KR20130049520A - A particle having high heat radiation property, method for manufacture thereof, and adhesive composition for packaging electronic components - Google Patents

A particle having high heat radiation property, method for manufacture thereof, and adhesive composition for packaging electronic components Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A high heat-radiating particle is provided to have excellent insulating performance while maintaining high heat conductivity and to form heat conductive paths for connecting heat conductive fillers in an adhesive composition, thereby improving heat-radiating performance. CONSTITUTION: A high heat-radiating particle comprises a carbon-based substrate; and a metal hydroxide material layer formed on the surface of the carbon-based substrate; and one or more coating layers selected from a metal oxide layer, a mixture layer of metal hydroxide and metal oxide. A manufacturing method of the high heat-radiating particle comprises a step of treating a carbon-based substrate with a strong acid; a step of treating the carbon-based substrate with a reducing agent; a step of conducting reaction of the carbon-based substrate and a precursor solution of the metal hydroxide or metal oxide; and a step of heat-treating the reaction product. [Reference numerals] (AA) Strong acid treatment; (BB) Reducing agent treatment; (CC) Metal hydroxide precursor solution or metal oxide precursor solution; (DD) Heat treatment; (EE) Coating layer; (FF) Carbon-based substrate

Description

고방열 입자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자부품 패키징용 접착제 조성물{A particle having high heat radiation property, method for manufacture thereof, and adhesive composition for packaging electronic components}A particle having high heat radiation property, method for manufacture, and adhesive composition for packaging electronic components

본 발명은 고방열 입자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자부품 패키징용 접착제 조성물에 관한 것이다.
The present invention relates to high heat dissipating particles, a method of manufacturing the same, and an adhesive composition for packaging an electronic component including the same.

유연성을 가지는 수지에 알루미나 또는 실리카 등의 열전도성 필러(filler)를 배합시켜 얻어진 수지 조성물을 경화시켜 시트 상으로 성형시킨 방열 시트는 예를 들어, 퍼스널 컴퓨터 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등의 전기 제품에 내장되는 전자부품 등의 발열체 및 히트 싱크(heat sink), 방열 핀, 금속 방열판 등의 방열체 사이에 끼워져, 전자부품 등에 의해 발생하는 열을 방열하는 용도로 사용되고 있다. The heat-radiation sheet which hardened the resin composition obtained by mix | blending thermally conductive fillers, such as alumina or silica, with the flexible resin and shape | molding on the sheet | seat is, for example, electrical goods, such as a personal computer or a plasma display panel (PDP) It is sandwiched between heat generators, such as electronic components, and heat sinks, such as heat sinks, heat dissipation fins, and metal heat sinks, for use in heat dissipating heat generated by electronic parts.

최근에는 전자부품의 집적화로 인해 열 집적 현상이 더욱 심해지고 있으며, 이에 따라 상기 열 집적 현상에 의한 전자부품의 기능 장애를 방지하기 위하여 고방열 재료에 대한 관심이 고조되고 있다. Recently, due to the integration of electronic components, the thermal integration phenomenon has become more severe. Accordingly, interest in high heat dissipation materials is increasing in order to prevent functional failure of the electronic components due to the thermal integration phenomenon.

종래에는 알루미나 또는 실리카 등의 열전도성 필러를 포함하는 방열 재료용 수지 조성물을 이용하여 제조된 방열 시트를 통해 전자부품에 의해 발생하는 열 문제를 해결하였으나, 전자부품에 의한 열 집적 현상이 심해짐에 따라 종래의 방열 재료보다 방열성이 더욱 향상된 고방열 재료의 개발이 요구되고 있다. 또한, 종래에 고방열 입자로 사용되는 절연성 세라믹 입자는 비용이 높기 때문에, 저렴하면서도 고방열성을 가지는 입자에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
Conventionally, heat problems caused by electronic parts have been solved through a heat dissipation sheet manufactured using a resin composition for heat dissipation material including a thermally conductive filler such as alumina or silica, but thermal integration due to electronic parts becomes more severe. Accordingly, there is a demand for development of a high heat dissipation material having more heat dissipation than a conventional heat dissipation material. In addition, since insulating ceramic particles which are conventionally used as high heat-dissipating particles have a high cost, development of particles having low heat and high heat dissipation is urgently required.

본 발명은 고방열 입자, 그 제조 방법, 이를 포함하는 전자부품 패키징용 접착제 조성물 및 방열 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of this invention is to provide the high heat dissipation particle | grains, its manufacturing method, the adhesive composition for electronic component packaging containing this, and a heat dissipation material.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 탄소계 기재; 및 상기 탄소계 기재의 표면에 형성되어 있는 금속 수산화물층, 금속 산화물층 및 금속 수산화물 및 금속 산화물의 혼합층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 코팅층을 포함하는 고방열 입자를 제공한다.
The present invention as a means for solving the above problems, a carbon-based substrate; And at least one coating layer selected from the group consisting of a metal hydroxide layer, a metal oxide layer, and a mixed layer of metal hydroxide and metal oxide formed on the surface of the carbon-based substrate.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, (a) 탄소계 기재를 강산으로 처리하는 단계; (b) 상기 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 환원제로 처리하는 단계; (c) 상기 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 반응시키는 단계; 및 (d) 상기 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 열 처리하는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 고방열 입자의 제조 방법을 제공한다.
The present invention as another means for solving the above problems, (a) treating the carbon-based substrate with a strong acid; (b) treating the carbon-based substrate obtained through step (a) with a reducing agent; (c) reacting the carbon-based substrate obtained through step (b) with a precursor solution of metal hydroxide or a precursor solution of metal oxide; And (d) heat treating the reaction product obtained through the step (c).

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 접착용 수지; 열전도성 필러; 및 본 발명에 따른 고방열 입자를 포함하는 전자부품 패키징용 접착제 조성물을 제공한다.
The present invention is another means for solving the above problems, the adhesive resin; Thermally conductive fillers; And it provides an adhesive composition for packaging electronic components comprising the high heat-dissipating particles according to the present invention.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 본 발명에 따른 전자부품 패키징용 접착제 조성물의 경화물을 포함하는 방열 재료를 제공한다.
As another means for solving the above problems, the present invention provides a heat dissipation material comprising a cured product of the adhesive composition for electronic component packaging according to the present invention.

본 발명의 고방열 입자는 탄소계 기재; 및 상기 탄소계 기재의 표면에 형성되는 금속 수산화물층, 금속 산화물층 및 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 코팅층을 포함하고 있어, 탄소계 기재의 높은 열전도성은 그대로 유지하면서도 절연성을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물은 접착용 수지; 열전도성 필러; 및 본 발명에 따른 고방열 입자를 포함하고 있어, 절연성은 유지하면서도 상기 고방열 입자가 본 발명의 접착제 조성물 내에서 열전도성 필러 사이를 연결하는 열전도성 경로를 형성함으로써, 방열 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
High heat-dissipating particles of the present invention is a carbon-based substrate; And at least one coating layer selected from the group consisting of a metal hydroxide layer, a metal oxide layer, and a mixed layer of a metal hydroxide and a metal oxide formed on the surface of the carbon-based substrate, thereby maintaining high thermal conductivity of the carbon-based substrate while maintaining insulation properties. Can have In addition, the adhesive composition for packaging an electronic component of the present invention is an adhesive resin; Thermally conductive fillers; And high heat-dissipating particles according to the present invention, while maintaining insulating properties, the high heat-dissipating particles form a thermally conductive path connecting the thermally conductive fillers in the adhesive composition of the present invention, thereby further improving the heat dissipation effect. have.

도 1 은 본 발명의 일 구체예에 따른 고방열 입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 방열 재료의 주사 전자 현미경 사진이다.
1 is a view schematically showing a manufacturing method of high heat-dissipating particles according to an embodiment of the present invention.
2 is a scanning electron micrograph of a heat dissipating material according to one embodiment of the invention.

본 발명은 탄소계 기재; 및 상기 탄소계 기재의 표면에 형성되어 있는 금속 수산화물층, 금속 산화물층 및 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 코팅층을 포함하는 고방열 입자에 관한 것이다.
The present invention is a carbon-based substrate; And at least one coating layer selected from the group consisting of a metal hydroxide layer, a metal oxide layer, and a mixed layer of metal hydroxide and metal oxide formed on the surface of the carbon-based substrate.

이하, 본 발명의 고방열 입자를 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the high heat dissipation particle of this invention is demonstrated concretely.

본 발명의 고방열 입자는 탄소계 기재 및 상기 탄소계 기재의 표면에 형성되어 있는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은 금속 수산화물층, 금속 산화물층 및 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.The high heat-dissipating particles of the present invention include a carbon-based substrate and a coating layer formed on the surface of the carbon-based substrate, wherein the coating layer is selected from the group consisting of a metal hydroxide layer, a metal oxide layer and a mixed layer of metal hydroxide and metal oxide. There may be more than one.

본 발명에서, 탄소계 기재는 본 발명의 고방열 입자에 높은 열전도성을 부여하는 역할을 할 수 있다. 상기 탄소계 기재의 종류는 특별히 제한되지 않고, 높은 열전도성을 가지고 있는 탄소계 물질이라면 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 탄소계 기재의 예로서, 탄소나노튜브(carbon nanotube), 탄소 섬유(carbon fiber), 그래파이트(graphite) 및 그래핀(grapheme)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the present invention, the carbon-based substrate may serve to impart high thermal conductivity to the high heat dissipating particles of the present invention. The kind of the carbon-based substrate is not particularly limited, and any carbon-based material having high thermal conductivity can be used. In the present invention, examples of the carbon-based substrate may include one or more selected from the group consisting of carbon nanotubes, carbon fibers, graphite, and graphene. It is not limited.

본 발명에서, 상기 탄소계 기재의 표면에 형성되어 있는 코팅층은 상기 탄소계 기재의 높은 열전도성은 그대로 유지하면서도 전기 전도성을 차단하여 본 발명의 고방열 입자에 절연성을 부여하는 역할을 할 수 있다. In the present invention, the coating layer formed on the surface of the carbon-based substrate may serve to provide insulation to the high heat-dissipating particles of the present invention by blocking the electrical conductivity while maintaining the high thermal conductivity of the carbon-based substrate.

상기 코팅층은 금속 수산화물을 포함하는 금속 수산화물층, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층 및 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합물을 포함하는 혼합층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다. The coating layer may be at least one selected from the group consisting of a metal hydroxide layer including a metal hydroxide, a metal oxide layer including a metal oxide, and a mixed layer including a mixture of a metal hydroxide and a metal oxide.

본 발명에서, 상기 금속 수산화물층에 포함되는 금속 수산화물은 수산화 알루미늄(Al(OH)3), 수산화 티타늄(Ti(OH)4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the present invention, the metal hydroxide included in the metal hydroxide layer may be at least one selected from the group consisting of aluminum hydroxide (Al (OH) 3 ), titanium hydroxide (Ti (OH) 4 ) and mixtures thereof, but is not limited thereto. It doesn't happen.

본 발명에서, 상기 금속 산화물층에 포함되는 금속 산화물은 산화 알루미늄(Al2O3), 이산화 티타늄(TiO2) 및 이산화 규소(SiO2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the present invention, the metal oxide included in the metal oxide layer may be at least one selected from the group consisting of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium dioxide (TiO 2 ) and silicon dioxide (SiO 2 ), but is not limited thereto. It is not.

본 발명에서, 상기 혼합층에 포함되는 금속 수산화물 및 금속 산화물은 동일 금속에 대한 수산화물 및 산화물일 수 있다. 예를 들면, 본 발명에서, 상기 혼합층은 수산화 알루미늄 및 산화 알루미늄을 포함하거나, 수산화 티타늄 및 이산화 티타늄을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the present invention, the metal hydroxide and the metal oxide included in the mixed layer may be hydroxides and oxides of the same metal. For example, in the present invention, the mixed layer may include aluminum hydroxide and aluminum oxide, or may include titanium hydroxide and titanium dioxide, but is not limited thereto.

본 발명에서, 상기 코팅층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 50 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다. 상기 코팅층의 두께가 10 ㎛ 미만이면, 접착력 및 기계적 물성이 저하될 수 있고, 200 ㎛를 초과하면, 고방열 입자의 침강 현상이 발생할 수 있다.
In the present invention, the thickness of the coating layer is not particularly limited, but may be preferably 10 μm to 200 μm, more preferably 50 μm to 100 μm. When the thickness of the coating layer is less than 10 μm, the adhesion and mechanical properties may be lowered, and when the thickness of the coating layer is greater than 200 μm, the sedimentation phenomenon of the high heat radiation particles may occur.

본 발명은 또한, (a) 탄소계 기재를 강산으로 처리하는 단계; (b) 상기 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 환원제로 처리하는 단계; (c) 상기 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 반응시키는 단계; 및 (d) 상기 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 열 처리하는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 고방열 입자의 제조 방법에 관한 것이다.
The invention also comprises the steps of: (a) treating a carbon-based substrate with a strong acid; (b) treating the carbon-based substrate obtained through step (a) with a reducing agent; (c) reacting the carbon-based substrate obtained through step (b) with a precursor solution of metal hydroxide or a precursor solution of metal oxide; And (d) heat treating the reaction product obtained through step (c).

이하, 본 발명의 고방열 입자의 제조 방법을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the manufacturing method of the high heat dissipation particle | grains of this invention is demonstrated concretely.

첨부된 도 1 은 본 발명의 일 구체예에 따른 고방열 입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a view schematically showing a method for producing high heat-dissipating particles according to one embodiment of the present invention.

본 발명의 고방열 입자를 제조하기 위해서는 우선 단계 (a)를 수행할 수 있고, 단계 (a)는 탄소계 기재의 표면에 카복실기를 도입하기 위하여 탄소계 기재를 강산으로 처리하는 단계이다. 상기 탄소계 기재에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다. In order to prepare the high heat-dissipating particles of the present invention, step (a) may be performed first, and step (a) is a step of treating the carbon-based substrate with a strong acid to introduce a carboxyl group to the surface of the carbon-based substrate. Specific contents of the carbon-based substrate are the same as described above.

본 발명의 단계 (a)에서 상기 강산의 종류는 특별히 제한되지 않고, 탄소계 기재의 표면에 카복실기를 도입할 수 있는 물질이라면 어떠한 것이라도 가능하다. 본 발명에서는 상기 강산의 예로서, 염산, 황산, 질산, 과염소산, 요오드화수소산, 브롬화수소산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 염산과 질산의 혼합물 및 황산과 질산의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The kind of the strong acid in step (a) of the present invention is not particularly limited, and any material may be used as long as it is a substance capable of introducing a carboxyl group on the surface of the carbon-based substrate. In the present invention, examples of the strong acid include at least one selected from the group consisting of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, perchloric acid, hydroiodic acid, hydrobromic acid, and mixtures thereof, preferably a mixture of hydrochloric acid and nitric acid and sulfuric acid and A mixture of nitric acid, and the like, but is not limited thereto.

본 발명에서, 상기 단계 (a)는 구체적으로 전술한 강산 용액에 탄소계 기재를 넣고 40℃ 내지 80℃, 바람직하게는 50℃ 내지 70℃로 가열하면서 12 시간 내지 48 시간, 바람직하게는 18 시간 내지 36 시간 동안 교반하는 공정을 포함할 수 있다. 탄소계 기재를 포함하는 강산 용액을 가열 및 교반하는 공정을 통해, 탄소계 기재의 표면과 강산 간의 반응을 일으켜 카복실기를 탄소계 기재의 표면에 도입할 수 있다. In the present invention, step (a) is specifically 12 hours to 48 hours, preferably 18 hours while putting the carbon-based substrate in the above-mentioned strong acid solution and heated to 40 ℃ to 80 ℃, preferably 50 ℃ to 70 ℃ It may include a step of stirring for 36 hours. Through the step of heating and stirring the strong acid solution containing the carbon-based substrate, a reaction between the surface of the carbon-based substrate and the strong acid can be caused to introduce a carboxyl group to the surface of the carbon-based substrate.

상기 가열 및 교반 온도가 40℃ 미만이면, 탄소계 기재와 강산 간의 반응이 충분히 이루어 지지 않아 탄소계 기재의 표면에 카복실기가 형성되지 않을 수 있고, 80℃를 초과하면, 탄소계 기재의 표면 손상이 야기될 수 있다. When the heating and stirring temperature is less than 40 ° C, the reaction between the carbon-based substrate and the strong acid may not be sufficiently performed, so that a carboxyl group may not be formed on the surface of the carbon-based substrate. May be caused.

또한, 상기 가열 및 교반 시간이 12 시간 미만이면, 탄소계 기재와 강산 간의 반응이 충분히 이루어 지지 않아 탄소계 기재의 표면에 카복실기가 형성되지 않을 수 있고, 48 시간을 초과하면, 탄소계 기재의 표면 손상이 야기될 수 있다. In addition, when the heating and stirring time is less than 12 hours, the reaction between the carbon-based substrate and the strong acid may not be sufficiently performed so that a carboxyl group may not be formed on the surface of the carbon-based substrate, and when it exceeds 48 hours, the surface of the carbon-based substrate Damage may be caused.

본 발명에서, 단계 (a)는 상기 가열 및 교반 공정 이후, 탄소계 기재가 포함된 강산 용액을 희석 및 세척하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. In the present invention, step (a) may further include a process of diluting and washing the strong acid solution including the carbon-based substrate after the heating and stirring process.

상기 탄소계 기재가 포함된 강산 용액의 희석은 상기 강산 용액을 증류수, 바람직하게는 2차 증류수에 분산시킴으로써 수행될 수 있다. 상기 희석 공정 이후, 3차 증류수를 이용하여 상기 강산 용액을 수 회 세척함으로써, 탄소계 기재가 포함된 강산 용액의 산도를 pH 7로 조절할 수 있다. Dilution of the strong acid solution containing the carbon-based substrate may be performed by dispersing the strong acid solution in distilled water, preferably secondary distilled water. After the dilution process, by washing the strong acid solution several times using tertiary distilled water, the acidity of the strong acid solution containing the carbon-based substrate can be adjusted to pH 7.

본 발명에서, 단계 (a)는 또한, 상기 희석 및 세척 공정 이후, 상기 탄소계 기재가 포함된 반응 용액을 여과 및 건조하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 상기 여과 및 건조 공정을 통해 표면에 카복실기가 도입된 탄소계 기재의 입자를 얻을 수 있다. In the present invention, step (a) may further include a process of filtering and drying the reaction solution including the carbon-based substrate after the dilution and washing process. Through the filtration and drying process, particles of a carbon-based substrate having a carboxyl group introduced therein may be obtained.

상기 여과 공정은 필터를 통해 수행될 수 있고, 상기 필터의 종류는 특별히 제한되지 않고, 탄소계 기재를 추출할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 멤브레인 필터를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The filtration process may be carried out through a filter, the type of the filter is not particularly limited, as long as it can extract a carbon-based substrate can be used without limitation. In the present invention, for example, a membrane filter may be used, but is not limited thereto.

본 발명의 단계 (a)에서는 상기 여과 공정을 통해 추출된 탄소계 기재를 건조시킴으로써, 표면에 카복실기가 도입된 탄소계 기재를 입자 형태로 얻을 수 있다. 상기 건조 수단은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 건조 수단을 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 강제 순환 건조 장치를 이용하여 여과 공정을 통해 추출된 탄소계 기재를 건조시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the step (a) of the present invention, by drying the carbon-based substrate extracted through the filtration process, a carbon-based substrate having a carboxyl group introduced into the surface can be obtained in the form of particles. The drying means is not particularly limited, and drying means generally used in this field may be used without limitation. In the present invention, for example, it is possible to dry the carbon-based substrate extracted through the filtration process using a forced circulation drying apparatus, but is not limited thereto.

본 발명의 고방열 입자의 제조 방법은 단계 (b)를 포함할 수 있고, 상기 단계 (b)는 단계 (a)를 통해 탄소계 기재의 표면에 도입된 카복실기를 히드록시기로 치환하기 위하여, 상기 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 환원제로 처리하는 단계이다. The method for producing high heat dissipating particles of the present invention may include step (b), wherein step (b) is performed to replace the carboxyl group introduced on the surface of the carbon-based substrate through the step (a) with a hydroxyl group, the step Treatment of the carbon-based substrate obtained through (a) with a reducing agent.

본 발명의 단계 (b)에서 상기 환원제의 종류는 특별히 제한되지 않고, 탄소계 기재의 표면에 도입된 카복실기를 히드록시기로 치환할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 환원제의 예로서, 리튬알루미늄 하이드라이드(LiAlH4), 나트륨보로 하이드라이드(NaBH4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 리튬알루미늄 하이드라이드를 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The type of the reducing agent in step (b) of the present invention is not particularly limited and may be used without limitation as long as the carboxyl group introduced on the surface of the carbon-based substrate can be substituted with a hydroxyl group. In the present invention, examples of the reducing agent include at least one selected from the group consisting of lithium aluminum hydride (LiAlH 4 ), sodium borohydride (NaBH 4 ) and mixtures thereof, preferably lithium aluminum hydride. Rides, but is not limited thereto.

본 발명에서 사용되는 용어인 『중량부』는 중량 비율을 의미한다. The term "parts by weight" used in the present invention means a weight ratio.

본 발명에서 단계 (b)는, 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 30 중량부, 바람직하게는 5 중량부 내지 20 중량부의 환원제를 반응시키는 공정을 포함할 수 있다. 상기 반응을 통해 탄소계 기재의 표면에 도입된 카복실기가 환원되어 히드록시기로 치환될 수 있다. 상기 환원제의 함량이 1 중량부 미만이면, 정량적인 환원이 어려워 히드록시기로의 치환이 용이하지 않을 수 있고, 30 중량부를 초과하면, 잔존하는 환원제로 인한 부가 반응이 진행될 우려가 있다.In the present invention, step (b) may include a step of reacting 1 part by weight to 30 parts by weight, preferably 5 parts by weight to 20 parts by weight of a reducing agent based on 100 parts by weight of the carbon-based substrate obtained through step (a). Can be. The carboxyl group introduced to the surface of the carbon-based substrate through the reaction can be reduced and substituted with a hydroxy group. If the content of the reducing agent is less than 1 part by weight, it may be difficult to quantitatively reduce the substitution, and if it is more than 30 parts by weight, the addition reaction due to the remaining reducing agent may proceed.

본 발명의 단계 (b)에서 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정은 20℃ 내지 50℃, 바람직하게는 25℃ 내지 40℃의 온도, 가장 바람직하게는 상온에서 1 시간 이상 동안 수행될 수 있다.In the step (b) of the present invention, the process of reacting the carbon-based substrate obtained through step (a) with a reducing agent is performed at a temperature of 20 ° C. to 50 ° C., preferably 25 ° C. to 40 ° C., and most preferably at room temperature for 1 hour. It can be carried out for the above.

본 발명에서 단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정 이전에, 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 균일하게 분산시키는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 환원제와 반응시키기 이전에, 균일하게 분산시킴으로써 탄소계 기재의 표면에 균일한 작용기 형성을 유도할 수 있다. In the present invention, step (b) may further include a step of uniformly dispersing the carbon-based substrate obtained through step (a) before the process of reacting the carbon-based substrate obtained through step (a) and the reducing agent. . Uniformly dispersing the carbon-based substrate obtained through step (a) with the reducing agent may induce uniform functional group formation on the surface of the carbon-based substrate.

본 발명의 단계 (b)에서 상기 분산 공정은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 분산 용매에 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 넣고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 분산 방법을 이용하여 수행될 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 분산 용매인 무수 THF(Tetrahydrofuran) 용매에 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 넣고, 교반 또는/및 초음파 처리를 함으로써 상기 탄소계 기재를 균일하게 분산시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the step (b) of the present invention, the dispersion process is not particularly limited, and the carbon-based substrate obtained through step (a) is placed in a dispersion solvent generally used in this field, and a dispersion method generally used in this field is used. It can be performed using. In the present invention, the carbon-based substrate can be uniformly dispersed by, for example, putting the carbon-based substrate obtained through step (a) in anhydrous THF (Tetrahydrofuran) solvent, which is a dispersion solvent, and stirring or / and sonicating. It is not limited to this.

본 발명에서, 단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정 이후, 상기 반응 용액을 여과 및 건조하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 상기 여과 및 건조 공정을 통해 표면에 히드록시기가 도입된 탄소계 기재의 입자를 얻을 수 있다. In the present invention, step (b) may further include a step of filtering and drying the reaction solution after the step of reacting the carbon-based substrate and the reducing agent obtained through step (a). Through the filtration and drying process, it is possible to obtain particles of a carbon-based substrate having a hydroxyl group introduced therein.

상기 여과 공정은 필터를 통해 수행될 수 있고, 상기 필터의 종류는 특별히 제한되지 않고, 탄소계 기재를 추출할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 멤브레인 필터를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The filtration process may be carried out through a filter, the type of the filter is not particularly limited, as long as it can extract a carbon-based substrate can be used without limitation. In the present invention, for example, a membrane filter may be used, but is not limited thereto.

본 발명의 단계 (b)에서는 상기 여과 공정을 통해 추출된 탄소계 기재를 건조시킴으로써, 표면에 히드록시기가 도입된 탄소계 기재를 입자 형태로 얻을 수 있다. 상기 건조 수단은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 건조 수단을 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 자연 건조 또는 50℃의 오븐을 이용하여 상기 여과 공정을 통해 추출된 탄소계 기재를 건조시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In step (b) of the present invention, by drying the carbon-based substrate extracted through the filtration process, it is possible to obtain a carbon-based substrate having a hydroxyl group introduced on the surface in the form of particles. The drying means is not particularly limited, and drying means generally used in this field may be used without limitation. In the present invention, for example, it is possible to dry the carbon-based substrate extracted through the filtration process using an oven of natural drying or 50 ℃, but is not limited thereto.

본 발명의 고방열 입자의 제조 방법은 단계 (c)를 포함할 수 있고, 상기 단계 (c)는 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재의 표면에 도입된 히드록시기와 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체를 탈수 축합 반응 시키기 위하여, 상기 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 반응시키는 단계이다. The method for producing high heat-dissipating particles of the present invention may include step (c), wherein step (c) is a precursor or metal oxide of a hydroxyl group and a metal hydroxide introduced on the surface of the carbon-based substrate obtained through step (b). In order to perform a dehydration condensation reaction of the precursor, the carbon-based substrate obtained through the step (b) is a step of reacting with a precursor solution of a metal hydroxide or a precursor solution of a metal oxide.

본 발명의 단계 (c)에서 상기 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체의 종류는 특별히 제한되지 않고, 탄소계 기재의 표면에 도입된 히드록시기와 탈수 축합 반응을 통해 결합할 수 있는 화합물이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체의 예로서, 알루미늄 이소프로폭사이드(aluminum isopropoxdie, AIP), 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethly orthosilicate, TEOS) 및 티타늄(IV) 이소프로폭사이드(titanium(IV) isopropoxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 알루미늄 이소프로폭사이드를 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The kind of the precursor of the metal hydroxide or the precursor of the metal oxide in step (c) of the present invention is not particularly limited, and any compound that can be bonded through a dehydration condensation reaction with a hydroxyl group introduced on the surface of the carbon-based substrate may be used without limitation. Can be. In the present invention, as an example of the precursor of the metal hydroxide or the precursor of the metal oxide, aluminum isopropoxdie (AIP), tetraethly orthosilicate (TEOS) and titanium (IV) isopropoxide (titanium) (IV) isopropoxide) and one or more selected from the group consisting of, preferably aluminum isopropoxide, but is not limited thereto.

본 발명의 단계 (c)에서 상기 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액은 전술한 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체를 분산 용매에 넣고, 분산시킴으로써 제조될 수 있다. In step (c) of the present invention, the precursor solution of the metal hydroxide or the precursor solution of the metal oxide may be prepared by dispersing the precursor of the metal hydroxide or the precursor of the metal oxide in a dispersion solvent.

상기 분산 용매 및 분산 방법은 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체를 분산 용매인 물 및 메탄올의 혼합물, 바람직하게는 물 및 메탄올의 중량비가 4:1인 혼합물에 넣고, 교반 또는/및 초음파 처리함으로써 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액을 제조할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The dispersion solvent and the dispersion method are not particularly limited, and those commonly used in the art may be used without limitation. In the present invention, for example, a precursor of a metal hydroxide or a precursor of a metal oxide is placed in a mixture of water and methanol as a dispersion solvent, preferably a mixture having a weight ratio of water and methanol of 4: 1, and stirred or / and sonicated. A precursor solution of a metal hydroxide or a precursor solution of a metal oxide may be prepared, but is not limited thereto.

본 발명의 단계 (c)는 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 40℃ 내지 80℃의 온도에서 5 시간 이상 동안 반응시킴으로써 수행될 수 있다. 상기 반응 온도가 40℃ 미만이면, 탈수 축합에 의한 반응의 효율이 저하될 수 있고, 80℃를 초과하면, 급속한 탈수 축합으로 인해 형상 제어가 용이하지 않을 수 있다. Step (c) of the present invention may be carried out by reacting the carbon-based substrate obtained through step (b) with a precursor solution of metal hydroxide or a precursor solution of metal oxide at a temperature of 40 ° C. to 80 ° C. for at least 5 hours. If the reaction temperature is less than 40 ℃, the efficiency of the reaction by the dehydration condensation may be lowered, if it exceeds 80 ℃, shape control may not be easy due to rapid dehydration condensation.

또한, 상기 반응 시간이 5 시간 미만이면, 상기 반응이 충분히 진행되지 않아 탄소계 기재의 표면에 도입된 히드록시기와 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체 간에 탈수 축합 반응이 일어나지 않을 수 있다. 상기 반응 시간의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 7 시간 이하, 바람직하게는 9 시간 이하로 조절할 수 있다. In addition, when the reaction time is less than 5 hours, the reaction may not proceed sufficiently so that the dehydration condensation reaction may not occur between the hydroxyl group introduced on the surface of the carbon-based substrate or the precursor of the metal hydroxide or the precursor of the metal oxide. The upper limit of the reaction time is not particularly limited, and can be adjusted, for example, to 7 hours or less, preferably 9 hours or less.

상기 전술한 탄소계 기재 표면의 히드록시기와 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체 간의 탈수 축합 반응을 통한 탄소계 기재와 금속 수산화물 또는 금속 산화물 간의 복합화는, 탄소계 기재의 화학적 표면 처리를 통하여 탄소계 기재의 표면 상에서 입자의 형성이 진행되도록 하는 졸-겔 방법으로서, 금속 산화물 나노 입자를 제조한 후, 화학적 공유 결합을 통해 탄소계 기재와 복합화하는 기존 공정과는 상이하다. The complexation between the carbon-based substrate and the metal hydroxide or the metal oxide through the dehydration condensation reaction between the hydroxy group on the surface of the carbon-based substrate and the precursor of the metal hydroxide or the precursor of the metal oxide is performed through the chemical surface treatment of the carbon-based substrate. The sol-gel method of allowing the formation of particles on the surface of the metal is different from the conventional process of preparing metal oxide nanoparticles and then complexing them with a carbon-based substrate through chemical covalent bonding.

상기 졸-겔 방법을 이용한 본 발명의 경우, 탄소계 기재의 표면 전부가 금속 수산화물 전구체 또는 금속 산화물 전구체로 도포되어, 탄소계 기재의 표면에서 코팅층을 형성할 수 있으나, 상기 기존 공정에 의할 경우, 금속 산화물 나노 입자가 탄소계 기재의 표면에 부분적으로 도핑된 형태로 존재할 수 있다. In the present invention using the sol-gel method, the entire surface of the carbon-based substrate is coated with a metal hydroxide precursor or a metal oxide precursor to form a coating layer on the surface of the carbon-based substrate, but according to the existing process The metal oxide nanoparticles may be present in a partially doped form on the surface of the carbon-based substrate.

본 발명에서, 상기 탄소계 기재의 표면에 형성되어 있는 코팅층은 상기 탄소계 기재의 높은 열전도성은 그대로 유지하면서도 전기 전도성을 차단하여 본 발명의 고방열 입자에 높은 절연성을 부여할 수 있으나, 기존 공정과 같이 제조된 방열 입자의 경우에는 금속 산화물 나노 입자가 탄소계 기재의 전기 전도성을 완전하게 차단하지 못하여 절연성이 열악할 수 있다. In the present invention, the coating layer formed on the surface of the carbon-based substrate can impart high insulation to the high heat-dissipating particles of the present invention by blocking the electrical conductivity while maintaining the high thermal conductivity of the carbon-based substrate, but the existing process and In the case of the heat-dissipating particles manufactured as described above, the metal oxide nanoparticles may not completely block the electrical conductivity of the carbon-based substrate, and thus may have poor insulation.

본 발명의 고방열 입자의 제조 방법은 단계 (d)를 포함할 수 있고, 상기 단계 (d)는 단계 (c)를 통해 얻어진 탄소계 기재의 표면에 금속 수산화물층, 금속 산화물층 또는 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합층을 형성하기 위하여, 상기 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 열 처리하는 단계이다. The method for producing high heat-dissipating particles of the present invention may include step (d), wherein step (d) comprises a metal hydroxide layer, a metal oxide layer, or a metal hydroxide on the surface of the carbon-based substrate obtained through step (c). In order to form a mixed layer of the metal oxide, the reaction product obtained through step (c) is heat treated.

본 발명에서 단계 (d)는 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 300℃ 내지 500℃의 온도에서 4 시간 이상 동안 열 처리하는 공정을 포함할 수 있다. In the present invention, step (d) may include a step of heat treating the reaction product obtained through step (c) at a temperature of 300 ° C. to 500 ° C. for at least 4 hours.

상기 반응 생성물의 열 처리 온도에 따라 탄소계 기재의 표면에 금속 수산화물층, 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합층 또는 금속 산화물층이 형성될 수 있다. 상기 온도 범위 내에서 열 처리 온도가 높을수록 금속 산화물층이 형성되는 경향이 있다. 본 발명에서, 예를 들면, 300℃의 열 처리 온도에서는 수산화 알루미늄 층 등과 같은 금속 수산화물층이 형성될 수 있으나, 500℃의 열 처리 온도에서는 산화 알루미늄 층 등과 같은 금속 산화물층이 형성될 수 있다. Depending on the heat treatment temperature of the reaction product, a metal hydroxide layer, a mixed layer of metal hydroxide and metal oxide or a metal oxide layer may be formed on the surface of the carbon-based substrate. The higher the heat treatment temperature within the above temperature range, the metal oxide layer tends to be formed. In the present invention, for example, a metal hydroxide layer such as an aluminum hydroxide layer may be formed at a heat treatment temperature of 300 ° C., but a metal oxide layer such as an aluminum oxide layer may be formed at a heat treatment temperature of 500 ° C.

상기 열처리 온도가 300℃ 미만이면, 금속 산화물층은 물론, 금속 수산화물층이 충분히 형성될 수 없고, 500℃를 초과하면, 탄소계 재료의 구조가 붕괴될 수 있다. If the heat treatment temperature is less than 300 ° C, not only the metal oxide layer but also the metal hydroxide layer may not be sufficiently formed, and if it exceeds 500 ° C, the structure of the carbon-based material may collapse.

또한, 상기 열처리 시간이 4 시간 미만이면, 상기 탄소계 기재의 표면에 금속 수산화물층, 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합층 또는 금속 산화물층이 충분히 형성되기 어려울 수 있다. 상기 반응 시간의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 24 시간 이하, 바람직하게는 12 시간 이하로 조절할 수 있다. In addition, when the heat treatment time is less than 4 hours, it may be difficult to sufficiently form a metal hydroxide layer, a mixed layer of metal hydroxide and metal oxide or a metal oxide layer on the surface of the carbon-based substrate. The upper limit of the reaction time is not particularly limited and can be adjusted, for example, to 24 hours or less, preferably 12 hours or less.

본 발명에서 단계 (d)는 상기 열 처리 공정 이전에, 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물 용액의 용매를 제거하고, 세척하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 상기 용매 제거 및 세척 공정을 통해 반응 생성물 이외의 불순물을 제거할 수 있다. In the present invention, step (d) may further include a step of removing and washing the solvent of the reaction product solution obtained through step (c) before the heat treatment process. Through the solvent removal and washing process, impurities other than the reaction product may be removed.

본 발명의 단계 (d)에서 상기 용매 제거 공정은 특별히 제한되지 않고, 용매가 용이하게 제거될 수 있는 수단이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 로터리 증발기를 이용하여 반응 생성물 용액의 용매를 제거할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The solvent removal process in step (d) of the present invention is not particularly limited, and any solvent can be used without limitation as long as the solvent can be easily removed. In the present invention, for example, a solvent of the reaction product solution may be removed using a rotary evaporator, but is not limited thereto.

또한, 본 발명의 단계 (d)에서 상기 세척 공정은 세척 용액을 이용하여 수행될 수 있고, 잔존하는 불순물이 제거될 때까지 반복할 수 있다. In addition, in the step (d) of the present invention, the washing process may be performed using a washing solution, and may be repeated until the remaining impurities are removed.

상기 세척 용액의 종류는 특별히 제한되지 않고, 용매 제거 공정을 통해 얻어진 반응 생성물 입자에 잔존하는 불순물, 예를 들면, 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체를 용이하게 제거할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 예를 들면, 상기 반응 생성물 입자에 잔존하는 불순물을 제거하기 위하여, 이차 증류수를 이용하여 수 회 세척하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The kind of the washing solution is not particularly limited, and any type of the washing solution may be used without limitation as long as it can easily remove impurities remaining in the reaction product particles obtained through the solvent removal process, for example, precursors of metal hydroxides or precursors of metal oxides. have. In the present invention, for example, in order to remove impurities remaining in the reaction product particles, washing with secondary distilled water several times, but is not limited thereto.

본 발명은 또한, 접착용 수지; 열전도성 필러; 및 본 발명에 따른 고방열 입자를 포함하는 전자부품 패키징용 접착제 조성물에 관한 것이다. The present invention also provides an adhesive resin; Thermally conductive fillers; And it relates to an adhesive composition for packaging electronic components comprising high heat-dissipating particles according to the present invention.

본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물은 접착용 수지를 포함하고, 상기 접착용 수지는 전자부품을 접착하는 역할을 수행할 수 있다. The adhesive composition for packaging an electronic component of the present invention may include an adhesive resin, and the adhesive resin may serve to bond the electronic component.

본 발명에서, 상기 접착용 수지의 종류는 특별히 제한되지 않고, 접착성이 우수한 것이라면 이 분야에서 일반적으로 통용되는 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 접착용 수지의 예로서, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄 수지 및 실리콘-우레탄 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있고, 바람직하게는 에폭시계 수지를 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the present invention, the kind of the adhesive resin is not particularly limited, and if it is excellent in adhesiveness, those commonly used in this field may be used without limitation. In the present invention, examples of the adhesive resin may include at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin, and a silicone-urethane resin, and preferably an epoxy resin, but is not limited thereto. It doesn't happen.

본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물은 열전도성 필러를 포함하고, 상기 열전도성 필러는 전자부품의 작동에 따라 발생되는 열을 외부로 전달함으로써 방열성을 부여하는 역할을 수행할 수 있다. The adhesive composition for packaging an electronic component of the present invention includes a thermally conductive filler, and the thermally conductive filler may serve to provide heat dissipation by transferring heat generated according to the operation of the electronic component to the outside.

본 발명에서, 상기 열전도성 필러의 종류는 특별히 제한되지 않고, 열전도성이 우수하면서도 절연성을 가지는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에서는 열전도성 필러의 예로서, 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO), 산화 아연(ZnO), 산화 규소(SiO2), 수산화 알루미늄(Al(OH)3), 수산화 마그네슘(Mg(OH)2), 탄화규소(SiC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN) 및 질화규소(Si3N4)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the present invention, the type of the thermally conductive filler is not particularly limited, and any material having excellent thermal conductivity and insulating property may be used without limitation. In the present invention, examples of the thermally conductive filler include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum hydroxide (Al (OH) 3 ), and magnesium hydroxide. (Mg (OH) 2 ), silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), boron nitride (BN) and silicon nitride (Si 3 N 4 ) One or more selected from the group consisting of, but is not limited thereto. no.

본 발명의 접착제 조성물에서, 열전도성 필러는 접착용 수지 100 중량부에 대하여, 10 중량부 내지 100 중량부, 바람직하게는 30 중량부 내지 80 중량부로 포함될 수 있다. 상기 열전도성 필러의 함량이 10 중량부 미만이면, 열전도성 필러가 너무 적어서 전자부품 내에서 발생되는 열을 외부로 방출할 수 없고, 100 중량부를 초과하면, 접착제 조성물의 접착력이 저하될 수 있다. In the adhesive composition of the present invention, the thermally conductive filler may be included in an amount of 10 parts by weight to 100 parts by weight, preferably 30 parts by weight to 80 parts by weight, based on 100 parts by weight of the adhesive resin. When the content of the thermally conductive filler is less than 10 parts by weight, the thermally conductive filler is too small to release heat generated in the electronic component to the outside, and when the content of the thermally conductive filler exceeds 100 parts by weight, the adhesive strength of the adhesive composition may be lowered.

본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물은 전술한 본 발명에 따른 고방열 입자를 포함하고, 상기 고방열 입자는 본 발명의 접착제 조성물 내에서 열전도성 필러 사이를 연결하는 열전도성 경로를 형성함으로써, 방열 효과를 더욱 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 고방열 입자에 관한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하므로 이하 생략한다. Adhesive composition for packaging electronic components of the present invention comprises the high heat-dissipating particles according to the present invention described above, wherein the high heat-dissipating particles in the adhesive composition of the present invention by forming a thermal conductive path connecting between the thermally conductive fillers, It can play a role of further improving the effect. Details of the high heat-dissipating particles are the same as described above, and will be omitted below.

본 발명의 접착제 조성물에서, 고방열 입자는 접착용 수지 100 중량부에 대하여, 0.1 중량부 내지 10 중량부, 바람직하게는 1 중량부 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 상기 고방열 입자의 함량이 0.1 중량부 미만이면, 열전도성 경로 역할을 충분히 수행하지 못하고, 이에 따라 방열 효과 향상이 미미할 수 있으며, 10 중량부를 초과하면, 접착제 조성물 내에서의 고방열 입자의 분산이 용이하지 않을 수 있다. In the adhesive composition of the present invention, the high heat-dissipating particles may be included in an amount of 0.1 parts by weight to 10 parts by weight, preferably 1 part by weight to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the adhesive resin. When the content of the high heat-dissipating particles is less than 0.1 part by weight, the heat conduction path may not be sufficiently performed, and thus, the heat dissipation effect may not be improved. It may not be easy.

본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물은 전술한 성분 이외에 다관능성 가교제를 추가로 포함할 수 있고, 상기 다관능성 가교제의 사용량에 따라 경화물의 응집력 및 접착 특성 등의 물성을 조절할 수 있다. The adhesive composition for packaging an electronic component of the present invention may further include a multifunctional crosslinking agent in addition to the above components, and may adjust physical properties such as cohesion and adhesive properties of the cured product according to the amount of the multifunctional crosslinking agent used.

본 발명에서 사용될 수 있는 다관능성 가교제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 이소시아네이트계 화합물, 에폭시계 화합물, 아지리딘계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물과 같은 일반적인 가교제를 사용할 수 있다. 상기에서 이소시아네이트계 화합물의 예로는 톨리렌 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 이소보론 디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트 또는 나프탈렌 디이소시아네이트나, 상기 중 하나 이상의 이소시아네이트와 폴리올(ex. 트리메틸롤 프로판)의 반응물의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있고; 에폭시계 화합물의 예로는 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, N,N,N’,N’-테트라글리시딜 에틸렌디아민 및 글리세린 디글리시딜에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있으며; 아지리딘계 화합물의 예로는 N,N’-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복사미드), N,N’-디페닐메탄-4,4’-비스(1-아지리딘카르복사미드), 트리에틸렌 멜라민, 비스이소프로탈로일-1-(2-메틸아지리딘) 및 트리-1-아지리디닐포스핀옥시드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. 또한, 상기 금속 킬레이트계 화합물의 예로는, 알루미늄, 철, 아연, 주석, 티탄, 안티몬, 마그네슘 및/또는 바나듐과 같은 다가 금속이 아세틸 아세톤 또는 아세토초산 에틸 등에 배위하고 있는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The kind of the multifunctional crosslinking agent that can be used in the present invention is not particularly limited, and for example, a general crosslinking agent such as an isocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound and a metal chelate compound can be used. Examples of the isocyanate compound include tolylene diisocyanate, xylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isoborone diisocyanate, tetramethylxylene diisocyanate or naphthalene diisocyanate, One kind or a mixture of two or more kinds of reactants of a polyol (ex. Trimethylol propane); Examples of epoxy compounds include ethylene glycol diglycidyl ether, triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, N, N, N ', N'-tetraglycidyl ethylenediamine and glycerin diglycidyl ether. One or more selected from the group consisting of; Examples of aziridine compounds include N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N'-diphenylmethane-4,4'-bis (1-aziridinecarboxes) Mid), triethylene melamine, bisisoprotaloyl-1- (2-methylaziridine), and tri-1-aziridinylphosphine oxide. In addition, examples of the metal chelate-based compound may be a compound in which a polyvalent metal such as aluminum, iron, zinc, tin, titanium, antimony, magnesium, and / or vanadium is coordinated with acetyl acetone, ethyl acetoacetate, or the like. It is not limited.

본 발명의 접착제 조성물에서 다관능성 가교제는 접착용 수지 100 중량부에 대하여, 0.01 중량부 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.01 중량부 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 상기 다관능성 가교제의 함량이 0.01 중량부 미만이면, 경화물의 응집력이 떨어져 고온 신뢰성 측정 시 기포가 발생할 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면, 점착제의 경화도가 너무 높아 접착력 및 박리력이 저하되어 층간 박리나 들뜸 현상이 발생하는 등 내구신뢰성이 저하될 우려가 있다.
In the adhesive composition of the present invention, the multifunctional crosslinking agent may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the adhesive resin. When the content of the multifunctional crosslinking agent is less than 0.01 part by weight, the cohesive force of the cured product may be lowered and bubbles may occur when measuring the high temperature reliability. When the content of the multifunctional crosslinking agent exceeds 10 parts by weight, the adhesiveness and peeling force of the adhesive may be so high that the adhesive strength and the peeling force may be reduced, and the interlayer foil may be reduced. Durability may be reduced, such as a phenomenon of lifting or lifting.

본 발명은 또한, 본 발명에 따른 전자부품 패키징용 접착제 조성물의 경화물을 포함하는 방열 재료에 관한 것이다. The present invention also relates to a heat dissipating material comprising a cured product of the adhesive composition for electronic component packaging according to the present invention.

본 발명의 방열 재료는 전자부품 패키징용 접착제 조성물을 시트상, 테이프상, 튜브상 또는 롤상 등의 원하는 형상으로 경화시켜 얻을 수 있고, 그의 형상, 경화 방법 및 경화 장치 등은 특별히 제한되지 않는다. 상기 전자부품 패키징용 접착제 조성물은 상기 조성물에 함유되어 있는 다관능성 가교제와 접착용 수지 간의 가교 반응을 통해 경화될 수 있다.The heat dissipation material of this invention can be obtained by hardening | curing the adhesive composition for electronic component packaging to a desired shape, such as a sheet form, a tape form, a tube form, or a roll form, and the shape, the hardening method, the hardening | curing apparatus, etc. are not specifically limited. The adhesive composition for packaging an electronic component may be cured through a crosslinking reaction between the polyfunctional crosslinking agent and the adhesive resin contained in the composition.

본 발명의 방열 재료는 예를 들어, 전자부품 패키징용 접착제 조성물을 사출성형 금형 또는 배치식 금형에 투입하고, 원하는 형상으로 경화시켜 얻을 수 있으며, 압출기 또는 주형 등의 방법에 의해 시트상으로 경화시킬 수도 있다.The heat dissipating material of the present invention may be obtained by, for example, inserting an adhesive composition for packaging an electronic component into an injection mold or a batch mold, and curing the resin to a desired shape, and curing the sheet into a sheet by a method such as an extruder or a mold. It may be.

본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물을 경화시키기 위한 온도는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 100℃ 내지 250℃, 보다 바람직하게는 130℃ 내지 200℃일 수 있다. The temperature for curing the adhesive composition for electronic component packaging of the present invention is not particularly limited, but may be preferably 100 ° C to 250 ° C, more preferably 130 ° C to 200 ° C.

본 발명의 방열 재료가 시트상으로 성형되여 방열 시트를 구성하는 경우에는 상기 방열 시트의 두께가 0.1 mm 내지 10 mm, 바람직하게는 0.5 mm 내지 5 mm일 수 있다. When the heat dissipation material of the present invention is molded into a sheet to form a heat dissipation sheet, the heat dissipation sheet may have a thickness of 0.1 mm to 10 mm, preferably 0.5 mm to 5 mm.

본 발명의 방열 재료는 전술한 전자부품 패키징용 접착제 조성물을 경화시킨 것으로, 상기 접착제 조성물의 유동성이 크게 저하된 상태의 것을 의미하고, 완전히 유동성이 없는 고화된 상태 이외에, 약간 유동성이 남아 있는 상태(조청상 또는 퍼티상)를 포함한다. The heat dissipating material of the present invention is a cured adhesive composition for electronic components described above, which means that the fluidity of the adhesive composition is greatly reduced, and in addition to the solidified state without completely fluidity, the fluidity remains slightly ( Bird's eye view or putty image).

또한, 본 발명의 방열 재료의 사용 방법으로서는 전자부품 패키징용 접착제 조성물을 미리 경화시킨 다음, 예를 들어 발열체와 방열체 사이에 개재시켜 사용하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 함으로써, 방열 재료의 경화도의 변형으로 발생하는 유연성 또는 내구성 등의 제물성의 변형이 적어지는 경향이 있다.Moreover, as a usage method of the heat dissipation material of this invention, it is preferable to harden previously the adhesive composition for electronic component packaging, and to use it, interposing between a heat generating body and a heat radiating body, for example. By doing as mentioned above, there exists a tendency for the deformation | transformation of material properties, such as flexibility or durability which arises by the deformation | transformation of the hardening degree of a heat radiating material, to be small.

본 발명의 방열 재료의 열전도율은 요구 성능에 의해 적절히 설계될 수 있지만, 바람직하게는 0.3 W/m·K 내지 3 W/m·K일 수 있고, 보다 바람직하게는 0.5 W/m·K 내지 3 W/m·K일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1 W/m·K 내지 3 W/m·K일 수 있다. 상기 방열 재료의 열전도율은 예를 들어 열전도율계(LFA 457, NETZCH사(제))에 의해 측정할 수 있다.
The thermal conductivity of the heat dissipating material of the present invention may be appropriately designed by the required performance, but preferably 0.3 W / m · K to 3 W / m · K, more preferably 0.5 W / m · K to 3 It may be W / m · K, more preferably 1 W / m · K to 3 W / m · K. The thermal conductivity of the said heat radiating material can be measured, for example with a thermal conductivity meter (LFA 457, NETZCH company make).

본 발명은 또한, 본 발명에 따른 방열 재료를 포함하는 전자부품 패키지에 관한 것이다. The invention also relates to an electronic component package comprising a heat dissipating material according to the invention.

본 발명의 전자부품 패키지는 본 발명에 따른 방열 재료를 포함하는 한, 구성, 구조 또는 제조 방법 등이 특별히 제한되지 않고, 이 분야에서 일반적으로 통용되는 것을 제한 없이 채용할 수 있다. As long as the electronic component package of the present invention includes the heat dissipating material according to the present invention, the configuration, structure, or manufacturing method thereof is not particularly limited, and those commonly used in this field may be employed without limitation.

본 발명에서 본 발명에 따른 방열 재료를 포함하는 전자부품 패키지로는 반도체 칩 패키지, 인쇄회로기판(PCB) 패키지 또는 LED 칩 패키지 등을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
In the present invention, the electronic component package including the heat dissipation material according to the present invention may be a semiconductor chip package, a printed circuit board (PCB) package, or an LED chip package, but is not limited thereto.

[[ 실시예Example ]]

이하 본 발명에 따르는 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples according to the present invention, but the scope of the present invention is not limited to the examples given below.

<< 고방열High heat dissipation 입자의 제조> Preparation of Particles>

제조예Manufacturing example 1  One

탄소계 기재를 강산으로 처리하는 단계Treating the carbon-based substrate with a strong acid

탄소계 기재로서 탄소나노튜브 분말 0.5g을 황산과 질산의 혼합 용액(황산:질산 = 3:1, 부피비) 240g에 넣고, 60℃로 가열하면서 24 시간 동안 교반하였다. 이어서, 상기 탄소나노튜브 분말이 혼합된 강산 용액을 2차 증류수 500g에 넣어 희석시키고, 수 회에 걸쳐 3차 증류수를 이용하여 세척을 함으로써, 상기 탄소나노튜브 분말이 혼합된 강산 용액의 산도를 pH 7로 조절하였다. 그 후, PTFE(polytetrafluoroethylene) 멤브레인 필터(Advantec사(제), 기공크기: 0.2 ㎛)를 이용하여 상기 용액을 여과시킨 후, 강제 순환 오븐을 이용하여 건조시킴으로써 표면에 카복실기가 도입된 탄소나노튜브 입자를 얻었다.
0.5 g of carbon nanotube powder as a carbon-based substrate was added to 240 g of a mixed solution of sulfuric acid and nitric acid (sulfuric acid: nitric acid = 3: 1, volume ratio), and stirred for 24 hours while heating to 60 ° C. Subsequently, the strong acid solution in which the carbon nanotube powder is mixed is diluted with 500 g of secondary distilled water and washed with tertiary distilled water several times, thereby increasing the pH of the strong acid solution in which the carbon nanotube powder is mixed. 7 was adjusted. Thereafter, the solution was filtered using a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter (manufactured by Advantec Co., Ltd., pore size: 0.2 μm), and then dried using a forced circulation oven, thereby introducing carbon nanotube particles having a carboxyl group introduced thereon. Got.

상기 탄소계 기재를 환원제로 처리하는 단계Treating the carbon-based substrate with a reducing agent

상기 표면에 카복실기가 도입된 탄소나노튜브 입자 0.5g을 용매인 무수 THF(tetrahydrofuran) 용액 200g에 넣고, 교반 및 초음파 처리를 통해 균일하게 분산시킨 후, 환원제인 리튬알루미늄 하이드라이드(LiAlH4) 0.5g을 상기 용액에 첨가하고, 상온에서 6 시간 동안 산화-환원 반응을 수행하였다. 이어서, 상기 산화-환원 반응 용액에 염산 용액을 첨가한 후, PTFE(polytetrafluoroethylene) 멤브레인 필터(Advantec사(제), 기공크기: 0.2 ㎛)를 이용하여 상기 용액을 여과시키고, 50℃의 오븐을 이용하여 건조시킴으로써 표면에 히드록시기가 도입된 탄소나노튜브 입자를 얻었다.
0.5 g of carbon nanotube particles having a carboxyl group introduced into the surface were put in 200 g of anhydrous THF (tetrahydrofuran) solution as a solvent, uniformly dispersed by stirring and sonication, and 0.5 g of lithium aluminum hydride (LiAlH 4 ) as a reducing agent. Was added to the solution, and the oxidation-reduction reaction was carried out at room temperature for 6 hours. Subsequently, after adding a hydrochloric acid solution to the redox reaction solution, the solution was filtered using a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter (manufactured by Advantec, pore size: 0.2 μm), and then using an oven at 50 ° C. And dried to obtain carbon nanotube particles having a hydroxyl group introduced thereon.

상기 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액과 반응시키는 단계Reacting the carbon-based substrate with a precursor solution of a metal hydroxide

상기 표면에 히드록시기가 도입된 탄소나노튜브 입자 0.5g을 2차 증류수 200g에 넣고, 초음파 처리를 통해 균일하게 분산시켰다. 또한, 수산화 알루미늄의 전구체인 알루미늄 이소프로폭사이드(AIP) 2g을 물과 에탄올의 혼합 용액(물:에탄올 = 4:1, 부피비) 300g에 넣고, 초음파 처리를 통해 균일하게 분산시켰다. 이어서, 상기 탄소나노튜브 입자를 포함하는 분산 용액과 알루미늄 이소프로폭사이드를 포함하는 분산 용액을 혼합하고, 60℃로 가열하면서 12 시간 동안 반응시킴으로써, 알루미늄 이소프로폭사이드와 히드록시기 간의 탈수 축합 반응을 유도하였다.
0.5 g of carbon nanotube particles having a hydroxyl group introduced on the surface thereof were placed in 200 g of secondary distilled water, and uniformly dispersed by ultrasonication. In addition, 2 g of aluminum isopropoxide (AIP), which is a precursor of aluminum hydroxide, was placed in 300 g of a mixed solution of water and ethanol (water: ethanol = 4: 1, volume ratio), and uniformly dispersed by ultrasonication. Subsequently, the dispersion solution containing the carbon nanotube particles and the dispersion solution containing aluminum isopropoxide are mixed and reacted for 12 hours while heating at 60 ° C. to thereby perform a dehydration condensation reaction between the aluminum isopropoxide and the hydroxyl group. Induced.

상기 반응 생성물을 열 처리하는 단계Heat treating the reaction product

상기 탄소나노튜브 표면에 형성된 히드록시기와 알루미늄 이소프로폭사이드 간의 탈수 축합 반응으로 생긴 반응 생성물 용액으로부터 로터리 증발기(SB-1000, EYELA사(제))를 이용하여 용매를 모두 제거하여 반응 생성물 입자를 얻었다. 상기 반응 생성물 입자를 이차 증류수를 이용하여 수 회 세척함으로써, 잔존하는 알루미늄 이소프로폭사이드를 완전히 제거하였다. 이어서, 상기 반응 생성물 입자를 300℃에서 4 시간 동안 열 처리함으로써, 표면에 수산화 알루미늄(Al(OH)3) 층(두께: 50 ㎛)이 형성된 탄소나노튜브 입자를 제조하였다.
The solvent was removed from the reaction product solution resulting from the dehydration condensation reaction between the hydroxy group formed on the surface of the carbon nanotube and aluminum isopropoxide using a rotary evaporator (SB-1000, EYELA Co., Ltd.) to obtain reaction product particles. . The reaction product particles were washed several times with secondary distilled water to completely remove the remaining aluminum isopropoxide. Subsequently, the reaction product particles were heat treated at 300 ° C. for 4 hours, thereby preparing carbon nanotube particles having an aluminum hydroxide (Al (OH) 3 ) layer (thickness: 50 μm) formed on a surface thereof.

<방열 재료의 제조><Production of heat dissipation material>

실시예Example 1  One

에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 열전도성 필러인 산화 알루미늄(Aldrich사(제)) 50 중량부 및 상기 제조예 1에서 제조된 고방열 입자 1 중량부를 배합하여 전자부품 패키징용 접착제 조성물을 제조하고, 이를 용제인 톨루엔으로 적절히 희석하여 코팅액을 제조하였다. 이어서, 제조된 코팅액을 PTFE(polytetrafluoroethylene) 몰드에 붓고, 180℃에서 3 시간 동안 경화시켜 두께가 1 mm인 시트상 방열 재료(A)를 제조하였다.
50 parts by weight of aluminum oxide (manufactured by Aldrich), which is a thermally conductive filler, and 1 part by weight of the high heat dissipating particles prepared in Preparation Example 1 were blended with respect to 100 parts by weight of an epoxy resin to prepare an adhesive composition for electronic component packaging. This was appropriately diluted with toluene, a solvent, to prepare a coating solution. Subsequently, the prepared coating solution was poured into a PTFE (polytetrafluoroethylene) mold, and cured at 180 ° C. for 3 hours to prepare a sheet-like heat dissipating material (A) having a thickness of 1 mm.

실시예Example 2  2

상기 제조예 1에서 제조된 고방열 입자의 함량을 2 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(B)를 제조하였다.
A sheet-like heat-dissipating material (B) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the content of the high heat-dissipating particles prepared in Preparation Example 1 was changed to 2 parts by weight.

실시예Example 3  3

상기 제조예 1에서 제조된 고방열 입자의 함량을 3 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(C)를 제조하였다.
A sheet-like heat-dissipating material (C) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the content of the high heat-dissipating particles prepared in Preparation Example 1 was changed to 3 parts by weight.

실시예Example 4  4

열전도성 필러인 산화 알루미늄(Aldrich사(제))의 함량을 70 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(D)를 제조하였다.
A sheet-like heat dissipating material (D) was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the content of aluminum oxide (manufactured by Aldrich, Inc.), which is a thermally conductive filler, was changed to 70 parts by weight.

실시예Example 5  5

제조예 1에서 제조된 고방열 입자의 함량을 2 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(E)를 제조하였다.
A sheet-like heat-dissipating material (E) was prepared in the same manner as in Example 4, except that the content of the high heat-dissipating particles prepared in Preparation Example 1 was changed to 2 parts by weight.

실시예Example 6  6

제조예 1에서 제조된 고방열 입자의 함량을 3 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(F)를 제조하였다.
A sheet-like heat-dissipating material (F) was manufactured in the same manner as in Example 4, except that the content of the high heat-dissipating particles prepared in Preparation Example 1 was changed to 3 parts by weight.

실시예Example 7  7

열전도성 필러인 산화 알루미늄(Aldrich사(제))의 함량을 80 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(G)를 제조하였다.
A sheet-like heat-dissipating material (G) was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the content of aluminum oxide (manufactured by Aldrich), which is a thermally conductive filler, was changed to 80 parts by weight.

실시예Example 8  8

제조예 1에서 제조된 고방열 입자의 함량을 2 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(H)를 제조하였다. A sheet-like heat-dissipating material (H) was manufactured in the same manner as in Example 7, except that the content of the high heat-dissipating particles prepared in Preparation Example 1 was changed to 2 parts by weight.

실시예Example 9  9

제조예 1에서 제조된 고방열 입자의 함량을 3 중량부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(I)를 제조하였다.
Sheet-like heat dissipating material (I) was prepared in the same manner as in Example 7, except that the content of the high heat dissipating particles prepared in Preparation Example 1 was changed to 3 parts by weight.

비교예Comparative example 1 One

열전도성 필러인 산화 알루미늄(Aldrich사(제)) 및 상기 제조예 1에서 제조된 고방열 입자를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(J)를 제조하였다.
A sheet-like heat-dissipating material (J) was prepared in the same manner as in Example 1, except that aluminum oxide (Aldrich Co., Ltd.) and the high heat-dissipating particles prepared in Preparation Example 1 were not used. .

비교예Comparative example 2 2

상기 제조예 1에서 제조된 고방열 입자를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(K)를 제조하였다. A sheet-like heat dissipating material (K) was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the high heat dissipating particles prepared in Preparation Example 1 were not used.

비교예Comparative example 3 3

상기 제조예 1에서 제조된 고방열 입자를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(L)를 제조하였다.
A sheet-like heat dissipating material (L) was manufactured in the same manner as in Example 4, except that the high heat dissipating particles prepared in Preparation Example 1 were not used.

비교예Comparative example 4 4

상기 제조예 1에서 제조된 고방열 입자를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방법으로 시트상 방열 재료(M)를 제조하였다.
A sheet-like heat dissipating material (M) was manufactured in the same manner as in Example 7, except that the high heat dissipating particles prepared in Preparation Example 1 were not used.

상기 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 방열 재료의 조성물을 하기의 표 1에 정리하여 기재하였다.
The compositions of the heat dissipating materials prepared in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 are collectively described in Table 1 below.

구분division 조성물의 함량Content of the composition 접착용 수지Adhesive resin 열전도성Thermal conductivity 필러filler 고방열High heat dissipation 입자 particle



실시예Example
1One 100100 5050 1One
22 100100 5050 22 33 100100 5050 33 44 100100 7070 1One 55 100100 7070 22 66 100100 7070 33 77 100100 8080 1One 88 100100 8080 22 99 100100 8080 33
비교예Comparative example
1One 100100 00 00
22 100100 5050 00 33 100100 7070 00 44 100100 8080 00 함량 단위: 중량부
접착용 수지: 에폭시 수지(모델명, 제조사명)
열전도성 필러: 산화 알루미늄(모델명, 제조사명)
고방열 입자: 수산화 알루미늄층으로 코팅된 탄소나노튜브 입자
Content Unit: parts by weight
Adhesive resin: epoxy resin (model name and manufacturer name)
Thermally Conductive Filler: Aluminum Oxide (Model, Manufacturer)
High heat radiation particles: Carbon nanotube particles coated with aluminum hydroxide layer

<방열 재료의 물성 측정><Measurement of Physical Properties of Heat-Resistant Materials>

1. 열 확산 계수 측정1. Measurement of heat diffusion coefficient

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 방열 재료의 전면에 레이저를 조사하여 가열시키고, 그 이면에서 방사계를 이용하여 온도 변화를 측정한 후, 측정된 온도 변화 데이터를 곡선 보간법을 이용하여 해석함으로써 열확산 계수를 측정하였다.
The front surface of the heat-dissipating material prepared in Examples and Comparative Examples was irradiated with a laser and heated, the temperature change was measured using a radiometer on the back side, and then the measured temperature change data was interpreted using curve interpolation. Coefficients were measured.

2. 열 전도도 측정 2. Thermal conductivity measurement

하기의 일반식 1을 이용하여, 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 방열 재료에 대한 열 전도도를 측정하였다. Using the following general formula 1, the thermal conductivity of the heat dissipating material prepared in the above Examples and Comparative Examples was measured.

[일반식 1][Formula 1]

k = α × ρ × k = α × ρ × CpCp

상기 일반식 1에서, k는 열 전도도(단위: W/m·K)를 나타내고, α는 열확산 계수를(단위: mm2/s) 나타내며, ρ는 밀도(단위: kg/m3)를 나타내고, Cp는 열용량(단위: J/kg·K)을 나타낸다. In Formula 1, k denotes thermal conductivity (unit: W / m · K), α denotes thermal diffusion coefficient (unit: mm 2 / s), and ρ denotes density (unit: kg / m 3 ). , Cp represents the heat capacity (unit: J / kg K).

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 방열 재료의 밀도 및 열용량을 측정한 후, 상기에서 측정된 열확산 계수를 상기 측정된 밀도 및 열용량과 함께 상기 일반식 1에 대입함으로써, 각각의 열 전도도를 측정하였다. After measuring the density and heat capacity of the heat-dissipating material prepared in the above Examples and Comparative Examples, the thermal conductivity was measured by substituting the measured heat diffusion coefficient into the general formula 1 together with the measured density and heat capacity. .

상기 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 방열 재료의 물성 측정 결과를 하기의 표 2에 정리하여 기재하였다.
The measurement results of the physical properties of the heat dissipating materials prepared in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 are collectively described in Table 2 below.

열 확산 계수 (Thermal diffusion coefficient ( mmmm 22 /s)/ s) 열 전도도 (W/m·K)Thermal Conductivity (W / mK)



실시예Example
1One 0.4270.427 0.3890.389
22 0.4710.471 0.4650.465 33 0.4750.475 0.5320.532 44 0.4360.436 0.5920.592 55 0.5080.508 0.6520.652 66 0.5890.589 1.21.2 77 0.6150.615 1.561.56 88 0.6320.632 1.981.98 99 0.7360.736 2.72.7
비교예Comparative example
1One 0.2010.201 0.2130.213
22 0.3070.307 0.3650.365 33 0.4150.415 0.4430.443 44 0.5750.575 1.3131.313

상기 표 2에 나타난 바와 같이, 열전도성 필러 및 고방열 입자의 함량이 증가할수록 열확산 계수 및 열 전도도가 모두 향상되었음을 확인할 수 있다. As shown in Table 2, it can be seen that both the thermal diffusion coefficient and the thermal conductivity are improved as the content of the thermally conductive filler and the high heat dissipation particles increases.

구체적으로, 비교예 4 및 실시예 7 내지 9를 살펴보면, 상기 비교예 4 및 실시예 7 내지 9는 열전도성 필러(산화 알루미늄)의 함량이 모두 동일하지만, 본 발명에 따른 고방열 입자의 함량이 상이하며, 그 결과, 고방열 입자를 전혀 함유하고 있지 않는 비교예 4의 열 전도도(1.313)에 비해 고방열 입자를 3 중량부 함유하고 있는 실시예 9의 열 전도도(2.7)가 2 배 이상 향상되었음을 확인할 수 있다. Specifically, looking at Comparative Example 4 and Examples 7 to 9, Comparative Examples 4 and Examples 7 to 9 are all the same content of the thermally conductive filler (aluminum oxide), but the content of the high heat-dissipating particles according to the present invention As a result, the thermal conductivity (2.7) of Example 9, which contains 3 parts by weight of high heat-dissipating particles, is improved by at least two times compared to the thermal conductivity (1.313) of Comparative Example 4, which contains no high-heat-dissipating particles. It can be confirmed.

또한, 비교예 3 및 실시예 4 내 6을 살펴보면, 상기 비교예 3 및 실시예 4 내지 6은 열전도성 필러(산화 알루미늄)의 함량이 모두 동일하지만, 본 발명에 따른 고방열 입자의 함량이 상이하며, 그 결과, 고방열 입자를 전혀 함유하고 있지 않는 비교예 3의 열 전도도(0.443)에 비해 고방열 입자를 3 중량부 함유하고 있는 실시예 6의 열 전도도(1.2)가 약 2.7 배 정도 향상되었음을 확인할 수 있다. In addition, referring to Comparative Examples 3 and 4 to 6, Comparative Examples 3 and 4 to 6 are the same in the content of the thermally conductive filler (aluminum oxide), but the content of the high heat-dissipating particles according to the present invention is different As a result, the thermal conductivity (1.2) of Example 6 containing about 3 parts by weight of the high thermal radiation particles was improved by about 2.7 times as compared to the thermal conductivity (0.443) of Comparative Example 3 which did not contain the high thermal radiation particles at all. It can be confirmed.

따라서, 본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물은 열전도성 필러 및 본 발명에 따른 고방열 입자를 포함함으로써, 열 전도도를 향상시킬 수 있다. 특히, 본 발명의 전자부품 패키징용 접착제 조성물에서, 상기 고방열 입자는 열전도성 필러 입자 사이를 연결하여 열전도성 경로를 형성함으로써 방열 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
Therefore, the adhesive composition for packaging an electronic component of the present invention may include thermally conductive fillers and high heat dissipating particles according to the present invention, thereby improving thermal conductivity. In particular, in the adhesive composition for packaging an electronic component of the present invention, the high heat dissipation particles may further improve the heat dissipation effect by connecting the heat conductive filler particles to form a heat conductive path.

<방열 재료의 전자 현미경 사진><Electron micrograph of heat dissipation material>

전계 방출 주사 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여 상기 실시예 1에서 제조된 방열 재료의 조성 상태를 관찰하였다. The composition of the heat dissipating material prepared in Example 1 was observed using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM).

첨부된 도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 방열 재료의 주사 전자 현미경 사진을 나타낸다. 첨부된 도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 고방열 입자(화살표 표시 부분)가 열전도성 필러인 산화 알루미늄 입자(화살표 표시된 부분 이외의 큰 입자) 사이를 채우고 있어, 열전도성 경로를 형성할 수 있음을 확인할 수 있다.
2 is a scanning electron micrograph of a heat dissipating material according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the highly heat-dissipating particles (arrow-marked portions) of the present invention fill the spaces between the aluminum oxide particles (large particles other than the arrow-marked portions) which are thermally conductive fillers, thereby forming a thermally conductive path. can confirm.

Claims (25)

탄소계 기재; 및
상기 탄소계 기재의 표면에 형성되어 있는 금속 수산화물층, 금속 산화물층 및 금속 수산화물과 금속 산화물의 혼합층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 코팅층을 포함하는 고방열 입자.
Carbon-based substrates; And
High heat-dissipating particles comprising at least one coating layer selected from the group consisting of a metal hydroxide layer, a metal oxide layer and a mixed layer of metal hydroxide and metal oxide formed on the surface of the carbon-based substrate.
제 1 항에 있어서,
탄소계 기재는 탄소나노튜브(carbon nanotube), 탄소 섬유(carbon fiber), 그래파이트(graphite) 및 그래핀(grapheme)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 고방열 입자.
The method of claim 1,
Carbon-based substrate is one or more high heat-dissipating particles selected from the group consisting of carbon nanotubes (carbon nanotube), carbon fiber (carbon fiber), graphite (graphite) and graphene (grapheme).
제 1 항에 있어서,
금속 수산화물은 수산화 알루미늄(Al(OH)3), 수산화 티타늄(Ti(OH)4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 고방열 입자.
The method of claim 1,
The metal hydroxide comprises at least one selected from the group consisting of aluminum hydroxide (Al (OH) 3 ), titanium hydroxide (Ti (OH) 4 ) and mixtures thereof.
제 1 항에 있어서,
금속 산화물은 산화 알루미늄(Al2O3), 이산화 티타늄(TiO2) 및 이산화 규소(SiO2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 고방열 입자.
The method of claim 1,
The metal oxide is one or more high heat-dissipating particles selected from the group consisting of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium dioxide (TiO 2 ) and silicon dioxide (SiO 2 ).
제 1 항에 있어서,
코팅층의 두께는 50 ㎛ 내지 100 ㎛인 고방열 입자.
The method of claim 1,
High heat-dissipating particles having a thickness of 50 μm to 100 μm.
(a) 탄소계 기재를 강산으로 처리하는 단계;
(b) 상기 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 환원제로 처리하는 단계;
(c) 상기 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 반응시키는 단계; 및
(d) 상기 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 열 처리하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 고방열 입자의 제조 방법.
(a) treating the carbon-based substrate with a strong acid;
(b) treating the carbon-based substrate obtained through step (a) with a reducing agent;
(c) reacting the carbon-based substrate obtained through step (b) with a precursor solution of metal hydroxide or a precursor solution of metal oxide; And
(d) heat-treating the reaction product obtained through step (c).
제 6 항에 있어서,
단계 (a)에서 강산은 염산, 황산, 질산, 과염소산, 요오드화수소산, 브롬화수소산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 고방열 입자의 제조 방법.
The method according to claim 6,
The strong acid in step (a) is at least one selected from the group consisting of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, perchloric acid, hydroiodic acid, hydrobromic acid and mixtures thereof.
제 6 항에 있어서,
단계 (a)는 강산 용액에 탄소계 기재를 넣고 40℃ 내지 80℃로 가열하면서 12 시간 내지 48 시간 동안 교반하는 공정을 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Step (a) is a method of producing high heat-dissipating particles comprising the step of putting a carbon-based substrate in a strong acid solution and stirring for 12 to 48 hours while heating to 40 ℃ to 80 ℃.
제 8 항에 있어서,
단계 (a)는 가열 및 교반 공정 이후, 탄소계 기재가 포함된 강산 용액을 희석 및 세척하는 공정을 추가로 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
The method of claim 8,
Step (a) further comprises the step of diluting and washing the strong acid solution containing the carbon-based substrate after the heating and stirring process.
제 9 항에 있어서,
단계 (a)는 희석 및 세척 공정 이후, 탄소계 기재가 포함된 강산 용액을 여과 및 건조하는 공정을 추가로 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
The method of claim 9,
Step (a) further comprises the step of filtering and drying the strong acid solution containing the carbon-based substrate after the dilution and washing process.
제 6 항에 있어서,
단계 (b)에서 환원제는 리튬알루미늄 하이드라이드(LiAlH4), 나트륨보로 하이드라이드(NaBH4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 고방열 입자의 제조 방법.
The method according to claim 6,
And the reducing agent in step (b) is at least one selected from the group consisting of lithium aluminum hydride (LiAlH 4 ), sodium borohydride (NaBH 4 ) and mixtures thereof.
제 6 항에 있어서,
단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 30 중량부의 환원제를 반응시키는 공정을 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Step (b) comprises the step of reacting from 1 part by weight to 30 parts by weight of a reducing agent with respect to 100 parts by weight of the carbon-based substrate obtained through step (a).
제 12 항에 있어서,
단계 (b)에서 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정은 20℃ 내지 50℃에서 1 시간 이상 동안 수행되는 고방열 입자의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
The process of reacting the carbon-based substrate and the reducing agent obtained in step (b) in step (b) is carried out at 20 ℃ to 50 ℃ for at least 1 hour.
제 12 항에 있어서,
단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정 이전에, 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 균일하게 분산시키는 공정을 추가로 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
Step (b) further comprises the step of uniformly dispersing the carbon-based substrate obtained through step (a) before the process of reacting the carbon-based substrate obtained through step (a) with a reducing agent. Way.
제 12 항에 있어서,
단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정 이후, 상기 반응 용액을 여과 및 건조하는 공정을 추가로 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
Step (b) further comprises a step of filtering and drying the reaction solution after the step of reacting the carbon-based substrate and the reducing agent obtained through step (a).
제 6 항에 있어서,
단계 (c)에서 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체는 알루미늄 이소프로폭사이드(aluminum isopropoxdie, AIP), 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethly orthosilicate, TEOS) 및 티타늄(IV) 이소프로폭사이드(titanium(IV) isopropoxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 고방열 입자의 제조 방법.
The method according to claim 6,
In step (c) the precursor of the metal hydroxide or the precursor of the metal oxide is aluminum isopropoxdie (AIP), tetraethly orthosilicate (TEOS) and titanium (IV) isopropoxide (IV). ) isopropoxide).
제 6 항에 있어서,
단계 (c)는 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 40℃ 내지 80℃의 온도에서 5 시간 이상 동안 반응시킴으로써 수행되는 고방열 입자의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Step (c) is carried out by reacting the carbon-based substrate obtained through step (b) with a precursor solution of metal hydroxide or a precursor solution of metal oxide at a temperature of 40 ° C. to 80 ° C. for at least 5 hours. .
제 6 항에 있어서,
단계 (d)는 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 300℃ 내지 500℃의 온도에서 4 시간 이상 동안 열 처리하는 공정을 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Step (d) comprises the step of heat-treating the reaction product obtained through step (c) at a temperature of 300 ℃ to 500 ℃ for at least 4 hours.
제 18 항에 있어서,
단계 (d)는 열 처리 공정 이전에, 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물 용액의 용매를 제거하고, 세척하는 공정을 추가로 포함하는 고방열 입자의 제조 방법.
The method of claim 18,
Step (d) further comprises the step of removing and washing the solvent of the reaction product solution obtained through step (c), prior to the heat treatment process.
접착용 수지; 열전도성 필러; 및 제 1 항에 따른 고방열 입자를 포함하는 전자부품 패키징용 접착제 조성물. Adhesive resin; Thermally conductive fillers; And adhesive composition for packaging electronic components comprising the high heat-dissipating particles according to claim 1. 제 20 항에 있어서,
접착용 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄 수지 및 실리콘-우레탄 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 전자부품 패키징용 접착제 조성물.
21. The method of claim 20,
Adhesive resin is an adhesive composition for packaging electronic components at least one selected from the group consisting of epoxy resins, acrylic resins, urethane resins and silicone-urethane resin.
제 20 항에 있어서,
열전도성 필러는 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO), 산화 아연(ZnO), 산화 규소(SiO2), 수산화 알루미늄(Al(OH)3), 수산화 마그네슘(Mg(OH)2), 탄화규소(SiC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN) 및 질화규소(Si3N4)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 전자부품 패키징용 접착제 조성물.
21. The method of claim 20,
Thermally conductive fillers include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum hydroxide (Al (OH) 3 ), magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), Silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), boron nitride (BN) and silicon nitride (Si 3 N 4 ) One or more adhesive composition for packaging electronic components.
제 20항에 있어서,
열전도성 필러는 접착용 수지 100 중량부에 대하여, 10 중량부 내지 100 중량부로 포함되는 전자부품 패키징용 접착제 조성물.
The method of claim 20,
The thermally conductive filler is an adhesive composition for packaging an electronic component is contained in 10 parts by weight to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive resin.
제 20 항에 있어서,
고방열 입자는 접착용 수지 100 중량부에 대하여, 0.1 중량부 내지 10 중량부로 포함되는 전자부품 패키징용 접착제 조성물.
21. The method of claim 20,
High heat-dissipating particles, the adhesive composition for packaging electronic components containing 0.1 parts by weight to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive resin.
제 20 항에 따른 전자부품 패키징용 접착제 조성물의 경화물을 포함하는 방열 재료.A heat dissipating material comprising a cured product of the adhesive composition for packaging an electronic component according to claim 20.
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