KR20130055111A - Method for manufacturing of graphene layer, method for manufacturing of touch device using the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of graphene film and a manufacturing method of touch element using the same are provided to simplify a process and easily produce graphene as well as a high quality and large size therof. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene film comprises following steps of: forming a graphene oxide film(20) on a substrate(10) and mounting the graphene oxide film in a chamber; injecting the nitrogen gas and carbon gas into the chamber; and irradiating the graphene oxide film with laser and recycling the graphene oxide film into a graphene film(24). The laser is irradiated on the graphene oxide film, thereby increasing the surface temperature of graphene oxide film up to 1000 to 3000K. The carbon gas is methane gas or ethane gas.

Description

그래핀막의 제조방법, 이를 이용한 터치소자의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING OF GRAPHENE LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING OF TOUCH DEVICE USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a graphene film and a method of manufacturing a touch device using the same,

본 발명은 그래핀에 관한 것으로, 보다 자세하게는 그래핀막의 제조방법 및 이를 이용한 터치소자의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to graphenes, and more particularly, to a method of manufacturing a graphene film and a method of manufacturing a touch device using the same.

그래핀은 여러 개의 탄소층으로 된 그래파이트(graphite)에서 하나의 탄소층에 원자들이 얽혀 있는 얇은 막 형태의 소재이다. 이 그래핀은 전기적, 열적, 기계적 성질이 탁월하여 나노일렉트로닉스(nanoelectronics), 센서, 배터리, 수퍼커패시터(super capacitor), 수소 저장 등 다양한 분야에 응용될 수 있다. 그래핀의 주된 특징으로는 전기전도성이 매우 탁월하고 기계적 강도는 강철(steel)보다 200배 이상 강하며, 게다가 신축성이 좋아 늘리거나 접어도 전기전도성을 잃지 않는 특성이 있다. 또한, 그래핀은 탄소로 이루어진 계면에 다양한 화학적 처리나 기능화가 가능하며, 전기전도성을 제어하여 전도성, 또는 반도체적 특성을 나타내어, 디스플레이 소자나 고강도 미세 전도성 나노 구조체를 구성하는 재료로 활용될 수 있다. Graphene is a thin, film-like material in which atoms are entangled in a single carbon layer from graphite consisting of several carbon layers. This graphene has excellent electrical, thermal and mechanical properties and can be applied to various fields such as nanoelectronics, sensors, batteries, super capacitors, and hydrogen storage. The main features of graphene are excellent electrical conductivity, mechanical strength of more than 200 times stronger than steel, and moreover, it has elasticity so that it does not lose its electrical conductivity even when stretched or folded. In addition, graphene can be subjected to various chemical treatments and functionalization at the interface made of carbon, exhibits conductivity or semiconductor properties by controlling electric conductivity, and can be utilized as a material constituting a display device or a high strength microconductive nano structure .

현재 반도체나 디스플레이 분야에서 주로 사용하고 있는 투명전극인 산화인듐주석(ITO)은 늘리거나 구부리면 깨지거나 쉽게 전기전도성을 잃는다. 그래서 대부분의 전자기기들은 이를 보호하기 위해 단단한 케이스가 필요하며, 최근에 많은 관심을 받고 있는 플렉서블 디스플레이나 전자종이와 같은 전자기기를 개발하려면 실리콘이나 ITO와 비슷한 수준의 전기전도성을 가지면서 동시에 변형을 잘 견디는 유연한 소재가 필요하다. 그래핀은 이러한 점을 모두 만족시키는 실리콘 반도체를 대체할 새로운 소재로 각광받고 있다. Indium tin oxide (ITO), a transparent electrode currently used in semiconductor and display fields, is broken or easily lost electrical conductivity when stretched or bent. Therefore, most electronic devices require a rigid case to protect them. To develop electronic devices such as flexible displays and electronic paper, which have received much attention recently, it is necessary to have a similar electrical conductivity to silicon or ITO, You need a flexible material that can withstand it. Graphen is emerging as a new material to replace silicon semiconductors that meet all of these requirements.

최근 양질의 그래핀을 생산할 수 있는 방법들이 속속 개발되고 있으며, 크게 화학적 환원법과 화학적 증기증착법이 사용된다. 화학적 환원법은 흑연으로부터 박리된 산화그래핀 조각을 화학적 환원 방법을 통해 그래핀을 합성하는 방법으로 용액형으로 그래핀을 제조하여, 저온소성 및 대량 합성이 가능하고 분산 안정성이 우수한 장점이 있으나, 높은 면 저항을 가져 ITO를 대신하기 어렵다. 또한, 화학적 증기증착법은 전이금속(Cu/Ni) 촉매를 이용하여 고온에서 그래핀을 증착하는 방법으로 그래핀 합성법 중 가장 낮은 저항을 가지는 장점이 있으나, 별도의 전이 공정이 필요하고 1000도 이상의 고온이 필요한 문제점이 있다. Recently, methods for producing high quality graphene are being developed continuously, and chemical reduction and chemical vapor deposition methods are mainly used. The chemical reduction method is a method of synthesizing graphene through a chemical reduction method of graphene oxide grains peeled off from graphite, and is capable of low-temperature firing and mass synthesis and excellent dispersion stability by preparing graphene in a solution form. However, It is difficult to replace ITO because of surface resistance. The chemical vapor deposition method is a method of depositing graphene at a high temperature using a transition metal (Cu / Ni) catalyst, which has the advantage of having the lowest resistance in the graphene synthesis method, but requires a separate transition process, There is a need for this.

따라서, 화학적 환원법과 화학적 증기증착법 등의 종래 그래핀의 제조방법의 문제점을 해결할 수 있는 새로운 그래핀의 제조방법이 요구된다.
Therefore, there is a need for a novel method for producing graphene that can solve the problems of conventional graphene production methods such as chemical reduction and chemical vapor deposition.

본 발명은 레이저를 이용하여 산화그래핀을 그래핀으로 합성하여, 공정을 간소화하고 제조가 용이하며 고품질의 대면적 그래핀의 제작이 가능한 그래핀막의 제조방법, 이를 이용한 터치소자의 제조방법을 제공한다.
The present invention provides a method for producing a graphene film which can synthesize oxidized graphene with a graphene using a laser, simplify the process, and can manufacture large-area graphene with high quality, and a method for manufacturing a touch device using the same do.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀막의 제조방법은 기판 상에 산화그래핀막을 형성하고 챔버 내에 장착하는 단계, 상기 챔버 내에 질소(N2) 가스와 탄소 가스를 주입하는 단계 및 상기 산화그래핀막에 레이저를 조사하여 상기 산화그래핀막을 그래핀막으로 환원시키는 단계를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, a graphene film manufacturing method according to an embodiment of the present invention includes forming a graphene oxide film on a substrate, and a step, nitrogen (N 2) gas and carbon gas into the chamber mounted in the chamber And irradiating a laser beam onto the oxide graphene film to reduce the graphene oxide film to a graphene film.

상기 산화그래핀막은 허머 방법(Hummer's method)으로 제조될 수 있다.The oxidized graphene film can be produced by the Hummer's method.

상기 산화그래핀막에 레이저를 조사하여, 상기 산화그래핀막의 표면 온도를 1000 내지 3000K로 상승시킬 수 있다.The surface of the oxide graphene film can be raised to 1000 to 3000 K by irradiating the graphene oxide film with a laser.

상기 탄소 가스는 메탄(CH4) 또는 에탄(C2H6)가스일 수 있다.The carbon gas may be methane (CH 4 ) or ethane (C 2 H 6 ) gas.

상기 탄소 가스에 수소 가스를 더 첨가하여 주입할 수 있다.Hydrogen gas may be further added to the carbon gas.

상기 레이저는 Nd:YAG, KrF 또는 He:Ne 레이저 중 선택된 어느 하나일 수 있다.The laser may be any one selected from Nd: YAG, KrF, and He: Ne laser.

상기 그래핀막을 형성하는 단계 이후에, 상기 산화그래핀막은 O2 플라즈마로 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of forming the graphene film, the graphene oxide film may further include removing with an O 2 plasma.

상기 산화그래핀막은 스핀 코팅으로 도포되어 형성될 수 있다.The graphene oxide film may be formed by spin coating.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치소자의 제조방법은 기판 상에 라우팅 전극을 형성하는 단계, 상기 라우팅 전극을 포함하는 기판 상에 제1 산화그래핀막을 형성하는 단계, 상기 제1 산화그래핀막이 형성된 기판을 챔버 내에 장착하고, 상기 챔버 내에 질소(N2) 가스와 탄소 가스를 주입하는 단계, 상기 제1 산화그래핀막의 일부에 레이저를 조사하여 제2 브릿지 전극 및 연결패턴을 형성하고, 나머지 제1 산화그래핀막을 제거하는 단계, 상기 제2 브릿지 전극 및 연결패턴 상에 제2 산화그래핀막을 형성하는 단계, 상기 제2 산화그래핀막이 형성된 기판을 챔버 내에 장착하고, 상기 챔버 내에 질소(N2) 가스와 탄소 가스를 주입하는 단계, 상기 제2 산화그래핀막의 일부에 레이저를 조사하여 콘택부를 형성하고, 나머지 제2 산화그래핀막을 절연막으로 형성하는 단계, 상기 절연막 및 콘택부 상에 제3 산화그래핀막을 형성하는 단계, 상기 제3 산화그래핀막이 형성된 기판을 챔버 내에 장착하고, 상기 제3 산화그래핀막의 일부에 레이저를 조사하여 제1 브릿지 전극, 제1 전극, 제2 전극 및 콘택전극을 형성하고, 나머지 제3 산화그래핀막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a touch device including forming a routing electrode on a substrate, forming a first oxide graphene film on a substrate including the routing electrode, (N 2 ) gas and carbon gas into the chamber, irradiating a part of the first oxide graphene film with a laser to form a second bridge electrode and a connection pattern , Removing the remaining first oxide graphene film, forming a second oxide graphene film on the second bridge electrode and the connecting pattern, mounting the substrate on which the second oxide graphene film is formed in the chamber, nitrogen (N 2) gas as the stage, the second oxidation graphene film portion by a laser beam to form the contact portion and the remaining second insulating film is oxidized to yes pin carbon gas injection Forming a third oxide graphene film on the insulating film and the contact portion; mounting a substrate on which the third oxide graphene film is formed in a chamber; Forming one bridge electrode, a first electrode, a second electrode, and a contact electrode, and removing the remaining third oxide graphene film.

상기 탄소 가스는 메탄(CH4) 또는 에탄(C2H6)가스일 수 있다.The carbon gas may be methane (CH 4 ) or ethane (C 2 H 6 ) gas.

상기 탄소 가스에 수소 가스를 더 첨가하여 주입할 수 있다.Hydrogen gas may be further added to the carbon gas.

상기 레이저는 Nd:YAG, KrF 또는 He:Ne 레이저 중 선택된 어느 하나일 수 있다.The laser may be any one selected from Nd: YAG, KrF, and He: Ne laser.

상기 제1 및 제3 산화그래핀막을 제거하는 단계는 O2 플라즈마를 이용할 수 있다.
The step of removing the first and third oxide graphene films may use an O 2 plasma.

본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀막의 제조방법은 레이저를 이용하여 산화그래핀을 그래핀으로 합성함으로써, 공정을 간소화하고 제조가 용이하며 고품질의 대면적 그래핀의 제작할 수 있는 이점이 있다.
The method of manufacturing a graphene film according to an embodiment of the present invention is advantageous in that it can simplify the process, can be easily manufactured, and can produce high-quality large-area graphene by synthesizing graphene oxide with graphene using a laser.

도 1은 본 발명의 그래핀막의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 그래핀막을 제조하는 챔버를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치소자 및 터치소자가 구비된 표시장치를 나타낸 도면.
도 4는 터치소자 내에 위치하는 전극부의 구조를 나타낸 도면.
도 5는 도 4의 일부를 확대한 확대도.
도 6은 도 5의 I-I'에 따라 절취된 단면도.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 8a 및 도 8b는 산화그래핀막에 레이저를 조사한 영역을 나타낸 도면.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 산화그래핀막에 레이저가 조사된 영역의 표면 단차를 측정한 그래프.
도 10은 본 발명의 산화그래핀, 실시예 및 비교예에 따라 레이저가 조사된 영역의 라만 스펙트럼을 측정하여 나타낸 그래프.
도 11은 본 발명의 산화그래핀과 실시예에 따라 제조된 그래핀의 저항을 측정하여 나타낸 그래프.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a process for producing a graphene film according to the present invention.
2 shows a chamber for producing the graphene film of the present invention.
3 illustrates a display device including a touch device and a touch device according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a structure of an electrode portion located in a touch element;
5 is an enlarged view of a part of Fig.
6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 5;
7A to 7D are views illustrating a method of manufacturing a touch device according to an exemplary embodiment of the present invention.
8A and 8B are diagrams showing a region where a laser beam is irradiated to the oxide graphene film.
FIGS. 9A and 9B are graphs showing surface gradations of a region irradiated with a laser on an oxide graphene film according to Examples and Comparative Examples of the present invention. FIG.
10 is a graph showing the Raman spectrum of a region irradiated with a laser according to the oxidation graphene of the present invention, Examples and Comparative Examples.
11 is a graph showing the resistance of the graphene oxide prepared according to the present invention and the oxide graphene of the present invention measured.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예들을 자세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 그래핀막의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 그래핀막을 제조하는 챔버를 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view showing a process for producing a graphene film according to the present invention, and FIG. 2 is a view showing a chamber for producing the graphene film according to the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀막의 제조방법은 기판 상에 산화그래핀막을 형성하고 챔버 내에 장착하는 단계, 상기 챔버 내에 질소(N2) 가스와 탄소 가스를 주입하는 단계 및 상기 산화그래핀막에 레이저를 조사하여 상기 산화그래핀막을 그래핀막으로 환원시키는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a graphene film according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming a graphene oxide film on a substrate and mounting the graphene film in a chamber, injecting nitrogen (N 2 ) gas and carbon gas into the chamber, And reducing the graphene oxide film to a graphene film.

보다 자세하게, 도 1의 (a) 및 (b)를 참조하면, 기판(10)을 준비하고 기판(10) 상에 산화그래핀막(20)을 형성한다. 산화그래핀은 허머 방법(Hummer's method)를 이용하여 제작이 가능하며, 그래핀막의 합성 원 재료로 사용된다. 산화그래핀막(20)은 산화그래핀 용액을 기판(10) 상에 도포하여 형성한다. More specifically, referring to FIGS. 1A and 1B, a substrate 10 is prepared and a graphene oxide film 20 is formed on a substrate 10. Oxidation graphene can be fabricated using the Hummer's method and is used as a starting material for the synthesis of graphene films. The oxide graphene film 20 is formed by applying a graphene oxide solution onto the substrate 10.

산화그래핀 용액을 제조하는 공정을 자세히 설명하면 다음과 같다. 먼저, 팽창 흑연 파우더를 준비하고 팽창 흑연 파우더를 황산(H2SO4) 용액에 넣은 후, 스티어링(stirring)과 쿨링(cooling)을 해주면서 과망간산칼륨(potassium permanganate)을 순차적으로 넣어준다. 이때 온도는 20℃를 유지한다. 이어, 2시간 정도 35℃에서 스티어링 해준 후, 증류수를 첨가한다. 그리고, 현탁액의 금속 이온을 제거하기 위해 1:10 염산(HCl)에 씻은 후, 여과하여 페이스트를 얻는다. 다음, 얻어진 페이스트를 중성화시키기 위해 증류수에 넣고 스티어링한 후, 여과(filtration)하는 과정을 약 2~3회 반복한다. 다음, 중성화된 산화그래핀 용액을 4000RPM 이상에서 원심분리하고, 남아있는 팽창 산화흑연(unexpoliated graphite oxide)를 제거하여 산화그래핀 용액을 얻는다.The process for producing the oxidized graphene solution will be described in detail as follows. First, prepare expanded graphite powder, add expanded graphite powder into sulfuric acid (H 2 SO 4 ) solution, and add potassium permanganate sequentially while stirring and cooling. At this time, the temperature is maintained at 20 占 폚. Steam at 35 캜 for about 2 hours, and then add distilled water. Then, it is washed with 1:10 hydrochloric acid (HCl) to remove the metal ion of the suspension, and then filtered to obtain a paste. Next, in order to neutralize the obtained paste, the process of putting in the distilled water, steering, and filtration is repeated about 2 to 3 times. Next, the neutralized graphene graphene solution is centrifuged at 4000 RPM or more, and the remaining unexpoliated graphite oxide is removed to obtain a graphene oxide solution.

도 1의 (b)를 참조하면, 앞에서 제조된 산화그래핀 용액을 기판(10) 상에 도포하여 산화그래핀막(20)을 형성한다. 이때, 산화그래핀 용액을 도포하는 방법으로는 스핀코팅(spin coating)법을 사용한다. Referring to FIG. 1 (b), the graphene oxide solution prepared above is coated on the substrate 10 to form the oxide graphene film 20. At this time, as a method of applying the graphene oxide solution, a spin coating method is used.

다음, 도 1의 (c)를 참조하면, 산화그래핀막(20)에 레이저(laser)를 조사하여 그래핀막(24)을 제조한다. 도 2를 참조하여 자세히 설명하면, 그래핀막(24)은 챔버(40) 내에서 제조된다. 챔버(40)의 일측에는 기판(10)이 장착되는 스테이지(42)와, 스테이지(42)를 회전시키는 로테이터(44)가 구비된다. 그리고, 챔버(40)의 다른 일측에는 챔버(40) 내에 공기를 빼내어 진공을 만드는 펌프(46)가 구비된다. 챔버(40)의 또 다른 일측에는 챔버(40) 내에 분위기 가스가 주입되는 제1 밸브(48)와 반응 가스가 주입되는 제2 밸브(50)가 구비된다. 그리고, 스테이지(42)와 대향하는 챔버(40)의 일측에는 레이저 장치(52)로부터 조사된 레이저(laser)가 구면렌즈(54)를 통해 챔버(40) 내의 기판(10)으로 조사되는 레이저 조사부(56)가 구비된다. 1 (c), a graphene film 24 is produced by irradiating a laser beam onto the oxide graphene film 20. Then, as shown in FIG. 2, the graphene film 24 is fabricated in the chamber 40. [ A stage 42 on which the substrate 10 is mounted and a rotator 44 for rotating the stage 42 are provided on one side of the chamber 40. The other side of the chamber 40 is provided with a pump 46 that draws air into the chamber 40 to make a vacuum. At the other side of the chamber 40, a first valve 48 into which the atmospheric gas is injected and a second valve 50 into which the reactive gas is injected are provided in the chamber 40. A laser irradiated from the laser device 52 is irradiated onto the substrate 10 in the chamber 40 through the spherical lens 54 to the one side of the chamber 40 opposed to the stage 42, (56).

위와 같이 구성된 챔버(40)를 이용하여 산화그래핀막(20)을 그래핀막(24)으로 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다. 챔버(40) 내의 스테이지(42)에 앞서 산화그래핀막(20)이 형성된 기판(10)을 장착하고, 기판(10) 상에 차단영역(32)과 투과영역(34)이 구비된 마스크(30)를 정렬한다. 마스크(30)의 차단영역(32)은 레이저를 차단하는 영역이고, 투과영역(34)은 레이저가 투과되는 영역으로 작용하며, 레이저가 조사될 영역을 원하는 설계대로 제조한다.A method of fabricating the oxide graphene film 20 using the above-described chamber 40 using the graphene film 24 will now be described. The substrate 10 on which the graphene oxide film 20 is formed is mounted on the stage 42 in the chamber 40 and the mask 30 having the blocking region 32 and the transmitting region 34 is formed on the substrate 10 ). The blocking region 32 of the mask 30 is a region for blocking the laser, and the transmissive region 34 serves as a region through which the laser is transmitted, and the region to be irradiated with the laser is manufactured according to a desired design.

이어, 펌프(46)를 작동하여 기판(10)이 장착된 챔버(40) 내를 진공 분위기로 형성한다. 그 다음, 진공 분위기가 형성된 챔버(40) 내에 제1 밸브(48)를 통해 분위기 가스인 질소(N2) 가스를 주입하고, 제2 밸브(50)를 통해 반응 가스인 탄소 가스를 주입한다. 이때, 탄소 가스로는 메탄(CH4) 또는 에탄(C2H6)가스를 사용할 수 있다. 부가적으로 수소 가스를 더 첨가할 수 있다. 여기서, 분위기 가스로 질소 가스를 사용하는 것은 산화그래핀이 공기 중에 산소와 만나 CO2 및 CO로 버닝(burning)되는 것을 막기 위함이고, 반응 가스로 탄소가스를 사용하는 것은 산화그래핀의 손상된 부분을 보완하기 위함이다.Subsequently, the pump 46 is operated to form a vacuum atmosphere in the chamber 40 in which the substrate 10 is mounted. Next, nitrogen (N 2 ) gas, which is an atmospheric gas, is injected into the chamber 40 in which a vacuum atmosphere is formed through the first valve 48, and carbon gas, which is a reaction gas, is injected through the second valve 50. At this time, as the carbon gas, methane (CH 4 ) or ethane (C 2 H 6 ) gas can be used. In addition, a hydrogen gas can be further added. The use of nitrogen gas as the atmospheric gas is intended to prevent the graphene oxide from contacting with oxygen in the air and burning with CO 2 and CO, and using carbon gas as the reactive gas may cause the damaged portion .

이어, 반응 가스와 분위기 가스가 주입되고 진공이 형성된 챔버(40)에 레이저를 조사한다. 레이저는 레이저 장치(52)에서 발진되어 구면렌즈(54)를 통해 레이저 조사부(56)를 투과하여 산화그래핀막(20)에 조사된다. 이때, 레이저는 Nd:YAG, KrF 또는 He:Ne 레이저 중 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다. 산화그래핀막(20)에 레이저가 조사되면, 산화그래핀막(20)의 표면의 온도가 순간적으로 800 내지 3000K 까지 상승하게 되며, 이때의 고열에 의해 산화그래핀이 그래핀으로 환원된다. Then, a laser is irradiated to the chamber 40 into which a reactive gas and an atmospheric gas are injected and a vacuum is formed. The laser is emitted from the laser device 52 and transmitted through the laser irradiation part 56 through the spherical lens 54 to be irradiated to the oxidized graphene film 20. At this time, the laser can use any one selected from Nd: YAG, KrF, and He: Ne laser. When the laser beam is irradiated to the graphene oxide film 20, the temperature of the surface of the graphene oxide film 20 instantaneously rises to 800 to 3000 K. At this time, the graphene oxide is reduced to graphene by the high temperature.

다시 말해, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 마스크(30)의 투과영역(34)을 통해 산화그래핀막(20)에 레이저가 조사되면, 순간적인 고열에 의해 산화그래핀막(20)이 그래핀으로 환원되어 그래핀막(24)으로 형성되고, 레이저가 조사되지 않은 산화그래핀막(20)은 그대로 산화그래핀막(20)으로 존재하게 된다. 1 (c), when the laser beam is irradiated to the graphene oxide film 20 through the transmission region 34 of the mask 30, the graphene oxide film 20 is irradiated by the instantaneous high temperature, Is reduced to graphene to form a graphene film (24), and the oxide film (20), which is not irradiated with the laser, remains as the oxide graphene film (20).

마지막으로, 도 1의 (d)를 참조하면, 원치않는 산화그래핀막(20)을 O2 플라즈마를 이용하여 제거하여, 최종 기판(10) 상에 그래핀막(24)을 형성한다. 1 (d), an undesired oxide graphene film 20 is removed by using O 2 plasma to form a graphene film 24 on the final substrate 10.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀막의 제조방법은 레이저를 이용하여 산화그래핀을 그래핀으로 합성함으로써, 공정을 간소화하고 제조가 용이하며 고품질의 대면적 그래핀의 제작할 수 있는 이점이 있다.As described above, in the method of manufacturing a graphene film according to an embodiment of the present invention, graphene graphene is synthesized with graphene using a laser, thereby simplifying the process, making it easy to manufacture, and manufacturing high quality large area graphene There is an advantage.

이하, 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀막의 제조방법을 이용한 터치소자의 제조방법을 설명하기로 한다. 하기에서는 전기소자의 일 예로 터치소자를 구비한 표시장치를 예로 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a touch device using the method of manufacturing a graphene film according to an embodiment of the present invention will be described. In the following, an example of a display device having a touch element is described as an example of an electric element.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치소자 및 터치소자가 구비된 표시장치를 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면, 표시장치는 표시패널(PNL), 터치소자(TD), 스캔 구동부(SDRV), 데이터 구동부(DDRV) 및 감지부(TSC)를 포함한다.3 is a view illustrating a display device including a touch device and a touch device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the display device includes a display panel PNL, a touch element TD, a scan driver SDRV, a data driver DDRV, and a sensing portion TSC.

표시패널(PNL)은 유기전계발광표시패널, 액정표시패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 전기영동표시패널 등과 같은 평판표시장치(Flat Panel Display: FPD)로 구성될 수 있다. 스캔 구동부(SDRV)는 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들에 스캔신호를 공급한다. 데이터 구동부(DDRV)는 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들에 데이터신호를 공급한다. 터치소자(TD)는 표시패널(PNL) 상에 위치하며 전극부를 포함한다. 감지부(TSC)는 전극부에 연결되며 사용자의 터치소자(TD)의 터치에 따라 전극부를 통해 위치를 감지한다. 감지부(TSC)는 터치소자(TD)에 형성된 전극부의 구조에 따라 정전용량의 변화(유전율에 따른 정전용량 변화)를 이용한 커패시티브(Capacitive) 타입과 저항의 변화를 이용한 레지스티브(Resistive) 타입으로 형성된다.The display panel PNL may be a flat panel display (FPD) such as an organic light emitting display panel, a liquid crystal display panel, a plasma display panel, and an electrophoretic display panel. The scan driver SDRV supplies the scan signals to the sub-pixels included in the display panel PNL. The data driver DDRV supplies a data signal to the sub-pixels included in the display panel PNL. The touch element TD is disposed on the display panel PNL and includes an electrode portion. The sensing unit TSC is connected to the electrode unit and senses the position through the electrode unit according to the touch of the user's touch device TD. The sensing unit TSC includes a capacitive type using a change in capacitance (a change in capacitance according to a dielectric constant) according to the structure of an electrode portion formed in the touch device TD, a resistive type using a change in resistance, Type.

도 4는 터치소자 내에 위치하는 전극부의 구조를 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4의 일부를 확대한 확대도이며, 도 6은 도 5의 I-I'에 따라 절취된 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 5, and FIG. 5 is an enlarged view of a part of FIG.

도 4를 참조하면, 전극부(TPL, TPR)는 터치소자(TD)의 Y축 방향으로 배열된 제1 전극들(TPY)과 X축 방향으로 배열된 제 2 전극들(TPX)을 포함할 수 있다. 제1 전극들(TPY)과 제2 전극들(TPX)은 서로 다른 영역에 위치하도록 패턴되며 패턴된 전극들(TPY, TPX)은 각각 브릿지 전극(BE)에 의해 연결된다. 4, the electrode units TPL and TPR include first electrodes TPY arranged in the Y axis direction of the touch element TD and second electrodes TPX arranged in the X axis direction . The first electrodes TPY and the second electrodes TPX are patterned to be located in different regions and the patterned electrodes TPY and TPX are connected to each other by a bridge electrode BE.

보다 자세하게 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(110) 상에 Y축 방향으로 배열된 제1 전극(117)들이 위치하고, 제1 전극(117)들은 제1 브릿지 전극(113)을 통해 전기적으로 연결된다. 그리고, 제1 전극(117)들 사이를 수직하게 교차하는 제2 브릿지 전극(122)이 위치한다. 제2 브릿지 전극(122)은 X축 방향으로 서로 이격되어 배열된 제2 전극(121)들을 전기적으로 연결하고, 전술한 제1 전극(117)들 사이에 위치한 절연막(115)과 제1 브릿지 전극(113)과 수직하게 교차하여 위치한다. 제2 전극(121)은 기판(110) 상에 제1 전극(117)들과 이격되게 위치하고 제2 브릿지 전극(122)과 연결된다. 5 and 6, the first electrodes 117 are arranged on the substrate 110 in the Y-axis direction, and the first electrodes 117 are electrically connected through the first bridge electrode 113 . A second bridge electrode 122, which vertically crosses the first electrodes 117, is positioned. The second bridge electrode 122 electrically connects the second electrodes 121 arranged in the X-axis direction and is spaced apart from the first electrode 117. The insulating film 115 and the first bridge electrode 122, which are positioned between the first electrodes 117, (113). ≪ / RTI > The second electrode 121 is spaced apart from the first electrodes 117 on the substrate 110 and is connected to the second bridge electrode 122.

그리고, 기판(110)의 가장자리에는 제2 전극(121)과 연결된 라우팅 전극(120)이 위치할 수 있다. 라우팅 전극(120)은 전극부에서 인체의 터치로 인한 정전용량이 변화되는 것을 감지부에 전달하는 역할한다. 라우팅 전극(120) 상에 제2 전극(121)과 연결된 연결패턴(119)이 위치하고, 연결패턴(119)의 일부에 접촉하는 콘택부(116)가 형성된 절연막(115)이 위치한다. 라우팅 전극(120) 상의 절연막(115)을 덮으며, 라우팅 전극(120)에 전기적으로 연결되는 콘택전극(118)이 위치한다. A routing electrode 120 connected to the second electrode 121 may be positioned at an edge of the substrate 110. The routing electrode 120 transmits a change in capacitance due to a touch of a human body to the sensing unit. A connection pattern 119 connected to the second electrode 121 is positioned on the routing electrode 120 and an insulation layer 115 having a contact portion 116 contacting a part of the connection pattern 119 is located. A contact electrode 118, which covers the insulating film 115 on the routing electrode 120 and is electrically connected to the routing electrode 120, is located.

전술한 터치소자에서 제1 전극(117), 제1 브릿지 전극(113), 제2 브릿지 전극(122), 제2 전극(121) 및 연결패턴(119)은 본 발명의 그래핀막으로 이루어지고, 절연막(115)은 산화그래핀막으로 이루어진다.The first electrode 117, the first bridge electrode 113, the second bridge electrode 122, the second electrode 121 and the connection pattern 119 in the above-described touch element are formed of the graphene film of the present invention, The insulating film 115 is made of a graphene film.

이하, 전술한 본 발명의 그래핀막과 산화그래핀막으로 형성된 터치소자의 제조방법에 대해 설명하면 다음과 같다. 하기에서 그래핀막을 형성하는 공정은 전술한 도 1과 동일하므로 자세한 설명을 생략하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a touch element formed of the graphene film and the oxide graphene film of the present invention will be described. The process of forming a graphene film in the following is the same as that of FIG. 1 described above, so a detailed description thereof will be omitted.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이다. 7A to 7D are views illustrating a method of manufacturing a touch device according to an embodiment of the present invention.

도 7a를 참조하면, 기판(110) 상에 저저항의 금속 예를 들면 구리(Cu)나 금(Au)을 적층하고 패터닝하여 라우팅 전극(120)을 형성한다. 7A, a low resistance metal such as copper (Cu) or gold (Au) is stacked on a substrate 110 and patterned to form a routing electrode 120.

이어, 도 7b를 참조하면, 라우팅 전극(120)이 형성된 기판(110) 상에 앞서 설명한 본 발명의 산화그래핀막을 형성하고 챔버 내에서 레이저를 조사하여 일부 환원시켜 그래핀막을 형성한다. 그리고, 산화그래핀막을 제거하여 그래핀막으로 이루어진 제2 브릿지 전극(122) 및 연결패턴(119)을 형성한다. 제2 브릿지 전극(122)은 라우팅 전극(120)과 이격된 영역에 형성하고, 연결패턴(119)은 라우팅 전극(120) 상에 형성한다.Next, referring to FIG. 7B, a graphene oxide film of the present invention is formed on the substrate 110 on which the routing electrode 120 is formed, and a laser is irradiated in the chamber to partially reduce the graphene film to form a graphene film. Then, the graphene film is removed to form the second bridge electrode 122 and the connection pattern 119 made of a graphene film. The second bridge electrode 122 is formed in a region spaced apart from the routing electrode 120, and the connection pattern 119 is formed on the routing electrode 120.

다음, 도 7c를 참조하면, 라우팅 전극(120) 및 연결패턴(119)이 형성된 기판(110) 상에 전술한 산화그래핀막을 형성하고 레이저를 조사하여 일부 환원시켜 그래핀막을 형성한다. 이때, 그래핀막으로 형성된 부분은 콘택부(116)로 형성되고, 산화그래핀막으로 유지되는 부분은 절연막(115)으로 형성된다. 이때, 절연막(115)의 두께는 연결패턴(119) 및 제2 브릿지 전극(122)을 충분히 덮을 정도로 형성한다. Next, referring to FIG. 7C, the above-described oxide graphene film is formed on the substrate 110 on which the routing electrode 120 and the connection pattern 119 are formed, and the graphene film is formed by partially reducing the oxide film by laser irradiation. At this time, the portion formed by the graphene film is formed by the contact portion 116, and the portion held by the oxide graphene film is formed by the insulating film 115. At this time, the thickness of the insulating film 115 is formed to sufficiently cover the connection pattern 119 and the second bridge electrode 122.

다음, 도 7d를 참조하면, 기판(110) 상에 전술한 산화그래핀막을 형성하고 레이저를 조사하여 일부 환원시켜 그래핀막을 형성한다. 그리고, 산화그래핀막을 제거하여 그래핀막으로 이루어진 제1 브릿지 전극(113), 제1 전극(미도시), 제2 전극(121) 및 콘택전극(118)을 형성한다. 여기서, 제1 브릿지 전극(113)은 제1 전극(미도시)들을 연결하고, 제2 브릿지 전극(122)은 제2 전극(121)들을 연결한다. 또한, 콘택전극(118)은 절연막(115)의 콘택부(116)들을 통해 연결패턴(119)들과 전기적으로 연결된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치소자를 제조한다. Next, referring to FIG. 7D, a graphene oxide film is formed on the substrate 110, and a laser is irradiated to partially reduce the graphene film to form a graphene film. Then, the first bridge electrode 113, the first electrode (not shown), the second electrode 121, and the contact electrode 118 made of a graphene film are formed by removing the oxide graphene film. Here, the first bridge electrode 113 connects the first electrodes (not shown), and the second bridge electrode 122 connects the second electrodes 121. The contact electrodes 118 are electrically connected to the connection patterns 119 through the contact portions 116 of the insulating film 115. [ Thus, a touch device according to an embodiment of the present invention is manufactured.

본 발명에서는 그래핀막을 구비하는 전기소자로 터치소자를 예로 설명하였지만, 본 발명의 그래핀막은 다양한 전기소자에서 ITO를 대신하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 그래핀막은 유기전계발광표시장치의 화소 전극, 액정표시장치의 화소 전극 또는 공통 전극, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극 또는 공통 전극, 전계방출표시장치, 전기영동표시장치의 화소 전극 또는 공통 전극 등에도 적용 가능하다. In the present invention, a touch element is described as an example of an electric element having a graphene film. However, the graphene film of the present invention can be used in place of ITO in various electric elements. For example, the graphene film of the present invention may be applied to a pixel electrode of an organic electroluminescence display device, a pixel electrode or a common electrode of a liquid crystal display device, a scan electrode or a common electrode of a plasma display panel, a field emission display device, Electrode or common electrode.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, a preferred embodiment will be described to facilitate understanding of the present invention. However, the following examples are illustrative of the present invention, but the present invention is not limited to the following examples.

실시예Example

기판 상에 산화그래핀막을 형성하고, 챔버 내에서 산화그래핀막의 일부에 레이저를 조사한 후, 레이저가 조사된 영역의 표면 단차를 측정하였다. 이때, 챔버 내에는 질소(N2) 가스가 주입된 진공 상태였다.
An oxide graphene film was formed on the substrate, and a laser beam was irradiated to a part of the oxide graphene film in the chamber, and then the surface step difference of the laser irradiated area was measured. At this time, the chamber was in a vacuum state in which nitrogen (N 2) gas was injected.

비교예Comparative Example

전술한 실시예와 동일한 공정 조건 하에, 챔버 내에 공기가 주입된 상태만을 달리하였다.
Under the same process conditions as in the above-described embodiment, only a state in which air was injected into the chamber was varied.

도 8a 및 도 8b는 산화그래핀막에 레이저를 조사한 영역을 나타낸 도면이고, 도 9a 및 도 9b는 전술한 실시예 및 비교예에 따라 산화그래핀막에 레이저가 조사된 영역의 표면 단차를 측정한 그래프이다. 또한, 도 10은 산화그래핀, 실시예 및 비교예에 따라 레이저가 조사된 영역의 라만 스펙트럼을 측정하여 나타낸 그래프이고, 도 11은 산화그래핀과 레이저의 파워를 달리하여 조사하여 제조된 그래핀의 저항을 측정하여 나타낸 그래프이다.FIGS. 8A and 8B are diagrams showing a region where a laser beam is irradiated on a graphene film, FIGS. 9A and 9B are graphs showing a surface level difference of a region irradiated with a laser on the graphene oxide film according to the above- to be. 10 is a graph showing the Raman spectrum of the area irradiated with the laser according to the graphene oxide, the example and the comparative example, and Fig. 11 is a graph showing the Raman spectrum of the graphene As shown in FIG.

먼저, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 산화그래핀막에 레이저가 조사된 영역은 색이 검게 변한 것을 확인하였다. 그리고, 도 9a를 참조하면, 공기 중에서 산화그래핀막에 레이저가 조사된 영역은 단차가 심하게 생긴 것으로 나타났으며, 산화그래핀막이 레이저에 의해 식각된 것을 확인하였다. 반면, 도 9b를 참조하면, 진공의 질소 분위기에서 레이저가 조사된 영역은 단차가 거의 없이 그래핀막으로 형성된 것을 확인할 수 있었다.First, referring to FIGS. 8A and 8B, it was confirmed that the region where the laser beam was irradiated on the oxidized graphene film changed color to black. Referring to FIG. 9A, it was found that a step was severely formed in the region where the laser beam was irradiated to the oxide graphene film in the air, and it was confirmed that the oxide graphene film was etched by the laser. On the other hand, referring to FIG. 9B, it can be confirmed that the region irradiated with the laser in the vacuum nitrogen atmosphere is formed as a graphene film with almost no step difference.

또한, 도 10을 참조하면, 실시예에 따라 진공의 질소 분위기에서 산화그래핀에 레이저가 조사된 후, D-band와 G-band의 intensity 역전 현상을 보였다. 이는 산화그래핀이 그래핀으로 환원됨에 따라 결정의 크기의 증가 즉, 그래핀 도메인 크기가 증가되었음을 확인할 수 있는 것이다. 그리고, 도 11을 참조하면, 산화그래핀은 저항이 측정되지 않는 절연물질이고, 진공의 질소 분위기에서 산화그래핀에 레이저의 파워를 0.6W, 0.8W 및 1W로 조절하여 조사된 후에는 저항이 측정되는 전도성 물질로 변화됨을 확인할 수 있었다. 즉, 파워가 높아질 수록 저항이 낮아지는 도전성 특성이 향상된 그래핀을 얻을 수 있음을 확인할 수 있었다.Referring to FIG. 10, after the laser was irradiated to the oxidized graphene in a vacuum nitrogen atmosphere, the intensity inversion phenomenon of the D-band and the G-band was shown. It can be confirmed that as the graphene oxide is reduced to graphene, the size of the crystal increases, that is, the graphene domain size increases. 11, the oxide graphene is an insulating material whose resistance is not measured, and after the irradiation of the oxide graphene in the vacuum nitrogen atmosphere, the power of the laser is adjusted to 0.6 W, 0.8 W and 1 W, And it was confirmed that it changed into the conductive material to be measured. In other words, it was confirmed that the graphen improved conductivity characteristics, that is, the resistance decreases as the power increases.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

10 : 기판 20 : 산화그래핀막
30 : 마스크 40 : 챔버
42 : 스테이지 44 : 로테이터
46 : 펌프 52 : 레이저 장치10: substrate 20: oxide graphene film
30: mask 40: chamber
42: stage 44: rotator
46: Pump 52: Laser device

Claims (13)

기판 상에 산화그래핀막을 형성하고 챔버 내에 장착하는 단계;
상기 챔버 내에 질소(N2) 가스와 탄소 가스를 주입하는 단계; 및
상기 산화그래핀막에 레이저를 조사하여 상기 산화그래핀막을 그래핀막으로 환원시키는 단계를 포함하는 그래핀막의 제조방법.
Forming a graphene oxide film on the substrate and mounting the graphene film in the chamber;
Injecting nitrogen (N 2 ) gas and carbon gas into the chamber; And
And irradiating a laser beam onto the graphene oxide film to reduce the graphene oxide film to a graphene film.
제1 항에 있어서,
상기 산화그래핀막은 허머 방법(Hummer's method)으로 제조되는 그래핀막의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the graphene oxide film is produced by a Hummer's method.
제1 항에 있어서,
상기 산화그래핀막에 레이저를 조사하여, 상기 산화그래핀막의 표면 온도를 1000 내지 3000K로 상승시키는 그래핀막의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the graphene oxide film is irradiated with a laser to raise the surface temperature of the oxidized graphene film to 1000 to 3000K.
제1 항에 있어서,
상기 탄소 가스는 메탄(CH4) 또는 에탄(C2H6)가스인 그래핀막의 제조방법.
The method according to claim 1,
Method of producing the carbon gas is methane (CH 4), or ethane (C 2 H 6) gas, a graphene layer.
제1 항에 있어서,
상기 탄소 가스에 수소 가스를 더 첨가하여 주입하는 그래핀막의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the carbon gas is further doped with hydrogen gas.
제1 항에 있어서,
상기 레이저는 Nd:YAG, KrF 또는 He:Ne 레이저 중 선택된 어느 하나인 그래핀막의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the laser is any one selected from Nd: YAG, KrF, and He: Ne lasers.
제1 항에 있어서,
상기 그래핀막을 형성하는 단계 이후에,
상기 산화그래핀막은 O2 플라즈마로 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀막의 제조방법.
The method according to claim 1,
After the step of forming the graphene film,
Wherein the graphene oxide film is removed by an O 2 plasma.
제1 항에 있어서,
상기 산화그래핀막은 스핀 코팅으로 도포되어 형성되는 그래핀막의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the oxide graphene film is formed by applying spin coating.
기판 상에 라우팅 전극을 형성하는 단계;
상기 라우팅 전극을 포함하는 기판 상에 제1 산화그래핀막을 형성하는 단계;
상기 제1 산화그래핀막이 형성된 기판을 챔버 내에 장착하고, 상기 챔버 내에 질소(N2) 가스와 탄소 가스를 주입하는 단계;
상기 제1 산화그래핀막의 일부에 레이저를 조사하여 제2 브릿지 전극 및 연결패턴을 형성하고, 나머지 제1 산화그래핀막을 제거하는 단계;
상기 제2 브릿지 전극 및 연결패턴 상에 제2 산화그래핀막을 형성하는 단계;
상기 제2 산화그래핀막이 형성된 기판을 챔버 내에 장착하고, 상기 챔버 내에 질소(N2) 가스와 탄소 가스를 주입하는 단계;
상기 제2 산화그래핀막의 일부에 레이저를 조사하여 콘택부를 형성하고, 나머지 제2 산화그래핀막을 절연막으로 형성하는 단계;
상기 절연막 및 콘택부 상에 제3 산화그래핀막을 형성하는 단계;
상기 제3 산화그래핀막이 형성된 기판을 챔버 내에 장착하고, 상기 제3 산화그래핀막의 일부에 레이저를 조사하여 제1 브릿지 전극, 제1 전극, 제2 전극 및 콘택전극을 형성하고, 나머지 제3 산화그래핀막을 제거하는 단계를 포함하는 터치소자의 제조방법.
Forming a routing electrode on the substrate;
Forming a first oxide graphene film on the substrate including the routing electrode;
Mounting a substrate on which the first oxide graphene film is formed in a chamber, and injecting nitrogen (N 2 ) gas and carbon gas into the chamber;
Forming a second bridge electrode and a connection pattern by irradiating a portion of the first oxide graphene film with a laser, and removing the remaining first oxide graphene film;
Forming a second oxide graphene film on the second bridge electrode and the connection pattern;
Mounting a substrate on which the second oxide graphene film is formed in a chamber, and injecting nitrogen (N 2 ) gas and carbon gas into the chamber;
Forming a contact portion by irradiating a laser on a part of the second oxide graphene film and forming the remaining second oxide graphene film as an insulating film;
Forming a third oxide graphene film on the insulating film and the contact portion;
The substrate on which the third oxide graphene film is formed is placed in the chamber and a part of the third oxide graphene film is irradiated with a laser to form the first bridge electrode, the first electrode, the second electrode and the contact electrode, And removing the oxide graphene film.
제9 항에 있어서,
상기 탄소 가스는 메탄(CH4) 또는 에탄(C2H6)가스인 터치소자의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the carbon gas is methane (CH 4 ) or ethane (C 2 H 6 ) gas.
제9 항에 있어서,
상기 탄소 가스에 수소 가스를 더 첨가하여 주입하는 터치소자의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the carbon gas is further doped with hydrogen gas.
제9 항에 있어서,
상기 레이저는 Nd:YAG, KrF 또는 He:Ne 레이저 중 선택된 어느 하나인 터치소자의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the laser is any one selected from Nd: YAG, KrF, and He: Ne lasers.
제9 항에 있어서,
상기 제1 및 제3 산화그래핀막을 제거하는 단계는 O2 플라즈마를 이용하는 터치소자의 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein the step of removing the first and third oxide graphene films uses an O 2 plasma.
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