KR20130073442A - 마스크리스 노광장치 및 노광방법 - Google Patents

마스크리스 노광장치 및 노광방법 Download PDF

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Abstract

마스크리스 노광장치는 기판; 및 제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광하고, 제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서 상기 제1 노광영역과 상기 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 노광부;를 포함하고, 상기 노광부는, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전사함에 있어서, 상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수는 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하며, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수는 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 것을 특징으로 한다.

Description

마스크리스 노광장치 및 노광방법{MASKLESS EXPOSURE APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 포토리소그래피 공정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마스크리스(maskless) 노광기술에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시장치를 구성하는 기판에 패턴을 형성하는 방법은, 기판에 감광물질을 도포하고, 포토 마스크를 사용하여 선택적으로 노광을 하여 화학적 성질이 달라진 감광물질의 부분 또는 그 외의 부분을 선택적으로 제거함으로서 패턴을 형성한다.
한편, 마스크리스(maskless) 노광장치는 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micro-mirror Device, DMD)와 같은 광 변조소자(Spatial Light Modulator, SLM)를 이용하여, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 기판에 전사한다. 이때, 마스크리스 노광장치는 노광패턴에 대응하여 빔 스팟 어레이(beam spot array)의 각 스팟을 선택적으로 온(ON)/오프(OFF) 한다.
한편, 마스크리스 노광장치는 렌즈의 크기 제한으로 인하여, 대면적의 기판을 노광할 경우, 기판을 복수의 노광영역으로 분할하여 노광시키게 된다. 이때, 노광영역이 중첩되는 스티칭 영역(stitching area)이 발생하게 되는데, 중첩영역과 중첩되지 않은 영역의 조도 차이로 인하여 스티칭 영역(stitching area)에 얼룩이 발생할 수 있다. 즉, 빔 스팟 어레이(beam spot array)를 구성하는 각 스팟의 조도 분포는 가우시안 분포를 갖는데, 각 스팟 마다의 가우시안 분포가 다름으로 인하여 중첩영역과 중첩되지 않은 영역간의 임계치수(Critical Dimension, CD)의 차이가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 중첩 노광영역의 패턴을 새롭게 형성함으로써, 중첩 노광영역에 발생할 수 있는 얼룩을 감소시킬 수 있는 마스크리스 노광장치 및 노광방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판; 및 제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광하고, 제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 제1 노광영역과 상기 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 노광부;를 포함하고, 상기 노광부는, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전사함에 있어서, 상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수는 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하며, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수는 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치가 제공된다.
상기 제1 스캔동작시 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 상기 제2 스캔동작시 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟과, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟은 서로 대칭되는 것을 특징으로 한다.
상기 노광부는, 노광 빔을 출사하는 광원; 상기 노광패턴에 따라 상기 노광 빔을 변조하는 광 변조부; 및 상기 광 변조부에서 변조된 노광 빔을 상기 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전달하는 노광 광학부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 광 변조부는 공간 광 변조소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 공간 광 변조소자는 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micro-mirror Device, DMD)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 기판에 전사하며, 제1 노광영역과 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 마스크리스 노광방법에 있어서, 제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수가 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계; 및 제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수가 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계;를 포함하는 마스크리스 노광방법이 제공된다.
상기 제1 스캔동작시 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 상기 제2 스캔동작시 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟과, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟은 서로 대칭되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 마스크리스 노광장치 및 노광방법은 다음과 같은 효과가 있다.
중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot) 어레이의 패턴이 특정 방향으로 랜덤하게 감소하도록 형성하여 중첩 노광영역에 발생할 수 있는 얼룩을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광방법을 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 중첩 노광영역의 노광 형태를 나타낸 개념도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광장치의 개략적인 구성도이다. 본 실시예에 따른 마스크리스 노광장치는 제안하고자 하는 기술적인 사상을 명확하게 설명하기 위한 간략한 구성만을 포함하고 있다.
도 1을 참조하면, 마스크리스 노광장치는 노광부(100)와 기판(200)으로 구성된다. 본 실시예에서 노광부(100)는 노광 빔을 출사하는 광원(110)과, 노광패턴에 따라 노광 빔을 변조하는 광 변조부(120)와, 광 변조부(120)에서 변조된 노광 빔을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 기판(200)에 전달하는 노광 광학부(130,140)로 구성된다. 여기에서 노광 광학부(130,140)는 광 변조부(120)에서 출사된 변조된 노광 빔을 복수개의 광들로 분리하여 집광시킬 수 있도록, 복수개의 렌즈들이 구성된 멀티 어레이 렌즈(Multi Array Lens, 130)와, 멀티 어레이 렌즈(Multi Array Lens, 130)에서 집광된 광들의 해상도를 조정하여 투과시키는 프로젝션 렌즈(140)를 포함한다.
본 실시예에서 광 변조부(120)는 공간 광 변조소자(Spatial Light Modulator, SLM)인 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micro-mirror Device, DMD)로 구성된다. 도면에 미도시 되었으나, 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micro-mirror Device, DMD)는 메모리 셀 상에 매트릭스 형태로 배치된 마이크로 미러들로 구성되며, 각 마이크로 미러별로 반사각을 조절함으로써 노광패턴에 대응하여 변조된 노광 빔을 출사한다. 참고적으로 광 변조부(120)는 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micro-mirror Device, DMD) 이외의 공지된 광 변조소자를 이용하여 구성될 수 있다.
기판(200) 상에는 감광물질이 도포되어 있으며, 감광물질은 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태의 노광패턴에 대응하여 화학적 성질이 달라진다. 광원(110)은 노광을 위한 빔을 출사하며 반도체 레이저 또는 자외선 램프 등으로 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광방법을 나타낸 개념도이다. 각각의 실시예에 따라 노광부는 적어도 하나 이상이 구비될 수 있는데, 도 2에서는 2개의 노광부(100A,100B)가 구비되어 있다고 가정한다. 제1 노광부(100A) 및 제2 노광부(100B)는 기판을 두 부분으로 분할한 후, 각각 3번의 스캔동작을 통해서 노광동작을 수행한다.
대표적으로 제1 노광부(100A)의 제1 스캔동작(SCAN1)에 따른 제1 노광영역(111)과 제2 스캔동작(SCAN2)에 따른 제2 노광영역(112)을 자세히 살펴보면, 제1 노광영역(111)과 제2 노광영역(112) 사이에 일정부분 중첩 노광영역(OL)이 발생하는 것을 확인할 수 있다. 참고적으로, 스캔동작을 수행할 때 기판(200)을 고정시키고 제1 노광부(100A) 및 제2 노광부(100B)를 이동시키면서 노광을 수행할 수 있다. 또한, 제1 노광부(100A) 및 제2 노광부(100B)를 고정시키고 기판(200)을 이동시키면서 노광을 수행할 수 있다. 또한, 제1 노광부(100A), 제2 노광부(100B) 및 기판(200)을 모두 이동시키면서 노광을 수행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 중첩 노광영역의 노광 형태를 나타낸 개념도이다. 도 3을 참조하면, 제1 노광부(100A)의 제1 스캔동작(SCAN1)의해 형성된 제1 노광영역(111)과, 제2 스캔동작(SCAN2)에 의해 형성된 제2 노광영역(112)과, 제1 스캔동작(SCAN1) 및 제2 스캔동작(SCAN2)시 제1 노광영역(111)과 제2 노광영역(112) 사이에 일정부분 중첩 되어 형성된 중첩 노광영역(OL)이 상세히 도시되어 있다.
제1 노광부(100A)는 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 기판(200)에 전사한다. 이때, 제1 노광부(100A)는 제1 스캔동작(SCAN1)시 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수를 제2 노광영역(112) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소시킨다. 또한, 제1 노광부(100A)는 제2 스캔동작(SCAN2)시 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟의 수를 제1 노광영역(111) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소시킨다.
따라서 중첩 노광영역(OL)의 조도는 균일하게 되어, 중첩 노광영역(OL)의 불균일한 조도로 인해 발생할 수 있는 얼룩을 방지할 수 있다. 이때, 제1 스캔동작(SCAN1)시 제2 노광영역(112) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 제2 스캔동작(SCAN2)시 제1 노광영역(111) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 감소패턴이 일정할 경우 일정한 패턴에 의한 얼룩이 발생할 수 있으므로 이를 방지하기 위해서 감소패턴을 랜덤하게 구성할 수 있다.
또한, 랜덤한 감소패턴에 의해서 노광패턴이 다소 왜곡될 수도 있으므로, 제1 스캔동작(SCAN1)시 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟(beam spot)과, 제2 스캔동작(SCAN2)시 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟(beam spot)이 중첩 노광영역(OL)의 중심을 기준으로 서로 대칭되도록 노광하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 기판에 전사하며, 제1 노광영역(111)과 제2 노광영역(112) 사이에 일정부분 중첩 노광영역(OL)이 발생하도록 노광하는 마스크리스 노광방법은, 제1 스캔동작(SCAN1)시 기판의 제1 노광영역(111)을 노광함에 있어서, 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수가 제2 노광영역(112) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계와, 제2 스캔동작(SCAN2)시 기판(200)의 제2 노광영역(112)을 노광함에 있어서 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수가 제1 노광영역(111) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계를 포함한다.
이때, 제1 스캔동작(SCAN1)시 제2 노광영역(112) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 제2 스캔동작(SCAN2)시 제1 노광영역(111) 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 제1 스캔동작(SCAN1)시 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟(beam spot)과, 제2 스캔동작(SCAN2)시 중첩 노광영역(OL)에 노광되는 빔 스팟은 중첩 노광영역의 중심으로 서로 대칭되는 것이 바람직하다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100 : 노광부 110 : 광원
120 : 광 변조부 130 : 멀티 어레이 렌즈
140 : 프로젝션 렌즈 200 : 기판
111 : 제1 노광영역 112 : 제2 노광영역

Claims (9)

  1. 기판; 및
    제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광하고, 제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 제1 노광영역과 상기 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 노광부;를 포함하고,
    상기 노광부는, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전사함에 있어서, 상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수는 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하며, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수는 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스캔동작시 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 상기 제2 스캔동작시 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟과, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟은 서로 대칭되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 노광부는,
    노광 빔을 출사하는 광원;
    상기 노광패턴에 따라 상기 노광 빔을 변조하는 광 변조부; 및
    상기 광 변조부에서 변조된 노광 빔을 상기 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전달하는 노광 광학부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 광 변조부는 공간 광 변조소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 공간 광 변조소자는 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micro-mirror Device, DMD)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치.
  7. 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 기판에 전사하며, 제1 노광영역과 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 마스크리스 노광방법에 있어서,
    제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수가 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계; 및
    제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수가 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계;를 포함하는 마스크리스 노광방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 스캔동작시 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 상기 제2 스캔동작시 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟과, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟은 서로 대칭되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220128036A (ko) * 2021-03-12 2022-09-20 (주)다울아토닉스 디지털 이미지 노광방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001215726A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光記録方法
KR20040014061A (ko) * 2002-08-09 2004-02-14 삼성전자주식회사 전자 빔 리소그래피 방법
KR20050068970A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 전자빔을 이용하는 포토마스크의 다중 노광방법
KR20110120710A (ko) * 2010-04-29 2011-11-04 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 스티칭 노광 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001215726A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光記録方法
KR20040014061A (ko) * 2002-08-09 2004-02-14 삼성전자주식회사 전자 빔 리소그래피 방법
KR20050068970A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 전자빔을 이용하는 포토마스크의 다중 노광방법
KR20110120710A (ko) * 2010-04-29 2011-11-04 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 스티칭 노광 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220128036A (ko) * 2021-03-12 2022-09-20 (주)다울아토닉스 디지털 이미지 노광방법

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