KR20130057279A - Transcripting device in using thermal transfer process and method for thermal transfering thereby - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치를 제조하기 위한 유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic thin film transfer device for manufacturing an organic light emitting diode display device and an organic thin film transfer method using the same.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 및 전계발광장치(Electroluminescence Device) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (Electroluminescence Devices). .
PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 얇으면서도 대형화에 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. TFT LCD(Thin Film Transistor LCD)는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 시야각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며, 이 중 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.PDP is attracting attention as a display device that is thin and advantageous for large size due to its simple structure and manufacturing process, but has a disadvantage of low luminous efficiency, low luminance and high power consumption. Thin Film Transistor LCD (TFT LCD) is the most widely used flat panel display device, but has a narrow viewing angle and low response speed. Electroluminescent devices are classified into inorganic light emitting diode display devices and organic light emitting diode display devices according to the material of the light emitting layer. Among them, organic light emitting diode display devices are light emitting devices that emit light by themselves and have fast response speed, high luminous efficiency, high luminance, and high viewing angle. There is an advantage.
유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 가진다.The organic light emitting diode display has an organic light emitting diode (OLED) as shown in FIG. 1.
OLED(10)는 전계발광하는 유기 화합물층과, 유기 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드(Cathode) 전극(90) 및 애노드(Anode) 전극(30)을 포함한다. 유기 화합물층은 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL)(80), 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL)(70), 발광층(Emission Layer: EML)(60), 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)(50) 및 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL)(40)을 포함하여 다층으로 적층된 구조를 갖는다. The OLED 10 includes an electroluminescent organic compound layer and a
애노드 전극(30)과 캐소드 전극(90)에 구동전압이 인가되면 정공수송층(50)을 통과한 정공과 전자수송층(70)을 통과한 전자가 발광층(60)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(60)이 가시광을 발산한다.When a driving voltage is applied to the
유기발광다이오드 표시장치는 풀 컬러(Full Color) 구현을 위해, R(적색), G(녹색), 및 B(청색) 화소 각각에서 OLED가 배치될 위치에 발광층(60)을 형성한다. The organic light emitting diode display device forms a
발광층(60)은 화소 별로 패터닝된다. 발광층(60)을 형성하는 방법으로 FMM(Fine Metal Mask) 방법, 레이저 열 전사법, 잉크 분사법 등이 알려져 있다. 그러나, 이러한 방법들은 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성이 필요한 대면적 기판을 대상으로는 적합하지 않다.The
최근, 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성을 위해, 주울 히팅(Joule Heating)을 이용한 열 전사법(또는, "주울 열전사법" 이라 함)을 사용한 유기박막 전사장치가 대두 되고 있다.In recent years, in order to form a high-precision pattern within a short time, an organic thin film transfer apparatus using a thermal transfer method using Joule heating (or "Joule thermal transfer method") has emerged.
도 2a는 주울 열 전사법에 의한 유기박막 전사장치의 개요를 나타내는 단면도이고, 도 2b는 유기박막 전사장치의 개략적인 구조를 나타내는 분해 사시도이다. FIG. 2A is a cross-sectional view showing an outline of an organic thin film transfer device by the joule thermal transfer method, and FIG. 2B is an exploded perspective view showing a schematic structure of the organic thin film transfer device.
도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 유기박막 전사장치는 전사기판(1), 피 전사기판(11), 발열패턴(5), 공통전극(3a, 3b), 장치전극(7a, 7b), 및 전원(15)을 포함한다.As can be seen in FIGS. 2A and 2B, the organic thin film transfer apparatus includes a
주울 열 전사법은, 유기발광재료(13)가 성막된 전사기판(1)을 피 전사기판(11)과 스페이서(9)를 사이에 두고 정렬하여 일정 간격으로 마주보도록 배치한 후, 전사기판(1)에 전기 에너지를 인가하여 유기발광재료(13)를 피 전사기판(11)으로 전사시킨다.In the Joule thermal transfer method, the
전사기판(1)에는 유기발광재료(13)가 전사될 피 전사기판(11)의 화소 영역에 대응되도록, 다수의 금속 발열패턴(5)이 형성된다. 금속 발열패턴(5)의 일측단과 타측단에는 각각 금속 발열패턴(5)들 모두를 연결하는 제1 공통전극(3a)과 제2 공통전극(3b)이 형성되어 있다. 금속 발열패턴(5)들 위에는 피 전사기판(11)으로 전사시킬 유기발광재료(13)가 박막 형태로 형성되어 있다. 유기발광재료(13) 위에는 피 전사기판(11)이 위치할 수 있다.A plurality of
제1 및 제2 공통전극(3a 및 3b) 위에는 각각 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b)이 정렬되어 있어, 공통전극(3a, 3b)과 장치전극(7a, 7b)은 서로 연결 및 분리가 가능하도록 구성되어 있다. 전원(15)은 구성하는 전사장치에 따라서, 직류 전원 혹은 교류 전원을 발생할 수 있다.The
피 전사기판(11)을 유기발광재료(13)가 성막되어 있는 금속 발열패턴(5) 위에 일정 간격을 두고 장착한 후, 장치전극들(7a, 7b)을 각각 대향하는 공통전극들(3a, 3b)과 접촉시킨 후, 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b) 사이에 연결된 전원(15)을 가동하여 소정의 전압을 인가한다. 금속 발열패턴(5)에서 발생된 주울 열은 금속 발열패턴(5) 상에 위치한 유기발광재료(13)에 전달되고, 그 결과 유기발광재료(13)가 증발하면서, 피 전사기판(11)으로 전사되어 화소 영역에 유기발광층을 형성한다.After the
유기발광재료(13)를 충분히 가열하기 위해서는 상당히 높은 열에너지가 필요하고, 충분한 열에너지를 공급하기 위해서는 금속 발열패턴(5)에 인가되는 전기에너지가 커야 한다. 큰 전기 에너지를 얻기 위해서는 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b) 사이에 인가되는 전원이 고전압과 고전류를 발생하는 전원(15)이어야 한다.In order to sufficiently heat the organic
도 3은 전사기판 상에 형성된 종래의 금속 발열패턴을 나타내는 도면이다.3 is a view illustrating a conventional metal heating pattern formed on a transfer substrate.
도 3에서 알 수 있듯이, 전사기판(1)에는 유기발광재료가 전사될 피 전사기판의 화소 영역에 대응되도록, 다수의 금속 발열패턴들(5)이 형성된다. 금속 발열패턴(5)의 일측단과 타측단에는 각각 금속 발열패턴(5)들 모두를 연결하는 제1 공통전극(3a)과 제2 공통전극(3b)이 형성되어 있다.As can be seen in FIG. 3, a plurality of
금속 발열패턴(5)은 소정의 간격으로 이격되어 형성되어 있으며, 제1 공통전극(3a)과 제2 공통전극(3b)을 연결하는 얇은 선폭의 금속으로 이루어져있다. 이때, 상기 금속 발열패턴(5)은 동일한 선폭으로 형성되어 있다.The
따라서, 상술한 유기박막 전사장치는 다음과 같은 문제가 있다.Therefore, the organic thin film transfer apparatus described above has the following problems.
첫째, 고해상도의 발광장치를 구현하기 위해 발열패턴의 선폭을 얇게 함에 따라 발열패턴의 저항이 증가되게 되고, 이러한 고저항의 발열패턴에 고전류가 흐르면서 과도한 열이 발생하여 발열패턴이 단락되는 불량이 발생된다.First, in order to realize a high-resolution light emitting device, as the line width of the heating pattern is thinned, the resistance of the heating pattern increases, and a high current flows through the high-resistance heating pattern, resulting in excessive heat and short circuit of the heating pattern. do.
둘째, 과도한 열 발생으로 발열패턴이 단락되면 공정불량이 발생하여 생산성이 감소된다.Second, if the heat generation pattern is shorted due to excessive heat generation, process defects occur and productivity is reduced.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 본 발명은 발열패턴의 저항을 감소시켜 발열패턴의 단락을 방지하고, 발열패턴 단락으로 인한 공정불량을 감소시키는 유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법을 제공함을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above problems, the present invention is to reduce the resistance of the heating pattern to prevent the short circuit of the heating pattern, the organic thin film transfer device using the same and reduce the process defects due to the heating pattern short circuit An object of the present invention is to provide an organic thin film transfer method.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 전사기판; 상기 전사기판 상의 일단에 형성된 제 1공통전극; 상기 전사기판 상의 타단에 상기 제 1공통전극과 마주보고 형성된 제 2공통전극; 상기 제 1공통전극 및 제 2공통전극 사이를 연결하며 형성된 발열패턴; 및 상기 발열패턴 상에 형성된 유기박막을 포함하고, 상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되고 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성된 비전사패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, a transfer substrate; A first common electrode formed at one end of the transfer substrate; A second common electrode formed at the other end of the transfer substrate to face the first common electrode; A heating pattern formed between the first common electrode and the second common electrode; And an organic thin film formed on the heat generating pattern, wherein the heat generating pattern corresponds to a transfer pattern corresponding to a transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is transferred and a non-transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is not transferred. It provides an organic thin film transfer apparatus comprising a non-transfer pattern corresponding to and formed to have a resistance lower than the resistance of the transfer pattern.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 전사기판 상에 발열패턴을 형성하는 단계; 상기 발열패턴 상에 유기박막을 형성하는 단계; 상기 유기박막에 대향하여 피전사기판을 합착하는 단계; 상기 발열패턴에 전원을 인가하여 상기 유기박막을 상기 전사기판에서 상기 피전사기판으로 증착하는 단계를 포함하고, 상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 상기 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 상기 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되는 비전사패턴을 포함하고, 상기 비전사패턴은 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of forming a heating pattern on the transfer substrate to achieve the above object; Forming an organic thin film on the heating pattern; Bonding the transfer substrate to face the organic thin film; Depositing the organic thin film from the transfer substrate to the transfer substrate by applying power to the heat generation pattern, wherein the heat generation pattern corresponds to a transfer pattern corresponding to a transfer region on the transfer substrate to which the organic thin film is transferred. And a non-transfer pattern corresponding to the non-transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is not transferred, wherein the non-transfer pattern is formed to have a resistance lower than that of the transfer pattern. Provide a method.
상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.
우선, 전사기판에 형성된 발열패턴의 저항을 감소시켜 과열로 인한 발열패턴의 단락을 방지하는 효과가 있다.First, there is an effect of reducing the resistance of the heating pattern formed on the transfer substrate to prevent the short circuit of the heating pattern due to overheating.
또한, 발열패턴의 단락을 방지하여 공정불량을 감소시켜 생산성이 향상되는 효과가 있다.In addition, there is an effect that the productivity is improved by reducing the process defect by preventing the short circuit of the heating pattern.
도 1은 유기발광다이오드 표시장치에 사용되는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 나타내는 도면이다.
도 2a는 주울 열 전사법에 의한 유기박막 전사장치의 개요를 나타내는 단면도이다.
도 2b는 유기박막 전사장치의 개략적인 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 전사기판 상에 형성된 종래의 금속 발열패턴을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating an organic light emitting diode (OLED) used in an organic light emitting diode display.
2A is a cross-sectional view illustrating an outline of an organic thin film transfer apparatus by the joule thermal transfer method.
2B is an exploded perspective view showing the schematic structure of the organic thin film transfer device.
3 is a view illustrating a conventional metal heating pattern formed on a transfer substrate.
4 is a schematic cross-sectional view of an organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
5 is a view showing a heating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
6 is a view showing another embodiment of a heat generation pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
7 is a view showing another embodiment of a heat generation pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
이하에서는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of an organic thin film transfer device and an organic thin film transfer method using the same according to the present invention will be described in detail.
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물의 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고, 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when a structure is described as being formed "on" or "below" another structure, such a description may be made between these structures, as well as when the structures are in contact with each other. It is to be interpreted as covering up to three intervening structures.
도 4는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of an organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 유기박막 전사장치(100)는 전사기판(110), 제 1공통전극(120a), 제 2공통전극(120b), 발열패턴(130), 유기박막(140), 제 1장치전극(150a), 제 2장치전극(150b), 스페이서(160), 피전사기판(170), 및 전원부(180)을 포함한다.As can be seen in Figure 4, the organic thin
본 발명에 따른 유기박막 전사장치(100)는 피전사기판(170)을 유기박막(140)이 성막되어 있는 금속 발열패턴(130) 위에 일정 간격을 두고 장착한 후, 장치전극들(150a, 150b)을 각각 대향하는 공통전극들(120a, 120b)과 접촉시킨 후, 제 1장치전극(150a)과 제 2장치전극(150b) 사이에 연결된 전원부(180)을 가동하여 소정의 전력을 인가한다. In the organic thin
전력이 인가된 금속 발열패턴(130)에서 발생된 주울 열은 금속 발열패턴(130) 상에 위치한 유기박막(140)에 전달되고, 그 결과 유기박막(140)이 증발하면서, 피전사기판(170)으로 전사되어 화소 영역에 유기발광층을 형성한다.Joule heat generated from the
전사기판(110)은 발열패턴(130) 및 유기박막(140)이 증착되는 기판으로 사용되며, 일단에는 상기 발열패턴(130)에 연결된 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)이 증착된다.The
제 1공통전극(120a)은 상기 전사기판(110) 상의 일단에 형성되어 전원부(180)에서 공급되는 전력을 발열패턴(130)에 전달하고, 제 2공통전극(120b)은 상기 전사기판(110) 상의 타측변에 상기 제 1공통전극(120a)과 마주보고 형성된다.The first
이러한 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속 재료로 이루어질 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The first
또한, 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 전자빔(E-Beam) 공정 및 전해/무전해 도금 공정 중 어느 하나의 방법으로 상기 금속 또는 합금을 전면(全面) 증착한 후, 전면 증착된 이금속 또는 합금을 포토리소그래피(Photolithograph) 공정과 습식식각(Wet Etching) 공정 또는 건식식각(Dry Etching)을 통해 패터닝함으로써 형성될 수 있다.In addition, the first
발열패턴(130)은 상기 전사기판(110) 상에서 상기 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b) 사이를 연결하며, 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b) 형성시 동시에 형성될 수 있다. The
발열패턴(130)은 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)을 통해 공급된 전기 에너지를 열 에너지로 전환하여 발열패턴(130) 상에 형성된 유기박막(140)이 피전사기판(170)으로 승화하여 증착될 수 있도록 한다.The
이러한 유기박막(140)의 전사기법을 주울 열 전사법이라하며, 이는 유기박막(140)이 성막된 전사기판(110)을 피전사기판(170)과 스페이서(160)를 사이에 두고 정렬하여 일정 간격으로 마주보도록 배치한 후, 발열패턴(130)에 전기 에너지를 인가하여 유기박막(140)을 피전사기판(170)으로 전사시키는 것을 말한다.The transfer method of the organic
이러한 발열패턴(130)은 피전사기판(170)의 화소배치에 따라 다양한 형태로 패터닝 될 수 있는데, 본 발명에 따른 유기박막 전사장치에 있어 발열패턴(130)은 피전사기판(170)에 상기 유기박막(140)을 전사하는 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 피전사기판(170)에 상기 유기박막(140)을 전사하지 않는 비전사영역에 대응되고 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성된 비전사패턴을 포함한다.The
즉, 피전사기판(170)에는 화소영역이 있고 이러한 화소영역에는 유기박막(140)이 전사되어야하는데 이렇게 유기박막(140)이 전사될 영역을 전사영역이라 한다. 또한 이러한 전사영역에 대응하는 전사기판(110) 상의 발열패턴(130)의 일부를 전사패턴이라고 한다. 이를 상세하게 설명하기 위해 이하 도면을 참조한다.That is, the
도 5는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴을 나타내는 도면이다.5 is a view showing a heating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
도 5에서 알 수 있듯이, 발열패턴(130)은 유기박막(140)이 전사될 영역인 피전사기판(170) 상의 전사영역(T)에 대응하는 전사패턴(132)이 형성되어 있고, 상기 전사패턴(132)의 사이사이에는 유기박막(140)이 전사되지 않는 영역인 피전사기판(170) 상의 비전사영역(N)에 대응하는 비전사패턴(134)이 형성되어 있다. As can be seen in FIG. 5, in the
또한, 상기 발열패턴(130)의 양단에는 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)이 연결되어 상기 발열패턴(130)에 전력을 공급한다. 이때, 상기 제 1공통전극(120a), 제 2공통전극(120b), 및 발열패턴(130)은 전기전도성이 우수하고 저항이 낮은 Mo, Cu, Al, 또는 Al합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다.In addition, the first
비전사패턴(134)은 전사패턴(132)의 저항보다 낮은 저항을 갖는데, 낮은 저항을 갖는 방법에는 여러가지 변형이 있을 수 있다. 이러한 비전사패턴(134)의 일 실시예로서 상기 비전사패턴(134)의 선폭과 상기 전사패턴(132)의 선폭이 다른 것을 특징으로 할 수 있다.The
또한, 비전사패턴(134)의 선폭은 상기 전사패턴(132)의 선폭보다 넓은 것을 특징으로 할 수 있다. 저항은 도선의 단면적에 반비레하는 특성이 있는 바 선폭을 넓게 형성함으로써 비전사패턴(134)의 저항을 낮출 수 있기 때문이다.In addition, the line width of the
이 경우 상기 비전사패턴(134)의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상 3배 이하로 형성될 수도 있다. In this case, the line width of the
이는 비전사패턴(134)의 선폭이 전사패턴(132)의 선폭보다 1.5배 이상되지 않을 경우 저항의 차이가 미미할 수 있기 때문이며, 3배 이상일 경우는 전사패턴(132)간의 거리가 멀어질 우려가 있기 때문이다. 다만, 경우에 따라서는 이러한 수치는 변경될 수 있다.This is because if the line width of the
또한, 비전사패턴(134)의 두께는 상기 전사패턴(132)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 저항은 도선의 단면적에 반비례하는 특성이 있는 바 두께를 두껍게 형성함으로써 비전사패턴(134)의 저항을 낮출 수 있기 때문이다.In addition, the thickness of the
도 6은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing another embodiment of a heat generation pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
도 6에서 알 수 있듯이, 상기 전사패턴(132) 및 상기 비전사패턴(134)의 경계에서 상기 비전사패턴(134)의 선폭은 사전에 설정된 각도로 증가하는 것을 특징으로 한다. 마찬가지로 비전사패턴(134)의 선폭이 감소하는 경우에도 사전에 설정된 각도로 감소한다.As can be seen in Figure 6, the line width of the
즉, 비전사패턴(134)의 선폭은 사전에 설정된 각도로 서서히 증가한다. 이는 급격한 선폭의 변화로 인하여 저항의 차이가 심해질 경우 이로 인하여 발열패턴(130)이 오픈되는 불량을 방지하기 위함이다.That is, the line width of the
이때, 상기 전사패턴(132)의 선폭과 상기 비전사패턴(134)의 경계에서 상기 비전사패턴(134)의 선폭이 증가하는 각도는 20도 이상 50도 이하일 수 있고 바람직하게는 45도가 될 수 있다. 다만, 이 수치는 실험적인 적정값인 것이므로 경우에 따라서 변경될 수 있다.In this case, the angle at which the line width of the
같은 이유로, 상기 전사패턴(132) 및 상기 비전사패턴(134)의 경계에서 상기 비전사패턴(134)의 선폭은 S자 형태로 증가하거나 감소할 수 있다. 즉, 상기 전사패턴(132) 및 상기 비전사패턴(134)의 경계가 각진 형태가 아닌 곡선의 형태일 수도 있다.For the same reason, the line width of the
도 7은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing another embodiment of a heat generation pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
도 7에서 알 수 있듯이, 발열패턴(130)은 피전사기판(170) 중 유기박막(140)이 전사될 영역인 전사영역(T)에 대응하는 전사패턴(132)이 형성되어 있고, 상기 전사패턴(132)의 사이사이에는 피전사기판(170) 중 유기박막(140)이 전사되지 않는 영역이 비전사영역(N)에 대응하는 비전사패턴(134)이 형성되어 있다.As can be seen in FIG. 7, in the
이때 비전사패턴(134)의 선폭은 그 일부만이 두껍게 형성되어 있고, 연속되는 비전사패턴(134) 중에서 두껍게 형성된 선폭이 서로 어긋나게 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 따라 복수의 전사패턴(132)간 거리를 좁힐 수 있는 효과가 있다.At this time, only a portion of the line width of the
다시 도 4를 참조하면, 유기박막(140)은 전사기판(110) 상에 형성되어, 전사기판(110)을 통해 공급되는 열 에너지에 의해 피전사기판(170)으로 전사됨으로써 대상 화소들에 발광층을 형성한다. Referring back to FIG. 4, the organic
유기박막(140)은 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 유기발광재료 중 어느 하나를 포함하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 다른 색의 유기발광재료로 형성할 수도 있다. The organic
또한, 본 실시예에서는 전사재료층(140)은 열 증착(Thermal Evaporation) 공정 등을 통해 전사기판(110)의 일면 상에 전면적으로 형성되는 것 외에도, 발열패턴(130)의 상부에만 형성할 수도 있으며, 필요에 따라 전사패턴 상에만 형성될 수도 있다.In addition, in the present embodiment, the
제 1장치전극(150a) 및 제 2장치전극(150b)은 각각 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b) 상에 형성되어 전원부(180)에서 공급된 전력을 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)을 통해 발열패턴(130)에 공급한다.The
스페이서(160)는 전사기판(110) 및 피전사기판(170) 사이에 형성되어 전사기판(110) 및 피전사기판(170)을 일정한 간격으로 이격시킨다.The
피전사기판(170)은 전사기판(110)과 대향하여 마주보고 형성되며, 피전사기판(170) 중 화소영역에 대응하는 영역에는 유기박막(140)이 전사되어 발광층을 형성한다.The
전원부(180)는 제 1장치전극(150a) 및 제 2장치전극(150b)에 연결되어 발열패턴(130)에 전기 에너지를 공급한다.The
상기와 같은 본 발명에 따르는 유기박막 전사장치에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the organic thin film transfer apparatus according to the present invention as described above has the following effects.
우선, 전사기판에 형성된 발열패턴(130) 중 비전사패턴의 저항을 감소시켜, 발열로 인한 발열패턴(130)의 단락을 방지하는 효과가 있다.First, the resistance of the non-transfer pattern of the
또한, 발열패턴(130)의 단락을 방지하여 공정불량을 감소시켜 생산성이 향상되는 효과가 있다.In addition, there is an effect that the productivity is improved by reducing the process defect by preventing the short circuit of the
이하 본 발명에 따른 유기박막 전사장치을 사용하여 유기박막을 전사하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of transferring an organic thin film using the organic thin film transfer device according to the present invention will be described.
우선, 전사기판 상에 발열패턴을 형성한다. 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 상기 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 상기 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되는 비전사패턴을 포함한다.First, a heating pattern is formed on the transfer substrate. The heating pattern includes a transfer pattern corresponding to a transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is transferred and a non-transfer pattern corresponding to a non-transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is not transferred.
이때, 비전사패턴은 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖는데, 낮은 저항을 갖는 방법에는 여러가지 변형이 있을 수 있다. 이러한 비전사패턴의 일 실시예로서, 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 넓은 것을 특징으로 할 수 있다. 저항은 도선의 단면적에 반비레하는 특성이 있는 바 선폭을 넓게 형성함으로써 비전사패턴의 저항을 낮출 수 있기 때문이다.At this time, the non-transfer pattern has a lower resistance than the resistance of the transfer pattern, there may be various variations in the method having a low resistance. In one embodiment of the non-transfer pattern, the line width of the non-transfer pattern may be characterized in that it is wider than the line width of the transfer pattern. This is because the resistance has a property that is inversely proportional to the cross-sectional area of the wire, so that the resistance of the non-transfer pattern can be reduced by forming a wide line width.
이 경우 일 실시예에 있어서, 상기 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상 3배 이하로 형성될 수 있다. 이는 비전사패턴의 선폭이 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상되지 않을 경우 저항의 차이가 미미할 수 있기 때문이며, 3배 이상일 경우는 전사패턴간의 거리가 멀어질 우려가 있기 때문이다. 다만, 경우에 따라서는 이러한 수치는 변경될 수 있다.In this case, the line width of the non-transfer pattern may be formed 1.5 times or more and 3 times or less than the line width of the transfer pattern. This is because the difference in resistance may be insignificant if the line width of the non-transfer pattern is not more than 1.5 times greater than the line width of the transfer pattern. However, in some cases, these values may be changed.
다음, 상기 발열패턴 상에 유기박막을 형성한다. 유기박막은 상기 발열패턴의 전면에 형성될 수도 있고, 피전사기판에 유기박막이 전사되는 전사영역에 대응하는 부분에만 형성될 수도 있다.Next, an organic thin film is formed on the heating pattern. The organic thin film may be formed on the entire surface of the heat generating pattern, or may be formed only in a portion corresponding to the transfer region where the organic thin film is transferred to the transfer substrate.
다음, 상기 유기박막에 대향하여 피전사기판을 합착한다. 이때, 전사기판 및 피전사기판 사이에 형성되는 스페이서에 의해 전사기판 및 피전사기판은 일정한 간격을 유지할 수 있다. 또한, 상기 전사기판의 양단에서 상기 발열패턴과 연결된 공통전극에는 외부의 전원부와 연결된 장치전극이 연결된다.Next, the transfer substrate is bonded to the organic thin film. At this time, the transfer substrate and the transfer substrate can be maintained at a constant interval by a spacer formed between the transfer substrate and the transfer substrate. In addition, device electrodes connected to an external power supply unit are connected to a common electrode connected to the heating pattern at both ends of the transfer substrate.
다음, 상기 발열패턴에 전원을 인가하여 상기 유기박막을 상기 전사기판에서 상기 피전사기판으로 증착한다. 외부의 전원부에서 소정의 전력을 공급하면, 장치전극에서 공통전극, 공통전극에서 발열패턴으로 전력이 흐르게 되고, 얇은 선폭을 가진 발열패턴에는 줄열이 발생하게 된다. 이에 따라, 발열패턴 중 전사패턴 상에 형성된 유기박막이 가열되어 피전사기판으로 증착되게 된다.Next, power is applied to the heating pattern to deposit the organic thin film from the transfer substrate to the transfer substrate. When a predetermined power is supplied from an external power supply unit, power flows from the device electrode to the common electrode and the common electrode in the heating pattern, and Joule heat is generated in the heating pattern with the thin line width. Accordingly, the organic thin film formed on the transfer pattern among the heating patterns is heated and deposited on the transfer substrate.
한편, 비전사패턴의 선폭을 넓게하여 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖게하면, 발열패턴이 발열로 인하여 단락되는 것을 방지하는 효과가 있고, 또한, 발열패턴의 단락을 방지하여 공정불량을 감소시켜 생산성이 향상되는 효과가 있다.On the other hand, when the line width of the non-transfer pattern is widened to have a resistance lower than the resistance of the transfer pattern, the heat generation pattern is prevented from shorting due to heat generation, and also the process defect is reduced by preventing the short circuit of the heat generation pattern. Productivity is improved.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 구성을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and from the equivalent concept are to be construed as being included in the scope of the present invention .
100 - 유기박막 전사장치
110 - 전사기판
120a - 제 1공통전극
120b - 제 2공통전극
130 - 발열패턴
132 - 전사패턴
134 - 비전사패턴
140 - 유기박막
150a - 제 1장치전극
150b - 제 2장치전극
160 - 스페이서
170 - 피전사기판
180 - 전원부100-Organic Thin Film Transfer Device
110-Transfer Board
120a-first common electrode
120b-second common electrode
130-heating pattern
132-Transfer Pattern
134-Non-Transfer Pattern
140-Organic Thin Films
150a-first device electrode
150b-second device electrode
160-spacer
170-Transfer Board
180-power supply
Claims (10)
상기 전사기판 상의 일단에 형성된 제 1공통전극;
상기 전사기판 상의 타단에 상기 제 1공통전극과 마주보고 형성된 제 2공통전극;
상기 제 1공통전극 및 제 2공통전극 사이를 연결하며 형성된 발열패턴; 및
상기 발열패턴 상에 형성된 유기박막을 포함하고,
상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되고 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성된 비전사패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.Transfer substrate;
A first common electrode formed at one end of the transfer substrate;
A second common electrode formed at the other end of the transfer substrate to face the first common electrode;
A heating pattern formed between the first common electrode and the second common electrode; And
An organic thin film formed on the heating pattern;
The heating pattern is formed to correspond to a transfer pattern on a transfer substrate on the transfer substrate on which the organic thin film is transferred and a non-transfer region on a transfer substrate on which the organic thin film is not transferred, and has a resistance lower than that of the transfer pattern. Organic thin film transfer apparatus comprising a non-transfer pattern.
상기 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭 이상의 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method of claim 1,
The line width of the non-transfer pattern is an organic thin film transfer device, characterized in that having a line width or more of the line width of the transfer pattern.
상기 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상 3배 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method of claim 1,
The line width of the non-transfer pattern is an organic thin film transfer device, characterized in that formed to 1.5 times or more than 3 times the line width of the transfer pattern.
상기 비전사패턴의 두께는 상기 전사패턴의 두께 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method of claim 1,
The thickness of the non-transfer pattern is an organic thin film transfer device, characterized in that having a thickness greater than the thickness of the transfer pattern.
상기 전사패턴 및 상기 비전사패턴의 경계에서 상기 비전사패턴의 선폭은 S자 형태로 증가하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method of claim 1,
And the line width of the non-transfer pattern is increased in an S-shape at the boundary between the transfer pattern and the non-transfer pattern.
상기 전사패턴 및 상기 비전사패턴의 경계에서 상기 비전사패턴의 선폭은 사전에 설정된 각도로 증가하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method of claim 1,
And the line width of the non-transfer pattern at the boundary between the transfer pattern and the non-transfer pattern increases at a predetermined angle.
상기 전사패턴의 선폭과 상기 비전사패턴의 경계에서 상기 비전사패턴의 선폭이 증가하는 각도는 20도 이상 50도 이하인 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method according to claim 6,
And an angle at which the line width of the non-transfer pattern increases at a boundary between the line width of the transfer pattern and the non-transfer pattern.
상기 발열패턴은 Mo, Cu, Al, 또는 Al합금 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method of claim 1,
The heating pattern is an organic thin film transfer device, characterized in that formed of any one of Mo, Cu, Al, or Al alloy.
상기 발열패턴 상에 유기박막을 형성하는 단계;
상기 유기박막에 대향하여 피전사기판을 합착하는 단계;
상기 발열패턴에 전원을 인가하여 상기 유기박막을 상기 전사기판에서 상기 피전사기판으로 증착하는 단계를 포함하고,
상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 상기 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 상기 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되는 비전사패턴을 포함하고, 상기 비전사패턴은 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.Forming a heating pattern on the transfer substrate;
Forming an organic thin film on the heating pattern;
Bonding the transfer substrate to face the organic thin film;
Depositing the organic thin film from the transfer substrate to the transfer substrate by applying power to the heating pattern;
The heating pattern includes a transfer pattern corresponding to a transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is transferred, and a non-transfer pattern corresponding to a non-transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is not transferred. The four patterns are formed to have a resistance lower than the resistance of the transfer pattern organic thin film transfer method.
상기 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭 이상의 선폭을 갖도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.The method of claim 9,
And the line width of the non-transfer pattern is formed to have a line width equal to or greater than the line width of the transfer pattern.
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198364A (en) * | 1992-01-20 | 1993-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plane heating element |
KR20110064716A (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Transcripting device in using thermal transfer process |
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- 2011-11-23 KR KR1020110123112A patent/KR101897970B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198364A (en) * | 1992-01-20 | 1993-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plane heating element |
KR20110064716A (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Transcripting device in using thermal transfer process |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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