KR20130074789A - Semiconductor package and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 멤스 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 아노다이징 처리된 리드(Lid)를 기판에 전기적으로 직접 연결시킨 새로운 구조의 멤스 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a MEMS device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a MEMS device having a novel structure in which anodized lead (Lid) is electrically connected directly to a substrate, and a method of manufacturing the same.
통상적으로, 압력, 가속도, 소리 또는 광과 같은 물리적 현상을 전기적 신호로 변환하는 마이크로-전자 기계적 시스템(MEMS) 디바이스가 공지되어 있으며, 여기에는 멤스(MEMS) 칩과 에이직(ASIC) 칩이 포함되어 있다.Typically, micro-electro-mechanical system (MEMS) devices are known that convert physical phenomena such as pressure, acceleration, sound or light into electrical signals, including MEMS chips and ASIC chips. It is.
일종의 반도체 패키지인 마이크로-전자 기계적 시스템 디바이스는 멤스 칩과 에이직 칩이 각종 기판(인쇄회로기판, 리드프레임, LCC 등)에 상하로 적층 부착되거나, 측방향으로 배열되는 구조로 제조되고 있다.A micro-electromechanical system device, which is a kind of semiconductor package, is manufactured in a structure in which MEMS chips and AICS chips are stacked on top of each other (printed circuit boards, lead frames, LCCs, etc.) or arranged laterally.
여기서, 종래의 멤스 디바이스에 대한 일례를 첨부한 도 9를 참조로 살펴보면 다음과 같다.Herein, referring to FIG. 9, which is an example of a conventional MEMS device, it is as follows.
인쇄회로기판(100)의 상면에 멤스 칩(102)과 이 멤스 칩(102)에 대한 신호 처리 소자인 에이직 칩(104)이 나란히 부착되고, 멤스 칩(102)과 에이직 칩(104)이 전기적 신호 전달 가능하게 도전성 와이어(106)로 연결됨과 함께 에이직 칩(104)과 기판(100) 간에도 전기적 신호 교환 가능하게 도전성 와이어(106)로 연결된다.The MEMS
이때, 상기 멤스 칩(102)은 마이크로폰, 휴대용 마이크 등에 사용될 수 있는 칩으로서, 그 중앙부에 형성된 홀내에 음파를 감지하는 멤브레인(108)이 부착되어 있다.In this case, the MEMS
상기 기판(100)에는 음파에 의하여 멤브레인(108)이 진동하는 진동 울림 공간인 백 볼륨(back volume) 공간(110)이 관통 형성되고, 또한 기판(100)의 위에는 멤스 칩(102)과 에이직 칩(104)을 비롯하여 와이어(106)를 외부로부터 보호하기 위한 외부캡(112)이 부착된다.A
따라서, 상기 외부캡(112)에 형성된 음파 유입구(114)를 통해 음파가 유입되면, 이 유입된 음파에 의하여 멤브레인(108)이 진동 울림 공간인 백 볼륨 공간(110)을 기반으로 진동을 하게 되고, 이 멤브레인(108)의 진동 신호가 멤스 칩(102)에서 에이직 칩(104)으로 전달되어 전기적 신호 처리된 후, 기판(100) 및 입출력단자(116)을 통해 출력된다.Therefore, when sound waves are introduced through the
그러나, 종래 기술의 일례에 따른 멤스 디바이스는 기판에 형성된 백 볼륨 공간이 작아 멤스 칩의 멤브레인이 제대로 울리지 않는 단점이 있고, 멤스 칩 및 에이직 칩을 비롯하여 와이어들이 단순히 캡에 의하여 씌여져 있을 뿐, 별도의 고정수단이 없기 때문에 외부의 진동 전달에 의하여 와이어의 양끝단이 탈락되는 볼 오프(ball off) 현상이 발생되는 문제점이 있었다.However, the MEMS device according to an example of the prior art has a disadvantage in that the membrane of the MEMS chip does not ring properly due to the small volume of the back volume formed on the substrate, and the wires including the MEMS chip and AIZ chip are simply covered by a cap. Since there is no fixing means, there is a problem that a ball off phenomenon occurs in which both ends of the wire are dropped by external vibration transmission.
종래의 멤스 디바이스에 대한 다른 예를 첨부한 도 10을 참조로 살펴보면 다음과 같다.Referring to Figure 10 attached to another example of a conventional MEMS device as follows.
종래기술의 다른 예에 따른 멤스 디바이스는 백 볼륨 공간(16)을 크게 확보한 점에 특징이 있다.The MEMS device according to another example of the related art is characterized in that the
즉, 상기한 일례에 따른 멤스 디바이스와 그 구성은 동일하고, 단지 멤스 칩(202) 및 에이직 칩(204)을 기판(200) 상에 부착하지 않고, 기판(200) 상에 부착되는 내부캡(206) 위에 부착된 점에 차이가 있고, 특히 내부캡(206)의 내부공간(기판과의 사이공간)이 멤스 칩(202)의 멤브레인(208)을 위한 진동 울림 공간인 백 볼륨 공간(210)이 된다.That is, the MEMS device and its configuration according to the above example are the same, and the inner cap attached to the
따라서, 상기 외부캡(212)에 형성된 음파 유입구(214)을 통해 음파가 유입되면, 이 유입된 음파에 의하여 멤브레인(208)이 내부캡(206)의 백 볼륨 공간(210)을 기반으로 진동을 하게 되고, 이 멤브레인(208)의 진동 신호가 멤스 칩(202)에서 에이직 칩(204)으로 전달되어 전기적 신호 처리된 후, 기판(200) 및 입출력단자(216)를 통해 출력된다.Accordingly, when sound waves are introduced through the
그러나, 종래 기술의 다른 예에 따른 멤스 디바이스는 기판에 형성된 백 볼륨 공간이 증대되어 멤스 칩의 멤브레인이 제대로 진동하게 되는 장점은 있으나, 여전히 멤스 칩 및 에이직 칩을 비롯하여 와이어들이 단순히 캡에 의하여 씌여져 있을 뿐, 별도의 고정수단이 없기 때문에 마찬가지로 외부의 진동 전달에 의하여 와이어의 양끝단이 탈락되는 볼 오프(ball off) 현상이 발생되는 문제점이 있었다.However, the MEMS device according to another example of the prior art has an advantage that the back volume space formed on the substrate is increased so that the membrane of the MEMS chip is vibrated properly, but still the wires including the MEMS chip and AIZ chip are simply covered by the cap. Since there is no separate fixing means, there is a problem that a ball off phenomenon occurs in that both ends of the wire are dropped by external vibration transmission.
종래의 멤스 디바이스에 대한 또 다른 예를 첨부한 도 11을 참조로 살펴보면 다음과 같다.Referring to Figure 11 attached to another example of a conventional MEMS device as follows.
종래의 또 다른 예에 따른 멤스 디바이스는 캐비티기판(300)과 하부기판(302)을 도전 가능하게 적층 구성한 점에 특징이 있다.The MEMS device according to another example of the related art is characterized in that the
즉, 상면 중앙영역에 반도체 칩 부착영역(304)이 형성되고, 반도체 칩 부착영역(304)의 외주부에는 전도성패턴(306)이 노출 형성된 하부기판(302)과; That is, the
상면 전체 표면에 걸쳐 가로 및 세로 방향을 따라 다수의 입출력패드(308)가 형성된 수평기판(310) 및, 이 수평기판(310)의 저면에 도전 가능하게 일체로 형성되고 입출력패드(308)와 통전되는 전도성패턴(312)이 형성된 수직기판(314)으로 이루어진 캐비티 기판(300)과; 상기 하부기판(302)의 상면에 노출된 전도성패턴(306)과, 상기 수직기판(314)의 저면에 노출된 전도성패턴(312)간을 연결하는 도전성 접착수단(314)과; 상기 하부기판(302)의 반도체 칩 부착영역(304)에 부착되되, 관통구(316)가 형성된 위치에 부착되는 멤브레인(318)을 갖는 제1반도체 칩(320)과; 상기 캐비티 기판(300)의 수평기판(310)의 저면 중앙영역에 부착되거나, 하부기판(302)의 제1반도체 칩(320)이 부착된 바로 옆에 나란히 부착되는 제2반도체 칩(322)과; 상기 하부기판(302)과 제1반도체 칩(320)을 전기적 신호 교환 가능하게 연결하는 동시에 상기 수평기판(310)과 제2반도체 칩(322)을 전기적 신호 교환 가능하게 연결하는 도전성 연결수단(324)과; 캐비티 기판(300)의 입출력패드(308)에 부착되는 솔더볼(326); 을 포함하여 구성된 점에 특징이 있다.A
그러나, 종래의 또 다른 예에 따른 디바이스는 캐비티 기판에 멤스 칩 및 로직 칩인 제1 및 제2반도체 칩을 수용할 수 있는 캐비티 공간을 가공 제작하는데 어려움이 있고, 또한 캐비티기판 및 하부기판을 별도로 제작 구비함에 따른 비용이 매우 많이 드는 단점이 있었다.
However, the device according to another conventional example has a difficulty in fabricating and manufacturing a cavity space capable of accommodating the first and second semiconductor chips, which are MEMS chips and logic chips, on the cavity substrate, and also separately fabricating the cavity substrate and the lower substrate. There was a disadvantage that the cost is very high.
본 발명은 상기한 종래의 멤스 디바이스가 갖는 제반 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 상면 전체 및 저면 일부에 아노다이징 처리된 리드(Lid)를 구비하고, 이 리드의 저면중 아노다이징 처리되지 않은 도전 가능한 중앙 부분에 멤스칩을 도전 가능하게 탑재하는 동시에 아노다이징 처리되지 않은 도전 가능한 테두리 부분을 기판의 전도성패턴에 전기적으로 직접 연결시킴으로써, 단순한 구조이면서도 멤스 디바이스의 원할한 성능을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 기존 대비 제작 비용을 크게 절감할 수 있는 새로운 구조의 멤스 디바이스 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems of the conventional MEMS device, and includes an anodized lid on the entire upper surface and a part of the bottom surface of the lead, and an electrically conductive center portion that is not anodized on the bottom of the lead. By mounting the MEMS chip conductively at the same time and electrically connecting the non-anodized conductive edge portion directly to the conductive pattern of the substrate, it is possible to obtain the smooth performance of MEMS devices as well as the simple manufacturing cost. An object of the present invention is to provide a MEMS device having a new structure and a method of manufacturing the same, which can greatly reduce the cost.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 구현예에 따른 멤스 디바이스는: 상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면이 형성되고, 로직 칩 부착자리면의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴이 노출 형성된 기판과; 상기 로직 칩 부착자리면에 부착되는 로직칩과; 기판의 제1전도성패턴과 로직칩의 본딩패드 간에 연결되는 제1도전수단과; 상면 전체 및 저면 일부 영역에 절연부가 형성되는 동시에 저면의 절연부 사이에는 도전경로가 형성되고, 소정 위치에는 음파수용구가 상하로 관통 형성된 리드와; 상기 리드의 저면에서 음파수용구와 대응되는 위치에 부착되는 멤브레인을 갖는 멤스칩과; 리드의 도전경로와 멤스칩의 본딩패드 간에 연결되는 제2도전수단; 을 포함하여 구성하되, 상기 리드의 도전경로 구간중 그 테두리단을 기판의 제2전도성패턴에 도전성 접착수단으로 부착하여서 된 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스를 제공한다.MEMS device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object: a logic chip mounting seat surface is formed in the upper surface central region, the first and first in the peripheral region and the upper border region of the logic chip mounting surface, respectively A substrate on which two conductive patterns are exposed; A logic chip attached to the logic chip attachment seat; First conductive means connected between the first conductive pattern of the substrate and the bonding pad of the logic chip; A lead having an insulating portion formed on the entire upper surface and a part of the lower surface thereof, and a conductive path being formed between the insulating portions of the bottom surface, and the sound wave receiving pens penetrating up and down at a predetermined position; A MEMS chip having a membrane attached to a position corresponding to the sound wave receiver at the bottom of the lid; Second conductive means connected between the conductive path of the lead and the bonding pad of the MEMS chip; It is configured to include, but provides a MEMS device characterized in that the edge of the conductive path section of the lead is attached to the second conductive pattern of the substrate by a conductive adhesive means.
본 발명의 일 구현예에 따른 멤스 디바이스의 구성중, 상기 리드는 알루미늄 재질로서, 상면 및 저면의 절연부는 아노다이징 처리되어 형성되고, 저면의 절연부 사이에 형성되는 도전경로는 알루미늄 재질의 표면이 그대로 노출되어 형성된 것임을 특징으로 한다.In the configuration of the MEMS device according to the embodiment of the present invention, the lead is made of an aluminum material, and upper and lower insulating portions are formed by anodizing, and conductive paths formed between the insulating portions on the bottom surface of the aluminum material are intact. Characterized in that it is formed exposed.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 구현예에 따른 멤스 디바이스는: 상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면이 형성되고, 로직 칩 부착자리면의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴이 노출 형성되며, 상면 테두리 끝단 영역에 제3전도성패턴이 노출 형성된 기판과; 상기 로직 칩 부착자리면에 부착되는 로직칩과; 기판의 제1전도성패턴과 로직칩의 본딩패드 간에 연결되는 제1도전수단과; 테두리단은 도전단으로 형성되고, 테두리단을 제외한 상면 전체 및 저면 일부 영역에 절연부가 형성되는 동시에 저면의 절연부 사이에는 도전경로가 형성되며, 소정 위치에는 음파수용구가 상하로 관통 형성된 리드와; 상기 리드의 저면에서 음파수용구와 대응되는 위치에 부착되는 멤브레인을 갖는 멤스칩과; 리드의 도전경로와 멤스칩의 본딩패드 간에 연결되는 제2도전수단; 을 포함하여 구성하되, 상기 리드의 도전경로 구간중 그 테두리단을 기판의 제2전도성패턴에 도전성 접착수단으로 부착하는 동시에 리드의 도전단을 기판의 제3전도성패턴에 도전성 접착수단으로 부착하여서 된 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스를 제공한다.MEMS device according to another embodiment of the present invention for achieving the above object is: a logic chip mounting surface is formed in the upper surface center region, the first and first in the peripheral region and the upper border region of the logic chip mounting surface, respectively A substrate having a second conductive pattern exposed and having a third conductive pattern exposed at a top edge end region thereof; A logic chip attached to the logic chip attachment seat; First conductive means connected between the first conductive pattern of the substrate and the bonding pad of the logic chip; The edge is formed of a conductive end, and an insulating portion is formed on the entire upper surface and a part of the bottom except for the edge, and a conductive path is formed between the insulating portions of the bottom surface. ; A MEMS chip having a membrane attached to a position corresponding to the sound wave receiver at the bottom of the lid; Second conductive means connected between the conductive path of the lead and the bonding pad of the MEMS chip; The edges of the conductive path section of the lead are attached to the second conductive pattern of the substrate by conductive adhesive means, and the conductive ends of the lead are attached to the third conductive pattern of the substrate by conductive adhesive means. It provides a MEMS device characterized in that.
본 발명의 다른 구현예에 따른 멤스 디바이스의 구성중, 상기 리드의 도전단과 도전경로 사이에는 두께방향으로 절연층이 더 형성되는 것을 특징으로 한다.In the configuration of the MEMS device according to another embodiment of the present invention, an insulating layer is further formed between the conductive end of the lead and the conductive path in the thickness direction.
또한, 상기 리드는 알루미늄 재질로서, 절연부 및 절연층은 아노다이징 처리되어 형성되고, 도전단 및 저면의 절연부 사이에 형성되는 도전경로는 알루미늄 재질의 표면이 그대로 노출되어 형성된 것임을 특징으로 한다.In addition, the lead is made of aluminum, the insulating portion and the insulating layer is formed by anodizing, the conductive path formed between the conductive end and the insulating portion of the bottom is characterized in that the surface of the aluminum material is formed as it is exposed.
또한, 상기 리드의 상면에 형성된 절연부를 비롯하여 절연층 및 도전단의 외표면에 에 걸쳐 코팅되되, 도전단에 도전 가능하게 코팅되는 컨포멀 쉴드층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The method may further include a conformal shield layer coated over the outer surface of the insulating layer and the conductive end, including the insulating part formed on the upper surface of the lead, and conductively coated on the conductive end.
본 발명의 일 구현예 및 다른 구현예에 따른 멤스 디바이스의 구성중, 상기 리드의 도전경로는 음파수용구를 중심으로 테두리단까지 십자형의 네 갈래 이상으로 형성된 것임을 특징으로 하고, 또한 상기 제1도전수단 및 제2도전수단은 도전성와이어, 플립 칩, 범프 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.In the configuration of the MEMS device according to one embodiment of the present invention and the other embodiment, the conductive path of the lead is characterized in that formed in four or more of the cross-shaped cross-section to the edge of the center of the sound receiving device, and the first conductive The means and the second conductive means are any one selected from conductive wires, flip chips, and bumps.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 구현예에 따른 멤스 디바이스 제조 방법은: 상면 전체 및 저면 일부 영역에 절연부가 형성되는 동시에 저면의 절연부 사이에 도전경로가 형성되고, 소정 위치에는 음파수용구가 상하로 관통 형성된 구조의 리드를 제작하는 단계와; 상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면이 형성되고, 로직 칩 부착자리면의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴이 노출 형성된 기판의 제공 단계와; 상기 기판의 로직 칩 부착자리면에 로직칩을 부착하는 단계와; 기판의 제1전도성패턴과 로직칩의 본딩패드 간을 제1도전수단으로 연결하는 단계와; 상기 리드의 저면에서 음파수용구와 대응되는 위치에 멤브레인을 갖는 멤스칩을 부착하는 단계와; 상기 리드의 도전경로와 멤스칩의 본딩패드 간을 제2도전수단으로 연결하는 단계와; 상기 리드의 도전경로 구간중 그 테두리단을 기판의 제2전도성패턴에 도전성 접착수단으로 부착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.MEMS device manufacturing method according to an embodiment of the present invention for achieving the above object: an insulating portion is formed in the entire upper surface and a portion of the bottom surface and a conductive path is formed between the insulating portion of the bottom surface, the sound wave number at a predetermined position Manufacturing a lead having a structure in which the tool penetrates up and down; Providing a substrate having a logic chip attachment surface formed in an upper surface central region, and having first and second conductive patterns exposed in a peripheral region and an upper edge region of the logic chip attachment surface, respectively; Attaching a logic chip to a logic chip attachment seat of the substrate; Connecting the first conductive pattern of the substrate and the bonding pad of the logic chip to the first conductive means; Attaching a MEMS chip having a membrane at a position corresponding to an acoustic wave receiver at a bottom of the lid; Connecting a conductive path between the lead and a bonding pad of a MEMS chip to a second conductive means; Attaching edges of the conductive path sections of the leads to the second conductive patterns of the substrate by conductive adhesive means; Characterized in that it comprises a.
본 발명의 일 구현예에 따른 멤스 디바이스 제조 방법중, 상기 리드를 제작하는 단계는: 알루미늄 판체에 음파수용구를 관통 형성하는 단계와; 알루미늄 판체의 저면에 포토레지스트를 부착하되, 음파수용구를 중심으로 그 테두리단까지 여러갈래로 부착하는 단계와; 알루미늄 판체의 테두리단을 하방향으로 벤딩시키는 단계와; 알루미늄 판체의 상면 전체 및 저면의 포토레지스트가 부착되지 않은 영역에 걸쳐 아노다이징 처리를 실시하여 절연부를 형성하는 단계와; 알루미늄 판체의 저면에 부착된 포토레지스트를 제거하는 동시에 그 제거된 자리가 도전경로로 형성되는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a MEMS device according to an embodiment of the present invention, the manufacturing of the lead may include: forming a sound wave receiver through an aluminum plate; Attaching a photoresist to the bottom surface of the aluminum plate, and attaching the photoresist in various ways to the edge of the sound wave receiver; Bending the edge of the aluminum plate downward; Performing anodizing over the entire upper surface of the aluminum plate and the region to which the photoresist on the bottom is not attached to form an insulating portion; Removing the photoresist attached to the bottom surface of the aluminum plate while forming the removed portion as a conductive path; Characterized in that consists of.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 구현예에 따른 멤스 디바이스 제조 방법은: 테두리단은 도전단으로 형성되고, 테두리단을 제외한 상면 전체 및 저면 일부 영역에 절연부가 형성되는 동시에 저면의 절연부 사이에는 도전경로가 형성되며, 도전단과 도전경로 사이에는 두께방향으로 절연층이 형성되며, 소정 위치에는 음파수용구가 상하로 관통 형성된 리드를 제작하는 단계와; 상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면이 형성되고, 로직 칩 부착자리면의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴이 노출 형성되며, 상면 테두리 끝단 영역에 제3전도성패턴이 노출 형성된 기판의 제공 단계와; 상기 로직 칩 부착자리면에 로직칩을 부착하는 단계와; 기판의 제1전도성패턴과 로직칩의 본딩패드 간을 제1도전수단으로 연결하는 단계와; 상기 리드의 저면에서 음파수용구와 대응되는 위치에 멤브레인을 갖는 멤스칩을 부착하는 단계와; 리드의 도전경로와 멤스칩의 본딩패드 간을 제2도전수단으로 연결하는 단계와; 상기 리드의 도전경로 구간중 그 테두리단을 기판의 제2전도성패턴에 도전성 접착수단으로 부착하는 동시에 리드의 도전단을 기판의 제3전도성패턴에 도전성 접착수단으로 부착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.MEMS device manufacturing method according to another embodiment of the present invention for achieving the above object: the edge is formed of a conductive end, the insulating portion is formed on the entire upper surface and a portion of the bottom surface except the edge end and at the same time A conductive path is formed therebetween, an insulating layer is formed between the conductive end and the conductive path in a thickness direction, and manufacturing a lead having a sound wave container penetrating up and down at a predetermined position; A logic chip attachment seat surface is formed in the upper center region, and first and second conductive patterns are exposed in the peripheral region and the upper edge region of the logic chip attachment surface, respectively, and the third conductive pattern is exposed in the edge region of the upper edge. Providing a formed substrate; Attaching a logic chip to the logic chip attachment seat; Connecting the first conductive pattern of the substrate and the bonding pad of the logic chip to the first conductive means; Attaching a MEMS chip having a membrane at a position corresponding to an acoustic wave receiver at a bottom of the lid; Connecting the conductive path of the lead and the bonding pad of the MEMS chip to the second conductive means; Attaching the edge of the lead to the second conductive pattern of the substrate by conductive adhesive means, and attaching the lead of the lead to the third conductive pattern of the substrate by conductive adhesive means; Characterized in that it comprises a.
본 발명의 다른 구현예에 따른 멤스 디바이스 제조 방법은 상기 리드의 절연부를 비롯하여 절연층 및 도전단의 외표면에 걸쳐 컨포멀 쉴드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.MEMS device manufacturing method according to another embodiment of the present invention is characterized in that it further comprises the step of forming a conformal shield layer over the outer surface of the insulating layer and the conductive layer, including the insulating portion of the lead.
본 발명의 다른 구현예에 따른 멤스 디바이스 제조 방법중, 상기 리드를 제작하는 단계는: 알루미늄 판체를 제공하는 단계와; 알루미늄 판체의 저면 중앙영역에서 테두리단쪽을 향하여 제1포토레지스트를 여러갈래로 부착하고, 저면 테두리 영역에 제2포토레지스트를 이격시켜 부착하며, 상면 테두리 영역에 제3포토레지스트를 부착하는 단계와; 알루미늄 판체의 테두리단을 하방향으로 벤딩시키는 단계와; 알루미늄 판체의 상면 및 저면의 포토레지스트가 부착되지 않은 영역에 걸쳐 아노다이징 처리를 실시하여 절연부를 형성하는 동시에 제1 및 제2포토레지스트 사이에는 그 두께방향으로 절연층을 형성하는 단계와; 알루미늄 판체에 부착된 제2 및 제3포토레지스트를 제거하는 동시에 그 제거된 자리가 도전단으로 형성되는 단계와; 알루미늄 판체에 부착된 제1포토레지스트를 제거하는 동시에 그 제거된 자리가 도전경로로 형성되는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
In the method of manufacturing a MEMS device according to another embodiment of the present invention, the manufacturing of the lead may include: providing an aluminum plate; Attaching the first photoresist in several ways from the central bottom area of the aluminum plate toward the edge end, attaching the second photoresist spaced apart from the bottom edge area, and attaching the third photoresist to the top edge area; Bending the edge of the aluminum plate downward; Performing anodizing over regions where the photoresist on the top and bottom surfaces of the aluminum plate are not attached to form an insulating portion, and forming an insulating layer in the thickness direction between the first and second photoresists; Removing the second and third photoresist attached to the aluminum plate while forming the removed site as a conductive end; Removing the first photoresist attached to the aluminum plate while simultaneously forming the removed site as a conductive path; .
상기한 과제 해결 수단을 통하여, 본 발명은 다음과 같은 효과를 제공한다.Through the above-mentioned means for solving the problems, the present invention provides the following effects.
본 발명에 따르면, 기판에 전기적 신호를 전달할 수 있는 부분을 제외한 나머지 표면에 걸쳐 아노다이징 처리된 리드(Lid)를 구비하고, 이 리드의 저면중 아노다이징 처리되지 않은 도전 가능한 중앙 부분에 멤스칩을 도전 가능하게 탑재한 다음, 리드의 아노다이징 처리되지 않은 도전 가능한 테두리 부분을 로직칩이 탑재된 기판의 전도성패턴에 전기적으로 직접 연결시킴으로써, 단순한 구조이면서도 멤스 디바이스의 원할한 성능을 얻을 수 있고, 기존의 멤스 디바이스에 비하여 그 제작 비용을 크게 절감할 수 있다.
According to the present invention, an anodized lead (Lid) is provided over the remaining surface except for a part capable of transmitting an electrical signal to the substrate, and the MEMS chip can be electrically conductive in the center of the anodized non-anodized surface of the lead. By mounting the lead, the electrically anodized edge of the lead is electrically connected directly to the conductive pattern of the logic chip-mounted substrate, so that the smooth performance of the MEMS device can be obtained, and the existing MEMS device can be obtained. Compared with this, the manufacturing cost can be greatly reduced.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 멤스 디바이스 및 이의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 멤스 디바이스를 나타내는 단면도,
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 멤스 디바이스 및 이의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 7 및 도 8은 본 발명의 멤스 디바이스를 제조하기 위한 리드(Lid)가 여러가지 종류의 패키지에 적용될 수 있음을 설명하는 개략적 단면도,
도 9 내지 도 11은 종래의 멤스 디바이스를 설명하는 도면.1 and 2 illustrate a MEMS device and a method of manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention;
3 and 4 are cross-sectional views showing a MEMS device according to a first embodiment of the present invention,
5 and 6 are views illustrating a MEMS device and a manufacturing method thereof according to a second embodiment of the present invention;
7 and 8 are schematic cross-sectional views illustrating that the lids for manufacturing MEMS devices of the present invention can be applied to various kinds of packages;
9 to 11 illustrate a conventional MEMS device.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조로 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제1실시예First Embodiment
본 발명의 제1실시예에 따른 멤스 디바이스는 첨부한 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 로직칩(20)이 탑재되는 기판(10)에 멤스칩(22)이 탑재되는 리드(Lid,30)를 도전 가능하게 부착시킨 구조로 제작된다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the MEMS device according to the first embodiment of the present invention includes a lead (Lid) in which the
제1실시예에 따른 리드(30)는 상면 전체 및 저면 일부 영역에 통상의 아노다이징 처리 공정에 의한 절연부(31)가 형성되는 동시에 저면의 절연부(31) 사이에는 포토레지스트에 의하여 다수개의 도전경로(32)가 형성되고, 소정 위치에는 음파수용구(33)가 상하로 관통 형성된 구조로 구비된다.In the
이러한 구조로 구비되는 제1실시예에 따른 리드의 제작 방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the manufacturing method of the lead according to the first embodiment provided with such a structure as follows.
먼저, 소정 면적의 전도성 금속 판체, 바람직하게는 도전성이 우수한 알루미늄 판체(37)를 구비하여 소정 위치에 음파수용구(33)를 상하로 관통 형성한다.First, a conductive metal plate body having a predetermined area, preferably an
다음으로, 상기 알루미늄 판체(37)의 저면에 띠편 형상의 포토레지스트(38)를 부착하되, 음파수용구(33)를 중심으로 그 테두리단까지 여러갈래로 부착하며, 일례로서 음파수용구(33)를 중심으로 십자형 배열로 포토레지스트(38)를 부착한다.Next, a band-shaped
이어서, 상기 알루미늄 판체(37)의 테두리단을 하방향으로 벤딩시켜서, 포토레지스트(38)가 부착된 알루미늄 판체(37)가 캡(cap) 형상이 되도록 한다.Subsequently, the edge of the
다음으로, 포토레지스트가 부착되지 않은 알루미늄 판체(37)의 상면 전체, 그리고 알루미늄 판체(37)의 저면 영역중 포토레지스트가 부착되지 않은 영역에 걸쳐 통상의 아노다이징 처리를 실시함으로써, 포토레지스트가 부착된 영역을 제외한 표면은 절연부(31)로 형성된다.Next, a normal anodizing treatment is performed over the entire upper surface of the
즉, 포토레지스트가 부착되지 않은 알루미늄 판체(37)의 상면 전체, 그리고 알루미늄 판체(37)의 저면 영역중 포토레지스트가 부착되지 않은 영역이 아노다이징 처리에 의하여 절연부(31)로 형성된다.That is, the entire upper surface of the
참고로, 아노다이징이란, 알루미늄 표면의 내구성을 향상시키기 위한 표면 후처리 방식으로서, 알루미늄과 산소가 만나서 발생하는 자연적 산화과정을 인위적인 전기-화학적 반응을 이용하여 알루미늄 표면에 절연성의 산화피막을 입히는 것을 말한다.For reference, anodizing is a surface post-treatment method for improving the durability of the aluminum surface, and refers to coating an insulating oxide film on the aluminum surface by using an artificial electro-chemical reaction in the natural oxidation process that occurs when aluminum and oxygen meet. .
마지막으로, 상기 알루미늄 판체(37)의 저면에 부착된 포토레지스트(38)를 제거함으로써, 그 제거된 자리가 도전경로(32)로 형성된다.Finally, by removing the
즉, 상기 알루미늄 판체(37)의 저면에 부착된 포토레지스트(38)를 제거함으로써, 그 제거된 자리에는 알루미늄 재질의 표면이 그대로 노출되어 도전경로(32)로서 형성되며, 이 도전경로(32)는 음파수용구(33)를 중심으로 그 테두리 끝단까지 십자형 경로를 이루며 연장 형성됨으로써, 본 발명의 제1실시예에 따른 리드가 완성된다.That is, by removing the
여기서 위와 같이 제작된 제1실시예에 따른 리드를 이용한 멤스 디바이스 및 그 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.Herein, a MEMS device using the lead according to the first embodiment manufactured as described above and a method of manufacturing the same will be described.
먼저, 본 발명의 제1실시예에 따른 멤스 디바이스를 제조하기 위한 기판(10)이 제공된다.First, a
상기 기판(10)은 인쇄회로기판으로서, 그 상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면(14)이 형성되고, 로직 칩 부착자리면(14)의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴(11,12)이 노출 형성된 구조로 구비되며, 저면에는 각 전도성패턴(11,12)과 비아홀(미도시됨)을 통하여 도전되는 볼랜드(미도시됨)가 형성된다.The
이어서, 상기 기판(10)의 로직 칩 부착자리면(14)에 로직칩(20)이 부착되고, 이 로직칩(20)의 본딩패드와 기판(10)의 제1전도성패턴(11)이 제1도전수단(26)에 의하여 전기적 신호 교환 가능하게 연결되며, 상기 제1도전수단(26)은 도 3에 도시된 바와 같이 도전성 와이어로 사용될 수 있고, 또는 도 4에 도시된 바와 같이 플립칩을 사용할 수 있으며, 그 밖에 전도성 범프를 사용할 수 있다.Subsequently, the
다음으로, 상기와 같이 제작된 리드(30)의 저면에서 음파수용구(33)와 대응되는 위치에 멤브레인(24)을 갖는 멤스칩(22)을 부착하고, 이 멤스칩(22)의 본딩패드와 리드(30)의 도전경로(32) 간을 제2도전수단(28)으로 연결하게 되는 바, 제2도전수단(28)도 도전성와이어, 플립 칩, 범프 중 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.Next, the
마지막으로, 상기 리드(30)의 도전경로(32) 구간중 그 테두리단을 기판(10)의 제2전도성패턴(12)에 도전성 접착수단(16)으로 부착함으로써, 본 발명의 제1실시예에 따른 멤스칩 디바이스가 완성된다.Finally, the edge of the
제2실시예Second Embodiment
본 발명의 제2실시예에 따른 멤스 디바이스는 첨부한 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 로직칩(20)이 탑재되는 기판(10)에 멤스칩(22)이 탑재되는 리드(Lid,30)를 도전 가능하게 부착시키되, 리드(30)에 전자파 차폐 및 접지 제거를 위한 컨포멀 쉴드층(36)이 더 형성된 점에 특징이 있다.As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the MEMS device according to the second embodiment of the present invention includes a lead (Lid) in which the
제2실시예에 따른 리드(30)는 테두리단은 도전단(34)으로 형성되고, 테두리단을 제외한 상면 전체 및 저면 일부 영역에 절연부(31)가 형성되는 동시에 저면의 절연부(31) 사이에는 도전경로(32)가 형성되며, 소정 위치에는 음파수용구(33)가 상하로 관통 형성된 구조로 제작된다.In the
이러한 구조로 구비되는 제2실시예에 따른 리드의 제작 방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the manufacturing method of the lead according to the second embodiment provided with such a structure as follows.
먼저, 소정 면적의 전도성 금속 판체, 바람직하게는 도전성이 우수한 알루미늄 판체(37)를 구비한다.First, a conductive metal plate body having a predetermined area, preferably an
이어서, 알루미늄 판체(37)의 도전경로가 될 부분에 포토레지스트를 부착하되, 알루미늄 판체(37)의 저면 중앙영역에서 테두리단쪽을 향하여 제1포토레지스트(38a)를 여러갈래로 부착하고, 저면 테두리 영역에 제2포토레지스트(38b)를 이격시켜 부착하며, 저면 테두리 영역과 대응되는 상면 테두리 영역에 제3포토레지스트(38c)를 부착한다.Subsequently, a photoresist is attached to a portion of the
다음으로, 상기 알루미늄 판체(37)의 테두리단을 하방향으로 벤딩시켜서, 제1 내지 제3포토레지스트(38a,38b,38c)가 부착된 알루미늄 판체(37)가 캡(cap) 형상이 되도록 한다.Next, the edges of the
이어서, 포토레지스트가 부착되지 않은 알루미늄 판체(37)의 상면 전체, 그리고 알루미늄 판체(37)의 저면 영역중 포토레지스트가 부착되지 않은 영역인 제1 및 제2포토레지스트(38a,38b) 사이면에 걸쳐 통상의 아노다이징 처리를 실시함으로써, 알루미늄 판체(37)의 제3포토레지스트(38c)가 부착되지 않은 상면에 걸쳐 절연부(31)가 형성되는 동시에 제1 및 제2포토레지스트(38a,38b) 사이에는 그 두께방향으로 절연층(35)이 형성된다.Subsequently, the entire upper surface of the
연이어, 알루미늄 판체(37)에 부착된 제2 및 제3포토레지스트(38b,38c)를 제거하면, 그 제거된 자리가 알루미늄 재질의 표면이 그대로 노출되는 도전단(34)으로 형성되고, 알루미늄 판체(37)에 부착된 제1포토레지스트(38a)를 제거하면, 그 제거된 자리가 알루미늄 재질의 표면이 노출되는 십자형의 도전경로(32)로 형성됨으로써, 본 발명의 제2실시예에 따른 리드(30)가 완성된다.Subsequently, when the second and
이때, 상기 리드(30)의 소정 위치에는 음파수용구(33)가 상하로 관통 형성된다.At this time, the
특히, 위와 같이 제작된 리드(30)의 절연부(31)를 비롯하여 절연층(35) 및 도전단(34)의 외표면에 걸쳐 은 재질을 스프레이 방식으로 코팅하여 컨포멀 쉴드층(36)을 형성하는 단계가 더 진행됨으로써, 컨포멀 쉴드층(36)은 리드(30)의 도전단(34)과 도전 가능하게 접촉되는 상태가 된다.In particular, the
여기서 위와 같이 제작된 제2실시예에 따른 리드를 이용한 멤스 디바이스 및 그 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.Herein, a MEMS device using the lead according to the second embodiment manufactured as described above and a method of manufacturing the same will be described.
먼저, 본 발명의 제2실시예에 따른 멤스 디바이스를 제조하기 위한 기판(10)이 제공된다.First, a
상기 기판(10)은 인쇄회로기판으로서, 상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면(14)이 형성되고, 로직 칩 부착자리면(14)의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴(11,12)이 노출 형성되며, 또한 상면 테두리 끝단 영역에 제3전도성패턴(13)이 노출 형성된 구조로 구비되고, 저면에는 각 전도성패턴(11,12,13)과 비아홀(미도시됨)을 통하여 도전되는 볼랜드(미도시됨)가 형성된다.The
이어서, 상기 기판(10)의 로직 칩 부착자리면(14)에 로직칩(20)이 부착되고, 이 로직칩(20)의 본딩패드와 기판(10)의 제1전도성패턴(11)이 제1도전수단(26)에 의하여 전기적 신호 교환 가능하게 연결되며, 제1실시예와 동일하게 상기 제1도전수단(26)은 도 에 도시된 바와 같이 도전성 와이어로 사용될 수 있고, 또는 도 에 도시된 바와 같이 플립칩을 사용할 수 있으며, 그 밖에 전도성 범프를 사용할 수 있다.Subsequently, the
다음으로, 상기 리드(30)의 저면에서 음파수용구(33)와 대응되는 위치에 멤브레인(24)을 갖는 멤스칩(22)을 부착하고, 리드(30)의 도전경로(32)와 멤스칩(22)의 본딩패드 간을 제2도전수단(28)으로 연결하며, 이 제2도전수단(28)도 도전성와이어, 플립 칩, 범프 중 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.Next, the
마지막으로, 상기 리드(30)의 도전경로(32) 구간중 그 테두리단을 기판(10)의 제2전도성패턴(12)에 도전성 접착수단(16)으로 부착하는 동시에 리드(30)의 도전단(34)을 기판(10)의 제3전도성패턴(13)에 도전성 접착수단(16)으로 부착함으로써, 본 발명의 제2실시예에 따른 멤스 디바이스가 완성된다.Finally, the edge of the
한편, 첨부한 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 리드(30)를 POP 타입의 패키지에 적용할 수 있는 바, 아노다이징 처리된 절연부(31)와 도전단(34)로 된 리드(30)를 구비하고, 반도체 칩(40)이 기판(10)의 칩 탑재영역(14)에 부착되는 동시에 와이어와 같은 도전수단(26)에 의하여 기판(10)의 전도성패턴(11)에 연결된 탑재된 상태에서 리드(30)의 도전단을 기판의 전도성패턴(12)에 도전성 접착수단(16)을 이용하여 직접 부착시킬 수 있다.
Meanwhile, as shown in FIG. 7, the
*또한, 첨부한 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 리드(30)를 멀티칩 패키지에 적용할 수 있는 바, 아노다이징 처리된 절연부(31)와 도전단(34)으로 구분되는 리드(30)를 구비하고, 이 리드(30)의 도전단(34) 부분에 다수개의 반도체 칩(40)을 탑재한 다음, 리드(30)의 도전단(34) 하단을 반도체 칩(40)이 도전수단(26)에 의하여 탑재된 기판(10)의 테두리단에 도전성 접착수단(16)을 이용하여 직접 부착시킬 수 있다.
In addition, as shown in FIG. 8, the
10 : 기판 11 : 제1전도성패턴
12 : 제2전도성패턴 13 : 제3전도성패턴
14 : 로직 칩 부착자리면 16 : 도전성 접착수단
20 : 로직칩 22 : 멤스칩
24 : 멤브레인 26 : 제1도전수단
28 : 제2도전수단 30 : 리드
31 : 절연부 32 : 도전경로
33 : 음파수용구 34 : 도전단
35 : 절연층 36 : 컨포멀 쉴드층
37 : 알루미늄 판체 38 : 포토레지스트
38a : 제1포토레지스트 38b : 제2포토레지스트
38c : 제3포토레지스트10
12: second conductive pattern 13: third conductive pattern
14: logic chip mounting seat 16: conductive bonding means
20: logic chip 22: MEMS chip
24: membrane 26: first conductive means
28: second conductive means 30: lead
31: insulation part 32: conductive path
33: sound wave receptor 34: challenge
35
37: aluminum plate 38: photoresist
38a:
38c: third photoresist
Claims (13)
상기 기판(10)의 로직 칩 부착자리면(14)에 부착되는 로직칩(20)과;
상기 기판(10)의 제1전도성패턴(11)과 로직칩(20)의 본딩패드 간에 연결되는 제1도전수단(26)과;
상면 전체 및 저면 일부 영역에 절연부(31)가 형성되는 동시에 저면의 절연부(31) 사이에는 다수개의 도전경로(32)가 형성되고, 소정 위치에는 음파수용구(33)가 상하로 관통 형성된 리드(30, Lid)와;
상기 리드(30)의 저면에서 음파수용구(33)와 대응되는 위치에 부착되는 멤브레인(24)을 갖는 멤스칩(22)과;
상기 리드(30)의 도전경로(32)와 멤스칩(22)의 본딩패드 간에 연결되는 제2도전수단(28);
을 포함하여 구성하되,
상기 리드(30)의 도전경로(32) 구간중 그 테두리단을 기판(10)의 제2전도성패턴(12)에 도전성 접착수단(16)으로 부착하여서 된 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스.
The substrate having the logic chip attachment surface 14 formed in the upper center region and the first and second conductive patterns 11 and 12 exposed in the peripheral region and the upper edge region of the logic chip attachment surface 14, respectively. 10);
A logic chip 20 attached to the logic chip attachment seat 14 of the substrate 10;
First conductive means (26) connected between the first conductive pattern (11) of the substrate (10) and the bonding pad of the logic chip (20);
The insulating part 31 is formed on the entire upper surface and a part of the lower surface, and a plurality of conductive paths 32 are formed between the insulating part 31 on the bottom, and the acoustic wave receiver 33 is formed to penetrate up and down at a predetermined position. Leads 30 and Lid;
A MEMS chip 22 having a membrane 24 attached to a position corresponding to the sound wave receiver 33 at the bottom of the lid 30;
Second conductive means 28 connected between the conductive path 32 of the lead 30 and the bonding pad of the MEMS chip 22;
Including but not limited to
MEMS device, characterized in that the edge of the conductive path (32) of the lead (30) is attached to the second conductive pattern (12) of the substrate (10) by conductive bonding means (16).
The method of claim 1, wherein the lead 30 is made of aluminum, the upper and lower insulating portion 31 is formed by anodizing, the conductive path 32 formed between the insulating portion 31 of the bottom is made of aluminum MEMS device, characterized in that the surface of the formed as it is exposed.
상기 로직 칩 부착자리면(14)에 부착되는 로직칩(20)과;
기판(10)의 제1전도성패턴(11)과 로직칩(20)의 본딩패드 간에 연결되는 제1도전수단(26)과;
테두리단은 도전단(34)으로 형성되고, 테두리단을 제외한 상면 전체 및 저면 일부 영역에 절연부(31)가 형성되는 동시에 저면의 절연부(31) 사이에는 도전경로(32)가 형성되며, 소정 위치에는 음파수용구(33)가 상하로 관통 형성된 리드(30)와;
상기 리드(30)의 저면에서 음파수용구(33)와 대응되는 위치에 부착되는 멤브레인(24)을 갖는 멤스칩(22)과;
리드(30)의 도전경로(32)와 멤스칩(22)의 본딩패드 간에 연결되는 제2도전수단(28);
을 포함하여 구성하되,
상기 리드(30)의 도전경로(32) 구간중 그 테두리단을 기판(10)의 제2전도성패턴(12)에 도전성 접착수단(16)으로 부착하는 동시에 리드(30)의 도전단(34)을 기판(10)의 제3전도성패턴(13)에 도전성 접착수단(16)으로 부착하여서 된 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스.
The logic chip mounting seat 14 is formed in the upper center area, and the first and second conductive patterns 11 and 12 are exposed in the peripheral area and the upper edge area of the logic chip mounting seat 14, respectively. A substrate 10 having the third conductive pattern 13 exposed at an upper edge portion of the upper surface;
A logic chip 20 attached to the logic chip attachment seat 14;
First conductive means 26 connected between the first conductive pattern 11 of the substrate 10 and the bonding pad of the logic chip 20;
The edge end is formed of the conductive end 34, the insulating portion 31 is formed on the entire upper surface and a portion of the bottom surface except the edge end, and the conductive path 32 is formed between the insulating portion 31 of the bottom, A lead 30 having a sound wave receiver 33 penetrating up and down at a predetermined position;
A MEMS chip 22 having a membrane 24 attached to a position corresponding to the sound wave receiver 33 at the bottom of the lid 30;
Second conductive means 28 connected between the conductive path 32 of the lead 30 and the bonding pad of the MEMS chip 22;
Including but not limited to
The edge of the conductive path 32 section of the lead 30 is attached to the second conductive pattern 12 of the substrate 10 by conductive bonding means 16 and at the same time, the conductive end 34 of the lead 30 is formed. Is attached to the third conductive pattern (13) of the substrate (10) by conductive bonding means (16).
상기 리드(30)의 도전단(34)과 도전경로(32) 사이에는 두께방향으로 절연층(35)이 더 형성된 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스.
The method according to claim 3,
MEMS device, characterized in that an insulating layer (35) is further formed in the thickness direction between the conductive end (34) and the conductive path (32) of the lead (30).
상기 리드(30)는 알루미늄 재질로서, 절연부(31) 및 절연층(35)은 아노다이징 처리되어 형성되고, 도전단(34) 및 저면의 절연부(31) 사이에 형성되는 도전경로(32)는 알루미늄 재질의 표면이 그대로 노출되어 형성된 것임을 특징으로 하는 멤스 디바이스.
The method of claim 4,
The lead 30 is made of aluminum, and the insulating part 31 and the insulating layer 35 are formed by anodizing, and the conductive path 32 is formed between the conductive end 34 and the insulating part 31 on the bottom surface. MEMS device characterized in that the surface of the aluminum material is formed as it is exposed.
상기 리드(30)의 상면에 형성된 절연부(31)를 비롯하여 절연층(35) 및 도전단(34)의 외표면에 걸쳐 컨포멀 쉴드층(36)이 코팅되되, 도전단(34)에는 도전 가능하게 코팅되는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스.
The method of claim 4,
The conformal shield layer 36 is coated on the outer surface of the insulating layer 35 and the conductive end 34 including the insulating part 31 formed on the upper surface of the lead 30, and the conductive end 34 is electrically conductive. MEMS device, characterized in that the coating possible.
상기 리드(30)의 도전경로(32)는 음파수용구(33)를 중심으로 테두리단까지 십자형의 네 갈래 이상으로 형성된 것임을 특징으로 하는 멤스 디바이스.
The method according to claim 1 or 3,
MEMS device, characterized in that the conductive path 32 of the lead 30 is formed of four or more cross-shaped to the rim end around the sound receiving vessel (33).
상기 제1도전수단(26) 및 제2도전수단(28)은 도전성와이어, 플립 칩, 범프 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스.
The method according to claim 1 or 3,
The first conductive means (26) and the second conductive means (28) is a MEMS device, characterized in that any one selected from conductive wire, flip chip, bump.
상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면(14)이 형성되고, 로직 칩 부착자리면(14)의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴(11,12)이 노출 형성된 기판(10)의 제공 단계와;
상기 기판(10)의 로직 칩 부착자리면(14)에 로직칩(20)을 부착하는 단계와;
기판(10)의 제1전도성패턴(11)과 로직칩(20)의 본딩패드 간을 제1도전수단(26)으로 연결하는 단계와;
상기 리드(30)의 저면에서 음파수용구(33)와 대응되는 위치에 멤브레인(24)을 갖는 멤스칩(22)을 부착하는 단계와;
상기 리드(30)의 도전경로(32)와 멤스칩(22)의 본딩패드 간을 제2도전수단(28)으로 연결하는 단계와;
상기 리드(30)의 도전경로(32) 구간중 그 테두리단을 기판(10)의 제2전도성패턴(12)에 도전성 접착수단(16)으로 부착하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법.
The insulating portion 31 is formed on the entire upper surface and a part of the lower surface, and a conductive path 32 is formed between the insulating portions 31 on the bottom surface, and the acoustic wave receiver 33 penetrates up and down at a predetermined position. Manufacturing a lead 30;
The substrate having the logic chip attachment surface 14 formed in the upper center region and the first and second conductive patterns 11 and 12 exposed in the peripheral region and the upper edge region of the logic chip attachment surface 14, respectively. Providing 10);
Attaching a logic chip (20) to a logic chip attachment seat (14) of the substrate (10);
Connecting the first conductive pattern 11 of the substrate 10 and the bonding pads of the logic chip 20 with the first conductive means 26;
Attaching a MEMS chip (22) having a membrane (24) at a position corresponding to an acoustic wave receiver (33) at the bottom of the lid (30);
Connecting the conductive path 32 of the lead 30 and the bonding pad of the MEMS chip 22 to the second conductive means 28;
Attaching the edge of the conductive path 32 section of the lead 30 to the second conductive pattern 12 of the substrate 10 by conductive bonding means 16;
MEMS device manufacturing method comprising a.
상기 리드(30)를 제작하는 단계는:
알루미늄 판체(37)에 음파수용구(33)를 관통 형성하는 단계와;
알루미늄 판체(37)의 저면에 포토레지스트(38)를 부착하되, 음파수용구(33)를 중심으로 그 테두리단까지 여러갈래로 부착하는 단계와;
알루미늄 판체(37)의 테두리단을 하방향으로 벤딩시키는 단계와;
알루미늄 판체(37)의 상면 전체 및 저면의 포토레지스트가 부착되지 않은 영역에 걸쳐 아노다이징 처리를 실시하여 절연부(31)를 형성하는 단계와;
알루미늄 판체의 저면에 부착된 포토레지스트(38)를 제거하는 동시에 그 제거된 자리가 도전경로(32)로 형성되는 단계;
로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법.
The method according to claim 9,
Producing the lead 30 is:
Penetrating the sound wave receiver 33 on the aluminum plate 37;
Attaching the photoresist 38 to the bottom surface of the aluminum plate 37, and attaching the photoresist 38 to the edge of the sound wave receiver 33 to its edge;
Bending the edge of the aluminum plate 37 downward;
Forming an insulating portion 31 by anodizing the entire upper surface of the aluminum plate 37 and the area where the photoresist on the bottom surface is not attached;
Removing the photoresist 38 attached to the bottom surface of the aluminum plate while simultaneously forming the removed portion as the conductive path 32;
MEMS device manufacturing method characterized in that consisting of.
상면 중앙영역에 로직 칩 부착자리면(14)이 형성되고, 로직 칩 부착자리면(14)의 주변 영역 및 상면 테두리 영역에 각각 제1 및 제2전도성패턴(11,12)이 노출 형성되며, 상면 테두리 끝단 영역에 제3전도성패턴(13)이 노출 형성된 기판(10)의 제공 단계와;
상기 로직 칩 부착자리면(14)에 로직칩(20)을 부착하는 단계와;
기판(10)의 제1전도성패턴(11)과 로직칩(20)의 본딩패드 간을 제1도전수단(26)으로 연결하는 단계와;
상기 리드(30)의 저면에서 음파수용구(33)와 대응되는 위치에 멤브레인(24)을 갖는 멤스칩(22)을 부착하는 단계와;
상기 리드(30)의 도전경로(32)와 멤스칩(22)의 본딩패드 간을 제2도전수단(28)으로 연결하는 단계와;
상기 리드(30)의 도전경로(32) 구간중 그 테두리단을 기판(10)의 제2전도성패턴(12)에 도전성 접착수단(16)으로 부착하는 동시에 리드(30)의 도전단(34)을 기판(10)의 제3전도성패턴(13)에 도전성 접착수단(16)으로 부착하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법.
The edge end is formed of the conductive end 34, the insulating portion 31 is formed on the entire upper surface and a portion of the bottom surface except the edge end, and the conductive path 32 is formed between the insulating portion 31 of the bottom, An insulating layer 35 is formed between the conductive end 34 and the conductive path 32 in a thickness direction, and manufacturing a lead 30 having a sound wave receiver 33 penetrating up and down at a predetermined position;
The logic chip mounting seat 14 is formed in the upper center area, and the first and second conductive patterns 11 and 12 are exposed in the peripheral area and the upper edge area of the logic chip mounting seat 14, respectively. Providing a substrate 10 having a third conductive pattern 13 exposed at an upper edge portion thereof;
Attaching a logic chip (20) to the logic chip attachment seat (14);
Connecting the first conductive pattern 11 of the substrate 10 and the bonding pads of the logic chip 20 with the first conductive means 26;
Attaching a MEMS chip (22) having a membrane (24) at a position corresponding to an acoustic wave receiver (33) at the bottom of the lid (30);
Connecting the conductive path 32 of the lead 30 and the bonding pad of the MEMS chip 22 to the second conductive means 28;
The edge of the conductive path 32 section of the lead 30 is attached to the second conductive pattern 12 of the substrate 10 by conductive bonding means 16 and at the same time, the conductive end 34 of the lead 30 is formed. Attaching to the third conductive pattern 13 of the substrate 10 by conductive bonding means 16;
MEMS device manufacturing method comprising a.
상기 리드(30)의 절연부(31)를 비롯하여 절연층(35) 및 도전단(34)의 외표면에 걸쳐 컨포멀 쉴드층(36)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법.
The method of claim 11,
And forming a conformal shield layer 36 over the outer surface of the insulating layer 35 and the conductive end 34 including the insulating portion 31 of the lead 30. Manufacturing method.
상기 리드(30)를 제작하는 단계는:
알루미늄 판체(37)를 제공하는 단계와;
알루미늄 판체(37)의 저면 중앙영역에서 테두리단쪽을 향하여 제1포토레지스트(38a)를 여러갈래로 부착하고, 저면 테두리 영역에 제2포토레지스트(38b)를 이격시켜 부착하며, 상면 테두리 영역에 제3포토레지스트(38c)를 부착하는 단계와;
알루미늄 판체(37)의 테두리단을 하방향으로 벤딩시키는 단계와;
알루미늄 판체(37)의 상면 및 저면의 포토레지스트가 부착되지 않은 영역에 걸쳐 아노다이징 처리를 실시하여 절연부(31)를 형성하는 동시에 제1 및 제2포토레지스트(38a,38b) 사이에는 그 두께방향으로 절연층(35)을 형성하는 단계와;
알루미늄 판체(37)에 부착된 제2 및 제3포토레지스트(38b,38c)를 제거하는 동시에 그 제거된 자리가 도전단(34)으로 형성되는 단계와;
알루미늄 판체(37)에 부착된 제1포토레지스트(38a)를 제거하는 동시에 그 제거된 자리가 도전경로(32)로 형성되는 단계;
로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤스 디바이스 제조 방법.The method of claim 11,
Producing the lead 30 is:
Providing an aluminum plate body 37;
The first photoresist 38a is attached in multiple directions from the center area of the bottom surface of the aluminum plate 37 toward the edge end, and the second photoresist 38b is spaced apart from the bottom edge area. Attaching the three photoresist 38c;
Bending the edge of the aluminum plate 37 downward;
Anodizing is applied to the upper and lower portions of the aluminum plate 37 to which the photoresist is not attached to form an insulating portion 31, and the thickness direction between the first and second photoresists 38a and 38b. Forming an insulating layer 35;
Removing the second and third photoresist 38b, 38c attached to the aluminum plate 37, and at the same time, the removed site is formed by the conductive end 34;
Removing the first photoresist 38a attached to the aluminum plate 37 and forming the removed portion as the conductive path 32;
MEMS device manufacturing method characterized in that consisting of.
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