KR20130078750A - 유도결합 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리장치 - Google Patents

유도결합 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 내부에 기판이 놓이는 기판탑재대가 구비되는 하부챔버와 상기 하부챔버의 상부에 구비되어 소정의 밀폐공간을 형성하는 상부리드를 포함하는 공정챔버를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 상부리드에 중앙에 구비되어 내부로 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급부와 상기 제1 공정가스 공급부의 인근에 구비되는 적어도 하나의 제2 공정가스 공급부를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.

Description

유도결합 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리장치 {Apparatus for processing a substrate using Inductively Coupled Plasma}
본 발명은 유도결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 안테나에 고주파 전원을 인가하여 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 기판처리장치에 관한 것이다.
대규모 집적회로(LSI; Large Scale Integrated Circuit)나 평판표시장치(FPD; Flat Panel Display)와 같은 전자 소자는 제조 과정에서 기판에 대한 진공처리 공정이 수행된다.
이러한 진공처리 공정은 챔버 내에 가스를 도입하고, 고전압 방전에 의하여 플라즈마를 형성하여, 이의 가속력에 의하여 기판 표면 상의 물질을 물리적으로 스퍼터(sputter)시키는 방법과 플라즈마의 활성화종들에 의하여 화학적으로 기판 표면 상의 물질을 분해시키는 방법이다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 기술은, 플라즈마를 형성하는 방법에 따라 PE(Plasma Etching), RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magneticaly Enhanced Reactive Ion Etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance), TCP(Transformer Coupled Plasma) 및 ICP(Inductively Coupled Plasma) 등이 있다.
특히, 고밀도의 플라즈마 형성과 유리(또는 반도체) 기판 상에서 플라즈마 농도의 균일성은 증착 또는 식각 성능에 중요한 영향을 미치게 된다. 이 때문에 플라즈마를 발생하기 위한 방식을 여러 가지로 변화시켜 개발이 진행되었고, 그 중에 하나가 유도 결합형 플라즈마 발생방식(ICP; Induced coupling plasma)이다.
이러한 유도 결합형 플라즈마(이하, ICP) 방식은, 유전체의 외부에 코일을 감아 전기장을 변화시키면 코일의 내부에 유도자장이 발생하게 되고 그에 따른 2차 유도전류가 반응 챔버 내에 형성되는 것을 이용하여 발생시키는 고밀도 플라즈마 방식이다.
ICP 방식을 이용한 기판처리장치의 공정챔버는, 통상 공정챔버의 내부 하측에 기판이 탑재되는 하부 전극이 구비되고, 공정챔버 또는 이 공정챔버에 결합되는 리드 프레임의 상부에 RF 전원이 인가되는 안테나가 구비되어, 공정챔버 내에 반응가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시켜 기판의 표면 처리 공정을 수행할 수 있도록 구성된다.
하지만, 기판이 대형화됨에 따라 공정챔버 역시 대형화되는 추세에 있다. 하지만, 이와 같이 공정챔버가 대형화됨에 따라 내부에 발생하는 플라즈마의 균일도가 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 공정챔버의 상부리드(1)는 중앙에 하나의 공정가스 공급부(2)가 구비되어 있다.
기판의 대면적화 되는 경우 상부리드(1) 및 공정챔버의 크기가 증가하고, 이에 따라 공정챔버 내부에 플라즈마의 분포가 불균일해지는 문제가 발생할 수 있다. 즉, 하나의 공정가스 공급부(2)로 공정가스를 공급할 경우 공정가스 공급부(2) 주위에 발생하는 플라즈마의 밀도가 높아지고 플라즈마의 불균일로 인해 기판 처리 공정에서 불량이 발생할 가능성이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 공정챔버 내에 공급되는 공정가스의 균일도를 향상시키고 공정챔버 내의 플라즈마의 균일도를 높일 수 있는 공정챔버를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 내부에 기판이 놓이는 기판탑재대가 구비되는 하부챔버와 상기 하부챔버의 상부에 구비되어 소정의 밀폐공간을 형성하는 상부리드를 포함하는 공정챔버를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 상부리드에 중앙에 구비되어 내부로 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급부와 상기 제1 공정가스 공급부의 인근에 구비되는 적어도 하나의 제2 공정가스 공급부를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.
이때, 상기 제1 공정가스 공급부로 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급라인과 상기 제2 공정가스 공급부로 공정가스를 공급하는 제2 공정가스 공급라인을 더 포함하며, 상기 제1 공정가스 공급라인과 제2 공정가스 공급라인은 분리되어 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 공정가스 공급부와 제2 공정가스 공급부는 상기 제1 공정가스 공급라인 및 제2 공정가스 공급라인과 연결되는 중앙부와 상기 중앙부에 연결된 적어도 하나의 날개부를 포함할 수 있다.
더불어, 상기 상부리드는, 내측에 윈도우가 구비되는 공간을 제공하는 외곽 프레임 및 상기 외곽 프레임 내측에 구비되어, 외곽 프레임의 내부 공간을 구획하는 구획 프레임을 포함하며, 상기 제1 공정가스 공급부의 중앙부 및 제2 공정가스 공급부의 중앙부는 상기 구획 프레임의 교차지점에 구비되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 제1 공정가스 공급부와 제2 공정가스 공급부는 상기 구획 프레임의 하부에 구비되는 것이 바람직하다.
더불어, 상기 제1 공정가스 공급부와 제2 공정가스 공급부의 하부에는 적어도 하나의 분사홀이 구비되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제1 공정가스 공급라인의 일단 및 제2 공정가스 공급라인의 일단과 연결되며, 상기 제1 공정가스 공급라인 및 제2 공정가스 공급라인으로 공급되는 공정가스의 유량을 조절하는 유량 조절기를 더 포함할 수 있다.
또한, 사용자로부터 제1 공정가스 공급라인 및 제2 공정가스 공급라인으로 공급되는 공정가스의 유량 정보을 입력받는 사용자 입력기를 더 포함하며, 상기 사용자 입력기는 상기 유량 정보를 상기 유량 조절기로 전송할 수 있다.
본 발명은, 공정챔버 내에 공급되는 공정가스의 균일도를 향상시키고 공정챔버 내의 플라즈마의 균일도를 높일 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 공정챔버의 상부리드의 저면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 공정챔버의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 공정챔버의 상부리드의 저면도이다.
도 4는 상부리드의 구획 프레임의 교차지점을 나타낸 도면이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
도 2를 참조하면, 기판처리장치의 공정챔버는, 내부에 기판(S)이 놓이는 기판탑재대(21)가 구비되는 하부챔버(20)를 포함한다. 또한, 상기 하부챔버(20)의 상부에 구비되어 내부에 소정의 밀폐공간을 형성하는 상부리드(Upper Lid)(10)를 포함할 수 있다. 또한, 상부리드(10)의 안테나(15)에 전원을 인가하는 RF 전원 인가부(40)를 포함할 수 있다. 또한, 공정챔버 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(62)(63)를 포함할 수 있다. 공정가스 공급부(62)(63)에 대해서는 후에 상술한다.
기판탑재대(21)는 하부챔버(20)의 내부 하측에 구비된다. 상기 기판탑재대(21)는 하부챔버(20)의 내부 하측에 설치되며, 상부면에 놓여진 기판(S)을 지지한다. 기판탑재대(21)는 안테나(15)와 함께 플라즈마를 생성하는 하부전극(23)을 포함한다. 또한, 하부챔버(20)의 일측에는 도시되지는 않았지만 기판(S)을 공정챔버 내부 공간으로 반입 또는 공정챔버 외부로 반출시킬 수 있는 게이트밸브가 구성된다.
안테나(15)는 RF 전원 인가부(40)로부터 고주파 전원을 공급받아 챔버 내부에 강한 전기장을 유도하게 된다. 이러한 유도 전기장은 공정가스를 플라즈마로 변환시킨다.
이하, 도 2 내지 도 3을 참조하여 상부리드(10)에 대해 상세히 설명한다.
상부리드(10)는 상기 하부챔버(20)의 상부에 구비되어, 내측에 플라즈마가 형성되는 공간을 제공한다.
상기 상부리드(10)는 윈도우(13)가 구비되는 공간을 제공하는 리드 프레임(11)을 포함한다. 이때, 상기 리드 프레임(11)은 내측에 윈도우(13)가 구비되는 공간을 제공하는 외곽 프레임(12)을 포함한다. 또한, 상기 외곽 프레임(12)의 내측에 구비되며, 외곽 프레임(12) 내부 공간을 구획하는 구획 프레임(14)을 포함한다. 상기 외곽 프레임(12)의 형상은 사각형일 수 있다. 상기 구획 프레임(14)에 의해 상기 외곽 프레임(12)의 내부 공간은 복수 개의 개구부로 나눠질 수 있다. 더불어, 상기 각 개구부에는 윈도우(13)가 결합된다.
또한, 상부리드(10) 상기 리드 프레임(11)에 결합되는 유전체인 윈도우(13)를 포함할 수 있다. 또한, RF 전원 인가부(40)로부터 전원을 공급받아 자기장을 형성하고, 플라즈마를 발생시키는 안테나(15)를 포함할 수 있다. 상기 윈도우(13)는 세라믹 물질 등으로 구성될 수 있다. 더불어, 상기 안테나(15)는 상기 윈도우(13)의 상부에 구비될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 윈도우(13)의 내부에 구비될 수 있다.
상기 안테나(15)는 코일형 구조로 배치되는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않고 챔버 내부 공간에 유도 결합 플라즈마를 발생시킬 수 있는 구조라면 공지된 안테나들의 구성을 채택하여 적용할 수 있을 것이다.
공정가스 공급부(62)(63)는 챔버의 내부로 공정가스를 공급한다. 상기 공정가스 공급부(62)(63)는 각 공정가스 공급라인(68)(69)을 통해 공정가스를 공급받는다. 또한, 공정가스 공급부(62)(63)의 하부에 구비된 분사홀(62a)(63a)을 통해 공정가스를 공정챔버 내부로 분사한다.
상기 공정가스 공급라인(68)(69)을 통해 공정가스 공급부(62)(63)의 내부로 공급된 공정가스는 상기 분사홀(62a)(63a)을 통해 챔버 내부로 공급된다. 상기 분사홀(62a)(63a)은 상기 공정가스 공급부(62)(63)의 하부에 적어도 하나가 구비된다.
한편, 상기 공정가스 공급부(62)(63)는 중앙부(64)(65)와 상기 중앙부(64)(65)에 일단에 연결된 적어도 하나의 날개부(66)(67)를 포함한다. 이때, 상기 날개부(66)(67)는 상기 상부리드(10)의 구획 프레임(14)의 하부에 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 날개부(66)(67)는 윈도우(13)가 구비되는 영역을 침범하지 않도록 배치되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 날개부(66)(67)는 윈도우(13)와 겹치지 않고, 윈도우(13)의 상부에 구비된 안테나(15)에 의해 유도자장 및 유도전류가 발생하는 경우 상기 날개부(66)(67)가 유도자장의 발생을 방해하지 않을 수 있다.
상기 공정가스 공급부(62)(63)는 상부리드(10)의 중앙에 구비되는 제1 공정가스 공급부(62)와 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 인근에 구비되는 제2 공정가스 공급부(63)를 포함한다.
상기 제1 공정가스 공급부(62)에는 제1 공정가스 공급라인(68)이 연결되며, 상기 제2 공정가스 공급부(63)에는 제2 공정가스 공급라인(69)이 연결된다.
상기 제1 공정가스 공급부(62)는 상부리드(10)의 중앙에 구비된다. 더불어, 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 형상은 십자(+) 형상일 수 있다. 상기 제1 공정가스 공급부(62)는 적어도 하나의 날개부(66)와 상기 날개부(66)의 일단이 결합된 중앙부(64)를 포함할 수 있다. 상기 날개부(66)는 적어도 하나 이상이며 바람직하게는 4개이다. 이때, 상기 4개의 날개부(66)는 십자 형태로 배치된다. 즉, 서로 인접한 2개의 날개부(66)는 대략 직각을 이루며 배치된다. 상기 4개의 날개부(66)의 일단은 중앙부(64)에 연결된다. 상기 중앙부(64)는 상기 구획 프레임(14)이 교차하는 지점에 배치되는 것이 바람직하다. 더불어, 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 중앙부(64)는 상부리드(10)의 중앙, 보다 상세하게는 상부리드(10)의 구획 프레임(14)의 교차지점 중 중앙지점에 구비되는 것이 바람직하다. 한편, 상기 각 날개부(66)와 중앙부(64)는 일체로 형성될 수 있다.
상기 제1 공정가스 공급부(62)의 중앙부(64)의 상부에는 제1 공정가스 공급부(62)로 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급라인(68)이 연결되어 있다. 더불어, 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 각 날개부(66)의 하부에는 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 분사홀(62a)이 구비되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 중앙부(64)의 하부에는 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 분사홀이 구비되는 것이 바람직하다.
제1 공정가스 공급라인(68)을 통해 상기 중앙부(64)로 공급된 공정가스는 날개부(66) 및/또는 중앙부(64)의 하부에 구비된 분사홀(62a)을 통해 공정챔버의 내부로 분사된다.
상기 제2 공정가스 공급부(63)는 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 인근에 적어도 하나가 구비된다. 바람직하게는 상기 제2 공정가스 공급부(63)는 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 인근에 4개가 구비된다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 도 3을 참조하면 기판의 크기(3)에 대응하여 제2 공정가스 공급부(63)의 개수는 조절될 수 있다. 기판의 크기(3)가 커지면 이에 대응하여 상기 제2 공정가스 공급부(63)의 개수는 늘어날 수 있다.
상기 제2 공정가스 공급부(63)의 형상은 십자(+) 형상일 수 있다. 상기 제2 공정가스 공급부(63)는 적어도 하나의 날개부(67)와 상기 날개부(67)의 일단이 결합된 중앙부(65)를 포함할 수 있다. 상기 날개부(67)는 적어도 하나 이상이며 바람직하게는 4개이다. 이때, 상기 4개의 날개부(67)는 십자 형태로 배치된다. 즉, 서로 인접한 2개의 날개부(67)는 대략 직각을 이루며 배치된다. 상기 4개의 날개부(67)의 일단은 중앙부(65)에 연결된다. 상기 각 날개부(67)와 중앙부(65)는 일체로 형성될 수 있다.
상기 제2 공정가스 공급부(63)의 중앙부(65)는 상기 구획 프레임(14)이 교차하는 지점에 배치되는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는, 상기 제2 공정가스 공급부(63)의 중앙부(65)는 상부리드(10)의 구획 프레임(14)의 교차지점 중 중앙지점과 가장 인접한 교차지점에 구비되는 것이 바람직하다.
도 4을 참조하면, 상기 구획 프레임(14)의 교차지점 중 중앙지점(C)과 가장 인접한 교차지점(①②③④⑤⑥⑦⑧⑧)은 총 8개이다. 중앙지점(C)의 우측 상부에 위치하는 교차지점을 1번 교차지점으로 정의하고, 시계 방향을 따라 2번 교차지점 내지 8번 교차지점을 정의한다. 이때, 상기 제2 공정가스 공급부(63)는 상기 8개의 교차지점 중 적어도 하나에 구비될 수 있으며, 바람직하게는 4개의 교차지점(①③⑤⑦)에 구비된다. 더불어, 4개의 교차지점(①③⑤⑦)은 상기 제1 공정가스 공급부(62)의 날개부(66)와 제2 공정가스 공급부(63)의 날개부(67)가 교차되지 않도록 선정된다. 즉, 상기 4개의 제2 공정가스 공급부의 중앙부는 1번, 3번, 5번 및 7번 교차지점에 구비되는 것이 바람직하다. 그러나, 이는 제1 및 제2 공정가스 공급부의 날개부의 개수에 따라 달라질 수 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 적어도 하나의 제2 공정가스 공급부(63)의 중앙부(65)의 상부에는 적어도 하나의 제2 공정가스 공급부(63)로 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제2 공정가스 공급라인(69)이 연결되어 있다. 더불어, 상기 제2 공정가스 공급부(63)의 각 날개부(67)의 하부에는 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 분사홀(63a)이 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2 공정가스 공급부(63)의 중앙부(65)의 하부에는 챔버 내부로 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 분사홀(63a)이 구비되는 것이 바람직하다. 제2 공정가스 공급라인(69)을 통해 상기 제2 공정가스 공급부(63)의 중앙부(65)로 공급된 공정가스는 날개부(67) 및/또는 중앙부(65)의 하부에 구비된 분사홀(63a)을 통해 공정챔버의 내부로 분사된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정챔버는 상기 제1 공정가스 공급라인(68) 및 제2 공정가스 공급라인(69)으로 공급되는 공정가스의 유량을 조절하는 유량조절기(Flow Rate Controller, FRC)(70)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 더불어, 상기 공정챔버는 사용자로부터 제1 공정가스 공급라인(68) 및 제2 공정가스 공급라인(69)으로 공급되는 공정가스의 유량을 입력받는 사용자 입력기(80)를 더 포함할 수 있다.
상기 유량 조절기(70)는 제1 공정가스 공급라인(68) 및 제2 공정가스 공급라인(69)과 연결되어 있다. 즉, 상기 제1 공정가스 공급라인(68)의 일단은 상기 유량 조절기(70)에 연결되며, 타단은 상기 제1 공정가스 공급부(62)에 연결되어 있다. 또한, 제2 공정가스 공급라인(69)의 일단은 상기 유량 조절기(70)에 연결되어 있으며, 타단은 상기 제2 공정가스 공급부(63)에 연결되어 있다. 이때, 상기 제1 공정가스 공급라인(68)과 제2 공정가스 공급라인(69)은 분리되어 있다.
사용자는 상기 사용자 입력기(80)를 통해 제1 공정가스 공급라인(68) 및 제2 공정가스 공급라인(69)으로 공급되는 공정가스의 유량 정보을 입력할 수 있다. 상기 사용자로부터 입력된 유량 정보는 상기 유량 조절기(70)로 전달되며, 상기 유량 정보에 따라 상기 유량 조절기(70)는 제1 공정가스 공급라인(68) 및 제2 공정가스 공급라인(69)으로 공급되는 공정가스의 유량을 조절한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 상부리드
11 리드 프레임
12 외곽 프레임
13 윈도우
14 구획 프레임
15 안테나
20 하부챔버
21 하부전극
23 기판탑재대
40 RF 전원 인가부
62 제1 공정가스 공급부
63 제2 공정가스 공급부
62a, 63a 분사홀
64, 65 중앙부
66, 67 날개부
68 제1 공정가스 공급라인
69 제2 공정가스 공급라인

Claims (8)

  1. 내부에 기판이 놓이는 기판탑재대가 구비되는 하부챔버와 상기 하부챔버의 상부에 구비되어 소정의 밀폐공간을 형성하는 상부리드를 포함하는 공정챔버를 포함하는 기판처리장치에 있어서,
    상기 상부리드에 중앙에 구비되어 내부로 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급부와
    상기 제1 공정가스 공급부의 인근에 구비되는 적어도 하나의 제2 공정가스 공급부를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정가스 공급부로 공정가스를 공급하는 제1 공정가스 공급라인과 상기 제2 공정가스 공급부로 공정가스를 공급하는 제2 공정가스 공급라인을 더 포함하며, 상기 제1 공정가스 공급라인과 제2 공정가스 공급라인은 분리되어 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 공정가스 공급부와 제2 공정가스 공급부는 상기 제1 공정가스 공급라인 및 제2 공정가스 공급라인과 연결되는 중앙부와 상기 중앙부에 연결된 적어도 하나의 날개부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상부리드는,
    내측에 윈도우가 구비되는 공간을 제공하는 외곽 프레임; 및
    상기 외곽 프레임 내측에 구비되어, 외곽 프레임의 내부 공간을 구획하는 구획 프레임을 포함하며,
    상기 제1 공정가스 공급부의 중앙부 및 제2 공정가스 공급부의 중앙부는 상기 구획 프레임의 교차지점에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 공정가스 공급부와 제2 공정가스 공급부는 상기 구획 프레임의 하부에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 공정가스 공급부와 제2 공정가스 공급부의 하부에는 적어도 하나의 분사홀이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제3항 내지 제6항 중 하나의 항에 있어서,
    상기 제1 공정가스 공급라인의 일단 및 제2 공정가스 공급라인의 일단과 연결되며, 상기 제1 공정가스 공급라인 및 제2 공정가스 공급라인으로 공급되는 공정가스의 유량을 조절하는 유량 조절기를 더 포함하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    사용자로부터 제1 공정가스 공급라인 및 제2 공정가스 공급라인으로 공급되는 공정가스의 유량 정보을 입력받는 사용자 입력기를 더 포함하며,
    상기 사용자 입력기는 상기 유량 정보를 상기 유량 조절기로 전송하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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