KR20130064957A - 광원 모듈 - Google Patents

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KR20130064957A
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light
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seating
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이범연
장기연
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 광원 모듈은 서로 이격된 복수 개의 안착부를 포함하는 회로기판; 상기 안착부에 각각 배치된 복수 개의 광 방출부; 및 상기 회로기판 상에 형성되며, 일측이 상기 안착부와 연결된 가이드부를 포함하고, 상기 가이드부 내에 광 확산 물질이 위치된다.

Description

광원 모듈{LIGHT SOURCE MODULE}
실시예는 광원 모듈에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
특히, 발광 다이오드를 광원으로 한 조명 장치에서, 사용자의 요구에 맞추어 다양한 색을 구현할 필요성이 점차 증가하고 있고, 핫스팟 현상을 제거하여 신뢰성이 향상된 조명 장치가 요구되고 있다.
실시예는 다양한 색을 구현할 수 있고 핫스팟이 제거된 광원 모듈을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 광원 모듈은 서로 이격된 복수 개의 안착부를 포함하는 회로기판; 상기 안착부에 각각 배치된 복수 개의 광 방출부; 및 상기 회로기판 상에 형성되며, 일측이 상기 안착부와 연결된 가이드부를 포함하고, 상기 가이드부 내에 광 확산 물질이 위치된다.
상기 가이드부는 인접한 두 개의 안착부 사이를 연결하는 제1 가이드부, 일측만이 안착부와 연결된 제2 가이드부, 인접하지 않은 두 개의 안착부 사이를 연결하는 제3 가이드부 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.상기 가이드부 내에 파장변환 물질이 위치될 수 있다.
상기 가이드부는 직선 형태, 곡선 형태, 적어도 하나의 절곡부를 포함하는 직선 형태, 적어도 하나의 변곡부를 포함하는 곡선 형태 중 적어도 하나의 형태를 가질 수 있다.
상기 복수 개의 광 방출부 중 적어도 하나는 발광소자를 포함할 수 있다.
상기 광 방출부는 파장 변환체를 포함할 수 있다.
상기 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 발광소자는 상기 안착부에 플립칩(Flip-Chip) 본딩될 수 있다.
상기 발광 구조물은 성장 기판 상에 형성되고, 상기 성장 기판의 표면에 패턴이 형성될 수 있다.
상기 제2 전극은 도전성 지지기판일 수 있다.
상기 광 방출부를 커버하는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
상기 안착부에 소정 깊이의 홈이 형성될 수 있다.
상기 홈 내에 광 확산 물질, 또는 파장변환 물질이 혼합된 광 확산 물질이 위치될 수 있다.
실시예에 따르면 다양한 색을 구현할 수 있고, 빛을 고르게 분산시켜 핫스팟(hot spot)을 제거할 수 있다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 광원 모듈을 나타낸 도면이고,
도 7은 상술한 실시예들에 배치된 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 8은 렌즈가 구비된 일실시예의 광원 모듈의 사시도이고,
도 9는 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈을 포함하는 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 광원 모듈을 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 광원 모듈은 서로 이격된 복수 개의 안착부(112)를 포함하는 회로기판(110)과, 상기 안착부(112)에 각각 배치된 복수 개의 광 방출부(100)와, 상기 회로기판(110) 상에 형성되며 상기 안착부(112)와 연결된 가이드부(120)를 포함하고, 상기 가이드부(120) 내에 광 확산 물질(122)이 위치된다.
회로기판(110)은 회로 패턴이 형성된 메탈기판 또는 세라믹 기판일 수 있다.
안착부(112)는 복수 개의 안착부를 포함하는 개념으로 사용될 수 있다.
안착부(112)는 회로기판(110)의 표면에 존재할 수도 있고, 상기 안착부(112)가 위치하는 회로기판(110) 상의 영역에 소정 깊이의 홈으로 형성될 수도 있다.
도 1에는 일 예로서 안착부(112)가 제1 안착부(112a) 및 제2 안착부(112b)를 포함하는 것으로 도시되어 있으며, 상기 제1 안착부(112a) 및 제2 안착부(112b)가 이격되어 배치된다.
도 1에는 상기 제1 안착부(112a) 및 제2 안착부(112b)가 동일 간격 이격되어 배열된 것으로 도시하였으나, 이격된 간격이나 배열 형태는 실시예에 따라 다양하게 변경될 수 있으며 이에 제한을 두지 않는다.
광 방출부(100)는 복수 개의 광 방출부를 포함하는 개념으로 사용될 수 있다.
제1 안착부(112a)에는 제1 광 방출부(100a)가 배치되고, 제2 안착부(112b)에는 제2 광 방출부(100b)가 배치될 수 있다.
회로기판(110) 상에는 안착부(112)와 연결된 가이드부(120)가 형성된다.
상기 가이드부(120)는, 실시예에 따라, 인접한 두 개의 안착부(112) 사이를 연결하는 1 가이드부(120a), 일측만이 안착부(112)와 연결된 제2 가이드부(120b), 또는 인접하지 않은 두 개의 안착부(112) 사이를 연결하는 제3 가이드부(120c) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
가이드부(120)는 상기 제1,2,3 가이드부(120a~120c)를 포함하는 개념으로 사용될 수 있다.
또한, 상기 가이드부(120)는, 실시예에 따라, 직선 형태, 곡선 형태, 적어도 하나의 절곡부를 포함하는 직선 형태, 적어도 하나의 변곡부를 포함하는 곡선 형태 중 적어도 하나의 형태를 가질 수 있으나, 가이드부(120)의 형태에 대해서는 제한을 두지 않는다.
도 1을 참조하면, 제1 안착부(112a)와 제2 안착부(112b) 사이를 각각 연결하는 두 개의 가이드부(120)를 도시하고 있으나, 가이드부(120)의 개수에 대해서는 제한을 두지 않는다.
도 1에는 일 예로서, 상기 가이드부(120)가 인접한 두 개의 안착부(112a, 112b)를 연결하면서 곡선 형태로서 전체적으로 링 형태를 갖는 두 개의 제1 가이드부(120a)인 것으로 도시하고 있다.
상기 가이드부(120)는 회로기판(110)의 표면으로부터 소정 깊이의 홈으로 형성될 수 있다.
상기 가이드부(120) 내에는 광 확산 물질(122)이 위치할 수 있다. 실시예에 따라 광 확산 물질(122)뿐만 아니라 파장변환 물질도 포함되어 위치할 수 있다.
상기 광 확산 물질(122)은 예를 들어 실리콘 수지를 포함할 수 있으며, 상기 파장변환 물질은 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)를 포함할 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +를 포함할 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN가 포함된 CaAlSiN3:Eu2 +를 포함할 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON이 포함된 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)를 포함할 수 있다.
상기 광 확산 물질(122)은 광 방출부(100)에서 방출된 광이 가이드부(120)를 따라 고르게 분산되도록 하여 핫스팟(hot spot)을 줄일 수 있도록 한다.
상기 파장변환 물질은 상기 광 확산 물질(122)이 위치된 가이드부(120)를 따라 분산되는 광의 파장을 변환시켜 다양한 파장을 갖는 광이 방출될 수 있도록 한다.
상기 안착부(112)가 소정 깊이의 홈으로 형성된 경우, 상기 안착부(112) 내에도 광 확산 물질(122), 또는 파장변환 물질이 혼합된 광 확산 물질(122)이 위치될 수 있다.
상기 광 방출부(100) 중 적어도 하나는 발광소자를 포함한다. 복수 개의 광 방출부(100) 중에서 발광소자인 광 방출부(100)를 제외한 나머지의 광 방출부(100)는 발광소자 또는 파장 변환체를 포함할 수 있다.
광원 모듈에 외부 전원 인가시, 발광소자인 광 방출부(100)에서만 능동적으로 소정 파장 영역의 빛이 방출된다.
도 1을 참조하면, 예를 들어, 제1 안착부(112a)에 배치된 제1 광 방출부(100a)가 발광소자이고, 제2 안착부(112b)에 배치된 제2 광 방출부(100b)는 파장 변환체일 수 있다.
제1 광 방출부(100a)에는 발광소자가 배치되므로 외부 전원 인가시 제1 광 방출부(100a)에서 능동적으로 소정 파장 영역의 광이 방출될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 광 방출부(100a)에서 제1 파장 영역의 광을 방출하고, 제2 광 방출부(100b)에서는 상기 제1 파장 영역의 광의 일부가 상기 파장 변환체를 여기시켜 제1 파장보다 긴 제2 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.
상기 파장 변환체는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)를 포함할 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +를 포함할 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN가 포함된 CaAlSiN3:Eu2 +를 포함할 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON이 포함된 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)를 포함할 수 있다.
상기 파장 변환체의 종류에 따라, 여기에 의해 방출되는 광의 파장 영역이 달라질 수 있으므로, 여러 색이 혼재된 다채로운 빛을 구현할 수 있다.
제1 광 방출부(100a)에서 방출된 제1 파장 영역의 광과, 여기에 의해 제2 광 방출부(100b)에서 방출된 제2 파장 영역의 광은 광 확산 물질(122)이 위치된 가이드부(120)를 따라 고르게 분산되어 다채로운 빛을 구현할 수 있다.
따라서, 가이드부(120)의 형상을 달리 함으로써, 다양한 디자인을 갖는 조명을 구현할 수 있다.
가이드부(120) 내에 파장변환 물질이 혼합된 광 확산 물질(122)이 위치하는 경우, 제1 광 방출부(100a)에서 방출된 제1 파장 영역의 광의 일부가 파장변환 물질에 의해 상기 제1 파장보다 긴 파장 영역의 광이 방출되고, 제2 광 방출부(100b)에서 방출된 제2 파장 영역의 광의 일부가 파장변환 물질에 의해 상기 제2 파장보다 긴 파장 영역의 광이 방출된다. 또한, 제1,2 광 방출부(100a, 100b)에서 방출된 여러 파장 영역의 광과 상기 파장변환 물질에 의해 파장이 변환되어 방출된 광이 상기 가이드부(120)를 따라 고르게 분산되면서, 다채로운 빛을 구현할 수 있다.
도 2를 참조하면, 일 예로서, 제1 안착부(112a), 제2 안착부(112b) 및 제3 안착부(112c)가 동일 간격 이격되어 배열되고, 인접한 두 개의 안착부(112)를 연결하면서 직선 형태를 갖는 세 개의 제1 가이드부(120a)가 형성될 수 있다.
제1 안착부(112a)에는 제1 광 방출부(100a)가 배치되고, 제2 안착부(112b)에는 제2 광 방출부(100b)가 배치되고, 제3 안착부(112c)에는 제3 광 방출부(100c)가 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 일 예로서, 제1 안착부(112a), 제2 안착부(112b) 및 제3 안착부(112c)가 동일 간격 이격되어 배열되고, 인접한 두 개의 안착부(112)를 연결하며 곡선 형태를 갖는 세 개의 제1 가이드부(120a)와, 하나의 안착부(112)와 일측이 각각 연결되며 직선 형태를 갖는 세 개의 제2 가이드부(120b)가 형성될 수 있다.
제1 안착부(112a)에는 제1 광 방출부(100a)가 배치되고, 제2 안착부(112b)에는 제2 광 방출부(100b)가 배치되고, 제3 안착부(112c)에는 제3 광 방출부(100c)가 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 일 예로서, 제1 안착부(112a), 제2 안착부(112b), 제3 안착부(112c) 및 제4 안착부(112d)가 동일 간격 이격되어 배열되고, 인접한 두 개의 안착부(112)를 연결며 곡선 형태로서 전체적으로 링 형상을 갖는 네 개의 제1 가이드부(120a)와, 인접하지 않은 두 개의 안착부(112)를 교차하여 연결하며 직선 형태로서 전체적으로 십자 형상을 갖는 두 개의 제3 가이드부(120c)가 형성될 수 있다.
제1 안착부(112a)에는 제1 광 방출부(100a)가 배치되고, 제2 안착부(112b)에는 제2 광 방출부(100b)가 배치되고, 제3 안착부(112c)에는 제3 광 방출부(100c)가 배치되고, 제4 안착부(112d)에는 제4 광 방출부(100d)가 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 일 예로서, 제1 안착부(112a), 제2 안착부(112b), 제3 안착부(112c), 제4 안착부(112d) 및 제5 안착부(112e)가 동일 간격 이격되어 배열되고, 인접한 두 개의 안착부(112)를 연결하며 하나의 절곡부(126)를 포함하는 직선 형태로서 전체적으로 성형(星形)을 갖는 다섯 개의 제1 가이드부(120a)가 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 일 예로서, 제1 안착부(112a), 제2 안착부(112b), 제3 안착부(112c) 및 제4 안착부(112d)가 동일 간격 이격되어 배열되고, 인접한 두 개의 안착부(112)를 연결하며 하나의 변곡부(128)를 포함하는 직선 형태로서 전체적으로 운형(雲形)을 갖는 네 개의 제1 가이드부(120a)가 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 복수 개의 광 방출부(100) 중 적어도 하나는 발광소자를 포함하고, 발광소자가 아닌 그 이외의 광 방출부는 파장 변환체를 포함할 수 있다.
발광소자인 광 방출부(100)는 그 자체에서 소정 파장 영역의 광을 방출하고, 파장 변환체인 광 방출부(100)는 상기 발광소자에서 방출된 소정 파장 영역의 광의 일부가 상기 파장 변환체를 여기시켜 상기 소정 파장보다 긴 파장 영역의 광을 방출한다.
상기 파장 변환체의 종류는 도 1과 관련해 상술한 바와 같으므로 자세한 설명은 생략한다.
발광소자인 광 방출부(100)에서 방출된 파장 영역의 광과, 파장 변환체인 광 방출부(100)에서 여기에 의해 방출된 파장 영역의 광은 광 확산 물질(122)이 위치된 가이드부(120)를 따라 고르게 분산되어 다채로운 빛을 구현할 수 있다.
가이드부(120) 내에 파장변환 물질이 혼합된 광 확산 물질(122)이 위치하는 경우, 발광 모듈은 발광소자인 광 방출부(100)에서 방출된 파장 영역의 광과, 파장 변환체인 광 방출부(100)에서 여기에 의해 방출된 파장 영역의 광을 방출하고, 상기 광의 일부가 가이드부(120) 내에 위치된 파장변환 물질에 의해 보다 긴 파장 영역의 광으로 방출되며, 이들 광이 상기 가이드부(120)를 따라 고르게 분산되면서 다채로운 빛을 구현할 수 있다.
도 1 내지 도 6에 도시된 가이드부(120)의 형상은 일 예시에 불과하며, 원하는 대로 가이드부(120)를 형성하여 광 방출부(100)에서 방출된 광이 상기 가이드부(120)를 따라 분산되도록 함으로써, 디자인이 중시되는 조명으로의 활용 가능성을 높일 수 있다.
또한, 도 1 내지 도 6에 도시된 가이드부(120)에 모두 동일한 파장변환 물질을 위치시켜 전체로서 균일한 빛이 방출되도록 구성할 수도 있고, 가이드부(120)에 각각 다른 파장변환 물질을 채워서 불균일하지만 좀 더 다채로운 빛이 방출되도록 구성하여 디자인적 요소를 중시할 수도 있다.
구비되는 광 방출부(100)의 개수가 많을수록 좀 더 다양한 빛을 방출하는 조명을 구현할 수 있다.
도 7은 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈에 배치된 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다. 도 7은 일 예로서 수평형 발광소자를 도시하였다.
발광소자는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
일시예에 따른 수평형 발광소자는 성장 기판(210) 상에, 개구면을 가지는 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하는 발광 구조물(220)이 구비되고, 상기 제1 도전형 반도체층(222)의 개구면 상에 제1 전극(230)이 배치되고, 상기 제2 도전형 반도체층(226) 상에 제2 전극(240)이 배치된다.
발광 구조물(220)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 성장 기판(210)의 표면에는 요철 구조와 같은 광 추출 패턴(미도시)이 형성되어, 상기 발광 구조물(220)에서 방출된 빛이 상기 광 추출 패턴에서 난반사됨으로써 발광소자의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
실시예들에 따른 광원 모듈에는 수평형 발광소자뿐만 아니라 수직형 발광소자가 배치될 수도 있으며, 수평형 발광소자가 범프 또는 솔더 등의 접속 부재를 이용해 페이스-다운(face-down) 형태로 기판(110)에 플립칩(Flip-Chip) 본딩될 수도 있다.
수직형 발광소자가 사용되는 경우, 상기 제2 도전형 반도체층(226) 상에 배치되는 도전성 지지기판(미도시)이 상기 제2 전극(240)의 역할을 할 수 있다.
도 8은 렌즈가 구비된 일실시예의 광원 모듈의 사시도이다.
도 8을 참조하면, 안착부(112)에 배치된 광 방출부(100)를 포위하는 렌즈(150)가 구비될 수 있다.
제1 안착부(112a) 내지 제4 안착부(112d)에 발광소자가 배치되는 경우, 발광소자에서 발생된 빛이 발광소자의 상면뿐만 아니라 측면으로도 고르게 방출되도록 렌즈(150)를 배치하여 광원 모듈의 지향각을 넓힐 수 있다.
특히, 발광소자가 수직형 발광소자인 경우, 수평형 발광소자 또는 플립칩형 발광소자에 비해 빛의 대부분이 발광소자의 상측으로 진행하기 때문에, 수직형 발광소자의 지향각을 넓히기 위해 렌즈를 사용할 수 있다.
상기 렌즈(150)는 발광소자에서 방출된 빛의 굴절률을 변화시켜 빛의 진행 방향을 바꾸는 역할을 할 수 있다.
도 8의 실시예보다 더 적거나 더 많은 광 방출부(100)가 배치된 경우, 이들 각각의 상부에 렌즈(150)가 구비될 수 있다.
도 9는 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈을 포함하는 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 일실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(600)과 상기 광원(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 광원(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 광원(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.
상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.
상기 하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.
상기 광원(600)은 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈일 수 있다.
상기 광원(600)의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(600)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(600)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 광 방출부 110: 기판
112: 안착부 120: 가이드부
210: 기판 220: 발광 구조물
222: 제1 도전형 반도체층 224: 활성층
226: 제2 도전형 반도체층 230: 제1 전극
240: 제2 전극 400: 하우징
500 : 방열부 600 : 광원
700 : 홀더

Claims (13)

  1. 서로 이격된 복수 개의 안착부를 포함하는 회로기판;
    상기 안착부에 각각 배치된 복수 개의 광 방출부; 및
    상기 회로기판 상에 형성되며, 상기 안착부와 연결된 가이드부를 포함하고,
    상기 가이드부 내에 광 확산 물질이 위치된 광원 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가이드부는 인접한 두 개의 안착부 사이를 연결하는 제1 가이드부, 일측만이 안착부와 연결된 제2 가이드부, 인접하지 않은 두 개의 안착부 사이를 연결하는 제3 가이드부 중 적어도 하나를 포함하는 광원 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가이드부 내에 파장변환 물질이 위치된 광원 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가이드부는 직선 형태, 곡선 형태, 적어도 하나의 절곡부를 포함하는 직선 형태, 적어도 하나의 변곡부를 포함하는 곡선 형태 중 적어도 하나의 형태를 갖는 광원 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 광 방출부 중 적어도 하나는 발광소자를 포함하는 광원 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 방출부는 파장 변환체를 포함하는 광원 모듈.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극; 및
    상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 포함하는 광원 모듈.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 안착부에 플립칩(Flip-Chip) 본딩되는 광원 모듈.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 성장 기판 상에 형성되고, 상기 성장 기판의 표면에 패턴이 형성된 광원 모듈.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 도전성 지지기판인 광원 모듈.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 방출부를 커버하는 렌즈를 더 포함하는 광원 모듈.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 안착부에 소정 깊이의 홈이 형성된 광원 모듈.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈 내에 광 확산 물질, 또는 파장변환 물질이 혼합된 광 확산 물질이 위치된 광원 모듈.
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