules of the layer are provided with swirling ability in a second turning direction opposite to the first turning direction, and electrodes are formed on the first substrate and the second substrate, and the electrode is the liquid crystal layer. As a method of driving a liquid crystal element capable of causing an electric field in a thickness direction of the liquid crystal layer or an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer,
The electrode includes a first electrode formed on the first substrate and second, third, and fourth electrodes formed on the second substrate, and the third and fourth electrodes include the first electrode. A sacrificial electrode formed by intersecting an insulating film above the electrode of 2, which is a sacrificial electrode in which saccharic portions are alternately arranged, and a potential difference is provided between the second electrode and one of the third and fourth electrodes. And a part of the liquid crystal layer is shifted from the reverse twist arrangement to the spray twist arrangement.
배향 처리된 제1의 기판과, 상기 제1의 기판과 평행으로 대향 배치되고, 배향 처리된 제2의 기판과, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판의 사이에 배치되고, 카이럴제를 포함하며, 트위스트 배향하는 액정층을 가지고, 상기 액정층이 상기 카이럴제를 포함하지 않았던 경우에, 액정분자가 비틀리는 선회방향을 제1선회방향으로 할 때, 상기 카이럴제는 상기 액정층의 액정분자에, 상기 제1선회방향과는 반대의 제2선회방향으로의 선회성을 주며, 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판에는 전극이 형성되며, 상기 전극은, 상기 액정층의 일부에, 상기 액정층의 두께방향의 전계, 또는, 상기 액정층의 두께방향과 직교하는 방향의 전계를 일으키게 할 수 있는 액정소자의 구동방법으로서,
상기 전극은, 상기 제1의 기판에 형성된 제1의 전극과, 상기 제2의 기판에 형성된 제2, 제5의 전극을 포함하며, 상기 제5의 전극은, 상기 제2의 전극 상방에 절연막을 개입시켜 형성된 슬릿 전극으로서, 상기 제1의 전극과 상기 제5의 전극의 사이에 전위차를 주는 것으로, 상기 액정층의 일부를 스프레이 트위스트 배열상태로부터 리버스 트위스트 배열상태로 천이시키는 액정소자의 구동 방법.
A chiral agent is disposed between the first substrate subjected to the alignment treatment, the second substrate disposed in parallel with the first substrate, and the second substrate subjected to the alignment treatment, and the first substrate and the second substrate. And a twisted alignment liquid crystal layer, and when the liquid crystal layer does not contain the chiral agent, when the liquid crystal molecules are twisted in the first rotation direction, the chiral agent is used as the liquid crystal layer. Giving liquid crystal molecules of the layer to the second turning direction opposite to the first turning direction, wherein an electrode is formed on the first substrate and the second substrate, and the electrode is the liquid crystal layer. As a method of driving a liquid crystal element capable of causing an electric field in a thickness direction of the liquid crystal layer or an electric field in a direction orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer,
The electrode includes a first electrode formed on the first substrate, and second and fifth electrodes formed on the second substrate, and the fifth electrode includes an insulating film above the second electrode. A method of driving a liquid crystal element in which a portion of the liquid crystal layer is transitioned from a spray twist arrangement state to a reverse twist arrangement state by providing a potential difference between the first electrode and the fifth electrode as a slit electrode formed through the slit electrode. .
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